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Dispositifs optoélectroniques

Programme

• Chapitre 1. Interaction lumière-semi-conducteur


• Propriétés de la lumière
• flux lumineux,
• flux luminance,
• dualité onde-particule de la lumière,
• spectre du rayonnement électromagnétique,
• différents types d’interactions lumière-matière:
photoconducti-vité, photo-ionisation, photoélectron,
photovoltaïque.
• Chapitre 2. Propriétés électronique et optique
des semi-conducteurs
• Structure de bandes des semi-conducteurs,
notions sur les bandes d'énergie,
• processus radiatif et non radiatif dans les semi-
conducteurs,
• phénomène d’absorption de la lumière,
composants d'optoélectronique: capteurs et
détecteurs de lumière.
• Chapitre 3. Emetteurs de lumière Diodes
électroluminescentes: principe,
caractéristiques électriques et spectrale,
différents types de diode LED, diodes laser:
oscillation laser, caractéristiques électriques et
spectrale, différents types de diode laser.
• Chapitre 4. Détecteurs de lumière
• Photorésistance: fonctionnement, technologie, symboles et
codifications, schémas et applications. Photodiode:
fonctionnement, caractéristiques électriques,
caractéristiques optiques, symboles et codifications, circuits
associés.
• Phototransistor: principe, caractéristiques, symboles et
codifications, schémas et applications.
• Cellules photovoltaïques (Photopile, Batterie solaire): effet
photovoltaïque, fabrication des cellules. Afficheurs à
cristaux liquides, Photomultiplicateur, Capteurs d’images.
• Chapitre 5.Fibres optiques Introduction,
optique géométrique, structure de la fibre
optique, types de fibres, atténuation,
dispersion, fonctionnement des fibres
optiques (guidage de l'onde, paramètres,
phénomènes non linéaires), connectiques et
pertes dans les fibres.
• Chapitre 1. Interaction lumière-semi-conducteur
• Propriétés de la lumière
• flux lumineux
• flux luminance
• dualité onde-particule de la lumière
• spectre du rayonnement électromagnétique
• différents types d’interactions lumière-
matière:photoconducti-vité,
• photo-ionisation, photoélectron, photovoltaïque.
Qu’est-ce que la lumière?

La lumière est une forme d’énergie, tout comme l’électricité ou la chaleur. Elle est
composée de minuscules particules que l’on appelle photons et se déplace sous
forme d’onde.

La lumière est en fait générée par les vibrations des électrons dans les atomes. Il
s’agit donc d’un mélange d’ondes électriques et magnétiques : on dit que la lumière
est une onde électromagnétique.
• Dans le vide, la lumière se déplace en ligne droite à une vitesse de
près de 300 000 km/s. À cette vitesse, nous pourrions faire sept fois
et demie le tour de la Terre en une seconde! Ceci est d’ailleurs la
vitesse limite universelle. Rien dans l’Univers ne peut aller plus vite
que la lumière.
a) Vitesse finie
Les scientifiques ont cru longtemps que la
propagation de la lumière était instantanée. Au
17e siècle, on rejeta cette idée et on parvint à
mesurer pour la première fois la célérité ou
vitesse de propagation finie de la lumière.
Dans les autres milieux transparents (eau, verre,
...), la lumière se propage toujours à une vitesse
inférieure à 3,00X 108 m/s.
• Il existe plusieurs formes de lumière. Celle que
nous connaissons est la lumière visible. Il
existe cependant plusieurs autres formes
d’ondes lumineuses : les infrarouges, les
ultraviolets, les rayons X, etc.

• Ce qui différencie ces types de lumière est la


longueur d’onde ou encore la quantité
d’énergie qu’elles transportent.
Spectre électromagnétique
Les longueurs d’onde du spectre visible s’étendent
approximativement de 380 à 720 [nm].
Définition du flux lumineux
Aspect corpusculaire de la lumière
Energie des photon optique
Interaction lumière-matière

• L'interaction entre la lumière et la matière est


la base de la spectroscopie UV-visible : la
lumière apporte l'énergie suffisante pour
exciter les molécules d'intérêt. De précieuses
informations peuvent être déduite à partir des
spectre d'absorption ou d'émission.
Interaction lumière matière
Diffusion, ionisation
• Le rayonnement incident peut interagir de
plusieurs manières avec l'atome :
• il peut être diffusé, c'est-à-dire qu'il « rebondit »
sur l'atome :
• diffusion élastique : le rayonnement "rebondit"
sans perdre d'énergie ; si le rayonnement incident
est électromagnétique (lumière, rayon X) on parle
de diffusion Rayleigh, si c'est un électron, on
parle de rétrodiffusion ;
Interaction lumière matière.
• diffusion inélastique : le rayonnement
"rebondit" avec perte d'énergie (voir
la Diffusion Raman) ; si le rayonnement
provoque l'éjection d'un électron faiblement
lié, il perd donc de l'énergie, c'est la diffusion
Compton ;
Interaction lumière matière.
• il peut être absorbé, en provoquant une
transition électronique :
• si l'énergie incidente est faible, il provoque
simplement le changement d'orbite d'un
électron ;
Interaction lumière matière.
• si l'énergie est suffisante, il provoque une
ionisation ; si le rayonnement incident est
électromagnétique, on parle d'effet
photoélectrique et l'électron éjecté est un
photoélectron ; si le rayonnement incident est
un faisceau d'électrons, les électrons éjectés
sont des électrons secondaires.
Interaction lumière matière.
Effet photovoltaïque
• est un des effets photoélectriques. Il est mis en œuvre dans
les cellules photovoltaïques pour produire de l'électricité à partir du
rayonnement solaire. L’effet photovoltaïque a été découvert par le
physicien français Edmond Becquerel et présenté à l'académie des
sciences en 1839. Il est le produit du choc des photons de la
lumière sur un matériau semi-conducteur qui transmet leur énergie
aux électrons qui génèrent une tension électrique.
• L’effet photovoltaïque est obtenu par absorption des photons dans
un matériau semi-conducteur qui génère alors des paires électrons-
trous (excitation d'un électron de la bande de valence vers la bande
de conduction) créant une tension ou un courant électrique.
Plusieurs types de composants peuvent être créés à partir de ce
principe. Ils sont appelés photodiodes, phototransistors ou
des photopiles. Cet effet photovoltaïque est notamment utilisé
dans les panneaux solaires photovoltaïques.
la photoconductivité
• Survient chaque fois que la résistance électrique d'un corps
varie lorsqu'on l'éclaire avec un rayonnement
électromagnétique appartenant à tous les domaines du
spectre lumineux (domaine visible, ultra-
violet et infrarouge).
• Principe:
• Ce phénomène s'observe sur les
matériaux semiconducteurs hautement résistifs. Une
lumière avec une fréquence (donc une énergie) suffisante
va restituer suffisamment d'énergie aux électrons de
la bande de valence pour atteindre la bande de conduction.
Les électrons résultants et leurs trous associés vont
permettre la conductivité électrique, donc la diminution de
la résistance.
Niveau d'énergie d'une molécule

• L'énergie d'une molécule peut


se décomposer en plusieurs
termes :
• un terme d'énergie
correspondant à sa rotation
dans l'espace Erotation ;
• un terme d'énergie associé aux
vibrations des noyaux des
atomes qui la composes Evibration
• un terme d'énergie associé aux
électrons Eelectrons.
• Les molécules possèdent différentes énergies,
toute quantifiée :
• l'énergie des noyaux, comme pour les atomes ;
• l'énergie électronique de l'ordre de grandeur de
1eV ;
• l'énergie vibrationnelle ou vibratoire due à la
vibration des atomes dans la molécule de l'ordre
de 10-1eV ;
• l'énergie rotationnelle : énergie de rotation de la
molécule autour de ces différents axes, de l'ordre
de 10-3eV
• L'énergie d'une molécule s'écrit alors, en
première approximation :
Emolecule=Erotation+Evibration+Eelectron

• On parle alors de niveaux d'énergie. Le passage d'un


niveau à l'autre s'appelle une transition énergétique ou
transition spectrale.

• Chaque niveau d'énergie électronique est associé à un


très grand nombre de valeurs pour les énergies vibratoire
et rotationnel, induisant ainsi une multitude de
transitions possibles.
Chaque niveau d'énergie
électronique est associé à
un très grand nombre de
valeurs pour les énergies
vibratoire et rotationnel,
induisant ainsi une
multitude de transitions
possibles.
Rappel

• a) Le photon
• Le photon est une particule qui possède les propriétés
suivantes :
• il est toujours en mouvement et se déplace à la célérité de
la lumière c = 3,00.108m.s-1 dans le vide,
• il n'a ni masse ni charge électrique,
• il véhicule une certaine quantité d'énergie appelé quantum
d’énergie :
• h = 6,63.10-34J.s est appelée constante de Planck
fréquence de la radiation associée au photon en Hz.
E : énergie du photon en Joule noté J
Rappel
• Exercice:
• 1. Quelle est la longueur
d'onde du rayonnement
émis lors de la transition du
niveau n=3 vers le niveau
n=2 de l'atome
d'hydrogène ?
• 2. Quelle doit être la
fréquence d'un
rayonnement capable
d'ioniser un atome
d'hydrogène ?
• Solution:
• 1/
2/
• Chapitre 2. Propriétés électronique et
optique des semi-conducteurs
Introduction
• Les semiconducteurs ont acquis une
importance considérable dans notre société.
Ils sont à la base de tous les composants
électroniques et optoélectroniques qui
entrent dans les dispositifs informatiques, de
télécommunications.
• On distingue isolants et conducteurs par la
différence d'énergie qu'il existe entre ces
bandes, appelée le "gap" (le fossé).
La théorie des bandes

Les éléctrons
périphériques peuvent se
situer dans deux bandes
permises:
Bande de valence et la
bande de conduction

La position respective de ses


deux bandes qui va classer
les matériaux soit
conducteur, soit isolant
soit semi-conducteur.
Un exemple d’un conducteur est le cuivre,
Le 29 eme électron est localisé à la bande de valence et comme
il est libre il est aussi à la bande de conduction
Ce chevauchement des deux bandes caractérise un matériel conducteur
Dans un isolant comme le carbone et le diamant
• Pour faire remonter un électron de la bande de valence vers la
bande de conduction, il faut chauffer le matériel isolant de
plusieurs centaine de degrés ou l’éclairer avec des photon très
énergétique ultra violet ou rayon X
Dans un Semi conducteur comme de germanium ou silicium ,
la bande interdite existe encore mais sa largeur est très faible
• Une petite excitation par chauffage ou par rayonnement
solaire peut faire passer l'électron dans la bande de
conduction et conduire le courant
Exemple:
Si :Eg = 1,12 eV
GaAs :Eg = 1,42 eV
Semiconducteurs : Matériaux
Groupe GAZ
1A RARES
1 1,008 2 4,003

H He
1s 1 1s2

1 Hydrogène 2A numéro atomique masse atomique 3A 4A 5A 6A 7A Hélium


3 6,939 4 9,012 4 9,012 5 10,81 6 12,01 7 14,01 8 15,99 9 18,99 10 20,18

Li Be Be B C N O F Ne
1s 22s 1 1s 22s 2 structure électronique 1s 22s 2 symbole solide artificiel 1s 22s 22p1 1s 22s 22p2 1s 22s 22p3 1s 22s 22p4 1s 22s 22p5 1s 22s 22p6

Lithium Beryllium Beryllium liquide Bore Carbone Azote Oxygène Fluor Néon
2 11 23,00 12 24,31 nom gaz 13 26,98 14 28,09 15 30,97 16 32,06 17 36,45 18 39,95

Na Mg Al Si P S Cl Ar
(Ne)3s 1 (Ne)3s 2 (Ne)3s 23p1 (Ne)3s 23p2 (Ne)3s 23p3 (Ne)3s 23p4 (Ne)3s 23p5 (Ne)3s 23p6

3 Sodium Magnésium 3B 4B 5B 6B 7B /------------------------8------------------------\ 1B 2B Aluminium Silicium Phosphore Soufre Chlore Argon


19 39,10 20 40,08 21 44,96 22 47,90 23 50,94 24 52,00 25 54,94 26 55,85 27 58,93 28 58,71 29 63,55 30 65,38 31 69,72 32 72,59 33 74,92 34 78,96 35 79,91 36 83,80

K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr
(Ar)4s 1 (Ar)4s 2 (Ar)3d14s 2 (Ar)3d24s 2 (Ar)3d34s 2 (Ar)3d54s 1 (Ar)3d54s 2 (Ar)3d64s 2 (Ar)3d74s 2 (Ar)3d84s 2 (Ar)3d104s 1 (Ar)3d104s 2 (Ar)3d104s 24p1 (Ar)3d104s 24p2 (Ar)3d104s 24p3 (Ar)3d104s 24p4 (Ar)3d104s 24p5 (Ar)3d104s 24p6

4 Potassium Calcium Scandium Titane Vanadium Chrome Maganèse Fer Cobalt Nickel Cuivre Zinc Gallium Germanium Arsenic Sélénium Brome Krypton
37 85,47 38 87,62 39 88,91 40 91,22 41 92,91 42 95,94 43 98,91 44 101,1 45 102,9 46 106,4 47 107,9 48 112,4 49 114,8 50 118,7 51 121,8 52 127,6 53 126,9 54 131,3

Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe
(Kr)5s 1 (Kr)5s 2 (Kr)4d15s 2 (Kr)4d25s 2 (Kr)4d45s 1 (Kr)4d55s 1 (Kr)4d55s 2 (Kr)4d75s 1 (Kr)4d85s 1 (Kr)4d105s 0 (Kr)4d105s 1 (Kr)4d105s 2 (Kr)4d105s 25p1 (Kr)4d105s 25p2 (Kr)4d105s 25p3 (Kr)4d105s 25p4 (Kr)4d105s 25p5 (Kr)4d105s 25p6

5 Rubidium Strontium Yttrium Zirconium Niobium Molybdène Technétium Ruthénium Rhodium Palladium Argent Cadmium Indium Étain Antimoine Tellure Iode Xénon
55 132,9 56 137,3 57 198,9 72 178,5 73 180,9 74 183,9 75 186,2 76 190,2 77 192,2 78 195,1 79 197,0 80 200,6 81 204,4 82 207,2 83 209,0 84 210 85 210 86 222

Cs Ba La* Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn
(Xe)6s 1 (Xe)6s 2 (Xe)5d16s 2 (Xe)4f 145d26s 2 (Xe)4f 145d36s 2 (Xe)4f 145d46s 2 (Xe)4f 145d56s 2 (Xe)4f 145d66s 2 (Xe)4f 145d76s 2 (Xe)4f 145d106s 0 (Xe)4f 145d106s 1 (Xe)4f 145d106s 2 (Xe)4f 145d106s 26p1 (Xe)4f 145d106s 26p2 (Xe)4f 145d106s 26p3 (Xe)4f 145d106s 26p4 (Xe)4f 145d106s 26p5 (Xe)4f 145d106s 26p6

6 Césium Barium Lanthane Tantale Tungstène Rhénium Osmium Iridium Platine Or Mercure Thalium Plomb Bismuth Polonium Astate Radon
87 223 88 226 89 227

Fr Ra Ac**
(Rn)7s 1 (Rn)7s 2 (Rn)6d17s 2

7 Francium Radium Actinium

* 58 140,1 59 140,9 60 144,24 61 145 62 150,35 63 152,0 64 157,3 65 158,9 66 162,5 67 164,9 68 167,3 69 168,9 70 173,0 71 175,0

Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb Lu
Lanthanides (Xe)4f 25d06s 2 (Xe)4f 35d06s 2 (Xe)4f 45d06s 2 (Xe)4f 55d06s 2 (Xe)4f 65d06s 2 (Xe)4f 75d06s 2 (Xe)4f 75d16s 2 (Xe)4f 95d06s 2 (Xe)4f 105d06s 2 (Xe)4f 115d06s 2 (Xe)4f 125d06s 2 (Xe)4f 135d06s 2 (Xe)4f 145d06s 2 (Xe)4f 145d16s 2

6 Cérium Praséodyme Néodyme Prométhium Samarium Europium Gadolinium Terbium Dysprosium Holmium Erbium Thulium Ytterbium Lutétium

** 90 232,0 91 231 92 238,0 93 237,1 94 244 95 243 96 247 97 247 98 251 99 254 100 257 101 256 102 254 103 257

Th Pa U Np Pu Am Cm Bk Cf Es Fm Md No (Lw)
Actinides (Rn)5f 06d27s 2 (Rn)5f 26d17s 2 (Rn)5f 36d17s 2 (Rn)5f 56d07s 2 (Rn)5f 66d07s 2 (Rn)5f 76d07s 2 (Rn)5f 76d17s 2 (Rn)5f 76d27s 2 (Rn)5f 96d17s 2

7 Thorium Protactinium Uranium Neptunium Plutonium Américium Curium Berkélium Californium Einsteinium Fermium Mendéléviuml Nobélium Laurencium
Semiconducteurs : Matériaux

Matériaux semiconducteurs : Colonne IV : Si, Ge, C, …


III - V : GaAs, InSb
II - VI : CdTe, …

Structure électronique :
Si : (Ne)3s23p2 : 4 électrons de valence
Ge : (Ar)3d104s24p2 : 4 électrons de valence

Ga : (Ar)3d104s24p1 : 3 électrons de valence En moyenne


4 électrons
As : (Ar)3d 4s 4p : 5 électrons de valence
10 2 3
de valence
Etc.
Les propriétés électriques des
semiconducteurs
• La conductivité des semiconducteurs est entre
celle des métaux et celle des isolants,
conduisant de l'électricité de façon limitée à
température ambiante comme le montre la
figure suivante.
• Ces variations dans la conductivité électrique
sous l’influence de divers facteurs font des
semiconducteurs les matériaux de choix pour
l’électronique et ses applications.
La notion d’électrons - trous dans les
semiconducteurs
• Les porteurs libres intrinsèques
dans un semiconducteur est
double, soit des électrons
(charge négative) soit des trous
(charge positive) (i.e (absence
d’électron) dont le nombre ni et
pi est fonction de la
température. La neutralité du
matériau fait que ni doit être
égal à pi.
Semi-conducteurs intrinsèques
Semi-conducteurs extrinsèques

• Un semi-conducteur extrinsèque est un semi-


conducteur intrinsèque auquel on introduit des
impuretés, on dit également qu’il est dopé ce qui lui
confère des propriétés électriques adaptées aux
applications électroniques (diodes, transistors, etc…) et
optoélectroniques (émetteurs et récepteurs de
lumière, etc…).
• Le dopage provoque l’apparition de nouveaux niveaux
accepteurs et donneurs d’électrons dans le gap, situé
entre la bande de conduction et la bande de valence. Il
existe deux types de dopage :
Dopage de type N et de type P
• Dans le domaine des semi-conducteurs, le dopage est l'action d'ajouter
des impuretés en petites quantités à une substance pure afin de modifier
ses propriétés de conductivité.

• Les atomes de matériau dopant sont également appelés impuretés,

• Il existe deux types de dopage :


• le dopage de type N, qui consiste à produire un excès d'électrons, qui
sont négativement chargés ;
• le dopage de type P, qui consiste à produire un déficit d'électrons, donc un
excès de trous, considérés comme positivement chargés.
• Les schémas suivants présentent des exemples de dopage
du silicium respectivement par du phosphore (dopage N) et
du bore (dopage P)..
Exemple du Dopage N

Dans ce cas du phosphore , un électron supplémentaire est amené


Exemple de semi-conducteur dopé N.

• Par analogie avec les semi-conducteurs de type P, à


température ambiante, tous les atomes donneurs seront
ionisés. Par conséquent, la densité de donneurs (ND) est
très supérieure à la densité de porteurs intrinsèques,
soit ND >> ni. Dans le cas d’un dopage de type N, la densité
d’électron est donc très proche de celle du dopant donneur
𝑛2 𝑖
ND, il vient donc n =ND >> ni et P= << ni
𝑁𝐷
• Ainsi, les électrons sont les porteurs majoritaires et
les trous, les porteurs minoritaires.
• Note : Les porteurs négatifs sont beaucoup plus nombreux
que les porteurs positifs, le semi-conducteur est de type
“N”.
Exemple du Dopage P

Dans Ce cas du bore , il manque un électron ; c'est donc un trou


d'électron qui est amené.
Exemple de semi-conducteur dopé P.

• A température ambiante, tout les atomes accepteurs


seront ionisés. Par conséquent, la densité de dopant (NA)
est très supérieure à la densité de porteurs intrinsèques,
soit NA >> ni. Dans le cas d’un dopage de type P, la densité
de trous est donc proche de celle du dopant accepteur NA,
il vient donc
𝑛2 𝑖
P=NA >> ni et << ni issue de la loi d’action de masse.
𝑁𝐴
• Ainsi, les électrons sont les porteurs minoritaires et
les trous, les porteurs majoritaires.
• Note : Les porteurs positifs sont beaucoup plus nombreux
que les porteurs négatifs, d’où le nom de dopage de type
“P”.
• Notons qu’un trou peut être comblé par un électron
de valence. Ce faisant, l’électron quitte la place qu’il
avait au sein de l’atome qui l’hébergeait, créant alors
un nouveau trou, etc. Un trou peut donc se
propager dans le cristal comme une particule réelle
!
• Remarques :
→ Dans le cas du dopage N, les porteurs de
charges (mobiles) sont les électrons. Pour
un dopage P, ce sont les trous. Dans les deux
cas, le matériau reste électriquement neutre.
→ Un semi-conducteur non dopé est
dit intrinsèque.
La jonction PN

En accolant un semi-conducteur dopé P avec un
dopé N, on crée une jonction PN. Quelques électrons
de la zone N migrent dans la zone P pour se combiner
avec les trous. Quand l’électron quitte son atome,
celui-ci s’ionise positivement. Quand l’électron se
combine avec un trou, l’atome porteur du trou devient
un ion négatif. Il se produit alors une couche de
transition d’épaisseur <µm à l’interface entre les
zones P et N. Dans cette couche, les ions produisent
un champ électrique interne. En conditions normales,
ce champ empêche les électrons et les trous de passer
à travers la couche de transition.
3. Applications des semi-conducteurs

• Les semi-conducteurs sont à la base de l’électronique moderne. En


effet, la jonction PN assure le fonctionnement des composants
suivants :
• Les diodes, formées par une jonction PN. En polarisant la diode
en direct (borne + sur zone dopée P …), le champ électrique
imposée par le générateur s’oppose au champ électrique interne,
ce qui permet aux porteurs de charge de franchir la jonction : la
diode est passante, elle laisse passer le courant électrique.
Quand la diode est polarisée en inverse, le champ électrique dû au
générateur s’ajoute au champ interne, ce qui empêche les porteurs
de charge de passer : la diode est bloquée, le courant ne passe
pas.
• Les diodes électroluminescentes LED (light-emitting diode)
fonctionnent comme des diodes ordinaires, sauf
qu’elles émettent de la lumière. Les LED connaissent un
formidable essor.
Symboles électriques des diodes, LED et transistors. Les
diodes et LED laissent passer le courant quand celui-ci va de
gauche à droite sur ce schéma.
• Les transistors consistent en deux jonctions PN accolées.
Ils servent dans la pratique
de commutateurs (interrupteurs commandés),
d’amplificateurs de signaux, etc.
• Les cellules photovoltaïques, formant les
panneaux solaires. Une cellule photovoltaïque est
composée d’une jonction PN au silicium. Les
photons du rayonnement solaire arrachent des
électrons aux atomes de la jonction, créant
une paire électron-trou. De part le champ
électrique interne, l’électron et le trou sont
séparés. L’électron est injecté dans un circuit
électrique. Une fois de retour dans la jonction, il
peut se combiner avec un trou (qui lui ne sort pas
du matériau).
• Chapitre 3. Emetteurs de lumière
• Diodes électroluminescentes: principe,
caractéristiques électriques et spectrale,
différents types de diode LED, diodes laser:
oscillation laser, caractéristiques électriques et
spectrale, différents types de diode laser.
Diodes électroluminescentes
• Principe de fonctionnement
• Le mot LED est l'acronyme de Light Emitting
Diode (Diode Electroluminescente en
français). Le symbole de la LED ressemble à
celui de la diode mais on y a ajouté deux
flèches sortantes pour représenter le
rayonnement lumineux émis.
Electroluminescence

• La physique des semi-conducteurs nous enseigne que les électrons dans


les solides cristallins se situent à des niveaux d'énergie spécifiques. Ces
niveaux très proches les uns des autres, sont regroupés en "bandes
d'energie".
Un électron de la bande de valence peut passer dans la bande de
conduction à condition d'acquérir une énergie supplémentaire au moins
égale à Delta E.
C'est l'effet photoelectrique.
• Un électron de la bande de conduction peut passer dans une bande de
valence. Dans ce cas il libère une énergie au moins égale à Delta E.
Cette énergie peut être :
• Dissipée sous forme de chaleur (phonons),
• émise sous forme de lumière (photons).
• C'est l'effet électroluminescence (visible ou non).
Caractéristiques optiques

• Longueur d'onde du pic d'émission


• Cette valeur nous indique la longueur d'onde
(lambda p), en nano-mètre, à laquelle est émis
la plus importante partie du rayonnement
(wavelength). La valeur est donnée pour une
intensité de courant (IF).
• Spectre ou largeur spectrale à mi-intensité
• Le spectre d'émission d'une diode LED est relativement étroit.
Exemple : pour une longueur d'onde à intensité maximale
égale à 520 nm,
• la longueur d'onde à intensité moitié pourra être comprise de
505 nm à 535 nm (soit une largeur spectrale de 30
nanomètres).
• Il existe actuellement plusieurs types de LED donnant chacun
des spectres différents. Cela est obtenu par la variété des
semi-conducteurs utilisés pour fabriquer les jonctions PN.

Matériaux Rayonnement Longueur d'onde


InAs ultra-violet 315 nm
InP infra-rouge 910 nm
GaAsP4 rouge 660 nm
GaAsP82 jaune 590 nm
GaP vert 560 nm
Correspondance couleurs, longueurs d'onde et énergie des
photons

Longueur d'onde Energie des photons


Couleur
(nm) (eV)
UltraViolet < 390 > 3,18
Violet 390-455 2,72-3,18
Bleu 455-490 2,53-2,72
Cyan 490-515 2,41-2,53
Vert 515-570 2,18-2,41
Jaune 570-600 2,06-2,18
Orange 600-625 1,98-2,06
Rouge 625-720 1,72-1,98
InfraRouge > 720 < 1,72
Diagramme de rayonnement

• Le flux lumineux n'est pas homogène tout autour


de la LED. La répartition spatiale de la puissance
émise dépend de la forme de la diode LED :
• forme de la partie émissive (point, trait…),
• avec lentille de concentration ou sans,
• diffusante ou non.

• Cette répartition est définie par le diagramme de


rayonnement qui représente la répartition
angulaire de l'intensité relative émise.
• Angle d'émission à mi-intensité
• Les fabricants précisent souvent l'angle pour lequel l'intensité
lumineuse a été réduite de moitié.
Sur le diagramme ci-dessus, le point
rouge indique un angle de 10 degrés
et le point vert un angle de 50°
pour une intensité relative émise
de 50%.
• Intensité lumineuse
• L'intensité lumineuse (mesurée en candelas)
est la quantité de lumière émise dans une
certaine direction à 1 mètre de distance. Dans
les caractéristiques optiques des leds nous
l'exprimons aussi en micro-candela (mcd) et
se note IV.
Type de LED
- Les leds infrarouges. Elles émettent dans le spectre invisible de
l'infrarouge .
Astuce : Pour voir si votre télécommande infrarouge fonctionne,
prendre un téléphone portable en mode vidéo et filmer la diode de la
télécommande, on voit très bien les pulsations de la diode infrarouge
quand elle fonctionne.
- Les leds à spectre visible. Le boîtier peut être de la même couleur
que celle de la lumière émise, il peut aussi être transparent. On trouve
des leds carrées, triangulaires ou rectangulaires. Certains afficheurs
sept segments sont constitués de Leds. Le tableau 1 résume les
principales caractéristiques des leds.
• - Les leds multicolores : La led bicolore comporte deux
électrodes. Selon le sens du courant, la led émet dans une
couleur ou dans I'autre .
• - Les leds clignotantes : Ces leds comportent
un circuit électronique interne qui génère
leur clignotement. La période est comprise
entre 0,4 à 1 seconde (2,5 à 1 Hz), selon le
type. Elles sont alimentées par une tension
continue de 6 à 12 V sans insérer une
résistance de limitation de courant.
Caractéristiques électriques

• Point de fonctionnement et tension direct


• Une LED se comporte électriquement comme une diode. Pour
émettre elle doit être polarisée en direct.
• La caractéristique IF(VF) montre que la tension de conduction
de la diode LED (forward voltage) est environ 1,5 volts à 2 V.

Le courant IF vaut environ E-2V/R.


En pratique, le constructeur
préconise 10 à 20 mA.
Le courant traversant la LED
détermine l'intensité lumineuse émise.
• Remarque : certaines diodes ont des tensions de construction
de l'ordre de 3 volts et plus.
• Diverses couleurs de LED : LED rouge, orange, jaune (ambre) :
1.8V à 2V , LED verte standard (vert clair) : 1.8V à 2.2V
Applications
Avantage des LED

• S’allume de dix à cent fois plus rapidement


que des sources delumière à incandescence
(~0,01 sec)
• -Dégagement de chaleur plus faible
• -Résistantes aux chocs et vibrations
• -Longue vie (10 ans) et mort «progressive»
Inconvénients des LEDs

• Plus cher que les technologies traditionnelles


• -Dépendance vis-à-vis de la température et
des conditions d’utilisation
• -Besoin d’un dispositif d’évacuation de la
chaleur en cas de fonctionnement à
température élevée
Diode Laser

• Plus pointu et difficile à réaliser que les LED


• MAIS
• Meilleures performances :
• -Rendement de 30% (environ 3% pour les autres
lasers)
• -Largeur spectrale faible
• -Qualité du rayonnement émis élevé
• -Temps de réponse faible
Schéma de base
Amorçage par émission spontanée

Matériau couramment utilisé : GaAs, arséniure de


galliumBande interdite : 1,424 eV, longueur d’onde
générée 870 nm
Emission stimulée -Principe

• Photon émis : même fréquence, même phase,


même polarisation et même direction que le
photon incident
Caractéristique électrique
• La caractéristique d'une diode laser ressemble à celle
d'une diode. En dessous d'une valeur d'intensité seuil, la
diode est absorbante, au-delà, l'émission stimulée est
proportionnelle à l'intensité du courant électrique.
Spectre d’émission
Applications
• Chapitre 4. Détecteurs de lumière
• Photorésistance: fonctionnement, technologie, symboles et
codifications, schémas et applications.
• Photodiode: fonctionnement, caractéristiques électriques,
caractéristiques optiques, symboles et codifications, circuits
associés.
• Phototransistor: principe, caractéristiques, symboles et
codifications, schémas et applications.
• Cellules photovoltaïques (Photopile, Batterie solaire): effet
photovoltaïque, fabrication des cellules.
• Afficheurs à cristaux liquides
• Photodiode
Principe de la photodiode
Jonction PN formée d’un cristal semi-conducteur (Si,
Ge) qui, lorsqu’on l’éclaire, émet un courant électrique
par effet photoélectrique.

Les photodiodes sont souvent avec une


Schéma symbolique coque de plastique noir.
Cela permet de filtrer la lumière visible et d
e ne capter que la lumière infrarouge.
Interconnexion de la photodiode
Montage dans le sens "normal • L'idée est de respecter le
sens de connexion de la
photodiode. Pour que ce
montage permette une
lecture efficace du passage
de courant dans la diode, il
faut ajouter une résistance
importante vers le ground; La
LED IR est elle connectée
comme une LED normale et
son faisceau dirigé vers la
photodiode.
Montage dans le sens inverse
Il s'agit ici d'utiliser le
fait que la photodiode
émet un courant
lorsqu'elle reçoit un
faisceau d'ondes
infrarouges. Nous
allons donc monter la
diode dans le mauvais
sens. La résistance
pour ce montage doit
être plus faible (ici
1KΩ).
• Application
• La première application qui vient à l'esprit est
la barrière infrarouge. En effet vous pouvez
très bien associer un montage d'alarme
• En association avec une led infrarouge, les
utilisations les plus courantes sont dans
la robotique avec le cas du suiveur de ligne
(ligne noire sur fond blanc) ou de la détection
d'obstacle sur de courtes distances.
• photorésistance.
Un capteur de lumière : la
photorésistance
• Qu'est ce qu'une photorésistance?
• Les photorésistances (PhotoCells ou CdS en anglais) sont des
senseurs qui permettent de détecter la lumière. elles sont petites,
bon marchés, économiques en énergies, faciles à utiliser et ne
s'usent pas.
• Elles sont souvent identifiés sous la dénomination CdS (parce
qu'elles sont faites de Cadmium-Sulfite), LDR (pour Light Dependant
Resistor ce qui signifie Résistance dépendant de la lumière et
Photo-résistance/photorésistance.
• Fondamentalement, les photorésistances sont des résistance dont
la valeur résistive (en ohms Ω) change en fonction de la quantité de
lumière qui atteind le capteur (la partie en serpentin sur le dessus).
Elles sont abordables (bon marchés), existent sous de nombreux
formats/tailles, disponibles sous de nombreuses spécifications
(caractéristiques) mais sont très imprécises.
Symbole normalisé d’une photorésistance.
• On peut aussi le nommer résistance photo-
dépendante (light-dependent resistor (LDR) )
ou photoconducteur. Pour préciser cette
dépendance, on réalise le montage électrique
suivant.
• L’éclairement lumineux de la lampe utilisée est
estime a l’aide d’un luxmètre.
On peut voir ici que plus l’eclairement est intense,
plus la tension aux bornes de la LDR est elevee.
• Il s’agit maintenant de caractériser la
résistance de ce composant.
• La tension mesurée par le voltmètre permet
de calculer l’intensité qui circule dans le
circuit série
• par la loi d’Ohm : I = 𝑈𝑅 /R.
• La tension aux bornes de la LDR s’obtient
par la loi des mailles, 𝑈𝐿𝐷𝑅 = U – 𝑈𝑅 .
• On en déduit la résistance de la LDR par la
loi d’Ohm, 𝑅𝐿𝐷𝑅 = 𝑈𝐿𝐷𝑅 /I
• Utilisation
• Chaque photo-résistance agit un peu différemment d'une autre,
même lorsqu'elles proviennent du même processus de fabrication.
La variation peut-être vraiment grande, 50% voire plus!
• C'est pour cette raison qu'elle ne doivent pas être utilisées pour
déterminer précisément le niveau lumineux en lux ou milli-candela.
A la place, vous pourrez être capable de détecter des variations de
lumières élémentaires.
• La plupart des applications sensible à la lumière tel que "il fait noir",
"il fait clair", "y a t'il quelque-chose en face du senseur (qui bloque
la lumière)", "y a t'il quelque-chose qui interrompt le faisceau laser"
(senseur d'interruption du faisceau) ou "senseur multiple pour
détecter la direction/source de la lumière" sont des cas ou
l'utilisation d'une photo-résistance est approprié.
• Applications
• Les photorésistances trouvent leurs
applications principales dans la détection
d'une différence de flux plutôt que dans la
mesure précise du niveau de flux reçu
(impulsions lumineuses, variation d'éclairage
par exemple).
• L'utilisation de ce type de détecteur est très variée
• Les détecteurs de flammes qui sont des photorésistances à
détection d’infrarouges ou d’UV.
• Les détecteurs de présence se déclinent sous deux principes
différents. Un premier détectant l’augmentation du flux induit par la
présence d’un corps dans le champ (principalement des capteurs à
infrarouges), le second détectant la diminution du flux induit par
l’ombre du corps présent dans le champ du capteur qui est plus
limité que celui à infrarouges (détection dans le visible et capteur
LDR plus directif).
• L’allumage des lumières lorsque la luminosité diminue (éclairage
public ou domestique).
• La mesure de la luminosité extérieure dans les appareils
photographiques ou les ordinateurs.
• Phototransistor
Photographie d’une phototransistor
Principe

• Un phototransistor est un transistor bipolaire dont la base est sensible au


rayonnement lumineux ; la base est alors dite flottante dans la mesure où
elle est dépourvue de connexion. Quand la base n'est pas éclairée, le
transistor est parcouru par le courant de fuite ICE0. L'éclairement de la base
conduit à un photocourant Iphqu'on peut nommer courant de commande
du transistor. Ce dernier apparaît dans la jonction collecteur-base sous la
forme :
IC = βIph + ICE0.

• Le courant d'éclairement du phototransistor est par conséquent le


photocourant de la photodiode collecteur-base multiplié par
l'augmentcation β du transistor. Sa réaction photosensible est par
conséquent nettement plus élevée que celle d'une photodiode (de 100 à
400 fois plus). Par contre le courant d'obscurité est plus important.
Fonctionnement d’un phototransistor
• Un phototransistor est un transistor dont la base B est
commandée par l’éclairement :
• Si la base n’est pas éclairée, le transistor est bloquée et le
courant Ic = 0A,
• Si la base est éclairée, le transistor est en régime linéaire et
Ic= Ie est non nul, l’intensité Ic dépend alors de l’éclairement
appliqué sur la base.

Circuit équivalent
Effet photovoltaïque

• L'effet photovoltaïque est un des effets photoélectriques. Il est mis en œuvre dans
les cellules photovoltaïques pour produire de l'électricité à partir du rayonnement
solaire. L’effet photovoltaïque a été découvert par le physicien français Edmond
Becquerel et présenté à l'académie des sciences en 18391.

• Il est le produit du choc des photons de la lumière sur un matériau semi-


conducteur qui transmet leur énergie aux électrons qui génèrent une tension
électrique.
• L’effet photovoltaïque est obtenu par absorption des photons dans un matériau
semi-conducteur qui génère alors des paires électrons-trous (excitation d'un
électron de la bande de valence vers la bande de conduction) créant une tension
ou un courant électrique. Plusieurs types de composants peuvent être créés à
partir de ce principe. Ils sont appelés photodiodes, phototransistors ou
des photopiles. Cet effet photovoltaïque est notamment utilisé dans les panneaux
solaires photovoltaïques.

• L’effet photovoltaïque a été découvert par Edmond Becquerel, père de Henri (qui a
découvert la radioactivité).
Effet photovoltaïque
• Les mots clés :
• panneau solaire : assemblages séries et parallèles de cellules
photovoltaïques PV (ou photopiles).
• Une cellule est un « composant électronique » à matériau semi-
conducteur qui, exposé à la lumière (absorption des photons),
produit de l’électricité : effet photovoltaïque
• Augmenter la conductibilité par dopage

• Mécanique quantique, théorie « des bandes » et le modèle


corpusculaire de la lumière qui permettent d’expliquer ce
comportement des semi-conducteurs
De la cellule au système PV
Lingots de silicium 2/2
• Silicium monocristallin (sc-Si)
• Ce matériau est constitué d’un seul cristal, sa
couleur est unie, grise.
• Il est obtenu par croissance ou étirage d’un
lingot cylindrique à partir d’un monocristal «
souche » selon le procédé Czochralski ou CZ.
• Résumé:
• La fonction des modules est de protéger les
cellules du milieu extérieur et de faciliter leur
mise en oeuvre, tout en limitant le plus
possible les pertes optiques et les baisses de
rendement dues à l’échauffement des cellules
en fonctionnement.
Un afficheur à cristaux liquides
• Un afficheur à cristaux liquides ou est un module
compact permettant l'affichage de chiffres
décimaux ou de caractères alphanumériques.
• Le cristal liquide est un matériau liquide dont les
molécules peuvent s'aligner comme celles des
cristaux.
• Le fonctionnement de ce type d'afficheur repose
sur la propriété qu'ont les cristaux liquides de
modifier la direction de polarisation lumineuse
les traversant.
Afficheur LCD
Différents Modes d’Eclairage
 Réflectifs = Ecran qui utilise la lumière ambiante
pour fournir l'image dans des lieux très éclairés
ou en extérieur.
 Transmissif = Ecran équipé d'un dispositif de
rétro-éclairage pour une utilisation dans un
endroit peu éclairé.
 Transflectifs = Ecran équipé d'un dispositif de
rétro-éclairage (transmissif) et qui utilise,
également, la lumière ambiante (réflectif).
 Positif = Caractères sombres sur fond clair.
 Négatif = Caractères clairs sur fond sombre.
Deux Exemples d’Utilisation
Afficheur LCD

• C’est Georges Friedel, physicien mulhousien, qui


a compris ce qui se passe dans les cristaux
liquides !
• L’état d’un cristal liquide n'est ni un solide
cristallin, ni un liquide, mais présente des
caractéristiques intermédiaires.
• La molécule est de forme allongée, comme un
cigare, qui aurait quelques nm de longueur et
quelques dixièmes de nm de diamètre.
Afficheur LCD
Description de la cellule à cristaux
liquides
Structure générale d’un CL
Fonctionnement d’un segment LCD
Fonctionnement d’un segment LCD
• les cristaux sont coincés entre deux plaques appelées couches
d’ancrage, elles-mêmes comprises entre deux polariseurs croisés.
• Les deux couches d’ancrage sont des plaques gravées de sillons
dont les directions sont perpendiculaires l’une par rapport à l’autre.
Au repos, les cristaux qui s’orientent selon ces sillons passent
progressivement d’une direction à l’autre, pour former une «
hélicoïde » qui tourne d’un quart de tour. On appelle ce
phénomène l’effet nématique torsadé. Ainsi, si une lumière passe à
travers une couche de cristal, celle-ci va suivre la rotation de
l'hélicoïde grâce au pouvoir polarisant des cristaux liquides. Les
polariseurs étant croisés, la lumière peut traverser la cellule.
• Si on applique un champ électrique E aux cristaux liquides, ils vont
s’orienter dans la direction du champ E. Le deuxième polariseur
bloque alors la lumière, puisque les cristaux ne l’auront plus dirigé
dans le plan nécessaire à son passage. En sortie, il y a donc
extinction de la lumière.
Brochage
• Un circuit intégré spécialisé est chargé de la
gestion du module. Il remplit une double
fonction : d'une part il commande l'affichage
et de l'autre se charge de la communication
avec l'exterieur.
• Chapitre 5

• La fibre optique
Bref historique

• Préhistoire - envoi de signaux à l’aide de feux sur des


collines

• 1793 (Claude Chappe) - télégraphe optique

• 1880 (William Wheeler) - brevet des tuyaux de verre

• 1880 (Alexander Graham Bell) - photophone

• milieu des années 1880 - le « truc » de John Tyndall


Bref historique

• 1930 - Norman R. French (AT&T) -


brevette l’idée de communiquer par de
la lumière acheminée dans des tuyaux

• 1954 - Brian O’Brien, Harry Hopkins et


Narinder Kapany - fibre à gainage

• 1960 - Theodore H. Maiman -


démonstration du premier laser

• 1966 - Charles K. Kao et Georges


Hockman - analyse théorique - retirer les
impuretés dans la fibre, 10 % de la
lumière demeurera après 500 m
Bref historique

• 1970 - Robert Maurer, Donald Keck et


Peter Shultz (Corning) - première fibre
optique avec une perte de 17 dB/km

• 1976 - États-Unis - Remplacement du


cuivre par de la fibre optique dans un
avion de l’armée pour réduire le poids
des appareils de communication de 40
kg à 1,7 kg
Fil de cuivre vs fibre optique
Avantages de la fibre optique

• Insensibilité au bruit
– les interférences électromagnétiques ou le brouillage
radioélectrique n’ont aucune influence sur la transmission

• Atténuation de perte inférieure


– perte monomode aussi basse que 0,2 dB/km ( 4,5 %)
– perte multimode d’environ 1 dB/km ( 30 %)

• Largeur de bande élevée


– Taux de transmission atteignant jusqu’à 40 Gb/s (OC-768)
Avantages de la fibre optique

• Petit format
– une fibre est de la même dimension qu’un cheveu
humain (125 mm).
– Un câble contenant 12 paires de fibre optique, de
1,4 cm de diamètre, équivaut à un câble contenant
900 paires de fils de cuivre ayant un diamètre de 8
cm.
• Poids léger
– câble de cuivre 900 paires  8000 kg/km
– câble de fibre optique 12 paires  88 kg/km
Avantages de la fibre optique

• Sécurité de transmission
– aucun rayonnement de l’énergie  aucune détection,
difficile à trouver
– Intrusion sur le lien créant une perte  les intrus seront
détectés
• Sans court-circuit/sans risque de feu
– aucune énergie électrique dans la fibre, donc aucun risque
de court-circuit, aucune étincelle et aucune chaleur; idéale
pour les environnements dangereux
• Température environnementale
– une fibre peut fonctionner à l’intérieur d’une vaste plage de
température (-40oC/100oC)
fibre optique
• Une fibre optique est un guide d'onde à
symétrie circulaire constituée de deux ou
plusieurs couches de matériaux diélectriques
transparents (verre ou plastique), d'indice de
réfraction différents assurant le confinement de
la lumière au voisinage du centre.
Types de fibre optique
Comment on peut savoir si une fibre
est monomodes ou multimodes ?

• Le paramètre V permet de définir si une


fibre est monomodes ou multimode :

𝟐𝝅𝒂
𝑽= 𝒏𝟐𝒄𝒐𝒆𝒖𝒓 − 𝒏𝟐𝒈𝒂𝒊𝒏𝒆
𝝀

• Si V< 2.405 la fibre est monomode


Combien de modes?

Le nombre de modes propagés dans une fibre est déterminé par :


 NA = l’ouverture numérique de la fibre (NA)
 d = le diamètre du cœur et
 l = la longueur d’onde de la lumière propagée

Le nombre V, ou fréquence normalisée, est utilisé pour calculer le


nombre de modes où : V = NA (2 p d / l )

Le nombre de modes est calculé de façon approximative par :


 la fibre optique à saut d'indice : N = V2 / 2
 la fibre optique à gradient d'indice : N = V2 / 4
Multimode

Prenons une fibre optique à gradient d’indice où :


d = 50 mm
NA = 0,29
l1 = 850 nm
l2 = 1310 nm

Multimode (approximatif)
N = (NA ( 2 p d / l ))2 / 4
l1  N = 2872
l2  N = 1209
Monomode

Prenons une fibre réelle à saut d’indice


(SMF-28 de Corning) où :
d = 8,2 µm
NA = 0,14
l1 = 1310 nm
l2 = 1550 nm

L’opération monomode est accomplie à


(approx.) :
N = (NA ( 2 p d / l ))2 / 2
l1  N = 15,159 and V = 5,506
l2  N = 10,828 and V = 4,654
Caractéristiques de la fibre optique
• Atténuation et longueur d’onde:
La lumière, lorsqu'elle se propage le long de la fibre,
sʼatténue progressivement. Cette atténuation
sʼexprime par une valeur en dB/km. Cette
atténuation dépend de la longueur d’onde (λ), c’est
à dire de la couleur (fréquence) de la lumière. En
conséquence la longueur d’onde de la lumière
utilisée pour transmettre un signal dans une fibre
optique n’est pas choisie au hasard, elle correspond
à un minimum dʼatténuation.
Caractéristiques de la fibre optique
• L'ouverture numérique
• L'ouverture numérique d'une fibre
optique caractérise le cône d'acceptance de la
fibre : si un rayon lumineux tente de pénétrer la
fibre en provenant de ce cône, alors le rayon sera
guidé par réflexion totale interne ; dans le cas
contraire, le rayon ne sera pas guidé.
• En posant nc , ng et θ respectivement les indices
du cœur, de la gaine et l'angle d'incidence, alors
l'ouverture numérique de la fibre s'exprime par la
formule :
Caractéristiques de la fibre optique
• Bande Passante:
Cʼest une mesure de la capacité de transport de
données d’une fibre optique. Par exemple, une
fibre peut avoir une bande passante de 400
MHz.km (méga-hertz kilomètre). Cela signifie
qu’elle peut transporter 400MHz sur 1 km.La
bande passante dépend du type de fibre. La
fibre monomode permet d’avoir un débit
beaucoup plus important que la multimode.
Exemple
• Une information (A, B ou C) se propage dans la
fibre suivant n modes, ce qui la déforme, comme
si elle se dédoublait n fois. Par exemple sur le
schéma suivant, le trajet suivant le mode 3 est
plus long que celui suivant le mode 2, qui est lui-
même plus long que le trajet suivant le mode 1. Si
les informations arrivent trop rapprochées, elles
risquent alors de se mélanger, et ne sont pas
récupérables à la sortie de la fibre. Il faut donc les
espacer suffisamment: limiter le débit.
Conditionnement des fibres
optiques
Fenêtres de transmission de
télécommunication optique

Longueurs d’onde utilisées pour la fibre optique


(situées dans l’invisible)
Fenêtres de transmission de
télécommunication optique

Spectre utilisé dans le cadre de la transmission par fibre optique

Fibre en I fenêtre: II fenêtre III fenêtre


plastique systèmes systèmes multimodes systèmes
multimodes et monomodes monomodes

550 650 850 1300 1550 1625


longueur d’onde (nm)

450 spectre visible 750 infrarouge 

IV fenêtre
systèmes
monomodes
Fenêtres de transmission de
télécommunication optique
Premier fenêtre : 0.8 µm à 0.9µm ( ~ 0.85µm)
• Atténuation est très élevée (3dB/Km)
• Utilisée en fibre multimode.
Deuxième fenêtre : 1.28 µm à 1.33µm ( ~ 1.3µm)
• Atténuation relativement faible (~ 0.4 dB/Km)
• Dispersion minimal
• Utilisée en fibre monomode
Troisième fenêtre : 1.525 µm à 1.625µm ( ~ 1.55µm)
• Atténuation minimale (~ 0.2 dB/Km)
Causes d’atténuation
Absorption intrinsèque

Chaque fois qu’un rayon lumineux entre en


contact avec une impureté, une partie de son
énergie est absorbée par cette impureté.

Gaine Cœur

Impur
Source eté
Rayon
lumineux
Diffusion

Chaque fois qu’un rayon lumineux entre en


contact avec une impureté, une partie de son
énergie est diffusée par cette impureté.

Impure
Sourc

e

Rayon
lumine
ux
Macrocourbur
es
Courbures de la fibre qui causent une perte de
lumière.
Discontinuités –
réflectance
Chaque fois qu’un rayon lumineux rencontre une
discontinuité, une partie de la lumière est
réfléchie à la source. Ce phénomène est appelé
réflectance. Reflectance

Épissur
e

Rayon
lumineux
Mauvais alignement et non-
concordance
Défaut angulaire – saleté dans la
connexion
Dispersion

 Définition : distortion du signal sur le


long de la fibre optique
Dispersion modale
Fibre multimode : l’élargissement d’impulsion peut
causer une superposition des impulsions et créer de
l’interférence entre elles.
Pour corriger le problème de la dispersion modale faut
espacer en entrée de fibre les impulsions
Fréquence (1) = X Hz
ou bit/s

Impulsio Impulsio
ns : ns : sortie
entrée

Fréquence (2) = 2 ×
fréquence (1)
Perte
d’information
Dispersion chromatique

Il s’agit d’un élargissement dans le temps qui limite le


débit de transmission car il force à augmenter le délai
entre deux impulsions.
Dispersion Chromatique est due à la dépendance entre
la longueur d’onde et l’indice de réfraction. On observe
une différence de vitesse de propagation. L’effet que l’on
retrouve surtout dans les fibres monomodes.
Fibres monomodes – profils
d’indice

Gaine concordante - G.652 Dispersion décalée - G.653


Dispersion chromatique Dispersion chromatique décalée
environ 1300 nm à 1550 nm
nr nr

ni ni

8 mm 6 mm
ni ni
IR IR
 0,3 %  0,8
nr nr %

Diamètre Diamètre
Dispersion des modes de polarisation (PMD)
Concept de la polarisation

La lumière consiste en :
un champ électrique - E
un champ magnétique - H
voyageant dans le temps (w) et dans l’espace (k) le long de
l’axe de propagation (Z)

Y
Champ
X
électriqueE E 9
0
X o
Y
H

Champ
Z
magnétique
H (w,k)
Dispersion de polarisation

mode fondamental d’une fibre optique monomode(LP01)


est une combinaison de deux modes électromagnétiques
notés LPx01 et LPy01 qui ne se propagent pas à la même
vitesse dans la fibre si celle-ci présente une biréfringence
parasite, de forme ou de contrainte.
Cette variation de vitesse provoque un déphasage entre
les deux composantes du mode fondamental et par
conséquent, introduit un phénomène de dispersion de
polarisation.

E
E0x
E0y