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Université de Batna-2 Cours (DPV/M1/ME)


Faculté de Technologie (2019/2020_S2)
Département d'Electronique
1ere Année Master: Microélectronique
Module: Dispositifs Photovoltaïques Code: DPV
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I. Energies renouvelables
(1- Energie solaire thermique 2- Énergie solaire photovoltaïque 3- Énergie solaire thermodynamique)
L'énergie solaire thermique, photovoltaïque et autre est dite renouvelable, car sa source est considérée
comme inépuisable à l'échelle de temps humaine.

I-1. Energie solaire thermique


L’énergie solaire thermique est une forme d'énergie solaire. Elle désigne l'utilisation de l'énergie
thermique du rayonnement solaire dans le but d'échauffer un fluide (liquide ou gaz). L'énergie reçue
par le fluide peut être ensuite utilisée directement (eau chaude sanitaire, chauffage, etc.) ou
indirectement (production de vapeur d'eau pour entraîner des alternateurs et ainsi obtenir de l'énergie
électrique, production de froid, etc.).
L'énergie solaire thermique provient de la chaleur transmise par le soleil par rayonnement et ne doit
pas être confondue avec d'autres formes d'énergie solaire et notamment l'énergie solaire
photovoltaïque qui utilise l'effet photoélectrique afin de transformer les photons émis par le soleil en
électricité.
Le capteur solaire est l'instrument utilisé pour transformer le rayonnement solaire en chaleur. Les
principes physiques fondamentaux sur lesquels se basent cette production d'énergie sont notamment
l'absorption, et la conduction thermique.
À l'échelle d'une habitation individuelle ou collective, il est possible d'installer un chauffe-eau solaire,
ou un chauffage solaire : il s'agit de capteurs vitrés installés le plus souvent sur la toiture, dans
lesquels circule un liquide caloporteur réchauffé par le rayonnement solaire, qui
transmet ensuite la chaleur à un réservoir
d'eau.
L'énergie solaire thermique est une source
d'énergie gratuite, inépuisable, fiable et non
polluante.Les applications du solaire
thermique, dans le bâtiment consistent à
capter la chaleur offerte par le soleil afin de
la stocker et de la réutiliser pour des besoins
de chauffage, d’eau chaude sanitaire ou
encore pour réchauffer la piscine.
Le chauffe-eau solaire permet de produire
l’eau chaude sanitaire utilisée par les
habitants d’un logement. Les économies
réalisées représentent de 50 à 80% des
dépenses d'énergie nécessaires à la
production d'eau chaude sanitaire

I-2. Énergie solaire photovoltaïque


L'énergie solaire photovoltaïque est une énergie électrique produite à partir du rayonnement solaire.
Cette énergie n'est cependant pas totalement renouvelable, car la fabrication des panneaux
photovoltaïques, leur installation et leur exploitation consomment de l'énergie issue en grande partie
de sources non renouvelables; mais un système photovoltaïque produit entre 20 et 40 fois plus
d'énergie que ce qui a été utilisé pour le fabriquer.
L’énergie solaire photovoltaïque provient de la conversion de la lumière du soleil en électricité au sein
de matériaux semi-conducteurs comme le silicium. Ces matériaux photosensibles ont la propriété de
libérer leurs électrons sous l’influence d’une énergie extérieure (énergie solaire), c’est l’effet
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photovoltaïque. L’énergie est apportée par les photons, (composants de la lumière) qui heurtent les
électrons et les libèrent, induisant un courant électrique. Ce courant continu de micro puissance
calculé en watt crête (Wc) peut être transformé en courant alternatif grâce à un onduleur.
La cellule photovoltaïque est le composant
électronique de base. Plusieurs cellules reliées
entre elles forment un module solaire
photovoltaïque. Plusieurs modules regroupés
forment une installation solaire. L’électricité
produite est disponible sous forme d’électricité
directe ou stockée en batteries (énergie électrique
décentralisée) ou en électricité injectée dans le
réseau.

L’effet photovoltaïque a été découvert par Antoine Becquerel en 1839. Il est le produit du choc des
photons de la lumière sur un matériau semi-conducteur qui transmet leur énergie aux électrons qui
génèrent une tension électrique.
Les cellules photovoltaïques produisent du courant continu à partir du rayonnement solaire, qui peut
être utilisé pour alimenter un appareil ou recharger une batterie. De nombreuses calculatrices de poche
utilisent l’énergie photovoltaïque.
Dans un premier temps, cette énergie était utilisée pour alimenter des satellites en orbite. Par la suite,
son utilisation s’est répandue pour des équipements électriques dans des sites isolés, puis sur des
bateaux ou des véhicules. Une baisse des coûts de production a ensuite élargi le champ d’application
de l’énergie photovoltaïque à la production d’électricité sur le réseau électrique. L’application de
l’énergie photovoltaïque nécessite, cependant, d’être transformée en courant alternatif à l’aide d’un
onduleur.

I-3. Énergie solaire thermodynamique


L'énergie solaire thermodynamique désigne l'énergie récupérée par concentration du soleil sur des
capteurs paraboliques, cylindro-parabolique ou des centrales dites ''à tour'' pour assurer la production
d'électricité. La chaleur ainsi concentrée réchauffe un fluide caloporteur, en général de l'huile ou des
sels fondus, dans une gamme de température allant de 250 à 800°C selon les techniques utilisées.

Ces fluides viennent ensuite chauffer de l'eau dont la vapeur entraîne un turboalternateur, à l'instar
d'une centrale thermique classique.
Des unités prototypes de l'ordre de quelques dizaines de kilowatts (kW) à une dizaine de mégawatts
(MW) ont été construites à travers le monde.
Certaines centrales n'ont cessé d'être exploitées et de voir leur productivité s'améliorer. Elles
témoignent maintenant de la relative maturité de cette filière avec des prix de revient de l'électricité
autour de 0,1 euro le kWh. Un potentiel d'amélioration de 20 à 30 % reste envisageable, notamment
avec la production directe de vapeur dans les capteurs, et l'optimisation des miroirs
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Les fluides caloporteurs et thermodynamiques


L’énergie thermique provenant du rayonnement solaire collecté est convertie grâce à un fluide
caloporteur puis un fluide thermodynamique. Dans certains cas, le fluide caloporteur est utilisé
directement comme fluide thermodynamique. Le choix du fluide caloporteur détermine la température
maximale admissible, oriente le choix de la technologie et des matériaux du récepteur et conditionne
la possibilité et la commodité du stockage.
• Les huiles sont des fluides monophasiques qui présentent un bon coefficient d’échange. Leur gamme
de température est limitée à environ 400 °C. C’est le fluide le plus couramment employé dans les
centrales à collecteurs cylindro-paraboliques.
• Les sels fondus à base de nitrates de sodium et de potassium offrent un bon coefficient d’échange et
possèdent une densité élevée, ils sont donc également de très bons fluides de stockage. Leur
température de sortie peut atteindre 650 °C. Leur association avec un concentrateur à tour et un cycle
de Rankine constitue une combinaison déjà éprouvée.
• Les gaz tels l’hydrogène ou l’hélium peuvent être utilisés comme fluides thermodynamiques et
entrainer les moteurs Stirling qui sont associés aux collecteurs paraboliques.
• L’eau liquide est a priori un fluide de transfert idéal. Elle offre un excellent coefficient d’échange et
possède une forte capacité thermique. En outre, elle peut être utilisée directement comme fluide
thermodynamique dans un cycle de Rankine. Cependant son utilisation implique de travailler à des
pressions très élevées dans les récepteurs en raison des hautes températures atteintes, ce qui pose
problème pour les technologies cylindro-paraboliques.
• Les fluides organiques (butane, propane, etc.) possèdent une température d’évaporation
relativement basse et sont utilisés comme fluide thermodynamique dans un cycle de Rankine.
• L’air peut être utilisé comme fluide caloporteur ou comme fluide thermodynamique dans les
turbines à gaz.

Glossaire du solaire thermodynamique


• Solaire thermodynamique : également appelé solaire à concentration ou CSP (concentrated solar
power), cette technologie permet de convertir le rayonnement solaire direct en électricité via des
processus thermodynamiques
• Miroir : également appelé collecteur, capteur, réflecteur ou concentrateur, le miroir est le système
qui permet de collecter et de concentrer le rayonnement solaire
• Fluide caloporteur : également appelé fluide de transfert, il est chargé de transporter la chaleur
collectée et concentrée par le miroir
• Fluide thermodynamique : appelé également fluide de travail, il permet d’actionner et d'entraîner
les machines (moteurs, turbines, etc.)
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II. Notions de rayonnement solaire


Le soleil
Le soleil est une étoile autour de laquelle gravite la terre. Son énergie provient des réactions
thermonucléaires de fusion de l'hydrogène en hélium. Sa température superficielle moyenne est
estimée à 5800K. La surface lumineuse habituellement visible, ou photosphère, est d'environ 100 km
d'épaisseur. La chromosphère est la couche inférieure de l'atmosphère solaire, entre la photosphère et
la couronne. Les taches solaires sont des taches sombres sur la surface de la photosphère qui
correspondent à des zones plus froides, elles ont une très grande diversité de forme et d'étendue. Les
observateurs comme Galilée, ont vu que les taches se déplaçaient au fil du temps, toujours dans le
même sens, ainsi montrant la rotation du soleil. Le globe solaire limité par la photosphère à un rayon
égal à 696000km, soit environ 109 fois le rayon équatorial de la terre. Sa densité moyenne n'est que de
1,41 de sorte que sa masse est seulement 333.000 fois celle de la terre, pour un volume 1300000 fois
plus important. La distance moyenne de la terre au soleil est voisine de 150 millions de km. Le
rayonnement solaire met environ 8 minutes pour nous parvenir.
Le soleil tire son énergie des réactions thermonucléaires se produisant en permanence dans son noyau,
dont la température atteint 15 millions de degrés.
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Compte tenu des températures et des pressions énormes qui y règnent, toute la matière se trouve à
l’état gazeux ou sous forme de plasma. La couche externe du soleil, la photosphère, celle qui est
visible de la terre, a une température considérablement plus faible qui décroît vers l’extérieur, jusqu’a
environ 5 800°K.
Quelques définitions
1- La photométrie est la science qui étudie le rayonnement lumineux tel qu'il est ressenti par la vision
humaine. Elle se base sur la radiométrie.
2- La radiométrie est le domaine qui étudie la mesure de l'énergie transportée par les rayonnements,
dont les rayonnements électromagnétiques comme la lumière visible.
Les appareils de mesure de grandeurs photométriques sont munis de filtres optiques qui effectuent
cette pondération. Le domaine d'application principal de la photométrie est l'éclairagisme.
3- Le corps noir
Le corps noir est un objet idéal qui absorberait parfaitement toute l'énergie électromagnétique qu'il
reçoit, sans en réfléchir ni en transmettre. Il n'est fait aucune autre hypothèse sur la nature de l'objet.
Sous l'effet de l'agitation thermique, le corps noir émet un rayonnement électromagnétique. À
l'équilibre thermique, émission et absorption s'équilibrent et le rayonnement effectivement émis ne
dépend que de sa matière de la température (rayonnement thermique). La qualification de "noir" vient
donc de ce que la lumière visible est entièrement absorbée. Cependant, si la température du corps est
suffisamment élevée, son rayonnement émis atteint le spectre de la lumière visible et il peut être
visible à notre œil.
Cela ne signifie pas pour autant que le corps noir n'émet pas d'énergie : dans un état stationnaire
(caractérisé par une température constante), il émet autant d'énergie qu’il en reçoit. Seulement, le
spectre de la lumière émise n’est pas nécessairement lié au spectre de la lumière reçue : cette
émission est due à l'agitation, désordonnée, des particules constituant le corps. À la température
ambiante, un tel corps ne réfléchit pas la lumière et n’émet pas dans le domaine visible, il apparaît
donc noir. Mais au fur et à mesure qu’il est porté à une température plus élevée, il émet d’abord dans
le rouge, puis dans tout le visible, ce qui lui donne un aspect blanc.

Définition de quelques grandeurs énergétiques typiques du rayonnement,


indispensables à la compréhension des propriétés du corps noir.
3-1 Flux énergétique de rayonnement φ :
On définit le flux énergétique de rayonnement d comme étant la quantité d'énergie (Q) reçue
par unité de temps (c à d la puissance de rayonnement) par une surface dS , énergie émise par une
source ponctuelle. Il s'exprime en watts (W). φ = dQ/dt
On suppose que le rayonnement se propage dans un milieu transparent et homogène.
3-2 Intensité énergétique : I
L'intensité I d'un faisceau ou d'une
source dans une direction donnée
est le quotient d’une portion dφ du
flux émis par la source dans une
direction considérée, dans un cône
infiniment petit, axé sur cette
direction, par l'angle solide
élémentaire dΩ déterminé par ce
cône
I = d/d (W.sr-1)

3-3 Emittance énergétique : M


L'émittance énergétique M d'une source, en un point d'une surface émissive, est le quotient du flux dφ
à partir d'un élément infiniment petit entourant le point, par l'aire dS de cet élément :
M = d/dS (W.m-2 )
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3-4 Luminance énergétique : L


La luminance du point O situé dans un élément dS
d'une source, dans une direction faisant un
angle θ avec la normale à dS est égale au quotient de
l'intensité dI en ce point par l'aire de la projection de
dS perpendiculairement à cette direction : L = dI /
dS.cos() (W.m-2.sr-1 )
3-5 Eclairement énergétique : E (ou Irradiance)
L'éclairement énergétique E en un point d'une surface réceptrice est le quotient du flux reçu
par un élément infiniment petit entourant le point, par l'aire de cet élément:E = d /dS (Wm-2)
3-6 Grandeurs radiométrique
Équivalent Grandeur Unité SI (nom et Dimensio
Symbole
photométrique radiométrique symbole) n
Quantité de
Énergie rayonnante Qe joule (J) M⋅L²⋅T²
lumière
Flux lumineux Flux rayonnant e watt (W) M⋅L²⋅T⁻³
Intensité
Intensité rayonnante Ie watt par stéradian (W⋅sr⁻¹) M⋅L²⋅T⁻³
lumineuse
watt par stéradian par
Luminance Rayonnance/Radiance Le M⋅T⁻³
mètre carré (W⋅sr⁻¹⋅m⁻²)
Éclairement Éclairement watt par mètre carré
Ee M⋅T⁻³
lumineux énergétique (W⋅m⁻²)
Émittance watt par mètre carré
Émittance Me M⋅T⁻³
lumineux (W⋅m⁻²)
Exposition Exposition au joule par mètre carré
He M⋅T⁻²
lumineuse rayonnement (J⋅m⁻²)

5- Les lois du corps noir


5-1 Loi de Planck
La loi de Planck décrit l'émission d'un corps noir de température T.
La luminance monochromatique (ou spectrale) Lpour une longueur d'onde donnée (ou densité
spectrale d'émission) du corps noir est donnée par la loi de Planck :
C1 = 2.h.c2 et C2 = h.c/k
h: constante de Planck h = 6,626×10−34 J s
k: constante de Boltzmann k = 1,38×10−23 J K−1
(Wm-2sr-1Hz-1) c: vitesse de la lumière c = 3,00×108 m s−1
Ainsi, C1 ≈ 1,19×10−16 W m2 sr−1, C2 ≈ 1,44×10−2 m K..

Courbes de rayonnement du
corps noir à différentes
températures selon l'équation
de Planck comparées à une
courbe établie selon la théorie
classique de Rayleigh et
Jeans.
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5-2 Loi de Wien


Le maximum de ce spectre est donné par la loi de Wien :
max = h.c/(4,965.KB.T) = 2,898.10-3/T avec en mètres et T en kelvins. Cette dernière loi exprime le
fait que pour un corps noir, le produit de la température et de la longueur d'onde du pic de la courbe
est toujours égal à une constante. Cette loi très simple permet ainsi de connaître la température d'un
corps assimilé à un corps noir par la seule position de son maximum, ce qui permet de définir la
température liée à la couleur de l'objet
Température et couleur
objet (corps noir) température (K) max domaine spectral
étoile type O 50 000 60 nm UV
soleil 6 000 0.5 m visible
Terre 300 10 m IR
nuage moléculaire H2 20 0.15 mm submm
fond cosmologique 3 1 mm mm

5-3 Loi de Stefan-Boltzmann


D'après la loi de Stefan-Boltzmann, la densité de flux d'énergie ou densité de puissance ou émittence
énergétique en W m-2) émis par le corps noir varie en fonction de la température absolue T (exprimée
en kelvin) selon la formule :
où σ est la constante de Stefan-Boltzmann qui vaut environ
σ =5,67×10-8 W⋅m-2⋅K-4. (T) est l'intégration sur toutes les longueurs d'ondes de (, T):

où  = c/ est la fréquence


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6- Absorption par l’atmosphère et albédo
[les planètes telluriques sont principalement composées de roches et de métaux et ont une densité
relativement élevée, une rotation lente, une surface solide, pas d'anneaux et peu de satellites (Mercure,
Vénus, la Terre, et Mars par exemple)].
L'atmosphère des planètes telluriques est le fluide gazeux qui entoure leur surface. Ce gaz est
maintenu par l'attraction gravitationnelle et est entraîné avec la planète. On caractérise ces
atmosphères par plusieurs aspects tels que leur température, leur composition, la présence de nuages et
leur météorologie. L'étude de ces différents aspects est bien évidemment couplée et permet à la fois
de mieux comprendre ces atmosphères et leur interaction avec la surface (et les océans dans le cas de
la Terre), ainsi que le type de climat associé et son évolution dans le temps. De plus, l'étude des
atmosphères planétaires permet de comprendre la formation des planètes et leur histoire. Finalement,
la comparaison de l'histoire des atmosphères (i.e. la planétologie comparée) permet de comprendre les
paramètres physico-chimiques qui sont à l'origine de leur évolution distincte.

6-1 Température d'équilibre


Le Soleil est la source d'énergie principale reçue par les planètes. La température d'équilibre à la
surface des planètes dépend de leur distance au Soleil. Plus on est près du Soleil plus il fait chaud
(Mercure) et plus on est loin plus il fait froid (Mars). Le mécanisme physique qui permet ce chauffage
est l'absorption par la surface du rayonnement solaire émis dans le domaine Ultra-Violet (UV) et
visible. En fonction des propriétés de la surface (composition, relief, océans, calotte polaire, ) et de la
latitude, le sol absorbera plus ou moins efficacement ce rayonnement, tandis que l'énergie solaire non-
absorbée sera réfléchie par la surface vers l'espace. Le coefficient de réflexion, caractérisant la part
d'énergie réfléchie, est appelé albédo. Il dépend aussi de la composition chimique de l'atmosphère et
de la couverture nuageuse.
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6-2 Effet de serre


La surface de la planète absorbe l'énergie solaire dans le
domaine UV-visible, puis elle se refroidit en émettant un
rayonnement Infrarouge (IR). Ce rayonnement IR se
dirige vers l'espace en traversant l'atmosphère de la
planète, avec laquelle elle peut interagir. Les gaz à effet
de serre tels que l'eau (H2O) , le dioxyde de carbone ou
gaz carbonique (CO2), et le méthane (CH4) présents dans
une atmosphère absorbent le rayonnement IR et le re-
émettent dans toutes les directions, et notamment vers la
surface, favorisant ainsi une accumulation de l'énergie thermique, et par conséquent une augmentation
de la chaleur.
Ainsi, la température moyenne à la surface peut être supérieure à la température d'équilibre de la
planète (cas de Vénus et de la Terre). L'effet de serre est notablement présent lorsque l'on a une
atmosphère relativement transparente dans le domaine UV-visible et opaque dans l'infrarouge. On
notera que la présence de nuages peut aussi augmenter l'effet de serre (par exemple les nuages d'acide
sulfurique sur Vénus). L'effet de serre augmente la température à la surface de Vénus, la Terre et
Mars, respectivement de 500, 35 et 5 °C.
6-3 La constante solaire
La constante solaire exprime la quantité d’énergie solaire que recevrait une surface de 1 m2 située à
une distance de 1 ua (distance moyenne Terre-Soleil = 150 millions de kilomètres,), exposée
perpendiculairement aux rayons du Soleil, en l'absence d’atmosphère.
Pour la Terre, c'est donc la densité de flux énergétique au sommet de l'atmosphère.
Elle s’exprime en watt par mètre carré (W⋅m-2).
Sur Terre : F = 1 360,8 ± 0,5 W/m².
Cette énergie est dissipée sur l'ensemble de la surface terrestre, soit sur quatre fois la surface du grand
disque équatorial. Le rayonnement solaire incident moyen sur la surface totale est
f = F/4  340 (W.m-2)
Cette valeur moyenne est prise en compte dans le bilan radiatif terrestre. Pour une distance moyenne
entre la terre et le soleil. L'irradiation émise par le soleil à la terre aboutit à une intensité presque fixe
dite constante solaire qui est de 1360w/m2 (Monteith 1962) [16].
La constante solaire est l'énergie solaire reçue par unité de temps et par unité de surface d'une
superficie perpendiculaire à la direction de propagation du rayonnement solaire.
6-4 Energie solaire et l’orbite terrestre
Le flux solaire incident est fonction de la luminosité solaire et inversement proportionnel au carré de
la distance au soleil. La Constante solaire correspond au flux solaire ramené à la distance Terre-
Soleil. Elle varie selon l'activité solaire (cycle de 11 ans) et l'excentricité de l'orbite terrestre: périhélie
(3 janvier) : 1410 W / m2
aphélie (3 juillet): 1320 W / m2 moyenne annuelle: 1368 W / m2

L'orbite terrestre est une ellipse de faible


excentricité ( 2% ).
La distance moyenne de la Terre au Soleil
est l'Unité Astronomique;
1 U.A. = 149,5 106 km
Le flux solaire est réparti sur la surface
sphérique de la Terre qui est 4 fois plus
grande que sa section. En 24 heure, compte-
tenu de la rotation de la Terre (qui occulte la
partie opposée au soleil), , le flux solaire
moyen qui atteint le sommet de de
l'atmosphère est de 342 W / m2.
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Cette valeur reste très théorique (grande différence en pratique entre le flux reçu à l'équateur et aux
pôles). Comparativement, le flux de chaleur d'origine interne est négligeable (0,06W/m2).
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Physique de la cellule photovoltaïque


3-1 Matériaux semi-conducteurs
Très longtemps auparavant les hommes de science répartissaient les matériaux en deux classes vis-à-
vis de leur conduction électrique : les isolants (diélectriques) et les conducteurs. Cependant, vers 1833
M. Faraday a remarqué qu’il existait des matériaux ne pouvant être classés dans aucune de ces deux
catégories. Suivant la valeur de la température, ces matériaux semi-conducteurs peuvent être des
conducteurs, des isolants ou (ni conducteur ni isolant).
C’est-à-dire leur conductivité σ (ou résistivité ρ =1/σ) dépend fortement de la température,
Et la fonction σ(T) des semi-conducteurs est différente de celle de conducteurs et des isolants.
Par exemple une augmentation de la température (T) induit une diminution de la conductivité σ(T)
pour les conducteurs.
En revanche, une augmentation de la température induit une augmentation de la conductivité σ(T)
pour les semi-conducteurs. [Un semi-conducteur est un isolant pour une température de 0K].
Et puisque leur conductivité est intermédiaire entre les conducteurs et les isolants, ils ont été nommés
matériaux semi-conducteurs.
Conclusion :
Un semi-conducteur, comme le silicium par exemple, c’est un matériau qui n’est ni tout à fait un
conducteur d’électricité, ni tout à fait un isolant. Il peut être soit l’un, soit l’autre selon diverses
conditions.
Le caractère conducteur ou isolant prend sa source dans la structure même des atomes : chaque
élément du tableau périodique possède un certain nombre d’électrons qui sont agencés autour d’un
noyau. C’est cet agencement sous la forme de couches d’électrons, différent selon les éléments, qui est
responsable de la conductivité électrique.
Les électrons d’un atome peuvent avoir plusieurs rôles au sein d’une structure d’atomes :
▪ électrons de cœur : ceux-ci sont proche du noyau et n’interagissent pas vraiment avec les autres
atomes ;
▪ électrons de valence : ceux-ci sont sur les couches externes de l’atome et permettent de créer des
liaisons interatomiques et de former les molécules ;
▪ électrons de conduction : ceux-ci sont responsables de la circulation du courant électrique.

Les différents types de semi-conducteurs


▪ Semi-conducteur intrinsèque: Semi-conducteur non dopé [sans impuretés et sans défauts].
▪ Semi-conducteur extrinsèque: Semi-conducteur dopé [avec impuretés et défauts].
▪ Semi-conducteur homogène: Semi-conducteur intrinsèque, cristal parfait sans impuretés ni défauts
ou Semi-conducteur extrinsèque homogène dopé uniformément.
▪ Semi-conducteur inhomogène: Semi-conducteur qui contient des impuretés ou des défauts
ou Semi-conducteur dont le dopage est non uniforme.
▪ Semi-conducteur simple: Semi-conducteur constitue d’un seul type d’atomes (Si, Ge, C,…)
▪ Semi-conducteur composé: C’est le semi-conducteur constitue de plusieurs types d’atomes et on
peut avoir des composés : Binaires, Ternaires, Quaternaires,… ..

3-2 Théorie des bandes


Les propriétés électriques d’un matériau sont déterminées par la distribution des charges dans ce
matériau. Par exemple, la conduction dépend de l’occupation des électrons dans leurs bandes
d’énergies. En effet le remplissage des bandes d’énergie par les populations d’électrons se fait dans le
sens énergétique croissant des cases quantiques.
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Au zéro absolu de température, le plus haut niveau d’énergie occupé est appelé niveau de Fermi EF.
Au delà de ce niveau, toutes les cases quantiques sont vides. Aux alentours du niveau de Fermi, on
discerne donc 3 bande énergétiques principales :
– La bande de valence BV d’énergie EV est la bande d’énergie immédiatement sous le niveau de
Fermi. Les électrons de cette bande sont dans des états localisés et contribuent à la cohésion locale du
solide. Au zéro absolu, c’est la bande pleine du matériau ayant la plus haute énergie.
– La bande de conduction BC d’énergie EC est la bande d’énergie contenant ou immédiatement au
dessus du niveau de Fermi. Les électrons de cette bande se situent dans les états d’énergie supérieurs
délocalisés.
Au zéro absolu de température, cette bande(EC) est vide pour les isolants et les semi-conducteurs ou
partiellement pleine pour les conducteurs. L’augmentation de température dans le cas des isolants et
des semi-conducteurs permet de faire passer quelques électrons de la bande de valence à la bande de
conduction grâce à l’énergie d’activation thermique d’amplitude kBT où kB est la constante de
Boltzmann et T la température. Les électrons de la bande de conduction peuvent se déplacer dans un
champ électrique macroscopique. À noter dans le cas des isolants et des semi-conducteurs que le
passage d’un électron de la bande de valence à la bande de conduction libère une place dans la
bande de valence qui permet également aux électrons de cette bande de se déplacer dans un champ
macroscopique.
–La bande interdite BI (ou bande de Fermi)
est la bande qui se situe entre le haut de la
bande de valence et le bas de la bande de
conduction. On définit cette bande
uniquement dans le cas des isolants et des
semi-conducteurs car elle n’a pas d’intérêt
dans le cas des conducteurs. La largeur de la
bande interdite EG est appelée gap et elle est
égale à :EG = EC − EV .
La Figure représente les diagrammes des bandes d’énergie de différents matériaux.
Dans la plupart des matériaux conducteurs, le niveau de Fermi se trouve approximativement au
milieu de la bande de conduction [La signification physique de l'énergie de Fermi (niveau de Fermi)
est qu'elle est la plus grande énergie d'électrons à la température T= zéro], le nombre d’états occupés
par les électrons étant sensiblement égal au nombre d’états vides. Alors, même à basse température,
un grand nombre d’électrons est libre de se déplacer d’une case quantique à l’autre. C’est la cause de
la forte conductivité de ces matériaux. Dans d’autres cas la bande de valence et la bande de
conduction se chevauchent, ce qui a pour résultat de produire le même effet que précédemment.
Dans les matériaux isolants, le niveau de Fermi se situe au milieu de la bande interdite, entre la bande
de valence qui est permise et pleine d’électrons et la bande de conduction qui est permise mais vide
d’électrons. Comme la bande de valence est pleine il ne reste plus de case quantique libre et les
électrons ne peuvent pas circuler. De même, comme la bande de conduction est vide, elle ne contient
aucun électron à faire circuler. En augmentant la température, l’énergie d’activation thermique ne
suffit pas pour promouvoir suffisamment d’électrons de la bande de valence pleine vers la bande de
conduction vide, ce qui empêche toujours la conduction du courant.
Dans les matériaux semi-conducteurs, le niveau de Fermi se situe également au milieu de la bande
interdite, entre la bande de valence et la bande de conduction. Cependant, la bande interdite a une
largeur beaucoup plus petite que celle des matériaux isolants. À très basse température, les matériaux
semi-conducteurs se comportent donc comme les isolants car l’énergie d’activation thermique reste
insuffisante pour promouvoir les électrons de la bande de valence vers la bande de conduction. En
revanche, à température ambiante, l’apport d’énergie thermique kBT suffit pour que des électrons
passent de la bande de valence à la bande de conduction. Ainsi la conduction d’un matériau semi-
conducteur augmente avec la température, d’une part parce que les électrons qui arrivent dans la
bande de conduction peuvent facilement se déplacer, et d’autre part parce que les cases quantiques
libérées dans la bande de valence permettent aussi aux électrons de la bande de valence de se déplacer.
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On a alors deux modes de conduction. Il existe d’autres facteurs pour agir sur la conductivité des
matériaux semi-conducteurs, par exemple le dopage.
Dopage
Le dopage consiste à ajouter des impuretés dans le matériau cristallin pur afin de modifier ses
propriétés électriques dont la conductivité et le niveau de Fermi. Les atomes étrangers peuvent être
donneurs d’électrons ou accepteurs d’électrons selon leur place dans le tableau périodique par rapport
à l’atome remplacé. Si l’impureté est immédiatement à droite de l’atome remplacé dans le tableau
périodique, alors elle possède un électron de valence supplémentaire qui une fois ionisé, le libère dans
la bande de conduction. Dans ce cas le dopant est dit donneur. Si l’impureté se situe immédiatement
avant l’atome remplacé dans le tableau périodique, il lui manque un électron de valence, l’ionisation
de l’impureté prend alors un électron de la bande de valence, ce qui libère une case quantique et
permet la conduction. Dans ce cas le dopant est dit accepteur. Parmi les donneurs utilisés dans le cas
du silicium, on cite le phosphore, l’arsenic, le lithium et l’antimoine, et parmi les accepteurs, on cite
l’aluminium, l’or, le bore et le cuivre. Si la concentration du dopant est négligeable, un semi-
conducteur est dit intrinsèque. En revanche, si la concentration du dopant est élevée, il est dit
extrinsèque. On distingue deux types différents de semi-conducteurs extrinsèques : le type p et le type
n. Un semi-conducteur est dit de type p si les impuretés qui lui sont ajoutés sont des accepteurs, les
porteurs majoritaires engendrés dans ce cas sont des trous, c’est-à-dire des absences d’électrons dans
la bande de valence. Il est en effet plus pratique de regarder comment se déplacent les places vides
(trous) dans la bande de valence que les électrons, ces derniers étant en très grand nombre par rapport
aux premiers. Un semi-conducteur est dit de type n si les impuretés qui lui sont ajoutés sont des
donneurs, les porteurs majoritaires engendrés dans ce cas sont des électrons.

Statistique de Fermi-Dirac, Fonction d’occupation de Fermi-Dirac


L’existence des bandes dont les niveaux d’énergie sont permis aux électrons, et la connaissance de la
densité de ces niveaux , ne suffisent pas pour savoir quels niveaux sont effectivement occupés par les
électrons. Une information supplémentaire est nécessaire c’est la loi d’occupation de Fermi-Dirac
(Statistique de Fermi-Dirac).
Cette loi donne, pour un cristal à l’équilibre thermodynamique, la probabilité f(E) qu’a le niveau
1
d’énergie E d’être occupé par les électrons : f(E) = E−EF où
( )
1+e KT
▪ EF est un niveau d’énergie appelé niveau de Fermi.
▪ K est la constante de Boltzmann
▪ T est la température absolue.
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Pour T = 0 Pour T ≠ 0
f(E) = 1 si E < EF les résultats précédents sont
f(E) = 0 si E > EF affectés dans une zone de
largeur égale à au maximum
± 2KT autour de E = EF
(pour T = 300 K,
2KT = 0.05 eV).

a- Occupation des niveaux d’une bande permise


Soit l’intervalle [E, E+dE] qui contient dN niveaux avec dN = De(E).dE
La probabilité d’occupation du niveau E étant f(E) et sachant que chaque niveau accepte deux
électrons, le nombre dn des électrons occupant cet intervalle d’énergie est: dn = 2.f(E).De(E).dE
b- Concentration « n » des électrons dans une bande de conduction (cas d’un S-C)
Dans un semi-conducteur, la concentration « n » des électrons (nombre des électrons par cm3) , Ec
est l’énergie du niveau le plus bas de la bande de conduction , et nous admettons que cette bande
s’étend jusqu’à l’infini. La densité des niveaux est donnée par (pour V=1cm3)
2|𝑚𝑒 | 3
De(E) = (1/42)( )2 (|𝐸 − 𝐸𝑐 |)1/2 la concentration «n» des électrons est par conséquent
∞ ∞ (E−Ec)1/2 )
n = ∫Ec 2. f(E). De(E). dE = (4/√ )(2.me)3/2∫Ec (E−EF)/KT . dE
1+e
On trouve dans le cas d’un semi-conducteur non dégénéré pour Ec – EF > 2KT :
n = NC.𝑒 −(𝐸𝐶 −𝐸𝐹)/𝐾𝑇 avec NC = (2/ )(2.me.KT)3/2
Nc est appelée densité effective d’états des électrons dans la bande de conduction, elle représente
le nombre d’états, placés à l’énergie Ec ; me est la masse effective des électrons dans la bande de
conduction. NC  2,8.1019 / cm3 à T = 300°K pour le silicium.
c- Concentration « p » des trous dans une bande de valence (cas d’un S-C)
On peut par un calcul similaire, trouver la concentration des trous (p) dans la bande de valence EV,
pour EF – EV > 2KT on trouve :
p = NV.𝑒 −(𝐸𝐹−𝐸𝑉)/𝐾𝑇 avec NV = (2/ )(2.mh.KT)3/2
NV est appelée densité effective d’états des trous dans la bande de valence, elle représente le nombre
d’états, placés à l’énergie Ev ; mh est la masse effective des trous dans la bande de valence. NV 
1,04.1019 / cm3 à T = 300°K pour le silicium.
d- Concentration intrinsèque «ni » d’un S-C)
Le produit n.p des expressions précédentes donne : n.p = NC. NV.e-(Eg/KT) , Eg= EC - EV représente le
Gap du semi-conducteur. Le semi-conducteur est dit intrinsèque lorsqu’il est à l’état pur. Dans ce cas,
à tout électron se trouvant dans la bande de conduction correspond un trou dans la bande de valence.
Dans ce cas on a : n = p = ni et EF = Ei.
Donc : n.p = NC. NV.e-(Eg/KT) = (ni)2 ce qui donne : ni = (NC. NV)1/2.e-(Eg/2KT)

e- Le Gap d’un semi-conducteur intrinsèque (Eg)


De la relation n.p = NC. NV.e-(Eg/KT) = (ni)2 on trouve : Eg = KT.ln(NC.NV/ni2)
f- Position du Niveau de Fermi d’un semi-conducteur intrinsèque (EF = Ei)
A partir du rapport (n/p= 1) pour le S-C intrinsèque on trouve :
n/p =NC.𝑒 −(𝐸𝐶 −𝐸𝐹)/𝐾𝑇 /NV.𝑒 −(𝐸𝐹−𝐸𝑉 )/𝐾𝑇 =(NC/NV).e(-EC+EF+EF-EV)/KT = 1 avec EF= Ei
1 = (NC/NV).e-(Ec +Ev -2Ei)/KT donc EF = Ei = (EC+EV)/2 – (KT/2).ln(NC/NV)
Ei = (EC+EV)/2 + (3KT/4).ln(mh/me) ce qui donne EF = Ei  (EC+EV)/2
g- Position du Niveau de Fermi d’un semi-conducteur extrinsèque dopé N , n = ND (EFn )
L’utilisation de la relation n = NC.𝑒 −(𝐸𝐶 −𝐸𝐹)/𝐾𝑇 = ND donne (EC-EFn) = KT.ln(NC/ND)
Et l’utilisation de la relation ni = NC.𝑒 −(𝐸𝐶 −𝐸 𝑖 )/𝐾𝑇 donne (Ei-EC) = KT.ln(ni/NC)
Et on trouve : EFn = Ei + KT.ln(ND/ni) on remarque que EFn > Ei parce que ND > ni.
Dans un S-C dopé N, le niveau de Fermi est au dessus de Ei.
h- Position du Niveau de Fermi d’un semi-conducteur extrinsèque dopé P , p = NA (EFp )
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L’utilisation de la relation p = NV.𝑒 −(𝐸𝐹 −𝐸𝑉)/𝐾𝑇 = NA , donne (EFp- EV) = KT.ln(NV/NA)


Et l’utilisation de la relation ni = NV.𝑒 −(𝐸𝑖 −𝐸 𝑉)/𝐾𝑇 donne (EV-Ei) = KT.ln(ni/NV)
Et on trouve : EFp = Ei - KT.ln(NA/ni) on remarque que EFp < Ei parce que NA > ni.
Dans un S-C dopé P, le niveau de Fermi est au dessous de Ei.
-----------------------o--------------------------
3-3 Jonction pn à l’équilibre thermodynamique
3-3-1 Rappels sur la jonction PN
a) La diode PN
La diode PN est constituée d'une épaisseur de semiconducteur "P", d'une
jonction PN et d'une épaisseur de semiconducteur"N".
En pratique, les diodes PN modernes sont fortement dissymétriques : le dopage de l'une des zones est
beaucoup plus important que l'autre.
Si le côté P est beaucoup plus dopé que le côté N on parle d'une diode P+N.
Si le côté N beaucoup plus dopé que le coté P, on parle d'une diode PN+.
On appelle anode la partie "P" de la diode semiconductice et cathode la partie "N".
La diode PN présente la particularité de laisser passer le courant dans un seul sens (le sens "passant")
Quand la partie "P" de la jonction est au même potentiel que la partie "N", la jonction est non
polarisée. Quand la partie "P" de la jonction est à un potentiel positif par rapport à la partie "N", la
jonction est polarisée en direct. Il existe un courant direct, la diode est passante.
Quand la partie "P" de la jonction est à un potentiel négatif par rapport à la partie "N", la jonction est
polarisée en inverse. Il existe un courant inverse quasi nul, la diode est bloquée.

b) Phénomène mis en jeu dans la jonction PN


à l’équilibre thermodynamique

b-1) La jonction P-N à l’équilibre


Considérons une jonction PN issus d'un même
cristal. La différence des densités de donneurs et
d'accepteurs (ND -NA) passe d'une valeur NA
pour la région P à une valeur ND pour la région
N. La loi de variation de cette différence est
donnée par deux constantes pour une jonction
dite abrupte. Il existe plusieurs types de
jonctions comme les jonctions exponentielles,
linéaires,(Figure). Le profil de dopage est assez
bien représenté par la fonction erfc(x) : c'est la Variation de la différence de densités de
jonction réelle. Cependant l'étude d'une jonction donneurs et d'accepteurs pour une
abrupte étant plus simple et de plus aisément jonction abrupte, jonction graduelle et
généralisable à une jonction quelconque. jonction réelle
La figure suivante permet de mieux comprendre l'effet du rapprochement des deux semi-conducteurs
sur le bilan électronique de la jonction.
Nous observons ainsi qu'à proximité de la jonction les électrons de conduction excédentaires côté N
passent au côté P pour se recombiner avec des trous. Ainsi, une charge d'espace statique négative se
crée coté P et une charge d'espace statique positive se crée coté N. Le lieu ou réside cette charge
d'espace est appelé zone de charge d'espace (ZCE) ou zone de déplétion. En raison de la présence,
dans cette zone, d'un champ électrique intense (Ē), la densité de porteurs libres dans cette région est
négligeable à l'équilibre thermodynamique. En outre les frontières entre la zone dépeuplée et les zones
neutres de la jonction sont très abruptes. Après la mise en contact des deux semi-conducteurs de
dopage différent, une barrière de potentiel pour les trous et les électrons est constituée.
En effet, la double couche de charges négatives coté P et positives coté N, crée un champ électrique
dirigé de N vers P qui empêche la diffusion et maintient la séparation des trous coté P et des électrons
coté N. Par ailleurs à cause de cette double couche, le potentiel électrostatique varie
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brusquement dans la zone de la jonction et la d.d.p. Vd,


appelée tension de diffusion, atteint des valeurs non
négligeables. La relation liant les grandeurs charges d'espace
 , champ électrique E et potentiel électrostatique  est :
d2/dx2 = -dE/dx = -/s (Equation de Poisson) Où s est la
permittivité du milieu. Le potentiel (chimique) d'un semi-
conducteur étant donné par l'énergie de Fermi, la tension de
diffusion est proportionnelle à la différence des niveaux de
Fermi des semi-conducteurs (non joints):
Vd = (1/q).(EFp – EFn) = (K.T/q).ln[|NA.ND|/ni2]. Avant
l’équilibre.
Pour la jonction à l'équilibre thermodynamique, le niveau de
Fermi côté P (EFp) et côté N (EFn) est identique
[EFn = EFp = EF]. => (K.T/q).ln[n.p/ni2] = 0 => avec n = ND
majoritaires et p = ND|/ni2 minoritaires ou p = NA Jonction PN à l'équilibre
majoritaires et n = NA|/ni minoritaires, c’est la relation qui
2 thermodynamique.
caractérise l'équilibre thermodynamique. a) Charge d'espace,
b) Champ électrique,
c) Potentiel électrostatique
Le diagramme d'énergie de la jonction PN (Figure suivante) comporte donc une courbure des
bandes de conduction et de valence. Cette
courbure fait apparaître une différence
d'énergie potentielle électrostatique de qVd.

Région P :
np = NC. Exp[- (ECp-EF)/KT]
et pp = NV. Exp[- (EF - EVp)/KT]

Région N:
nn = NC. Exp[- (ECn-EF)/KT]
et pn = NV. Exp[- (EF - EVn)/KT]

• Calcul de Vd
Le rapport nn/ np donne directement : Diagramme d'énergie d'une jonction PN
Vd = (k.T/q).ln(nn / np) à l'équilibre thermodynamique
2
= (k.T/q).ln[NA.ND / (ni) ]
Avec nn = ND et np = (ni)2/ NA . (Démonstration Voir TD)
• Calcul du champ électrique et du potentiel et la zone de charge d’espace (W)
En résolvant l’équation de Poisson (cas de la jonction abrupte)
d2/dx2 = -dE/dx = -/s on obtient :
Dans la région p : E(x) = - (qNA/).(x + xP)
V(x) = (1/2).(qNA/).(x + xP )2 + VP
Dans la région n : E(x) = (qND/).(x - xn)
V(x) = - (1/2).(qND/).(x - xn )2 + Vn
La tension Vd : Vd = Vn –Vp = - (1/2).E(0)(xn + xp ).= (1/2).(qND/).xn.(xn + xp ).
La longueur de la zone de charge d’espace (W) : W = [(2./q).(1/NA + 1/ND).Vd]1/2
En reprenant les équations ci-dessus on montre que :
xn = (1/q).{(.KT/ND).[2/(1+ND/NA)].ln[NA.ND /(ni)2]}1/2
où le terme (1/q).(.KT/ND)1/2 = LDn = longueur de Debye
xP = (1/q).{(.KT/NA).[2/(1+NA/ND)].ln[NA.ND /(ni)2]}1/2
où le terme (1/q).(.KT/NA)1/2 = LDp = longueur de Debye
(Démonstration Voir TD)
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b-2) La jonction PN hors équilibre


Lorsque l’on applique une
différence de potentiel V, la
jonction n’est plus à
l’équilibre. Dans le cas Hors
équilibre le calcul liant W et
V reste valide avec Vd
remplacé par (Vd – V) et
V= Vp-Vn tension appliquée,
et par conséquent W et la
barrière varient suivant le
signe de la tension
Polarisation directe polarisation indirecte
appliquée (Va) avec V = Va = (Vp-Vn).ce qui donne
W = {(2./q).(1/NA + 1/ND).[Vd – (VP – Vn)]}1/2 . La tension Vd est remplacée par
Vd–(VP – Vn) = Vd – Va Deux cas a considérés :
Va =Vp-Vn > 0: le potentiel interne est (Vd – Va) diminue => W diminue.
Va =Vp-Vn < 0: le potentiel interne est (Vd – Va) augmente => W augmente.

c) La jonction P-N polarisée en direct


On applique une tension
Va = VP-VN= [V(coté P) - V(coté N)]
aux bornes de la jonction, suivant
son signe on parle d’une
polarisation directe ou d’une
polarisation inverse.
Polarisation directe VP > VN =>
Va = (Vp – Vn) > 0 (Va > 0) => La
ZCE (W) devient plus étroite, le
courant passe
I = IS.[Exp(qVa/K.T) -1] > 0,
plus Va est grande (Va>0), plus
I est. grand et la diode conduit.

d) Polarisation indirecte (inverse)


Largeur de la zone de charge d’espace. La ZCE, W de la jonction non polarisée est donnée par : W =
[(2./q).(1/NA + 1/ND).Vd]1/2 .
Si on polarise la jonction en inverse on a alors Vd → (Vd -Va) , avec Va = (Vp – Vn) < 0, ce qui
donne une augmentation de W. VP < VN => (Va < 0) => La ZCE (W) devient plus large, et le courant
très faible,
I = IS.[Exp(qVa/K.T) -1]
 - IS < 0, (Va < 0),
courant inverse très
faible, et la diode ne
conduit pas (bloquée).

3-4 Caractéristique I(V) d’une diode pn


3-4-1 Au-delà de la tension de seuil V > Vs (avec V = Vp-Vn=Vappliquée =Va)
Pour V > Vs , on montre que le courant de la diode est lié au courant de saturation par :
I = IS.[Exp(qVa/K.T) -1]  IS.Exp(qVa/K.T) , Variation exponentielle
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3-4-2 En dessous de la tension de seuil V < Vs et V < 0


En dessous du seuil Vs, le courant est très faible, I = -Is, le
courant Is est appelé courant de saturation inverse car si la
diode est polarisée en inverse (V < 0), I = -Is Ce courant
résulte du débit des charges (trous thermogénérés et électrons)
qui traversent la jonction sous l'action du champ électrique.

Pour une jonction de surface S, le courant de saturation est donné par : Is = A.S.Exp(-W/KT) ( A est une
constante fonction du dopage).
Par exemple pour une diode au silicium, à 300 K°, Is est de l'ordre de 10 nA.et KT/q = 26 mV

3-4-3 Pour V < 0 et V < VBR (claquage)


Au-delà d'une certaine valeur négative (VBR), il y a claquage de la jonction par effet d'avalanche.
L'épaisseur de la jonction étant très faible, même avec des potentiels peu élevés, le champ électrique
au niveau de la jonction peut être très grand. Sous l'effet de ces champs intenses (E > 105 V/cm), il y a
ionisation des atomes et production d'électrons, qui sont eux-mêmes accélérés et qui provoquent de
nouvelles ionisations (avalanche) qui rendent la jonction conductrice : si rien ne limite le courant, il y
a destruction de la jonction par emballement thermique. La tension inverse admissible varie selon les
diodes entre 50V et 2000V.
Remarque
1- Caractéristique réelle de i(v), Forme semi-empirique
Dans la pratique la caractéristique i (v) est exprimée sous la forme semi-empirique,
I = IS.[Exp(qVa/nK.T) -1] où le facteur n varie entre n = 1 aux tensions moyennes et n = 2 aux très
faibles tensions. Le facteur n varie également en fonction du semiconducteur et des dimensions de la
diode. Dans la plupart des cours, l’effet de n est négligé c’est-à-dire n prend la valeur 1 (n = 1) et I =
IS.[Exp(qVa/K.T) -1]

3-4-4 Effets de la température


Etant donné que le courant de saturation
iinv = −IS et la tension thermique VT = KT sont tous les
deux fonctions de la température, la caractéristique i(v)
varie en fonction de la température.
Dans le cas d’une diode au silicium, sur une plage
importante de T et à courant i constant, la tension v
décroit approximativement de 2 mV à chaque élévation
deT d’un degré Celsius, comme illustré `a la figure
suivante. Cette propriété est utilisée dans certains
capteurs de température. V(T) , à i constant et en
polarisation directe.
4-1 Effet photovoltaïque

L’effet photoélectrique est obtenu par


absorption des photons dans un matériau semi-
conducteur. Les cellules photovoltaïques
produisent du courant continu à partir du
rayonnement solaire. Le rayonnement solaire
est constitué de photons dont l’énergie est
décrite par la relation : E = h.c/λ
Quand un photon heurte la cellule, il transmet
son énergie aux électrons des semi- Absorption des photons par la cellule PV
conducteurs. Si l’énergie absorbée est suffisante pour permettre le passage de la bande interdite
(h.c/λ > Eg), ces électrons quittent leur bande de valence et entrent dans la bande de conduction.
Cette émission d'électrons et des trous est due à l'action de la lumière est appelée effet photoélectrique.
Les propriétés physiques du matériau sont alors modifiées et celui-ci devient conducteur
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(photoconductivité). Si l’énergie du photon n’est pas suffisante (h.c/λ < Eg), l’énergie du photon n’est
pas absorbée.
Ainsi, un matériau semi-conducteur dont la bande interdite est comprise entre 0.4 et 0.7 eV est un
matériau dit photovoltaïque du spectre solaire.
Le défi est de récupérer la paire électron-trou ainsi générée, car si celle-ci n’est pas récupérée
suffisamment rapidement il y a recombinaison entre l’électron et le trou. Pour se faire le champ
électrique interne de la jonction PN est utilisé.
En résumé:
Comme la cellule solaire est un dispositif qui permet de transformer l’énergie solaire en énergie
électrique, les différents processus qui entrent en jeu durant la conversion photovoltaïque sont
résumés comme suit:
• Absorption des photons incidents (dont l’énergie est supérieure au gap) par le matériau constituant
le dispositif.
• Conversion de l’énergie du photon en énergie électrique, ce qui correspond a la création de paires
électron - trou dans le matériau semi-conducteur.
• Collecte des porteurs générés dans le dispositif.
Le matériau constituant la cellule photovoltaïque doit donc posséder deux niveaux d’énergie et être
assez conducteur pour permettre l’écoulement du courant : d’ou l’intérêt des semi conducteurs pour
l’industrie photovoltaïque. Afin de collecter les particules générées, un champ électrique permettant
de dissocier les paires électron-trou crées est nécessaire. Pour cela on utilise le plus souvent une
jonction PN.

4-2) Jonction PN à l’obscurité


Vb est appliquée aux bornes de la jonction PN (D), D
reçois de l’énergie de la batterie Vb, D est un récepteur.
ID = IS.[exp(qV/KT) – 1].
• Pour V > 0, le courant ID est dû au déplacement des
porteurs majoritaires. (polarisation directe de D)
• Pour V < 0, et le courant ID = -Is est dû au déplacement des porteurs minoritaires (polarisation
inverse de D).

4-3) Jonction PN éclairée (cellule photovoltaïque)


Vb est remplacée par une résistance de charge
Rc, hc/ est l’énergie des photons de la
lumière (énergie électromagnétique) reçue par
la jonction PN. La jonction PN avec
l’éclairement (photons) se comporte comme un
générateur de courant Iph et non un récepteur.
Le sens du courant I est l’inverse du courant ID
du circuit précédent, le courant I est dû au déplacement des porteurs minoritaires et à le même sens
que celui de Is du circuit précédent.
Iph = ID + I => I = Iph – ID = Iph - IS.[exp(qV/KT) – 1].
= Iph + Is - IS.[exp(qV/KT)].
Avec Iph et Is de même sens (courants inverses) et
IS.[exp(qV/KT)] courant direct. Ce qui donne la
caractéristique I(V) de la cellule solaire (figure suivante).

▪ Le schéma suivant des bandes d'énergie représente l'état


d'équilibre thermodynamique d'une jonction PN non polarisée
et non éclairée. Même niveau d’énergie de Fermi EF et un
décalage de (qVd) des niveaux d’énergie des deux cotés N et P.

▪ En pratique, la cellule est chargée par une résistance Rc où est dissipée la puissance utile fournie.
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▪ Sous éclairement dans la région de charge d'espace, le champ interne Ei va séparer et collecter les
paires électron-trou photo générées. Les porteurs majoritaires (électrons dans le matériau N et trous
dans le matériau P) sont repoussés de la zone de charge d'espace et s'arrêtent rapidement dans les
zones mortes P et N où le champ est nul. Seuls peuvent franchir la zone de transition ceux d'entre eux
qui ont une énergie (thermique) supérieure à (q.Vd).
▪ Les porteurs minoritaires au contraire sont accélérés par le champ Ei et traversent la zone de charge
d'espace, provoquant le passage du courant électrique de la région N vers la région P (à l'intérieur de
la cellule). La zone P est portée à un potentiel positif par rapport à la région N à cause de la circulation
du courant dans la résistance Rc.

▪ Si l'on considère, en première approximation, que


les chutes de tension dans les régions quasi neutres P
et N sont nulles, la ddp aux bornes de la charge se
retrouve aux extrémités de la zone de transition
(ZCE).
▪ Dans le cas d'une résistance de charge Rc très
grande, rendant le courant négligeable, on est dans les
conditions de circuit ouvert : la tension aux bornes de
la cellule Vco est alors maximale.
▪ Dans le cas d'une résistance de charge Rc très faible,
rendant la tension négligeable, on est dans les
conditions de court-circuit coté charge (Rc): le courant
Icc fourni par la cellule à la charge est alors maximal.

4-4) Caractéristique électrique I(V) de la cellule


La relation entre I et V de la cellule est donnée par I = Iph + Is - IS.[exp(qV/KT)].
C’est l’expression analytique de la caractéristique I(V) de la cellule.
La variation du
courant I (en A) ou
densité du courant J
(A/cm²) en fonction
de la tension (V), a
l’obscurité et en
particulier sous
éclairement, permet Caractéristique I-V d’une
d’évaluer la cellule solaire; à l’obscurité et
performance de la sous éclairement.
cellule solaire; la
première figure
montre deux exemples de caractéristiques I-V de cellule solaire sans et avec éclairement.
Pour respecter les conventions usuelles des générateurs photovoltaïques, les caractéristiques du
quadrant VI, sont représentées dans un nouveau repère du quadrant I donné par la deuxième Figure
où le courant de saturation inverse est compté positivement. Icc et Vco représentent respectivement
le courant de court-circuit et la tension en circuit ouvert de la cellule photovoltaïque.
De cette caractéristique, on déduit le schéma équivalent idéal de la cellule photo voltaïque.

4-5) Circuit électrique équivalent


Le circuit équivalent d’un système électrique est fréquemment utilisé afin de décrire son
comportement électrique à l’aide de composants électriques élémentaires (source, résistance, diode,
bobine, condensateur, etc.).
L’expérience montre qu’a l’obscurité; une cellule solaire suit le comportement d’une diode classique,
elle commence à conduire lorsque la tension appliquée est supérieure à la tension de seuil Vs. Dans le
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cas d’une cellule idéale a l’obscurité, la caractéristique I-V peut être représenté par la relation de la
diode suivante :
Où • Is : le courant de saturation de la diode en Ampère (A).
• n : le facteur de qualité de la diode; sans dimension.
(coefficient d'émission de la diode) sans dimension.
Ce facteur de qualité varie suivant la diode entre 1 et 2..
• Vth : le potentiel thermique en Volt (V); il est donné par:Vth = KT/q
Où K : la constante de Boltzmann (1.38066×10-23 J/K= 8.61400×10-5 eV/K).
T : la température absolue en Kelvin (K).
q : la charge absolue d’un électron en coulomb (1.60281×10-19 C).
• V est la tension de sortie de la diode.
• Iobs est le courant de sortie de la diode.
Sous éclairement, un terme Iph , tenant compte du photo-courant généré est rajouté,
On obtient le circuit électrique équivalent d’une cellule
photovoltaïque idéale sous éclairement qui est
représente par l’équation suivante:
Avec : Iph = Iph0.(Ira/Ira0)
Ira est l'éclairement énergétique (Irradiance ou intensité lumineuse) en W/m2 qui tombe sur la
cellule.
Iph0 est le courant solaire mesuré pour l'éclairement énergétique Ira0.
• V est la tension de sortie de la cellule solaire.
• I est le courant de sortie de la cellule solaire.
Dans le cas d’une cellule photovoltaïque réelle, d’autres paramètres tenant compte des effets
résistifs et des fuites vers les bords; qu’ils
doivent être pris en considération et l’équation
de la caractéristique I-V devient alors :
Et par conséquence le schéma équivalent d’une cellule solaire réelle est représenté sur la figure
suivante par un générateur de courant (Iph), une iode
D et deux résistances parasites Rs (Résistance série)
et Rsh (.Résistance parallèle ou shunt).
• Le générateur du courant (Iph) : il délivre le
courant Iph correspondant au courant photogénéré.
• La diode (D) : modélise la jonction P-N.
• La résistance série Rs : modélise les pertes
résistives au sein de la photopile (les Circuit électrique équivalent d’une
métallisations). Elle est liée a l’impédance des cellule solaire a jonction P-N.
électrodes et du matériau; il en résulte que la tension
V aux bornes de la cellule est différente de la tension Vj aux bornes de la jonction pn. Ce terme doit
idéalement être le plus faible possible pour limiter son influence sur le courant de la cellule.
• La résistance parallèle Rp (résistance shunt Rsh) : correspond à une résistance de fuite entre les
deux zones n et p de la jonction; il en résulte qu’une partie du courant Iph sera dérivée par cette
résistance et ne pourra être délivrée à la charge. Cette résistance devra être la plus élevée possible.

4-6) Caractéristiques électriques I(V) de la cellule et I(V) de la charge Rc


On remarque que I et V délivrés par la
cellule sont les mêmes reçus par la
charge Rc et que l’intersection de la
droite de charge: I = (1/Rc).V et la
caractéristique I(V) représente le point
de fonctionnement P(I1,V1) et ce
point change suivant Rc
(pente  =1/Rc) et Il est alors possible de se placer sur le point de fonctionnement correspondant au
point de puissance maximum M c’est-à-dire P ---> M(IM,VM).
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4-7) Les grandeurs caractéristiques d’une cellule solaire


À partir de la caractéristique I-V sous éclairement de la figure précédente, on constate que le
comportement d’une cellule solaire peut être étudié à travers quatre principales grandeurs ;
Icc, Vco, Im et Vm, le facteur de forme FF, le Rendement  :
• Le courant de court circuit Icc :
Le courant de court circuit Icc est la valeur du courant lorsque la tension appliquée aux bornes de
cellule est nulle (V=0). D’ou, en annulant la tension V dans l’équation

, on obtient :

Pour la plus part des cellules solaires (dont la résistance


série est très faible), on peut négliger le terme Is.[exp( (Icc.Rs)/(n.Vth) - 1) ] devant Iph. L’expression
approchée du courant de court-circuit est alors : Icc = Iph /(1 +Rs / Rsh)
Dans le cas idéal (Rs --> 0 et Rsh --> ) ou dans le cas approximatif suivant :
Rsh >> Rs =>Rs/Rsh << 1 => 1+ Rs/Rsh  1 =>
Le courant de court circuit Icc se confonde avec le photo courant Iph : Icc  Iph
• La tension en circuit ouvert Vco
C’est la tension mesurée aux bornes de la cellule (lorsqu’elle n’est pas connectée à une charge) et
pour laquelle le courant débité par la cellule solaire (courant I dans la charge) est nul, elle est donnée
par la relation : Vco = n.Vth.log(1 + Iph/Is)
• Le point du fonctionnement Pm (Vm , Im)
La puissance maximale d’une cellule photovoltaïque éclairée est la grandeur essentielle pour évaluer
sa performance; elle est donnée par la relation : Pm = Im Vm
Elle traduit sur la caractéristique I-V le point du fonctionnement Pm (Vm , Im) qui est situé au coude de
la caractéristique I-V et dit point de puissance maximale où les valeurs de tension Vm et du courant Im
appelées également tension et courant maximums respectivement.
• Le facteur de forme FF
Le facteur de forme (FF) « en anglais : Fill Factor » est définit comme le rapport entre la puissance
maximale et le produit (Icc Vco ); il est donné par : FF = PM /(Icc.Vco) = (IM.VM)/(Icc.Vco)
Ce paramètre compris entre 0 et 1, on l’exprime en % qualifie la forme plus ou moins rectangulaire de
la caractéristique I-V de la cellule solaire. Si celle-ci était carrée le facteur de forme serait égale à 1, la
puissance Pm sera égale à (Icc Vco ). Mais, généralement le facteur de forme prend des valeurs entre
0.6 et 0.85. On note que ces quatre grandeurs caractéristiques sont sommables dans un seul
paramètre, s’appel le rendement  :
• Rendement 
Il est définit comme le rapport entre la puissance maximale produite par la cellule et la puissance du
rayonnement solaire qui arrive sur la cellule.
Si S est la surface de la cellule (en m²) et E est l’éclairement -irradiance- (en W/m²) le rendement
énergétique s’écrit :  = PM /(S.E) = (FF.Icc.Vco) / (S.E) avec PM = FF.Icc.Vco

4-8) Influence des différents paramètres sur la caractéristique I (V)


• Influence de l’éclairement et de la température
L’éclairement et la température modifient la caractéristique I-V de la cellule solaire, pas dans sa forme
générale mais pour les valeurs Icc, Vco, Im et Vm :
a. Influence de l’éclairement
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La figure suivante présente les


caractéristiques courant-tension d’une
cellule monocristalline typique de (10×10)
cm² pour plusieurs intensités du
rayonnement solaire.
On remarque que le courant du court circuit
Icc est directement proportionnel a l’intensité
lumineuse incidente; la variation de Icc avec
l’éclairement est donnée sous la forme
suivante :
Icc= Iph=  (T) S
Influence de l’éclairement sur la caractéristique
❖E : est l’éclairement en W/m2. I-V d’une cellule solaire.
❖S : est la surface de la cellule en m².
❖ α (T) : coefficient dépendant faiblement de la température, il est exprimé en A/W.
D’autre part, l’accroissement de l’éclairement provoque une légère augmentation de la tension de
circuit ouvert Vco.

b. Influence de la température
La température est un paramètre très important dans le comportement des cellules solaires
puisqu’elles sont exposées au rayonnement solaire. La figure suivante montre l’influence de la
température, sur la caractéristique I (V) de la
cellule solaire lorsque la température varie.On
observe que l’augmentation de la température
provoque une augmentation du courant du
court circuit (Icc), en même temps on assiste à
une diminution nette de la tension en circuit
ouvert (Vco). L’augmentation de la température
entraine une diminution de la tension (Vm ) et
un léger accroissement du courant (Im) et par la
suite une baisse relative de la puissance
maximale (Pm). Influence de la température sur la caractéristique I-
V d’une cellule solaire éclairée
• Influence de la résistance série et la conductance shunt
Les deux résistances parasites Rs et Rsh vont modifier la caractéristique I-V de la cellule solaire en
particulier sous éclairement :
a. Influence de la résistance série
L’effet de la résistance série Rs sur la caractéristique I-V de la cellule solaire sous éclairement est
illustré sur la figure suivante.
On remarque que la tension de circuit ouvert
(Vco) et le courant du court circuit (Icc) ne sont
pas modifiés, mais la caractéristique se
déforme très rapidement sous l’effet de Rs.
Cette influence se traduit par une diminution
de la pente de la caractéristique I-V dans la
zone où la cellule fonctionne comme une
source de tension1 lorsque Rs augmente.
L’augmentation de la résistance série a un
effet réductif considérable sur le point de
fonctionnement2 et le facteur de forme (FF) de
la cellule Influence de la résistance série sur la
caractéristique I-V d’une cellule solaire éclairée.
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b. Influence de la conductance shunt (parallèle)


La figure suivante illustre l’effet de la
résistance parallèle Rp sur la caractéristique I-V
de la cellule solaire sous éclairement. On
remarque que la tension de circuit ouvert (Vco)
et le courant du court circuit (Icc) ne sont pas
modifiés; mais la caractéristique se déforme
très rapidement, cette influence se traduit par
une augmentation de la pente de la
caractéristique I-V de la cellule dans la zone
correspondant à un fonctionnement comme
une source de courant (basse tension).
Influence de la résistance shunt sur la
caractéristique I-V d’une cellule solaire éclairée.

Chapitre 5: Matériaux, Filières et Procédés


2-Cellules solaires au silicium amorphe (Introduction et historique, propriétés du silicium amorphe,
méthodes de dépôt du a-Si:H, jonction PIN, module, applications)

1) Introduction
Pendant longtemps, on a cru à l’impossibilité de doper le silicium amorphe à cause de la forte densité
d’états dans la bande interdite, ce qui bloque le niveau de Fermi dans la bande interdite, rendant ainsi
difficile tout dopage par impuretés substitutionnelles.
Cependant, l’effet photovoltaïque observé dans le silicium amorphe contenant une certaine quantité
d’hydrogène (a-Si:H) dans les années 1970 allait susciter un intérêt sans cesse croissant. Le silicium
amorphe hydrogéné peut être obtenu par plusieurs techniques telles que la décharge luminescente
(Glow discharge), la pyrolyse ou dépôt chimique en phase vapeur CVD (>600 °C), la pulvérisation
cathodique (sputtering) et plus récentes, les photoassistées (photo-CVD) qui utilisent l’effet des
photons pour induire la décomposition d’un gaz réactif.
----------------------
c-Si : Silicium cristallin
a-Si : Silicium amorphe
poly-Si : Silicium poly cristallin
a-Si:H : Silicium amorphe hydrogéné
SiC : Carbure de silicium
a-SiC: H : Carbure de silicium amorphe hydrogéné
a-SiN:H : Nitrure de silicium amorphe hydrogéné
a-SiGe:H : Silicium-germanium amorphe hydrogéné
-----------------
2) Description

De gauche à droite : structures cristalline, amorphe et amorphe hydrogénée du silicium.


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2-1) Le silicium monocristallin


La structure cristallographique du silicium monocristallin (Fig) est
une structure cubique diamant dans laquelle deux réseaux cubiques
à faces centrées s’interpénètrent. Chaque atome d’un des réseaux
est entoure par 4 proches voisins équidistants de l’autre réseau
formant un tétraèdre. Les liaisons entre les atomes sont de type
covalent avec une distance interatomique de 2.35 A et un paramètre
de maille a=5.43 A. La bande interdite (gap), séparant la bande de
valence de la bande de conduction est égale a Eg = 1.12 eV a
température ambiante. Il correspond à un gap indirect puisque le
minimum de la bande de conduction est repéré en un point autre
que le maximum de la bande de valence dans la zone de Brillouin. Silicium monocristallin

2-2) Le silicium amorphe: (a-Si)


Au delà du deuxième proche voisin, l’arrangement des atomes dans le silicium amorphe (a-Si) n’est
plus régulier. On observe, par l’analyse de diffraction électronique, qu’un certain ordre à courte
distance persiste, c’est-à-dire que le nombre des plus proches voisins reste quatre et la distance inter-
atomique environ de 2,35 Å, confirmé par diffraction X. À cause d’une certaine distribution de la
distance inter-atomique et de l’angle de liaison, des distorsions apparaissent dans le réseau, induisant
une distribution des états électroniques, ce qui se traduit par l’apparition d’états localisés dans la
bande interdite en haut de la bande de valence et en bas de la bande de conduction. Ils forment ce que
l’on appelle les queues de bande. D’autre part, ces distorsions peuvent devenir suffisamment
importantes pour empêcher une liaison de se former et ainsi donner lieu à des liaisons insatisfaites que
l’on appelle également liaisons pendantes. Ce défaut introduit deux états électroniques au milieu de la
bande interdite : l’un avec un électron, et l’autre avec deux électrons. Vu la présence d’états entre les
niveaux d’énergie Ec et Ev, dans le (a-Si), il serait inexact de parler de bande interdite, on désigne cet
intervalle entre Ec et Ev ou l’électron est immobile, comme gap de mobilité. D'une façon générale, la
valeur du gap de mobilité se trouve entre 1,9 eV et 1,83 eV.

2-3) Le silicium amorphe hydrogèné : (a-Si:H)


L'atome de silicium est tétravalent (il est au centre de quatre liaisons covalentes) et donc
tétracoordonné selon une géométrique tétraédrique. Lorsqu'il est cristallisé, le silicium est donc
solidifié de telle sorte que les atomes de silicium soient disposés les uns par rapport aux autres selon
cette géométrie tétraédrique, chaque atome de silicium étant entouré par quatre autres atomes de
silicium. Le silicium amorphe est caractérisé par le fait que ses atomes sont solidifiés de façon
désordonnée: chaque atome de silicium est entouré par un nombre variable d'autres atomes de
silicium, selon une disposition aléatoire qui ne respecte pas la géométrie tétraédrique du silicium. Il
s'ensuit que certaines liaisons covalentes sont « pendantes », c'est-à-dire qu’elles demeurent ouvertes
dans le silicium amorphe, aucun autre atome de silicium ne venant les fermer. Ces liaisons pendantes
sont autant de défauts cristallins susceptibles d'altérer les propriétés électroniques du matériau. Il est
possible de passiver ces liaisons en traitant le silicium amorphe à l'hydrogène pour former du silicium
amorphe hydrogéné, généralement abrégé a-Si:H, présentant suffisamment peu de défauts résiduels
pour pouvoir être utilisé dans des composants électroniques. L'hydrogène est cependant une impureté
associée à la photodégradation du silicium .

Remarque
Le silicium intégré dans les cellules (a-Si ) n'a pas fait l'objet d'une cristallisation. Ses atomes sont
donc agencés sans réelle organisation, ce qui leur permet de mieux capter la lumière (par rapport au
silicium cristallin). Problème : les charges générées ont plus de difficulté pour se déplacer à cause de
la désorganisation de la matière, ce qui se traduit par un mauvais coefficient de conversion. Par
conséquent, leur rendement est faible.
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La désorganisation atomique a d'autres conséquences. Les électrons de valence des atomes de


Silicium ne forment pas toujours des liaisons covalentes au sein du semi-conducteur. Il apparaît alors
des liaisons pendantes qui peuvent dénaturer les propriétés électroniques du matériau. Pour limiter ce
phénomène, les couches de silicium sont régulièrement passivées avec de l'hydrogène (a-Si:H). Des
atomes d'hydrogène établissent des liaisons avec les électrons restés libres, et réduisent ainsi le
nombre de liaisons pendantes.

2-4) Carbure de silicium amorphe hydrogéné a-SiC: H :


La structure d’un alliage amorphe est un système très complexe. Dans le cas d'un matériau composé
comme c’est le cas du a-SiC:H, la situation devient encore plus compliquée. La méthode de dépôt et
les conditions de dépôt ont une grande influence sur la structure amorphe.
Propriétés optiques de a-SiC: H
Les paramètres optiques les plus importants dans les semi-conducteurs amorphes sont le
gap optique (Eg), le coefficient d’absorption , et l’indice de réfraction statique . Il est bien connu que
dans l’alliage amorphe a-SiC:H, les propriétés optiques comme : le gap optique et l’indice de
réfraction, dépendent fortement des conditions de dépôt et de la composition du matériau.
En fait, cet alliage a un gap optique indirect accordable de 1.9 à 3.6 eV en fonction de la composition.
D’autre part, la relation entre le gap optique et la teneur en carbone (x) dans le matériau
[a-Si(1-x)C(x):H] est largement reprise dans la littérature. Ceci se traduit par une relation linéaire :
Eg = Eg(x=0) + 1,68.x Ce large gap est très promoteur pour l’application comme fenêtre optique
dans les cellules solaires. Cependant, pour les teneurs en carbone élevées (x ≥ 0.4), une diminution de
la largeur de la bande interdite est observée, ceci indique la difficulté d’obtenir un gap supérieur à 3 eV.

2-5) Le Silicium poly cristallin (poly-Si) :


Le silicium polycristallin, aussi couramment
appelé polysilicium ou poly-Si est une forme
particulière du silicium, qui se différencie du
silicium monocristallin et du silicium amorphe.
Contrairement au premier (composé d'un seul
cristal) et au second (n'ayant aucune ou une très
faible cohérence cristallographique), le silicium
polycristallin est constitué de multiples petits
cristaux de tailles et de formes variées, qui lui
confèrent des propriétés différentes des deux autres
Barreau de silicium polycristallin
formes.
fabriqué par le procédé Siemens
Dans le silicium monocristallin, le cristal est
homogène, d'un seul tenant et sans joint de grain.
C'est ce qui lui donne une couleur unie gris-noir
métallique assez caractéristique.
Au contraire le silicium polycristallin est
composé d'un très grand nombre de petits cristaux
ou cristallites de silicium. Il se différencie
nettement d'aspect du silicium monocristallin : il
est constitué d'une multitude de paillettes d'aspect
métallique. Représentation schématique d'un
ensemble de cristallites
Dans le silicium monocristallin, le cristal est homogène, d'un seul tenant et sans joint de grain. C'est
ce qui lui donne une couleur unie gris-noir métallique assez caractéristique.
Au contraire le silicium polycristallin est composé d'un très grand nombre de petits cristaux ou
cristallites de silicium. Il se différencie nettement d'aspect du silicium monocristallin : il est constitué
d'une multitude de paillettes d'aspect métallique.
Utilisation
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Le silicium polycristallin est notamment utilisé pour fabriquer du silicium monocristallin (quasi
inexistant à l'état naturel, et utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs (puces, cellules
photovoltaïques).
Électronique
Cependant le polysilicium est aussi un composé clé dans les circuits intégrés et les processeurs AMD
et Intel. Celui-ci est en effet utilisé dans la grille des transistors MOSFET et CMOS. Pour ces
technologies, le polysilicium est déposé par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression
(LPCVD) à haute température et est habituellement fortement dopé (P ou N).

3) Les diodes particulières.


3-1) Diode PIN
Une diode PIN (Positive Intrinsic Negative diode en anglais)
est une diode constituée d'une zone non-dopée I, dite
intrinsèque, intercalée entre deux zones fortement dopées P+ et N+.

3-1-1) La jonction PIN à


l’équilibre thermique :
L’étude de la jonction à l’équilibre
thermodynamique permet de
comprendre où se situent les zones
de charge d’espace (ZCE) et
comment évolue le potentiel
électrostatique à travers les
jonctions de la diode PIN.
Cela permet d’écrire les équations
fondamentales des jonctions PIN
liant la barrière de potentiel à la
largeur de la zone de charge
d’espace.
Après la résolution de ces
équations, en suivant les mêmes
étapes de la jonction PN et en
supposant que la diode PIN est
idéale, c’est-à-dire la région
centrale d’épaisseur WI ne contient
aucune impureté et que les
jonctions sont abruptes.
La figure suivante montre les
courbes de la densité de charge
ρ(x), le champ électrique (x),
potentiel électrostatique V(x) et le
diagramme de bandes des deux
diodes : diode ordinaire P+N et la
diode PIN.
Figure : Caractéristiques de diodes P+N et PIN
a) le profil de densité de charge ρ(x) pour P+N e) ρ(x) pour PIN
b) le profil champ (x) pour jonction P+N f) (x) pour une jonction PIN
c) le profil potentiel électrostatique V(x) pour P+N g) V(x) pour une jonction PIN
d) diagramme de bandes pour P+N h) diagramme pour une jonction PIN
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3) Les diodes particulières.


3-1) Diode PIN
Une diode PIN (Positive Intrinsic Negative diode
en anglais) est une diode constituée d'une zone
non-dopée I, dite intrinsèque, intercalée entre deux
zones fortement dopées P+ et N+.

3-1-1) La jonction PIN à l’équilibre thermique :


L’étude de la jonction à l’équilibre thermodynamique permet de comprendre où se situent les zones de
charge d’espace (ZCE) et comment évolue le potentiel électrostatique à travers les jonctions de la
diode PIN. Cela permet d’écrire les équations fondamentales des jonctions PIN liant la barrière de
potentiel à la largeur de la zone de charge d’espace. Après la résolution de ces équations, en suivant
les mêmes étapes de la jonction PN et en supposant que la diode PIN est idéale, c’est-à-dire la région
centrale d’épaisseur WI ne contient aucune impureté et que les jonctions sont abruptes.
La figure suivante montre les courbes de la densité de charge ρ(x), le champ électrique (x), potentiel
électrostatique V(x) et le diagramme de bandes des deux diodes : diode ordinaire P+N et la diode PIN.

Jonction PN à l'équilibre
Thermodynamique.
a) Charge d'espace,
b) Champ électrique,
c) Potentiel électrostatique

NA×Xp = ND×Xn
Par exemple
NA = 1018.cm-3 et ND = 1015 cm-3
Xn = 1 µm, Xp = ?
NA×Xp = ND×Xn =>
Xp = (ND/NA)×Xn = 10-3×Xn
Xp = 10-3×1 µm =10-3 µm

Figure : Caractéristiques de diodes P+N et PIN

a) le profil de densité de charge ρ(x) pour P+N e) ρ(x) pour PIN


b) le profil champ (x) pour jonction P+N f) (x) pour une jonction PIN
c) le profil potentiel électrostatique V(x) pour P+N g) V(x) pour une jonction PIN
d) diagramme de bandes pour P+N h) diagramme pour une jonction PIN
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3-1-2) La jonction PIN Polarisée (courant continu):

Aspect physique de la diode PIN


Une diode p-i-n ne possède en réalité jamais une zone I purement intrinsèque.
Elle est légèrement dopée N ou P de par les procédés technologiques de fabrication de la diode.
Si la zone centrale est très faiblement dopée la diode est dite p-i-n, mais cette zone centrale n’est
jamais intrinsèque, ceci est due à la diffusion non intentionnelle de dopant. La diode est dite P+N−N+
si la zone centrale est légèrement dopée N.
Les diodes PIN et P+N−N+ ont des structures en fait similaires ; même si la zone centrale est
légèrement de type N ou P.
Par exemple une diode p-i-n avec une zone intrinsèque ayant un dopage résiduel de type N− de
l’ordre de 1013cm−3, les zones terminales possèdent quant à elles des dopages de l’ordre de 1019cm−3.
La diode est alors dite P+N−N+.

Allure du profil de dopage

Le fonctionnement de la diode p-i-n peut être décrit par des équations mathématiques aux dérivées
partielles issues de la physique des semiconducteurs.
En considérant un modèle unidimensionnel, parmi ces équations (utilisées précédemment) :
• Théorème de Gauss
∂E(x, t)/∂x = ρ(x, t)/ où ρ(x, t) = q [ND(x) − NA(x) + p(x, t) − n(x, t)]
• Le potentiel électrique (Equation de Maxwell-Faraday)
∂V(x, t)/∂x = −E(x, t)
A remarquer que :
•Les dopages ND(x) et NA(x) dépendent uniquement de x.
•Les densités p(x, t) et n(x, t) dépendent de x et de t (temps) .
•Et par conséquent (x, t) dépend de x et de t (temps).
En résolvant ces équations en suivant les mêmes étapes utilisées précédemment on trouve :
Les deux jonctions se comportent chacune comme une jonction p-n traditionnelle.
La loi de variation du courant en fonction de la tension appliquée à la diode est la même que pour une
jonction p-n : I = Is.[exp(V/(n.Vth)) -1].
Dans le cas d’une diode p-i-n, le facteur d’idéalité n est proche de 2 du fait des deux jonctions.

Caractéristique statique I(V) simplifiée :


La caractéristique statique I(V) simplifié de la diode PIN suit une loi exponentielle de la même forme
que celle d’une diode ordinaire : ID = Is. [exp(VD/Vth) - 1] , le courant inverse (ID)inv  -Is augmente
fortement avec la température.
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ID = Is. [exp(VD/Vth) - 1] , le courant inverse (ID)inv  -Is


augmente fortement avec la température.
Principale différence par rapport à une diode classique P+N :
Tension de claquage élevée, VBR > 10 kV.

• Comparaison des caractéristiques I-V des diodes schottky, PN et PIN


(Le courent Id de la diode)
• Principale différence par rapport à une diode
classique P+N :
Tension de claquage élevée, VBR > 10 kV.
Et tension de seuil.

3-1-3) Photodiode PIN


La photodiode PIN est un composant semi-conducteur de l’optoélectronique. Elle est utilisée comme
cellule solaire et photodétecteur dans de nombreuses applications industrielles. Sa particularité vient
de sa jonction composée d’une zone intrinsèque (i) intercalée entre une région fortement dopée P et
une autre fortement dopée N.
Principe
Lorsqu’un photon, d’énergie suffisante, pénètre dans la zone de charge d’espace (ZCE) d’une jonction
PN, il génère, du fait de son absorption, une paire électron/trou. Cette dernière est alors dissociée sous
l’action du champ E et chacun de ces photoporteurs est propulsé vers la région dans laquelle il sera
majoritaire. Le déplacement de ces porteurs est à l’origine du photocourant.
Cependant, afin d’obtenir un bon courant, il est important de limiter le nombre de recombinaisons de
paires électron/trou avec ces photoporteurs.
Aussi, il est nécessaire que les photons soient absorbés dans une zone dénuée de porteurs de charges
mobiles, la ZCE.
Si une région est plus dopée qu’une autre, la ZCE se forme principalement sur celle la moins dopée.
Or, un semi-conducteur intrinsèque à la propriété, par définition, de ne pas être dopé. Aussi, face aux
régions de type P et de type N qui sont très fortement dopées, la ZCE va s’étendre essentiellement sur
la partie intrinsèque. L’intérêt de la photodiode PIN est donc d’augmenter artificiellement la taille de
la ZCE. Ainsi, la majorité des photons y est absorbée. De plus, cette région intrinsèque étant pure
(99.99% pour le silicium), la vitesse des porteurs y est significativement augmentée. En effet, ces
derniers n’y subissent que très peu de collisions du fait de cette absence d’impureté.
Ainsi une photodiode PIN a un meilleur rendement qu’une photodiode usuelle.
Schéma électrique équivalent
Le schéma électrique équivalant de la photodiode PIN, utilisé
lors de l’analyse du circuit électrique dans lequel elle a été
intégrée.
• rd est la résistance dynamique de la jonction ≈
1010 ohms Schéma électrique équivalent de la
photodiode PIN
• rs est la résistance associée aux contacts ohmiques, de quelques dizaines d’ohms
• C est la capacité de la jonction
• Iph est le photo courant.
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3-1-4) Cellule solaire à base de PIN

Pour maximiser l’absorption de la lumière au sein du matériau de la cellule solaire à base de la


jonction PN, il faut augmenter la zone de charge d’espace (ZCE) de la jonction à une valeur suffisante
pour que le photo courant soit essentiellement dû à la photo génération des porteurs dans cette zone.
Justement dans le cas d’une cellule solaire à structure PIN, on augmente artificiellement la ZCE en
intercalant une région non dopée (intrinsèque) entre les régions dopées de type n+ et de type p+, la
zone de déplétion s’étend sur tout le volume de cette partie (intrinsèque) du dispositif. Il y a deux
jonctions injectantes de porteurs de charges: la jonction P+I qui donne lieu à une chute de tension VP+,
la jonction N+I qui donne lieu à une chute de tension VN+, La tension directe est alors
Vappl = VP+ + Vi + VN+
Les deux jonctions se comportent chacune comme une
jonction PN traditionnelle. La diode PIN se comporte alors
comme une jonction PN avec une tension de claquage élevée.
La diode agit comme un redresseur traditionnel.

La loi de variation du courant en fonction de la tension appliquée à la diode PIN est la même que pour
une jonction PN, avec un facteur d’idéalité proche de 2 du fait des deux jonctions. Id est le courant de
recombinaison dans la zone I :
Id = (q ni Wi /τa).[ exp(V- VI) / 2Vth] où V = V appliquée et 𝜏𝑎 est la durée de vie
des porteurs de charge électrons et trous.
C’est la même relation que pour une diode PN en remplaçant l’épaisseur de la ZCE par celle de la
région I et en tenant compte de la chute de tension V𝐼 dans la zone I.
3-4-1) Caractéristique de la cellule solaire à structure PIN :
• Caractéristique I(V) en obscurité :
La cellule solaire à structure PIN en absence de lumière est celui d’une diode PIN, la caractéristique
courant tension I(V) est donnée par l’équation :
Id = (q ni Wi /τa).[ exp(V- VI) / 2Vth]
• Caractéristique I(V) d’une cellule PIN illuminée:
Le courant de la charge est : I = Iph –Id (v) = Iph – (q ni Wi /τa).[ exp(V- VI) / 2Vth]
--------------------------------------------------------------------------------------------------

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