des Semi-conducteurs de Puissance I.1 Introduction Pour modéliser un entraînement électrique composé d’une association (convertisseur statique + machine électrique) ou un système à base de circuits de l’électronique de puissance, on doit passer par la modélisation des composants et des convertisseurs de l’électronique de puissance ainsi que les blocs de commande. Les modèles de ces trois constituants (composants de puissance, convertisseurs statiques et commande) sont ensuite traités ensemble pour prévoir les performances dynamiques et statiques de ce genre de système. Dans ce qui suit, nous allons présenter les caractéristiques des différents composants de l’électronique de puissance et les techniques de modélisation de ces composants électroniques et des convertisseurs statiques.
I.2 Modélisation des semi-conducteurs de puissance
Le point de départ des techniques de modélisation et simulation des convertisseurs statiques c’est la modélisation des semi-conducteurs de puissance qu’on va introduire dans ce qui suit. I.2.1 Caractéristiques statiques des composants des l’électronique de puissance (Rappel) On va rappeler dans cette section la structure et les caractéristiques statiques des composants de l’électronique de puissance.
I.2.1.1 Diode de puissance
La diode de puissance a une structure particulière qui lui permet de véhiculer de grandes puissances, et de supporter des tensions inverses importantes. Le socle métallique permet de protéger la jonction et de la fixer sur un support (radiateur de refroidissement). La théorie de la diode de puissance ne diffère pas de celle de la diode de faibles signaux (diode classique), en ce qui concerne la caractéristique I(V). Donc, l’allure de la caractéristique statique (idéale ou réelle) de la diode de puissance reste pratiquement inchangée. La caractéristique idéale de la diode s’obtient en négligeant la tension VAK à l’état ON, et les courants de fuite IAK à l’état OFF.
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Fig. I.1 Diode : a) Symbole, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale I(V)
La diode de puissance commute des courants directs de quelques kA avec des
fréquences de commutation qui peut atteindre quelques centaines de Hz dans le cas de la diode normale, et quelques dizaines de kHz dans le cas des diodes Schottky), et supporte des tensions inverses de quelques kV.
I.2.1.2 Transistor bipolaire de puissance
C’est une option à grande échelle du transistor bipolaire classique (de faible puissance). Il fonctionne suivant le même principe, mais sa structure est différente. La structure NPN est la plus utilisée. Le transistor bipolaire (BJT en anglais pour Bipolar Junction Transistor) se comporte comme un interrupteur contrôlable à la fermeture par le courant de base (saturation ou état ON) et à l’ouverture (état bloqué ou état OFF) par la suppression du courant de base, ou l’injection d’un courant de base négatif pour accélérer le blocage.
Fig. I.2 Transistor bipolaire : a) Symbole, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale I(V)
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Si on néglige Vce à l’état ON, et les courants de fuite à l’état OFF on obtient la caractéristique idéale du transistor. Par ailleurs on peut écrire Ie=Ic+Ib ; et comme Ic=βIb ; et Ic=αIe , avec : α β= . 1−α
Pratiquement α ∈ [0.95 0.99 ] . Alors pour véhiculer un courant de 200 A, il nous faut un courant de base qui peut atteindre 10 A (continu). On limite ce courant Ib de commande (qui est considérable), en utilisant le montage de Darlington qui est une cascade de deux (ou plus de) transistors bipolaires de puissance. On a : I c2 = β 2 I b2 ≈ β2 I e1 = β2 β1 I b1 ; Si Ic2=200A, alors Ib1=500 mA au maximum.
Fig. I.3 Montage Darlington du transistor bipolaire : a) Simple Darlington, b) Triple Darlington
Le transistor bipolaire de puissance commute des courants qui peuvent atteindre 1kA, rapidement (avec une fréquence de commutation qui peut atteindre quelques dizaines de kHz), et supporte des tensions directes allant jusqu’à 1.2 kV. Par contre le transistor de puissance ne supporte pas pratiquement des surtensions négatives. Généralement on le protège par une diode qu’on lui monte en tête-bêche (c’est-à-dire en anti-parallèle).
I.2.1.3 Transistor à effet de champ
Brièvement, le transistor à effet de champ (FET en anglais pour Field Effect Transistor) fonctionne ainsi : - Si la tension entre la grille et la source est positive (VGS>0) enrichissement du canal entrée en conduction du transistor transistor à l’état ON. - Si la tension entre la grille et la source est négative ou nulle (VGS<=0) appauvrissement du canal par déplétion blocage du transistor transistor à l’état OFF. _________________________________________________________________________________________________________________ Cours d’Electronique de Puissance Avancée Prof. Lakhdar MOKRANI 3 Cours, 1ère Master en ELT Semestre : S1 ; Options : 1MME, 1MCDE, 1MELTI & 1MRE
Ce transistor est caractérisé par une impédance d’entrée très élevée (10kΩ à 1MΩ) et une grande fréquence de commutation ON OFF et OFF ON.
Fig. I.4 Transistor à effet de champ : a) Symbole, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale I(V)
Le transistor de puissance à effet de champ commute des courants qui n’excèdent pas 200A, très rapidement (avec une fréquence de commutation qui peut atteindre 1 MHz), et supporte des tensions directes allant jusqu’à 1kV. Par contre le transistor de puissance (comme le BJT), ne supporte pas pratiquement des surtensions négatives. Généralement on le protège par une diode qu’on lui monte en tête-bêche (c’est-à-dire en anti-parallèle).
I.2.1.4 Thyristor Le thyristor (dit aussi le SCR pour Silicon Controlled Rectifier) est un composant de l’électronique de puissance constitué de 4 zones dopées PNPN (3 jonctions) qu’on peut équivaloir à 3 diodes ou à deux transistors (voir figure I.5). A partir de ces deux modèles équivalents d’un thyristor (modèle à trois diodes et modèle à deux transistors) on peut déduire la caractéristique statiques réelle Vak(Iak) du thyristor (voir figures I.5 & I.6). La caractéristique idéale du thyristor s’obtient en négligeant la tension VAK à l’état ON, et les courants de fuite IAK à l’état OFF. Le thyristor commute des courants atteignant plusieurs milliers d’ampères, avec une fréquence de commutation de quelques dizaines de Hz, et supporte des tensions directes (à l’état bloqué) et inverses allant jusqu’à quelques kV.
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Fig. I.5 Modèles équivalents d’un thyristor (modèle à trois diodes & modèle à deux transistors
Fig. I.6 Thyristor : a) Symbole, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale I(V)
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I.2.1.5 Thyristor GTO (Gate Turn off Thyristor)
Le phénomène d’amorçage est similaire à celui du thyristor conventionnel. En revanche, le GTO est blocable par le biais d’une deuxième gâchette (ou par un courant négatif de la gâchette d’amorçage). Pour le blocage, il faut que le taux de charges issues à travers la gâchette soit supérieur à celui circulant entre l’anode A et la cathode K. Ainsi, le courant gâchette – cathode à extraire est de l’ordre de IAK/5 ; le courant de gâchette ig est relativement grand. De plus, le thyristor GTO est limité en puissance par rapport au thyristor classique. En effet, celui-ci ne peut pas commuter des courants dépassant 2kA, avec une fréquence de commutation atteignant 1kHz, et supporte des tensions directes (à l’état bloqué) et inverses allant jusqu’à 3 kV.
Fig. I.7 Thyristor GTO : a) Symbole, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale I(V)
I.2.1.6 TRIAC (TRIode Alternating Current)
C’est un composant de l’électronique de puissance équivalent à deux thyristors montés en anti-parallèle avec une seule gâchette. D’où on peut déduire la caractéristique statique I(V) d’un triac.
ON
OFF V OFF
ON
Fig. I.8 TRIAC : a) Symbole, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale I(V) _________________________________________________________________________________________________________________ Cours d’Electronique de Puissance Avancée Prof. Lakhdar MOKRANI 6 Cours, 1ère Master en ELT Semestre : S1 ; Options : 1MME, 1MCDE, 1MELTI & 1MRE
C’est une combinaison des avantages des transistors bipolaires et des transistors à effet de champ. Il est contrôlé en tension à l’ouverture et à la fermeture, tout comme le MOSFET. En outre, l’IGBT commute des courants atteignant 500A, avec une fréquence de commutation maximale de l’ordre de 100kHz, et supporte des tensions directes (à l’état bloqué) et inverses allant jusqu’à 2 kV.
Fig. I.9 Transistor IGBT : a) Symboles, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale I(V)
I.2.1.8 Le thyristor MCT (MOS controlled thyristor)
C’est un composant récent qui a la même caractéristique I(V) qu’un GTO, mais il est commandé en tension, il présente une rapidité de commutation, et une faible chute de tension à l’état ON. On peut le considérer comme étant un thyristor GTO à effet de champ. Il véhicule des courants allant jusqu’à 600A environ, avec une fréquence de commutation atteignant un maximum de quelques dizaines de kHz, et supporte des tensions directes (à l’état bloqué) et inverses allant jusqu’à 2 kV.
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Fig. I.10 Thyristor MCT : a) Symboles, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale I(V)
I.3 Performances et domaines d’application des composants contrôlables de
l’électronique de puissance Le schéma de la figure suivante montre les limitations en termes de tension, de courant et de fréquence de commutation des différents composants de l’électronique de puissance.
Fig. I.11 Capacités et limitations des composants de l’électronique de puissance contrôlables en termes de (I,V,f)
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Par ailleurs, la figure ci-après indique le domaine d’application et les plages d'utilisation en fréquence de commutation et en puissance apparente des différents dispositifs à semi- conducteurs dont on vient d’exposer.
Fig. I.12 Limitations des composants de l’électronique de puissance contrôlables en termes de (P,f) et domaines d’application
I.4 Modélisation des semi-conducteurs de puissance
Les semi-conducteurs de puissance peuvent être modélisés de deux manières différentes que nous allons exposer ci-après :
I.4.1 Modèles d’interrupteurs parfaits
Dans ce cas le modèle est très simple et élémentaire, mais la topologie du circuit change avec le changement de l’état de conduction du semi-conducteur. Voici un petit exemple d’illustration :
~ MCC D conduit D MCC ~ MCC D bloquée
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Le problème dans ce cas, c’est que, avec l’augmentation du nombre des semi-conducteurs, le nombre de possibilités, correspondant aux différentes formes de circuit, explose et augmente exponentiellement, ce qui pose de sérieux problèmes et incite à trouver une autre alternative de modélisation des semi-conducteurs de puissance.
I.4.2 Modèle du schéma équivalent
Pour remédier au problème précédent, on adopte un circuit équivalent au semi- conducteur, ce qui rend la forme du modèle du système statique avec des coefficients dynamique qui change avec un changement de l’état de conduction des semi-conducteurs. Dans ces conditions, les schémas équivalents utilisés pour modéliser les semi- conducteurs sont multiples. Les plus usuels sont :
I.4.2.1 Représentation résistive
Elle affecte une résistance nulle si le semi-conducteur est passant, et une résistance très grande s’il est bloqué.
, , …⇔ R
II.4.2.2 Représentation (R,V)
Ce modèle peut être augmenté de Vo (barrière de potentiel ou chute de tension) si le composant est à l’état ON, et le schéma équivalent devient ainsi :
R Vo
Dans ce cas le temps de calcul augmente (inconvénient), mais les équations restent inchangées (avantage). Notons que pour passer d’une forme de circuit à un autre, il suffit de changer les coefficients des équations (ce qui correspond à une commutation d’un semi-conducteur du montage au moins) on doit modéliser celui-ci à l’état de commutation.
I.4.2.3 Algorithme de modélisation des semi-conducteurs à l’état de commutation
Pour compléter le modèle d’un système contenant des semi-conducteurs, il faut savoir quand est-ce que ceux-ci changent leur état de conduction, afin changer le modèle ou les coefficients du modèle. Ceci peut se faire à l’aide de l’algorithme suivant : 1- Lecture des données de tout le circuit ; 2- Définition de la forme d’état y’=f(t,y) du circuit ou des différentes formes du circuit ;
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3- Définition de l’état initial des semi-conducteurs et de leur commande (si elle existe) ; 4- Pour t allant de 0 à tf, faire : a) Vérifier le changement d’état des semi-conducteurs suivant la procédure ci- dessous, b) Modifier le modèle ou ses coefficients, c) Résoudre le modèle résultant y’=f(t,y). 5- Affichage des résultats ; 6- Fin.
Par ailleurs, voici la procédure de changement d’état des semi-conducteurs :
1- Début ; 2- Pour tous les semi-conducteurs, faire : a) vérifier le changement de signe de V (la tension) ou I (le courant), ou de la commande (si elle existe), b) Si a) est vérifiée alors : b.1) Si le semi-conducteur est une diode alors : i. V devient positive ⇒ commutation off→on, ii. I ≤0 et V ≤0⇒ commutation on→off b.2) Si le semi-conducteur est un thyristor alors : i. V devient positive et IG ≠0 ⇒ commutation off→on, ii. I ≤0 et V ≤0⇒ commutation on→off b.3) Si le semi-conducteur est un GTO, MCT ou un transistor alors : i. V positive et ib ou iG ou VGS>0 ⇒ commutation off→on, ii. ib , iG , VGS≤0 ⇒ commutation on→off. b.4) Si le semi-conducteur est un triac alors : i. si I change de signe IG =0 ⇒ on→off, ii. IG ≠0 ⇒ commutation off→on. 3- Retour au programme principal; 4- Fin. I.5 Modélisation des convertisseurs statiques On peut décomposer les méthodes de modélisation et d’étude par simulation des systèmes comprenant des convertisseurs statiques de l’électronique de puissance en deux familles : Méthode d’étude fonctionnelle et méthodes d’étude séquentielle.
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I.5.1 Méthode d’étude fonctionnelle
Le convertisseur est considéré comme une boîte noire, remplissant une fonction donnée (par exemple, fonction hacheur, fonction onduleur). Le fonctionnement interne du convertisseur ne fait pas partie intégrante de l’étude, mais c’est sa fonction qui permet l’analyse du comportement de l’ensemble source-convertisseur-charge-commande. Il est à noter que cette représentation fonctionnelle d’un convertisseur n’est pas toujours possible; c’est le cas lorsqu’il y a une forte interdépendance entre le convertisseur et les autres organes du système telle que la charge (par exemple, conduction discontinue, alimentation en courant, …etc.). Une étude fonctionnelle n’est donc possible que si les formes d’ondes imposées par le convertisseur ne dépendent que des sources et des commandes des semi- conducteurs. On peut dire, alors, que le convertisseur est un amplificateur ou un transformateur de la commande. Dans ces conditions, on peut donc modéliser les convertisseurs par une fonction mathématique dans le plan temporel, ou par un retard (dû à la commande) et/ou un gain statique dans le plan de Laplace.
I.5.2 Méthodes d’étude séquentielle
Le convertisseur est considéré comme un réseau électrique maillé ; le fonctionnement global du système étudié est décomposé en une succession de séquences élémentaires, définies par la conduction ou la non - conduction des semi-conducteurs. Deux cas peuvent alors se présenter et donnent naissance à deux types de méthodes.
I.5.2.1 Méthode d’étude séquentielle sans a priori (SAP)
Le convertisseur étudié ne permet pas de préjuger de l’existence des différentes séquences de fonctionnement, ni de leur enchaînement. On ne peut donc exclure, a priori, aucune configuration (parmi les 2n possibles pour un montage à n semi-conducteurs) et aucune transition entre ces configurations. Les interrupteurs sont modélisés de façon individuelle. L’enchaînement des séquences s’effectue automatiquement, grâce aux propriétés fonctionnelles de ces modèles. Ce type de méthode permet la mise au point d’outils de simulation et donc les études de nouvelles structures de convertisseurs, des régimes transitoires (même très perturbés), de la sûreté de fonctionnement des convertisseurs, etc.
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I.5.2.2 Méthode d’étude séquentielle avec a priori (AAP)
Une base de connaissances sur le convertisseur permet, a priori, d’exclure un certain nombre de séquences de fonctionnement et de limiter les tests de changement de séquences. Dans une configuration donnée, on ne prend en compte qu’un certain nombre de tests préétablis à partir de la base de connaissances. Ce type de méthode permet l’étude de nombreux convertisseurs classiques. Mais, son emploi est difficilement envisageable lors de la conception et de l’analyse de nouveaux systèmes, ainsi que pour l’étude des défauts de fonctionnement (problème de l’extension de la base de connaissances).
I.6 Conclusion Le présent chapitre nous a permis d’étudier les caractéristiques statiques et la logique de fonctionnement des différents composants de l’électronique de puissance. Ceci nous permis d’en déduire le mode de fonctionnement des différents montages de l’électronique de puissance (ceux connus opérants en mode sain ou défaillants, nouvelles topologies. Ce bagage théorique nous permettra également de modéliser / simuler la dynamique de tout système donné à base de convertisseurs d’électronique de puissance.
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