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Université de Boumerdès

Faculté des Sciences de l’Ingénieur


Département Ingénierie des Systèmes Électriques
Spécialité: Electrotechnique-L3
Module: Capteur et métrologie

Chapitre 3: Les capteurs photométriques

Dr S. Messaoudi

2018/2019

Principales grandeurs photométriques


ƒ Flux lumineux
Le débit de lumière ou quantité globale de lumière
émise par une source dans toutes les directions. Il
s'exprime en lumen (lm).
• Intensité lumineuse I
Une source lumineuse a une certaine intensité dans une
direction donnée. L'intensité est le flux émis F par
unité d'angle solide W. L'unité est la candela (cd).
• Eclairement E
Une surface S placée à une distance d donnée de la
source reçoit un éclairement E. C'est le flux reçu Freçu
par unité de surface éclairée. Il s'exprime en lux (lx).
S.. MESSAOUDI
M Chapitre III 3
Capteurs photométriques

• Convertir l’information lumineuse en un


courant électrique mesurable
• Un capteur va donc absorber l’énergie portée
par les photons pour créer un flux d’électrons

S. MESSAOUDI Chapitre III 4

Photorésistance
• LDR (Light Dependent Resistor), la
photorésistance est un dipôle dont la
résistance dépend de la lumière qu’il reçoit
• La partie sensible du capteur est une piste de
sulfure de cadmium en forme de serpent
• l’énergie lumineuse déclenche une
augmentation de porteurs libres dans ce
matériau, de sorte que sa résistance
électrique diminue a priori

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Photorésistance: Montage de mesure
RQ: L’éclairement lumineux de la lampe utilisée est estimé à l’aide d’un luxmètre

Obscurité: R0=? (0 lux)

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Photorésistance
• Une photorésistance est un composant
électronique dont la résistivité varie en fonction
de la quantité de lumière incidente
• On peut également la nommer résistance photo-
dépendante (light dependent resistor (LDR))
ou cellule photoconductrice
• Une photorésistance est composée d'un semi-
conducteur à haute résistivité comme CdS, SeCd,
PbD, SbIn, SbAs ...

S. MESSAOUDI Chapitre III 7


Photorésistance

Les photorésistances sont des capteurs passifs

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Photorésistance
• Avantages : Capteur sensible, de faible coût,
facile à mettre en œuvre.
• Inconvénients : Non linéaire. La vitesse de
variation de R avec l'éclairement est faible et non
symétrique. (Temps de montée de l'ordre de 35
ms et temps de descente de l'ordre de 10 ms).
• Applications: Déclenchement automatique
d'éclairage, détecteur de présence, relais optique
...
S. MESSAOUDI Chapitre III 9
Photorésistance

S. MESSAOUDI
S Chapitre III 10

Photodiode
Constitution et principe du fonctionnement

• En l'absence de tension extérieure appliquée, le


courant à travers la jonction (PN) est nul
• L'application à la diode d'une tension extérieure
modifie la hauteur de la barrière de potentiel
entraînant une variation du courant dû aux
porteurs majoritaires et une modification de la
largeur de la zone de déplétion.
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Photodiode
Réalisation de la photodiode :
• la tranche de semi-conducteur éclairée soit
très mince de façon à transmettre la majeure
partie de l'énergie incidente
• la zone de déplétion soit large de façon à ce
que l'absorption du rayonnement y soit
maximum

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Photodiode
• Une photodiode est constituée d’un cristal
semi-conducteur (Si, Ge) qui, lorsqu’on
l’éclaire, émet un courant électrique par effet
photoélectrique.

• Les photons libèrent des électrons dans une


jonction polarisée en inverse.

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Photodiode
• Une photodiode est un composant semi-conducteur ayant la
capacité de détecter un rayonnement du domaine optique et de le
transformer en signal électrique.
• A l’inverse d’une LED (diode électro luminescente), qui produit de la
lumière, la photodiode utilise de la lumière pour réaliser une
fonction spécifique.
• A la base, une photodiode fonctionne comme une photorésistance
et donc dans l’obscurité totale, la résistance est très élevée et ne
conduit que très peu de courant. Mais lorsque la jonction PN est
exposée à la lumière, la résistance interne décroit et le courant
augmente. Les photodiodes peuvent être utilisées sous deux modes
:
– Mode photovoltaïque
– Mode photoampérique

S. MESSAOUDI
M Chapitre III 14

Photodiode
• Montages en mode photovoltaïque, en l’absence de polarisation,
elles génèrent une tension ;

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Photodiode
• Montages en mode photoampérique
• Lorsque la photodiode est montée en inverse, l’intensité I
du courant est proportionnelle à l’éclairement E.
• le courant inverse est fonction de l'éclairement qu'elles
subissent Courbe caractéristique d’une photodiode

S. MESSAOUDI Chapitre
Ch
hap III 16

Photodiode
Conditionnement
Exemple industriel

Application
Luxmètre

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Phototransistor: Transistor
• Le transistor à jonction est constitué de trois éléments SCs
juxtaposés, donc de deux jonctions.
• Suivant la nature des dopages, on peut les classer en deux
catégories (NPN et PNP.
• Pour un transistor NPN, deux zones dopés N sont séparées
par une zone dopée P tandis que pour un transistor PNP,
deux zones dopées P sont séparées par une zone dopée N.
• Les trois régions sont appelées émetteur (E), base(B) et
collecteur (C).
• La jonction PN reliant la région de la base et celle de
l’émetteur est appelée la jonction base-émetteur.
• La jonction PN reliant la région de la base et celle de
collecteur est appelée la jonction base-collecteur.

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M Chapitre III 18

Phototransistor: Transistor
• La flèche sur l’émetteur indique le sens du courant.

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Phototransistor
• Un phototransistor est un transistor bipolaire
dont la base est accessible à la lumière.
• Lorsque la base est éclairée, il apparaît un
photo-courant Iph dans la jonction collecteur
base sous la forme

S. MESSAOUDI Chapitre III 20

Principe d’un phototransistor

• Le courant de base du transistor provient


d’une photodiode.
• Le photocourant est ainsi amplifié du facteur B
du transistor.
• La grandeur de commande du transistor
devient l’éclairement.
• Le phototransistor s’utilise comme un
transistor bipolaire classique, aussi bien en
régime linéaire qu’en commutation.

S. MESSAOUDI Chapitre III 21


Principe d’un phototransistor

Phototransistor en commutation
• L'information est binaire : rayonnement présent ou
non, ou bien éclairement supérieur ou non à un seuil.
• Le transistor bloqué ou saturé assure la commande
directe ou après amplification d'un relais, de portes
logiques, d'un thyristor ou d'un triac

S. MESSAOUDI Chapitre III 22

Phototransistor
TEPT4400 - Phototransistor, 2 Broches

S. MESSAOUDI Chapitre III 23


Phototransistor :Conditionnement

Le conditionnement peut se limiter à


une simple résistance calibrée Zi = R .
La tension mesurée est fonction de la résistance
de mesure et de l'impédance parallèle du
générateur de courant.

Le capteur devient source de courant à tension

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Phototransistor: Application
• Un optocoupleur est formé d'une LED infrarouge et d'un phototransistor ou d'une
photodiode. Il y a une isolement électrique entre les deux. Les caractéristiques
électriques sont :
– courant maximum dans la LED
– courant maximum dans le phototransistor
– taux de transfert (CTR : current transfer ratio)
– courant de fuite dans le phototransistor (dark current)
– puissance que l'ensemble peut dissiper
– tension d'isolation de l'optocoupleur
• Symbole de l'optocoupleur

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