TP 5

CARACTERISTIQUE D’UN TRANSISTOR JFET CANAL N

Le but de cette manipulation consiste à relever les caractéristiques statiques d’un transistor JFET
(Jonction Field Effect Transistor) à canal N.

I- Principe de fonctionnement

En polarisant en inverse une jonction PN, on crée de part et d’autre de la jonction, une zone de charge
d’espace vide de porteurs libres où le processus de conductibilité est arrêté. Le transistor JFET exploite
cette propriété pour moduler la section de son canal résistif de type N

Le transistor JFET possède trois électrodes : Grille, source et Drain. La source étant de référence des
potentiels, pour un dispositif à canal N, une tension V DS positive et appliquée au drain et une tension
VGS négative à la grille.

Attention  : VGS doit être impérativement négative sous peine de détruire le composant.

I- Caractéristiques de sortie : ID = f(VDS) à VGS constant ID

Relever sur papier millimétré 3 courbes du réseau de sortie IG

ID = f(VDS) du transistor à VGS constant à savoir :

VGS = 0V, -1V, -3V, pour VDD variant de 0 à 20 V

II- Caractéristiques d’entrée : IDS = f(VGS) à VCE constant

1- Relever soigneusement sur papier millimétré la caractéristique d’entrée IDS = f(VGS) pour une
tension VDS de 10V maintenue constante, en faisant varier VGS de 0 à Vp.

*) Que peut-on dire de la caractéristique d’entrée ? nature de cette courbe ?