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UNIVRESITE D’ABOMEY-CALAVI

ECOLE POLYTECHNIQUE D’ABOMEY-CALAVI

DEPARTEMENT DE GENIE ELECTRIQUE

Cours : PHYSIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS

Enseignant : EGOUNLETY Richard

Cel : 97 88 45 18 / 94 03 24 88

E-mail : ric.egoun@gmail.com

1|59
Objectif

• Connaître la structure de base du semi-conducteur, tant


intrinsèque qu’extrinsèque,

• Familiariser l’étudiant à l’usage des composants actifs tels que les


diodes, les transistors que l’on rencontre dans les circuits
électroniques, en électrotechnique ainsi que les différentes
technologies utilisées dans la fabrication de ces derniers.

Contenu du cours

Chapitre I TEHORIE SIMPLIFIEE DES SEMI - CONDUCTEURS

Objectifs :

- Discuter de la structure de base d’un Atome


- Discuter des semi-conducteurs, des conducteurs et des isolants
- Connaître les propriétés des semi-conducteurs de type N et de
type P

I- RAPPELS SUR LA STRUCTURE DE LA MATIERE

Introduction :

La résistance d’un fil métallique croît lorsque sa


température s’élève ; pour certains corps c’est le phénomène
contraire qui s’observe : leur résistivité diminue quand la
température augmente. C’est le cas des corps simples comme le
germanium (Ge) , le silicium (Si) , le graphite ou le Sélénium et
pour certains corps composés tels que le carbure de silicium Si,

2|59
le sulfure de plomb PbS, l’oxyde cuivreux (CuO2), l’Arséniure de
Gallium GaAs, etc.. Ces corps sont dits Semi-conducteurs parce
que leur résistivité est intermédiaire entre celle des
conducteurs et celle des isolants (de 10-8 à 10-4 m ).

Conducteur :

Un conducteur est un matériau qui conduit aisément


le courant électrique. Les meilleurs conducteurs sont des
matériaux constitués d’un seul élément comme le cuivre (Cu),
l’argent (Ag) etc. Ces éléments sont caractérisés par des
atomes possédant un seul électron de valence faiblement lié à
l’atome.

Isolant :

Un isolant est un matériau qui ne conduit pas de


courant électrique sous des conditions normales. Les meilleurs
isolants sont des matériaux composés de plusieurs électrons de
valence contrairement aux conducteurs. Ces électrons de
valence (électrons de la couche périphérique), sont solidement
rattachés au noyau.

I- STRUCTURE DE LA MATIERE

On peut dire que l’élément de base de la constitution de la


matière qui nous entoure est l’atome, par exemple l’eau est
constituée d’atomes d’oxygène et d’hydrogène, le dioxyde de
carbone, lui est constitué d’atomes de carbone et d’oxygène.

I- 1. Constitution de l’atome

3|59
FC Electron
Proton
•e
F
A
-
Couche
+
Neutron Noyau

Fig n° 1-1 : Atome d’hydrogène

Fc : Force centrifuge

FA : Force d’attraction

L’atome est constitué de trois particules fondamentales :


l’électron, le proton et le neutron. Le proton et le neutron forment le
noyau autour duquel gravite l’électron et ceci, suivant une orbite bien
déterminée. Les protons et neutrons sont appelés nucléons.

A l’équilibre les forces centrifuges Fc et les forces d’attraction Fa


sont égales ; dans ce cas, l’atome est dit à l’état électriquement
neutre et le nombre d’électrons est égal au nombre de protons dans
le noyau. Ces électrons sont répartis en couches successives.

La charge électrique des neutrons est nulle ; autrement dit, le


neutron n’a pas de charge électrique.

On distingue deux types d’électrons :

 Les électrons internes : ce sont des électrons qui occupent les


couches internes, ils sont fortement liés au noyau.
 Les électrons externes : ces électrons sont situés sur la couche
la plus externe, ils sont faiblement liés au noyau.

I-2 ORBITE – ENERGIE

I-2. 1 Orbite

4|59
On appelle orbite, la trajectoire suivie par l’électron. Il
existe cependant certaines orbites qui sont interdites aux électrons.
Celles qui leur sont permises correspondent à des niveaux d’énergie.
Ces niveaux d’énergie sont également appelés états d’énergie.

Couches
Couche de internes

•• •
valence

• • •
•• •

• •• • noyau

électrons •
internes

Fig n° 1-2 : Atome de Si

On appelle couche, un ensemble d’orbites.

(3)
(2)
(1)

r2
r3 r1

couche
noyau

Fig n° 1-3 : Représentation de la couche de valence

5|59
E

E3 (3)

E2 (2)

E1 (1)

paroi du noyau
(0)

Fig n° 1-4 : Représentation des niveaux d’énergies d’un Atome Isolé

I-2. 2 Energie

a.) Niveaux d’énergie :

Les trajectoires ou orbites suivies par les électrons


correspondent à des niveaux d’énergie. Les niveaux d’énergie les plus
bas correspondent aux orbites les plus proches du noyau. Ces niveaux
d’énergie sont prioritairement occupés.

Un électron soumis à une énergie insuffisante pour le


porter à un niveau plus élevé refuse cette énergie et reste sur son
orbite. Un électron qui quitte son orbite pour une autre plus basse,
restitue la différence d’énergie sous forme de rayonnement visible
ou non.

b.) Bandes d’énergie :

Les électrons d’un atome isolé ont une représentation


des niveaux d’énergie pareille à celle de la figure n° 1-4 ; cette
représentation est appelée diagramme énergétique.

Un atome entouré d’autres atomes change la forme du


diagramme énergétique : l’orbite d’un électron est influencée par les
charges de son propre atome d’une part ; mais aussi par le noyau et
les électrons de tous les autres atomes voisins. Il y a existence de
l’influence du 1er atome sur les autres et inversement.
6|59
E

E3 (3)

E2 (2)

E1 (1)

paroi du noyau
(0)

Figure n°1-5 : Représentation des bandes d’énergie

La bande d’énergie est un ensemble de niveaux d’énergie.


L’ensemble des niveaux d’énergie permis constitue la bande de
valence et notée BV. Pour certains corps, la bande de valence est
incomplète, c'est-à-dire qu’elle comporte plus de niveaux d’énergie
permis que d’électrons de valence.

A la température de 0 kelvin (0 K, 0 absolu), Seuls les niveaux


les plus bas sont occupés.

Les calculs et l’expérience montrent qu’il existe des niveaux


d’énergie pour lesquels l’électron est libéré de l’obligation de rester
sur orbite autour des noyaux ; ces niveaux d’énergie permis
définissent la bande de conduction notée Bc. Les électrons ayant
atteint la bande de conduction peuvent se déplacer librement dans le
Cristal. L’ensemble des niveaux d’énergie interdits aux électrons
constitue la bande interdite Bi.

II- SEMI-CONDUCTEURS

II- 1. Cristal :

Dans certaines conditions, les atomes peuvent


s’assembler dans les trois directions de l’espace pour former des
arrangements réguliers et stables appelés Cristaux. La cohésion de

7|59
l’ensemble est assurée par la mise en commun de chacun des atomes,
d’un électron de sa couche périphérique avec ceux de la couche
externe de ces proches voisins.

Figure n° 1-6 : Structure du cristal de Silicium

Les semi-conducteurs sont caractérisés par une bande


de valence complète, séparée de la bande de conduction par une
bande interdite de l’ordre de 1 eV (Bi = 0,75 eV pour le Germanium et

Bi = 1,12 eV pour le Silicium).

II- 2. Semi-conducteur intrinsèque

Un semi-conducteur intrinsèque est un corps pur : C’est


un corps dépourvu de toute impureté, il n’est formé que par les
atomes d’un même élément. Le réseau cristallin de silicium de la
figure n° 1-6 est un exemple d’un semi-conducteur intrinsèque.

a - Analyse à 0 K

A la température du 0 absolu (0° k), les électrons ne


possédant pas d’énergie suffisante pour passer d’un niveau d’énergie
à un autre, restent sur leurs orbites (niveaux d’énergie) : aucun
électron n’a pu accéder à un niveau plus élevé. La bande de conduction

8|59
dans ce cas est totalement vide et la bande de valence, elle, reste
complètement remplie. Ce matériau est considéré comme un isolant
(R= ∞)

BC
EC
Bi

• •• • •• ••• • ••BV• •••• •• • •• • • •


EV

• • • • • ••

Figure n° 1-7 : Diagramme énergétique du semi-conducteur Si à 0°K

b - Analyse à 27°C

A la température ambiante (T = 300°K) ou bien à la


température ordinaire, certains électrons de la bande de valence
vont acquérir de l’énergie suffisante pour tomber dans la bande de
conduction : la bande de conduction n’est plus totalement vide dans
ce cas et le nombre d’électrons ayant immigré dans la bande de
conduction est égal au nombre de trous apparus dans la bande de
valence.

On appelle trou, le vide laissé par l’électron ou bien l’endroit


où il manque un électron. Le trou, contrairement à l’électron, porte
une charge positive.

BC
EC • • • •
Bi
EV
°• • •°• • •° ••B••V ••°••• • ••
• • • • • • •
• - électron ° - trou
9|59
Figure n° 1-8 : Diagramme énergétique du semi-conducteur si à 300°K

Dans un semi-conducteur intrinsèque, la densité ni des électrons


libres est donnée par la relation :

Wi
ni2  AT e 3 KT
(1.1)

A = Constante d’intégration,

T : Température en kelvins,

Wi : Energie nécessaire pour ioniser l’atome


-19
Wi =e .Vi (e= 1,6.10 Cet Vi : tension d’ionisation)

K: Constante de Boltzmann : K = 1,38. 10-23 J/°K.

II- 3. Semi-conducteur extrinsèque

II- 3.1 Dopage

Le dopage est l’introduction des atomes étrangers dans un


semi-conducteur intrinsèque. Cette opération a pour but d’augmenter
la conduction du matériau.

II- 3.2 Semi-conducteur extrinsèque type N

On introduit dans le réseau cristallin du Silicium une infime


quantité d’impureté, par exemple de l’Arsenic (atome pentavalent).

• • •
• Si • • Si • • Si •
• • • 5ème électron
• • • •
• Si • • As • • Si •
• • •
• • •
• Si • • Si • • Si •
• • •

10 | 5 9
Figure n°1-9 : Structure du cristal de Silicium type N

Ainsi, l’atome d’Arsenic se trouve entouré de 4 atomes de


Silicium avec lesquels, il peut échanger 4 de ses 5 électrons de
valence. Le 5ème électron lui n’étant presque pas retenu est plus facile
à détacher de son noyau. Ainsi pour le rendre libre, il faudra lui
fournir une énergie de 0,01 eV. C’est cette énergie qui lui permet
d’accéder à la bande de conduction.

a - Analyse à 0°K

A la température du 0 absolu, le 5ème électron quoique


faiblement rattaché n’est pas libre. Il est très proche de la bande
de conduction et ceci à 0,01 eV. Donc aucun électron n’a pu accéder à
la bande de conduction qui est restée vide.

BC
0,01eV
Bi

••
• • •• ••• • •• •• •B • •• •• •• •• •• •• • •• • •
• • • • • • • • •
V

Fig n° 1-10 : Diagramme énergétique du Semi-conducteur

extrinsèque type N, à 0°K.

La bande de conduction de ce fait est vide et ce matériau est


considéré comme un isolant.

b - Analyse à 27°C

A la température ordinaire de 27° C, le 5ème électron


faiblement rattaché est maintenant libéré et peut donc accéder à la
bande de conduction. Certains électrons de la bande de valence,

11 | 5 9
ayant acquis de l’énergie suffisante, vont également immigré dans la
bande de conduction.

•• • ••• • •• B
••••••••••••••
C

+++++++ B
+++ i

••
• •°•• ••• • •• •• •B°•°•• •• •• •• •• ••°• •• • •
• • • • • • • • •
V

Fig n° 1-11 : Diagramme énergétique du semi-conducteur type N


à 300°K.

Les électrons sont majoritaires parce qu’ils sont nombreux dans


la bande de conduction. Les trous par contre sont très peu nombreux
dans la Bande de valence.

 Les électrons étant majoritaires sont appelés porteurs de


charge majoritaires.
 Les trous étant en minorité sont appelés porteurs des
charges minoritaires.
En résumé dans un semi-conducteur type N, les porteurs
majoritaires sont des électrons et les trous des porteurs
minoritaires.

II-3.3 Semi-conducteur extrinsèque type P

On introduit dans du Silicium intrinsèque, une petite quantité


d’Indium (IN) :

12 | 5 9
• • •
• Si • • Si • • Si •
• • •
• ° • trou
• Si • • In • • Si •
• • •
• • •
• Si • • Si • • Si •
• • •

Figure n° 1-12 : Structure du Cristal de silicium type P.

Un atome d’Indium a trois électrons de valence. Remplaçons


l’atome d’Arsenic par celui d’indium. L’atome d’indium assurera ses
trois liaisons de covalence avec les trois atomes de silicium voisins.
Comme il manque un électron pour assurer la 4ème liaison du réseau
alors, on peut dire qu’il y a un manque d’électron d’où présence d’un
trou à la place du 4ème électron. Il suffira d’une petite agitation
électronique (0,01ev) pour que l’électron d’un atome voisin soit
arraché à sa couche. Ce qui crée un nouveau trou.

a - Analyse à 0°K

A la température du 0 absolu, pas d’énergie, d’où aucun


déplacement au niveau des porteurs de charge. La bande de
conduction elle, restera donc vide et la bande de valence elle, pleine.
Ce matériau est donc considéré comme un isolant.

BC
Bi
+++++++++++
•• • •• ••• • •• B••• • ••
• • • •• ••• •• 0,01eV

•• • •• • • • • • • • • • • • •• • • • •
V

Figure n° 1-13 : Diagramme énergétique du semi-conducteur type P à


0°K.

13 | 5 9
b - Analyse à 27°C

A cette température, les électrons de la bande de valence sont


captés par les ions positifs situés au-dessus de cette bande à 0,01ev.
Certains électrons de la bande de valence ayant acquis de l’énergie
suffisante vont accéder à la bande de conduction. On note ainsi
l’apparition de beaucoup de trous dans la bande de valence et la
présence de quelques rares électrons dans la bande de conduction.

BC
• • Bi
• •
- - - - - - - - - - - 0,01eV
•• •°•• •°•°•°••°B °°°
°° •• ••°°••°°
• •°•°• •
• • • • • °• • •° •
V

Fig n° 1-14 : Diagramme énergétique du semi-conducteur type P


à 300° K

Les trous dans la bande de valence sont majoritaires. On les


appelle des porteurs de charge majoritaires. On compte dans la
Bande de conduction très peu d’électrons. Ils sont donc appelés
porteurs de charge minoritaires.

En résumé, dans un semi-conducteur type P, les porteurs


majoritaires sont des trous et les porteurs minoritaires, les
électrons.

Remarque :

Une impureté comme l’Arsenic est un atome Donneur. Une


impureté comme l’Indium est un Accepteur.

14 | 5 9
La Concentration en atome Donneur notée Nd est d’une impureté
pour 105 à 108 atomes de Si. En pratique, on prend une impureté pour
7 -7
107 atomes de silicium. Soit Nd = (1/10 ) = 10 .

La Concentration en atomes Donneur Nd est égale à la Concentration


-7
en atomes Accepteur Na d’où : Nd = Na ≈ 10 .

Chapitre 2 JONCTION PN - DIODES A JONCTION

Objectifs :

Après ce chapitre, l’étudiant doit être capable :

- d’expliquer la jonction PN, de la décrire,

- de connaître la zone de déplétion et la barrière de potentiel,

- de maîtriser la notion de diode semi-conductrice, son principe de


fonctionnement et ses caractéristiques.

I- JONCTION PN

I- 1. Définition

On appelle jonction PN, la surface commune aux 2 semi-


conducteurs type P et type N lorsqu’ils sont accolés ; autrement dit,
c’est la partie où les deux semi-conducteurs, type P et type N, sont
mis en contact.

°°•°P•°°•°° ••°•• •• •• •°
•• •• • •N • ••
°°°•°°°°°° •• •• • ••°•°
°°°°° °
Jonction PN

15 | 5 9
Figure n° 2-1 : Représentation de la jonction PN

I- 2. Zone de Déplétion

V0
A -+ K
P -- + N
-+
Anode Cathode
Zone de déplétion

Figure n° 2-2 : Représentation de la zone de déplétion

Le silicium de type P a une forte concentration en trous, tandis que le


silicium type N en a une forte en électrons.

Une fois que les deux types de semi-conducteurs sont mis en contact,
la région entourant la jonction PN est vidée de porteurs de charge ;
cette zone ainsi vidée est appelée zone de déplétion.

I- 3. Barrière de potentiel

La partie de la région P vidée de trous est chargée de


signe négatif, celle de la région N vidée d’électrons est chargée de
signe positif, d’où existence d’un champ électrique dans cette zone et
par conséquent apparition d’une différence de potentiel V0 dont la
valeur est liée à la concentration ni des électrons libres dans le
matériau intrinsèque aux concentrations Nd et Na en atomes
donneurs (région N) et en atomes accepteurs (région P). Ainsi, on a :

KT N N
V0  ln( a 2 d )
e ni (2.1)

ni = densité des électrons libres dans un semi-conducteur intrinsèque


e = 1,6.10-19 C.

16 | 5 9
Le champ électrique à l’intérieur de la zone de déplétion limite
la pénétration des porteurs majoritaires d’une région à une autre
tout en favorisant la circulation des porteurs minoritaires qui sont à
l’origine d’un courant I1 appelé courant de saturation et noté Is. Le
courant I1 sera équilibré par un deuxième courant I2 dû aux
porteurs majoritaires qui ont pu traverser la barrière de potentiel.
Le nombre n de ces porteurs majoritaires est donné par la relation :

 eV0
n  n0 e KT
(2.2)

n0 : nombre total des porteurs majoritaires qui traverseraient la


barrière lorsque V0 = 0.

Le courant I2 crée par les n porteurs majoritaires est donné par la


relation :
 eV0
I 2  I 0e KT
(2.3)
 eV0
A l’équilibre on a: I1  I S  I 2  I 0 e KT
(2.4)
 eV0
Soit I S  I 0e KT
(2.5)

II- DIODES A JONCTION

II-1 Description - Symbole

17 | 5 9
V0
A °°•°P°°•° -- + ••• ••
• •°•• •••°•• K
° °° - + •N • • •
°°•°°°°°•°° - + ••°•• •• • ••°•
Anode ° Cathode
Barrière de potentiel

• - électron
- trou
°
Figure n° 2-3 : Structure interne de la diode à jonction

La diode à jonction est un composant actif, constituée d’un


semi-conducteur type P et d’un semi-conducteur type N. Ces deux
derniers sont séparés par une jonction.

Extérieurement la diode est munie de deux électrodes : l’une


appelée anode et notée «A» est reliée au semi-conducteur type P et
l’autre appelée cathode et notée «K» est reliée au semi-conducteur
type N. La cathode notée «K» est repérée, en général, par une bague
de couleur sur le composant (figure n° 4-6).

Le courant électrique circule dans le sens P → N.


extérieurement la diode

Symbole

A ID K

Anode Cathode

VD

A K

Figure n° 2-4 : Symbole et Représentation de la diode à jonction

18 | 5 9
II-2 Polarisation

Polariser un composant, c’est appliquer une tension continue


entre les bornes de ce dernier.

On distingue deux types de polarisation :

- La polarisation directe
- La polarisation inverse.

II-2.1 Polarisation directe

D
ID A K

VD
E RL

Figure n° 2-5 : Diode en polarisation directe

Une diode est en polarisation directe lorsque son anode est


reliée au pôle (+) de l’alimentation continue et la cathode, au pôle (-)
de celle-ci.

Conséquences :

1. la barrière de potentiel est réduite : V0 – V.

2. Il y a passage en grand nombre des porteurs majoritaires à


travers la barrière de potentiel, d’où augmentation du courant I2
crée par les porteurs majoritaires.

3. Il y a quelques recombinaisons Electrons –Trous. Le courant I2


crée par les porteurs majoritaires a pour expression :
 e (V0 V )  eV0 eV eV
I 2  I 0e KT
 I 0e KT
e KT
 ISe KT
(2.6)

19 | 5 9
Le courant ID qui circule à l’extérieur de la diode est égale à :
eV eV
ID  I2  IS  ISe KT
 I S  I S (e KT
1) (2.7)

eV

Soit I D  I S (e KT
 1) (2.8)
eV

Généralement on prend I D  I S e
KT
(2.9)
eV

car e >> 1 (2.10)


KT

Le courant ID est appelé courant direct ou courant passant et la


tension V, tension directe ou positive.

II-2.2 Polarisation inverse

Une diode est soumise à une polarisation inverse lorsque son


anode est reliée au pôle (-) de la source d’alimentation continue et sa
cathode, au pôle (+).

D
A K Ii

Vi
E RL

Figure n° 2-6 : Diode en polarisation inverse

Conséquences :

1. La barrière de potentiel est devenue plus large : V0 + V.

2. Les porteurs majoritaires sont bloqués, à part quelques uns.

3. Le passage des porteurs minoritaires est favorisé mais leur


nombre reste fixe.

20 | 5 9
Le courant noté Ii traversant la diode dans ce cas est :

 eV  eV
Ii  I S  I 2  I S  I S e KT
 I S (1  e KT
)
 eV

Soit : Ii  I S (1  e KT
) (2.8)

eV

KT
Pour e ˂˂ 1, on peut écrire : Ii = IS

Ii : courant inverse ou courant bloquant ; Vi : Tension inverse ou


tension négative.

Remarque : la polarisation directe permet de réduire la largeur de la


barrière de potentiel qui devient de ce fait plus petite tandis que la
polarisation inverse elle, augmente la largeur de la barrière de
potentiel.

II-3 Tension inverse de rupture

Lorsqu’on augmente progressivement la tension inverse, on


atteint une valeur de la tension inverse pour laquelle les liaisons
de covalence sont rompues. Cette valeur de tension inverse est
appelée tension de rupture ou tension Zener (Vz).

Remarque :

Le courant ID, traversant une diode en polarisation


directe est de l’ordre de milliampère (mA). Le courant inverse
Ii traversant une diode en polarisation inverse est de l’ordre de
microampère (μA).

II-4 Caractéristiques

21 | 5 9
II- 4.1 Caractéristiques courant tension : ID = f
(V)

La meilleure manière de voir tous les détails à la fois est


de tracer la courbe caractéristique.

ID(mA)

VZ
0
VD(V)
IS 0,65

b Ii(µA)

Figure n° 2-7 : Caractéristique courant – tension

a.) la diode polarisée en direct ;

b.) la diode polarisée en inverse.

Interprétation :

Quand la tension VD (tension aux bornes de la diode) est

comprise entre 0 et 0,65V, le courant Id traversant la diode est


nul : la diode est bloquée.

Au delà de 0,65V, on constate que le courant Id monte


er
lentement dans un 1 temps puis après augmente rapidement.

Le courant inverse Ii à mesure qu’on augmente la tension

inverse (Vi), reste pratiquement constant et égal à Is (Is :

courant de Saturation) ; au delà de la tension Vz, le courant Ii


connaît un accroissement substantiel : la diode est détruite.

22 | 5 9
II- 4.2 Résistances

a.) Résistance statique

La résistance statique est sans grande


importance
RD = VD / ID (2.9)

b.) Résistance dynamique

Pour calculer cette résistance dynamique, on choisit


une portion de la courbe caractéristique apparentée (qui
ressemble) à une droite. La variation ∆V de la tension V aux
bornes de la diode provoque une variation correspondante ∆I du
courant I traversant cette même diode ceci, sur cette portion
de la courbe. Le quotient ∆V / ∆I est constant et c’est cette
constante qui est appelée résistance dynamique résistance
interne de la diode.

V
Soit : rD 
I (2.10)

Calcul de la résistance dynamique r D à la température ambiante.

On sait qu’en polarisation directe :


eV
V e
ID  ISe KT
; soit I D  I S e avec    38,64 ;
KT
prenons, par commodité de calcul, λ = 40.En différenciant cette
dernière relation du courant ID on trouve :
dI D  I S    eV dV    I D dV . Ainsi on a :

dI D dV V
 I D 
dV Pour de petites variations on a : dI D I D

V 1

Ainsi on peut écrire : I D I D
23 | 5 9
Par commodité de calcul, prenons λ = 40. Le rapport des
variations devient :

V

1

1
 3
1

25mV
.
I D I D 40  I D 10 I D mA
 ID
25

25mV
soit : I D  (2.11)
I D mA

III- DIODES IDEALES - DIODE REELLE

III- 1. Diode idéale - Diode parfaite


Une diode idéale est une diode qui a une résistance
interne nulle en polarisation directe et une résistance interne
infinie en polarisation inverse. On peut distinguer deux types de
diodes idéales :

 rD = 0, Vo = 0
 rD
= 0, Vo ≠ 0 (Diode parfaite)
Courbes caractéristique

ID(mA) ID(mA)
rD  0 et V0  0
rD = 0 et V0 =0

VD(V) VD(V)
0 0 V0
Diode idéale Diode parfaite

Circuits équivalents

La diode Idéale en polarisation directe est comme un

A K
Interrupteur fermé :

24 | 5 9
Par contre en polarisation inverse elle est considérée comme un
A K
interrupteur ouvert :

III- 2. Diode réelle


Une diode est dite réelle lorsqu’elle présente une résistance
non nulle (résistance finie) en polarisation directe et une résistance
très élevée en polarisation inverse. Sa courbe caractéristique est
celle de la fig n° 2-8.

Circuit équivalent :

A K
rD
V0

Figure n° 2-8 : Circuit équivalent d’une diode

IV- DROITE DE CHARGE STATIQUE-POINT DE REPOS

IV - 1. Droite de charge statique

Considérons le circuit ci-dessous et essayons de


tracer la droite de charge statique.

ID D

E = 50V
E RL RL = 5 KΏ

D’après la loi des mailles on peut établir :

VD E
E  VD  I D RL  0 => I D    (2.12).
RL RL

La relation (2.12) est l’équation d’une droite appelée droite de


charge statique. Elle passe par deux points A et B tels que :

25 | 5 9
VD  0
VD  E
A
ID 
E et B
ID  0
RL

La droite de charge statique est l’ensemble des points


représentant les intensités de courant pouvant traverser le circuit
ci-dessus.

ID(mA)

10

VD(V)
0 50

Figure n° 2-9 : Droite de charge statique

IV - 2. Point de repos

On appelle point de repos Q, le point d’intersection de la droite


de charge statique avec la courbe caractéristique courant – tension.

ID(mA)

Q
IDQ • VD(V)
0 V DQ

Figure n° 2-10 : Détermination du point de repos

V- INFLUENCE DE LA TEMPERATURE

26 | 5 9
Dans le sens bloquant et à la température absolue T, on a :
Wi

I S  I 0e KT
(2.13)

avec I 0  CT 3 et C, une constante. On peut écrire :


Wi

I S  CT 3e KT
(2.14);

soit : lnI S   lnC   3lnT  


Wi
; en différenciant on trouve :
KT
dI S dC dT Wi
 3  dT et pour de petites variations on peut écrire :
IS C T KT 2

I S  W  T
 3  i  (2.15)
I S  KT  T

Calculons autour de T= 300K, la valeur de ∆T pour laquelle le courant


de saturation Is double et ce, pour une diode au Silicium.

Le courant de saturation Is double lorsque le rapport ∆Is/Is = 1.


I S  W  T
D’après la relation (2.15) on a :  3  i   1 =>
I S  KT  T
T 300
T   19
 6,48C
3
Wi 1,6  10  1,12
3
KT 1,381023  300

Pour une diode au silicium, lorsque la variation ∆T de la


température atteint 6°, alors le courant de saturation Is double.

Limite d’utilisation des dispositifs à semi-conducteurs

 Pour les dispositifs au Si, 175°C


 Pour les dispositifs au germanium, c’est
75°C

Exercice d’application

27 | 5 9
1- Une diode à jonction au silicium a un courant de saturation
Is= 30µA

Calculer sa résistance dynamique à T=125°C pour une


polarisation

V= 0,2 V

a°) Dans le sens passant.

b°) Dans le sens bloquant.

Pour les deux états (passant ou bloquant), on a la relation


𝑒𝑉
I = Is (𝑒 𝑘𝑇 – 1)

2- Si le courant de saturation IS est de 10µA, calculer le courant


direct ID pour chacune des tensions : 0,1 ; 0,2 et 0,3V.
 KT
eV

I D  I S  e  1 ; e = 1,6.10-19 C ; K = 1,38.10-23 J/K et T = 27°C.

 

3- On considère le dispositif décrit par la figure ci-dessous,


dans lequel deux diodes identiques sont alimentées par un générateur
de courant constant I. Sachant que le
courant direct d’une diode a pour expression :
eV
I = IS e KT , établir la relation :
I1 I2
T1ln = T2ln
I S1 IS2
Avec e =1 ,6.10-19C ; K = 1,38.10-23J/°K ; Wi = 1,12eV =1,12 ×
1,6.10-19 J.
I

I1 I2
D1 D2

T1 T2

28 | 5 9
Chapitre 3 QUELQUES APPLICATIONS DE LA DIODE A JONCTION

Objectifs : A la fin de ce chapitre, l’étudiant doit être capable de :

 Décrire les redressements mono et double alternance ;


 Interpréter le signal de sortie redressé ;
 Connaître l’utilisation des diodes telles que la diode Zener,
diode Tunnel, diode varicap, diode électroluminescente (LED),
photodiode, etc . . .
Introduction :

Les diodes sont utilisées dans la plupart des circuits


électroniques (des montages); elles sont utilisées comme
redresseurs ou comme interrupteurs dans le cas où leur rôle est
de ne laisser passer le courant que dans un seul sens.

Les diodes sont classées en deux catégories et ceci selon la


puissance qu’elles dissipent : les diodes de signal sont des
diodes de faible puissance (PD < 1/2 W) et les diodes de
redressement qui sont des diodes de forte puissance (PD > 1/2
W).

I- REDRESSEMENT
Dans la plupart des circuits électroniques, on a besoin de
sources de tension continue pour effectuer la polarisation des
composants.

Le redressement permet de transformer la tension de valeur


moyenne nulle (tension alternative) en une tension de signe
constant (tension continue).

On distingue deux types de redressement, le redressement


mono alternance qui se fait à l’aide d’une seule diode et le

29 | 5 9
redressement double alternance qui est réalisé soit avec 2
diodes ou avec un pont de 4 diodes.

I-1. REDRESSEMENT SIMPLE ALTERNANCE (demi-onde)

I- 1.1 Description

Le circuit redresseur mono- A


D

alternance est également appelé circuit


redresseur simple alternance ou circuit + VM
redresseur demi-onde. Il est composé - Rc

d’un transformateur d’instrumentation,


d’une diode en série avec une résistance B

de charge : c’est le plus simple des


circuits redresseurs simple alternance. Figure n°3-1 : Circuit redresseur
simple alternance.

I- 1.2 Valeurs du courant redressé


a.) Valeur maximale (IM)

La valeur maximale du courant traversant la résistance de charge RC


VM
a pour expression : IM  (3.2)
RC

Si l’on tient compte de la résistance interne de la diode et de celle de


l’enroulement secondaire, alors l’expression du courant IM devient :

VM
IM  (3.3)
RC  rD  RS

b.) Valeur moyenne : (Imoy)

La valeur moyenne du courant redressé est la valeur du courant


continu traversant la résistance de charge RC ; il a pour expression :

30 | 5 9
1
I moy  IM (3.3)

c.) Valeur efficace : (Ieff)

On montre que la valeur efficace du courant redressé mono-


alternance est donnée par la relation :

1
I eff  I M (3.4)
2

I-1.3 Facteur de forme


Connaissant les valeurs efficace et moyenne du signal redressé, on
peut définir le facteur de forme F ; ce facteur de forme est
déterminé par :

Veff I eff
F  (3.5).
Vmoy I moy

Pour le redressement mono-alternance, on obtient :


F  1,57 (3.6)
2

I-1.4 Ondulation : Vr
La tension de sortie VRL d’un redresseur demi-onde est une
tension périodique pulsée ; elle est composée d’une tension continue
constante (Vmoy) à laquelle est superposée une tension alternative vr
(de fréquence f) appelée ondulation. Cette tension redressée de
sortie est égale à chaque instant à la somme de sa valeur moyenne et
de la valeur instantanée de la tension d’ondulation. Vectoriellement on
peut écrire :

VR2C  Vmoy
2
 Vreff2 (3.7)

avec : VR : valeur efficace de la tension redressée de sortie ;


C

31 | 5 9
Vmoy : valeur moyenne de la tension redressée de sortie ;

Vreff : valeur efficace de la tension d’ondulation.

1 1
Les calculs montrent que : Vreff  VM  (3.8)
4 2

I-1.5 Rendement maximal η


Le rendement maximal de la conversion du signal alternatif en
un signal continu dans un redresseur simple alternance est défini
comme étant le quotient de la puissance cc (puissance en courant
continu) dissipée dans la charge RC à la sortie sur la puissance ca
(puissance en courant alternatif) fournie à l’entrée du circuit par
l’enroulement secondaire. Le rendement exprimé en pourcentage est
donné par l’expression :

PCC
 100 (3.9).
PCA

Calculons PCC :

2 2
Vmoy 1 1 
PCC  Vmoy  I moy     VM 
RC RC  

1 VM2
Soit : PCC   (3.10).
2 RC
2
Veff21 1 
Le calcul de PCA donne : PCA  Veff  I eff     VM 
RC RC  2 

1 VM2
Soit : PCA   (3.11).
4 RC

Des relations (4.19) et (4.20) conduisent à :

32 | 5 9
4
  100 (3.12)
2
On trouve : η = 40,52 %.

I-2. REDRESSEMENT DOUBLE ALTERNANCE UTILISANT


DEUX DIODES

I-2.1 Description
D1
vs
A VM

+ t
VM 0
N
vp b.)
VM
D2 VRL
- RL VM
B
t
a.) 0 c.)

Figure n°3-3 : Redressement double alternance utilisant


deux diodes :

a.) Circuit redresseur double alternance ;

b.) Forme du signal à redresser ;

c.) Forme du signal redressé.

Le circuit redresseur double alternance utilisant deux diodes


est constitué d’un transformateur à prise médiane (transformateur à
point milieu), de deux diodes et d’une résistance de charge. Les
diodes sont généralement des diodes idéales. Le point milieu N sert
de point de retour.

I-2.2 Fonctionnement

33 | 5 9
Lorsque la borne A est plus positive par rapport à la borne N
(ou par rapport à la borne B) la diode D1, soumise à une tension
positive, laisse passer un courant à travers la résistance de charge RL
et ceci, durant toute l’alternance positive ; pendant ce temps la diode
D2 elle, ayant une tension négative entre ses bornes, reste bloquée.

Lorsque la borne B devient positive par rapport à la borne N


(ou par rapport à la borne A), la diode D2 est maintenant soumise à
une polarisation directe : elle laisse passer un courant qui circule à
travers la résistance RL pendant toute l’alternance négative et
pendant cette alternance, la diode D1 ayant son anode négative, reste
bloquée.

On constate que, quelque soit l’alternance (positive ou


négative), un courant circule en permanence du haut vers le bas à
travers la résistance RL ; ce courant est appelé courant
unidirectionnel.

I-2.3 Tension in verse de crête


La tension inverse de crête est la tension inverse maximale
que chacune des diodes peut supporter. Elle est donnée par la
relation :

VTIC  2VM (3.13).

I-2.4 Valeurs du courant redressé


a.) Valeur maximale (IM)

La valeur maximale du courant redressé traversant la


résistance de charge RL est déterminée par :

VM
IM  (3.14)
RL

34 | 5 9
a.) Valeur moyenne (Imoy)

La valeur moyenne du courant redressé traversant la


résistance de charge RL, dans le cas du redressement double
2
alternance, est donnée par la relation : I moy  IM (3.15)

Lorsqu’un courant important circule dans la charge RL, il faut alors


tenir compte de la chute de tension aux bornes des diodes et aux
bornes de l’enroulement secondaire du transformateur :

2 Vmoy
I moy   (3.16)
 RS  rD  RL

c.) Valeur efficace : (Ieff)

La valeur efficace du courant redressé traversant la résistance de


charge RL, dans le cas du redressement double alternance, est
donnée par la relation :

1
I eff  IM (3.17)
2

I-2.5 Facteur de forme : F


Veff I eff 
F  
Vmoy I moy 2 2 (3.18)

I-2.6 Ondulation : Vr
La tension de sortie redressée VRL est composée d’une
tension continue constante (Vmoy) à laquelle est superposée une
tension alternative (de fréquence f) appelée ondulation et notée Vr.
On peut vectoriellement établir :

VR2Leff  Vmoy
2
 Vreff2 (3.19)

35 | 5 9
1 4
soit : Vreff  VM  (3.20)
2 2

On voit ici que la connaissance de la tension VM conduit à l’obtention


de la tension d’ondulation.

Coefficient d’ondulation : r

On appelle coefficient d’ondulation (r), le rapport entre la


tension d’ondulation sur la valeur de tension moyenne de sortie du
filtre.

Vreff
r (3.21)
Vmoy

I-2.7 Rendement maximal : η


Le rendement est défini comme étant le quotient de la
puissance cc (PCC), puissance en courant continu dissipée dans RL à la
sortie sur la puissance ca (PCA), puissance en courant alternatif
fournie à l’entrée du circuit par l’enroulement secondaire. Le
rendement est exprimé en pourcentage, est donné par la relation :
PCC
 100 (3.22)
PCA

Calculons la puissance PCC :


2 2
Vmoy 1 2 
PCC  Vmoy  I moy    VM  ,
RL RL  

4 VM2
soit : PCC  2 (3.23).
 RL

La puissance PCA est donnée par la relation : PCA  Veff  I eff .

Cette dernière relation à :

36 | 5 9
1 VM2
PCA  (3.24)
2 RL

Les relations (3.23) et (3.24) conduisent à :

8
  100 (3.25).
2

Par calcul on trouve : η = 81,05 %

I-3 REDRESSEMENT DOUBLE ALTERNANCE EN PONT

I-3-1 Description
Le redressement double alternance en pont de diodes est le
redressement le plus utilisé : il ne nécessite pas l’emploi d’un
transformateur à prise médiane ; il utilise quatre diodes reliées
entre elles pour former le pont de Graëtz .

A vs
M VM
vp D1
D4 t
Q RL
+ P-V
M
- VM b.)

D3 D2 VRL
N VM
B t
a.) c.)

Figure n°3-4 : Redressement double alternance en pont .

I-3.2 Fonctionnement
A l’alternance positive, la borne A est positive par rapport à la
borne B : les diodes D1 et D3, soumises à une polarisation directe
conduisent en laissant passer un courant à travers la résistance RL et
ceci, pendant l’alternance positive ; les diodes D2 et D4, pendant ce
temps, soumises à une polarisation inverse, restent bloquées.

37 | 5 9
A l’alternance négative, c’est le phénomène inverse qui
s’observe : la borne A est maintenant négative par rapport à la borne
B. Les diodes D2 et D4 sont maintenant passantes ; elles conduisent
en laissant passer un courant à travers la résistance RL. Pendant
toute cette alternance négative, les diodes D1 et D3, restent
bloquées.

La forme du signal de sortie redressé est illustrée à la figure


n° 4-15 c.).

On constate que, quelle que soit l’alternance (positive ou


négative), un courant circule en permanence de droite vers la gauche,
dans la résistance RL.

I-3.3 Tension inverse de crête : VTIC

La tension inverse de crête pour le redressement en pont a


pour expression : VTIC  VM (3.24)

I-3.4 Valeurs du courant redressé

Hormis la tension inverse de crête (VTIC) tous les calculs issus


du redressement double alternance utilisant deux diodes sont
également valables pour le redressement en pont.

I-4. FILTRAGE DU SIGNAL REDRESSE

D1 VRL(V)
A VM
vr(c-c)
N VM
VM D2 Vmoy

B C RL t
tc tdéch
b.)
a.)

38 | 5 9
Figure n°3-5 : Filtrage du signal redressé

a.) Circuit de filtrage du signal redressé.

b.) Forme du signal redressé et filtré.

Plus le coefficient d’ondulation est faible, plus le filtre est


efficace.

Remarque :

Lorsqu’on veut filtrer le signal pulsé ainsi obtenu, on place un


condensateur en parallèle avec la résistance RL. Ainsi la composante
alternative passe à travers le condensateur et le courant continu lui,
circule à travers la Résistance RL.

Exercice d’Application

On veut construire un redresseur double alternance utilisant un


transformateur à prise médiane et 2 diodes. Ce redresseur doit
fournir une tension moyenne de 48 V aux bornes d’une résistance RL
de 80 Ώ à partir d’une source de tension alternative de 220 V, 50
Hz. La résistance directe des diodes et la résistance de
l’enroulement secondaire du transformateur sont considérées comme
négligeables.

Calculer :

1.) La valeur efficace de la tension au secondaire du


transformateur.

2.) La valeur efficace de la tension d’ondulation

3.) La tension inverse de crête supportée par chacune des diodes.

4.) La valeur maximale du courant Imax dans la résistance RL et dans


chacune des diodes.

39 | 5 9
5.) La valeur moyenne du courant circulant :

a - Dans RL

b- Dans chacune des diodes

6.) La Puissance cc dissipée à la sortie dans la charge RL.

7.) Le rendement maximal de ce circuit redresseur

II DIODE ZENER – REGULATEUR DE TENSION

II-1 Diode Zener


Description - Symboles

La Diode Zener est une diode semi-conductrice


spécialement conçue pour pouvoir fonctionner
normalement dans les conditions de rupture :

• La largeur de la barrière de potentiel V0 est réduite.


• Le Champ électrique au niveau de la barrière de
potentiel est plus intense.
•Le phénomène d’avalanche se produit plus tôt et
ceci dès l’application de la tension inverse.
Symboles :
K K K

A A A
a.) b.) c.)

Figure n°3-7 : Symboles de la diode Zener.

Fonctionnement
La diode Zener est une diode stabilisatrice de tension, c’est un
dispositif électrique fournissant un courant variable sous une tension

40 | 5 9
constante. Les diodes Zener ont été mises au point par Zener
Clarence.

En polarisation directe, la diode Zener a une caractéristique


pratiquement semblable à celle de la diode ordinaire. La diode Zener
fonctionne sous polarisation inverse.

En pratique, lorsque la diode Zener est en polarisation


inverse, c’est à partir d’une tension spécifique, appelée tension
Zener (tension de claquage ou tension de rupture) que le très faible
courant Ii augmente brusquement.

Lorsque la tension Zener est atteinte en polarisation inverse,


la diode Zener maintient celle-ci dans les limites de fonctionnement.

La tension Vz indique la valeur de la tension inverse qui


produit le claquage de la jonction. Le courant Zener minimal Izmin est
le courant inverse le plus faible qui permet l’effet Zener.

Le courant Zener maximal Izmax, est le courant inverse le


plus élevé que peut supporter la diode Zener sans risque d’être
détériorée.

La puissance nominale de la diode Zener est donnée par la


relation : PZ max   VZ  I Z max  rZ  I Z max (3.25)
2

Caractéristiques

41 | 5 9
ID(mA) IS : courant de saturation ;
IZmin : courant zéner minimal ;
VZQ
VZ
0
IZmax : courant zéner

maximal ;
VD(V)
IS 0,65V
IZmin
Q • IZQ VZQ : tension zéner nominale ;
IZmax
IZQ : courant zéner associé

Ii(µA)
à VZQ ;

Figure n°3-8 : Caractéristiques de la diode zener.

II-2 Régulateur de tension shunt

Le régulateur de tension shunt, le plus simple est constitué


d’une diode Zener mise en parallèle avec la résistance de charge RL
et l’ensemble est mis en série avec une résistance Rs appelée
résistance série.

IS RS

IZ

Vi Vz V0 RL
rz

Figure n°3-9 : Régulateur de tension shunt utilisant de la diode


zener.

Principe de Fonctionnement :
La résistance série RS établit la différence de tension entre la
tension d’entrée Vi et la tension de référence VZ de la diode Zener
lorsqu’aucune charge n’est connectée à la sortie.

Vi = VRS + VZ => VRS = Vi - VZ. (3.25)

42 | 5 9
Lors du fonctionnement en charge, le courant zener IZ
diminue à mesure que le courant IRL augmente. Inversement, quand le
courant IZ augmente, alors c’est le courant IRL qui diminue. D’après
la loi des nœuds on peut écrire :

IRS = IZ + IRL (3.26).

Pour que le régulateur fonctionne comme une diode zener, il


faut que le courant IZ soit compris entre IZmin et IZmax :

IZmin ˂ IZ ˂ IZmax.

• Si IZ ˂ IZmin alors la diode zener va fonctionner comme une


diode classique en polarisation en polarisation inverse.

• Si IZ > IZmax alors il y a rupture des liaisons de covalence :


la diode zener est détériorée.

Lorsque la tension Vi augmente alors le courant IRS augmente


et par conséquent le courant IZ augmente et ainsi le courant IRL lui,
reste constant.

La tension de sortie V0 du régulateur de tension est donnée


par la relation : V0 = VZ + rZIZ (3.26)

Si rZ = 0 alors V0 = VZ (3.27).

D’après la relation (3.25), on peut écrire :

VRS = Vi – VZ = RS.IRS (3.28)

Vi  VZ
De cette dernière relation, il vient : I RS  (3.29)
RS

Calcul du courant : IZ

43 | 5 9
Lorsque la résistance rZ n’est pas nulle, le courant IZ est donné par
V0  VZ
la relation IZ  (3.30)
rZ

Calcul du courant de sotie : IRL

V0
Le courant IRL est donné par la relation : I RL  (3.31)
RL

Calcul de la résistance série : RS

Vi  VZ Vi  VZ
De l’expression (3.29), on peut écrire : RS   ;
I RS I Z  I RL

Vi  VZ
soit : RS  (3.32)
I RS

Remarque : la résistance série RS est calculée pour un


fonctionnement à vide (c'est-à-dire pour IRL = 0).

Calcul de la puissance de dissipation maximale :

• de la diode zéner : PDZ  VZ I Z max  rZ I Z2 max (3.32)

• de la résistance série RS : PRS max   RS I RS max  (3.33)


2

Taux de régulation – Facteur de stabilisation :

V0 SCH  V0CH
• Taux de régulation : K  (3.34)
V0CH

V0SCH : tension V0 sans charge ;

V0CH : tension V0 en charge ;

rZ
• Facteur de stabilisation S (3.35)
RS  rZ

44 | 5 9
Détermination de la résistance : RLmin

Le régulateur de tension cesse de stabiliser la tension de


sortie V0 lorsqu’aucun courant ne travers la diode zener (IZ = 0).
Dans ce cas on a :

IRS = IRL et la résistance de charge RL est minimale.

Les relations (3.29) et (3.31) conduisent à :


Vi  VZ V  VZ 
I RS   0 => RL min    RS max (3.36) si rZ = 0.
RS RL min  Vi  VZ 

Exercice : Dans le régulateur de tension shunt de la figure n° 4-11, la


diode zéner possède les caractéristiques suivantes: VZ = 20V; IZmin =
5mA;

IZmax = 70mA; rZ ≈ 0. On donne : RS = 100Ω et RL = 1kΩ.

On demande de calculer :

1- Les tensions minimale (Vimin) et maximale (Vimax) de la tension Vi

permettant une tension de sortie V0 constante.

2- La tension Vimax pouvant être supportée par le montage


fonctionnant à vide.

3- La puissance maximale de dissipation de la diode zéner et celle de


la résistance série RS.

Résultat

1°) Calcul des tensions Vimax et Vimin en en charge

En charge, la tension Vi a pour expression :

45 | 5 9
Vi = IRS.RS+VZ = (IZ+IRL)RS +VZ ;

ViMAX = IRSmax.RS+VZ = (IZmax+IRL)RS

VRL VZ
avec IRL =   20mA
RL RL

IRSMAX = IZMAX + IRL = 70 mA +20 mA = 90 mA ;

Ainsi on a : Vimax = (90+20)10-3×100 + 20 = 29V ;

Vimax = IZmaxRS+VZ ; Vimax = 29V

2°) Calcul de Vimax en fonctionnement à vide

A vide, le courant IRL est vide or Vi = IRS.RS+VZ = (IZmax+IRL)RS +VZ


or IRL = 0 donc on a : Vi = IZmaxRS+VZ d’où

VZ = 70. 10−3 .102 +20 = 27V

Vimax = 27 V.

3°) calculons la puissance maximale de dissipation et la puissance de


dissipation de la résistance RS.

Celle de la diode est donnée par la relation PZ = VZIZ + rZI2Z

Comme rZ = 0, alors PZ =VZ.IZmax = 20.70.10−3 𝑊= 1,4 W,

Soit : PZ ≃1W

Pour la résistance série, PRSmax = I²RSmax.RS = (IZmax +IRS)² . RS

PRSmax = (70+2O)²×10-6.100 = 0,81W ; Soit PRSmax ≃1W

III DIODE TUNNEL


III-1 Définition – Symbole

46 | 5 9
La diode tunnel possède pratiquement la même
constitution que celle de la diode classique, mais le dopage des
régions P et N est plus important : le dopage a été poussé jusqu’à sa
limite extrême. Le but de ce dopage excessif est d’obtenir une région
d’appauvrissement très petite (ultra mince (≈ 10-6 cm)).

A K

Figure n° 3-10 : symbole de la diode Tunnel

• En polarisation inverse, la diode tunnel conduit, donc


passante ;

• En polarisation directe, l’effet tunnel apparaît et à partir d’une


certaine tension on observe une décroissance de l’intensité, ce qui
correspond à une zone de résistance négative.

III-2 Caractéristique
I

IR IR = 500 μA
Ip
Zone de
résistance
négative
IV
VF
0 V
VP VV VR
IF

Figure n° 3-11 : Caractéristique de la diode tunnel.

Cette courbe caractéristique comporte une zone de


résistance négative. Elle est ainsi appelée parce que, toute
augmentation de tension dans cette zone réduit le courant. Cette
résistance négative est mise à profit dans les oscillateurs hautes

47 | 5 9
fréquences et dans les montages où le temps de commutation très
court est primordial.

IV DIODE VARICAP OU VARACTOR

IV-1 Définition - Symbole


Communément appelée varactor, la diode varicap est une diode
utilisée comme condensateur variable lorsqu’elle est soumise à une
polarisation inverse. Sa capacité varie en fonction de la tension
inverse (pas de manière linéaire mais inversement proportionnelle à
la racine carrée de la tension). Elle est due à la largeur de la zone de
déplétion. Le varactor possède une capacité notée CT appelée
capacité de transition ; elle est déterminée par la relation :
𝑘
CT = (3.37)
(𝑉0 +𝑉𝑖 )𝑛

K : Dépend de la méthode de fabrication

VO : Tension de seuil

Vi : Tension inverse
1
n= pour des diodes à alliage
2

1
n= pour des diodes à jonction.
3

A K

Figure n° 3-12 : Symbole de la diode varicap.

La diode varicap est utilisée dans les circuits d’accord des


récepteurs radios pour faire varier la capacité d’un circuit
d’accord de l’étage d’entrée ou de l’oscillateur local (VCO :

48 | 5 9
oscillateur commandé en tension) et donc la fréquence de
résonance.

IV-2 Courbe caractéristique


CT(pF)
80
60
40
20
Vi (V)
- 16 - 12 -8 -4 0

Figure n° 3-13 : Courbe caractéristique de la diode varicap.

V PHOTODIODE
V-1 Définition - Symbole

La photodiode est un dispositif semi- conducteur à jonction. Elle


fonctionne en polarisation inverse.

A K

Figure n° 3-14 : Symbole de la photodiode.

Lorsque l’on éclaire la photo diode (c’est à dire que lorsque l’on
la bombarde de lumière) à l’aide de la lumière ou de la radiation de
 c
longueur d’onde     , les photons heurtent les électrons de
 
valence du Semi-conducteur créant ainsi des paires électron- trou.

Lorsque ces électrons absorbent de l’énergie suffisante


provenant de la radiation, le courant inverse Ii monte à mesure que la

49 | 5 9
radiation s’intensifie. La photodiode est également appelée détecteur
de lumière.

V-2 Courbe caractéristique

Iλ(μA)
800 280 lx
600 150 lx

80 lx

courant inverse
Vi (V)

Figure n° 3-15 : Caractéristiques de la photodiode.

VI DIODE ELECTROLUMINESCENTE

VI-1 Définition – Symbole

La diode électroluminescente ou DEL (LED en Anglais (Light


Emitting Diode)) est une diode dopée spécialement pour qu’elle
émette un rayonnement visible ou non et ceci, lorsqu’elle est
traversée par un courant dans le sens direct. C’est une diode photo -
émissive sous polarisation directe.

La tension directe qui varie entre 1,2 V et 4,5 V dépend des


matériaux utilisés pour sa fabrication.

Les LED émettent dans l’infrarouge (0,7𝜇𝑚 < 𝜆 < 2𝜇𝑚) comme
alarme ou bien dans le visible (0,4𝜇𝑚 < 𝜆 < 0,7𝜇𝑚) comme témoin
lumineux ou comme affichage.

50 | 5 9
A K

Figure n°3-16 : Symbole de la diode électroluminescente (LED).

V-2 Caractéristiques
La caractéristique de la LED est semblable à celle d’une diode
classique ; elle s’éloigne de l’axe des ordonnées et ceci, en fonction
de la longueur d’onde λ.

Chapitre 4 TRANSISTORS A JONCTION

I TRANSISTORS BIPOLAIRES A JONCTION

I-1 GENERALITES

I-1.1 Description - Symbole

E C
N P N
Emetteur Collecteur
B
Jonction émetteur-base Jonction collecteur-base
Base
Figure n°4-1: Structure interne d’un transistor NPN.

Le transistor bipolaire type NPN est constitué par un cristal


semi-conducteur ayant une région P encadrée par 2 régions N. La
région P encadré est appelée Base. Elle sépare l’émetteur du
collecteur.

 Région Emetteur (E)

51 | 5 9
C’est une région fortement dopée. Elle est de type N et émet
des électrons dans la base.

 Base (B)

C’est une région faiblement dopée. Elle est de type P mais très
mince par rapport aux deux autres (régions). Elle fournit des
électrons au collecteur.

 Collecteur (C)

Cette région est moyennement dopée mais plus vaste que les deux
autres.

Symboles

C C
IC IC
IB VBC VBC
IB
B VCE B VCE
VBE VBE
IE IE

a.) E b.) E
Figure n°4-2: Symboles des transistors :

a.) NPN et b.) PNP.

C C
IC
Diode collecteur: DC Diode collecteur: DC
IB
B B

Diode émetteur: DE Diode émetteur: DE

IE
E E
a.) b.)

52 | 5 9
Figure n°4-3 : Représentation du transistor TBJ en diodes collecteur
et émetteur :

a.) NPN ; b.) PNP

I-1.2 Polarisation

On distingue quatre types (ou modes) de polarisation :

 Premier mode de polarisation :


Les diodes émetteur et collecteur sont toutes deux en
polarisation directe ; on dit dans ce cas que le transistor
est saturé.

N P N

 Deuxième mode de polarisation :


Les diodes émetteur et collecteur sont toutes deux en
polarisation inverse ; on dit dans ce cas que le transistor
est bloqué.

E C
N P N

Remarque : Les deux premiers modes de polarisation sont


utilisés en régime de commutation.

 Troisième mode de polarisation :

La diode émetteur est en polarisation inverse tandis que la


diode collecteur elle, est en polarisation directe ; on dit dans ce cas
que le transistor fonctionne en inverse.

53 | 5 9
E C
N P N

 Quatrième mode de polarisation :


La diode émetteur est en polarisation directe tandis que la
diode collecteur elle, est en polarisation inverse ; on dit dans ce
cas que le transistor fonctionne en régime d’amplification.
E C
N P N

Fonctionnement

Les circuits à transistors fonctionnent le plus souvent en


mode d’amplification (diode émetteur en polarisation directe et diode
collecteur en polarisation inverse).

• La barrière de potentiel au niveau de la jonction


émetteur-base est réduite ; celle au niveau de la jonction
collecteur-base est plus large.
• Les porteurs majoritaires (électrons) de la région
émetteur vont envahir la région base.
 Quelques-uns de ces électrons vont se recombiner aux rares
trous de la base créant ainsi un léger courant base IB de l’ordre
de micro-ampères (µA).
 La base étant très mince, la plus grande partie des électrons
injectés dans la base vont avoir suffisamment d’énergie pour
atteindre la jonction collecteur-base générant ainsi un courant
collecteur IC.

54 | 5 9
Le courant émetteur IE est à l’origine de l’apparition
des courants IB et IC.

IE = I C + IB (4.11)

IC = 𝛽IB (𝛽 : gain en courant du transistor) (4.12)


IC = αIE; (4.13) avec 0,95 < α < 0,98
I E    1I B (4.14)

On montre que :  (4.15)
1
I-1.3 Effets des courants résiduels

a.) Effets du courant ICBO

E C
N P N
IC
B

VEE VCC

Supposons qu’on coupe l’émetteur. Dans ce cas le courant IE est nul


et on peut dire, d’après la relation (4.13), que le courant IC est
également nul, mais en réalité il n’en est rien : IC est non nul. Il
existe un courant qui traverse le collecteur lorsque l’émetteur est
coupé ; ce courant noté ICB0 est appelé courant collecteur base
lorsque l’émetteur est coupé.

D’une manière rigoureuse, on peut donc établir :

IC = αIE + ICB0 (4.16)

b.) Effets du courant ICEO

E C
N P N
IC
IE B

VEE VCC

55 | 5 9
On coupe la base et là IB = 0 ; d’après la relation (4.12), on a tendance
à croire que le courant collecteur IC sera nul ; ce n’est pas vrai car à
travers le collecteur il y circule un courant IC appelé courant
collecteur émetteur quand la base est coupée. Ce courant est noté
ICE0. D’une manière rigoureuse, on peut donc écrire :
IC = βIB + ICE0 (4.17)

Exercice :

Montrer que l’égalité ICE0 = (β + 1) ICB0 est vérifiée entre les



courants résiduels ICB0 et ICE0. On donne :   .
1

I-1.4 Caractéristiques

te
a.) Caractéristique du collecteur IC = f(VCE) ; IB = C

Pour mesurer (tracer) les caractéristiques de la base, on


dispose de la figure ci-dessous :

IC RC

IB RB mA
µA V
VBB VCC
V IE

Figure n°4-4 : Circuit permettant le tracé des caractéristiques.

L’idée ici est de faire varier les tensions VBB et VCC :

• la tension VBB pour établir les différents courants et tension du


transistor ; le courant IB est maintenu fixe grâce à la résistance
variable RB.

56 | 5 9
• la tension VCC elle, sert à varier le courant IC et la tension VCE.

IC(mA) IC = 20 μA
IC = 15 μA
IC = 10 μA
IC = 5 μA

IC = 0 μA

VCE (V)
0 1
a.)

Figure n°4-5 : Caractéristiques du collecteur.

Interprétation :

• VCE = 0 : la diode collecteur n’est pas polarisée ;

• 0 ˂ VCE ˂ 1V : le courant IC monte très rapidement ;

• VCE = 1 V : le courant IC atteint sa valeur maximale ; il est noté


ICsat ;

• 1 V ˂ VCE ˂ VCEmax : au-delà de 1 V, le courant IC reste constant


c'est-à-dire stable : les variations de VCE n’affectent pratiquement
plus le courant IC ; il est assimilé à une source de courant.

• VCE > VCEmax : les courant IC monte de manière substantielle : le


transistor est détérioré.

te
b.) Caractéristique de la base IB =f(VBE) ; VCE = C

Considérons le même circuit et opérons autrement :

• la tension VCC va maintenant servir à fixer la tension VCE ;

57 | 5 9
• la tension VBB elle, permettra de varier le courant IB et la tension
VBE, une fois que la tension VCE est fixée.

IB (µ A)
VCE = 0
VCE = 5 V

IB0 VCE = 10V

IB5
IB10

VBE (V)
VBE0

Figure n°4-6 : Caractéristiques de la base.

Interprétation :

• le courant IB apparaît à partir de 0,65 V ;

• le courant IB n’est pas proportionnel à VBE ;

• la tension VCE affecte peu le courant IB : le courant IB diminue


lorsque la tension VCE augmente.

c.) Caractéristique du gain en courant β

Le gain statique en courant β est une donnée importante qui


peut réagir non seulement aux variations du courant IC, mais
également à celles de la température.

β
β2 T2 = 150°C

β1
T1 = 50°C

IC(mA)
ICQ

58 | 5 9
Figure n°4-7 : Caractéristiques du gain en
courant β.

Le gain statique peut, à une température donnée, augmenter


avec le courant IC jusqu’à un maximum au-delà duquel il commence par
décroître. Il peut également, pour une valeur donnée du courant IC
(ICQ), augmenter avec la température : il peut passer de β1 à β2
lorsque la température passe de 50°C à 150°C.

I-2 CIRCUITS DE POLARISATION

Le point de fonctionnement en régime statique est appelé


point de repos. La détermination de ce point de repos noté Q passe
par la connaissance de certaines grandeurs telles que : IB, VBE, IC,
VCE.
Le point de repos Q a deux coordonnées dont l’abscisse est
VCE et l’ordonnée, IC : Q (VCEQ ; ICQ).
I-2.1 Circuit de polarisation de la base

RC

RB IB IC
+VCC

VBB
IE

Considérons le circuit ci-dessus

La tension VBB polarise en direct la diode émetteur à travers


la résistance RB. Cette résistance sert à limiter le courant IB.

Circuit d’entrée :

VBB  I B RB  VBE (4.18)


59 | 5 9
VBB  VBE
IB  (4.19)
RB

• Droite d’attaque

VBE VBB
De la relation (4.19), on peut encore établir : I B    (4.20).
RB RB

En posant y = IB ; x = VBE ; a = -1/RB et b = VBB/RB , on trouve que la


relation (4.20) est de la forme y = ax + b. Cette relation est donc
l’équation d’une droite ; cette droite est appelée droite d’attaque.
VBE  0 VBE  VBB
Elle passe par deux points A et B tels que : A I  VBB et B
B
RB IB  0

IB(µA)
VBB A
RB

B
VBE(V)
VBB

Figure n°4-8 : Droite d’attaque.

Circuit de sortie :

Pour le compte du circuit de sortie, on peut écrire :

VCC  I C RC  VCE (4.21)

soit : VCE =VCC - ICRC (4.22)

• Droite de charge statique

VCE VCC
De la relation (4.21), on peut écrire : I C    (4.23).
RC RC

60 | 5 9
En posant y = IC, x = VCE, a = 1/RC et b = VCC/RC, on trouve que la
relation (4.23) est de la forme y = ax +b ; cette relation est donc
l’équation d’une droite ; cette droite est appelée droite de charge
statique. Elle passe par deux points M et N tels que :

VCE  0 VCE  VCC


M I  VCC et N
C IC  0
RC

IC(mA)

VCC M
RC

N
VCE(V)
VCC

Figure n°4-9 : Droite de charge statique.

On appelle droite de charge statique, l’ensemble des points


représentant chacun, l’intensité de courant pouvant traverser ce
circuit et ceci, depuis le courant minimal (IC = 0) jusqu’au courant
maximal noté ICsat.

Remarque :

 Lorsque le courant IC = 0, on dit que le transistor est bloqué et


la tension VCE associée à ce courant IC est appelée VCE blocage
et notée VCEbl.
 Lorsque la tension VCE est nulle, on dit que le transistor est
saturé et le courant IC associé à cette tension est appelé IC
saturation et noté ICsat.
 La région entourant le point de saturation (ICsat) est appelée
zone de saturation ; celle qui entoure le point de blocage est
désignée sous le nom de zone de blocage.

61 | 5 9
 La zone comprise entre la zone de saturation et la zone de
blocage est appelée zone active ou zone de fonctionnement
linéaire.

Application :

On considère le circuit de la figure n° 4-4 et on demande de


déterminer la lecture effectuée par un voltmètre placé entre le
collecteur et l’émetteur. On donne : VBB = 10 V ; VCC = 20 V ; RB = 1
MΩ ; RC = 5 kΩ ;β = 100 et VBE = 0,7 V.

Résultat :

La lecture effectuée par le voltmètre n’est rien d’autre que la


valeur de la tension VCE. On peut, d’après le circuit de sortie écrire :
VCC = ICRC + VCE => VCE = VCC – ICRC ; soit VCE = VCC – (βIB)RC avec
VBB  VBE 2  10  0,7 
IB  ; AN : VCE  20  5.10  10 
3
  15,35 V.
 10 
6
RB

I-2.2 Circuit de polarisation par diviseur de tension

Le circuit de polarisation le plus utilisé est celui de la


polarisation par diviseur de tension (voir figure ci-dessous).

IC IC + VCC
I1 I1

R1 RC R1 RC
C C
B IB B IB
VCC
I2 I2
E IE E IE
R2 RE R2 RE

a.) b.)

62 | 5 9
Figure n°4-10 : Circuit de polarisation par pont diviseur.

Les deux circuits de polarisation de la figure n° 4-10 sont


équivalents.

Le transistor bipolaire à jonction est un composant à trois


électrodes, donc possède trois courants (IE, IB et IC) et trois
tensions (VBE, VBC et VCE). Par rapport à la masse on distingue
également trois tensions : VB, VE et VC.

Calcul des tensions : VB, VE et VC.

IC + VCC
I1

R1 RC
C
B IB
VCE
I2 VC
VBE
E IE
R2 VB RE
VE
M

Figure n° 4-11 : Circuit permettant le calcul des paramètres.

Considérons le circuit de la figure n° 4-11 ci-dessus.

Pour IB ˂˂ I2 on peut écrire : I2 + IB ≈ I2 ; de plus on a : I1 = I2 + IB ;

on trouve : I1 = I2 + IB ≈ I2.

• Calcul de la tension : VB

On peut dire que le même courant traverse les résistances R1 et R2


R2
et par la règle de diviseur de tension on a : VB  VCC (4.24).
R1  R2

63 | 5 9
Par ailleurs on peut également écrire : VB  VBE  I E RE (4.25).

Ces deux dernières relations conduisent à :

1  R2 
IE   R  R VCC  VBE  (4.26).
RE  1 2 

Généralement pour ce type de polarisation on prend : IC ≈ IE.

Remarque : Pour le calcul du courant IC , il est conseillé de


déterminer IE puis établir : IC ≈ IE.

 Calcul de la tension : VE (tension émetteur par rapport à la


masse)

VE  I E RE (4.27)

 Calcul de la tension VC (tension collecteur par rapport à la


masse)

Pour le calcul de la tension collecteur par rapport à la masse, il faut


considérer le circuit de sortie.

VC  VCE  I E RE (4.28) ;

on trouve également : VC  VCC  I C RC (4.29)

Droite de charge statique

Pour tracer la droite de charge statique, il faut considérer le circuit


de sortie :

VCC  I C RC  VCE  I E RE  I C RC  RE   VCE (4.30) avec IE ≈ IC.

VCE VCC
soit I C    (4.31).
RC  RE RC  RE

64 | 5 9
1 VCC
En posant y = IC ; x = VCE ; a =  et b = , on trouve que
RC  RE RC  RE
la relation (4.31) est de la forme y = ax + b ; cette relation est donc
l’équation d’une droite appelée droite de charge statique.

IC(mA)

ICsat A

B
VCE(V)
0 VCC

Figure n° 4-12 : Représentation de la droite de charge statique.

La droite de charge statique est un ensemble de points


représentant chacun, l’intensité du courant IC pouvant traverser le
collecteur (de IC = 0 jusqu’à ICsat).

Remarque : Le circuit de la figure n°4-11 peut également être


représenté par le circuit simplifié ci-dessous :

+ VCC
RC

RTH B où RTH = R1 // R2
et
VTH
RE VTH = VBM = VB =(R2/(R1 + R2))VCC

M
Exercice d’application

Le transistor utilisé dans le circuit


amplificateur ci-contre, possède un gain
en courant β = 100.
Tracer dans le plan (VCE ; IC) la

65 | 5 9
droite de charge statique. On donne : + VCC
VCC = 12V ; RE = 0,5 k Ω ; RC = 1 KΩ et RC
VBE = 0,7V. R1

R2 RE

I-2.3 Circuit de polarisation par contre réaction du collecteur

+ VCC

RC

RB I’C
C
IC
B
IB
E

Figure n° 4-13 : Circuit de polarisation par réaction du collecteur.


Ce type de réaction est également appelé autopolarisation.
Le principe ici, est de ramener une tension sur la base et ce, dans le
but de neutraliser toute variation du courant collecteur. Supposons
que le courant collecteur monte ; la tension collecteur dans ce cas
diminue ce qui fait diminuer la chute de tension aux bornes de la
résistance RB, d’où diminution du courant IB. On peut donc dire que la
diminution du courant IB s’oppose à l’augmentation du courant
collecteur IC. Le courant circulant à travers le collecteur a pour
VCC  VBE
expression : IC  (4.32)
R
RC  B

Polarisation centrale :

66 | 5 9
On dit qu’on a une polarisation centrale lorsque le point de
repos Q se trouve au milieu du segment de droite représentant la
droite de charge statique. La polarisation centrale est également
appelée polarisation médiane. Pour le point Q centré, on a :

I Csat VCC
I CQ  (4.33) et VCEQ  (4.34).
2 2

I-2.4 Circuit de polarisation par l’émetteur

Ce type de polarisation exige une alimentation fractionnée


appelée également alimentation symétrique.

IC
+ VCC

RC RC
VCC

RB A VEE
RE A
RB
RE
IE
- VEE
a.) b.)

Figure n° 4-14 : Circuit de polarisation par l’émetteur.

On parle de polarisation de l’émetteur parce que


l’alimentation négative – VEE polarise en direct la diode émetteur à
travers la résistance RB. Pour analyser ce type de polarisation, il faut
considérer que la tension de l’émetteur par rapport à la masse est
inférieure à 1 V et comme la tension VEE est bien supérieure à 1 V,
alors l’extrémité supérieure de la résistance RE, le point A, est
considérée comme un point de masse approximatif. Ainsi toute la
tension VEE se retrouve entre les bornes de la résistance RE et par
conséquent on a :

67 | 5 9
VEE
IE  (4.35)
RE

L’émetteur étant considéré comme un point de masse


approximatif alors, on peut établir :

VCC = ICRC + VCE => VCE = VCC - ICRC

Le courant IC dans la plupart des cas est sensiblement égal à


IE ; ceci étant, pour un transistor saturé, on peut bien écrire :

VCC  VEE
I Csat  (4.36)
RC  RE

Application :

Calculer le courant IC et la tension VCE du circuit de la figure


n° 4-14.b), sachant que β = 100. On donne :

VCC =16V ; VEE = 20 V ; RC = 5 kΩ ; RE = RB = 10kΩ.

I-3 POLARISATION DES TRANSISTORS PNP

Le symbole du transistor bipolaire PNP est représenté à la

figure n°4-2.b) ; on constate que les diodes émetteur et collecteur


de ce transistor PNP, pointent dans des directions opposées à celles
du transistor bipolaire NPN et ce, dans les mêmes conditions.

On utilise principalement des transistors PNP lorsqu’on


dispose d’une alimentation négative. Ils sont souvent utilisés en
complément des transistors NPN lorsqu’on dispose d’une alimentation
symétrique.

Calcul des circuits à transistors PNP :

Si on utilise les modules, toutes les formules issues des


circuits à transistors NPN s’appliquent aux circuits PNP.
68 | 5 9
Application :

+ VEE
Calculer les trois tensions par
RE
rapport à la masse du transistor R2
PNP utilisé dans le montage ci-
2N3906
dessous sachant que : VEE = 10V ;
VBE = 0,7V. On donne : R1
R1 RC
= 10 kΩ ; R2 = 2,2 kΩ ; RE =
1kΩ ; RC = 3,6 kΩ.

II TRANSISTORS AEFFET DE CHAMP A JONCTION

Introduction
On distingue deux types de transistor EFT :

• Le transistor JEFT (transistor à effet de champ à jonction)

• le transistor MOSS FET (Métal Oxyde Semi-conducteur Field


Effet Transistor).

La conductivité du transistor JFET est basée sur une jonction


en polarisation inverse alors que celle du MOSFET se fait à l’aide d’un
effet capacitif.

II-1 TRANSISTOR JFET

II-1.1 Description et symboles

a.) Description

Il est constitué d’un barreau de silicium dopé (soit de type N,

soit de type P) appelé canal dans lequel on a diffusé deux régions de


type P ou N. Ces deux régions sont reliées entre elles. La région de

69 | 5 9
type P est également appelée substrat. L’une des extrémités du canal
est appelé Drain et se note D et l’autre Source noté S.

Sa conductivité est commandée par l’effet d’un champ électrique


appliqué dans sa partie centrale via une électrode appelé Grille
(Gate).

D : Drain
S :Source D
G :Grille
N
G D: Drain
G P P D S S: Source
G: Grille
N P N
N Canal N
P
Canal N S

Substrat

Figure n° 4-15: Constitution d’un JFET à canal N.

Le JEFT est un dispositif dont le fonctionnement est basé sur


le porteur majoritaire seulement. Elle est appelée Transistor
unipolaire.

Le JFET possède une forte impédance Zi d’entrée de l’ordre de


MΩ. Il possède une tension de décalage nul lorsqu’il fonctionne en
interrupteur : Tout est complètement bloqué ou tout passe
correctement. Il occupe moins d’espace en circuit intégré.

b.) SymbolesJFET : D D

G G

a.) S b.) S

Figure n° 4-16 : Symbole du transistor : a.) à canal N ; b.) à canal P

70 | 5 9
II-1.2 Principe de fonctionnement

La conductivité du JFET est commandée par l’effet d’un


champ électrique appliqué dans sa partie centrale via une électrode
appelée grille (G) ; cette conductivité est faite à la base d’une
jonction en polarisation inverse.

La tension VGG met en polarisation inverse les deux jonctions


PN : les deux barrières s’élargissent et le flot d’électrons qui passent
de la source vers le drain est réduit d’où diminution du courant drain
ID et par conséquent augmentation de la résistance du canal.

ID
D
N
G
VDD
P P VDS
VGG
VGS N
S

Figure n° 4-17 : Fonctionnement du transistor JFET à canal N.

Lorsqu’on augmente progressivement la tension VGG, les


zones de déplétion s’élargissent davantage réduisant encore plus le
passage des électrons ce qui diminue le courant ID : le courant ID
établi par la tension VDD est commandé par la tension VGS.

Le transistor JFET est un dispositif commandé par la tension.

II-1.3 Caractéristiques

On distingue les caractéristiques telles que la caractéristique


du drain et la courbe de transconductance. La caractéristique du
te
drain (ID = f(VDS) ; VGS= c ) est représentée à la figure n° 3.10 ;
celle de la transconductance est illustrée à la figure n° 3.11.

71 | 5 9
ID
ID (mA) VGS = 0 V
IDSS IDSS
VGS = -1 V

VGS = - 2 V
Q IDQ

VDS(V) VGS
0 VP VGSOFF 0
VGSQ
Figure n° 4-19 : Courbe de
Figure n° 4-18 : Caractéristiques du transconductance.
drain.

La courbe de transconductance est une parabole dont


l’équation est ci-dessous :
2
 V 
I D  I DSS 1  GS  (4.37)
 VGSOFF 

Cette relation (3.13) est valable pour les JFET et les MOSFT à
déplétion.

Cette courbe montre les limites de fonctionnement du transistor à


effet de champ :

pour VGS = VGSOFF =- VP on a : ID = 0

pour VGS = 0 on a : ID = IDSS

- Transconductance

La transconductance notée gm est définie comme étant le


rapport de la variation ΔID du courant drain ID à la variation
I D
correspondante ΔVGS de la tension VGS. Soit : g m  (3.14);
VGS
te
VGS = C ;

72 | 5 9
Si ΔID = 0,2mA et ΔVGS = 0,1 V alors gm = 2000µS (micro-siemens).

La transconductance gm est définie par la relation :


2
 V 
g m  g m0 1  GS  (4.38) et
 VGS 
 OFF 

2I DSS
g mo   (4.39)
VGSOFF

- Résistance drain-source : rds

La résistance drain-source en ca (courant alternatif) est le


rapport de la variation ΔVD de la tension VDS à la variation
VDS
correspondante ΔID du courant drain ID. Soit : rds  (4.40) ;
ID
te
VGS = C .

Beaucoup de fabricants donnent IDSS et VGSOFF ce qui permet,


avec la formule (3.13), de calculer le courant ID pour toute tension
VGS.

II-1.4 Circuit de polarisation

- Polarisation automatique

+ VDD

RD
ID
IG  0
VDS

RG RS

73 | 5 9
Figure n° 4-20 : Polarisation automatique.

La figure n° 3-12 est un circuit de polarisation automatique.


Le courant drain ID descend le long des résistances RD et RS
produisant une tension drain-source (VDS) :
VDD  VDS  I D RD  RS  (4.41) ;

On peut également écrire : VDS  VDD  I D RD  RS  (4.42)

La tension aux bornes de la résistance RS est : VRS  I D RS (4.43)

Le courant IG traversant la grille est négligeable (IG  0) :


VRG  I G RG  0 (4.44) ;

Ainsi on a : VRG  VGS  I D RS  0  VGS  I D RS ;

VGS  I D RS (4.45)

La relation (4.45) montre que la tension de polarisation VGS est


produite par la chute de tension VRS : on dit qu’on a à faire à une
polarisation automatique. Cette polarisation stabilise le point de
repos contre les variations des paramètres du JFET (IDSS , gm0).

A partir de cette dernière relation on peut écrire :

VGS
ID   (4.46)
RS

1
En posant : y = ID ; x = VGS et a   , on trouve que la relation (4.46)
RS
est de la forme y = ax ; elle est donc l’équation d’une droite qui passe
par l’origine (0 ; 0).

-Circuit de polarisation automatique à pont de grille.

74 | 5 9
+ VDD

R1 RD
D
G IG=0
VDS
S
R2 VG RS

Figure n° 4-21 : Circuit de polarisation automatique à pont de grille.

Ce type de polarisation réclame une résistance de plus que le


circuit de polarisation de la figure n° 4-20. Cette résistance
supplémentaire permet de fixer le potentiel de la grille.

II-2 TRANSISTOR MOSFET

Transistor MOSFET (Métal Oxyde Semi-conducteur Field Effet


Transistor) est également appelé transistor à grille isolée. La
différence essentielle de conception avec le transistor JFET réside
dans le fait que le contact de grille est séparé du semi-conducteur
par une couche isolante de silice (SiO2) d’où l’appellation transistor
MOS (Métal Oxyde semi-conducteur).

On distingue deux catégories de MOSFET : le MOSFET à


déplétion (DMOS) et le MOSFET à enrichissement (EMOS).

II-2.1 MOSFET à déplétion (D-MOS)

a.) Description – Symboles

Il existe deux types de MOSFET à déplétion : le D-MOS à


canal N dont le symbole est représenté à la figure n° 4-32 a.) et le D-
MOS à canal P dont le symbole est illustré à la figure n° 4-32 b.)

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L’impédance d’entrée du transistor D-MOS peut atteindre
15
des valeurs considérables (jusqu’à 10 Ω). On peut, dans ces
conditions, admettre que le circuit de grille ne consomme aucune
puissance.

3 D SymboleS
1
1 : Métal
Substrat
N 2 : Oxyde métallique D D
G P
3 N’: Régon de type N,
N faiblement dopée G G

S S
2
a.) b.)
S

Figure n°4-22 : Structure interne ( à canal N) et symboles du


transistor D-MOS.

Le MOSFET à déplétion est également appelé MOSFET à


appauvrissement.

Le transistor D-MOS est constitué par une plaque de silicium


dopée de type N avec une grille isolée à gauche et une région de type
P à droite appelée substrat. L’une des extrémités du canal est
appelée drain (D) et l’autre, source (S).

Une mince couche (2) de silice (SiO2) est dopée sur le coté
gauche du canal. Le dioxyde de silicium (SiO2) est identique au verre,
c’est un isolant (2). La grille (1) est métallique et est isolée du canal.
Le substrat est généralement relié au potentiel le plus bas, la source.

Enfin l’ensemble (1) (2) et (3) constitue l’équivalent d’un


condensateur dont le diélectrique est la silice (SiO2), l’une des
armatures est la grille et l’autre, la source.

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b.) Caractéristique

La caractéristique du transistor MOSFET à déplétion est


illustrée à la figure n° 4-22.

II-2.2 MOSFET à enrichissement (E-MOS)

a.) Description – Symboles

Description Symboles

D
1
Substrat
D D
N
1 : Métal
G P
G G
2 : Oxyde métallique
N
S S
2
S
a.) b.)

Figure n°4-23 : Structure interne et symboles du transistor E-


MOS.

La conception au point de vue structure interne est


différente de celle du transistor D-MOS : le transistor E-MOS ne
possède pas de canal. La plaque de silicium de type N est coupée, au
départ, en deux par le substrat de type P.

Il existe deux types de MOSFET à enrichissement : le


transistor E-MOS à canal N (son symbole est représenté à la
figure n° 4-23. a.) et le E-MOS à canal P (son symbole est
illustré à la figure n° 4-23. b.).

En raison de la valeur élevée de leur fréquence de coupure


haute, les transistors E-MOS sont utilisés comme mélangeurs,
amplificateurs UHF et en commutation analogique ultra-rapide.

b.) Caractéristique

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ID

ID Q
(passant)

VGS
0 VGS (th)
VDS

Figure n° 4-24 : Caractéristique du transistor E-MOS

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