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Chapitre 1 

: LES TRANSISTORS BIPOLAIRES

Classification sommaire des transistors

Les transistors sont réalisés par la jonction de différentes zones de semi-conducteurs de types N et P.
Il existe actuellement deux grandes classes de transistors :

 D’une part les transistors bipolaires constitués de trois zones de semi-conducteurs : une zone N,
une zone P et une zone N, pour un transistor NPN, (ou bien une zone P, une zone N et une zone
P, pour un transistor PNP). Ces trois zones sont reliées aux trois électrodes appelées : émetteur
(E), base (B) et collecteur (C). Une jonction est polarisée dans le sens direct, la jonction
émetteur-base, l’autre dans le sens inverse, la jonction collecteur-base. Ces transistors sont
appelés « bipolaires » car les deux types de porteurs de charges qui sont les électrons et les
trous, participent à la conduction électrique.
 D’autre part, les transistors unipolaires dans lesquels un seul type de porteurs de charge est
responsable du passage du courant. Ce sont les transistors à effet de champ (TEC), ou transistors
FET. (Field Effect Transistors). Les trois électrodes sont la source (S), la grille ou porte, appelée
aussi en anglais gate(G), et le drain (D). L’emplacement des zones de semi-conducteurs est
variable suivant les technologies, mais les zones extrêmes sont toujours reliées l’une à la source,
l’autre au drain.

Différents types de transistors : un transistor bipolaire NPN et des transistors FET dits à « canal N ».

Les transistors bipolaires

Un transistor bipolaire est constitué d’un monocristal de semi-conducteur (principalement le


silicium) dopé pour obtenir deux jonctions, disposées en série et de sens opposé. Il existe donc deux
types fondamentaux de transistors bipolaires, dits complémentaires :

– Le transistor NPN formé d’un empilement de trois couches dopées alternativement N, P et N.


– Le transistor PNP formé d’un empilement de trois couches dopées alternativement P, N et P.
Représentations schématiques et symboles des transistors bipolaires NPN et PNP. Les fleches
indiquent les sens conventionnels des tensions et des courants.

La couche intermédiaire est appelée base. Cette couche est très mince et légèrement dopée. Les
porteurs majoritaires sont donc en quantité assez faible. L’une des deux autres zones est appelée
émetteur. Il s’agit de la zone la plus dopée du transistor. Son rôle consiste à injecter des porteurs
(électrons dans le cas d’un transistor NPN) dans la base. La dernière zone qui est de même type que
l’émetteur est appelée collecteur. Son dopage est plus faible que celui de l’émetteur et sa géométrie
est différente. Le rôle principal du collecteur est de recueillir les porteurs.

Fonctionnement du transistor NPN

a) L’effet transistor

Le principe de l'effet transistor consiste à moduler le courant inverse de la jonction collecteur-base


polarisée en inverse par une injection de porteurs minoritaires dans la base à partir de la jonction
émetteur-base polarisée dans le sens direct, nous obtenons la configuration suivante :

En effet, l'application d'une tension VBE positive a pour effet d'abaisser la hauteur de barrière de
potentiel pour les électrons à la jonction EB. Le champ électrique régnant dans la zone de charge
d'espace (ZCE) diminue, favorisant ainsi la diffusion des électrons de l'émetteur de type n (porteurs
majoritaires) dans la base de type p (porteurs minoritaires). Le bon fonctionnement d'un transistor
nécessite alors que ces électrons injectés en excès dans la base atteignent la jonction BC. Il est donc
impératif pour éviter la recombinaison des porteurs que leur durée de vie (τn) dans la région quasi-
neutre de base soit sensiblement plus élevée que le temps de transit (τb), ou encore que l'épaisseur
de cette région soit très inférieure à la longueur de diffusion (Ln) des électrons. Dans la mesure où la
base est suffisamment étroite, une forte proportion d'électrons arrive à la jonction BC polarisée en
inverse. L'augmentation du champ électrique à cette jonction va happer les porteurs. Ils rejoignent
ainsi le collecteur de type n où ils retrouvent un statut de porteurs majoritaires et font apparaître un
courant IC au contact du collecteur. Ceci est l’effet transistor : une faible variation de la tension VBE
permet de commander un courant important entre l’émetteur et le collecteur. Dans les transistors
bipolaires, le profil des dopages est souvent le même : l’émetteur est plus dopé que la base, qui elle-
même est plus dopée que le collecteur. Ce sont ces valeurs de dopage qui influent fortement sur les
grandeurs définies précédemment que sont la charge d’espace, le champ électrique et la barrière de
potentiel.

b) Gain en courant β

Nous appelons α la proportion des électrons dans le cas du transistor NPN émis par l’émetteur, qui
parviennent jusqu’au collecteur, α est généralement proche de l’unité. Le courant total sera donné
par la formule suivante :

I C =−α I E + I CB 0 ≈−α I E ≈−I E

À l’équilibre, nous n’avons pas de variation de charges à l’intérieur du transistor. En choisissant les
sens des courants conformément à la convention des réseaux (tout courant qui arrive à un nœud est
positif et tout courant qui en sort est négatif), nous pouvons écrire la loi de Kirchhoff : I E + I C + I B=0

En éliminant I E nous obtenons :

I C =a(I B + I C )+ I CB 0

aCC 1
I C= I + I
1−aCC B 1−aCC CB0

a '
On pose I C = d ou :
1−a

I C =β CC I B + I CB 0

Cette dernière relation caractérise l’effet transistor : en injectant un courant I Btrès faible dans la
base, nous commandons un courant de collecteur I Cbeaucoup plus intense. β Varie dans de grandes
proportions d’un transistor à l’autre. En effet, β dépend surtout de la différence de dopage entre
l’émetteur et la base ainsi que de celle-ci. Mais à une température fixe, β reste à peu près constant
pour un transistor donné et pour une large variation du courant I C.

Notre transistor, pour fonctionner, a besoin d'être "polarisé". Cela signifie qu'on doit appliquer sur
ses connections les tensions correctes et en amplitude et en polarité pour qu'il effectue la fonction
qu'on lui demande.
Quand nous parlons de polarisation, nous parlons uniquement de tensions continues, et ce sont ces
tensions continues qui vont permettre le fonctionnement correct en alternatif. Quand nous
utiliserons la fonction amplification par exemple, nous appliquerons un signal alternatif à l'entrée et
nous le récupérerons agrandi à la sortie, ceci ne sera possible que si les tensions continues sont
présentes.

Représentation des différents courants du transistor bipolaire

Polarisation de transistor :

La polarisation va nous permettre de régler le transistor dans sa fonction amplification de manière à


ce que le signal de sortie soit rigoureusement (ou presque) identique au signal d'entrée (identique,
c'est à dire qu'il a la même allure, et n'ai pas la même amplitude). Si c'est le cas on dira que notre
transistor amplifie linéairement. Or pour atteindre cet objectif (la linéarité) nous  devrons positionner
notre transistor sur sa droite de charge très précisément, c'est la polarisation qui nous le permettra.

Polarisation par résistance de base :

Première polarisation et la plus simple. Soit le montage suivant :

la polarisation fixe (ou de base)[


http://lgt.garnier.free.fr/information/elec_analogique_fichiers/bipolaire.htm]

La loi des mailles à l'entrée permet d'écrire :


E=RB I B +V BE avec V BE ≅ 0,7 V

E−V BE E
I B= ≅
RB RB

Pour la maille de sortie, on peut écrire :

E=RC I C +V CE Domc V CE= E−RC I C avec I C =βI B

Ce type de polarisation ne devrait jamais être employé pour un transistor utilisé en amplificateur.


Nous verrons ultérieurement qu'il est tolérable pour un transistor utilisé en commutation.

Polarisation par réaction d'émetteur :

Deuxième méthode plus évoluée, soit le montage de la figure (6) :

La résistance R E permet de compenser les variations de β. En effet, Si β croit, I C et donc I E


augmente. Le potentiel de l'émetteur V E=R E I E croit ainsi que le potentiel de base (puisque
E−V BE
V BE ≅ 0,7 V ce qui diminue ainsi le courant de base puisque I B= donc le courant I C.
RB
diminue

Polarisation par réaction de collecteur :

Soit le montage de la figure (7) ci-dessous :


Polarisation automatique ou par réaction de
collecteur [http://danyamer.magix.net/public/Semiconducteurs/semicond04.htm]

On a : V CE =E−RC I C et : V CE =R B I B . Si βcroit, IC augmente, donc V CEdiminue ainsi que la


différence de potentiel aux bornes de R B. Le courant I B diminue et contrebalance l’accroissement du
gain.

Polarisation par pont de base et résistance d'émetteur :

Soit le montage de la figure (8) ci-dessous :

Polarisation par diviseur de tension

Pour rendre indépendant le courant collecteur des variations du gain, on utilise un diviseur de
tension nomme « pont de base ».

On suppose que le courant de base est négligeable par rapport au courant qui circule dans les
résistances du pont de base.

I B≪ I p

Dans ces conditions, le pont diviseur maintient constant le potentiel V B de la base (par rapport à la
masse) puisque : V BM =R 1 I p
V BM =V BE + R E I E

V BE ≈ 0,7 V

V EM V BM −0,7 R1 I p −0,7
I E= = =
RE RE RE

Comme I B ≪ I C , on a : I C ≈ I E

La valeur de I Cest indépendante du gain. En imposant le potentiel de base, on impose le potentiel de


l'émetteur donc le courant d'émetteur et donc le courant de collecteur. L'équation de la droite de
charge est donnée par la maille de sortie, soit

V CE =E−( R ¿ ¿ C + R E) I C ¿

En remplaçant R1 et R2 par le générateur de Thévenin, on tire :

R1
Eth =
R1 + R2

R 1 R2
Eth =
R1 + R2

Soit :V BM =E th −Rth I B
Introduction :

Le montage étudié est donné dans la figure (10). Dans ce montage, l'entrée est la base et la sortie
l'émetteur. C'est le collecteur qui est le point commun entre l'entrée et la sortie. On notera que c'est
faux pour la polarisation, car le collecteur est relié au V CC et l'entrée se fait entre base et masse, et
la sortie entre émetteur et masse. En fait, le collecteur est bien commun en alternatif, car le
générateur de polarisation V CC est un court-circuit pour ce régime, et donc, le collecteur va se
retrouver à la masse alternative : ce sera donc bien la patte commune entrée sortie.

Montage collecteur commun

Etude statique :

Caractéristique transistor

A. Point de fonctionnement

On utilise le théorème de Thévenin appliqué au pont diviseur de tension constitué de R1, de R2 et de


la tension d’alimentation continue V CC .

On a alors :
Eth −R th I B−V BE−I E R E=0

IC 1
Eth −R th −V BE −I C (1+ ) R E =0
β β

R2 R 1 R2
Avec Eth = V CC =10 V et Rth = =666,66 Ω
R2 + R1 R2 + R1

Et donc :

Eth −V BE
I C 0=
R E + Rth
+RE
β

AN.

I C 0=0,018 A

Et pour V CE 0 :

V CE + I E R E =V CC

V CE 0=V CC −I E R E

Donc le point fonctionnement est :

Q = [V CE 0 , I C 0] = [5,91 V ; 0,018 mA]

B. Droite de charge statique :

C’est-à-dire I C =f (V CE ):

On a :

I E R E=V CC −V CE

1
I C (1+ ) R E=V CC −V CE
β

V CC−V CE
I C=
Donc 1
( 1+ )R E
β

C. Droite d’attaque statique

C’est-à-dire I B=f (V BE) :

On a :
I C =β I B

Eth−V BE
Donc I B=
R E + Rth + βR E

Etude dynamique en basse fréquence

On simplifie le schéma de la figure (10) en remplaçant tous les condensateurs par des courts circuits
pour passer en modélisation petit signal et la source continue va être la masse. On obtient le schéma
suivant pour le collecteur commun en "petit signal" :

D. Droite de charge dynamique

On a : V CE + i E R=0

1
V CE + iC (1+ )R=0
β

−V CE
iC=
1
(1+ )R
β

Commei C =I C −I C 0, alors on peut écrire sous la forme

V CE
I C =I CE0−
1
( 1+ ) R
β

E. Gain en tension de l’amplificateur :

Le gain en tension c’est le rapport entre la grandeur de sortie sur la grandeur de l’entrer :

VS R (i b+ β i b ) R(1+ β )
AV = = =
V e i b (h11 +(1+ β)R) h11 +(1+ β) R

A.N AV =0,98

Ce gain est légèrement inférieur à 1, et c'est normal, car la tension de sortie est égale à la tension
d'entrée multipliée par le pont diviseur formé par h11 et(1+ β ) R

F. Gain en courant de l’amplificateur


Le gain en courant c’est le rapport entre le courant de sortie et le courant de l’entrer :

−V S
i R
Ai = S = L
ie ib +i

i b (h11 +(1+ β) R)
Commei= , alors :
R

−(1+ β) R
RL
Ai =
(h +(1+ β )R)
1+ 11
R

A.N Ai=−0,065

G. Impédance d’entrée :

On a :

V e iR ( h11 + ( 1+ β ) R)
Re = = =
ie i b +i ( h +(1+ β ) R)
1+ 11
R

A.N Re =660,21 Ω

On remarquera qu'ici la sortie n'est pas séparée de l'entrée, ce qui fait que tout le circuit d'entrée va
influer sur l'impédance de sortie, y compris la résistance interne du générateur d'attaque Rg. Comme
dans le cas général cette impédance n'est pas nulle.

Si V e =0

On a : i b h11=V S

VS V S
R S=β V S + +
h11 R

VS 1
R S= =
iS 1 1
β+ +
h 11 R
−3
A.N R S=9,9 ×10 Ω
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00002862/document