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JONCTION PN : RECHERCHE DE LA NATURE DU SEMI-CONDUCTEUR

On dispose d’une diode semi-conductrice dont on ignore tout, sauf qu’elle est de type PN++ . On
supposera donc que Na << Nd. Le schéma de principe d’une telle diode est rappelé en figure 1.

• Z.C.E est la zone de charge d’espace, vide de porteurs.


• Vj représente la différence de potentiel au niveau de la jonction idéale.
• Vd représente la différence de potentiel aux bornes de la jonction réelle sachant que l’on prend en
compte la résistivité des zones P et N++.

Vd
Vj
Id
Na Nd
P N ++

Z.C.E.
Figure 1

On rappelle les lois suivantes :


 V  kT
Id = Isexp( j ) − 1 (1) avec : UT = et Vd = V j + RsId (2)
 UT  q

• Id est le courant circulant dans la diode


• Is le courant inverse de saturation
• Rs la résistance série correspondant aux zones dopées N++ et P de part et d’autre de la zone de
charge d’espace.
On tiendra compte aussi de la variation du courant inverse de saturation Is en fonction de la température :
Eg
I s = A T 3 exp( − ) (3) où E g représente la hauteur de bande interdite
kT
Pour déterminer les caractéristiques physiques de la diode, on a effectué la mesure de l’évolution du
courant Id en fonction de la tension Vd pour deux températures :

• T0 = 300 °K où kT0 = 0.026 eV


• T1 = 330 °K où kT1 = 0.028 eV

Id 1 µA 10 µA 100µΑ 1mA 10mA 40 mA 100mA


Vd (T0) en V 0.800 0.860 0.920 0.986 1.103 1.326 1.725
Vd (T1) en V 0.808 0.873 0.937 1.009 1.137 1.390 1.844

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Ph. ROUX © 2006
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Les graphes du courant Id dans la diode en fonction de la tension Vd pour les deux températures T0 et T1
sont donnés en figure 2.

0,1
Id en ampère

0,01

0,001

0,0001

10-5

Vd en volts
10-6
0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2

1) A partir de quelle valeur du courant Id, l’effet de la résistance série Rs est-elle prépondérante sur la
tension Vj ?

2) En se plaçant à courant de diode très faible où l’effet de la résistance Rs est négligeable, calculer la
valeur du courant inverse de saturation Is pour les deux températures T0 et T1.

On se propose de déterminer le type de semi-conducteur dans lequel est réalisée la diode. Pour cela, on
va déterminer une relation liant la variation relative du courant Is avec la variation relative de la
température.

3) Dans ces conditions, on suivra les étapes de calcul suivantes :


dIs
a) Calculer l’expression de la dérivée du courant Is par rapport à la température soit :
dT
b) En déduire ensuite la relation suivante :
dI s Eg dT
= (3 + )
Is k T 0 T0
T0

c) En remplaçant dIs et dT par ∆Is et ∆T, déterminer la valeur de la hauteur de bande interdite Eg et en
déduire le type de semi-conducteur utilisé dans ce dispositif en utilisant les données suivantes pour la
température T0 = 300 °K.
3
T = 300 K Si Ge GaAS
Eg (eV) 1.12 0.67 1.4
µn (V-1 cm-2 s-1) 1450 3800 6000
µp (V-1 cm-2 s-1) 450 1700 400

On se propose de déterminer les mobilités de ce semi-conducteur à la température T1 .

4) Déterminer l’expression de la résistance série Rs en fonction de Vd, Id, Is et UT. Calculer la résistance
série de la diode pour Id = 100 mA et ceci pour T0 et T1.

5) Sachant que la diode est de type PN++, quelle est la zone P ou N++ qui est la plus résistive ?

6) En négligeant la contribution de la zone dopée la moins résistive, on peut alors écrire la relation
1 L dRs dµ p
habituelle : Rs = . Exprimer alors : en fonction de .
qpµ p S Rs µp

−α
T 
7) La mobilité des trous est fonction de la température selon la loi : µ p (T ) = µ p 0   où µp0 représente la
T0 
mobilité à la température T0 = 300 K.
Dans ces conditions, exprimer la relation liant ( dµp/µp) en fonction de (dT/T).

8) En déduire l’expression du coefficient α et faire l’application numérique.


Calculer alors la mobilité des trous à T1 = 330 K, dans le matériau semi-conducteur utilisé.
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CORRECTION

1) la tension aux bornes de la diode est telle que : Vd = V j + RsId . Si le terme RsId est négligeable
alors : Vd ≈ V j = UT ln Id − UT ln Is . La fonction Id = f (Vd) en coordonnées semi-logarithmique doit
être une droite.

0,1
Id en ampère

0,01

0,001

0,0001

10-5

Vd en volts
-6
10
0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2

Comme le montre la figure précédente, l’effet de Rs est sensible au-delà de Id = 1 mA.

2) Calcul de la valeur du courant inverse de saturation Is pour les deux températures T0 et T1.
Id
La relation (1) permet d’écrire : Is = . On obtient alors le tableau suivant :
Vj
exp( ) − 1
UT
Id 1µA 10 µA 100 µA
300 K 4,34 10 4,31 10 4,29 10-20
-20 -20

330 K 2,93 10-19 2,88 10-19 2,93 10-19

On prendra donc Is (300K)= 4,3 10-20 A et Is (330K)= 2,9 10-19 A.

3) Recherche de la nature du semi-conducteur.


E dI dIs  ATE g  Eg
a. Is = AT 3 exp(− g ). Calculons s : = 3 AT 2 +  exp(− )
kT dT dT  k  kT

b. Variation relative du courant inverse Is à la température T0.

dIs  ATE g  Eg Eg I
= 3 AT 2 +  exp(− ) avec : exp(− )= s2
dT  k  kT kT AT
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 dIs   E g  dT0
Soit en développant :  dT  = 3 + 
T0  kT0  T0

c. La relation précédente va permettre de calculer la hauteur de bande interdite Eg et par


conséquence la nature du semi-conducteur.
 ∆Is 
 I 
E g = kT0  s − 3
 ∆T 
 T0 

Is = 4,3 10-20, ∆is = 2,47 10-19, T0 = 300K, ∆T = 30 K. Eg = 1,42 eV.


Le semi-conducteur est GaAs.

I 
4) Exprimons la tension aux bornes de la jonction : Vd = V j + RsId où V j = UT ln d + 1
 Is 
1 I 
Rs = Vd − UT ln d + 1
Id   Is 

Pour Id = 100 mA : Rs (300 K) = 6,25 Ω Rs (330 K) = 7,13 Ω.

5) La zone la plus résistive est celle qui est la moins dopée : SiP.

1 L L
6) Sachant que : Rs = , on peut écrire : ln( Rs ) = ln( ) − ln(qpµ p )
qpµ p S S
dRs dµ
Soit : =− p
Rs µp

−α
T 
7) Mobilité des trous en fonction de la température : µ p (T ) = µ p 0  
T0 

T dµ p dT
ln(µ p (T )) = ln(µ p 0 ) − α ln( ) soit : = −α
T0 µp T

∆Rs T0
8) Les deux relations précédentes conduisent à : α= = 1, 41
Rs T

La mobilité µp des trous à T1 = 330 K est de 350 cm2V-1s-1.

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