Cours S555

Cours de Physique des Matériaux
SMP 5
Prof. Brahim BOUGHAZI
Année Universitaire 2020/2021

Table des matières
I Réseaux et Structures 3
I.1 Réseau direct . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
I.1.1 Réseau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
I.1.2 Maille . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
I.1.3 Motif . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
I.1.4 Rangées cristallines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
I.1.5 Plans réticulaires et indices de Miller . . . . . . . . . . . . . . 10
I.2 Réseau réciproque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
I.2.1 Dénition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
I.2.2 Propriétés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
I.2.3 Construction de réseau réciproque . . . . . . . . . . . . . . . 14
I.2.3.1 Réseau cristallin linéaire . . . . . . . . . . . . . . . 14
I.2.3.2 Réseau cristallin carré . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
I.2.3.3 Réseau cristallin simple (P) . . . . . . . . . . . . . . 15
I.2.3.4 Réseau cristallin cubique centré (I) . . . . . . . . . . 16
I.2.3.5 Réseau cristallin cubique à faces centrées (F) . . . . 18
I.3 Structures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
I.3.1 Matériau amorphe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
I.3.2 Cristal parfait . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
I.3.2.1 Structure cristalline . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
I.3.2.2 Caractérisation d'une structure cristalline . . . . . . 21
I.3.2.3 Empilement compact de sphères en contact . . . . . 21
I.3.2.4 Structures usuelles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
I.3.3 Quasi-cristaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
I.3.4 Cristaux réels . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
I.3.4.1 Défauts de structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
I.3.4.1.1 Défauts ponctuels . . . . . . . . . . . . . . . 31
I.3.4.1.2 Défauts non ponctuels . . . . . . . . . . . . 33
I.3.5 Alliages . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
I.3.5.1 Alliages de substitution . . . . . . . . . . . . . . . . 34
I.3.5.2 Alliages d'insertion . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
II Détermination des structures cristallines 37

II.1 Principe de détermination des structures . . . . . . . . . . . . . . . . 37
II.2 Faisceaux incidents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
II.2.1 Neutrons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
II.2.2 Electrons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
II.2.3 Rayons X (RX) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
II.3 Détermination de la structure cristalline par les RX . . . . . . . . . . 39
II.3.1 Rappel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
II.3.2 Caractéristiques des RX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
II.3.3 Production des RX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
II.3.4 Mécanisme de la production des rayons X . . . . . . . . . . . 40
II.3.4.1 Spectre continu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
II.3.4.2 Spectre de raies caractéristiques . . . . . . . . . . . 43
II.3.4.3 Eet de la tension sur le spectre . . . . . . . . . . . 45
II.3.4.4 Eet de l'intensité sur le spectre . . . . . . . . . . . 45
II.3.5 Interaction des RX avec la matière . . . . . . . . . . . . . . . 46
II.3.5.1 Absorption des RX . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
II.3.5.2 Eet Compton . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
II.3.5.3 Eet photoélectrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
II.3.6 Diraction des Rayons X (RX) . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
II.3.6.1 Loi de Bragg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
II.3.6.2 Condition de Laue . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
II.3.6.3 Equivalence des formulations de Bragg et von Laue . 51
II.3.6.4 Construction d'Ewald . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

II.3.6.5 Notion de la zone de Brillouin . . . . . . . . . . . . 53
II.3.7 Les méthodes de résolution . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
II.3.7.1 Méthode de Laue . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
II.3.7.2 Méthode du cristal tournant . . . . . . . . . . . . . 54
II.3.7.3 Méthode de poudre (ou de Debye-Scherrer) . . . . . 55
II.3.8 Facteur de structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
III Vibrations thermique des réseaux et phonons 59

III.1 Rappels sur l'oscillateur harmonique . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
III.1.1 Le potentiel Harmonique en Mécanique classique . . . . . . . 60
III.1.2 Le potentiel Harmonique en Mécanique quantique . . . . . . 61
III.2 La chaine linéaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
III.2.1 Un atome par maille . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
III.2.2 Deux atomes par maille . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
III.3 Conditions aux limites . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
III.3.1 Conditions aux limites xes : u0 = 0 et uN = 0 . . . . . . . . . 69
III.3.2 Conditions aux limites périodiques (C.L.P) . . . . . . . . . . . 70
III.4 Quantication des vibrations de réseau . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
III.5 Aspect corpusculaire du phonon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
III.6 Densité des modes de vibrations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
III.7 Energie interne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
III.8 Chaleur spécique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
III.8.1 Modèle d'Einstein . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
III.8.2 Modèle de Debye . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77

Introduction
Les philosophes grecs furent probablement les premiers à émettre l'hypothèse
de l'existence à un niveau microscopique de structures responsables des propriétés des
matériaux. Pourtant on considère généralement que la science des matériaux ne date
e
que du début du XX siècle, où la régularité de la forme des matériaux a été observée
donnant ainsi la notion du cristal. En tant que la science la plus puissante pour
étudier la structure de la matière cristalline à l'échelle atomique, la cristallographie,
grâce aux informations qu'elle apporte, est indispensable à de nombreuses disciplines,
de la physique à la chimie, en passant par la biologie, et permet la conception de
matériaux aux propriétés maîtrisées. Elle est aussi une ressource précieuse pour les
industriels.
La physique des matériaux s'intéresse aux objets qui nous entourent (métaux,
polymères, semi-conducteurs, céramiques, composites, etc.), tout en se focalisant sur
l'étude des principales caractéristiques de ces matériaux, ainsi que leurs propriétés
mécaniques chimiques, électriques, thermiques, optiques et magnétiques.
Ce cours de physique des matériaux, comprenant trois chapitres, dont le premier
est consacré à l'étude des concepts fondamentaux de la cristallographie (réseaux,
les structure usuelles, défauts,. . . ). Le deuxième chapitre cite des méthodes de dé-
termination des structures cristallines, notamment la diraction des rayons x. Les
vibrations du réseau sera l'objet du troisième chapitre, où on verra quelques proprié-
tés thermiques (énergie interne, chaleur spécique,. . . ) des cristaux.
Ce cours vise à présenter, aux étudiant de la lière SMP-5, un tour d'horison
du comportement macroscopique (propriétés thermiques, optiques, électriques, ...)

des matériaux (notamment les solides cristallisés) et de l'expliquer avec modèles
microscopiques que ce soit classique (loi de Dulong et Petit) ou quantique (modèles
1
Pr. B. BOUGHAZI Cours de Physique des Matériaux - SMP5
d'Einstein et de Debye).
Ces notes de cours n'ont aucun caractère exhaustif et ne doivent surtout pas
être considérées comme un document de référence exclusif, au contraire : il est sou-
haitable que les développements qui ne sont (seront) mentionnés sur ce présent ma-
nuscrit (en amphi) suscite la curiosité d'en savoir d'avantage en allant consulter les
nombreux livres traitons les chapitres (notions) abordés. Quelques références sont
données à l'issue de ce cours : elles sont seulement des indicatives et reètent des
gouts personnels.
Faculté Polydisciplinaire de Ouarzazate Page 2

Chapitre I
Réseaux et Structures
I.1 Réseau direct

I.1.1 Réseau
Il est constitué par un ensemble inni de points discrets, appelés n÷uds, obtenu par
→
− →
− →
−c
translation dans l'espace de trois vecteurs non coplanaires a, b et qui déter-
minent les directions et les distances entre les n÷uds du réseau.
Dans le cristal, chaque n÷ud présente le même environnement pour une direction
donnée. Ainsi, une propriété fondamentale des cristaux est la translation. Pour la
décrire, les diérents n÷uds sont dénis à partir d'une origine quelconque O par
l'équation :
−−→ →
−
OM = n1 → −
a + n2 b + n3 →
−c Où n ∈ Z (i = 1, 2, 3) non simultanément nuls
i
→
− →
−
a , b et →
−c sont appelés vecteurs de translation fondamentaux ou primitifs (leur
−−→
combinaisons linéaires entières forment les diérents vecteurs OM ).
Considérons le réseau cubique à faces centrées de paramètre de maillea représenté ci-

→
− →
− →
−
dessous. Les vecteurs a , b et c sont des vecteurs de translation non fondamentaux
→
− → − →
−
alors que les vecteurs a , a et a sont fondamentaux ou primitifs (Fig. 1).
1 2 3
En plus de la translation, on rencontre d'autres opérations de symétrie, telles que :
1. La rotation autour d'un axe : la rotation est dite d'ordre n si l'angle de rotation
nécessaire pour l'identité est égal à 2π /n. Les seules rotations possibles sont
d'ordre : 1 (2π ) ; 2 (π ) ; 3 (2π /3) ; 4 (2π /4) et 6 (2π /6). La rotation d'ordre 5
3
Fig. 1 Représentation des vecteurs fondamentaux ( 1 , ~a ~a2 et ~a3 ) et non fondamen-
taux (~
a, ~b et ~c) du cubique à faces centrées
et 7 sont impossibles dans les cristaux.
Démonstration :(Fig. 2)
Fig. 2 Démonstration
a étant la longueur d'un élément des vecteurs de base.
l ne peut être un multiple entier de a que pour des valeurs de α = 2π/n,

n = 1, 2, 3, 4 ou 6. D'où le résultat.
2. La symétrie par rapport à un point, un plan.
3. La combinaison d'une rotation d'ordre n et d'une symétrie par rapport à un
point dite rotation-inversion.
Notation de Hermann-Mauguin :
1. L'axe de rotation d'ordre n est noté par le chire n.

2. La rotation-inversion d'ordre n est notée par le symbole n.
3. La réexion est notée par la lettre m (m = 2.).
I.1.2 Maille
→
− →
−
Le parallélépipède, construit sur trois vecteurs non coplanaires a , b et →
−c du réseau
cristallin, constitue une maille du réseau. Si tout n÷ud du réseau peut être obtenu
par combinaison linéaire entière des vecteurs de la maille, la maille est dite simple,
ou primitive, sinon, elle est dite multiple. Le volume d'une maille simple contient
un seul n÷ud du réseau. Le volume d'une maille multiple contient un nombre entier
de n÷uds du réseau. Une maille multiple contenant n n÷ud du réseau (n est un
entier) est appelée maille multiple d'ordre n.

Exemple de mailles 2D :
Fig. 3 Exemple de mailles (simple et multiple) à deux dimensions
Systèmes cristallins à deux dimensions :

Un réseau est appelé réseau de Bravais du cristal, si son orientation apparaît exacte-
ment la même lorsqu'il est vu d'un point quelconque. Il y a cinq réseaux de Bravais
à deux dimensions compatibles avec les opérations du groupe ponctuel associé aux
n÷uds du réseau.
Oblique, n'est invariant que par des rotations de 2π et de 2π /2
Les autres, peuvent être invariants par des rotations de 2π /3,2π /4 ou 2π /6 ou des
symétries par rapport à un plan.

Fig. 4
Systèmes cristallins à trois dimensions :

Dans le cas tridimensionnel, la maille élémentaire est constituée de trois vecteurs
→
−
a,
→
− →
b et −c dont les modules forment les paramètres de la maille.
On montre que le nombre de réseaux de Bravais est égal à 14 (g. 5). Ces réseaux
sont associés aux 7 systèmes cristallins suivants :
Système Symbole de Géométrie de la maille
réseau
Triclinique P a 6= b 6= c, α 6= β 6= γ 6= 90◦
Monoclinique P, C a 6= b 6= c, α = γ = 90◦ 6= β
Orthorhombique
P, C, I, F a 6= b 6= c, α = β = γ = 90◦
Quadratique P, I a = b 6= c, α = β = γ = 90◦
RhomboédriqueP a = b = c, α = β = γ 6= 90◦
Hexagonal P a = b 6= c, α = β = 90◦ 6= γ =
120◦
Cubique P, I, F a = b = c, α = β = γ = 90◦

Fig. 5 Systèmes cristallins et réseaux de Bravais

I.1.3 Motif
Il peut être un atome ou un groupe d'atomes ayant une orientation et une géométrie
bien déterminées. C'est l'élément de base dont la répétition suivant le réseau engendre
le cristal. En d'autres termes, le réseau ne fait que décrire les symétries de translation
du cristal. Par contre, la nature du cristal est dénie par son motif.
Ainsi, on peut écrire :
Motif + Réseau = Cristal
I.1.4 Rangées cristallines

Toute droite passant par deux n÷uds du réseau est appelée rangée cristalline (Fig.
6).
Le réseau étant a priori supposé inni, il y a une innité de n÷uds régulièrement
espacés sur une même rangée.
Tous les autres n÷uds du réseau peuvent être décrits par des rangées parallèles à
la première rangée considérée. Le faisceau de rangées ainsi considéré est appelé une
famille de rangées cristallines.
Une famille de rangées dans un réseau cristallin contient donc tous les n÷uds du
réseau.
Il y a une innité de manières de regrouper les n÷uds en famille de rangées.
Il y a donc une innité de familles de rangées dans un réseau cristallin.
Remarque
Au sein d'une même famille de rangées, les rangées sont parallèles entre elles, la
période d'espacement des noeuds sur les rangées est la même pour toutes les rangées
de la même famille. En revanche, les rangées de la famille ne présentent pas la même
équidistance selon les diérentes directions ([13] 6= [12], Fig. 6).

Fig. 6 Famille de rangées [uvw] d'un réseau cristallin 2D et 3D
Indices caractéristiques d'une famille de rangées :
Une des rangées de la famille considérée passe nécessairement par le n÷ud choisi
comme origine : 0, 0, 0. Sur cette rangée, on considère le premier n÷ud à partir de
l'origine. Il est repéré par la translation Tuvw et donc par ses coordonnées u, v, w.
Toutefois, cette translation Tuvw est caractéristique de toute la famille de rangées
puisqu'elle donne la direction de toutes les rangées de la famille et la période de la
répartition des n÷uds sur les rangées. Dans un réseau donné, la connaissance de u,
v, w est donc susante pour distinguer une famille de rangées de toutes les autres
familles.
Conventionnellement on désigne une famille de rangées par les trois entiers u, v,

w disposés entre crochets [u, v, w] et appelés indices de la famille de rangées. Ces
indices u, v, w sont les coordonnées du premier noeud à partir de l'origine et se
→
− −
trouvant sur la rangée de la famille passant par l'origine du repère →
−
a, b, →
c . On
parle alors de la famille de rangées [u, v, w].
Quelques exemples simples de rangées cristallines sont représentés (Fig. 7) : les ran-
→
− →
− →
−c ,
gées correspondant aux directions données par les vecteurs a, b et à savoir les
rangées [100], [010] et [001], ainsi que les rangées [110] et [111].

Fig. 7 Exemples d'indices des principales familles de rangées.
I.1.5 Plans réticulaires et indices de Miller

La position et l'orientation d'un plan réticulaire sont déterminées par trois points
quelconques de ce plan. En analyses des structures, il est plus utile de dénir le plan
par les indices déterminés par les règles suivantes (se référer à l'exemple de la Fig.
8)
→
− →
−
1. Trouver les coordonnées des intersections du plan avec les trois axes a , b et
→
−c (ces axes peuvent être primitifs ou non primitifs), soient x, y et z.
1 1 1
2. Calculer les inverses , et
x y z
3. Se ramener à trois entiers, habituellement les plus petits possibles, dans le
même rapport entre eux que ces inverses. Le résultat est placé entre paren-
thèses : ( hkl ) sont les indices du plan.
Si l'une des intersections est rejetée à l'inni, l'indice correspondant est nul. Si un plan
coupe la partie négative d'un axe, l'indice correspondant est négatif, le signe moins
est placé au dessus de l'indice. Les indices (hkl ) peuvent désigner un seul plan ou
une famille de plans parallèles et équidistants. Les familles de plans équivalents par
symétrie peuvent être désignées par des accolades autour des indices : { hkl }
Remarque :
Dans le but de rendre explicite l'indexation des plans équivalents dans le système

Fig. 8 Ce plan coupe les axes ~a, ~b et ~c en 3~a, 2~b et 2~c. Les inverses de ces nombres
1 1 1
sont , et . Les trois plus petits entiers de même rapport sont 2, 3 et 3, donc les
3 2 2
indices du plan sont (233)
Fig. 9 Exemples de plans réticulaires et leurs indices de Miller correspondants

Fig. 10 En notation à trois indices,
la famille (100) devient la famille
(010) puis la famille (1̄10) dans les
rotations autour de l'axe 3 ou 6 ; en
notation à quatre indices, la famille
(101̄0) devient la famille (011̄0) puis
la famille (1̄100) dans les rotations
autour de l'axe 3 ou 6.
hexagonal, on introduit un quatrième indice i, combinaison linéaire des indices h
et k et tel que i = −(h + k), an que ce soient des permutations simples des indices
qui distinguent des familles de plans équivalentes dans les rotations autour de l'axe
3 ou 6. Une famille de plans se note (hkil) (indices de Miller-Bravais) et les familles
de plans équivalentes dans les rotations autour de l'axe 3 ou 6 s'obtiennent alors par
permutation des trois premiers indices h, k et i (Fig. 10).
I.2 Réseau réciproque

I.2.1 Dénition
→
− →
− →
−c
Soit a, b et les vecteurs fondamentaux de la maille du réseau direct. On dénit
→
− ∗ →
−∗ −∗
une maille, de vecteurs a , b ,→
c , du réseau réciproque par :
→
− → →
−
→
− ∗ b ∧ −c →
−∗ →
−c ∧ →
−
a →
− ∗
→
−
a ∧ b
a = 2π ; b = 2π ; c = 2π
V V V
→
− −b ∧ →
→ −c : volume de la maille du réseau direct. Ainsi, les vecteurs de

où V = a .
−∗ →
→
base du réseau réciproque a , b
−∗ →
− ∗ et les vecteurs de base du réseau direct
et c
satisfont les relations suivantes :

→
−∗ →
  

 →
−
a .→
∗ −
a =2π 
 b .−a =0 
 →
−
c .→
∗ −
a =0
  
→
− →
− →− →
−
  ∗ 
→
− ∗
a . b =0 b . b =2π →
− ∗
c . b =0
 →−∗ →
  
 →−
a .→
∗ −
b .−  →
−
c .→
∗ −

 
 

c =0 c =0 c =2π
→
− ∗ →
−∗ −∗
Le réseau réciproque de points bâtis à l'aide de cette maille ( a , b ,→
c ) dénit
l'espace réciproque qui est l'espace dual de l'espace direct. Par ailleurs, l'ensemble de

→
−
tous les points, ou n÷uds, du réseau réciproque sont dénies par les vecteurs G hkl
donnés par la relation :
→
− →
−∗ −∗
G hkl =h→
−
a +k b +l→
∗
c
Fig. 11 Représentation d'un réseau réciproque
I.2.2 Propriétés
→
− →
−∗ −∗
G hkl = h→
−a + k b + l→
∗ Q
On considère la rangée réciproque c et le plan du réseau
x y z
direct (hkl ) d'équation : h. + k. + l. = 1 (premier plan de la famille (hkl ) qui
a b c
Q a b
ne passe pas par l'origine. coupe les axes directs en A ( , 0, 0), B (0, , 0) et C
c h k
(0, 0, ).
l −−→ −−→ Q
Les vecteurs AB et BC appartiennent à . On fait le produit scalaire du vecteur
−−→ →
− →
− −−→ →
−∗ −c ∗ . →
−
h→
−
a + k b + l→ b /k − →
−

∗
AB et du vecteur G hkl : G hkl .AB = a /h = 0
→
− −−→
de même G hkl .BC = 0. La rangée réciproque [hkl ]* est normale aux plans directs
(hkl ). Soit d la distance entre deux plans de la famille ( hkl ). C'est la projection du
−−→ −−→ −−→
vecteur OA (ou OB ou OC ) sur la normale aux plans.
→
− →
−∗
 
→
− →
− ∗ →
− ∗
−−→ G hkl a  h a + k b + c c  = 1
d = OA.
→
− = h . →
− →
−
G hkl G hkl G hkl
→
− →
→
−

→
− ∗ b ∧ −c
Soit : d. G hkl =1 (sans le coecient 2π c-à-d a = )
V

Fig. 12
A toute famille hkl de plans du réseau direct correspond, dans le réseau

réciproque, la rangée [hkl ]* qui lui est orthogonale
De même à toute famille { hkl}* de plans du réseau réciproque correspond la rangée
directe [ hkl ] qui lui est orthogonale. Le réseau réciproque du réseau réciproque
est le réseau direct.
Pour les mailles simples, la maille réciproque est de même nature que la maille
directe.Par contre on peut montrer en utilisant les mailles simples que la maille
réciproque d'une maille à faces centrées est une maille centrée et vice-versa.
I.2.3 Construction de réseau réciproque

I.2.3.1 Réseau cristallin linéaire
→
− 2π
Le vecteur fondamental du réseau réciproque est a∗ tel que : k→
−
a ∗k = →
−
, où a est
a

Fig. 13 Représentation
du réseau réciproque du ré-
seau linéaire, ainsi que sa
première zone de Brillouin.
le vecteur fondamental du réseau direct.
I.2.3.2 Réseau cristallin carré
Fig. 14 Représentation des réseau direct et réciproque du réseau carré, ainsi que
sa première zone de Brillouin.
I.2.3.3 Réseau cristallin simple (P)

→
−→ − → −
Soit i, j , k base des coordonnées cartésiennes. Les vecteurs fondamentaux du
− →
→ −
réseau direct sont a , b et
→
−c (Fig. 15), tels que :
→
− →
− →
− →
− −c = a→
→ −
a =ai b =aj k
Le volume
→ − →
→
− −

V = a . b ∧ c = a3


Fig. 15 Représentation de la maille élémentaire du mode cristallin P
De la dénition de réseau réciproque, on a :
→
− →
→
− ∗ b ∧−c 2π →
− →
− ∗ 2π →
− →
− ∗ 2π →
−
a =2π = i b = j c = k
V a a a
Le réseau réciproque du réseau mode P est aussi un réseau mode P
re 2π re
La 1 zone de Brillouin est le cube d'arête centré sur l'origine. En eet, la 1
a
zone de Brillouin est formée par l'espace compris entre les 6 plans perpendiculaires
→
−∗ →
−∗ →
−∗
a b c
aux vecteurs ∓ ,∓ et ∓ .
2 2 2
I.2.3.4 Réseau cristallin cubique centré (I)
Les vecteurs fondamentaux du réseau cubique centé (g 16) sont :
→
− a →
− →− → − →
− a → − → − → − →
− a →− → − → −
a 1= i + j −k a 2= − i + j +k a 3= i − j +k
2 2 2
→
− → − → −
où a est le côté du cube conventionnel et ( i , j , k )les vecteurs unitaires orthogonaux
parallèles aux arêtes du cube. Le volume de la maille élémentaire est
V= →
−
a 1. →
−
a2∧→
−
a 3 =a3 /2

Les vecteurs fondamentaux du réseau réciproque sont dénis par :
→
−
a2∧→
−a 3 2π →
− →
−
→
− ∗ →
− ∗ 2π →
− →− →
− ∗ 2π →
− →−
a 1 =2π = (i+j) a2 = ( j +k) a3 = ( i +k)
V a a a
Le réseau réciproque du réseau cubique centré est un réseau cubique à faces
2π
centrées de coté et de vecteurs fondamentaux
a

Fig. 16 Vecteur fondamentaux du réseau cubique centré.
→
−
a2∧→
−a 3 2π →
− →
−
→
− ∗ →
− ∗ 2π →− → − →
− ∗ 2π → − → −
a 1 =2π = (i+j) a2 = ( j +k) a 3 = ( i + k ).
V a a a
→
− − ∗ →
→ − ∗ → − ∗
Soit hkl des entiers et un vecteur de réseau réciproque G hkl =h a 1 +k a 2 +l a 3 .
La zone de Brillouin est le plus petit volume limité par les plans médiateurs des plus
→
−
petits G hkl
Les vecteurs les plus petits sont alors les 12 vecteurs suivant :
2π →
− → −


 ± i ± j soit 4 vecteurs



 a




2π →
− → −

± j ±k soit 4 vecteurs


 a




 2π ±→

 − → −
i ±k soit 4 vecteurs

a
Dans ce cas, il s'agit d'une forme géométrique régulière à 12 faces : un dodécaèdre
régulier (Fig. 16).

Fig. 17 Première zone de Brillouin du réseau cubique centré. Elle forme un dodé-
caèdre rhombique régulier.
Les vecteurs qui joignent l'origine aux centres des faces sont
π →
− → −


 ±i±j soit 4 vecteurs
a








 →− → −
π
± j ±k soit 4 vecteurs

 a




π →
− → −




 ± i ±k soit 4 vecteurs
a
I.2.3.5 Réseau cristallin cubique à faces centrées (F)
Les vecteurs fondamentaux de la maille élémentaire du réseau cfc représenté sur Fig.
18 sont :
→
− a →
− → − →
− a →
− → − →
− a →
− → −
a 1= ( i + j ) a 2= ( j + k ) a 3= ( i + k )
2 2 2
Le volume de la maille élémentaire est :
V= →
−
a 1. →
−
a2∧→
−
a 3 =a3 /4

Les vecteurs fondamentaux du réseau réciproque du réseau cubique faces centrées
sont :
→
− ∗ 2π − 2π →
− →− → − ∗ 2π
→
− → − → − ∗ 2π →
− →− → −
a1 = → a 2 ∧→
−
a 3= i + j −k →
−
a2 = − i + j +k →
−
a3 = i − j +k
V a a a

Fig. 18 Vecteur fondamentaux du réseau cubique à faces centrées.
Ce sont les vecteurs fondamentaux du réseau cc, donc le réseau réciproque du réseau
cfc est le réseau cc. Le volume de la maille élémentaire du réseau réciproque :
3
∗
→
− ∗ →
− ∗ →
− ∗ 2π
V = a 1 . a 2 ∧ a 3 =4
a
→
− 2π →
− → − → −
Les plus petits G hkl sont les huit vecteurs : ± i ± j ±k
a
Les limites de la zone de Brillouin est déterminée par les huit plans médiateurs des
huit vecteurs ci-dessus (g. 19).
I.3 Structures
I.3.1 Matériau amorphe
Lorsqu'un liquide est refroidi brutalement, les atomes ou molécules qui le constituent
n'ont pas le temps de prendre leur position d'équilibre et le solide qui se forme est
alors désordonné. Cet état solide est dit amorphe ou vitreux.
Les solides amorphes ont des propriétés diérentes de celles des solides cristallisés :
1. Leur masse volumique est plus faible,
2. Ils ont des propriétés isotropes, identiques dans toutes les directions de l'espace,

Fig. 19 Zones de Brillouin du réseau cubique à faces centrées. Les mailles tracées
ici appartiennent à l'espace réciproque et le réseau réciproque est cubique centré.
3. Leurs diractogrammes de poudre ne montrent pas de raies nes comme dans
les cristaux, du fait du désordre des atomes,
4. Ils ne présentent pas de fusion franche, ils se ramollissent avec l'élévation de la
température : c'est la fusion pâteuse,
5. La fracture d'une substance amorphe présente de larges surfaces lisses avec de
faibles courbes, on l'appelle fracture conchoïdale.
I.3.2 Cristal parfait

I.3.2.1 Structure cristalline
Lorsqu'on met l'accent sur la diérence entre l'ensemble des points constituant le
réseau de Bravais et un cristal physique réel incarnant ce réseau, le terme technique
de structure cristalline est utilisé. Une structure cristalline est constituée de copies
identiques de la même unité physique, appelée motif, située sur tous les points du
réseau de Bravais (ou, de manière équivalente, translatée par tous les vecteurs d'un
réseau de Bravais).

I.3.2.2 Caractérisation d'une structure cristalline
(a) Compacité (taux ou densité de remplissage) :

On appelle compacité ou densité de remplissage C d'une structure le rapport du
volume réellement occupé, par les constituants élémentaires, au volume total
de la maille :
V olumeoccupe
C=
V olumemaille
Dans le cas où les n÷uds sont occupés par des atomes ou des ions identiques
assimilables à des sphères dures de rayon R, C est dénie par :

4
N πR3
C= 3
Vmaille
Où N est la population ou la multiplicité de la maille i.e. le nombre de motifs.
(b) Coordinence
La coordinence (ou coordinance) d'un atome est le nombre d'atomes voisins
les plus proches dans les trois directions de l'espace. Elle s'appelle aussi le
nombre de coordination ou l'indice de coordination.
(c) Masse volumique

C'est le rapport de la masse des constituants élémentaires d'une maille par son
volume.
m NMmotif
ρ= =
V maille NA Vmaille
Où NA le nombre d'Avogadro, Mmotif la masse molaire du motif et N la
multiplicité de la maille
(d) Sites interstitiels

Dans un cristal, des motifs (atomes, ions ou molécules) sont situés aux n÷uds
d'un réseau. L'espace entre ces motifs est appelé sites interstitiels.
I.3.2.3 Empilement compact de sphères en contact
Le tétraèdre de base
Les constituants élémentaires sont assimilés à des sphères de rayon r.
Disposition selon une rangée, puis en plans (dits réticulaires) :

Une sphère du plan B peut être soit à la verticale de g1 , soit à la verticale de g2
(mais pas aux deux en même temps).
Quatre sphères en contact (3 du plan A, une du plan B) forment un tétraèdre régulier.
A, B, C, D sont les centres des sphères ; AB = 2r : côté du tétraèdre.g1 : centre de
gravité de ( A, B, C) .
G : centre de gravité de ( A, B, C, D) (C'est aussi le barycentre de (g1 ,3), (D,1) ,

−−→ −→ −→ 3 −−→
donc 3Gg1 +GD= 0 , soit GD= Dg1 ).
4

h : hauteur de ( A, B, C) ; H = Dg1 : hauteur du tétraèdre. On a :
√ √
h2 + AI 2 = 4r2 h2 ⇔ h = 4r2 − r2 = r 3
2 2r
g1 est la barycentre de (I ,2), (C,1) . Donc Cg1 = Bg1 = Ag1 = h = √
3 3
2
2 2 2 2r
Ag1 D est rectangle en g1 . Donc Ag1 + Dg1 = AD Soit √ +H2 = 4r2 ,
r 3
2
donc H = 2r
3
r
3 3
Ainsi, AG = BG = CG = DG = H=r = 1.255 r > r
4 2
On a donc la possibilité d'insérer une sphère en G de rayon ≤ 0, 225r . On appelle
cet endroit un site tétraédrique.
(A) Empilement ABAB et ABCABC.
On a deux cas possibles :
Le plan C se superpose sur A ; on a un emplacement AB - AB
Le plan C ne se superpose ni sur A ni sur B ; on a un emplacement ABC -
ABC .
(i) Réseau hexagonal complet
Maille : prisme droit à base losangique
3 losanges forment un hexagone.

Motif : deux constituants élémentaires : 1 dans A, 1 dans B.
V olume = Slosange × hauteur du prisme
= h × 2r × 2H
√
r
2
= r 3 × 2r × 4r
3
√
= r3 8 2
1 1
N = 4× +4× +1×1 = 2 (les points qui forment la plus petite
12 6
diagonale sont sur 6 mailles, ceux qui forment la grande sur 12)
Coordinence= 3 + 3 + 6 = 12 (3 : ceux du plan B au dessus et en dessous ;
6 : les autres qui forment l'hexagone).

4 4
N × πr3 2 × πr3
Compacité : C= 3 = √ 3 = 0.74 = 74%
Vmaille 8 2 × r3
(ii) Réseau cubique à faces centrées L'empilement ABC-ABC donne un ré-
seau cubique faces centrées
√
On a un contact suivant la petite diagonale du cubea 2 = d = 4r ⇒ a =
√
2r 2.

Motif : 4 atomes
Coordinence = 12
4 4
N × πr3 4 × πr3 16π π
Compacité C= 3 = 3 = √ = √ = 0.74 =
Vmaille a 3
3×8×2 2 3 2
74%
(B) Sites tétraédriques et octaédriques dans le réseau cubique faces cen-

trées
(i) Sites tétraédriques
Chaque tétraèdre de base dénit un site tétraédrique de dimension
r !
3
rsiteT = − 1 r = 0.255r
2
Les sites tétraédriques sont localisés au centre des huit cubes de coté a/2
qui forment la maille :
Ainsi, le réseau formé par les sites tétraédriques du réseau cubique faces
centrées est un réseau cubique simple de coté a/2 .
Nombre de sites tétraédriques appartenant en propre à une maille :
N = 8 = 2× (taille du motif de la maille).
(ii) Sites octaédriques

Site octaédrique :
√ √
BE = 2r 2 = r + 2rsiteO + r ⇒ rsiteO = 2 − 1 r = 0.414r
Localisation : au centre du cube et sur les arêtes.
Nombre de sites octaédriques appartenant en propre à une maille :
1
1 × 1 + 12 × = 4 = 1× (taille du motif de la maille)
4
Les sites octaédriques dénissent un réseau cubique faces centrées trans-
laté par rapport au premier.
I.3.2.4 Structures usuelles
Structure du diamant
Le réseau du diamant (formé par les atomes de carbone dans un cristal de diamant)
est constitué de deux réseaux de Bravais cubiques à faces centrées qui s'interpé-
nètrent. L'un des réseaux est décalé le long de la diagonale de la maille cubique
de l'autre d'un quart de la longueur de cette diagonale. Elle peut être considérée
comme un réseau cubique à faces centrées avec le motif à deux atomes (0,0,0) et
(a/4,a/4,a/4) . Le nombre de coordination est 4 (Fig. 20). Les liaisons avec les plus
proches voisins ont été indiquées. Les quatre plus proches voisins de chaque point
forment les n÷uds d'un tétraèdre régulier.
Structure hexagonale compacte

La structure hexagonale compacte se présente de la manière suivante : au sein d'une
maille hexagonale, composée de six sous-prismes droits dont la base est un triangle

Fig. 20 Structure cristalline du diamant montrant les liaisons tétraédriques.
équilatéral, trois atomes occupent le centre de trois sous-prismes séparés d'un sous-
prisme "vide. On peut voir aussi cette structure comme deux structures hexagonales
simples décalées d'un vecteur [1/2 1/3 1/2]. De manière rigoureuse, la structure
hexagonale compacte est une structure hexagonale primaire dont le motif est composé
de deux atomes ; c'est donc en fait une structure di-atomique (Fig. 21). Une maille
hexagonale élémentaire se décompose en deux prisme à base triangulaire, Entre deux
plans parfaitement superposés, dits plans A, on peut donc placer un plan B (cas de
l'hexagonal compact, alternance A/B/A/B...), ou bien deux plans décalés B et C
(cas du cubique centré, alternance A/B/C/A/B/C...).
Bien que n'étant pas un réseau de Bravais, la structure hexagonale compacte (hc) se
situe au même rang, dans l'ordre d'importance, que les réseaux de Bravais cubique
centré et cubique à faces centrées ; pas mal d'éléments cristallisent dans la forme
hexagonale compacte (Be, Mg, Cd, Ce, . . .).
Structure du chlorure de sodium

Le chlorure de sodium (g. 22) est constitué d'un nombre égal d'ions sodium et d'ions
chlorure placés alternativement sur les points d'un réseau cubique simple, de telle
sorte que chaque ion possède six ions de l'autre espèce pour plus proches voisins.
Cette structure peut être décrite par un réseau de Bravais cubique à faces centrées

Fig. 21 Structure hexagonale compacte : vision habituelle (a), structures hexago-
nales primaires imbriquées (b), décomposition en réseau/motif (c).
avec un motif constitué par un ion sodium en 0,0,0 et un ion chlorure au centre de
a − →
la maille cubique conventionnelle, i.e. en ( )(→
x +−
y +→
−
z ).
2
Structure du chlorure de césium
De manière similaire, le chlorure de césium (Fig. 23) est constitué d'un nombre
égal d'ions de césium et d'ions chlorure, disposés aux points d'un réseau cubique
centré de telle sorte que chaque ion possède huit ions de l'autre espèce pour plus
proches voisins. La symétrie de translation de cette structure est celle du réseau de
Bravais cubique simple, et elle est décrite par un réseau cubique simple avec un motif
constitué par un ion de césium à l'origine O (0,0,0) et un ion chlorure au centre

a − →
du cube en ( )(→
x +−
y +→
−
z)
2
Structure de la blende
La blende (sulfure de zinc) possède un nombre égal d'ions de zinc et d'ions sulfure
distribués sur le réseau du diamant de telle sorte que chacun possède quatre ions de
l'autre type pour plus proches voisins (Fig. 24). Cette structure est un exemple de
réseau à motif qui doit être ainsi décrit, d'une part en raison de la position géomé-
trique des ions et d'autre part car deux types d'ions entrent en jeu. Les coordonnées
11 1 1 11
des atomes de Zn sont 000 ; 0 ; 0 ; 0; les coordonnées des atomes de S sont
22 2 2 22

Fig. 22 Structure du chlorure de sodium. Les boules noires et blanches forment
des réseaux cfc qui s'interpénètrent.
Fig. 23 Structure de chlorure de Césium

111 133 313 331

; ; ; . Le réseau est cfc avec quatre molécules de ZnS par maille
444 444 444 444
conventionnelle.
Fig. 24 Structure cristalline du sulfure de zinc cubique.
I.3.3 Quasi-cristaux
Un cristal parfait est obtenu en pavant entièrement l'espace à l'aide de parallélé-
pipèdes juxtaposés. Ces pavés constituent une gure qui se répète périodiquement,
sans vide et sans superposition comme des carrés, des triangles isocèles équilatéraux
ou des rectangles. En 1979, le mathématicien R. Penrose a montré qu'il est possible
de paver de manière apériodique une surface au moyen de deux losanges d'angles

π 2π
au sommet et . En 1984, ce résultat mathématique a trouvé une application
5 5
en physique des matériaux lorsque furent fabriqués des structures cristallines d'un
alliage de manganèse aluminium possédant un pavage à trois dimensions non pério-
dique appelées les quasi-cristaux.
I.3.4 Cristaux réels

Le cristal parfait n'existe pas réellement. Les cristaux réels comportent diérents
types de défauts qui représentent tous un surcroît d'énergie interne du cristal par

π 2π
Fig. 25 Pavage de Penrose avec deux losanges d'angles au sommet et
5 5
rapport à un cristal parfait, du fait que les atomes du cristal ne sont jamais xes sur
leurs sites cristallins. Ils sont animés de mouvement d'oscillations dont l'amplitude
varie avec la température, et donc un écart par rapport à la stabilité maximale.
On rappelle qu'un cristal est illimité. Un monocristal est déni comme étant une
portion du cristal.
Deux types de défauts existent dans les monocristaux (de composition chimique, de
structure), on se limite ici aux défauts de structure
I.3.4.1 Défauts de structure
I.3.4.1.1 Défauts ponctuels Ces derniers ont un rôle important dans la techno-
logie des semiconducteurs par exemple. En eet, ils interviennent dans le phénomène
de diusion des atomes étrangers dans le cristal. Selon Frenkel, un atome peut quit-
ter son site (à partir d'une certaine valeur de l'énergie) sous l'eet de la température
et se loger en position interstitielle. La place vide est alors appelée lacune (Fig. 26) :
C'est un défaut de Frenkel.
Quand la température baisse, les atomes reprennent leurs places initiales. Les la-
cunes peuvent aussi apparaître suite à une migration des atomes vers la surface par
exemple : On parle alors de défauts de Schottky sans se loger en interstice (Fig. 27).

Fig. 26 Schéma de défaut Frenkel d'un réseau carré
Fig. 27 Schéma de défauts Schottky d'un réseau carré.

I.3.4.1.2 Défauts non ponctuels
A Joint de grains est, par dénition, la surface qui sépare deux monocristaux
d'orientations diérentes dans un agrégat polycristallin (Fig. 28). En réalité,
c'est plutot une région assez désorganisée, de largeur non negligeable (de l'ordre
de 2 a 3 distances interatomiques). Elle joue le role de barrière au mouvement
des dislocations et peut en emettre dans certaines conditions. Les joints de
grains sont des pieges a dislocation mais ce sont aussi des sources de disloca-
tions.
Fig. 28 Représentation schématique de joints de grains.
B Dislocations : ce sont des défauts linéaires qui, bien que probablement ab-
sents des cristaux idéaux à l'équilibre thermodynamique, sont presque invaria-
blement présents dans n'importe quel échantillon réel. Elles mettent en jeu des
glissements, le long de plans, à la manière des feuilles d'une rame de papier
glissant les unes sur les autres. Les premières données expérimentales sur les
dislocations furent obtenues à la n des années 50 grâce au développement de
la microscopie électronique.

Fig. 29 Représentation schématique de dislocations coin et vis.
I.3.5 Alliages
Alliage, produit métallique obtenu par incorporation d'un ou plusieurs éléments à un

métal. Les alliages à deux composants sont dits binaires, ceux qui contiennent trois
composants sont appelés alliages ternaires. Comme les métaux purs, les alliages
ont un éclat métallique et sont des conducteurs de chaleur et d'électricité. Des
composés qui contiennent un métal et des produits non métalliques sont également
appelés alliages.
I.3.5.1 Alliages de substitution
Ils correspondent au mélange de deux métaux possédant la même structure à l'état
pur. Ils sont observés lorsque leur rayons atomiques sont proches (à moins de 15%)
et leurs électronégativités voisines. C'est le cas de l'alliage or/cuivre CuAu qui peut
exister sous deux formes, une forme désordonnée (occupation aléatoire des noeuds
par les deux atomes) dont la maille est cubique (a = 384pm), une forme ordonnée
(Fig. 30) dans laquelle la maille est quadratique (a = 398pm, c = 372pm).

Fig. 30 Représentation schématique d'alliage (de substitution) Au-Cu : (a) hc 2D,
(b) cfc
I.3.5.2 Alliages d'insertion
Ils apparaissent lorsqu'un des atomes est nettement plus petit que l'autre. Celui-
ci peut se loger dans un site du réseau-hôte sans entraîner une déformation trop
importante. Les alliages d'insertion les plus fréquents sont issus d'un arrangement de
type cubique à faces centrées pour le réseau-hôte, les atomes d'insertion sont disposés
dans les sites octaédriques de cette structure. Par exemple le carbure de tungstène
est un alliage très résistant utilisé pour les outils de coupe mécanique.
Fig. 31 Schéma 2D d'un alliage d'insertion (l'acier : les petits atomes de carbone
(1% de l'alliage) sont insérés entre ceux du fer, plus gros (99 %)).


Chapitre II
Détermination des structures

cristallines
II.1 Principe de détermination des structures

Pour sonder la structure microscopique d'un solide à l'aide d'une onde électroma-
gnétique, il faut que sa longueur λ d'onde soit du même ordre de grandeur que la
distance interatomique di , ce qui correspond à une énergie :
Ei = hc/di ≈ 12.3 KeV
II.2 Faisceaux incidents

II.2.1 Neutrons
Vu ses caractéristiques (charge nulle, masse, spin) le neutron possède, d'une part
des propriétés uniques (pouvoir de pénétration, interaction magnétique), et d'autre
part, des propriétés que l'on ne trouve réunies dans aucun autre rayonnement sonde
(localiser des atomes légers au milieu d'atomes lourds, mettre en évidence des cor-
rélations spéciques entre certains atomes dans un liquide ou caractériser des amas
dans un alliage).
A partir de la relation de Louis de Broglie λ = h/p, où λ est la longueur d'onde
37
émise par une particule de quantité de mouvement P et sachant que l'énergie En du
neutron de masse Mn est :
p2
En =
2Mn
alors
0.28
λn = p Å
En (eV )
Pour En = 0.08 eV → λn = 1Å
II.2.2 Electrons
La diraction des électrons est une technique utilisée pour l'étude de la matière, elle
consiste à bombarder d'électrons un échantillon et à observer la gure de dirac-
tion résultante. Ce phénomène se produit en raison de la dualité onde-particule, qui
fait qu'une particule matérielle (dans le cas de l'électron incident) peut être décrite
comme une onde. Dans ce cas, la longueur d'onde émise par un électron d'impulsion
P et d'énergie Ee est donnée par :
12.3
λe = p Å
Ee (eV )
Contrairement aux neutrons, les électrons sont des particules chargées qui inter-
agissent avec la matière par la force de Coulomb. Ceci signie que les électrons
incidents ressentent à la fois l'inuence des noyaux atomiques, positivement chargés,
et celle des électrons environnants. Par conséquent, on les utilise surtout pour l'étude
des surfaces et des couches nes des solides (ils pénètrent relativement peu dans le
cristal).
II.2.3 Rayons X (RX)

La diraction des rayons X est basée sur l'interaction d'un faisceau monochromatique
de rayons X avec les atomes d'un matériau solide cristallisé. Les plans cristallogra-
phiques dans lesquels sont répartis les atomes ont, dans des conditions particulières,
la capacité à `rééchir le rayonnement X (photon) d'énergie E = hc/λ, soit :
hc 12.4 12.4
λ= = 10−7 m = Å
E E (eV ) E (keV )

Ces diérentes diractions sont complémentaires : la diraction des rayons X permet
de localiser les atomes lourds, tandis que la diraction des neutrons est utilisée pour
déterminer la position des atomes légers et pour distinguer les atomes de masse
voisine. Dans ce qui suit on se limitera à la diraction des rayons X.
II.3 Détermination de la structure cristalline par les

RX
II.3.1 Rappel
La diraction par les Rayons X (RX) présente certaines analogies avec la dirac-
tion par un réseau, phénomène vu en physique ondulatoire. C'est pour cette raison
uniquement que nous faisons ce rappel d'optique ondulatoire.
Un réseau de diraction est un dispositif optique composé d'une série de fentes
parallèles (réseau en transmission), ou de rayures rééchissantes (réseau en réexion).
Ces traits sont espacés de manière régulière, et l'espacement est appelé le pas du
réseau.
Supposons que les fentes du réseau sont minces et que l'écran est placé susamment
loin du réseau pour que nous puissions faire l'hypothèse que les rayons issus des
fentes et aboutissant en un point P de l'écran sont parallèles.
Considérons que les ondelettes émises des fentes sont en phases lorsqu'elles sont
émises du réseau (principe de Huygens), pour arriver au point P situé sur l'écran à

un angle θ, chaque ondelette sera en retard (ou en avance) sur sa voisine d'un angle
d sin θ
2π . Une interférence constructive se produira sur l'écran si ce déphasage est
λ
un multiple entier de 2π , c.à.d.
d sin θ = nλ n = 0, 1, 2, 3, . . .
II.3.2 Caractéristiques des RX

16 20
Les fréquences des RX sont comprises entre 10 Hz et 10 Hz. Les longueurs d'ondes
−8 −12
sont de l'ordre de 10 à 10 m, et les énergies des photons X sont comprises entre
5 −19
40 et 4x10 eV (1 eV correspond à 1,6x10 J, c'est l'énergie d'un photon dans
l'infra-rouge). Ces énergies sont de l'ordre de grandeur des énergies de liaison des
électrons des couches internes des atomes (de l'ordre du keV).
II.3.3 Production des RX

Les rayons X (RX) sont des ondes électromagnétiques produites dans des tubes
à rayons X, également appelés tubes de Coolidge ou tubes à cathode chaude. Le
principe est le suivant : des électrons émis par une cathode (un lament, le plus
◦
souvent en tungstène, chaué à 2000 C par le passage d'un courant électrique),
eet thermoïonique, sont accélérés par une diérence de potentiel élevée (de 10 à
150 kV) en direction d'une cible constituée d'une anode métallique (Mo, Cu, Fr,. . .)
appelée, pour des raisons historiques, anticathode (Fig. 1).
Une faible portion, 1% environ de l'énergie cinétique cédée par les électrons est rayon-
née sous forme de rayons X, les 99 % restants sont convertis en énergie thermique.
II.3.4 Mécanisme de la production des rayons X

L'étude spectrale du rayonnement X émis montre qu'il est formé de la superposition
d'un spectre continu et d'un spectre de raies.
Ces deux composantes correspondent à deux mécanismes d'émission bien distincts :
◦ Interaction (freinage) des électrons accélérés avec les noyaux de la cible ( spectre
continu ou spectre de Bremsstrahlung) ;
◦ Ionisation des couches profondes des atomes de la cible ( spectre de raies)

Fig. 1 Tube à rayons X
Fig. 2 Spectre du rayonnement X

II.3.4.1 Spectre continu
L'électron incident arrive sur la cible, il s'approche du noyau d'un atome et se trouve
attiré par sa charge positive. L'électron est donc dévié et ralenti. La perte d'énergie
engendrée, énergie de freinage, est dégagée sous forme d'un photon X ou de chaleur
si l'énergie est faible. L'électron continue sa course sur une autre trajectoire ayant été
déviée par le freinage, jusqu'à l'atome suivant où il produira un autre photon X. Ce
processus de diusion peut continu jusqu'à ce que l'électron soit- presque immobilisé.
Chacun des photons générés par ces collisions forme une partie du spectre continu
(entre 0 et l'énergie maximum) de rayons X.
Fig. 3
On voit bien qu'il existe une longueur d'onde seuil bien dénie λ0 sous laquelle
le spectre continu n'existe pas. Cette longueur d'onde minimale correspond à une
unique collision frontale avec un atome cible, collision dans laquelle un électron
incident perd toute son énergie cinétique initiale E0 . Pratiquement toute l'énergie
de l'électron est transférée d'un photon unique, dont la longueur d'onde associé (la
plus petite longueur d'onde possible du rayon X) est déterminée par :
E0 =hv=hc/λ0 ⇒ λ0 =hc/E0
Sachant que E0 =eU (en joule) =U (eV), avec e la charge de l'électron en coulomb
et U haute-tension (HT) en volts)

En remplaçant l'expression de E0 dans l'expression de λ0 , on obtient :
λ0 (Å) =12400/U(V)
Remarques :
La longueur d'onde de seuil est totalement indépendante du matériau de la
cible, et ne dépend que de d.d.p d'accélération des électrons U ;
Souvent le photon est très peu ralenti. Le photon a une énergie faible (infé-
rieure à eV) et correspond à de la chaleur : Le tube à rayon X à donc un très
faible rendement (Rendement approximatif : keV x Z x 10−6 (Z = 74 pour le
tungstène) Inférieur à 1% à 100 keV).
Fig. 4 Spectre du rayonnement de freinage par un tube alimenté sous 135 keV
II.3.4.2 Spectre de raies caractéristiques
L'électron incident expulse un électron atomique. Il se produit alors un réarrangement
électronique, un électron d'une couche supérieure, voir un électron libre, prenant sa
place. Durant ce réarrangement un photon X d'énergie caractéristique de la transition
est émis. Souvent le réarrangement se fait avec plusieurs électrons, plusieurs raies X
sont donc émises.
Les raies émises ont une appellation lettre latinelettre greque :
~ Lettre latine : couche d'arrivée de l'électron (K L M N...) ;

Fig. 5
~ Lettre grecque : numérotation relative de la couche de provenance de l'électron
(α, β et γ la couche immédiatement supérieure, 2 et 3 couches au dessus,
respectivement).
Fig. 6
Exemple : atome de tungstène (W)

Couche K : 69 keV
Couche L : 11 kev
Couche M : 1 keV
Autres couches : énergie négligeable

Fluorescence K :
Energie max : Kγ = 69 keV (réarrangement électron externe à couche K) ;
Energie min : Kα = 58 keV (réarrangement électron couche L à couche K).
Fluorescence L :
Energie max : Lγ = 11 keV (réarrangement électron externe à couche L) ;
Energie min : Lα = 10 keV (réarrangement électron couche M à couche L)
Fig. 7 Le spectre total du tungstène (spectre continu + raies caractéristiques)
II.3.4.3 Eet de la tension sur le spectre
La haute tension détermine l'énergie de chaque photon. Une diminution de la tension
déplace le spectre vers les basses énergies, c'est à dire vers la gauche pour un spectre
en énergie ou fréquence et vers la droite pour un spectre en longueur d'onde (Fig.
8). La tension a donc un eet qualitatif sur le faisceau des RXs.
II.3.4.4 Eet de l'intensité sur le spectre
L'intensité électrique qui traverse le tube détermine l'amplitude du spectre. Une
diminution de l'intensité aplatit le spectre, une augmentation surélève le spectre.

Fig. 8 Eet de la tension sur le spectre du W.
L'intensité qui traverse le tube modie l'intensité du faisceau X sans modier sa
qualité. L'intensité a donc un eet quantitatif sur le faisceau des RXs.
Fig. 9 Eet de l'intensité sur le spectre (l'intensité en rouge et le double de celle
en bleu).
II.3.5 Interaction des RX avec la matière

En fonction de l'énergie du photon incident on peut distinguer plusieurs types d'in-
teractions des rayons X avec la matière.

II.3.5.1 Absorption des RX
Lorsqu'un faisceau de rayons X d'intensité I0 traverse une très ne couche d'épaisseur
x l'intensité du faisceau résultant diminue, l'intensité résultante est donnée par :
I=I0 exp (−µx) (Relation d0 absorption ou d0 attnuation)
Où :
◦ x représente l'épaisseur du matériau traversé en (cm) ;
−3
◦ µ représente le coecient d'absorption massique du matériau (g.cm ) ;
◦ I0 représente l'intensité du faisceau incident.
Le coecient d'absorption augmente avec la longueur d'onde. Ainsi, les radiations
ayant des courtes longueurs d'onde sont dicilement absorbées et elles s'appellent
radiations dures ou pénétrantes.
La croissance de µ avec λ n'est pas continue, mais elle présente des discontinuités
qui apparaissent pour certaines longueurs d'onde (g. 10). An d'avoir un rayonne-
ment presque monochromatique, on isole la raie Kα et la raie Kβ , en utilisant des
ltres fabriqués à partir d'un matériau dont la discontinuité d'absorption se situe
précisément entre la raie Kα et la raie Kβ de l'anticathode.
Fig. 10 Représentation schématique de l'évolution du coecient d'absorption avec
la longueur d'onde et principe de production d'un rayonnement monochromatique.
L'absorption (atténuation) des rayons X dépend de :
◦ L'eet Compton prédominant aux fortes énergies (> 110 keV) ;
◦ L'eet photoélectrique prédominant aux faibles énergies (< 50 keV).

II.3.5.2 Eet Compton
Ce phénomène est observé lorsqu'un photon incident, qui se comporte comme une
particule possédant une quantité de mouvement, entre en collision avec un électron
libre (ou, de manière plus correcte, avec un électron faiblement lié) d'un atome. Au
cours de ce processus, l'électron est éjecté de l'atome, qui est donc ionisé tandis qu'un
photon est diusé.
Fig. 11
Coecient d'absorption Compton µC

µC est donné par :
kρ
µC =
E3
Où :
◦ k constante ;
◦ ρ densité de matière ;
◦ E énergie du photon.
Le coecient du à eet compton µC dépend essentiellement de la densité de la ma-
tière et de l'énergie des photons, et pratiquement indépendant du numéro atomique
Z.
II.3.5.3 Eet photoélectrique
L'eet photoélectrique est l'émission d'électrons par un métal soumis à l'action d'un
rayonnement électromagnétique. Les photons X peuvent agir sur les couches électro-

niques profondes des atomes en les faisant passer de l'état fondamental a un état
excité par éjection d'un électron qui s'appelle photoélectron. L'énergie du photon
incident est transférée à l'électron qui est éjecté de sa couche ; une partie de cette
énergie est utilisée pour extraire l'électron interne (énergie d'extraction W) et l'autre
quantité est communiquée à l'électron sous forme d'énergie cinétique de l'électron
éjecté.
Notons que l'eet photoélectrique ne peut avoir lieu que si l'énergie du photon in-
cident est supérieure à l'énergie d'extraction de l'électron. L'énergie cinétique du
photoélectron est nalement transférée au milieu lors d'ionisations ultérieures. Le
retour de l'atome à l'état fondamental s'accompagne d'une émission d'énergie sous
forme d'un photon de uorescence ou d'un électron Auger
Fig. 12 Emission de photon de uorescence ou électron Auger suite à un eet
photoélectrique.
Coecient d'absorption photoélectrique µp :

µp est donné par :
kρZ 3
µp =
E3
Où :
• k constante ;
• ρ densité de matière ;

• Z numéro atomique ;
• E énergie du photon.
Le coecient d'absorption photoélectrique µp augmente en fonction de la densité et
la puissance 3 du numéro atomique Z, et diminue en fonction de la puissance 3 de
l'énergie E du photon => De faible variation de Z modie beaucoup le coecient
d'atténuation surtout à basse énergie.
II.3.6 Diraction des Rayons X (RX)

Le phénomène de diraction RX trouve son origine dans le fait que lorsqu'un RX
rencontre les électrons d'un atome, ils entrent en oscillations (on en parlera en détails
dans le chapitre suivant), et l'atome peut être considéré comme le centre d'une
onde sphérique dont l'intensité est proportionnelle au nombre d'électrons de l'atome.
Dans le cas d'un matériau, chaque atome émis sa propre onde sphérique, ces ondes
sphériques vont interférer entre elles de manière constructive ou destructive
II.3.6.1 Loi de Bragg
Lors de la diraction RX, il ya absorption d'une partie de l'énergie et excitation
des atomes avec émissions de radiations dans les toutes les directions. Si l'on calcule
les directions dans lesquelles on a du signal, les ondes rééchies (RX diusés élasti-
quement) soient en phase au moment où elles atteignent le détecteur, on s'aperçoit
que l'on obtient une loi très simple : si l'on trace des plans imaginaires parallèles
passant par les atomes, et si l'on appelle d la distance entre ces plans (distance inter-
réticulaire), alors les interférences entre les rayons 1 et 2 sont constructrices si leur
diérence de marche, 2d sinθ , est égal à un nombre entier fois la longueur d'onde λ
du RX, soit :
2 d sinθ=n λ avecn = 1, 2, 3, . . . Loi de Bragg
Remarque : Les RX ne sont pas réfractés : nous n'avons pas introduit d'indice de
réfraction.

Fig. 13
II.3.6.2 Condition de Laue
La condition de Laue ou condition de von Laue est, en physique du solide, et
plus précisément en théorie de la diraction sur un cristal, une équation donnant
une condition nécessaire et susante pour qu'une onde incidente soit diractée par
un réseau cristallin.
→
− →
−
En notant ki et kd les vecteurs d'onde des faisceaux incident et diusé respective-
ment, la condition de Laue peut être exprimée simplement de la façon suivante :
→
− →
− →
−
K = kd− ki
→
−
Pour K , un vecteur reliant deux n÷uds du réseau réciproque. Autrement dit, il
→
− →
− →
−∗
K soit un vecteur du réseau réciproque : K = h→ −a + k b + l→−c ∗
∗
faut que
C'est ce qu'expriment les conditions de diraction de Laue :
→
− → − →
→ − →
− →
K .−
a =h K. b = k K .−c = l
II.3.6.3 Equivalence des formulations de Bragg et von Laue
L'équivalence de deux critères d'obtention d'une interférence constructive de rayons
X par un cristal découle de la relation entre les vecteurs du réseau réciproque et les
familles des plans du réseau direct.

→
− →
−
Supposons que les vecteurs d'onde incident et diusé, k i et k d , satisfont à la condi-
tion de Laue :
→
− →
− →
−
. K (hkl) = k d − k i

→
−
. K (hkl) est perpendiculaire au plan (hkl )
→
− →
−
. k d = k i = 2π/λ

→
− →
−
. les vecteurs d'onde k d et k i font le même angle θ hkl ).
avec le plan (
D'où la construction
Fig. 14
De plus
2πn
K (hkl) = (condition de Laue) (∗)
d
2π
K (hkl) = 2.k.sinθ = 2. .sinθ (∗∗)
λ
(*) et (**) → 2 d sinθ=n λ qui est la condition de Bragg
II.3.6.4 Construction d'Ewald
La construction d'Ewald permet de déterminer graphiquement les conditions de
diraction des familles de plans réticulaires d'un monocristal à partir des n÷uds du
réseau réciproque. Pour ce faire, plaçons un monocristal dans un faisceau RX de
longueur d'onde λ, dessinons ensuite le réseau réciproque centré sur le cristal avec
→
− ∗ →
−∗ −∗
ses vecteurs de base a , b et →
c . Construisons maintenant une sphère centrée sur
le cristal de rayon 1/λ, cette sphère est appelée sphère d'Ewald. Translatons donc
le réseau réciproque le long du faisceau X, jusqu'à placer son origine à la surface de
la sphère. Enn, plaçons deux écrans sensibles aux RXs, l'un dans l'axe du faisceau
incident avec une ouverture qui laisse passer le faisceau direct, et l'autre sur le coté.
Lorsqu'on fait tourner le cristal, le réseau réciproque tourne à son tour : le cristal

diracte lorsque et uniquement lorsque les n÷uds du réseau réciproque

sont à la surface de la sphère d'Ewald
Fig. 15
II.3.6.5 Notion de la zone de Brillouin

→
− →
− →
− →
−∗ →
− →
− →
−∗
Reprenons la condition de diraction 4 k = k d − k i = R <=> k d = k i + R
en enlevant la relation au carré, on obtient :
→
− ∗2 →
− → −∗ →
− ∗2 →
− → −∗
kd2 = ki2 + R + 2 k i . R <=> R = 2 k i. R
→
−∗
où kd = ki = 2π/λ et −R est 1 Vecteur du réseau réciproque
En divisant sur 4 on obtient
→
− ∗ !2 →
−∗
R →
− R
= k i.
2 2
D'où le vecteur d'onde incident doit avoir une extrémité qui s'appuie sur un des plans
médiateurs construits entre l'origine et les diérents n÷uds du réseau réciproque. La
famille des plans médiateurs des diérents vecteurs du réseau réciproque présente une
importance particulière dans la théorie de propagation des ondes dans les cristaux,
car une onde dont le vecteur d'onde tracé à partir de l'origine a son extrémité sur
l'un de ces plans, satisfait aux conditions de diraction.
Le plus petit volume ainsi déni entourant l'origine est appelé première zone de
Brillouin. Une zone de Brillouin est l'équivalente de la maille élémentaire du réseau
réciproque.

II.3.7 Les méthodes de résolution

II.3.7.1 Méthode de Laue
Un procédé de radiocristallographie qui consiste à recueillir le cliché de dirac-
tion d'un faisceau polychromatique de rayons X ou de neutrons par un mono-
cristal xe. Le cristal diracte seulement les ondes pour lesquelles la loi de Bragg est
vériée. Cette méthode, la plus ancienne des méthodes de diraction, est probable-
ment la mieux adaptée pour déterminer l'orientation d'un spécimen monocristallin
dont la structure est connue.
Fig. 16
II.3.7.2 Méthode du cristal tournant
On introduit un monocristal de petite taille (environ 1cm de longueur) au centre
d'une chambre photographique cylindrique. On place ce cristal le long d'une mire de
telle sorte qu'une arête du cristal soit parallèle à cette mire et on le fait tourner sur
lui même autour de cet axe avec une vitesse de l'ordre d'un tour par minute.
Un faisceau monochromatique étroit de rayons X parallèles, de longueur d'onde λ

connue, irradie le cristal perpendiculairement à l'axe de rotation et donc à l'arête. Ce
faisceau sera diracté par le cristal chaque fois qu'une famille de plans réticulaires,
d'équidistance d, se présentera sous l'incidence de Bragg.
Les rayons diractés sont enregistrés sur un lm photographique disposé sur les pa-
rois intérieures de la chambre photographique cylindrique. Avec un cristal immobile,

l'apparition d'un faisceau diracté serait fortuite. En faisant tourner le cristal, on
explore successivement toutes les orientations favorables à une diraction.
Fig. 17
II.3.7.3 Méthode de poudre (ou de Debye-Scherrer)
On xe une poudre, tout petits cristaux de l'entité chimique dits cristallites, sur
une lame de microscope, et on opère la diraction en introduisant cette lame dans
la chambre d'un générateur de rayons X. La poudre, étalée sur une lame de verre
qui tourne d'un mouvement uniforme autour d'un axe situé dans son plan, permet-
tant ainsi d'augmenter le nombre d'orientations possibles des plans réticulaires, est
bombardée par un faisceau de rayons X monochromatiques et parallèles de longueur
d'onde connue. Les particules étant orientées au hasard, il y aura toujours une famille
de plans donnant lieu à la diraction, de telle sorte que l'on obtiendra simultané-
ment tous les faisceaux susceptibles de diracter : ces faisceaux forment des cônes
de diraction, de demi-angle au sommet 2θ , avec un lm plan déposé circulairement
aux alentours de l'échantillon créera des anneaux circulaires centrés sur les orices
d'entrée et de sortie du faisceau incident. Chaque anneau représente une distance
réticulaire à laquelle est associé un pic sur le diaractogramme.

Fig. 18 Représentation de l'intérieur de la chambre de Debye-Scherrer
Les méthodes citées dessus permettent de calculer les distances réticulaires. L'iden-
tication des échantillons se fait manuellement en indexant les pics ou automatique-
ment en utilisant des logiciels d'identication et des banques de données de références
( ICSD : Inorganic Crystal Structure Database, FIZ : Fach Informations Zentrum

, NIST : National Institute of Standards and Technology ou ASTM : American
Society for Testing Materials). Les diérentes distances réticulaires des milliers de
minéraux naturels ou articiels sont disponibles sous forme de ches, de recueils de
ches ou sur CD-Rom.
II.3.8 Facteur de structure

Le facteur de structure Fhkl , appelé facteur de structure de la base ou motif, est
déni par :
j=n
X
Fhkl = fj exp [−2iπ (hxj + kyj + lzj )]
j=1
n : nombre d'atomes de la base/motif ;
fj : appelé facteur de forme atomique qui dépend de la structure électronique de
l'atome considéré et dont les valeurs se trouvent dans les tables internationales de
diraction des rayons X ;

xj , y j et zj : les coordonnées de l'atome j dans la maille ;
h, k, l : les indices de Miller du plan considéré ;
Notons que Fhkl est un nombre complexe, l'amplitude qui est réelle dépend du module
de Fhkl .
On appelle extinctions systématiques les valeurs hkl qui annulent le facteur de struc-
ture Fhkl . Elles renseignent sur le mode d'un réseau P, I, C ou F.
B Réseau cubique centré (cc) : La maille cubique comprend 2 n÷uds, le
sommet et le centre du cube : 0,0,0 et 1/2,1/2,1/2. Ce réseau est aussi un
réseau simple où tous les atomes jouent le même rôle car ils ont un entourage
identique. Le facteur de structure est donné par :
Fhkl = f + f [−iπ (h + k + l)]
On en tire Fhkl = 2f quand h + k + l est pair, alors que Fhkl = 0 quand h + k + l

est impair.
Exemple : Le sodium a une structure cc. Son diagramme de diraction des
rayons X contient des raies comme (200)ou (110) . . .mais pas de raies (100) ou
(221).
B Réseau cubique à faces centrées (cfc) :

La maille cubique d'arête a comprend 4 n÷uds, le sommet et les centres de
chaque face du cube : 0,0,0 et 0,1/2,1/2 ; 1/2,0,1/2 ; 1/2, 1/2,0 :
Fhkl = f {1 + exp [−iπ (k + l)] + exp [−iπ (h + l)] + exp [−iπ (h + k)]}
Si tous les indices sont des entiers pairs Fhkl = 4f ; il en est de même si tous
les indices sont des entiers impairs. Mais si l'un seulement des entiers est pair,
deux des exposants seront des multiples impairs de −iπ et Fhkl va s'annuler.
De même si un seul des indices est impair, le même raisonnement permet de
dire que Fhkl s'annulera également. Donc dans un réseau cfc aucune réexion
ne peut provenir de plans dont les indices sont en partie pairs et en partie
impairs. C'est le cas de KCl et KBr qui ont tous deux un réseau cfc. Leurs
spectres de rayons X ne contiennent que des raies provenant de plans ayant
tous les indices de Miller, soit pairs, soit impairs


Chapitre III
Vibrations thermique des réseaux et

phonons
Dans les chapitres précédents, les ions (atomes, ions, etc.) d'un matériau "parfait"
ont été considérés comme xes, situés aux n÷uds d'un réseau de Bravais. L'étude
des propriétés thermique, notamment la chaleur spécique CV , montre ce modèle
"classique" doit être dépassé.
La quantication des vibrations du réseau intervient dans la chaleur spécique
CV ; contrairement à la loi (classique) de Dulong et Petit qu'arme que CV est
constante, le modèle de Einstein (1905), permet de rendre compte du comportement
à basse température de la chaleur spécique (l'un des premiers succès de la quanti-
cation), qui contient un terme en T 3, ce terme est essentiel à basse température.
Indépendamment de l'arrangement spatial des centres massifs (cristallisé, vitreux,
amorphe, etc.), la question des vibrations de ces derniers se pose en soi. Pour simpli-
er, on ne considère par la suite que les vibrations d'un cristal parfait, complètement
déni par la donnée de sa structure (réseau de bravais et motif ).
III.1 Rappels sur l'oscillateur harmonique

De façon générale, un oscillateur est un système dont l'évolution dans le temps est
périodique. Il est dit de plus harmonique si les oscillations eectuées sont sinusoï-
dales, avec une amplitude et une fréquence qui ne dépendent que des caractéristiques
59
intrinsèques du système et des conditions initiales.
L'oscillateur harmonique a une grande importance en mécanique classique, car il
décrit les petites oscillations de systèmes physiques autour d'une position d'équilibre
stable ; son importance n'est pas moindre en mécanique quantique.
III.1.1 Le potentiel Harmonique en Mécanique classique

Examinons le cas des vibrations d'un atome, de noyau a la masse M, le long de l'axe
des x.
Oa Le potentiel harmonique est donné par :
1
V (x) = kx2 (3.1)
2
1. Equation du mouvement :
−−→ ∂V d2 x
F = M γ = −grad(V (x)) = − ⇒ 2 + ω2x = 0
∂x dt
Equation dont la solution est de la forme :
x(t) = XM cos(ωt − ϕ) (3.2)
q
K
avec ω= M
2. Energie totale :
P2 1 1
E =T +V = + M ω 2 x2 (t) = M ω 2 XM
2
(3.3)
2M 2 2

Ob Potentiel quelconque
Un développement d'ordre, au voisinage de x0 , du potentiel nous donne
1
V (x) = V (x0 ) + V 0 (x0 )(x − x0 ) + V ”(x0 )(x − x0 )2 (3.4)
2
La constante V (x0 ) est en général sans intérêt et on peut la prendre égale à zéro par
une redénition du zéro d'énergie. Comme x0 est une position d'équilibreV 0 (x0 ), et si
q
cette position d'équilibre est stable, V ”(x0 ) > 0, avec K = V ”(x0 ) et ω → V ”(x M
0)
III.1.2 Le potentiel Harmonique en Mécanique quantique

L'étude quantique nous amène à introduire des outils mathématiques d'un intérêt
considérable en physique : les opérateurs, ainsi l'hamiltonien d'un oscillateur harmo-
nique unidimensionnel s'écrit sous la forme :
∧
∧ ∧ ∧P 1 ∧
H = T +V = + Mω X (3.5)
2M 2
On peut monter que l'énergie est quantiée et est donnée par :

1
En = ~ω n + (3.6)
2
~ω
avec E0 = l'énergie de l'état fondamental (point zéro).
2

Le spectre est discret, quantié. On ne peut exciter que les énergies de type :
1

En = ~ω n + 2
. En négligeant l'état fondamental qui est négligeable dès que la
température est élevée, alors : En = n~ω
III.2 La chaine linéaire

III.2.1 Un atome par maille
Considérons les cristaux dont la maille élémentaire contient un seul atome de masse
m, et de distance inter-atomique entre les atomes les plus proches voisins est a. Nous
voulons déterminer la fréquence de l'onde en fonction du vecteur d'onde qui décrit
cette onde et des constantes élastiques.
Nous pouvons apprendre beaucoup de choses sur les forces reliant les diérents plans
atomiques à partir de la relation entre la pulsation ω et la norme du vecteur d'onde
K.
Isolons une chaîne horizontale d ?atomes : ces atomes, couplés élastiquement par des
ressorts, constituent une modélisation simple pour décrire la propagation de petits
mouvements vibratoires, c'est-à-dire la propagation des ondes dans un solide.

Les forces rappelant un atome vers sa position d'équilibre peuvent être modélisées,
à l'ordre linéaire, par un rappel élastique, dans la mesure où les amplitudes des
vibrations des atomes sont faibles par rapport à a.
Les atomes se déplacent légèrement autour de leurs positions d'équilibre respectives,
que l'on peut paramétrer sous la forme xq,n = na pour l'atome de rang n.
On repère la position de cet atome hors équilibre par son abscisse :
xn (t) = na + un (t) (3.7)
où un (t) est le déplacement, qui reste faible vis-à-vis de a, de l'atome n de sa position

d'équilibre.
La force exercée par l'atome n + 1 sur l'atome n est la force élastique du ressort,
proportionnelle à son allongement :
Fn+1−→n = k(xn+1 − xn − a) (3.8)
en portant (3.7) dans (3.8), on obtient :
Fn+1−→n = k[un+1 (t) − un (t)] (3.9)
de même, l'expression du potentiel est donnée par :
1
V = V0 + K (un − un+1 )2 (3.10)
2

∂2V
avec K=

∂u2
u=0

ime
On se propose ici d'étudier le n atome et ses deux proches voisins (n-1) et (n+1)
ime
atomes.
En appliquant le principe fondamental de la dynamique sur l'atome n on aura :
d2 un ∂V d2 un (t)
F =M = − ⇒ M = K [un+1 (t) − un (t)] + K [un−1 (t) − un (t)]
dt2 ∂un dt2
Finalement
d2 un (t)
M = K [un+1 (t) + un−1 (t) − 2un (t)] (3.11)
dt2
Essayons la solution qui dépend seulement du temps :
d2 un (t)
un (t) = un e−iωt ⇒ 2
= −ω 2 un (t), donc :
dt
− M ω 2 un = K [un+1 + un−1 − 2un ] (3.12)
Essayons la solution de la forme :un = ueikna

Remplaçant là dans l'équation (3.12), on aura alors :
(3.12) ⇔ −M ω 2 ueikna = K ueik(n+1)a + eik(n−1)a − 2eikna

⇔ −M ω 2 ueiKna = Kueikna eika + e−ika − 2

⇔ −M ω 2 = K [2 cos(ka) − 2]
2K
⇔ ω2 = [1 − cos(ka)]
M
4K 2 ka 2 ka
Alors ω 2 (k) = sin puisque cos(ka) = 1 − 2 sin
M 2 2
D'où r
4K ka
ω(k) = sin (relation de dispersion) (3.13)
M 2

L'onde se propage vers la droite comme vers la gauche, d'où le domaine de k à
considérer peut être spécié par :
π π
−π ≤ ka ≤ +π ⇔ − ≤k≤+
a a
Ce domaine de valeurs de k s'appelle la première zone de Brillouin du réseau linéaire.
π
D'où les valeurs extrêmes de k dans cette zone sont : kmax = ±
a
Première zone de Brillouin :
Les valeurs de K extérieures à la première zone de Brillouin (gure dessus) repro-
duisent simplement les vibrations du réseau déjà décrites par les valeurs de k com-
π
prises entre± . On peut donc écrire
a
2π
un (k + G) = uei(k+ a )na = ueikna ei a na = ueikna = un (k)
2π
(3.14)
2π
d'après (3.14), K et k+G correspondent à des déplacements équivalents, avec G=
a
⇒ ω(k) = ω (k + G) (ω(k)est périodique dans l'espace réciproque)
π
Aux limites kmax = ± de la première zone de Brillouin. la solution
a
un (k) = ueikna
ne représente pas une onde progressive mais une onde stationnaire. En eet, pour
π
un vecteur d'onde proche de ± , la solution un (k) = ueinka = ue±in = u(−1)n . Il
a
n'y a plus de déplacement de l'onde dans l'espace (la vitesse de groupe est nulle),
mais simplement une vibration en temps due au terme u contenant la pulsation eiωt :
c'est une onde stationnaire. De plus, les plans successifs vibrent en opposition de
phase, du fait du terme (−1)n . Enn, il est important de remarquer que le vecteur
d'onde k est dans ce cas situé sur la première zone de Brillouin du cristal. En eet,
en balayant les diérents plans cristallographiques (et donc pour diérentes valeurs
π
de a), choisir k = ± revient à prendre les plans médiateurs entre l'origine et le
a
point correspondant du réseau réciproque.
Vitesse de groupe :
La vitesse d'un paquet d'ondes est la vitesse de groupe, dénie par :
→
− −−→
vg = dω/dk soit v g = gradk (ω(k))
le gradient étant pris par rapport à k. La vitesse de groupe est la vitesse de transmis-
sion de l'énergie dans le milieu. Pour la relation de dispersion, la vitesse de groupe
(Fig. 1) est :

Fig. 1 Vitesse de groupe
vg en fonction de k. À la li-
mite de zone, la vitesse de
groupe est nulle.

ka
vg = v cos (3.15)
2
q
K
avec v=a M
Cette formule générale montre que la vitesse de groupe est nulle au bord de zone, là
π
où k= . Ceci ne surprend pas dans le cas d'une onde stationnaire. pour un vecteur
a
d ?onde très faible (k 1/d), c'est-à-dire pour des longueurs d'onde très grandes
(λ d), la réponse en fréquence ω est proportionnelle à ce vecteur d'onde. En eet,

K
l'équation (3.15) peut être développée au second ordre pour obtenir ω 2 (k) = (ka)2 .
M
Nous sommes dans ce cas dans l'approximation de la mécanique des milieux continus.
K
Le facteur de proportionnalité a , vitesse de groupe de l'onde, correspond à la
M
vitesse du son dans ce milieu. Cette vitesse est celle de la théorie des ondes élastiques.
III.2.2 Deux atomes par maille

Après le réseau unidimensionnel monoatomique où la cellule élémentaire ne com-
porte qu'un seul atome, il est intéressant d'étudier la propagation des ondes dans un
réseau de Bravais à motif, ce qui signie que la maille élémentaire du réseau com-
porte plusieurs atomes. La chaine unidimensionnelle diatomique représente le cas le
plus simple et permet de comprendre l'impact d'une maille élémentaire comportant
plusieurs atomes sur le spectre des modes normaux de vibrations.
Considérons une chaine, schématisée sur la gure, masses-ressorts avec deux masses
diérentes m et M dans la cellule élémentaire. 2a est la distance séparant deux
masses identiques. Le seul degré de liberté autorisé est la translation suivant l'axe

de la chaine. Le déplacement d'une masse m s'écrit un , n indiquant le numéro de la
cellule élémentaire considérée, et le déplacement d'une masse M s'écrit Un .
Figure : Représentation de la chaine unidimensionnelle diatomique avec la modéli-
sation par une chaine masses-ressorts avec deux masses diérentes.
V = 12 K (un − Un )2 +(Un − un+1 )2

P
L'énergie potentielle harmonique est donnée par : n
Les équations du mouvement pour chacune des masses de la cellule élémentaire
s'écrivent :
d2 u n ∂V
m 2 =− = K (Un−1 + Un − 2un ) (3.16)
dt ∂un
et
d2 U n ∂V
M 2
=− = K (un + un+1 − 2Un ) (3.17)
dt ∂un
La forme de solutions recherchée est similaire aux solutions de la chaine unidimen-
sionnelle monoatomique :
un = ue−i(ωt−2nka) (3.18)
Un = U e−i(ωt−2nka) (3.19)
où u et U sont des constantes complexes à déterminer. Leur rapport donne les ampli-
tudes et les phases relatives des vibrations des atomes dans une cellule élémentaire.
En substituant les solutions (3.18) et (3.19) dans les équations du mouvement (3.16)
et (3.17), le système d'équations suivant est obtenu
− mω 2 u = K U e−i2ka + 1 − 2u

(3.20)

− M ω 2 U = K u ei2ka + 1 − 2U

(3.21)
Ce système d'équations peut être réécrit sous forme matricielle

 
2K 2 K −i2ka    
− ω − e + 1 u u
 Km m  = 0 ⇔ (D)  =0
 
i2ka
2K 2

e +1 −ω U U
M M
(D) est appelée matrice dynamique. Pour que les solutions de u et U soient non
triviales, le déterminant de la matrice dynamique doit être nul, ce qui amène aux
deux relations de dispersion, appelées branches, suivantes :
ω02
q
2 2
ω± (k) = 1 ± 1 − γ 2 sin (ka) (3.22)
2
2K (m + M ) mM
avec ω02 = et γ2 = 4
mM (m + M )2
La branche supérieure (signe plus de l'équation (3.22)) est appelée branche ou mode
optique, la pulsation est diérente de zéro lorsque le nombre d'onde est nul. Pour
un nombre d'onde proche de zéro, les deux atomes de la cellule élémentaire oscillent
u M
en opposition de phase ( = − ). La dénomination optique vient du fait que ce
U m
type de vibration peut être engendré par le champ électrique d'une onde lumineuse,
si les atomes sont de charges opposées.
La branche inférieure (signe moins de l'équation (3.22) de dispersion) est appelé
branche ou mode acoustique, la pulsation est égale à zéro lorsque le nombre d'onde
est nul. Lorsque le nombre d'onde est proche de zéro, les deux atomes de la cellule
u
élémentaire oscillent en phase ( = 1). Une vibration en phase correspond à une
U
excitation acoustique, d'où le nom de branche acoustique.
Les relations de dispersion sont tracées sur la gure dessous
Sur la courbe de gure 2, certaines fréquences sont interdites en limites de zone
de Brillouin. Si on cherche des solutions dans ce domaine, on obtient des vecteurs
d'ondes complexes correspondant à des ondes évanescentes qui s'amortissent rapide-
ment.

Fig. 2 Représentation des relations de dispersion des modes longitudinaux optique
et acoustique dans la chaine unidimensionnelle diatomique.
III.3 Conditions aux limites

Dans le cas d'une chaine linéaire, deux types de conditions aux limites sont uti-
lisées :
III.3.1 Conditions aux limites xes : u0 = 0 et uN =0
Pour une chaine monoatomique contenant N atomes, de longueur L = N a, où
a est la distance entre deux atomes successifs, les conditions u=0 pour x=0 et
x = N a = L, entraînent que l'onde résultante est stationnaire :
u(x, t) = ui cos(ωt − kn x) + ur cos(ωt + kn x) = 2ui sin kn x. sin ωt
et kn = nπ/L = nπ/N a dans laquelle n est un nombre entier positif. Pour la rangée
formée d'éléments discrets, il y a N-1 valeurs permises pour kn qui sont équidistantes
de π/N a et dont le nombre est donc sensiblement égal au nombre de particules
susceptibles de se mouvoir.

III.3.2 Conditions aux limites périodiques (C.L.P)

Pour le cas des conditions cycliques C.L.P. (conditions de Born-von Karman an
qu'après une translation du réseau périodique du cristal nous retrouvions les mêmes
propriétés), on a un = uN +n , les ondes correspondantes sont progressives de la forme

u(x) = u exp i(kx), avec
2π
kn = n n∈Z (3.23)
L
le pas de variation de k a doublé mais les valeurs négatives de k sont permises
et le nombre total de modes (correspondant à un vecteur d'onde inclus dans la
première zone de Brillouin) est égal au nombre d'atomes susceptibles de se mouvoir
indépendamment.
En trois dimensions, au lieu de chaque oscillation on aura trois oscillations ; une
oscillation longitudinale et deux transversales. Donc le nombre total de modes de
vibration pour un système de N particules est égal à 3N
III.4 Quantication des vibrations de réseau

Nous avons vu que les modes de vibrations indépendants (au nombres de degrés
de liberté) se décrivent généralement sous forme d'onde élastique progressive de

−
→−→ 2π
la forme uei( k . r −ωt) , où k est le vecteur d'onde d'amplitude et ω = 2πν est
λ
la fréquence angulaire de l'onde (de fréquence ν est de longueur d'onde λ). Il est
possible d'associer à cette onde une quasiparticule. Cette quasi-particule est appelée
phonon. Elle est analogue au photon associé à une onde électromagnétique.
Des considérations sur la dynamique du réseau nous permettent de trouver la
fréquence associée à un vecteur d'onde par les relations de dispersion, en considérant
les forces élastiques liant les atomes. Ces relations de dispersion peuvent aussi se
mesurer expérimentalement par des expériences de diusions inélastiques.
La mécanique quantique entre alors en jeu : l'énergie E de chaque oscillateur
linéaire est quantiée : E = ~ω(n + 1/2) avec n = 0, 1, 2 ... ce qui signie que
sous l'action d'un agent extérieur (température, photon, neutron) chaque oscillateur
peut gagner ou céder de façon discrète un (ou plusieurs) quantum (phonon) d'énergie
→
−
~ω = hν et d'impulsion →
−
p = ~ k (qui comme le vecteur d'onde k n'est dénie qu'à un

vecteur G du réseau réciproque près). Ainsi un apport de chaleur au cristal se traduit
par un accroissement de la population en phonons ou en d'autres termes un accrois-
sement de l'énergie (et donc de l'amplitude) de vibration des atomes du réseau ; de
même, l'interaction d'un neutron ou d'un photon (absorption IR ou diusion Raman)
avec le réseau reposera sur la conservation de l'énergie et de l'impulsion du système
°
formé par le photon et le phonon. On observera qu'à 0 K il subsiste une énergie de
vibration résiduelle ~ω/2 - conséquence du principe d'incertitude (Heisenberg)- et
que même à cette température, et contrairement au modèle classique, les

atomes ne sont pas immobiles.
Comme mentionné au début du paragraphe précédent, que cette quantication

de l'énergie, due aux considérations de la mécanique quantique, est indépendante de
la quantication du vecteur d'onde qui résulte, elle, de l'application des conditions
aux limites.
de vecteur d'onde k et de fréquence ω ne peut prendre que des valeurs discrètes
En = ~ω(n + 1/2), n s'interprète comme le nombre de phonons dans le mode de vec-

teur d'onde k et de fréquence ω . Le demi-quantum est une simple constante additive
(seules les diérences d'énergie comptent). L'expression retenue pour l'énergie de vi-
bration est ainsi En = n~ω . Une onde sera donc constituée de n phonons d'énergie
~ω .
Les phonons sont des bosons du point de vue de la statistique quantique et ils
suivent à l'équilibre thermique une distribution de Bose-Einstein (ou loi de Planck) :
le nombre de phonons dans un mode de fréquence ω est :
La densité d'énergie par unité de fréquence est alors donnée par :
La densité d'états à trois dimensions se calcule en imposant des conditions aux
limites périodiques sur les atomes contenus par exemple dans un cube de côté L : K
doit vérier ***et donc les K. doivent avoir des valeurs du type
***** il n'y a donc qu'une valeur permise de K par volume et donc valeurs
permises par unités de volume dans l'espace des K.

III.5 Aspect corpusculaire du phonon

Une onde élastique, de longueur d'onde λ, est formée d'un certain nombre de
phonons. D'après la loi de De Broglie, chaque phonon possède une quantité de mou-
vement
→
−p = h/λ, qui peut être également exprimée en fonction du vecteur d'onde
→
− →
− →
−
k par p =~k
Nous avons vu, dans la section précédente, que l'interaction d'un photon (rayon
X) avec le réseau reposera sur la conservation de l'énergie et de l'impulsion du système
formé par le photons incident et diusé (ce qu'on appelle la diraction de Bragg),
→
−0 →− →− →
− →
−
on peut donc écrire k = k +G où k est le vecteur d'onde du photon incident, k 0
→
−
le vecteur d'onde du photon diusé et G est un vecteur du réseau réciproque.
Mais le photon peut également subir une diusion inélastique (g. 3), c'est à
dire être diusé par une onde sonore : une telle interaction peut avoir lieu car le
champ de déformation élastique de l'onde sonore change la densité locale d'atomes
et change ainsi l'indice de réfraction du milieu. Inversement le champ électrique de
l'onde lumineuse peut créer une déformation mécanique dans le cristal et ainsi en
moduler les propriétés élastiques. En d'autres termes, un photon dans un cristal peut
Fig. 3 Diusion inélastique d'un photon de vecteur d'onde ~k avec production d'un
phonon de vecteur d'onde ~.

K Le photon diusé a un vecteur d'onde k~0 .

→
− →
−0
créer ou absorber un phonon : son vecteur d'onde passera de k à k et sa fréquence
de ω à ω0. Supposons qu'on ait crée dans ce processus un phonon de vecteur d'onde
→
−
K et de fréquence ωph , on peut alors traiter le processus comme une collision simple
entre deux corps avec conservations de l'énergie et du vecteur d'onde (dans notre cas
à un vecteur du réseau réciproque près) :

 ~ω = ~ω 0 + ~ωph
(3.24)
→
− →
− → − →
−
k = k 0 + K (+ G )
Nous voyons bien sur cet exemple que comme le photon, le phonon présente des
K
propriétés corpusculaires. D'après Fig. 4, on peut écrire sin θ = , on en tire :
2k
Fig. 4 Diagramme d'équilibre des quantités de mouvement pour la diusion in-
élastique g. 3.
K = 2k sin θ (3.25)
Si on considère que k et K ont même amplitude, on aura :
 ω

 k=
c (3.26)
ω
K = ph

vs

avec c est la célérité de la lumière et vs est la vélocité du photon. En portant les
expressions de l'équation (3.26) dans l'équation (3.25), on peut alors calculer la
pulsation du phonon :
vs
ωph = 2 ω sin θ (3.27)
c
La diusion de la lumière visible issue d'une source laser intense a été utilisée
pour engendrer des phonons de courte longueur d'onde dans le quartz et le saphir.
Les variations observées de la fréquence des photons sont en bon accord avec les
fréquences calculées par la formule de l'équation (3.27), en utilisant comme vitesse du
son les valeurs mesurées à des fréquences plus basses par des méthodes ultrasonores.
La diusion de la lumière par les phonons dans les solides est appelée diusion de
Brillouin.
III.6 Densité des modes de vibrations

Par extension de l'équation (3.23), pour l'espace, nous avons alors dans le cas
tridimensionnel :
2π 2π 2π
kx = nx , ky = ny , kz = nz (3.28)
Lx Ly Lz
chaque combinaison de ces trois nombres correspond à une fonction d'onde (état)
diérente. De plus, ces nombres sont indépendants (aucune condition imposée). Nous
avons alors le premier niveau où tous les n sont unitaires :
(2π)3
kx ky kz = = (2π/L)3 (3.29)
Lx Ly Lz
Représentons l'espace des états pour un tel réseau cubique et pour diérents multiples
→
−
de nx , ny , nz (g. 5) : Les extrémités des vecteurs k sont situées aux n÷uds d'un
2π
réseau cubique d'arrêt , ce qui signie que par volume élémentaire il n'y a qu'un
L
seul vecteur d'onde possible et donc qu'un seul état associé.
Ainsi, dans un volume sphérique de rayon k de l'espace des états, nous avons un
nombre précis (limite supérieure) de volume élémentaires (états) :
4 3
Vsph πk k3
N (ω) = = 3 = V avec V = L3 (volume du cristal) (3.30)
Vel (2π/L)3 6π 2

Fig. 5 Espace des k pour un réseau cristallin cubique
La densité de modes dans un volume V sera alors donné par :
dN(ω) dk k2 V dk
g(ω) = = (3.31)
dk dω 2π 2 dω
ou
dN(ω) dk k2 V
g(k)dk = = dk (3.32)
dk dω 2π 2
La fonction g(k), appelée densité d'états, donne la probabilité de trouver un état
→
−
dans une couche sphérique de rayon k et d'épaisseur dk dans l'espace des k.
III.7 Energie interne

Dans un solide l'énergie interne U est exprimée essentiellement sous deux formes :
l'énergie thermique du réseau cristallin qui est due aux vibrations des atomes autour
de leur position d'équilibre et l'énergie cinétique des électrons. Dans notre cas nous
ne considérons que la contribution des phonons. En supposant que les phonons sont
identiques dans les trois directions de l'espace et en se rappelant la relation de Planck-
Einstein valable pour toute particule de par le principe de dualité onde-corpuscule :
E(ω) = hν = ~ω (3.33)

La distribution des nombres moyens d'occupation est celle de bosons, donnée par la
statistique de Bose-Einstein :
1 1
n(ω) = E(ω)
= ~ω (3.34)
e KB T
−1 e KB T
−1
l'énergie interne est donnée par :
Z Z Z
~ω
U= n(ω)E(ω)gT (ω)dω = 3 n(ω)E(ω)g( ω)dω = 3 ~ω g( ω)dω (3.35)
ω ω ω e KB T
−1
III.8 Chaleur spécique

Par dénition, la chaleur spécique d'un matériau est la quantité de chaleur
nécessaire pour élever d'un degré centigrade une masse d'1 kg de ce matériau. Cette
chaleur spécique à volume constant est dénie par l'expression suivante :

∂U
CV = (3.36)
∂T V
En portant l'équation (3.35) dans l'équation (3.36), nous avons alors :
Z !
∂ 1
CV = 3 ~ω ~ω g( ω)dω (3.37)
ω ∂T e KB T
−1
qui peut être également écrite sous forme :
Z 2 ~ω
~ω e KB T
CV = 3KB 2 g( ω)dω (3.38)
KB T
~ω
ω e KB T
−1
À partir de là il existe deux principaux modèles de prévision de la capacité calori-
que des cristaux, le modèle de Debye et le modèle d'Einstein, chacun faisant des
hypothèses sur la densité de modes des phonons.
III.8.1 Modèle d'Einstein

Les oscillateurs sont supposés ayant tous la même fréquence (respectivement la
même pulsation), de sorte la vibration du solide est schématisée par N oscillateurs
harmoniques à cette fréquence. Cette pulsation particulière est souvent associée à ce
que nous appelons la " température d'Einstein", dénie par :

~ωE
ΘE = (3.39)
KB

La densité de modes est alors symbolisée par N distributions de Dirac autour de
cette valeur tel que :
Z 2 ~ω 2 ~ωE
~ω e KB T ~ωE e KB T
CV = 3KB 2 N δ(ωE )dω = 3N KB 2
KB T KB T
~ω
~ωE
ω e KB T
−1 e KB T
−1
(3.40)
En portant l'équation (3.39) dans l'équation (3.40), on obtient :
2 ΘE
ΘE e T
CV = 3N KB 2 (3.41)
T
ΘE
e T −1
Ce modèle prévoit une valeur limite de la capacité calorique aux hautes tempéra-
ΘE
tures. En eet, en utilisant nous utilisons un développement de Taylor (e T = 1+ ΘTE )
est en remplaçant dans l'équation (3.41), on peut écrire :
2 ΘE

ΘE 1+
CV,T →+∞ ∼
= 3N KB T
2 ∼
= 3N KB (3.42)
T 1+ ΘE
−1
T
Il est d'usage lorsqu'on présente la relation (3.42) de considérer une quantité de
matière correspondant à une mole et de faire apparaître ainsi la constante des gaz
parfaits :
CV,T →+∞ ∼
= 3NA KB = 3R (3.43)
L'équation (3.43) est la " loi de Dulong et Petit", elle est en assez bon accord avec
les résultats expérimentaux.
Cependant, à basse température, ce modèle concorde moins avec les mesures ex-
ΘE
périmentales. En eet, lorsque T → 0, CV (∝ e− T ) → 0. Cette discordance avec
l'expérience peut s'expliquer en abandonnant l'hypothèse selon laquelle les oscilla-
teurs harmoniques vibrent à la même fréquence.
III.8.2 Modèle de Debye

Le modèle de Debye, concorde mieux avec l'expérience à faibles températures,
consiste à supposer la relation de dispersion comme linéaire avec la vitesse de pro-
pagation des phonons vs (vitesse du son dans le cristal) :
ω(k) = vs k (3.44)

en portant l'équation (3.44) dans l'équation (3.31), la densité d'états devient alors :
Vω 2
g(ω) = (3.45)
2π 2 vs3
Dans le modèle de Debye, seule la branche acoustique des phonons est considérée,
ce qui revient à schématiser le cristal comme un réseau monoatomique formé des
atomes les plus lourds. Dès lors, les modes de résonances sont limités à une certaine
fréquence (pulsation ωD ), avec le volume correspondant, dite "de coupure" qui peut
être calculée en écrivant :
ωD ωD
Vω 2 3
Z Z
VωD
g(ω)dω = = =N (3.46)
0 0 2π 2 vs3 6π 2 vs3
il en sort que :
1/3
6π 2 N

ωD = vs (3.47)
V
où N est toujours le nombre d'état possible (nombre de maille élémentaire).
L'énergie interne de l'équation (3.35) devient :
ωD
ω3
Z
3V ~
U= 2 3 ~ω dω (3.48)
2π vs 0 e KB T − 1
~
qui peut être également écrite, avec changement de variable x= ω, sous forme
KB T
de :
3 Z xD
x3

T
U = 9N KB T dx (3.49)
ΘD 0 ex − 1
où ΘD la température de Debye, elle donnée par :
1/3
6π 2 N

~ ~vs
ΘD = ωD = (3.50)
KB KB V
Nous avons alors pour la capacité calorique :
ωD ωD
ω3 ω3
Z Z
∂U 3V ~ ∂ 3V ~ ∂
CV = = 2 3 ~ω dω = 2 3 dω (3.51)
∂T V 2π vs ∂T 0 e KB T −1 2π vs 0 ∂T e K~ω
BT − 1
on en tire :
4 Z ~ω
ωD
ω 4 e KB T

3V ~ KB T
CV = 2 3 2 dω (3.52)
2π vs T
~ω
~ 0 e KB T
−1
~ ~
En posant x= ω (xD = ωD ), l'équation (3.52) devient :
KB T KB T
3 Z xD
x4 ex

T
CV = 9N KB dx (3.53)
ΘD 0 (ex − 1)2

à haute température, on a T ΘD et x1 et l'équation (3.53) devient :
3 Z xD 3
x4 (1 + x) x3D

T T
CV,T →+∞ = 9N KB dx = 9N KB (3.54)
ΘD 0 (1 + x − 1)2 ΘD 3
En remplaçant, dans l'équation (3.54), xD et ΘD par leurs expressions, on aura
CV = 3N KB = C te , qui est en bon accord avec le modèle d'Einstein et la loi
classique de Dulong et Petit.
A basse température T ΘD , on a xD ( 1) → ∞ et l'équation (3.53) devient :
3 Z xD
x4 ex

T
CV,T →0 = 9N KB dx (3.55)
ΘD 0 (ex − 1)2
Ce qui est dicile à calculer. Alors nous passons plutôt par le cheminement suivant,
en servant de l'équation (3.49) :
" 3 Z +∞ #
3

∂U ∂ T x
CV,T →0 = = 9N KB T x
dx (3.56)
∂T V ∂T ΘD 0 e −1
sachant que
+∞
x3 π2
Z
dx = (3.57)
0 ex − 1 15
en portant l'équation (3.57) dans l'équation (3.58), on obtient :
" 3 2 #
∂ T π
CV,T →0 = 9N KB T (3.58)
∂T ΘD 15
Soit :
3
12N KB π 2

T
CV,T →0 = (3.59)
5 ΘD
Ce comportement de CV (∝ T 3 ), à basses température, concorde bien avec l'expé-
rience.

Bibliographie
1. Aurélien Merkel, Etude théorique et expérimentale de la propagation acous-
tique dans les cristaux phononiques granulaires tridimensionnels. Acoustique
[physics.class-ph]. Université du Maine, 2010.
e
2. Michel Le Bellac, Physique quantique fondements-Tome I, 3 édition.
3. Francois Ducastelle, Cours de Physique de la Matière Condensée, 2012
4. M. Abd-Lefdil, cours de physique des matériaux.
e
5. Charles Kittel, Physique de l'état solide, 7 édition, Dunod.
6. A. Belayachi, cours de physique des matériaux.
7. Claude ASLANGUL, cours de physique de la matière condensée.

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Cours de Physique des Matériaux

Prof. Brahim BOUGHAZI

Année Universitaire 2020/2021

I.1.4 Rangées cristallines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

I.1.5 Plans réticulaires et indices de Miller . . . . . . . . . . . . . . 10

I.2 Réseau réciproque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

I.2.3 Construction de réseau réciproque . . . . . . . . . . . . . . . 14

I.2.3.1 Réseau cristallin linéaire . . . . . . . . . . . . . . . 14

I.2.3.2 Réseau cristallin carré . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

I.2.3.3 Réseau cristallin simple (P) . . . . . . . . . . . . . . 15

I.2.3.4 Réseau cristallin cubique centré (I) . . . . . . . . . . 16

I.2.3.5 Réseau cristallin cubique à faces centrées (F) . . . . 18

I.3.1 Matériau amorphe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

I.3.2 Cristal parfait . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

I.3.2.1 Structure cristalline . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

I.3.2.2 Caractérisation d'une structure cristalline . . . . . . 21

I.3.2.3 Empilement compact de sphères en contact . . . . . 21

I.3.2.4 Structures usuelles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

I.3.4.1 Défauts de structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

I.3.4.1.1 Défauts ponctuels . . . . . . . . . . . . . . . 31

I.3.4.1.2 Défauts non ponctuels . . . . . . . . . . . . 33

I.3.5.1 Alliages de substitution . . . . . . . . . . . . . . . . 34

I.3.5.2 Alliages d'insertion . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

II Détermination des structures cristallines 37

II.2 Faisceaux incidents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

II.2.3 Rayons X (RX) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

II.3 Détermination de la structure cristalline par les RX . . . . . . . . . . 39

II.3.2 Caractéristiques des RX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

II.3.3 Production des RX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

II.3.4 Mécanisme de la production des rayons X . . . . . . . . . . . 40

II.3.4.1 Spectre continu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

II.3.4.2 Spectre de raies caractéristiques . . . . . . . . . . . 43

II.3.4.3 Eet de la tension sur le spectre . . . . . . . . . . . 45

II.3.4.4 Eet de l'intensité sur le spectre . . . . . . . . . . . 45

II.3.5 Interaction des RX avec la matière . . . . . . . . . . . . . . . 46

II.3.5.1 Absorption des RX . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

II.3.5.2 Eet Compton . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

II.3.5.3 Eet photoélectrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

II.3.6 Diraction des Rayons X (RX) . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

II.3.6.1 Loi de Bragg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

II.3.6.2 Condition de Laue . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

II.3.6.3 Equivalence des formulations de Bragg et von Laue . 51

II.3.6.4 Construction d'Ewald . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

II.3.7 Les méthodes de résolution . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

II.3.7.1 Méthode de Laue . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

II.3.7.2 Méthode du cristal tournant . . . . . . . . . . . . . 54

II.3.7.3 Méthode de poudre (ou de Debye-Scherrer) . . . . . 55

II.3.8 Facteur de structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

III Vibrations thermique des réseaux et phonons 59

III.1.1 Le potentiel Harmonique en Mécanique classique . . . . . . . 60

III.1.2 Le potentiel Harmonique en Mécanique quantique . . . . . . 61

III.2 La chaine linéaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62

III.2.1 Un atome par maille . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62

III.2.2 Deux atomes par maille . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66

III.3 Conditions aux limites . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69

III.3.1 Conditions aux limites xes : u0 = 0 et uN = 0 . . . . . . . . . 69

III.3.2 Conditions aux limites périodiques (C.L.P) . . . . . . . . . . . 70

III.4 Quantication des vibrations de réseau . . . . . . . . . . . . . . . . . 70

III.5 Aspect corpusculaire du phonon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72

III.6 Densité des modes de vibrations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74

III.7 Energie interne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75

III.8 Chaleur spécique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76

III.8.1 Modèle d'Einstein . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76

II.3.4.3 Eet de la tension sur le spectre . . . . . . . . . . . 45

II.3.4.4 Eet de l'intensité sur le spectre . . . . . . . . . . . 45

II.3.5.2 Eet Compton . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

II.3.5.3 Eet photoélectrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

II.3.6 Diraction des Rayons X (RX) . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

III.3.1 Conditions aux limites xes : u0 = 0 et uN = 0 . . . . . . . . . 69

III.4 Quantication des vibrations de réseau . . . . . . . . . . . . . . . . . 70

III.8 Chaleur spécique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76

termination des structures cristallines, notamment la diraction des rayons x. Les

tés thermiques (énergie interne, chaleur spécique,. . . ) des cristaux.

Ce cours vise à présenter, aux étudiant de la lière SMP-5, un tour d'horison

Fig. 1 Représentation des vecteurs fondamentaux ( 1 , ~a ~a2 et ~a3 ) et non fondamen-

3. La réexion est notée par la lettre m (m = 2.).

Fig. 3 Exemple de mailles (simple et multiple) à deux dimensions

Fig. 5 Systèmes cristallins et réseaux de Bravais

Le réseau étant a priori supposé inni, il y a une innité de n÷uds régulièrement

Il y a une innité de manières de regrouper les n÷uds en famille de rangées.

Il y a donc une innité de familles de rangées dans un réseau cristallin.

équidistance selon les diérentes directions ([13] 6= [12], Fig. 6).

Fig. 6 Famille de rangées [uvw] d'un réseau cristallin 2D et 3D

Fig. 7 Exemples d'indices des principales familles de rangées.

Fig. 9 Exemples de plans réticulaires et leurs indices de Miller correspondants

Fig. 10 En notation à trois indices,