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ENGENHARIA DA COMPUTAÇÃO
Londrina
2010
RAFAEL VINICIUS JOSÉ BRUNELLO
Londrina
2010
SUMÁRIO
1 INTRODUÇÃO...........................................................................................................3
2 memórias....................................................................................................................4
3 CONCLUSÃO...........................................................................................................18
REFERÊNCIAS..........................................................................................................19
3
1 INTRODUÇÃO
2 MEMÓRIAS
regravação de dados, este tipo de memória se destaca pelo processo ser feito com
eletricidade.
2.1.6 FLASH
2.2.1 TIPOS
2.2.3 ENCAPSULAMENTO
Muito utilizado nos módulos SIMM, recebeu este nome pois a solda
nas placas é feita sem a necessidade de furos, o que cria o formato da letra J.
– Encapsulamento CSP
Figura
Fonte: infowester.com
A evolução das memórias fez mais uma vez duplicar os ciclos por
clock, agora com 8 transferências. O grande detalhe desta geração de memórias é
que o aumento na freqüência é obtido através do acesso simultâneo a endereços
adjacentes e não através do aumento da freqüência real das células da memória.
Houve também uma redução na tensão usada, caindo de 1,8V para 1,5V, o que
proporciona uma diminuição de energia utilizada. Para que o tempo de latência
inicial não fosse muito alto, o que deixaria praticamente de igual desempenho com
as memórias DDR2, os módulos de DDR3 incluem um sistema integrado de
calibragem do sinal, que melhora de forma considerável a estabilidade dos sinais,
possibilitando o uso de tempos de latência mais baixos, sem que a estabilidade seja
comprometida.
17
3 CONCLUSÃO
REFERÊNCIAS
http://www.infowester.com/memoria.php.
http://www.guiadohardware.net/tutoriais/tecnologias-ram/pagina2.html.
http://pt.wikipedia.org/wiki/Mem%C3%B3ria_%28computador%29.
http://pt.wikipedia.org/wiki/Mem%C3%B3ria_ROM