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Cours, 1ère Master en ELT Semestre : S1 ; Options : 1MME, 1MCDE, 1MELTI & 1MRE

Chapitre 1 Méthodes de Modélisation et Simulation


des Semi-conducteurs de Puissance
I.1 Introduction
Pour modéliser un entraînement électrique composé d’une association (convertisseur
statique + machine électrique) ou un système à base de circuits de l’électronique de
puissance, on doit passer par la modélisation des composants et des convertisseurs de
l’électronique de puissance ainsi que les blocs de commande. Les modèles de ces trois
constituants (composants de puissance, convertisseurs statiques et commande) sont ensuite
traités ensemble pour prévoir les performances dynamiques et statiques de ce genre de
système. Dans ce qui suit, nous allons présenter les caractéristiques des différents composants
de l’électronique de puissance et les techniques de modélisation de ces composants
électroniques et des convertisseurs statiques.

I.2 Modélisation des semi-conducteurs de puissance


Le point de départ des techniques de modélisation et simulation des convertisseurs
statiques c’est la modélisation des semi-conducteurs de puissance qu’on va introduire dans ce
qui suit.
I.2.1 Caractéristiques statiques des composants des l’électronique de puissance (Rappel)
On va rappeler dans cette section la structure et les caractéristiques statiques des
composants de l’électronique de puissance.

I.2.1.1 Diode de puissance


La diode de puissance a une structure particulière qui lui permet de véhiculer de grandes
puissances, et de supporter des tensions inverses importantes. Le socle métallique permet de
protéger la jonction et de la fixer sur un support (radiateur de refroidissement).
La théorie de la diode de puissance ne diffère pas de celle de la diode de faibles signaux
(diode classique), en ce qui concerne la caractéristique I(V). Donc, l’allure de la
caractéristique statique (idéale ou réelle) de la diode de puissance reste pratiquement
inchangée. La caractéristique idéale de la diode s’obtient en négligeant la tension VAK à l’état
ON, et les courants de fuite IAK à l’état OFF.

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Fig. I.1 Diode : a) Symbole, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale I(V)

La diode de puissance commute des courants directs de quelques kA avec des


fréquences de commutation qui peut atteindre quelques centaines de Hz dans le cas de la
diode normale, et quelques dizaines de kHz dans le cas des diodes Schottky), et supporte des
tensions inverses de quelques kV.

I.2.1.2 Transistor bipolaire de puissance


C’est une option à grande échelle du transistor bipolaire classique (de faible puissance).
Il fonctionne suivant le même principe, mais sa structure est différente. La structure NPN est
la plus utilisée.
Le transistor bipolaire (BJT en anglais pour Bipolar Junction Transistor) se comporte
comme un interrupteur contrôlable à la fermeture par le courant de base (saturation ou état
ON) et à l’ouverture (état bloqué ou état OFF) par la suppression du courant de base, ou
l’injection d’un courant de base négatif pour accélérer le blocage.

Fig. I.2 Transistor bipolaire : a) Symbole, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale
I(V)

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Si on néglige Vce à l’état ON, et les courants de fuite à l’état OFF on obtient la caractéristique
idéale du transistor. Par ailleurs on peut écrire Ie=Ic+Ib ; et comme Ic=βIb ; et Ic=αIe , avec :
α
β= .
1−α

Pratiquement α ∈ [0.95 0.99 ] . Alors pour véhiculer un courant de 200 A, il nous faut un
courant de base qui peut atteindre 10 A (continu). On limite ce courant Ib de commande (qui
est considérable), en utilisant le montage de Darlington qui est une cascade de deux (ou plus
de) transistors bipolaires de puissance. On a : I c2 = β 2 I b2 ≈ β2 I e1 = β2 β1 I b1 ; Si Ic2=200A, alors
Ib1=500 mA au maximum.

Fig. I.3 Montage Darlington du transistor bipolaire : a) Simple Darlington, b) Triple Darlington

Le transistor bipolaire de puissance commute des courants qui peuvent atteindre 1kA,
rapidement (avec une fréquence de commutation qui peut atteindre quelques dizaines de kHz),
et supporte des tensions directes allant jusqu’à 1.2 kV. Par contre le transistor de puissance ne
supporte pas pratiquement des surtensions négatives. Généralement on le protège par une
diode qu’on lui monte en tête-bêche (c’est-à-dire en anti-parallèle).

I.2.1.3 Transistor à effet de champ


Brièvement, le transistor à effet de champ (FET en anglais pour Field Effect Transistor)
fonctionne ainsi :
- Si la tension entre la grille et la source est positive (VGS>0) enrichissement du canal
entrée en conduction du transistor transistor à l’état ON.
- Si la tension entre la grille et la source est négative ou nulle (VGS<=0) appauvrissement
du canal par déplétion blocage du transistor transistor à l’état OFF.
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Ce transistor est caractérisé par une impédance d’entrée très élevée (10kΩ à 1MΩ) et
une grande fréquence de commutation ON OFF et OFF ON.

Fig. I.4 Transistor à effet de champ : a) Symbole, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale
I(V)

Le transistor de puissance à effet de champ commute des courants qui n’excèdent pas
200A, très rapidement (avec une fréquence de commutation qui peut atteindre 1 MHz), et
supporte des tensions directes allant jusqu’à 1kV. Par contre le transistor de puissance
(comme le BJT), ne supporte pas pratiquement des surtensions négatives. Généralement on le
protège par une diode qu’on lui monte en tête-bêche (c’est-à-dire en anti-parallèle).

I.2.1.4 Thyristor
Le thyristor (dit aussi le SCR pour Silicon Controlled Rectifier) est un composant de
l’électronique de puissance constitué de 4 zones dopées PNPN (3 jonctions) qu’on peut
équivaloir à 3 diodes ou à deux transistors (voir figure I.5).
A partir de ces deux modèles équivalents d’un thyristor (modèle à trois diodes et modèle
à deux transistors) on peut déduire la caractéristique statiques réelle Vak(Iak) du thyristor (voir
figures I.5 & I.6).
La caractéristique idéale du thyristor s’obtient en négligeant la tension VAK à l’état ON,
et les courants de fuite IAK à l’état OFF.
Le thyristor commute des courants atteignant plusieurs milliers d’ampères, avec une
fréquence de commutation de quelques dizaines de Hz, et supporte des tensions directes (à
l’état bloqué) et inverses allant jusqu’à quelques kV.

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Fig. I.5 Modèles équivalents d’un thyristor (modèle à trois diodes & modèle à deux transistors

Fig. I.6 Thyristor : a) Symbole, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale I(V)

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I.2.1.5 Thyristor GTO (Gate Turn off Thyristor)


Le phénomène d’amorçage est similaire à celui du thyristor conventionnel. En revanche,
le GTO est blocable par le biais d’une deuxième gâchette (ou par un courant négatif de la
gâchette d’amorçage). Pour le blocage, il faut que le taux de charges issues à travers la
gâchette soit supérieur à celui circulant entre l’anode A et la cathode K. Ainsi, le courant
gâchette – cathode à extraire est de l’ordre de IAK/5 ; le courant de gâchette ig est
relativement grand.
De plus, le thyristor GTO est limité en puissance par rapport au thyristor classique. En
effet, celui-ci ne peut pas commuter des courants dépassant 2kA, avec une fréquence de
commutation atteignant 1kHz, et supporte des tensions directes (à l’état bloqué) et inverses
allant jusqu’à 3 kV.

Fig. I.7 Thyristor GTO : a) Symbole, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale I(V)

I.2.1.6 TRIAC (TRIode Alternating Current)


C’est un composant de l’électronique de puissance équivalent à deux thyristors montés
en anti-parallèle avec une seule gâchette. D’où on peut déduire la caractéristique statique I(V)
d’un triac.

ON

OFF
V
OFF

ON

Fig. I.8 TRIAC : a) Symbole, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale I(V)
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I.2.1.7 Transistor IGBT (Insulated gate bipolar transistor)


C’est une combinaison des avantages des transistors bipolaires et des transistors à effet
de champ. Il est contrôlé en tension à l’ouverture et à la fermeture, tout comme le MOSFET.
En outre, l’IGBT commute des courants atteignant 500A, avec une fréquence de
commutation maximale de l’ordre de 100kHz, et supporte des tensions directes (à l’état
bloqué) et inverses allant jusqu’à 2 kV.

Fig. I.9 Transistor IGBT : a) Symboles, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale I(V)

I.2.1.8 Le thyristor MCT (MOS controlled thyristor)


C’est un composant récent qui a la même caractéristique I(V) qu’un GTO, mais il est
commandé en tension, il présente une rapidité de commutation, et une faible chute de tension
à l’état ON.
On peut le considérer comme étant un thyristor GTO à effet de champ. Il véhicule des
courants allant jusqu’à 600A environ, avec une fréquence de commutation atteignant un
maximum de quelques dizaines de kHz, et supporte des tensions directes (à l’état bloqué) et
inverses allant jusqu’à 2 kV.

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Fig. I.10 Thyristor MCT : a) Symboles, b) Caractéristique réelle I(V), c) Caractéristique idéale I(V)

I.3 Performances et domaines d’application des composants contrôlables de


l’électronique de puissance
Le schéma de la figure suivante montre les limitations en termes de tension, de courant
et de fréquence de commutation des différents composants de l’électronique de puissance.

Fig. I.11 Capacités et limitations des composants de l’électronique de puissance contrôlables en termes
de (I,V,f)

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Par ailleurs, la figure ci-après indique le domaine d’application et les plages d'utilisation
en fréquence de commutation et en puissance apparente des différents dispositifs à semi-
conducteurs dont on vient d’exposer.

Fig. I.12 Limitations des composants de l’électronique de puissance contrôlables en termes de (P,f) et
domaines d’application

I.4 Modélisation des semi-conducteurs de puissance


Les semi-conducteurs de puissance peuvent être modélisés de deux manières
différentes que nous allons exposer ci-après :

I.4.1 Modèles d’interrupteurs parfaits


Dans ce cas le modèle est très simple et élémentaire, mais la topologie du circuit
change avec le changement de l’état de conduction du semi-conducteur. Voici un petit
exemple d’illustration :

~ MCC
D conduit
D
MCC
~
MCC D bloquée

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Le problème dans ce cas, c’est que, avec l’augmentation du nombre des semi-conducteurs, le
nombre de possibilités, correspondant aux différentes formes de circuit, explose et augmente
exponentiellement, ce qui pose de sérieux problèmes et incite à trouver une autre alternative
de modélisation des semi-conducteurs de puissance.

I.4.2 Modèle du schéma équivalent


Pour remédier au problème précédent, on adopte un circuit équivalent au semi-
conducteur, ce qui rend la forme du modèle du système statique avec des coefficients
dynamique qui change avec un changement de l’état de conduction des semi-conducteurs.
Dans ces conditions, les schémas équivalents utilisés pour modéliser les semi-
conducteurs sont multiples. Les plus usuels sont :

I.4.2.1 Représentation résistive


Elle affecte une résistance nulle si le semi-conducteur est passant, et une résistance très
grande s’il est bloqué.

, , …⇔
R

II.4.2.2 Représentation (R,V)


Ce modèle peut être augmenté de Vo (barrière de potentiel ou chute de tension) si le
composant est à l’état ON, et le schéma équivalent devient ainsi :

R Vo

Dans ce cas le temps de calcul augmente (inconvénient), mais les équations restent
inchangées (avantage).
Notons que pour passer d’une forme de circuit à un autre, il suffit de changer les
coefficients des équations (ce qui correspond à une commutation d’un semi-conducteur du
montage au moins) on doit modéliser celui-ci à l’état de commutation.

I.4.2.3 Algorithme de modélisation des semi-conducteurs à l’état de commutation


Pour compléter le modèle d’un système contenant des semi-conducteurs, il faut savoir
quand est-ce que ceux-ci changent leur état de conduction, afin changer le modèle ou les
coefficients du modèle. Ceci peut se faire à l’aide de l’algorithme suivant :
1- Lecture des données de tout le circuit ;
2- Définition de la forme d’état y’=f(t,y) du circuit ou des différentes formes du circuit ;

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3- Définition de l’état initial des semi-conducteurs et de leur commande (si elle existe) ;
4- Pour t allant de 0 à tf, faire :
a) Vérifier le changement d’état des semi-conducteurs suivant la procédure ci-
dessous,
b) Modifier le modèle ou ses coefficients,
c) Résoudre le modèle résultant y’=f(t,y).
5- Affichage des résultats ;
6- Fin.

Par ailleurs, voici la procédure de changement d’état des semi-conducteurs :


1- Début ;
2- Pour tous les semi-conducteurs, faire :
a) vérifier le changement de signe de V (la tension) ou I (le courant), ou de la
commande (si elle existe),
b) Si a) est vérifiée alors :
b.1) Si le semi-conducteur est une diode alors :
i. V devient positive ⇒ commutation off→on,
ii. I ≤0 et V ≤0⇒ commutation on→off
b.2) Si le semi-conducteur est un thyristor alors :
i. V devient positive et IG ≠0 ⇒ commutation off→on,
ii. I ≤0 et V ≤0⇒ commutation on→off
b.3) Si le semi-conducteur est un GTO, MCT ou un transistor alors :
i. V positive et ib ou iG ou VGS>0 ⇒ commutation off→on,
ii. ib , iG , VGS≤0 ⇒ commutation on→off.
b.4) Si le semi-conducteur est un triac alors :
i. si I change de signe IG =0 ⇒ on→off,
ii. IG ≠0 ⇒ commutation off→on.
3- Retour au programme principal;
4- Fin.
I.5 Modélisation des convertisseurs statiques
On peut décomposer les méthodes de modélisation et d’étude par simulation des
systèmes comprenant des convertisseurs statiques de l’électronique de puissance en deux
familles : Méthode d’étude fonctionnelle et méthodes d’étude séquentielle.

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I.5.1 Méthode d’étude fonctionnelle


Le convertisseur est considéré comme une boîte noire, remplissant une fonction donnée
(par exemple, fonction hacheur, fonction onduleur). Le fonctionnement interne du
convertisseur ne fait pas partie intégrante de l’étude, mais c’est sa fonction qui permet
l’analyse du comportement de l’ensemble source-convertisseur-charge-commande.
Il est à noter que cette représentation fonctionnelle d’un convertisseur n’est pas toujours
possible; c’est le cas lorsqu’il y a une forte interdépendance entre le convertisseur et les autres
organes du système telle que la charge (par exemple, conduction discontinue, alimentation en
courant, …etc.). Une étude fonctionnelle n’est donc possible que si les formes d’ondes
imposées par le convertisseur ne dépendent que des sources et des commandes des semi-
conducteurs. On peut dire, alors, que le convertisseur est un amplificateur ou un
transformateur de la commande.
Dans ces conditions, on peut donc modéliser les convertisseurs par une fonction
mathématique dans le plan temporel, ou par un retard (dû à la commande) et/ou un gain
statique dans le plan de Laplace.

I.5.2 Méthodes d’étude séquentielle


Le convertisseur est considéré comme un réseau électrique maillé ; le fonctionnement
global du système étudié est décomposé en une succession de séquences élémentaires,
définies par la conduction ou la non - conduction des semi-conducteurs. Deux cas peuvent
alors se présenter et donnent naissance à deux types de méthodes.

I.5.2.1 Méthode d’étude séquentielle sans a priori (SAP)


Le convertisseur étudié ne permet pas de préjuger de l’existence des différentes
séquences de fonctionnement, ni de leur enchaînement. On ne peut donc exclure, a priori,
aucune configuration (parmi les 2n possibles pour un montage à n semi-conducteurs) et
aucune transition entre ces configurations. Les interrupteurs sont modélisés de façon
individuelle. L’enchaînement des séquences s’effectue automatiquement, grâce aux propriétés
fonctionnelles de ces modèles.
Ce type de méthode permet la mise au point d’outils de simulation et donc les études de
nouvelles structures de convertisseurs, des régimes transitoires (même très perturbés), de la
sûreté de fonctionnement des convertisseurs, etc.

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I.5.2.2 Méthode d’étude séquentielle avec a priori (AAP)


Une base de connaissances sur le convertisseur permet, a priori, d’exclure un certain
nombre de séquences de fonctionnement et de limiter les tests de changement de séquences.
Dans une configuration donnée, on ne prend en compte qu’un certain nombre de tests
préétablis à partir de la base de connaissances. Ce type de méthode permet l’étude de
nombreux convertisseurs classiques.
Mais, son emploi est difficilement envisageable lors de la conception et de l’analyse de
nouveaux systèmes, ainsi que pour l’étude des défauts de fonctionnement (problème de
l’extension de la base de connaissances).

I.6 Conclusion
Le présent chapitre nous a permis d’étudier les caractéristiques statiques et la logique
de fonctionnement des différents composants de l’électronique de puissance. Ceci nous
permis d’en déduire le mode de fonctionnement des différents montages de l’électronique de
puissance (ceux connus opérants en mode sain ou défaillants, nouvelles topologies. Ce bagage
théorique nous permettra également de modéliser / simuler la dynamique de tout système
donné à base de convertisseurs d’électronique de puissance.

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