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La photoconductivité

Introduction :
La photoconductivité a été découverte en 1873 par W. Smith, elle désigne l’Influence
de l'éclairement sur la conductivité électrique de certains corps .elle n'est observable
que pour une classe restreinte de corps, les semi-conducteurs. La conductivité d'un
corps peut s'écrire :

où ρn et ρp désignent respectivement les densités d'électrons libres et de trous, μ n et


μp leurs mobilités, e la charge élémentaire.

Dans un métal, le nombre de porteurs mobiles, en général des électrons, est très
important et sensiblement indépendant de l'éclairement. Dans un semi-conducteur
maintenu à l'obscurité, si la température est assez basse (la température ordinaire
peut suffire dans certains cas), ρn et ρp sont très faibles et σ est négligeable. Un
éclairement crée des porteurs et fait apparaître une photoconductivité. On
considérera d'abord le cas d'un semi-conducteur intrinsèque. L'absorption d'un
photon d'énergie hν fait passer un électron de la bande de valence à la bande de
conduction. On voit donc apparaître un trou positif dans la bande de valence et un
électron libre dans la bande de conduction, qui contribuent tous deux à la
conductivité. Pour produire cet effet, un photon doit posséder au minimum une
énergie égale à la largeur de bande interdite Eg qui constitue donc le seuil
photoélectrique .ainsi la longueur d’onde de la lumière λ doit être inferieur a la
longueur de seuil λ0

Pour augmenter la conductivité d’un semi-conducteur if faut l’éclairer par les rayons
visibles car sa longueur d’onde est plus petite que leur longueur de seuil.
But :
Le but de ce TP est d’observer et analyser le comportement de la photorésistance
sous éclairement.

Manipulation 1 :
 Partie 1 :
La photorésistance est un dipôle dont la résistance dépend de la lumière qu’il reçoit.
La partie sensible du capteur est une piste de sulfure de cadmium en forme de
serpent : l’énergie lumineuse déclenche une augmentation de porteurs libres dans ce
matériau, de sorte que sa résistance électrique diminue a priori. Pour préciser cette
dépendance, on utilise une lampe afin d’éclairer la résistance.

L’éclairement lumineux de la lampe utilisée est estimé à l’aide d’un luxmètre.

La résistance est mesurée par un ohmmètre (multimètre coté ohmique).

Les résultats obtenus sont illustrée dans les tableaux ci-dessous :

 Pour E entre 100 et 500 Lux :

E en Lux 100 200 300 400 500


R en KΩ 13.3 5.47 2.1 1.69 1.35

Les résultats sont illustrés dans la courbe suivante :


14 R en KΩ
12
10
8
6 R en KΩ

4
2
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550

 Pour E entre 1000 et 5000 Lux :

E en Lux 1000 2000 3000 4000 5000


R en KΩ 0.9 0.5 0.45 0.36 1.32

Les résultats sont illustrés dans la courbe suivante :

1
R en KΩ
0.9
0.8
0.7 R en
0.6 KΩ

0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000 5500

 des deux courbes on déduit que la résistance diminue en augmentant la


puissance de l’éclairement.
 La diminution de la résistance est équivalente a la diminution de la
résistivité alors une augmentation de la conductivité qui traduit
l’augmentation des électrons libres.
 Partie2 :

Dans notre montage on à une photorésistance à base de Cds(LDR) est mise en


interne, en série avec une résistance fixe Rf.

L’ensemble communique avec l’extérieur par fils de couleurs (blanc, gris et noir).

Pour déterminer ces bornes en fonction des couleurs en l’a éclairé et a l’aide d’un
multimètre en mesure la résistance si la résistance change on est au borne de la
photorésistance sinon on est aux borne de la résistance.

Le schéma ci-dessous illustre le montage de la photorésistance :

Les bornes de la résistance RF doit être connectées à l’alimentation et la


photorésistance à la tension de mesure.

En éclairant la photorésistance par une LED blanche (flash du téléphone) on obtient :

 La tension d’attaque : 5V
 La résistance : 1.4 KΩ

En éclairant la photorésistance par une LED verte on obtient :

 La tension d’attaque :
 La résistance : 10.8 KΩ

De cela on déduit que la résistance varie en fonction de la couleur de la LED qui est
du a la variation de la longueur d’onde et à la puissance de l’éclairage.

Manipulation 2 :
 Phototransistor
 Principe :

Un phototransistor est un composant qui possède la même structure qu'un transistor


bipolaire classique, mais dont la jonction collecteur - base peut être éclairée par un
rayonnement lumineux; Le phototransistor peut-être utilisé soit de manière classique
(base polarisée), soit base en l'air qui est l'application la plus fréquente.

 Utilisation :

Les phototransistors sont utilisés comme détecteurs photoélectriques dans les


systèmes de commande et de régulation.

 Comportement du phototransistor sous éclairement :

Plus la distance d’éclairement est grande la résistance entre l’émetteur et le


collecteur du transistor diminue car au noir le phototransistor ne laisse pas passer le
courant et la tension au borne de cette résistance est nulle en augmentant la lumière
le phototransistor laisse passer plus de courant qui circule dans la résistance et puis la
résistance diminuera.

Conclusion :
Tout au long de ce TP on a effectué plusieurs manipulations afin de d’analyser le
comportement d’un semi-conducteur devant la lumière est on a remarqué que sa
résistance diminue alors sa conductivité augmente en augmentant la puissance
d’éclairement et on variant la couleur de la lumière (changement de la longueur
d’onde).

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