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Corrigé du TD 02 PARTIE 02 AMPLIS à Transistor FET

Solution EX01 :
Soit un montage amplificateur réalisé au moyen d’un transistor à effet de champ. On
donne VDD = 12V ,VGS 0 = −4V , I DSS = 8mA , I D = 2mA,VDS = 5V et RG = 1M

Les capacités C1 et C2 sont supposées très grandes aux fréquences de travail.

Les paramètres du TEC sont g m = 2 mA V et rds = 100 K

1- Donner le modèle équivalent en statique.

RD
D
G
VDD
S
RG
RS
Figure 1

2
 V 
2- Sachant I D = I DSS 1 − GS  Calculer RS ?
 VGS 0 

On a applique la loi de maille

RG I G + RS I D + VGS = 0 IG = 0  RS I D = −VGS
VGS ?
   
ID V
= 1 − GS  VGS = 1 −
ID VGS 0 = 1 − 2 (− 4) = −2V
I DSS VGS 0 I DSS   8. 
  
V 2
RS = GS = = 1K ..
ID 2.10 −3

3- Calculer RD ?

VDD − VDS
VDD = RS I D + VDS + RD I D  RD = − RS
ID
12 − 5
RD = −3
− 1.10 3 = 2,5 K
2.10
…………………………………………………………………
………………………………………………………………… 1
…………………………………………………………………
…………………………………………………………………
…………………………………………………………………
…..
4- Préciser le type de montage

Entrée : Grille
Sorti : Drain
Donc le type de montage : Source commune
……………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………
5- Donner le modèle équivalent en dynamique.
……………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………
…………………………………………..ie ig = 0 G D

Ve RG v gs g m v gs Z 22
rds VDS RD V s
Z 22

S
Z 22

6- Calculer AV

Vs = −(rds // RD )g m v gs
VS
AV = GV = Ve = vgs
Ve

VS  100  2,5 
AV = = −(rds // RD )g m = −   2 = −4,87
Ve  100 + 2,5 

7- Calculer Ze

Ve Ve
Ze = , Ve = RG ie Ze = = RG = 1M
ie ie
Calculer ZS

On utilise le théorème de Thévenin la charge


débranche
En court-circuite le générateur d’entrée (ve = 0)
On applique une tension V s en sortie qui’injecte
un courant i s
Vs = (rds // RD )(is − g mVGS )
Ve = 0  VGS = 0
Vs
Zs = = rds // RD = 2,43 K
is Ve = 0

2
Solution EX 02:

Soit un montage amplificateur réalisé au moyen d’un transistor à effet de champ.


On donne RU = 10 k, RS = 1k, RG = 2.2M, rg = 10  et VDD = 15V .

Les capacités C1 et C2 sont supposées très grandes aux fréquences de travail.

Les paramètres du TEC sont g m = 5 mA V et rds = 100 K

1- Donner le modèle équivalent en statique.

D
G

2- Rôle des éléments

C1 et C2 : Sont Condensateur de liaison


…………………………………………………………………………………………
……………………..

3- L’équation droite de charge I D = f (VDS )

VDD VDS 15 VDS


La maille de sortie : VDD − VDS = RS I D  I D = − = −
RS RS 10 3 10 3
I D = 0.015 - 0.001VDS

3
4- Le type de montage c’est un montage à Drain commun

Entrée: Grille
Sortie : Source
Drain Commun
à…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
5- Le modèle équivalent en dynamique.
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
………………..

6- Calculer AV

Vs = (rds // RD // RL )g m v gs
VS
AV = GV = Ve = vgs + Vs
Ve

AV =
VS
=
(rds // RD // RL )g m
Ve 1 + (rds // RD // RL )g m
rds  RD  RL 1 10  100
R = (rds // RD // RL ) =
1000
= = = 0,90K 
rds RD + RD RL + RL rds 1 10 + 10  100 + 100  1 1110

VS 0,90  10 3  5  10 −3 4,5
AV = = = = 0,81
(
Ve 1 + 0,90  10  5  10
3 −3
) 5,5

Ve Ve
7- Calculer Ze Ze = Ve = RG ie Ze = = RG = 2,2M
ie ie

4
8- Calculer ZS

Ve = 0

On utilise le théorème de Thévenin la charge débranche


En court-circuite le générateur d’entrée (ve = 0)
On Applique une tension V s en sortie qui injecte un courant i s
VS = Rsi4 VS = −rdsi3
VS + VGS = 0 iS + i3 + g mVGS = i4
VS V2
+ + g mV2 = iS
RS rdS
RS rdS
ZS =
RS + rdS + g m RS rdS

1  100
ZS = = 0.166K 
1 + 100 + 5  1  100

Solution EX03 (grille commune)

1- Le circuit équivalent en (continu statique) est :

5
2- Le circuit équivalent en dynamique (alternatif) est :

L’expression du Gain en tension :

3.2. L’expression de la résistance d’entrée est :

6
3.1 Impédance de sortie :

3.2 Gain en courant :