FACULTE DES SCIENCES DE TUNIS Série n°2 1-On donne le point de polarisation IC=5,7 mA, VCE=5 v et VS=6,25 v,

Département de Physique 2019-2020

LEEA1/LTIC1 calculer les valeurs des résistances.
2-Tracer la droite de charge statique et placer le point de polarisation M.
Travaux Dirigés d’Electronique Analogique
B-Etude dynamique :
Exercice n° 1 : 1-Dessiner le schéma équivalent petit signaux dans la bonde passante.
2-Déterminer l’expression de l’amplification en tension à vide
Le transistor bipolaire est caractérisé par un gain
statique en courant β=150, une tension 3-Déterminer les expressions des impédances d’entrée et de sortie
V BE =0.7 v et V CC=12 v .
On désire obtenir pour le point de polarisation
I c =2.5 mA ,V CE=6 v et V E =2 v

1- Calculer les valeurs des résistances R2,

RC et RE.
2- On remplace la transistor T par un
transistor T’ de ma même famille mais Vs
dont le gain statique en courant β=200. Ve
Calculer le nouveau point de polarisation du
transistor en conservant les valeurs des
résistances.
Exercice n°2 :

On utilise un transistor bipolaire (NPN) au silicium pour amplifier des

signaux de basses fréquences et de faibles amplitudes.
On donne E=10 v, IB0=10µA, VB0=0.6v, VC0=5v, IC0=1mA +E
1- Calculer les valeurs des résistances R1, R2, RE et RC du schéma
RC=4RE
donnée à la figure.1. R1 RC
2- Le schéma de la figure.1 peut être représenté par un schéma
IB RB
équivalent représenté à la figure.2, calculer les éléments EB et RB.
IP=10IB E
Exercice n°3 :

R2 RE EB
On considère un amplificateur à transistor bipolaire (NPN), attaqué par un
RE
générateur d’impédance interne rg=50Ω et chargé par une résistance
RL=600Ω. L’alimentation continue est E=12 v, tel que β=200, VBE=0,6v.
A-Etude statique : -Figure.1. -Figure.2.