Vous êtes sur la page 1sur 68

S6

Licence EEA
Electronique et
Systèmes Communicants II

Support de Cours
François DANNEVILLE

1
PLAN

I) Introduction « Système Communicant »

II) La fonction Amplification

III) Les Amplificateurs Différentiels

IV) Les Amplificateurs Opérationnels (AOP)

V) Boucle à Verrouillage de Phase, Modulations/Démodulation AM – FM

2
3
INTRODUCTION

1) Préambule (Electronique)

L’électronique est la « science » du traitement de signal électrique (Analogique / Numérique)

Prenons l’exemple de la transmission de la parole

Microphone Traitement Transport Traitement

Transducteur Haut Parleur


Pression / Electrique
Electronique
Analogique et Numérique

Analogique : v(t), i(t) grandeurs continues du temps

On distingue deux types de systèmes analogiques :


- les systèmes linéaires (S.L.)
- les systèmes Non Linéaires (S.N.L.)

Les S.L. sont régis par une Equation Différentielle Linéaire  conséquence :

S1 On obtient des
signaux S1, S2,
S3 à la même
E S2 pulsation 0
S.L
On injecte correspond à des
circuits :
Amplificateurs,
Filtres.
S3

Les S.N.L. sont régis par une Equation Différentielle Non Linéaire  Conséquence :

4
S.N.L.

Si on injecte Eo.e j. 0.t à l’entrée, des signaux à différentes fréquences sont générés en sortie.
Les S.N.L seront vus en Master 1 (Amplificateur de Puissance, Oscillateurs, Mélangeurs, etc.)

2) Système Communicant : fonctions de l’Electronique mises en jeu

Exemple : Système Communicant Analogique / Numérique (smart phone)

E(t) S(t) Démodulation


A MICRO

Traitement HP
Amplification
Osc. A/N
µP CLAVIER
Antenne
A ECRAN
Commut-
Ateur Modulation
electronique

MEMOIRE

Tout d’abord, on constate que l’Antenne est un élément qui sera utilisé indifféremment à
l’émission ou à la réception. Le fonctionnement d’une Antenne est hors programme, mais
néanmoins on peut en citer les principales caractéristiques, qui sont le Gain de l’Antenne ainsi
que sa bande passante.

Mis à parte l’Antenne, le système est constitué de différentes parties, assurant des fonctions qui
seront soit purement analogique, soit purement numérique. Nous allons décrire ci-après ces
différentes fonctions, en considérant 2 situations : (i) le système en réception, (ii) le système en
émission

5
a) Réception

- en réception, on trouve une chaîne d’Amplification, qui a pour rôle d’amplifier les signaux
reçus qui sont de faible puissance.
- Les signaux reçus occupent une bande de fréquences, autour d’une fréquence centrale appelée
« fréquence porteuse » qui est très haute en fréquence, au sein de laquelle l’information utile (le
plus souvent « numérique ») a été transmise
- Afin de récupérer cette information utile, il faut tout d’abord transposer cette fréquence
porteuse à plus basse fréquence. A la suite, il sera possible de « démoduler » le signal afin de
retomber en « bande de base » pour pouvoir ensuite le « décoder ».

b) Emission

- A l’émission, les données numériques sont tout d’abord codées, puis on procède à une
« modulation » et l’on élève la fréquence porteuse à la valeur choisie
- Le signal étant de très faible amplitude, on retrouve également une chaîne d’Amplification
(avec comme dernier amplificateur un amplificateur de puissance susceptible d’amplifier une
puissance de l’ordre du Watt) afin de pouvoir transformer l’énergie électrique en une puissance
qui sera rayonnée par l’Antenne

c) Modulation

Pour mettre en lumière l’intérêt de la modulation, considérons tout d’abord une transmission
d’informations analogiques (ou numériques) entre un émetteur et un récepteur : Radio, Vidéo,
Téléphonie…

Emetteur Récepteur

L’information de fréquence fs à transmettre est la plus souvent la parole qui possède une bande
passante qui s’étend de 50 Hz à 10 kHz. On ne peut transmettre ce signal directement :
- problème d’atténuation
- électronique impossible à réaliser pour les longueurs d’onde correspondantes

En effet, si l’on considère la loi reliant la vitesse de la lumière à la longueur d’onde :

𝑐 = λ.fs

6
On peut calculer la longueur d’onde pour différentes fréquences du spectre de la parole

Fréquence fs 100 Hz 1 kHz 10 kHz


Longueur d’onde 3.106 m 3.105 m 3.104 m

𝜆
→ compte tenu que la taille d’une antenne est proche de la longueur d’onde (Lantenne ~ 4), elle ne
pourrait être matérialisée.

Il est donc impossible de transmettre la parole sur de longues distances, et il faut passer par un
procédé de modulation. Pour cela, on va passer par un signal que l’on qualifie de « porteuse »,
donc la fréquence est égale à f0. Après modulation, on obtient un signal dont la fréquence du sera
égale à :

𝑓 = 𝑓0 ± 𝑓𝑠

Porteuse Parole [50Hz – 10kHz]


[f0 >> fs]

→ une modulation n’est en fait qu’une translation dans le domaine des fréquences. On peut alors
correctement adapter les antennes.

d) Numérique ?

Dans l’exemple précédent, nous avons parlé de la parole qui correspond à un signal
« analogique ». Or, l’électronique moderne fait de plus en plus appel à des signaux qualifiés de
« numérique ». Ces signaux « numériques », qui correspondent à des « 0 » ou des « 1 », sont
générés en bande de base ; ils sont souvent élaborés à partir d’un signal « analogique » (par
exemple le signal issu d’un capteur) : il va donc falloir « échantillonner » ce signal analogique,
avant d’en faire sa conversion en un signal numérique.

7
Principe du traitement numérique du signal

s(t) s*(t)

t t1 t2 t3 t
e(t)

t
s*(t1) 0 1 0 1 0 1 1 1
s*(t2) 0 1 1 0 1 1 0 1
s*(t3) …

s(t) s*(t) Conversion 01010111


Echantillonnage Analogique
Numérique

3) PLAN DU COURS

Le système communicant présenté précédemment a permis de mettre en lumière différentes


fonctions / circuits analogiques ou numériques. Il serait illusoire dans le cadre restreint du cours
de tous les étudier ; le plan du cours le suivant :

- LA FONCTION AMPLIFICATION (amplificateurs fondamentaux à sortie simple et


différentielle)
- LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS
- EXEMPLE DE MODULATION : LA MODULATION D’AMPLITUDE (AM)
- LES CONVERTISSEURS ANALOGIQUE-NUMERIQUE / NUMERIQUE-ANALOGIQUE

Après avoir présenté toutes ces fonctions, un complément concernant la terminologie des circuits
numériques ainsi que l’implémentation de fonctions logiques fondamentales à base de CMOS
sera donné.

8
9
LA FONCTION AMPLIFICATION

La découverte de l’amplification d’un signal (en régime linéaire où l’on ne génère pas
d’harmoniques au niveau du signal de sortie) avec une électronique à l’état solide a été faite grâce
à l’invention du transistor. Il est donc essentiel d’en rappeler le fonctionnement avant d’aborder
la fonction amplification, d’en déterminer le schéma équivalent « petit signal ».

I. Les composants

1) Introduction

Afin de réaliser un amplificateur il faut un élément actif capable de transformer de la


puissance continue en puissance alternative. On distingue deux types de composants actifs :
les Transistors Bipolaires à Jonction (TBJ) et les Transistors à Effet de Champ (TEC). Ce
sont des tripôles.

* TBJ

E N++ P+ N C P++ N+ P E
C

B
B

IC
VBC C VBC C

IB
B VCE B VCE

VBE E VBE E

VBE > 0 VBE < 0


VBC << 0 VBC >> 0
VCE > 0 VCE < 0

Loi des nœuds : IE=IC+IB

On va prendre comme transistor type un NPN et on le considère comme un quadripôle.


L’exemple ci-dessous représente un TBJ monté en émetteur commun.

10
i2

i1
v2
v1

Il existe 2 autres représentations :


i2
i1 i2
i1
v1 v2 v2
v1

entrée : veb=v1 entrée : ib=i1


-ie = i1 vbc=v1

sortie : vce=v2 sortie : i2=-ie


ic=i2 v2=vec

Les propriétés de l’amplificateur dépendront naturellement du type de montage.

* TEC

Le TEC peut être considéré de différentes façons : MOS, TEC à jonction (JFET).

Ex : MOS de type « n »

G
D
S Ox. D
G
n+ n ou p n+
S
Grille isolée

La grille constitue le nombre de charges dans le canal et donc le courant

Ex : JFET canal « n »

11
D
S G D
G
p+

S n

La différence fondamentale entre un TBJ et un TEC est que le courant de grille DC


(en continu) dans un TEC est nul (on a une capacité à l’entrée).

2) TBJ

* Rappel : Relations et Caractéristiques Statiques

Pour un TBJ NPN, les relations fondamentales, pour VBE > 0V (jonction B-E en direct) et VBC
<< 0 (jonction B-C en inverse), sont:
q .VBE
IE  Is.e k .T

IC   .IE  ICBo (ICBo est normalement négligeable)

IE  IC  IB
IC  ICBo
 IC  IB

1  ICBo
IC.  1  IB 
  

 ICBo
IC  .IB   o.IB  o  1.ICBo  o.IB  ICEo
1 1

ICEo est souvent négligeable d’où IC  o.IB

D’une manière générale, on trace les caractéristiques statiques (paramétrées en fonction de


VCE ou IB) suivantes :

12
IC (mA)

VCE = cte IB = cte


IC1=.IB1

IB (µA) IB1 VCE (V)


VCE = cte
0.6 V

VBE (V)

* Schéma Equivalent Petit Signal

Essayons de déterminer les relations liant courant/tension en représentation hybride, en émetteur


commun. Il nous faut trouver les relations suivantes :
vbe  h11.ib  h12 .vce
ic  h21.ib  h22 .vce
Pour cela :
- on se place en basse fréquence
- on superpose une variation au régime continu (après avoir choisi un point de
polarisation dans les réseaux de caractéristiques prédédents) et l’on travaille à
VCE=cte ( VCE  0)

IC  .Is q.VBE q .VBE


IB   .e kT  I s' .e kT
o o

q .(VBE  VBE )
 q 
IB  IB  I s' .e kT
 IB.1  .VBE 
 k .T 

k .T k .T
D’où h11e   .o
q.IB q.IC
De même, en linéarisant la relation IC  o.IB , on déduit h21e  o

13
Si maintenant on travaille à IB = cte ( IB  0) , on détermine h12e et h22e. En fait, les transistors
sont « naturellement » unilatéraux, ce qui entraîne h12e  0 ; par contre, à cause de l’effet
early, il n’en est pas de même pour h22e qui n’est pas nul.

On obtient ainsi le jeu d’équations final suivant :

vbe  h11.ib
ic  h21.ib  h22 .vce

qui en termes de schéma équivalent, correspond à :


ib ic

vbe h11e h22e vce


h21e.ib

Remarque 1 :
h11e, h21e, h22e dépendent de IC, IB et VBE (i.e. grandeurs statiques)

Remarque 2 :
On aurait pu tout aussi bien travailler avec les paramètres Y. Partons du jeu d’équations
suivant :

vbe  h11.ib
ic  h21.ib  h22 .vce
d ' où
1
ib  .vbe
h11
h21
ic  .vbe  h22.vce
h11

14
Y11

Y21 Y22

Schéma Equivalent Haute Fréquence ?

Deux effets importants sont à prendre en compte :


- la capacité de jonction BE
- la capacité de jonction BC

q.I C .t B
La jonction BE est polarisée en directe. On a donc une capacité Cbe  proportionnelle
kT
au courant de polarisation IC. La jonction BC étant polarisée en inverse, on a donc une
capacité de transition.

Le schéma équivalent devient :


rbb’ Cjb’c
B C

vb’e rb’e
CDb’e Cjb’e gce
Gm.vb’e
E

On reviendra sur ce schéma équivalent plus tard.

3) Le TEC

A VDS faible ID  G(VGS ).VDS


A VDS fort saturation de vitesse + pincement du canal
ID  K .VGS  Vp 
2

15
ID
VGS = 0V

0 > VGS = VGS1 > Vp

VGS = Vp
VDS
V
Le point fondamental qui différencie le TEC du TBJ est son impédance d’entrée qui est
capacitive. Entre grille et canal, on a soit un oxyde (MOS) ou une jonction polarisée en
inverse (JFET).

* Schéma Equivalent Petit Signal

ig Cgd id

Cgs
Vgs Gd Vds
Gm.Vgs

On utilise généralement les paramètres Yij :

Y 11  j.(Cgs  Cgd ).


Y 12   j.Cgd .
Y 21  Gm (Cgd .  Gm)
Y 22  Gd

CONCLUSION :
On a à disposition des schémas équivalents en Emetteur Commun ou Source Commune pour
TBJ ou pour TEC.

16
4) Différentes Représentations : Montages Base Commune (BC), Collecteur Commun (CC)
(ou Grille Commune –GC-, Drain Commun –DC-)

- Le transistor est un tripôle considéré comme un quadripôle


- D’autres montages qu’en émetteur commun sont possibles, le problème réside dans la façon
de passer d’un montage à un autre.

Ex : EC  CC

ic ie

C E
ib ib
B vce B vec
vbe E vbc C

vbe  h11e.ib  h12e.vce vbc  h11c.ib  h12c.vec


ic  h21e.ib  h22e.vce ic  h21c.ib  h22c.vec
(connu)

ib  ic  ie  0
On met à profit les relations propres au TBJ :
vbe  vec  veb  0
(remarque : tous les courants du TBJ ont été considérés rentrant)

vbc  vce  h11e.ib  h12e.vec h11c  h11e


d’où
vbc  h11e.ib  (1  h12e).vec h12c  1  h12e

 ie  ib  h21e.ib  h22e.vce h21c  ( h21e  1)


d’où
ie  h21e  1.ib  h22e.vec h22c  h22e

Nous pouvons entreprendre une application numérique. Les valeurs typiques des paramètres
hybrides en émetteur commun sont (en BF):
h12e = 0 h21e=100 h11e=103  h22e=10-5 S
Cela conduit à : h11c=103  h12c=1 h21c=-101 h22c=10-5 S

CONCLUSION :
Ces calculs confirment que si l’on connaît les paramètres petit signaux dans une
représentation, ils seront connus dans toute représentation (propriété inhérente à tout quadripôle
linéaire).

17
II. Amplification

1) Introduction

Problème posé

Générateur de ie iL Charge
tension ou de ZL
courant (YL)
ve vL

 on doit amplifier iL et/ou vL en sortie.

a) Amplification en tension
vL
On définit un gain Av 
ve

Zg ie Zs iL

AC
ve Ze vL ZL

eg A'v.Ve

Ampli

Conditions de charge

Ze >> Zg (ve = eg) Ze   


Zs << ZL (vL = A’v.eg) Zs  0

b) Amplification en courant

ie iL

Ig A’i.ie
Zg Ze Zs ZL

18
Ze << Zg (ie = Ig) Ze  0
Zs >> ZL (iL = A’i.ie) Zs   

c) Amplificateur transrésistance

ie

Zs

vL
Zg Ze ZL
Ig
R'm.ie

On cherche une relation telle que : vL  Rm' .ie


Ze  0 et Zs  0

d) Amplificateur transconductance
iL

Zg

ve
Ze Zs ZL
Eg G’m.ve

On cherche une relation telle que : iL  Gm' .ve


Ze   et Zs  

On peut résumer les résultats dans un tableau (on a 4 types d’amplificateurs « idéaux »)

Tension Courant Transrésistance Transconductance


Ze  0 0 
Zs 0  0 

Fonction vL vL vL iL
de Transfert Av  Ai  Rm  Gm 
ve ie ie ve

19
2) Bande Passante

Dans ce qui précède, on a travaillé avec une fréquence. En réalité, le gain est fonction de la
fréquence.

G0

fL fH log10(f)

1 1
En général, le gain est de la forme : G ( f )  G0 . .
 j. f   f 
1   1  L 
 fH   j. f 

fL f fH
f >> fH 0  1 G ( f )  G0 .
f fH j. f
fL f j. f
f << fL  1 0 G ( f )  G0 .
f fH fL

Aux moyennes fréquences :

f fL
fL < f < fH 0 0 G ( f )  G0
fH f

La bande passante de l’amplificateur est  f L , f H  =B

Remarque : Il existe des amplificateurs laissant passer le continu (DC) pour lesquels fL = 0.

Selon la bande de fréquences, on distinguera :


- les amplificateurs large bande
- les amplificateurs sélectifs
- les amplificateurs continus

20
Un amplificateur aura pour caractéristiques : G, Ze, Zs et B

3) Méthode d’Analyse des amplificateurs

3.1 Introduction

pj

p1 p2

P0

On peut définir :
p1  puissance du signal d’entrée (fournie par le générateur sinusoïdal)
p2  puissance du signal de sortie
P0  puissance continue (fournie)
Pj  puissance dissipée par effet joule (perdue…)

Si p1 et p2 << P0  amplification petit signal


Si p2  P0  amplification de puissance (ce dernier cas ne sera pas étudié).

L’analyse s’effectuera en deux temps :


- tout d’abord, on étudiera le comportement du montage en DC (régime continu)
- ensuite, on étudiera le comportement du montage en AC (régime alternatif)

Remarque 1 : On supposera toujours que les systèmes sont linéaires donc on appliquera le
théorème de superposition.

Remarque 2 : L’analyse en AC se fera à partir de la théorie des quadripôles.

DC
i1 i2
Z
Zg Y
eg v1 v2
H ZL

Attention : les paramètres Zij, Hij, Yij dépendent du régime DC. Dans un premier temps, on ne se
préoccupe pas de la façon dont est réalisé l’amplificateur.

21
3.2 Caractéristiques générales d’un amplificateur

Choisissons les paramètres hybrides hij

(1) v1=h11.i1+h12.v2
(2) i2=h21.i1+h22.v2
 ces relations sont propres aux quadripôles

(3) v1=eg-Zg.i1
(4) i2=-YL.v2
 ces relations sont liées aux charges et circuits externes au Quadripôle.

On va calculer successivement Gc, Gv, Ze et Zs (ou Ys) à partir de ces relations.

● Gc = (i2/i1)

(4)  (2) : i2=h21.i1-(h22/YL).i2

h21.YL
d’où Gc 
YL  h22

● Gv = (v2/v1)

(v2/v1)=h11.(i1/v2)+h12

-YL.v2=h21.i1+h22.v2
-(YL+h22).v2=h21.i1

i1

YL  h22 
v2 h21

v1 h .YL  h22   h .YL  h11.h22  h12 .h21


  11  h12  11
v2 h21 h21

 h21
d’où Gv  avec h  h11.h22  h12 .h21
h  h11.YL

● Ze = (v1/i1)=h11+h12.(v2/i1)

h12 .h21 h .YL  h22   h12 .h21


Ze  h11   11
YL  h22  YL  h22 

22
h  h11.YL
d’où Ze 
YL  h22 
● Par définition, Zs=(v2/i2) en annulant eg : eg = 0.

i2 i1
 h22  h21.
v2 v2
i1  h12
- Zg.i1=h11.i1+h12.v2  
v 2 h11  Zg 
h .h h  h22 .Zg
Ys  h22  12 21 
h11  Zg  h11  Zg 

Un cas pratique est de considérer h12  0 . Dans ce cas, le quadripôle est unilatéral.

i1 i2

Zg
v1 v2
h11 h22 YL
eg h21.i1

Les performances deviennent :

h21.YL
Gc  (inchangé)
YL  h22

 h21
Gv 
h11.h22  YL 

Ze  h11

Zs=(1/h22)

Il est intéressant de calculer le Gain en Puissance dans ce cas :

Gp = (P2/P1)
1
2
  1

avec P1  . Re v1.i1* et P 2   . Re v 2.i 2*
2

23
eg h11 eg *
i1  v1  .eg i1* 
Zg  h11 h11  Zg  Zg  h11*
2

P 2  . Rev 2.YL*.v 2*   .GL. v 2


1 Re(h11). eg 1 1
P1  .
2

2 h11  Zg 2 2 2

YL i2
i 2  h21.i1. v2  
YL  h22 YL
h21
v2   .i1
h22  YL
2 2 2
1 h21 1 h21 eg
P 2  .GL. . i1  .GL.
2
.
h22  YL h22  YL Zg  h11
2 2 2
2 2

2
GL. h21
d’où Gp 
Re(h11). h22  YL
2

Remarque 1
Si on adapte à l’entrée et à la sortie, on aura :
Zg  h11* YL  h22*

2 2
h21 .GL h21
Gpa  
4. Re( h11).Re( h22)  4. Re( h11). Re( h22)
2

Remarque 2

1
Si h11   Re(h11) = 0 Gp   !
j.C.

Remarque 3

2
1 Re( h11). eg
P2a = Gpa.P1a P1a  .
2 4.Re( h11)2

2
1 eg
D’où P 2a  Gpa . .
8 Re( h11)

Ex : h21=100 h11=1000   h22=1 mS=10-3 S egmax=0.1V

24
104
Gp   2500
4
1 102 1
Pu  . 3 .2,5103  .10 2  3mW !!
8 10 3

La puissance est faible: bien souvent il faut plusieurs étages.

4) Etude d’un Montage Amplificateur Réel

Méthode

1) On polarise le transistor en continu


2) On introduit le générateur sinusoïdal et on étudie le régime petit signal à partir du circuit
équivalent correspondant au point de polarisation continu choisi.

On prendra un montage émetteur commun (EC) ou source commune (SC).

4.1 Polarisation continue

1) TBJ

RL
IC
IB
Q1 VCE
RB NPN EC
EB
VBE
DC
DC

Equations du circuit

1 EB  VBE  RB.IB (Droite de charge à l’entrée)


2 EC  VCE  RL.IC (Droite de charge à la sortie)
 ces 2 équations sont imposées par les élements « extérieurs » du circuit.

Il faut également tenir compte des caractéristiques « propres » au transistor

3 Caractéristique VBE  f (IB)


4 Caractéristique IC(IB, VCE)

25
Traçons les Droites de Charge dans les réseaux de caractéristique propres au transistor.
IB

Pente

IBo

VBE
VBEo EB

IC (mA) Pente

ICo IBo

VCEo EC VCE (V)

On peut entreprendre une résolution analytique en considérant une caractéristique


« idéalisée » à l’entrée IB(VBE), comme ci-dessous.

26
IB

VBE
VBEo 0.6V

On voit que VBE  VBEo ,  IB.

EB  VBEo EB  VBEo 


IB   ICo   .
RB RB
RL.
VCEo  EC  RL.ICo  EC  .EB  VBEo 
RB

Remarques :
 on peut prendre EB=EC
EB
 si VBEo << EB IB 
RB

EB
IC   .  problème de dispersion du courant statique IC
RB
lié à des variations de  en fonction de la température T du TBJ. Pour rappel, si l’on tient
compte du courant de saturation de la jonction base-collecteur ICBo (très dépendant de la
température), on a :

IC   .IB    1.ICBo   .IB  ICEo

Pour conclure, ce montage fonctionne mais il n’est pas stable en température. Nous allons
préciser les variations qualitatives et quantitatives des caractéristiques IB(VBE), IC(VCE) et
ICEo en fonction de la température.

27
IB
T2>T1

T1

VBE
EB

 à VBE=cte, IB  si T 

IC (mA)

T2>T1 à IB=cte
T1

VCE(V)

Log(ICEo)

T(K)

En pratique, on observera :

28
●   de 1% par °C
● VBEo diminue de 2 mV/°C
● ICEo est multiplié par 2 tous les 10 °C

Si T  IB  et IC 

Il y a risque d’emballement thermique :

To (Po), IB  , IC (et ICEo)   Po  ce qui entraîne que T 

Afin de stabiliser le montage, on va utiliser un pont de résistances à l’entrée et introduire une


résistance dans l’émetteur.

R1 RL

EC

DC
IE
R2 RE

En transformant par un dipôle de thévenin le pont de résistance à l’entrée, on obtient :

29
RL

IB EC
RB

DC
EB IE
RE
DC

R2 R1.R 2
EB  EC. RB 
R1  R 2 R1  R 2

Relations : IC   .IB

EB  VBEo  RE.IE
IB  IE    1.IB
RB
IE  IC  IB
EB  VBEo RE
IB   .IC  IB 
RB RB
 1 RE RE  EB  VBEo
IC.    
  RB RB.  RB

 RB  RE.  1  EB  VBEo
IC.  
 RB.  RB

En admettant EB  VBEo

 .EB
On obtient IC 
RB  RE.  1

L’objectif étant de stabiliser IC, il faut donc le rendre « indépendant » de  . Cette condition
est obtenue sous réserve d’avoir RE. 1  RB . Dans ces conditions :

30
EB
IC  est indépendant des variations de température du TBJ.
RE

Exemple pratique :

On veut IC = 10 mA VCE = 10V


EC = 20V  =100 RL=800

VCE  EC  RL  RE .IC  RL  RE  1k


RE  200

EB 20.R 2
IC  EB 
RE R1  R2
RE  200  EB  2V

R2 1

R1  R 2 10
R1.R 2 1
.  RE
R1  R 2   1
R1
 RE.  20000
10

R1  20k  R1  20k

1+(R1/R2)=10
R1=9.R2
20
R 2  .k  2.2k
9

EC

Remarque : si on observe attentivement le montage précédent, on conclut qu’il n’est pas possible
de dissocier un montage EC, BC ou CC en considérant uniquement la polarisation continue.

31
2) Le Transistor à Effet de Champ

Fondamentalement, on utilise la même technique de polarisation. On a même moins de


problème pour 2 raisons :

- il n’y a aucun courant de grille continu


- les effets thermiques sont moins importants

Le seul problème provient du fait qu’il existe 2 types de TECs :

- N-on (passant si Vgs=0V) Vp<0V


- N-off (bloqué si Vgs=0V) Vp>0V

En zone de saturation des caractéristiques ID(VDS), on a :

ID  K .Vgs  Vp 
2

Montage avec un TEC N-off


EC

R1 RL

ID
VG
N-off
VS

R2 Rs

VS=Rs.ID
EC.R 2
VGS   Rs.ID(VGS )
R1  R 2

- si Rs=0  VGS est fixé


- si Rs  0  Amélioration de la stabilité.

On obtient
 Rs.K .VGS  Vp 
EC.R 2
VGS 
2

R1  R 2

La résolution de cette équation nous donne VGS.

32
Montage avec un TEC N-on

EC

RL

ID
VG
N-on
VS
VGS
R2 Rs

VG  0 (pas de courant de grille)


VGS   Rs.ID
VGS   Rs.K .VGS  Vp 
2

Graphiquement :
ID

IDo

VGSo VGS
Vp

4.2 Etude en Dynamique de l’Amplificateur

1) Réponse dans la Bande Passante

On considère un transistor bipolaire mais on pourrait faire de même avec un TEC.

33
EC

R1 RL

Zg CL

eg Q1
NPN

AC Ru
R2 RE CE

DC Le régime continu correspond à un régime stationnaire, c'est-à-dire que toutes les dérivées par
rapport au temps sont nulles (pas de courant dans les capas)  le point de polarisation n’a pas
changé

DC+AC Après application du signal imposé par le générateur sinusoidal, toutes les grandeurs
(courants et tensions) s’écrivent :

X (t )  Xo  x.cos(t   )
en complexe X (t )  Xo  x.e j.(t  )

AC Comportement des sources DC en alternatif  les sources DC ne varient pas (par définition), on
EC  cte,  I  EC  0. Tout revient à dire que d’un point de vue AC, on peut « remplacer »
la source DC par un court-circuit (C.C.).

1 1
De plus, dans la bande passante, on considère que  0 et  0.
CE. CL.

Le transistor se comporte comme un quadripôle (on le remplace)

Le schéma équivalent AC peut être dessiné

i1 i2
RL
Zg TBJ
eg v1 v2
R1
R2

34
avec i1=ib i2=ic
v1=vbe v2=vce

On retrouve donc le schéma classique de l’amplificateur tel qu’il a été vu en 2ème


section du chapitre 3.

Remarque : Droite de Charge Statique/Dynamique

Statique VCE  EC  ( RL  RE ).IC


Dynamique vce  RL.ic

IC (mA) Pente

Pente

ICo IBo

VCEo EC VCE (V)

IC  ICo  ic.cos(t   )
IC  ic.cos(t   )
 IC  ic.e j..t (en complexe)

VCE  VCEo  vce.cos(t   )


VCE  vce.e j..t

VCE   RL. IC
v ce   RL.ic

35
Exemple pratique

On reprend les valeurs DC vues précédemment :

R1  20.k RE  200 
R1  2.k RE  800 
Zg  Rg  100.

h21e=100 h11e=1000   h22e=10-5 S

f (fréquence) = 1 MHz

D’un point de vue alternatif, le montage en émetteur commun revient à :

i1 i2

Zg
v1 v2
Rb h11e
h22e RL
eg h21e.i1

On pose Rb = R1 // R2, que l’on supposera très grande devant h11e. D’où h11e // Rb ~h11e.

(1 / RL)
i2  .h21e.i1
(1 / RL)  h22e

h21e
Gc   100  
1  h22e.RL

 h 21e.RL
v 2   RL.i2  .i1 v1  h11e.i1
1  h 22e.RL
 h21e.RL
Gv   80
h11e.(1  h22e.RL)

v1
Ze   h11e  1k
i1

Ys  h22e  Zs  100.k

36
A priori, les gains sont indépendants de la fréquence. En réalité, il existe des fréquences de
coupure basse liées aux capacités CL et cE ainsi qu’une fréquence de coupure haute liée à la
fréquence de coupure du transistor.

2) Réponse en basse fréquence

ib
Rg CL
h11e h22e

eg h21e.ib
RL
Rb CE
RE
AC

En fait, on a deux effets distincts :


- l’effet de CL
- l’effet de CE (// RE)
Pour simplifier, on peut étudier les deux effets de façon séparée (en négligeant h22e pour
simplifier les calculs.

 1 
a) Effet de CL   0
 CE. 

CL
i1 ib
Rg
h11e

eg h21e.ib
RL vs
Rb
AC

On pose Req = Rb // h11e

Rb RL.h 21e.Rb
ib  .i1 vs   RL.h 21e.ib   .i1
Rb  h11e Rb  h11e
RL.h 21e. Re q
vs   .i1
h11e
 1 
eg   Rg  Re q  .i1
 j.CL. 

vs RL.h21e. Re q RL.h21e. Re q
 
eg  1   c 
h11e. Rg  Re q   h11e.Rg  Re q .1  L 
 j.CL.   j. 
1
avec c L  , pulsation de coupure basse.
CL.Rg  Re q 

37
 1 
b) Effet de CE   0
 CL. 
Req (=Rb//Rg) ib
h11e

e’g(=eg.Rb/(Rb+Rg)) h21e.ib
RL vs
RE CE
AC Ze
ie

vs
? ie  h 21e  1.ib  h 21e.ib
e' g
e' g  Re q  h11e  Ze.h21e .ib  Z ' e.ib

h21e.RE Re q  h11e  h21e.RE  j..CE.RE.(Re q  h11e)


Z ' e  Re q  h11e  
1  j..CE.RE 1  j..CE.RE

 RE.(Re q  h11e) 
1  j..CE. 
 Re q  h11e  h21e.RE 
Z ' e  Re q  h11e  h21e.RE 
1  j..CE.RE

1  j..CE.RT 
Z ' e  Re q  h11e  h21e.RE 
1  j..CE.RE

 Re q  h11e 
avec RT  RE //   < RE.
 h21e 

vs   RL.h21e.ib e' g  Z ' e.ib


 
1  j 
vs  RL.h21e 1  j..CE.RT   RL.h21e  e 
D’où  
e' g Re q  h11e  h21e.RE  1  j..CE.RE Re q  h11e  h21e.RE  1  j 
T
1 1
avec T  > e 
RT .CE RE.CE
On peut tracer (vs/e’g) dans le lieu de Bode (en gain).

38
e T log10()
C’est donc T qui détermine la pulsation de coupure basse.

3) Réponse en haute fréquence (HF)

En HF, la coupure provient essentiellement du composant actif. Rappelons le schéma équivalent


HF des transistors

TBJ

rbb’ Cb’c
B C

vb’e rb’e
Cb’e gce
Gm.vb’e

TEC

ig
Cgd id

Cgs
Gd Vds
Vgs V
Gm.V

On cherche la fréquence de coupure du gain en courant en plaçant un court circuit à la sortie


du transistor. Les deux circuits sont équivalents au schéma suivant :

39
B C
Court
Circuit

V
Gm.V

E
YE

i1  YE.V i 2  Gm.V

Gm
Gc 
YE

TBJ

1 1  j.rb' e.(Cb' e  Cb' c ).


YE   j.(Cb' e  Cb' c ). 
rb' e rb' e

Gm.rb' e o
Gc  
1  j.rb' e.(Cb' e  Cb' c ). 1  j. f
f
1
f 
2. .rb' e.(Cb' e  Cb' c )

TEC

YE  j..(Cgs  Cgd )
Gm f Gm
Gc   T avec fT 
j..(Cgs  Cgd ) j. f 2. .(Cgs  Cgd )

40
TEC

TBJ

On voit que fondamentalement la fréquence de coupure haute du transistor est due à la coupure
du gain du transistor.

41
4.3 Montage Base Commune et Collecteur Commun (Grille Commune et Drain Commun)

Les montages EC (ou SC) ne sont pas les seuls utilisés.

Montage Base Commune

EC

R1 RL

CB
S

Q1 Rg
NPN
eg
R2 RE
AC

En fait, on a 2 alternatives :
- travailler avec les paramètres hij en base commune
- ou bien continuer avec les paramètres hij en émetteur commun ; c’est ce que
l’on va utiliser en utilisant le schéma équivalent suivant.

ib ic

Q1
NPN
vbe h11 h22 vce
.ib

Dans un premier temps, on ne tient pas compte de h22.

42
.ib
Rg i1
E C

ib i2
Eg v2
v1 RE h11 RL
AC

v2   RL.i 2   RL. .ib


v1  h11.ib

v 2  .RL
Gv   (=80)
v1 h11

h11.ib  h11 
i1  ib   .ib   ib.   1  
RE  RE 
i 2   .ib

i2 
Gc    1
i1   1  h11
RE

v1 i1
Ze  . En fait, il est plus judicieux de calculer Ye 
i1 v1

 h11 
 ib.   1  
Ye   RE 
 h11.ib

 1 1 h11
Ye    Ze  (=10 )
h11 RE 

- Pour calculer l’impédance de sortie Zs, il faut re-dessiner un schéma en annulant eg :

43
.ib

is

ib
h22
ih22 es
Rg RE h11
AC

 h11 h11 
is  ib.   1
 RE Rg 
 h11 h11 
ih 22  is   .ib  ib.   1       .ib
 RE Rg 
 
es  h11.ib  .ib   .ib
h22 h22

Zs   106. (=1 M)
 h11 h11 
h22.   1
 RE Rg 

Conclusion : Le montage base commune se caractérise par une faible impédance d’entrée, une
grande impédance de sortie et pas de gain en courant (le gain en tension est identique en
module au montage émetteur commun).

44
Montage Collecteur Commun

EC

RB RL

Cc
Zg CL

eg Q1
NPN
S
AC
RE

Rg i1 ib h11 i2

eg
v1 RB RE v2

AC .ib

v 2   RE.i 2   RE.  1.ib


v1  h11  RE.  1.ib

RE.  1
Gv  < 1 (Gv  1)
h11  RE  1

i 2    1.ib
 h11  RE.  1 
i1    1.ib  ib
 RB 
Gc    (=-100)

45
v1
Ze   RB // h11  RE.  1  h11  RE.  1 (= 20 k)
i1

Zs = ??

Rg i1 ib h11 is

v1 RB es

.ib AC

is    1.ib es  Rg // RB  h11.ib

h11  Rg 
Zs  très faible (= 10 )

On utilise ce montage appelé « suiveur » pour faire une adaptation d’impédance.

Tableau résumé des performances des 3 Montages

EC BC CC
Gc  -1 -
Gv -80 +80 1
Ze 103. 10  20 k 
Zs 105. 106. 10.

4.4 Amplificateurs Multi-étages

Un amplificateur ne travaille jamais seul. Il est le plus souvent associé à une chaine
d’amplification qui comporte plusieurs étages.

46
Rg

Ru
eg

Zs

Ze es

On se ramène toujours une charge vu de l’entrée et à un générateur de thévenin (ou de norton)


vu de la sortie.

47
5) Amplificateur Différentiel

5.1 Introduction

Les amplificateurs vus précédemment utilisent des capacités de liaison et de découplage  ils
ne permettent pas de travailler en basse fréquence (BF) et en continu (DC). Pour un
fonctionnement BF, il faut des étages à liaison directe : c’est le rôle de l’amplificateur différentiel
à couplage d’émetteur.

5.2 Structure de l’Amplificateur Différentiel

RL RL Ec

C1 C2 DC

T1 T2
eg1 rg rg eg2
AC AC Ec

RE DC
Io

Nota : les transistors T1 et T2 sont apairés

1) Polarisation

En l’absence de générateur eg1 et eg2.


VB1  0V VB2  0V
VE1=VE2=-0.6V (on néglige les chutes de tension dans les résistances Rg)
VBE1=VBE2  ib1=ib2

Ec  0.6 Ec
Io  IE1  IE2  
RE RE
Ec
d’où IE1  IE2 
2.RE

On aura aussi
RL  RL 
VC1  VC2  Ec  .Ec  Ec.1  
2.RE  2.RE 

48
2) Caractéristique de transfert
+Ec

RL RL

Ic1 Ic2

T1 T2

v1 v2

Io
-Ec

Soit v diff  v1  v 2 . On cherche Ic1, Ic2 en fonction de v diff


IE1  IE2  Io v1  v 2  v BE1  v BE 2

q .VBE1 q .VBE 2 q .  v1 v 2 


IE1 Io
IE1  Is.e kT
et IE2  Is.e kT
  e kT IE1 
IE 2 IE 2
1
IE1
Io Io
d’où Ic1   q .. vdiff
Ic2   q .. vdiff
1 e kT
1  e kT
Ic1,Ic2

Io

Ic2 Ic1

Io/2

vdiff

49
Il est intéressant de calculer la transconductance (pour vdiff = 0V) :

 q . vdiff
Ic1 q Io.e kT
q.Io q Io
 .  donc Ic  . .v diff .
v diff vdiff  0 V
kT   q . vdiff

2
4.k.T kT 4
1  e kT 
 
  vdiff  0 V

kT
La plage de linéarité est assez faible (il faut v diff   25mV pour T  300K ) .
q

3. Analyse Petit Signal

On définit : v diff  v1  v 2
v1  v 2
Ainsi que v mc 
2

Pour étudier les variations (au niveau des collecteurs) vc1 et vc2, on va se placer dans deux
configurations :

a) eg1  eg2  l’amplificateur fonctionne en mode commun


b) eg1=-eg2  l’amplificateur fonctionne en mode différentiel.

On obtient la variable totale vc1 par superposition.

vdiff
v1 
 vmc
2
Remarque :
vdiff
v2    vmc
2

Nous allons décrire successivement ces deux états de fonctionnement.

a) Fonctionnement en mode commun

eg1  eg2

50
RL RL
Vc1 Vc2

i1 .i1 .i2
rg h11 i2
h11 rg

egm2
egm1
v2
v1 RE
AC
AC

On a rg  h11. i1  i2  0  i1  i2

vmc  v1  h11  2.RE.  1.i1

vc1   RL. .i1

  .RL
d’où Avmc 
h11  2.RE.  1
 RL
  1  Avmc 
2.RE

Impédance d’entrée en mode commun :

v1
Zmc 
i1
v1  h11  2.  1.RE .i1

Zmc  h11  2.  1.RE   Zmc est très grande.

b) Fonctionnement en mode différentiel

eg1  eg2

eg1  h11  rg .i1   .RE.i1  i2 


eg2  h11  rg .i2   .RE.i1  i2 

51
Si on ajoute ces 2 équations, on montre que :

h11  rg   .RE . i1  i2  0  i1  i2

v diff  h11.i1  i2   2.h11.i1

vc1   RL. .i1

  .RL
Av diff 
2.h11

On peut également prendre la sortie différentielle

vc2   RL. .i2  vc2  vc1   RL. .i1  i 2 


vc2  vc1  2.RL. .i1
 le gain est doublé.

Impédance d’entrée en mode différentiel :


i1 h11 h11 i2

v1 v2

v diff
Zmd 
i1
vdiff  v1  v 2  h11.i1  i2   2.h11.i1

Zmd  2.h11

c) Fonctionnement quelconque

De façon générale, on obtient en superposant les deux états précédents :

vc1  Av diff .v diff  Avmc.vmc


vc2   Av diff .v diff  Avmc.vmc

52
  .RL v1  v 2 RL v1  v 2 
vc1  .  .
h11 2 2.RE 2
  .RL v1  v 2 RL v1  v 2 
vc2  .  .
h11 2 2.RE 2

  .RL
vc1  vc2  .v1  v 2 
h11

d) Taux de Réjection en mode commun

Av diff  .RL 2.RE  .RE


  . 
Avmc 2.h11 RL h11

On a intérêt à avoir un grand  et un grand RE. On voit que l’on a intérêt à avoir un grand
RL pour augmenter le gain différentiel. Or en circuit intégré on préfère réaliser des transistors
que des résistances. On va donc remplacer RE par une source de courant et RL par une charge
active.

53
AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL (AOP)

I. Introduction

C’est un amplificateur intégré à plusieurs étages que l’on considère comme une boite noire.
+Ec

v+

v-
Vs
-Ec

De façon simple, on aura comme schéma équivalent petit signal


Rs
v+

Re A.(v+-v-)

v-

Re  10M
Typiquement on a : Rs  10
A  105

On prendra pour un AOP idéal :

Re  
Rs  0
A  

54
II. AOP Réel

Un AOP présente un certain nombre d’imperfections que nous allons énoncer.

1) Tension de décalage d’entrée

On doit repérer les seuils de Vo et compenser ce décalage en appliquant une tension au niveau de
l’entrée inverseuse. Valeur typique : qq mV

2) Courant de polarisation d’entrée

ib+


ib-
Rb

  v   v   Rb.ib  qq. nA

3) Courant de décalage d’entrée

En mettant la même résistance de base Rb sur le + et sur le -, on aura un décalage tel que :
  Rb.( ib  ib )  Rb.idécalage . idécalage ~qq nA
 ce courant est fonction de la température.

55
4) Taux de Réjection en Mode Commun

Il n’est pas infini et dépend de la fréquence  typiquement de 90 à 120 dB en BF.

 Av diff 
On l’exprime comme suit en dB : TRMC  20. log10  
 Avmc 

TRMC(dB)

90 -20 dB/déc.

20

106 log10(f)
102 103

5) Réponse en fréquence

(dB)
100
-20 dB/déc.

fT : fréquence
de transition
pour

20

106 log10(f)
10 102

Ao Ao  105
A (f ) 
1  j.
f fo  10 Hz
fo
Ao.fo
f  fo A (f ) 
j.f
Ao.fo
A(f  ft )  1   ft  Ao.fo
ft

6) Pente maximale de la tension de sortie (Slew Rate)

Dans les AOP, il existe une capacité qui permet de « compenser » le gain et qui est rajoutée au
circuit interne. Cette capacité va avoir une incidence sur la tension de sortie de l’AOP.

56
Pour montrer cela, considérons le courant dans une capacité :

dv
i  C.
dt
Le courant en sortie ne peut dépasser une valeur « maximale » que l’on nommera « imax ». On
en déduit :

 dv  i
SR (Slew Rate)     max  la tension de sortie ne peut varier plus vite que
 dt  max C
i max
. Typiquement on a SR compris entre 1 V/µs et 10 V/µs.
C

7) Courant de sortie en Court-Circuit

icc

icc  10  100mA (petite puissance).

8) Tension maximale de sortie

+Ec

v+

v-
Vs
-Ec

 la tension de sortie maximale est égale à  Ec.

57
III. Applications de l’AOP

Remarque : Dans la majorité des applications où l’AOP fonctionne en régime linéaire, on


observera au niveau des montages une contre réaction de la sortie vers l’entrée inverseuse, pour
des raisons de stabilité.
Afin de mettre en évidence ceci, considérons tout d’abord le Gain en boucle ouverte de l’AOP.



Vs

Vs
+Ec (ou +Vsat)

Pente – (R1+R2)/R1


Trois points
d’intersection
-Ec (ou -Vsat)

Nous allons maintenant reboucler l’AOP, en considérant successivement 2 montages.

R2

R1


Vs

58
 R1  R1  R 2 
On a :  .Vs d’où Vs  . que l’on trace dans le réseau de
R1  R 2 R1
caractéristique Vs  (en rouge). On trouve un seul « point de repos » : Vs    0V . Si
maintenant on inverse les polarités de l’AOP, la relation devient :
R1  R 2
Vs  . que l’on trace dans le réseau de caractéristique Vs  (en vert). On observe
R1
cette fois-ci 3 points d’intersection, ce qui conduit à un fonctionnement instable (i.e. Vs  Ec ).

1) Amplificateur Non Inverseur

S


Ve Vs
R1 R2

a) Dans un premier temps, on considère Ze  , Zs  0, A  

R1
  0V v  .Vs
R1  R 2
R1
Ve  v   v   .Vs
R1  R 2

Vs R1  R 2 R2
D’où  1
Ve R1 R1

b) Dans les hypothèses du a), une application est le montage SUIVEUR :


R 2  0 R1  

59
Ve Vs=Ve

Application :
Adaptation d’Impédance
1.k

e e
Ru Vs=e Ru

 On obtient une source de tension quasi parfaite (i.e. impédance associé à e nulle)
connectée aux bornes de Ru, alors que le circuit ne consomme aucun courant à l’entrée.

c) Dans un deuxième temps, on prend en compte d’un gain « fini » et dépendant de la


fréquence f

Ao
Ze  , Zs  0 A
f
1  j.
fo
On travaille à partir du schéma suivant :
S


Ve Vs
R1 R2

R1 Vs
Ve    .Vs 
R1  R 2 A

60
1 R1  R1  R 2
Ve  Vs.   posons : A o  avec A 'o  A o
'

 A R1  R 2  R1

 1 1 f 
Ve  Vs.  '  j. 
 o
A A o f o .A o 

Vs A 'o

Ve A 'o f A 'o
1  j. .
Ao fo Ao

A 'o Vs A 'o A 'o


- si  1   
Ao Ve f A' f
1  j. . o 1  j. '
fo Ao fo
A
avec f o'  f o . 'o
Ao

On retrouve içi la notion de Produit Gain x Bande Passante constant


A 'o .f o'  f o .A o

2) Amplificateur Inverseur

R2

R1 0A
I

0V
Ve
Vs

Ve  R1.I Vs  R 2.I

Vs R2

Ve R1

3) Additionneur

61
On utilise le montage inverseur mais on place plusieurs générateurs à l’entrée.

R3

R2 R

R1
V3
V2
V1

Vs

R R R
Vs   .V1  .V2  .V3
R1 R2 R3
i 3
Vs   Vi (si R  R1  R 2  R 3)
i 1

4) Soustracteur

Z Z
V1

Z
V2

Z Vs

V1.Z  Vs.Z V1  Vs
V  
ZZ 2

V2.Z V2
V  
ZZ 2

62
V1 Vs V2
V  V   
2 2 2

Vs  V2  V1

5) Filtres

* Intégrateur
C

i R

Ve Vs

Tout d’abord, on se place en régime quelconque :

dVs dVs
i  C. Ve  R.i   RC.
dt dt
1
RC 
Vs( t )   . Ve( t ).dt
En régime harmonique :
Ve
i   j..C.Vs i
R
Vs 1

Ve j.C..R

Problème : l’absence de contre réaction sortie/entrée en statique laisse apparaître une dérivée
inéluctable de la sortie vers la saturation (i.e. Vs   Ec) . Il faut compenser la dérive : pour cela,
on peut mettre une résistance en // sur C si on travaille en suffisamment haute fréquence.

63
R’

i R

Ve Vs

i
Vs 
1
 j.C.
R'
Ve  R.i

Vs 1  R'  R'  1 
    o  
Ve 1  R.1  j.C..R ' 
   C.R ' 
R.  j.C.  R.1  j. 
 R'   o 
Conclusion : on a toujours un « pseudo » intégrateur pour   o

* Dérivateur
R

i C

Ve Vs

dVe dVe
i  C. Vs   R.i   R.C.
dt dt
en AC : Vs   j..R.C.Ve

64
* Autres types de Filtres

R
Ve Vs
C

Vs 1
  Passe-Bas
Ve 1  j..R.C

En inversant R et C 

Vs R j..R.C
   Passe-Haut
Ve R  1 1  j..R.C
j.C.

Cas intéressant du déphaseur :

Ve C Vs

1 Ve Vs
V  .Ve V  
1  j..C.R 2 2
 1 1  Vs  2  1  j..C.R  Vs
Ve.    Ve.  
 1  j..C.R 2  2  2.1  j..C.R   2

65

1  j.
Vs 1  j.C..R o 1
  o 
Ve 1  j.C..R 1  j.  RC
o

Vs
Intéressons nous au module :  1 !! 
Ve
Vs 
Intéressons nous à la phase  de :  ( )  2.arctg  . Un exemple de variation de la
Ve  o 
phase (à partir d’un déphaseur simulé) est montré ci-dessous.
V(n002)



-20°

-40°

-60°

-80°

-100°

-120°

fo
-140°

-160°

-180°

-200°

100Hz 1KHz 10KHz 100KHz 1MHz 10MHz 100M


Hz

6) Fonctions Logarithmiques – Multiplicateurs

Ces fonctions sont basées sur le fait qu’une diode présente une caractéristique courant-tension
exponentielle :

 qkT.V  q .V
I  Is.e  1  Is.e kT (en direct)
 

66
D
I

R
Ve
Vs

 q .Vs
Ve
I  Is.e kT
R
kT  Ve 
d’où Vs   .Ln   (Ve>0V)
q  R.Is 

De même

I R

D
Ve
Vs

q .Ve
I  Is.e kT
q .Ve
Vs   R.Is.e kT

On peut aussi réaliser des multiplicateurs.

67
V1
Log

Exp

V2
Log

En réalité, il existe des façons de faire plus élaborées pour réaliser des multiplieurs
analogiques (à base de structures différentielles).

68