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Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

Chapitre II

GISEMENT SOLAIRE ET CONVERSION


PHOTOVOLTAIQUE

II.1. Introduction
Le gisement solaire est un ensemble de données décrivant l’évolution du rayonnement solaire
disponible au cours d’une période donnée. Il est utilisé dans des domaines aussi variés que
l’agriculture, la météorologie, les applications énergétiques et la sécurité publique.
Dans les systèmes d’exploitation de l’énergie solaire, le besoin de données d’insolation est
d’une importance capitale aussi bien dans la conception et le développement de ces systèmes que
dans l’évaluation de leurs performances.
Dans ce chapitre, nous allons définir le gisement solaire, nous étudions brièvement le soleil,
son énergie et son rayonnement reçu au niveau de la terre. Nous définirons quelques données
astronomiques nécessaires pour cette étude. Ensuite, nous allons présenter des généralités la
conversion photovoltaïque ainsi que les différentes technologies utilisés dans le domaine
photovoltaïque (PV).

II.2. Gisement solaire


II.2.1. Le soleil
Le soleil est déformé, pseudo-sphérique comparable à une immense boule de gaz très
chaude qui se compose de 80% d’hydrogène et 19% d’hélium, le 1% restant étant un mélange de
plus de100 éléments, soit pratiquement tous les éléments chimiques connus, le cœur du Soleil
transforme chaque seconde plus de quatre millions de tonnes de matière en énergie qui est transmise
aux couches supérieures de l'astre et émise dans l'espace sous forme de rayonnement
électromagnétique (lumière, rayonnement solaire) et de flux de particules (vent Solaire).
Bien que le soleil soit une étoile de taille moyenne, il représente à lui seul 99,9% de la masse
de système solaire qui est dominé par les effets gravitationnels de l’importante masse du soleil.

II.2.2. Paramètres de position


La trajectoire de la terre autour du soleil est une ellipse dont le soleil est l’un des foyers. La
terre tourne également sur elle-même autour d’un axe appelé l’axe des pôles et passant au centre de
la terre appelé l’équateur. Les mouvements de la terre autour de son axe et autour du soleil sont

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schématisés sur la figure II.1. L’énergie solaire disponible est principalement en fonction de la
position du soleil, en n’importe quel moment. La position du soleil est repérée à chaque instant de la
journée et de l'année par deux systèmes de coordonnées différents.

Figure II.1. Mouvement de rotation de la terre.

Les positions remarquables se produisent donc aux moments où le Soleil est:

1. dans le plan équatorial, ce sont les équinoxes , moments où les rayons du Soleil arrivent
perpendiculairement sur l'axe de rotation de la Terre. Les rayons du Soleil sont donc parallèles à
l'équateur. Cela a pour conséquence que la durée du jour et de la nuit sont égales partout sur
Terre, d'où l'origine du mot équinoxe.
2. Le plus éloigné du plan équatorial qui sont les solstices , moments où les rayons du soleil sont
les plus inclinés sur l'équateur.
Solstice de décembre Équinoxes de mars et septembre

Figure II.2. Représentation de la Terre et son ensoleillement au solstice d'hiver

et aux équinoxes de printemps et d'Automn

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Ces changements d'inclinaison du Soleil par rapport à l'horizon, le font donc voir, lors de son
mouvement diurne, soit haut sur l'horizon, en été (chez nous), soit bas, en hiver. C'est l'inverse pour
l'hémisphère sud.

Pour définir la position terre-soleil à un instant donné, on utilise les coordonnées Suivantes :

II.2.2.1. Coordonnées géographiques terrestres (φ, L, Z)


On donne les coordonnées d’un point sur la terre par sa latitude, son altitude et sa longitude
et ce pour repérer un site à la surface de la terre (figure II. 3).

Figure II.3. Les coordonnées géographiques terrestres.

A. La latitude (φ)
L’angle de latitude est l’angle entre une ligne tracée d’un point sur la surface de la terre avec
le centre de cette dernière, et le cercle équatorial de la terre. L’intersection du cercle Équatorial avec
la surface de la terre forme l’équateur, est indiquée en tant que latitude de 0°, le pôle nord par
latitude +90° et le pôle sud par la latitude -90°. Cette convention de signe affecte le signe (+) à tous
les lieux de l’hémisphère nord et le signe (-) tous les lieux de l’hémisphère sud. La latitude sera
désignée ici par lettre (φ), et peut ainsi être composé entre -90° et +90°.
Pour la ville de Bordj Bou Arreridj la latitude est environ 36°04′23″ Nord .

B. La longitude (L)
La longitude d’un lieu correspond à l’angle formé par deux plans méridiens (passant par
l’axe des pôles), l’un étant pris comme origine (méridien de Greenwich 0°) et l’autre déterminé par
le lieu envisagé. La longitude d’un lieu peut aussi être comprise entre -180° et +180°, à tout écart de

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1° de longitude correspond à un écart de 4 minutes de temps. On affecte du signe (+) les méridiens
situés à l’est de ce méridien, et du signe (-) les méridiens situés à l’ouest.
Pour Bordj Bou Arreridj, la longitude est de 4°45′39″ Est.

C. L’altitude (Z)
L’altitude d’un point correspond à la distance verticale en mètre entre ce point et une Surface
de référence théorique (niveau moyen de la mer).
L’altitude la ville de Bordj Bou Arreridj, par rapport au niveau de la mer : 917m.

II.2.3. Orientation et inclinaison d’une surface sur la terre


L’orientation indique tout simplement vers quel point cardinal un panneau est exposé: il peut
faire face au Sud, au Nord, à l’Est, à l’Ouest tout comme la façade d’une maison. L’inclinaison,
quant à elle, est l’angle que fait le panneau avec le plan horizontal.

Figure II.4. Orientation et inclinaison d’une surface sur la terre


II.2.4. Coordonnées du soleil
Pour un lieu donné, la position du soleil est repérée à chaque instant de la journée et de l’année
par deux systèmes de coordonnées différents.
 Par rapport au plan équatorial de la terre (repère équatorial).
 Par rapport au plan horizontal du lieu (repère horizontal).

II.2.4.1 Coordonnées équatoriales


Le mouvement du soleil est repéré par rapport au plan équatorial de la terre à l’aide de deux angles :
A. L'angle horaire (𝛚)

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L’angle horaire c’est l’angle formé par le plan méridien passant par le centre du soleil et le
plan vertical du lieu, son expression est :

360
ω= (Tsv − 12) (II.1)
24

- 1 heure de temps = 15o d'angle horaire


 négative le matin.
 Positive l’après-midi.
 ω=0 quand le soleil est au zénith, perpendiculaire au méridien local (où se trouve
l’observateur).
Où Tsv: temps solaire vrai (Donné en heurs).

Figure II.5. Angle horaire du soleil (Les coordonnées


horaires).

B. La déclinaison (δ)
La déclinaison est l'angle formé par la direction du soleil avec le plan équatorial. Elle varie au
cours de l'année entre -23.45° et +23.45°. Elle est nulle aux équinoxes (21 mars et 21 septembre),
maximale au solstice d'été (21 juin) et minimale au solstice d'hiver (21 décembre). La valeur de la
déclinaison peut être calculée par la relation :

284+n
δ = 23.45 sin (360. ( )) (II.2)
365

D’où :
n : quantième jour de l’année 1≤n≥365.

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La déclinaison est négative en hiver et positive en été. Au cours d’une journée δ peut être considéré
comme constant.

II.2.4.2. Coordonnées horizontales (h, A)


Le système de coordonnées horizontales, également appelé système local ou système de
coordonnées alt-azimutales, est un système de coordonnées célestes utilisé en astronomie par un
observateur au sol. Le système sépare le ciel en deux hémisphères : l'un situé au-dessus de
l'observateur et l'autre situé au-dessous, caché par le sol. Le grand cercle séparant les deux
hémisphères situe le plan horizontal, à partir duquel sont établi une altitude et un azimut, qui
constituent les deux principales coordonnées de ce système.
Les coordonnées horizontales déterminent la projection du soleil sur l’horizon du lieu (figure
II.6), et sont définies comme suit :
 L’azimut (A)

L’azimut, symbolisé A, en astronomie, est un angle qui a pour sommet l’observateur, et qui
se mesure sur l’horizon local, à partir d’un arc de méridien terrestre allant de l’observateur au pôle
SUD, jusqu’au pied d’une verticale contenant l’astre. Il se mesure de 0° à 360° positivement du
SUD vers l’OUEST.

[Cos  × Sin ω]
Sin A = (II.3)
Cos h

 Hauteur angulaire du soleil ou angle d’élévation (h)

La hauteur, symbolisée par h, est un angle qui a pour sommet l’observateur, et qui se mesure
à partir de l’horizon local jusqu’à l’astre, de 0° à 90° vers le zénith, ou de 0° à – 90° vers le nadir.

𝐬𝐢𝐧 𝐡 = 𝐒𝐢𝐧 () × 𝐒𝐢𝐧 () + 𝐂𝐨𝐬 () × 𝐂𝐨𝐬 () × 𝐂𝐨𝐬 (𝛚) (II.4)

Avec :
ω : angle horaire
δ ∶ Déclinaison du soleil
h : hauteur du soleil
𝜑 : Latitude du lieu.

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Figure II.6. Hauteur angulaire (h) et azimut (A) du soleil


Les coordonnées horizontales sont la hauteur (h) et l'azimut (A). La hauteur varie de 0° (horizon) jusqu'à 90° (zénith) et
l'azimut est un cercle divisé en 360° établi sur le plan horizontal à partir du Sud (S).

L'équation de passage des coordonnées horaires aux coordonnées horizontales est la suivante :
Connaissant les valeurs respectives A et δ de l'angle horaire et de la déclinaison δ , la hauteur h et
l'azimuth A peuvent être obtenus grâce aux trois formules suivantes :

sin(A) x cos(h) = cos(δ)x sin(w) (II.5)


cos(A) x cos(h) = cos(δ) x cos(w) x sin(φ) − cos(φ) x sin(δ) (II.6)
sin(h) = cos (φ)x cos(δ)x cos (w) + sin (w)x sin (δ) (II.7)

II.2.5. Les paramètres de temps


II.2.5.1. Le temps solaire
La terre subit deux types de déplacement : la rotation de la terre autour de l’axe des pôles et
sa révolution autour du soleil. Le mouvement de la terre sur elle-même définit la notion de journée
solaire. Une rotation complète s’effectue en 24 heures, elle amène ainsi la définition du temps,
puisque chaque heure correspond à un écart angulaire de 15°. La rotation de la terre autour du soleil
définit les saisons et amène à distinguer le temps solaire vrai.

A. Le temps universel (TU)


C’est le temps solaire moyen du méridien de Greenwich GMT qui est le méridien central
du fuseau horaire. Pour en déduire le temps légal ou local (TL), il convient d’ajouter au temps
universel le décalage du fuseau horaire.

TL = TU + Decalage (II.8)

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B. Le temps solaire moyen (TSM)


La vitesse de la terre sur son orbite n’est pas constante au cours de l’année. Pour avoir un temps
qui s’écoule à vitesse constante celui mesuré par les horloges, on définit donc un temps solaire
moyen TSM. Le temps solaire moyen est basé sur un soleil moyen fictif qui se déplacerait à vitesse
constante tout au long de l'année. C'est le temps qui sépare en moyenne deux passages successifs du
soleil au méridien du lieu, la journée solaire moyenne a une durée de 1 jour = 24h 00m 00s. La durée
d'un jour solaire moyen est de 24 heures quel que soit le jour de l'année

Il se déduit de l’équation suivante:

φ
TSM = TU + 15 (II.9)

Avec TSM en heure.

C. Le temps solaire vrai (TSV)


C’est le temps défini par les conditions angulaires vraies du soleil.
TSV = TSM + Et (II.10)
Où Et est l’équation du temps comme suit :
Et = 9.9 sin[2(0.986j + 100)] − 7.7sin(0.986j − 2) (II.11)
Où Et est exprimé en minutes et j est le numéro du jour dans l’année à partir du 1er janvier.

D. La durée et le taux d’ensoleillement


Par ciel clair et pendant la durée de jours d’insolation S0 (du lever au coucher du soleil), le sol
reçoit le rayonnement solaire maximal. Mais la durée effective d’ensoleillement S d’une journée
ordinaire est inférieure à cette durée maximale.
Le taux d’insolation est donné par l’expression ci-après :
S
σ = S0 (II.12)

La durée maximale d’ensoleillement S0 est calculée par l’expression suivante :


2
So = ( 15 ) cos−1 (tan φ tan δ) (II.13)

II.2.6. Rayonnement solaire


Le rayonnement arrivant au sol dépond de la réflectance de la surface terrestre et des effets de
l’atmosphère qui interviennent dans le double trajet (soleil-terre et terre satellites) que fait le
rayonnement à travers l’atmosphère. Pour connaitre l’énergie reçue à un site donné il est nécessaire

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de repérer ce site sur la surface terrestre, de connaitre la position et la trajectoire du soleil dans la
voute céleste et les mouvements de la terre autour du soleil.
II.2.6.1. Spectre électromagnétique de l’énergie solaire
Le rayonnement électromagnétique est composé de grains de lumière appelés photons. L’énergie de
chaque photon est directement liée à la longueur d’onde λ, elle est exprimée par la relation suivante
:
E = h · C/ λ
Avec :
h : C’est la constante de Planck qui vaut 6.62.10-34(J/s).
C : Célérité de la lumière dans le vide. Elle vaut 3.108 (m/s).
λ: Longueur d'onde (m).

La répartition énergétique des différentes longueurs d'ondes du rayonnement électromagnétique du


Soleil est appelé spectre solaire, représenté dans la Figure (II.7) :

Figure II.7. Spectre électromagnétique de l’énergie solaire.


La distribution du spectre en énergie est répartie comme suit :
 Ultraviolet (U.V) : 0.20 < l < 0.38 mm qui représente 6.4% du spectre.
 Visible : 0.38 < l < 0.78 mm qui représente 48.0% du spectre.
 Infrarouge (I.R) : 0.78 < l < 10 mm qui représente 45.6% du spectre.

Les panneaux solaires doivent donc être compatibles avec ces longueurs d’ondes pour pouvoir piéger
les photons et les restitués sous forme d’électrons. Le tableau II.1 donne les valeurs énergétiques

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caractéristiques des photons pour diverses longueurs d’ondes et les zones correspondantes au spectre
lumineux .
λ (µm) Energie du photon( eV) Zone
0.2 6.2 Ultraviolet
0.4 3.1 Visible bleu
0.5 2.48 Visible jaune vert
0.78 1.59 Visible rouge
1 1.24 Infrarouge
2 0.62 Infrarouge
4 0.31 Infrarouge

Figure II.1. Valeurs énergétiques des photons issus du spectre solaire.

Pour que le rayonnement solaire produise un courant électrique dans un matériau donné, il
faut que les photons soient tout d’abord absorbés par un ou plusieurs matériaux sensibles à la
longueur d’onde des photons. Puis, l’énergie des photons excite des électrons, qui sont ensuite
collectés afin de constituer un courant électrique global.

II.2.6.2. Rayonnement solaire hors atmosphère (Constante solaire )


La constante solaire est la densité d’énergie solaire qui atteint la frontière externe de l’atmosphère
faisant face au Soleil. Sa valeur est communément prise égale à 1 367 W/m2 (bien qu’elle varie de
quelques % dans l’année à cause des légères variations de la distance Terre-Soleil).
II.2.6.3. Rayonnement solaire au sol
C’est l'énergie reçue pendant une certaine durée. On distingue plusieurs composantes qui
sont principalement le rayonnement direct (S), le rayonnement diffus (D), le rayonnement global
(G) et l’albédo (Figure II.8) :

A. Le rayonnement direct (S)


Ce sont les rayons UV du Soleil. C'est ce type de rayonnement qui est utilisé dans les
systèmes à concentration (four solaire, centrales solaires thermodynamique et photovoltaïque).

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Figure II.8. Les trois formes du rayonnement solaire.


B. Le rayonnement diffus (D)
Ce sont des rayons qui proviennent de l'atmosphère, qu'il fasse beau ou pas. Des rayons
lumineux issus du Soleil traversent les nuages et se diffusent sur toute la surface de la Terre. Il
contribue à l'éclairement mais ne peut pas être concentré (à l'inverse du rayonnement direct).
C. Le rayonnement global (G)
C'est la somme du rayonnement direct et diffus. C'est celui-ci qui est utilisé pour faire
fonctionner les panneaux solaires thermiques et photovoltaïques (systèmes sans concentration).
𝐆 =𝐃+𝐒 (II.14)

D. L’albédo :
En réalité la terre n'est pas un corps noir, une partie du rayonnement solaire incident est
réfléchie par l'atmosphère (principalement par les nuages) et par le sol terrestre. Cette quantité est
appelée le flux d'albédo. On définit généralement l'albédo comme étant le rapport de l'énergie solaire
réfléchie par une surface sur l'énergie solaire incidente.
Le tableau (II.2) regroupe les valeurs d’albédos pour différentes surfaces :
Type de surface Albédo
Surface de lac 0,02 à 0,04
Forêt tropicale 0,12
Herbe verte 0,25
Sable léger et sec 0,25 à 0,45
Sol sombre 0,05 à 0,15
Glace 0,30 à 0,40
Mer chaude 0,05
Mer froide 0,15
Neige tassée 0,60
Neige fraîche 0,85

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Nuage 0,86
Verre à vitres 0.10
Tableau II.2. Albédo pour différentes surfaces.

II.2.6.4. Nombre de masse d'air (Air Mass AM en anglais)

On appelle m (masse atmosphérique), ou Air Mass, cette distance calculée en multiples de la


distance parcourue si le soleil était à la verticale du lieu. Sur notre figure II.9, m = 1 si le Soleil entre
dans l’atmosphère au point A, et m = 2 s’il y entre en M, donc :
m = 1/sin(h)

Figure II.9. Nombre de masse d'air AMy


Les scientifiques ont donné un nom au spectre standard de la lumière du soleil sur la surface
de la terre : AM1.5. Le nombre "1.5" indique que le parcours de la lumière dans l'atmosphère est 1.5
fois supérieur au parcours le plus court du soleil, c'est-à-dire lorsqu’il est au zénith (correspondant à
une inclinaison du soleil de 45° par rapport au zénith.
Normalisation
Les conditions standard de qualification des modules photovoltaïques sont:
 Un spectre AM1.5.
 Un éclairement de 1000W/m².
 Une température de 25°C.
Les constructeurs de panneaux solaires spécifient les performances de leur matériel dans les
conditions normalisées citées ci-dessus (STC : Standard Test Conditions).

II.2.7. Évaluation de l'énergie solaire en Algérie


L’Algérie possède un gisement solaire parmi les plus élevé dans le monde, la durée moyenne
d’ensoleillement dans le Sahara algérien est de 3500 heures, ce potentiel peut constituer un facteur

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important de développement durable dans cette région, s’il est exploité de manière économique, le
tableau suivant indique le taux d’ensoleillement pour chaque région de l’Algérie De par sa situation
géographique, l’Algérie dispose d’un des gisements solaires les plus importants du monde.
La durée d’insolation sur la quasi-totalité du territoire national dépasse les 2000 heures
annuellement et atteint les 3900 heures (Hauts plateaux et Sahara).
L’énergie reçue quotidiennement sur une surface horizontale de 1 m2 est de l’ordre de 5KWh
sur la majeure partie du territoire national.
Soit près de 1700 KWh/m2/an au Nord et 2263 KWh/m2/an au sud du pays.

Régions Régions Hauts Sahara


côtières plateaux
Superficie 4% 10% 86%
Durée moyenne d’ensoleillement
(Heures/an) 2650 3000 3500
Énergie moyenne reçue
(KWh/m2/an) 1700 1900 2650
Tableau II.3. Ensoleillement reçu annuellement en Algérie par région climatique.

La figure suivante montre la moyenne annuelle de l’irradiation globale reçue sur une surface
horizontale, période 1992-2002, ce qui indique l’importance l’utilité, et la justesse de l’énergie
solaire en Algérie.

Figure II.10. La moyenne annuelle de l’irradiation globale reçue sur une surface

horizontale, période 1992-2002.

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Le diagramme ci-dessous ( figure. II.11) représente la trajectoire du soleil par rapport à Ville de
Bordj Bou Arreridj. L’hauteur du soleil est maximale au 22 juin et elle est minimale au 22 décembre
où la variation de la hauteur en fonction de l’azimut est nulle.

Figure II.11. Trajectoire du soleil par rapport à Bordj Bou Arreridj

Le diagramme de la figure. II.12. illustre la durée de l’ensoleillement mensuelle. Les


valeurs varient a partie de 5 h au janvier (minimal) à 11 h au juillet (maximal). La valeur moyenne
d’ensoleillement est égale à 7h/jour.

Fig. I.12. Diagramme de durée d'insolation de l’année 2012 d’un site à BBA.

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II.3. Conversion photovoltaïque


II.3.1. Effet photovoltaïque
Nous allons maintenant aborder le cœur du phénomène photovoltaïque : la conversion de la
lumière en électricité. Le mot « photovoltaïque» vient du grec : « photos » qui signifie lumière et
de « Volta » du nom physicien italien qui, en 1800 découvrit la pile électrique. Mais c'est le savant
français Antoine Becquerel qui le premier, en 1839, mit en évidence cette conversion particulière de-
l'énergie : la variation de la conductivité d'un matériau sous l'effet de la lumière. Il a trouvé que
certains matériaux pouvaient produire une petite quantité de courant sous l’effet de la lumière. Par la
suite, Albert Einstein à découvert, en travaillant sur l’effet photoélectrique, que la lumière n’avait
pas qu’un caractère ondulatoire, mais que son énergie était portée par des particules, les photons.
L’effet photoélectrique résulte du transfert de la totalité de l’énergie du photon incident sur un
électron de l’un des atomes de la cible. Cet effet ne se produit que si l’énergie Eν = h.ν du photon est
supérieure à l’énergie de liaison EL de l’électron. Ce dernier, appelé photoélectron, est alors éjecté du
cortège électronique de l’atome avec une énergie cinétique Ec = Eν-EL et épuise son énergie cinétique
en ionisations et excitations. L’énergie Ec est donc totalement absorbée dans la cible. L’électron
expulsé laisse une place vacante qui va être comblée par les électrons de couches plus externes ou
par un électron extérieur à l’atome. Ce remplacement s’accompagne d’une libération d’énergie E R
qui peut être :
-soit émise sous la forme d’un photon dit photon de fluorescence,
-soit communiquée à un électron périphérique d’énergie de liaison EP < ER. Cet électron appelé
électron Auger est expulsé avec une énergie cinétique ER-EP. Ce phénomène, appelé effet Auger,
entre en compétition avec l’émission d’un photon de fluorescence. L’effet Auger prédomine
largement (jusqu’à 90%) pour les éléments légers des milieux biologiques.

Figure II.13. L’effet photoélectrique.

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Le photon incident cède donc tout son quantum d’énergie à un électron de l’atome. Il
disparaît donc en ionisant l’atome (fig ci-dessus).

Le bilan énergétique est donc : h   ( Ecelectron )max  Eliaison electron


(II.15)
L'énergie cinétique maximale de l'électron éjecté vaut par conséquent :

( Ecelectron )max  E photon  Eionisation  h   Eliaison electron


(II.16)
L’énergie cinétique est maximale quand l’électron arraché par effet photoélectrique est
proche de la surface du métal ( sinon, il perd une partie de son énergie cinétique en traversant
le métal ).

Seuil photoélectrique :
Au minimum, l’électron éjecté l’est sans énergie cinétique ; la relation du dessus devient

Eliaison electron C Eliaison electron


donc h  0  Eliaison electron soit  0  ou encore  ; on en
h 0 h
hC
déduit  0
Eliaison electron
(II.17)

Si    0 ( ou   0 ) l’électron ne peut être extrait ; l’énergie du photon incident


est trop faible. L’énergie d’extraction de l’électron ne dépendant que de la structure
électronique interne du métal, le seuil photoélectrique est donc bien caractéristique de chaque
métal.
Certains matériaux photosensibles (Silicium, Germanium…) ont la propriété de libérer des
électrons particuliers sous l’influence d’une énergie extérieure qui est l’énergie solaire
photovoltaïque dans ce cas. Cette énergie est apportés par des photons (grains de la lumière), ces
derniers heurtent les électrons et les libèrent, induisant un courant électrique. Cette procédure de
conversion de l’énergie passe par les trois étapes suivantes :

II.3.1.1. Absorption de la lumière


Le rayonnement solaire se compose de photons, chacun est porteur d’une énergie dont la
valeur dépend de longueur d’onde (couleur du rayon), ces photons peuvent pénétrer dans certains
matériaux même passer au travers. En général, quand un rayon lumineux (flux) arrive un matériau, il
peut subir les trois évènements optiques principales, et ce selon les propriétés optiques du matériau :
(Figure II.14)

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Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

- Réflexion : où la lumière sera renvoyée par la surface du matériau.

- Transmission : quand la lumière traverse le matériau.

- Absorption : la lumière pénètre dans le matériau et ne ressort plus, son énergie sera restituée sous
une autre forme.

Réflexion spéculaire
Rayon incident

Diffusion de volume

Rayleigh Diffusion de surface :

m0 Réflexions multiples sur une surface


rugueuse
m Réfraction
1
 Lois de Snell – Descartes
Absorptio
n
Transmission

interférences

Figure II.14. Les trois évènements optiques au sein d’un tel matériau.

Dans un matériau photovoltaïque, l’énergie du rayonnement lumineux absorbée sera restituée


sous forme d’énergie électrique, qui est donnée en négligeant les autres flux lumineux transmis et
réfléchis pour des matériaux particuliers par :

Eabs = Einc ( 1- e-α d) (II.18)

Où :

Eabs : C’est l’énergie absorbée, Einc : C’est l’énergie incidente.


d : C’est l’épaisseur du matériau, α : Le coefficient d’absorption (s’exprime en cm-1) qui
dépend de la structure du matériau et le rayonnement incident.
Il faut donc au départ que le matériau ait la capacité d’absorber les rayonnements lumineux
visibles, puisque c’est ce qu’on veut convertir.

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Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

II.3.1.2. Transfert de l’énergie des photons en charges électriques


Les charges élémentaires qui vont produire le courant électrique sous illumination sont les
électrons, charges négatives contenus dans le semi -conducteur qui est comme toutes les matières
constitué d’atome (protons positifs et neutrons) et un ensemble des électrons gravitant autour, chacun
dans une trajectoire dite Orbite ou Couche conditionnée par l’énergie de l’électron.

Figure II.15. Excitation des électrons d’un semi-conducteur.

On comprend aisément qu’il existe dépendant du matériau un seuil d’énergie minimum pour
cette libération des électrons par les photons. On appelle ce seuil le Gap optique ou la largeur de
bande interdite, en effet si le photon a une énergie inferieur à ce seuil, il ne peut plus libérer des
électrons et ne sera pas absorber. Ainsi que la capacité de l’absorption de la lumière, le matériau doit
avoir aussi des électrons libérables ou bien que sa largeur de bande interdite soit minime, qui est en
effet la propriété des semi –conducteurs.

Matériau α (cm-1) Eg (eV)


Silicium cristallin 4.5 × 103 1.13
Silicium amorphe 2.4 × 104 1.77
Arséniure de Galium 5.4 × 104 1.4
Tableau II.4. Propriétés optiques de quelques matériaux semi-conducteurs.
(α : absorption pour λ=0.59 µm, Eg : énergie de gap)

II.3.1.3. Collections des charges


Pourque les charges libérées par le rayonnement soient génératrice de l’énergie, il faut
qu’elles circulent. Il faut donc de les attirer hors du matériau semi-conducteur dans un circuit
électrique. Sinon, elles viennent de se recombiner, quand les électrons libérés retrouveraient leur état
initial à la péri phérie de leu atome, cela va libérerait de l’énergie thermique (chaleur)mais aucune
énergie électrique.

18
Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

Cette extraction des charges est réalisée au sein d’une jonction crée volontairement dans le
semi -conducteur, où le but est d’engendrer un champ électrique à l’intérieur du matériau, qui va
entraîner les charge positives (trous) d’un coté et les charges négatives (électrons) de l’autre coté et
c’est possible grâce au dopage.
La jonction d’un semi-conducteur au Silicium est constituée d’une zone dopée au Phosphore
(P, Z=15), dite de type N et autre zone dopée au Bore (B, Z=5), dite de type P. C’est à la
rontière de ces deux zones où se crée le champ électrique qui sépare les charges électriques
positives et négatives. Donc, le dopage d’un semi-conducteur pur va permettre d’amener des charges
excédentaire améliorent sa conductivité.

33 55

Silicium pur Silicium dopé P Silicium dopé N

Figure II.16. Réseau cristallin du Silicium pure (à gauche)


et du Silicium dopé p (au milieu) et n (à droite).

II.3.2. Structure d’une cellule photovoltaïque


Pour produire de l’énergie électrique à partir de la conversion photovoltaïque, les
constructeurs ont posé des produits dits Cellules photovoltaïques ou Photopiles en se basant sur
les notions précédentes d’absorption et conversion.
Pratiquement, il existe plusieurs technologies de fabrication des cellules photovoltaïque en
vue d’optimiser les caractéristiques suivantes :
 La puissance électrique produite par une cellule. (très faible actuellement et de valeur de 1
à 3W avec une tension de moins de 1V).
 Le rendement de conversion des cellules. (atteint actuellement 15 à 19% pour le Silicium
monocristallin, 12 à 16% pour le Silicium polycristallin, 7 à 9% pour le Silicium amorphe).

En effet, la structure de base d‘une cellule photovoltaïque est une jonction PN constituée de la
manière suivante où l’épaisseur totale de la cellule est de l’ordre du millimètre:
 Un cristal semi-conducteur (Silicium) dopé p.

19
Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

 Zone mince (Silicium) dopée n (quelques millièmes de mm).


 Entre les deux zones se développe une jonction.
 La zone n est couverte par une grille métallique (Contacte de front) qui sert de cathode.
 Une plaque métallique (contacte arrière) recouvre l'autre face du cristal et joue le rôle
d'anode.
 Une couche de protection transparente (verre fumé) qui laisse passer la lumière dans un
sens unique (anti-réflexion).
Un rayon lumineux qui frappe le dispositif peut pénétrer dans le cristal à travers la grille et
provoquer l’apparition d'une tension entre la cathode et l'anode. Le dessus et le dessous de la cellule
doivent alors être recouverts de contacts métalliques pour collecter l’électricité générée.

Figure II.17. Structure d’une cellule photovoltaïque.

II.3.3. Principe de fonctionnement


La cellule photovoltaïque (ou jonction pn) absorbe l’énergie lumineuse et la transforme
directement en courant électrique. Le principe de fonctionnement de cette cellule fait appel aux
propriétés optoélectroniques et à celles des semi-conducteurs. Dans la zone de déplétion de la cellule
photovoltaïque, lorsque l’énergie du rayonnement est supérieure à celle associée à la bande interdite
Eg du semi-conducteur, des paires électrons-trous libres sont créées dans cette zone de déplétion
.Sous l’effet du champ électrique qui règne dans la zone de déplétion, ces porteurs libres sont
drainés vers les contacts métalliques des régions p et n. Il en résulte alors un courant électrique dans
la cellule photovoltaïque et une différence de potentiel (de 0.6 à 0.8 Volts) supportée entre les
électrodes métalliques de la cellule.

20
Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

Rayonnement solaire Champ électrique


Donneurs ionisés Accepteurs ionisés

Trou + - E +
Electron
+ + - +

+
- +
Paire électron-trou
- +
+
- +
Zone dopée p Zone dopée n
Figure II.18. Principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque.

II.3.4. Caractéristiques de fonctionnement

La courbe caractéristique (Figure II.19) d’une cellule PV représente la variation du courant


qu’elle produit en fonction de la tension à ses bornes, depuis le court-circuit (tension nulle
correspondant au courant maximum produit Icc) jusqu’au circuit ouvert, (courant nul pour une
tension maximale aux bornes de la cellule Vco).

 Régime 1 : se distingue par le courant qui reste constant, quelle que soit la tension. Dans cette
zone, le générateur photovoltaïque fonctionne comme un générateur de courant.
 Régime 2 : se distingue par une variation du courant correspondant à une tension presque
constante, et c’est dans cette région, que le générateur est assimilable à un générateur de tension.
 Régime 3 : correspond au coude de la caractéristique. C’est la région intermédiaire entre les deux
zones précédentes, et elle représente le fonctionnement (le point optimal peut être déterminé) .

Figure II.19. Caractéristique courant-tension et puissance produite par une cellule photovoltaïque.

21
Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

 Tension de circuit ouvert Vco :


Si l’on place une cellule PVsous une source lumineuse constante, sans aucun récepteur, elle
peut générer à ses bornes une tension continue maximale, dite tension de circuit ouvert Vcoou
tension à vide. On la mesure à l’aide d’un voltmètre. Cette tension est de l’ordre de 0,7 V pour une
cellule élémentaire (elle varie avec la technologie et l’éclairement).

 Courant de court-circuit Icc :


À l’inverse du point de circuit ouvert, lorsqu’on place la cellule PV en court-circuit, il débite
son courant maximal, mais aucune tension. C’est le courant que l’on peut mesurer en branchement
direct sur un ampèremètre, On appelle ce courant maximal à tension nulle courant de court-circuit.

 Le facteur de forme (FF):


Le facteur de forme FF indique le degré d’idéalité de la caractéristique correspondant au rapport
suivant:
P max I max ×Vmax
FF= = (II.19)
ICC.VCO ICC.VCO

 Point de puissance maximale Pm:


L’utilisation optimale d’une photopile consiste à alimenter une charge sous la tension
maximale et à un courant maximal. En effet, suivant la formule P = VI, pour que la puissance soit
maximale: il faut être dans les conditions où le produit VI est maximal: c’est le point de charge idéal
de la photopile, ou point de puissance maximale Pm. On a coutume d’appeler Vmax et Imax la
tension et le courant correspondant à ce point Pmax = VmaxX Imax.

 Puissance-crête
La puissance maximale est fonction de l’éclairement. Lorsqu’il s’agit de la puissance
maximale dans les conditions normalisées d’ensoleillement STC (1 000 W/m2, 25 °C, spectre solaire
AM 1,5), on parle alors de watts-crête (Wc) ou de puissance-crête.

II.3.4.1. Schéma électrique équivalent d’une cellule


A. Schéma électrique équivalent d’une cellule idéal
Dans ce nouveau repère, l’équation d’une caractéristique correspondant à un éclairement E en
W·m–2 est donnée par :
𝑒𝑉𝑜
𝐼𝑃 = 𝐼𝑐𝑐 − 𝐼𝑠 𝑒𝑥𝑝 ( ) (II-20)
𝐾𝑇

22
Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

Où Icc représente le courant de court-circuit dû à l’éclairement E


Le schéma équivalent de la cellule photovoltaïque déduit de cette équation est donné par la
figure 3et comprend un générateur de courant qui modélise l’éclairement et une diode en parallèle
qui modélise la jonction PN.

Figure II.20. Schéma équivalent de la cellule idéale

B. Schéma équivalent d’une cellule réel


Le schéma équivalent de la cellule photovoltaïque réelle tient compte d’effets résistifs
parasites dus à la fabrication et représentés sur le schéma équivalent par deux résistances (Figure
II.15):
- une diode matérialisant le fait que le courant ne circule que dans un sens.
- une résistance série Rs représentant les diverses résistances de contacts et de connexions;
- une résistance RSh (shunt) en parallèle sur le générateur de courant qui caractérise les divers
courants de fuite dus à la diode et aux effets de bords de la jonction.
Le piégeage des porteurs libre se traduit par l’augmentation de la résistance série RS et la diminution
de la résistance shunt Rsh
Dans le cas idéal, on suppose que la résistance série R. La résistance série est formée par la
résistance électrique du semiconducteur dans la zone extérieure à la zone de charge d’espace et par la
résistance de contact entre le semiconducteur et le métal qui assure le contact électrique avec le
circuit extérieur. La résistance shunt est due à des impuretés ou défauts qui court-circuitent le courant
entre les deux électrodes. On annule l’effet de la résistance shunt en formant une couche tampon,
c’est-à-dire une couche isolante très mince (<500 Å) entre les régions p et n de la jonction, ce qui
empêche les courts-circuits et, de plus, augmente la largeur de la zone de charge d’espace, d’où une
augmentation du nombre de porteurs libres créés et du photocourant de la zone de charge d’espace.

23
Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

s est nulle et que la résistance shunt Rsh est infinie. Dans le cas réel, le rendement est diminué par
l’augmentation de Rs et la diminution de Rsh.
L’équation caractéristique de la cellule réelle est alors donnée par :

Ip=ICC -ID - (V/Rsh) (II-21)

Figure II.21. Schéma électrique équivalent d’une cellule en silicium cristallin.

Remarque : La caractéristique d’une jonction pn non éclairée est celle d’une diode.
En présence d’un éclairement, cette caractéristique est décalée vers le bas d’un courant Icc
(courant de court-circuit) qui traduit la génération constante du courant par la lumière. De même, elle
coupe l’axe des abscisses en Vco (tension maximale de circuit ouvert), tension de la photopile sous
lumière à courant nul. La droite de charge indique le point de fonctionnement.

Figure II.22. Caractéristique d’une jonction pn non éclairée puis éclairée


avec sa droite de charge.

II.3.6. Puissance et rendement de la cellule photovoltaïque

24
Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

La partie intéressante de la caractéristique courant-tension, pour l'utilisateur, c'est celle qui


génère de l'énergie. Donc ce ne sera ni au point de tension de circuit-ouvert, ni au point de court-
circuit, qui ne génèrent aucune énergie puisque la puissance est le produit du courant par la tension.
La figure II.19 illustre la caractéristique courant-tension et puissance produite par une cellule
photovoltaïque.

Au point Pm situé au « coude » de la caractéristique, la puissance de la photopile est


maximale pour l'éclairement considéré. Ce point dit de puissance maximale, est associé à une tension
dite de tension maximale Vm et de courant maximal Im. Remarquons cependant que la photopile peut
être sollicitée également à plus faible puissance, par exemple à une tension inférieure à Vm.

On voit bien que plus la courbe est « carrée », plus la puissance maximale est élevée. On
mesure cette propriété par le facteur de forme (fill factor FF en anglais) défini comme suit:

𝑃𝑚
𝐹𝐹 = 𝑈 (II.22)
𝑐𝑜 𝐼𝑐𝑐

Le rendement énergétique est défini quant à lui comme le rapport entre cette puissance
maximale produite et la puissance du rayonnement solaire qui arrive sur le module photovoltaïque.
Si S est la surface de ce module, et E l’éclairement en W/m2, le rendement énergétique s'écrit :

𝑃𝑚
𝜂= (II.23)
𝐸.𝑆

Ce rendement est souvent mesuré dans les conditions de référence, c'est-à-dire sous
l'ensoleillement de 1 000 W/m2, à la température de 25 °C et sous un spectre AM1.5. Ces conditions
normalisées sont dites « STC » pour Standard Test Conditions (en anglais).

De point de vue économique, il faudrait que le solaire photovoltaïque soit compétitif vis à vis
des autres énergies. Or si le soleil est gratuit, pour obtenir des résultats quantitatifs intéressants, il va
importer de réaliser des capteurs de très grande surface à faible coût de production et de durée de vie
importante. En effet, dans le meilleur des cas possible, l'énergie incidente est de 1kW/m 2 et le
rendement théorique maximal d'un dispositif de conversion parfait ne peut dépasser 38% (loi de
Carnot), mais en réalité on se base sur une énergie moyenne pendant quelques heures par jour
d'environ 300W/m2 et l'expérience montre que les rendements sont au plus de quelques 16% sur les
dispositifs de coût relativement raisonnable d'aujourd'hui. De ce fait, plusieurs technique sont
proposées afin d’augmenter le rendement des cellules solaires tels que l’élaboration des couches
minces antireflets et de texture en couche mince (Figure II.23 ).

25
Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

(a) Reduction de la reflexion (Texture) (b) Texture

(c) Réduction de reflextion par couche mince (d) Couche mince en yeux de mite.

Figure II.23. Quelques Illustrations de la réduction de réflexion

II.3.6. 1. Optimisation de la conversion photovoltaïque :


L'optimisation de la conversion de l'énergie solaire en électricité requiert au moins que trois
phénomènes physiques de base aient lieu quasi-simultanément:
-l'absorption du maximum possible de photons;
-la transformation de l'énergie ainsi absorbée en charges électriques libres;
-la collecte sans perte de ces derniers dans un circuit électrique extérieur.

Une cellule photovoltaïque solaire doit donc être constituée:


-d'un matériau absorbant dans la bande optique du spectre solaire, possédant au moins
une transition possible entre deux niveaux d'énergie, transformant l'énergie lumineuse sous
forme potentielle et non thermique,
- et d'une structure de collecte de faible résistance électrique.

26
Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

Remarque: Rendement des cellules


Le rendement d’une cellule est le ratio entre l’énergie lumineuse reçue à la surface de la
cellule et l’énergie électrique produite par cette même cellule.
Le rendement d’une cellule photovoltaïque serait d’environ 85% si chaque photon pouvait
transférer toute son énergie à un électron. Cependant, ce n’est pas le cas vu que le transfert d’énergie
peut se faire uniquement selon la bande d’énergie propre à chaque semi-conducteur. Ainsi, les
photons avec une énergie inférieure à cette valeur type ne pourront participer à l’effet photovoltaïque
et leur énergie sera convertie en chaleur. De plus, les photons avec plus d’énergie ne peuvent
transmettre que l’énergie propre au semi-conducteur et tout excès est dès lors perdu. Dans les
cellules actuelles, ces 2 effets limitent le rendement théorique des cellules à 50%.

A. Optimisation de l’absorption
On serait en droit de penser que le matériau idéal doit être choisi parmi les matériaux à petits
"gap" afin d'absorber tous les photons solaires y compris les photons infrarouges dont l'énergie est
inférieure à l eV .
C'est oublier que, ce faisant, on abaisse la valeur de la tension de sortie de la photopile qui est
égale à Eg/q. En réalité, elle est directement proportionnelle au "gap" du matériau ; en tous cas elle
ne peut lui être supérieure. Comme la puissance de la photo génératrice est au plus égale au produit
du courant par la tension, un compromis sur la valeur du "gap" est donc inévitable. Il est en général
compris entre 1 et 1.5 eV et ne dépend que du matériau utilisé. A cause de nombreuses sources de
pertes, dans la réalité, la tension de circuit ouvert d'une photopile dépasse rarement la valeur de la
moitié du "gap".

27
Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

Fig II.24. La longueur d’onde en fonction de Fig II.25. La longueur d’onde en fonction en
l’intensité spectrale fonction de l’absorption

B. Optimisation de séparation des charges


Le second phénomène à optimiser est la rapide séparation des électrons et des trous avant
qu'ils ne se recombinent, et leur entraînement vers les électrodes collectrices. Cette séparation est
obtenue par un champ électrique (permanent et indestructible) qui est le plus souvent généré par la
jonction de deux semi-conducteurs de nature et de type différents (hétérojonctions), ou par la barrière
de potentiel entre un métal et un semi-conducteur (diode Schottky), ou bien plus simplement encore,
à l'interface de deux zones d'un même semi-conducteur dont les concentrations en électrons libres
sont différentes (homo jonction ou jonction p-n).
Mais rien n'impose que ces deux phénomènes aient lieu au sein du même matériau. Au
contraire si l'on veut optimiser la structure de la photopile, il peut être avantageux de séparer les
fonctions d'absorption des photons et de collecte des charges mobiles au prix d'une petite
complication dans la structure et le procédé de fabrication.

II.3.6.2. Influence de l’éclairement


Sous un ensoleillement fort (utilisation en extérieur)Le courant Icc varie directement avec le
rayonnement lumineux (la relation est proportionnelle), la tension restant relativementconstante. Cela
est intéressant, notamment pour la charge d’unebatterie.
Voyons par exemple les caractéristiques d’un panneau au silicium cristallin, telles que
données par le fabricant (figure II.26).

On remarquera la puissance maximale, qui passe de 20 Wc à1 kW/m2 à 16 Wc à 0,8 kW/m2.

28
Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

Figure II.26 Influence de l’éclairement sur les courbes courant-tension.

II.3.6.3. Influence de la température


La température a également une influence non négligeable sur les caractéristiques de ce
panneau : quand la température s’élève, la tension diminue et donc la puissance aussi.
Les courbes de la figure 3.11 montrent cette dérive des caractéris-tiques de ce panneau en silicium
cristallin en fonction de latempérature. On constate que l’on passe d’une puissance optimale de 20 W
à 25 °C à une puissance de 18 W pour une température de 45 °C : on est donc obligé de tenir compte
de latempérature d’utilisation de la photopile afin d’appliquer un
coefficient réducteur de la puissance optimale à 25 °C.

Figure II.27. Influence de la température sur les courbes courant-tension.

Paradoxalement, cet inconvénient, sous les climats très chauds, devient un avantage dans les
pays à climat tempéré et à forte luminosité .

29
Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

II.3.6.4. L’effet de l’ombrage


Compte tenu de la surface occupée par les modules sur une installation PV, certains (une ou
plusieurs cellules) peuvent être ombragés par des arbres, des feuilles mortes, des cheminées, des
nuages ou des panneaux PV installés à proximité.
En cas d'ombrage, une cellule PV présentant une jonction P-N cesse de produire de l'énergie
et devient une charge passive. Cette cellule se comporte comme une diode qui bloque le courant
produit par les autres cellules raccordées en série, compromettant toute la production du module. De
plus, la diode est soumise à la tension des autres cellules, ce qui peut entraîner la perforation de la
jonction due à une surchauffe localisée (point chaud), et endommager le module. Afin d'éviter qu'une
ou plusieurs cellules ombragées ne compromettent la production de l'ensemble d'un string, des
diodes court-circuitant la partie ombragée ou endommagée du modèle sont insérées au niveau du
module. Par conséquent, le fonctionnement du module est garanti même si l'efficacité est réduite. En
théorie, il serait nécessaire de monter une diode by-pass en parallèle à chaque cellule, toutefois cela
s'avèrerait trop onéreux intermède rapport coût/bénéfice.2 à 4 diodes by-pass sont donc généralement
installées sur chaque module.

II.4. Les différentes technologies de cellules photovoltaïques


Deux grands familles de technologies des cellules photovoltaïques existent actuellement : la
première à base de silicium cristallin comprenant le mono et le multi cristallin, couvre de l'ordre de
85% de la production mondiale. La deuxième famille, celle des couches minces, comprend les
cellules au silicium amorphe, polycristallin ou microcristallin ; au tellure de cadmium, au cuivre
indium sélénium, et à l’arséniure de gallium. En outre, d'autres technologies sont en cours
d'expérimentation comme les cellules organiques, polymères ou à base de fullerènes.

II.4.1. Trois Générations (technologies) de cellules existent suivant leur mode de production

II.4.1.1. La première génération : Cellules cristallines, mono et Poly-cristallines

 Cellules cristallines

Ces cellules, généralement en silicium, ne comprennent qu’une seule jonction p-n. La technique
de fabrication de ces cellules, basée sur la production de "wafers" à partir d’un silicium très pure,
reste très énergivore et coûteuse.
 Cellules en Silicium mono cristallin (mono c-Si)

30
Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

Ces cellules sont constituées de cristaux très purs obtenus par un contrôle strict et progressif du
refroidissement du silicium.
Rendement
12-19 % (On obtient ainsi une puissance de 120 à 190 Wc par m²).
Avantage
 Très bon rendement.
Inconvénients
 Coût élevé.
 Rendement faible sous éclairement réduit.

 Cellules en silicium polycristallin (Poly c-Si)


Le refroidissement du silicium en fusion est effectué dans des creusets parallélépipédiques à fond
plat. Par cette technique, des cristaux orientés de manière irrégulière se forment. Cela donne l’aspect
caractéristique de ces cellules bleutées présentant des motifs générés par les cristaux.
Rendement
11-15 % (On obtient ainsi une puissance de 110 à 150 Wc par m²)
Ces cellules restent les plus utilisées du fait du rapport performance/prix plus intéressant que celui de
leurs homologues monocristallins.
Avantage
 Rapport performance/prix.
Inconvénient
 Rendement faible sous éclairement réduit.

II.4.1.2. Deuxième génération: CdTe, CIS/ CIGS, silicium amorphe microcristallin (couches
minces)

Cette génération de cellule repose sur la déposition de matériaux semi conducteurs en


couches minces (thin film). Ces matériaux sont déposés par des procédés tels que PECVD (Plasma
Enhanced Chemical Vapour Deposition) sur un substrat. L’épaisseur de la couche varie entre
quelques nanomètres à des dizaines de micromètres. Ces technologies qui étaient initialement chères
étaient réservées aux applications spatiales (en raison de leur poids par watt crête plus faible) et aux
technologies de concentration. Avec l’augmentation des volumes de production, le prix de revient de
ces technologies a abaissé pour revenir compétitive avec les technologies cristallines de la première
génération.

31
Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

Dans le cas de "couches minces", le semi conducteur est directement déposé par vaporisation
sur un matériau support (du verre par exemple). Le silicium amorphe (a-Si) (silicium non cristallisé
de couleur gris foncé), le tellurure de cadmium (CdTe), le disélénium de cuivre indium (CIS) font
notamment partie de cette génération. Ce sont des cellules de cette technologie que l’on retrouve
dans les montres, calculatrices,… dites solaires !
A. Le silicium amorphe
Rendement
60-70 Wc/m².
Avantages
 Moins coûteux que la première génération puisqu'elle consomme moins de matériau semi-
conducteur.
 Moins polluant à la fabrication (Ne nécessite pas de passer par l'étape de transformation du
silicium en "wafers" (moins énergivores)).
 Fonctionnent avec éclairement faible.
 Moins sensible à l’ombrage et aux élévations de température.
 Possibilité de créer des panneaux souples.
Inconvénients
 Rendement global plus faible.
 Rendement moindre sous éclairement direct.
 Diminution de performance avec le temps plus importante.

En plus du silicium amorphe, on trouve autres technologies en couches minces qui sont
exploitées industriellement (production de masse), on distingue : -CdTe : Cadmium Telluride
(Telluride de cadmium) , CIS / CIGS : Copper Indium Gallium Selenide ,Silicium en couche mince :
silicium amorphe α-Si et microcristallin. A noter que le tellurure de cadmium est un alliage de métal
lourd, très toxique, et peut –tout comme le plomb ou le mercure- se concentrer dans la chaine
alimentaire. L'UE en a interdit l'usage pour les appareils électriques... exception faite pour les
cellules PV...

 CdTe
Le CdTe ou Tellurure de Cadmium est un semi conducteur qui peut être utilisé comme
matériau photovoltaïque dans les panneaux solaires souples. Il peut être déposé en couche mince

32
Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

polycristalline sur des films souples (Polyimide par exemple) et est couplé à une couche de sulfure
de cadmium (CdS) pour obtenir la jonction pn.
Ce matériau est très intéressant car il permet d’absorber avec une couche de moins de 2
microns d’épaisseur une bonne partie du spectre visible et d’obtenir un bon rendement quelque soit
la qualité de l’ensoleillement (soleil voilé ou diffus).
Les panneaux solaires rigides qui emploient ce matériau atteignent des rendements de plus de
10%. Le coût d’obtention de ces panneaux solaires est inférieur aux à celui des technologies silicium
cristallin, ce qui en fait une solution très intéressante.
Par ailleurs, les matériaux utilisés, cadmium et tellurure sont parfois décriés. La durée de vie
des modules solaires utilisant cette technologie est de plus de 25 ans.

 CIGS
Le CIGS est un matériau photovoltaïque composé d’un alliage de Cuivre, d’Indium de
Gallium et de Sélénium (Cu(In,Ga)Se2) utilisé fréquemment dans la fabrication de panneaux solaires
flexibles. Il est déposé en couche mince polycristalline sur des films souples (acier inoxydable par
exemple) et est couplé à une couche de sulfure de cadmium (CdS) pour obtenir la jonction pn. Les
panneaux solaires rigides qui emploient ce matériau atteignent des rendements maximum de l’ordre
de 10% à 12%. Ils ont un bon comportement en température avec un coefficient de 0,3%/°C contre
0,4%/°C pour le silicium polycristallin. Le coût d’obtention de ces panneaux solaires, notamment par
impression sérigraphique est inférieur aux autres technologies silicium, ce qui en fait une
solution intéressante.

Figure II.28. Panneau flexible en CIGS.

Remarque :

33
Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

Le coût d’obtention de ces panneaux solaires est inférieur aux autres technologies, ce qui en
fait une solution très intéressante. Ce matériau photovoltaïque utilisé en simple, double ou triple
jonction est aujourd’hui très répandu dans la fabrication de panneaux solaires souples.

Monoc-Si Poly c-Si Amorphe-Si


Figure II.29. Différentes technologies de cellules PV à base de Silicium.

II.4.1.3. Troisième génération Technologies photo-électro-chimiques (Organic PV cell et Dye


Sensitised Cell)

A. Cellules photovoltaïques organiques OPV


Plusieurs raisons justifient l’utilisation des matériaux organiques pour la fabrication des cellules
photovoltaïques. La plus importante se trouve dans les avantages particuliers de ces matériaux : ils
peuvent être mis en forme facilement, par voie sèche (évaporation sous vide) ou par voie humide
(Tournette, jet d’encre), avec des techniques simples, issues de l’industrie de la microélectronique.
De plus, les quantités de matériaux utilisés sont relativement petites (légers), les films ayant des
épaisseurs de l’ordre de 100 nm. Enfin l’ingénierie moléculaire permet d’adapter les valeurs du gap
et des niveaux d’énergie HOMO* et LUMO*. C’est pour cela que les recherches dans ce domaine
sont très actives à travers le monde ;mais des problèmes restent à résoudre et ce type de cellule n’est
pas encore commercialisé.

A.1. Principe de fonctionnement des cellules organiques


a. Absorption des photons et création d’excitons
L’absorption des photons dans les deux matériaux entraîne la formation d’excitons : des
paires électron-trou corrélées par des forces de Coulomb. Au contraire du silicium (où l’énergie de
liaison de l’exciton EL = 14,7 meV), dans les organiques les excitons ne se dissocient pas à

34
Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

température ambiante, car la valeur de EL est beaucoup plus élevée, de l’ordre de quelques dixièmes
d’électron-volt. Les charges doivent être séparées par le champ électrique qui règne à la jonction D/A
entre le donneur et l’accepteur.
b. Diffusion des excitons jusqu’à la jonction donneur-accepteur
Les excitons ont une durée de vie τ très courte, de l’ordre de la nanoseconde. Si rien ne se
produit pendant ce temps τ, l’électron et le trou se recombinent et l’énergie de l’exciton se
transforme en un nouveau photon ou en chaleur. Il faut donc dissocier les charges liées avant leur
recombinaison. Les excitons ne sont pas localisés sur une molécule. Pendant leur durée de vie, ils
diffusent sur une longueur LD dont la valeur est de l’ordre de quelques dizaines de nanomètres. Pour
que les excitons puissent atteindre un site de dissociation (la jonction D/A), il faut qu’ils soient
générés à une distance inférieure à LD de cette interface. Des études cherchent à augmenter la valeur
de LD en induisant un ordre moléculaire dans les matériaux. Une alternative cherche à diminuer la
distance que les excitons doivent parcourir pour rejoindre la jonction D/A. Pour cela, différentes
configurations de cellules ont été proposées, comme les jonctions interdigitées ou interpénétrées.
c. Dissociation des excitons
Lorsque les excitons rejoignent la jonction D/A, les deux charges qui les composent se
séparent, à condition que l’une d’entre elles passe (soit transférée) de l’autre côté de la jonction. On
obtient alors une paire de polarons : un polaron de charge positive dans le donneur et un polaron de
charge négative dans l’accepteur. Puisqu’il n’y a pas d’apport d’énergie au moment du transfert,
celui-ci ne peut s’effectuer que si l’énergie finale de la paire de polarons ECT est inférieure à
l’énergie initiale de l’exciton EEX . En d’autres termes, l’énergie de l’ensemble des deux charges
séparées doit être plus petite que celle de l’exciton. Cela entraîne une condition, indiquée sur la
figure II.27, sur les positions relatives des niveaux HOMO et LUMO des deux matériaux organiques.
Ici encore, l’ingénierie moléculaire peut aider à satisfaire cette condition.

Remarque : Les orbitales frontières sont deux types d'orbitales moléculaires (OM) particulières:
l'orbitale HOMO (acronyme de highest occupied molecular orbital), en français HO (pour Haute
Occupée) qui est l'orbitale moléculaire la plus haute en énergie occupée par au moins un électron, et
l'orbitale LUMO (acronyme de lowest unoccupied molecular orbital), en français BV (pour Basse
Vacante) qui est l'orbitale la plus basse en énergie non occupée par un électron.

d. Transport des charges et collecte aux électrodes


Dans cette quatrième étape, les porteurs de charge doivent rejoindre les électrodes en
traversant les films organiques. Le manque d’ordre atomique dans les matériaux organiques est une

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Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

autre différence importante avec les cellules en silicium cristallin. Ainsi, les mobilités des électrons
μe et des trous μh sont faibles. Un objectif de la recherche actuelle est d’augmenter leurs valeurs en
induisant un certain ordre dans les matériaux.

Figure II.30. Les quatre étapes de la conversion photovoltaïque organique (pour


plus de clarté, l’épaisseur des électrodes n’est pas à l’échelle)

Remarque (Autres matériaux pour photovoltaïque)


Les hybrides organiques/inorganiques à base de polymères conjugués et de nanocristaux
colloïdaux de semi-conducteurs sont des matériaux prometteurs pour la couche active des cellules
photovoltaïques de nouvelle génération (figure II.28).

Figure II.31. Schéma d’une cellule photovoltaïque constituée d’une couche active à réseaux interpénétrés de
nanocristaux et d’un polymère ?-conjugué. Chaque constituant absorbe de la lumière créant des paires
électrons-trous. Ces paires se dissocient aux interfaces, le trou dans la phase organique (donneur) et
l’électron dans la phase inorganique (accepteur). Les charges diffusent séparément jusqu’aux électrodes et
génèrent un courant électrique ; b) diagramme énergétique simplifié associé ; c) photo d’une cellule test.

Les chercheurs développent en parallèle trois approches pour préparer ces matériaux
hybrides à partir de nanocristaux de CdSe et de poly(alkylthiophènes) régioréguliers (P 3HT, P3OT) :

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Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

1) par mélange des deux composants en ayant un contrôle cinétique plutôt que thermodynamique lors
de la formation du film afin de limiter la ségrégation de phase (fig. 16) à des échelles de l’ordre de la
dizaine de nanomètre, la longueur de diffusion typique des paires électrons-trous dans ces matériaux.
2) par greffage du polymère sur le nanocristal avec un premier exemple modèle de greffage d'un
tétramère d’aniline sur des nanocristaux de CdSe, système pour lequel il a était démontré que le
tétramère garde son activité électrochimique après greffage. 3) par voie d’auto-assemblage basée sur
la reconnaissance des deux constituants du matériau hybride par des liaisons hydrogène multiples.
Bien que, les cellules solaire organique rencontrent plusieurs problème (instabilité des
matériaux, faible durabilité et faible rendement ..etc), de nombreux chercheurs et industriels estiment
que l’OPV constitue, au même titre que les technologies DSSC (Dye Sensitized Solar Cells ou
cellules de Grätzel), les solutions d’avenir.

Figure II.32. Module photovoltaïque organique.

B. Cellules solaire Grätzel DSSC


Les cellules Solaires Grätzel ou DSSC (Dye Sensitized Solar Cells) qui sont également
appelées cellules à pigment photosensible peuvent également être utilisées dans la fabrication
de panneaux solaires souples. Une cellule DSSC est faite d’un mélange colorant/solvant liquide,
emprisonné entre deux électrodes transparentes. Le pigment est contenu dans un matériau semi
conducteur en contact avec la face transparente exposée à la lumière.
Sous l’effet du pigment qui réagit au rayonnement solaire, le solvant joue un rôle
d’électrolyte donneur d’électron. Les électrons s’accumulent dans le matériau semi conducteur en
contact avec l’électrode et crée une différence de potentiel avec l’autre face de la cellule. Ce
phénomène est très similaire à la photosynthèse naturelle qui utilise l’eau et la chlorophylle dans le
milieu végétal.
Ces cellules DSSC ont obtenu des rendements maximum en laboratoire de l’ordre 12 % mais
les produits commerciaux atteignent aujourd’hui 3 à 5 % de rendement. Cette technologie est très
prometteuse car elle utilise des composants peu onéreux, autorise un procédé de fabrication simple et

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Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

permet de fabriquer des panneaux solaires souples ou rigides qui restent translucides et qui peuvent
ainsi par exemple facilement s’intégrer dans un vitrage.
Il y a cependant quelque freins à leur développement qui sont notamment leur résistance
moindre au vieillissement notamment sous rayonnement UV, et des problèmes de gel ou d’étanchéité
inhérents à leur utilisation de produits liquides. Pour ces raisons leur prix de revient industriel reste
encore élevé et proche du silicium cristallin. Des cellules solaires de type DSSC obtenues en
remplaçant l’électrolyte liquide par un semi-conducteur organique supprimant ainsi ces problèmes
d’étanchéité ont récemment été développées, mais ne sont pas encore commercialisées.

Technologie Durabilité Rendement Rendement


typique en % maximale en %
Silicium monocristallin Supérieur à 20 ans 15 à 20 25
Silicium polycristallin Supérieur à 20 ans 12 à 16 20
Silicium amorphe 20 ans 5à8 13
CIGS 10 ans 10 à 12 20
CdTe 20 ans 7 à 11 17
OPV 3 à 5 ans 5à7 8.3
DSSC 3 à 5 ans 10 à 12 12
Tableau II.4. Durabilité et rendement des différents types des cellules photovoltaïques.

II.5. Composants des systèmes photovoltaiques

L’énergie produite par un panneau ou champ photovoltaïque doit être convertie en énergie
consommable (a l’aide d’un convertisseur), et si on n’a pas besoin de toute l’énergie produite le reste
doit être stocké dans des moyens de stockages (batteries).

L’ensemble des dispositifs (panneaux solaires, convertisseurs, régulateurs, batteries…) forme un


système photovoltaïque qui assure la transformation de l’énergie solaire en énergie électrique
consommable.

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Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

Figure II.33. Différents composants d’une installation PV.

II.5.1. Module photovoltaïque


Pour obtenir une force électromotrice élevée, il est nécessaire d’associer plusieurs cellules
photovoltaïques sous forme de panneau solaire.

Figure II.34. Association série-parallèle (mixte) des cellules photovoltaïques.

Une cellule produit une tension de 0.5 à 0.6 V, et une puissance de 1 à 3 Watts (variable selon
le type de matériau utilisé). Pour obtenir plus d’énergie, on place plusieurs cellules ensemble
formant un module photovoltaïque.
Dans le cas du Silicium cristallin (mono ou poly) un module photovoltaïque se compose
généralement d’un circuit de 36 jusqu’à 90 cellules encapsulées de manière étanche entre deux
plaques de verre ou une plaque de verre à l’avant et un matériau composite à l’arrière. Un cadre en
aluminium permet la fixation de ce module sur différents types de supports et la protection contre les

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Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

chocs et l’usure. Des modèles sans cadre permettent différentes variantes pour l’intégration
architecturale.
La puissance d’un module photovoltaïque est exprimée en Watt crête (Wc) .C’est une valeur
donnée pour un ensoleillement de 1000W/m2 et une température ambiante de 25°C. Cette unité est la
puissance électrique maximale qu'une cellule photovoltaïque peut fournir dans des conditions
optimales.

Monocristallin Polycristallin Amorphe à couche mince

Figure II.35. Différents types des modules photovoltaïques en Silicium.

Si l’énergie produite par un panneau photovoltaïque n’est pas assez fiable, on a besoin de
regrouper plusieurs panneaux sur le même site. On obtiendra un champ photovoltaïque.

II.5.2. Batterie : la batterie est un moyen de stockage d’énergie. Elle stocke l’énergie électrique
excédent sous forme d’énergie chimique afin de l’utiliser quand on a besoin. Les batteries les plus
répondu sont de type Plomb-acide. Les batteries Cadmium-Nickel sont rarement utilisées à cause de
leurs prix élevé et qu’elles contiennent du Cadmium (toxique). Les batteries sont utilises que dans les
systèmes autonomes.

II.5.3. Régulateur de charge : Le régulateur de charge est un élément essentiel pour la durée de vie
de la batterie. Il a pour fonction principale de protéger la batterie contre les surcharges et les
décharges profondes.

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Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

II.5.4. Onduleur (convertisseur) : Le courant électrique provenant du générateur photovoltaïque ou


de la batterie est un courant continu (DC). Pour l’utiliser sous forme de courant alternatif (AC) -ou
la plupart des appareils fonctionne avec- ou bien réinjecter les surplus de l’énergie produite dans le
réseau (dans le cas des systèmes raccordés au réseau), il faut le transformer d’abord (transformer le
DC en AC). Ceci est la tache de l’onduleur.

II.5.5. Appareils consommateurs : les appareils consommateurs sont le dernier cercle dans un
système PV. Ils regroupent tous les appareils ménagers qui fonctionnent souvent avec un courant
alternatif. C’est pour cela qu’on a besoin d’un onduleur.

II.5.6- Câbles : les câbles servent à relier les différentes composantes du système photovoltaïque.

II.6. Types de systèmes photovoltaïques


II.6.1. Systèmes photovoltaïques raccordés au réseau
Les systèmes photovoltaïques reliés au réseau sont bien adaptés à un milieu urbain qui
dispose d’un réseau très dense, ces systèmes permettent :

 L’utilisation directe de l’énergie produite (réduire le montant de la facture).


 La réinjection des surplus de l’énergie produite dans le réseau (dans le cas où l’énergie produite
dépasse les besoins).
 L’utilisation de l’énergie provenant du réseau (dans le cas où l’énergie produite ne satisfait pas
les besoins).
Pour pouvoir envoyer de l’énergie dans le réseau, il est indispensable de transformer le
courant continu produit par les modules solaire en un courant alternatif la tache assurée par le
convertisseur (Onduleur).

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Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

Figure II.36. Système photovoltaïque raccordé au réseau.

II.6.2. Systèmes photovoltaïques autonomes

Ceux sont les systèmes les plus simples, car l’énergie photovoltaïque est utilisée directement
à partir des panneaux, la configuration la plus courante de ces systèmes est celle qui nécessite les
dispositifs de stockage, dite en anglais : Stand-Alone-Systems.

Généralement, une batterie d’un tel système photovoltaïque se charge pendant la journée,
quand elle reçoit de l’énergie produite par les panneaux solaires, et elle peut sans problème débiter
un courant de décharge de valeur différente qui sert à l’alimentation des appareils consommateurs.
Les appareils alimentés sont donc câblés avec la batterie via un régulateur de charge, lorsque la
batterie sera pleine, le régulateur la déconnecte afin d’éviter les problèmes de surcharge, de même
pour la décharge, lorsque l’état de charge de la batterie atteint un seuil prédéfinie, le régulateur va
déconnecter l’équipement de consommation pour réserver toute la puissance produite à la recharge
de la batterie.

La nécessité de ces systèmes se présente dans les milieux isolés (où la couverture du réseau
n’existe plus), grâce à la propriété du stockage de l’énergie produite.

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Chapitre II Gisement solaire et conversion photovoltaïque

Figure II.37. Système photovoltaïque autonome.

Pour les deux systèmes décrits ci-dessus, et quand les appareils de consommation des
systèmes autonomes doivent nécessairement fonctionner en courant alternatif (l’électricité la plus
utilisé à ce jour), on recourt une conversion de courant continu (DC) fourni par la batterie en courant
alternatif (AC) prêt à la consommation. Bien sur, cela ne passe pas sans conséquences :

 Augmentation du cout de l’installation.


 Réduction du rendement énergétique.
 Risque des coupures (panne complètes) en cas des problèmes sur le convertisseur, si toute
l’installation électrique est alimentée par son intermédiaire.

Finalement, nous avons caractérisées le potentiel et l’évaluation solaire en Algérie et la stratégie


photovoltaïque qui provient la transformation de l’énergie solaire en électricité.

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