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Page 1 plan :
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Page 2 ❑ la définition de la photoluminescence
❑ les recombinaisons radiatives
❑ le taux de recombinaison et le coefficient
d’absorption
➢ dans le cas d’un semi conducteur à gap direct
➢ dans le cas d’un semi conducteur gap indirect
❑ la comparaison entre le taux de recombinaison
direct et indirect ❑de modèles Pour plus conclusion : Modèles Powerpoint PPT gratuits
Page 3 ❑ la définition de l’absorption optique • Est expliquée par un échange d’énergie des photons incidents vers les électrons de la bande de valence, provoquant leur excitation vers les niveaux d’énergie de la bande de conduction. Les photons ne peuvent cependant occasionner que des transitions verticales dans l’espace des k. Comme le Silicium, les alliages SiGe sont des matériaux à gap indirect. L’absorption optique directe qui peut y siéger se produit pour les basses énergies et c’est un processus assisté par phonons qui, au-delà de la limite d’absorption directe, prend le relais.
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Page 4 ❑L’absorption fondamentale directe • En physique des semi-conducteurs, on appelle gap la largeur de la bande interdite, laquelle est l'intervalle d'énergies situé entre l'état de plus basse énergie de la bande de conduction et l'état de plus haute énergie de la bande de valence. Quand le minimum du vecteur d’onde k, il s’agit d’un gap direct les transitions inter-bandent s’effectuent verticalement et sont donc radiatives
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Page 5 ➢Le coefficient d’absorption • le coefficient d’absorption il est relié au nombre de photons absorbés par unité d’épaisseur de matériau en fonction de la longueur d’onde . • l’intensité de l’onde électromagnétique traversant le semi-conducteur est donnée par :
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Page 6 • La théorie quantique exprime ce coefficient à l’aide de la probabilité de transition électronique d’un état électronique initial vers un état électronique final :
ne : Le nombre de porteur de charge par unité de
• En utilisant la règle d’or de Fermi, la probabilité de
transition radiative (qui est reliée à la force d’oscillateur), par unité de temps, d’un état initial i (d’énergie Ei ) vers un état final f (d’énergie Ej ) devient donc
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Page 7 • Dans le cas de l’absorption fondamentale directe l’absorption d’un photon d’impulsion provoque une excitation électronique de la bande de valence vers la bande de conduction. • Nous devons alors considérer la probabilité de transition entre états de Bloch :
• Il reste donc à effectuer l’intégration. Or, la valeur de
l’intégrale, notée j, dépend de la nature de la structure de bande
❖ Cas 3D : matériau massif
• Dans ce cas, l’élément de volume d V est donné par l’expression : Pour plus de modèles : Modèles Powerpoint PPT gratuits
Page 8 On suppose que les bandes sont paraboliques :
On pose : et
On trouve donc :
Finalement, l’absorption bande à bande dans un
matériau Pour plus de modèles : Modèles massif gratuitsdirect s’écrit : à gap Powerpoint PPT
Page 9 Si E<Eg, alors α(E)=0 Sinon
Ainsi, dans un matériau massif à gap direct, le
carré du coefficient d’absorption évolue linéairement avec l’énergie des photons au dessus de l’énergie du gap. Ce qui se traduit par :
Où désigne l’énergie du gap, et A un coefficient de
proportionnalité
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Page 11 ❑l’absorption fondamentale indirecte Les semi-conducteurs à gap indirect : le maximum de la bande de valence n’est pas en face du minimum de la conduction ( ils correspondent à des vecteurs d’onde différents c’est le cas du silicium ou du germanium). Le processus d’absorption indirect se décompose en deux transitions d’une verticale provoquée soit par absorption soit par génération de phonon, permettant ainsi à la fois l’échange d’énergie est la conservation du vecteur d’onde.
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Page 12 ➢ le coefficient d’absorption La conservation d’énergie impose alors la condition
La densité d’état initiaux et finaux intervenant dans la
constante d’absorption
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Page 13 Ceci conduit finalement à :
Avec :
On pose :
On obtient : Pour plus de modèles : Modèles Powerpoint PPT gratuits
Page 14 • On pose :
• et
• Donc:
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Finalement : Page 15 Donc :
Avec est la population de phonon donnée par la
distribution de Bose-Einstein
Même démarche pour l’émission d’un photon
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Le coefficient d’absorption fondamentale indirecte Page 16 s’écrit sous la forme En représentant en fonction de
•Conclusion : On conclue que le coefficient d’absorption d’un semi conducteur à gap directe est plus grande grand que celui d’un semi Pour plus conducteur de modèles à gap indirect. : Modèles Powerpoint PPT gratuits
Page 17 Chapitre 2 :
La photoluminescence
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Page 18 ❑ la définition de la photoluminescence
• La photoluminescence est une technique optique
permettant de caractérise les matériaux semi- conducteurs et les isolants. Son principe de fonctionnement est simple on excite les électrons de la substance étudiée à l’aide d’un rayonnement (généralement monochromatique) et l’on détecte la lumière émise par cette dernière. En général, l’énergie de la lumière émise est plus faible que celle du rayonnement utilisé pour l’excitation. En pratique l’intensité émise par le solide est souvent très faible il est donc nécessaire d’utiliser un laser comme source d’excitation de même qu’un système de détection performant.
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Page 19 ❑ les recombinaisons radiatives: Le processus de la recombinaison radiative ou inter-bandes est définit comme l’inverse du processus de la photo- génération. Ce processus est faible pour les matériaux à gaps indirects comme le Silicium. De ce fait, ce mécanisme n’influe pas considérablement sur la durée de vie des porteurs minoritaire.
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Page 20 ❑ le taux de recombinaison et le coefficient d’absorption
• Le taux d’émission (ou encore taux de recombinaison
radiative) a la fréquence angulaire dans l’intervalle est alors donné par :
• Est la probabilité par unité de temps pour absorber
un photon d’énergie
La densité de photons satisfaisant à la distribution de
Bose-Einstein de fréquence angulaire w et dw Pour plus de modèles : Modèles Powerpoint PPT gratuits
Page 21 Or le temps de vie moyen du photon dans le semi- conducteur est lié a la probabilité d’absorption par
Or ce temps de vie peut être déterminé à l’aide du
libre parcours moyen du photon
Donc
Finalement :
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Page 22 ➢Dans le cas d’un gap direct La relation entre le taux de recombinaison radiative électron trous et la constante d’absorption est donnée par :
Avec :
et
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Page 23 Dans l’expression du coefficient d’absorption indirect on tient compte juste à l’absorption d’un phonon
Finalement le taux de recombinaison est donnée par:
➢Conclusion :
Le taux de recombinaison d’un semi
conducteur à gap direct est plus important que celui d’un semi conducteur à gap indirect cette différence est due aux émissions non radiatives. Pour plus de modèles : Modèles Powerpoint PPT gratuits
Page 24 Merci pour votre Attention Pour plus de modèles : Modèles Powerpoint PPT gratuits
