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UNIVERSITÉ SIDI MOHAMED BEN ABDALLAH

FACULTÉ DES SCIENCE DHAR EL MAHRAZ DE FÈS

Absorption –photoluminescence

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plan :

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❑ la définition de la photoluminescence

❑ les recombinaisons radiatives

❑ le taux de recombinaison et le coefficient


d’absorption

➢ dans le cas d’un semi conducteur à gap direct


➢ dans le cas d’un semi conducteur gap indirect

❑ la comparaison entre le taux de recombinaison


direct et indirect
❑de modèles
Pour plus conclusion
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❑ la définition de l’absorption
optique
• Est expliquée par un échange d’énergie
des photons incidents vers les électrons de la
bande de valence, provoquant leur excitation
vers les niveaux d’énergie de la bande de
conduction. Les photons ne peuvent cependant
occasionner que des transitions verticales dans
l’espace des k. Comme le Silicium, les alliages
SiGe sont des matériaux à gap indirect.
L’absorption optique directe qui peut y siéger se
produit pour les basses énergies et c’est un
processus assisté par phonons qui, au-delà de la
limite d’absorption directe, prend le relais.

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❑L’absorption fondamentale
directe
• En physique des semi-conducteurs, on appelle gap
la largeur de la bande interdite, laquelle est
l'intervalle d'énergies situé entre l'état de plus
basse énergie de la bande de conduction et
l'état de plus haute énergie de la bande de valence.
Quand le minimum du vecteur d’onde k, il s’agit
d’un gap direct les transitions inter-bandent
s’effectuent verticalement et sont donc radiatives

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➢Le coefficient d’absorption
• le coefficient d’absorption il est relié au nombre de
photons absorbés par unité d’épaisseur de
matériau en fonction de la longueur d’onde .
• l’intensité de l’onde électromagnétique traversant
le semi-conducteur est donnée par :

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• La théorie quantique exprime ce coefficient à l’aide
de la probabilité de transition électronique d’un état
électronique initial vers un état électronique final :

ne : Le nombre de porteur de charge par unité de

• En utilisant la règle d’or de Fermi, la probabilité de


transition radiative (qui est reliée à la force
d’oscillateur), par unité de temps, d’un état initial i
(d’énergie Ei ) vers un état final f (d’énergie Ej )
devient donc

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• Dans le cas de l’absorption fondamentale directe
l’absorption d’un photon d’impulsion provoque une
excitation électronique de la bande de valence vers la
bande de conduction.
• Nous devons alors considérer la probabilité de
transition entre états de Bloch :

• Il reste donc à effectuer l’intégration. Or, la valeur de


l’intégrale, notée j, dépend de la nature de la
structure de bande

❖ Cas 3D : matériau massif


• Dans ce cas, l’élément de volume d V est donné par
l’expression :
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On suppose que les bandes sont paraboliques :

On pose :
et

On trouve donc :

Finalement, l’absorption bande à bande dans un


matériau
Pour plus de modèles : Modèles massif gratuitsdirect s’écrit :
à gap
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Si E<Eg, alors α(E)=0
Sinon

Ainsi, dans un matériau massif à gap direct, le


carré du coefficient d’absorption évolue
linéairement avec l’énergie des photons au dessus
de l’énergie du gap. Ce qui se traduit par :

Où désigne l’énergie du gap, et A un coefficient de


proportionnalité

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❑l’absorption fondamentale
indirecte
Les semi-conducteurs à gap indirect : le maximum
de la bande de valence n’est pas en face du minimum
de la conduction ( ils correspondent à des vecteurs
d’onde différents c’est le cas du silicium ou du
germanium). Le processus d’absorption indirect se
décompose en deux transitions d’une verticale
provoquée soit par absorption soit par génération de
phonon, permettant ainsi à la fois l’échange d’énergie
est la conservation du vecteur d’onde.

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➢ le coefficient d’absorption
La conservation d’énergie impose alors la condition

La densité d’état initiaux et finaux intervenant dans la


constante d’absorption

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Ceci conduit finalement à :

Avec :

On pose :

On obtient :
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• On pose :

• et

• Donc:

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Finalement : Page 15
Donc :

Avec est la population de phonon donnée par la


distribution de Bose-Einstein

Même démarche pour l’émission d’un photon

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Le coefficient d’absorption fondamentale indirecte
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s’écrit sous la forme
En représentant en fonction de

•Conclusion :
On conclue que le coefficient d’absorption d’un semi
conducteur à gap directe est plus grande grand que celui d’un
semi
Pour plus conducteur
de modèles à gap indirect.
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Chapitre 2 :

La photoluminescence

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❑ la définition de la photoluminescence

• La photoluminescence est une technique optique


permettant de caractérise les matériaux semi-
conducteurs et les isolants. Son principe de
fonctionnement est simple on excite les électrons de
la substance étudiée à l’aide d’un rayonnement
(généralement monochromatique) et l’on détecte la
lumière émise par cette dernière. En général,
l’énergie de la lumière émise est plus faible que celle
du rayonnement utilisé pour l’excitation. En pratique
l’intensité émise par le solide est souvent très faible
il est donc nécessaire d’utiliser un laser comme
source d’excitation de même qu’un système de
détection performant.

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❑ les recombinaisons radiatives:
Le processus de la recombinaison
radiative ou inter-bandes est définit comme
l’inverse du processus de la photo-
génération. Ce processus est faible pour les
matériaux à gaps indirects comme le
Silicium. De ce fait, ce mécanisme n’influe
pas considérablement sur la durée de vie
des porteurs minoritaire.

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❑ le taux de recombinaison et le coefficient d’absorption

• Le taux d’émission (ou encore taux de recombinaison


radiative) a la fréquence angulaire dans l’intervalle
est alors donné par :

• Est la probabilité par unité de temps pour absorber


un photon d’énergie

La densité de photons satisfaisant à la distribution de


Bose-Einstein de fréquence angulaire w et dw
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Or le temps de vie moyen du photon dans le semi-
conducteur est lié a la probabilité d’absorption par

Or ce temps de vie peut être déterminé à l’aide du


libre parcours moyen du photon

Donc

Finalement :

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➢Dans le cas d’un gap direct
La relation entre le taux de recombinaison
radiative électron trous et la constante
d’absorption est donnée par :

Avec :

et

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Dans l’expression du coefficient d’absorption indirect
on tient compte juste à l’absorption d’un phonon

Finalement le taux de recombinaison est donnée par:

➢Conclusion :

Le taux de recombinaison d’un semi


conducteur à gap direct est plus important
que celui d’un semi conducteur à gap
indirect cette différence est due aux
émissions non radiatives.
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Merci pour
votre
Attention
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