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République Algérienne Démocratique et Populaire

Ministère de l’enseignement supérieur et de la recherche scientifique


Université de Souk Ahras Faculté des Sciences et de la Technologie Département ST
L3 Maintenance TP Electronique Appliquée

TP : Amplificateur à Transistor FET

NB : Vous rédigerez un compte- rendu manuscrit qui répond aux questions de l’étude
théorique et pratique.
Vous utiliserez le logiciel Proteus pour réaliser le TP.
I) BUT DU TP
1. Comprendre la fonction amplification.
2. Mise en œuvre d’un amplificateur basse fréquence à émetteur commun
3. Détermination des caractéristiques d’un montage émetteur commun (gain en tension, résistance
d’entrée, résistance de sortie, tension de distorsion, bande passante).

II) ETUDE THEORIQUE:


Un peu de recherche :
1. Qu’elles sont les zones de fonctionnement d’un transistor FET, précisez les valeurs prises par
𝑉𝑔𝑠, 𝐼𝐷 𝑒𝑡 𝑉𝐷𝑆 pour chaque région?
2. Expliquer l’effet de champ
3. Donner le schéma équivalant du transistor dans le régime des petits signaux
4. Quelle est le rôle de l’amplification ?
5. Expliquez le phénomène de distorsion ?
Un peu de calcule :
1. Dans la figure ci-contre, quelle est la valeur de
𝑅𝑒 quant 𝑉’𝑒 égal à 𝑉𝑒/2 (principe de la
méthode de demi-déviation pour mesurer une
résistance)?

2. Soit le montage de la figure 2.


VCC 20V
a) Etude statique :

1. Donner le circuit équivalant en régime R4 R3


1MOhm 3.6KOhm
statique. C2
2. Déterminer le point de fonctionnement 3

du transistor. C1 Q1 3.3u
VN2222
2

b) Etude dynamique: 3.3u

1. Donner le schéma équivalant du circuit Ve R1


1MOhm
1
Vs
en régime dynamique. R2
10KOhm C3
2. Déterminer les expressions ainsi que les 3.3u

valeurs des grandeurs suivantes :


• résistances d’entrée et de sortie 𝑅𝑒, 𝑅𝑠,
• Gain en tension 𝐴𝑣 et en courant𝐴𝐼 .

R4=R1=1M; R3= 3.6K ;R2=10K ;VCC=20V Figure 2: Schéma électrique de l’amplificateur à source
commune
1|Préparé Par : T. Bouadjila
III) PARTIE PRATIQUE:

Réaliser le montage de la figure 2.

a) Etude statique
• Mesurer les valeurs du point de fonctionnement du transistor (𝑉𝐷𝑆0 , 𝑉𝐺𝑆0 , 𝐼𝐷0 ).

b) Etude dynamique
• Placer un GBF à l’entrée de l’amplificateur réglé sur une fréquence de 1KHz et relever le signal de
sortie sur l’oscilloscope, pour chaque valeurs de la tension d’entrée, remplir le tableau ci-après.

𝑉𝑒 (𝑚𝑉) 1 10 50 100
𝑉𝑠 (𝑉)
𝐴𝑉 = 𝑉𝑠 /𝑉𝑒
• Déterminer le gain en tension mesuré
• Déduire le déphasage entre l’entrée et la sortie de cet amplificateur.
• Déduire la tension maximale (𝑉𝑠𝑚𝑎𝑥) a partir du quelle le signal de sortie commence à distorde
c) Mesure de résistance d’entrée et de sortie :
En utilisant la méthode de la demi-déviation (tension moitié) expliquée précédemment, mesurer la résistance
d’entrée et la résistance de sortie.

d) Courbe de réponse en fréquence


• Mesurer pour chaque fréquence, la sortie Vs et remplir le tableau ci-après en vérifiant à chaque fois
que Ve ne varie pas

𝐹(𝐻𝑧) 2 4 6 8 10 100 500 103 10.103 100.103 106 2.106 3.106


𝑉𝑠(𝑉𝑜𝑙𝑡)
𝐺(𝑑𝑏)

• Tracer sur un papier semi logarithmique la réponse en fréquence de cet amplificateur


• Déterminer les fréquences de coupure basse et haute à -3db de cet amplificateur
V) Conclusion
• Faire une étude comparative entre les valeurs calculés en théorie et celles mesurées en pratique
(𝑅𝑒, 𝑅𝑠, 𝐴𝑣, . . . ).
• Quelles sont les avantages et les inconvénients de l’amplificateur émetteur commun ?