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Transistor Monounión (UJT)

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Resumen— En este trabajo se presenta dos circuitos que

servirán para describir y comprender el funcionamiento y
características del UJT. El oscilador de relajación con UJT
es un generador de pulsos (de voltaje). Es posible
determinar con toda precisión la frecuencia con que se
producen los pulsos de disparo en el oscilador de relajación
(frecuencia de oscilación); mediante la variación de la
constante de tiempo RC.

Abstract— In this work we present two circuits that will be Figura 1. Prueba del UJT
good to describe and to understand the operation and
characteristic of the UJT. The relaxation oscillator with UJT is a
1. Un transistor UJT tiene una sola unión PN. Sus 3
generator of pulses (of voltage). it is possible to determine with
all precision the frequency with which the shot pulses take place
terminales son: Emisor, Base 1 y Base 2.
in the relaxation oscillator (oscillation frequency); by means of
the variation of the constant of time RC. 2. La relajación intrínseca de mantenimiento (Eta=ŋ), es
la relación de la resistencia equivalente de la base 1 (Rb1)
I. INTRODUCCIÓN a la resistencia total entre las bases (Rbb), es decir,

E n el presente laboratorio se estudiara el

comportamiento del UJT como dispositivo de control
(interruptor) en corriente continúa, además de otras
Ŋ = Rb1/Rbb

3. El voltaje máximo de disparo del emisor Vp, es una

características.
Es elemental para el estudiante entender como actúa este
dispositivo, ampliando más sus conocimientos o métodos
en el desarrollo de un sistema requerido en la industria y en
la cotidianidad.
Objetivos
a) Medir la resistencia entre las bases y determinar las
características del diodo PN (Emisor – Base1) de un
transistor UJT.
b) Determinar la relación intrínseca de mantenimiento de
un transistor UJT.
c) Medir el voltaje máximo de disparo del emisor en un
transistor UJT
d) Mostrar la operación y determinar la frecuencia de un
oscilador de relajación con transistor UJT.
e) Determina el efecto de un cambio en los componentes
sobre la frecuencia de oscilación en un oscilador de
relajación con transistor UJT.
f) Mostrar la operación de un generador de onda cuadrada
con transistor UJT.
II. MONTAJES Y EXPERIMENTO
En la figura 1 se presenta un diagrama del circuito, con el
cual se procede a hacer la prueba del UJT
función del voltaje Vbb de la fuente, la relación intrínseca
de mantenimiento y la caída de Vd del diodo de unión PN.
(Vp = ŋ* Vbb + Vd = Ve).
4. Cuando se dispara un UJT, el emisor exhibe resistencia
negativa.
Parte a: (Medir la resistencia entre las bases y determinar
las características del diodo PN (Emisor – Base) de un
transistor UJT
a. Observar el UJT, identificar los terminales Base 1,
base2 y emisor. Medir y registrar RB1 y Rb2 con el emisor
abierto. ¿invirtiendo las puntas la medición es la misma?
b. ¿Sus mediciones de Rbb indican que el UJT tiene una
juntura PN entre B1 y B2? ----
c. Medir y registrar: Reb1 (Directa) = -----,
Reb1 (Inversa) = -----.
d. ¿Estos valores indican que el UJT tiene una
juntura PN entre el emisor y la base 1? ------.

Parte b: Determinar la relación intrínseca de

mantenimiento de un transistor UJT

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Examinar el circuito de la Figura 1.Con lo que se quiere A: q1_1

B: v1_2
1.000 V

determinar la relación intrínseca (Ŋ) 0.750 V

0.500 V

0.250 V

0.000 V

R1 R2 -0.250 V
10k 100
-0.500 V

+ Vbb
D1 -0.750 V
10V
-1.000 V
Q1 0.000ms 0.500ms 1.000ms 1.500ms 2.000ms 2.500ms 3.000ms 3.500ms 4.000ms 4.500ms 5.000ms
UJT
NO DATA

Figura3
DC V

C1 C2
0.22uF 0.1uF
En esta figura se observa la variación de del
potenciómetro.
Figura 2. Circuito para determinar la relación Intrínseca b. Aumentar lentamente la R3, mientras
de mantenimiento de un transistor. observa (Ve –Tierra) en el osciloscopio. ¿Qué sucede a la
1.000 V
A: mm0_4
B: q1_1
0.750 V
indicación ?----
C: v1_2

0.500 V

0.250 V c. ¿Qué representa la lectura máxima en el

0.000 V
osciloscopio’ --
-0.250 V

-0.500 V

-0.750 V
d. ¿Qué característica provoca la repentina disminución en
-1.000 V
0.000ms 1.000ms 2.000ms 3.000ms 4.000ms 5.000ms
el voltaje de emisor?

Figura2 se muestra la simulación de el circuito se muestra III.DISEÑO Y CONCEPTOS

las descargar y cargas de los condensadores.
Vp = ŋ* Vbb El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction
transistor) es un dispositivo con un funcionamiento
A. Medir y registrar Vp a través de C1 diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de
disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unión
Vc1 = Vp= ----- PN

B. Calcular ŋ utilizando los valores conocidos Vbb y Físicamente el UJT consiste de una barra de material tipo
Vc1(=Vp). N con conexiones eléctricas a sus dos extremos (B1 y B2)
Ŋ = Vp / Vbb = Vc1/Vbb y de una conexión hecha con un conductor de aluminio
(E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N.

Parte c: Medir el voltaje máximo de disparo del emisor de Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El
un transistor UJT disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al
que ocurre este disparo está dado por la fórmula: Voltaje
a. Montar el circuito de la Figura 3. Ajustar de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1
R3 inicialmente para su mínimo valor.
Donde:
- n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)
- VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
R1 R2
1k 100k
La fórmula es aproximada porque el valor establecido en
+ V1
10V 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo
y la temperatura.
NO DATA

R3
DC V

10k 40% Q1
UJT

Los transistores UJT no se utilizan como amplificadores;

se usan principalmente para circuitos de tiempos, disparo
de tensión y generadores de ondas. Pueden controlar
Figura 3. Circuito Dispuesto para medir el voltaje máximo
retrasos exactos, pulsos de tiempo, ondas de diente de
de disparo del emisor de un UJT.
sierra y transiciones de onda cuadrada.

* Comportamiento del circuito de la Figura 1. Para la cual

se deben cumplir unos objetivos ya especificados:
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El capacitor C2 se carga a través de R1 hasta alcanzar el

voltaje de disparo del UJT. Cuando el UJT se dispara, C2
se descarga a través del circuito de emisor- Base 1 del
UJT. Entonces la carga en C2 cae por debajo del valor
requerido para mantener al UJT en conducción y el UJT
se corta nuevamente. La acción se repite continuamente y
se genera una onda tipo diente de sierra a través de C2.

El voltaje máximo a través de C2 representa el voltaje

máximo de disparo Vp del UJT. El capacitor C1 y el
diodo D en combinación con el medidor forman un
circuito de voltímetro para lectura máxima. Cada vez que
se carga C2, también C1 se carga al voltaje máximo
Figura 4. Forma de onda resultante para el circuito de la
(menos la caída del diodo). Pero debido al diodo D, C1
Figura 2 en Circuit Maker.
retiene casi toda su carga máxima después de que se
descarga C2.

Ocurre cierta descarga de C1 a través del voltímetro entre Parte c:

los ciclos de carga. En consecuencia, cada vez que se
carga C1 la lectura máxima del voltímetro representa Vp b. Se empieza aumentar R3 lentamente, se observa en el
del UJT. osciloscopio que el voltaje cae de 7.03v a 0.7v siendo este
el voltaje de valle.
El D compensa automáticamente la caída de voltaje Vd a - La lectura máxima del voltaje significa, el voltaje pico
través de la juntura PN del UJT, ya que la caída es con el cual el UJT se ha disparado.
aproximadamente la misma para todas las junturas de - Lo que provoca la disminución del Vemisor es que el UJT
silicio. se disparo, entonces la corriente que pasa por la Rb2
interna es grande y la Rb1 disminuya y el voltaje aumente
no cumpliéndose la ley de ohm.
IV. RESULTADOS Y ANÁLISIS
Parte a: V. CONCLUSIONES
- Por medio del desarrollo de la práctica se pudieron
- Reb1 (Directa) = --847--, conocer las características más importantes del UJT, entre
Reb1 (Inversa) = --∞--. ellas se obtuvieron: La relación intrínseca de
mantenimiento del UJT; el voltaje máximo de disparo y
Además la resistencia entre las bases es igual a 4.7 K, con por último se mostró la debida operación y la frecuencia de
lo cual se determina que se encuentra en el rango, oscilación para el oscilador de relajación con un UJT.
5K < Rbb< 12K
- El punto de funcionamiento viene determinado por las
Las mediciones de Rbb indican que el UJR tiene juntura características del circuito exterior. El funcionamiento del
PN entre el emisor y la base 1. UJT se basa en el control de la resistencia rB1B2 mediante
la tensión aplicada al emisor.
Parte b: - Si el emisor no está conectado ó VE < VP ⇒ Diodo
polarizado inversamente ⇒ no conduce ⇒ IE = 0.
Mediante el osciloscopio se pudieron obtener los valores a
continuación y con los cuales se pudo determinar:
REFERENCIAS
Vp = ŋ* Vbb
[1] Manual de asignatura Electrónica II, Universidad Tecnológica de
Vp = 6,6 V puebla, Programa 2004.

[2] I.S.B.N.:84-607-1933-2, Deposito legal I: SA-138-2001.

Ŋ = Vp / Vbb = Vc1/Vbb [3] José Luis Giordano, Septiembre 19, 2006 (Última revisión:
Ŋ = 6,6 V / 10V Septiembre 19, 2006).
Ŋ = 0.666
[4] www.google.com/ SCR

[5] www.unicrom.com
Y por medio del análisis en Circuit Maker se obtuvo la
siguiente la onda que se encuentra en la Figura 4.