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ECOLE SUPERIEURE POLYTECHNIQUE

Electronique

M. SANE Lamine
lamine.sane@esp.sn
Cours électronique
Chapitre 2: Les semi conducteurs

STUCTURE DE LA MATIERE
La plus part des composants électroniques sont fabriqués à base de matériaux semi conducteurs.
Pour comprendre ce qui confère à un matériau sa propriété de conducteur, semi conducteur ou
isolant, il faut comprendre la structure quantique de l’atome.

Dans tout phénomène physique intervient un objet dont la


structure confère une certaine propriété à l’espace qui
l’entoure.
En électrostatique, l’objet correspond à une charge noté e.
Sa valeur est de 1,6 10−19 C.

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Chapitre 2: Les semi conducteurs
Les électrons se situent à des distances du noyau qui correspondent à des niveaux d’énergie
bien déterminés.
On distingue des bandes d’énergie permises et des bandes d'énergie interdites. Les bandes
d’énergie interdites se trouvent entre les bandes d’énergie permises.
En réalité, un électron, dans un atome, n’occupe pas une position donnée mais a une
probabilité de se trouver dans un espace bien défini qu’on appelle orbitale atomique.
La répartition d’énergie dans un atome permet d’identifier deux bandes fondamentales:
La bande de valence contenant les électrons qui participent aux liaisons atomiques. Elle
correspond à la dernière bande complétement remplie.
La bande de conduction contient les électrons très faiblement liés au noyau ou pratiquement
libres.
On appelle Gap la bande interdite séparant ces deux bandes.
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Chapitre 2: Les semi conducteurs
Les bandes sont remplies par niveau d’énergie croissant et chaque bande ne peut prendre
qu’un nombre déterminé d’électron selon le niveau.
La taille d’un gap est mesurée en eV (électronvolt). 1eV = 1,602 𝟏𝟎−𝟏𝟗
La nature d’un matériau dépend du niveau de remplissage de sa bande de conduction et de
taille de son gap.
• Si la bande de conduction est partiellement remplie, quelque soit la taille de son gap, le
matériau est conducteur.
• Si la bande de conduction est vide, la nature du matériau dépend alors de la taille de son
gap:

✓ Si le gap est faible (1eV), le matériau est semi conducteur


✓ Si le gap est fort (9eV), le matériau est isolant
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Chapitre 2: Les semi conducteurs

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Chapitre 2: Les semiconducteurs

TECHNIQUES DE DOPAGE
Dans le monde industriel, le Silicium (Si, 14) est le semi conducteur le plus utilisé du fait de son
abondance dans la nature, de sa facilité de traitement, de son faible coût et de ses
caractéristiques.
Le Silicium appartient à la colonne IV du tableau de classification périodique et contient 4
électrons dans sa couche de valence.
Cependant, compte tenu du caractéristique de conductibilité recherché en électronique, le
Silicium n’est pas utilisé seul (semi conducteur intrinsèque) mais avec d’autres. On parle de
dopage.
Les matériaux utilisés pour faire le dopage s’appellent dopants.
Le Silicium peut être dopé positivement ou négativement.
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DOPAGE DE TYPE N
Le dopage de type N consiste à introduire dans le cristal de semi-conducteur des atomes
appartenant à la colonne V, qui possèdent donc 5 électrons sur leur couche de valence. On
appelle ces éléments des dopants N.
Lorsqu'un dopant N et un semi-conducteur comme le silicium entre en contact, ils cherchent à
partager des paires d’électrons. Ils peuvent ainsi partager chacun 2 paires d'électrons, pour
posséder chacun 8 électrons sur leur couche externe. Un électron du dopant est donc orphelin :
il ne peut être partagé, et il ne peut occuper la bande de valence (elle est remplie). Il
quitte donc l'atome et devient un électron libre - ou délocalisé -, capable de conduire le
courant. On dit alors que le semi conducteur est dopé N.

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DOPAGE DE TYPE P
Le dopage de type P consiste à introduire dans le cristal des atomes appartenant à la colonne
III, qui possèdent 3 électrons sur leur bande de valence.
Dans le cristal, les atomes de silicium et de dopants P présentent alors 7 électrons sur leur couche
externe. Il manque un électron sur cette couche. Cette absence d'électrons, et donc de charge
négative, est considéré comme une charge positive, ou trou.
Cette nouvelle structure peut également conduire le courant. En effet, sous l'action d'un
échauffement, d'une différence de potentiel..., un atome en manque d'électron peut en
recevoir un d'un autre atome, qui devient alors déficitaire en électron. Il y a eu un mouvement
d'électron d'un atome vers un autre (ou un mouvement de trous dans l'autre sens), par définition,
un courant électrique.
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JONCTION PN
La jonction PN est l’opération de mise en contact de matériaux dopés différemment. Lorsque le
matériau dopé P est mise en contact avec le matériau dopé N, les charges excédentaires de ce
dernier migrent vers les trous du premier matériau. Il se crée alors entre les deux matériaux une
zone appelée zone de déplétion ou zone de charge d’espace. A l’équilibre apparait une
différence de potentiel appelé potentiel de jonction (0,6 pour le Si).

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POLARISATION DE LA JONCTION PN ET APPLICATION


Polariser un jonction PN revient à lui associer un générateur de tension.

La polarisation est dite inverse si la borne + du Si la borne + du générateur de tension est


générateur de tension est reliée à la partie reliée à la partie dopé P du matériau et la
dopé N du matériau et la borne – du borne – du générateur reliée à la partie dopé
générateur reliée à la partie dopé P. N, on parle de polarisation directe.

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LA DIODE
Une application directe de la polarisation de la jonction PN est la diode.
La diode est un composant électronique non linéaire. Elle permet de laisser passer le courant
que dans un seul sens.
Si une diode a une polarisation directe, on dit qu’elle est passante. Si au contraire elle est polarisé
en inverse, on dit qu’elle est bloquée.

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CARACTERISTIQUE D’UNE DIODE


En polarisation directe, une diode est caractérisée par sa tension seuil noté Vs. La tension seuil est
la valeur minimale qu’il faut appliquer aux bornes d’une diode pour qu’elle soit passante.

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En polarisation inverse, on a un courant de fuite et une tension dite de claquage pour laquelle la
diode se détériore.

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Exercices d’application

Pour chacun des cas ci-dessous, déterminer la valeur du courant I

(A) (B)
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Exercices d’application

Pour chacun des cas ci-dessous, déterminer la valeur de la tension UR2

(A) (B)
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LA DIODE DE ZENER
La diode Zener a la particularité d’être passante en polarisation inverse lorsqu’une tension
supérieure à sa tension de claquage est appliquée a ses bornes.
une polarisation directe, elle se comporte comme une diode à jonction PN.

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Chapitre 2: Les semi conducteurs

LA DIODE VARICAP
Une diode Varicap est une diode qui présente la particularité de se comporter comme un
condensateur dont la valeur de la capacité varie avec la tension inverse appliquée à ses
bornes. Cette diode peut être considérée comme un condensateur variable. Ce type de diode
est souvent utilisé dans des montages radiofréquence (RF) mais aussi pour des applications à très
hautes fréquences.

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Chapitre 2: Les semi conducteurs

Exercice d’application 2

Donner l’expression de la tension UR2 pour chacun des cas suivants:


• e(t) ≥ 0,7 V
• e(t) ≤ - 0,7 V
• - 0,7 ≤ e(t) ≤ 0 V
Donner la représentation graphique de e(t) et de UR2 sur une période et sur le même graphe

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Chapitre 3: Le Transistor Bipolaire

Un transistor bipolaire est un composant électronique composé de trois zones de dopages


appelées respectivement Collecteur, Base et Emetteur.
On distingue deux principaux caractéristiques pour les transistors: le type et la technologie.
Le type correspond à la famille à laquelle appartient le transistor. On a 4 grandes familles que
sont les transistors bipolaires, les transistors à effet de champ, les transistors uni-jonction et les
transistors hybrides.

On a deux types de technologie pour les transistors bipolaires :


➢ La technologie NPN qui donnent des valeurs positives
➢ La technologie PNP qui donnent des valeurs négatives

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Chapitre 3: Le Transistor Bipolaire

Un transistor peut être modélisé comme deux diodes tel que l’une soit polarisée en sens direct et
l’autre en inverse. Cependant les deux diodes ne fonctionnent pas comme prises séparément. En
effet, l'effet transistor permet à la diode polarisée en inverse d’être passante quand une tension
suffisante est appliquée à la base.

La loi des nœuds appliquée au transistor NPN donne 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 avec 𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵

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Chapitre 3: Le Transistor Bipolaire
LES MONTAGES DU TRANSISTOR
Trois montages peuvent être effectués avec les transistors bipolaires :
✓ Le montage émetteur commun qui a pour entrée la base et pour sortie le collecteur
✓ Le montage collecteur commun qui a pour entrée la base et pour sortie l’émetteur
✓ Le montage base commune qui a pour entrée l’émetteur et pour sortie le collecteur

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Chapitre 3: Le Transistor Bipolaire
TRANSISTOR NPN POLARISE

Un transistor bipolaire a une bonne polarisation lorsque la


jonction Base-Emetteur est polarisée en sens direct et la
𝑉𝐶𝐸
jonction Base-Collecteur en inverse.
𝑉𝐵𝐸 𝑉2
𝑉𝐵
Si 𝑉𝐵 < 0 , la jonction BE est bloquée, 𝐼𝐵 = 0 et 𝐼𝐶 = 0

Si 𝑉𝐵 > 𝑉𝐵𝐸 , la jonction BE est passante, 𝐼𝐵 > 0 et 𝐼𝐶 > 0

Dans ce cas, on dit que le transistor est en état de saturation.

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Chapitre 3: Le Transistor Bipolaire
TRANSISTOR NPN EN ETAT DE SATURATION
En état de saturation, on a 𝑉𝐵 > 𝑉𝐵𝐸 Maille de charge

❖ La loi des mailles appliquée dans la maille de commande donne:

𝑉𝐵 = 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸


𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 = 𝛽 ∗
𝑅𝐵 𝑅𝐵
L’équation 𝐼𝐵 = 𝑓 𝑉𝐵𝐸 est appelée équation de la droite de commande
statique

❖ La loi des mailles appliquée dans la maille de charge


donne:
𝐸 − 𝑉𝐶𝐸
𝐸 = 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶 =
𝑅𝐶 Maille de commande

L’équation 𝐼𝐶 = 𝑓 𝑉𝐶𝐸 est appelée équation de la droite de charge statique


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Chapitre 3: Le Transistor Bipolaire
Le circuit employé ci-dessus utilise deux sources de tension. Ce montage est peu utilisé car
instable. Pour stabiliser le montage par rapport aux sources, on utilise un seul générateur de
tension comme indiqué ci-dessous.

𝐸 − 𝑉𝐵𝐸 𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝐸 = 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 , 𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 = 𝛽 ∗
𝑅𝐵
𝑅𝐵

𝐸 = 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸

𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 𝐸 − 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐶 = E − 𝑅𝐶 ∗ 𝛽 ∗
𝑅𝐵

𝑉𝐶𝐸 dépend de 𝛽. On dit que ce montage est instable en température

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Chapitre 3: Le Transistor Bipolaire
La polarisation par pont et résistance d’émetteur permet de stabiliser en température le
montage précédent. Soient 𝐼1 et 𝐼2 tels que 𝐼1 = 𝐼2 >> 𝐼𝐵
Appelons la grande maille le parcours E, 𝑅1 , 𝑅2 , E
Si on applique le principe diviseur de tension aux bornes de 𝑅2 on
aura:
𝑅2
𝑉𝑅2 = ∗ 𝐸 (1)
𝑅1 + 𝑅2

Dans la maille de base on a :

𝑉𝐵𝑀 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 ∗ (𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 )

Pour 𝛽 très grand, 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ≈ 𝐼𝐶

d’où 𝑉𝐵𝑀 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 (2)


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Chapitre 3: Le Transistor Bipolaire

𝑉𝐵𝑀 − 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐵𝑀 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 (2) 𝐼𝐶 = (3)
𝑅𝐸

Sachant que 𝑉𝐵𝑀 = 𝑉𝑅2 alors :

𝑅2 ∗ 𝐸 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 = − (4)
𝑅1 + 𝑅2 ∗ 𝑅𝐸 𝑅𝐸

La loi des mailles appliquée à la maille de charge donne :

𝐸 = 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐸 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶

𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ∗ 𝑅2 ∗ 𝐸 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ∗ 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 𝐸 − 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 = −
𝑅1 + 𝑅2 ∗ 𝑅𝐸 𝑅𝐸
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Chapitre 3: Le Transistor Bipolaire
LE TRANSISTOR EN REGIME DYNAMIQUE
L'étude en régime dynamique consiste à analyser le fonctionnement d'un transistor polarisé lorsqu'on
applique de petites variations à l'une des grandeurs électriques.

❖ NOTION DE QUADRIPOLE ET DE MATRICE HYBRIDE

Un quadripôle est la modélisation d’un composant ou d’un circuit à deux entrées et deux sorties,
permettant le transfert de signaux électriques ou d'énergie entre deux dipôles.

Au quadripôle est
associé une matrice 𝑉𝑒 ℎ11 ℎ12 𝐼𝑒
=
dite hybride définie telle 𝐼𝑠 ℎ21 ℎ22 𝑉𝑠
que

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Chapitre 3: Le Transistor Bipolaire

𝑉𝑒 ℎ11 ℎ12 𝐼𝑒 𝑉𝑒 = ℎ11 ∗ 𝐼𝑒 + ℎ12 ∗ 𝑉𝑠


=
𝐼𝑠 ℎ21 ℎ22 𝑉𝑠 𝐼𝑠 = ℎ21 ∗ 𝐼𝑒 + ℎ22 ∗ 𝑉𝑠

𝑉𝑒 𝑉𝑒
ℎ11 = ቤ ℎ12 = ቤ
𝐼𝑒 𝑉 𝑉𝑠 𝐼
𝑆 =0 𝑒 =0

𝐼𝑠 𝐼𝑠
ℎ21 = ቤ ℎ22 = ቤ
𝐼𝑒 𝑉 𝑉𝑠 𝐼
𝑆 =0 𝑒 =0

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Chapitre 3: Le Transistor Bipolaire

En régime dynamique, les grandeurs électriques d’un transistor comportent une composante continue et
une composante variable.

𝑉𝐵𝐸 𝑡 = 𝑉𝐵𝐸0 + 𝑣𝑏𝑒 (𝑡)

𝐼𝐵 𝑡 = 𝐼𝐵0 + 𝑖𝑏 (𝑡)

𝑉𝐶𝐸 𝑡 = 𝑉𝐶𝐸0 + 𝑣𝑐𝑒 (𝑡)

𝐼𝐶 𝑡 = 𝐼𝐶0 + 𝑖𝑐 (𝑡)

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Chapitre 3: Le Transistor Bipolaire

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