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É L E C T R O N I Q U E - P H OTO N I Q U E

Ti350 - Électronique

Matériaux pour l'électronique


et dispositifs associés

Réf. Internet : 42271 | 3e édition

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III
Cet ouvrage fait par tie de
Électronique
(Réf. Internet ti350)
composé de  :

Électronique analogique Réf. Internet : 42279

Technologies des dispositifs actifs Réf. Internet : 42286

Architecture et tests des circuits numériques Réf. Internet : 42276

Matériaux pour l'électronique et dispositifs associés Réf. Internet : 42271

Matériaux et dispositifs magnétiques et supraconducteurs Réf. Internet : 42282

Électromagnétisme. Propagation Réf. Internet : 42277

Compatibilité électromagnétique dans les systèmes Réf. Internet : 42580


électroniques

Hyperfréquences. Circuits et émetteurs de puissance Réf. Internet : 42281

Antennes Réf. Internet : 42280

Cartes électroniques  : technologies et conception Réf. Internet : 42287

Électronique de puissance : conversion et gestion Réf. Internet : 42283

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IV
Cet ouvrage fait par tie de
Électronique
(Réf. Internet ti350)

dont les exper ts scientifiques sont  :

Bruno ALLARD
Professeur des universités, département de Génie électrique de l'INSA de Lyon, chercheur au laboratoire
Ampère (CNRS UMR 5005)

Sylvain BALLANDRAS
Président-directeur général, frec|n|sys SAS, Besançon

Xavier BEGAUD
Telecom ParisTech

Jean CHAZELAS
Directeur du département Technologies avancées de Thales Division Aéronautique

Jean-Pierre GANNE
Ingénieur civil des Mines de Paris, docteur ès sciences, Thales Research and Technology France

François GAUTIER
Ancien directeur technique adjoint Thales Systèmes aéroportés

Dominique HOUZET
Professeur Grenoble-INP

Richard LEBOURGEOIS
Docteur de l'INPG (Institut national polytechnique de Grenoble), responsable des études ferrites au
Thales Research and Technology France, ingénieur de l'ENSIEG (École nationale supérieure d'électricité de
Grenoble)

Saverio LEROSE
Hardware Development Engineering, Thales Corporate Services SAS

Olivier MAURICE
Chargé d'études CEM en R et D, Ariane Group, service CEM et Laser, site des Mureaux

André PACAUD
Ingénieur SUPELEC

André SCAVENNEC
Docteur ingénieur, Alcatel Thales III-V Lab

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V
Les auteurs ayant contribué à cet ouvrage sont :

André-Jean ATTIAS Eugène DIEULESAINT Jean-Claude KASTELIK


Pour l’article : E1862 Pour l’article : E3210 Pour l’article : E1955

Jean-Pierre AUBRY Gregory DOUGLADE Alain LAGRANGE


Pour l’article : E2205 Pour l’article : E1926 Pour l’article : E2080

Sylvain BALLANDRAS TCHAVDAR DOYTCHINOV Vincent LAUDE


Pour les articles : E2000 – Pour l’article : E1926 Pour l’article : E1955
E2001 – E3212
Jean-Claude DUBOIS Henri LAVILLE
Alain BEAUGER Pour l’article : E1855 Pour les articles : E1925 – E1926
Pour l’article : E2080
Catherine ELISSALDE Mario MAGLIONE
Sarah BENCHABANE Pour l’article : E1870 Pour l’article : E1870
Pour l’article : E2212
Pierre FILHOL Pascale NAGY-REVESSE
Jérôme BERNARD Pour les articles : E1920 – E1922 Pour l’article : E2100
Pour l’article : E1820
Jean-Michel FRIEDT Guy RABILLOUD
Michel BIRON Pour l’article : E3212 Pour l’article : E1855
Pour l’article : AM3402
Jean-Marie HAUSSONNE Daniel ROYER
Jean-Marc BUREAU Pour l’article : E1820 Pour l’article : E3210
Pour l’article : E1850
Anne-Christine HLADKY- Mohamed SAADAOUI
Romain CAUCHOIS HENNION Pour l’article : RE222
Pour l’article : RE222 Pour l’article : E2212
William STEICHEN
Philippe DEFRANOULD David HOUIVET Pour les articles : E2000 – E2001
Pour l’article : E2200 Pour l’article : E1820
Peter WRIGHT
Antoine DIDION Karim INAL Pour l’article : E2200
Pour l’article : E1926 Pour l’article : RE222

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VI
Matériaux pour l'électronique et dispositifs associés
(Réf. Internet 42271)

SOMMAIRE

1– Polymères pour l'électronique Réf. Internet page

Propriétés diélectriques des polymères E1850 11

Polymères hétérocycliques thermostables E1855 17

Polymères conjugués et électronique organique E1862 21

TPE et TPV dans les applications high-tech AM3402 27

2– Matériaux diélectriques et conducteurs Réf. Internet page

Matériaux ferroélectriques. Propriétés, mise en œuvre et perspectives E1870 35

Céramiques pour composants électroniques E1820 39

Résonateurs diélectriques. Circuits micro-ondes E1920 45

Résonateurs diélectriques. Matériaux et composants E1922 49

Caractéristiques générales des condensateurs – Condensateurs céramiques E1925 53

Condensateurs électrochimiques et condensateurs ilms. Technologies et évolution E1926 57

Céramiques semi-conducteurs E2080 61

Résistances. Potentiomètres E2100 63

Impression et recuit de nanoparticules métalliques pour l'électronique imprimée RE222 67

3– Acoustique Réf. Internet page

Propagation et génération des ondes élastiques E3210 77

Composants acoustiques utilisés pour le iltrage. Revue des diférentes technologies E2000 83

Composants acoustiques utilisés pour le iltrage. Modèles et outils de simulation E2001 91

Composants piézo-électriques E2205 99

Filtres à ondes de surface E2200 105

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VII
Acousto-optique et composants associés E1955 111

Cristaux phononiques et métamatériaux acoustiques E2212 117

Capteurs acousto-électriques radiofréquences. Modes d’interrogation E3212 121

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Matériaux pour l'électronique et dispositifs associés
(Réf. Internet 42271)


1– Polymères pour l'électronique Réf. Internet page

Propriétés diélectriques des polymères E1850 11

Polymères hétérocycliques thermostables E1855 17

Polymères conjugués et électronique organique E1862 21

TPE et TPV dans les applications high-tech AM3402 27

2– Matériaux diélectriques et conducteurs

3– Acoustique

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Propriétés diélectriques
des polymères
par Jean-Marc BUREAU

Responsable Matériaux et Procédés
COBHAM MICROWAVE, Villebon-sur-Yvette, France
Note de l’éditeur
Cet article est la réédition actualisée de l’article E1850 intitulé « Propriétés diélectriques des
polymères » paru en 1998, rédigé par Jean-Claude DUBOIS.

1. Permittivité et indice de pertes .......................................................... E 1 850v4 - 2


1.1 Diélectrique parfait...................................................................................... — 2
1.2 Permittivité complexe................................................................................. — 3
1.3 Utilisation pratique de la permittivité relative et du facteur
de dissipation .............................................................................................. — 4
1.4 Polarisation dans les polymères................................................................ — 4
1.5 Influence de la température et de la fréquence ....................................... — 8
1.6 Influence d’autres facteurs ......................................................................... — 9
2. Résistivité .................................................................................................. — 10
2.1 Définitions.................................................................................................... — 10
2.2 Domaine des résistivités ............................................................................ — 11
2.3 Types de conductivité................................................................................. — 11
2.4 Influence de différents facteurs sur la résistivité transversale................ — 12
2.5 Résistivité superficielle ............................................................................... — 12
3. Rigidité diélectrique ............................................................................... — 13
3.1 Définition ..................................................................................................... — 13
3.2 Rigidité intrinsèque..................................................................................... — 13
3.3 Rigidité diélectrique pratique..................................................................... — 13
4. Autres propriétés importantes des polymères diélectriques ..... — 14
4.1 Stabilité thermique ..................................................................................... — 14
4.2 Résistance au feu. Sécurité ........................................................................ — 15
4.3 Résistance chimique ................................................................................... — 15
4.4 Résistance aux rayonnements ................................................................... — 15
5. Optimisation d’un polymère diélectrique......................................... — 15
5.1 Maximisation du volume libre ................................................................... — 15
5.2 Copolymérisation........................................................................................ — 16
5.3 Composites.................................................................................................. — 16
p。イオエゥッョ@Z@ェ。ョカゥ・イ@RPQV@M@d・イョゥ│イ・@カ。ャゥ、。エゥッョ@Z@ェオゥャャ・エ@RPQY

6. Applications des polymères diélectriques ....................................... — 16


6.1 Condensateurs — 16
6.2 Isolation de câbles et de lignes de transmission...................................... — 16
6.3 Connecteurs................................................................................................. — 17
6.4 Circuits imprimés ........................................................................................ — 18
6.5 Modules multichips .................................................................................... — 19
6.6 Substrats d’antennes .................................................................................. — 19
6.7 Protection et encapsulation de composants électroniques..................... — 20
7. Conclusion................................................................................................. — 20
8. Glossaire .................................................................................................... — 20
Pour en savoir plus .......................................................................................... Doc. E 1 850v4

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PROPRIÉTÉS DIÉLECTRIQUES DES POLYMÈRES ___________________________________________________________________________________________

es matériaux diélectriques traditionnels ont longtemps été des substances


L isolantes minérales (silice, alumine, …) mais les polymères organiques
sont de plus en plus utilisés du fait de leurs possibilités de mise en œuvre
(films, laminés, moulages…), de leur flexibilité, de leur faible densité et de la
grande variété de compositions leur permettant de s’adapter à des besoins
spécifiques. Les principales applications sont les films pour condensateurs, les
isolants de câbles et de connecteurs, les supports et substrats pour les circuits

Q imprimés d’interconnexion et les antennes, ainsi que les matériaux d’encapsu-


lation des composants électroniques.
Cet article a pour but de présenter les avantages et les limitations des maté-
riaux diélectriques polymères et les différentes stratégies permettant de les
optimiser pour ces applications spécifiques.
Cet article présente quelques éléments théoriques des propriétés diélec-
triques des matériaux (permittivité et facteur de pertes) et détaille les
phénomènes de polarisation propres aux matériaux macromoléculaires. Il
montre le rôle de leur structure physico-chimique sur ces propriétés, ainsi que
l’influence de la fréquence et de la température sur leur variation. Les autres
paramètres importants pour les applications électriques et électroniques (résis-
tivité, rigidité diélectrique, stabilité environnementale) sont également traités.
Les principales applications sont enfin présentées, avec les polymères diélec-
triques les plus utilisés pour chacune d’entre elles.

1. Permittivité et indice
de pertes
1.1 Diélectrique parfait
Placé dans le vide, sous tension continue U0, un condensateur
plan (figure 1a)prend une charge Q0 reliée à U0 par une loi linéaire : Vide
Q 0 = C0U 0
avec C0 capacité du condensateur dans le vide.
Si l’on isole les armatures de la source et si on remplit le
condensateur d’un matériau isolant (figure 1b), la nouvelle diffé-
rence de potentiel U qui apparaît est encore proportionnelle à Q0 :
a
Q0 = CU
avec C (> C0) capacité du condensateur rempli de diélectrique.
La permittivité relative ε du matériau est définie par la relation :
ε = C/C0
avec εε0 permittivité absolue du diélectrique,
ε0 permittivité du vide (= 8,854 × 10–12 F/m). Diélectrique
L’augmentation de la capacité (à stocker des charges) C du
condensateur par introduction d’un diélectrique s’explique par
le mécanisme de polarisation du matériau. Sous l’influence du
champ électrique appliqué, il se forme des dipôles perpendicu-
laires aux armatures. Ces dipôles neutralisent une partie des
charges vraies existant sur les surfaces métalliques (figure 1b).
La tension aux bornes du condensateur est de la forme : b

Figure 1 – Charge de surface d’un condensateur plan


avec Q0 charge vraie.

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___________________________________________________________________________________________ PROPRIÉTÉS DIÉLECTRIQUES DES POLYMÈRES

Tableau 1 – Permittivité relative


de quelques matériaux
Matériau ε Matériau ε

Air 1,02 PEEK (polyéther 3,3


ethercétone)

PTFE
[poly(tétrafluoré-
thylène)]
2,1 LCP (polymère
cristal liquide)
3-4

PP (polypropylène) 2,2 PVC (polychlorure 4,0
de vinyle)

PE (polyéthylène) 2,3 à 2,65 SiO2 (silice) 3,9 à 4,5

PS (polystyrène) 2,5 PA 66 4,6


(polyamide 66)
Figure 2 – Diagramme de Fresnel pour un condensateur contenant
ABS (acrylonitrile- 2,6 Porcelaine 6,5 un diélectrique imparfait
butadiène-stryrène)
PC (polycarbonate) 3,0 PVF (polyfluorure 8,2 à 8,5
de vinyle) complexe aux bornes du condensateur plan rempli de diélec-
PET (polyéthylène 3,0 à 3,3 PVDF 8,2 à 9,5 trique contient deux composantes :
téréphtalate) (polyfluorure
de vinylidène)
Résines acryliques 3,0 Al2O3 (alumine) 9,5 avec courant de charge,
courant de pertes d’énergie dans le diélectrique
PBT (polybutylène 3,1 H2O (eau) 78 (dues à la polarisation).
téréphtalate)
Le courant est donné par :
PPS (polysulfure de 3,2 SrTiO3 (titanate 310
phénylène) de strontium)

et par :

On peut donc dire que seule la charge Q1 = Q0 /ε, fraction de la


charge vraie Q0, contribue à créer la différence de potentiel U
entre les armatures. La charge restante q, ou charge liée : avec ω (rad/s) pulsation du courant alternatif (= 2πf)
F (Hz) fréquence
Cs (F) capacité d’un condensateur parfait (c’est-à-dire
pour lequel l’angle de phase θ = π/2)
est neutralisée par la polarisation du diélectrique. R (Ω) résistance du diélectrique réel.
Par définition, la permittivité relative du vide est égale à 1. Les R est la résistance à la fréquence f ; elle est, en général, diffé-
permittivités relatives de certains matériaux, dont les principaux rente de la résistance du diélectrique en courant continu.
polymères diélectriques, sont données dans le tableau 1. L’angle :

1.2 Permittivité complexe


Comme nous allons le voir, la polarisation est due à des méca- est appelé angle de pertes diélectriques.
nismes de déformation de la répartition des charges électriques
sous l’influence du champ électrique. Dans un champ électrique En pratique, est proportionnel à et peut être écrit :
alternatif sinusoïdal, le courant alternatif associé à la tension est
proportionnel à la capacité du condensateur. Lorsque la tension
est au maximum, le courant est nul et change de sens. Dans un
système parfait, courant et tension sont déphasés d’un quart de où :
cycle sans dissipation d’énergie. Pour un système réel, avec un ε* = ε’ – jε”
diélectrique non parfait, la polarisation ne suit pas le champ d’une
est la permittivité relative complexe.
façon instantanée. Cette relaxation diélectrique induit une perte
d’énergie. Un tel condensateur est équivalent à un circuit où il y a La partie réelle ε’ est la permittivité relative en courant alternatif
une résistance R en parallèle avec la capacité. à une fréquence et une température données ; ε” est appelé indice
de pertes (sa valeur est également fixée pour une fréquence et
Dans le diagramme de Fresnel (figure 2), le courant alternatif une température déterminées). Dans la suite, on appellera permit-
complexe résultant de l’application de la tension alternative tivité relative, ou plus simplement permittivité, le terme ε’.

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PROPRIÉTÉS DIÉLECTRIQUES DES POLYMÈRES ___________________________________________________________________________________________

La tangente de l’angle de pertes, tan δ, est donnée par : 1.4 Polarisation dans les polymères
On peut classer les polymères d’après leur structure chimique
en polymères apolaires et en polymères polaires, classification
qui déterminera les propriétés diélectriques et leur évolution en
fonction de la température et de la fréquence.
Elle est également appelée facteur de dissipation diélectrique
(sans dimension). • Les polymères apolaires sont généralement de très bons iso-


lants avec un indice de pertes faible et une permittivité quasi
constante dans un large domaine de température et de fré-
quence. Leur formule chimique ne contient que du carbone et
1.3 Utilisation pratique de la permittivité de l’hydrogène ou bien, s’ils contiennent des atomes électro-
relative et du facteur de dissipation négatifs tels que le fluor, ces atomes sont placés symétrique-
ment le long de la chaîne carbonée. À ce groupe appartiennent
Lorsque les polymères sont utilisés comme simples isolants par exemple le polyéthylène, le polypropylène, le polyisobuty-
électriques, les propriétés importantes sont principalement la lène, le polystyrène et le poly(tétrafluoréthylène).
résistivité électrique et la rigidité diélectrique définies plus loin. Il
existe cependant deux applications fondamentales où les para- • Les polymères polaires possèdent au contraire dans leurs molé-
mètres de permittivité relative et de facteur de dissipation sont cules des atomes (généralement électronégatifs tels que F, Cl,
très importants : il s’agit des diélectriques utilisés pour les O, N), qui fournissent des dipôles. Ils présentent au contraire, à
condensateurs (paire d’électrodes permettant d’emmagasiner de un degré plus ou moins grand, une permittivité et un indice de
l’énergie électrostatique) et des isolants utilisés pour les lignes de pertes élevés. C’est par exemple le cas du poly(chlorure de
transmission (paire de conducteurs permettant d’acheminer un vinyle), du poly(fluorure de vinylidène), du poly(méthacrylate
signal électrique). de méthyle), des polycondensats tels que les polyamides ou les
polyesters [poly(téréphtalate d’éthylène glycol)].
Dans les condensateurs, la permittivité relative du diélectrique
détermine la capacité du dispositif à emmagasiner de l’énergie Avec les polymères couramment utilisés, la conductivité en cou-
électrostatique. L’introduction d’un diélectrique dans un conden- rant continu est souvent faible et les dissipations d’énergie en
sateur permet donc d’augmenter la quantité d’énergie stockée courant alternatif proviennent principalement de la relaxation des
pour une tension donnée, d’autant plus que sa permittivité sera différentes polarisations.
élevée. On distingue quatre types de polarisation : électronique, atomique,
Cette énergie stockée est l’énergie potentielle électrique (en d’orientation (dite de Debye) et interfaciale. Chacune de ces polarisa-
joules) du condensateur chargé, et elle est donnée par tions contribue à la valeur de la permittivité relative et donne une
relaxation qui se traduit par un pic pour l’indice de pertes et tan δ.
W = Q 2/2C = (1/2) C U 2
Dans les lignes de transmission (lignes électriques bifilaires ou 1.4.1 Polarisation électronique
coaxiales, lignes micro-ruban ou coplanaires sur circuits imprimés
haute fréquence), la permittivité relative de l’isolant entre les Quand un champ électrique constant E est appliqué, le nuage
conducteurs détermine la vitesse de propagation du signal trans- électronique dans chaque atome est déplacé légèrement par rap-
mis. Cette vitesse est donnée par : port au noyau donnant un dipôle induit. C’est la polarisation élec-
tronique (figure 3a). Cette polarisation peut être observée jusqu’à
des fréquences optiques (1015 Hz) ; d’après les équations de
Maxwell elle donne une permittivité égale au carré de l’indice de
avec c vitesse de la lumière dans le vide. réfraction du matériau : ε’ = n2 (c’est à peu près le cas du
polyéthylène, polymère apolaire).
est aussi appelé le facteur de vélocité.
Plus la permittivité est faible, plus l’énergie traverse rapidement
le milieu et donc une ligne de longueur donnée. Pour un signal
1.4.2 Polarisation atomique
électrique RF ou Microondes, la longueur d’onde diminuant avec Considérons deux atomes liés au sein d’une molécule par une liai-
la fréquence, la longueur des lignes utilisées diminue également son de valence (figure 3b). Si l’atome noté « – » attire plus que
(on utilise souvent des structures dites quart d’onde) et la vitesse l’atome noté « + » les électrons engagés dans la liaison de valence,
de propagation devient indépendante de la permittivité. Une faible ces derniers passeront plus de temps dans le voisinage de l’atome « –
permittivité sera privilégiée aux fréquences les plus élevées afin que dans celui de « + ». Le premier semblera donc porter une charge
de permettre la réalisation de lignes plus larges et plus faciles à négative. C’est le cas des atomes électronégatifs tels que O, Cl, F. Au
fabriquer. En revanche, les matériaux de forte permittivité permet- contraire, le second semblera porter une charge positive. L’ensemble
tront la miniaturisation des circuits. des deux atomes se comporte donc comme un dipôle.
Le facteur de dissipation électrique dimensionne la puissance Si, du fait de la symétrie structurale de l’ensemble, la résultante des
absorbée par unité de volume de diélectrique Pv (W/m3). Dans un différents moments dipolaires est nulle, la molécule ne possède pas
champ électrique de valeur E (V/m) et de fréquence f (Hz) cette de moment dipolaire permanent. Mais si on la soumet à un champ
puissance est égale à : électrique, le déplacement de certains noyaux atomiques par rapport
Pv = KE 2f ε” à d’autres au sein de la molécule fait apparaître un moment dipolaire
induit µ. C’est la polarisation atomique. Les atomes ayant des masses
avec K = 2 π ε0. 103 à 104 fois plus élevées que les électrons, il en résulte que la pola-
Pour des valeurs données de E et de f, l’indice de pertes ε” doit risation atomique cessera à des fréquences du champ électrique
être maintenu aussi faible que possible pour minimiser les pertes appliqué plus faibles que celles où disparaît la polarisation électro-
d’énergie (consommation électrique ou atténuation du signal). nique. La fréquence de coupure se situe dans le domaine des fré-
Dans les condensateurs, cette perte d’énergie se traduit par un quences optiques infrarouges vers 1012 Hz.
échauffement du polymère qui peut favoriser le claquage en ten- La polarisation atomique se superpose à la polarisation électro-
sion. Il est à noter que dans certains cas cet échauffement est nique et intervient pour augmenter la permittivité relative ε’. Elle
recherché et peut être mis à profit par exemple pour transformer est 10 à 20 fois plus faible que la polarisation électronique dans
ou souder un polymère par chauffage micro-ondes. les polymères.

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___________________________________________________________________________________________ PROPRIÉTÉS DIÉLECTRIQUES DES POLYMÈRES

La première condition exige une dissymétrie structurale.

Exemple
Si on remplace un atome d’hydrogène par un atome de fluor ou de
chlore, le polymère devient polaire car la symétrie est détruite
(figure 4b). C’est le cas du poly(fluorure de vinyle) ou du poly(chlorure
de vinyle), qui ont un fort moment dipolaire permanent. Par contre, si
on remplace tous les atomes d’hydrogène par des atomes de fluor ou
de chlore, on rétablit la symétrie (figure 4c).

Le polyéthylène n’est pas polaire (figure 4a).



La seconde condition pour observer la polarisation d’orientation
est que la molécule ou le groupement atomique puisse s’orienter
dans le champ électrique. Enfin, la viscosité d’un milieu décrois-
sant lorsque la température s’élève, les fréquences limites
d’observation se trouvent augmentées.
La polarisation d’orientation joue un rôle important dans les
matériaux macromoléculaires auxquels elle confère les propriétés
suivantes :
– valeur relativement élevée de la permittivité relative ε’ >> 4 ou
5 ou même 10 dans le cas du poly(fluorure de vinylidène) ;
– forte dépendance de la constante diélectrique avec la tempéra-
ture et avec la fréquence dans le domaine des audiofréquences ou
des radiofréquences ;
– tangente de l’angle de pertes élevée (10–3 à 10–2) variant rapi-
dement avec la température et la fréquence.
Quand un champ électrique constant est appliqué, la polarisa-
tion d’orientation n’atteint pas immédiatement sa valeur maxi-
male et de même, à la coupure du champ, la polarisation décroît
au bout d’un temps τ déterminé. La polarisation s’exprime généra-
lement par une équation de la forme :
p = p0 exp(–t/τ)
interfaciale avec τ temps de relaxation.
Quand un champ électrique alternatif est appliqué, les molé-
cules ne peuvent pas basculer instantanément ; elles sont sou-
mises à des forces que Debye assimile à des forces de viscosité.
Figure 3 – Représentation schématique des quatre types Compte tenu de ces hypothèses, cette théorie conduit pour ε’ et ε”
de polarisation aux expressions suivantes :

1.4.3 Polarisation d’orientation ou de Debye


Si la résultante des différents moments dipolaires est différente
de zéro, la molécule possède un moment dipolaire permanent. Si
l’on applique un champ électrique, la molécule tend à s’orienter
dans le sens du champ. C’est le phénomène de polarisation avec εs permittivité électrique statique (f = 0),
d’orientation ou de Debye. Cette polarisation apparaît lorsqu’une ε∞ permittivité électrique à fréquence infinie,
molécule ou un groupement d’atomes possède un moment dipo-
laire permanent. Il faut de plus que la molécule ou le groupement τ temps de relaxation,
atomique puisse s’orienter dans le champ électrique (figure 3c). ω pulsation de la fréquence.

Figure 4 – Polymères polaires et apolaires

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E 1 850v4 – 5

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Polymères hétérocycliques
thermostables

par Jean-Claude DUBOIS
Directeur du groupe Chimie et Céramiques au Laboratoire Central de Recherches (LCR)
à Thomson-CSF
et Guy RABILLOUD
Directeur-adjoint de CEMOTA

1. Généralités................................................................................................. E 1 855 - 2
2. Applications des polymères hétérocycliques thermostables ..... — 3
2.1 Fibres thermostables................................................................................... — 3
2.2 Adhésifs structuraux et matrices de composites...................................... — 4
2.3 Adhésifs conducteurs.................................................................................. — 5
2.4 Films de polyimides .................................................................................... — 5
2.5 Films diélectriques intermétalliques .......................................................... — 6
2.6 Polyimides photosensibles ......................................................................... — 8
2.7 Couches d’alignement des afficheurs à cristaux liquides ........................ — 10
2.8 Autres applications...................................................................................... — 11
3. Conclusion ................................................................................................. — 11
Pour en savoir plus........................................................................................... Doc. E 1 855

ers la fin des années 50, le projet d’avion supersonique civil américain
V volant à mach 3 a été à l’origine d’une intense activité de recherche dans
le domaine des polymères thermostables. C’est en effet dans les applications
aérospatiales que le gain de poids apporté par la faible masse volumique des
polymères présente le plus d’intérêt. Le projet Apollo de la National Aeronautic
and Space Administration (NASA) a permis ensuite d’assurer une certaine
continuité dans les recherches en fédérant les travaux des groupes industriels
et des universités. Mais, depuis le début des années 80, c’est l’industrie élec-
tronique dans son ensemble qui est devenue le moteur des travaux de
recherche et développement sur ces polymères de haute technologie. Sous
forme de films, de revêtements de protection, d’adhésifs, de matrices pour la
fabrication des circuits imprimés, les polymères hétérocycliques se retrouvent
dans toutes les applications de l’électronique, depuis la fabrication des semi-
conducteurs jusqu’au système fonctionnel (radio, télévision, radar, etc.).
La stabilité thermique des matériaux macromoléculaires est beaucoup plus
faible que celle des métaux ou des composés minéraux comme le graphite, le
quartz ou les céramiques. Les polymères thermoplastiques, par exemple,
perdent leurs propriétés mécaniques lorsqu’ils sont chauffés au-dessus de leur
température de fusion pour les polymères cristallins ou de leur température de
transition vitreuse (tg) pour les polymères amorphes. Comme tous les
composés organiques, les polymères ont un comportement dynamique
vis-à-vis de la chaleur. Cela signifie que la thermostabilité se mesure non pas
en fonction de la seule température mais du couple temps-température.
p。イオエゥッョ@Z@ェオゥョ@QYYU

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POLYMÈRES HÉTÉROCYCLIQUES THERMOSTABLES ___________________________________________________________________________________________

Par convention, les polymères sont dits thermostables s’ils peuvent être uti-
lisés avec sécurité pendant :
• 30 000 heures à 200 oC ;
• 1 000 heures à 300 oC ;
• 10 heures à 400 oC ;
• ou quelques minutes à 500 oC.


La résistance thermique des matériaux organiques dépend également de
l’atmosphère dans laquelle ils doivent être utilisés. Si celle-ci est inerte (vide,
azote, gaz carbonique, etc.), la dégradation thermique est un pur phénomène
de pyrolyse et il y a rupture des chaînes macromoléculaires lorsque l’énergie
thermique apportée est suffisante pour rompre les liaisons covalentes qui
constituent l’épine dorsale du polymère. Par contre, dans l’air ou dans l’oxy-
gène, ce sont les réactions d’oxydation qui deviennent prépondérantes et elles
se produisent à une température nettement plus basse que celle qui est mesu-
rée lors de la dégradation pyrolytique.

1. Généralités — structures qui présentent une importante énergie de réso-


nance comme les composés aromatiques ;
— introduction de systèmes rigides qui peuvent s’organiser
La résistance des polymères à la chaleur et à l’oxydation est en pour donner naissance à des sites cristallins.
général mesurée au moyen de l’analyse thermogravimétrique qui Sur ces bases, il est probable que le polymère le plus thermo-
enregistre la variation de la masse d’un échantillon de polymère en stable serait le poly(para-phénylène) représenté sur la figure 2. Un
fonction de la température (analyse thermogravimétrique dyna- tel composé reste cependant utopique car, dès que le degré de poly-
mique) ou en fonction du temps à une température constante et mérisation n atteint une valeur de 5 ou 6, le produit se présente sous
dans une atmosphère contrôlée (analyse thermogravimétrique iso- la forme d’une poudre infusible et insoluble qui ressemble plus à
therme). Cette seconde technique fournit des indications sur la de la brique pilée qu’à un matériau organique.
température maximale d’utilisation car l’expérience montre que les
propriétés importantes des polymères, telles que les caractéris- Pour contourner l’impossibilité de synthétiser des macromolé-
tiques diélectriques ou les propriétés mécaniques, sont sensible- cules ne comportant que des cycles benzéniques, les chimistes ont
ment dégradées lorsque la perte de masse du matériau dépasse développé le concept de polyhétérocyclisation. Le principe général
5 %. Cette valeur est souvent prise pour référence de la durée de est de mettre au point des méthodes de polycondensation
vie utile du polymère à une température donnée. Pour illustrer les conduisant à des polymères dont la chaîne principale est formée
résultats de ce genre d’expérience, les courbes de dégradation ther- d’une alternance de composés aromatiques homocycliques et
hétérocycliques. Ces derniers sont des cycles aromatiques qui
mique dans l’air, déterminées sur des films de polyphénylquino-
contiennent des hétéroatomes tels que l’oxygène, l’azote, le soufre
xaline (Cemota IP 200  PPQ) sont représentées sur la figure 1 qui
ou, plus rarement, le phosphore. La figure 2 montre quelques
montre la thermostabilité de ces polymères : pertes de poids en
exemples de systèmes hétérocycliques qui ont été employés pour
fonction du temps pour différentes températures. Les tests élec-
créer des polymères thermostables. En fait, ce sont des centaines
triques et mécaniques effectués sur le même polymère ont confirmé
qu’il pouvait être utilisé à haute température jusqu’à ce que la perte de polymères différents qui ont été synthétisés pendant les
quarante dernières années aux États-Unis d’abord, puis en Europe
de poids atteigne une valeur de l’ordre de 5 %.
de l’Ouest, dans l’ancienne Union Soviétique et enfin au Japon.
La construction d’une macromolécule thermostable fait interve- Quatre grandes familles de polymères thermorésistants ont atteint
nir des concepts simples : un stade de production industrielle : les polyimides, les polybenzi-
— choix de liaisons covalentes ayant une forte énergie de liaison midazoles, les polyphénylquinoxalines et les polyphénylquino-
comme le lien carbone-carbone ou carbone-fluor ; léines.
(0)

Abréviations des principaux polymères hétérocycliques


BHDE diester de méthyle de l’acide 3,3’, 4,4’-benzhydroltétracarboxylique.
BPDA dianhydride de l’acide 3,3’, 4,4’-biphényltétracarboxylique.
BTDA dianhydride de l’acide 3,3’, 4,4’-benzophénonetétracarboxylique.
BTDE diester de méthyle de l’acide 3,3’, 4,4’-benzophénonetétracarboxylique.
MDA 4,4’-méthylènebisbenzèneamine (ou méthylènedianiline).
MPDA 1,3-benzènediamine (ou méta-phénylènediamine).
NE monoester de méthyle de l’acide 5-norbornène-2,3-dicarboxylique.
NMP N-méthylpyrrolidone.
ODA 4,4’-oxybisbenzèneamine (ou oxydianiline).
OPDA dianhydride de l’acide 4,4’-oxybis(1,2-benzènedicarboxylique).
PMDA dianhydride de l’acide 1,2,4,5-benzènetétracarboxylique ou dianhydride pyromellitique.
PPDA 1,4-benzènediamine (ou para-phénylènediamine).
6FDA dianhydride de l’acide 4,4’-[2,2,2-trifluoro-1-(trifluorométhyl)éthylidène]bis(1,2-benzènedicarboxylique).

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__________________________________________________________________________________________ POLYMÈRES HÉTÉROCYCLIQUES THERMOSTABLES

base cités dans l’index bibliographique, les premiers [1] [2] [3] [4]
[5] traitent des polymères hétérocycliques dans leur ensemble ou
d’une famille de polymères particuliers, alors que les autres [6] à [14]
décrivent les applications des polymères dans les divers domaines
des technologies avancées.

2. Applications des polymères


hétérocycliques thermostables Q
Comparés aux autres polymères de spécialité, les macromolécules
hétérocycliques sont des matières premières onéreuses dont la syn-
thèse est souvent délicate et la mise en œuvre relativement
complexe. Elles sont donc réservées aux applications dans le
domaine des technologies avancées comme l’électronique, l’indus-
trie aérospatiale, les membranes de séparation gazeuse, etc. Comme
Figure 1 – Analyse thermogravimétrique isotherme dans l’air tous les autres polymères, elles peuvent être mises en œuvre sous
d’une polyphénylquinoxaline (d’après Cemota IP 200 ® PPQ) forme d’adhésifs, de matrices de composites, d’objets moulés, de
matériaux cellulaires, de fibres et de films. Dans les paragraphes qui
suivent, les polymères utilisés dans ces diverses applications sont
souvent représentés par une nomenclature abrégée, telle que PMDA-
ODA, qui fait référence aux réactifs de départ et aux polymères qui
en dérivent. La correspondance entre le nom chimique des produits
et l’écriture abrégée est donnée dans le tableau des abréviations.

2.1 Fibres thermostables

Les nouveaux polymères hétérocycliques rigides ont été consi-


dérés comme des candidats de choix pour le remplacement des
fibres minérales parce que l’ensemble fibre organique/matrice orga-
nique pouvait donner des matériaux plus homogènes que le sys-
tème matrice organique/fibre minérale. En fait, ce sont les fibres
organiques de type polyamides ou polyesters aromatiques, bien
plus simples à fabriquer et beaucoup moins onéreuses, qui ont
occupé ce créneau. Pour l’instant, seules les fibres de polybenzimi-
dazole ont trouvé un marché dans le remplacement de l’amiante
pour les matériaux de résistance antifeu. Le marché de ces fibres
reste cependant très marginal en comparaison de celui des autres
fibres à haut module mécanique comme le Kevlar , le Nomex  ou
les polymères cristaux liquides. En 1972, Celanese (aujourd’hui
Hoechst-Celanese) prévoyait un marché d’environ 9 000 tonnes de
fibres de polybenzimidazoles dans la décennie suivante. On est
actuellement très loin de cette prévision et les fibres de polymères
hétérocycliques restent réservées à des applications où l’ensemble
de leurs propriétés les rend irremplaçables. (0)

Figure 2 – Exemples de structures aromatiques

2.2 Adhésifs structuraux


Il est possible de classer les polymères hétérocycliques soit par et matrices de composites
leur forme chimique, polymères linéaires pseudo-thermoplastiques
ou oligomères thermodurcissables, soit par les types d’applications.
Dans ce chapitre, on examine quelle famille de polymères est la plus Ces deux applications sont réunies dans un même paragraphe car
appropriée pour une application donnée : adhésif, matrice de les polymères qui sont à la base des compositions adhésives sont
composite, film ou revêtement de protection. On retrouve cette souvent utilisés pour fabriquer les matériaux composites. Les adhé-
double façon de décrire les polymères thermostables dans les nom- sifs structuraux capables de résister en service continu à des tem-
breux ouvrages qui traitent du sujet. Parmi les quelques livres de pératures comprises entre 250 et 300 oC sont peu nombreux. À

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Polymères conjugués et
électronique organique

par André-Jean ATTIAS
Professeur
Institut Parisien de Chimie Moléculaire, Sorbonne Universités – Université Pierre et Marie
Curie, CNRS UMR 8232, Paris, France
Cet article est la réédition actualisée de l’article [E 1 862] intitulé « Polymères conjugués et
polymères conducteurs électroniques » paru en 2002, rédigé par André-Jean ATTIAS.

1. Évolution de la recherche.............................................................. E 1 862v2 – 3


2. Physique des polymères conjugués et composants................. — 6
2.1 Rôle des électrons p dans les polymères conjugués ........................ — 6
2.2 Composés conjugués – Électrons p .................................................... — 6
2.2.1 Molécules conjuguées ............................................................. — 7
2.2.2 Polymères conjugués .............................................................. — 7
2.3 Influence de la longueur de conjugaison et notion de structure
de bandes ........................................................................................... — 8
2.4 Génération des charges –Dopage ...................................................... — 8
2.5 Polymères conducteurs– Dopage chimique et conduction
électrique ............................................................................................ — 10
2.5.1 Dopage chimique ..................................................................... — 10
2.5.2 Porteurs de charge libre .......................................................... — 10
2.5.3 Mise en évidence du dopage .................................................. — 12
2.5.4 Mécanismes de conduction..................................................... — 12
2.5.5 Bilan ......................................................................................... — 14
2.6 Injection de charges à l’interface métal/ semi-conducteur
organique : diodes électroluminescentes ......................................... — 14
2.6.1 Polymères conjugués .............................................................. — 14
2.6.2 Petites molécules conjuguées ................................................. — 15
2.7 Création de charges par photo-excitation : cellules
photovoltaı̈ques .................................................................................. — 15
3. Chimie des polymères conjugués ................................................ — 16
3.1 Rôle de la synthèse ............................................................................ — 16
3.2 Choix des monomères ....................................................................... — 19
3.3 Synthèse des polymères conjugués .................................................. — 19
3.3.1 Synthèse des polymères conjugués de 1re génération .......... — 19
3.3.2 Synthèse des polymères conjugués de 2e génération ........... — 20
3.3.3 Synthèse des polymères conjugués de 3e génération ........... — 22
3.4 Autres tendances ................................................................................ — 22
4. Bilan ................................................................................................... — 22
5. Glossaire ........................................................................................... — 24
6. Sigles ................................................................................................. — 24
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. E 1 862v2

es matières plastiques, à la différence des métaux, sont réputées ne pas


L conduire le courant. De fait, elles sont utilisées pour isoler les fils de cuivre
des câbles électriques ordinaires.
Vers la fin des années 1970, A.J. Heeger, A.G. MacDiarmid et H. Shirakawa, lau-
réats du prix Nobel de Chimie de l’année 2000, ont montré qu’après certaines
modifications, un plastique peut devenir conducteur de l’électricité, c’est-à-dire
« métal synthétique ». Pour ce faire, le polymère doit être conjugué. Pour cela la
chaı̂ne principale du polymère doit comporter alternativement des liaisons simples
p。イオエゥッョ@Z@ュ。ゥ@RPQW

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POLYMÈRES CONJUGUÉS ET ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

et multiples ; de plus, il doit être « dopé », ce qui consiste à enlever des électrons
(par oxydation) ou à en ajouter (par réduction). Ces manques d’électrons (appelés
habituellement "trous") ou ces électrons supplémentaires constituent des porteurs
de charge qui peuvent se déplacer le long de la chaı̂ne polymère qui devient ainsi
conductrice d’électricité.
À la suite des travaux pionniers sur le polyacétylène (1977), les recherches ont
porté sur le développement de nouvelles familles de polymères conducteurs


électroniques stables à l’air, avec pour objectif l’accroissement de la conducti-
vité de ces matériaux, obtenus sous forme de films ou poudres noirs et insolu-
bles essentiellement. Les recherches se sont focalisées :
– d’une part, sur l’ingénierie et la synthèse de ces polymères de façon à en
contrôler les propriétés électriques, optiques, et la mise en œuvre ;
– d’autre part, sur la compréhension des mécanismes de transport dans les
polymères conjugués au sens large.
Parmi ces polymères conducteurs, seuls ceux issus de la famille du poly
(3,4-éthylènedioxythiophène) (PEDOT) trouvent à ce jour des applications en
électronique organique soit comme couche pour l’injection de trous au sein
de composants, soit comme couche active pour l’électrochromisme
organique.
À partir de 1990, de nouveaux domaines d’applications sont apparus,
comme la possibilité d’utiliser les oligomères ou polymères conjugués
dans leur état non dopé (semi-conducteur) comme couche active au sein
de composants pour l’électronique organique : diodes électroluminescentes
organiques (acronymes OLED ou PLED en anglais pour organic light emitting
diode ou polymer light emitting diode, respectivement), transistors organi-
ques à effet de champ (acronymes OFET ou PFET en anglais pour organic
field effect transistor ou polymer field effect transistor, respectivement), cel-
lules photovoltaı̈ques organiques, ou encore lasers organiques pompés
électriquement.
A.J. Heeger, A.G. MacDiarmid et H. Shirakawa ont fait des polymères conju-
gués et des matériaux organiques conjugués de façon plus générale (petites
molécules et polymères) un champ de recherche majeur pour les chimistes
comme pour les physiciens et les technologues. Ces matériaux sont à l’origine
d’une activité scientifique intense, aussi bien au niveau fondamental qu’au
niveau des applications. Les matériaux conjugués sont à ce jour présents dans
notre environnement quotidien comme couche active au sein des dispositifs
d’affichage (écrans de téléphone portable, de tablette, de télévision) et d’éclai-
rage utilisant la technologie OLED.
Cet article présente tout d’abord l’évolution des centres d’intérêts et les orien-
tations de la recherche dans le domaine des polymères conjugués au cours de
ces dernières années au travers d’un bref historique.
Puis, dans un premier volet consacré à une approche des phénomènes
physiques mis en jeu, le rôle des électrons p dans les systèmes conjugués est
rappelé. La description des états d’énergie des polymères conjugués, en termes
de structure de bandes qui en résulte, permet de les classer comme des
semi-conducteurs organiques : ceci signifie qu’il est possible d’y générer des
espèces chargées (par dopage, injection de charges, photo-excitation). Ces por-
teurs de charges, les mécanismes de conduction à l’origine des propriétés de
transport de ces entités dans les polymères conjugués, et les applications en
fonction du mode de génération des charges sont présentés.
Enfin, dans un second volet consacré à la chimie de ces matériaux, les gran-
des tendances en termes de synthèse (méthodes, choix des monomères) sont
décrites et les nouvelles approches dans le domaine de l’ingénierie des maté-
riaux conjugués sont dégagées.
Cet article constitue un complément et une actualisation de l’article Polymè-
res conducteurs [E 1 860] du même traité.
Un glossaire et un tableau des sigles utilisés sont présentés en fin d’article.

E 1 862v2 – 2 Copyright © - Techniques de l’Ingénieur - Tous droits réservés

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– POLYMÈRES CONJUGUÉS ET ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE

1. Évolution de la recherche Suivant la nature chimique du monomère (thiophène, aniline,


pyrrole…) et le mode de synthèse choisi, il sera possible d’obtenir
le polymère directement sous la forme non dopée (neutre), ou
directement sous la forme dopée (conductrice).
Depuis les travaux en 1977 de A.J. Heeger, A.G. MacDiarmid et Le dopage chimique est réalisé :
H. Shirakawa à l’Université de Pennsylvanie [1] [2], les polymères
organiques p-conjugués font l’objet de recherches intensives – soit par des réactions d’oxydo-réduction pour tous les polymè-
(figure 1) [3] [4]. Ces auteurs ont montré qu’il est possible d’accroı̂- res conjugués ;
– soit par des réactions acide-base dans le cas de la polyaniline,


tre de plusieurs ordres de grandeur la conductivité électrique du
trans-polyacétylène, – polymère conjugué unidimensionnel modèle ces deux processus devant être réversibles.
– (de 10-5 à 103 S.cm-1) (figure 1a) en le « dopant ». À cette époque,
Le taux de dopage d est généralement de l’ordre de 10 à 30 % en
on parlait de dopage chimique.
moles ; ce qui signifie que l’on peut insérer un dopant pour 10 voire
3 unités monomères. Ce sont les charges électriques apparues sur
Qualitativement, le dopage chimique consiste à : la chaı̂ne – ou plus exactement les porteurs de charge libres
(« trous » ou électrons) – qui sont à l’origine des propriétés conduc-
– d’une part, extraire des électrons de la chaı̂ne polymère (par trices du polymère. Des conductivités de l’ordre de 103 S/cm, voire
oxydation) ou à injecter des électrons dans la chaı̂ne polymère 106 S/cm (figure 3), ont pu être atteintes : le polymère est devenu
(par réduction) ; conducteur électronique intrinsèque, c’est-à-dire capable d’être le
– d’autre part, introduire au voisinage de celle-ci des contre- siège d’un mouvement de charges au sein même de sa structure
ions – appelés dopants – de façon à assurer l’électroneutralité.
(par opposition aux polymères conducteurs ioniques d’une part,
Le polymère est donc transformé en un sel constitué de la chargés avec des charges conductrices d’autre part [E 1 860]).
chaı̂ne polymère chargée (positivement ou négativement) et
des contre-ions (figure 2). À la suite du polyacétylène, de nombreux polymères conduc-
teurs électroniques (et leurs dérivés) ont été étudiés [3][4]

a chaînes carbonées linéaires c chaînes alternant des (hétéro)cycles et des doubles liaisons :
R1

n trans-polyacétylène (PA)
polyphénylène vinylène (et dérivés)(PPV)
n
R1
R2
R1 n
polydiacétylène R
R2
R2
polyhétéroarylène vinylène (et dérivés)
X

n
b chaînes contenant des (hétéro)cycles aromatiques X atome substituant un atome de carbone

R1 d polyaniline (PANI) (différentes formes)


H H
polyparaphénylène (et dérivés) (PPP)
n
N N
R2
N N n

H H leucoéméraldine base (isolant)


polypyrrole (PPy)
N n H H
H
N N
+ +
R
A– A–
polythiophène (et dérivés) (PT) N N
n
S n
H H éméraldine sel (conducteur)

O O N N
polyéthylène dioxythiophène (PEDOT)

N N n
S n

A– : anion éméraldine base (isolant)

Figure 1 – Structures de quelques polymères conjugués de la 1ère génération

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POLYMÈRES CONJUGUÉS ET ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

A–
A–
A–

A–

Q A–
A–
A–
A–
A–
A–
A–
A–
A– A–
A–
A–

b A– A–

S S S S S S
S n S S n
S

– n δ e– + n δ A–
c
Dopage δ+

n , δ A–
n
S Dédopage S
+ n δ e– – n δ A–

Figure 2 – Représentations de la réaction d’oxydo-réduction réversible de dopage – dédopage chimique du polythiophène

(figures 1b, 1c, 1d) : polyparaphénylène, polypyrrole, polythio-


Conductivité phène, polyaniline…
Matériaux (S/cm) Polymères
inorganiques organiques Au cours des années 80-90, les efforts de recherche ont porté
d’une part sur la compréhension des mécanismes de conduc-
Cu, Ag 106
tion [5], d’autre part sur la synthèse chimique en vue d’accroı̂tre la
conductivité, de faciliter la mise en œuvre (solubilité en particulier)
PA dopé
104 conducteurs et d’améliorer la tenue au vieillissement de ces composés. De nom-
PPy, PT, PANI dopés breux travaux furent aussi menés autour des applications potentiel-
Si dopé les des polymères conducteurs, comme les textiles conducteurs, la
102
galvanoplastie sur supports isolants, les mélanges ou composites
polymères conducteurs/polymères isolants, la protection antista-
100
semi-conducteurs tique de films photographiques [6].
10–2 Cependant, le développement capital dans la recherche sur les
Si pur
polymères p-conjugués a été la mise en évidence des propriétés
10–4 d’électroluminescence du poly(p-phénylènevinylène) (PPV), dans
PA neutre l’état non dopé (semi-conducteur), par R. Friend et ses collabora-
10–6
teurs à l’Université de Cambridge en 1990 [7].
PT neutre
10–8 Si les premières études sur l’électroluminescence organique
datent du début des années 1960, un regain d’intérêt est apparu
10–10 PPP, PPV en 1987 lorsque Tang et Van Slyke d’Eastman Kodak ont démontré
qu’il est possible d’obtenir une émission intense de lumière sous
Si O2 10 –12
isolants faible tension au sein d’une diode bicouche (une couche injectrice
polystyrène
de trous, une couche émettrice) réalisée par évaporation de petites
10–14 polyéthylène molécules organiques [8]. Toutefois, c’est la découverte de l’élec-
troluminescence dans le PPV qui a constitué l’étape décisive dans
le développement des diodes électroluminescentes organiques
Pour le développé et les formules chimiques correspondant aux (DELO, en français ; OLED en anglais) (figure 4a). Il est ainsi pos-
abréviations utilisées, consulter la figure 1. sible d’obtenir la (les) couche(s) active(s) soit par évaporation de
petites molécules, soit par centrifugation (spin-coating) de solu-
Figure 3 – Ordres de grandeur de la conductivité des principaux tions de polymères ; quelle que soit la nature de la couche orga-
polymères conjugués à l’état neutre et dopé nique, les étapes sont analogues.

E 1 862v2 – 4 Copyright © - Techniques de l’Ingénieur - Tous droits réservés

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– POLYMÈRES CONJUGUÉS ET ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE

La figure 4b schématise le principe de fonctionnement d’une matériaux conjugués, ont également été mises à profit pour réali-
diode électroluminescente monocouche, à base, dans le cas pré- ser, par exemple, des transistors à effet de champ organique [10]
sent, d’un polymère conjugué semi-conducteur et photolumines- (figures 5 et 6) ou des photodiodes pour la conversion photovol
cent comme matériau actif :
– des trous (1) et des électrons (2) sont injectés respectivement
par les électrodes opposées créant des espèces chargées ; semi-conducteur
– ces porteurs de charges (3) migrent à travers le film (d’une organique (molécule
épaisseur de 100 nm) sous l’action du champ électrique appliqué ; ou polymère conjugué)
– la recombinaison des porteurs de charges opposées (4) génère isolant


source drain
un état excité neutre appelé exciton ;
grille
– lorsque l’exciton est dans un état singulet, il y a émission d’un substrat
photon (5).
L’anode transparente consiste en un substrat transparent (verre Fonctionnement
ou polymère dans le cas d’un composant flexible) recouvert d’un Le transistor à effet de champ en couche mince est composé
conducteur transparent à grand travail de sortie, l’oxyde d’indium d’un semi-conducteur (SC) mince muni de deux électrodes :
la source et le drain. Une troisième électrode, la grille, est
et d’étain (ITO : Indium Tin Oxyde). La cathode est le plus souvent
séparée du semi-conducteur par un isolant. Lorsque l’on
un métal à faible travail de sortie. polarise le drain (la source étant à la masse), un courant
Un grand nombre de travaux [9] ont suivi afin de : passe au travers du semi-conducteur. Ce courant est très faible
à cause de la forte résistivité du semi-conducteur et de sa faible
– comprendre les phénomènes mis en jeu dans le processus épaisseur. Si l’on applique une tension à la grille, on charge
d’électroluminescence de tels matériaux (mécanismes d’injection, le condensateur formé par la source, la grille et l’isolant. Dans
de transport et de recombinaison des charges) ; la mesure où cette électrode est injectrice, les charges accumu-
– proposer des architectures plus complexes pour améliorer le lées à la source passent dans le semi-conducteur et y créent
rendement de la diode électroluminescente ; une couche conductrice, dite couche d’accumulation. Ainsi,
– définir des stratégies de synthèse, ainsi que des architectures la modulation de la tension de grille module le courant entre
de polymères (oligomères) p-conjugués, en vue de régler la lon- source et drain.
gueur d’onde d’émission, contrôler les propriétés de transport des
charges, obtenir un rendement de fluorescence élevé à l’état solide, Figure 5 – Schéma d’un transistor à effet de champ organique
autoriser une mise en œuvre aisée, etc.
L’importance de cette découverte a ouvert depuis les années 90
a VG = 0
un nouveau champ, l’électronique organique. Ainsi, les propriétés
semi-conductrices des polymères conjugués, et plus généralement VD = 0
LUMO
Canal Canal
de type n HOMO de type p
a structure d’une diode électroluminescente OLED
à base d’un polymère conjugué
Poly(p-phénylènevinylène)
source Semi- drain
R
conducteur
Aluminium, magnésium organique VG < 0
n ou calcium b VG > 0 c
R Accumulations
Accumulations
VD = 0 de trous VD = 0
d’électrons
ITO Circuit externe

Substrat de verre

b différentes étapes du fonctionnemeny d’une OLED


Transport
Émission d’un photon d d’électrons e
(5) VD < 0

Recombinaison VD > 0
Injection
(4) Injection
des trous
des électrons
(1) (2) VG < 0

Transport VG > 0 Transport


de trous
(3)
Anode Matériau organique luminescent Cathode

100 nm HOMO : orbitale moléculaire occupée de plus haute énergie


LUMO : orbitale moléculaire inoccupée de plus basse énergie
Figure 4 – Diode électroluminescente organique de 1ère génération
monocouche à base d’un polymère conjugué et différentes étapes Figure 6 – Principe de fonctionnement d’un transistor organique
de son fonctionnement à effet de champ (d’après [11])

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RU
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POLYMÈRES CONJUGUÉS ET ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

taı̈que [12] (figure 7a).


a structure d’une cellule photovoltaïque
L’ensemble des recherches actuelles vise à réaliser une électro-
cathode métallique (AI) substrat transparent
nique souple, à bas coût, mise en œuvre par des méthodes d’impres-
sion. Les matériaux clés sont les semi-conducteurs organiques. Il
s’agit de matériaux conjugués de façon générale, qu’ils soient petites matériaux conjugués
molécules ou polymères. Chaque classe de matériaux trouve des électro-donneur lumière
et -accepteur
applications liées au mode de mise en œuvre pour réaliser un com- PEDOT:PSS
posant (par évaporation pour les petites molécules et dépôt par voie anode transparente (ITO)


humide pour les polymères), à la complexité de l’architecture du anode
h+
composant, aux performances des matériaux, aux processus physi-
ques impliqués pour le fonctionnement du composant… hétérojonction
e– planaire
cathode

L’électronique organique imprimée flexible permet de réaliser anode


h+
des dispositifs sur grande surface, en mettant en œuvre par des
procédés de l’imprimerie, sur des substrats souples, sous forme hétérojonction
e– volumique
d’encres fonctionnelles, des conducteurs organiques et inorga- cathode
niques, des diélectriques, des semi-conducteurs organiques.
Ces derniers permettent de réaliser les couches actives pour les b structure des composés utilisés
et principe du transfert d’électron photon
diodes électroluminescentes, les transistors et les cellules solai-
photo-induit entre le polymère hv
res ainsi que pour l’injection et le transport des électrons et des conjugué semi-conducteur et le C60 RO
trous. Les technologies de production sont les techniques rou- OR
leau à rouleau roll-to-roll (R2R), procédé en continu, ou feuille RO
à feuille sheet to sheet, procédé en discontinu. Les méthodes OR e–
de dépôt les plus courantes sont la sérigraphie, la flexographie, RO
l’offset lithographie, la gravure, le jet d’encre. OR
RO
OR C60

2. Physique des polymères


conjugués et composants c représentation dans un diagramme de structure de bandes
du transfert d’électron photo-induit entre le polymère conjugué
semi-conducteur (donneur) et le C60 (accepteur)
e–
2.1 Rôle des électrons p bande
de conduction photon
dans les polymères conjugués LUMO LUMO
cathode

La conduction électronique dans le cas des polymères conduc-


teurs, et le transport des charges de façon générale, nécessitent bande hv
anode

au préalable la possibilité de création de porteurs de charge libres. de valence


HOMO h+ HOMO
Au niveau moléculaire, ceci implique une ionisation facile, soit par polymère semi-conducteur C60
éjection des électrons des plus hauts niveaux électroniques occupés donneur accepteur
de la molécule (HOMO ou High Occupied Molecular Orbitals), soit LUMO : orbitale moléculaire inoccupée de plus basse énergie
par capture d’électrons dans les plus bas niveaux électroniques inoc- HOMO : orbitale moléculaire occupée de plus haute énergie
cupés (LUMO ou Lowest Unoccupied Molecular Orbitals). Cette
extraction ou injection de charges est particulièrement aisée dans le Figure 7 – Photogénération de courant au sein d’une cellule solaire
cas des composés disposant d’un système d’électrons p délocalisés, organique à base d’un polymère conjugué (donneur) et le fullerène
c’est-à-dire de composés possédant une structure conjuguée. (C60) (accepteur) [12]

des doubles liaisons carbone-carbone. Leur faible recouvrement


2.2 Composés conjugués–Électrons p explique la faible différence énergétique HOMO-LUMO, et la facile
La configuration électronique de l’atome de carbone est 1s2 2s2 2p2, oxydation/réduction explicitée plus haut.
avec deux électrons non appariés dans les deux orbitales atomi-  Chaque orbitale atomique sp2 pointe vers l’atome voisin et par
ques 2p précédentes, la troisième orbitale atomique 2p étant non recouvrement avec une orbitale atomique de ce dernier formera
occupée. Afin de réaliser des liaisons covalentes avec d’autres tomes, une liaison covalente. Le doublet électronique est commun aux
ces orbitales atomiques peuvent se combiner (hybridation) pour for- deux atomes : il s’agit d’électrons s, peu mobiles. Ces liaisons
mer de nouvelles orbitales hybrides. Les fonctions d’onde de ces élec- constitueront le squelette plan saturé de la molécule.
trons donnent alors lieu à trois types d’hybridation sp3, sp2, sp.
 Quant aux orbitales atomiques 2pz – une sur chaque carbone,
& Soit l’orbitale 2s s’hybride avec chacune des trois orbitales 2p de orientées parallèlement et contenant chacune un électron non appa-
manière à engendrer quatre orbitales équivalentes sp3 dont la rié –, elles se recouvrent latéralement pour donner une orbitale molé-
symétrie est tétraédrique, chaque orbitale contenant un électron. culaire liante p et une orbitale moléculaire antiliante p*, créant ainsi
C’est cette hybridation sp3 qui rend compte de la configuration une liaison p. Le doublet d’électrons partagés (électrons p) est placé
des composés carbonés tétraédriques (CH4, CCl4, CH3-CH3…). Cette dans l’orbitale moléculaire liante car elle est de plus basse énergie.
hybridation conduit donc à une structure tridimensionnelle.
La double liaison est donc constituée d’une liaison s et d’une liai-
& Soit la combinaison des orbitales se limite à l’orbitale 2s et à deux son p. Notons qu’une simple liaison est plus longue (0,154 nm)
des trois orbitales 2p (2px, 2py), qui deviennent trois orbitales atomi- qu’une double liaison (0,134 nm). Cette hybridation engendre des
ques hybrides sp2 coplanaires et formant un angle de 120 entre molécules planes (structure 2D).
elles (figure 8a). La troisième orbitale atomique 2pz reste inchangée :
elle est perpendiculaire au plan précédent et occupée par un seul & Enfin, si l’on combine la fonction d’onde 2s avec l’une des fonc-
électron (figure 8a). C’est cette hybridation sp2 qui est à l’origine tions d’onde 2p, on obtient deux nouvelles orbitales hybrides sp

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RV
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TPE et TPV dans les applications


high-tech
par Michel BIRON

ingénieur de l’Institut national supérieur de chimie industrielle de Rouen (INSCIR)
et de l’Institut français du caoutchouc (IFC)
Consultant, France

1. Applications high-tech ........................................................................ AM 3 402 - 2


1.1 Conception ................................................................................................ — 2
1.2 Principaux TPE et TPV disponibles ......................................................... — 3
2. Méthodes de transformation traditionnelles ou innovantes .... — 10
2.1 Méthodes de base .................................................................................... — 10
2.2 Cotransformation pour l’optimisation des fonctions et des coûts — 12
3. Secteurs de pénétration des applications high-tech .................. — 12
3.1 TPE pour l’automobile.............................................................................. — 12
3.2 TPE pour la recherche pétrolière............................................................. — 15
3.3 TPE pour le médical.................................................................................. — 15
3.4 TPE ignifugés sans halogène pour l’électricité et l’électronique .......... — 16
3.5 TPE conducteurs électriques ................................................................... — 17
3.6 TPE conducteurs thermiques................................................................... — 18
3.7 Encapsulants pour le photovoltaïque ..................................................... — 18
3.8 TPE pour le BTP ........................................................................................ — 18
3.9 TPE barrière et super-barrière ................................................................. — 20
3.10 Revêtements de protection en TPU pour gaines et câbles ................... — 20
3.11 HSBC en concurrence avec les caoutchoucs de silicone....................... — 21
3.12 TPU pour composites hautes et très hautes performances .................. — 21
3.13 Membranes séparatrices Nexar® de KratonPolymers — 21
4. Conclusion .............................................................................................. — 22
Pour en savoir plus .......................................................................................... Doc. AM 3 402

ntre les thermoplastiques, à mise en œuvre aisée mais à propriétés élas-


E tiques restreintes, et les élastomères, aux propriétés élastiques
remarquables mais à mise en œuvre plus complexe, les élastomères thermo-
plastiques TPE (ThermoPlastic Elastomer) et TPV si la phase élastomère est
vulcanisable constituent une famille de matériaux relativement récents (appari-
tion du concept dans les années 1960). Leur structure hétérogène constituée de
domaines souples et rigides les situe à mi-chemin entre les caoutchoucs ou
élastomères réticulés irréversiblement pour leur élasticité et les thermoplasti-
ques plus faciles à mettre en œuvre.
D’abord cantonnés dans des applications courantes, ils se diversifient et
investissent progressivement des marchés de haute technologie soit en rem-
placement de caoutchoucs conventionnels réticulés, soit en valorisant leurs
propriétés spécifiques.
De nouvelles familles, souvent dénommées super-TPE et super-TPV, gardent
les avantages fondamentaux des TPE et TPV et permettent la fabrication sur
des équipements classiques pour thermoplastiques avec des débits beaucoup
plus importants que ceux atteints avec les caoutchoucs vulcanisés convention-
p。イオエゥッョ@Z@。カイゥャ@RPQT

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RW
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TPE ET TPV DANS LES APPLICATIONS HIGH-TECH _________________________________________________________________________________________

nels. Ils offrent en plus, les avantages d’élastomères vulcanisés de haute


performance (par exemple les EVM, les caoutchoucs acryliques, les silicones,
les caoutchoucs fluorés) et ceux de plastiques d’ingénierie (par exemple, les
copolyesters, les polyamides, les polymères fluorés et les autres plastiques
techniques). Généralement conçus pour résister à une exposition prolongée à
la chaleur et à des environnements agressifs, ils se situent entre les plastiques
techniques et les caoutchoucs spéciaux.
Q Cependant, il faut être conscient que les super-TPE ne peuvent pas encore
remplacer tous les caoutchoucs vulcanisables dans toutes les applications. Les
pneumatiques pour l’automobile, par exemple, ne font pas partie de leur
domaine d’utilisation. Il n’y a pas de frontière nette entre TPE et super-TPE,
certains copolyesters et polyéther bloc amides pouvant être classés dans les
super-TPE. Des grades spéciaux de TPE d’usage général et d’ingénierie sont
traités pour des applications particulières comme le médical.
Les marchés sont aussi divers que l’automobile, le médical, l’électricité et
l’électronique, l’exploitation pétrolière, le BTP, le traitement des eaux, le photo-
voltaïque mettant à profit les propriétés thermomécaniques, l’imperméabilité
aux gaz, la pureté, la résistance chimique et les capacités d’échange d’ions.
Dans cet article, nous traitons successivement de différents exemples qui
illustrent l’intérêt et parfois l’obligation de se tourner vers des solutions glo-
bales concept/matière/process.
Se reporter également aux articles [AM3400] « Concept, propriétés de base,
monographies des TPE d’usage général » et [AM3401] « TPE d’ingénierie, bio-
TPE, développement durable. Pour réussir ».

1. Applications high-tech
Les TPE et TPV sont des produits de spécialité représentant
approximativement 1 % des matières plastiques. En conséquence, Repenser
fonctionnalités
les prix sont relativement élevés. D’un point de vue technique, les
propriétés sont différentes de celles des caoutchoucs réticulables
d’une part et des matières plastiques d’autre part. L’expérience
Intégrer Revoir
prouve que pour réussir dans le remplacement de pièces existan- fonctions conception
tes ou pour conquérir de nouveaux marchés, il faut repenser com-
plètement les problèmes et rechercher de nouvelles solutions
d’ensemble (figure 1) exploitant les avantages des TPE et minimi-
sant leurs limitations. Solution
globale

1.1 Conception
Ce paragraphe a pour seul but de présenter quelques exemples Choix Choix
des possibilités d’exploitation des spécificités des TPE et ne consti- procédé du TPE
tue pas un catalogue de règles à respecter.
Parmi d’autres avantages :
Redessiner
– le choix de grades plus rigides et de masses spécifiques infé- la pièce
rieures à celles des élastomères vulcanisés peut conduire à la
réduction des épaisseurs travaillantes et des poids des pièces ;
– la simplification des formulations et la réduction des étapes de
mise en œuvre entraînent souvent un resserrement des plages de
dispersion des propriétés, notamment de fatigue dynamique, ainsi Figure 1 – Recherche d’une solution globale pour une nouvelle appli-
cation
qu’une meilleure reproductibilité des propriétés entre livraisons
successives. Cela permet de diminuer le niveau moyen des carac-
téristiques sans altérer le minimum des exigences ;
– l’internationalisation des homologations et l’internationalisa- d’autant plus importants que les contraintes, déformations et tem-
tion des grades facilitent ou suppriment la transposition internatio- pératures s’élèvent ;
nale des fabrications. – aux coûts d’outillage qui peuvent dépasser ceux des élastomè-
Par contre, il faut prendre garde : res réticulés dans des rapports parfois élevés.
– à la persistance du comportement thermoplastique amplifié Quelques exemples illustrent les possibilités d’exploitation des
par la température. Les risques de fluage et/ou de relaxation sont propriétés des TPE et de leurs procédés de mise en œuvre aboutis-

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_________________________________________________________________________________________ TPE ET TPV DANS LES APPLICATIONS HIGH-TECH

sant à des cycles innovants choix du TPE/conception/mise en 1.2 Principaux TPE et TPV disponibles
œuvre/application.
Les élastomères thermoplastiques (tableau 1) comprennent à la
Soufflets d’étanchéité pour l’automobile fois des produits doués de propriétés courantes (SBS et TPO par
exemple) et des produits à caractéristiques techniques plus parti-
Suivant leurs fonctions et le degré d’exigence envisagé, bien des culières (COPE et PEBA, par exemple). Plus récemment sont appa-
familles de TPE peuvent être choisies. Mais dans tous les cas, pour rues de nouvelles familles présentant une ou plusieurs propriétés
passer des élastomères vulcanisés aux TPE, la conception des souf-


particulièrement performantes. Elles sont souvent regroupées sous
flets doit être revue profondément de façon à profiter pleinement des l’appellation générale de super-TPE.
propriétés des nouveaux matériaux tout en améliorant les durées de
vie et en compensant le coût matière. Par exemple : Les applications high-tech vont exploiter la quasi-totalité des
familles de TPE, mettant à profit :
– les épaisseurs peuvent être réduites par le choix de modules plus
élevés que celui des caoutchoucs réticulés permettant, à forme et – des propriétés communes à bien des TPE telles que la simpli-
contrainte équivalentes, la réduction des déformations maximales cité des formulations, l’absence de plastifiants ;
subies par les fibres externes en sommet d’arêtes. La longévité est – des propriétés particulières des TPE d’ingénierie et des super-
ainsi améliorée et le poids est bien sûr réduit ; TPE.
– des formes très arrondies des sommets des circonvolutions peu-
vent être adoptée ;
– une longueur hors tout après moulage correspondant à la lon- Tableau 1 – Principales familles de TPE
gueur maximale d’extension en service peut être adoptée, ce qui per-
met de travailler en compression au lieu de traction qui pénalise la Sigle
Polymères
durée de vie. ou appellation
Conduits d’alimentation d’air pour l’automobile (cf. § 3.1.2) Copolymères blocs
Les exigences sont : butadiène/styrène ........................................ SBS
– la tenue à la dépression à chaud ; isoprène/styrène .......................................... SIS
– l’étanchéité à l’air ;
– la résistance aux produits pétroliers du compartiment moteur ; éthylène/butylène/styrène........................... SEBS
– l’amortissement de la transmission des vibrations du moteur ; éthylène/propylène/styrène ........................ SEPS
– le prix minimal ;
– le montage aisé ; Copolymère bloc de styrène .......................... SBC
– la géométrie adaptable à l’encombrement des compartiments Copolymère bloc de styrène hydrogéné ...... HSBC
moteurs.
Par rapport aux élastomères vulcanisés, moulés en épaisseurs de Mélange polyoléfine/ caoutchouc réticulé.... TPO-VD
plusieurs millimètres pour résister à la dépression, les TPV peuvent
être extrudés-soufflés plus rapidement avec des duretés élevées, 87 Mélange polyoléfine/ caoutchouc
ou 92 Shore A par exemple, permettant, grâce à des modules plus non réticulé ...................................................... TPO
élevés, de réduire l’épaisseur et le poids des tubulures.
Copolymère bloc oléfinique ........................... OBC
L’aspect est un des arguments du développement des TPE. Pour Ionomères ........................................................
des raisons de coût, l’objectif optimal est de supprimer les opéra-
tions de finition : TPE acryliques .................................................
– en soignant particulièrement les outillages et les procédés de Polyuréthannes thermoplastiques................. TPU ou TPE-U
transformation pour avoir les cotes correctes sans reprise et des
aspects de surface convenables ; Copolymères éther/ester ................................ COPE ou TPE-E
– en profitant des possibilités de coloration dans la masse qui ou TPEE
peuvent convenir à la plupart des cas. Éventuellement, les colo-
Copolymères éther/amide .............................. PEBA ou TPE-A
rants ou pigments peuvent être dosés et mélangés en ligne direc-
ou TPEA
tement sur l’extrudeuse ou la presse à injection ;
– en utilisant les techniques de décoration dans le moule (IMD). Super-TPE et super-TPV
En plus des critères habituels, le film de décoration doit supporter
les déformations de la pièce en service. Engineering Thermoplastic Vulcanizate.... ETPV™
Toutefois, il est possible que l’on ne puisse totalement échapper Élastomère thermoplastique fluoré ........... FluoroXprene®
à certaines étapes de finition et qu’il faille peindre, vernir ou impri- Copolymère bloc de polydiméthylsi- Geniomer®
mer le TPE. C’est le cas par exemple avec les TPO pour l’automo- loxane et d’urée...........................................
bile.
TPV de copolyester et d’EVM..................... Hipex®
Dynamically Vulcanized Alloys .................. DVA
Le problème est particulièrement aigu pour tous les TPE à
base oléfinique qui, comme les polyéthylènes ou polypropylè- TPV à phase caoutchouc de silicone TPSiV
nes, ont une faible activité chimique de surface. En consé- réticulé dynamiquement.............................
quence, les peintures, vernis et encres y adhèrent Élastomère réticulé...................................... Vegaprene®
difficilement. Les producteurs ont donc développé des grades
Élastomère ACM vulcanisé dynamique-
spéciaux de TPE pour faciliter la décoration en étape finale.
ment dispersé dans un polyamide ............ Zeotherm® TPV
Certains primaires et traitements de surface appliqués aux
autres thermoplastiques peuvent être adaptés aux TPE, tels Copolymère blocs siloxane-polyétherimide
que le flammage ou l’effet Corona…
TPE issu de la technologie
supramoléculaire............................................. Reverlink®

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TPE ET TPV DANS LES APPLICATIONS HIGH-TECH _________________________________________________________________________________________

Les caractéristiques exposées ci-après, émanant des produc- – une bonne résistance aux intempéries ;
teurs, ne sont que des rappels succincts destinés à caractériser – une bonne tenue à basse température ;
rapidement les différentes familles. [AM3400] [AM3401]. – l’aptitude à la coloration ;
– la compatibilité avec les polyoléfines (co-injection, co-extrusion,
■ TPE styréniques (TPS) soudage) ;
Les SBS et SEBS, qui ont bien des points communs, diffèrent – des grades souples exempts de plastifiants ;
principalement par leurs résistances au vieillissement et à l’oxyda- – la facilité de recyclage des déchets.
tion. En outre, les SEBS ont une tenue plus limitée aux basses tem-


Les inconvénients sont, en général :
pératures, une rigidité plus élevée et des allongements à la rupture
– un faible caractère élastique et un comportement plastique
plus faibles, une meilleure tenue physique aux températures supé-
prononcé, même à température ambiante, entraînant de forts ris-
rieures à la température de transition vitreuse du polystyrène, une
ques de fluage sous contrainte ;
viscosité en solution plus élevée.
– une température de service limitée ;
Bien qu’il soit difficile de donner des règles générales pour une – une déformation rémanente élevée ;
famille aussi diversifiée, les points forts qui peuvent être retenus – une résistance limitée aux hydrocarbures.
pour les TPS sont :
Les TPV, PP/EPDM-VD pour les plus courants, se distinguent des
– un large éventail de duretés allant jusqu’à des valeurs très bas- TPO par l’élasticité (fluage et déformation rémanente plus faibles)
ses (3 Shore A), obtenue grâce à la phase caoutchouc vulcanisé. Pour les mêmes
– un faible prix ; raisons, les températures de service et la résistance aux fluides
– une bonne résistance aux flexions répétées et aux chocs ainsi sont améliorées alors que le prix est plus élevé à cause de la plus
qu’à l’abrasion (pour certains grades) ; grande complexité du cycle de fabrication.
– un bon comportement à froid (particulièrement pour les SBS) ;
Le tableau 4 indique quelques caractéristiques de TPO et TPV.
– une faible densité ;
– la facilité de recyclage des déchets ; ■ Élastomères thermoplastiques à base PVC (TPE/PVC)
– la possibilité de formulation et de coloration ; La diversité des produits permet difficilement de dégager des
– une bonne tenue au vieillissement des SEBS ; propriétés générales. Disons toutefois que les TPE/PVC ont une
– la possibilité de surmoulage sur polyoléfines, EVA ou polysty-
rène pour certaines familles.
En revanche, les inconvénients généraux sont : Tableau 2 – Exemples de caractéristiques
de TPE styréniques
– le risques de fluage et de déformation sous contraintes à
chaud (DRC à 70 °C élevé pour certaines séries de grades) ; Grades de très faible dureté
– le gonflement important dans les huiles et produits pétroliers ;
– la résistance limitée aux différents vieillissements pour les Dureté Shore A......... 3 5 15 20
SBS, la faible tenue thermique (50 °C maximum pour certains Dureté Shore 00 ....... 25
SBS).
Le tableau 2 indique quelques caractéristiques de TPE styréniques. Masse
volumique .... (g/cm3) 0,87 0,87 0,92 1,13
Les applications high-tech concernent principalement les pièces
pour le médical, telles que les embouts de seringues, les tubages Résistance
intraveineux, les capuchons de compte-gouttes, les tétines, les à la rupture .....(MPa) 2,1 2,1 1,55 2,1
poches, les récipients divers, les bouchons.
Module
Nota : DRC pour déformation rémanente après compression. à 100 % ............(MPa) 0,1 0,2 0,4
■ TPS sulfonés Module
Des dérivés particuliers sont commercialisés sous le nom de à 200 % ............(MPa) 0,3 0,8
Kraton Nexar™ proposées par Kraton Polymers, Inc. Ce sont des Module
copolymères blocs sulfonés présentant un ensemble de fonction- à 300 % ............(MPa) 0,24 0,35 1,2 0,7
nalités liées au transport, filtration et à la séparation de l’eau.
Les premiers grades, Kraton MD9200 et MD9150, sont disponibles Allongement
sous forme soit d’un polymère en solution, soit de membranes à la rupture ......... (%) 1 100 700 500 800
ayant des capacités d’échange d’ions de 2,0 meq/g et 1,5 meq/g. Résistance au déchi-
Cette nouvelle architecture de polymère démontre des capacités rement ..........(N/mm) 8,8 5,3
particulières pour le traitement de l’eau :
Grades standard
– flux élevé de filtration ;
– sélectivité ionique ; Dureté Shore ............ 40 A 70 A 25 D 60 D
– résistance chimique au chlore ;
– faible résistance électrique ; Masse
volumique .... (g/cm3) 0,9 à 1,7 0,9 à 1,2 1 à 1,2 1,2 à 1,3
– résistance et stabilité mécanique à l’état sec et humide ;
– mise en œuvre sur les lignes de fabrication traditionnelles. Résistance
Le tableau 3 indique quelques caractéristiques des Nexar. à la rupture .....(MPa) 2à8 4 à 10 9 à 14 14 à 18

■ TPE oléfiniques (TPO) éventuellement vulcanisés dynamique- Module à 300 %


ment (TPV) .......................... (MPa) 3
Les points forts généraux des TPO sont : Allongement 400 à
– un faible prix ; à la rupture ......... (%) 900 300 à 700 300 à 700 400 à 600
– un large éventail de duretés descendant jusqu’à 60 Shore A ;
Résistance au déchi-
– une faible densité ; rement ..........(N/mm) 15 à 28 29 à 48 35 à 58 40 à 50
– un bon rapport qualité/prix ;

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SP
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_________________________________________________________________________________________ TPE ET TPV DANS LES APPLICATIONS HIGH-TECH

Tableau 3 – Exemples de caractéristiques Tableau 4 – Exemples de caractéristiques


de TPS sulfonés de thermoplastiques oléfiniques
Kraton Kraton TPO
Caractéristique
MD9150 MD9200
Dureté Shore .......... 60 A 75 A 35 D 75 D
Sur film sec
Masse


Résistance au seuil volumique ... (g/cm3) 0,9 à 1 1 0,9 à 1,1 1
viscoélastique ........................... (MPa) 13 13
Résistance
Déformation au seuil à la rupture ... (MPa) 4 à 15 6à9 4 à 14
viscoélastique ................................(%) 3,8 4
Contrainte
Résistance à la rupture ............ (MPa) 9,7 9 au SVE ........... (MPa) 20 à 27
Module d’Young ....................... (MPa) 500 500 Module
Allongement à la rupture .............(%) 100 83 à 100 % .......... (MPa) 1,6 à 2,2 2,5 à 3,5 4à6

Sur film immergé dans l’eau Allongement


à la rupture ........(%) 450 à 850 600 à 750 600 à 750
Résistance à la rupture ............ (MPa) 3,6 3
Résistance au déchi-
Module d’Young ....................... (MPa) 76 28 rement ..........(N/mm) 30 à 35 30 à 33 49 à 90
Allongement à la rupture .............(%) 70 70 TPV
Sur film coulé Dureté Shore .......... 55 A 85 A 35 D 50 D
Vitesse transmission de la vapeur Masse
d’eau WVTR ........................ (g.j-1.m-2) 21 000 20 000 volumique ... (g/cm3) 0,9 à 1 0,9 à 1 0,9 à 1 0,9 à 1

Prise d’eau par immersion ...........(%) 40 85 Résistance


à la rupture ... (MPa) 3à5 7 à 16 12 à 17 22 à 28
Capacité d’échange ionique . (meq/g) 1,4 à 1,6 1,9 à 2,1
DRC 22 h, 70 °C .(%) 22 40 à 50 49 58 à 69

place intermédiaire entre les PVC plastifiés et les caoutchoucs réti- Module
culés d’usage général avec les caractéristiques suivantes : à 100 % .......... (MPa) 1,6 à 3 4à7 8 à 10 10 à 16
– des duretés correspondant au domaine des caoutchoucs ; Allongement
– une résistance moyenne à l’abrasion et aux hydrocarbures ; à la rupture ........(%) 350 à 500 300 à 600 450 à 600 600
– une bonne résistance aux flexions répétées y compris à froid ; Résistance au déchi-
– un bon aspect de surface ; rement ..........(N/mm) 7 à 20 15 à 49 20 à 75 80 à 90
– une faible température d’extrusion entraînant une bonne
matité ; SVE : seuil viscoélastique
– des possibilités de coloration ;
– une facilité de recyclage des déchets de fabrication.
Les prix sont intéressants par rapport aux TPO-VD, SEBS et
caoutchoucs réticulés d’usage général tels que les EPDM et les
polychloroprènes. Tableau 5 – Exemples de caractéristiques
de TPE/PVC
Dans le cas d’une phase élastique en caoutchouc polyacrylate, la
résistance à la chaleur et la tenue aux UV sont améliorées. DRC
Grades Standards amélio-
Les inconvénients généraux sont :
rée
– des DRC élevés à températures modérées ;
– l’absence de grades de fortes duretés ; Dureté Shore A................................. 51 à 62 54 à 69
– une résistance insuffisante aux aromatiques ; Masse volumique ................ (g/cm3) 1,1 à 1,2 1,25
– la présence d’halogènes.
Résistance à la rupture ..........(MPa) 7 à 14 7 à 11
Dans certains cas, des quantités importantes de plastifiants peu-
vent être utilisées. Allongement à la rupture .......... (%) 330 à 490 310
Le tableau 5 indique quelques caractéristiques de TPE/PVC Module à 100 %...................... (MPa) 2,6 à 3,3
■ Ionomères Abrasion DIN 53516 .............. (mm3) 90 à 145
Les ionomères sont des polymères contenant une certaine pro-
portion de groupes ioniques ou ionisables. Par exemple, les copo-
lymères d’éthylène et d’acide méthacrylique (figure 2) peuvent être
liés par les fonctions ioniques grâce à des sels de zinc, calcium,
magnésium…. Ces liaisons sont de moyenne énergie et réversibles
C-OO-(Zn++)–OOC
à chaud, permettant la réticulation physique à température
ambiante ou modérée et la transformation par les méthodes adap-
tées aux thermoplastiques à chaud. Figure 2 – Formule simplifiée d’un ionomère

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amSTPR

TPE ET TPV DANS LES APPLICATIONS HIGH-TECH _________________________________________________________________________________________

Tableau 6 – Exemples de caractéristiques Tableau 7 – Exemples de caractéristiques de TPU


d’ionomères
Dureté Shore A.............. 62 95
Dureté Shore D............................... 54 66
Dureté Shore D.............. 48 62 75
Masse volumique ...............(g/cm3) 0,94 0,96
Masse 1,2 à
Résistance à la rupture volumique ......... (g/cm3) 1,15 1,15/1,24 1,17/ 1,22 1,25

Q en traction ............................. (MPa)


Allongement à la rupture
en traction ................................. (%)
11

290
37

740
Résistance
à la rupture ..........(MPa) 30 33/55 48 à 54 40/50
Allongement
Module en traction................(GPa) 0,080 0,400 à la rupture .............. (%) 850 500 à 550 350 à 495 250/350
Module en flexion .................(GPa) 0,090 0,400 Module
en traction ............ (GPa) 0,012/0,03 0,25 0,56/0,73
Température de fléchissement
sous 0,46 MPa...........................(°C) 40 48 Module à 100 %...(MPa) 2,0 9 à 11 21 à 25 30,0
Température de fusion ............(°C) 81 96 Abrasion DIN ...... (mm3) 35 25 à 75 20 à 36 20/30
Température de fragilisation...(°C) – 50 – 70 DRC 72 h à 20 °C ..... (%) 20 25 à 33 39 40/55
Conductivité DRC 22 h à 70 °C ..... (%) 45 38 à 65 50 à 70 55 à 60
thermique.................... (W.m–1.K–1) 0,28 0,33
Température
Coefficient de dilatation........(10–5) 10 17 Vicat A ..................... (°C) 74 à 120 126

Le premier ionomère qui a été commercialisé est le Surlyn® de Les TPU font partie des élastomères thermoplastiques utilisés
DuPont (tableau 6) dont les propriétés sont : souplesse, ténacité, avec un renforcement de fibres de verre, ce qui leur confère une
résistance aux graisses et à beaucoup de solvants, transparence, rigidité élevée et des applications qui sortent des emplois habi-
résistance à l’abrasion, résistance à la fissuration sous contrainte, tuels des élastomères.
bon comportement au froid. Des grades spécifiques sont utilisa- Les TPU sont commercialisés prêts à l’emploi sous forme de
bles pour le contact alimentaire. nombreux grades :
Par contre, les températures de fusion sont faibles, par exemple – résistance améliorée à l’hydrolyse, aux micro-organismes et
de 81 °C à 96 °C, ce qui limite l’utilisation à chaud, même en aux huiles ;
l’absence de contraintes. Les températures de fragilisation s’éta-
– ignifugés ;
gent de – 50 °C à – 70 °C. La transparence naturelle peut encore
– renforcés de fibres de verre ;
être améliorée par un refroidissement rapide dans un bain d’eau
par exemple. Les résistances en traction et à l’abrasion sont bon- – alimentaires ;
nes à température ambiante. La résistance aux chocs est élevée – transparents ;
même à – 40 °C. Pour l’exposition en extérieur, il faut choisir des – pour film ;
grades convenables d’ionomères protégés contre les UV. La résis- – pour adhésifs...
tance au feu est faible. Les pièces peuvent être soudées au miroir Le tableau 7 indique quelques caractéristiques de polyuréthan-
ou par rotation. nes thermoplastiques
Les Surlyn ont des utilisations ciblées comme l’emballage, le Elastogran GmbH propose son Elastollan® X-Flex, un TPU vulca-
pelliplacage, les bouchons de parfum, les enveloppes de balle de nisable (x-TPU) combinant la facilité de mise en œuvre des ther-
golf, les films sandwich pour vitres pare-balles, les couches scella- moplastiques, l’élasticité des produits réticulés et les performances
bles dans les films multicouches, les chaussures de ski, des mem- mécaniques des polyuréthannes. L’Elastollan X-Flex peut être
branes hémiperméables. transformé par les méthodes habituelles des thermoplastiques ou
■ Élastomère de COC (Cyclic Olefin Copolymer) par des procédés réactifs innovants tels que ceux développés par
Krauss Maffei GmbH, Mues Products & Moulds et Elastogran
TOPAS Advanced Polymers propose un élastomère complétant GmbH.
sa ligne TOPAS® COC caractérisé par :
– une grande transparence ; ■ Copolyesters (COPE)
– une dureté 89 Shore A ; Les polyesteréthers (les plus courants) et les polyesteresters
– un allongement à la rupture supérieur à 450 % ; sont constitués de séquences rigides semi-cristallines et de
– une ductilité conservée à – 80 °C ; séquences souples polyesters ou polyéthers.
– une aptitude à la stérilisation par rayons gamma et irradiation
Les COPE ont de bonnes propriétés mécaniques, un bon com-
électronique.
portement à l’ozone, aux huiles et aux produits pétroliers, résistent
Les marchés visés sont le médical, l’emballage pharmaceutique, à la fatigue dynamique et ont une bonne imperméabilité aux gaz.
le remplacement du PVC pour les tubulures médicales.
Vendus prêts à l’emploi, certaines de leurs propriétés peuvent
■ Polyuréthannes thermoplastiques (TPU) être adaptées par utilisation de mélanges maîtres.
Les polyuréthannes thermoplastiques sont constitués de Le tableau 8 indique quelques caractéristiques de copolyesters.
séquences rigides polyuréthannes et de séquences souples polyes-
ters ou polyéthers. En général, les polyesters ont de meilleures ■ Polyéthers bloc amides (PEBA)
propriétés mécaniques et une bonne résistance chimique alors que Les PEBA sont constitués de séquences rigides polyamides alter-
les polyéthers sont plus résistants à l’hydrolyse et aux attaques nées avec des séquences polyéthers qui apportent la souplesse et
biologiques. la résilience.

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SR
Matériaux pour l'électronique et dispositifs associés
(Réf. Internet 42271)

1– Polymères pour l'électronique R


2– Matériaux diélectriques et conducteurs Réf. Internet page

Matériaux ferroélectriques. Propriétés, mise en œuvre et perspectives E1870 35

Céramiques pour composants électroniques E1820 39

Résonateurs diélectriques. Circuits micro-ondes E1920 45

Résonateurs diélectriques. Matériaux et composants E1922 49

Caractéristiques générales des condensateurs – Condensateurs céramiques E1925 53

Condensateurs électrochimiques et condensateurs ilms. Technologies et évolution E1926 57

Céramiques semi-conducteurs E2080 61

Résistances. Potentiomètres E2100 63

Impression et recuit de nanoparticules métalliques pour l'électronique imprimée RE222 67

3– Acoustique

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Matériaux ferroélectriques
Propriétés, mise en œuvre et perspectives

par Mario MAGLIONE


Directeur de Recherche
ICMCB, CNRS Université Bordeaux, Pessac, France

et Catherine ELISSALDE
Directeur de Recherche
ICMCB, CNRS Université Bordeaux, Pessac, France

Cet article est la version actualisée de l’article [E 1 870] intitulé « Ferroélectricité », rédigé
par Geneviève Godefroy et paru en 1996.

1. Spécificités des matériaux ferroélectriques ............................. E 1 870v3 – 2


1.1 Différents types de matériaux ferroélectriques ................................. — 3
1.2 Origine structurale de la ferroélectricité ........................................... — 4
1.3 Principales propriétés des matériaux ferroélectriques ..................... — 5
1.4 Description phénoménologique de Landau-Devonshire .................. — 8
2. Synthèse et mise en forme des matériaux ferroélectriques .. — 8
2.1 Céramiques pour condensateurs multicouches ................................ — 8
2.1.1 Classification ............................................................................ — 9
2.1.2 Composants piézoélectriques ................................................. — 9
2.2 Cristaux pour l’optique non linéaire .................................................. — 10
2.3 Couches minces ferroélectriques ....................................................... — 11
2.4 Effets de taille finie et de contraintes sur les matériaux
ferroélectriques .................................................................................. — 11
3. Développements depuis 2005 ...................................................... — 14
3.1 Nouvelles voies de synthèse ............................................................. — 14
3.2 Nouvelles voies de frittage ................................................................ — 15
4. Conclusion........................................................................................ — 15
5. Glossaire ........................................................................................... — 16
6. Symboles .......................................................................................... — 17
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. E 1 870v3

nticipée pendant des décennies à la fin du XIXe siècle, la ferroélectricité a


A été formellement découverte en 1920. Par analogie avec les ferromagnéti-
ques et bien qu’ils contiennent rarement du fer, les composés possédant une
polarisation spontanée renversable par un champ électrique ont été qualifiés
de ferroélectriques. La permittivité diélectrique des ferroélectriques est de
l’ordre de plusieurs milliers, c’est-à-dire au moins cent fois supérieure à tous
les autres isolants (polymères, oxydes, nitrures…). Ces composés sont donc uti-
lisés pour la réalisation de condensateurs à haute densité, une application pour
laquelle ils sont incontournables. Cependant, cette très haute permittivité ne
signifie pas que les ferroélectriques sont parfaits sous tout rapport. En effet,
leur très haute polarisabilité s’accompagne de pertes diélectriques pouvant
atteindre des valeurs de plusieurs pour cent, incompatibles avec certaines appli-
cations en particulier aux hautes fréquences. Le premier challenge est de contre-
p。イオエゥッョ@Z@、←」・ュ「イ・@RPRP

carrer ces pertes, soit par une approche physicochimique, soit en développant
des stratégies de science des matériaux (céramiques, composites, interfaces…).

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MATÉRIAUX FERROÉLECTRIQUES –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

Toutes les autres fonctionnalités des ferroélectriques résultent du fait que leur
polarisation dépend très fortement des contraintes extérieures. Suivant la
nature de ces contraintes, des effets exceptionnels sont obtenus et différentes
applications sont possibles :
– pyroélectriques sous changement de température ; ce qui permet la réalisa-
tion de capteurs thermiques en particulier détecteurs infra-rouges ;
– piézoélectriques sous contrainte mécanique ; ce couplage est largement uti-
lisé dans les capteurs ultrasonores (imagerie médicale), dans les communica-
tions sous-marines (sonar), dans les actuateurs (dispositifs de déplacements
régulés) et dans la récupération d’énergie (transformation de vibrations en
énergie électrique) ;


– adaptatifs sous champ électrique ; cet effet trouve des applications dans de
multiples gammes de fréquences notamment aux fréquences gigahertz pour
des dispositifs de télécommunications accordables (déphaseurs, résonateurs,
antennes), en optique pour des modulateurs électro-optiques ou des généra-
teurs d’harmonique dans les lasers. Dans ce dernier cas, c’est le champ élec-
trique de l’onde lumineuse qui induit le stress nécessaire au changement de
l’indice optique.
Pour toutes les applications dites non linéaires (la réponse dépend de la
contrainte), l’ampleur de la contrainte appliquée impose un contrôle accru des
défauts présents dans le matériau. Étant donné que l’immense majorité des fer-
roélectriques utilisés dans les applications sont des oxydes ternaires (par exem-
ple ABO3), il s’agit là d’une problématique permanente pour les chercheurs et les
ingénieurs du domaine. Les ferroélectriques n’ont pas encore atteint le degré de
pureté et de fiabilité des semi-conducteurs et des métaux, matériaux avec les-
quels ils coexistent dans tous les dispositifs où ils sont mis en œuvre. Irrempla-
çables dans de nombreuses applications, les ferroélectriques nécessitent des tra-
vaux de recherche poussés afin de répondre à de nombreux enjeux dans des
domaines stratégiques comme l’électronique, l’énergie, l’optique et la santé.
Après avoir rappelé les propriétés spécifiques des matériaux ferroélectriques
et leurs mises en œuvre, cet article se concentre sur les pistes de recherche
actuelles. Il aborde les trois types principaux de mise en forme des matériaux :
céramiques polycristallines, couches minces et monocristaux.
Le lecteur trouvera en fin d’article un glossaire et un tableau des symboles
utilisés.

S surface des électrodes du condensateur,


1. Spécificités des matériaux e épaisseur séparant ces deux électrodes.
ferroélectriques
Dans la suite de cet article, l’indice r de la permittivité relative
sera omis par souci de simplification des notations et le terme de
permittivité diélectrique relative sera remplacé par le terme simple
Les ferroélectriques font partie de la classe des matériaux iso-
de « permittivité diélectrique ». Dans un condensateur parfait, la
lants électriques ou diélectriques. Pour une introduction aux maté-
permittivité diélectrique est un nombre réel. Cependant, tout méca-
riaux diélectriques, on pourra se référer au livre de base de
nisme de polarisation s’accompagne d’une dissipation d’énergie
R. Coehlo [1] et à l’article paru [K 722]. Deux paramètres principaux
électrique qui se traduit par le fait que la permittivité diélectrique
définissent les diélectriques : la constante diélectrique e et le fac-
est un nombre complexe e* composé d’une partie réelle e′ et
teur de pertes tg(d). La constante diélectrique ou permittivité est
reliée à la capacité C par : d’une partie imaginaire e′′ :

S
(1) ε * (ω ) = ε ′ (ω ) − j ε ′′ (ω ) (2)
C = ε0 εr
e
La partie imaginaire décrit l’écart à la perfection du diélectrique.
avec e0 permittivité diélectrique du vide,
On quantifie cet écart par la tangente des pertes diélectriques
er permittivité diélectrique relative du matériau tg(d) = e′′/e′ ; un bon diélectrique se caractérise par un facteur
utilisé, de pertes inférieur à 1 %. La dépendance en fréquence de la permit-

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–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– MATÉRIAUX FERROÉLECTRIQUES

tivité est schématisée sur la figure 1 où on sépare différentes entre dipôles individuels élevée, les ferroélectriques sont des soli-
contributions : des présentant un dipôle par maille unitaire, ce qui équivaut à une
– polarisation interfaciale aux basses fréquences résultant de densité de 100 % et à une distance entre dipôle minimale. Dans le
l’accumulation de charges libres, effet analogue à ce qui est sel de Rochelle [4], historiquement le premier ferroélectrique
observé dans les jonctions semi-conductrices [2] ; découvert, chaque maille unitaire contient un dipôle. Dans le fer-
– polarisation dipolaire entre 106 Hz et 1010 Hz résultant de la pré- roélectrique canonique NaNO2, tous les anions NO2− possèdent
sence de dipôles électriques microscopique ; un moment dipolaire résultant de la non-coı̈ncidence entre le cen-
– polarisation ionique entre 1012 Hz et 1013 Hz résultant des oscil- tre des charges positives (l’azote N) et le centre des charges négati-
lations des ions du réseau les uns par rapport aux autres ; ves (les deux oxygènes) exactement comme dans la molécule
– polarisation électronique aux fréquences optiques résultant de d’eau ; les exemples peuvent être multipliés et le lecteur pourra se
l’oscillation des électrons des couches externes par rapport aux référer aux ouvrages de base pour obtenir des listes exhaustives
noyaux ; des matériaux ferroélectriques usuels [3] [5] [6] [7].
– polarisation des électrons de cœur et mécanismes nucléaires
Du point de vue des mécanismes, les diélectriques standard inor-
aux fréquences supérieures à 1015 Hz.


ganiques (alumine Al2O3, magnésie MgO, silice SiO2, nitrure de sili-
Deux tendances générales se dégagent : la permittivité décroı̂t cium Si3N4…) ou polymères ont des permittivités diélectriques fai-
toujours à partir de sa valeur aux basses fréquences vers la permit- bles, car elles résultent principalement de leur polarisabilité
tivité du vide (er = 1) aux hautes fréquences, et cette décroissance électronique et ionique ; ces polarisabilités résultent de mécanis-
s’effectue par des sauts localisés dans certaines gammes de fré- mes haute fréquence (f > 1012 Hz) et de faible amplitude (figure 1).
quences. À chaque fois qu’une décroissance a lieu, les pertes dié- Il en va tout autrement dans les matériaux ferroélectriques où les
lectriques passent par un maximum marqué. Il en résulte une mécanismes dipolaires, ioniques et électroniques se couplent de
contradiction intrinsèque ; un diélectrique à forte permittivité aura manière complexe pour exacerber la réponse diélectrique. La
des pertes élevées à certaines fréquences. A contrario, les diélectri- description précise de ces mécanismes de couplage dépasse large-
ques à faible permittivité se caractérisent par des faibles pertes ; ment le cadre de cet article d’autant qu’ils peuvent dépendre du
c’est le cas de tous les polyméres (e′ < 10), des oxydes simples type de composé ferroélectrique concerné. En se restreignant au
SiO2, MgO, Al2O3, ou des nitrures très utilisés en micro-électro- cas des ferroélectriques de type pérovskite ABO3 qui représentent
nique pour leurs faibles pertes à toutes fréquences. En plus de la l’immense majorité des applications des ferroélectriques, deux cas
dépendance en fréquence illustrée sur la figure 1, la permittivité peuvent être distingués.
diélectrique varie en fonction de nombreux paramètres extérieurs
comme expliqué plus loin (§ 1.1) dans le cas des ferroélectriques. & Les ferroélectriques standard dont le plus employé est le BaTiO3 ;
comme indiqué sur la figure 2, ce composé subit une transition de
phase vers 130  C d’un état haute température cubique, et non fer-
1.1 Différents types de matériaux roélectrique, vers un état quadratique basse température ferroélec-
ferroélectriques trique. Bien que très étudié depuis les années 1940 (21 000 publica-
tions dont 10 000 depuis 2010 mentionnent ce matériau), le
Dans la description très générale des matériaux diélectriques ci- mécanisme microscopique de cette transition suscite toujours des
dessus, les hypothèses principales sont l’absence de corrélation discussions. Ses caractéristiques principales recueillent cependant
spatiale entre dipôles électriques et d’interaction entre les mécanis- l’adhésion des scientifiques : la transition est ordonnée dans le
mes individuels apparaissant aux différentes gammes de fréquen- sens où toutes les mailles unitaires du BaTiO3 subissent de
ces. Ces deux hypothèses ne sont plus valables dans le cas des manière homogène la même distorsion ; cette distorsion
matériaux ferroélectriques qui sont une sous-classe des diélectri- s’accompagne de l’émergence de dipôles électriques induisant
ques [3]. Du point de vue spatial, la raison en est très simple ; une polarisation macroscopique ; la permittivité diélectrique passe
alors que dans les diélectriques dilués (eau, pyralène, huile de sili- par un maximum très marqué (e > 10 000) indépendant de la fré-
cone, NaCl…), la densité de dipôles est faible et donc la distance quence de mesure au moins jusqu’à 108 Hz.

Charges d’espace Dipôles Atomes Électrons

ε’

ε”

–2 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 log f

Relaxations Résonances

Figure 1 – Évolution de la permittivité réelle et imaginaire avec la fréquence – Mise en évidence des différents types de mécanismes de
polarisation (d’après Coehlo [1])

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MATÉRIAUX FERROÉLECTRIQUES –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

Ba2+
Ba2+

Ti4+
O2– O2–
4+
Ti

R a b

Les cations Ba sont situés aux coins du cube, les anions O au centre de chaque face et les cations Ti4+
2+ 2–

au centre du cube. Dans la phase cubique a , les barycentres des charges négatives et positives coïncident,
ce qui implique l'absence de dipôle électrique. Dans la phase ferroélectrique b , les déplacements différents
des cations et des anions le long de l'axe ferroélectrique induisent un dipôle électrique au sein de chaque
maille unitaire. Les déplacements ont été exagérés pour plus de clarté.

Figure 2 – Structure pérovskite de BaTiO3

L’exemple présenté sur la figure 2 est dit displacif dans la mesure structure aux paramètres de maille du composé, et de prévoir une
où la polarisation est absente à l’échelle microscopique comme à éventuelle transition de phase structurale. Ce facteur vaut :
l’échelle macroscopique dans la phase haute température et qu’elle
apparaı̂t à la température de transition. Ce cas est distingué des rA + rO
t=
composés ordre-désordre comme NaNO2 pour lesquels des dipôles (rB + rO ) 2
microscopiques (en l’occurrence NO2− ) sont présents à toute tem-
pérature ; ce qui distingue la phase ferroélectrique de la phase avec rA rayon de l’ion A (K+, Ba2+, Pb2+, Sr2+, Ca2+,
paraélectrique est l’orientation de ces dipôles totalement ordonnée Bi3+…),
dans le premier cas et totalement aléatoire dans le second.
rB rayon de l’ion B (Ti4+, Nb5+, Zr4+, Fe3+…),
& Les ferroélectriques relaxeurs dont l’archétype est le composé rO rayon de l’oxygène O2-.
PbMg1/3Nb2/3O3 (PMN) dont la structure cristalline est la même
que celle du BaTiO3, mais qui se distinguent par la présence simul- Dans le cas de la structure pérovskite cubique parfaite, et si les
tanée sur le même site octaèdrique au centre de la maille de deux ions sont considérés comme des sphères dures empilées de
cations de charge différente (2+ pour Mg et 5+ pour Nb). Des fluc- manière compacte, t est strictement égal à 1. Dans les matériaux
tuations locales d’occupation sur ce site autour de la composition réels, t peut être supérieur à 1 (comme dans le BaTiO3), ce qui
moyenne 1/3 <> 2/3 induisent des fluctuations spatiales de polarisa- impose à la structure de se distordre au refroidissement et donc à
bilité. Ces fluctuations se traduisent par une grande variabilité des la transition ferroélectrique d’apparaı̂tre (figure 2). Si t est inférieur
propriétés macroscopiques des relaxeurs avec une difficulté pour ou égal à 1 (comme dans le CaTiO3 et le SrTiO3), la transition
définir une température unique de transition de phase et une ferroélectrique n’apparaı̂t pas même à très basses températures,
grande sensibilité à la fréquence de mesure comme indiqué sur la et des rotations et basculements des octaèdres d’oxygène peuvent
figure 3. Généralement, ce type de comportement relaxeur inter- intervenir. Si t diminue en dessous de 0,8, alors la structure pérovs-
vient dans des solutions solides dans lesquelles des cations de kite devient instable et d’autres structures sont stabilisées comme
charge et/ou de taille différentes partagent le même site cristallo- la structure en couches dite illménite du LiNbO3 pour lequel t est
graphique. L’hétérogénéité de répartition, voire l’agrégation sur égal à 0,7. Pour les applications concrètes du critère de Goldsch-
des échelles nanométriques d’une partie de ces ions, est à l’origine mitt, il est fondamental d’utiliser les rayons ioniques correspon-
des phénomènes de dispersion reportés sur la figure 3. dants effectivement à la valence de l’ion considéré ainsi qu’à sa
coordinence. Les tailles les plus précises de ce point de vue peu-
vent être trouvées dans l’article de Shanon [8]. Le critère de
1.2 Origine structurale Goldschmitt est utile, mais il ne peut pas rendre toute la complexité
de la ferroélectricité des mécanismes de transition. Par exemple, le KTaO3 et le KNbO3
ont le même facteur de Goldschmitt de 1,08, alors que le premier
Avant d’examiner les propriétés des matériaux ferroélectriques, il ne devient jamais ferroélectrique et que le second transite à
est très important de comprendre que la ferroélectricité trouve son 420  C. De même, le PbTiO3 possède un facteur de Goldschmitt de
origine dans une transition structurale. C’est une distinction fonda- 1,022 donc inférieur à celui du BaTiO3 (1,066), alors que la tempéra-
mentale avec d’autres types de matériaux comme, par exemple, les ture de transition de PbTiO3 est de 500  C, très supérieure à celle
ferromagnétiques dans lesquels ce sont les interactions entre du BaTiO3 qui transite à 130  C. Il est donc nécessaire de dépasser
moments dipolaires (spins) qui contrôlent le comportement macro- le modèle des sphères ioniques dures et statiques à la base du cri-
scopique. Dans les ferroélectriques, la taille des ions, leur polarisa- tère de Goldschmitt. Les chimistes du solide connaissent depuis de
bilité électronique, le type de liaison chimique (ionique ou cova- nombreuses années les limites du modèle des sphères ioniques
lente), les interactions élastiques interioniques (phonons) sont dures. Par exemple, dans un oxyde simple tel que le TiO2, le par-
étroitement corrélés pour provoquer la transition du matériau tage partiel de charges électroniques entre le titane et l’oxygène
dans son état ferroélectrique. Dans le cas des pérovskites ABO3 implique qu’on ne peut plus considérer le premier comme une
(figure 2), une toute première approche basée sur le critère de sphère chargée 4+ et le second comme une sphère chargée 2-.
Goldschmitt permet de comparer les tailles des ions composant la Cette effet est résumé par le qualificatif de iono-covalence de la

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Céramiques pour composants


électroniques

par F. Jean-Marie HAUSSONNE


Ingénieur de l’École nationale supérieure de céramique industrielle
Docteur d’État
Professeur émérite, École supérieure d’ingénieurs de l’Université de Caen Basse Normandie

ESIX Normandie
Laboratoire universitaire des sciences appliquées de Cherbourg, LUSAC EA 4253
David HOUIVET
Ingénieur de l’École nationale supérieure d’ingénieurs de Caen
Habilité à diriger des recherches HDR
Directeur de l’École supérieure d’ingénieurs de l’Université de Caen Basse Normandie ESIX
Normandie
Laboratoire universitaire des sciences appliquées de Cherbourg, LUSAC EA 4253
et Jérôme BERNARD
Docteur de l’Université de Caen Basse Normandie
Maître de conférences, École supérieure d’ingénieurs de l’Université de Caen Basse Normandie
ESIX Normandie
Laboratoire universitaire des sciences appliquées de Cherbourg, LUSAC EA 4253

1. Technologie céramique et composants électroniques .................. E 1 820v2 - 2


2. Technologie de fabrication et frittage ............................................... — 4
2.1 Qu’est-ce qu’une céramique ? .................................................................... — 4
2.2 Fabrication d’une céramique massive ....................................................... — 4
2.3 Élaboration de couches minces par la technologie céramique ............... — 8
3. Propriétés des matériaux céramiques ................................................ — 9
3.1 Propriétés directement exploitées dans la fonction composant.............. — 9
3.2 Propriétés non directement liées à la fonction définissant
les composants ............................................................................................ — 18
4. Élaboration de fonctions ........................................................................ — 18
4.1 Circuits hybrides et circuits d’interconnexion multicouches ................... — 19
4.2 Multicomposants ......................................................................................... — 19
4.3 Composants « intelligents » ........................................................................ — 19
4.4 Application des couches minces céramiques............................................ — 20
5. Conclusion.................................................................................................. — 20
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. E 1 820v2

ne céramique est un matériau inorganique polycristallin, présentant une


U microstructure complexe de grains et de joints de grains, et élaboré par une
technologie particulière appelée technologie céramique. La structure et la
microstructure en sont définies lors du cycle d’élaboration, qui transforme des
matières premières le plus souvent pulvérulentes en un matériau dense, idéale-
ment exempt de pores, et dont les propriétés tiennent de celles de ses grains
mais aussi de son hétérogénéité. La phase technologique clé de l’élaboration
d’une céramique est son frittage, qui est le cycle température-atmosphère-temps
au cours duquel les grains initialement mis au contact les uns avec les autres par
des opérations de mise en forme se lient à la suite de l’action de divers méca-
nismes de transport pour ensuite acquérir la microstructure recherchée.
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CÉRAMIQUES POUR COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES ______________________________________________________________________________________

Le terme générique « céramique » recouvre des domaines aussi variés que


celui des céramiques traditionnelles (réfractaires, sanitaires, tuiles et briques,
carreaux, etc.) ou que celui des céramiques dites techniques : céramiques utili-
sées dans le cycle des combustibles nucléaires, céramiques à applications
thermomécaniques ou céramiques à applications électroniques.
Les technologies d’élaboration de ces divers composants présentent de
nombreux points communs, mais des spécificités d’application ou de
conception peuvent amener à avoir dans chaque cas particulier une approche
sensiblement différente quant aux paramètres à étudier et à maîtriser. Il s’agit
en fait de domaines techniques différents, même si les organigrammes d’éla-


boration sont semblables et la connaissance des autres indispensables à la
maîtrise et à l’évolution de chaque domaine propre.
Cette spécificité tient essentiellement au fait que les propriétés recherchées
du matériau tiennent autant de sa nature que de la technologie de mise en
forme et de frittage. Selon les cas, les propriétés recherchées étant très éloi-
gnées les unes des autres, les philosophies menant à leur obtention sont
applicables également aux diverses familles de céramiques pour l’électro-
nique, bien qu’il soit souvent commode de les classifier ensemble.
Les technologies céramiques des domaines traditionnels ou des domaines
des composants et matériaux à applications thermomécaniques ou nucléaires
ont été développées, car elles permettent d’obtenir, soit des objets d’une
forme et d’une fonctionnalité données pour un prix faible, soit des propriétés
mécaniques alliées par exemple à un poids ou à une résistance aux hautes
températures et/ou à un environnement chimique remarquable, ou bien elles
permettent la manipulation et la mise en œuvre d’éléments fissibles. Par
contre, dans le cas des céramiques pour l’électronique, ce sont directement les
propriétés liées à la structure du matériau et aux possibilités de transformation
de ces propriétés par, en particulier, des substitutions qui sont le plus souvent
exploitées, de même que la possibilité offerte par la technologie céramique de
réaliser des microstructures complexes formées éventuellement de l’assem-
blage de matériaux distincts [1].

1. Technologie céramique Par exemple, dans le domaine des condensateurs où de nom-


breux types de composants coexistent, le principe général de
et composants choix tient à ce que, pour une valeur de capacité, une tension de
service, une fréquence d’utilisation et une fonction électronique
électroniques données, il n’existe en général que peu de technologies adaptées.
Chaque technologie permet de réaliser correctement certaines
gammes de valeurs avec des tolérances données dans des plages
Les composants pour l’électronique sont traditionnellement de tensions ou de fréquences bien définies. Il est déconseillé de
classés dans l’une des deux familles : composants actifs et sortir de ces gammes : cela se fait au détriment du prix, de la fiabi-
composants passifs ; il est remarquable de noter que les chiffres lité et même parfois de la sécurité.
d’affaires de chacune de ces deux catégories sont sensiblement les
Outre ces premiers critères, d’autres éléments sont également à
mêmes. Le domaine des composants passifs est essentiellement
prendre en compte : technologie de report du composant utilisé,
celui des composants d’interconnexion, d’encapsulation, des
fiabilité, contraintes spécifiques d’utilisation du matériel, etc.
condensateurs, des piézo-électriques, des magnétiques, des résis-
tances linéaires et non linéaires, de la connectique, des capteurs L’évolution depuis quarante ans du poids relatif des technologies
de gaz et d’humidité, etc. de report de composants est spectaculaire. Jusqu’en 1970, les
composants étaient exclusivement mis en œuvre par montage
La plupart des fonctions assurées par les composants passifs sont manuel dans cette technique, les composants comportant des fils de
rassemblées dans le tableau 1. Un grand nombre des composants connexion étaient reportés et soudés manuellement sur le circuit.
concernés par ces fonctions sont réalisés par une technologie céra- C’est à cette époque qu’est apparue la technique d’insertion
mique. automatique : les composants comportant toujours des fils de
Les critères de choix d’un type de composant plutôt qu’un autre connexion étaient reportés par une machine sur le circuit. Ces deux
pour réaliser une fonction électronique peuvent être soit d’ordre technologies ont été utilisées en concurrence jusqu’au début des
purement technique (par exemple, fonction électronique ne pou- années 1980 où est apparue la technologie dite CMS (composants
vant être réalisée que par un matériau céramique, ou avantage montés en surface) dans laquelle les composants ne comportent plus
technique de ce dernier par rapport aux autres matériaux), soit de fils de connexion, mais se présentent sous forme de pavés (chips )
d’ordre économique (considérant le coût relatif des divers comportant des électrodes soudables et sont reportés automatique-
composants existants), soit les deux. ment sur le circuit, la soudure se faisant de manière collective.

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______________________________________________________________________________________ CÉRAMIQUES POUR COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES

Tableau 1 – Exemples de fonctions assurées par les composants passifs


Fonction électronique ou électrotechnique Composant
Circuits imprimés
Circuits hybrides
Interconnexion Circuits HTCC et LTCC (High Temperature Ceramic Component
et Low Temperature Ceramic Component )
Interconnexion pour circuits intégrés
Capacitive Condensateurs


Résistances
Résistive Lignes à retard
Potentiomètres
Noyaux d’inductance
Inductive Transformateurs
Alimentation à découpage
Thermistances CTP (1)
Protection
Thermistances CTN (2)
Régulation
Varistances VDR (3)
Résonateurs
Composants pour hyperfréquences Circulateurs
Condensateurs
Capteurs de gaz
Capteurs
Capteurs de température
Capteurs de pression
Capteurs de déplacement
Composants piézo-électriques
Générateurs de tension
Moteurs piézo-électriques
Électrolyte solide
Piles à combustible à oxydes solides (SOFC Solid Oxide Fuel Cells ) Électrode à air (cathode)
Interconnexions
Câbles de distribution
Céramiques supraconductrices Amenées de courant
Moteurs et éléments de sustentation
(1) CTP : coefficient de température positif.
(2) CTN : coefficient de température négatif.
(3) VDR : Voltage Dependent Resistors.

Cette dernière technologie est devenue prépondérante dès le début – les composants montés en surface (CMS) ne peuvent que très
des années 1990 et est maintenant pratiquement exclusivement la difficilement être dessoudés ultérieurement. Par conséquent, il est
seule mise en œuvre industriellement. Cette évolution a eu des primordial que, statistiquement, le nombre de composants défec-
conséquences très importantes sur l’industrie des composants : tueux soit très faible : le développement de cette technologie
– les machines doivent manipuler automatiquement des impose aux fabricants de composants que les lots présentent un
composants éventuellement alimentés en vrac, ce qui impose donc taux de composants défectueux, de l’ordre du ppm (un composant
des niveaux de tolérances de formes et de dimensions sévères ; défectueux sur un million de composants).
– la soudure des composants se fait collectivement, par soudure Nous sommes donc, soit en concurrence avec des composants
à la vague, par refusion phase vapeur ou par chauffage infrarouge, élaborés avec d’autres matériaux, soit en position d’exclusivité, en
en imposant aux composants des cycles de température très présence d’une famille de composants dont le point commun est
sévères pouvant atteindre 280 oC pendant plusieurs secondes. qu’ils sont fabriqués par la technologie céramique. Nous allons
Tous les composants ne résistent pas à de tels cycles thermiques, maintenant essayer de définir d’une manière générale ce qu’est
et en particulier des composants formés de matériaux organiques une céramique, en quoi elle se distingue des autres matériaux et
(tels les condensateurs films) sont plus difficilement utilisés que également quelles sont les propriétés qui en font souvent un
les composants céramiques ; matériau unique.

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2. Technologie de fabrication utilisées sont le plus souvent d’un principe identique, et la plupart des
technologies peuvent être rencontrées dans les deux cas. Il est excep-
et frittage tionnel – la fabrication de composants céramiques multicouches ou
celle de certains substrats d’interconnexion ou d’encapsulation en
sont des exemples – que certaines phases technologiques, le coulage
2.1 Qu’est-ce qu’une céramique ? et la mise en forme en l’occurrence, soient développées d’une
manière spécifique pour les céramiques pour l’électronique.
Le terme céramique ne recouvre pas un type de composition chi-
mique mais qualifie un objet qui a été élaboré par une technologie Nous allons maintenant en décrire très succinctement les diffé-
dite technologie céramique. Ce procédé de fabrication consiste à rentes étapes en essayant en quelques mots, pour chacune d’entre
façonner à la forme désirée un objet composé de poudres minéra- elles, de les commenter afin de mieux cerner l’approche particu-
les, le plus souvent des matériaux de type covalents, puis, par cuis- lière aux céramiques pour l’électronique.
son (ou frittage) à haute température, à consolider cet objet dont la


forme reste conservée. Il permet, soit d’atteindre sur un matériau 2.2.2 Matières premières
massif de géométrie donnée les caractéristiques inhérentes au
matériau lui-même, soit de créer, par la maîtrise de l’élaboration du Classiquement, de la même manière que pour le domaine des céra-
matériau composite, des propriétés qui ne peuvent être celles d’un miques traditionnelles, le cycle de préparation des poudres pour
matériau homogène. Il permet de même la réalisation d’objets céramiques électroniques consiste à mélanger des matières premiè-
composites, formés de plusieurs matériaux distincts [2] [3]. res pulvérulentes, puis à les calciner (chamotter) afin de former les
Une des phases finales du cycle d’élaboration du matériau cérami- phases recherchées par chimie à l’état solide. De plus en plus sou-
que est le frittage. Lors d’une série de conférences prononcées en vent, l’évolution de la technologie ou la recherche de caractéristiques
1968 à l’Institut de céramique française et à l’École nationale supé- des composants de plus en plus pointues ont suscité la mise au point
rieure de céramique industrielle de Sèvres, il a été proposé une défi- de modes de préparation spécifiques par diverses voies chimiques
nition du frittage. « liquides », qualifiées souvent de « chimie douce », permettant un
meilleur contrôle de la granulométrie et de la morphologie des pou-
dres, ainsi que de la pureté et du dopage. Des technologies alternati-
« Le frittage est la consolidation par action de la chaleur d’un ves telles la mécanosynthèse [N 1 500] ou la technique dite « spray
agglomérat granulaire plus ou moins compact, avec ou sans pyrolyse » [2] reçoivent également des développements industriels.
fusion d’un ou de plusieurs de ses constituants ».
2.2.2.1 Préparation des matériaux par voie solide :
chamottage ou calcination
Cette définition est, à l’heure actuelle, toujours valable, et n’a été
supplantée par aucune autre. Nous en reprenons dans le ■ Choix des matières premières de base pulvérulentes
paragraphe 2.2.4 Frittage tous les termes afin de les expliciter. Elles sont constituées d’oxydes, de carbonates, de nitrates, etc.
Nous insisterons sur le fait que, pour élaborer en particulier une céra- Une poudre idéale peut être décrite comme étant formée de grains
mique pour l’électronique, il faut être maître de paramètres tels que la de petite taille (de l’ordre de 1 µm), ne s’agglomérant pas, de
microstructure, la nature physico-chimique exacte des grains et des forme régulière, avec une répartition de taille très serrée, et de
joints de grains, leurs défauts cristallins, les substitutions cationiques pureté, ainsi que de dopage contrôlés.
qui y sont faites, les états d’oxydation des cations à valence multiple...
Il est à noter que certaines technologies, en particulier celle des
C’est pourquoi l’on assiste actuellement à un regain d’intérêt pour des
composants céramiques multicouches, peuvent faire appel à des
études consacrées à la technologie et au frittage ayant pour but la
poudres de dimensions nanométriques dont le diamètre moyen doit
compréhension des divers mécanismes et de leurs conséquences. Leur
être au maximum de quelques dizaines de nanomètres si ce n’est
thème général est la technologie d’élaboration des céramiques : syn-
moins. Les propriétés de la surface de ces poudres, distinctes de cel-
thèse des matières premières, mise en forme, frittage.
les de leur volume, présentent alors une importance particulière.
En effet, si certaines des conclusions des études consacrées particu-
Le problème principal concernant les matières premières de base
lièrement au frittage concernent la définition de celui-ci (température
qui sont sous forme de poudres est que l’on ne sait les caractériser
maximale, durée du palier à cette température, définition du cycle
que d’une manière incomplète : on sait déterminer leur surface spé-
température-temps afin de favoriser certains mécanismes de trans-
cifique, leur répartition granulométrique – en assimilant leurs for-
port au détriment d’autres et donc la microstructure qui en découle
mes à des formes simples –, décrire le faciès des grains ; on sait
directement), d’autres mettent en cause la nature exacte des matières
évaluer une pureté chimique, caractériser la structure cristalline,
premières utilisées, leur microstructure, leur répartition granulométri-
déterminer un potentiel ζ mais des paramètres fondamentaux tra-
que, ainsi que la manière dont elles ont été utilisées : dispersion des
duisant la réactivité du matériau vis-à-vis d’autres avec lesquels il
poudres et mise en forme de la céramique « crue », parfois dénom-
est amené à réagir sont difficiles à évaluer [2]. Ces paramètres en
mée céramique « verte » par les céramistes traditionnels.
particulier font l’objet actuellement de nombreuses recherches.
Des choix technologiques qui pourraient paraître anodins tels
que, par exemple, le mode de mélangeage des matières premières ■ Mélangeage. Broyage
avant chamottage (opération de calcination au cours de laquelle Il s’agit d’une des phases essentielles du cycle de fabrication
réagissent en phases solides les matières premières initiales pour d’une céramique. Nous l’évoquons ici dans le cadre restreint du
former le matériau qui est ensuite mis en forme et fritté) sont mélange initial de poudres en vue de la réaction à l’état solide appe-
maintenant considérés comme fondamentaux, car ayant une lée chamottage, mais ce paragraphe doit être également compris
influence directe sur les propriétés finales de la céramique. comme commentant l’étape ultérieure de la préparation de la
« composition » céramique avant mise en forme et frittage. Elle a
pour effet de broyer les matières premières ou les chamottes, et sur-
2.2 Fabrication d’une céramique massive tout d’en mélanger les divers constituants : matériaux de base, cha-
mottes, liants organiques, ajouts divers. C’est également au cours
2.2.1 Organigramme général de fabrication de cette opération que sont dispersés les agglomérats de grains
de céramiques pour l’électronique dont sont généralement formées les poudres minérales.
L’organigramme général de fabrication d’une céramique pour Le matériel de broyage est choisi en fonction de l’action que l’on
l’électronique peut être décrit en termes identiques à ceux définissant recherche : broyage, ou bien simplement mélangeage. Il dépend
la fabrication d’une céramique traditionnelle (figure 1). Les machines également des quantités de matériaux concernés, et des pollutions

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Choix et stockage des matières


premières

Dosage/pesage

Synthèse par voie solide Synthèse par voies chimiques


Autres procédés de synthèse
(broyage-mélangeage-séchage, ou en milieu humide ou
(mécanosynthèse, spray-pyrolyse, etc.)


chamottage/calcination) (voie sol-gel, voie hydrothermale, etc.)

Ajustement de la composition, ajout de liants


(broyage-mélangeage-séchage)

Réalisation de barbotine, de pâte plastique,


de granulés, etc.

Mise en forme
(pressage, coulage, extrusion, etc.)

Dégourdi

Cuisson ou frittage

Figure 1 – Principales étapes de la fabrication d’un composant électronique passif céramique

qu’il engendre qui doivent être soit utilisées (par exemple, dans ■ Chamottage ou calcination
l’industrie des ferrites, on utilise des broyeurs en acier en tenant
compte dans la formulation de la quantité de fer introduite par Cette opération a pour but de transformer un mélange de
l’usure du matériel), soit non gênantes. Les matériels le plus sou- poudres en un matériau dont on veut maîtriser la nature cristalline
vent utilisés sont des broyeurs à tambour, ou bien des attritors, ou et la réactivité, ce matériau étant ensuite l’élément constitutif prin-
d’autres broyeurs utilisant l’attrition comme principe. cipal ou unique de la céramique. Elle consiste à faire subir aux
matériaux pulvérulents un cycle thermique, éventuellement sous
Généralement, le broyage est effectué en milieu humide, et la
atmosphère contrôlée, au cours duquel ils vont, par des phéno-
barbotine qui en est issue lors du broyage final est celle qui sera
mènes de diffusion en phase solide, réagir, et former la phase cris-
utilisée lors des phases finales de mise en œuvre. Aussi, elle doit
talline recherchée. Plusieurs raisons imposent le plus souvent cette
posséder toutes les qualités rhéologiques nécessaires, et la
opération, par opposition à la démarche qui consisterait à fritter
manière dont le matériau céramique y est dispersé est prépondé-
directement le mélange de matériaux de base :
rante. Ce dernier point est particulièrement sensible dans l’indus-
trie des céramiques pour l’électronique qui utilise des matériaux – la réaction entre matériaux de base se fait le plus souvent avec
dont les grains peuvent avoir un diamètre inférieur au micromètre. des variations dimensionnelles importantes, incompatibles lors
De telles particules tendent à s’agglomérer, en particulier suite à la d’un frittage avec une maîtrise satisfaisante de la géométrie de la
présence de charges de surface dont l’action est décrite dans la pièce frittée ;
théorie dite DLVO (du nom de ses inventeurs Derjaguin, Landau,
Verwey et Overbeek) ou de la double couche. Il faut donc arriver à – les températures auxquelles se produisent les réactions sont le
détruire ces agglomérats par une action mécanique et les empê- plus souvent des températures où le frittage de la céramique est
cher ensuite de se reformer par l’utilisation judicieuse d’ajouts. Il effectif, et donc elles ne pourraient se faire qu’au détriment de la
s’agit là d’un point fondamental dont dépend la rhéologie de la maîtrise de celui-ci ;
barbotine, mais également la physico-chimie du chamottage ou du – on ne peut souvent maîtriser l’introduction d’ajouts que si
frittage et la maîtrise de la structure et de la microstructure de la ceux-ci ne sont mélangés qu’avec le matériau déjà formé : ils pour-
céramique à l’issue du cycle de fabrication. raient réagir avec l’un des matériaux de base, ou bien se sublimer
Ensuite, selon la nature de l’étape suivante (chamottage ou mise en avant d’être incorporés, ou encore former une phase fusible entraî-
forme), la barbotine est soit transformée (séchée, filtre-pressée, atomi- nant une densification préjudiciable à la formation de la phase
sée, etc. selon des procédés analogues à ceux de la céramique tradi- recherchée (tel par exemple un composé de bismuth ou de bore
tionnelle), soit utilisée telle quelle après ajouts de liants et désaération. dans une composition diélectrique à base de titanate de baryum).

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CÉRAMIQUES POUR COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES ______________________________________________________________________________________

Le chamottage se fait dans des fours qui sont le plus souvent ser les divers procédés développés selon qu’ils impliquent la dis-
des fours continus : fours tournants, du même principe que les solution sélective d’une partie du matériau de départ, ou bien (et
fours de cimenterie, ou fours à passage. c’est en cela que consiste la synthèse de poudres par voie hydro-
À l’issue du chamottage, le matériau constituant de base de la thermale) la précipitation d’un solide formé par une réaction
céramique est donc disponible. Il est le plus souvent nécessaire de chimique dans le milieu hydrothermal.
lui faire subir un broyage afin d’en maîtriser les caractéristiques La synthèse hydrothermale diffère des autres voies « chimiques »
granulométriques. C’est lors de ce broyage que, le plus souvent, d’élaboration d’oxydes métalliques par les conditions de température
est ajustée la composition définitive de la poudre destinée à être et de pression mises en œuvre. Le mécanisme de base de ces réac-
mise en forme par adjonction d’ajouts et mélangeage. tions est la dissolution des précurseurs (ou de dérivés intermédiaires)
Le cycle de préparation/mélange suivi de chamottage est le plus suivie d’une précipitation des produits, la solubilité des réactifs (sels,
commun, et surtout le plus économique. hydroxydes...) étant plus élevée dans le milieu que celle des oxydes
formés. La nature chimique des précurseurs et les réactions mises en

R 2.2.2.2 Préparation des matériaux par voies chimiques jeu sont parfois semblables à celles d’autres méthodes à pression
en milieu humide ambiante, l’effet des facteurs pression et température consistant ici à
favoriser la cristallinité des particules solides formées par nucléation
■ Voies chimiques sous la pression atmosphérique normale et croissance. Les étapes ultérieures de calcination et de broyage peu-
L’idée de synthétiser des matériaux pulvérulents par des procé- vent être alors le plus souvent évitées, la synthèse hydrothermale
dés appartenant à la « chimie douce » n’est pas nouvelle. Plusieurs conduisant directement à l’obtention de poudres submicroniques
techniques de synthèse ont jalonné le développement de ce cristallisées ayant une grande réactivité lors du frittage.
concept. Elles consistent à former des précipités ou des gels à par- Les voies de synthèse hydrothermales actuellement dévelop-
tir d’une solution homogène contenant les cations désirés, puis à pées à l’échelle industrielle mettent en œuvre des précurseurs
calciner ces précipités pour former la phase et la microstructure inorganiques peu coûteux, et les réactions ont lieu à des tempéra-
recherchées. Ces techniques permettent, en principe, d’obtenir : tures modérées, souvent inférieures à 250 oC. Cependant, l’utilisa-
– des poudres submicroniques à répartition granulométrique tion de pressions plus élevées de l’ordre de quelques mégapascals
étroite et homogène à l’échelle moléculaire ; nécessite des installations pouvant être complexes, ce qui fait que
– des poudres de haute pureté dont le contrôle de la stœchiomé- le prix des poudres « hydrothermales » est actuellement environ
trie est aisé ; 30 fois celui des poudres obtenues par chamottage, ce surcoût
– des poudres menant par mise en forme et frittage à des céra- étant compensé par une augmentation importante de la qualité
miques denses à microstructure contrôlée. des produits.
Le titanate de baryum est un matériau particulièrement impor- À partir des années 1960, l’intérêt suscité par cette technologie a
tant dans l’industrie des composants électroniques céramiques, et été tel que de nombreux brevets ont été déposés pour l’élaboration
plusieurs voies de synthèse par « chimie douce » ont été dévelop- d’oxydes simples, mixtes ou dopés. Actuellement, ce sont essentiel-
pées. Ces diverses techniques sont représentatives de celles lement les oxydes à structure pérovskite qui font l’objet de dévelop-
utilisées dans le cas d’autres matériaux. pements industriels pour l’élaboration de céramiques pour
Un premier groupe de procédés est constitué par la précipitation applications diélectriques, ferroélectriques ou piézo-électriques. Le
d’oxalates ou de citrates doubles qui conduisent au titanate de coût élevé des poudres produites est essentiellement lié à l’amortis-
baryum par traitement thermique. Cependant, les opérations de sement d’installations nouvelles et non à des difficultés particulières
filtration et de lavage des précipités, ainsi que la précipitation possi- technologiques. On peut donc penser que les qualités intrinsèques
ble de phases parasites rendent difficile le contrôle de la stœchio- de ces poudres et les besoins exprimés par les fabricants de
métrie. De plus, l’élaboration de compositions complexes par composants vont susciter dans un proche avenir un développement
précipitation contrôlée d’un grand nombre d’éléments est malaisée. plus important de ces procédés.
Un deuxième groupe consiste à élaborer un gel en contrôlant la
cinétique de formation des liaisons cation-O-cation, soit par hydro- 2.2.2.3 Autres procédés de synthèse
lyse lente d’un mélange d’alkoxydes, soit par utilisation de ligands ■ Mécanosynthèse
pontants. La poudre obtenue, ultrafine et possédant une grande
surface spécifique (50 à 40 m2 · g–1) forme facilement des agglo- Ce procédé consiste à induire des réactions chimiques à tempé-
mérats et sa mise en forme nécessite une calcination préalable. rature ambiante entre des poudres broyées avec un très grand
D’autre part, les très grandes réactivités à l’air de certains alkoxy- apport d’énergie. On met en œuvre, pour ce faire, des broyeurs à
des, ainsi que du gel amorphe (carbonatation) nécessitent une haute énergie travaillant selon le principe des broyeurs planétai-
mise en œuvre en atmosphère inerte. res. Le système est constitué classiquement d’un plateau principal,
pouvant tourner dans un sens ou dans l’autre. Sur ce plateau se
Enfin, un troisième groupe utilise l’hydrolyse rapide en milieu for- trouve un nombre pair de bols de broyage (de façon à équilibrer
tement basique, soit d’un alkoxyde ou d’un alkoxyde mixte, soit d’un l’appareil). Ces bols dits « planétaires » peuvent également tourner
sel par une solution aqueuse d’hydroxyde métallique. Dans ce cas, la dans un sens ou dans l’autre. On dispose dans ces bols les
difficulté principale consiste à réaliser des réactions complètes. poudres à broyer avec des agents de broyage : billes ou anneaux.
Dans la majorité des cas, les méthodes dites de « chimie Ces agents de broyage sont le plus souvent réalisés en zircone
douce » permettent d’obtenir des poudres dont les caractéristiques yttriée ou en nitrure d’aluminium. En choisissant judicieusement
(finesse, homogénéité, pureté, frittabilité, reproductibilité...) sont les vitesses et sens de rotation du plateau principal et des bols pla-
nettement supérieures à celles des poudres classiques obtenues nétaires, les agents de broyage viennent frapper avec une grande
par chamottage. Cependant, le développement industriel peut en énergie les poudres. En conséquence, celles-ci sont broyées, mais
rester limité du fait du prix de revient élevé, et aussi, dans le cas cette action engendre également, au sein des phases solides dis-
des gels, des problèmes posés par la manipulation de précurseurs posées initialement dans les bols, des phénomènes de diffusion
et solvants organiques. permettant de réaliser la synthèse in situ à basse température de
nouvelles phases (que l’on peut décrire comme des réactions chi-
■ Synthèse hydrothermale miques à l’état solide à très basse température). Ce type de
Le qualificatif « hydrothermal » peut être appliqué à toute broyage permet l’obtention de poudres très fines voire nanomé-
méthode mettant en œuvre une solution aqueuse à température triques. Une autre application de ce type de broyage peut être
moyenne, en général entre environ 90 et 500 oC (le plus souvent l’activation des mélanges de poudre avec pour conséquence une
entre 100 et 350 oC) dans un réacteur sous pression. On peut clas- diminution de la température d’un chamottage ultérieur.

Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie


E 1 820v2 – 6 est strictement interdite. – © Editions T.I.

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Résonateurs diélectriques
Circuits micro-ondes
par Pierre FILHOL
Ingénieur études


EXXELIA TEMEX PESSAC FRANCE

1. Circuits résonants RLC .......................................................................... E 1 920v2 - 2


2. Cavités résonantes.................................................................................. — 3
3. Mode diélectrique TE01δ ........................................................................ — 4
3.1 Indice du milieu diélectrique...................................................................... — 4
3.2 Cavité remplie de diélectrique ................................................................... — 4
3.3 Guide diélectrique....................................................................................... — 4
3.4 Blindage métallique .................................................................................... — 4
3.5 Configuration des champs et fréquence de résonance ........................... — 4
3.6 Couplage avec l’extérieur........................................................................... — 5
3.7 Visualisation ................................................................................................ — 6
3.8 Facteur de qualité de la structure .............................................................. — 7
3.9 Permittivité complexe du résonateur diélectrique et tangente
d’angle de pertes......................................................................................... — 10
4. Modes de cavités..................................................................................... — 11
5. Forme du résonateur diélectrique ...................................................... — 12
6. Mode TEM.................................................................................................. — 14
6.1 Résonateurs coaxiaux — 14
6.2 Lignes micro-ruban sur substrat — 14
7. Modes de galerie ..................................................................................... — 14
8. Structures diélectriques périodiques ................................................ — 16
8.1 Cristaux photoniques.................................................................................. — 16
8.2 Métamatériaux à base de résonateurs diélectriques ............................... — 16
9. Conclusion................................................................................................. — 16
10. Glossaire .................................................................................................... — 16
11. Notations et symboles ........................................................................... — 17
Pour en savoir plus .......................................................................................... Doc. E 1 920v2

es résonateurs diélectriques sont des objets en matériau isolant, à base


L d’oxydes, sous forme de céramique nue ou métallisée, disque cylindre, cube,
sphère… Ils servent comme résonateurs (composants) dans la réalisation de
filtres, d’oscillateurs, d’antennes, aux hyperfréquences (comprises entre quelques
dizaines de mégahertz (106 Hz) et quelques dizaines de gigahertz (109 Hz).
Le résonateur diélectrique remplace les cavités résonantes vides (air seule-
ment) et, comme elles, confine l’énergie électromagnétique, grâce à sa
permittivité élevée (entre 10 et 100). Il présente des fréquences propres de
résonance (modes), avec les avantages suivants sur les cavités résonantes :
• réduction de la taille du composant dans le rapport de la racine carrée de
la permittivité,
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RÉSONATEURS DIÉLECTRIQUES _______________________________________________________________________________________________________

• coefficient de stabilité thermique de la fréquence de résonance ajustable


et avoisinant 10–6/°C permettant de s’adapter à son environnement,
• facilité de mise en œuvre.
Suivant la composition du matériau et l’environnement, le facteur de qualité
peut être supérieur à celui d’une cavité métallique, à l’exception de celui d’une
cavité supraconductrice.
Même si, en pratique, le résonateur diélectrique est facile d’emploi, néan-
moins la détermination théorique de la fréquence de résonance ou du facteur
de qualité du composant est plus complexe que celle d‘une cavité métallique.
L’apport des techniques de calculs numériques permet de surseoir la difficulté.

R Cet article expose le concept du résonateur dans le mode transverse élec-


trique TE01δ , ainsi que ses caractérisations effectuées par les fabricants de
matériaux. La manière de le coupler au circuit extérieur avec divers éléments
(boucle, ligne micro-ruban) est exposée. La caractérisation du résonateur sous
forme d’un élément de filtre permet de remonter aux pertes diélectriques du
matériau. Les matériaux pour résonateurs diélectriques sont aussi utilisés dans
des modes différents (hybride, transverse magnétique TM, transverse électro-
magnétique TEM, etc.). Ces derniers modes concernent le cas de filtres
(spatial, radiotéléphonie mobile) : il s’agit généralement de réaliser un com-
promis entre le facteur de qualité le plus élevé possible et le volume ou la
masse minimum du résonateur.

1. Circuits résonants RLC – un facteur de qualité Q défini par :

(3)
Aux fréquences supérieures au gigahertz, les circuits hyper- d
fréquences passifs sont composés d’éléments tels que lignes de
propagation, coaxiales, microrubans, guides d’ondes, etc., ainsi W est l’énergie emmagasinée dans le circuit pendant une
que de cavités résonantes. Ces éléments ont des dimensions du période à la résonance, et Pd la puissance dissipée pendant le
même ordre de grandeur ou supérieures à la longueur de l’onde même temps :
électromagnétique. Les dimensions des résonateurs diélec-
triques sont de l’ordre de la longueur d’onde dans le matériau
ou d’une fraction de cette longueur, ce qui explique que les (4)
dimensions diminuent quand la permittivité augmente, cela est
explicité au § 3.
On montre que le facteur Q est relié à la bande passante à 3 dB
On définit des constantes réparties en termes de capacités, (voir encadré 2) par :
inductances, résistances, capacités linéiques, inductances
linéiques, résistance linéiques. Il est d’usage de traduire ces cir-
cuits en schémas équivalents basses fréquences d’un circuit réso- (5)
nant en constantes localisées avec des résistances R, inductances
L et condensateurs C localisés.
Pour caractériser un résonateur diélectrique, on est ainsi Encadré 1 : Outils d’analyse des circuits
conduit à caractériser un circuit résonant équivalent. Un modèle
utilisé est le circuit résonant équivalent basse fréquence R, L, C En pratique, les circuits sont caractérisés avec des analy-
série (fig. 1). La puissance dissipée dans la résistance R (signal) seurs scalaires ou vectoriels.
est proportionnel au carré de l’intensité du circuit. Les caractéris-
Les premiers donnent l’amplitude du signal en fonction de la
tiques du circuit sont :
fréquence ; les seconds donnent l’amplitude et la phase, ou
– la fréquence de résonance fr ou pulsation ωr au maximum du partie réelle et imaginaire de l’impédance etc. ; l’abaque de
signal qui satisfait : Smith est utilisé.
(1) Rappelons que les échelles des amplitudes A des signaux
analysés (détection par diode ou équivalent) sont logarith-
– une bande passante δf3dB à 3 dB, c’est-à-dire à mi-hauteur du miques. Il s’agit de puissances P, repérées par rapport à une
signal de résonance, référence P0.
– une impédance de module au carré : En décibel (dB) : A = 10 log(P/P0)
P0 est exprimée en dBm, 0 dBm équivaut à 1 mW.
(2) Pour P = P0/2, A = –3 dB

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________________________________________________________________________________________________________ RÉSONATEURS DIÉLECTRIQUES

Signal

I
R

Bande U L
passante
δf3dB
C

Fréquence

f1 f2
fr

Figure 1 – Bande passante δf3dB de circuits résonants série RLC

Encadré 2 : Démonstration de la relation Q = fr/δf3dB Figure 2 – Cavités hyperfréquences

On utilise en général la variable réduite :


■ Type parallélépipédique (figure 2a)
Dans un système de coordonnées cartésiennes (O, x, y, z) :
La bande passante est :

avec v vitesse de l’onde dans le milieu,


f2 et f1 sont situées symétriquement par rapport à fr, proches
à moins du pour cent et correspondant à un signal moitié du a, b, c dimensions intérieures de la cavité,
signal maximum de résonance (emploi d’échelle logarith- m, n, p nombres entiers positifs ou nuls, nombres de
mique soit à –3 dB) demi-longueurs d’onde suivant les axes x, y, z.
Il vient donc Les modes transverses électriques TE ou transverses magné-
tiques TM sont notés TEmnp ou TMmnp ; les lignes de champ d’un
D’autre part, le circuit RLC est sous la tension de module U mode de base TE101 sont représentées. Le champ électrique est
et parcouru par un courant de module I ; l’impédance Z relie dans le plan xy.
ces 2 grandeurs et le module au carré s’écrit aussi en fonction
de R, L, C à partir de (1) et (2) : ■ Type cylindrique (figure 2b)
on utilise le système de coordonnées cylindriques (O, θ, r, z),
θ coordonnée azimutale ou angulaire, r coordonnée radiale, z
coordonnée axiale. L’expression de l’équation de résonance est :
Au signal moitié (3 dB), Z 2 est multiplié par 2 (signal propor-
, pour un mode TM,
tionnel au carré du courant).

Soit
ou , pour un mode TE
Ou encore
avec R et h rayon et hauteur du cylindre,
Ainsi ou encore xmn racine énième de la fonction de Bessel Jm(x) de
première espèce d’ordre n,
racine énième de la dérivée de la fonction de
Bessel de première espèce d’ordre n,
2. Cavités résonantes m, n, p nombres entiers positifs ou nuls, nombres de
demi-longueurs d’onde suivant θ, r, z
L’étude des résonateurs diélectriques, des champs électroma- respectivement.
gnétiques présents et des modes de résonance est basée sur celle Les lignes de champ d’un mode de base TE011 sont représen-
des cavités résonantes, remplies ou non de diélectrique homo- tées. Le champ électrique est dans le plan O, θ, r.
gène [E1402]. Dans le cas d’une application avec la cavité cylindrique, le mode
Des modes de résonance de type transverse électrique notés TE 011 est choisi car le champ électrique est tangentiel à la cavité
TE, ou transverse magnétique notés TM, peuvent être excités à et les pertes métalliques sont donc plus faibles pour ce mode que
des fréquences fr satisfaisant les équations ci-dessous pour pour les autres. C’est ce mode qui est à la base du fonctionne-
chaque type de cavités, parallélépipédiques ou cylindriques. ment des résonateurs diélectriques. Le mode correspondant dans

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RÉSONATEURS DIÉLECTRIQUES _______________________________________________________________________________________________________

un résonateur diélectrique est souvent noté TE01δ avec le dernier


indice δ quantité comprise entre 0,5 et 1. La hauteur du résonateur
ne correspond pas exactement à une demi-longueur d’onde.

3. Mode diélectrique TE01δ


3.1 Indice du milieu diélectrique
L’indice n du milieu diélectrique est défini comme le rapport de ε
la vitesse de la lumière dans le milieu diélectrique à la vitesse


dans le vide. Il dépend à la fois de la permittivité diélectrique et de
la perméabilité magnétique. Dans cet article, on considère un
matériau aux propriétés homogènes et isotropes. La perméabilité
magnétique relative est égale à 1, ce qui est le cas en général des Figure 3 – Cavité chargée de diélectrique
résonateurs diélectriques. L’indice n s’écrit alors :
(6)
La permittivité diélectrique εr, ainsi que l’indice n qui lui est
reliée, prend une expression complexe, avec une partie réelle
pour traduire la vitesse de propagation, et une partie imaginaire
pour traduire la dissipation énergétique dans le matériau ;

Cet aspect est repris au §3.9 en relation avec l’énergie dans le


matériau.

3.2 Cavité remplie de diélectrique


Afin de diminuer les dimensions des circuits, la première méthode
utilise un diélectrique pour remplir une cavité résonante. On diminue
Les dimensions de la cavité sont environ 3 fois celles du résonateur.
ainsi les dimensions par la valeur de l’indice n du milieu et le volume
Le piédestal, ou support, est en matériau de faible εr (teflon, quartz,
par n3 ; mais par là-même, on diminue le facteur Q de n [1], même en
silice, alumine).
supposant le diélectrique sans pertes. En effet, pour maintenir la fré-
quence constante, il faut diminuer simultanément toutes les dimen-
sions par n ; cela réduit l’inductance et la capacité de n, mais ne
Figure 4 – Structure idéale pour résonateur diélectrique
change pas la résistance ; celle-ci est en effet proportionnelle au rap-
port de la longueur à la section des conducteurs. Or la longueur et la
largeur sont toutes deux divisées par n, et l’épaisseur qui correspond purement diélectrique, pour laquelle il existe toujours une perte
à l’épaisseur de peau ne change pas puisque la fréquence est d’énergie par rayonnement. Il y a toujours un peu d’énergie en
constante. Le facteur Q est donc divisé par n ou . dehors du résonateur ; l’énergie réactive stockée lors de la réso-
nance n’est pas strictement confinée à l’intérieur du résonateur au
contraire d’une cavité métallique. Les champs de fuite hors du
3.3 Guide diélectrique résonateur peuvent alors être utilisés pour réaliser le couplage et
le réglage de la fréquence.
Une seconde méthode, et c’est celle qui est retenue, permet de
réaliser des circuits avec des facteurs de qualité équivalents, voire Dans le cas d’un résonateur isolé, les champs de fuite pro-
plus élevés, et des dimensions réduites d’un facteur n/3 à n/5 typi- duisent un rayonnement qui peut être éventuellement utilisé (pour
quement (figure 3). réaliser une antenne par exemple), mais qui, dans la plupart des
applications, doit être éliminé par un blindage métallique pour
Le principe est le suivant : les ondes électromagnétiques sont gui- éviter la dégradation inhérente du facteur de qualité.
dées à l’aide de conducteurs métalliques, mais elles peuvent aussi
l’être à l’interface de toute discontinuité d’impédance. C’est la base Ce terme de rayonnement devient de plus en plus faible, ou
des guides diélectriques, des fibres optiques, et aussi des résonateurs l’onde est plus guidée, lorsque :
diélectriques. Le résonateur diélectrique est alors un volume isolé de – le mode a un ordre élevé (modes TEmnp, TMmnp, avec m, n, p
diélectrique dans lequel est guidée, confinée, l’onde électromagné- grands) ;
tique. Ainsi, il n’y a plus de pertes métalliques à prendre en considé- – la structure est longue (longueur grande devant la section) ;
ration et le coefficient de qualité est déterminé uniquement par les – la permittivité est élevée : ε .
pertes diélectriques du matériau. Le résonateur diélectrique peut être
comparé à un élément de fibre optique fonctionnant dans le domaine Par la suite, le résonateur diélectrique est considéré dans son
des hyperfréquences. La variation d’indice à l’interface résonateur/air blindage comme cela est représenté sur la figure 4.
permet de réfléchir l’onde électromagnétique à l’intérieur du
résonateur ; ainsi, l’énergie est concentrée dans le résonateur.
3.5 Configuration des champs
et fréquence de résonance
3.4 Blindage métallique
Les modes dits diélectriques sont des modes pour lesquels
Toutefois, si les conducteurs métalliques permettent un confine- l’énergie électrique est en majorité dans le diélectrique, et non
ment rigoureux de l’onde, ce n’est pas le cas avec une structure dans le milieu environnant comme pour le blindage.

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Résonateurs diélectriques
Matériaux et composants
par Pierre FILHOL
Ingénieur ESPCI


Exxelia Temex, Pessac, France

1. Caractérisation ............................................................................................ E 1 922V2 - 2


1.1 Mesure de la permittivité ........................................................................... — 2
1.2 Mesure des pertes diélectriques................................................................ — 3
1.3 Mesure de la stabilité en température ...................................................... — 3
2. Élaboration des matériaux......................................................................... — 4
3. Sélection de matériaux diélectriques ....................................................... — 5
3.1 Coefficient de stabilité thermique de la fréquence .................................. — 5
3.2 Permittivité relative réelle et facteur de qualité........................................ — 5
4. Permittivité des matériaux et pertes diélectriques ................................. — 6
4.1 Permittivité .................................................................................................. — 6
4.2 Pertes diélectriques en fonction de la fréquence, de la température
et de la permittivité ..................................................................................... — 7
5. Gamme de matériaux céramiques hyperfréquences .............................. — 9
5.1 Titanates de base ZrTiO4 ............................................................................ — 9
5.2 Titanates du diagramme CaTiO3-NdAlO3 ................................................. — 11
5.3 Titanates du diagramme SrTiO3-LaAlO3 ................................................... — 11
5.4 Tantalates des diagrammes BaO-ZnO-Ta2O5 et BaO-MgO-Ta2O5 :
matériaux BZT et BMT................................................................................ — 11
5.5 Titanates des diagrammes BaO-Sm2O3-TiO2 et BaO-Nd2O3-TiO2 :
matériaux BST et BNT ................................................................................ — 12
6. Mise en œuvre............................................................................................. — 13
6.1 Forme et dimension.................................................................................... — 13
6.2 Calcul de la fréquence de résonance et des cotes ................................... — 13
6.3 Réglage de la fréquence ............................................................................. — 13
6.4 Fixation ........................................................................................................ — 13
6.5 Emploi d’un support ................................................................................... — 14
7. Applications................................................................................................. — 14
7.1 Oscillateurs : détermination du coefficient de température optimal ...... — 14
7.2 Filtres : gabarit, modes parasites, exemples ............................................ — 15
8. Conclusion ................................................................................................... — 16
9. Glossaire ...................................................................................................... — 17
10. Notations et symboles ............................................................................... — 17
Pour en savoir plus .............................................................................................. Doc. E 1 922v2

ans l’article [E1920], les résonateurs diélectriques ont été présentés en


D remplacement des cavités métalliques dans les circuits micro-ondes,
comme éléments résonnants. Ils entrent dans la réalisation d’oscillateurs ou
de filtres et sont employés suivant divers modes électromagnétiques de type
p。イオエゥッョ@Z@、←」・ュ「イ・@RPQV

TE, TM, TEM. Dans cet article, la caractérisation des propriétés des résona-

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RÉSONATEURS DIÉLECTRIQUES _______________________________________________________________________________________________________

teurs diélectriques est donnée. Effectuée par le fabricant, elle lui permet
d’améliorer ces propriétés au bénéfice de l’utilisateur, soit : permittivité élevée
pour une plus grande miniaturisation, facteur de qualité élevé pour l’obtention
d’une haute pureté spectrale d’un oscillateur ou un minimum de pertes
d’insertion d’un filtre, coefficient de température ajustable. Cela se fait par
l’étude des compositions chimiques et du procédé céramique comprenant le
mélange intime des éléments, matières premières, oxydes ou carbonates pul-
vérulents, cela en général par voie liquide, puis les conditions de frittage, dont
les températures et l’atmosphère oxydante. Les formulations qui sont présen-
tées ont été déterminées à partir d’oxydes simples comme l’alumine Al2O3 ou
l’oxyde de titane TiO2 de permittivité respectivement ~10 et ~100, et d’autres

R oxydes de baryum, zirconium, étain, tantale, niobium, terres rares comme le


samarium, le néodyme, etc. Ces formulations non triviales permettent d’avoir
un bon compromis entre une stabilité thermique en fréquence améliorée, de
quelques 10–6/K, et des pertes diélectriques suffisamment faibles, inférieures à
10–3 ou, en équivalence, des facteurs de qualité supérieurs à 1 000 jusqu’à des
dizaines de milliers. Quelques éléments de mise en œuvre dans les circuits
sont donnés.

1. Caractérisation
1.1 Mesure de la permittivité
Il est important de connaître avec précision la permittivité du
matériau afin de calculer les cotes d’un résonateur fonctionnant à
une fréquence donnée. La mesure de ce paramètre est effectuée
selon la méthode classique de Hakki et Coleman [1] reprise par
Courtney [2] et Kobayashi [3] [4]. L’échantillon cylindrique est
placé entre deux plaques métalliques parallèles (figure 1).
Lorsque les plaques touchent les extrémités du cylindre,
l’expression des conditions de continuité des champs aux inter-
faces conduit à une équation transcendante sous forme de fonc-
tions de Bessel qui relie la fréquence de résonance, la permittivité
et les cotes du résonateur :

(1)

(2)

et

(3)

avec r rayon du résonateur,


h hauteur du résonateur.
Cette méthode est très précise parce que la configuration réelle
des champs est conforme à la configuration théorique et qu’il n’y
a pas d’effet de bord ou de problème de contact en raison du
choix du mode TE01δ . Ce mode peut être identifié facilement (voir
[E1920] figure 10). Parmi les modes les plus bas en fréquence,
c’est le seul dont la fréquence diminue lorsque les plaques sont Figure 1 – Mesure de la permittivité : méthode Hakki et Coleman
reprise par Courtney [2] et Kobayashi [3] [4]
éloignées du résonateur. La précision de la mesure est déterminée
par celle des cotes, typiquement 0,1 %.

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________________________________________________________________________________________________________ RÉSONATEURS DIÉLECTRIQUES

1.2 Mesure des pertes diélectriques où µ (H/m) est la perméabilité du matériau égale à µ0 celle du
vide, σ (S/m) la conductivité électrique du métal, et où la fonction
Différentes méthodes sont utilisables ; elles sont présentées par fait intervenir les fonctions de Bessel avec les valeurs a et b,
ordre de complexité croissante. solutions de l’équation transcendante (1) :

■ Choix d’une configuration telle que les pertes métalliques sont


négligeables voir [E1920] figure 4) : les dimensions du blindage (9)
doivent être 3 à 5 fois celles du résonateur et le métal doit être un
A est un facteur supérieur à 1 ; il exprime le fait que l’énergie
bon conducteur (cuivre, argent…). Il vient ([E1920] § 3.8 n’est pas toute concentrée dans le résonateur ; A est d’autant plus
et figure 12) avec une précision de ± 10 %. proche de 1 que εr est grand et l’énergie concentrée dans le réso-
nateur.
■ Élimination des pertes métalliques par la méthode de la triple


Rs est la résistance de surface du métal ; elle peut être détermi-
mesure : il faut disposer de deux résonateurs identiques qui sont née en utilisant le mode TE012 comme dans la 2e méthode décrite.
mesurés dans la configuration de mesure de la permittivité Deux résonateurs identiques sont superposés ; B est alors divisé
(figure 1) : par 2 ; f, A et tan δ sont inchangés et Rs s’écrit en fonction de Qv1
– 1re mesure : résonateur n° 1 en mode TE011 (f1, Qv1) ; et Qv2, coefficients de qualité des modes TE011 et TE012
– 2e mesure : résonateur n° 2 en mode TE011 (f2, Qv2) ; respectivement :
– 3e mesure : résonateurs superposés n° 1 + n° 2 en mode TE012
(f3, Qv3). (10)
Pour des résonateurs suffisamment semblables, il vient :

Le facteur de qualité à vide du circuit pour chaque mesure i, Qvi,


1.3 Mesure de la stabilité en température
est déterminé à partir de la mesure du facteur de qualité en
La mesure est effectuée dans la configuration de Hakki et
charge Qci ([E1920] § 3.7.1) ; il est défini par ([E1920] § 3.8) :
Coleman ; la fréquence de résonance est suivie en fonction de la
d a température, descendante de préférence pour éviter tout pro-
v (4) blème de condensation en surface : en effet en température
π d m r
ascendante à partir de températures négatives, la céramique,
avec Wdi , Wai les énergies stockées dans le diélectrique moins bon conducteur thermique que son environnement métal-
et dans l’air respectivement, lique, est donc plus froide que celui-ci. Lorsque la température est
les énergies absorbées par le diélectrique, voisine de 0 °C, l’humidité de l’enceinte thermique se condense en
par le blindage métallique, et l’énergie surface du résonateur, et là où le champ électrique est le plus
rayonnée pour la mesure i. élevé. La constante élevée de l’eau (80) fait baisser la fréquence
de résonance naturelle du résonateur et augmente les pertes,
La tangente de l’angle de pertes est exprimée par le rapport : faussant ainsi la mesure. Pour pallier ce problème on peut prévoir
un piège à humidité dans l’étuve plus efficace que le résonateur.
(5)
Les matériaux pour résonateurs diélectriques sont caractérisés
par la stabilité de la fréquence τf plutôt que par celle de la permit-
en négligeant le terme de rayonnement, en supposant l’énergie
tivité τε, qui lui est reliée par le coefficient de dilatation linéaire αᐍ
concentrée dans le résonateur diélectrique et comme l’énergie
([E1920] § 3.8) :
dissipée dans le métal ne change pas dans les trois cas de mesure
(même fréquence et même configuration des champs au niveau
du métal), il vient ([E1920] § 3.8) : (11)

(12)
(6)
(13)

■ Calcul exact des champs dans le résonateur et des courants Cette démarche pourrait passer pour une confusion entre
induits dans les parois métalliques : la méthode des éléments finis l’aspect composant et l’aspect matériau. En fait, le paramètre τf
permet de calculer les énergies dans une structure donnée et ainsi est aussi caractéristique du matériau puisqu’il rend compte à la
extraire la tangente de pertes diélectriques ([E1920] encadré 3 et fois de la dilatation et de la variation de la permittivité. Il constitue
figure 12). La méthode analytique de Hakki et Coleman (figure 1) le paramètre fondamental pour l’utilisateur : il n’est pas néces-
permet de calculer les énergies et les pertes métalliques connais- saire de séparer les deux contributions.
sant la conductivité du métal et d’en déduire tan δ : L’expression de τf pour une gamme de température donnée [T1, T2]
est :
(7)

avec : (14)

En l’absence de norme, chaque fabricant définit sa plage de


température ; certains utilisent aussi deux plages de température :
une plage haute température à partir de l’ambiante et une plage
(8) basse température à l’opposé. Cela est important car la variation
de la fréquence f en fonction de la température T n’est jamais
strictement linéaire. Dans le cas de la figure 2, un τf défini comme
précédemment (relation (14)) est nul, alors que la fréquence n’est

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RÉSONATEURS DIÉLECTRIQUES _______________________________________________________________________________________________________

Figure 2 – Évolution de la fréquence en fonction de la température


(matériau (Zr, Sn, Ti) O4 E2036 EXXELIA TEMEX)

pas invariante sur la plage de température. Il convient donc de la


modéliser par un développement polynomial :

(15)

En pratique, il suffit de se limiter au 2e degré. La courbe en tem-


pérature est alors caractérisée de façon générale avec les deux
paramètres a et b où a est le τf défini précédemment et b caracté- SrCO3
rise la non-linéarité (figure 2). τf peut donc s’écrire :
– soit : Al2O3 Nd2O3
Nb2O5 NiO
(16)
Ga2O3 CuO
– soit, en développant la relation (14) avec la relation (15) :
Bi2O3 V2O5
(17)

Ou
(18) Figure 3 – Technique céramique générale
En posant
(19) Les compositions de base sont modifiées par des ajouts typiques
de l’ordre du pour-cent pour améliorer la densification et la qualité
Nota : la dérive en température est majorée au plus de b ΔT 2 dans le cas où τf = a = 0. de la céramique (permittivité, facteur de qualité). On utilise notam-
ment des ajouts d’oxyde de nickel NiO, de chrome Cr2O3, de terres
rares : l’oxyde de lanthane par exemple (La2O3) est utilisé pour amé-
liorer le facteur de qualité du composé (MgCa) TiO3 [12].
2. Élaboration des matériaux Dans tous les cas de céramiques, il est possible de diminuer la
température de frittage, par ajout ou substitution, au moyen d’élé-
Les résonateurs sont élaborés sur la base d’une composition ments comme l’oxyde de bismuth (Bi2O3), l’oxyde de cuivre
chimique déterminée, et par la technique céramique (figure 3), (CuO), l’oxyde de vanadium (V2O5) ; l’oxyde de gallium (Ga2O3) et
c’est-à-dire la réaction chimique par voie solide des éléments l’oxyde de zinc (ZnO) sont utilisés pour réduire de quelques cen-
chimiques et la densification à haute température (frittage) après taines de kelvins la température de frittage supérieure à 1 600 °C
mise en forme (pressage, coulage, extrusion). On peut voir, pour de la pérovskite BaMg1/3Ta2/3, cf. [41].
cette technique, l’article [E1820]. L’amélioration de la densification peut aussi être obtenue par
On peut considérer deux familles de compositions : un écart à la stoechiométrie de la composition, c’est-à-dire un
excès ou un défaut d’un élément pour faciliter les phénomènes de
– les titanates à base d’oxyde de titane dont les températures de diffusion se produisant à haute température, nécessaires au frit-
frittage sont de l’ordre de 1 400 °C et qui sont parmi les premiers tage, cf. [32].
apparus industriellement avec soit le composé Ba2Ti9O20 [5] soit le
composé (ZrSnTi)O4 [6] [7] [8] ; Le processus de fabrication céramique classique détaillé est le
– les pérovskites à base de baryum et de tantale (tantalates) suivant :
dont les températures dépassent 1 550 °C, avec une première réfé- – les oxydes et carbonates pulvérulents (taille de grain de l’ordre
rence historique [9] puis [10] [8]. du micron) sont pesés suivant la composition requise en tenant

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Caractéristiques générales
des condensateurs – Condensateurs
céramiques

par Henri LAVILLE



Responsable Recherche et Technologie
Exxelia, GBU Capacitors, Chanteloup-en-Brie, France

Cet article est la version actualisée d’une partie de l’article [E 1 925] intitulé
« Condensateurs », rédigé par Alain BEAUGER, Jean-Marie HAUSSONNE, Jean-Claude
NIEPCE, et paru en 2007.

1. Comment classer les condensateurs .......................................... E 1 925v2 – 2


1.1 Caractéristiques physiques ................................................................ — 2
1.2 Principales familles de condensateurs .............................................. — 4
2. Condensateurs céramiques........................................................... — 4
2.1 Technologie ........................................................................................ — 7
2.1.1 Élaboration des condensateurs monocouches ....................... — 7
2.1.2 Élaboration des condensateurs multicouches ........................ — 7
2.2 Miniaturisation et baisse des coûts des condensateurs céramiques
multicouches ...................................................................................... — 9
2.2.1 Solutions envisagées ............................................................... — 9
2.2.2 Diminution des températures de frittage................................ — 10
2.2.3 Remplacement des métaux précieux par des métaux non
nobles : nature des électrodes internes, adaptation du
diélectrique et impact sur la technologie ............................... — 10
2.2.4 Utilisation de poudres de diélectriques à grains
nanométriques ......................................................................... — 11
2.2.5 Progrès réalisés en termes de baisse des coûts
et de miniaturisation ............................................................... — 12
2.3 Propriétés électriques ........................................................................ — 12
2.3.1 Comportement en fréquence .................................................. — 13
2.3.2 Variation en fonction de la tension ......................................... — 13
2.3.3 Variation avec le temps ........................................................... — 13
2.3.4 Variation de la résistance d’isolement .................................... — 13
2.3.5 Autres influences ..................................................................... — 13
2.4 Applications ........................................................................................ — 13
2.5 Évolution technologique .................................................................... — 14
2.6 Fonctions passives intégrées ............................................................. — 14
3. Autres technologies – Tendances ................................................ — 15
3.1 Évolution du secteur .......................................................................... — 15
3.2 Autres technologies ........................................................................... — 15
4. Conclusion........................................................................................ — 15
5. Glossaire ........................................................................................... — 15
6. Symboles .......................................................................................... — 16
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. E 1 925v2
p。イオエゥッョ@Z@、←」・ュ「イ・@RPQX

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CARACTÉRISTIQUES GÉNÉRALES DES CONDENSATEURS – CONDENSATEURS CÉRAMIQUES –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

es condensateurs sont des composants passifs, et ils sont utilisés dans tous
L les domaines de l’électronique : télécommunications, informatique, automo-
bile, spatial, grand public, etc. Ils permettent d’emmagasiner transitoirement une
charge électrique entre deux électrodes qui sont séparées par un matériau isolant
appelé diélectrique. Leurs performances électriques dépendent de la nature du
diélectrique et de la structure électrode-isolant-électrode. Ces considérations per-
mettent, hors technologies émergentes, de les classer en trois grandes familles :
– condensateurs céramiques,
– condensateurs électrochimiques,
– condensateurs films.


Le choix du type de condensateur dépend des contraintes imposées par
l’application visée : il s’effectue non seulement en tenant compte de la valeur
de la capacité recherchée, mais aussi du comportement du diélectrique en fonc-
tion de la température, de la fréquence, de l’amplitude du signal à traiter, de la
tension de polarisation, des contraintes climatiques, etc. Enfin, les technologies
de mise en œuvre et de report, ainsi que les contraintes de fiabilité et de coût
sont à considérer.
L’évolution technologique des condensateurs est liée à une double sollicitation
de miniaturisation et de baisse des coûts. Cette tendance a imposé, dans les
domaines des télécommunications et des applications dites grand public,
l’emploi exclusif des techniques de report en surface des composants sur cir-
cuits imprimés. Ainsi, les condensateurs destinés aux circuits électroniques de
grande diffusion, qui ne peuvent pas suivre cette évolution pour des raisons
économiques ou techniques, ont disparu ou vont disparaı̂tre, tandis que de nou-
velles technologies (condensateurs « silicium » par exemple) se développent.
Par ailleurs, l’évolution de l’électronique vers une miniaturisation accrue
implique une demande incessante vers des composants toujours plus petits.
Ces derniers sont donc naturellement amenés à présenter un échauffement volu-
mique plus élevé. Les tendances actuelles dans l’électronique de puissance profes-
sionnelle pour l’aéronautique, le spatial, la recherche pétrolière et d’autres, accen-
tuent le besoin de condensateurs capables de fonctionner à des températures
élevées, qui pourraient être comprises entre 150 et 200  C, voire même au-delà.
Face à de telles contraintes, on observe l’apparition de nouveaux matériaux spéci-
fiques, performants et fiables, et de nouvelles approches technologiques.

rapport de la charge emmagasinée par la tension V appliquée


1. Comment classer entre ses armatures :
les condensateurs C = Q /V

C en farads (F),
Q en coulombs (C),
1.1 Caractéristiques physiques V en volts (V).
Le condensateur est généralement soumis à une tension de
Dans le cas simplifié d’un condensateur plan, dont les armatures
nature et forme différentes selon les applications. Lorsque la ten- en regard sont planes, de surface S et équidistantes de e, l’expres-
sion est alternative, elle est caractérisée par sa fréquence f ou par sion de la capacité C est :
sa pulsation w = 2pf.
Un condensateur se caractérise par de nombreuses grandeurs C = εS / e = ε0 εrS / e
physiques qui définissent et limitent ses domaines d’application,
elles sont exposées ci-après. avec e permittivité du diélectrique,
e0 permittivité du vide (8,854.10-12 F.m-1),
& Capacité
er permittivité relative (2 à 20 000) du diélectrique
Un condensateur a d’abord pour fonction de stocker une charge ou constante diélectrique du matériau notée k
électrique Q sous une tension V. Sa capacité C est égale alors au dans la littérature anglo-saxonne.

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– CARACTÉRISTIQUES GÉNÉRALES DES CONDENSATEURS – CONDENSATEURS CÉRAMIQUES

Dans la suite du texte, pour des raisons de simplification, et matériaux et des composants très performants, en pour mille,
comme il est souvent d’usage, nous désignerons par e la permitti- voire en pour dix mille.
vité relative du diélectrique.
La notation complexe est la plus commode pour exprimer ces
Une coupe transversale d’un condensateur plan discoı̈dal, est caractéristiques. On applique alors la loi d’Ohm à un récepteur
fournie dans la figure 1. caractérisé par son impédance complexe Z , soumis à une tension
& Pertes alternative : V = ZI . L’impédance complexe peut s’écrire :

Les pertes du condensateur chiffrent toute l’énergie électrique Z = R + jX


consommée en cours d’utilisation du condensateur. Elles provien-
nent d’une part de la résistance électrique des armatures et des avec R résistance du condensateur,
connexions, et d’autre part du diélectrique lui-même et de sa résis-
tance d’isolement ; ces dernières sont des pertes ohmiques liées à X réactance qui s’exprime en fonction de la capa-
la résistance électrique du matériau diélectrique, généralement cité C du condensateur et de son inductance L


négligeables tout comme celles liées à la résistance des armatures sous la forme :
et des connexions. 1
X = Lω −
Il peut en être autrement pour l’énergie perdue lors du mouve- Cω
ment des charges électriques ou des dipôles de toutes sortes inclus
dans le matériau diélectrique lui-même. En effet, les charges et les Pour le condensateur réel, dont le circuit équivalent consiste en
dipôles présentent une certaine inertie par rapport à la sollicitation une résistance R placée en parallèle avec une capacité C (figure 2),
électrique, et leur mise en mouvement par le champ électrique l’angle de perte d peut être exprimé par :
engendre une perte d’énergie. Cette perte dépend de la fréquence,
de la température et de la tension de fonctionnement. R
tan δ =
X
Sur la figure 2, qui schématise un condensateur réel, la zone 1
correspond à l’effet du diélectrique, et la zone 2 à l’effet des arma- Et, comme sur le plan physique, en se référant au schéma de la
tures et des connexions. figure 2, les pertes peuvent être considérées comme la somme
d’une contribution sous tension continue UDC et d’une contribution
& Tangente de l’angle de pertes (tan d)
sous tension alternative UAC :
Le condensateur est, le plus souvent, soumis à une tension élec-
trique sinusoı̈dale que l’on peut exprimer en fonction du temps tan δ = pertesDC + pertesAC ,
par :
on arrive à : tan d = (Rs + Rp)/(Lw - 1/Cw).
V = V0 cos ωt
Cette expression se simplifie et une bonne approximation pour la
plupart des applications est :
La relation Q = CV devient Q = CV0 cos wt, et comme on peut
exprimer l’intensité du courant électrique qui traverse le condensa-
teur comme I = dQ/dt, il en résulte : tan δ ∼ RsC ω

I = − ωCV0 sin ωt

Lorsque le condensateur est « idéal », le courant est donc en qua-


drature avance avec la tension appliquée : il est déphasé de p/2 par
Condensateur idéal
rapport à la tension.
Dans la réalité, les pertes « perturbent » le courant induit par
Rp
l’application d’une tension sinusoı̈dale, ce courant étant déphasé
d’un angle (p/2 - d) et non p/2 par rapport au vecteur tension. Rs Ls
L’angle d est appelé angle de pertes et caractérise l’imperfection Condensateur réel
du condensateur par rapport au condensateur dit « idéal ». Concrè- Cx
tement, la valeur de tan d est exprimée en pourcent ou, pour des
Ri
Zone 1 Zone 2

Connexion Électrode
Cx : capacité pure
Rp : résistance parallèle Rp = f(ω, UAC)
due aux charges liées

Ri : résistance d’isolement Ri = f(T ºC) et Ri = f(UDC)


e Diélectrique due aux charges libres
Rs : résistance série
Ls : inductance

Zone 1 : effet du diélectrique


Connexion Électrode
Zone 2 : effet des armatures et des connexions

Figure 1 – Coupe transversale d’un condensateur disque Figure 2 – Schéma équivalent à un condensateur réel

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CARACTÉRISTIQUES GÉNÉRALES DES CONDENSATEURS – CONDENSATEURS CÉRAMIQUES –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

En haute fréquence, on utilise toutefois plutôt la notion de fac- de très faibles pertes, ainsi qu’une grande stabilité en fonction de
teur de qualité Q qui représente le rapport de l’énergie stockée à la température, du temps et de la tension continue appliquée.
l’énergie dissipée. Dans ce cas : Les céramiques de type I ainsi que les films polystyrène, polypro-
pylène, polycarbonate et PPS (polysulfure de phénylène) répondent
Q = 1/ tan δ = 1/ RsC ω à ces exigences ;
– découplage : le condensateur réduit ou élimine une compo-
& Résistance d’isolement sante alternative parasite dans un domaine de fréquence élevée.
La résistance d’isolement d’un condensateur trouve son origine Il doit présenter une faible impédance aux fréquences d’utilisation
dans l’imperfection de son isolant, qui présente une certaine et, par suite, une capacité élevée (par exemple 100 nF). Toutes les
conductivité électrique (électronique, ionique…), conductivité qui familles de condensateurs peuvent être utilisées même si les céra-
serait nulle si l’isolant était parfait. Elle dépend de la température, miques de type I ne sont pas les plus adaptées (§ 2) ;
de la tension continue appliquée et du temps écoulé après la mise – liaison : le condensateur assure la liaison entre 2 points portés
sous tension, mais également de la surface active développée entre à des potentiels continus différents. Il bloque la composante conti-
nue et transmet la composante alternative. Le condensateur doit


les 2 électrodes et donc de la valeur de capacité.
pouvoir supporter une forte tension continue et présenter une
On exprime donc le plus souvent le produit RiC en MW.mF (ou résistance d’isolement élevée ;
secondes). Il est proche d’une constante pour une technologie don- – filtrage : le condensateur permet de réduire ou d’éliminer une
née, par exemple, en fonction du diélectrique utilisé, entre 1 000 et composante alternative parasite de la tension continue. Il doit affi-
10 000 à 20  C pour les condensateurs céramiques. cher une valeur élevée de capacité, ainsi que de faibles valeurs de
& Fréquence de résonance résistance et d’inductance ;
– compensation de température : le condensateur doit présenter
La fréquence de résonance f0 d’un condensateur correspond à la
un coefficient de température négatif afin de compenser la dérive
fréquence à laquelle la réactance capacitive (zone 1 de la figure 2)
positive d’un composant (inductance ferrite par exemple), mais
est égale à la réactance inductive (zone 2 de la figure 2). Elle est
aussi défini et stable dans le temps. Les céramiques de classe I
généralement considérée comme la fréquence supérieure d’utilisa-
ainsi que le film (polystyrène) répondent à ces exigences ;
tion du condensateur. À cette fréquence, le condensateur n’a plus
– stockage d’énergie : le condensateur délivre une puissance très
de réactance et se comporte comme une résistance pure. Au-delà
élevée dans un temps très court ou, au contraire, une tension conti-
de f0, le condensateur se comporte comme un composant inductif.
nue durant un temps très long (supercondensateurs) ;
Suivant la nature du diélectrique et la valeur de l’inductance du
– mémoires (RC) : le condensateur stocke une information sous
condensateur, la fréquence de résonance varie de quelques kilo-
forme d’une charge électrique. À ce titre, il doit posséder une résis-
hertz à quelques dizaines de mégahertz, dans les cas les plus cou-
tance d’isolement élevée et restituer, dans un temps très court, la
rants. Des fréquences de quelques dizaines de gigahertz peuvent
charge emmagasinée.
toutefois être atteintes dans des cas spécifiques.
& Rigidité diélectrique
La rigidité diélectrique traduit l’aptitude d’un isolant à résister au
phénomène de claquage diélectrique qui correspond à la formation 2. Condensateurs céramiques
d’un arc entre les armatures, à l’intérieur du diélectrique. Les prin-
cipaux mécanismes sont essentiellement d’origine intrinsèque ou
thermique, via des ionisations locales. La rigidité diélectrique est
égale à la tension de claquage divisée par la distance entre les Une définition possible du condensateur céramique pourrait
armatures soit une tension par unité de longueur (c’est-à-dire être : condensateur pour lequel le diélectrique est un matériau
homogène à un champ électrique) ; elle est typiquement comprise céramique fritté, c’est-à-dire densifié par traitement thermique
entre 10 et 700 V.mm-1 pour les diélectriques usuels. La tension de à haute température.
fonctionnement dépend des performances recherchées, surtout en
termes de fiabilité et de durée de fonctionnement, mais elle est
limitée au maximum à environ la moitié de la valeur de la rigidité On appelle céramique un matériau inorganique, non métallique,
diélectrique. qui a été mis en œuvre selon une technologie particulière, appelée
technologie céramique : le matériau est au départ sous forme de
poudres fines, de taille micronique ou submicronique, que l’on ras-
1.2 Principales familles de condensateurs semble en un objet. On lui fait ensuite subir un cycle thermique à
haute température (la cuisson ou le frittage). L’objet obtenu est
Comme cela a déjà été énoncé, on distingue trois principales
alors dit « fritté », et sa microstructure qui a évolué pendant la cuis-
familles de condensateurs suivant la nature de leur isolant et la
son est un ensemble compact de grains séparés par des joints de
valeur de la permittivité associée : céramique, film plastique et
grains. Le matériau acquiert ainsi ses propriétés définitives (qu’elles
électrochimique (typiquement à oxyde d’aluminium ou de tantale,
soient mécaniques ou électriques). Les matériaux pour condensa-
voire de niobium). Les performances détaillées de chaque diélec-
teurs céramiques sont généralement des oxydes de structure cristal-
trique sont indiquées dans le tableau 1, et les gammes de capacité
line de type pérovskite et à base de titanates de baryum, strontium,
couvertes par les différentes familles de condensateurs dans le
calcium, magnésium, etc.
tableau 2.
De façon schématique, on peut dire que les très basses valeurs On distingue trois classes de diélectriques.
de capacité sont quasiment couvertes par les seuls condensa- & Diélectriques de type I
teurs céramiques, alors que les valeurs les plus élevées correspon-
dent aux condensateurs électrochimiques. Cependant, les condi- La permittivité varie linéairement ou, au moins, de manière
tions d’utilisation aussi orienteront le choix vers une technologie. monotone avec la température, et ne présente aucun effet non
La figure 3 présente les plages capacité/tension couvertes par les linéaire en fonction du champ électrique et de la fréquence.
principales technologies. En outre, le matériau est stable dans le temps, et l’on ne peut
noter qu’une évolution négligeable de la capacité et de la tan-
Les principales fonctions assurées par les condensateurs sont gente de l’angle de pertes en fonction de celui-ci. Les matériaux
indiquées dans le tableau 3 et définies ci-après : sont le plus généralement des diélectriques dits linéaires, ou
– accord : le condensateur est utilisé dans les circuits oscillants, bien des matériaux non linéaires dans leur phase paraélectrique.
les filtres ou encore les circuits à constante de temps. Il nécessite Ces caractéristiques sont atteintes par la mise en œuvre de

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Condensateurs électrochimiques
et condensateurs films
Technologies et évolution

par Henri LAVILLE



Responsable Recherche et Technologie
Exxelia, GBU Capacitors, Chanteloup-en-Brie, France

Tchavdar DOYTCHINOV
Directeur Recherche et Développement
Exxelia, GBU Capacitors, Chanteloup-en-Brie, France

Antoine DIDION
Responsable Recherche et Technology Exxelia Tantalum
Exxelia, GBU Capacitors, Saint-Nazaire, France

Gregory DOUGLADE
Directeur Technique Exxelia Sic-Safco
Exxelia, GBU Capacitors, Saint-Nazaire, France

Cet article est la version actualisée d’une partie de l’article [E 1 925] intitulé
« Condensateurs », rédigé par Alain BEAUGER, Jean-Marie HAUSSONNE, Jean-Claude
NIEPCE, et paru en 2007.

1. Condensateurs électrochimiques ................................................ E 1 926 – 2


1.1 Technologies et principales familles ................................................. — 2
1.2 Propriétés électriques ........................................................................ — 6
1.3 Applications ........................................................................................ — 7
1.4 Évolution ............................................................................................ — 7
2. Condensateurs films ...................................................................... — 7
2.1 Technologies ....................................................................................... — 7
2.2 Techniques de fabrication .................................................................. — 8
2.3 Protection des condensateurs films .................................................. — 9
2.4 Propriétés électriques ........................................................................ — 11
2.5 Applications ........................................................................................ — 12
2.6 Évolution ............................................................................................ — 12
2.7 Condensateurs utilisés en électronique de puissance ...................... — 12
3. Tendances ......................................................................................... — 13
3.1 Évolution du secteur des condensateurs .......................................... — 13
3.2 Supercondensateurs .......................................................................... — 14
4. Conclusion – Perspectives ............................................................ — 15
5. Glossaire ........................................................................................... — 15
6. Notations et symboles ................................................................... — 16
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. E 1 926

es condensateurs sont des composants passifs, utilisés dans tous les domai-
L
p。イオエゥッョ@Z@、←」・ュ「イ・@RPQX

nes de l’électronique : télécommunications, informatique, automobile, spa-


tial, grand public, etc. Ils permettent d’emmagasiner transitoirement une charge

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CONDENSATEURS ÉLECTROCHIMIQUES ET CONDENSATEURS FILMS ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

électrique entre deux électrodes séparées par un matériau isolant appelé diélec-
trique. Leurs performances électriques dépendent de la nature du diélectrique et
de la structure électrode-isolant-électrode. Ces considérations permettent, hors
technologies émergentes, de les classer en trois grandes familles :
– condensateurs céramiques ;
– condensateurs électrochimiques ;
– condensateurs film.
Le choix du type de condensateur dépend des contraintes imposées par
l’application visée : il s’effectue non seulement en tenant compte de la valeur
de la capacité recherchée, mais aussi du comportement du diélectrique en fonc-
tion de la température, de la fréquence, de l’amplitude du signal à traiter, de la


tension de polarisation, des contraintes climatiques, etc. Enfin, les technologies
de mise en œuvre et de report, ainsi que les contraintes de fiabilité et de coût,
sont à considérer.
L’évolution technologique des condensateurs est liée à une double sollicitation
de miniaturisation et de baisse des coûts. Cette tendance a imposé, dans les
domaines des télécommunications et des applications dites grand public,
l’emploi exclusif des techniques de report en surface des composants sur cir-
cuits imprimés. Ainsi, les condensateurs destinés aux circuits électroniques de
grande diffusion, qui ne peuvent pas suivre cette évolution pour des raisons
économiques ou techniques, ont disparu ou vont disparaı̂tre, tandis que de nou-
velles technologies (condensateurs « silicium » par exemple) se développent.
Par ailleurs, l’évolution de l’électronique vers une miniaturisation accrue
implique une demande incessante vers des composants toujours plus petits.
Ces derniers sont donc naturellement amenés à présenter un échauffement volu-
mique plus élevé. Les tendances actuelles dans l’électronique de puissance pro-
fessionnelle pour l’aéronautique, le spatial, la recherche pétrolière et d’autres,
accentuent le besoin de condensateurs capables de fonctionner à des températu-
res élevées, qui pourraient être comprises entre 150  C et 200  C, voire même au-
delà. Face à de telles contraintes, on observe l’apparition de nouveaux matériaux
spécifiques, performants et fiables, et de nouvelles approches technologiques.
Cet article présente les condensateurs électrochimiques et films, les conden-
sateurs céramique faisant l’objet de l’article [E 1 925], ce dernier présentant éga-
lement les aspects généraux sur les condensateurs, caractéristiques physiques
et propriétés des matériaux et des principales familles.
À la fin de l’article, sont proposés un glossaire et un tableau des notations et
symboles utilisés.

Le condensateur ainsi formé est polarisé : le potentiel de l’anode


1. Condensateurs doit toujours être positif par rapport à celui de la cathode. Le diélec-
électrochimiques trique est fabriqué in situ par oxydation anodique du métal.
Sa faible épaisseur (0,9 à 1,7 nm.V-1 d’anodisation) et sa rigidité
diélectrique très élevée (800 V.mm-1), couplées à une importante
surface développée, confèrent au condensateur électrochimique
1.1 Technologies et principales familles une capacité volumique importante.

Un condensateur électrolytique (ou électrochimique, les 2 déno-


minations étant utilisées) est constitué par les trois éléments 1.1.1 Condensateur électrolytique à l’aluminium
suivants :
– une anode métallique (armature positive) en aluminium, tantale 1.1.1.1 Condensateur à l’aluminium à électrolyte liquide
ou niobium, cette dernière technologie étant toutefois peu utilisée ; Le condensateur électrolytique aluminium peut être divisé en
– une couche diélectrique issue de l’oxydation du métal d’anode : deux catégories distinctes : les condensateurs dit polarisés et les
l’oxyde d’aluminium, l’oxyde de tantale ou l’oxyde de niobium ;
condensateurs dits non polarisés.
– la cathode composée de l’électrolyte conducteur lui-même et
de la cathode métallique (armature négative), celle-ci ne servant Les condensateurs polarisés sont constitués d’une anode, d’une
que de liaison entre l’électrolyte et le circuit extérieur. cathode et d’un ou des séparateurs imprégnés d’électrolyte.

E 1 926 – 2 Copyright © - Techniques de l’Ingénieur - Tous droits réservés

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– CONDENSATEURS ÉLECTROCHIMIQUES ET CONDENSATEURS FILMS

Dans cette technologie, le condensateur comporte un isolant


(oxyde d’aluminium) et les deux électrodes suivantes :
Boîtier relié à la cathode
– l’anode constituée d’une feuille d’aluminium très pur (99,99 %),
dont la surface active a été augmentée par gravure électrochimique
puis oxydée à des potentiels situés généralement entre 10 et Papier + électrolyte liquide
1 000 V ; Cathode
– la cathode comprenant un complexe de papiers absorbants Feuille d’aluminium
imbibés d’électrolyte et d’une feuille d’aluminium gravée et parfois
oxydée à un potentiel de l’ordre de quelques volts.
Anode feuille d’aluminium gravée
Le ou les séparateurs imprégnés d’électrolyte assurent l’isole-
ment électrique entre les deux armatures et la stabilisation des Bouchon étanche
charges électriques formées de part et d’autre du diélectrique.
Les séparateurs sont des papiers constitués de fibres naturelles.
L’électrolyte doit être stable dans la plage de tension et rester
liquide dans la plage de température. De manière générale, les
électrolytes sont utilisables de - 40 à 105  C ; il existe toutefois

des formulations fonctionnant de - 55 à 125 ou 145  C. Les électro-
lytes utilisent comme solvant principal de la gamma-butyrolactone
ou de l’éthylène glycol, associé à différentes formes de bore com-
plexé ou de sels.
Ces condensateurs ne supportent pas des inversions de tensions.
Le cas des condensateurs non polarisés correspondent à l’utilisa- Figure 1 – Condensateur électrolytique à l’aluminium à électrolyte
liquide
tion de deux feuilles gravées et oxydées. La feuille habituellement
utilisée comme anode remplace la feuille utilisée comme cathode.
Le condensateur non polarisé peut subir sans dommage des inver-
Tableau 1 – Principe d’élaboration du condensateur
sions de polarité, mais il offre moins de capacité, est plus résistif et
d’un coût plus élevé. à l’aluminium à électrolyte liquide
La figure 1 illustre la disposition de l’anode, de la cathode et du
séparateur. Découpe de l’anode, de la cathode et du ou des séparateurs.
La technologie d’élaboration du condensateur électrolytique est ↓
indiquée dans le tableau 1.
La première étape opératoire consiste à bobiner ensemble une Bobinage et agrafage d’une ou des connexions sur chaque
feuille d’aluminium d’environ 100 mm d’épaisseur, gravée électro- armature
chimiquement et anodisée (pour former le diélectrique Al2O3), un
intercalaire de papier qui sert de séparateur et permet l’absorption ↓
de l’électrolyte liquide et une feuille d’aluminium peu ou non gra-
vée agissant comme cathode. Soudure des connexions aux bornes du condensateur
La formation de la couche d’oxyde (Al2O3) se fait par voie électro- ↓
lytique en appliquant une tension légèrement supérieure à la ten-
sion nominale du condensateur. L’épaisseur de l’oxyde dépend de Séchage
la valeur de la tension et du temps d’application. La tension d’utili-
sation (Un) ne correspond jamais à la tension de formation de ↓
l’anode (Uf), le ratio Uf/Un dépend de la classe de température
d’utilisation. Imprégnation de l’électrolyte
Le bobiné est imprégné sous vide par un électrolyte, le plus sou-
vent organique, et ensuite placé dans un boı̂tier cylindrique en alu- ↓
minium. Des connexions ont été auparavant soudées sur les deux
électrodes (anode et cathode) par une technique ultrasonique, la Mise en boı̂tier
cathode ayant également été reliée au boı̂tier en aluminium.

Enfin, la post-formation, traitement du condensateur sous ten-
sion et température, permet de restaurer à la surface de la feuille Sertissage
d’aluminium gravée le diélectrique Al2O3 qui a pu être endommagé
durant les opérations de fabrication. ↓
L’innovation technologique dans ce type de condensateur vise,
en premier lieu, une augmentation de la capacité volumique, qui Post-formation
est proportionnelle à la surface active de la feuille d’aluminium gra-
vée, surface qui est sans cesse améliorée. En 2017, il est possible de
trouver des feuilles d’aluminium permettant de fabriquer des De façon générale, le développement de nouveaux électrolytes et
condensateurs fonctionnant à plus de 600 V ou ayant des densités l’utilisation de nouvelles anodes permettent de répondre aux nou-
énergétiques très élevées, plus de 1,5 J.cm-3. veaux besoins du marché.
L’autre effort de développement concerne la formulation de nou- Ainsi, dans le domaine des applications ferroviaires embarquées
veaux électrolytes permettant, d’une part, l’utilisation des conden- par exemple, la demande de puissance est croissante ce qui conduit
sateurs à haute température (125  C) et, d’autre part, l’obtention à utiliser des tensions et des courants plus élevés. Mais, les sollici-
d’une plus faible résistance série, sans oublier l’amélioration de la tations en courant génèrent de fortes élévations de la température
durée de vie, de la fiabilité et de la tenue aux conditions extrêmes interne des condensateurs, qui diminuent leur durée de vie. L’utilisa-
(températures, chocs et vibrations, courant efficace élevé…). tion d’électrolytes, ayant une meilleure conductivité ionique, permet

Copyright © - Techniques de l’Ingénieur - Tous droits réservés E 1 926 – 3

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CONDENSATEURS ÉLECTROCHIMIQUES ET CONDENSATEURS FILMS ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

d’abaisser la résistance série équivalente (RSE), de même que l’uti- tantale métallique et le diélectrique est formé à partir de celui-ci
lisation d’une cathode dite débordante, diminue l’élévation de tem- par oxydation électrolytique afin d’obtenir de l’oxyde de tan-
pérature interne et améliore la durée de vie du produit. tale Ta2O5. Deux technologies peuvent être utilisées pour former la
D’autres domaines d’applications spécifiques, comme la défense partie cathodique : la première utilise un électrolyte solide et la
ou l’aéronautique, requièrent des condensateurs pouvant fonction- seconde un électrolyte liquide.
ner dans des conditions extrêmes de températures et/ou de vibra-
tions. L’utilisation d’un électrolyte, fonctionnant à basse et/ou haute 1.1.2.1 Condensateur au tantale à électrolyte solide
température, - 55 à 125  C par exemple, peut répondre à ce besoin.
Cette technologie utilise un électrolyte qui peut être du dioxyde
La tenue aux vibrations nécessite un aménagement du boı̂tier de manganèse ou bien un polymère conducteur. Pour assurer la
afin de maintenir la bobine, le facteur de forme pouvant aussi être fonction de cathode, cet électrolyte est ensuite recouvert d’une cou-
un axe d’amélioration de la tenue aux vibrations. che de graphite et de laque d’argent comme collecteur de courant.
L’ensemble anode/diélectrique/cathode est ensuite encapsulé afin
1.1.1.2 Condensateur à l’aluminium à électrolyte solide de protéger le composant et de faciliter son utilisation. Il peut

R Par rapport au cas précédent, l’électrolyte constitutif de ce


condensateur est un électrolyte solide. Les condensateurs actuelle-
ment commercialisés utilisent le dioxyde de manganèse. La tech-
l’être par un moulage de résine époxy ou surmoulé ou encore
introduit dans des boı̂tiers métalliques (figure 3).

nologie de fabrication de ce type de condensateur est indiquée


dans le tableau 2. Enrobage époxy au trempé
L’anode est constituée d’une feuille d’aluminium gravée et pliée
sous forme d’accordéon. Les anodes élémentaires sont soudées Électrolyte solide (MnO2)
sur une barrette, et successivement oxydées et imprégnées avant
d’être enrobées. La particularité de ce type de composant (figure 2) Anode (aluminium gravé)
est sa bonne tenue à haute température (150  C, voire 170  C), cet
atout étant dû à la stabilité thermodynamique des éléments consti- Cathode
tutifs du composant.
Les efforts de développement portent sur l’utilisation d’électrolytes
solides hautement conducteurs (conductivité 10 à 100 fois supérieure Figure 2 – Condensateur électrolytique à l’aluminium à électrolyte
à celle du dioxyde de manganèse) : l’intérêt qui en résulte étant la solide
faible valeur de résistance série équivalente pour le condensateur.

Chanfrein indiquant le +
1.1.2 Condensateur électrolytique au tantale Soudure tantale /
grille de connexion Colle époxy argent
Ce type de condensateur est utilisé pour les applications nécessi-
Connexion Connexion négative
tant de fortes valeurs de capacité. L’anode est constituée par du
positive Résine époxy

Tableau 2 – Principe d’élaboration du condensateur Oxyde de tantale Poudre de tantale


à l’aluminium à électrolyte solide Dioxyde de manganèse
Argent Graphite

Gravage d’une feuille d’aluminium


a moulage époxy transfert

Poudre de tantale
Formation du diélectrique par oxydation de la feuille gravée
Oxyde de tantale Soudure

↓ Dioxyde Résine époxy


de manganèse

Manganisation Graphite
Fil tantale soudé

↓ Argent

Fil nickel (positif) Fil nickel (négatif)


Réoxydation de la couche d’alumine

↓ b surmoulé

Soudure Boîtier métallique


Graphitage
Traversée étanche
Soudure
↓ Soudure

Argenture Fil nickel (positif) Fil nickel (négatif)


Soudure nickel – tantale
↓ Dioxyde de manganèse
Oxyde de tantale
Graphite
Soudure des connexions Poudre de tantale Argent

↓ c boîtier métallique

Trempé dans une résine liquide


Figure 3 – Schéma de construction d’un condensateur tantale solide

E 1 926 – 4 Copyright © - Techniques de l’Ingénieur - Tous droits réservés

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Céramiques semi-conducteurs

par Alain BEAUGER


Docteur en chimie-physique, Ingénieur en R&D à TPC AVX Corporation, Dijon, France


et Alain LAGRANGE
Doctorat de 3e cycle Électronique, ancien Responsable marketing Recherches et dévelop-
pement à Thomson-LCC, Dijon, France

1. Propriétés des thermistances .............................................................. E 2080v2 - 2


2. Thermistances CTN................................................................................. — 2
2.1 Origine de la conductivité .......................................................................... — 2
2.2 Technologie ................................................................................................. — 3
2.3 Caractéristiques électriques ....................................................................... — 3
2.4 Applications................................................................................................. — 4
2.5 Évolution des thermistances CTN ............................................................. — 6
3. Thermistances CTP ................................................................................. — 6
3.1 Origine de la conductivité .......................................................................... — 6
3.2 Technologie ................................................................................................. — 6
3.3 Caractéristiques électriques ....................................................................... — 7
3.4 Applications................................................................................................. — 8
3.5 Évolution des thermistances CTP .............................................................. — 9
4. Conclusion................................................................................................. — 9
5. Glossaire .................................................................................................... — 9
Pour en savoir plus .......................................................................................... Doc. E 2080v2

es résistances non linéaires appartiennent à la famille des composants


L électroniques passifs et sont utilisées, de par leurs propriétés uniques,
dans de nombreux domaines de l’électronique. Elles sont caractérisées par
leur grande sensibilité à la température, inconvénient majeur pour les compo-
sants électroniques, mais défaut exploité et même renforcé dans le cas des
résistances non linéaires.
Elles sont utilisées en tant qu’éléments de protection série des circuits élec-
troniques, limiteurs de courant, détecteurs et régulateurs de température,
éléments chauffants, etc.
Les propriétés particulières de ces semi-conducteurs polycristallins sont prin-
cipalement liées soit aux caractéristiques intrinsèques des cristallites
(thermistance à coefficient de température négatif) soit aux caractéristiques
des joints de grains (thermistances à coefficient de température positif).
Cet article permet de résumer les principales propriétés des thermistances
céramiques et de montrer que les développements récents dans les domaines
de la technologie des poudres et des méthodes de mise en forme sont appli-
cables à ce type de composants afin de les insérer dans des applications
électroniques performantes.
La demande toujours croissante de ces composants est due à leur faible
coût, leur simplicité de montage et leur sensibilité thermique. L’évolution tech-
nique actuelle est orientée vers la miniaturisation, et plus particulièrement la
présentation de ces composants sous forme de « chips » adaptés à la techno-
logie de report en surface sur circuits imprimés.
p。イオエゥッョ@Z@ヲ←カイゥ・イ@RPQU

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est strictement interdite. – © Editions T.I. E 2080v2 – 1

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CÉRAMIQUES SEMI-CONDUCTEURS ____________________________________________________________________________________________________

1. Propriétés des 2. Thermistances CTN


thermistances
2.1 Origine de la conductivité
Les résistances non linéaires sont des composants dont la
résistance électrique varie d’une manière non linéaire avec une Les thermistances à coefficient de température négatif (CTN)
grandeur physique comme la température, le champ électrique ou sont des matériaux céramiques semi-conducteurs cristallisant le
la lumière. Nous nous limiterons dans cet article aux composants plus souvent sous la forme d’une structure spinelle comme mon-
dont la non-linéarité est essentiellement liée à l’influence de la tré sur la figure 3. La maille cristalline élémentaire est constituée
température : les thermistances CTN (coefficient de température de sites cristallographiques octaédriques et tétraédriques aux
négatif) et CTP (coefficient de température positif). sommets desquels se trouvent des ions oxygène.

R ■ Thermistance CTN : matériau céramique dont la résistance La conduction résulte d’un mécanisme de hopping, c’est-à-dire
électrique décroît exponentiellement et d’une manière monotone d’un saut d’électrons entre les cations d’état de valence différents
avec la température. En d’autres termes, la résistance du matériau présents sur des sites équivalents (sites octaédriques dans le cas
présente un coefficient de température négatif avec la température des spinelles). Les thermistances CTN sont généralement dérivées
(figure 1). de la structure Mn3O4 et plus précisément . Cette
■ Thermistance CTP : matériau céramique dont la résistance structure de nature isolante est rendue semi-conductrice par subs-
augmente brutalement dans un certain intervalle de température. titution partielle des ions Mn3 + par des ions divalents comme le
La résistance présente un coefficient de température positif dans nickel par exemple :
l’intervalle de température concerné (figure 2).

Cette structure laisse prévoir un minimum de résistivité pour


x = 2 / 3 c’est-à-dire lorsque le nombre de paires Mn3 + Mn4 + est
maximal (figure 4).
La variation de la résistance en fonction de la température peut
être représentée en première approximation par l’expression
suivante :
R = C exp (B/T)
avec C constante,
B (K) indice de sensibilité thermique,
T température absolue de la CTN.
Dans un intervalle de température réduit, le coefficient de tem-
pérature α s’exprime en fonction de l’indice B :

(1)
R25 résistance à 25°C
En d’autres termes, le coefficient dépend non seulement de l’indice
Figure 1 – Variation de la résistance relative en fonction de la tem-
B mais aussi de la température de la thermistance CTN. Générale-
pérature d’une thermistance CTN ment, les indices B sont réglés par la formulation chimique de la
thermistance et compris entre 2 000 et 6 000 K, ce qui correspond à
des coefficients de température compris entre – 3 et – 7 % /oC.

Oxygène

B en site
octaédrique
TC : température de Curie C en site
tétraédrique

Figure 2 – Variation de la résistance en fonction de la température


d’une thermistance CTP Figure 3 – Maille élémentaire de la structure spinelle AB2O4

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E 2080v2 – 2 est strictement interdite. – © Editions T.I.

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Résistances. Potentiomètres

par Pascale NAGY-REVESSE


Ingénieur de l’École Catholique des Arts et Métiers (ECAM)


Ingénieur Européen (EUR ING)
Directeur Qualité de la Société Française de l’Électro-résistance (SFERNICE)

1. Paramètres fondamentaux .................................................................... E 2 100 - 2


1.1 Valeur ohmique............................................................................................ — 2
1.2 Valeur ohmique nominale de la résistance ............................................... — 3
1.3 Dissipation thermique et température nominales .................................... — 3
1.4 Résistance critique....................................................................................... — 4
1.5 Coefficient de température ......................................................................... — 4
1.6 Coefficient de tension.................................................................................. — 4
1.7 Paramètres spécifiques aux potentiomètres............................................. — 5
1.7.1 Loi de variation ................................................................................... — 5
1.7.2 Courses mécaniques totales et courses électriques totales ........... — 5
1.7.3 Résistance de contact......................................................................... — 5
1.7.4 Régularité de la tension de sortie...................................................... — 6
1.7.5 Nombre de manœuvres garanties .................................................... — 6
1.7.6 Courant maximal admissible dans le curseur.................................. — 6
2. Résistances ................................................................................................ — 6
2.1 Résistances bobinées .................................................................................. — 7
2.1.1 Technologie ......................................................................................... — 7
2.1.2 Résistances bobinées de haute précision......................................... — 7
2.1.3 Résistances bobinées de précision ................................................... — 7
2.1.4 Résistances bobinées de semi-précision.......................................... — 8
2.1.5 Résistances bobinées d’usage courant............................................. — 8
2.1.6 Résistances bobinées de puissance.................................................. — 8
2.2 Résistances à feuille métallique ................................................................. — 8
2.3 Résistances à couche métallique ............................................................... — 9
2.3.1 Technologie ......................................................................................... — 9
2.3.2 Résistances à couche de semi-précision .......................................... — 9
2.3.3 Résistances à couche de précision.................................................... — 9
2.4 Résistances à couche épaisse de puissance ............................................. — 9
2.5 Résistances à couche mince de haute précision....................................... — 9
2.6 Cas particulier des réseaux de résistances................................................ — 10
2.7 Résistances pour montage en surface....................................................... — 10
2.7.1 Chips résistifs...................................................................................... — 10
2.7.2 Autres résistances pour montage en surface................................... — 11
3. Potentiomètres ......................................................................................... — 11
3.1 Généralités ................................................................................................... — 11
3.2 Trimmers ...................................................................................................... — 12
3.3 Potentiomètres standards........................................................................... — 13
3.4 Potentiomètres de précision....................................................................... — 13
Pour en savoir plus........................................................................................... Doc. E 2 100
p。イオエゥッョ@Z@ュ。イウ@QYYV

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RÉSISTANCES. POTENTIOMÈTRES _________________________________________________________________________________________________________

a consommation de produits électroniques ne cesse de s’intensifier et touche


L tous les secteurs de notre vie tant privée que professionnelle dans les
domaines de l’électroménager, l’audiovisuel et TV, l’automobile, l’informatique,
la régulation, la mesure et les télécommunications.
Les attentes en matière de résistances et potentiomètres ont donc sensiblement
évolué :
— miniaturisation croissante ;
— montage en surface ;
— grands volumes ;
— prix à la baisse.


Sur le plan des marchés, le marché mondial (hors Japon) a représenté, en 1994,
18 milliards de francs.
La croissance annuelle, en Europe de l’Ouest, est de l’ordre de 1 à 5 % en
fonction des pays pour un marché évalué à 5 milliards de francs en 1994.
Nous constatons en particulier :
— une mondialisation au niveau des fabricants mais également des utilisa-
teurs, avec une part croissante des pays émergents tels que Taïwan, Malaisie,
Mexique, la plupart du temps due à des délocalisations ;
— l’apparition de nouveaux marchés de très grand volume (automobile, télé-
phone portable) ;
— une réduction des différences existant entre électronique professionnelle
et grand public, les mêmes composants étant souvent utilisés ;
— un maintien des marchés correspondant à des niches (exemples : capteurs
de déplacement résistifs, résistances de très haute stabilité utilisées comme
référence).
Du côté des fabricants, existent également des évolutions importantes :
— une augmentation considérable de la valeur des investissements, en indus-
trialisation et automatisation, pour atteindre un niveau de compétitivité mondial,
en particulier pour les marchés de très grand volume (exemples : chips résistifs
couche épaisse) ;
— une proportion croissante de composants pour montage en surface (CMS)
(par rapport aux composants à fils) avec comme corollaire des exigences supé-
rieures en tenue en température et étanchéité ainsi qu’en compacité. Les
composants pour montage de surface ont représenté 35 % du marché européen
des résistances fixes en 1994 ; par contre, sur le seul marché accessible aux CMS,
c’est-à-dire celui des résistances de puissances inférieures à 1 W, le taux de péné-
tration des CMS est de 65 % ;
— l’apparition de méthodes de fabrication et de technologies avancées, comme
par exemple le dépôt en couche mince, tout à fait comparables avec les techno-
logies employées pour la fabrication des circuits intégrés.
Il en résulte une contraction du nombre de fabricants, tous n’ayant pu trouver
les moyens financiers et industriels nécessaires pour garantir leur succès et
même leur survie dans les années à venir.
Cet article décrit les grandes familles de résistances et de potentiomètres dis-
ponibles sur le marché et s’efforce de donner les principales caractéristiques
ou performances associées.

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E 2 100 − 2 © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique

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________________________________________________________________________________________________________ RÉSISTANCES. POTENTIOMÈTRES

1. Paramètres fondamentaux Tableau 1 – Valeurs nominales courantes


de résistances et tolérances associées
1.1 Valeur ohmique Série E24 Série E12 Série E6
Les résistances sont des composants dits passifs (par opposition tolérance tolérance tolérance
aux transistors, circuits intégrés, etc., dits actifs) caractérisés par ±5% ± 10 % ± 20 %
le dépôt, sur un substrat approprié, d’un élément résistif. Ce dépôt (Ω) (Ω) (Ω)
résistif peut être un fil, une couche métallique, une feuille
1,0 1,0 1,0
métallique, etc.
1,1
La valeur ohmique est définie par la formule suivante : 1,2 1,2
R = ρ L/S 1,3


1,5 1,5 1,5
avec L (m) longueur du dépôt, 1,6
R (Ω) résistance, 1,8 1,8
ρ (Ω · m) résistivité du matériau constituant le dépôt, 2,0
2,2 2,2 2,2
S (m2) section du dépôt. 2,4
On peut noter que R est inversement proportionnelle à 2,7 2,7
l’épaisseur du matériau résistif qui, pour des raisons technolo- 3,0
giques évidentes, ne pourra être nulle (diamètre du fil bobiné voisin 3,3 3,3 3,3
de 10 µm, épaisseur d’une couche métallique de l’ordre du 3,6
micromètre), et ce d’autant moins que la puissance souhaitée est 3,9 3,9
élevée, ce qui limite la gamme de valeurs ohmiques. 4,3
4,7 4,7 4,7
5,1
1.2 Valeur ohmique nominale 5,6 5,6
de la résistance 6,2
6,8 6,8 6,8
C’est la valeur ohmique souhaitée de la résistance. Les valeurs 7,5
ohmiques nominales normalisées sont définies par les valeurs 8,2 8,2
arrondies des nombres théoriques : 9,1
m n
R = 10
avec n nombre entier positif ou négatif,
Tableau 2 – Exemples de marquage en code
m pouvant prendre les valeurs 3, 6, 12, 24, 48, 96 ou 192. des valeurs de la résistance
Les séries ainsi obtenues (de E3 à E192) comportent de 3 à 192
valeurs par décade. Elles sont associées à des tolérances de plus Valeurs de la résistance
Marquage en code
en plus serrées (supérieure à ± 20 % pour la série E3, et à (Ω)
± 0,5 % pour la série E192).
0,1 R10
Le tableau 1 donne les valeurs nominales et les tolérances 0,332 R332
associées pour les séries E6, E12 et E24. (0) 0,590 R59
Lorsque, pour certaines technologies, la tolérance demandée est 1 1R0
plus faible (± 0,005 % pour les résistances à feuille métallique, par 3,32 3R32
exemple), on s’efforce de respecter autant que possible les termes 10 10R
de la série E192. Il arrive cependant souvent que le choix de la 33,2 33R2
résistance nominale R n soit malgré tout, par nécessité, tout à fait 100 100R
aléatoire. 103 1K0
R n est la valeur qui est marquée sur le corps de la résistance ou 10 · 103 10K
du potentiomètre, en clair ou à l’aide d’un code numérique 100 · 103 100K
(tableau 2) ou d’un code couleurs (tableau 3). (0) 106 1M0

1.3 Dissipation thermique Par souci de simplification, ces courbes se présentent généra-
et température nominales lement sous forme de deux segments de droite, la température
et la dissipation nominales correspondant au point A de la courbe
La puissance maximale qu’il est possible d’appliquer en per- donnée en exemple sur la figure 1.
manence à une résistance dépend de la température ambiante de La Commission Électrotechnique Internationale (CEI) recom-
fonctionnement considérée (il faut tenir compte de l’échauffement mande que la température nominale soit fixée pour tous les
du composant en fonctionnement, dont l’effet s’ajoute à la tem- modèles à 70 oC, et que la dissipation nominale soit, par
pérature ambiante). (0) définition, la puissance maximale applicable en permanence à
À chaque modèle de résistance est donc associée une courbe, une température ambiante de 70 oC.
appelée courbe de réduction de la puissance, qui indique la dissi- Pour quelques rares exceptions, les températures nominales
pation maximale admissible en fonction de la température peuvent être de 25 oC ou 125 oC. À noter que la température mini-
ambiante. male de la catégorie est la température ambiante minimale pour

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RECHERCHE

Impression et recuit
de nanoparticules métalliques
pour l’électronique imprimée
par Romain CAUCHOIS

Docteur-ingénieur en microélectronique
Holst Centre / TNO, Pays-Bas
Mohamed SAADAOUI
Chargé de recherche en microélectronique
École nationale supérieure des Mines de Saint-Étienne, Institut Mines – Télécom, France
et Karim INAL
Professeur en mécanique et sciences des matériaux
École nationale supérieure des Mines de Paris, Institut Mines – Télécom, France

Résumé Le développement récent d’encres fonctionnalisées constituées de nanoparti-


cules métalliques, associé à la maîtrise du procédé d’impression par jet d’encre, a rendu
possible l’émergence de l’électronique imprimée. Les structures imprimées peuvent être
traitées par des techniques de recuit sélectif qui permettent de réaliser la coalescence de
nanoparticules de 20 nm à une température de procédé compatible avec les substrats
plastiques flexibles. Cet article aborde les différents aspects liés à la réalisation de pistes
métalliques sur substrat souple, depuis les technologies d’impression directes, jusqu’à
l’adéquation entre les caractéristiques microstructurales et les propriétés électriques de
telles structures pour la fabrication de dispositifs tels que des antennes, des pistes de rou-
tage ou des électrodes.
Abstract The recent progress in functionalized inks based on metal nanoparticles and
their subsequent deposition by inkjet-printing technologies promoted the emergence of
printed electronics. Such printed structures can be treated by selective sintering techni-
ques that enable the sintering of 20 nm-nanoparticles at process temperatures compatible
with flexible plastic substrates. This article discusses the various aspects related to the
production of metal tracks on flexible substrates, from the deposition using direct printing
technologies, to the relationship between microstructural characteristics and electrical
properties of such structures for the fabrication of devices such as antennas, interconnects
or electrodes.
Mots-clés Électronique imprimée, nanoparticule métallique, jet d’encre, coalescence,
recuit sélectif, microstructure, résistivité électrique.
p。イオエゥッョ@Z@ェ。ョカゥ・イ@RPQT@M@d・イョゥ│イ・@カ。ャゥ、。エゥッョ@Z@ェオゥョ@RPQX

Keywords Printed electronics, metal nanoparticle, inkjet-printing, coalescence, selec-


tive sintering, microstructure, electrical resistivity.

1. Contexte
Les produits électroniques grand public prennent une place de plus en plus proéminente
dans la vie quotidienne de millions de gens à travers le monde. En raison des contraintes
de coût et de performance, la stratégie de réalisation de circuits électroniques sur des
substrats silicium est toujours guidée par la fameuse loi de Moore, ou plus récemment
par les approches « More than Moore », ouvrant la voie à des architectures dites tridimen-
sionnelles. Les récents développements autour de nouvelles classes de matériaux impri-
mables telles que les polymères conducteurs ou semi-conducteurs, ainsi que les nanopar-
ticules métalliques, ont permis l’émergence de l’électronique imprimée. Tirant profit de la
maturité des procédés conventionnels d’impression tels que la flexographie, la sérigraphie
ou le jet d’encre, la réalisation de nouveaux dispositifs portables et flexibles est ainsi ren-
due possible (figure 1). De plus, une approche d’intégration hybride pourra être adoptée
pour associer les hautes performances des composants à base de silicium avec les capaci-
tés de l’impression grande surface pour le développement de produits communiquants
sans fil sur support souple, que ce soit pour des applications autour de la sécurité, du
médical ou du confort.

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Figure 1 – Quelques applications issues de l’électronique imprimée : étiquette RFID communicante sécurisée, cellule photovoltaïque
organique, écran OLED à matrice active (crédit photo : Holst Centre et Samsung)

L’impression de dispositifs électroniques sur support souple en raison de leur capacité de réaction dès les basses températu-
peut être réalisée soit par des approches dites « en contact », res. L’impression de telles encres fonctionnalisées nécessitent
où l’encre passe à travers un masque ou un capillaire avant toutefois la prise en compte d’interactions complexes, lors des
d’être déposée sur le substrat, soit par des approches dites phénomènes d’éjection de la goutte et de son affinité avec le
« directes et sans contact », où l’encre est transférée directe- substrat utilisé. Le contrôle de ces phénomènes pour l’obtention
ment sur le substrat à courte distance. Suivant les spécifications de structures définies à haute résolution est une étape préalable
liées aux vitesses de défilement, aux résolutions géométriques avant toute opération de recuit conférant aux films minces impri-
ainsi qu’au coût, l’une ou l’autre des deux approches pourra més leurs propriétés finales.
être adoptée. En France, plusieurs plateformes technologiques
dédiées à l’électronique imprimée ont ainsi vu le jour : Micro- 2.1 Principe du jet d’encre pour l’électronique
PackS hébergée par l’École des Mines de Saint-Étienne, PICTIC imprimée
du CEA Liten, XLIM de l’Université de Limoges ou encore ORGA-
TECH de l’École Polytechnique peuvent notamment être citées. 2.1.1 Généralités sur les techniques d’impression directe
Sur le plan international, le Palo Alto Research Center (USA), le Les technologies d’écriture directe englobent toutes les appro-
VTT (Finlande), l’institut Fraunhofer IZM (Allemagne), le Center ches pouvant être exploitées pour la production de dispositifs
for Process Innovation (Royaume-Uni), l’ACREO (Suède) et le électroniques ou, dans le cas le plus général, d’architectures
Holst Centre (Pays-Bas) sont particulièrement reconnus. contrôlées à l’échelle du millimètre ou du micromètre. Une telle
Aujourd’hui, le développement de l’électronique imprimée et technologie permet de dispenser un matériau donné avec une
de l’électronique organique reste freiné par la difficulté de mise grande précision sur des substrats de différentes natures (plas-
au point de procédés robustes mettant en œuvre des substrats tique, céramique, métal, textile, etc.) selon un motif prédéfini.
à bas coût. D’un point de vue technologique, cela requiert une En se fondant sur le transfert direct des encres fonctionnelles,
forte précision de positionnement, un respect rigoureux des ces technologies ne nécessitent pas le développement coûteux
cotes géométriques, ainsi que des temps réduits de procédés et de masques ou la mise en œuvre d’étapes de photolithographie
de maintenance sur les équipements. et de gravure, limitant ainsi le gaspillage de matériaux actifs. À
l’heure actuelle, les techniques additives les plus développées
Dans le cadre de ce dossier, seuls seront considérés les s’appuient sur l’utilisation du transfert de matière par laser [11],
aspects liés à la réalisation de structures métalliques conductri- par flux aérosol ou par jet d’encre (figure 2, [8]).
ces à partir d’encre à base de nanoparticules par voie additive,
en utilisant la technologie jet d’encre. Ces encres métalliques La technologie laser a été largement étudiée pour la réalisation
déposées sous forme liquide nécessitent un recuit post-impres- de structures conductrices en électronique imprimée via l’abla-
sion pour leur conférer leurs propriétés d’usage. Ce recuit a fait tion partielle de surfaces entièrement métallisées. Si plusieurs
l’objet de plusieurs études, portant tant sur la spécificité liée au techniques ont été étudiées par le passé [1], [2], deux appro-
traitement de nanoparticules aux propriétés singulières, que sur ches ont reçu un soutien important de la communauté : le trans-
les modes de recuit utilisés : recuit conventionnel en étuve ou fert induit par laser dit LIFT (Laser-Induced Forward Transfer) et
recuit tirant parti des interactions entre les ondes électromagné- l’écriture directe par guidage laser dite LGDW (Laser-Guided
tiques et la matière. Ce dossier permettra d’aborder ces diffé- Direct Writing). Dans le cas de la méthode LIFT, une petite quan-
rents aspects, depuis les technologies d’impression directes, via tité de matériau est propulsée depuis un substrat donneur,
le développement d’encres fonctionnalisées, jusqu’à l’adéquation métallisé à l’aide du matériau à déposer, vers le substrat accep-
entre leurs caractéristiques structurales et leurs propriétés élec- teur situé à une distance comprise entre 25 et 100 mm, dont le
triques pour la fabrication de dispositifs sur substrats souples déplacement dans le plan XY permet la réalisation des motifs [3].
tels que des antennes, des pistes de routage ou des électrodes. Si plusieurs travaux ont porté sur le dépôt de structures métalli-
ques de cuivre, d’or ou d’argent à l’aide de laser Nd : YAG ou
KrF [4], [5], l’obtention de lignes à haute résolution géométrique
2. Principe et mise en œuvre reste difficile en raison de la fragmentation du matériau obser-
vée au cours de l’ablation [6]. Dans le cas de la technique
du procédé additif d’impression LGDW, le laser est utilisé comme méthode de transfert d’un
par jet d’encre aérosol constitué à partir de la suspension colloïdale. Cet ache-
Cette section s’attardera sur la description des solutions tech- minement de la matière est fondé sur le phénomène de photo-
nologiques permettant de réaliser des pistes métalliques dans le phorèse [7] au cours duquel les particules de l’aérosol sont accé-
cas spécifique de l’électronique sur substrat plastique, avec des lérées par les photons provenant de la source laser.
températures de procédé comprises entre 100 et 200  C. En En utilisant un atomiseur ultrasonore ou pneumatique, il est
cela, l’apport des nanoparticules sera particulièrement explicité également possible de produire un aérosol à partir d’une encre

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Faisceau
laser Aérosol Tête d’impression
Entrée (piézoélectrique)
Objectif du du gaz de
microscope confinement

Film
Entrée
du gaz R
mince
Faisceau
focalisé

Substrat Substrat
Substrat

a b c

Figure 2 – Quelques techniques d’impression directe : la méthode LIFT (a), par aérosol (b) ou par jet d’encre (c)

à base de nanoparticules. L’impression de l’aérosol peut alors Même si les techniques d’impression par aérosol et par laser
être réalisée en concentrant le faisceau de microgouttelettes, ont montré des progrès intéressants au cours de ces dernières
par exemple, à l’aide d’un flux annulaire de gaz inerte [8]. Cette années, l’impression par jet d’encre reste encore la technologie
technique est compatible avec une grande variété de matériaux la plus mature pour le dépôt de structures conductrices. Quelle
dont la viscosité peut aller de 0,7 à 2 500 mPa·s. Son avantage que soit la technique utilisée, l’adhésion des structures déposées
réside surtout dans sa capacité à réaliser des structures dont suscite néanmoins quelques interrogations et requièrent parfois
l’épaisseur peut aller de 100 nm jusqu’à 10 mm, et ce, sur des l’utilisation de traitements de surface adéquats. En tout état de
surfaces planaires et courbes, ou présentant des marches. cause, la combinaison des différentes technologies d’impression
Cette solution reste toutefois limitée en raison de sa difficulté à associant à la fois les opérations de traitement de surface et de
réaliser des formes complexes, présentant des lignes droites et recuit rapide, apparaît comme un élément clé dans une approche
des arrondis, avec une résolution suffisante (de l’ordre de la cen- multiéchelles et grande surface de l’électronique imprimée. Dans
taine de microns). Par ailleurs, si des couches d’une centaine de ce cas, une approche de procédé au déroulé, à l’instar des systè-
nanomètres d’épaisseur peuvent être réalisées à une vitesse mes de rouleaux et de rotatives utilisées dans l’industrie pape-
relativement élevée (jusqu’à 200 mm/s), l’obtention de couches tière, pourra être mise en place pour qu’un transfert technolo-
dont l’épaisseur est de l’ordre du micron nécessite plusieurs pas- gique soit opéré à l’échelle industrielle.
sages et donc des temps d’impression significativement plus 2.1.2 Équipements d’impression jet d’encre
longs. pour l’électronique imprimée
Ces deux types de technique présentent l’avantage majeur de À travers le monde, plusieurs équipementiers ont choisi de
rendre possible le transfert d’une grande variété de matériaux développer des solutions d’impression par jet d’encre pour le
(métaux, céramiques, semi-conducteurs, biomatériaux, etc.). secteur industriel. Pour l’heure, seules des approches de type
feuille-à-feuille, utilisant des convoyeurs ou des tables XY ont
La technique la plus courante d’impression directe à l’heure été mises en œuvre. Ces systèmes d’impression peuvent inté-
actuelle est fondée sur le jet d’encre. Celui-ci a connu un essor grer une ou plusieurs têtes d’impression par jet d’encre pour
important dans les années 1980 avec les imprimantes graphi- augmenter la cadence de production. Parmi les fabricants de
ques qui ont été exploitées, par la suite, pour la fabrication de ces machines, les entreprises Ceradrop et Impika (France), Fuji-
produits électroniques, notamment grâce au développement film (États-Unis), Unijet (Corée du Sud), Roth & Rau ou Schmid
d’encres fonctionnelles. Ce concept a été adopté pour la réalisa- (Allemagne) peuvent notamment être citées (figure 3). Ces
tion de transistors organiques sur des substrats flexibles, de dio- équipements industriels n’intègrent toutefois aucun module de
des électroluminescentes organiques, de capteurs, et d’antennes post-traitement pour rendre conductrices les structures impri-
et de circuits d’interconnexions [10], [11]. Le principe de base mées. Il est donc nécessaire d’intégrer une étape de manuten-
de l’impression par jet d’encre est la formation et l’éjection de tion ou un système robotisé de transfert des substrats imprimés
gouttelettes, de manière continue ou intermittente, en surpas- vers une autre ligne de traitement de recuit. Dans le cadre du
sant la tension superficielle du liquide [12], [13]. À l’instar de la développement d’un procédé industriel de production à grande
technologie par aérosol, lors de l’étape de dépôt, le substrat se échelle de structures conductrices sur des supports souples,
déplace dans un axe tandis que la tête d’impression se déplace une approche permettant le traitement direct des rouleaux au
à la fois dans l’axe perpendiculaire et suivant l’axe vertical (de déroulé, depuis le substrat nu jusqu’au produit fini, en conciliant
manière automatisée ou non). Si le jet d’encre permet d’impri- les étapes d’impression et de post-traitement, est fortement
mer de grandes surfaces avec une vitesse d’écriture assez éle- recherchée.
vée (jusqu’à 10 m/s), des défis restent associés au contrôle et à Dans le cadre de la préindustrialisation du procédé par jet
la stabilité du jet lui-même. Des artefacts indésirables, tels que d’encre, un prototype d’impression a ainsi été développé dans
des jets déviés ou la génération non désirée de gouttelettes sup- le cadre d’un partenariat public-privé entre un laboratoire acadé-
plémentaires, également connues sous le terme de gouttes mique (École nationale supérieure des Mines de Saint-Étienne),
satellites, peuvent en effet se produire et provoquer des courts- la société Impika et deux grands groupes mondiaux de la
circuits dans la structure si l’espacement entre les lignes est trop microélectronique et de la sécurité (ST Microelectronics et
réduit. Gemalto). Ce prototype, nommé JetPac, est actuellement

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a b c

Figure 3 – Quelques équipements industriels d’impression par jet d’encre disponibles sur le marché : la PixDRO IP410 de Roth & Rau (a),
la CeraPrinter-X de Ceradrop(b) et la Dimatix DMP-3000 de Fujifilm (c)

Tête d’impression
Tête d’impression

Interligne Écartement
(résolution) inter-buses
Interligne
(résolution)

Écartement
inter-buses
Espace Continuité
discontinu inter-lignes

Étalement Angle d’inclinaison


de la goutte

a b

Figure 4 – Impact de l’inclinaison de la tête d’impression sur la résolution des motifs déposés : position standard sans inclinaison (a)
et avec une inclinaison à 45 (b)

installé sur la plateforme technologique Micro-PackS dans une en polyimide par une tête de type Fujifilm Galaxy JA aura en
salle blanche, environnement au sein duquel la concentration moyenne un diamètre de 50 mm alors que la résolution théorique
en particules et en poussières dans l’air est strictement limitée. de 608 dpi correspond à un diamètre de 41 mm. En modifiant la
Le but est de développer un procédé stable qui intègre différents forme du signal de l’onde excitatrice appliquée au cristal piézoé-
modules dans une approche de procédé en ligne de type rou- lectrique, notamment via une modification de sa fréquence ou de
leau-à-rouleau, à partir d’un procédé initialement de type son amplitude, le volume d’encre éjectée et la distance entre
feuille-à-feuille. Ces différents modules intègrent des équipe- chaque dépose de goutte peuvent être contrôlés, de sorte qu’un
ments de prétraitement de surface (torche de plasma atmosphé- chevauchement de ces gouttes est permis pour obtenir une ligne
rique), d’impression par jet d’encre (encre conductrice, isolante continue et régulière, plus ou moins épaisse suivant la viscosité
et semi-conductrice) et de post-traitement (lampe ultraviolet et de l’encre. Par ailleurs, si l’écartement des buses d’éjection défi-
cavité micro-ondes). Un convoyeur, sur lequel est placé le subs- nit la résolution théorique du système d’impression, notamment
trat à imprimer, se déplace alors entre chaque module suivant via le contrôle de l’espacement entre les lignes imprimées, il
une séquence définie en fonction de l’application. reste possible de modifier ces interlignes en opérant une rotation
Ce prototype JetPac met en œuvre des têtes d’impression pié- de la tête (figure 4). Un chevauchement partiel permettra ainsi
zoélectriques où les gouttelettes d’encre sont générées par d’obtenir des lignes plus larges ou des motifs plus complexes.
accroissement de la pression à l’intérieur des canaux fluidiques
2.1.3 Génération et éjection de gouttes d’encre
d’alimentation, et ceci grâce à un cristal piézoélectrique. L’acti-
fonctionnelle
vation de ces cristaux est réalisée avec une impulsion électrique
bipolaire. La déformation mécanique du cristal permet alors de Le jet d’encre pour l’électronique imprimée utilise couramment
générer une onde acoustique dans le canal qui va avoir pour des têtes d’impression de type piézoélectrique. L’encre conduc-
conséquence l’éjection d’une goutte au niveau de la buse. Cette trice est ainsi maintenue dans un canal en équilibrant son éner-
goutte va avoir tendance à s’étaler sur le substrat. À titre gie superficielle par capillarité. Chacune des buses est associée à
d’exemple, une goutte d’encre de 30 pL déposée sur un substrat un tel canal, ce qui permet en théorie de contrôler le dépôt de

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chaque goutte indépendamment. Toutefois, cette possibilité Pour cela, le temps optimal de l’impulsion, présenté sur la
n’est pas toujours mise en œuvre, et le contrôle s’opère alors figure 5 ([16]), est donnée par l’équation (2) [17]
soit par groupes de plusieurs canaux (Ceradrop par exemple),
soit de manière unique pour l’ensemble des canaux (JetPac). Un 2 (l + 0,61rc ) 1 + ρl ⋅ c 0 ⋅ δ
t palier = (2)
cristal piézoélectrique va permettre l’expansion et la contraction c0
de ce canal pour générer et éjecter une goutte. Pour cela, un
signal bipolaire, dont la tension varie entre - 100 V et + 100 V, où l est la distance entre le cristal piézoélectrique et la buse
est généralement employé pour limiter les trajectoires déviées d’éjection, rc est le rayon du canal, rl est la densité de l’encre,
et la formation de gouttes satellites. Les caractéristiques de
l’onde d’excitation (amplitude, fréquence, profil) vont contrôler
ces déformations du canal. Il est couramment admis que la pre-
c0 est la vitesse du son dans l’encre considérée et d est la varia-
tion relative de la section de la buse. Typiquement, pour une
géométrie de tête standard, de type Spectra, la durée de l’impul-

mière portion du signal induit une expansion radiale du cristal, sion est de l’ordre de 8 ms.
augmentant ainsi le volume d’encre dans le canal [14], [15].
Cette expansion brutale génère une onde acoustique qui se pro- De précédents travaux ont mené à l’identification de la fré-
page dans les deux directions opposées du canal avant d’être quence d’éjection comme principal responsable de la formation
réfléchie à ses extrémités (figure 5) [16]. La pression positive des gouttes satellites, avec une augmentation de la probabilité
résultante à l’extrémité du canal lors de la réflexion est amplifiée d’occurrence lorsque des fréquences élevées sont utilisées. Ceci
par une compression brutale du fluide par le cristal lors de l’ap- est d’autant plus significatif que les fluides ont une faible visco-
plication de la deuxième portion du signal. sité [18]. Le volume de la goutte éjectée est quant à lui directe-
ment corrélé à l’amplitude et à la durée de l’impulsion lors du
Pour permettre à la goutte de s’éjecter, la seule force de gravi-
premier pic de l’onde (figure 5). La vitesse d’éjection quant à
tation n’est pas suffisante pour compenser la tension superfi-
elle déterminera la façon dont la goutte s’étalera sur le substrat
cielle de l’encre qui la retient au niveau de la buse d’éjection. Il
lors de l’impact (voir section 1.2.2). Une optimisation de ces dif-
faut en effet lui fournir une énergie suffisante pour s’affranchir
férents paramètres combinée aux procédures de maintenance
des forces de capillarité via la compression du cristal piézoélec-
est donc cruciale dans la maîtrise et la stabilité du procédé par
trique. Dans le cadre d’une configuration géométrique de tête
jet d’encre.
d’impression classique, la vitesse critique à partir de laquelle la
goutte pourra être éjectée de la buse est donnée par 2.1.4 Étude de la variabilité du procédé
l’équation (1)
En raison de la nature viscoélastique de l’encre, les inter-
1/ 2 actions entre la goutte et la buse d’éjection peuvent conduire à
⎛ γ ⎞ (1)
v crit = 2 ⎜ lv ⎟ = 2 m ⋅ s−1 une variabilité du procédé. En effet, les forces de capillarité et
⎝ ρl ⋅ rc ⎠ l’énergie transmise à la goutte lors de l’éjection vont gouverner
la façon dont la goutte va se déformer et évoluer lors de son
où g lv et rl sont la tension superficielle et la densité de l’encre transfert vers le substrat. En particulier, une mauvaise adéqua-
respectivement, et rc est le rayon du canal d’éjection (typique- tion entre le volume de la goutte et de la vitesse d’éjection peut
ment, rc = 36 mm pour des têtes Fujifilm de type Galaxy JA). conduire à la formation de gouttelettes satellites. En effet, lors
La configuration de la forme d’onde pour l’éjection d’une encre de la formation de la goutte, du fait de la capillarité, la goutte ini-
est l’étape la plus critique pour la maîtrise de la stabilité du pro- tiale se trouve brièvement suspendue à la buse par un filament.
cédé jet d’encre. Elle correspond au motif élémentaire du signal Lorsque la goutte se sépare de la buse, si les paramètres d’éjec-
électrique auquel sont soumis les cristaux piézoélectriques pour tion sont optimaux, le filament rattrape le corps principal de la
l’éjection d’une goutte. Cette onde doit ainsi être adaptée avec goutte pour former un ensemble sphérique (figure 6a). Dans le
précision à la géométrie de la tête ainsi qu’aux propriétés de cas contraire, et notamment lorsque la célérité de la goutte est
l’encre utilisée. La tension et la durée du signal vont ainsi être trop importante, les vibrations de l’enveloppe, initiées par la rup-
optimisées pour que les deux ondes acoustiques interagissent ture du filament avec la buse, créent une instabilité qui conduit à
de manière constructive afin de transférer à l’encre le maximum la séparation du corps principal de la goutte et de son filament.
d’énergie cinétique pour lui permettre d’être éjectée par la buse. Au cours de la chute, ce dernier va alors avoir tendance à former

Tension

Vpalier
i)

iv)

0 ii)

v)
Vécho iii)

Temps
tmontée t tdescente técho tmontée
palier

a b

Figure 5 – Schéma indiquant la forme d’onde bipolaire typique appliquée sur un actionneur piézoélectrique (a) et son impact
sur les interactions de l’onde acoustique générée (b)

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a b

Figure 6 – Les étapes successives de formation d’une goutte au niveau d’une buse d’éjection (a) et visualisation de la déviation d’un jet
d’encre au niveau de la plaque à buses de la tête d’impression (b)

Motif de
consigne

a b

w = 64 µm

Stucture
imprimée

w = 128 µm

Figure 7 – Illustration d’une structure conductrice déposée sur un substrat en polyimide (a) avec un détail de la structure (b) : consigne
sous la forme d’une matrice de pixels (haut) et la résultante de la déviation d’un jet d’encre sur les dimensions des structures imprimées
(bas)

une ou plusieurs gouttes secondaires pour minimiser son énergie la consigne. Dans cet exemple, le jet issu de l’une des buses sol-
de surface. Ces gouttes satellites peuvent atteindre le substrat licitées pour l’impression d’une ligne a été dévié de plusieurs
directement au niveau de la goutte qui les a précédées, ou à microns sur la ligne voisine, de sorte qu’une ligne plus fine et
proximité, causant ainsi des irrégularités ou des courts-circuits une ligne plus large que la consigne en résultent. Ce type d’arté-
avec une structure adjacente. facts sur la largeur des lignes ou sur l’espacement entre lignes
est particulièrement préjudiciable lorsqu’une stricte conformité
La présence d’éraflure, d’agglomérat de nanoparticules
des dimensions est requise avec des pas très réduits (intercon-
séchées ou de résidus d’encre peut modifier les conditions
nections, antennes radiofréquences…).
d’équilibre lors de la création des gouttes au moment de l’éjec-
tion et entraîner une déviation de celles-ci (figure 6b). En raison Pour adapter la forme d’onde aux conditions d’impression, la
de la haute résolution requise pour l’impression des circuits élec- variabilité du procédé doit être étudiée préalablement. Cette
troniques, le phénomène de déviation erratique du jet d’encre variabilité peut provenir des propriétés de l’encre, qui peut être
peut conduire à des lignes non conformes en termes de dimen- inadaptée aux paramètres d’éjection, des tolérances de fabrica-
sions par rapport à la consigne, voire même à des problémati- tion mécanique au niveau des diamètres des buses, ainsi que de
ques de discontinuité électrique. Sur la figure 7 est illustrée une la précision mécanique du positionnement des différents modu-
structure imprimée avec des lignes parallèles d’argent, avec une les avec le convoyeur. Par ailleurs, des phénomènes inhérents à
consigne de largeur fixée à 100 mm. Après impression et recuit, l’impression par jet d’encre peuvent également survenir, tels que
des lignes dont la largeur peut atteindre 64 ou 128 mm sont le séchage partiel de l’encre, qui conduit au bouchage des buses
observées, soit une déviation de l’ordre de 30 % par rapport à d’éjection ou à la déviation du jet d’encre. Par ailleurs, il est

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important de noter qu’une goutte possédant une forte énergie substrat. Dans la vie de tous les jours, tout le monde a pu cons-
cinétique aura tendance à s’étaler davantage (voir section sui- tater comment les gouttes de rosée matinale peuvent perler sur
vante). Dans cette optique, la variabilité de l’impression par jet la feuille d’une plante ou, au contraire, former une mince pelli-
d’encre de nanoparticules d’argent (diamètre moyen de l’ordre cule d’eau, suivant que la surface est hydrophobe ou hydrophile.
de 20 nm) sur le prototype JetPac a été étudiée sur l’ensemble Il est habituel de caractériser cette capacité d’un liquide à s’éta-
des buses. La caractérisation de la dimension et de la position ler sur un substrat à l’aide de l’angle que forme la goutte avec le
de chacune des gouttes imprimées sur le substrat est conduite substrat, aussi appelé angle de contact. Ainsi, plus le liquide
en utilisant un traitement d’images associé. Les résultats obte- s’étalera sur le substrat (comportement hydrophile), plus l’angle
nus démontrent une erreur quadratique de placement des gout-
tes de l’ordre de 10 mm, alors que le diamètre final suit une dis-
tribution gaussienne bimodale centrée sur 41 et 48 mm
de contact sera faible.
Cet équilibre de la goutte dépend à la fois de la nature de l’en-
cre, du substrat et de l’atmosphère. La capacité d’un fluide à

(figure 8). En effet, les mesures indiquent que la contribution
napper une surface va être régie par les phénomènes de capilla-
de cette erreur suivant l’axe de déplacement du convoyeur est
quatre fois plus faible que dans la direction perpendiculaire. rité, qui dépendent de plusieurs paramètres tels que la rugosité
Quant à la distribution en taille des gouttes, elle est attribuée à du substrat, la viscosité du liquide, les interactions chimiques ou
l’effet des extrémités fermées dans les canaux de la tête d’im- le volume de la goutte par exemple. Cet équilibre entre les pha-
pression qui créent une variation du champ de pression dans le ses liquide, solide et gazeuse est déterminé par la relation de
fluide. Les ondes acoustiques incidentes et réfléchies peuvent Young [19], [M 1 425] :
partiellement interagir de manière destructive et réduire ainsi la (3)
γ sv = γ lv cos θ + γ sl
pression appliquée au fluide au moment de l’éjection.
La mise en œuvre du procédé par jet d’encre est donc particu- où g sv, g lv et g sl sont les tensions superficielles entre les trois
lièrement complexe en raison de la multiplicité des interactions à phases et q est l’angle de contact apparent. Les énergies de sur-
considérer. Ceci est d’autant plus critique pour la miniaturisation faces de substrats couramment utilisés en microélectronique
des composants ou des structures imprimés, comme par exem- sont reportées dans le tableau 1 (déterminé par la méthode
ple dans le cas des interconnexions. Ainsi, ces interactions qui Owen-Wendt-Rabel-Kaelble [20] [21]).
sont mises en évidence sur la variabilité du procédé indiquent
clairement la nécessité de réaliser des encres adaptées au jet Pour une encre donnée, la tension superficielle est une pro-
d’encre, notamment en termes de rhéologie. Ce comportement priété intrinsèque et contrôler l’amplitude de l’étalement de l’en-
de l’encre sera notamment corrélé à sa viscosité, à la taille des cre n’est possible qu’en modifiant l’énergie de surface du subs-
nanoparticules, et à la nature des solvants qui la composent. trat. Pour cela, il suffit de changer directement le type de
substrat ou d’en altérer l’énergie de surface. Les propriétés de
2.2 Interactions fluide-substrat mouillage des surfaces peuvent être modifiées à l’aide de traite-
ments physiques, tels qu’un traitement corona, UV-ozone ou
La compréhension globale des interactions physico-chimiques
plasma atmosphérique, par exemple, ou de traitements chimi-
entre le liquide et le substrat est un point clé lorsqu’une encre est
ques à l’aide d’un apprêt. Un traitement plasma à pression
considérée pour la fabrication de pistes conductrices. En effet,
l’étalement de l’encre sur la surface influe directement sur la atmosphérique peut ainsi être utilisé pour diminuer l’énergie de
géométrie finale de la ligne imprimée. La mouillabilité de l’encre surface en créant des groupements hydrophiles de type hydro-
doit donc être contrôlée avec soin. xyles et/ou carbonyles qui renforcent la mouillabilité de la sur-
face. D’autres produits chimiques, comme l’hexaméthyldisila-
2.2.1 Impact de la préparation de surface zane (HMDS, de formule [(CH3)2Si]2NH), peuvent également
sur la mouillabilité d’encres fonctionnalisées être déposés sur le substrat pour améliorer l’adhérence grâce à
sur un substrat l’élimination des traces aqueuses à la surface. Le HMDS est en
Lorsqu’une goutte est déposée sur la surface d’un substrat, effet très réactif aux groupements hydroxyles situés à la surface
elle va avoir tendance à adopter une forme de calotte sphérique du substrat, avec lesquels il forme un siloxane, Si-O-Si(CH3)3.
dont le diamètre est directement corrélé au couple liquide – Ce composé étant plus hydrophobe que le silicium, l’étalement

40 35
35
30
30
25
Occurrence
Occurrence

25
20
20
15
15
10
10

5 5

0 0
0 0 10 15 20 25 34 36 38 40 42 44 46 48 50 52
Déplacement quadratique moyen (μm) Diamètre circulaire équivalent (μm)

a b

Figure 8 – Distribution de l’erreur quadratique moyenne de placement (gauche) et du diamètre équivalent (droite) des gouttes déposées
sur un substrat polyimide

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Matériaux pour l'électronique et dispositifs associés
(Réf. Internet 42271)

1– Polymères pour l'électronique

2– Matériaux diélectriques et conducteurs



3– Acoustique Réf. Internet page

Propagation et génération des ondes élastiques E3210 77

Composants acoustiques utilisés pour le iltrage. Revue des diférentes technologies E2000 83

Composants acoustiques utilisés pour le iltrage. Modèles et outils de simulation E2001 91

Composants piézo-électriques E2205 99

Filtres à ondes de surface E2200 105

Acousto-optique et composants associés E1955 111

Cristaux phononiques et métamatériaux acoustiques E2212 117

Capteurs acousto-électriques radiofréquences. Modes d’interrogation E3212 121

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Propagation et génération
des ondes élastiques

par Eugène DIEULESAINT


Ingénieur de l’École Supérieure d’Électricité (ESE)
Professeur émérite à l’université Pierre-et-Marie-Curie (Paris 6)
Daniel ROYER

et
Ingénieur de l’École Supérieure de Physique et de Chimie Industrielles (ESPCI)
Professeur à l’université Denis-Diderot (Paris 7)

1. Principaux types d’ondes élastiques.................................................. E 3 210 - 2


2. Champ élasto-électrique ........................................................................ — 5
2.1 Déformations et contraintes ....................................................................... — 5
2.2 Équations du champ et conditions aux limites ......................................... — 6
2.3 Bilan énergétique. Vecteur de Poynting .................................................... — 6
3. Élasticité et piézoélectricité des cristaux......................................... — 7
3.1 Relation entre contraintes et déformations............................................... — 7
3.2 Lois de comportement d’un matériau piézoélectrique............................. — 7
3.3 Matrices des composantes élastiques et piézoélectriques des cristaux — 7
4. Ondes élastiques planes ........................................................................ — 9
4.1 Propagation dans un milieu homogène illimité........................................ — 9
4.1.1 Équation de Christoffel....................................................................... — 9
4.1.2 Surface des lenteurs........................................................................... — 10
4.1.3 Coefficient de couplage électromécanique ...................................... — 10
4.2 Génération.................................................................................................... — 12
4.2.1 Schéma équivalent d’un transducteur.............................................. — 12
4.2.2 Puissance émise. Réponse fréquentielle .......................................... — 13
5. Ondes guidées........................................................................................... — 14
5.1 Ondes de surface ......................................................................................... — 14
5.1.1 Considérations de symétrie ............................................................... — 15
5.1.2 Milieu isotrope. Expression des composantes ................................ — 15
5.1.3 Milieu piézoélectrique. Permittivité de surface ................................ — 16
5.1.4 Caractéristiques de quelques matériaux .......................................... — 18
5.2 Modes de plaque ......................................................................................... — 18
5.3 Onde de Love ............................................................................................... — 21
5.4 Génération des ondes de Rayleigh ............................................................ — 22
5.4.1 Réponse impulsionnelle et impédance de rayonnement
du transducteur à électrodes interdigitées....................................... — 22
5.4.2 Effets secondaires. Corrections ......................................................... — 24
Références bibliographiques ......................................................................... — 25

L a compréhension du principe et la définition du domaine de fonctionne-


ment des dispositifs acousto-électroniques décrits dans l’article [E 3 212]
requièrent une analyse de la propagation des ondes élastiques dans les
solides, isotropes et anisotropes, et de leur génération par effet piézoélectrique.
Ces deux points sont examinés dans les deux cas principaux qui sont :
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PROPAGATION ET GÉNÉRATION DES ONDES ÉLASTIQUES ______________________________________________________________________________________

— les ondes planes dans un milieu de dimensions latérales grandes par


rapport à celles du faisceau d’ondes élastiques (ondes de volume) ;
— les ondes guidées par la surface libre d’un milieu semi-infini (ondes de
surface).
Avant d’aborder ces deux cas, nous décrivons intuitivement les principaux
types d’ondes élastiques aptes à se propager dans les solides. Les grandeurs
caractéristiques des champs mécanique et électrique associés à ces ondes sont
ensuite définies. Puis les relations entre ces grandeurs et les équations d’état
d’un matériau piézoélectrique ainsi que les tableaux des constantes élastiques
et piézoélectriques des principaux cristaux sont présentés.
La propagation des ondes de volume aboutit à la caractérisation d’un cristal
par une surface des lenteurs et aussi par un coefficient de couplage électro-
mécanique si ce cristal est piézoélectrique. Leur génération se fait à l’aide d’une
plaquette piézoélectrique. Cette plaquette, comme tout transducteur piézo-
électrique, se présente comme un dispositif à une entrée électrique et à deux

S sorties élastiques (on dit aussi acoustiques) dont une seule est, en général, uti-
lisée. La puissance acoustique qu’elle émet est naturellement fonction du
coefficient de couplage électromécanique.
Pour la propagation des ondes guidées, principalement des ondes de sur-
face (ondes de Rayleigh), l’analyse est plus complexe que celle relative aux
ondes de volume puisqu’elle impose la prise en compte de conditions aux
limites mécaniques et électriques, si le cristal est piézoélectrique. La notion de
permittivité de surface en simplifie l’approche. Les ondes guidées par une
plaque, appelées ondes de Lamb, et par une couche, appelées ondes de Love,
sont présentées bien qu’elles ne donnent lieu à des applications que dans le
domaine des capteurs. La génération des ondes de Rayleigh par transducteurs
à électrodes interdigitées est exposée à l’aide de la méthode de la réponse
impulsionnelle.

La présentation des dispositifs acousto-électronique, c’est-à-dire des composants électroni-


ques à ondes élastiques, fait donc l’objet d’un deuxième article [E 3 212].

1. Principaux types Les polarisations de ces trois ondes sont toujours perpendi-
culaires entre elles. Les vecteurs d’énergie indiquant le sens de
d’ondes élastiques propagation de l’énergie pour chacune de ces ondes forment des
angles différents avec , . Ces conditions de propagation sont diffi-
ciles à exploiter. Aussi, en pratique, choisit-on des directions parti-
Dans un solide isotrope illimité, deux ondes planes peuvent se culières pour lesquelles le vecteur énergie est parallèle au vecteur
propager : d’onde comme dans le cas du milieu isotrope. Le mode de propa-
— une onde constituée d’une suite de compressions et de dila- gation est alors appelé mode pur.
tations dont la polarisation u (le déplacement des particules de la Notons les raisons de l’emploi de solides anisotropes :
matière) est longitudinale, c’est-à-dire parallèle à la direction de a) leur coefficient d’atténuation des ondes élastiques est plus petit
propagation , (figure 1a ) ; que celui des solides isotropes, car leur structure est plus ordonnée ;
— une onde constituée de mouvements de cisaillement dont la b) les cristaux piézoélectriques, utilisés pour engendrer ces
polarisation est transversale, c’est-à-dire perpendiculaire à la direc- ondes, sont anisotropes.
tion de propagation (figure 1b ). Les ondes décrites précédemment sont les solutions de la seule
La vitesse de propagation VT de l’onde transversale est toujours équation de propagation. En fait, les solides sont limités et les
inférieure à la vitesse de propagation VL de l’onde longitudinale. solutions doivent satisfaire à des conditions aux limites mécani-
Ces vitesses, indépendantes de la direction de propagation, sont ques et électriques (si le solide est piézoélectrique) : par exemple,
de l’ordre de quelques milliers de mètres par seconde. tension mécanique nulle sur une surface libre, continuité de la
composante normale de l’induction électrique en l’absence de
Exemple : pour la silice : VT = 3 760 m/s et VL = 5 960 m/s.
charges. Les solutions satisfaisant aux conditions aux limites four-
Dans un solide anisotrope, trois ondes planes peuvent se propa- nissent des ondes dont le déplacement peut comprendre plusieurs
composantes.
ger suivant une direction quelconque , (figure 2) :
— une onde appelée quasi longitudinale parce que sa polarisa- À la surface d’un milieu isotrope semi-infini, une onde à deux
composantes peut se propager. Elle porte le nom de Rayleigh qui
tion forme un angle α < π/4 avec , ; l’a découverte en 1885. Les composantes longitudinale et transver-
— une onde quasi transversale rapide ; sale, contenues dans le plan sagittal (défini par la normale à la surface
— une onde quasi transversale lente. et le vecteur d’onde), sont déphasées de π/2. La polarisation est donc

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E 3 210 − 2 © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique

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_____________________________________________________________________________________ PROPAGATION ET GÉNÉRATION DES ONDES ÉLASTIQUES

Surface libre 6
A B C
uL
u

, uT

F λ

F fronts de l'onde

u polarisation
λ longueur d'onde


Profondeur
a onde longitudinale : les particules A , B et C oscillent suivant la
direction de propagation , a décroissance de la composante longitudinale uL et de la
composante transversale uT en fonction de la profondeur
F

Surface libre
u
A

C uL
B
,
,
uT

λ
b ondulation de la surface au passage de l'onde
b onde transversale : les particules A , B et C oscillent
perpendiculairement à la direction de propagation , , direction de propagation

Figure 1 – Ondes élastiques dans un milieu isotrope


Figure 3 – Ondes de Rayleigh dans un milieu isotrope semi-infini

de l’ordre de la longueur d’onde λ (figure 3). La vitesse VR de l’onde


u (2) de Rayleigh est légèrement inférieure à celle de l’onde transversale.
Exemple : pour la silice : VR = 3 410 m/s, f =100 MHz → λ = 34 µm.
,
Ce genre d’ondes se propage aussi à la surface d’un solide
anisotrope (cristal). Le déplacement comprend en général trois
α composantes. L’extrémité du vecteur polarisation décrit une ellipse
u (1) contenue dans un plan incliné par rapport au plan sagittal. La
vitesse dépend de la coupe du cristal et de la direction de propa-
gation. Le mode n’est pur que pour certains plans sagittaux et des
directions de propagation particulières.
Malgré leur nature complexe, les ondes de Rayleigh sont très
u (3) employées car il est relativement facile de les engendrer, à la sur-
face des cristaux piézoélectriques, à l’aide de deux électrodes en
forme de peigne, réalisées par photogravure. La longueur et l’inter-
Trois ondes planes dont les polarisations u sont perpendiculaires entre valle des dents des peignes sont choisis de manière indépendante :
elles peuvent se propager suivant une direction quelconque , des fonctions variées sont synthétisables.
À la surface de certains cristaux piézoélectriques, une onde trans-
Figure 2 – Ondes élastiques dans un milieu anisotrope (cristal)
versale de polarisation u parallèle à la surface peut se propager.
Cette onde de Bleustein-Gulyaev pénètre d’autant moins dans le
matériau que celui-ci est plus piézoélectrique. La profondeur de
elliptique. Les amplitudes de ces composantes décroissent diffé- pénétration est toutefois plus importante que celle des ondes de
remment avec la profondeur. Le passage de l’onde provoque une Rayleigh. Elle se compte au moins en dizaines de longueurs d’onde
ondulation de la surface qui se fait sentir jusqu’à une profondeur (figure 4).

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PROPAGATION ET GÉNÉRATION DES ONDES ÉLASTIQUES ______________________________________________________________________________________

Surface libre 6 6
,

, u

u
Matériau piézoélectrique
6
, direction de propagation
6 surface libre
u polarisation

S Profondeur Figure 6 – Onde purement transversale se propageant


dans une plaque. Mode d’ordre zéro

L'onde pénètre d'autant moins dans le matériau que celui-ci est plus
piézoélectrique. La surface reste plane. composantes des ondes de surface se couplent et donnent nais-
, direction de propagation sance à des ondes de Lamb symétriques ou antisymétriques
(figure 5).
u polarisation
À propos de plaque, notons qu’une onde purement transversale,
Figure 4 – Onde de surface à polarisation transversale de polarisation parallèle aux faces, satisfait aux conditions aux
(Bleustein-Gulyaev) limites et peut se propager suivant différents modes (figure 6).
Cette onde transversale horizontale (TH) se réfléchit sans changer
de nature. Elle se propage encore si la plaque est rigidement liée
à un substrat isotrope semi-infini dont la vitesse VT des ondes
transversales est supérieure à celle VT′ des ondes de même pola-
6 risation dans la plaque. Elle porte alors le nom de Love. Pour les
fréquences élevées telles que la longueur d’onde soit inférieure à
l’épaisseur h, l’onde est contenue dans la plaque et se propage à
u la vitesse VT′ , pour les fréquences basses telles que λ >> h ,
, l’onde se propage à la vitesse VT (figure 7). Dans le domaine des
fréquences évoqué ici, la plaque est en fait une couche mince
d’épaisseur quelques micromètres. Des ondes du type Rayleigh se
propagent aussi dans la structure couche sur substrat. Elles sont
alors dispersives.
6
a déformation de la plaque pour un mode symétrique De toutes ces ondes, les ondes de volume ont été longtemps
les seules utilisées, en électronique, pour réaliser des filtres à
résonateurs discrets, des filtres monolithiques, des lignes à
6 retard et, en optoélectronique, pour réaliser des modulateurs.
u Puis sont venues les ondes de Rayleigh (vers 1970). Elles
, apportaient aux radaristes une solution au problème du filtrage
adapté : un effet dispersif est en effet produit par une géométrie
appropriée du transducteur qui les engendre. Si dans quelques
systèmes, elles ont été remplacées par des techniques numé-
riques, il a été vite reconnu qu’elles se prêtaient à la réalisation
de filtres compacts et bon marché. Des filtres à ondes de Ray-
leigh ont alors été introduits dans les circuits de fréquence inter-
6 médiaire de téléviseurs et autres instruments. Ils sont désormais
b déformation de la plaque pour un mode antisymétrique insérés, à différents niveaux, dans les circuits des téléphones
mobiles [1]. Ce domaine du téléphone est actuellement le prin-
, direction de propagation cipal marché. En vue de satisfaire les exigences qu’il impose
quant aux pertes, aux dimensions, au fonctionnement à fré-
6 surface libre quence de plus en plus élevée, la structure des filtres a évolué et,
u polarisation dans certains cas, on a recours à des pseudo-ondes de
surface [2]. Ces ondes à composante principale transversale
Figure 5 – Ondes de Lamb horizontale et même longitudinale, retenues éventuellement
près de la surface par des artifices (réseaux de traits métalliques)
se propagent, plus ou moins loin, en rayonnant de l’énergie vers
Lorsqu’un solide est limité par deux plans parallèles (plaque), les le cœur du substrat. Elles sont seulement évoquées ici. Leur
ondes de Rayleigh se propagent indépendamment sur chacun des avantage sur les ondes de Rayleigh est de se propager à des
plans tant que leur distance est grande devant la longueur d’onde. vitesses supérieures. La technologie des transducteurs s’en
Quand l’épaisseur h de la plaque devient de l’ordre de λ, les trouve simplifiée.

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_____________________________________________________________________________________ PROPAGATION ET GÉNÉRATION DES ONDES ÉLASTIQUES

2.1 Déformations et contraintes


6 Sous l’action de forces extérieures, un solide subit une déforma-
tion si ses particules se déplacent relativement les unes par rapport
aux autres. Soit ui (xj ) le déplacement, dans un repère orthonormé,
C du point matériel de coordonnées xj au repos (i, j = 1, 2, 3). Dans
V 'T u le cas pratique où les composantes ∂u i / ∂x j du gradient des dépla-
cements sont très petites devant 1, la variation de la distance dx
, séparant deux points infiniment voisins s’exprime par :

∂ ui
S ( d x ′ )2 – ( d x )2 ≈ 2 d ui d xi = 2 ---------- d x i d x j
∂ xj
VT
en sommant de 1 à 3 sur tous les indices répétés.
Elle est nulle pour toute translation d’ensemble du solide
Profondeur (puisque ∂ u i / ∂ x j = 0) et pour toute rotation infinitésimale
, direction de propagation
6 surface libre
u polarisation
1
∂ ui
∂ xj
∂ uj
2
puisque ----------- = – ----------- .
∂ xi S
Les déformations, à l’intérieur du corps, sont définies par le
L'onde transversale se propage dans une couche C solidaire
tenseur de rang deux, symétrique, appelé tenseur des déforma-
d'un substrat S sous la condition VT > V 'T . tions :
Mode d'ordre zéro.
1 ∂ ui ∂ uj
Figure 7 – Onde de Love
1
S ij = --- --------
2 ∂ xj ∂ xi
- + --------- 2 (1)

qui s’annule pour les deux mouvements évoqués.


Ce tenseur ne prend donc pas en compte les rotations locales,
c’est-à-dire variant d’un point à un autre, qui sont traduites par la
partie antisymétrique du gradient des déplacements :
2. Champ élasto-électrique
Tant que la longueur des ondes élastiques est grande devant les
1 ∂ ui ∂ uj
1
Ω ij = --- --------
2 ∂ xj ∂ xi
- – --------- 2
distances interatomiques, tout solide homogène est assimilable à Ces rotations locales n’apparaissant pas dans les équations de la
un continuum de matière. Son état mécanique est décrit par deux dynamique, ce choix n’a pas d’effet sur l’étude de la propagation
tenseurs de rang deux, les déformations et les contraintes. Ces des ondes élastiques. Par contre, elles jouent un rôle, et il faut en
grandeurs qui varient dans le temps et l’espace constituent le tenir compte, dans des phénomènes tels que l’interaction
champ élastique. Sa propagation est régie par les équations de la acousto-optique où l’orientation du cristal (par rapport à la polari-
dynamique. sation de la lumière) intervient.
Dans les matériaux piézoélectriques le champ élastique est couplé Dans un solide déformé par des forces extérieures, agissant en
au champ électromagnétique par des relations linéaires [Il existe son volume et sur sa surface avec des densités respectives F i et p i ,
d’autres couplages linéaires (piézomagnétique) ou non linéaires apparaissent des contraintes dues aux forces moléculaires qui
(électrostrictif, magnétostrictif). La magnétostriction a donné lieu à tendent à le ramener dans son état de repos (antérieur à la défor-
des applications en basse fréquence [E 1 880]. Ce couplage introduit mation).
des termes électriques dans le développement des équations de la Pour définir ces contraintes écrivons le bilan des forces agissant
dynamique et des termes élastiques dans le développement des sur un volume 9 quelconque intérieur au solide (figure 8). Les
équations de Maxwell. Le problème de la propagation de ces champs efforts exercés par la matière entourant ce volume, qui se
ne peut en principe être traité qu’en résolvant simultanément ces transmettent de proche en proche par les liaisons entre les
équations. En fait, en ce qui concerne la propagation du champ élec- molécules ont un rayon d’action très petit du point de vue macro-
trique, ces équations se réduisent à celles de l’électrostatique car scopique. Leur résultante s’exprime donc par l’intégrale sur la sur-
la vitesse des ondes de matière que sont les ondes élastiques est
face 6 délimitant le volume 9 de forces élémentaires Ti 1 n 2 d 6 .
104 à 105 fois inférieure à celle des ondes électromagnétiques (cette
approximation du champ électrique quasi statique par rapport aux Le vecteur Ti 1 n 2 , appelé tension mécanique, dépend de xi et de t
ondes électromagnétiques rend négligeable le champ magnétique). mais aussi de l’orientation de l’élément de surface d 6, définie par
La propagation du champ élastique se traite en admettant que le
champ électrique qui lui est associé (l’ensemble constitue le champ le vecteur unitaire n normal à 6 et dirigé vers l’extérieur. Compte

1 2
∂B tenu des forces en volume, la condition d’équilibre du volume 9
élastoélectrique) dérive d’un potentiel rot E = – ------------- ≈0 . s’écrit :
∂t
Dans le paragraphe qui suit, nous rappelons la définition des
contraintes et des déformations, exprimons les équations du champ
ETn
6 i( )d6 + EF
9 i d9 = 0
élastoélectrique en précisant les conditions aux limites qu’il doit
D’après le théorème de Green, – Fi est la divergence d’un tenseur
satisfaire puisque, dans les problèmes pratiques, les dimensions du
milieu de propagation sont finies. La loi de conservation de l’énergie
Tij de rang deux, appelé tenseur des contraintes :
fournie par les sources extérieures conduit à définir, comme en élec- ∂ T ij
tromagnétisme, un vecteur de Poynting dont le flux représente la F i = – ------------- (2)
puissance transportée par les ondes élastiques. ∂ xj

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Composants acoustiques utilisés


pour le filtrage
Revue des différentes technologies

par William STEICHEN


Ancien Responsable Recherche et développement filtres SAW, TEMEX
Ingénieur physicien S
et Sylvain BALLANDRAS
Directeur de recherche CNRS
Docteur en Sciences pour l’Ingénieur, HDR

1. Caractérisation d’un filtre ..................................................................... E 2 000 - 2


2. Point communs et différences
entre filtres électroacoustiques ........................................................... — 4
3. Filtres à ondes de surface (SAW) ......................................................... — 5
3.1 Bref historique des dispositifs à ondes de surface ................................... — 5
3.2 Principes de fonctionnement des filtres SAW ........................................... — 5
3.3 Substrats piézoélectriques .......................................................................... — 6
3.4 Différents types de filtres SAW ................................................................... — 7
3.5 Filtres classiques .......................................................................................... — 8
3.6 Filtres en éventail : fanshaped .................................................................... — 13
3.7 Filtres à transducteurs directifs : DART, SPUDT........................................ — 14
3.8 Résonateurs SAW ........................................................................................ — 16
3.9 Filtres à éléments d’impédance .................................................................. — 17
3.10 Filtres à résonateurs à couplage acoustique ............................................. — 19
3.11 Technologie des dispositifs à ondes de surface........................................ — 21
4. Résonateurs et filtres à ondes de volume
sur couches minces (FBAR) ................................................................... — 23
4.1 Bref historique des dispositifs à ondes de volume ................................... — 23
4.2 Bref historique des filtres FBAR .................................................................. — 24
4.3 Principes de fonctionnement des FBAR ..................................................... — 25
4.4 Technologie des FBAR................................................................................. — 26
4.5 Applications des filtres FBAR ...................................................................... — 27
4.6 Exemples de réalisations et performances de filtres FBAR...................... — 27
5. Comparaison des technologies de filtres acoustiques.................. — 28
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. E 2 000

a notion de filtrage électrique est apparue avec les premiers systèmes de


L communication utilisant des bandes spectrales très étroites. Dans les
années 1910, les premiers ingénieurs radioélectriciens envisagent la possibilité
de transmettre plusieurs communications téléphoniques sur une même ligne :
ils utilisent pour ce faire une modulation du signal autour d’une fréquence por-
teuse, différente pour chaque canal de communication. C’est la même idée qui
préside encore aujourd’hui dans pratiquement toutes les communications
multiplexes (comme dans le cas du dégroupage où la téléphonie, la télévision
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et les transmissions numériques coexistent sur une même ligne de transmis-


sion). De cette manière, le spectre du signal est réparti dans une bande de

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COMPOSANTS ACOUSTIQUES UTILISÉS POUR LE FILTRAGE _________________________________________________________________________________

fréquence centrée autour de la fréquence porteuse. À la réception, la sélection


d’un canal spécifique nécessite un filtrage du signal pour ne sélectionner que
la bande utile. On en arrive donc à la notion de filtre sélec tif, capable d’éli-
miner efficacement tout signal hors bande utile sans pour autant altérer de
façon trop importante l’information transmise. Au départ, des filtres linéaires à
éléments discrets de type résistance, inductance et capacité (R , L, C) sont uti-
lisés pour assurer des opérations de filtrage à des fréquences allant de 10 à
40 kHz. L’utilisation de méthodes de communication exploitant les ondes hert-
ziennes et le besoin d’élargir les bandes utiles pour augmenter la quantité
d’information véhiculée imposent rapidement la mise au point d’autres prin-
cipes de filtrage, mieux adaptés à de tels besoins. La réalisation d’éléments
passifs stables et compacts pour le filtrage a également poussé à rechercher
des solutions alternatives aux guides d’ondes et cavités résonantes électro-
magnétiques généralement efficaces mais chères et encombrantes.
Les techniques de filtrage ont été rapidement étendues par l’introduction

S d’éléments actifs permettant de résoudre entre autre le problème des pertes


dans la bande utile, généralement importantes, associées à l’utilisation d’élé-
ments passifs (RLC ). Néanmoins, et malgré les progrès incessants de la
microélectronique, les bandes passantes des circuits actifs d’amplification
restent souvent peu compatibles avec les applications « télécoms » pour
lesquelles les fréquences de travail ne cessent d’augmenter. De nombreuses
tentatives ont été engagées pour remplacer le filtrage linéaire analogique par
des techniques numériques. Celles-ci supposent l’existence de composants
électroniques capables d’échantillonner et de traiter le signal à des fréquences
également très élevées, et s’avèrent moins immunes aux parasites et aux
effets de recouvrement spectral que les composants passifs.
On s’intéresse ici aux filtres « électriques », fondés sur l’utilisation de
composants acoustoélectriques, dont la destination est d’être insérés dans un
circuit électronique afin de réaliser une fonction de filtrage en fréquence.
L’objet de cet article est de décrire et de comparer entre elles des technologies
de filtres passifs appartenant à une catégorie particulière que sont les filtres
« acoustiques » basés sur une conversion d’énergie électrique en énergie
acoustique et v ice versa. Un second article [E 2 001] sera consacré à la modéli-
sation de ces filtres.
On limitera l’analyse aux filtres de bande, non dispersifs, parce que c’est le
seul terrain commun à l’ensemble des filtres électroacoustiques. La techno-
logie des ondes de surface permet par ailleurs d’adresser le domaine des
filtres analogiques dispersifs, mais il s’agit là d’un sujet très spécifique.

1. Caractérisation d’un filtre


e1 s2 I1 I2
■Paramètres principaux d’un filtre
V1 V2
Puisqu’il est question ici de filtres, il est utile de rappeler les s1 e2
paramètres principaux qui caractérisent un filtre. Un filtre est en
général un composant à « deux ports », voire trois ou quatre ports
si le montage est différentiel en entrée et/ou en sortie.
Un filtre peut être caractérisé par sa matrice des admittances Figure 1 – Paramètres sd’un quadripôle
électriques [Y] (1) ou par sa matrice des impédances électriques
[Z], ou encore par une matrice de transfert électrique [T] (2).
Toutes se déduisent l’une de l’autre (voir figure 1)
Dans les systèmes radiofréquences, il est de coutume d’utiliser
plutôt la matrice de diffraction, ou matrice des « paramètres s ».
 I1  Y11 Y12  V1  Cette matrice relie les « ondes » sortantes aux ondes entrantes
 I  = Y    (1)
dans le quadripôle :
2 21 Y22  V2 

 V2  T11 T12  V1  s1   s11 s12   e1 


 − I  = T    (2)  s  =  s    (3)
2 21 T22   I1  2 21 s22   e2 

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La matrice [s], comme les matrices [Y] et [Z], est symétrique en


vertu du principe de réciprocité de Lorentz (in G. Pavlenko, Le Bw– 40 dB
lemme de Lorentz et le principe de réciprocité dans les problèmes
0
de calcul des dispositifs de l’acousto-électronique, Jurnal tehni-
tcheskoj fiziki- J. teh. fiz., ISSN 0044-4642 CODEN ZTEFA31987,
vol. 57, no 12, pp. 2279-2285, en Russe).
s 11 et s 22 sont les coefficients de réflexion des ondes tandis que
s 12 = s 21 sont les coefficients de transmission. R
Les ondes entrantes et sortantes se définissent à partir des ten-
sions et des courants et d’une impédance de référence Z c (ou
impédance caractéristique de l’onde) :
fc
1
s1 = + V1 − Z c I1 Bt Bw– 3 dB
Zc
(4)
1
e1 = + V1 + Z c I1 Figure 2 – Fonction de transfert type d’un filtre
Zc

On constate que si l’impédance d’entrée du quadripôle est égale


à l’impédance caractéristique Z c de l’onde, alors le coefficient de

réflexion s 11 est nul. La matrice [s] s’exprime en fonction de la
matrice d’admittance [Y] et inversement :

−1
[ s ] = ([ I] + Z c [Y ]) ([ I] − Z c [Y ])
1 (5)
[Y ] = ([ I] − [ s ]) ([ I] + [ s ])−1 a balancé
Zc

■ Quelques définitions
• Fonction de transfert : on appelle fonction de transfert ou de
transmission le terme s 21 de la matrice de diffraction [s], (figure 2).
• Fonction de réflexion : ce sont les termes s 11 et s 22.
• Spécification d’un filtre : la caractérisation d’un filtre
s’exprime à partir de ses paramètres s, et plus particulièrement de b non balancé
la fonction de transmission s 21. Les valeurs sont données en déci-
bels. Figure 3 – Schémas classiques d’adaptation d’impédance
d’un filtre SAW – balancé/non balancé
• Impédances : on ne spécifie pas directement les impédances
d’un filtre puisque celles-ci varient avec la fréquence. On indique
par contre sur quelles impédances caractéristiques d’entrée et de • Pertes à la réflexion RL (Return Loss ) : il est souvent spécifié
sortie sont exprimés les paramètres s. En mode non différentiel, que le filtre doit avoir un coefficient de réflexion faible dans sa
cette impédance est en général de 50 Ω. En différentiel, elle vaut bande passante, autrement dit des pertes à la réflexion élevées
souvent 100, 150 ou 200 Ω. (typiquement 12 à 15 dB).
• Fréquence centrale f c : elle est définie comme la fréquence • Circuits d’accord-adaptation : un filtre doit souvent être
médiane entre deux fréquences à niveau de transmission donné accordé et adapté de manière à minimiser les pertes d’insertion et
(– 1 dB, – 3 dB). à maximiser les pertes en réflexion dans la bande passante. Cela
se fait par l’adjonction d’éléments passifs (inductances, capacités,
• Pertes d’insertion IL (Insertion Loss ) : niveau maximal de résistances). La spécification du filtre s’entend avec son circuit
transmission, ou pertes de transmission minimales. d’accord. La topologie des circuits d’accord fait souvent partie de
• Bande passante B w: c’est la distance entre les deux fréquen- la spécification (figure 3).
ces à niveau de transmission donné (– 1 dB ou – 3 dB relativement ■ Selon les appliw tions,c ifiw tion
ert ins points de l spéc
aux pertes minimales). prennent plus ou moins d’import nc
e.
• Bande(s) de transition B t : c’est la distance entre deux fré- • Pertes d’insertion : pour un filtre radiofréquence (RF), notam-
quences à deux niveaux de transmission donnés d’un même côté ment s’il est situé au plus proche de l’antenne, la perte d’insertion
de la bande passante (par exemple entre – 40 dB et – 3 dB). devra être très faible (1 à 2 dB suivant les systèmes). Le rapport
• Niveau de réjection R : exprimé en général en relatif par rap- signal à bruit du système en dépend directement. Par contre, pour
port aux pertes minimales, dans une bande de fréquence hors un filtre de fréquence intermédiaire (FI), la perte d’insertion pourra
bande passante. être plus élevée. Pendant longtemps, on a utilisé des filtres présen-
tant des pertes d’insertion de 20 à 30 dB. La tendance actuelle est
• Gabarit : l’ensemble des spécifications de bande passante et toutefois de réduire notablement ces pertes (6 à 12 dB), ce qui per-
de réjection minimale dans plusieurs bandes de fréquence forment met une économie sur les étages d’amplification, et donc sur la
le gabarit que la fonction de transmission doit respecter. consommation électrique.
• Variations dans la bande (amplitude, phase, temps de propa- • Bande de transition : les filtres FI ont pour fonction de sélec-
gation, temps de groupe) : la spécification inclut les variations tionner les canaux de transmission (un canal dans certains systè-
maximales d’amplitude et de phase dans la bande. mes comme le GSM ou un ensemble de canaux dans d’autres

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systèmes comme le CDMA ou Code Division Multiple Access ). Les Le couplage capacitif est le plus utilisé dans les résonateurs
filtres FI ont donc besoin d’une grande sélectivité et par micro-usinés collectivement (ou MEMS pour Micro-Electro-
conséquent d’une bande de transition étroite. Au contraire, les Mechanical-Systems ). Il est non linéaire par nature mais un com-
filtres RF ont besoin d’une sélectivité plus limitée. Il suffit par portement quasi linéaire peut être obtenu pour des petits signaux
exemple de discriminer émission-réception, ou encore de rejeter grâce à l’application simultanée d’un champ électrique continu.
les bandes d’autres systèmes à fréquence proche.
Le couplage électromagnétique, de même que l’effet piézo-
■ Évolutions et tendances magnétique ou la magnétostriction sont peu utilisés en raison de la
difficulté pratique de générer des champs magnétiques dans des
• À cause de l’encombrement des bandes d’émission radio- encombrements réduits et des pertes joules dans les bobines aux
fréquence, les spécifications deviennent de plus en plus sévères en petites dimensions.
termes de bandes rejetées. Là où l’on se contentait jadis de 35 dB L’électrostriction, non linéaire à la base, est peu utilisée. L’effet
de réjection, on en demande plutôt 50 dB voire 60 dB actuelle- est très faible dans la plupart des matériaux. De même que pour
ment. Cela est vrai pour les filtres FI comme pour les filtres RF. les dispositifs électrostatiques, un comportement quasi linéaire
• La demande de sélectivité des filtres augmente également, en peut être obtenu par l’application d’un champ électrique continu.
RF et en FI. De même, les pertes d’insertion des filtres FI, qui L’effet piézoélectrique est de loin le plus utilisé (sauf dans les
étaient jugées acceptables à 20-30 dB sont désormais demandées MEMS) en raison de la simplicité de créer un champ électrique.


à 6-10 dB. C’est le principe de base des filtres à ondes de volume (BAW pour
Bulk Acoustic Wave ), de surface (SAW pour Surface Acoustic
• Pour les filtres RF, la demande évolue aussi vers des pertes
Wave ) et à ondes de volume sur films minces (FBAR pour Film
d’insertion très faibles, plutôt 1 dB voire 0,5 dB, que 1 à 2 dB actuel-
Bulk Acoustic Resonator ). Il repose sur la propriété de certains
lement. La puissance à l’émission y est directement reliée, et donc
matériaux de se déformer sous l’effet d’un champ électrique, et ce,
aussi la consommation du mobile. Il en va de même à la réception,
proportionnellement au champ électrique (effet linéaire).
où les pertes jouent directement sur le rapport signal à bruit. Dans le
même temps, les bandes de transition demandées sont de plus en ■ Coefficient de couplage
plus étroites et les réjections hors bande de plus en plus élevées.
Tous les phénomènes de conversion d’énergie électrique en
• Pour les standards de type CDMA, où plusieurs canaux énergie acoustique peuvent être caractérisés par un coefficient de
d’abonnés sont traités dans le même canal radio, la bande pas- couplage. Ce coefficient est une mesure de la capacité du système
sante du filtre FI peut être très large. L’utilisation de systèmes à (ou du matériau) à faire passer une partie de l’énergie électrique
haut débit (« Wimax ») va dans le même sens. en énergie acoustique et inversement.
• Dans le même temps, il existe encore des demandes pour des Dans le cas du couplage capacitif, de la magnétostriction ou de
filtres de canaux GSM (FI) à bande très étroite (200 kHz). l’électrostriction, le coefficient de couplage dépend du champ stati-
que appliqué.
Dans le cas d’un matériau piézoélectrique, le coefficient de cou-
plage dépend du matériau, de la coupe cristalline, et du type
2. Points communs d’onde propagée. Bon nombre de matériaux utilisés pour les
composants SAW et BAW sont en fait des matériaux ferroélectri-
et différences entre filtres ques polarisés (tantalate et niobate de lithium).

électroacoustiques Tableau des sigles


■ Différence fondamentale Sigle Définition
avec les filtres électromagnétiques
Le point commun à tous les filtres électroacoustiques est qu’ils BAW Bulk Acoustic Wave
utilisent la conversion d’énergie électrique en énergie acoustique
et vice versa. L’intérêt de ce passage dans le domaine acoustique CDMA Code Division Multiple Access
est que la propagation des ondes acoustiques se fait avec une
vitesse beaucoup plus faible que celle des ondes électromagnéti- DART Distributed Acoustic Reflection Transducer
ques. Selon les matériaux et les coupes cristallines, la vitesse
DMS Double Mode SAW
acoustique se situe entre 2 000 et 10 000 m/s, au lieu de
300 000 km/s pour les ondes électromagnétiques. Les dimensions FBAR Film Bulk Acoustic Resonator
d’un composant étant proportionnelles à la longueur d’onde, il en
résulte qu’à une fréquence donnée un filtre acoustique sera beau- IEF Impedance Element Filter
coup plus petit qu’un filtre électromagnétique. Au-delà de quel-
ques gigahertz, cela devient au contraire un inconvénient. LCRF Longitudinaly Coupled Resonator Filter

■ Transduction, effet piézoélectrique PSAW Pseudo-SAW


La transformation de l’énergie électrique en énergie acoustique RSPUDT Resonant Single-Phase UniDirectional Transducer
s’appelle la « transduction ». Plusieurs principes permettent cette
transformation : SAW Surface Acoustic Wave
– le couplage capacitif (principe du condensateur vibrant) ;
SPUDT Single-Phase UniDirectional Transducer
– le couplage électromagnétique (principe du haut-parleur à
bobine) ; SSBW Surface Skimming Bulk Wave
– l’électrostriction ;
– l’effet piézoélectrique ; TCRF Transversaly Coupled Resonator Filter
– l’effet piézomagnétique ;
WGCR Wave-Guide Coupled Resonator
– la magnétostriction.

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3. Filtres à ondes de surface


(SAW)
+ –

3.1 Bref historique des dispositifs


à ondes de surface Substrat
piézoélectrique
L’histoire des dispositifs à ondes de surface débute en 1965 avec
l’invention du peigne interdigité sur quartz par White et
Figure 4 – Génération d’ondes acoustiques par des électrodes
Voltmer [1]. L’étude des ondes de surface, datant elle de 1885, est en surface
due à Lord Rayleigh [2] qui s’intéressait aux tremblements de
terre.
Les premières applications des dispositifs SAW ont été réser- « lancées » dans toutes les directions de l’espace. De plus, comme
vées aux domaines militaire et professionnel. Les produits étaient dans tout matériau élastique, il y a, pour chaque direction, trois
des lignes à retard, lignes à retard dispersives pour applications « ondes de volume ». La plus rapide est l’onde à polarisation longi-
radar, convoluteurs... Les premières applications grand public ont tudinale (ou quasilongitudinale), les deux autres sont des ondes de
été les filtres de bande pour téléviseurs et pour appareils radio-
phoniques captant les émissions en modulation de fréquence
(FM – 1976 Murata). Ils sont toujours en usage aujourd’hui, bien
cisaillement (ou quasicisaillement). Dans le cas général, ces ondes
possèdent toutes trois composantes de déplacement (selon les
trois directions de l’espace).

que mis en service pour la première fois au début des années
1970. Si les électrodes sont courtes (dans le sens perpendiculaire à la
figure 4), les ondes de volume générées sont sphériques, d’ampli-
Le domaine des filtres SAW a littéralement explosé avec le déve- tude décroissante en 1/r.
loppement de la téléphonie mobile dans les années 1990. Les fil-
tres SAW ont d’abord été utilisés pour le filtrage aux fréquences Si les électrodes sont très longues, on est alors pratiquement
intermédiaires (FI) des standards GSM, puis CDMA. Les filtres dans une géométrie bidimensionnelle et les ondes de volume,
radiofréquences (RF) ont été développés un peu plus tard (fin des alors cylindriques, présentent une décroissance en 1/ r .
années 1990) grâce aux progrès de la photolithographie qui ont
permis d’atteindre les fréquences de 1 puis 2 GHz. ■ Onde de Rayleigh
Aujourd’hui, les filtres FI ont presque disparu des téléphones En plus des ondes de volume, il existe une onde, dite onde de
GSM et auront bientôt disparu des téléphones CDMA, remplacés Rayleigh, capable de se propager le long de la surface. Elle se pro-
par le filtrage numérique, bien que ce remplacement ne soit pas page sans atténuation dans une géométrie bidimensionnelle (pour
toujours aussi efficace qu’escompté. En effet, certains un matériau idéal sans pertes). À partir d’une certaine distance,
constructeurs maintiennent ce type de composant pour des rai- dite distance de Fresnel, elle décroît en 1/ r dans le plan de la
sons de qualité opérationnelle (il est insensible aux effets de surface. La vitesse de propagation de l’onde de Rayleigh (typique-
recouvrement spectral présents dans les méthodes de filtrage ment 3 000 m/s) est légèrement inférieure à la vitesse de l’onde de
numériques). Le développement de filtres FI très compacts pour- volume de cisaillement lente. C’est donc l’onde la plus lente de
rait relancer l’activité. Les filtres SAW restent aujourd’hui incon- toutes celles qui peuvent se propager dans une direction donnée.
tournables dans les étages RF des téléphones, où le filtrage C’est d’ailleurs pour cela qu’elle se propage sans pertes. Dans la
numérique n’est pas (encore) possible. Dans ce domaine des filtres réalité, tous les matériaux présentent des pertes intrinsèques et
RF, les SAW ont cependant cédé une part du marché aux filtres à même l’onde de Rayleigh possède une atténuation, très faible.
films minces piézoélectriques (FBAR), notamment pour les Cette atténuation est souvent masquée par d’autres phénomènes
duplexeurs opérant vers 2 GHz, pour lesquels ces derniers présen- de pertes (pertes ohmiques, pertes par diffraction, pertes par
tent une meilleure tenue en puissance. rayonnement dans l’air...).
Dans le domaine des infrastructures de téléphonie mobile (les
stations de base), les filtres SAW occupent toujours une bonne ■ Ondes rampantes (SSBW)
place dans les étages FI, même si une tendance existe au filtrage Parmi toutes les directions possibles des ondes de volume, la
numérique. Dans les étages RF de second niveau, on note égale- direction parallèle à la surface existe aussi. On appelle les trois
ment une tendance à vouloir remplacer les filtres « céramiques », ondes de volume émises dans cette direction des ondes rampan-
encombrants, par des filtres SAW plus compacts. Pour les étages tes (SSBW : « Surface Skimming Bulk Wave »). À la différence de
de puissance, les filtres SAW, comme les FBAR, n’ont pas la capa- l’onde de Rayleigh, ces ondes ont une amplitude qui décroît en
cité de tenue en puissance nécessaire.
1/ r dans le cas bidimensionnel.
Si l’on observe le champ acoustique à la surface, suffisamment
3.2 Principes de fonctionnement loin de la source, les ondes rampantes auront été atténuées du fait
des filtres SAW de leur décroissance en 1/ r et il ne subsistera que l’onde de
Rayleigh.
■ Génération des ondes acoustiques – ondes
de volume – onde de Rayleigh ■ Pseudo-ondes de surface (PSAW)
Les ondes acoustiques sont générées par effet piézoélectrique Dans certaines conditions particulières, que l’on explicitera plus
grâce à l’application d’un champ électrique alternatif. Le champ loin, il peut exister des ondes qui se comportent comme une vraie
électrique est appliqué depuis la surface à l’aide d’électrodes dépo- onde de surface, c’est-à-dire sans décroissance en 1/ r , à cela
sées de polarités opposées induisant une distribution de potentiel près qu’elles présentent des pertes de propagation, non pas liées
électrique dans le matériau (figure 4). aux pertes intrinsèques au matériau, mais dues à un rayonnement
Le champ électrique alternatif qui s’établit dans le matériau partiel dans le volume. Pour cela, on les appelle aussi ondes à fuite
piézoélectrique entre les deux électrodes s’accompagne d’une ou « leaky », ou encore PSAW (pour « pseudo-SAW »). Elles peu-
déformation mécanique, alternative elle aussi, qui agit comme une vent présenter une atténuation si faible qu’elles peuvent être effec-
source d’ondes acoustiques. A priori, des ondes acoustiques sont tivement utilisées pour réaliser des dispositifs SAW à l’instar d’une

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vraie onde de Rayleigh. Elles présentent une vitesse de propaga- compenser la dérive thermique sur certaines orientations de tanta-
tion plus élevée (typiquement 4 000 m/s) que l’onde de Rayleigh et late de lithium pour des configurations géométriques assez
bénéficient également d’un coefficient de couplage plus élevé. précises [34].
Pour ces raisons, elles sont très utilisées pour réaliser de filtres RF On caractérise un matériau (pour une coupe et une direction de
(radio-fréquence). propagation données et pour un type d’onde) par les coefficients
de variation en température d’une fréquence de résonance ou, ce
qui revient au même, d’un temps de propagation τ :
3.3 Substrats piézoélectriques
Les substrats piézoélectriques utilisés pour les ondes de surface δτ
= α1(T − Tref ) + α 2 (T − Tref )2 (6
)
sont des monocristaux, seule manière d’obtenir des pertes de pro- τ
pagation suffisamment faibles. Toute l’industrie des SAW utilise,
pour les applications en volume, des tranches (on dit aussi où T ref représente la température de référence (généralement
« galettes », wafers en anglais) de diamètre 100 mm (4 pouces) ou 25 oC) à laquelle sont définies les constantes physiques du maté-
éventuellement 75 mm (3 pouces). Pour certaines applications mili- riau nécessaires au calcul des coefficients de température de la fré-
taires ou spatiales, on utilise encore parfois des substrats de for- quence (CTF) des premier et deuxième ordres, soit respectivement
mes et dimensions plus exotiques. α 1 et α 2.
La possibilité de disposer de tranches de 100 mm restreint nota- Pour les matériaux tels que le niobate ou le tantalate de lithium,

S blement le choix des matériaux. Certains matériaux extrêmement la valeur de α 1 est suffisamment élevée dans la gamme de tempé-
intéressants, comme le GaPO4 [32] par exemple, ne sont pas utili- rature de travail (centrée en T ref) pour masquer les effets quadrati-
sés industriellement faute de disponibilité de galettes de 100 mm. ques devenant de facto négligeables. Pour certaines coupes de
Cela a longtemps été le cas pour d’autres matériaux comme la lan- quartz, langasite ou GaPO4 , au contraire, α 1 est proche de 0 au
gasite, jusqu’à ce que les cristallographes mettent au point des voisinage de T ref qui s’identifie alors à la température d’inversion
techniques de croissance permettant la production en série de T inv (turn over en anglais) de la loi fréquence-température. Dans
galettes 100 mm. tous les cas, la connaissance des deux coefficients définis ci-des-
sus permet le calcul de cette température d’inversion obtenue en
Les matériaux utilisés en grand volume dans l’industrie sont : le annulant la dérivée de l’équation (6) et définie telle que :
quartz, le tantalate de lithium, et le niobate de lithium. La langa-
site (La3Ga5SiO14) commence à être utilisée. Le tétraborate de α1
lithium (Li2B4O7) est utilisé par quelques fabricants mais nécessite Tinv = Tref − (7
)
des moyens technologiques particuliers (matériau soluble). 2 α2
Les caractéristiques essentielles qui président au choix d’un La température d’inversion, pour un matériau quadratique,
matériau (ou plus exactement d’un matériau, d’une coupe, d’une dépend des deux angles de coupe, de l’angle de propagation et,
direction de propagation et d’un type d’onde précis) plutôt qu’un dans une moindre mesure, du point de fonctionnement (épaisseur
autre sont (principalement) : de métallisation relative à la longueur d’onde et taux de métallisa-
– les coefficients de variation avec la température ; tion a/p ).
– le coefficient de couplage ; Il est à noter que la variation du temps de propagation τ résulte
– le coefficient de réflexion par électrode ; des variations de la vitesse de propagation δv et de la variation de
– la vitesse de phase ; la distance δ| par effet de dilatation thermique. Il vient aussi :
– la directivité ;
– l’angle de flux d’énergie ;
| δτ δ| δv
– le coefficient de diffraction ; τ= → = − (8)
– la propension à rayonner des ondes de volume ; v τ | v
– la constante diélectrique équivalente.
Les matériaux compensés en température sont tels que la varia-
Toutes ces caractéristiques dépendent non seulement du maté- tion de vitesse compense la dilatation thermique, de telle sorte
riau, de la coupe cristalline, de la direction de propagation et du qu’au premier ordre, le temps de propagation reste constant [35].
type d’onde, mais aussi, dans une moindre mesure, du point de La conduite rigoureuse d’une telle analyse fait cependant interve-
fonctionnement (c’est-à-dire le couple épaisseur de métallisation nir des notions avancées de transformation géométrique et d’élas-
h – rapport de métallisation a/p ). ticité non linéaire [36] dépassant le propos du présent article.
De plus, ce choix dépend des caractéristiques du filtre à réaliser, Idéalement, on souhaiterait disposer de matériaux/coupes/ondes
notamment de la bande passante (qui conditionne le choix du compensés en température quelles que soient les autres caracté-
couplage) et de la bande de transition (qui conditionne la tolérance ristiques de la propagation.
sur les effets de température). Il n’y a pas de matériau idéal dans ■ Coefficient de couplage
l’absolu, mais on pourrait définir un matériau idéal pour une spéci-
fication de filtre donnée. En général, ce matériau n’existe pas et Comme déjà vu plus haut, le coefficient de couplage est une
des compromis doivent être faits. mesure de l’aptitude du matériau à convertir l’énergie électrique
en énergie acoustique et inversement. Dans le domaine des ondes
Avant de dresser une liste des matériaux SAW et de leurs pro- de surface, une estimation réaliste de ce coefficient de couplage
priétés on va définir ci-après quelques notions utiles : dénommé k 2 est donnée par :
■ Coefficients de température
Dans la gamme de température habituelle (– 40o, + 85 oC), les dis- v 02 − v m
2
k2 = (9)
positifs SAW réalisés sur la plupart des matériaux (tantalate de v 02
lithium, niobate de lithium) présentent des dérives linéaires de leur
fréquence de synchronisme avec la température. Sur quartz, langa- où v 0 est la vitesse de l’onde en surface libre et v m la vitesse de
site, GaPO4 et quelques autres, ces mêmes dispositifs présentent l’onde en surface métallisée (à épaisseur de métal nulle). Pour des
une loi fréquence-température quadratique. Les coupes à variation couplages faibles, v 0 et v m sont très proches et l’on peut
quadratique sont dites « compensées des effets de température ». considérer :
il existe même des coupes à variation cubique, sous certaines (v 0 − v m)
conditions de réalisation bien particulières [33]. Enfin, l’utilisation k2 ≈ 2 (10
)
idoine de couches de passivation telles que la silice permet de v0

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Tableau 1 – Propriétés physiques des ondes de surface sur matériaux usuels


de l’industrie des SAW
pour h/ λ (aluminium) =2 % et a/p = 0,5 (1)

Coupe Réflexion
Vitesse Couplage CTF 1er ordre (2)
(Y
Xw |t ) $ / o /  Type d’onde par électrode %r
Substrat
(o ) (m · s-1) (%) (%) (ppm/K)

0 / 34 / 0 3 133,58 0,116 1,21 4,51

0 / 36 / 0 Rayleigh 3 137,54 0,118 1,22 4,51 0 (– 35 ppb/K2)


Quartz
0 / 42,75 / 0 3 143,95 0,119 1,14 4,52


0 / 36 / 90 STW 5 053,78 0,216 1,36 4,56 0 (– 55 ppb/K2)

– 90 / 0 / 112 Rayleigh 3 284,60 0,766 1,25 47,39 – 18

LiTaO3 0 / 36 / 0 4 136,89 6,40 3,98 49,26


PSAW – 35
0 / 42 / 0 4 140,90 6,06 3,80 48,83

0 / 0 / 90 3 421,61 4,43 1,96 44,98 – 94


Rayleigh
0 / 128 / 0 3 878,37 5,70 0,8 54,70 – 74
LiNbO3
0 / 64 / 0 4 523,90 11,54 6,77 50,93 – 72
PSAW
0 / 41 / 0 4 472,87 19,08 10,0 60,94 – 52

Langasite 0 / 48,5 / 26,6 Rayleigh 2 735,82 0,23 1,04 27,97 0 (– 60 ppb/K2)

Li2B4O7 0 / 45 / 90 Rayleigh 3 401,0 1,0 7,0 9,6 0 (– 270 ppb/K2)

(1) Les ondes PSAW sur tantalate 42 sont en fait utilisées à des épaisseurs d’aluminium plus importantes (7 à 8 %) correspondant à des points de fonctionne-
ment à pertes de propagation minimales. De plus, le coefficient de couplage y est plus élevé (8 %) et, bien entendu, le coefficient de réflexion aussi. La même
situation existe pour la plupart des coupes PSAW (niobate 64o et 41o par exemple).
(2) Coefficient de degré 1 de la variation de la fréquence en fonction de la température.

■ Propriétés comparées de quelques substrats usuels homothétiques à des fréquences différentes, d’où la forme en
On compare dans le tableau 1 les propriétés de quelques maté- éventail. Dans sa version de base, le fanshaped n’utilise pas de
riaux couramment utilisés dans l’industrie des composants à réflexions internes et reste donc dans la catégorie FRIF. Les pertes
ondes de surface. La comparaison est ici faite pour un point de sont là encore de l’ordre de 20 dB.
fonctionnement commun (épaisseur relative des électrodes en alu- • Une autre famille dérivée des filtres classiques est constituée
minium h/λ = 2 % et a/p = 0,5). Ce point de fonctionnement est par les DART (§ 3.7) ([11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20]
optimal pour certains couples matériau/onde mais pas du tout [21]). Par rapport aux filtres classiques, on y a introduit des
pour d’autres. réflexions internes dans les transducteurs de manière à réduire les
pertes. On les appelle parfois filtres « faibles pertes », en
comparaison avec les filtres classiques. Les réflecteurs sont distri-
3.4 Différents types de filtres SAW bués dans les transducteurs d’où le nom Distributed Acoustic
Reflection Transducer (DART). Lorsque le niveau de réflexion reste
■ Il existe une immense variété de structures possibles pour réali- limité, et donc les pertes encore élevées (12 à 15 dB), on peut assi-
ser un filtre SAW. On peut toutefois les classer en quelques gran- miler les DART à des FRIF. Avec des niveaux de réflexion internes,
des familles et sous-familles. plus élevés on peut réduire les pertes en dessous de 6 dB. Les fil-
• La première famille est constituée par les filtres dits tres relèvent alors plutôt de la catégorie des filtres à réponse
« classiques » (§ 3.5) [3] [4]. Ils comportent deux transducteurs. Ils impulsionnelle infinie (FRII ou IIRF en anglais).
appartiennent à la catégorie des filtres à réponse impulsionnelle Les fanshaped intègrent en général des transducteurs de type
finie (FRIF ou FIRF en anglais). La bande passante y est construite DART pour réduire les pertes. Les pertes peuvent alors être rédui-
grâce à une pondération des sources. Il n’y a aucune réflexion tes à 10-15 dB voire moins (6 dB à l’état de l’art).
interne dans les transducteurs. Pour diverses raisons, leurs pertes
d’insertion sont fortes (20 dB). • Viennent ensuite tous les filtres très faibles pertes, utilisant
des réflexions « totales ». Ils sont constitués de résonateurs SAW
• Une famille dérivée des filtres classiques est constituée par les couplés entre eux par divers mécanismes, acoustiques ou électri-
« fanshaped »(§ 3.6) ([5] [6] [7] [8] [9] [10]), filtres en éventail où la ques (§ 3.8). Ils sont de la catégorie FRII (réponse impulsionnelle
bande passante est réalisée par la mise en parallèle de canaux infinie).

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Composants acoustiques utilisés pour le filtrage

Modèles et outils de simulation

par Sylvain BALLANDRAS


Directeur de recherche CNRS
Docteur en Sciences pour l’Ingénieur, HDR
et William STEICHEN
Responsable Recherche et développement filtres SAW, TEMEX
Ingénieur physicien

1. Principe de l’analyse théorique et stratégie de conception ....... E 2 001 - 2



2. Équations de base ................................................................................... — 3
2.1 Résolution des équations de propagation ................................................ — 4
2.2 Cas des interfaces planes ........................................................................... — 5
2.3 Permittivité effective ................................................................................... — 6
2.4 Fonction de Green....................................................................................... — 7
2.5 Fonction de Green étendue au cas de plaques ........................................ — 7
2.6 Cascades de matrices pour la simulation de systèmes complexes........ — 8
3. Propagation d’ondes sous réseau périodique d’électrodes ........ — 9
3.1 Fonction de Green périodique et excitation harmonique........................ — 9
3.2 Méthode de moment et éléments finis ..................................................... — 10
3.3 Formulation mixte éléments finis/éléments de frontière ........................ — 12
3.4 Détermination des caractéristiques des ondes guidées .......................... — 13
4. Modélisation des dispositifs à ondes de surface ........................... — 16
4.1 Méthode de la matrice mixte ..................................................................... — 17
4.2 Modèle complet de transducteur à ondes de surface.............................. — 19
5. Modèles de dispositifs à ondes de volume sur films minces ..... — 21
5.1 Modèle de Mason ....................................................................................... — 21
5.2 Utilisation de la fonction de Green : calcul de l’admittance d’un réso-
nateur à ondes de volume.......................................................................... — 22
5.3 Utilisation des fonctions de Green de plaque .......................................... — 24
5.4 Modèles d’éléments finis ........................................................................... — 25
6. Simulation des sensibilités paramétriques...................................... — 29
6.1 Modèles à base de constantes effectives.................................................. — 29
6.2 Méthode de perturbation à base d’équations variationnelles ................ — 29
7. Conclusion................................................................................................. — 31
Pour en savoir plus .......................................................................................... Doc. E 2 001

a modélisation des composants à ondes élastiques a fait l’objet de nom-


L breux travaux depuis la mise au point des premiers dispositifs à ondes de
volume jusqu’aux structures les plus complexes développées actuellement et
combinant par exemple miroirs de Bragg et autres guides multicouches.
Une des caractéristiques singulières de la modélisation des dispositifs à
ondes élastiques guidées réside dans l’extraordinaire accord simulation-
mesure qu’il est possible d’obtenir. Cela est particulièrement vrai pour les dis-
positifs à ondes de surface. Quelques chiffres permettent d’illustrer ce propos :
– la précision de calcul des fréquences de résonance : quelques ppm ;
– la précision de prévision des pertes d’insertion : 0,1 dB ;
– la précision de prévision des niveaux rejetés d’un filtre (1 dB pour des
p。イオエゥッョ@Z@ョッカ・ュ「イ・@RPQP

niveaux de 40 dB).

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COMPOSANTS ACOUSTIQUES UTILISÉS POUR LE FILTRAGE _________________________________________________________________________________

On pourrait ajouter bien d’autres points d’accord simulation-mesure, comme


la prévision de la position en fréquence et du niveau des modes parasites,
pour les modes de volume comme de surface, ainsi que la sensibilité de la fré-
quence aux variations thermiques quasi-statiques.
Rares sont les domaines de la physique où l’accord simulation-mesure atteint
ce niveau.
Deux raisons essentielles rendent cet accord possible :
– la première tient au fait que les substrats utilisés dans l’industrie des filtres
passifs piézoélectriques (quartz, niobate de lithium, tantalate de lithium) sont des
monocristaux et que, de ce fait, ils présentent une stabilité remarquable de leurs
propriétés physiques. Les couches métalliques (aluminium le plus souvent, mais
aussi molybdène, platine, or, tungstène ou chrome) qui forment les électrodes
(surfaces pleines en regard, peignes interdigités) sont également caractérisées de
façon précise, bien que sujettes à plus de variabilité que les substrats eux-mêmes


du fait de leur mode d’élaboration (dépôts par voies chimiques ou physiques) ;
– la seconde réside dans la définition presque parfaite de la géométrie des dis-
positifs puisque réalisés grâce aux technologies de la microélectronique. Des
procédés de lithographie (par ombres portées) sur des plaques de grandes dimen-
sions (tranches de 4 pouces de diamètre minimum) sont utilisés pour définir les
motifs planaires de métallisation. Les photorépéteurs utilisés à cette fin présentent
des résolutions largement submicroniques (le standard industriel du domaine est
typiquement de 0,3 µm) pour des longueurs d’ondes acoustiques comprises entre
50 et 1 µm. Par ailleurs, les machines de dépôts (évaporation, pulvérisation catho-
dique, dépôts en phase vapeur) permettent une maîtrise de l’épaisseur des
couches au pour-cent de la valeur nominale. Les géométries des films résultants
sont par conséquent définies avec grande précision (voir [E2000]).
Cette particularité permet un niveau de prévision théorique remarquable,
compatible avec une exploitation industrielle en grands volumes. En effet, à
l’instar de la microélectronique, il n’est pas besoin de réaliser de nombreux proto-
types pour s’assurer de l’efficacité ou de la pertinence d’une conception théorique.
Il faut en contrepartie développer une base assez complète d’outils de simulation
pour pouvoir effectivement s’affranchir de cette contrainte de prototypage et satis-
faire aux critères de précision requis par les utilisateurs de filtres passifs et autres
composants acoustoélectroniques. Nous tenterons ici de montrer une démarche
en ce sens permettant d’accéder à des niveaux croissants de description des prin-
cipes. Une fois posées les briques de base communes à la grande majorité des
modèles de dispositifs acoustoélectriques, nous étudierons spécifiquement les cas
des ondes de surface et des modes de v o lume, selon cet ordre, en développant
notre description selon un schéma croissant de complexité.

1. Principe de l’analyse modèles unidimensionnels appelés « matrice mixte » ou de leur


équivalent, appelé « COM » (pour Coupling Of Modes). C’est le cas
théorique et stratégie aussi des modèles de prise en compte des modes transverses, de
la diffraction… Ces approches conduisent néanmoins à des résul-
de conception tats étonnamment proches de la réalité pour peu qu’on y intro-
duise quelques perfectionnements.
D’autres modèles, dits « exacts », utilisent des développements
Les modèles physico-mathématiques (et les outils logiciels qui mathématiques très sophistiqués, ainsi que des techniques numé-
en découlent) utilisés pour la simulation des composants à ondes riques très élaborées. Pour les simulations les plus exigeantes
de surface sont, pour certains, très sophistiqués. Ils sont fondés (prise en compte de tous les phénomènes), on utilise des métho-
sur la théorie de l’élasticité linéaire, compliquée par l’anisotropie des de types « éléments finis » et « éléments de frontières » (fon-
des matériaux, la piézoélectricité et l’inhomogénéité des milieux dées sur des formulations intégrales et des fonctions de Green).
d’excitation et de propagation des ondes. Ces modèles sont de On peut simuler alors des composants à ondes de surface ou de
deux types, soit « heuristiques », soit « exacts ». volume en se rapprochant au mieux de leurs natures et conditions
Les modèles heuristiques sont fondés sur des représentations de fonctionnement réelles.
phénoménologiques dont les fondements physiques ne sont pas La combinaison de méthodes de simulation élaborées et de la
totalement rigoureux, bien que généralement respectueux des connaissance précise des matériaux et de la géométrie des trans-
principes de base (conservations de la charge électrique, de l’éner- ducteurs conduit à des accords simulation-mesure très rarement
gie, de la causalité, de la réciprocité de Lorentz). C’est le cas des rencontrés dans d’autres domaines industriels.

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__________________________________________________________________________________ COMPOSANTS ACOUSTIQUES UTILISÉS POUR LE FILTRAGE

Matrice mixte ou COM FEM/BEM complet

Géométrie du transducteur
Géométrie des
électrodes

Mesures de FEM/BEM
dispositifs périodique
de test

Paramètres
acoustiques Simulateur EM
des ondes


Simulateur
Matrice mixte FEM/BEM
complet

Simulateur
de circuits

Fonction de transfert

Figure 1 – Démarche type de conception et analyse de composants acoustoélectriques

En pratique, la conception des filtres à ondes de surface fait inter-


venir les modèles heuristiques dans la phase de synthèse puis les x3
modèles élaborés (outils « éléments finis – méthodes intégrales » VIDE
complets pour ceux qui en disposent) dans une étape d’analyse.
Mais les modèles « éléments finis – méthodes intégrales » (périodi- eN
ques dans ce cas) servent aussi à construire les bases de données Couche N x1
des modèles heuristiques. Ces modèles sont développés par les eN – 1
Couche N – 1
équipes spécialisées des industriels du secteur et par certains labo- eN – 2
ratoires de recherche. Il n’existe pas de logiciels commerciaux dans e2
ce domaine, car de tels outils intègrent de hauts niveaux de savoir- Couche 2
faire, stratégiques et donc non partageables par essence. e1
Il faut signaler aussi qu’il est nécessaire d’ajouter à ces simula- Substrat ou première
teurs électroacoustiques un simulateur électromagnétique qui per- couche finale
met de prévoir le comportement électromagnétique du filtre dans
0
son boîtier. Ces simulateurs existent en tant qu’outils commer-
VIDE
ciaux à divers niveaux d’analyse (analyses linéaire, non linéaires, x2
spectrales, résolues en temps, avec circuits actifs, etc.)
La démarche est résumée dans le graphique de la figure 1. Figure 2 – Définition des axes et de la géométrie type
des composants considérés
Nous proposons donc dans les paragraphes qui suivent une revue
des outils de simulation des composants acoustoélectriques néces-
saires et suffisants (au moins dans une certaine mesure) à l’étape coordonnées classiquement employé dans les modèles d’ondes de
cruciale de conception des résonateurs, lignes à retard et filtres, qui surface : l’axe x 2 est orienté vers le bas pour ne pas avoir à traiter
en l’occurrence conditionne la viabilité industrielle de cette activité. des coordonnées négatives lorsque l’on considère le substrat.
Tout d’abord, nous introduisons les équations de base de l’élasticité Puisque nous nous intéressons à la propagation d’ondes planes
et de la piézoélectricité dans le but de décrire les effets de propagation monochromatiques, nous supposons que tous les champs possè-
acoustique dans les milieux généralement utilisés pour la fabrication dent une dépendance harmonique spectrale en exp(jω (t − sᐍxᐍ)),
de guides d’ondes et de dispositifs à ondes élastiques guidées. Dans avec sᐍ la lenteur de phase suivant l’axe correspondant et ω la pul-
un objectif de concision, nous ne revenons pas sur l’établissement de sation, de sorte que ω sᐍ représente le vecteur d’onde suivant xᐍ.
ces équations, le lecteur intéressé par ce sujet en trouvera des élé- Nous écrivons le tenseur des contraintes mécaniques Tij et le vec-
ments pertinents dans les références (voir par exemple [1] [2]). teur déplacement électrique Di comme suit :

2. Équations de base (1)

Nous considérons ici un empilement générique de couches infi-


niment étendues dans les directions x 1 et x 3. On utilise les conven- Par choix des variables thermodynamiques indépendantes u et φ
tions d’axes définies sur la figure 2. C’est le système de [1], nous utilisons les constantes élastiques à champ électrique

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constant , les constantes piézoélectriques ekij et les coefficients De plus, nous noterons [ρ] le produit de la masse volumique par
la matrice diagonale singulière de (4). Les relations (1) et (2) s’écri-
diélectriques à déformation constante . vent alors sous forme matricielle de façon suivante :

Les déplacements mécaniques sont notés uk et le potentiel élec-


trique φ, ces grandeurs étant définies pour tout ce qui suit dans le
domaine spectral (par rapport au temps et à l’espace). Rappelons
bien entendu que, compte tenu de l’écart entre vitesses de phase
des ondes électromagnétiques et élastiques, nous nous plaçons (6)
dans le cas de l’approximation électrostatique pour la description
du champ électrique associé à l’onde mécanique. Le champ électri-
que Ei dérive donc du potentiel de sorte que Ei = – ∂φ / ∂xi. Les phé-
nomènes de propagation sont décrits par l’équation d’équilibre de
la dynamique (qui fait intervenir la masse volumique ρ du solide
considéré) et l’équation de Poisson pour un corps électriquement De l’équation (6) (a), on tire la relation donnant u en fonction de
isolant, soit : σ 2, il vient alors :

S (2) On tire ensuite les relations donnant les vecteurs σ 1 et σ 3 dont


(7)

nous avons besoin pour réécrire l’équation d’équilibre (6)(b), soit :

(8)
2.1 Résolution des équations
de propagation
Une méthode de résolution de ce problème consiste à adopter (9)
l’approche dite de Christoffel c’est-à-dire à développer à partir
des différentes équations à notre disposition les équations
d’équilibre et à résoudre un pseudo-problème aux valeurs pro- En réorganisant le système pour faire apparaître le vecteur h en
pres en régime harmonique. Bien qu’efficace, cette méthode par- second membre, on peut alors construire le système aux valeurs
faitement décrite en [2] n’est ni la plus pratique ni la plus propres complet partant des équations (2) et (6) ; il vient alors :
élégante. Nous lui préférerons l’approche suggérée par Fahmy et
Adler [3] qui consiste à reformuler les équations sous la forme (10)
d’un véritable problème aux valeurs propres, en définissant le
vecteur d’état h suivant : avec [M] une matrice de rang 8× 8 composée des sous-matrices de
rang 4 × 4 suivantes :

(3)

Les équations de propagation fournissent les dérivées premières


des contraintes selon x2 comme suit, avec la notation (11)
σ ij =Tij /(–jω) et δ i =Dj /(–jω).
avec ω la pulsation.
Par ailleurs, nous posons le problème dans le domaine spec-
tral, ce qui permet de remplacer les dérivées partielles par la
lenteur correspondante compte tenu de la normalisation propo- Ces développements permettent de simuler la propagation
sée ci-dessus : d’ondes acoustiques dans n’importe quel milieu solide (métaux,
diélectriques, piézoélectriques) ou fluide (idéal, visqueux) [4][5].
La symétrie de l’opérateur (intrinsèquement liée à la symétrie du
matériau) permet de montrer que les valeurs propres de [M] sont
complexes conjuguées pour des couples de lenteurs (s1, s3) réels
(4)
[6]. Le signe de leur partie imaginaire impose que l’amplitude de
l’onde partielle associée croisse ou décroisse exponentiellement
avec la profondeur x2 du milieu. Si leur partie réelle est non
nulle, une oscillation se superpose au caractère exponentiel du
Nous utilisons les relations de contraintes et la définition du déplacement et l’on parle alors d’onde inhomogène [2]. Une par-
vecteur déplacement électrique (1) pour définir un système aux tie réelle strictement nulle correspond à une onde évanescente
valeurs propres. Nous allons de plus considérer le vecteur d’état (pour une onde d’amplitude exponentiellement décroissante sui-
h composé de deux sous-vecteurs notés u et σ 2 correspondant vant x2).
aux déplacements et contraintes généralisés (pour lesquels u4 = φ et
Ces calculs ne sont bien entendu valables que dans la limite du
σ j4 = δ j ) fonctionnement des dispositifs en régime linéaire et respectant
l’approximation électrostatique (les phénomènes électromagnéti-
ques sont 105 fois plus rapides que les effets d’élasticité). Entre
(5) autre, on accède grâce à la résolution du système (10) à la distribu-

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tion de champ électroacoustique dans le volume du matériau Les conditions aux limites électriques sont, quant à elles, de
considéré. On voit ainsi que les déplacements sont la résultante diverses natures. On distingue les conditions de potentiel forcé
d’une superposition de 8 vecteurs propres avec leurs valeurs pro- (attaque en tension), de potentiel libre (circuit ouvert), de charge
pres associées que nous appellerons les modes partiels donnant la de courant sous impédance donnée (celle-ci impliquant l’existence
répartition de l’onde suivant l’axe x 2, les axes x 1 et x 3 étant alors d’une relation supplémentaire permettant de lever l’indétermina-
considérés comme supports du vecteur de propagation sans perte tion sur la charge et le potentiel) et enfin de surface non métallisée
de généralité. Cette représentation « modale » de la distribution pour laquelle on établit la continuité du déplacement électrique
acoustoélectrique dans les milieux peut alors être exploitée pour la normal à l’interface. Dans les cas où le potentiel de surface n’est
simulation de systèmes à ondes de volume, de surface ou de pla- pas forcé, on est amené à tenir compte de l’influence du milieu
que et plus généralement de guides composites (multicouches, extérieur sur la distribution de déplacement électrique en chaque
périodiques, etc.) en lui associant les conditions aux limites idoi-
surface si la permittivité diélectrique du milieu s’avère de l’ordre
nes. Dans le calcul du système aux valeurs propres (10), si les len-
de quelques ε0. On résout alors l’équation de Poisson dans le vide
teurs de surface s1 et s3 sont nulles, le système se simplifie par
et l’on établit le potentiel engendré par continuité avec la solution
élimination des lignes couplant le potentiel électrique aux déplace-
ments mécaniques. Les sous-matrices [Mij] s’écrivent alors : du milieu solide [2]. Notons que cette prise en compte amène une
correction insignifiante pour des matériaux tels que le niobate ou
(12) le tantalate de lithium dont les constantes diélectriques sont très
supérieures à celle du vide, mais sensible pour le quartz. Les
Cette forme particulière a pour conséquence l’apparition d’une
valeur propre nulle double, qui correspond à un mode partiel
électrostatique pur dans notre représentation harmonique du pro-
conditions aux limites électriques s’écrivent donc :

blème. Les autres modes partiels, au nombre de 6, représentent
bien la propagation d’une onde de volume selon l’axe x2 comme
dans l’approche usuelle (Christoffel, cf. référence [2]).

2.2 Cas des interfaces planes


Dans la plupart des cas, la résolution d’un problème physique réel (14)
)
passe par la possibilité de décrire les conditions aux limites corres-
pondantes de manière rigoureuse et fidèle. La géométrie des disposi-
tifs constitue souvent l’obstacle le plus délicat à surmonter et la
nature inhomogène de certaines surfaces rend la description des
conditions aux limites particulièrement lourde et invalidante. Nous
verrons plus loin comment pallier ce problème pour les guides
d’ondes périodiques et pour certaines configurations particulière-
ment favorables. Néanmoins, on peut raisonnablement se faire une
idée de certaines propriétés des ondes se propageant dans le
volume ou à la surface de structures simples offrant la possibilité On résout le problème aux conditions aux limites en établis-
d’un calcul analytique complet. C’est le cas des structures à interfa- sant autant de conditions que de modes propres du système, la
ces planes, telles que le résonateur à ondes de volume à surfaces solution étant alors une combinaison linéaire de ceux-ci obtenue
planes parallèles dit « résonateur plan », les modes de plaques à sur- par compatibilité des équations. Dans le cas de l’onde de surface,
faces parallèles et les ondes de surfaces homogènes. Dans les deux on considère le demi-espace occupé par le matériau piézoélectri-
premiers cas, on suppose une plaque de matière illimitée suivant les que en contact avec le vide et pour lequel on n’établit les condi-
axes x1 et x3. Les conditions aux limites peuvent donc être décrites tions aux limites qu’à la surface de guidage. Pour ce faire, il faut
en considérant la géométrie représentée sur la figure 3 montrant un
introduire la notion de choix des modes partiels satisfaisant la
schéma simplifié d’un résonateur à ondes de volume plan.
condition d’annulation du champ acoustoélectrique à l’infini
suivant la profondeur du substrat (cf. figure 4). On établit ainsi
Pour une telle configuration, les conditions aux limites mécani-
ques traduisent l’absence de contraintes normales sur les surfaces 3 conditions aux limites mécaniques et une condition
supérieure et inférieure du résonateur, soit :
électrique, choisie parmi les équations (14). Dans tous les cas, on
détermine l’existence d’un mode par l’annulation du déterminant
(13) des conditions aux limites qui en assure la compatibilité. La solu-
tion du système pour les lenteurs correspondantes est obtenue
alors par superposition des modes propres pondérés par des ter-
mes d’amplitude relative déduits des équations de conditions aux
limites.

Sur ce principe, les modes partiels peuvent être classés en


e modes incidents et réfléchis [7] :
F = n V/2e
x3 x1 – dans le cas de modes inhomogènes, l’évanescence ou la crois-
sance du mode est le critère de choix ;
x2 – dans le cas de modes propagatifs, l’énergie est rayonnée dans
le volume. Le sens du rayonnement selon l’axe x2 (et donc le signe
V est la vitesse de phase de l’onde volume et n l’ordre de de la composante normale du vecteur de Poynting [1]) permet
l’harmonique excité (seuls les harmoniques impairs
contribuent dans cette configuration)
d’identifier la nature du mode :

Figure 3 – Schéma simplifié d’un résonateur à ondes de volume à


surfaces planes parallèles (15)

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Le type du pôle donne en outre des renseignements sur la


x3 nature physique de l’onde :
Vide x1 – si le pôle est réel pur, l’onde est guidée et ne rayonne pas
d’énergie dans le cœur du matériau : c’est un mode de surface ;
x2 = 0
– si le pôle se situe dans le plan complexe, une partie de l’énergie
est perdue par rayonnement acoustoélectrique et l’on parle alors de
Milieu pseudo-mode ou encore de mode à pertes. La caractérisation numé-
piézoélectrique rique du pôle permet d’identifier des paramètres importants de la
propagation, comme la vitesse de phase du mode, son couplage
électromécanique Ks2 (en première approximation 2(sm – s0)/sm) et
x2 → ∞ x2
Onde Onde ses pertes acoustiques αdB données par la relation :
évanescente inhomogène
(17)
Figure 4 – Définition du système d’axes pour le modèle de l’onde
de surface, types d’ondes guidées
avec sr et si respectivement parties réelle et imaginaire du mode
traité.


La permittivité effective ne donne néanmoins pas d’informations
Remarque : il est intéressant de noter que, si le matériau est
sur la polarisation de l’onde. Pour ce faire, il est nécessaire de
semi-infini, les modes incidents sont infiniment croissants dans la
connaître la fonction de Green de la structure, et de comparer les
profondeur du matériau et ne peuvent donc pas participer au pro-
termes électromécaniques G4j (j=1,3) entre eux. Ils couplent les
blème électromécanique. Leur amplitude doit être supposée nulle
déplacements mécaniques selon les trois directions de l’espace et
pour respecter la condition d’annulation du champ à l’infini de
la densité surfacique de charges. À la lenteur de phase du mode,
Rayleigh - Sommerfeld.
leur amplitude relative donnera ainsi la polarisation dominante.
Nous définissons maintenant (§ 2.4) les fonctions de Green en
2.3 Permittivité effective question et nous allons montrer leur relation avec la permittivité
effective.
Comme nous l’avons dit plus haut, la surface constitue un
guide naturel pour les ondes du même nom. Néanmoins, il est La figure 5 montre un cas typique de permittivité effective pour le
possible d’exploiter comme cela a été montré précédemment des quartz (YXl)/36° où l’on met en évidence les différentes ondes sus-
ondes partiellement guidées par la surface, dont une ou plusieurs ceptibles d’être excitées en surface :
composantes sont rayonnées par celle-ci vers le cœur du subs-
trat. Il n’est alors pas possible de caractériser théoriquement de une onde de Rayleigh parfaitement guidée (εeff purement réelle) ;
telles ondes selon l’approche proposée plus haut. Ingebrigsten – l’onde, dite rampante (SSBW en anglais pour Surface Skimming
[8] a introduit la notion de permittivité effective de surface dont Bulk Waves), de polarisation transverse correspondant à l’apparition
l’intérêt entre autre est de fournir des informations aussi bien sur d’une partie imaginaire de la permittivité effective ;
les ondes guidées que sur celles rayonnées par la surface. C’est – les ondes de cisaillement rapide (LSSAW pour Leaky Shear Surface
un paramètre scalaire permettant de caractériser la réponse élec- Acoustic Waves) et longitudinale (LLSAW pour Leaky Longitudinal Sur-
trique d’un milieu à une distribution de charge au niveau d’une face Acoustic Waves) partiellement guidées par la surface.
interface. Comme son nom l’indique, il est homogène à une per-
mittivité diélectrique, mais il correspond au rapport du saut de
déplacement électrique normal à la surface avec la composante
du champ électrique selon la direction de propagation (d’où le
terme « effective »), soit : 30 0,2
Partie réelle de εeff (nF · m–1)

Partie imaginaire de εeff (nF · m–1)


25 SSBW LSSAW
0
(1 6) 20

15 LLSAW – 0,2
D’un point de vue pratique, on montre [9] que la permittivité
effective correspond au rapport des déterminants des conditions 10
Rayleigh – 0,4
aux limites en surfaces libre et court-circuitée (les contraintes
mécaniques de surface restent nulles dans les deux cas). Les 5
contributions acoustiques à cette permittivité de surface, de nature 0 – 0,6
Partie réelle
imaginaire

essentiellement électrique, sont donc obligatoirement couplées via


Partie

la piézoélectricité. Fonction de la lenteur, la permittivité effective –5


permet de détecter l’existence de ces modes et de les caractériser. – 0,8
Dans la direction de propagation, elle n’est fonction que de la – 10
lenteur effective |s| et prend une forme du type résonance / antiré- – 15 –1
sonance autour de la lenteur de phase d’une onde : 2 000 3 000 4 000 5 000 6 000 7 000 8 000
– un pôle sur la permittivité effective correspond à un potentiel Vitesse (m · s–1)
électrique uniformément nul sur l’interface, c’est-à-dire à une
condition de court-circuit (interface métallisée portée à la masse). Partie réelle Partie imaginaire
La lenteur à laquelle apparaît le pôle est appelée lenteur métallisée
La partie imaginaire est tronquée pour faire apparaître clairement toutes
de l’onde et sera notée sm ; les contributions couplées
– le zéro de la permittivité effective correspond à une charge
nulle au niveau de l’interface, c’est-à-dire à une condition de circuit
ouvert (interface libre). La lenteur à laquelle apparaît le zéro est Figure 5 – Permittivité effective de surface de la coupe (YXl )/36
appelée lenteur libre de l’onde et sera notée s0. de quartz

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2.4 Fonction de Green 2.5 Fonction de Green étendue


au cas de plaques
Pour les modèles acoustoélectriques décrits dans cet article, la
fonction de Green de surface est une grandeur rendant compte de la Nous souhaitons maintenant rendre compte des propriétés
réponse impulsionnelle en déplacements et potentiel électrique de d’une structure munie de surfaces toutes deux soumises à des
la surface à une sollicitation en contraintes mécaniques ou en conditions aux limites d’excitation/détection d’ondes distribuées.
charge électrique [10]. Pour une surface de lenteurs données (s1, s3), La fonction de Green de surface ne suffit plus à une description
h (cf. éq. (10)) peut être représenté comme le produit d’une matrice F exhaustive d’une telle situation et nous allons donc chercher à
composée de 8 vecteurs propres pour le milieu considéré avec une étendre cette notion aux deux surfaces en regard de la structure
matrice diagonale ∆(x2) de rang 8× 8, qui décrit la dépendance des considérée. Notre raisonnement s’appuie sur le cas d’une plaque
champs selon x2 au travers des valeurs propres s2, et un vecteur a homogène et nous montrons comment l’étendre au cas général
rendant compte des amplitudes des ondes partielles (cf. § 2.2) : d’une plaque composite.
On peut former une relation complète entre les deux surfaces en
(18) regard en y exprimant les contraintes normales et déplacements
généralisés figure 3 en fonction des amplitudes relatives toujours
On introduit un vecteur g(m) divisé en deux parties décrivant res- en conservant la séparation entre ondes incidentes (-) et réfléchies
pectivement les ondes incidentes (g(m–)) et réfléchies (g(m+)) (+). Dans ce cas on écrit :
comme suit :

(19)

j
avec m nombre de couches de l’empilement (m = 1 pour
les milieux semi-infinis)
(23)
(m)
R une matrice de réflexion liant les ondes partielles
incidentes et réfléchies.
En introduisant comme suit les deux sous-matrices K et L res- j
pectivement associées aux ondes réfléchies et incidentes, on peut
calculer la matrice de réflexion à chaque interface :
On peut donc exprimer les contraintes et déplacements en sur-
(20) face +e/2 en fonction de ces mêmes grandeurs prises en –e/2. Il
vient alors :

avec em épaisseur de la couche m.


Il vient ainsi R (m+1) = LK –1. En appliquant ce schéma récursif
jusqu’à la couche supérieure, (numérotée M), il est loisible de cal- (24)
culer la fonction de Green de l’empilement au sens précédemment
établi. Le vecteur d’état de la surface s’écrit :
Cette relation peut être reformalisée en appliquant la transfor-
mation suivante, donnant accès à la fonction de Green de plaque
(21) recherchée comme suit :

En (21) apparaissent deux sous-matrices N et P respectivement


associées aux champs de déplacements et de contraintes. La fonc-
tion de Green liant ui à T2j est alors directement donnée par le pro-
duit G = NP–1. Notons que dans le domaine spectral la fonction de (25)
Green relie les déplacements généralisés (incluant le potentiel
tel ) et les contraintes généralisées de surface (où le
déplacement électrique normal à la surface) tel que .
Par ailleurs, on remarque que le terme se rapporte à la per- On note qu’ainsi la fonction de Green de plaque est élémentaire
mittivité de surface de la façon suivante : à calculer. Elle peut par ailleurs découler d’un enchaînement de
couches dont le comportement acoustique peut être établi par une
(22) cascade de matrices telles que (24) en établissant simplement la
continuité des déplacements et des contraintes aux interfaces. Des
méthodes de mise en cascade de matrices telles qu’employées au
L’accès à la permittivité effective est donc immédiat une fois cal- sein du modèle de Mason (cf. § 5.1) sont parfaitement applicables
culée la fonction de Green. L’approche décrite ci-dessus (appelée ici, avec tout de même plus d’information a priori selon la présente
méthode de la matrice de diffusion [7]) permet en tout état de approche que dans le cas unidimensionnel où en général seuls les
cause de calculer de façon stable la fonction de Green et donc la termes longitudinaux sont retenus pour former les matrices de
permittivité effective de surface de n’importe quel empilement de transfert (24). Nous reviendrons plus loin sur les relations entre
matériau, quelle que soit l’épaisseur des couches. Elle évite par fonctions de Green et modèle de Mason (§ 5). Bien que notre for-
essence l’apparition de matrices mal conditionnées pouvant malisme diffère quelque peu de celui utilisé par Adler et ses divers
engendrer des comportements singuliers, et donc nuire à la préci- collaborateurs, précurseurs en la matière, ces développements
sion des calculs [11]. peuvent être retrouvés dans les références [3][12][13].

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COMPOSANTS ACOUSTIQUES UTILISÉS POUR LE FILTRAGE _________________________________________________________________________________

ϕAB ϕBC
QAB QBC

FA FB FC
uA uB uC

A B B C

Figure 6 – Deux cellules à cascader munies de leurs ports électriques respectifs, les cellules partageant la frontière B (les champs acoustiques
y étant par principe communs)

2.6 Cascades de matrices pour Ce résultat est obtenu en posant et effectuant le produit matriciel
suivant :
la simulation de systèmes complexes


On suppose deux cellules représentées en figure 6 et munies
respectivement d’une matrice mixte associant des grandeurs élec-
triques (ici le potentiel et la charge Q sur le port électrique de la (28)
cellule) et acoustiques. Nous avons choisi ici les forces F et dépla-
cements u aux frontières mais il peut s’agir de contraintes norma-
les et vitesses (cas du modèle de Mason), de champs entrant et
sortant (cas de la matrice mixte) ou de toute grandeur dont on doit où l’on voit que cette méthode est facilement généralisable à la
vérifier la continuité à l’interface. Notons bien que ces deux cellu- cascade d’un nombre de matrices important. En effet, supposons
les peuvent être totalement différentes mais doivent nécessaire- maintenant la mise en cascade d’une nouvelle cellule reliant la sur-
ment partager une surface commune. Les frontières A , B et C sont face C à une surface D. Nous généralisons (28) dont la forme
généralement planes et infinies, mais elles peuvent dans le cas des devient alors :
ondes de surface correspondre uniquement à une zone d’échange
virtuelle pour les besoins du modèle (la surface est continue mais
la connexion des cellules se fait de façon ponctuelle) :

(26) (29)

où les matrices P AB et PBC peuvent être identiques ou totalement


différentes. Dans un tel schéma, les quatre premiers termes de la
matrice P1,1, P1,2, P2,1 et P2,2 représentent le couplage acoustique
entre les deux frontières de la cellule. Si cette dernière ne présente La construction de ces matrices doit donc tenir compte du nom-
pas de port électrique, la matrice associée à la cellule se réduit à bre total d’électrodes du système afin de les dimensionner correc-
ces termes. Dans le cas contraire, les termes P3,1, P3,2, P1,3 et P2,3 tement pour permettre la multiplication de matrices telle qu’en
caractérisent le couplage acoustoélectrique entre le port électrique (29). En clair, la dimension d’une matrice mixte prête à être mise
et les champs acoustiques aux frontières. Enfin, P3,3 est souvent en cascade correspond à la somme du nombre de termes acousti-
homogène à une admittance (ici à jω près). ques (les champs ne sont pas forcément scalaires même si c’est le
On peut facilement calculer une nouvelle matrice mixte de cas le plus fréquent) d’un bord de cellule multiplié par deux et des
l’ensemble des deux cellules en substituant les vecteurs FB et uB potentiels de chaque cellule.
dans la matrice de la cellule BC par leur expression relative à la Une fois la matrice mixte de la structure complète obtenue, nous
cellule AB. On obtient alors la matrice mixte de la cellule AC qui
avons affaire à un système de N équations à 2 N inconnues. On
relie les déplacements et forces pris aux deux extrémités de la
applique alors les conditions aux limites mécaniques aux bords
nouvelle cellule mais forte de deux potentiels et charges électri-
restés libres, et électriques sur chaque port pour réduire le niveau
ques propres à chaque port électrique. Il vient ainsi :
d’indétermination du problème. Dans le premier cas, on peut
considérer principalement trois cas de figure :
– la structure est connectée à un support absorbant les ondes
(substrat infini) ; dans ce cas, la force et le déplacement sont liés par
une relation supplémentaire dépendant des conditions acoustiques
du rayonnement et du milieu associé (rayonnement en ondes planes
donnant lieu à une condition dite « ρ-c » [2] ou rayonnement ponctuel
décrit par une relation intégrale à base de fonction de Green [14]) ;
– la structure est libre de contrainte ; la force appliquée est alors
(27) nulle et le déplacement prend une valeur liée à la distribution
d’énergie dans l’empilement (cette valeur résulte de la résolution
du problème) ;

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Composants piézo-électriques

par Jean-Pierre AUBRY


Directeur Technique Oscilloquartz SA

1. Résonateurs à quartz .............................................................................. E 2 205 - 2


1.1 Généralités ................................................................................................... — 2
1.2 Fonctionnement d’un résonateur en cisaillement d’épaisseur................ — 4
1.3 Technologies spécifiques des résonateurs à quartz ................................. — 7
1.4 Autres résonateurs à ondes de volume..................................................... — 9
2. Oscillateurs................................................................................................ — 9
2.1 Généralités : XO, TCXO, VCXO, OCXO ...................................................... — 10
2.2 Structures, conception et modélisation..................................................... — 10
2.3 Domaines de stabilité des fréquences OCXO ........................................... — 14
2.4 Technologies des oscillateurs..................................................................... — 16
2.5 Normalisation des boîtiers oscillateurs ..................................................... — 16
2.6 Domaines d’application .............................................................................. — 17
2.7 Marchés accessibles, évolutions ................................................................ — 19
3. Filtres........................................................................................................... — 19
3.1 Principes de fonctionnement...................................................................... — 20
3.2 Techniques de synthèse des filtres à résonateurs .................................... — 20
3.3 Filtres discrets .............................................................................................. — 21
3.4 Filtres monolithiques................................................................................... — 21
3.5 Filtres passe-bande traditionnels ............................................................... — 22
3.6 Élargissement des bandes passantes ........................................................ — 22
3.7 Les filtres dans la radiotéléphonie : filtres de canal ................................. — 23
3.8 Marchés accessibles, évolutions ................................................................ — 23
4. Sensibilité à l’environnement mécanique......................................... — 23
4.1 Effets non linéaires ...................................................................................... — 23
4.2 Sensibilités aux contraintes mécaniques .................................................. — 23
4.3 Sensibilité au niveau d’excitation .............................................................. — 24
5. Conclusions ............................................................................................... — 24
Références bibliographiques ......................................................................... — 24

’est en 1881 que Pierre et Jacques Curie mirent en évidence le phénomène


C de piézoélectricité-polarisation de certains corps sous l’effet d’une
contrainte et réciproquement. La première application a été la réalisation de
sonar pendant la Première Guerre mondiale et Cady fut le premier à utiliser un
résonateur pour stabiliser un oscillateur en 1918.
La première radio commerciale dont la fréquence est pilotée par quartz appa-
raît en 1930. Ces résonateurs fonctionnaient à basse fréquence, 10 à 100 kHz en
modes de flexion. Les modes d’élongation fonctionnent jusqu’à environ 200 kHz
et les modes de cisaillement de surface permettent d’atteindre le mégahertz. Les
résonateurs en cisaillement d’épaisseur ont permis d’atteindre rapidement des
fréquences de 20 à 30 MHz. Dans ces modes, c’est l’épaisseur qui fixe la fré-
quence, et les techniques d’usinage mécanique permettent de réaliser des dis-
ques jusque vers 0,03 mm (50 MHz). Les techniques de polissage ont permis de
fonctionner sur les modes harmoniques et des usinages non conventionnels ont
p。イオエゥッョ@Z@。ッエ@QYYX

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YY
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COMPOSANTS PIÉZO-ÉLECTRIQUES _______________________________________________________________________________________________________

permis de réduire l’épaisseur à environ 8 mm (200 MHz) en application indus-


trielle.
Les dispositifs à ondes de surface, utilisant des ondes se propageant parallèle-
ment à la surface d’une lame piézo-électrique générées à partir de pistes métal-
liques interdigitées déposées sur cette surface à des distances de quelques
micro-mètres entre elles, donnent accès à des fréquences comprises entre 100 et
1 000 MHz.
Les résonateurs sont utilisés pour stabiliser la fréquence dans des oscillateurs.
Selon la configuration et l’application, on trouvera des oscillateurs simples (XO
Crystal Oscillator), des oscillateurs dont la fréquence est ajustable par une ten-
sion, (PCF pilote commandé en fréquence ou VCXO Voltage Controlled Crystal
Oscillators), ou des oscillateurs dont les variations de fréquence en fonction de
la température sont compensées (PCT pilote compensé en température ou
TCXO Temperature Compensated Crystal Oscillator). On trouvera également des
oscillateurs faisant fonctionner le résonateur dans un four maintenu à tempéra-

S ture constante OCXO (Oven Controlled Crystal Oscillator).


Cet article s’adresse essentiellement aux utilisateurs ou futurs utilisateurs de
résonateurs et d’oscillateurs. Nous avons donc essayé de fixer une démarche
permettant de définir le type d’oscillateur à choisir dans un équipement, en fonc-
tion du mode d’utilisation, à partir de critères de stabilité de fréquence (en fonc-
tion du temps et de l’environnement), de cohérence entre différents nœuds, ou
de critères de consommation, dimensions, ou de prix objectif...
Les résonateurs à onde de volume restent inégalés, en stabilité, pour les fré-
quences de quelques kilohertz (applications horlogères) jusqu’à 250 MHz [et
jusqu’à 1 000 MHz en utilisant des structures à PLL (Phase-Lock Loop) intégrée].
Au-delà on utilisera des oscillateurs fonctionnant sur d’autres techniques, telles
que les oscillateurs à résonateur diélectrique (DRO) ou à ondes de surface...
Les filtres à résonateurs piézo-électriques trouvent leur application en radio
communication, dans des applications BLU (Bande latérale unique), en filtre de
bruit, ou filtres de canal... Les caractéristiques de surtension des résonateurs
spécialisent ces filtres en bande étroite. Le développement du radiotéléphone
numérique [GSM (Groupe Spécial Mobile)...] a conduit à un besoin de filtre de
canal, de fréquence centrale 71 ou 211 MHz, de largeur 200 kHz, et les premières
générations des stations de base ont été équipées de filtres à ondes de volume.
Les équipements portables et les nouvelles générations de stations de base sont
équipés de filtres à onde de surface.
L’essentiel des applications des résonateurs en onde de volume est
aujourd’hui concentré dans les oscillateurs.

1. Résonateurs à quartz avec c coefficient élastique (module d’Young pour un


matériau isotrope),
r masse volumique.
Lorsque cet ébranlement arrive sur une des extrémités, il y a créa-
1.1 Généralités tion d’une onde réfléchie. Il y aura phénomène de résonance et
construction d’onde stationnaire, si l’onde de retour présente des
propriétés de superposition avec l’onde incidente, pour des dimen-
sions caractéristiques telles que la longueur du barreau soit égale à
Les premiers résonateurs de basse fréquence fonctionnaient sur un nombre entier de demi-longueur d’onde :
des modes d’élongation. Le barreau de quartz est le siège d’une
déformation, parallèle à la longueur, se propageant parallèlement à
L = l/2
la longueur du barreau. La vitesse de propagation v de cette défor- soit avec l = v/f :
mation dépend des propriétés élastiques du quartz dans cette direc-
tion de propagation : v
L = -----
2f
c v
v = --- (1) et f = ------- (2)
r 2L

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_______________________________________________________________________________________________________ COMPOSANTS PIÉZO-ÉLECTRIQUES

Métallisation h'

2h

h'

Lame de quartz Figure 3 – Résonateur métallisé d’épaisseur 2 h

Figure 1 – Résonateur métallisé


voies de miniaturisation portent sur des coupes ZT et AT rectangu-
laires (où l’on réduit considérablement une des dimensions latéra-
les). Des résonateurs fonctionnant sur des modes couplés (ex GT),
Z l’onde acoustique impliquant deux dimensions, ont été étudiés. Ces
techniques trouvent également des débouchés dans des applica-
Z tions ou la miniaturisation est incontournable.
q

AT
q SC
1.1.3 Domaine d’applications S
Y
1.1.3.1 Résonateur pour oscillateur

Les résonateurs sont utilisés pour stabiliser la fréquence des


X oscillateurs. Selon le niveau de stabilité souhaité de la fréquence,
F on utilisera un oscillateur simple, base de temps, un oscillateur
X' compensé en température... Dans un oscillateur simple, la fré-
quence de l’oscillateur suivra les variations de fréquence dues à la
Figure 2 – Orientation des coupes AT et SC dans le repère cristallin
variation de température. Dans un TCXO, les effets de la tempéra-
du quartz
ture sont compensés électroniquement. On peut également souhai-
ter piloter la fréquence de cet oscillateur par une tension externe.
Dans tous les cas, on utilisera les propriétés du schéma équivalent
Les différents modes de fonctionnement apparus ensuite repo- pour introduire un « déphasage » qui décale la fréquence et assure
sent sur le même phénomène de propagation d’une déformation la compensation ou la modulation de la fréquence. Cet aspect de
qui entre en résonance pour des dimensions particulières. modulation de la fréquence impose le choix d’une valeur élevée du
rapport C1/C0, (cf. § 1.2.2) et une faible surtension. Ce choix conduit
à des valeurs de vieillissement voisines de 10-6 par an.
1.1.1 Résonateurs à cisaillement d’épaisseur
Si l’utilisation requiert une plus grande stabilité, thermique ou
Les résonateurs actuels, hormis ceux utilisés en horlogerie qui vieillissement, on se tournera vers les oscillateurs thermostatés,
fonctionnent en général sur des modes de diapason, utilisent des permettant d’exploiter un schéma équivalent peu sensible, et de
coupes appelées AT, BT, SC (T pour à dérive minimale en tempéra- grande stabilité. Les vieillissements accessibles sont alors de l’ordre
ture dans l’ordre des coupes A, B, C... SC (stress compensated ), de 10-9 à 10-7 par an. Ces résonateurs fonctionnent sur une réso-
coupe pour lesquels les effets de contrainte mécanique sont nuls ou nance harmonique dont la valeur faible du rapport C1/C0 limite le
minimaux). Ces résonateurs se présentent sous forme d’un disque décalage de fréquence (tirage). Il n’y a alors pas de compensation
partiellement métallisé, comme présenté sur la figure 1. On peut possible des effets de la température. On choisit de faire fonction-
visualiser les coupes AT et BT dans un repère trirectangle X, Y, Z ner le résonateur dans une enceinte maintenue à température
comme une lame Y (lame dont la normale est parallèle à l’axe Y) constante.
« tournée » autour de l’axe Z d’un angle f (et autour de l’axe X d’un
angle ± q. La figure 2 donne les orientations de ces coupes.
1.1.3.2 Résonateurs pour filtres
Ces disques métallisés sont reportés dans un boîtier étanche
(métal, verre ou céramique), sous vide ou sous atmosphère contrô-
Le filtrage a été un domaine très important pour les résonateurs à
lée.
onde de volume. Un filtre est un dispositif qui ne laisse « passer »
La fréquence d’un résonateur en cisaillement d’épaisseur est : que les fréquences contenues dans une bande donnée. Ces filtres
f = v/2e ont principalement été utilisés dans les équipements du téléphone
analogique et des radiocommunications. La principale caractéristi-
où e est l’épaisseur (e = 2h, sur la figure 3. que d’un filtre à quartz est l’étroitesse de sa bande passante (typi-
En coupe AT, la constante de raideur est C66, caractéristique d’une quement 0,1 % de la fréquence centrale) et sa raideur élevée. La
déformation Ux, se propageant selon Y et : relation principale exploitée est le rapport C1/C0 des résonateurs,
faible pour le quartz. La plupart des applications utilisent des réso-
v = C 66 ¤ r . nateurs en mode fondamental ou en harmonique 3 pour des bandes
très étroites.

L’avènement de techniques particulières d’amincissement, autori-


1.1.2 Résonateurs miniatures sant l’utilisation de résonateurs en mode fondamental à haute
fréquence, et celui de matériaux « fort couplage » ont permis d’élar-
Les techniques horlogères, qui imposent miniaturisation et faible gir le champ d’application vers des bandes passantes plus larges
coût, utilisent des structures différentes. La plus répandue est le (BW/f0 > 1 %, avec BW= fh - fb), fh et fb étant les limites hautes et bas-
résonateur diapason, de fréquence voisine de 32,768 kHz. D’autres ses de bande passante.

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1.2 Fonctionnement d’un résonateur quent la polarisation électrique associée à ces déformations méca-
niques. On trouvera le détail de ce calcul dans [1]. Une lame plane
en cisaillement d’épaisseur possède trois modes propres orthogonaux, un mode longitudinal
(déformation parallèle à la propagation k) et deux modes transver-
ses (déformation dans le plan de la lame). Ces modes sont nommés
1.2.1 Propagation et résonance A, B, C suivant l’ordre décroissant de leur vitesse v (r). On ne pourra
exciter et recueillir de fréquence de résonance que pour les modes
Les conditions de propagation d’une onde acoustique s’obtien- actifs (couplage piézo-électrique non nul) et pour un nombre entier
nent en résolvant l’équation différentielle d’une onde plane issue de demi longueur d’onde, par un potentiel électrique opposé sur les
des équations constitutives décrivant les efforts mécaniques et la faces.
polarisation d’un solide piézo-électrique soumis à un champ élec-
trique et des déformations, soit :
T ij = C ijkl S kl Ð e mij E m 1.2.2 Schéma équivalent électrique

D n = e mn E m + e nkl S kl (3) En poursuivant le calcul précédent, on arrive à l’expression sui-


vante de l’impédance du résonateur décrit figure 3 pour chaque
avec D induction électrique, mode propre r :

S E
Tij
champ électrique,
effort mécanique, 1 k 2 tan X
Z ( w ) = ------------- æè 1 Ð -------------------- öø (7)
Skl déformations mécaniques données par : jC 0 w X
1
S kl = --- (U k,l + U l,k ) avec X = N (p/2) x f /fa (r )
2
fa(r ) est la fréquence correspondant à la vitesse acoustique v (r ) :
ou Uk,l est la dérivée de la variable d’espace Uk par rapport à la
direction ,. ( r ) /2 e
fa = 1 ¤ 2 e ´ c ¤ r = v

Remarque : on utilise indifféremment les coefficients Cijkl à 2 N est le rang harmonique,


ou 4 indices, qui sont équivalents par la contraction des indices
selon la règle suivante : i, i > i ; i, j > 9 - (i + j ). On a, par exemple, f est la fréquence,
c1212 > c66 et c1122 > c12.
k (r ) le coefficient de couplage piézo-électrique du
mode r :
La loi fondamentale de la dynamique appliquée au milieu piézo-
électrique s’écrit : k (r) = e (r)2/c (r)e (r) = (enij lj ni nn)2/cijkl lj ni nl lk es
Tij,i + Fj = rÜj (4)
projection des propriétés électriques sur le produit des coefficients
Les équations de l’électromagnétisme, En = - f,n et Dn,n = 0 élastique et du champ électrique, qui exprime le rapport entre
permettent d’écrire les équations constitutives sous la forme : l’énergie électrique et mécanique emmagasinée. La valeur du coef-
rÜj = Cijkl Uk,li + emij j,mi ficient de couplage du mode conduit à l’activité électrique associée
à chacun des modes propres d’onde acoustique. On peut avoir des
0 = enkl Uk,ln - emn j,nm (5) modes propres qui ne sont pas accompagnés de signal électrique
(couplage piézo-électrique nul). La coupe AT n’a ainsi qu’un seul
La forme générale des solutions de ces équations est celle mode actif (transverse lent), alors que les trois modes d’une coupe
d’ondes planes aj se propageant selon la direction s avec la vitesse SC sont actifs.
v = w/k, où k est le nombre d’ondes, dont une solution particulière
est : Le schéma équivalent « basse fréquence » qui s’en déduit est
donné sur la figure 4. On en déduit trois fréquences caracté-
n , x ,ö ristiques :
U j = a j exp j w æè t Ð -----------
- j = 1,3
v ø — la fréquence d’antirésonance, correspondant à Z (w) = ¥ et
f = N fa ;
nl xl ö
j = a 4 exp j w æè t Ð -----------
- (6)
v ø — la fréquence de résonance du bras série : w o = 1/ L 1 C 1 ;
En injectant cette solution particulière dans le système précédent, — la fréquence de résonance série, pour Z (w) = 0 (déphasage
et après quelques manipulations, on aboutit à une matrice constitu- nul).
tive qui n’a de solution non trivialement nulle (aj » 0) que pour les
fréquences conduisant à l’annulation du déterminant de cette
matrice, soit :
¢ Ð rv 2 d R1 L1 C1
G jk jk = 0

Ce déterminant a trois valeurs propres, r = 1 à 3, correspondant à


trois modes propres se propageant selon l’épaisseur, de vitesse :

v (r) = c (r) ¤r
Co
et les trois vecteurs propres sont les directions de la déformation
aj (r), (polarisation du mode). Les coefficients piézo-électriques indi- Figure 4 – Schéma équivalent d’un résonateur

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_______________________________________________________________________________________________________ COMPOSANTS PIÉZO-ÉLECTRIQUES

Ces fréquences sont reliées entre elles par :


Amplitude de l'onde acoustique
wa Ð ws 1 C1 4 k2
------------------- = --- ------ = --------------- (8)
ws 2 C0 N 2 p2

Le lien fondamental entre la physique de la propagation acousti-


que et le schéma électrique des résonateurs est donné par la
relation :

C1/C0 = 8 k2 / N2p2 (9)


0
La surtension de la résonance, donné par Lw/R, est liée à l’atté-
nuation acoustique de l’onde pendant sa propagation dans le maté- Rayon
riau. du résonateur Rq
Une relation essentielle pour l’utilisateur d’un résonateur piézo- Rayon de métallisation R m
électrique est le comportement de la fréquence série (phase nulle) Figure 5 – Piégeage d’énergie acoustique sous les électrodes
lors de la mise en série d’un résonateur et d’une capacité de charge
CL :
df /f = (f (CL)-fs) /fs = C1 /(2 (Co+CL))
La relation entre le déphasage aux bornes du résonateur et l’écart
(10) métallisée (I) et la zone non métallisée (II), de continuité du déplace-
ment U rI = U rII et du gradient d U r ¤ d r I = dU r ¤ d r II . Ces relations

font apparaître une décroissance exponentielle de l’amplitude laté-
entre la fréquence de phase nulle et la fréquence correspondant à ce
rale de l’onde dans le plan de la lame, en dehors des métallisations.
déphasage peut être établie en examinant le schéma équivalent.
Cela permet d’atteindre une amplitude quasi nulle sur les bords de
L’impédance est donnée par : la lame, et on peut parler de piégeage d’énergie par les électrodes,
Z (w ) = R + j X montré sur la figure 5. Les fréquences basses, telles que 5 MHz, uti-
lisant de rang d’harmonique 3 ou 5 imposent de grandes électrodes.
avec X = Lw - 1/C1w Pour assurer un effet de piégeage d’énergie acoustique, il est néces-
En écrivant : saire d’introduire une géométrie lenticulaire ou biselée (cf. figure 7),
faisant apparaître une fréquence de coupure variable en dehors de
X = (LC1 w2 -1) / C1w la métallisation.
soit : X = (LC1w2 - LC1 wo2) / C1w
avec : wo2 = 1 / LC1 1.2.4 Spectre de fréquences
il vient : X»2LDw et fréquences parasites
soit :
Le fonctionnement en cavité résonnante dû aux dimensions laté-
tan (D f) = X / R = 2 L D w / R = 2 Q D w / w (11) rales finies des électrodes fait que les conditions de résonance peu-
Une valeur élevée de surtension transformera une variation de vent être remplies pour plusieurs fréquences d’un même mode de
phase en une très faible variation de fréquence. propagation. Par ailleurs, la valeur du coefficient de couplage k (r )
donne une activité électrique propre à chaque mode propre. Ces
résonances acoustiques, de couplage non nul, feront apparaître une
1.2.3 Piégeage d’énergie, géométrie lenticulaire suite de fréquences correspondant aux modes propres principaux,
leurs fréquences harmoniques (partiels) et les cortèges anharmoni-
ques de chacune de ces harmoniques, due aux dimensions latérales
Les relations constitutives (3) (4) (5) ont conduit à l’expression
finies du résonateur.
d’une onde plane décrite par les relations (6) :
On aura, par exemple, pour un résonateur cisaillement d’épais-
Uj = aj exp j(w (j )t - krj) seur « double rotation » SC, les trois polarisations actives corres-
pondant aux modes A, B, C (une polarisation longitudinale, deux
avec kj = w (j ) / vj
polarisations transverses), chaque mode possédant ses propres
et rj = nl (j ) xl se propageant selon la direction de propagation nj xj . harmoniques ou partiels, décrits par les suites A1, A3, A5, B1, B3,
Ces relations sont exactes pour un résonateur de dimensions laté- B5, C1, C3, C5, dont l’ordre des fréquences peut être enchevêtré, et
rales infinies. Pour les dimensions finies usuelles, les électrodes, chacun de ces modes a son propre spectre d’anharmoniques. Le
d’épaisseur h¢ sur la figure 3, définissent un volume résonnant et il spectre complet est donné figure 6.
y a lieu de tenir compte du phénomène de piégeage d’énergie. Le
problème est alors de déterminer la forme et la fréquence d’une
onde se propageant selon l’épaisseur de la lame et dont les compo- 1.2.5 Comparaison entre les coupes de quartz
santes latérales sont régies par des propriétés localement différen-
tes, sous ou hors des métallisations. Cela revient à exprimer une Historiquement, la coupe AT est apparue comme une coupe Y
constante élastique effective sous la zone métallisée par : « tournée », autour de la direction X ( q = 35° 15¢), pour minimiser
c¢66 = c66 (1-8k2 / N2p2 -2r ¢h¢ / rh) l’amplitude de la dérive fréquence température et la coupe BT a été
introduite ( q = - 49°) pour sa valeur élevée de surtension. La coupe
et par c66 en zone non métallisée. AT est la plus utilisée, en dehors des techniques horlogères.
Les relations (7) et (8) conduisent à des fréquences propres diffé- Les coupes « double rotation », ont été introduites dans les
rentes selon que la propagation s’effectue en zone métallisée ou années 60, sans grand succès à cause de difficulté de réalisation. La
non. Les vitesses de propagation sont légèrement différentes dans coupe SC a été théoriquement déterminée vers 1975, pour minimi-
ces deux zones et conduisent à une notion de fréquences de cou- ser l’influence des contraintes mécaniques. Une coupe TTC a été
pure propres en zone métallisée et non métallisée. L’amplitude de introduite pour minimiser les effets thermiques dynamiques. Ces
l’onde doit respecter des conditions à la frontière entre la zone deux approches ont conduit à des coupes très voisines. Devant

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Filtres à ondes de surface

par Philippe DEFRANOULD


Directeur Industriel de Thomson Microsonics
Docteur en Physique
et Peter WRIGHT
Directeur de la stratégie de Thomson Microsonics
Docteur-ingénieur


1. Concept de « faible perte » .................................................................. E 2 200 - 2
1.1 Problème du « trajet triple » ....................................................................... — 2
1.2 « Réflexion » sur un réseau d’électrodes................................................... — 4
2. Configurations des filtres à « faible perte » .................................... — 4
2.1 Filtre à transducteurs unidirectionnels (SPUDT)....................................... — 4
2.2 Filtres à transducteurs interdigitaux imbriqués (IIDT).............................. — 8
2.3 Filtres à résonateurs .................................................................................... — 9
3. Technologie de fabrication ................................................................... — 12
3.1 Fonderie........................................................................................................ — 12
3.2 Assemblage (back-end)............................................................................... — 18
4. Applications .............................................................................................. — 21
5. Conclusion/tendances............................................................................. — 24
Pour en savoir plus........................................................................................... Doc. E 2 200

L es composants à ondes de surface SAW (Surface Acoustic Wave) sont des


dispositifs discrets de traitement analogique du signal. Ils sont critiques
pour le fonctionnement de beaucoup de systèmes électroniques modernes. Ce
sont des composants passifs, bien adaptés pour réaliser des fonctions telles
que ligne à retard, filtrage et source stable de fréquence.
Les paragraphes qui suivent ont pour ambition de décrire les principaux
aspects de la conception et des technologies de fabrication de filtres à ondes
de surface (FOS) dits à « faible perte », les structures « classiques » étant pré-
sentées par ailleurs. Nous ne développons que les structures à un seul niveau
de métallisation qui seules sont l’objet actuellement d’applications significa-
tives, décrites en fin d’article. Ce sont les structures à transducteur unidirection-
nel à une seule phase dit SPUDT (Single Phase Uni-Directional Transducer)
dont il existe plusieurs variantes comme les DART (Distributed Acoustical
Reflection Transducer) ou les IIDT (Interdigitated InterDigital Transducer) et les
structures à base de résonateurs que ce soit du type couplé dites CRF (Coupled
Resonator Filter) et guidé dites TCF (Transversely Coupled Filter) ou encore du
type Impédant avec les configurations « échelle » (ladder) et « pont équilibré »
(balanced bridge).
Les thèmes abordés s’appuient sur les bases théoriques des ondes acous-
tiques et des structures classiques des filtres à ondes de surfaces développées
de façon détaillée dans plusieurs ouvrages. Les lecteurs sont donc invités à
consulter ces ouvrages cités en fin de cet article, dans « Pour en savoir plus ».
Ne seront rappelés dans cet article que les points qui ont été jugés indispen-
sables à une bonne compréhension de l’exposé.
p。イオエゥッョ@Z@ュ。ゥ@RPPP

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FILTRES À ONDES DE SURFACE ___________________________________________________________________________________________________________

1. Concept de « faible perte » Historique

Depuis leur introduction au milieu des années 1960, les com-


La figure 1 représente une structure « classique » de filtre à deux posants SAW ont d’abord été intensivement développés pour
transducteurs en ligne, le transducteur d’entrée transforme l’éner- des applications militaires, telles que la compression d’impul-
gie électrique en énergie acoustique et inversement pour le trans- sion pour l’amélioration des performances des radars (portée,
ducteur de sortie. Les transducteurs sont composés d’électrodes résolution) et les convoluteurs essentiels pour les besoins des
métalliques réalisées sur un cristal piézo-électrique comme repré- communications à spectre élargi. La première invention signifi-
senté schématiquement (vue en coupe) sur la figure 2 qui est un cative permettant de synthétiser une fonction de filtrage à
exemple à deux électrodes par longueur d’onde acoustique λ ; une ondes de surface a été brevetée en 1969 par deux ingénieurs de
période p étant constituée par une électrode de largeur a et d’un Thomson-CSF [1]. Elle a donné naissance à une famille de filtres
espace interélectrode b. passe bande, à configuration dite « classique » dont la réponse
L’analyse d’une telle structure [15] montre qu’elle se comporte est très proche de celle d’un filtre numérique transversal classi-
approximativement comme un filtre à réponse impulsionnelle FIR que non récursif à réponse impulsionnelle finie (FIR : Finite
(Finite Impulse Response ). Cette réponse est la convolution des impulse response ). Typiquement, ils ont une bande passante
réponses des deux transducteurs, elle est entièrement contrôlée relative large (1 à 20 %), une perte d’insertion relativement éle-
dans le domaine temporel par le dessin des transducteurs fixant vée (> 20 dB), mais des caractéristiques de phase et d’amplitude

S l’échantillonnage (position des électrodes) et la pondération


(recouvrement entre électrodes). Un exemple de réponse de ce
type de structure est présenté sur la figure 3 où l’on remarque la
très précises. L’application majeure de cette configuration fut
introduite dès 1975 [2] pour les récepteurs de télévision couleur.
Vingt ans plus tard pas un téléviseur, pas un magnétoscope, pas
bande passante à transition extrêmement raide avec une perte un modulateur/démodulateur de télévision ne saurait se passer
d’insertion élevée (21 dB). de ce petit composant qu’aucune autre technologie n’est actuel-
lement capable de concurrencer. Plusieurs principes ont été
introduits pour réduire la perte d’insertion élevée de cette struc-
ture. Le premier principe, proposé en 1970, est celui de la struc-
ture à résonateur [3] dit CRF. Des progrès essentiels de
conception ont été faits, d’abord en 1976-1977 [4], [5] puis en
1981 [6] [7], permettant la maîtrise de leur fonction de transfert.
Plus récemment, en 1994, des conceptions dites ladder [27] et
Transducteurs balanced bridge [28] de fonctionnement similaire à celui des fil-
bidirectionnels
tres à onde de volume ont encore permis des gains de taille
Absorbeur Signal d'entrée Absorbeur
significatifs. Bien que limité à des bandes passantes faibles
( < 1 %), ils sont maintenant largement utilisés en télécommuni-
cations mobiles et constituent la seconde catégorie de filtres à
Trajets ondes de surface à être fabriqués en grande série. Un autre prin-
multiple
cipe est celui dit à transducteur « unidirectionnel », dont la pre-
τ mière configuration proposée en 1975 fut la structure à trois
phases [8] [9] qui a été abandonnée à cause de sa technologie
3τ trop compliquée (plusieurs niveaux de métallisation, difficulté
d’équilibrer les phases). C’est en 1976 que fut introduit le prin-
(2N + 1) τ cipe d’un transducteur unidirectionnel à une seule phase dit
SPUDT [10] [11] [12]. Cette structure simple à un seul niveau de
métallisation a donné naissance à une famille de filtres de type
Substrat piézo-électrique transversal à réponse impulsionnelle finie (FIR). Là encore des
progrès très significatifs de modélisation ont été faits permet-
tant une maîtrise très précise de la fonction de transfert avec
Signal de sortie des configurations originales, par exemple les DART [13] [14]
τ 3τ (2N + 1) τ
mais aussi bien d’autres qui, en fait, sont une combinaison de
structure transversale et de structure à résonateur et dont
τ temps de transit à travers le filtre l’approche conceptuelle s’éloigne radicalement des FIR comme
cela sera développé dans le texte. Cette famille de filtre à faible
perte, basée à la fois sur des combinaisons de transducteurs
unidirectionnel et de résonateurs est la principale utilisée
Figure 1 – Structure « classique » d’un filtre à deux transducteurs aujourd’hui pour le filtrage et la sélection de canal en fréquence
bidirectionnels intermédiaire (FI) ainsi que le filtrage des bandes HF émission/
réception des terminaux de radiotéléphone mobile (normes
GSM, DCS, CDMA, PCS, ...).

p = λ/2 1.1 Problème du « trajet triple »


Électrodes
a b
De conception même la structure de la figure 1 est le siège de
Substrat piézo-électrique
trajets multiples provenant de l’énergie réfléchie sur les deux
transducteurs qui sont bidirectionnels, c’est-à-dire qui émettent de
l’énergie dans les deux sens à gauche et à droite.
Ces réflexions arrivent avec des temps de propagations diffé-
Figure 2 – Transducteur à deux électrodes par longueur d’onde rents. Si le temps de transit à travers le filtre est τ, le premier signal

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0 dB
Atténuation (dB)

20 21 dB
– 3 dB – 3 dB

40 – 6 dB – 6 dB – 6 dB

60
Figure 5 – Coefficients de diffraction d’un trois-port adapté
sur un seul port
80

65 70 75
l’accorder simultanément sur ses trois entrées sans perte d’inser-
Fréquence (MHz)
tion. Cela a, bien sûr, des conséquences importantes sur la concep-


a réponse large bande tion de ces dispositifs. Pour comprendre pourquoi, considérons la
matrice de diffraction d’un trois-port :
Atténuation (dB)

Phase (degré)

0 b1 S 11 S 12 S 13 a 1
20
b 2 = S 21 S 22 S 23 a 2 (1)
5 b3 S 31 S 32 S 33 a 3
10

avec le principe de réciprocité :


10 0
Sij = Sji (2)
– 10 De plus, pour un système non dissipatif, la conservation de
15
l’énergie impose :
– 20 [S ]t [S ] = [1] (3)
20 où t[] est la matrice transposée.
69 70 71
Fréquence (MHz) Pour une conversion optimale d’énergie électrique en énergie
acoustique, l’entrée électrique doit être parfaitement accordée à
b réponse bande étroite l’impédance de la source de façon à annuler la réflexion, ce qui
implique l’utilisation d’un circuit LC. Nous avons alors :
Figure 3 – Réponses typiques d’un filtre SAW « classique » S11 = 0 (4)
En considérant un transducteur symétrique, c’est-à-dire :
S21 = S31 (5)

a1 b1 S22 = S33 (6)


et en choisissant correctement les plans de référence des entrées
la matrice de diffraction s’écrit simplement :
a2 a3
[S ]
b2 b3 0 1⁄ 2 1⁄ 2
S = 1 ⁄ 2 1 ⁄ 2 –1 ⁄ 2 (7)

1 ⁄ 2 –1 ⁄ 2 1 ⁄ 2
Figure 4 – Matrice de diffraction représentant une section
de transducteur
Cette matrice de diffraction est valable pour toute structure trois-
port symétrique, réciproque et non dissipative.
Ainsi la perte d’insertion d’un transducteur symétrique est de
réfléchi arrive à 3τ, les suivants arrivent avec des décalages suc- 3 dB (soit 1 ⁄ 2 en amplitude) sur chaque port acoustique, le
cessifs de 2τ. Le premier de ces signaux réfléchis s’appelle donc le signal réfléchi est de – 6 dB (soit 1/2 en amplitude) de même que
« trajet triple » et il perturbe notablement la réponse attendue du la transmission entre les deux ports acoustiques est de – 6 dB. Cela
filtre. Dans la conception classique des filtres, la seule solution est illustré sur la figure 5. Ce coefficient de réflexion sur les ports
pour le réduire à un niveau acceptable est de désadapter l’entrée acoustiques dont nous allons voir l’origine dans le paragraphe 1.2
électrique avec bien sûr comme conséquence une perte d’insertion est le principal problème de conception des filtres SAW à faible
élevée, généralement 20 dB ou plus (figure 3). L’origine théorique perte. Dans le paragraphe 2, nous allons voir comment ce pro-
de ce « trajet triple » est démontrée de la manière suivante. Le blème est contourné par les nouvelles architectures de transduc-
transducteur est un dispositif trois-port avec deux ports acousti- teur.
ques et un port électrique, comme schématiquement représenté
sur la figure 4. Lorsque l’on modélise le transducteur, il est souvent commode
de le diviser en plusieurs sections uniformes, chacune étant com-
Par rapport aux structures à un, deux ou quatre ports, celle à plètement caractérisée par les paramètres de diffraction. La des-
trois-port a une propriété unique à savoir qu’il est impossible de cription complète est obtenue par la cascade des sections,

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avant, c’est-à-dire que a ≠ λ /4 (pour le quartz avec une épaisseur de


métallisation de 2 %, l’optimum est obtenu pour a /p = 68 %)
u
i En pratique, les dispositifs doivent être conçus avec le taux de
métallisation a /p correspondant à la réflectivité maximale car dans
a1 a2
ce cas, l’épaisseur de métallisation requise est minimale et la
[P ] réflectivité du réseau est une fonction stationnaire du taux de
b1 b2 métallisation. Ces caractéristiques réduisent la sensibilité des dis-
positifs à la reproductibilité de fabrication.
Beaucoup de propriétés importantes d’un réseau réflecteur
Figure 6 – Matrice mixte [P ] d’une section de transducteur
s’expriment en fonction de K sans nécessiter de détail sur sa struc-
ture spécifique. Par exemple, le coefficient de réflexion Γ d’un
réseau uniforme de longueur Lλ est, à la condition de Bragg :
opération qui consiste à connecter les ports acoustiques et de faire
de même pour le port électrique. Parce que cette opération est |Γ |B = th(KL ) (9)
complexe, elle est grandement simplifiée par l’utilisation de la
matrice mixte P figure 6. Ainsi par rapport à un miroir optique ou micro-onde, une struc-
ture à réseau réflecteur d’onde de surface a les limitations
Les paramètres du transducteur sont reliés aux coefficients de la


suivantes :
matrice mixte [P ] par la relation suivante :
— la bande passante est étroite avec une bande d’arrêt égale
à ∆ƒ/ƒ0 = ± |K | λ /2π ;
b1 P 11 P 12 P 13 a 1 — la position effective du centre de réflexion à l’intérieur du
b2 = P 21 P 22 P 23 a (8) réseau est approximativement donnée par 1/(2|K | λ) ;
2
— l’amplitude et la phase de réflexion sont étroitement liées à la
i P 31 P 32 P 33 u fréquence de l’onde.

En comparant avec la matrice de diffraction S [relation (1)], nous


remarquons que les deux ports acoustiques sont toujours repré-
sentés par les paramètres S ; par contre, le port électrique est
représenté par la matrice d’admittance, ce qui simplifie la mise en
2. Configurations des filtres
cascade des sections, c’est-à-dire leur connexion en parallèle. à « faible perte »
Les configurations répondant à l’exigence dite « faible perte »
1.2 « Réflexion » sur un réseau sont basées sur trois types de techniques :
d’électrodes — transducteur unidirectionnel à une phase (SPUDT) ;
Les traits métalliques réalisés à la surface du substrat comme — transducteur interdigité imbriqué (IIDT) ;
représentés sur la figure 2 induisent toujours une réflexion d’onde, — solution à base de résonateur.
que ce soit dans le cas d’électrodes assurant une fonction trans- La catégorie SPUDT présente une bande passante modérée (0,3
duction (transducteur) ou le cas de bandes métalliques assurant à 5 %), une perte d’insertion comprise entre 5 et 10 dB ; ils sont
une fonction de réflexion (réseau réflecteur). Typiquement, ces dis- très flexibles et relativement proches des filtres « classiques ». La
continuités, que nous analysons ci-après, n’induisent qu’une catégorie IIDT présente elle une perte plus faible, typiquement infé-
réflexion d’énergie acoustique d’un maximum de quelques pour- rieure à 5 dB mais de faible possibilité de réjection hors bande pas-
cent. sante. Enfin, la catégorie résonateur présente une perte encore
La première raison en est qu’une perturbation de surface ne plus faible, une bonne réjection hors bande et ce pour une taille
réfléchit qu’une partie de l’énergie de l’onde de surface puisque très petite.
cette énergie n’est pas entièrement confinée en surface [16] [17].
La seconde raison est due à la diffusion d’énergie en onde de
volume par la structure réflective : une trop grande perturbation 2.1 Filtre à transducteurs
génère des ondes de volume donc des pertes ; la conséquence est unidirectionnels (SPUDT)
que l’on ne peut avoir que des perturbations de surface faible.
Ainsi pour créer une réflexion efficace, il est nécessaire de réaliser
un réseau d’électrodes, chacune de celles-ci n’ayant qu’une faible 2.1.1 Principe de fonctionnement
contribution à la réflexion. Aussi, contrairement aux dispositifs
optiques ou micro-ondes, il est impossible de réaliser une réflexion Un transducteur bidirectionnel auquel on associe un réflecteur
efficace du type « miroir » à large bande passante. Le réseau réflec- d’un seul côté n’émettra de l’énergie que du côté opposé (figure 7)
teur optimal emploie deux électrodes par longueur d’onde λ soit et deviendra ainsi unidirectionnel. En se référant à la figure 1, nous
une période élémentaire p égale à λ /2, la réflexion sur chaque élec- observons qu’en général une partie de l’énergie acoustique passe
trode s’additionne de façon cohérente à la fréquence de synchro- sous le premier transducteur et sort sur le port acoustique opposé.
nisme f0 = Vs /λ dite condition de Bragg (Vs étant la vitesse de Un réseau à deux électrodes par longueur d’onde est utilisé pour
l’onde de surface), le coefficient de réflexion élémentaire r est alors constituer une cavité résonante réfléchissante sur le port acousti-
maximal. que de sortie comme cela est schématisé sur la figure 7. À l’inté-
rieur de la bande d’arrêt du réseau réflecteur cela revient à charger
Un paramètre particulièrement important pour caractériser un le port acoustique par une basse impédance. La structure résul-
réseau réflecteur est son coefficient de réfléxion par longueur tante n’a effectivement que deux ports : un électrique et un
d’onde noté K. Pour un réseau uniforme à deux électrodes par acoustique, les deux pouvant être simultanément adaptés aux
longueur d’onde, c’est-à-dire a/p = 50 % (a = b = λ /4) (figure 2), impédances définies. Un réseau uniforme a deux électrodes par
|K | = 2 r . longueur d’onde est un réflecteur efficace comme démontré dans
Cependant, les discontinuités aux bords des électrodes donnent le paragraphe 1.2. L’approche conceptuelle est celle d’un filtre
naissance à des effets de second ordre affectant le coefficient de transversal utilisant typiquement une technique de synthèse à
réflexion, le maximum ne se produisant plus pour la condition ci- réponse impulsionnelle finie (FIR) numérique. Il est important que

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toutes les réflexions soient éliminées, aussi bien internes au trans-


ducteur qu’entre transducteurs. Cela est généralement accompli
par l’utilisation de trois ou quatre électrodes par longueur d’onde Réseau Signal Transducteurs Réseau
au lieu de deux. Le seul désavantage de cette dernière est l’aug- réflecteur d'entrée bidirectionnels réflecteur
mentation du facteur électrique Q du transducteur et il reste du
triple trajet provenant de la régénération électrique dans le trans-
ducteur lui-même.
Le grand handicap de cette approche est, par construction, sa
bande étroite puisque, comme mentionné au paragraphe 1.2, la
réponse du réseau réfléchissant est à bande étroite. De plus, le
centre du réseau et celui du transducteur ne coïncident pas, la τ
phase correcte pour la réflexion ne peut être maintenue que sur
une bande limitée. Cependant, la base conceptuelle est lancée et la
solution du problème est trouvée en incorporant des réseaux
réflecteurs à l’intérieur même des transducteurs (figure 8).
La figure 8a représente une électrode isolée de largeur a avec la Substrat piézo-électrique
ligne de transmission équivalente aux discontinuités acoustiques


(cela pour un cristal symétrique, dans le cas contraire la ligne sera
décalée par rapport au centre de l’électrode). Les admittances Y0 et
Y 0′ sont différentes à cause de la différence entre les conditions Signal de sortie
aux limites sur la surface libre et sur la surface métallisée. Une par-
tie imaginaire, la susceptance jB, doit être ajoutée pour tenir
compte de l’énergie piégée aux bords de l’électrode. Ainsi, le coef- Figure 7 – Suppression des trajets multiples
ficient de réflexion re sur le bord de l’électrode sera également par des réseaux externes
complexe.
Pour satisfaire le principe de réciprocité, le coefficient de
réflexion de la direction opposée est le complexe conjugué, c’est-
à-dire – r *e . Au centre de l’électrode, le coefficient de réflexion est
donné par :
re e jθ – r *e e–jθ = 2j |Re (re) sinθ + Im (re) cosθ | = j |Γ | (10) juΓ u juΓ u
avec θ = ka et k = 2π/λ.
θ est le retard de phase à travers l’électrode de largeur a et k est
le vecteur d’onde. Ce coefficient de réflexion est ainsi purement re – r *e
imaginaire pour les directions cristallographiques symétriques.
La sinusoïde α (x ) de la figure 8b représente la composante de a
base de la transformée de Fourier spatiale du potentiel électrique
appliqué au transducteur. Les extrêmas, pour lesquels le potentiel
est symétrique sont les centres de transduction. Pour des cristaux
symétriques, la phase relative des ondes se propageant en sens
inverse est soit 0o, soit 180o, dépendant de la référence prise (pour
simplifier l’exposé, la phase n’a pas été prise en compte dans le
paragraphe 1.2 concernant le phénomène de réflexion, mais bien
entendu celle-ci est critique dans la conception d’un transducteur Y0 Y0' Y0
unidirectionnel).
Pour illustrer comment des réflecteurs internes peuvent être
incorporés dans le transducteur pour lui donner une propriété uni- jB jB
directionnelle considérons la sinusoïde K (x ) de la figure 8b. Dans
cette structure, les centres de réflexion sont déplacés de λ /8 par
rapport aux centres de transduction. Dans cette position, le coeffi-
cient de réflexion est purement imaginaire et de signe opposé pour a réflexion d'une électrode isolée
les deux sens. Dépendant du signe du coefficient de réflexion au
bord re , cela entraîne pour l’énergie rayonnée une interférence
constructive dans une direction et destructive dans l’autre a a
direction. Un transducteur basé sur ce principe de fonctionnement jur u jur u
est appelé Single-Phase Unidirectional Transducer (SPUDT) ou λ
α (x)
aussi Distributed Acoustic Reflection Transducer (DART). Toutefois,
ce transducteur n’est pas complètement unidirectionnel, le rapport K (x)
entre l’énergie rayonnée dans la direction préférentielle et celle
rayonnée dans le sens inverse s’appelle la directivité. Pour un x
transducteur uniforme de longueur Lλ ayant un coefficient de
réflexion uniformément distribué, la directivité optimale est égale
λ/8
en dB à :
D = e2KL ≅ 8,69KL (11) b positionnement relatif des centres de transduction et réflexion
Si l’entrée électrique est parfaitement adaptée, la perte d’inser-
tion PI correspondante en dB est :
Figure 8 – Principe de fonctionnement d’un transducteur
PI = 10 lg(1 + e–2KL ) (12) unidirectionnel

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continu de nouvelles configurations [17] [18] [19] [20] [21] [22]


Ce transducteur quasi unidirectionnel génère un peu de trajet [23] [24] dont les plus intéressantes à ce jour sont décrites ci-
triple indésirable. Pour réduire ce dernier, on introduit une après.
petite désadaptation sur l’entrée électrique, ce qui a pour effet
une adaptation parfaite sur le port acoustique, donc annule le 2.1.2.1 Différents types de transducteur SPUDT
trajet triple. Dans ce cas, la perte d’insertion est plus
importante ; elle est égale en dB à : La figure 9 montre les cinq principales configurations de trans-
IL = – 10 lg(1 – |S11|) (13) ducteur SPUDT. La différence entre chaque est assez subtile, le
choix de l’une ou l’autre relevant plus de considérations personnel-
avec S11 coefficient de réflexion sur le port électrique. les du concepteur que des performances qui sont très voisines.

Dans les transducteurs conventionnels, le problème de la


conception est de déterminer l’optimum de la fonction de pondé-
ration. Pour le transducteur unidirectionnel, le problème est plus
complexe puisque, de plus, il est nécessaire de conserver le plus
possible la directivité, c’est-à-dire l’optimum des fonctions de λ/16 3 λ/16
réflexion sur toute la bande passante du filtre. À partir de la –
λ/8 – λ/8 + +


matrice de diffraction, on peut montrer que le coefficient de diffrac-
tion sur le second port s’exprime par :
2 Transducteur Section périodique
S 21
S22 = Γ + ------------------ (14) a hanma
1 + S 11
avec Γ coefficient de réflexion du transducteur en court-circuit.
Le second terme provient de la régénération électrique, respon-
sable d’ailleurs de la réflexion trajet triple d’un transducteur
conventionnel. 3 λ/8 λ/8 λ/8 λ/8 λ/8 λ/8
L’objet de la synthèse pour la fonction de réflexion est de déter- – + –
miner une pondération distribuée de sorte que l’on ait :
2
– S 21 Transducteur Section périodique
Γ Q ------------------ (15)
1 + S 11
b DART
sur la totalité de la bande passante du filtre. Dans le cas où cette
condition est réalisée, la phase locale du coefficient de réflexion
par rapport à la transduction est relativement constante et du
même signe pour tout le transducteur. Il en résulte que les 3 λ/16 3 λ/16
réflexions acoustiques se font majoritairement dans la même λ/4 λ/8 λ/8 λ/8
direction. Ainsi, la réponse impulsionnelle du transducteur unidi-
rectionnel est proche de celle d’un filtre transversal conventionnel. – + –
Même pour un transducteur ayant une pondération uniforme et
donc pour un « trajet triple » minimal, les réflexions internes distri- Transducteur Section périodique
buées doivent être pondérées spatialement. Une structure capable
de réaliser une pondération complexe du coefficient de réflexion c EWC
est préférable car elle est généralement plus flexible. En comparant
l’équation (12) et les équations (13) et (15), nous trouvons que,
sous ces conditions l’amplitude du coefficient de réflexion acousti- Nλ
que en court-circuit peut être exprimée en fonction des pertes g1 g2 g3
a a a a a
d’insertion par la relation :
– + – – –
|Γ | ≅ 1/(2 × 10PI/10 – 1) (16)
Puisque les réflexions internes accroissent la réponse temporelle M électrodes
du filtre, la fonction de transduction doit alors être modifiée. Cela
modifie en fait la fonction de réflexion requise à partir de l’équa-
tion (15). Ainsi, en pratique, et cela est surtout vrai pour les confi- Transducteur exemple Section exemple
gurations les plus récentes (cf. § 2.1.2), il est impossible de séparer d dithered
les fonctions transduction et réflexion. C’est pourquoi la synthèse
d’un filtre à transducteur unidirectionnel requiert généralement
une approche itérative. λ/12 λ/12
+ 0 ` – 0 ` +
2.1.2 Structures pratiques
L’idée d’utiliser la réflexion sur les électrodes internes pour 0 court-circuit
supprimer le parasite de « trajet triple » a été proposée en 1976 ` circuit ouvert
[10], avec une configuration à deux largeurs d’électrodes, a = λ /16
et 3λ /16. La directivité n’était pas optimale car le centre de Transducteur Section périodique
réflexion n’était pas décalé de la valeur théorique optimale λ /8, e FEUDT
mais l’idée était lancée. Les structures réellement opérationnelles
ne sont apparues qu’en 1982 [11] suivies d’un développement Figure 9 – Exemples de transducteur SPUDT

Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite.
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Acousto-optique et composants
associés

par Jean-Claude KASTELIK


Professeur des universités, Ingénieur ISEN
IEMN, Université Polytechnique Hauts-de-France et CNRS, Valenciennes, France

et Vincent LAUDE
Directeur de recherche CNRS, Ingénieur École Supérieure d’Optique
Institut FEMTO-ST,
Université de Bourgogne Franche-Comté et CNRS, Besançon, France

1. Bases théoriques ............................................................................. E 1 955v2 – 2
1.1 Fondements de l’interaction acousto-optique .................................. — 2
1.2 Introduction à l’effet photoélastique ................................................. — 2
1.2.1 Ondes élastiques ..................................................................... — 2
1.2.2 Ondes optiques ........................................................................ — 3
1.2.3 Effet photoélastique ................................................................ — 3
1.3 Notions de diffraction ........................................................................ — 4
1.3.1 Équations de propagation : décomposition en modes
normaux ................................................................................... — 4
1.3.2 Régimes d’interaction .............................................................. — 5
1.4 Géométrie d’interaction, accord de phase ........................................ — 6
1.4.1 Diffraction à un seul ordre ...................................................... — 6
1.4.2 Rendement de diffraction ........................................................ — 8
1.4.3 Bande passante fréquentielle .................................................. — 9
1.4.4 Sélectivité spectrale et acceptance angulaire ......................... — 10
1.5 Matériaux, facteurs de mérite ............................................................ — 12
2. Composants acousto-optiques ..................................................... — 14
2.1 Classification des composants acousto-optiques ............................. — 14
2.2 Modulateurs ....................................................................................... — 15
2.2.1 Principe de fonctionnement .................................................... — 15
2.2.2 Applications ............................................................................. — 16
2.3 Déflecteurs .......................................................................................... — 17
2.4 Filtres accordables ............................................................................. — 20
3. Conclusion........................................................................................ — 22
4. Glossaire ........................................................................................... — 23
5. Symboles .......................................................................................... — 23
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. E 1 955v2

’acousto-optique désigne la science et les techniques par lesquelles une


L onde acoustique peut être utilisée pour altérer la propagation d’une onde
optique. Les composants acousto-optiques de volume décrits dans cet article
reçoivent en entrée un signal électrique radio-fréquence qui, par l’intermédiaire
d’un transducteur piézoélectrique, permet la génération d’une onde acoustique.
Une onde optique incidente, souvent issue d’une source laser, est diffractée par
le réseau d’indice accompagnant l’onde acoustique en raison de l’effet photo-
élastique. Le rendement de diffraction, qui peut atteindre 100 % sous des condi-
tions optimales, est accompagné d’un décalage de fréquence optique égal à la
p。イオエゥッョ@Z@ッ」エッ「イ・@RPRP

fréquence acoustique. Les composants acousto-optiques sont couramment

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ACOUSTO-OPTIQUE ET COMPOSANTS ASSOCIÉS ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

utilisés pour réaliser des modulateurs d’intensité ou de phase, des décaleurs de


fréquence, des déflecteurs programmables, ou encore des filtres accordables.
Le domaine optique couvert va de l’ultra-violet à l’infrarouge moyen, tandis
que les fréquences acoustiques sont de l’ordre de quelques dizaines de MHz à
quelques GHz, sans autre limite théorique que les pertes de propagation opti-
ques et acoustiques. Cet article présente dans un premier temps les fondamen-
taux de la modélisation de l’interaction acousto-optique, en se limitant au cas le
plus simple de l’interaction d’ondes planes de volume, mais en considérant les
effets de l’anisotropie optique et acoustique dans les cristaux communément
considérés, notamment la paratellurite. Dans un second temps, une description
technique de chacune des grandes classes de dispositifs est présentée : modu-
lateurs, déflecteurs et filtres accordables. Pour chacune de ces applications, les
règles de conception essentielles sont explicitées, et les caractéristiques et les
limitations sont illustrées par des exemples.
Le lecteur trouvera en fin d’article un glossaire, ainsi qu’un tableau des sym-
boles utilisés.


espacés d’une longueur d’onde L). Un faisceau optique incident de
1. Bases théoriques diamètre D, par exemple issu d’une source laser, est diffracté par le
réseau d’indice accompagnant l’onde élastique ; cette diffraction
consiste à la fois en un changement de direction de propagation et
en un décalage de fréquence. La figure montre un faisceau optique
1.1 Fondements de l’interaction acousto- incident avec l’angle de Bragg θB, qui assure un rendement de diffrac-
optique tion maximal dans le premier ordre de diffraction sous le même
angle. Toutes ces notions sont définies plus précisément dans la
La propagation d’une onde élastique ou acoustique dans un suite. Pour des ouvrages généraux couvrant le domaine de
milieu transparent, par exemple la succession des contractions et l’acousto-optique et de ses applications, nous référons le lecteur aux
des dilatations mécaniques accompagnant une onde longitudinale, ouvrages de la bibliographie présentée en fin de cet article [2] [3].
est associée à une variation locale de l’indice de réfraction du maté-
riau. Il en résulte une modulation spatio-temporelle de l’indice et la
zone parcourue par l’onde élastique se comporte alors comme un 1.2 Introduction à l’effet photoélastique
réseau mobile de phase ; c’est l’effet photo-élastique. L’étude
mathématique peut être menée suivant deux points de vue com- 1.2.1 Ondes élastiques
plémentaires. Le point de vue classique des ondes conduit à des
résultats similaires à celui des réseaux optiques, notamment en ce Les ondes élastiques dans les solides sont décrites dans
qui concerne la diffraction des ondes lumineuses. Contrairement l’approximation linéaire par un vecteur champ de déplacement u
aux réseaux fixes, cependant, le réseau mobile se propage à la variant en temps et en espace. Les déformations associées à
vitesse de l’onde élastique et induit un décalage de fréquence l’onde élastique sont exprimées par le tenseur symétrique de
optique que l’on peut assimiler à l’effet Doppler. Le point de vue rang 2 sans dimension :
quantique consiste à considérer qu’un corpuscule de lumière, le
photon, qui interagit avec un corpuscule vibratoire, le phonon 1 ⎛ ∂uk ∂ul ⎞
Skl = + (1)
acoustique, est diffusé inélastiquement pour donner un autre pho- 2 ⎜⎝ ∂x l ∂x k ⎟⎠
ton. Les conservations de l’impulsion et de l’énergie lors de l’inter-
action trouvent leurs parallèles dans les notions classiques
d’accord de phase et de décalage de fréquence. Les deux points Plan d’onde
de vue sont parfaitement compatibles et conduisent aux mêmes acoustique
résultats. Le point de vue quantique a été utilisé en premier histori- W
quement (voir le premier chapitre de Korpel [1] pour un aperçu Λ
historique des évolutions des idées sur le sujet). Le point de vue
classique, qui permet d’obtenir des résultats numériques plus aisé- Faisceau Faisceau
ment, est employé exclusivement dans cet article. lumineux D lumineux
incident diffracté
Le schéma de la figure 1 résume les caractéristiques essentielles
d’un modulateur acousto-optique. Le milieu d’interaction est généra- θB θB
lement un solide, cristallin ou non. À une face plane de ce milieu est
collé un transducteur piézoélectrique qui, dans sa version la plus sim-
ple, est une plaque mince d’un matériau piézoélectrique dont les
faces les plus longues sont métallisées. L’épaisseur de la plaque
mince est choisie typiquement en proportion inverse de la fréquence
acoustique. Le transducteur communique au milieu d’interaction ses Transducteur
piézoélectrique
déformations mécaniques et engendre un faisceau acoustique, qui
ressemble en première approximation à une onde plane propagative
(les plans d’onde acoustiques sont figurés par des traits parallèles Figure 1 – Schéma de principe d’un composant acousto-optique

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–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– ACOUSTO-OPTIQUE ET COMPOSANTS ASSOCIÉS

Pour la plupart des solides, le régime linéaire est limité aux défor- Cette équation se simplifie dans le cas d’une onde plane lumi-
mations inférieures à 1 %, typiquement. On introduit également le neuse en :
tenseur des contraintes Tij, symétrique et de rang 2, qui permet
d’exprimer les forces par unité de surface internes au solide dans
la direction Nj par la traction Tij Nj. Il faut noter que nous adoptons
(Bij − Bkj Nk Ni )U j = n2U(Ni ) (6)
dans tout cet article la convention d’Einstein de sommation impli-
cite des indices répétés. En régime linéaire, contraintes et déforma- avec N vecteur unitaire dans la direction de propaga-
tions sont proportionnelles ainsi que l’exprime la loi de Hooke : tion lumineuse,
U vecteur unitaire parallèle au vecteur D et cor-
Tij = cijkl Skl (2)
respondant à la direction de polarisation.
avec cijkl tenseur des rigidités. La dernière équation définit un problème aux valeurs propres,
aisément soluble numériquement et qui donne deux valeurs possi-
La relation fondamentale de la dynamique s’exprime dans le bles de n2(N) dans chaque direction de propagation. Dans le cas
solide et en l’absence de forces extérieures par : des cristaux uniaxes positifs souvent utilisés en acousto-optique,
l’axe x3 est un axe de révolution pour l’ellipsoı̈de des indices
∂2u
div (T ) = ρ (3) d’équation :
∂t2


x12 + x 22 x 32
avec r masse volumique du solide. + =1 (7)
n02 ne2
Nous considérons par la suite le plus souvent que l’onde élas- avec n0 et ne indices optiques « ordinaire » et « extraordinaire » cor-
tique est plane et harmonique. Dans ce cas, u est sinusoı̈dal : respondant aux deux modes propres de propagation polarisés
orthogonalement D0 et De. Ceux-ci sont déterminés, pour une direc-
u = u0 cos ( Ωt − K ⋅ r ) tion donnée N d’angle θ par rapport à l’axe optique, en coupant
l’ellipsoı̈de de révolution de la figure 2a par un plan contenant l’ori-
avec W et K respectivement pulsation et vecteur d’onde, gine du repère et perpendiculaire à N. L’intersection donne une
r rayon vecteur, ellipse dont le demi petit axe donne la direction de D0 d’indice n0,
et le demi grand axe donne la direction de De d’indice n(θ) compris
u0 polarisation de l’onde, vecteur à 3 composantes entre n0 et ne, comme indiqué sur la surface des indices de la
d’espace. figure 2b. On introduit également la biréfringence Dn = ne - n0.
Comme celle-ci est inférieure d’au moins un ordre de grandeur
Pour les ondes planes harmoniques, la relation de dispersion est devant les indices ordinaire et extraordinaire, une approximation
donnée par l’équation de Christofell : utile souvent rencontrée pour l’indice est :

Γil u0l = ρV 2 u0i avec Γil = cijkl N j Nk (4) n (θ ) ≈ n0 + Δn sin2 θ

Cette équation aux valeurs propres de rang 3 définit 3 valeurs 1.2.3 Effet photoélastique
distinctes de la vitesse des ondes élastiques V pour chaque direc-
tion de propagation N (un vecteur unitaire porté par K). Les 3 vec-
teurs propres u0 sont orthogonaux et définissent 3 ondes élastiques La propagation des ondes acoustiques provoque une faible
pour chaque direction. Parmi ces 3 ondes, une est généralement perturbation des paramètres optiques du matériau. Cet effet
quasi longitudinale et deux sont quasi transverses. photoélastique est généralement représenté par la perturbation
des éléments du tenseur d’impermittivité diélectrique relative Bij,
Cette section ne donne que les éléments strictement nécessaires ce qui s’écrit dans une approximation linéaire :
à la compréhension des équations de l’acousto-optique qui suivent.
Dans la suite de cet article, nous supposons les vitesses et les pola- ΔBij = pijkl Skl avec i , j , k , l = 1… 3 (8)
risations des ondes élastiques connues. Bien plus peut être dit à
leur propos, cependant, pour approfondir le sujet des ondes élasti- ou en notation contractée :
ques dans les solides, le lecteur peut se référer par exemple à l’ar-
ticle [E 3 210] ou à des ouvrages spécialisés pour un traitement plus ΔBα = pαβ S β avec α , β = 1… 6
complet du sujet [4] [5].
avec pijkl tenseur élasto-optique symétrique pour les
1.2.2 Ondes optiques paires d’indices (ij) et (kl).

Dans un milieu anisotrope linéaire supposé sans perte, le vec-


teur déplacement électrique D associé à une onde lumineuse La perturbation d’impermittivité diélectrique peut donc être
plane est transversal, contrairement au champ électrique E. On uti- considérée comme un coefficient de couplage s’exprimant sous la
lise alors ce vecteur dans les équations décrites généralement à forme du produit d’un coefficient photoélastique p par une défor-
partir du tenseur de rang 2 de permittivité diélectrique relative er. mation S (DB = pS). À partir de la relation n2 = er liant l’indice
Mais, pour étudier la propagation lumineuse, son inverse B, appelé optique et la permittivité diélectrique relative, la variation d’imper-
impermittivité diélectrique, se révèle d’un usage plus commode.
Il faut alors résoudre l’équation différentielle de propagation sui-
( ) ( )
mittivité ΔB = Δ εr−1 = Δ n −2 induit une variation d’indice Dn faible
par rapport à l’indice moyen, de la forme :
vante, exprimée dans un repère orthonormé de coordonnées
(x1, x2, x3), où c = 3.108 m.s-1 est la célérité de la lumière dans le 1
vide : Δn = − n 3 pS (9)
2
∂ ⎛ ∂Bij ∂Bkj ⎞ 1 ∂2Di Si le matériau présente de plus des propriétés piézoélectriques,
⎜ − ⎟ Dj = 2 , i , j , k = 1… 3 (5)
∂x k ⎝ ∂x k ∂x i ⎠ c ∂t 2 une variation des constantes diélectriques est à prendre en consi-
dération en raison de l’effet électro-optique ; c’est le cas, par

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x3
ne N N3 N

θ n(θ)

n(θ) De
n0 N1,2

x1 n0 ne
D0

n0
x2

S a ellipsoïde des indices b surface des indices ordinaire et extraordinaire

Figure 2 – Détermination des indices ordinaire et extraordinaire dans un matériau uniaxe positif

exemple, du niobate de lithium (LiNbO3). Pour la majorité des


autres matériaux, dont la paratellurite (TeO2), cristal très largement
utilisé dans la pratique, cet effet électro-optique peut être négligé
(voir exemple ci-dessous). IK
k (I,2)
Exemple : effet photoélastique dans la paratellurite α=2
Pour une onde longitudinale se propageant suivant l’axe x3, seule la X (I )
composante S3 est non nulle. Pour la paratellurite, qui appartient à la
classe cristallographique 422, le tenseur photoélastique s’écrit en
k(0,1) k(I, 1)
notation contractée :
α=1
⎛ p 11 p 12 p 13 0 0 0 ⎞
⎜ ⎟
⎜ p 12 p 11 p 13 0 0 0 ⎟
⎜p p 31 p 33 0 0 0 ⎟
⎜ 31 ⎟
⎜ 0 0 0 p 44 0 0 ⎟
⎜ ⎟
⎜ 0 0 0 0 p 44 0 ⎟
⎜ ⎟
⎜⎝ 0 0 0 0 0 p 66 ⎟⎠

Pour une onde lumineuse se propageant suivant l’axe x2 et polari- Figure 3 – Diagramme des vecteurs d’onde pour l’ordre diffracté I
sée ordinairement, la variation d’impermittivité se réduit à :
valeur relative très inférieure à 1 suggèrent pour le vecteur déplace-
ΔB2 = p23S3 = p13S3 ment D une décomposition en modes normaux D(I,a) du milieu
non perturbé. Physiquement, le réseau mobile créé par l’onde élas-
d’où une variation d’indice d’ordre de grandeur 10-5 : tique diffracte la lumière incidente dans des directions distinctes
repérées par l’indice I. L’anisotropie du matériau se traduit, pour
1
Δn = − no3 p13 S3 chaque ordre diffracté, par deux modes normaux de propagation
2 repérés par le paramètre a = 1 ou 2, ce qui conduit à l’expression :

+∞ 2

1.3 Notions de diffraction D= ∑ ∑ D (I,α ) (10)


I =−∞ α =1

1.3.1 Équations de propagation : décomposition Cette décomposition est illustrée par le diagramme des vecteurs
en modes normaux d’onde de la figure 3 où apparaissent les courbes correspondant
Pour établir les équations générales de l’interaction, nous consi- aux lieux des vecteurs d’onde pour les polarisations lumineuses
dérons le cas d’une onde élastique plane et de fréquence pure, ce ordinaire (a = 1) et extraordinaire (a = 2). Pour simplifier, la polari-
qui permet d’écrire la variation d’impermittivité sous la forme : sation du faisceau lumineux incident (I = 0) coı̈ncide avec le mode
de polarisation ordinaire a = 1. Si tel n’est pas le cas, la solution
ΔBij = bij cos ( Ωt − K ⋅ r ) générale peut toujours se mettre sous la forme d’une somme de
deux solutions indépendantes par décomposition de l’onde inci-
Les termes d’amplitude bij sont déterminés à partir de l’équa- dente en deux modes propres. En général, pour un ordre I donné,
tion (8). L’harmonicité de la perturbation de l’impermittivité et sa deux interactions peuvent se produire suivant que la polarisation

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–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– ACOUSTO-OPTIQUE ET COMPOSANTS ASSOCIÉS

du mode diffracté correspond ou non à celle du mode incident, ce & Au cours de l’interaction, la puissance lumineuse, répartie sur les
qui définit les deux types d’interaction possibles : isotrope (a = 1 différents ordres diffractés, reste constante (théorème de Manley et
d’indice de réfraction n(I,1)) ou anisotrope (a = 2 d’indice de réfrac- Rowe) et égale à la puissance lumineuse incidente. On peut ainsi
tion n(I,2)). montrer que les équations peuvent se mettre sous une forme adap-
tée pour le calcul matriciel, à savoir la détermination des éléments
& Pour l’ordre diffracté I, on définit les vecteurs X (I) (ou N (I) après propres d’une matrice hermitienne. Cette méthode générale de réso-
normalisation) comme suit : lution, non présentée ici, a été décrite par plusieurs auteurs [6] [7].
Nous nous intéressons dans la suite au cas de la diffraction à un
X ( I ) = k (0,1) + IK (11) seul ordre, le plus souvent rencontré dans la pratique, et pour lequel
les solutions peuvent être écrites facilement sous forme analytique.
Le réseau se déplaçant à la vitesse de l’onde élastique, la pulsa-
tion w(I) de l’ordre diffracté I est décalée de IW par rapport celle de 1.3.2 Régimes d’interaction
l’onde lumineuse incidente w(0) :
La résolution des équations couplées suppose parfaitement
ω ( I ) = ω (0) + I Ω (12) connues les conditions de synchronisme pour chacun des ordres
diffractés. Pour un faisceau acoustique de longueur W dans la
Ceci nous donne l’expression des vecteurs d’onde diffractés : direction de propagation lumineuse, le déphasage D(I,a), paramètre
fondamental puisqu’en découlent les caractéristiques de l’inter-
ω (I ) (I ) action (nombre d’ordres diffractés, bande passante, rendement
k (I,α ) = n (I,α )

N (13)
d’interaction, etc.), est donné par l’expression :
c
Finalement, le mode normal D (I,a) pour l’ordre diffracté I peut Δφ( I , α ) = W Δk ( I , α ) (17)
s’écrire sous forme complexe :
Le calcul de cet asynchronisme de phase peut être mené de
1
(( ))
D ( I,α ) = f ( I,α )u ( I ) exp j ω ( I )t − k ( I,α ) ⋅ r U ( I,α ) + C .C
2
(14)
manière générale. Toutefois, des simplifications apparaissent dans
un certain nombre de cas. Ainsi, le régime de Raman-Nath est
obtenu pour une longueur d’interaction W suffisamment faible de
avec U (I,a) vecteur unitaire de polarisation, manière à négliger les déphasages d’un grand nombre d’ordres dif-
fractés. Ceci est illustré à la figure 4a : la variation sinusoı̈dale de
f (I,a)(u(I)) amplitude lentement variable à l’échelle de la
l’indice, engendrée par l’onde élastique, se traduit par une modula-
longueur d’onde,
tion de la phase de l’onde lumineuse incidente. Le faisceau lumi-
u(I) = r.N (I) coordonnée longitudinale, c’est à dire mesurée neux se propageant parallèlement aux fronts d’onde est séparé en
dans la direction de propagation, plusieurs ordres inclinés symétriquement par rapport au faisceau
incident d’un angle θI tel que :
C.C. abréviation pour complexe conjugué de l’expres-
sion qui précède. λ
sin θI = I (18)
Λ
Le calcul de l’amplitude d’un mode s’effectue en reportant
l’expression de D (I,a) dans l’équation de propagation (5) ; on peut avec l et L longueurs d’onde lumineuse et acoustique,
alors faire apparaı̂tre explicitement le couplage des modes, respectivement.
exprimé sous la forme de « termes sources » S liés aux 4 ordres
adjacents (2 ordres de 2 polarisations chacun).

df ( I,α )
Dans la pratique, le cas le plus intéressant est celui pour
∑ (S (I −1,α ) + S (I +1,α ) )
2
= (15) lequel les conditions de synchronisme sont réunies pour un
du ( I ) α =1 seul ordre diffracté I = ± 1 ; c’est le régime de Bragg nommé en
référence à la loi du même nom interprétant la diffraction des
rayons X dans un cristal. Celui-ci est obtenu pour une longueur
où S ( I ±1, α ) = −
4
n n (
j ( I , β ) ( I ±1,α ) 2
) (
k 0γ (α , β ) f ( I ±1,α ) u ( I ±1) ) W suffisamment grande et pour un angle d’incidence donné θB
λ
tel que sin θB =
(( ) )
comme illustré à la figure 4b.
exp j Δk ( I , β ) − Δk ( I ±1, α ) ⋅ r 2Λ

avec k0 norme du vecteur d’onde lumineux dans le vide, De plus, si l’interaction est isotrope, l’angle de diffraction est sim-
Dk(I,a) vecteur traduisant l’écart par rapport aux plement 2θB. Ce phénomène peut s’expliquer en divisant la zone
conditions de synchronisme de l’interaction en d’interaction acoustique en tranches minces perpendiculaires aux
référence à la figure 3 : fronts d’onde. Chacune de ces tranches se comporte alors en
régime de Raman-Nath fournissant une multitude de faisceaux dif-
fractés. Les interférences entre ces différentes sources sont destruc-
Δk ( I , α ) = k ( I , α ) − X ( I ) (16) tives pour tous les ordres, excepté le faisceau transmis direct et
l’ordre ± 1 selon la configuration. Cet effet cumulatif pour l’ordre 1
Pour tenir compte du caractère isotrope ou anisotrope de l’inter- et destructif pour les autres est d’autant plus marqué que le fais-
action, on a mis en évidence dans les termes sources une cons- ceau incident traverse davantage de plans d’onde.
tante de couplage g (a,b) telle que :

(
γ (α , β ) = bik Uk ( I −1, α ) Ui
( I, β)
)* Pour caractériser le régime de Bragg, Klein et Cook [8] ont
introduit le paramètre Q défini par :
Ainsi, pour une diffraction en milieu optiquement isotrope, on W
obtient g (a,b) = g scalaire. En revanche, une diffraction purement Q = 4π (19)
W0
anisotrope correspond à un changement de mode de polarisation
d’où le coefficient de couplage g (a,b) = g si a π b et 0 sinon.

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I
Fronts d’onde Ordres
acoustiques diffractés

+2
θI
+1

+1
θB 2θB
Faisceau
lumineux 0
incident
–1 0

–2
W<< W>>

S a régime de Raman-Nath
–I

b régime de Bragg

Figure 4 – Régimes d’interaction acousto-optique

l’acceptance angulaire par rapport à une interaction isotrope.


avec W0 longueur minimale du faisceau acoustique La figure 5 présente le diagramme des vecteurs d’onde dans les
au-delà de laquelle l’interaction en régime deux situations possibles : l’interaction isotrope ou l’interaction
de Bragg est obtenue (Q > 4p) : anisotrope permettant d’établir les conditions de synchronisme
2nV 2 parfait. L’onde lumineuse incidente de vecteur d’onde ki interagit
W0 = (20) avec l’onde élastique de vecteur d’onde K pour donner une onde
λf 2 lumineuse diffractée de vecteur d’onde kd. Au synchronisme, la loi
de conservation des vecteurs d’onde ki + K = kd (ou ki - K = kd en
On distingue 3 régimes d’interaction acousto-optique suivant
permutant simplement les deux ondes lumineuses) est respectée.
la valeur du paramètre Q :
– Q < 1 : régime de Raman-Nath caractérisé par des longueurs & Dans la configuration isotrope (figure 5a), la surface des indices
d’interaction et des fréquences faibles ; est une sphère, le triangle des 3 vecteurs est donc isocèle et les
– 1 < Q < 12 : régime qualifié d’intermédiaire et très peu utilisé angles incident et diffracté sont tous deux égaux à l’angle de
dans la pratique ; Bragg θB. Dans la pratique, θB est de l’ordre de quelques degrés,
– Q > 12 : régime de Bragg exploité dans la quasi-totalité des l’angle de déviation peut s’écrire :
applications de l’interaction acousto-optique.
λf
α = θi + θd = 2θB = (21)
V
Exemple : cas de la silice fondue
Pour une interaction de longueur W = 2 cm entre un faisceau laser avec f fréquence,
He-Ne à la longueur d’onde l = 633 nm et une onde ultrasonore de V vitesse de l’onde élastique.
fréquence f = 100 MHz se propageant dans de la silice fondue (indice
optique n = 1,6 ; onde ultrasonore longitudinale V = 5 900 m/s), Il s’ensuit une propriété importante de l’interaction acousto-
Q vaut 14,8 (en régime de Bragg). optique : l’angle de diffraction est proportionnel à la fréquence de
Par contraste, pour une fréquence f = 25 MHz, Q vaut 0,9 (en l’onde élastique.
régime de Raman-Nath).
Exemple : déflecteur en phosphure de gallium
Pour un déflecteur en onde longitudinale dans du phosphure de
1.4 Géométrie d’interaction, accord gallium GaP (V = 6 320 m/s) avec une bande de fréquence
Df = 500 MHz autour de la fréquence centrale f0 = 770 MHz, un fais-
de phase ceau lumineux à la longueur d’onde 0,633 mm est dévié dans une
plage angulaire comprise entre 52 et 102 mrad, soit plus de
1.4.1 Diffraction à un seul ordre 2,8 d’amplitude de déviation.
Dans beaucoup d’applications, on souhaite concentrer l’énergie & Dans la configuration anisotrope (figure 5b), la géométrie
lumineuse sur un seul ordre. Ainsi, la configuration de l’interaction
d’interaction n’est plus aussi simple puisque les normes des vec-
sera choisie de manière à ce que seul le premier ordre de diffrac-
teurs d’onde lumineux incident et diffracté sont différentes :
tion (I = ± 1) présente un déphasage négligeable. Ce type de fonc-
tionnement ou régime de Bragg a été tout d’abord appliqué dans kd2 = K 2 + ki2 − 2Kki sin θi
les milieux optiquement isotropes. Cependant, une interaction ani-
sotrope à un seul ordre diffracté dans un matériau biréfringent ki2 = K 2 + kd2 − 2Kkd sin θd
revêt de multiples intérêts. Le changement d’indice optique qui se
produit au cours de l’interaction autorise alors une certaine Les relations de dispersion donnent de plus :
souplesse dans la maı̂trise de l’asynchronisme de phase vis-à-vis
des performances attendues du composant final : augmentation ki = 2πni / λ0 , kd = 2πnd / λ0 et K = 2π / Λ = 2πf /V
de la bande passante, de la sélectivité spectrale ou encore de

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Cristaux phononiques
et métamatériaux acoustiques

par Sarah BENCHABANE


Chargée de Recherche CNRS
Institut FEMTO-ST, CNRS, Université de Bourgogne Franche-Comté,
Besançon, France

et Anne-Christine HLADKY-HENNION
Directrice de Recherche CNRS
CNRS, Centrale Lille, ISEN, Université Lille, Université Valenciennes, UMR 8520-IEMN,
Lille, France S
1. Cristaux phononiques .................................................................... E 2 212 – 2
1.1 Présentation générale ........................................................................ — 2
1.2 Cas unidimensionnel : le miroir de Bragg ........................................ — 3
1.3 Réseaux de Bravais et structures de bandes .................................... — 4
1.4 Dispersion des ondes dans les milieux périodiques ........................ — 5
1.5 Premières démonstrations expérimentales de bandes interdites
phononiques....................................................................................... — 5
1.6 Maı̂trise de la propagation des ondes acoustiques et élastiques .... — 5
1.6.1 Effet miroir : application au filtrage ........................................ — 6
1.6.2 Effet de cavités : guidage des ondes ...................................... — 6
1.6.3 Maı̂trise de la dispersion : l’exemple de la réfraction
négative ................................................................................... — 6
2. Cristaux phononiques à résonances locales : vers
les métamatériaux acoustiques ................................................... — 8
2.1 Bref historique et motivations ........................................................... — 8
2.2 Notion de résonances locales ............................................................ — 8
2.3 Milieu effectif et homogénéisation .................................................... — 9
3. Cristaux phononiques et métamatériaux acoustiques :
domaines d’applications................................................................ — 9
3.1 Introduction ........................................................................................ — 9
3.2 Prélude : considérations technologiques .......................................... — 10
3.3 Acoustique audible ............................................................................ — 10
3.4 Acoustique sous-marine .................................................................... — 11
3.5 Vibro-acoustique dans les transports ................................................ — 11
3.6 Télécommunications radiofréquences ............................................... — 12
4. Conclusion........................................................................................ — 13
5. Symboles .......................................................................................... — 13
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. E 2 212

es cristaux phononiques et les métamatériaux acoustiques ont été intro-


L duits il y a environ trois décennies et n’ont cessé depuis de susciter un inté-
rêt croissant. Ces termes se réfèrent à deux classes de matériaux synthétiques,
le plus souvent artificiellement structurés, présentant des propriétés acousti-
ques exceptionnelles, sans équivalent parmi les matériaux naturels inorgani-
ques à l’état massif. Le concept de cristal phononique a ainsi été proposé au
début des années 1990 comme un homologue acoustique des cristaux photoni-
ques, introduits quelques années auparavant pour les ondes électromagnéti-
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ques. Il repose sur la notion clé de bande interdite, analogue à celle de l’élec-
tronique, désignant une bande de fréquence dans laquelle la propagation des

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CRISTAUX PHONONIQUES ET MÉTAMATÉRIAUX ACOUSTIQUES ––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

ondes est contrariée, quelle que soit la direction du vecteur d’onde incident.
La bande interdite est ici induite par un réseau périodique artificiel bi- ou tridi-
mensionnel présentant une cellule unitaire de dimension commensurable à la
longueur d’onde acoustique. Si la présence d’une bande interdite dans les cris-
taux phononiques ouvre des perspectives d’applications pour le filtrage fré-
quentiel, il est aussi possible d’utiliser d’autres propriétés inhabituelles de ces
structures associées aux bandes passantes. Ce constat ouvre de manière plus
générale la voie au concept d’ingénierie de dispersion, qui cherche à exploiter
de manière plus globale la possibilité de structurer artificiellement des maté-
riaux pour en maı̂triser les propriétés. Les travaux menés en la matière ont
conduit à l’émergence des métamatériaux acoustiques ou élastiques. Les pro-
priétés particulières de ces matériaux artificiels peuvent leur être conférées par
l’existence de variations locales de leurs propriétés acoustiques ou encore par
l’utilisation d’éléments constitutifs présentant des résonances acoustiques ou
élastiques, dites locales, à des fréquences telles que la longueur d’onde effec-
tive dans le milieu ambiant est grande comparativement aux dimensions de ces


éléments. Ces résonances, souvent assez étroites, sont indépendantes de la
périodicité du réseau. Ces métamatériaux peuvent ainsi présenter, de manière
très avantageuse dans certains contextes, des dimensions caractéristiques bien
inférieures à la longueur d’onde. Ils sont alors le plus souvent considérés
comme étant des milieux de propagation homogènes et traités comme des
milieux équivalents, en général anisotropes, aux caractéristiques physiques et
mécaniques originales. L’exploitation des résonances locales dans les métama-
tériaux permet notamment d’agir directement sur la notion de masse effective,
qui conditionne des propriétés aussi fondamentales que le module d’Young du
matériau équivalent.
La physique mise en jeu dans ces cristaux phononiques et métamatériaux
acoustiques transcende les échelles. En effet, les ondes acoustiques ou élasti-
ques se traduisant comme des vibrations mécaniques se propageant de proche
en proche, elles s’observent aussi bien à l’échelle macroscopique des séismes
qu’à l’échelle nanoscopique de la vibration d’atomes dans un solide, en
balayant tout le spectre intermédiaire. Le corollaire immédiat de cette observa-
tion est que l’impact potentiel scientifique et technologique de ces matériaux
artificiels couvre aussi bien l’acoustique audible ou ultrasonore que le transport
thermique en passant par les télécommunications radiofréquences ou les
microsystèmes. La nature même de ces matériaux permet également de les étu-
dier sous un œil statique, à fréquence nulle, donc. Cette tendance plus récente a
connu un essor spectaculaire et ouvre cette fois-ci des perspectives dans le
domaine de la mécanique des matériaux architecturés.
Cet article vise donc à introduire quelques notions fondamentales nécessaires
à une compréhension générale des concepts de cristaux phononiques et de
métamatériaux acoustiques. Il s’efforce ensuite d’illustrer ces notions au travers
d’exemples représentatifs du potentiel applicatif de ces matériaux encore en
plein développement.
Le lecteur trouvera en fin d’article un tableau des symboles utilisés.

périodiques est un champ d’investigation ancien et commun à dif-


1. Cristaux phononiques férents domaines de la physique. Elle trouve son origine dans les
travaux menés à la fin du XIXe siècle et au début du XXe siècle,
notamment par Lord Rayleigh, W.H. et W.L. Bragg, Léon Brillouin
ou encore Félix Bloch sur la propagation d’ondes de différentes
1.1 Présentation générale natures. Elle intervient par exemple lors de l’étude de la propaga-
tion des vibrations à l’échelle atomique (appelées phonons) dans
Les propriétés originales des cristaux phononiques sont directe- un matériau cristallin, de la diffraction des rayons X ou des ondes
ment associées à la structure périodique de ces matériaux artifi- optiques en milieu solide ou liquide, des systèmes dits multicou-
ciels. L’étude de la propagation des ondes dans les structures ches ou super-réseaux, très prisés dans les domaines optiques

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– CRISTAUX PHONONIQUES ET MÉTAMATÉRIAUX ACOUSTIQUES

comme acoustiques ou encore de la physique des semi-conduc- subissent elles aucun déphasage. La figure 1 met en évidence les
teurs. Dans tous ces exemples, on retrouve la notion de bande interférences constructives des ondes réfléchies (ces ondes étant
d’arrêt ou de bande interdite, qui définit une gamme angulaire ou toutes déphasées d’un multiple pair de p par rapport à l’onde inci-
fréquentielle pour laquelle la propagation d’ondes adopte un carac- dente) suite aux divers passages des interfaces des milieux 1 vers 2
tère évanescent. Les propriétés de ces bandes interdites sont liées ou 2 vers 1 (illustration avec les ondes réfléchies 1, 2 et 3, suite aux
à la fois aux matériaux composant les structures périodiques et à réflexions aux interfaces). Ces ondes contribuent au coefficient de
leur arrangement géométrique, c’est-à-dire à la symétrie du réseau réflexion global du miroir. Ce coefficient de réflexion tend asympto-
et à la géométrie des inclusions. Un cristal phononique est donc un tiquement vers 1 à la fréquence-cible, quelle que soit la combinai-
matériau composite formé d’un réseau périodique d’inclusions son de matériau, pour peu que le nombre de couches alternées soit
insérées dans une matrice, permettant, par un jeu d’interférences suffisant. Le contraste d’impédance acoustique entre les deux
constructives ou destructives entre les ondes diffractées par les matériaux conditionne également l’efficacité du miroir, permettant
inclusions, de rejeter la propagation des ondes acoustiques et élas- d’atteindre un coefficient de réflexion plus élevé et une bande pas-
tiques à des longueurs d’onde, et donc à des fréquences, bien défi- sante plus large pour un nombre plus restreint de couches.
nies. Il s’agit d’une généralisation du concept centenaire du miroir
Dans ce cas simple, il est possible d’écrire explicitement la rela-
de Bragg, sur lequel nous revenons au paragraphe 1.2, à deux ou
tion de dispersion du miroir de Bragg, c’est-à-dire la relation exis-
trois dimensions. La notion de bandes interdites est ici l’analogue
tant entre la fréquence d’un mode de propagation et le nombre
acoustique des bandes interdites électroniques, dans les semi-
d’onde k effectif de la structure. On adoptera pour cela l’approche
conducteurs en particulier. Le formalisme associé met en jeu quel-
classique, qui consiste à considérer les ondes se propageant dans
ques notions fondamentales largement empruntées à la cristallo-


le matériau comme des ondes planes monochromatiques présen-
graphie et à la théorie électronique des solides que nous introdui-
tant une dépendance exponentielle de forme eikx avec i le nombre
sons également.
complexe (i 2 = - 1), x la position, k le rapport entre la pulsation w
(égale à 2pf, f la fréquence) et c la vitesse de propagation des ondes
1.2 Cas unidimensionnel : le miroir dans le matériau.
de Bragg On considère ainsi un miroir de Bragg constitué d’une succes-
sion de couches élastiques d’épaisseur hi (i = 1 ou 2). Ce miroir
Le premier exemple simple de structure permettant d’obtenir une peut être représenté comme une répétition de cellules élémentai-
bande interdite est celui du miroir de Bragg. Il s’agit d’une structure res, ou périodes, d’épaisseur a = h1 + h2. Le champ de déplacement
unidimensionnelle, consistant en une alternance de couches de sur- dans chacune des couches est écrit sous la forme d’une combinai-
faces parallèles entre elles, de deux matériaux d’impédance acous- son linéaire des ondes se propageant dans le sens des x croissants
tique Z (c’est-à-dire le produit de la masse volumique r par la et décroissants :
vitesse de propagation du son dans le matériau c) différente.
L’épaisseur de chacune des couches du miroir est choisie de façon ui ( x ) = Ai cos (ki x ) + Bi sin (ki x ) (1)
à ce que le déphasage de l’onde entre l’entrée et la sortie d’une
couche soit de p/2, conduisant à une épaisseur de la couche égale avec ki nombre d’onde dans le milieu i (i = 1 ou 2).
au quart de la longueur d’onde (l/4) à une fréquence cible donnée.
Le schéma de la figure 1 illustre le principe de fonctionnement de Cette écriture introduit 4 inconnues, les coefficients Ai et Bi.
ce miroir, dans le cas où le milieu 1 (bleu foncé) possède une impé- En définissant la contrainte Ti telle que :
dance acoustique inférieure à celle du milieu 2 (bleu clair). Dans ce
cas, l’onde réfléchie à l’interface entre le milieu 1 et le milieu 2 est ∂ui
Ti = ρi ci2
déphasée de p par rapport à l’onde incidente, alors qu’elle ne subit ∂x
pas de déphasage lorsque l’onde incidente se propage du milieu 2
vers le milieu 1. Les ondes transmises dans les deux cas ne avec ri densité dans le milieu i,
ci vitesse de propagation dans le milieu i,
c1 c2 < c1 c1 c2
la continuité des champs de déplacements ui et de la contrainte Ti à
l’interface entre deux couches (soit à x = 0) donne deux relations
π/2 liant les coefficients Ai et Bi.
Ensuite, en introduisant le nombre d’onde k, nombre d’onde
2π 3π/2 effectif de la structure périodique qui caractérise la propagation
r1 dans la succession de couches, la relation de phase ou de Bloch-
π/2 π Floquet est écrite pour le déplacement et pour la contrainte pour
deux points séparés spatialement d’une période, soit de (h1 + h2) :
2π 3π/2 π u1 ( − h1) = eik (h1 +h2 )u2 (h2 ) et T1 ( − h1) = eik (h1 +h2 )T2 (h2 ) (2)
r2

π/2 π 3π/2 Les équations (2) introduisent deux autres relations liant les coeffi-
cients Ai et Bi. Les relations obtenues fournissent ainsi un système de
4π 7π/2 3π 5π/2
4 équations à 4 inconnues dont la solution non triviale (c’est-à-dire
pour Ai et Bi non nuls) conduit à la relation de dispersion du miroir
r3 de Bragg sous la forme suivante :

1⎛ Z Z ⎞
cos k (h1 + h2 ) = cos (k1h1) cos (k 2h2 ) − ⎜ 1 + 2 ⎟ sin (k1h1) sin (k 2h2 ) (3)
Un miroir de Bragg met en jeu une succession de couches d'épaisseur 2 ⎝ Z 2 Z1 ⎠
égale au quart de la longueur d'onde à une fréquence cible donnée,
dans lesquelles l'onde acoustique se propage à des vitesses c1 et c2 avec Zi = rici impédance acoustique dans le milieu i.
respectivement. Les rn désignent les ondes réfléchies. Les déphasages
subis par l'onde lors de son passage à une interface sont indiqués.
Chacun des termes du membre de droite de la relation (3) est cal-
culé à chaque fréquence. La fonction inverse du cosinus permet
Figure 1 – Principe du miroir de Bragg alors de déterminer le nombre d’onde effectif k. La relation (3) met

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Capteurs acousto-électriques
radiofréquences – Modes
d’interrogation

par Jean-Michel FRIEDT


Enseignant à l’université de Franche-Comté,
Chercheur au département temps-fréquence de l’institut FEMTO-ST, Besançon, France

et Sylvain BALLANDRAS
Directeur général, frec|n|sys, Besançon, France

1. Principe de mesure ......................................................................... E 3 212v2 – 2
2. Architecture de la cible coopérative .......................................... — 3
2.1 Cible coopérative : le transducteur à ondes élastiques de surface .. — 3
2.2 Bilan de liaison ................................................................................... — 4
3. Électronique de mesure ................................................................. — 4
3.1 Approche impulsionnelle ................................................................... — 4
3.2 Approche à balayage de fréquence en onde continue ..................... — 7
3.3 Approche à pas de fréquences en onde continue ............................. — 8
3.4 Bilan sur les modes d’interrogation .................................................. — 8
4. Traitement du signal....................................................................... — 9
4.1 Balayage de fréquence pour l’identification de la fréquence
de résonance ...................................................................................... — 10
4.2 Méthode 3 points ............................................................................... — 10
4.3 Méthode 2 points ............................................................................... — 11
5. Principe de sensibilité : grandeurs accessibles ........................ — 11
5.1 Propriété intrinsèque versus extrinsèque ......................................... — 11
5.2 Conception du capteur ....................................................................... — 12
5.3 Conception du capteur : choix du substrat ....................................... — 14
6. Exemples d’application.................................................................. — 16
7. Conclusion........................................................................................ — 18
8. Glossaire ........................................................................................... — 18
9. Sigles et symboles .......................................................................... — 19
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. E 3 212v2

es dispositifs passifs interrogeables sans fil répondent au besoin qu’aucune


L autre technologie ne peut appréhender : fournir un signal représentatif
d’une grandeur physique au moyen d’un transducteur passif (sans source
d’énergie locale) dont les caractéristiques sont sondées à travers une liaison
radiofréquence. Ces capteurs sont déployés en environnement hostile dans les-
quels une source d’énergie ne saurait fonctionner, ou dans un environnement
où la longévité du capteur ne pourrait être garantie par une source d’énergie
locale. Le principe qui préside à la conception de capteurs passifs interrogea-
bles sans fil consiste à considérer ceux-ci comme une cible coopérative d’un
système RADAR à courte portée : le RADAR se comporte comme une source
de signal conçue pour sonder la réponse de la cible, dont la section RADAR
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CAPTEURS ACOUSTO-ÉLECTRIQUES RADIOFRÉQUENCES – MODES D’INTERROGATION –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

(« réponse ») est affectée par son environnement, et en particulier la grandeur


physique à mesurer. Le signal rétropropagé par la cible contient l’information
qui nous intéresse – la grandeur mesurée – extraite après réception par le
RADAR par traitement du signal. Nous nous efforçons par ailleurs de suivre
deux principes qui, sans être intrinsèquement liés aux capteurs passifs interro-
geables sans fil, garantissent la robustesse de la mesure ; nous nous focalisons
sur les informations liées à la phase ou à la fréquence des signaux plutôt qu’à
leur amplitude par souci de robustesse et d’immunité de la réponse à l’environ-
nement. Par ailleurs, nous recherchons des mécanismes d’interaction de la
cible avec le champ électromagnétique rayonné par le RADAR qui soient linéai-
res, afin de garantir une réponse du capteur quelle que soit la puissance inci-
dente, la portée étant alors limitée par le plancher de bruit de l’étage de récep-
tion qui détermine la plus petite puissance détectable.


1. Principe de mesure Historique
L’utilisation de cibles coopératives pour compléter les informations
de section RADAR d’une cible illuminée par un champ électroma-
La chaı̂ne de mesure décrite ci-après détermine le plan de cet gnétique date de la seconde guerre mondiale, avec diverses signa-
article : une source radiofréquence se doit d’émettre un signal élec- tures introduites par les cibles lors des observations par les opéra-
tromagnétique qui corresponde au mieux à la réponse impulsion- teurs de RADAR. Ce concept a été formalisé dès 1948 [1] avec la
nelle de la cible coopérative formée du capteur. Une antenne liée description d’une cible susceptible d’introduire une signature
au capteur couple ce champ incident avec le capteur en respectant représentative d’un code (vitesse de rotation de réflecteurs pour
les conditions d’adaptation d’impédance dans un environnement moduler le signal rétrodiffusé) ou d’une grandeur physique (modu-
variable. Le capteur couple certaines composantes spectrales du lation de l’impédance de la cible). Cette publication fait antériorité
à l’utilisation à des fins d’espionnage par Léon Theremin [2] d’une
signal incident dans sa bande passante et soit rétro-propage certai-
membrane illuminée par un RADAR pour moduler un signal inci-
nes composantes spectrales après avoir emmagasiné l’énergie
dent par la voix de l’ambassadeur des État-Unis d’Amérique dans
(résonateur), soit retarde l’onde incidente (figure 1).
sa résidence de Moscou. Plus proche de nous, la signature
Dans les deux cas, la sensibilité des caractéristiques de l’onde de RADAR des avions furtifs est amplifiée, lors de leur utilisation en
surface aux conditions environnementales, en particulier sa vitesse dehors d’une zone de conflit, par des cibles coopératives emmaga-
de phase, module la réponse du capteur. Couplée à l’antenne par sinant puis restituant efficacement l’onde électromagnétique inci-
réciprocité et réversibilité du principe de transduction, celle-ci dente (sphère de Lüneburg [3]), tandis que divers développements
donne lieu à un signal diffusé à travers le milieu qui sépare le cap- de cibles coopératives se fondant sur des couplages électromagné-
teur du RADAR, pour finalement atteindre l’étage de réception. tiques (chipless RFID) sont explorés. Les services de renseigne-
Diverses stratégies de traitement du signal, en particulier de com- ment sont évidemment friands de ces dispositifs passifs, n’émet-
pression d’impulsion, ont été explorées pour améliorer le rapport tant aucune signature en l’absence de sollicitation extérieure pour
signal à bruit et donc abaisser la limite de détection. les interroger [4] : tous les principaux services de renseignement
ont ainsi développé leur microphone passif interrogeable par exci-
tation RADAR d’un résonateur, dont la section RADAR varie avec
l’intensité du champ de pression acoustique impactant la mem-
brane servant d’électrode à un condensateur chargeant l’antenne.

On notera dès à présent que le choix d’une interaction du capteur


avec le champ électromagnétique incident distingue cette approche
des identifiants radiofréquences (RFID) ou récupération d’énergie
(energy harvesting), qui font appel à un élément non linéaire de
redressement du courant alternatif et présentent donc un seuil mini-
a le résonateur où l’onde b la ligne à retard dans
mum de démarrage : il ne s’agit donc pas de télé-alimentation mais
est coninée au sein du laquelle l’onde effectue de cible coopérative. Par ailleurs, nous effectuons une mesure analo-
transducteur interdigité des allers-retours entre gique de laquelle est extraite la grandeur physique d’intérêt, contrai-
entre les miroirs de les électrodes interdigitées rement aux capteurs numériques radiofréquences (RF) qui se conten-
Bragg latéraux et les miroirs placés sur tent de transmettre leur mesure sur une fréquence porteuse. Dans
le chemin acoustique notre cas, le rapport signal à bruit de la mesure détermine directe-
ment l’écart type de la grandeur physique ainsi déduite. Par consé-
Noter que l'onde est émise symétriquement de part et d'autre des quent, la résolution de la mesure n’est pas une information figée,
transducteurs interdigités dans les deux architectures, d'où la présence
mais dépend de la configuration de la chaı̂ne de mesure complète.
de miroirs de chaque côté de ces électrodes. La réponse spectrale
et temporelle de tels dispositifs est présentée au paragraphe 3.1.
Ainsi, une approche système est nécessaire pour appréhender
l’ensemble de la chaı̂ne de mesure : se focaliser sur un seul élément
ne saurait tirer le meilleur parti de l’ensemble des éléments impliqués
Figure 1 – Architecture des deux géométries les plus courantes de dans l’acquisition de la caractéristique de la cible et dans son exploi-
capteurs à ondes élastiques tation pour la mesure de la grandeur recherchée.

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–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– CAPTEURS ACOUSTO-ÉLECTRIQUES RADIOFRÉQUENCES – MODES D’INTERROGATION

2. Architecture de la cible La seconde approche [13] [14], toute aussi efficace mais moins
intuitive, consiste à emmagasiner l’onde élastique dans une struc-
coopérative ture résonante, en tirant parti avantageusement de substrats piézoé-
lectriques monocristallins réputés à pertes minimales. L’énergie
emmagasinée par le composant à ondes élastiques est restituée
petit à petit lors de la décharge ; un résonateur est ainsi formé
2.1 Cible coopérative : le transducteur d’une cavité confinant l’onde élastique entre deux miroirs – interfa-
ces planes ou miroirs de Bragg formés d’électrodes de période moi-
à ondes élastiques de surface tié de la longueur d’onde – caractérisé par un facteur de qualité Q
Les stratégies permettant de différencier la réponse du capteur de définissant la fraction de l’énergie emmagasinée à l’énergie perdue
l’environnement électromagnétique conditionnent fondamentale- par période. Dans un système simple (de type RLC série), ce com-
ment la conception d’un composant RF passif utilisé comme cible portement se traduit par une constante de temps t de décharge du
coopérative (figure 2). Les structures réfléchissantes autour du résonateur de Q/p périodes. Cette constante de temps est idéale-
RADAR auront en général une section efficace bien plus grande que ment supérieure aux phénomènes liés à la réflexion des ondes élec-
celle du capteur : il nous faut donc jouer sur le paramètre temps tromagnétiques sur les objets environnants dont la cohérence reste
pour décorréler la réponse du capteur de celle de l’environnement. généralement inférieure à la microseconde. Avec un coefficient de
qualité supérieur ou égal à 10 000 à 434 MHz (cas des résonateurs
L’approche la plus naı̈ve tient à retarder le signal au-delà de l’écho le à ondes de Rayleigh sur quartz), nous atteignons des constantes de
plus lointain perceptible par le RADAR compte tenu du bruit de son