UE ESC2 Semestre 6

Thème 1: Diodes et Utilisation

I - La diode Zéner
Travail de préparation: Donner une explication de la caractéristique I-V d'une diode Zéner dont un
exemple de caractéristique est donné ci-dessous.

Exercice
La diode Zéner D1 possède un seuil Vz = 5V, la résistance Rz =0(diode idéale), Izmin = 0.
En polarisation directe la diode a un seuil Vs = 0.7V.

a- En considérant les trois valeurs suivantes de la tension d'entrée Ve, Ve = -5V, Ve = +5V et
Ve = +15V, préciser le mode de fonctionnement du circuit et donner les valeurs de I1, I2 et
V1.

I1
I2
V1

b- Pour l'intervalle de tension Ve compris entre -5V et +12V, donner l'évolution du courant I2
en précisant dans quelle région "Zéner" se trouve t on.

I2 (mA)
10

Ve (V)
5 10
-5
-5
 I2
c- Application à un régulateur
La figure ci-contre représente un circuit
régulateur de tension.

La diode Zéner fonctionne avec les Vdc

caractéristiques suivantes: Vz = 3.3V,
Izmin = 3mA et la résistance Rz=0 (diode
idéale). On suppose le condensateur idéal et
de valeur suffisamment importante.

1- Expliquer le fonctionnement général de ce circuit.

2- La tension d'entrée est constante et de valeur V1= 7V. Le circuit est ouvert, R2 = ∞. Dans ces
conditions de fonctionnement donner la valeur de Vdc , Iz et VR2.

3- On maintient la tension d'entrée à Ve = 7V. Préciser les conditions de rendement maximum

Psortie
η= en maintenant la tension Vz à la valeur 3.3V. Donner les valeurs de η, Iz et I2.
Pentrée

II - La diode capacité variable (Varicap ou Varactor)

Une diode, lorsqu'elle est polarisée en inverse, présente un effet de

condensateur dont la capacité dépend de la tension appliquée. Cet
effet a été expliqué dans la partie "composants". L'expression de la
Co
capacité du condensateur est la suivante: C =
Vinv n
(1 − )
Vbo
Co valeur de la capacité à Vinv=0, Vbo est la tension de barrière de la jonction, de l'ordre de 0.8V pour
le Silicium, et la valeur de l'exposant n dépend de la technologie de la jonction.
Si la jonction est abrupte (modèle utilisé en cours) on prendra n = ½.

On considère la boucle de résonnance du circuit ci-

contre.
1- Proposer un circuit de polarisation de la
diode Varicap.
2- La diode D possède une valeur de capacité C
autour d'un point de polarisation, la self du
circuit est de valeur L Etudier la condition de
résonnance en fonction de la tension de
polarisation.
3- Sur une diode au Silicium polarisée à -5V, Co =1pF et une self L=1nH, quelle serait la
fréquence d'accord?
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Thème 2: le transistor bipolaire

1- Sur les deux circuits ci-dessous déterminer le courant collecteur Ic. Corriger les erreurs.

Polarisation

2- Sur le circuit de polarisation ci contre,

déterminer le point de polarisation
(β=200, Vbe =0.7V). Comment nomme t on
ce type de circuit de polarisation?

Vérifier les résultats de la simulation sous LTSpice

3- On considère maintenant l'amplificateur à émetteur commun de la figure ci-dessous.
a- Calculer les éléments du point de polarisation.

b- Donner l'équation de la droite de charge statique.

c- On insère un générateur de tension eg, rg à l'entrée

"in" du montage. Donner l'équation de la droite de
charge dynamique. Analyser la situation.

d- Le transistor bipolaire est caractérisé par ses

paramètres hybrides (h11= 1kΩ, h12=0, h22=0).
Faites le schéma équivalent du montage.

e- Donner l'expression du gain en tension Vin/Vout, des impédances d'entrée et de sortie. On

donnera l'ensemble des expressions expression avec Re non découplée puis Re découplée.

f- Donner l'allure de la réponse fréquentielle de l'amplificateur.

g- En utilisant des "bias" (circuits de polarisation) , donner le schéma d'un circuit Ampli EC HF.
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Thème 3: le transistor bipolaire- Les trois montages amplificateurs

On se propose de calculer les caractéristiques d’un amplificateur à transistor bipolaire, le gain en tension,
le gain en courant , l’impédance d’entrée et l’impédance de sortie, pour les trois montages fondamentaux :
émetteur commun(EC), base commune(BC) et collecteur commun(CC).

Pour les trois montages, nous exprimerons Av,Ai,Ze et Zs en fonction des paramètres hybrides en
émetteur commun hijE.

Le circuit de polarisation est donné ci contre avec un pont de base.

Pour les trois montages ci-dessous, on ne considère que h11 et h21. On prendra h12=0 et h22=0. Dans ce
cas h21 = β, expliquer pourquoi.
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Thème 3: le transistor à effet de champ

1- Soit le réseau de caractéristiques I-V du JTEC 2N3819. A partir de celui ci déduire la courbe Ids-
Vgs pour Vds = 5V.

2- On considère le
montage
amplificateur à source
commune. On donne
la tension Vds=4.7V.
Déduire Ids et Vgs.
Vérifier ces résultats
sur la caractéristique
de la question 1.
3- Donner le rôle de tous les éléments du montage. On suppose que les condensateurs de C1,C2 et Cs
assurent leurs rôles en dynamique. Le transistor J1 est considéré aux moyennes fréquences avec un
schéma équivalent Cgs(~2.5pF), gmVgs et Gds(~3µS). Faites le schéma équivalent complet du
montage.

4- Sur cet amplificateur, comment peut on justifier des fréquences de coupures basse,Fcb, et
haute,Fch ? Lorsque l’on fait des mesures à l’oscilloscope, celui-ci se branche en entrée et en
sortie. Comment évoluent les fréquences de coupures ?

5- On néglige Cgs et Gds. Comment faut il choisir Cs pour avoir un bon découplage de Rs. Afin de
répondre à cette question vous pouvez exprimer le gain Vs/Ve en tenant compte de l’impédance de
source Rs//Cs.
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Thème 4: le transistor à effet de champ nMOS

1- Réseau des caractéristiques I-V d'un transistor

Soit le réseau de caractéristiques I-V d'un transistor nMOS. A partir de celui ci déduire la courbe Ids-
Vgs pour Vds = 3V. On donne Vt = 1.5V, Vgsmax = 5V par pas de 0.5V sur la courbe.

2- Etude d'un amplificateur

On considère l'amplificateur à MOS donné sur la figure 1.

- Expliquez le fonctionnement du montage en donnant le rôle de tous les éléments du montage.

- On considère le schéma équivalent du MOS avec le paramètre de transconductance gm=10mS

et la résistance interne en sortie Rds =100kΩ. Donner l'expression du gain en tension Vs/Ve.
Application Numérique.

- Comment peut-on améliorer le gain de cet amplificateur?

 Figure1

3- Exemple d'architecture avec charge active

Les MOS M1,M2, M4 etM5 sont identiques avec

gm=10mS et Rds=100KΩ. Le MOS M3 possède
une transconductance gm3=1mS et Rds3=200kΩ.

1- Pour l'étage de sortie M4-M5 dans quelle

configuration sont utilisés ces 2 MOS?
Faire le schéma équivalent de cette partie
et donner l'expression du gain en tension
Vs/V1. Quelle est la résistance d'entrée de
cette étage (vue de G4).

2- L'étage d'entrée est constitué des MOS M1

et M2 chargé par l'ensemble M3, M4 et
M5. Donner le schéma équivalent de cette
charge. Calculer l'expression de la
résistance de charge vue entre D2 et la
masse. Comment sont montés les MOS
M1 et M2. Comment nomme t on un tel
montage. Faire le schéma équivalent du
premier étage. Donner l'expression du gain
V1/Ve.
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Thème 6: Effet MILLER

Considérons le schéma équivalent d'un transistor bipolaire avec h12=0 uniquement, tous les autres
paramètres existent.
Ie Is
A B
ib h21*ib

h11 h22 Ru Vs
Ve

Dans la structure même du transistor, nous savons qu'il existe un effet condensateur entre les points A et
B. Soit C ce condensateur.

L'effet MILLER est justement la réaction que provoque ce "couplage" entre l'entrée et la sortie de
l'amplificateur.

1- Etude sans condensateur

Ru est donc la charge de notre amplificateur. Le quadripôle est représenté par le cadre pointillé.
Donnez l'expression de la matrice [Y] de ce quadripôle.
Astucieusement, et afin d'éviter des calculs répétitifs, donnez l'expression du gain en tension en charge.
2- Effet MILLER
C
Ie Is
A B
ib h21*ib

h11 h22 Ru Vs
Ve

Le condensateur C est le dipôle de couplage entre l'entrée et la sortie.

Quelle est la contribution de ce condensateur "vu de l'entrée" et "vu de la sortie" ?

La technique de calcul consiste ici à évaluer l'admittance d'entrée uniquement en fonction de Ve et on fait
le même calcul en sortie en fonction de Vs.
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Thème 6Suite : Schémas HF

Modèles haute fréquence en régime linéaire

Transistor bipolaire
C'est le modèle de GIACOLETTO qui traduit le mieux le comportement HF en régime linéaire (petit
signal) du TB.
On se propose d'étudier les caractéristiques principales de l'amplificateur monté en EC .Pour cela on
étudie le modèle suivant:

gb'c

rbb' B' Cb'c

B C

Cb'e gb'e gm.Vb'e gce Ru

Ve Vce

rbb' = 100Ω gb'e = 5E-4S Cb'e = 40pF gb'c = 1e-5S Cb'c = 1pF gce = 2,5E-5S gm = 30mS

1°) Donner la signification de ces paramètres.

2°) Traduire la relation entre gb'e , gm et ßo (gain en courant en BF)

3°) Calculer la matrice [yij] de ce quadripôle.

4°) La résistance de charge vaut Ru = 600Ω, calculer les impédances d'entrée et de sortie.

5°) Donner les expressions de Fß et Fα qui sont les fréquences de coupures des gains en courant EC et BC
respectivement. Quelle est alors la fréquence de transition ?
Transistor à effet de champ
On se propose d'étudier un TEC (canal N) de laboratoire dont le schéma équivalent est représenté ci-
dessous.

ig id
G D
Cgd
V Cgs

gm.V gds
Ri

1°) Déterminer la matrice [y] du transistor intrinsèque.

2°) Donner les expressions du gain en tension à vide et des fréquences de coupures.

3°) En vous servant des résultats de la première question, déduire le gain en courant
Ai = id/ig. En supposant négligeables les termes de second ordre, que devient cette expression si on
néglige en plus l'effet de Cgd ?

Déterminer la fréquence pour laquelle | Ai | =1.

Vérifier les hypothèses simplificatrices.

On donne Ri = 5Ω Cgs = 0.5pF gm = 70mA/V gd = 5mS Cgd = 0.05pF

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Thème 7: L'Amplificateur Opérationnel - Applications

Amplificateur linéaire
Z2

Z1 -
ɛ µ(f) Vs
Ve +

L'amplificateur seul possède la caractéristique fréquentielle suivante :

µ0
µ( f ) = (exemple: pour l'AOp 741, µ 0 = 105 et Fc = 10Hz). Quelle est l'expression du produit
f
1+ j
Fc
Gain*Bande pour l'AOp. Donnez la valeur numérique pour le 741.

1- En tenant compte des caractéristiques fréquentielles de l'AOp, exprimer le gain de boucle G(f) = Vs/Ve.
2- En général le rapport R2/R1 est très faible devant µ 0. Faites une étude complète de G(f) dans toute la
bande de L'AOp. Donner la fréquence de coupure de G(f) que l'on nommera FcG.

Filtre Actif
On considère l'AOp idéal. La structure ci-dessous représente un filtre actif composé d'un amplificateur et d'un
ensemble de composants constituant la boucle de réaction.

Y4 Y5

Y1 Y3 -
Vs
Ve +
Y2

1- Donner l'expression de la fonction de transfert H(ω) = Vs/Ve en fonction des admittances Yi.
2- Sachant qu'un tel filtre n'est composé que de résistances Ri et de condensateurs Ci, précisez ce que
doivent être les admittances Yi pour que la transmittance H(ω représente la caractéristique d'un filtre
passe bas, passe haut ou passe bande. Discuter alors de l'ordre du système.
Redresseur simple alternance sans seuil.
Le redressement à diode est problématique lorsqu'il s'agit de faibles tensions à redresser. Dans ce cas les
montages simples font apparaitre une inefficacité de la fonction redressement.

Le montage ci-dessous permet d'effectuer un redressement sans le seuil de tension de la diode.

id
ɛ

Ve Vso Vs

La tension aux bornes de la diode est notée Vd. Le gain propre de l'Amplificateur Opérationnel est noté Av =
Vso
(valeur importante, dans le cas du LM 741, le gain dans la bande passante de l'AOp vaut Avo=105)
ε

Question: Donner la relation id (Av, Ve, R, Vd) , justifiez le type de redressement et montrer que l'on peut
1
écrire Vs = (Ve +|Ve|).
2

Application Numérique: Vd= 0.7V, Av = 105. Calculer le seuil de conduction de la diode.

Redresseur double alternance sans seuil.

ɛ
ɛ
V
Vr Vs
Ve

Les tensions Ve, Vr et Vs sont référencées par rapport à la masse

1- Déterminer l'expression de Vs(Ve, Vr).

2- Montrer dans ce cas que Vs = |Ve| qui est la forme redressée double alternance.
Eléments d’introduction à la Modulation d'Amplitude

1ère partie :Réception radio

Une antenne placée dans un champ électromagnétique est le siège d'une force électromotrice induite
qui fait circuler un courant dans un circuit LC que l'on accorde pour obtenir le maximum de signal.

Antenne R

Antenne E
C L
Emetteur

i(t) Récepteur

Terre

Considérons la réception d'émission en grandes ondes (GO).

1°) Quelles sont les fréquences qui correspondent à l'émission en GO des stations France Inter (FI -
1850m), Europe1(E1 -1638m) et RTL (1281m)?

2°) La self L possède une résistance série. Sur la base d'un condensateur C=300pF, calculer la valeur
de L qui accorde le circuit sur les fréquences des 3 stations radio.

3°) Considérons la station E1. La self possède une résistance série rs = 263Ω
Quel est le schéma équivalent parallèle à la résonance?
Calculer le coefficient de qualité et la bande passante. Si la bande à transmettre est de l'ordre de
15kHz, conclure sur la qualité de la réception.

On considère un circuit récepteur élémentaire comme indiqué sur la figure suivante:

Antenne R Diode idéale

C L
Cf Ecouteur(Rec)
VR
Vec
i(t) Récepteur

Terre
On suppose que la tension de seuil de la diode est nulle.
L'écouteur possède une résistance équivalente Rec et forme le dipôle parallèle avec Cf, condensateur
de filtrage.
4°) Représenter l'allure de la tension Vec sans condensateur Cf puis avec ce condensateur.

2ème partie Modulation d'amplitude

On considère le signal suivant: e(t) = E (1+K s(t)) cos(ωt)

Le signal modulant est sinusoïdal s(t) = a cos(Ωt) de fréquence F.

La représentation graphique ci dessus est celle obtenu pour e(t).

1°) Donner l'expression de e(t) modulée par le signal sinusoïdal ainsi que la définition de l'indice de
modulation.
2°) A partir de la représentation graphique de e(t) donner :
a) la valeur des fréquences f de la porteuse et F du signal modulant.
b) l'indice de modulation et l'amplitude la porteuse
c) le spectre du signal et l'encombrement spectral de ce signal modulé
Eléments d’introduction à la Modulation de Fréquence

1) Soit le signal e(t) = 7 sin (2π100t +π/4) dans lequel on les informations suivantes: 7 est l'amplitude
max du signal, 2π100t +π/4 est la phase instantanée notée θ(t) et π/4 est la phase à l'origine. Quelle est la
pulsation de ce signal?

2) En appliquant le résultat, déterminer la fréquence f(t) des signaux suivants:

e1(t) = 15 cos(12586400t – 10cos(6282t)

e2(t) = 40 sin(π(2+4000t+30t²))

3) Donner l'expression d'un signal sinusoïdal dont la fréquence instantanée s'écrit:

* f1(t)= 1000+5e4t
* f2(t) =105+5t

4) On considère le signal modulé en fréquence suivant:

v(t) = 6 cos {6,28*106t – 10 cos(6282t)}, déterminer:

*l'expression de la fréquence instantanée f(t)

*la fréquence de la porteuse fp
*la fréquence F du signal modulant
*l'excursion en fréquence
*l'indice de modulations
*la puissance reçue sur une antenne de 50Ω

5)Production d'un signal FM

Pour fabriquer un signal modulé en fréquence, on utilise un oscillateur contrôlé en tension (OCT) ou Voltage
controled oscillator(VCO) selon le schéma de principe suivant:
f(t)
OCT 10,1Mhz
Tension m(t) ou VCO y(t) de fréquence f(t) 10Mhz
9,9Mhz

m(t)
4V 5V 6V

On applique à l'entrée du VCO le signal m(t)=5+0,5cos(2πFt)avec F= 10kHz

*Calculer la fréquence centrale fo du signal en sortie et son excursion en fréquence Δf.

*En déduire l'indice de modulation.
*Ce signal y(t), en sortie du VCO,d'amplitude 5V, est envoyé sur l'antenne de résistance 50Ω après
avoir traversé un amplificateur de gain 40dB. Calculer la puissance émise.
 Modulation et démodulation d’amplitude

I - Modulation d’amplitude

Un multiplieur est représenté sur la figure 1, il délivre une tension u(t) = K1 p(t) s(t) avec K1 le
coefficient du multiplieur estconstant, K1= 50V-1(On peut aussi considérer K1 comme un
coefficient de dimensionnement).

X1
Figure 1 e
eo u

On veut réaliser une modulation d’amplitude à l’aide de ce multiplieur avec :

- le signal HF, la porteuse à la fréquence Fp, qui est du type p(t) = E sin(ωp t) (E = 100mV et
Fp=1MHz)
- le signal BF est du type s(t) = Sdc + f(t), pour l’exercice l’information est sinusoïdale, f(t) == S
cos(ω t) avec S = 0,5V et F=5kHz. Sdc est une composante continue réglable.

1- Exprimer le signal de sortie u(t) et le mettre sous la forme u(t) = U (1+mf(t)) sin(ωp t) où m est
l’indice, ou taux, de modulation. Calculer U et m pour Sdc = 0,75V.
2- Représenter l’allure du signal u(t) pour m=150 %, 100 % et 50 %, donner alors les valeurs
extrêmes du signal u(t).
3- Représenter son spectre en fréquence et indiquer les amplitudes. Quelle est la largeur de la bande
de fréquence à transmettre.

II – Démodulation d’amplitude

La démodulation consiste à retrouver , à partir de lde l’onde modulée, l’information d’origine. On

peut envisager en particulier deux types de modulation ( ou détection)
- la détection d’enveloppe ou détection apériodique , où le signal modulé est redressé puis filtré.
- La détection cohérente ou synchrone, objet du problème.

1-Principe de démodulation cohérente

Les signaux em(t) et Vr(t) sont respectivement l’onde modulée en amplitude, soit :
em(t) = E(1+mcos(ω t)) sin(ωp t)
et un signal d’amplitude constante et de même pulsation que la porteuse, soit/
Vr(t) )= V sin(ωp t)

1- a- On envoie ces deux signaux sur l’entrée du multiplieur de la figure 1. Exprimer le signal
de sortie u(t) et représentez son allure pour m = 100 % en indiquant les valeurs extrêmes.

1-b- Représenter le spectre u(t) et montrer qu’il comporte 5 composantes que l’on précisera.

1-c- Comment peut on faire pour ne conserver que l’information basse fréquence et une
image de l’amplitude de la porteuse.

1/3
2- Reconstitution de la porteuse

Pour effectuer la démodulation cohérente, il faut disposer du signal Vr(t). Nous allons utiliser une
boucle à verrouillage de phase(PLL) sur la figure 2 pour reconstituer le signal de référence Vr(t),
c’est à dire la porteuse à partir du signal modulé en amplitude em(t). Cette boucle comprend :

Ve
Vd Vc Vs
X2 F2 OCT
Figure 2

- un multiplieur X2 identique à celui de la figure 1

- un filtre passe bas F2 dont la transmittance est égale à 1 pour tous les signaux de fréquence très
inférieure à Fp.
- un oscillateur contrôlé en tension OCT ( ou VCO), délivrant un signal sinusoïdal d’amplitude
constante Es et de pulsation ωs proportionnelle à la tension de sortie du filtre F2 :

ωs = ωp + Ko Vc d’où Vs(t) = Es cos( ωp t + φs), Es est contante avec dφs/dt = Ko Vc, Ko positif.

La boucle est dite verrouillée quand la fréquence du signal incident est égale à celle du signal de
sortie de l’oscillateur contrôlé.

2-a- Pour des tensions Ve(t) = E sin( ωp t + φe) et Vs(t) = Es cos( ωp t + φs) et si | dφe/dt|
et | dφs/dt| restent très inférieures à ωp.
-Montrer que la valeur de la tension de sortie du filtre F2 est
Vc(t) = Kd sin(φe - φs). Donner la valeur de Kd.
-Quand la boucle est verrouillée, qu’en déduisez vous quant à la différence de phase
des signaux d’entrée et de sortie ?
-Montrez que, pour un régime proche du verrouillage, on peut admettre que :
Vc # ( ou ≈) Kd (φe - φs)

2-b- Le signal Ve(t) est maintenant un signal modulé en amplitude du type :

Ve(t)=E(1 + m.cos(ω t)) . sin( ωp t)
-Exprimer la tension de commande de l’oscillateur contrôlé en tension (OCT) en
admettant l’approximation du paragraphe précédent(régime proche du verrouillage) et en déduire
l’équation différentielle donnant φs(t).
-Résoudre cette équation différentielle et en déduire que φs tend vers 0 rapidement.
-En déduire que le signal de sortie du VCO se fixe rapidement à la valeur Vs(t) = Es
cos( ωp t), qu’il y ait ou non une modulation d’amplitude sur la porteuse.

2-c- On fait suivre le VCO d’un quadripôle F3 introduisant un déphasage φ et une

atténuation A à la fréquence Fp.
-Quelle doit être la valeur de φ pour obtenir le signal Vr(t) de la première partie ?
-L’atténuation introduite par le quadripôle t elle une importance ?
-Quelle serait la valeur du signal de sortie V(t) si φ avait une valeur quelconque ?

2/3
3- Pourquoi préfère t on utiliser une boucle à verrouillage de phase pour reconstituer la porteuse
plutôt qu’un générateur indépendant réglé sur Fp ?

Schéma d’ensemble du détecteur synchrone

e Vd Vc
X2 F2 OCT

Vs

Vs

F3
eo
u v
X1 F1

3/3