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Chap.

4 : Circuits à Amplificateurs

Chapitre 4: Circuits à Amplificateurs

Pr. Mohamed LAMHAMDI


Ecole nationale des sciences appliquées Berrechid

DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI


Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs

q Rappels
- Régime de petits signaux
- Quadripôles équivalents
- Schéma équivalent du transistor
- Amplificateurs à transistor bipolaire
q Amplificateurs à plusieurs étages
- Définition
- Associations typiques
- Montage Darlington
- Montage Collecteur commun – Émetteur commun
- Montage Collecteur commun – Base commune
q Amplificateurs différentiels
- Référence du signal
- Pourquoi un amplificateur différentiel?
- Tension de mode commun
- Structure d’un amplificateur différentiel
- Propriétés d’un amplificateur différentiel
- Amplificateurs différentiels à base des transistors bipolaires
- Réalisation d’un générateur de courant

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Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs
Rappels
Régime de petits signaux
Définitions : lorsque les variations d’une grandeur par rapport à sa valeur de repos,
ont de très faibles amplitudes, on dit que le système travail en régime de petits
signaux.
Dans ces conditions, les déplacements effectués par les points de fonctionnement
peuvent être assimilés à des segments de droites.

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Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs
Rappels

Quadripôles équivalents

On s’attache à modéliser les composants actifs par des schémas équivalents


électriques décrivent correctement le fonctionnement du dispositif dans certaines
domaines de fréquences.
Deux modèles les plus utilisés:
• les matrices hybrides (H) : s’emploie aux basses fréquences.
• les matrices admittances (Y): s’emploie aux hautes fréquences.
L’équation de définition des paramètres hybrides (hij):

i1 i2
v1 v2
Quadripôle

Ce qui conduit au schéma équivalent:

æ v1 ö æi ö ìv = h i + h v h11 1/h22
çç ÷÷ = (hij )çç 1 ÷÷ Û í 1 11 1 12 2 v1 v2
h21i1
è i2 ø è v2 ø îi2 = h21i1 + h22 v2 h12v2

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Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs
Rappels
Schéma équivalent du transistor:
ic C ic

B ib h11 1/h22
Vce
Vce Vbe h21ib
Vbe h12Vce
E

Schéma équivalent simplifié du transistor:


B ib ic C

Vbe r
Bib
Vce Avec r = β/s où s est la pente du transistor.
T
E

Schéma équivalent d’un étage:


L’emploi des schémas équivalent permettra de calculer facilement les grandeurs
suivantes:
• Amplification en tension: Av = v2/v1
• Amplification en courant: Ai = i2/i1
• Impédance d’entrée : Ze = v1/i1
• Impédance de sortie: Zs = v2/i2.

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Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs
Rappels
Amplificateurs à transistor bipolaire: Émetteur commun

+Vcc ig B ib ic C

R1 Rc
r
Bib
V2
R1//R2
v1 E
Rc
Rg v2
v1 R2 (B+1)ib RE
RE
eg

• Impédance d’entrée : Ze = R1//R2//(rπ + RE(β + 1)


• Amplification en tension : Av = v2/v1 = - βRc/(rπ + (β + 1)RE).
• Impédance de sortie : | Zs | = Rc

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Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs
Rappels
Amplificateurs à transistor bipolaire : Collecteur commun
ig B ib ic C
+Vcc
R1
r
Bib
v1 E
R1//R2
Rg
v1 R2 RE v2
v2
RE
eg

• Impédance d’entrée : Ze = R1//R2//(rπ + RE(β + 1)

• Amplification en tension : Av = v2/v1 = - RE (β+1) /(rπ + (β + 1)RE) ≈ 1

1
• Impédance de sortie : Z s = RE // ( rp + Rg // R1 // R2 )
B +1

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Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs
Rappels
Amplificateurs à transistor bipolaire : Base commune

+Vcc B ib ic C

R1 Rc
r
Bib
v2
E ig Rc V2

R2 Rg
RE Rg
v1 RE v1
eg eg

• Impédance d’entrée : Ze = RE//rπ/(β + 1)

• Amplification en tension : Av = v2/v1 = βRc/rπ


• Impédance de sortie : | Zs | = Rc

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Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs
Amplificateurs à plusieurs étages
Amplificateurs à plusieurs étages

Il arrive souvent que les amplificateurs à un seul transistor s’avèrent insuffisants pour
atteindre le but souhaité:
- Soit par ce que l’amplification est insuffisante;
- Soit par ce que les résistances d’entrée et de sortie peuvent ne pas avoir les valeurs requises.
On surmonte ces difficultés en montant plusieurs étages en cascade.
La sortie d’un étage est donc raccordée à l’entrée de l’étage suivant.

2 étages en cascade

L’analyse du montage en cascade repose sur la détermination du circuit équivalent de


Thévenin de chaque étage.

vs1 Ze2
Att12 = =
Av1ve Z e 2 + Z s1

Le gain total du montage en cascade est exprimé par: Av = AV1.Att12.AV2 = Vs/Ve.


Le terme Att12 représente l’atténuation entre les deux étages.

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Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs
Amplificateurs à plusieurs étages
Associations typiques
Émetteur commun – émetteur commun
+Vcc

R1 Rc1 R'1 Rc2

Cette association s’utilise


lorsqu’on souhaite un gain élevé.
Ve R2 R'2 Vs
RE1 RE2

On associe généralement :
EC + EC : pour obtenir un gain élevé.
CC + EC : si l'impédance interne du générateur d'entrée est trop élevée.
EC + CC : si l'impédance de la charge est faible.
CC + CC : pour obtenir un fort gain en courant.

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Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs
Amplificateurs à plusieurs étages
Exemple: Montage Darlington: générateur de courant
On dit que deux transistors se trouvent montés en Darlington lorsque le courant
d’émetteur de l’un passe par l’espace base – émetteur de l’autre.
+Vcc C
On peut montrer que les 2
T1
B ib
ic transistors T1 et T2 du
Rg
T2 paire de Darlington sont
v1 ie identique à un seul
eg
RE v2 E transistor équivalent T.

Schéma équivalent en régime variable


B ib ic1 C ic
ic2
r1
B1ib1 B2ib2
T1
T2
V1
ib2
r2
RE
V2

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Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs
Amplificateurs à plusieurs étages
Exemple: Montage Darlington: générateur de courant

Impédance d’entrée du montage

B ib ic1 C ic
ic2
r1
B1ib1 B2ib2
T1
T2
V1
ib2
r2
RE
V2

v1 = rp 1ib + rp 2ib 2 + RE ( b 2 + 1)ib 2 Avec ib 2 = ( b1 + 1)ib

D’où v1
Ze = = rp + rp 2 ( b1 + 1) + RE ( b1 + 1)( b 2 + 1)
ib

Où encore: Z e = b1b 2 RE alors que Ze (collecteur-commun) = βRE

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Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs
Amplificateurs à plusieurs étages
Exemple: Montage Darlington: générateur de courant

Amplification en tension
B ib ic1 C ic
ic2
r1
B1ib1 B2ib2
T1
T2
V1
ib2
r2
RE
V2

v2 = RE ( b 2 + 1)ib 2 = RE ( b1 + 1)( b 2 + 1)ib1

v1 = Z e ib1 = [rp 1 + rp 2 ( b1 + 1) + RE ( b1 + 1)( b 2 + 1)]ib1

Il vient: A = v2 = RE ( b1 + 1)( b 2 + 1)
<1
+ rp 2 ( b 2 + 1) + RE ( b1 + 1)( b 2 + 1)
v
v1 rp 1

Comme pour le montage type C-C, l’amplification en tension est légèrement


inférieur à 1.
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Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs
Amplificateurs à plusieurs étages
Exemple: Montage Darlington: générateur de courant
Amplification en courant
B ib ic1 C ic La loi des nœuds en C s’écrit:
ic2
r1
B1ib1 B2ib2 ic = ic1 + ic 2 = b1ib1 + b 2ib 2 = b1ib1 + ( b 2 + 1) b 2ib1
T1 1
T2 ic
V1 et Ai = = b1 + ( b1 + 1) b 2 ¹ b1 b 2
ib2 ib
r2
RE
V2 ( b1 >> 1) C’est considérable.

Le schéma équivalent simplifié du montage Darlington:


B ib ic C

r =
B1B2RE B1B2ib
T
E
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Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs
Amplificateurs à plusieurs étages
Montage Collecteur commun – Émetteur commun
Ses propriétés ressemblent à celle d’une paire de Darlington.
+Vcc
• Le gain en courant du transistor
composé est d’environ β1β2 puisque le R1 Rc2
courant émetteur de T1 est le courant
de base de T2. T1 T2
• La réponse en fréquence du montage
C.C. – E.C. est supérieur à celle de la V1 R2
V2
configuration Darlington. RE1 RE2

Montage Collecteur commun – Base commune +Vcc

R1 Rc R3
- La faible résistance de sortie de
l’étage type C.C. s’adapte bien à la
résistance d’entrée de l’étage à B.C. T1 V2
T2
((rπ2/ β2+1)//RE).
V1 R2 R4
CB
RE

Les caractéristiques de cette configuration sont les suivantes:


• Résistance d’entrée élevée grâce au C.C. (R1//R2// β1RE);
• Gain en tension élevé grâce au B.C. (Av = β2Rc / rπ2).
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Amplificateurs différentiels
Référence du signal:

Lors du choix d’un type d’amplificateur, l’un des premiers critères à prendre en
compte est la référence par rapport à laquelle est définie la tension que délivre
la source du signal.

La référence du signal peut être :

• Soit identique à la référence des tensions de l’amplificateur,


• Soit en être différente et donc portée à un certain potentiel par rapport à la
masse de l’amplificateur.

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Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs
Amplificateurs différentiels
Référence du signal: Signal référencé à la masse de l’amplificateur (référence commun)

Cette situation se présente dans les deux cas suivants:


cas 1 :
La source du signal est immédiatement voisine de l’amplificateur c’est le cas, par
exemple, d’un capteur dont le boîtier contient l’amplificateur associé.

la source du signal est référencée à la masse


de l’amplificateur soit directement

cas 2:
La source du signal est éloignée de l’amplificateur, mais étant isolée de son
environnement, l’une de ses bornes est ramenée à la masse de l’amplificateur.

la source du signal isolant de sa masse locale et


relie à la masse de l’amplificateur.

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Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs
Amplificateurs différentiels
Référence du signal: Signal référencé à un potentiel différent de la masse de l’amplificateur
Le signal support de l’information correspond dans ce cas à la différence de potentiel
v2 – v1 entre deux points de mesure 2 et 1 dont aucun, n’est au potentiel de référence
qu’est la masse Mi de l’amplificateur.
Exemples:
• La tension de mesure vm est prise aux bornes d’un composant inclus dans un
circuit.

• Le signal est la tension vm de déséquilibre d’un pont.

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Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs
Amplificateurs différentiels
Pourquoi un amplificateur différentiel?
En instrumentation industrielle, le signal de mesure est fréquemment superposé à des
tensions parasites de mode commun, dues en particulier à des couplage magnétiques ou
électriques à des sources perturbatrices.
Par leur aptitude à la réjection des tensions de mode commun, les amplificateurs
différentiels jouent un rôle capital dans la réduction des tensions parasites dès lors que
celles-ci apparaissent comme des tensions de mode commun.
Principe: à partir de 2 signaux d’entrée v1 et v2, l’amplificateur différentiel doit fournir
un signal de sortie: us = Gd (v1 – v2) (Gd : gain différentiel).

Deux types
Montage à sortie flottante Montage à référence commune

v1 vs v1 vs
v2 v2

Les signaux d’entrée et de sortie


La référence de potentiel en sortie est
admettent la même référence de
différente de la référence commune
potentiel
aux signaux d’entrée.

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Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs
Amplificateurs différentiels
Tension de mode commun
On définit la tension de mode commun vmc comme étant la tension commune à v1 et v2 et
qui ne contient pas d’information.

Ainsi en posant : v1 + v2
vmc =
2

1
vm
v1
Source vm dispositif
du signal 2 de mesure v1
vmc
vo
v2 v2

La tension vmc est commune à v1 et v2. Elle peut être très supérieure à vm.

Faire une mesure de bonne précision revient à éliminer ou réjecter cette tension
de mode commun de manière à extraire la tension vm (tension différentielle de
mesure) tout en étant indépendant de vmc.
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Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs
Amplificateurs différentiels
Structure d’un amplificateur différentiel
Un amplificateur différentiel peut être fonctionnellement considéré comme formé:

- D’un amplificateur inverseur de gain: -G-


- D’un amplificateur non inverseur de gain: G+
- D’un sommateur des tensions issues des deux amplificateurs précédents.

2 G+
å Amplificateur différentiel:
v2 Schéma de principe.
vo
1 -G-
v1

La tension de sortie du sommateur, qui est la tension de sortie de l’amplificateur, a pour


expression:

vo = G+v2 – G-v1 (1)

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Amplificateurs différentiels
Propriétés d’un amplificateur différentiel
On pose:
Tension différentielle : vd = v2 – v1;
Tension de mode commun : vmc = (v1 + v2)/2;
D’où il résulte : v2 = vmc + vd/2 (2) et v1 = vmc – vd/2. (3)

Cette expression met en évidence que la tension différentielle vd, qui est seule support
de l’information, est superposée à la tension de mode commun vmc.
La tension de sortie de l’amplificateur peut se réécrire:

G+ + G-
(2) et (3) dans (1) vo = .vd + (G+ - G- ).vmc
2

La tension de sortie d’un amplificateur idéal, de gain G serait donc: vo = G.(v2 – v1).
En fait, l’amplificateur différentiel réel présente, vis-à-vis de la tension de mode commun
vmc, une certaine sensibilité qui est spécifiée son taux de rejection du mode commun.

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Amplificateurs différentiels
Propriétés d’un amplificateur différentiel

G+ + G- Gain différentiel: Gd = (G+ + G-)/2,


vo = .vd + (G+ - G- ).vmc
2 Gain de mode commun : Gmc = G+ - G-.

Gd 1 G+ + G-
Le taux de rejection du mode commun de l’amplificateur est: tr = = .
Gmc 2 G+ - G-
Il exprime la qualité de l’amplificateur différentiel.
Plus le taux de rejection est élevé, l’amplificateur est meilleur.

La tension de sortie d’un amplificateur é 1 ù


différentiel a dès lors pour expression: vo = Gd .vd + Gmc .vmc = Gd .êvd + .vmc ú
ë tr û

L’influence de la tension de mode commun est d’autant plus réduite que le taux de
rejection t r est plus élevé.

Remarque:
Les fabricants d’amplificateurs différentiels expriment le taux de réjection
(CMRR, Common Mode Rejection Ratio) en décibels par la notation CMR (Commode
Mode Rejection).
Où CMR = 20 log CMRR. Ainsi pour CMRR = 105 on a CMR = 100dB.

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Amplificateurs différentiels
Amplificateurs différentiels à base des transistors bipolaires: à sortie flottante

Schéma de principe:

T1 et T2 sont identiques.

Statique (polarisation):
• u1 = u2 = 0
• zone linéaire de fonctionnement : VCE > VCEsat , VBE ≈ 0,6 Volt.
• Le dispositif est symétrique: Ic1 = Ic2 = I0/2 → us = 0.
I0
On a: E = Rc + VCE - VBE
2
I0
VCE > VCEsat ® E - Rc + VBE > VCEsat
2
I0
Si VCE = E ® Rc = VBE
2
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Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs
Amplificateurs différentiels
Amplificateurs différentiels à base des transistors bipolaires: à sortie flottante
Dynamique :
(un générateur de courant constant I0 est ramené, dans la modélisation du schéma
équivalent aux Basses Fréquences, à sa résistance interne R0 supposée infinie ici
(générateur de courant parfait)).

u s = u s1s 2 = vs1M - vs 2 M = - RC ic1 + RC ic 2 = - RC ( svbe1 - svbe 2 )


vbe b
Car: ic = b ib = b = svbe avec: s = ® u s = - sRc (vbe1 - vbe 2 )
rp rp
Or: vbe1 = u1 - v NM ® vbe1 - vbe 2 = u1 - u 2

u s = - sRc (u1 - u2 ) Gain différentiel : Gd = -sRc.


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Chap. 4 : Circuits à Amplificateurs
Amplificateurs différentiels
Amplificateurs différentiels à base des transistors bipolaires: à référence commune
Schéma de principe:

T3 monté en Collecteur Commun (très forte résistance d’entrée), ne prélève que très
peu de courant sur le Collecteur de T2.
→ Symétrie conservée → us ≈ 0. (T1 et T2 identiques)
Statique:

En plus des conditions décrites pour le montage à sortie flottante, il faut ajouter la
condition:
I0
us = 0 lorsque u1 = u2 = 0. E - Rc - VBE - Vz = 0 Avec: VBE = 0.6Volt
2

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Amplificateurs différentiels
Amplificateurs différentiels à base des transistors bipolaires: à référence commune
Dynamique:

- R0 : Résistance équivalente au générateur de courant constant I0.


(Un générateur de courant constant I0 passivé dans la modélisation du schéma équivalent
aux Basses Fréquences est ramené à sa résistance interne R0).

- r3, β3 : paramètres du transistor T3.

- rd : Résistance de la diode Zener (le générateur constant de la diode Zener est annihilé
dans la modélisation du schéma équivalent aux Basses Fréquences) : rd est négligée:

• rd négligée ≈ 0
• Ed = 0 en dynamique
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Amplificateurs différentiels
Amplificateurs différentiels à base des transistors bipolaires: à référence commune
Dynamique:

T3 monté en Collecteur Commun → gain ≈ 1: us ≈ us0. us Rz ( b 3 + 1)


( = » 1)
u s 0 rp 3 + Rz ( b 3 + 1)
On a : u s = - RC ( bib 2 + ib 3 ) » - bRC ib 2
u1 = rp ib1 + R0 (( b + 1)ib1 + ( b + 1)ib 2 ) » rp ib1 + R0 b (ib1 + ib 2 )

u2 = rp ib 2 + R0 (( b + 1)ib1 + ( b + 1)ib 2 ) » rp ib 2 + R0 b (ib1 + ib 2 )


ì 1
ïib1 - ib 2 = (u1 - u2 ) (1)
ìu1 - u2 = rp (ib1 - ib 2 ) ï rp
®í ®í
îu1 + u2 = (rp + 2 b R0 )(ib1 + ib 2 ) ïi + i = 1
(u1 + u2 )
(2)
ï
î
b1 b2
rp + 2 b R0
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Amplificateurs différentiels
Amplificateurs différentiels à base des transistors bipolaires: à référence commune
Dynamique:

1 1
(2) – (1) ® ib 2 = (u1 + u2 ) - (u1 - u2 )
2(rp + 2 b R0 ) 2rp
- b RC bRC
us = (u1 + u 2 ) + (u1 - u 2 )
et: u s = - b RC ib 2 ® 2(rp + 2 b R0 ) 2rp
u s = Gcm (u1 + u 2 ) + Gd (u1 - u 2 )
b RC
Avec : • Gd :gain différentiel: Gd =
2rp
- bRc
• Gcm: gain de mode commun: Gc m =
2(rp + 2 bR0 )
Le montage se rapproche d’autant plus d’un amplificateur différentiel que: |Gd| >> |Gcm|.
Remarque: si on a un générateur de courant I0 parfait → R0 = ∞ → Gcm = 0.
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Amplificateurs différentiels
Réalisation d’un générateur de courant I0
On peut utiliser un transistor (générateur de courant à résistance interne très élevée)
entre les points N et –E:

• Rz2 est calculée pour la diode Zener soit dans la 2 E - Vz


I z min < < I z max
zone vertical de la caractéristique: Rz 2

Vz - 0.6
VRE = Vz - 0.6 = C te ® I 0 = = C te
RE

• De plus: si u1 = u2 = 0, il faut VBE = 0.6 Volt (polarisation) → u1 = 0 = VBE1 + VCE4 +Vz – 0.6 – E
→ VCE4 = E – Vz et avec VCE4 > VCEsat

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