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LES MEMOIRES
1. Introduction
Une mémoire est un dispositif capable d’emmagasiner puis de restituer une information. Son
fonctionnement apparaît alors sous trois aspects:
— l’inscription ou écriture de l’information dans le dispositif.
— la rétention ou stockage.
— la lecture ou restitution de l’information précédemment enregistrée.
Cette information, quelle que soit sa nature — nombre, texte, image, signal — doit être
décomposée en une suite ordonnée d’éléments binaires ou bits. Le bit représente l’unité
d’information élémentaire. Le dispositif de stockage associé s’appelle «point mémoire » ou cellule.
2. Capacité :
La capacité définit la quantité d’information qui peut être stockées dans un dispositif donné. Elle
peut s’exprimer en bits ou en mots de n bits.
Du point de vue de l’utilisateur, une mémoire est, en première approche, un tableau contenant
des informations binaires. On appelle organisation d’une mémoire les dimensions de ce tableau.
Elle est exprimée en mots de n bits, où n représente le nombre de colonnes du tableau.
Exemples:
— Une mémoire de 64K x 1 est constituée de 64K mots de 1 bit.
Sa capacité est donc de 64K bits.
— Une mémoire de 8K x 8 a également une capacité de 64K bits, mais le nombre de lignes
du tableau, donc le nombre de mots, est de 8K.
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Mémoires à semi-
conducteur
Dynamique
Non
Volatile
Volatile
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Ce sont des mémoires vives à accès séquentiel. Suivant l’ordre d’entrée et de sortie plusieurs
appellations leur sont données:
les piles FIFO (first in - first out ou premier entré - premier sorti) sont des circuits pour
lesquels les informations sont disponibles en sortie dans l’ordre d’entrée (file d’attente);
les piles LIFO (last in - first out ou dernier entré - premier sorti), pour lesquelles les
informations sont disponibles en sortie dans l’ordre inverse de leur entrée (exemple: une pile
d’assiettes).
Les mémoires mortes sont appelées des ROM (Read Only Memories = mémoires à lecture
seule), car en usage normal elles sont destinées uniquement à être lues (l’opération d’écriture étant
considérée comme un événement exceptionnel).
On distingue plusieurs types de mémoires mortes suivant les possibilités d’écriture voire
d’effacement des informations:
Les ROM proprement dites, qui sont «écrites» une fois pour toutes lors de la fabrication du
circuit.
Les PROM (Programmable ROM = ROM programmable) désignent les circuits pour
lesquels l’utilisateur peut, par destruction de fusibles ou de jonctions, inscrire lui-même les
informations dans les cellules mémoires.
Les EPROM (Erasable PROM = PROM effaçable) sont de plus effaçables, généralement
par exposition aux rayonnements ultra-violets.
Les EAROM ou EEPROM (Electrically Alterable ROM ou Electrica//y Erasable PROM,
soit PROM effaçable ou modifiable électriquement) constituent une dernière catégorie de mémoires
mortes pour lesquelles le contenu est modifiable électriquement. Ce ne sont cependant pas des
mémoires vives car l’opération d’écriture est très lente vis-à-vis du temps de lecture. D’autre part, le
nombre d’écritures reste limité.
L’évolution conjointe des mémoires vives non volatiles et des mémoires mortes modifiables
électriquement rend de plus en plus difficiles les distinctions arbitraires en ROM et RAM.
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• CS ou CE (Chip Select ou Chip Enable) représente l’entrée de sélection d’un boîtier. Dans la
plupart des cas cette entrée est active au niveau électrique bas. La barre de complément logique est
alors placée sur le symbole de la commande.
Cette entrée permet l’activation ou non du boîtier. Ceci est particulièrement utile dans le cas
d’architecture mettant en oeuvre plusieurs circuits mémoires partageant les mêmes bus. Seul le
boîtier sélectionné a alors accès aux bus de données.
• 0E (output enable) est une commande parfois utilisée en plus de la sélection du boîtier, pour
contrôler l’activité des amplificateurs de sortie. Elle assure une sécurité supplémentaire dans la
gestion des bus. (On parle de conflit de bus lorsque deux circuits essayent en même temps
d’imposer des valeurs sur les mêmes fils, ceci pouvant entraîner la destruction des circuits.)
• R/W ou WE (Read/ Write ou Write Enable). Cette entrée n’a de raison d’être que dans le cas
des mémoires vives. Elle constitue la commande d’écriture des données en mémoire.
• D’autres commandes peuvent être ajoutées afin de répondre à certains emplois spécifiques
de circuits particuliers. Citons les entrées de programmation des ROM programmables,_les
commandes de rafraîchissement des mémoires dynamiques, la sortie MRDY (Memory Ready -
mémoire prête) de certains boîtiers, etc.
Enfin signalons la possibilité de fournir l’adresse d’un mot mémoire en deux temps, adresse ligne
puis adresse colonne. Sont alors associées deux entrées appelées /CAS et /RAS ( Column Address
Select et Row Address Select)
7. Aspect temporel.
L’échange d’information entre un circuit mémoire et l’extérieur doit respecter certaines règles
ou protocoles:
— sélection des boîtiers,
— présentation de l’adresse,
— écriture ou recueil des données,
— désélection du boîtier.
La grande majorité des circuits mémoire à semi-conducteur travaillent à l’aide d’un protocole
synchrone,
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Temps importants :
TAA : Temps d’accès par rapport aux adresses. C’est le temps maximal qui s’écoule entre le
moment où les adresses sont positionnées et le moment où les données sont valides en
sorite.
TACE : Temps d’accès par rapport à la sélection du boîtier.
TH (Hold time) : Détermine le temps de maintien minimum des données après déselection
du boîtier.
TCL : Temps de cycle lecture, désigne le temps minimum entre deux accès à la mémoire en
lecture.
Dans ce cas le système positionne les adresses, sélectionne le boitier, positionne les données et
enfin l’odre d’écriture.
Les données doivent être stables pendant une durée TDSW (set-up time) avant l’instant d’écriture et
rester valides et stables pendant une durée TDHW ( hold time)après cet instant.
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8. Le disque dur.
Cependant, les têtes sont liées entre elles et seulement une seule tête peut lire
ou écrire à un moment donné. On parle donc de cylindre pour désigner
l'ensemble des données stockées verticalement sur la totalité des disques.
L'ensemble de cette mécanique de précision est contenu dans un boîtier
totalement hermétique, car la moindre particule peut détériorer l'état de surface du disque. Vous
pouvez donc voir sur un disque des opercules permettant l'étanchéité, et la mention "Warranty void
if removed" qui signifie littéralement "la garantie expire si retiré" car seuls les constructeurs de
disques durs peuvent les ouvrir (dans des salles blanches: exemptes de particules).
8.3. La lecture et l'écriture
Les têtes de lecture/écriture sont dites "inductives", c'est-à-dire
qu'elles sont capables de générer un champ magnétique. C'est
notamment le cas lors de l'écriture : les têtes, en créant des
champs positifs ou négatifs, viennent polariser la surface du
disque en une très petite zone, ce qui se traduira lors du passage
en lecture par des changements de polarité induisant un courant
dans la tête de lecture, qui sera ensuite transformé par un
convertisseur analogique numérique (CAN) en 0 et en 1
compréhensibles par l'ordinateur.
Les têtes commencent à inscrire des données à la périphérie du
disque (piste 0), puis avancent vers le centre. Les données sont
organisées en cercles concentriques appelés "pistes", créées par
le formatage de bas niveau.
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