UNIVERSITE SIDI MOHAMED BEN ABDELLAH

FACULTE DES SCIECES DHAR EL MEHRAZ – FES

DEPARTEMENT DE PHYSIQUE

FILIERE SMP S6

Module : Sciences des Matériaux II

Propriétés électriques et magnétiques des matériaux

Réalisé par N. Benzakour 2019/2020

Chapitre 1 : Introduction au modèle des électrons quasi libres : Fonctions
de Bloch
La description complète d'un solide peut se faire grâce à l'hamiltonien de toutes les particules
qui le composent:
∑ ∑ ∑ ∑ ∑
| |

Dans cette expression:

- le premier terme correspond à l'énergie cinétique des électrons de valence
- le second terme correspond à l'énergie cinétique des ions (i.e. les atomes privés de leurs
électrons de valence)
- le troisième terme correspond à l'interaction entre ions du réseau
- le quatrième terme correspond à l'interaction entre électrons libres et les ions
- le cinquième terme correspond à l'interaction électrons – électrons
La première approximation effectuée consiste à négliger les termes d'échange, ce qui permet
d'écrire les interactions sous forme de potentiels scalaires et non d'opérateurs. Ensuite on
effectue l'approximation de Born – Oppenheimer: on suppose que les ions sont fixes, ce qui
permet d'annuler le second terme et de rendre constant le troisième, ce qui l'exclut de
l'hamiltonien. Par ailleurs, le quatrième terme ne dépend alors plus que de la position des
électrons, ce qui donne:
∑ ∑ ∑
| |

Nous faisons ensuite l'hypothèse des électrons indépendants et nous considérons que, vu le
nombre très élevé d'électrons libres (typiquement 1023 ), le potentiel indicé i ne va pas
dépendre de l'électron i, puisque une disparition de celui-ci ne va que très peu influencer la
répartition des autres électrons. On considérera donc, pour des échantillons macroscopiques,
un hamiltonien H commun à tous les électrons :
* +* +
avec U(r) un potentiel cristallin périodique.

I. Fonctions de Bloch
Les solutions de l’équation de Schrödinger pour un électron soumis à un potentiel U(r)
périodique sont de la forme :
où uk(r+R)= uk(r) a la périodicité du réseau.
Les orbitales ayant la forme de  k (r ) sont connues sous le nom de fonction de Bloch.
Considérons N points identiques appartenant à un réseau sous la
forme d’un anneau.
Le potentiel étant périodique : U(x)=U(x+na)
Nous cherchons des solutions telles que : k ( x  a)  C k ( x)

( )

2
 ( )

s
 C  exp(i 2 )
N avec s=0, 1, 2, 3, …,N-1
sx
la fonction :  k ( x)  uk ( x) exp(i 2 ) vérifie donc la relation  k ( x  a)  C k ( x) à
Na
s
condition que uk ( x)  uk ( x  a) avec k  2 .
Na

1. Equation d’onde d’un électron dans un potentiel périodique :

Nous considérons un réseau cristallin à une dimension de paramètre de maille a. le potentiel

cristallin étant périodique on a : U(x)=U(x+a). On peut donc l’écrire sous forme d’une série
de Fourier : U ( x)  U G eiGx   U G (eiGx  eiGx )  2  U G cos(Gx)
G G 0 G 0
G étant un vecteur du réseau réciproque et U0=0
L’équation d’onde d’un électron dans le cristal vérifie l’équation de Schrödinger (ES):
[ ]

 P2 
H ( x)    U ( x)  ( x)  E ( x) avec E une valeur propre de l’énergie.
 2m 
 
Cette équation où  ( x) décrit le mouvement d’un seul électron dans le potentiel des ions, et
dans le potentiel moyen créé par les autres électrons de conduction.  ( x) peut être développé
en série de Fourier sur des vecteurs k appartenants au réseau réciproque.
 ( x)   C (k )eikx
2 n
k avec k  et n  Z .
L
En remplacant  ( x) dans ES, on obtient :
 2 2  2 2
 ( x)  ( C (k )eikx )
2m x 2 2m x k
2
Le premier terme vaut :
 
Et le second terme vaut :  U G eiGx  ( x)  U G eiGxC (k )eikx  U GC (k )ei (G k ) x
 
G  G k G k
 2
 2m k 2C (k )eikx   UG ei(Gk ) xC (k )  E  C (k )eikx
Ce qui conduit à : k G ,k k
Deux méthodes peuvent être utilisées pour simplifier ce système : en posant k=k’+G dans le
second terme pour que chaque composante doit avoir le même coefficient dans les deux
membres de l’équation :
 2k 2 
  E  C (k )  U G C (k  G )  0

 2m  G

3
  k  E  C (k )  UGC (k  G)  0 k 2 2
ou encore : G avec k 
2m
c’est l’équation d’onde d’un électron dans un potentiel périodique.
La 2ème méthode repose sur l’horthogonalité des ondes planes (voir TD).

2. Enoncé du théorème de Bloch :

La solution de l’équation de Schrödinger d’un électron dans un potentiel périodique est une
orbitale  ( x) qui a la forme suivante :  k ( x)  uk ( x) exp(ik .x) avec uk ( x) est une fonction qui
a la périodicité du réseau.
Le vecteur d’onde k utilisé dans la fonction de Bloch posséde les propriétés suivantes :
Si on considére un vecteur translation T, alors :
 k (r  T )  uk (r  T ) e(ik .(r T )) = uk (r ) eikr eikT   k (r )eikT
donc eikT est un facteur de phase multiplicatif quand on effectue une translation T.
b- Quand le potentiel cristallin est nul U(r) =0, l’équation centrale est :
 k  E  C(k )  0
une solution de cette équation est celle de l’onde plane : k (r )  eik .r connue pour l’électron
libre.
c- La valeur de k vérifie les lois de conservation pour les collisions dans le cristal. Pour
cette raison k est appelé quantité de mouvement de l’électron dans le cristal. Par conséquent
quand un électron de quantité de mouvement k rencontre un phonon de vecteur d’onde q, la
règle de sélection est : k  q  k ' G , le phonon est absorbé dans la collision. L’électron est
diffusé d’un état k à un autre état k’, G est un vecteur quelconque du réseau réciproque.

3. Solution approchée de l’équation centrale :

L’équation centrale pour un électron dans un potentiel périodique s’écrit :

 k  E  C (k )  UGC (k  G)  0 2 2
k
G avec k  (1)
2m
Les C(k) sont issues du développement de  ( x) en une combinaison d’onde planes :
 ( x)   C (k )eikx . G étant un vecteur quelconque du réseau réciproque.
k
L’ensemble (1) de ces équations algébriques est appelé équation centrale à cause du rôle
qu’elle joue dans la théorie électronique des solides. Elle relie les valeurs des C(k-G) pour
l’ensemble des vecteurs G.
Les équations ont une solution non nulle si le déterminant formé par tous les coefficients C(k)
G
est nul. La solution à la limite de zone de Brillouin c'est-à-dire pour k  , soit pour la
2

première ZB k  .
a
G2 1 G2
 k2  et (k  G)2  ( G  G)2 
4 2 4

4
ainsi à la limite de zone de Brillouin, l’énergie cinétique des deux composantes de l’onde
G
k   est la même, et l’équation centrale sera formée de 2 systèmes d’équation :
2
 G G
   E  C ( 2 )  U C ( 2 )  0 pour (k  G / 2)

   E  C ( G )  U C ( G )  0 pour (k  G / 2)
 2 2 (2)
E U
ces deux équations possédent une solution non nulle si : 0
U E
soit : (  E )  U  0  E    U
2 2

2 2 2 2 2 2 2 2
k G k G
  E U  U
comme 2m 8m , on trouve : 2m 8m
L’énergie a deux racines de part et d’autre de l’énergie cinétique de l’électron libre E0. L’une
est inférieure de U à E, l’autre est supérieure de U. Par conséquent, l’énergie potentille
2UcosGx a créée une bande interdite d’amplitude 2U à la limite de ZB.
En reportant la solution E    U dans l’une des équations précédentes (2), on trouve :
G G
     U  C ( )  U C ( )  0 C (G / 2) E  
2 2    1
C (G / 2) U
Gx Gx
et le développement de Fourier de  ( x) a deux solutions : ( x)  exp(i )  exp(i )
2 2
une solution donne la fonction d’onde du bas de la bande interdite, l’autre donne celle du haut
de cette bande.

4. Solution près d’une limite de ZB :

G
Au voisinage de la limite de zone, on peut écrire : k  k  qui mesure la différence en
2
vecteur d’onde entre k et la limite de zone.
La fonction d’onde sera de la forme : ( x)  C (k )eikx  C (k  G)ei (k G ) x
D’après l’équation centrale, nous résolvons le système de deux équations :
 k  E  C (k )  U C (k  G )  0


 k G  E  C (k  G )  U C (k )  0

Ces équation ont une solution non nulle si l’énergie satisfait à la condition :
k  E U
0
U k G  E
 E 2  E (k G  k )  k G k  U 2  0
1
1 1  2
L’énergie a deux racines : E  (k G  k )   (k G  k )2  U 2 
2 4 
Chacune d’elle décrit une bande d’énergie.

5
 G
k k
Soit en fonction de 2 :
1
2
1  2 2
k  2
Ek  ( G 2  k 2 )   4 ( ) U 2  2 2
2m 4  2m  G
avec :    
2m  2 
2
Gk
pour U (<<) on peut écrire l’énergie sous la forme :
2m
2
1   2 2 
k
Ek ( G 2  k 2 )  U 1  2( 2 )( )  ,...
2m 4  U 2m 
2 2
G
si on pose E    U     U c'est-à-dire les énergies à la limite de ZB( E ), on peut
2m  2 
écrire l’énergie Ek près de la ZB en fonction de E :
2 2
k 2
Ek ()  E  (1  )
2m U
celles-ci sont les racine de l’énergie lorsque le vecteur d’onde est très proche de la limite de
ZB àG/2.

Formation d'une bande interdite pour un électron

faiblement perturbé Energie en fonction du vecteur d'onde pour un
potentiel faiblement modulé. On constate une
bande interdite à chaque limite de ZB.
les premières bandes d’énergie représentées dans cette zone (1ère ZB)constituent des zones
réduites.

II. La densité d'état et nombre d’orbitale dans une bande

Soit un cristal linéaire de paramètre a. les conditions aux limites périodiques des fonctions
d’onde nous donnent les valeurs permises de k d’un électron dans la première ZB soit :
2 4 N
0,  , ,..... 
K= L L L
N 
La valeur limite de k est : k   , car cela correspond à la limite de zone.
L a

6
Chaque maille élémentaire fournie exactement une valeur indépendante de k à chaque bande.
Autrement dit si on a N mailles élémentaires dans l’échantillon, le nombre d’orbitales dans
une bande est 2N (le facteur 2 est à cause de 2 orientations possibles du spin). Par conséquent
s’il y a un seul type d’atome, de valence 1 dans chaque maille élémentaire, la bande est à
moitié pleine d’électrons. Si chaque atome fournit 2 électrons de valence à la bande, celle-ci
est entièrement remplie.

III. Métaux et isolants

Lorsque les électrons de valence remplissent entièrement une ou plusieurs bandes laissant les
autres bandes vides, alors le cristal est un isolant, car il ne peut y avoir de conduction au sein
d’une même bande. La seule possibilité pour qu’il y ait conduction de courant est lorsqu’on
applique une perturbation extérieure assez forte pour faire passer les électrons de la dernière
bande remplie à la première bande vide.
Dans le cas où il existe une bande partiellement remplie, il peut y avoir une conduction
d’électrons au sein d’une même bande sans avoir besoin d’une perturbation extérieure. Dans
ce cas, on dit qu’on a un métal.
Généralement un cristal ne peut être un isolant que s’il possède un nombre pair d’électrons de
valence, alors que les métaux possèdent un nombre impair. Les métaux nobles sont les
cristaux qui possèdent un seul électron de valence par maille élémentaire.

7
Chapitre 2: Introduction à la physique du semi-conducteur

I. Introduction
Il existe plusieurs types de semi-conducteurs. On distingue semi-conducteur intrinsèque ou
extrinsèque, semi-conducteur à faible gap ou à large gap, semi-conducteur à gap direct ou à
gap indirect. Les semi-conducteurs sont des matériaux dont la conductivité électrique est
intermédiaire entre celle des métaux et celle des isolants. Cette conductivité dépend des
différents types de semi-conducteurs, de la densité des impuretés présentes dans le matériau et
de la température.

II. Structure cristalline d’un semi-conducteur

La majorité des semi-conducteurs utilisés dans les applications électroniques ont une
structure cubique à faces centrées (CFC) de type diamant (c’est le cas du Si, Ge) ou de type
zinc-blende (c’est le cas de GaAs, InP). Cette structure est formée par deux réseaux CFC
interpénétrés au point (1/4,1/4,1/4). Dans le cas de la structure diamant, ces deux réseaux ont
le même motif (un atome de Si ou Ge), alors que dans le cas de la structure zinc-blende les
deux réseaux ont un motif différent (Figure 1). Dans les deux cas la maille conventionnelle est
constituée par 4 paires d’atomes (Si-Si) pour le silicium ou (Ga-As) pour l’arséniure de
gallium par exemple. La structure de type diamant possède une symétrie d’inversion, alors
que la structure zinc-blende n’en possède pas. L’absence de symétrie d’inversion est très
importante pour les applications optoélectroniques. Dans les deux cas les liaisons atomiques
sont tétraédriques covalentes de types : Si-Si ou Ga-As.

Figure : la structure diamant

III. Propriétés physiques du semi-conducteur

Un semi-conducteur est caractérisé par trois bandes d’énergies. Une bande d’énergie
inférieure pleine à T=0K qui contient les électrons de valence et elle est appelée bande de
valence.
Une bande supérieure vide d’électrons à T=0K appelée bande de conduction. Ces deux
bandes sont séparées par une bande d’énergie appelée bande interdite. La largeur de cette
bande appelée énergie de gap (Eg) est égale à la différence entre le minimum de la BC et le
maximum de la BV. Cette énergie constitue une barrière d’énergie dont l’ordre de grandeur
est 1 électro-volt. On distingue 2 types de semi-conducteurs.

1. Semi-conducteur à gap direct

8
C’est un matériau dont l’énergie maximale de la bande de valence Ev coïncide avec l’énergie
minimale de la bande de conduction Ec sont situées au même point k. c’est le cas des semi-
conducteurs composés GaAs, InP, PbS par exemple. Sous l’effet de la température, un
électron de la bande de valence peut transiter vers la bande de conduction en absorbant un
photon d’énergie. En passant à la BC, l’électron libre laisse un trou dans la bande de valence.
L’électron et le trou libres vont tous les deu
x participer à la conductivité.

2. Semi-conducteur à gap indirect

Ce sont les semi-conducteurs pour lesquels le maximum d’énergie de la bande de valence Ev

ne coïncide pas avec le minimum d’énergie Ec de la bande de conduction. C’est le cas par
exemple de Si, Ge. Dans ce cas le processus d’absorption se fait par l’intermédiaire d’un
phonon d’énergie et d’un photon d’énergie :

IV. Equation de mouvement d’un électron dans une bande d’énergie

Dans les semi-conducteurs, la conductivité se fait par deux types de porteurs de charge :
conductivité par électrons et conductivité par trous. Le départ de l’électron de la bande de
valence (BV) vers la bande de conduction (BC) laissera un trou ou lacune de charge positive
(+e).
L’absence des électrons va permettre un mécanisme de conduction au niveau de la bande
valence. Un électron de cette bande va se déplacer vers un emplacement libéré par un électron
voisin qui est partie vers la BC. Cet électron de la bande de valence venant occuper le trou a
lui-même laissé derrière lui un trou en faisant disparaitre la première et ainsi de suite. On peut
noter que les électrons et les trous se déplacent dans le sens inverse. En effet, sous l’action
d’un champ électrique extérieur, les électrons vont se déplacer dans le sens inverse du champ
alors que les trous vont se déplacer dans le même sens. Ce double déplacement des porteurs
des charges (électrons et trous) contribue au courant électrique dans un semi-conducteur.

Considérons un paquet d’onde soumis à un champ électrique E . La vitesse de groupe est

définie par :
d 1 d 
vg  
dk dk
d 9
d   eEvg dt or d   dk
dk
 L’électron effectue le travail suivant :
dk
eE  F
par conséquent : dt
C’est la force extérieure qui s’exerce sur l’électron :
Dans le cas où l’électron est soumis à un champ magnétique constant B, l’équation de
mouvement s’écrit :
dk 1
Ce qui implique :
 ev g  B avec v g  k 
k e
d dt
 k   B
dt
V. Notion de trous
Les trous sont des états vacants de la bande presque
pleine de valence. Ils réagissent à un champ
électrique ou magnétique comme un électron mais
avec une charge électrique +e.
Le vecteur d’onde total du système reste inchangé
lors de l’absorption d’un photon et de la création
d’une paire électron – trou libres.
Ce qui peut s’écrire : kt +ke = 0
xl’électron manquant

Les vitesses sont égales : vt = ve

L’équation de mouvemant d’un trou dans la bande
de valence s’écrit :
⃗
⃗ ⃗

VI. Masse effective des porteurs de charge

L’énergie d’un électron libre est donnée par :
L’inverse de la masse détermine la courbure de la bande d’énergie associée. Cette masse est
donnée par :
1 1  2
 2 2
Un électron dans l’état kx possède
m la vitesse
k de groupe donnée par :

d 1 d 
Si on suppose que cet électron est
vg   soumis à une force extérieure F, il
dk dk
subit une accélération :

( )
et
si on pose : et
*
m est la masse effective du porteur de charge dans le champ cristallin.
Cette masse peut être positive ou négative, sa valeur absolue est une
fraction de la masse de l’électron libre.
Exemple : masse effective dans un semi-conducteur à gap direct :

10
 Un électron dans la bande de conduction a une énergie Ec :

m* est la masse effective de l’électron. Pour le GaAs m*=0.07m avec m la masse de l’électron
dans le vide.
Un électron dans la bande de valence a une masse effective négative (courbure vers le bas) et
un trou dans la BV a une masse effective positive.

VII. Concentration en porteurs de charges intrinséques

La distribution de Fermi-Dirac des électrons est donnée par : 1
Aux basses températures : f ( ) 
1  e  (   )
Ceci représente la probabilié d’occupation d’un état dans la bande de conduction :

Si on prend comme origine des énergies, le maximum de la bande de valence (Ev=0), la

densité d’états d’énergie s’écrit :

( ) ( )
Puisque Ev=0 Eg=Ec
Par conséquent la concentration des électrons de conduction n est
donnée par : 

1  2m 
n 
3/ 2  D   f   d 
 e e 1
n  2  2 e  e kTEg     f e   Eg  2 e  d 
2   surEgtoutes les énergies de la BC :
Ce qui donne après intégration

Soit en posant : ( ) ce qui donne :

De la meme manière, le nombre de trous dans la bande de valence peut etre déterminé en
suivant la meme démarche que précédement.
La distribution de Fermi-Dirac des trous est donnée par :

Aux basses températures :

La densité d’états pour les trous d’énergie E est donnée par :

( )
Et puisque Ev=0 Eg=Ec, le nombre de trous dans la bande de valence est :
∫

( ) ( )
Soit après integration :
En multipliant membre à membre les expressions de n et de p nous obtenons la relation
suivante donnant la densité des porteurs intrinsèques ni:

11
 ( )
Cette relation est générale et reste valable en présence d’impuretés. A noter que cette relation
ne dépend pas du niveau de Fermi. Une introduction d’une quantité d’impuretés fait
augmenter le nombre d’électrons n et ceci a pour effet d’augmenter le nombre de trous p. Pour
un semi-conducteur intrinséque le nombre de trou est égal au nombre d’électrons.

Avec : ( ) Et ( )
: La densité effective d’états des électrons dans la bande de conduction.
: La densité effective d’états des trous dans la bande de valence.
( )
Nous obtenant : ( )

Position du niveau de Fermi intrinsèque il se situe approximativement au milieu

de la bande interdite à température 0K.

Figure: position du niveau de Fermi intrinsèque

VIII. Mobilité et conductivité électrique

1. Mobilité et conductivité des porteurs de charge

La mobilité est par définition la mesure de la vitesse d’entrainement par unité de champ
électrique. Elle est donnée par la relation suivante :
| |

La mobilité des électrons et des trous est toujours positive même si leurs vitesses sont
opposées. Pour un semi-conducteur intrinsèque, la mobilité est déterminée par les collisions
entre les électrons et les phonons. La conductivité électrique est la somme de deux termes
correspondant à la contribution des électrons et des trous.
)

12
 2. Conductivité dûe aux impuretés :

Ce sont des semi-conducteurs extrinséques. Lorsque le nombre d’impuretés est grand on dit
que ce sont des semi–conducteurs dégénérés. Dans ce cas
n  107 e / cm3
3. Impuretés donneurs

Lorsqu’un atome (impureté) se met par substitution d’un atome du réseau avec une valence
supérieure, le semi-conducteur est de type N.
Exemple 1: substitution d’un atome de Si (valence 4é) par un atome As (valence 5é). La
charge négative excédentaire provenant de l’As va être injecté dans la bande de conduction.
Cette impureté est donneur.à la place d’un Si qui en a 4é

Exemple 2: GaAS (valence 3é – 5é) avec comme impureté Si (valence 4é) qui se substutuer
avec le Ga (valence 3é).
Le cristal ne contient pas d’électron excédentaire (pas de conduction). L’introduction
d’impuretés bien choisis va créer des électrons excédentaires.
Ces impuretés peuvent facilement s’ioniser ce qui va injecter
des électrons dans la bande de conduction. Ces impuretés sont
des donneurs et le semiconducteur est de type N. les énergies
correspndantes à ces impuretés sont situées juste en bas de la
bande de conduction

4. Impuretés accepteurs

Reprenant l’exemple 2 du GaAs et prenant comme impureté

un atome de valence 2 comme le Zn (valence 2é) qui se met à la place d’un atome de Ga
(valence 3é). Dans ce cas apparait un trou qui peut piéger un électron de la bande de valence
c'est-à-dire de la liaison afin de compléter les liaisons tétraédriques. Ces impuretés sont
appelés accepteurs et les niveaux d’énergie correspondants se situent juste au dessus de la
bande de valence.

13
 IX. Equation de la neutralité électrique
Dans un semi-conducteur homogène la somme de toutes les charges est nulle ce qui signifie
que la somme des nombre d’électrons et de charges négatives des ions fixes est égale à la
somme des nombres de trous et de chrages positives des ions fixes.
n+NA=p+ND
dans cette égalité nous avons supposé que tous les donneurs et tous les accepteurs sont ionisés
, ce qui est satisfait losque la température est suffisamment élevée
(Ed<<kT).
Dans un cas général il faut tenir compte du fait que le nombre de dopant ionisés est fonction
de la température. Nous pouvons alors re-écrire l’équation d’électro-neutralité en tenant
compte de toutes les charges en présence :

   E g 
n  NC e et p  Nve 
et

14
Chapitre 3 : PROPRIETES MAGNETIQUES DES MATERIAUX

I. INTRODUCTION

Les matériaux magnétiques sont ceux sensibles à un champ magnétique

extérieur. Ils sont composés de particules possédant un moment magnétique. Il est
important de rappeler que ce sont les interactions entre les atomes dans l’état cristallin
qui déterminent les propriétés principales du cristal : Les interactions des électrons
avec les ions (champ cristallin) donnent naissance à la structure des bandes d’énergie.
Les interactions entre les ions déterminent les propriétés vibrationnelles du réseau
cristallin. Les interactions entre électrons expliquent les propriétés magnétiques du
matériau.
Les propriétés magnétiques des
matériaux proviennent des courants électriques
existant à l'échelle atomique. Ces courants tirent
principalement leur origine de deux
phénomènes :
 le mouvement des électrons autour de
leur noyau, appelé mouvement orbital
 le spin porté par chaque électron qui est un moment cinétique propre de
l’électron que l’on associe incorrectement avec son mouvement de rotation
autour de soi -même. C’est une propriété purement quantique et qui n’a pas
d’équivalence en mécanique classique.
Puisque les électrons sont des particules chargées; tout mouvement, qu'il soit de
rotation ou de spin, peut être assimilé à une boucle de courant élémentaire qui donne
naissance à un champ magnétique.
On définit le vecteur moment magnétique d’une boucle de courant: (unité :
A.m2). S est la surface définie par la spire.
Chaque électron d’un atome possède une propriété analogue à celle qui serait
induite par sa rotation autour du noyau (le moment angulaire orbital) ou à sa rotation
sur lui-même (le spin ou moment angulaire intrinsèque). A chaque moment angulaire
15
est associé un moment magnétique. Le noyau présente également un moment
magnétique si son spin nucléaire est non nul mais qui est mille fois plus faible que les
précédents.
Chaque électron d’un atome possède une propriété analogue à celle qui serait
induite par sa rotation autour du noyau (le moment angulaire orbital) ou à sa rotation
sur lui-même (le spin ou moment angulaire intrinsèque). A chaque moment angulaire
est associé un moment magnétique. Le noyau présente également un moment
magnétique si son spin nucléaire est non nul mais qui est mille fois plus faible que les
précédents.

Moment magnétique orbital  l d’un électron

Un électron est généralement en mouvement dans la matière. Au mouvement
orbital est associé un courant électrique. Plus précisément, si l’on considère que
l’électron est réparti sur un nuage de densité locale  r  2 ; c’est ce nuage qui en
 
tournant produit une densité de courant j r  . Ce courant est source de champ
 
magnétique. Ce courant j (est donc également son moment  associé) peut exister
dans l’atome préalablement à l’application d’un champ magnétique extérieur. Il peut
aussi être induit par application d’un tel champ.
Soit un électron de masse me en mouvement autour du noyau sur une orbite
sous l’action de la force centrale de Coulomb. Puisque la force est centrale, le moment
cinétique L est constant et on a par définition:
L’électron tournant sur son orbite est l’équivalent à une boucle de courant de moment
magnétique :
l  (courant )  (Surface)
L
l  r 2 I
Où I  e v 2r est le courant dans la boucle,
puisque v / 2r est le nombre de rotation par
seconde. Il en résulte que  l est proportionnel à L :
q
ev e rvm e
l  r 2
  L
2 r 2m 2m

16
Ce résultat reste vrai en théorie quantique : à tout mouvement orbital de
moment cinétique L d’une particule chargée est associé un moment magnétique l.

Remarques :
 Si la charge est positive,  l et L sont parallèles ; par contre pour des électrons,
 l et L sont antiparallèles.

 Pour des électrons, on définit le magnéton de Bohr:

qh
B   0.927.1023 A.m 2
2m
qui est l’unité commode de mesure des moments magnétiques atomiques, de sorte que
l   B l .

 Les protons interviennent également dans le magnétisme orbital, par leur

mouvement dans le noyau. Cependant, la valeur du magnéton de Bohr
nucléaire, qui fait intervenir la masse du nucléon, est environ deux mille fois
plus faible que celle du magnéton de Bohr électronique.
Moment magnétique de spin  s d’un électron
L’électron possède également un moment cinétique intrinsèque S, appeler spin.

A ce moment cinétique est également associé le moment magnétique de spin  s , qui
lui est proportionnel, le coefficient de proportionnalité étant  2 B au lieu de   B .
(g=2)

Quand on effectue une mesure de la composante s z de s , on obtient pour un

électron les valeurs expérimentales s z  1 2 ou s z  1 2 . Le moment magnétique de
spin de l’électron ne peut donc avoir que les composantes   B et   B le long de l’axe
Oz.

Moment magnétique total  J d’un électron

17
 Un électron en mouvement orbital autour d’un noyau possède un moment
cinétique orbital l et un moment cinétique de spin s , donc un moment cinétique total :
J ls
A ce moment cinétique total est associé un moment magnétique  J . On peut
montrer que tout se passe comme si les vecteurs  J et J étaient proportionnels. On a
coutume d’écrire:
 J   g B J
Où g , appelé facteur de Landé, est égal à 1 pour un mouvement orbital, et 2 lorsque
l  0 . Plus généralement, on montre que :
J J  1  ss  1  l l  1
g  1
2 J J  1

Ce qui permet de déterminer  J lorsque J est connu. Ces résultats restent valables
pour un système d’électrons dont le moment cinétique total est et le moment
magnétique est  J .

Précession de Larmor
Le fait que tout moment magnétique  J soit associé à un moment cinétique J a
une conséquence très importante. Supposons qu’un champ magnétique dont

l’induction est B , est appliqué à un système de moment magnétique  J (figure 2), qui
 
est ainsi soumis à un couple de moment  J  B . La dérivée par rapport au temps du

moment cinétique J est égale au moment du couple qui lui est appliqué (Théorème
du moment cinétique) : B
 
d
J   J  B
dt
En raison de la proportionnalité entre  J et J , cette C
équation peut s’écrire :
A
d J q  
 g J  B
dt 2m

18
O
   
Le petit accroissement d J pendant l’intervalle de temps dt , orthogonal à  J et B , est
orienté comme l’indique la figure 2. L’extrémité

A du vecteur  J décrit donc le cercle C avec la Figure 2 : Précession d’un moment
vitesse magnétique plongé dans le champ

q
angulaire :   g B
2m

Quand on applique une induction magnétique B à un dipôle magnétique isolé,

celui-ci précesse donc autour de l’axe B (modification de la direction de l'axe de
rotation), avec une vitesse angulaire. Cette précession de Larmor a de nombreuses
conséquences :
 La possibilité de faire précesser un moment magnétique en lui appliquant un

champ dipôle B est mise à profit dans de nombreux systèmes : résonance

magnétique, dispositif de mesure de  J par exemple.
 
 Au cours de la précession, la composante de  J le long de B .

Aimantation et susceptibilité
L’aimantation M est, par définition, le moment magnétique par unité de
volume. La susceptibilité magnétique par unité de volume est définie par :
M M
  0
H B
Où B est l’induction magnétique (Tesla), H est le champ magnétique ( Am 1 ) et  0 est
perméabilité du vide.
 
B  .H avec  : perméabilité magnétique du matériau
 
On définit le vecteur aimantation acquise par la matière : M   .H avec  :
susceptibilité magnétique du matériau. (  est sans dimension).
D’où : B   0 H  M    0 1   H   0  r H où  0 est la perméabilité du vide.
    

On pose aussi :  r  1    avec  r : perméabilité relative du matériau.

II. CLASSIFICATION DES EFFETS MAGNETIQUES

19
 Les matériaux magnétiques sont classés en trois catégories.
1. Matériaux diamagnétiques : Ils s'aimantent faiblement dans le sens opposé
au champ magnétisant. Leur aimantation cesse dès que le champ
magnétisant est supprimé. Ce sont des matériaux pour lesquels  est négatif
mais toujours extrêmement faible de l'ordre de 10- 6.
2. Matériaux paramagnétiques : Ils s'aimantent faiblement dans le sens du
champ magnétisant. Leur aimantation cesse dès que le champ magnétisant
est supprimé. Ce sont des matériaux pour lesquels  est positif mais toujours
très faible de l'ordre de 10- 3.
3. Matériaux ferromagnétiques et ferrimagnétisme :
Ils peuvent être fortement magnétisés. Leur aimantation persiste plus ou moins lorsque le
champ magnétisant est supprimé. Ce sont des matériaux pour lesquels la susceptibilité
magnétique  est positive et très grande : elle peut atteindre 105 En électrotechnique seuls
ces matériaux sont importants car ils sont les seuls à produire des augmentations du champ
magnétique.

II. 1 Diamagnétisme
Le diamagnétisme est l'un des comportements de la matière lorsqu'elle est soumise à un
champ magnétique. Lorsque les moments magnétiques des électrons liés dans une orbitale se
compensent, la substance est dite diamagnétique. Le diamagnétisme caractérise en général des
substances qui ne comportent que des atomes non magnétiques. Le diamagnétisme est la
tendance des charges électriques à former écran entre l’intérieur d’un corps et le champ
magnétique appliqué.
Soient Z électrons qui gravitent autour du noyau. Sous l’action d’un champ magnétique, ces
eB
électrons précessent autour de ce noyau avec une vitesse angulaire de cyclotron :  
2m
(g=1 pour le moment orbital). Cette précession de Larmor autour d’un noyau à Z électron est
équivalente à un courant électrique :
I  (charge) (nombre de tours par unité de temps)

    1 eB  Ze 2 B
I   Ze     Ze  .   
 2   2 2m  4m
Le moment magnétique  d’une boucle de courant de rayon  est donné par le produit

du courant par l’aire de la boucle. L’aire d’une boucle est  2 . Nous avons donc:

Ze 2 B 2
 
4m

20
Avec :  2  x 2  y 2 est le carré moyen de la distance de l’électron à l’axe du

champ passant par le noyau. Or, le carré moyen de la distance des électrons au noyau
est :

r 2  x2  y 2  z 2

3 2
Pour une distribution de charge sphérique : x2  y 2  z 2 d’où : r 2   . Et
2

Ze2 B 2
par suite    r .
6m
Si le solide contient N atomes par unité de volume, l’aimantation M  N  et la
 N
susceptibilité diamagnétique par unité de volume est :   0 . Donc :
B
0 NZe2
  r 2 (Ceci est le résultat classique de Langevin).
6m

Le problème de calcul dans le cas d’un atome isolé se réduit au calcul de r 2 pour la

distribution des électrons dans l’atome. Elle peut être calculée par la M. Q.

Remarques :
 La susceptibilité magnétique des substances diamagnétiques est négative
(toujours extrêmement faible de l'ordre de  10 6 ).
 L’intensité de l’aimantation induite est dans la direction opposée au champ
inducteur.
 Les lignes de champ H ne pénètrent pas un matériau diamagnétique parfait et la
perméabilité est donc nulle.
 Le diamagnétisme est un phénomène qui se manifeste dans tous les matériaux
parce que son origine provient de la déformation des orbites électroniques des
21
 atomes sous l’action du champ extérieur. Seulement il peut être masqué par
d’autres effets plus important comme le paramagnétisme et le ferromagnétisme.
Ce phénomène est réversible. Citons comme exemples de diamagnétiques : le
quartz et le sel.

II. 2 Paramagnétisme
Par définition, tous les matériaux qui ne sont pas diamagnétiques sont
paramagnétiques. Lorsqu’une couche électronique n’est pas remplie, on a en plus du
diamagnétisme une contribution paramagnétique. Ce paramagnétisme électronique se
rencontre par exemple dans les métaux.
Une substance paramagnétique est une substance qui contient des porteurs de
moments magnétiques non inter- agissantes entre elles. L’agitation thermique a un
effet de désordre sur ces moments. On aura des orientations aléatoires de telle sorte
que l’aimantation globale en l’absence du champ B est nulle.

II. 2. 1 Théorie classique du paramagnétisme

Considérons un milieu contenant N atomes par unité de volume portant chacun

un moment magnétique  . L’aimantation est la conséquence de l’orientation des
moments magnétiques dans un champ appliqué. L’agitation thermique tend à
s’opposer à cette tendance du champ à orienter les moments.
L’énergie d’interaction dans un champ magnétique :
 
U   .B
L’aimantation est donnée par:
M  NLx 

B
avec Lx   coth x 
1
; M  N  coth x  
1
(éq. de Langevin) où x 
x KT  x

N  2B  C 
L x  
x
Pour x  1 M     B (Loi de Curie)
3 3KT T 
C est la constante de Curie. Le paramagnétisme peut s’interpréter de façon
relativement simple pour les corps obéissant à la loi de Curie.

22
Remarque : Tous les corps ne suivent pas cette loi ; il faut tenir compte des effets
quantiques.

II. 2. 2 Théorie quantique du paramagnétisme

Du point de vue quantique et dans un champ magnétique, le moment
  
magnétique est quantifié. at  l   s où l est le moment magnétique orbital et s
est le moment magnétique de spin.
q 
Pour une charge q le moment magnétique orbital  L  L et le moment
2m
q 
magnétique de spin est donné par  S  g S
2m
e  e 
l s
 e e
Et le moment magnétique atomique :  at  i  i  L S
2m m 2m m


2m

e 
L  2S 
2m

 eg  g B 
J

J avec   gJ B


J : est le moment cinétique total
e
 B : magnéton de Bohr est défini par  B  .
2m
g : facteur de décomposition spectrale ou facteur de Landé est égal à 2 pour un
électron, et égal à 5.58 pour le proton. Plus généralement, on montre que :
J J  1  s s  1  l l  1
g  1
2 J J  1
 
L’énergie U est donnée par : U   .B . Le champ magnétique est souvent choisi
selon l’axe OZ.
g B
U  J Z B   g B m J B , avec mJ   J , J  1,...,J .


23
L’aimantation est définie par M  N  z où N est le nombre d’atome du solide par
J

 z exp  w
 g B JBJ  x  avec x  g B JB et BJ x 
mJ J
unité de volume;  z  J

 exp  w
kT

mJ J

 
est la fonction de Brillouin définie par : B J x    2 J  1 coth 2 J  1 x   1 coth x  
 2J  2J  2J  2J  

II. 2. 3 Paramagnétisme de Pauli (dans les métaux)

Pour ces solides les électrons ne sont pas localisés sur les ions comme dans le
cas précédent. De plus il faut tenir compte du principe de Pauli. L’analyse est très
simple à condition d’ignorer la réponse du moment magnétique orbital au champ
magnétique.
Supposons que nous avons N  spin qui pointent vers le haut et N  spin qui pointent
vers le bas. L’aimantation totale : M   B N   N   .
Chaque niveau d’énergie est déplacé de   B B selon qu’on a le spin // ou anti //. Donc

la densité des états est g   : g     g    B B 

1
2
F F

 df (  )g   B   0 df (  )g    Bg  F 

1 1 1
N 
2 2 2
 B B

et M   B N   N     B Bg(  F )
1
f ( )      
2
e 1

En utilisant le fait que g   

3N 3N
 (voir cours physique statistique), on trouve :
2kTF 2 F

 3N B2 
M  B
 2kTF 
 

Ce résultat donne la susceptibilité de spin de Pauli des électrons de conduction.

Dans ce calcul de la susceptibilité paramagnétique, nous avons supposé que le
mouvement des électrons n’est pas affecté par le champ magnétique. Par contre, les
fonctions d’onde sont modifiées par le champ magnétique. Landau a montré que pour

24
 1
des électrons libres ceci créait un moment diamagnétique égal à du moment
3
N B2
paramagnétique. L’aimantation totale du gaz d’électron libre est donc : M  B.
kTF

Susceptibilité paramagnétique des électrons de conduction ou paramagnétisme de Pauli

C’est ce paramagnétisme qu’on rencontre dans les métaux. Les électrons ne sont
pas localisés comme dans le cas des ions, mais une probabilité presque constante de
trouver ces électrons dans tout le cristal. A condition de tenir compte du principe de
Pauli selon lequel un état ne peut contenir que des spin : un up et un down.
On peut penser que ces électrons apportent une contribution paramagnétique de
type Curie c'est-à-dire :
NJ J  1 B2 g 2 B N B2 B
M 
3kT kT

Expérimentalement, on observe que  est indépendante de T .

Explication qualitative :
Comme ce qu’on avait pour la capacité calorifique des électrons libre (seule une

fraction des électrons qui participe à la conduction ; cette fraction est de T électrons.
TF

De la même façon, on dira que seulement les électrons qui sont à kT du sommet de la
distribution de Fermi Dirac qui peuvent être orienté par le champ. Donc, une fraction

de T du nombre total d’électrons qui contribuent à la susceptibilité

TF

N B2 B T N B2 B
M 
kT TF kTF

Dans ce calcul de la susceptibilité paramagnétique, on suppose que le mouvement des

électrons n’est pas affecté par le champ magnétique. Par contre, les fonctions d’onde
sont modifiées. Landau a montré que pour des électrons libres ceci créait un moment
1
diamagnétique   du moment paramagnétique. L’aimantation totale du gaz
3
N B2
d’électron libre est donc : M  B.
kTF

25
II. 3 Ferromagnétisme
II. 3. 1 Introduction
Un corps ferromagnétique a un moment magnétique spontané, c'est-à-dire un
moment magnétique même en l’absence de champ magnétique appliqué. Un moment
spontané suggère que les spins électroniques et les moments magnétiques sont
arrangés de façon régulière. L’ordre n’est pas forcément simple : tous les arrangements
représentés sur la figure suivante, sauf l’antiferromagnétique simple ont un moment
spontané, appelé généralement moment de saturation

Ferromagnétisme Antiferromagnétisme Ferrimagnétisme

Antiferromagnétisme Réseau hélicoïdal de spins

incliné

Soit une substance paramagnétique de N ions de spin S . Aimantation spontanée

implique l’existence d’une interaction externe qui tend à aligner les spins. Une telle
interaction est appelée champ magnétique d’échange ou champ moléculaire ou
encore champ de Weiss. Ce champ d’échange peut être considéré comme l’équivalent
d’un champ magnétique BE proportionnel à l’aimantation M . Dans l’approximation
du champ moyen, on suppose que chaque atome est soumis à un champ d’aimantation
M telle que : BE  M , où  est une constante, indépendante de la température.

D’après cette dernière relation, chaque spin subit l’aimantation moyenne due à tous les
autres spins.
Si TC est la température de Curie = température au dessus de laquelle le
ferromagnétisme disparaît phase paramagnétique désordre.
Si T  TC : phase paramagnétique (désordonnée).
Si T  TC : phase ferromagnétique (ordonnée).
Si T>TC.

26
 Si on applique en plus un champ magnétique Ba , le matériau s’aimante. Cette
p
aimantation est donnée par : M  B a  B E 
0

 0 M   p B a  B E   Ba   0 M  (p susceptibilité paramagnétique)

C
T
T  0 M   CBa  C  0 M 

 0 M T  C   CBa
0 M C C
   avec TC  C ; TC est la température de Curie.
Ba T  C  T  TC
C 1 
On montre aussi que pour T  TC ,    
2  TC  T 

Asymétrie car C et C/2

T
Ceci par la théorie du champ moyen qui prédit que :   C T  TC  avec  est
l’exposant critique qui vaut +1 pour une transition ferromagnétique.   1 est une valeur
théorique ; mais l’expérience montre divergence par rapport à ceci. Par exemple pour
le fer   1,33 c'est-à-dire que le champ d’échange dans le fer est plus important.

II. 3. 2 Interactions magnétiques

a) Interactions dipolaires magnétiques :
 
 i  j
Entre deux moments i et j : U ij  0
4 rij3

Le ferromagnétisme se manifeste pour des températures bien élevées  300K  . Ce

n’est pas donc le couplage dipolaire qui est responsable du ferromagnétisme.

b) Interactions d’échange quantique :

27
 Dans certaines hypothèse, on peut montrer que l’énergie d’interaction entre les
 
atomes i et j de spins S i et S j est de la forme : U ij  2 J ij Si S j (modèle de

Heisenberg ; on néglige la contribution des moments cinétiques orbitaux). J est

l’intégrale d’échange. J  0 pour une substance ferromagnétique alors que J  0 pour
une substance antiferromagnétique.
U ij est une fonction de rij ; elle décroît très rapidement avec rij et n’opère qu’à courte

distance. On ne tiendra donc compte que de l’interaction avec les premiers voisins.
La contribution orbitale étant négligeable, le moment magnétique est égale à
 
   g B S ; si on applique un champ magnétique, on aura une réponse paramagnétique

en plus des termes d’échange. L’énergie totale est :

 
z   
U ij    .B  j 1
 2 J 0 j S 0 S j c’est l’énergie d’un moment magnétique  qui a

z premiers voisins. Dans le cas d’un cristal cubique simple avec un seul type d’atomes
magnétique et z premiers voisins :
 
z    
z  
U ij    .B  
j 1
 2 JS 0 S j   0  .H    2 JS
j 1
0S j .

II. 3. 3 Approximation du champ moléculaire de Weiss


Puisque S j est soumis à des fluctuations temporelles et spatiales, il faut donc

prendre la moyenne S j sur les z premiers voisins. On aura donc :

 
z  
U ij    0  .H  
j 1
 2 JS 0 S j

On fait une approximation et on prend la moyenne de S j sur tout le cristal :


   M
M   Ng B S S 
Ng B
 
     M   
et U   0  .H  2 J z 
  g 


 car    B gS 0
 B  Ng  B 

   2J z  
U   0  .H    M
  g 2 N 2 
 0 B 

28
   2J z 
U  0   H  M 
  2
 2 
 0 g N B 
 


Donc U  0  H  M 
Ainsi, on définit le champ moléculaire par :
  2J z
H mol  M où   (coefficient de champ moléculaire).
0 Ng 2  B2

Tout se passe comme si le moment magnétique  est soumis en permanence (même en
 
absence du champ appliqué) à un champ moléculaire H mol  M qui provient de

l’interaction d’échange quantique. Son intensité peut atteindre 10 7 Gauss.

II. 3. 4 Loi de Curie-Weiss

  
Nous avons vu que le champ quantique sur  est : H  M .
Plaçons-nous dans la phase paramagnétique :
  gS B
M  Ng B SBS  0 H  M 
 kT 
  0 : Ferromagnétisme (car S  0 )
S  1 0 S B
A haute température : M  Ng B S . g H  M 
3S kT

M 
C
 H  M  ,
T 1/
2J z S S  1
 et C  Ng 2  B2  0
0 Ng  B
2 2
3kT

 C  C
M 1   H
 T  T
Ferro. para.
C
M  H
T  C TC T

M C C
On en déduit la loi de Curie-Weiss :    avec
H T  C  T  Tc

2 J z S S  1
Tc  C  .
3K

29
 La température du Curie Tc est la température au-dessus de laquelle
l’aimantation spontanée disparaît; elle sépare la phase paramagnétique désordonnée
pour T  Tc de la phase ferromagnétique ordonnée pour T  Tc . C'est-à-dire, au-delà
d'une certaine température critique ( Tc ), les ferromagnétiques perdent leurs propriétés
magnétiques caractéristiques et se comportent comme des paramagnétiques. Ceci peut
s'expliquer par le fait que lorsqu'on augmente la température on augmente aussi
l'agitation thermique des atomes : ils deviennent plus mobiles et moins stables. Ainsi,
dans les corps ferromagnétiques, les fluctuations des moments magnétiques atomiques
sont telles, au-delà de la température de Curie, que le corps perd toute organisation
magnétique et devient aussi désordonné qu'un matériau paramagnétique.
On voit que  devient infini à T  Tc .
II. 3. 5 Influence de la température sur l’aimantation de saturation
Nous pouvons également utiliser la théorie de Weiss au dessous de la
température de Curie pour trouver l’aimantation en fonction de la température. Nous
procédons comme suit :
Nous utiliserons l’expression complète de l’aimantation au lieu de la loi de
1
Curie. Pour un spin , nous avons :
2

 B
M  N B th B 
 kT 
Si nous omettons le champ magnétique appliqué B par le champ moléculaire
  M 
BE  M , l’expression devient : M  N B th B 
 kT 
Cette équation admet des solutions M différentes de zéro dans le domaine de
température comprise entre 0 et Tc .
Pour résoudre cette équation, nous l’écrivons en terme d’aimantation réduite
M k T
m et de température réduite t  B 2 .
N B N B 

m
D’où : m  th 
 t 

30
 Nous représentons graphiquement les deux membres de cette équation en
fonction de m .
Le membre gauche de l’équation est représenté comme une droite m de pente
unité.

m
Le membre de droite est th  ; il est représenté en fonction de m pour trois
 t 
k BT T
valeurs de la température réduite t   .
N B  TC
2

La courbe obtenue pour t  2 ne coupe la droite que pour m  0 ce qui est

normal pour la région paramagnétique (il n’y a pas de champ extérieur).
La courbe obtenue pour t  1 (soit T  TC est tangente à la droite m à l’origine.
Cette température marque le début du ferromagnétisme.
La courbe obtenue pour t  0.5 est dans le domaine ferromagnétique et coupe la
droite m pour m  0.94 N . Quand t  0 , l’intersection se déplace vers m  1, c'est-à-
dire que tous les moments sont alignés au zéro absolue.
Quand T augmente, l’aimantation décroît doucement jusqu’à zéro pour T  TC .
Ce comportement classe la transition ferro. – para. Comme un changement de phase
du second ordre.

a/ Domaines magnétiques
Les matériaux ferromagnétiques sont divisé en petits domaines magnétiques
appelés domaines de Weiss dans lesquels les moments sont tous //. Chaque domaine
possède une aimantation spontanée.
Domaine de Parois de Bloch
Weiss

Aspect de la répartition des domaines dans un cristal

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Les domaines sont tels que, en l’absence du champ magnétique, les aimantations
spontanées dans les différents domaines se compensent presque parfaitement. C'est la
condition rendant l'énergie magnétique minimale qui est responsable de la
décomposition du cristal en domaines dont l'orientation des moments est liée aux
directions de facile aimantation. Ces domaines sont séparés par des parois appelées
parois de Bloch.
b/ Cycle d'hystérésis
La courbe de première aimantation et le cycle d'hystérésis sont deux propriétés
importantes des substances ferromagnétiques. En effet, la plupart des applications
technologiques sont basées sur l'existence de ce cycle. Par définition, le cycle
d'hystérésis d'un matériau magnétique est le tracé de l'induction en fonction du champ
H extérieur appliqué :
B   0 H  M   H
Souvent on se contente de représenter M en fonction de H .
On considère un matériau ferri. - ou ferromagnétique non aimanté au départ (position
*. Au fur et à mesure que l'intensité du champ magnétique extérieur H augmente,
l'aimantation M du matériau augmente puis finit par atteindre la saturation (position
*. La courbe entre les points a et b s'appelle "courbe de première aimantation".
Ensuite, si l'on diminue l'intensité du champ magnétique extérieur, l'aimantation du
matériau diminue elle aussi, mais ne suit pas la courbe b - a : il n'y a pas réversibilité.

Cycle d'hystérésis d'un matériau aimanté

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Lorsque l'intensité du champ appliqué est nulle (position c), le matériau conserve tout
de même une certaine aimantation : son aimantation rémanente M r , c'est le paramètre
qui caractérise l'aptitude du matériau à stocker une information magnétique : si cette
aimantation rémanente était nulle, cela signifierait que le matériau se comporte de la
même manière que l'on ait appliqué un champ ou non, c'est à dire que ce matériau n'a
aucune capacité de mémoire et ne peut donc servir pour l'enregistrement magnétique.
Si on applique maintenant un champ magnétique de sens opposé et d'intensité de plus
en plus grande, on arrive (au point d) à ce que le matériau soit complètement
désaimanté. Le champ H c qu'il aura fallu appliquer pour faire perdre son information
magnétique au matériau est appelé champ coercitif. Une grande valeur de champ
coercitif caractérise un matériau apte à conserver l'information malgré des champs
magnétiques extérieurs perturbateurs toujours présents (champ magnétique terrestre,
proximité d'un autre matériau aimanté, etc...). Ce paramètre est, tout comme le
moment rémanent, d'une grande importance pour l'enregistrement magnétique. On dit
d'un matériau ayant un fort champ coercitif qu'il est magnétiquement "dur". A l'inverse
un matériau ayant un champ coercitif faible est dit magnétiquement "doux".
Si on continue à augmenter l'intensité du champ, le matériau va finir par être
totalement aimanté, ses moments élémentaires étant tous alignés avec le champ
(position e). On a un état semblable à l'état en b mais les moments sont orientés en
sens contraire car c'est un champ de sens contraire qui les a orientés.
Si on diminue l'intensité du champ, le matériau se désaimante peu à peu mais on ne
revient pas sur nos pas : à nouveau non - réversibilité. Lorsqu'on applique un champ
d'intensité égale à H c mais opposé à l'aimantation acquise par le matériau on arrive à
désaimanter totalement le matériau (position f). En continuant d'augmenter l'intensité
du champ appliqué on réoriente les moments magnétiques du matériau et on arrive
progressivement en b.
Le cycle ainsi parcouru par l'aimantation du matériau en fonction du champ
magnétique extérieur appliqué se nomme cycle d'hystérésis.

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