UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA - SEDE MANIZALES
Amplificador de dos etapas usando BJT
Reporte Técnico
Docentes: Julio César García, Juan Guillermo, Johnny Tamayo, Oscar Marino Diaz.
Monitores: Carlos Humberto García
I NTRODUCCIÓN A LA INGENIERÍA ELECTRÓNICA
Estudiante 1:
Estudiante 2:
Estudiante 3:
Estudiante 4:
N OVEMBER 1, 2010
Abstract—El problema con los amplificadores que uti-
lizan transistores es la estabilidad de la corriente de
colector. En este informe se presenta el diseño de un
amplificador de dos etapas en cascads en configuración
de Emisor Común con realimentación de Emisor. Los
resultados indican la estabilidad de la corriente de colector
en cada etapa, y la concordancia entre los datos calculados
y medidos.
Index Terms—Fuente, Leyes de Kirchhoff, Malla,
Multímetro, Nodo, Resistores, Simulador.
I. I NTRODUCCIÓN
El problema fundamental en el diseño de amplificadores
con transistores es establecer uno que provea un punto
estable de polarización. Además, si se requiere que el
amplificador funcione para una gama limitada de fre-
cuencias, el cálculo de los filtros es escencial. Para ello se
ilustra en la Figura 1(a) un amplificador de dos etapas en
cascada, utilizando una configuración en Emisor Común
(EC) para cada etapa. Así, para cada etapa, la resistencia
de emisor se comporta como un parámetro de reali-
mentación. Suponga que la corriente de colector IC varia
más allá del valor diseñado (sea por una variación de β ,
o de temperatura). Luego VRE = RE IE . Como VBB y
RB no cambian, en la malla de entrada se muestra que
IB debería disminuir, lo que reduce también el valor de
IC a su valor original. Esto se denomina Realimentación
Negativa.
En este informe se presenta el procedimiento de
diseño, montaje y recomendaciones para cumplir con las
características anteriormente comentadas.
II. M ARCO EXPERIMENTAL
El diseño debe cumplir con las siguientes caracterís-
ticas:
1
• Tensión de polarización Vcc = 15 Volts.
• Ganancia de tensión en la segunda etapa Av (2):
−500 Volt/Volt.
• Frecuencia de corte inferior ωc : 2π ∗ 5 k rad/seg.
• Resistencia de fuente Rs = 5 kOhms.
A. Análisis de polarización
Este análisis permite determinar el punto Q de polar-
ización de los amplificadores [1]. Para ello se tiene
que los capacitores separa cada una de las etapas de
amplificación, es decir, se considerarían como circuitos
abiertos. Por lo tanto, para la correspondiente etapa n,
se tienen las siguientes ecuaciones de malla a la salida
de cada amplificador para hallar IC (n):
vCE = VCC − iC (n)RC (n) − iE (n)RE (n)
Considerando iC (n) ≈ iE (n), se tiene que:
vCE = VCC − (iC (n))(RC (n) + RE (n))
Luego la recta de carga en función de vCE es igual a:
VCC − vCE
iC (n) = (1)
RC (n) + RE (n)
Luego, se puede considerar la curva de la pendiente de
carga como −1/(RC (n) + RE (n)). Para la malla de
entrada se tiene el equivalente Thévenin desde la base,
donde:
R1 (n)R2 (n)
RB (n) = R1 (n)||R2 (n) = (2)
R1 (n) + R2 (n)
R2 (n)
VBB (n) = VCC ∗ (3)
R1 (n) + R2 (n)
Luego, tomando la malla de entrada Base–Emisor:
VRE (n) = (β + 1)iB (n)RE (n)
= VBB (n) − iB (n)RB (n) − VBE
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(a) Circuito de dos etapas

(b) Análisis en pequeña señal

Fig. 1. Circuito 1

VBB (n) − VBE ∆vBE = 0.1 Volts, con lo que VRE min  ∆vBE ≈ 0.1.
iB (n) =
RB (n) + (β + 1)RE (n) Luego VRE min > 10 ∗ 0.1 = 1 Volt. Luego:
Considerando que β  1 y RB (n)  βRE (n), se 1 1
RE (n) > ≈ (5)
tiene que: IE (n) IC (n)
VBB (n) − VBE La Tabla I ilustra los valores obtenidos de la hoja de
iB (n) ≈
βRE (n) datos para el Transistor .
Como iC (n) = βiB (n): De acuerdo con esto, se busca que el amplificador
obtenga la mayor Excursión Simétrica a la salida de
VBB − VBE cada etapa n, es decir, que la señal no genere corte o
iC (n) ≈ (4)
RE (n) saturación en alguno de sus ciclos sobre el amplificador.
Asumiendo que RB (n) ≈ 0.1βmin RE (n). Por último, Para ello se debe cumplir los siguiente:
para evitar el punto de saturación, cuando vCE → 0, 1
VCE (2) = VCC
se determina un valor tal que la tensión complementaria 2
vRE pueda sobrellevar las variaciones de vBE en casos de Se asume que, para el punto de polarización en cada
variación de temperatura. Normalmente la variación del etapa:
voltaje de polarización en la juntura Base–Emisor es de ICQ (n) = 0.01ICmax
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Parámetro Valor Unidades

Corriente máxima de colector mAmpéres
donde VT = 26 mVolts. Para la primera etapa se tiene
ICmax que:
Voltaje juntura Base–Emisor Volts Roeq (1) = RC (1)||RB (2)||rπ .
VBE
Transferencia promedio de Ampére/Ampére Para la segunda etapa:
corriente Base–Colector en
Roeq (2) = RC (2)||RL
Emisor Común β
Transferencia mínima de corri- Ampére/Ampére Del cual el valor RL va a ser determinado. Por úl-
ente Base–Colector en Emisor
timo, los acoples Capacitor–Resistor en cada etapa se
Común βmin
Resistencia juntura Base– kOhms comportan como filtros pasa altos, cuyas frecuencias de
Emisor rπ corte son respectivamente, para el acople del colector
(coupling) y el acople del emisor (bypass):
TABLE I 1
PARÁMETROS DE T RANSISTOR SELECCIONADO . ωc (coupling) =
Ri (n + 1)C
1 β
ωc (bypass) = ≈
(RE (n)||rπ /β)C rπ C
Reemplazando en la Ecuación 1: Una aproximación para ubicar las frecuencias de corte
1 VCC cercanas una a la otra es:
ICQ (n) = 1 β
2 RC (n) + RE (n) ωc = + ,
Ri (n + 1)C rπ C
VCC
RC (n) + RE (n) = por lo que los capacitores se calculan para cada etapa
2ICQ (n) como:
1 β
Para las resistencias de base, en cualquiera de las etapas, C(n) = +
se toma la división entre la Ecuación 2 y la Ecuación 3, Ri (n + 1)ωc rπ ωc
resultando en: Para la etapa n = 2, Ri (n + 1) = RL .
VCC C. Calculo de elementos
R1 (n) = RB (n)
VBB (n)
La Tabla II ilustran los cálculos correspondientes a cada
Y reformulando la Ecuación 3 con respecto a R2 (n), se etapa.
obtiene:
III. R ESULTADOS
VBB (n)
R2 (n) = R1 (n) A. Simulación
VCC − VBB (n)
Al simular el circuito de la Figura 1(a), con los datos
Los demás parámetros se calculan mediante el pro- obtenidos en la Tabla II, se obtuvieron los resultados de
cedimiento a continuación. la Tablas III y IV.
A continuación, con base en los resultados obtenidos,
B. Análisis de pequeña señal se obtiene la curva IC − Vs .
Dibuje la curva en este espacio
Suponiendo que el amplificador está debidamente po-
larizado, se procede a realizar el análisis de pequeña
señal, definiendo los capacitores como corto–circuitos.
Eso hace que se elimine la resistencia RE (n) para cada
etapa n, definiendo las respectivas etapas en la figura
1(b). De ahí se tiene lo siguiente [2]:

vo (n) = −(Roeq (n)||ro )βiB (n)

vi (n) = rπ iB (n)
vo (n) β β
Av (n) = = − (Roeq (n)||ro ) ≈ − Roeq (n)
vi (n) rπ rπ
Finalmente, se varía la frecuencia de la fuente vs , uti-
VT lizando análisis AC Sweep. Del análisis, la frecuencia
rπ (n) = β
IC (n) de corte resulta ser igual a Hertz.
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Etapa n Parámetro Ecuación Resultado Unidades

Roeq (2) −Av (2) rβπ Ohms
RE (2) > ICQ1 (2) Ohms
VCC
RC (2) 2ICQ (1)
− RE (2) Ohms
RC (2)Roeq (2)
RL Ohms
|RC (2)−Roeq (2)|
C(2) 1
RL ωc
+ rπβωc µFarads
ICQ (2)
n=2 IB (2) β
µAmpéres
VBB (2) ICQ (2)RE (2) + VBE Volts
RB (2) 0.1βmin RE (2) Ohms
VCC
R1 (2) RB (2) VBB (2)
Ohms
VBB (2)
R2 (2) R1 (2) VCC −VBB (2) Ohms
Ri (2) RB (2)||rπ Ohms
Roeq (1) RC (1)||RB (2)||rπ Ohms
C(1) 1
Ri (2)ωc
+ rπβωc µFarads
RE (1) > ICQ1 (1) Ohms
Av (1) − rβπ Roeq (n) Volt/Volt
VCC
RC (1) 2ICQ (1)
− RE (1) Ohms
ICQ (1)
n=1 IB (1) β
µAmpéres
VBB (1) ICQ (1)RE (1) + VBE Volts
RB (1) 0.1βmin RE (1) Ohms
VCC
R1 (1) RB (1) VBB (1)
Ohms
R2 (1) R1 (1) VCCVBB (1)
−VBB (1)
Ohms
Ri (1) RB (1)||rπ Ohms
1
C(0) Ri (1)ω
µFarads
  c 
Rs VCC
n=0 Vsmax Ri (1)
+1 2Av (1)Av (2)
mVolts

TABLE II
C ALCULOS

B. Montaje Dibuje la curva en este espacio

Al realizar el montaje del circuito de la Figura 1, con

los datos obtenidos en la Tabla II, se obtuvieron las
mediciones de la Tablas V y VI.
Al variar la frecuencia de la fuente vs , se obtienen los
resultados de la Tabla VII. La frecuencia de corte resulta
A continuación, con base en los resultados obtenidos, ser igual a Hertz.
se obtiene la curva vL − vs . Los valores medidos (SI/NO) variaron con
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Vs VBB (1) VCE (1) IC (1) VBB (2) VCE (2) IC (2)
0.1Vsmax
0.2Vsmax
0.3Vsmax
0.4Vsmax
0.5Vsmax
0.6Vsmax
0.7Vsmax
0.8Vsmax
0.9Vsmax
Vsmax

TABLE III
R ESULTADOS SIMULADOS . L AS MEDIDAS DE TENSIÓN V ESTÁN ENVOLTS , LAS MEDIDAS DE CORRIENTE I ESTÁN EN M A MPERES .

vs vBB (1) vCE (1) iC (1) vBB (2) vCE (2) iC (2) vL iL
max min max min max min max min max min max min max min max min
0.1Vsmax sin(ωt)
0.2Vsmax sin(ωt)
0.3Vsmax sin(ωt)
0.4Vsmax sin(ωt)
0.5Vsmax sin(ωt)
0.6Vsmax sin(ωt)
0.7Vsmax sin(ωt)
0.8Vsmax sin(ωt)
0.9Vsmax sin(ωt)
Vsmax sin(ωt)

TABLE IV
R ESULTADOS SIMULADOS . L AS MEDIDAS DE TENSIÓN V ESTÁN EN VOLTS , LAS MEDIDAS DE CORRIENTE I ESTÁN EN M A MPERES .
ω = 10 ∗ ωc .

Vs VBB (1) VCE (1) IC (1) VBB (2) VCE (2) IC (2)
0.1Vsmax
0.2Vsmax
0.3Vsmax
0.4Vsmax
0.5Vsmax
0.6Vsmax
0.7Vsmax
0.8Vsmax
0.9Vsmax
Vsmax

TABLE V
R ESULTADOS MEDIDOS . L AS MEDIDAS DE TENSIÓN V VOLTS , LAS MEDIDAS DE CORRIENTE I
ESTÁN EN ESTÁN EN M A MPERES .

respecto a la simulación, porque .

Por último, la tabla VIII ilustra los resultados obtenidos
al variar la resistencia de carga RL

Los valores medidos (SI/NO)
con los parámetros de diseño porque
. IV. C ONCLUSIONES
correspondieron
La realimentación dada por el resistor RE determina
estabilidad de corriente, porque
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vs vBB (1) vCE (1) iC (1) vBB (2) vCE (2) iC (2) vL iL
max min max min max min max min min max
0.1Vsmax sin(ωt)
0.2Vsmax sin(ωt)
0.3Vsmax sin(ωt)
0.4Vsmax sin(ωt)
0.5Vsmax sin(ωt)
0.6Vsmax sin(ωt)
0.7Vsmax sin(ωt)
0.8Vsmax sin(ωt)
0.9Vsmax sin(ωt)
Vsmax sin(ωt)

TABLE VI
R ESULTADOS MEDIDOS . L AS MEDIDAS DE TENSIÓN V ESTÁN EN VOLTS , LAS MEDIDAS DE CORRIENTE I ESTÁN EN M A MPERES RMS.
ω = 10 ∗ ωc .

ω vi vo (1) vo (2) 20 log(vo (2)/vs )

0.1ωc
pudo comprobar que el valor β (SI/NO) es igual al
ωc diseñado, porque
2ωc
5ωc
10ωc
50ωc
100ωc .
200ωc Como consideraciones especiales, se pudo comprobar
que
TABLE VII
R ESULTADOS MEDIDOS . L AS MEDIDAS DE TENSIÓN v ESTÁN EN
VOLTS RMS. PARA ESTE CASO , vs = 0.5Vsmax sin(ωt)

.
RL 20 log(vo (2)/vs )
≈ 0.1RL0
≈ 0.5RL0
≈ 2RL0 R EFERENCES
≈ 5RL0 [1] Najmabadi, F. Transistor amplifiers: Biasing and Small Signal
≈ 10RL0 Model. ECE65 Lecture Notes, Universidad de San Diego. 2006
≈ 20RL0 http://aries.ucsd.edu/NAJMABADI/CLASS/ECE65/06-W/
NOTES/BJT3.pdf
TABLE VIII [2] Najmabadi, F. BJT Amplifier Circuits. ECE65 Lecture Notes,
R ESULTADOS MEDIDOS . L AS MEDIDAS DE TENSIÓN v ESTÁN EN Universidad de San Diego. 2006
VOLTS RMS. PARA ESTE CASO , vs = 0.5Vsmax sin(10ωc t), Y RL0 http://aries.ucsd.edu/NAJMABADI/CLASS/ECE65/06-W/
ES LA RESISTENCIA DE CARGA DISEÑADA . NOTES/BJT3.pdf
[3] Departamento de Ingeniería Eléctrica e Informática, Insti-
tuto Tecnológico De Massachusetts, Cambridge, Massachusetts
02139, 6.101 Práctica introductoria de electrónica analógica
Práctica 4
. [4] Avendaño, L. E. (2007). Sistemas Electrónicos Analógicos: Un
Si se varía el valor de la carga RL , sucede lo siguiente: enfoque matricial. En L. E. Avendaño, Sistemas Electrónicos
Analógicos: Un enfoque matricial (págs. 94-112). Pereira, Ris-
aralda, Colombia: Universidad Tecnológica de Pereira.

.
Si vs > Vsmax , sucede lo siguiente:

.
Con respecto al análisis del circuito de la Figura 1, se