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Cours d’Electronique de Puissance Avancée Prof. Lakhdar MOKRANI
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Cours, 1ère Master en ELT Semestre : S1 ; Options : 1MME, 1MCDE, 1MELTI & 1MRE
Fig. I.1 Diode : a) Symbole, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale I(V)
Fig. I.2 Transistor bipolaire : a) Symbole, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale
I(V)
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Si on néglige Vce à l’état ON, et les courants de fuite à l’état OFF on obtient la caractéristique
idéale du transistor. Par ailleurs on peut écrire Ie=Ic+Ib ; et comme Ic=βIb ; et Ic=αIe , avec :
α
β= .
1−α
Pratiquement α ∈ [0.95 0.99 ] . Alors pour véhiculer un courant de 200 A, il nous faut un
courant de base qui peut atteindre 10 A (continu). On limite ce courant Ib de commande (qui
est considérable), en utilisant le montage de Darlington qui est une cascade de deux (ou plus
de) transistors bipolaires de puissance. On a : I c2 = β 2 I b2 ≈ β2 I e1 = β2 β1 I b1 ; Si Ic2=200A, alors
Ib1=500 mA au maximum.
Fig. I.3 Montage Darlington du transistor bipolaire : a) Simple Darlington, b) Triple Darlington
Le transistor bipolaire de puissance commute des courants qui peuvent atteindre 1kA,
rapidement (avec une fréquence de commutation qui peut atteindre quelques dizaines de kHz),
et supporte des tensions directes allant jusqu’à 1.2 kV. Par contre le transistor de puissance ne
supporte pas pratiquement des surtensions négatives. Généralement on le protège par une
diode qu’on lui monte en tête-bêche (c’est-à-dire en anti-parallèle).
Ce transistor est caractérisé par une impédance d’entrée très élevée (10kΩ à 1MΩ) et
une grande fréquence de commutation ON OFF et OFF ON.
Fig. I.4 Transistor à effet de champ : a) Symbole, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale
I(V)
Le transistor de puissance à effet de champ commute des courants qui n’excèdent pas
200A, très rapidement (avec une fréquence de commutation qui peut atteindre 1 MHz), et
supporte des tensions directes allant jusqu’à 1kV. Par contre le transistor de puissance
(comme le BJT), ne supporte pas pratiquement des surtensions négatives. Généralement on le
protège par une diode qu’on lui monte en tête-bêche (c’est-à-dire en anti-parallèle).
I.2.1.4 Thyristor
Le thyristor (dit aussi le SCR pour Silicon Controlled Rectifier) est un composant de
l’électronique de puissance constitué de 4 zones dopées PNPN (3 jonctions) qu’on peut
équivaloir à 3 diodes ou à deux transistors (voir figure I.5).
A partir de ces deux modèles équivalents d’un thyristor (modèle à trois diodes et modèle
à deux transistors) on peut déduire la caractéristique statiques réelle Vak(Iak) du thyristor (voir
figures I.5 & I.6).
La caractéristique idéale du thyristor s’obtient en négligeant la tension VAK à l’état ON,
et les courants de fuite IAK à l’état OFF.
Le thyristor commute des courants atteignant plusieurs milliers d’ampères, avec une
fréquence de commutation de quelques dizaines de Hz, et supporte des tensions directes (à
l’état bloqué) et inverses allant jusqu’à quelques kV.
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Fig. I.5 Modèles équivalents d’un thyristor (modèle à trois diodes & modèle à deux transistors
Fig. I.6 Thyristor : a) Symbole, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale I(V)
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Fig. I.7 Thyristor GTO : a) Symbole, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale I(V)
ON
OFF
V
OFF
ON
Fig. I.8 TRIAC : a) Symbole, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale I(V)
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Fig. I.9 Transistor IGBT : a) Symboles, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale I(V)
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Fig. I.10 Thyristor MCT : a) Symboles, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale I(V)
Fig. I.11 Capacités et limitations des composants de l’électronique de puissance contrôlables en termes
de (I,V,f)
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Par ailleurs, la figure ci-après indique le domaine d’application et les plages d'utilisation
en fréquence de commutation et en puissance apparente des différents dispositifs à semi-
conducteurs dont on vient d’exposer.
Fig. I.12 Limitations des composants de l’électronique de puissance contrôlables en termes de (P,f) et
domaines d’application
~ MCC
D conduit
D
MCC
~
MCC D bloquée
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Le problème dans ce cas, c’est que, avec l’augmentation du nombre des semi-conducteurs, le
nombre de possibilités, correspondant aux différentes formes de circuit, explose et augmente
exponentiellement, ce qui pose de sérieux problèmes et incite à trouver une autre alternative
de modélisation des semi-conducteurs de puissance.
, , …⇔
R
R Vo
Dans ce cas le temps de calcul augmente (inconvénient), mais les équations restent
inchangées (avantage).
Notons que pour passer d’une forme de circuit à un autre, il suffit de changer les
coefficients des équations (ce qui correspond à une commutation d’un semi-conducteur du
montage au moins) on doit modéliser celui-ci à l’état de commutation.
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3- Définition de l’état initial des semi-conducteurs et de leur commande (si elle existe) ;
4- Pour t allant de 0 à tf, faire :
a) Vérifier le changement d’état des semi-conducteurs suivant la procédure ci-
dessous,
b) Modifier le modèle ou ses coefficients,
c) Résoudre le modèle résultant y’=f(t,y).
5- Affichage des résultats ;
6- Fin.
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I.6 Conclusion
Le présent chapitre nous a permis d’étudier les caractéristiques statiques et la logique
de fonctionnement des différents composants de l’électronique de puissance. Ceci nous
permis d’en déduire le mode de fonctionnement des différents montages de l’électronique de
puissance (ceux connus opérants en mode sain ou défaillants, nouvelles topologies. Ce bagage
théorique nous permettra également de modéliser / simuler la dynamique de tout système
donné à base de convertisseurs d’électronique de puissance.
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