1

ETAGE AMPLIFICATEUR A TRANSISTOR EN EMETTEUR COMMUN

AVEC “CHARGE ACTIVE”

On veut réaliser un amplificateur suivant le schéma ci-dessous en utilisant deux transistors

bipolaires rigoureusement complémentaires. Il est alimenté par deux alimentations VCC et VEE de
10V, l’une positive par rapport à la masse et l’autre négative. La température de fonctionnement est
fixée à 25°C.
+ VCC = +10V
E2

B2
T2

R2

C2

C1 K
R1

Rg C1
T1 Ru
B1 vs
+
eg
ve
-

E1
- VEE = -10 V

Les caractéristiques des transistors T1(NPN) et T2 (le PNP complémentaire) sont telles que :

Gain en courant β |VBE| Tension de Early |VA|

100 0,7 V 100 V

1ère PARTIE : ETUDE DE LA POLARISATION

1. Dessiner le schéma qui permet de décrire le fonctionnement du montage en courant continu.

2. On veut alimenter chaque transistor sous une tension |VCE| = 10 V. Indiquer sur le schéma
précédent, les valeurs des tensions de tous les noeuds par rapport à la masse.

3 . Déterminer les valeurs à donner aux résistances R 1 et R2 pour obtenir dans chaque
transistor, un courant de collecteur de 5 mA. Indiquer la valeur normalisée que vous
choisiriez.

4. Déterminer les paramètres gm , rbe et rce des transistors autour de leur point de repos.

1
Ph.ROUX © 2005
 2

2ère PARTIE : ETUDE DE L’AMPLIFICATEUR A VIDE (K ouvert)

On suppose que le condensateur de liaison C1 a une valeur suffisante pour que son impédance soit
négligeable à la fréquence d’utilisation du montage.

1. Compte tenu de ces hypothèses, dessiner le schéma aux petites variations équivalent à la
charge active constituée par T2, qui sert de charge à T1.

2. Déterminer alors la valeur de la résistance RC équivalente à la charge active.

3. Faire l’application numérique, et en déduire les approximations qui s’imposent (à exploiter

par la suite).

4 . On veut déterminer l’expression du gain en tension AV 0 = vs /v e . Compte tenu de

l’équivalence montrée dans les trois précédentes questions, dessiner le schéma qui permet ce
calcul.

5. Calculer AV0 et faire l’application numérique.

6. Dessiner le schéma permettant de calculer la résistance d’entrée Re, vue entre la base B1 et
masse.

7. Calculer cette résistance en faisant intervenir AV0 . Faire l’application numérique.

8. Quelle doit être la valeur de Rg pour que le maximum de puissance soit transféré du
générateur d’attaque vers l’entrée de l’amplificateur.

9. Dessiner le schéma du montage permettant de calculer la résistance de sortie Rs vue entre C1

et la masse. Calculer son expression et faire l’application numérique.

3ième PARTIE : ETUDE DE L’AMPLIFICATEUR CHARGE (K fermé)

On ferme l’interrupteur K et on donne Ru = 1 kΩ

1. Redessiner le schéma en tenant compte de Ru et calculer numériquement la nouvelle valeur

Av du gain en tension.

2. De même, calculer la nouvelle valeur numérique de la résistance d’entrée.

3. Calculer numériquement le gain en puissance. L’exprimer en décibels.

4. On modifie la valeur de Rg pour l’adapter au sens de la 8° question de la 2° partie, à la

nouvelle valeur de Re calculée précédemment.

5. Calculer la valeur à donner au condensateur C1 pour qu’à la fréquence de 50 Hz,

l’atténuation soit de 1 dB par rapport aux fréquences moyennes.
 3

CORRECTION

1ère PARTIE : ETUDE DE LA POLARISATION

1. Schéma qui permet de décrire le fonctionnement du montage en courant continu.

+ VCC = +10V
E2

B2
9,3 V T2
IB2

R2

C2 0V
C1

R1

IB1
-9,3 V T1
B1

E1
- VEE = -10 V

2. Les potentiels par rapport à la masse sont indiqués sur le schéma ci-dessus.

IC
3. Courant de base de T1 et T2 : IB = = 50µA . R1 = R2 = 186 kΩ soit 180 kΩ normalisé.
β

4. Paramètres gm , rbe et rce des transistors autour de leur point de repos.

I U V
gm = C = 0, 2 S rbe = β T = 500Ω rce ≈ A = 20 kΩ
UT IC IC

2ième PARTIE : ETUDE DE L’AMPLIFICATEUR A VIDE (K ouvert)

1. Schéma aux petites variations équivalent à la charge active constituée par T2, qui sert de
charge à T1.
B2 R2 C2

T2 i’ i
ib2
+
v be2 rbe2 rce2 u
R2 -
g m.vbe2
E2
 4

2. Pour déterminer la résistance équivalente RC du dipôle, on place un générateur u entre C2 et

la masse sur le schéma aux petites variations. Ce générateur débite un courant i de telle sorte
u
que : Rc = .
i
u u u
Rc = rce 2 // © avec : i© = β .ib 2 + et ib 2 =
i R2 + rbe 2 R2 + rbe 2
Il vient alors :

R2 + rbe 2
Rc = rce 2 //( R2 + rbe 2 ) //
β

3. Application numérique : RC = 1,8 kΩ.

4. Schéma équivalent :
i
ig B1 R1 C1

Rg
+ vs
eg v be1 rbe1 rce1 RC
- ve
g m.vbe1

E1

5. Calcul du gain en écrivant l’équation au nœud de collecteur C1.

ve − vs v v
− gm .v be1 − s − s = 0 avec : ve = vbe1
R1 rce1 RC
1 1 1 1
v e ( − gm ) = v s ( + + )
R1 R1 rce1 RC
v 1
Av 0 = s = ( − gm )( R1 // rce1 // RC ) = −360
ve R1

6. Le schéma est donné ci-dessus.

ve
7. La résistance d’entrée est telle que : Re =
ig
ve v − v v − Av 0v e v e
Re = rbe1 // avec : i = e s = e = (1 − AV 0 )
i R1 R1 R1

R1 R
Re = rbe1 // ≈ rbe1 // 1 = 250Ω
1 − AV 0 AV 0

8. Calculons la puissance Pe reçue à l’entrée de l’amplificateur.

 5

(V eff )
2
1 Re Re
Pe = e ( = E g eff ) 2 = E g eff 2
Re Re Rg + Re ( Rg + Re ) 2

dPe
Cette puissance est maximale lorsque : = 0 . La solution est alors : Rg = Re = 250Ω.
dRg

9. On exploite la méthode de « l’ohmmètre » à savoir : court-circuiter eg et mettre en sortie un

générateur (u,i). Le schéma est alors le suivant :

B1 R1 C1

Rg i
+
v be1 rbe1 rce1 RC u
g m.v be1
-

E1

On écrit l’équation au nœud C1 :

u u u rbe1 // Rg
i= + + gm .v be1 + avec : v be1 = u
RC rce1 R1 + rbe1 // Rg R1 + rbe1 // Rg
Il vient alors :
R1 + rbe1 // Rg
Rs = RC / // rce1 //( R1 + rbe1 // Rg ) // = 112
, kΩ
gm ( rbe1 // Rg )

3ième PARTIE : ETUDE DE L’AMPLIFICATEUR CHARGE (K fermé)

1. Nouveau schéma équivalent :

B1 R1 C1

Rg
+ vs
eg v be1 rbe1 rce1 RC Ru
- ve
g m.vbe1

E1

Nouvelle valeur du gain en tension qui tient compte de Ru :

vs 1
Av = = ( − gm )( R1 // rce1 // RC // Ru ) = −128
ve R1

2. Nouvelle résistance d’entrée :

R1 R
Re = rbe1 // ≈ rbe1 // 1 = 370Ω
1 − AV AV
 6

3. Gain en puissance :
2
Vseff
P R R
G p = s = 2u = Av2 e = 6062 soit 38 dB
Pe Veeff Ru
Re

4. La cellule d’entrée aux très basses fréquences est conforme au schéma suivant :
B1
Rg C1
+
eg Re v e
-

E1

ve Re
Aux fréquences moyennes telles que C1 est négligeable, on peut écrire : ( ) f .m . =
eg Rg + Re
ve Re
Par contre aux fréquences basses : ( ) f .b . =
eg 1
Rg + Re +
jωC1
ve v 1
On a donc : ( ) f .b . = ( e ) f .m .
eg eg 1
1+
jωC1 ( Rg + Re )
ve ve 1
Soit en module : =
eg eg 1
f .b . f .m . 1+
(ωC1 ( Rg + Re )) 2
En décibels :
ve ve 1
20 log = 20 log − 20 log 1 +
eg eg (ωC1 ( Rg + Re )) 2
f .b . f .m .

L’atténuation par rapport aux fréquences moyennes à 50 Hz est donc :

1
−20 log 1 + = −1dB
(ωC1 ( Rg + Re )) 2

Compte tenu des valeurs respectives de Rg et Re, on obtient : C1 = 8,6 µF (pratiquement 10 µF).