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UNIVERSITE DABOMEY-CALAVI

ECOLE POLYTECHNIQUE DABOMEY-CALAVI

DEPARTEMENT DE GENIE ELECTRIQUE

ELECTRONIQUE GENERALE

Enseignant : EGOUNLETY Richard


Cel : 97 88 45 18 /94 03 24 88
Année 2020-2021

1
Chapitre 1 RAPPEL DE DEFINITIONS

Avant d’aborder l’étude de l’électronique appliquée, faisons


un rappel des définitions et relations essentielles concernant les
courants continu et alternatif.

I- COURANT CONTINU – COURANT ALTERNATIF

I-1 Courant continu

Le courant continu est un courant unidirectionnel (courant


circulant toujours dans le même sens et de valeur constante). Il
existe également des courants unidirectionnels dont les valeurs
varient périodiquement : les courants pulsés ou ondulés, les courants
en dents de scie.

i i i

t t t
0 0 T/2 T 0 T T
a.) b.) c.)

Figure n° 1-1 : Formes du courant continu :

a.) courant continu ; b.) courant continu pulsé ; c.) courant


continu en dents de scie

I-2 Courant alternatif

Le courant alternatif est un courant qui change de sens


périodiquement et dont la valeur moyenne est nulle.

Les réseaux de distribution de l’énergie électrique, alimentés


par des alternateurs, fournissent un courant alternatif sinusoïdal
(figure n° 1-2).
2
I-2.1 Fréquence

La fréquence (f) d’un Courant alternatif sinusoïdal est le


nombre de fois que le courant reprend le même sens pendant une
seconde. L’unité de fréquence est l’hertz (HZ).

La fréquence standard des réseaux de distribution européens


est de 50HZ ; elle est la même que celle du Benin (SBEE). La
fréquence standard utilisée sur les bateaux et les avions est de
400HZ.

I-2.2 Période

La période (T) est le temps constant qui s’écoule entre deux


reprises de même sens par un courant alternatif : c’est l’intervalle de
temps pendant lequel le courant alternatif se repète identiquement à
lui-même. Entre la fréquence f d’un courant alternatif et sa période
T, il existe une relation telle que :

1
f=
T (1.1)

La période dans cette relation est exprimée en secondes (s) et la


fréquence en hertz (HZ).

Exemple : la période T d’un courant alternatif de 50 HZ est :


1 1
T = = =0 , 02 s=20 ms
f 50
I-2.3 Alternance

On appelle alternance d’un courant alternatif, une demi-


période comprise entre deux changements de sens consécutifs.

3
i

+ Imax

π 4π
2π 3π t
0 π/2 3π/2

- Imax
T/2
Figure n°1-2 : Courant alternatif sinusoïdal.

II- VALEURS D’UNE TENSION OU D’UN COURANT


ALTERNATIF

Les diverses valeurs permettant d’évaluer un courant


alternatif sont :

II- 1 Valeur instantanée 

La valeur instantanée d’un courant alternatif (ou d’une tension


alternative) à un instant donné. Cette valeur instantanée du courant
alternatif (ou de la tension alternative) est calculée à partir de la

relation :
i=I max sin ωt (1.2)

ou
u=U max sin ωt (1.3)

Les lettres i et u représentent respectivement les valeurs


instantanées du courant alternatif et de la tension alternative
variant en fonction du temps, tandis que les symboles Imax et Umax
représentent les valeurs maximales ou amplitudes. Quant à la lettre
grecque ω, elle désigne la pulsation du courant ou sa vitesse
angulaire.

4

ω=2 πf =
T (radians par seconde : rad/s)
(1.4)

Exemple : Pour f =50HZ, ω = 2 ¿ 3,14 ¿ 50 = 314 rad/s

L’équivalence entre les radians et les degrés est fournie par


la relation :

360 °
1rad= =57 , 296 °≈57 ,3 °

II- 2 Valeur maximale ou Amplitude

La valeur de crête ou valeur maximale, est la plus grande


valeur instantanée que peuvent prendre la tension et l’intensité d’un
courant alternatif sinusoïdal durant une alternance.

u = Umax avec sin(ωt) = 1

Remarque : On appelle valeur crête à crête la valeur comprise entre


la valeur maximale positive et la valeur maximale négative d’un
courant alternatif sinusoïdal. Comme les crêtes positive et négative
sont symétriques, on peut écrire : Uc-à-c= 2Umax.

II- 3 Valeur moyenne

La valeur moyenne d’un courant variable est l’inttensité d’un


courant continu constant qui transporte, pendant le même temps, la
même quantité d’électricité que le courant variable.

L’intensité moyenne d’un courant alternatif sinusoïdal


correspondant à une période est nulle. On ne considère donc
l’intensité moyenne que pendant une alternance. Les valeurs moyennes
d’un courant alternatif sinusoïdal sont :

2
I moy= I max =0 , 636 I max
π (1.5)
5
2
U moy = U max =0 , 636 U max
et π (1.6)

Remarque : La valeur moyenne s’effectue sur une période lorsqu’il


s’agit des courants unidirectionnels périodiques.

II- 4 Valeur efficace

La valeur efficace d’un courant alternatif sinusoïdal est


l’intensité que devrait avoir un courant continu constant pour
produire, dans la même résistance et pendant le même temps, la
même énergie calorifique que le courant alternatif.

Les valeurs efficaces d’un courant alternatif sinusoïdal sont


données par les relations :

1
I eff = I =0 , 707 I max
√ 2 max (1.7)

1
U eff = U max =0 , 707 U max
et √ 2 (1.8)

II- 5 Facteur de forme

Le facteur de forme notée F est le rapport de la valeur


efficace à la valeur moyenne d’un courant périodique.

I eff U eff
F= =
I moy U moy (1.9)

Remarque : Pour le courant continu, les valeurs maximale, efficace et


moyenne sont confondues avec la valeur constante du courant, de
sorte que F = 1.

III- TRANSFORMATEURS D’ALIMENTATION

Les réseaux de distribution de l’énergie électrique


fournissent des tensions sinusoïdales dont les valeurs efficaces ont
6
pour valeurs : 110V, 220 V, 600 V, etc. La fréquence f est fixée soit
à 60HZ, soit à 50HZ. Les valeurs de ces tensions alternatives
conviennent rarement à l’alimentation directe des montages
redresseurs. Dans une alimentation à courant continu, l’adaptation de
la tension est réalisée à l’aide d’un transformateur.

III-1 Principe de fonctionnement

Primaire  Secondaire
IP NP NS IS
Réseau
UP US RC

Figure n°1-3 : Schéma de principe d’un transformateur à noyau de


fer.

Le transformateur est un appareil statique composé


essentiellement d’un noyau magnétique fermé en tôles minces, sur
lequel sont bobinés deux enroulements (ou plus) de fils de cuivre
isolés.

L’enroulement alimenté par le réseau alternatif de


distribution est appelé le primaire, tandis que l’enroulement qui
fournit la tension à l’utilisation, à la charge, est appelé le secondaire
(figure n°1-3). Les deux enroulements ont généralement des nombres
de spires différents (NP ≠ NS). L’enroulement qui possède moins de
spires est appelé en roulement basse tension (B.T.) et l’autre
enroulement haute tension (H.T.). Le transformateur est un appareil
réversible : l’enroulement basse tension peut être utilisé soit comme
primaire soit comme secondaire, selon les conditions d’emploi du
transformateur.

7
Les transformateurs qui alimentent les redresseurs ont
plusieurs fonctions :

- ils sont utilisés pour modifier la tension du réseau de


distribution et ce, pour obtenir les tensions continues désirées.

- Ils isolent électriquement le réseau alternatif de distribution


du réseau continu d’utilisation : ils empêchent toute liaison directe
entre les deux réseaux.

- Ils permettent d’obtenir le nombre de phases nécessaires pour


les redresseurs industriels polyphasés, par exemple six phases à
partir du réseau triphasé.

Remarque : l’utilisation d’autotransformateurs présente l’inconvénient


de ne pas isoler électriquement le circuit primaire (réseau) du circuit
secondaire (utilisation). Il faut, dans ce cas, correctement identifier
le point de masse lors du montage des redresseurs.

III-2 Rapport de transformation

La tension induite dans l’un des enroulements d’un


transformateur est proportionnelle au nombre de spires qui
constituent cet enroulement. On peut donc écrire :

US NS
a= =
UP NP (1.10)

a - Rapport de transformation du transformateur;

UP et US désignent respectivement la tension appliquée au


primaire et la tension induite au secondaire ; NP et NS désignent
respectivement le nombre de spires au primaire et au secondaire.

Lorsque le rapport de transformation est a > 1, il s’agit d’un


transformateur survolteur ou élévateur ; dans le cas contraire

8
(a < 1), on parle d’un transformateur dévolteur ou abaisseur. Lorsque
le rapport est a = 1, il s’agit d’un transformateur d’isolation.

Application :

Un transformateur possède 150 spires à l’enroulement


primaire et 450 spires à l’enroulement secondaire. Trouver la valeur
de la tension induite au secondaire si l’on applique 220 V au primaire.

Résultat :

De la relation (1.10) on peut établir :


NS 450
U S= ×U P = ×220=660V
NP 150

Le transformateur ne crée pas d’énergie mais la transforme.


Si l’on néglige les pertes dans le transformateur, la puissance fournie
par l’enroulement primaire est égale à celle dissipée dans une charge
résistive reliée au secondaire, soit :

US IP
U P ×I P =U S ×I S ⇒ =
UP IS (1.11)

Des relations (1.10) et (1.11) on peut établir :

US NS IP
a= = =
U P N P IS (1.12)

III-3 Rendement d’un transformateur

Le rendement d’un transformateur est le rapport de la


puissance alternative PS obtenue au secondaire à la puissance
alternative PP fournie au primaire. Le rendement d’un transformateur
s’exprime généralement en pourcentage ; il est noté η.

9
PS
η= ×100
PP (1.13)

La puissance fournie au primaire (PP) est égale à la puissance


délivrée par le secondaire PS, plus les pertes dans le transformateur.

Le rendement d’un transformateur de tension est excellent ;


à pleine charge il atteint 94% pour les petits transformateurs et
peut dépasser 98% pour les transformateurs de grosse puissance.

Application :


IP NP NS

UP US RC

Pour le transformateur ci-dessus, on donne :

UP = 220V ; NP = 550 spires ; IP = 3,8A ;

NS = 100 spires et RC = 2Ω. Calculer :

a.) la tension aux bornes du secondaire ;

b.) le rendement η.

Résultat :

a.) Tension aux bornes du secondaire U S


NS 100
U S= ×U P = ×220=40 V
NP 550  ; US = 40V

b.) Rendement η

10
PS U S ×I S U 2S 800
η= ×100= ×100= ×100= ×100≈95 ,69 %
PP U P ×I P R(U P×I P ) 836

III-4 Régulation d’un transformateur

La régulation d’un transformateur est le coefficient ou le


pourcentage qui représente les variations de la tension de sortie du
transformateur lorsque la charge varie. La baisse de tension au
secondaire, lorsque le transformateur est en charge, est causée par
les pertes dans le cuivre et par les pertes dues aux fuites
magnétiques dans le noyau du transformateur. Le pourcentage de
régulation est donné par la relation :

U SSCH −U SCH
% . de . régulation= ×100
U SCH (1.15)

USSCH : Tension de sortie sans charge (à vide) ;

USCH : Tension de sortie en charge ;

Application :

Calculer le pourcentage de régulation d’un transformateur


220V/24V, dont la tension au secondaire à vide est de 24,4V.

Résultat :

La relation (1.15) permet d’écrire :

U SSCH −U SCH 24 , 4−24


% . de . régulation= ×100= ×100=1, 66 %
U SCH 24

III-5 Masse -Terre

III-5.1 Masse

La masse est le potentiel de référence ; il est fixé, par


convention, à zéro du montage électronique. La masse est en général

11
reliée au pôle moins de l’alimentation continue servant à polariser le
montage.

III-5.2 Terre

La terre est une connexion physique au sol. Ce potentiel ne


peut être en aucun cas, considéré comme référence absolue : il est
différent d’un endroit de la terre à un autre.

La fonction d’une terre est la sécurité : évacuer les courants


induits par la foudre.

a.) b.)

Figure n°1-4 : Représentation de : a.) la masse ; b.) la terre.

IV- CONDUCTEURS – ISOLANTS - SEMI-CONDUCTEURS

IV-1 Conducteurs

Un conducteur est un matériau qui conduit aisément


le courant électrique. Les meilleurs conducteurs sont des
matériaux constitués d’un seul élément comme le cuivre (Cu),
l’argent (Ag) etc. Ces éléments sont caractérisés par des
atomes possédant un seul électron de valence faiblement lié à
l’atome.

IV-2 Isolants

Un isolant est un matériau qui ne conduit pas de


courant électrique sous des conditions normales. Les meilleurs
isolants sont des matériaux composés de plusieurs électrons de
valence contrairement aux conducteurs. Ces électrons de
valence (électrons de la couche périphérique), sont solidement
rattachés au noyau.

12
IV-3 Semi-conducteurs

Les semi-conducteurs, silicium et germanium pour ne


citer que ces éléments, sont des corps qui, après dopage possèdent
très peu d’électrons libres. Ce sont des corps intermédiaires entre
les isolants et les conducteurs : ils ne sont ni bons conducteurs, ni
bons isolants.

Leur résistivité varie entre 10-8 Ωm et 10-4 Ωm. Cette résistivité


varie en fonction de la température suivant la relation ci-dessous.

En élevant la température du semi-conducteur, on peut


rendre celui-ci conducteur ou du moins augmenter sa conductibilité.

Chapitre 2 DIODES SEMI-CONDUCTRICES

Introduction

L’adjonction des impuretés (arsenic, phosphore,


antimoine, ou indium) dont la valence (elle est de 5 ou de 3)
n’est pas la même détermine le type de semi-conducteur. On
distingue deux types de semi-conducteurs extrinsèques à
savoir : le semi-conducteur extrinsèque type N et le semi-
conducteur extrinsèque P. Le semi-conducteur type N a pour
porteurs majoritaires, les électrons et pour porteurs
minoritaires, les trous. Le semi-conducteur type P a pour
porteurs majoritaires, les trous et pour porteurs minoritaires,
les électrons.

Les diodes à semi-conducteurs ou diodes à jonction sont


utilisées dans la plupart des montages ou circuits
électroniques.

13
I- CONSTITUTION – PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT

I-1 Constitution

La diode à jonction est constituée par la juxtaposition des


semi-conducteurs type P et type N.
V0
A °°•°P°°•° -- + ••• ••
• •°•• •••°•• K
° °° - + •N • • •
°°•°°°°°•°° - + ••°•• •• • ••°•
Anode ° Cathode
Barrière de potentiel

• - électron

Figure n° 2-1 : Structure interne de la diode à jonction.

C’est un dispositif actif non linéaire dont le symbole est ci-


dessous représenté :

Symbole et représentation

A ID K

Anode Cathode A K

VD
a.) b.)

Figure n° 2-2 : a.) Symbole ; b.) Représentation physique de la diode.

Les grandeurs V (tension) et I (courant) sont liées par la


relation ci-dessous :
eV
KT
I D=I S (e −1 ) (2.1)

Où IS est le courant de saturation

-6
e : charge de l’électron : e =1,6.10 C

14
-23
K : constante de Boltzmann : K =1,38.10 J/K

T : température (en kelvins)

V : tension aux bornes de la diode.


eV
eV
KT
I D=I S e e KT
Généralement on prend (2.2) car >> 1.

I-2 Principe de fonctionnement

Lorsqu’une tension continue est appliquée entre les bornes de


la diode de manière à ce que l’anode soit positive par rapport à la
cathode, on dit que la diode est en polarisation directe : elle se
comporte dans ce cas comme un interrupteur fermé, c'est-à-dire
qu’elle laisse passer un courant appelé courant direct ou courant
passant.

Si l’on applique une tension continue entre ses bornes de


manière à ce que l’anode soit négative par rapport à la cathode, on dit
que la diode est en polarisation inverse : la diode est alors bloquée et
le très léger courant (de l’ordre de μA) qui la traverse est appelé
courant inverse ou courant bloquant. La tension (VD) entre les
bornes de cette diode en polarisation directe est appelée tension
directe ou tension positive ; celle (Vi) aux bornes de la diode en
polarisation inverse est appelée tension inverse ou tension négative.

−eV eV

KT KT
I i =I S ( 1−e ) e
(2.3) pour ˂˂

1, on peut écrire : Ii = IS (2.4)

15
D D
ID A K A K Ii

VD Vi
RL E RL
E

a.) b.)

Figure n° 2-3 : a.) Diode en polarisation directe ; b.) Diode en


polarisation inverse.

−eV eV

KT KT
I i =I S ( 1−e ) e
(2.3) pour ˂˂ 1,

on peut écrire : Ii = IS (2.4)

II- DIODE IDEALE-DIODE REELLE

II-1 Diode idéale

La diode idéale possède une tension de seuil V 0 nulle,


une résistance interne, nulle en polarisation directe et une résistance
interne, infinie en polarisation inverse. 

Remarque : La diode idéale est appelée diode parfaite lorsque sa


tension de seuil V0 est non nulle.

La tension de seuil (V0) est la tension minimale permettant le


passage du courant à travers la diode ; elle est approximativement
égale à 0,65V pour la diode au silicium  et de 0,27V pour la diode au
germanium.

Circuits équivalents

⁰ ⁰ ⁰ ⁰ ⁰ ⁰ ⁰ ⁰
Diode en polarisation
Diode en
inverse
polarisation directe

16
Figure n° 2-4 : Circuit équivalent d’une diode polarisée.

II-2 Diode réelle

La diode réelle est une diode qui présente une résistance non
nulle (résistance finie) en polarisation directe et une résistance
relativement élevée en polarisation inverse ; elle possède une tension
de seuil V0 non nulle. Son circuit équivalent est ci-dessous
représenté :

La résistance interne rD, appelée également résistance


dynamique, est déterminée par la relation :

25 mV
r D=
I D ( mA ) (2.5)

On constate que la résistance de la diode varie en fonction du


courant qui la traverse, plus le courant est élevé et plus la résistance
est faible.

Circuit équivalent

A K
rD
V0

Figure 2-7 : Circuit équivalent de la diode réelle

II-3 Caractéristiques

17
ID(mA) ID(mA) ID(mA)
rD  0 et V0  0
rD = 0 et V0 =0

a
VD(V) VD(V)
0 0 V0
Diode idéale Diode parfaite VZ
0
VD(V)
IS 0,65

b Ii(µA)
Diode réelle

Figure n° 2-6 : Caractéristiques des diodes, idéale, parfaite et réelle.

III- LIMITES DE FONCTIONNEMENT DES DIODES

Les diodes utilisées, en général, dans les alimentations sont


des diodes au silicium. Le choix des diodes est déterminé par les
caractéristiques fournies par le fabricant. Ces caractéristiques
doivent être respectées sinon les diodes peuvent être détériorées.
Les diodes au silicium supportent jusqu’à 200°C ; les diodes au
germanium elles, ne supportent que jusqu’à 100°C.

III-1 Courant direct moyen (Imoy)

Le courant direct moyen (I moy) est le courant moyen qui peut


traverser la diode en permanence sans limitation de durée.

III-2 Courant direct maximal répétitif (IFRM)

Le courant direct maximal répétitif (I FRM) est le courant


instantané maximal pouvant traverser la diode en fonctionnement
normal.

III-3 Tension inverse de crête répétitive VRRM

La tension inverse de crête, ou de pointe, répétitive (V RRM)


est la tension maximale que peut supporter la diode à l’état bloquée
sans limitation de durée.

18
III-4 Tension inverse de crête non répétitive VRSM

La tension inverse de crête, ou de pointe, non répétitive


(VRSM) est la tension maximale que peut supporter la diode à l’état
bloquée pendant un temps très court et inférieur à un cycle.

Remarque :

Pour les calculs, on adopte les marges de sécurité entre :

 25% et 50% pour les courants moyen et maximal,


 50% et 100% pour les tensions inverses de crête.

III-5 Température maximale de la jonction

La température maximale de la jonction (T j,max) est la


température la plus élevée à laquelle une diode semi-conductrice
peut fonctionner sans risque d’être détériorée. La diode au silicium
peut fonctionner jusqu’à 200°C ; la diode au germanium ne peut
supporter que 100°C.

III-6 Utilisation des diodes

Dans la fabrication des circuits redresseurs, les diodes


peuvent être montées en série, en parallèle et en série-parallèle
moyennant certaines précautions.

III-6.1 Diodes montées en série

R1 R2 R3

D1 D2 D3

C1 C2 C3

Figure n° 2-9 : Diodes montées en série.

19
Lorsque la tension inverse maximale appliquée à une diode est
supérieure à ce qu’elle peut normalement supporter, on monte
plusieurs diodes en série. Les caractéristiques de chaque diode
n’étant pas identiques, les potentiels à leurs bornes seront ajustés à
l’aide de résistances élevées (de 5kΩ à 50kΩ) branchées en
parallèle sur chaque diode. Pour protéger les diodes contre les
surtensions transitoires produites lors du passage de l’état passant
à l’état bloqué, de faibles condensateurs (quelques nF) sont
également mis en parallèle sur les diodes (figure n°2-9).

III-6.2 Diodes montées en parallèle

Si le courant consommé par la charge est supérieur à celui


que peut normalement supporter une diode, on monte plusieurs diodes
en parallèle (figure n° 2-10). Les caractéristiques des diodes montées
en parallèle doivent être identiques pour qu’il y ait une répartition
égale du courant dans chacune d’elles.

Les diodes doivent être maintenues à la même température,


aussi est-il préférable de les monter sur le même dissipateur
thermique pour que les températures des boîtiers tendent à
s’égaliser.

R1 D1

R2 D2

R3 D3

Figure n° 2-10 : Diodes montées en parallèle.

III-6.3 Diodes montées en série-parallèle

20
Imoy

T.I.C

Figure n° 2-11 : Montage de diodes en série-parallèle.

Dans les redresseurs industriels de grosse puissance, on


utilise des modules de redressement composés de diodes branchées
en série-parallèle (figure n° 2-11). Les précautions prises pour les
branchements en série et en parallèle s’appliquent également à ce
montage.

IV- DROITE DE CHARGE STATIQUE-POINT DE REPOS

IV-1 Droite de charge statique

Considérons le circuit ci-dessous et essayons de


tracer la droite de charge statique.

ID D

E = 50V
E RL RL = 5 KΏ

D’après la loi des mailles on peut établir :

VD E
I D=− +
E−V D −I D R L =0 => RL RL (2.6).

La relation (2.12) est l’équation d’une droite appelée droite de


charge statique. Elle passe par deux points A et B tels que :

21
V D=0
A| E V =E
I D= B| D
RL et I D=0

La droite de charge statique est l’ensemble des points


représentant les intensités de courant pouvant traverser le circuit
ci-dessus.

ID(mA)

10

VD(V)
0 50

Figure n° 2-12 : Droite de charge statique

IV-2 Point de repos

Le point de repos Q est le point d’intersection de la droite de


charge statique avec la courbe caractéristique courant – tension de la
diode.

ID(mA)

Q
IDQ • VD(V)
0 VDQ

Figure n° 2-13 : Détermination du point de repos

Chapitre 3 QUELQUES APPLICATIONS DE LA DIODE A JONCTION

Introduction 

22
La plupart des systèmes électroniques tels que les postes TV,
les chaines stéréo, les ordinateurs, ont besoin d’une tension continue
pour fonctionner. Le réseau électrique ne fournissant que la tension
alternative, la première chose à faire est de transformer cette
tension alternative (tension AC) en une tension continue (tension DC).

La diode semi-conducteur, ou diode à jonction, est un des


éléments essentiels des circuits redresseurs. Son action est
comparable à celle d’une soupape qui ne permet le passage de courant
que dans un seul sens.

I- REDRESSEMENT

Dans une alimentation à courant continu branchée sur le


secteur alternatif, la première opération consiste à éliminer les
alternances négatives de la tension alternative. Les diodes dans ce
cas vont bloquer les alternances négatives et fournir une tension
redressée pulsée qui sera ensuite transformée en tension continue
constante.

Le rôle du transformateur d’alimentation est d’adapter la


tension d’entrée provenant du secteur alternatif à la tension
redressée de sortie requise.

On distingue deux types de redressement à savoir : le


redressement mono-alternance (simple alternance) utilisant une seule
diode et le redressement double alternance utilisant soit deux
diodes, soit un pont de quatre diodes.

I-1 REDRESSEMENT SIMPLE ALTERNANCE

Le redresseur simple alternance élémentaire est composé


d’une source de tension alternative, habituellement des enroulements
secondaires du transformateur d’alimentation et d’une diode de

23
redressement placée en série dans le circuit de charge (figure n° 3-
1.a.)). C’est le plus simple des circuits redresseurs simple alternance.

D
A D1
A

+ VM
+
Rc VM
- N
vp
VM
D2
B - RL
a.)
B
b.)

A vs
M VM
vp D1
D4 t
Q RL
+ P-V
- VM
M

D3 D2 V R L
N VM
B t
c.)
d.)
Figure n° 3-1 : Différents types de circuits redresseurs : a.) circuit
redresseur mono-alternance ; b.) et c.) : circuits redresseurs double
alternance.

Le circuit redresseur le plus utilisé est le circuit redresseur en


pont de quatre diodes que nous allons étudier (voir figure n° 3-1. c.)).

Remarque : On utilise un transformateur à prise médiane lorsqu’il


s’agit d’un redressement à deux diodes.

I-2 REDRESSEMENT DOUBLE ALTERNANCE EN PONT

Le redressement double alternance en pont est le


redressement le montage le plus utilisé, car il ne nécessite pas

24
l’emploi d’un transformateur à point milieu. Il utilise plutôt quatre
diodes montées en pont (voir figure n° 3-1, c.)).

I-2.1 Principe de fonctionnement

Lorsque la borne A est positive par rapport à la borne B, les


diodes D1 et D3, étant en polarisation directe laissent passer un
courant à travers la résistance RL (de la droite vers la gauche) durant
toute l’alternance positive ; les diodes D2 et D4, pendant ce temps,
soumises à une polarisation inverse, restent bloquées.

A l’alternance négative, c’est le phénomène inverse qui


s’observe : la borne A est maintenant négative par rapport à la borne
B. Les diodes D2 et D4 sont maintenant passantes ; elles laissent
passer un courant qui circule à travers la résistance R L (de la droite
vers la gauche). Pendant toute cette alternance négative, les diodes
D1 et D3 (jadis passantes) ont chacune à leurs bornes, une tension
négative ;elles restent donc bloquées.

La forme du signal de sortie redressé est illustrée à la figure


n° 3-1, d.).

On constate que, quelle que soit l’alternance (positive ou


négative), un courant circule en permanence de droite vers la gauche
et ceci, dans la résistance RL. Ce courant est appelé courant
unidirectionnel pulsé.

I-2.2 Tension inverse de crête : VTIC

La tension inverse de crête notée VTIC est la tension inverse


maximale que chacune des diodes peut supporter sans risque d’être
détériorée. Elle est égale, dans le cas du redresseur en pont, à –V M ;
soit :

VTIC = -VM (3.1)

25
Remarque : la tension inverse de crête, dans le cas du redresseur
double alternance utilisant deux diodes, est égale à -2V M :

VTIC = -2VM (3.2)

I-2.3 Valeurs du courant redressé à la sortie

a.) Valeur maximale (IM)

La valeur maximale du courant redressé traversant la


résistance de charge RL est déterminée par :

VM
I M=
RL (3.3)

b.) Valeur moyenne (Imoy)

La valeur moyenne du courant redressé traversant la


résistance de charge RL, dans le cas du redressement double
2
I moy= I M
alternance, est donnée par la relation : π (3.4)

Lorsqu’un courant important circule dans la charge R L, il faut alors


tenir compte de la chute de tension aux bornes des diodes et aux
bornes de l’enroulement secondaire du transformateur :

2 V moy
I moy= ×
π R S+ rD + R L (3.5)

c.) Valeur efficace : (Ieff)

La valeur efficace du courant redressé traversant la résistance de


charge RL, dans le cas du redressement double alternance, est
donnée par la relation :

1
I eff = I
√2 M (3.6)

26
I-2.4 Facteur de forme : F
Il est défini comme étant le rapport de la valeur efficace à la
valeur moyenne du signal alternatif.
V I π
F= eff = eff =
V moy I moy 2 √2 (3.7)

I-2.5 Ondulation : Vr
La tension de sortie redressée VRL est composée d’une tension
continue constante (Vmoy) à laquelle est superposée une tension
alternative (de fréquence f) appelée ondulation et notée V r. On peut
vectoriellement établir :

V 2R =V 2moy +V 2r
Leff eff (3.8)

1 4
soit :
V r =V M
eff
√ −
2 π2 (3.9)

On voit ici que la connaissance de la tension VM conduit à l’obtention


de la tension d’ondulation.

Coefficient d’ondulation : r

On appelle coefficient d’ondulation (r), le rapport entre la


tension d’ondulation sur la valeur de tension moyenne de sortie du
filtre.

Vr
r= eff

V moy (3.10)

I-2.6 Rendement maximal : η


Le rendement est défini comme étant le quotient de la
puissance cc (PCC), puissance en courant continu dissipée dans RL à la
sortie sur la puissance ca (PCA), puissance en courant alternatif
fournie à l’entrée du circuit par l’enroulement secondaire. Le

27
rendement, exprimé en pourcentage, est donné par la relation :
PCC
η= ×100
PCA (3.11)

Calculons la puissance PCC :

V 2moy 1 2 2
PCC =V moy ×I moy= =
RL RL π M
V ( ) ,
2
4 V
PCC = 2 M
soit : π RL (3.12).

La puissance PCA est donnée par la relation  :


PCA=V eff ×I eff .

Cette dernière relation conduit à :


2
1 VM
PCA =
2 RL (3.13)

Les relations (3.23) et (3.24) conduisent à :

8
η= 2
×100
π (3.14).

Par calcul on trouve : η = 81,05 %

I-2.7 Filtrage du signal redressé de sortie

VRL(V)
VM
vr(c-c)

Vmoy
t
tc tdéch
b.)

28
D1
A

N VM
VM D2
B C RL

a.)

Figure n°3-2 : a.) Circuit redresseur double alternance avec filtre


capacitif ; b.) Forme de la tension de sortie redressée et filtrée.

Lorsque la borne A est positive par rapport à la prise médiane


N, le condensateur de filtrage se charge jusqu’à la tension V M, à
travers la diode D1 durant l’intervalle de temps Δt = t1. Le
condensateur étant chargé au maximum (avec VC > VD), va débiter un
courant à travers la résistance de charge RL en fonction de la
constante de temps RL C du circuit et ceci, pendant l’intervalle de
temps Δt = t2. A partir de t2, la borne B étant positive par rapport à
la borne N, la diode D2 laisse passer le courant et le condensateur se
trouve ainsi rechargé durant l’intervalle de temps Δt = t2. Et le cycle
reprend ; la forme de la tension redressée et filtrée de sortie est
représentée à la figure n° 3-2. b.).

Remarque : la somme du temps de charge t1 et du temps de décharge


t2 est égale à une demi-période : t1 + t2 = T/2.

I-3 Comparaison des trois circuits redresseurs

Le redresseur mono-alternance est très peu utilisé, sauf dans


certaines applications où la puissance demandée est faible. Son
principal avantage réside dans la simplicité du montage. Les
inconvénients peuvent se résumer comme suit :

-taux d’ondulation élevé (121%) ;

-faible rendement (40,5%) ;

29
-effet de saturation de l’enroulement secondaire du transformateur,
ce qui limite la puissance dissipée dans la charge.

Le redressement double alternance à deux diodes est plus


avantageux :

-taux d’ondulation, 48,2%

-rendement, à peu près à 81,2%

-aucun risque de saturation du transformateur.

Par contre, ce montage nécessite un transformateur à prise


médiane et seule la moitié de l’enroulement est utilisée pour chaque
alternance.

Le circuit redresseur double alternance en pont est le plus


avantageux des trois. Il n’utilise pas de transformateur à prise
médiane et, pour la même tension redressée à la sortie, la tension
inverse de crête supportée par chaque diode est la moitié de celle
supportée par chacune des diodes du circuit redresseur double
alternance utilisant deux diodes. Les valeurs du courant redressé (I M,
Imoy, Ieff), l’ondulation, le taux d’ondulation et le rendement
sont pratiquement les mêmes que celles du redressement double
alternance à deux diodes.

Exercice d’Application

On veut construire un redresseur double alternance utilisant un


transformateur à prise médiane et 2 diodes. Ce redresseur doit
fournir une tension moyenne de 48 V aux bornes d’une résistance R L
de 80 Ώ à partir d’une source de tension alternative de 220 V, 50
Hz. La résistance directe des diodes et la résistance de
l’enroulement secondaire du transformateur sont considérées comme
négligeables.

30
Calculer :

1.) La valeur efficace de la tension au secondaire du


transformateur.

2.) La valeur efficace de la tension d’ondulation

3.) La tension inverse de crête supportée par chacune des diodes.

4.) La valeur maximale du courant Imax dans la résistance RL et dans


chacune des diodes.

5.) La valeur moyenne du courant circulant :

a - Dans RL

b- Dans chacune des diodes

6.) La Puissance cc dissipée à la sortie dans la charge R L.

7.) Le rendement maximal de ce circuit redresseur

II- DIODE ZENER - REGULATEUR DE TENSION SHUNT

La diode Zener, contrairement aux diodes petit signal et aux


diodes de redressement, opère dans la région de claquage. Elle a pour
caractéristique de maintenir la tension sur la charge presque
constante et ce, en dépit des variations du secteur et de la
résistance de charge.

II-1 DIODE ZENER

Les diodes Zener (mises au point par Clarence Zener) sont


des dispositifs électroniques fournissant, dans certaines conditions,
un courant variable sous une tension constante.

C’est une diode spéciale optimisée pour fonctionner en


claquage inverse. Elle est principalement utilisée dans les régulateurs

31
de tension (circuits qui maintiennent une tension de sortie
constante).

Symboles :
K K K

A A A
a.) b.) c.)

Figure n°3-4 : Symboles de la diode Zener.

ID(mA)

IS : courant de saturation ;


VZQ
VZ
0
IZmin : courant zéner minimal ;
IZmax : courant zéner maximal ;
• VD(V)
IS 0,65V
IZmin
Q •
VZQ : tension zéner nominale ;
IZQ
IZQ : courant zéner associé
à VZQ ;
IZmax

Ii(µA)

Figure n° 3-5 : Caractéristiques de la diode Zener.

A K
VZ rZ

Figuren°3-6 : Circuit équivalent d’une diode Zener.

Les principales caractéristiques électriques des diodes Zener


fournies par les fabricants dans les fiches techniques, sont :

- Tension Zener (VZ) : caractéristique essentielle qui indique la


valeur de la tension inverse produisant le claquage de la jonction ;

- Courant inverse minimal (IZ,min)

32
Le courant inverse minimal (I Z,min) est le courant inverse le
plus faible qui permet l’effet Zener ;

- Courant inverse maximal (IZ,max)

Le courant inverse maximal (IZ,max) est le courant inverse le


élevé que peut supporter la diode Zener sans risque d’être
détériorée ;

- Puissance nominale (PZ,nom)

La puissance nominale (P Z,nom) est la puissance maximale


pouvant être dissipée par la diode Zener ; elle est déterminée par la
relation :

PZ , =V Z I Z ,max + r Z I 2Z ,max
nom   (3.15)

Lorsque la résistance dynamique rZ est nulle (rZ = 0), la relation


(3.15) devient :

PZ , =V Z I Z ,max
nom (3.16)

- Résistance dynamique rZ

La résistance dynamique rZ est le quotient de la variation ΔVZ


de la tension VZ aux bornes de la diode Zener et de la variation
correspondante ΔIZ du courant Zener traversant cette diode ;
autrement dit :

ΔV Z
rZ =
ΔI Z (3.17)

Remarque : La valeur de la résistance dynamique dépend du point de


fonctionnement QZ défini par la valeur du courant I Z ; elle diminue à
mesure que le courant IZ augmente.

33
II-2 REGULATEUR DE TENSION SCHUNT A DIODE ZENER

Une autre utilisation de la diode zener est le régulateur de


tension dont la fonction est de maintenir une tension fixe aux bornes
d’une charge, quelle que soit la valeur de cette dernière.

Une alimentation comprenant seulement un


transformateur d’alimentation, des diodes de redressement et un
filtre n’est pas suffisante pour fournir une tension de sortie continue
constante sans aucune ondulation résiduelle, lorsqu’elle est soumise à
des variations de la tension d’entrée (tension du réseau), du courant
de charge et de la température. Il faut donc ajouter un circuit de
régulateur de tension (ou de courant) entre le filtre et les circuits
d’utilisation

Le régulateur de tension shunt, le plus simple est


constitué d’une diode Zener mise en parallèle avec la résistance de
charge RL et l’ensemble est mis en série avec une résistance RS
appelée résistance série.

Quand une diode Zener est en parallèle avec une


charge résistive, le courant dans la résistance de limitation est égal à
la somme du courant Zener et du courant dans la charge. La méthode
d’analyse d’un régulateur Zener est de trouver (dans l’ordre) le
courant fourni, le courant dans la charge et le courant Zener.

Le régulateur Zener cesse d’être efficace lorsque la diode


quitte le régime de claquage. Les conditions les plus défavorables
sont la tension source minimale, la résistance série maximale et la
charge minimale. Pour un fonctionnement correct, les conditions
opératoires doivent donner un courant Zener supérieur à celui du cas
défavorable.

34
IS RS

IZ

Vi Vz V0 RL
rz

Figure n°3-7 : Régulateur de tension shunt à diode zener.

II-2.1 Principe de Fonctionnement


La résistance série RS établit la différence de tension entre la
tension d’entrée Vi et la tension de référence VZ de la diode Zener
lorsqu’aucune charge n’est connectée à la sortie.

Vi = VRS+VZ => VRS = Vi - VZ. (3.18)

Lors du fonctionnement en charge, le courant zener I Z


diminue à mesure que le courant I RL augmente. Inversement, quand le
courant IZ augmente, alors c’est le courant I RL qui diminue. D’après
la loi des nœuds on peut écrire :

  IRS = IZ + IRL (3.19).

Pour que le régulateur fonctionne comme une diode zener, il


faut que le courant IZ soit compris entre IZmin et IZmax :

I Zmin ˂ IZ ˂ IZmax.

• Si I Z ˂ IZmin alors la diode zener va fonctionner comme une


diode classique en polarisation en polarisation inverse.

• Si I Z > IZmax alors il y a rupture des liaisons de covalence : la


diode zener est détériorée.

Lorsque la tension V i augmente alors le courant IRS augmente


et par conséquent le courant IZ augmente et ainsi le courant IRL lui,
reste constant.

35
La tension de sortie V 0 du régulateur de tension est donnée
par la relation :

V 0 = VZ + rZ IZ (3.20)

Si rZ = 0 alors V0 = VZ (3.21).

D’après la relation (3.18), on peut écrire :

VRS = Vi – VZ = RS.IRS (3.22)

V i−V Z
I RS =
De cette dernière relation, il vient : RS (3.23)

II-2.2 Calcul du courant IZ :

Lorsque la résistance rZ n’est pas nulle, le courant IZ est donné par


V 0−V Z
I Z=
la relation : rZ (3.24)

II-2.3 Calcul du courant de sotie IRL :

V0
I RL=
Le courant IRL est donné par la relation : RL (3.25)

II-2.4 Calcul de la résistance série RS :

V i −V Z V i −V Z
RS = =
I RS I Z +I RL
De l’expression (3.29), on peut écrire :  ;

V i −V Z
RS =
soit : I RS (3.26)

Remarque : la résistance série RS est calculée pour un


fonctionnement à vide (c'est-à-dire pour IRL = 0).

36
II-2.5 Calcul de la puissance de dissipation maximale :
2
• de la diode zéner :
PDZ =V Z I Z max +r Z I Z max (3.27)
2
PR ( max )=R S I R ( max )
• de la résistance série RS : S S (3.28)

II-2.6 Taux de régulation – Facteur de stabilisation :

V 0 SCH −V 0CH
K=
• Taux de régulation : V 0CH (3.29)

V0SCH : tension V0 sans charge ;

V0CH : tension V0 en charge ;

rZ
S=
• Facteur de stabilisation
RS +r Z (3.30)

II-2.7 Détermination de la résistance RLmin

Le régulateur de tension cesse de stabiliser la tension de


sortie V0 lorsqu’aucun courant ne travers la diode zener (I Z = 0). Dans
ce cas on a :

IRS = IRL et la résistance de charge RL est minimale.

Les relations (3.23) et (3.25) conduisent à :

V i−V Z V0
I RS = =
RS RL min =>

VZ

pour rZ =0
R L min=
( )R
V i−V Z S max
(3.31) .

II-3 REGULATEUR SHUNT PROGRAMMABLE

37
La diode Zener programmable est une diode régulatrice de
tension possédant trois bornes (ou trois broches) : anode (A),
cathode (K) et une broche Réf. Elle est contrôlée en tension par la
borne Réf. Cette entrée à haute impédance n’absorbe qu’un très
faible courant.

Dans un montage régulateur shunt, l’utilisation de la diode


Zener programmable fournit des avantages par rapport à la simple
diode Zener : une tension de sortie réglable, une excellente stabilité
thermique et une faible impédance de sortie. Par exemple, la diode
Zener programmable μA431 présente les caractéristiques suivantes :

-IRéf compris entre 3 A et 10 A.

-Tension de sortie réglable V0 de 2 ,5 V à 30 V.

-Tension de référence VZ = 2,5 V.

-Impédance de sortie de 1,5 Ω jusqu’à environ 65 k Ω.

RS RS
Cathode
(K) IZ
IZ
Réf. Vi Vi R1 IRéf
VZ VZ
R2 VRéf
VRéf
Anode
(A)
a.) b.) c.)

Figure n° 3-8 : Diode Zener programmable : a.) Représentation


graphique ; b.) montage fournissant la tension de référence (VZ =
VRéf) ; c.) montage fondamental fournissant la tension VZ > VRéf.

La figure n° 3-8, c.) représente le montage fondamental de la

38
diode Zener programmable, qui permet d’élever la tension VZ au-
dessus de la tension de référence VRéf. Il s’agit d’un multiplicateur
formé de deux résistances R1 et R2, placées en parallèle avec la
diode. La valeur de la tension ajustable VZ est calculée à l’aide de la
relation suivante :

R 1 + R2 R
V Z=
( R2 ) ( )
V Réf = 1+ 1 V Réf
R2
(3.32)

VZ

De la relation (3.31) on a :


R1 =
( V Réf )
−1 R2
(3.33)

En pratique, R2 est inférieur à 10 kΩ ; la valeur de 2,7 k Ω


est généralement choisie.

Exercice d’application : Dans le régulateur de tension shunt de la


figure n° 4-11, la diode zéner possède les caractéristiques suivantes:
VZ = 20V; IZmin = 5mA; IZmax = 70mA; rZ ≈ 0. On donne : RS = 100Ω et
RL = 1kΩ. On demande de calculer :

1- Les tensions minimale (Vimin) et maximale (Vimax) de la tension Vi


permettant une tension de sortie V0 constante.

2- La tension Vimax pouvant être supportée par le montage


fonctionnant à vide.

3- La puissance maximale de dissipation de la diode zéner et celle de


la résistance série RS.

Résultat

1°) Calcul des tensions Vi,max et Vi,min en en charge.

En charge, la tension Vi a pour expression :

Vi = IRS.RS+VZ = (IZ+IRL)RS +VZ ;

39
ViMAX = IRSmax.RS+VZ = (IZmax+IRL)RS
VR VZ
L
= =20 mA
avec IRL = RL RL

IRSMAX = IZMAX + IRL = 70 +20 = 90mA ;

Ainsi on a : Vimax = (90+20)10-3×100 + 20 = 29V ;

Vimax = 29 V
Vimax= IZmaxRS+VZ ;

2°) Calcul de Vimax en fonctionnement à vide

A vide, le courant IRL est vide or Vi = IRS.RS+VZ = (IZmax+IRL)RS +VZ


or IRL = 0 donc on a : Vi = IZmaxRS+VZ d’où

VZ = 70.10−3 .102 +20 = 27V

Vimax = 27 V

3°) calculons la puissance maximale de dissipation et la puissance de


dissipation de la résistance RS.

Celle de la diode est donnée par la relation PZ = VZIZ + rZI2Z

Comme rZ = 0, alors PZ =VZ.IZmax = 20.70.10 W = 1,4 W ;


−3

PZmax = 1W
Soit :

Pour la résistance série, PRSmax = I²RSmax.RS = (IZmax +IRS)² . RS

PRSmax = 1W
PRSmax = (70+2O)²×10-6.100 = 0,81W ; soit :

Exercice d’application :

On désire obtenir une tension de sortie VZ de 20 V à l’aide


d’une diode Zener programmable dont la tension de référence est
40
VRéf = 2,5 V. calculer la valeur de la résistance R 1 nécessaire, sachant
que la résistance R2 est de 3 kΩ .

III- DIODE TUNNEL

III-1 Définition – Symbole


La diode tunnel possède pratiquement la même
constitution que celle de la diode classique, mais le dopage des
régions P et N est plus important : le dopage a été poussé jusqu’à sa
limite extrême. Le but de ce dopage excessif est d’obtenir une région
d’appauvrissement très petite (ultra mince (≈ 10-6 cm)).

A K

Figure n° 3-9 : symbole de la diode Tunnel

• En polarisation inverse, la diode tunnel conduit, donc


passante ;

• En polarisation directe, l’effet tunnel apparaît et à partir


d’une certaine tension on observe une décroissance de l’intensité, ce
qui correspond à une zone de résistance négative.

III-2 Caractéristiques

IR IR = 500 μA
Ip
Zone de
résistance
négative
IV
VF
0 V
VP VV VR
IF

41
Figure n° 3-10 : Caractéristique de la diode tunnel.

Cette courbe caractéristique comporte une zone de


résistance négative. Elle est ainsi appelée parce que, toute
augmentation de tension dans cette zone réduit le courant. Cette
résistance négative est mise à profit dans les oscillateurs hautes
fréquences et dans les montages où le temps de commutation très
court est primordial.

IV- DIODE VARICAP OU VARACTOR

IV-1 Définition - Symbole


Communément appelée varactor ou diode d’accord, la diode
varicap est une diode utilisée comme condensateur variable
lorsqu’elle est soumise à une polarisation inverse. Sa capacité varie
en fonction de la tension inverse (pas de manière linéaire mais
inversement proportionnelle à la racine carrée de la tension). Elle
est due à la largeur de la zone de déplétion. Le varactor possède une
capacité notée CT appelée capacité de transition ; elle est déterminée
par la relation :

k
CT = n
( V 0 +V i ) (3.37)

K : Dépend de la méthode de fabrication

VO : Tension de seuil

Vi : Tension inverse


1
n = 2 pour des diodes à alliage

1
n = 3 pour des diodes à jonction.

A K
42
Figure n° 3-11 : Symbole de la diode varicap.

La diode varicap est utilisée dans les circuits d’accord des


récepteurs radios pour faire varier la capacité d’un circuit
d’accord de l’étage d’entrée ou de l’oscillateur local (VCO :
oscillateur commandé en tension) et donc la fréquence de
résonance.

IV-2 Courbe caractéristique


CT(pF)
80
60
40
20
Vi (V)
- 16 - 12 -8 -4 0

Figure n° 3-12 : Courbe caractéristique de la diode varicap.

V- PHOTODIODE

V-1 Définition - Symbole


La photodiode est un dispositif semi- conducteur à jonction.
Elle fonctionne en polarisation inverse.

A K

Figure n° 3-13 : Symbole de la photodiode.

Lorsque l’on éclaire la photo diode (c’est à dire que lorsque


l’on la bombarde de lumière) à l’aide de la lumière ou de la radiation

43
c
de longueur d’onde
(
λ ν=
λ ) , les photons heurtent les électrons
de valence du Semi-conducteur créant ainsi des paires électron-trou.

Lorsque ces électrons absorbent de l’énergie suffisante


provenant de la radiation, le courant inverse Ii monte à mesure que la
radiation s’intensifie. La photodiode est également appelée détecteur
de lumière.

V-2 Courbe caractéristiques

Iλ(μA)
800 280 lx
600 150 lx

80 lx

courant inverse
Vi (V)

Figure n° 3-14 : Caractéristiques de la photodiode.

VI- DIODE ELECTROLUMINESCENTE

VI-1 Définition – Symbole

La diode électroluminescente ou DEL (LED en Anglais (Light


Emitting Diode)) est une diode dopée spécialement pour qu’elle
émette un rayonnement visible ou non et ceci, lorsqu’elle est
traversée par un courant dans le sens direct. C’est une diode photo -
émissive sous polarisation directe.

La tension directe qui varie entre 1,2 V et 4,5 V dépend des


matériaux utilisés pour sa fabrication.

44
Les LED émettent dans l’infrarouge (0,7 μm< λ<2 μm ¿ comme
alarme ou bien dans le visible (0,4 μm< λ<0,7 μm¿ comme témoin lumineux
ou comme affichage.

A K

Figure n°3-15 : Symbole de la diode


électroluminescente (LED).

VI-2 Caractéristiques

La caractéristique de la LED est semblable à celle d’une diode


classique ; elle s’éloigne de l’axe des ordonnées et ceci, en fonction

de la longueur d’onde λ .

Chapitre 4 TRANSISTORS

Introduction

Le transistor est très utilisé dans les diverses fonctions de


l’électronique (amplificateur, commutation, etc.). On distingue trois
grandes familles de transistors :

-transistor bipolaire à jonction

-transistor à effet de champ ou transistor unipolaire ;

-transistor unijonction

I-TRANSISTORS BIPOLAIRES A JONCTION

Le transistor est un composant à semi-conducteur qui remplit


deux fonctions vitales en électronique ; celle d’amplificateur (c’est un

45
générateur de fort courant en sortie commandé par un faible courant
en entrée) et de commutateur (à la manière d’un interrupteur
marche/arrêt).

I-1 GENERALITES

I-1.1 Description - Symbole

E C
N P N
Emetteur Collecteur
B
Jonction émetteur-base Jonction collecteur-base
Base
Figure n°4-1: Structure interne d’un transistor NPN.

Le transistor bipolaire type NPN est constitué par un cristal


silicium ayant une région P encadrée par 2 régions N. La région P
encadré est appelée Base. Elle sépare l’émetteur du collecteur.

Ces trois zones correspondent aux trois bornes du transistor.


La zone correspondant à l’émetteur est fortement dopée ; celle
correspondant au collecteur, plus large que les deux autres est
moyennement dopée : on ne peut donc inverser l’émetteur et le
collecteur. Ils existe deux types fondamentaux de transistors
bipolaires, dits complémentaires ; le type NPN et le type PNP.

Symboles C C
IC IC
IB VBC VBC
IB
B VCE B VCE
VBE VBE
IE IE

a.) E b.) E

Figure n°4-2: Symboles des transistors : a.) NPN ; b.) PNP.


46
I-1.2 Polarisation

Le transistor bipolaire peut être utilisé soit comme


amplificateur, soit comme commutateur : il est utilisé comme un
amplificateur lorsque la diode émetteur est polarisée en direct et la
diode collecteur en inverse.

Le transistor ici, sera utilisé en régime d’amplification.

I-1.3 Caractéristiques

te
 Caractéristiques de la base : IB = f(VBE) ; VCE = C

La caractéristique de la base, pour une tension V CE donnée,


est semblable à celle d’une diode ordinaire ; la tension VCE a peu
d’influence sur le courant de base IB.

Caractéristiques IB = f(VBE) ; VCE Caractéristiques IC = f(VCE) ; IB = Cte


= Cte
IC(mA) IB = 30 µA
IB (μA) VCE = 5 V
VCE = 10 V
VCE = 0 V ICsat IB = 25 µA
IB2 IB = 20 µA
IB0 < IB1 < IB2 IB = 15 µA
IB1
IB0 IB = 0 µA
VBE (V) VCE(V)
0 0,65 VBE0
0 1V VCEmax
a.)
b.)

Figure n° 4-3 : Courbes caractéristiques :

a.) de la base ;

b.) du collecteur.

te
 Caractéristiques du collecteur : IC = f(VCE) ; IB = C

Selon la caractéristique du collecteur, on distingue trois


régions :

47
 0 < VCE < 1 V : Le courant IC monte à mesure la tension V CE
augmente (cas des résistances) : cette zone est appelée zone
ohmique ;
 1V < VCE < VCEmax : la tension n’influe pas le courant IC : le
courant IC reste pratiquement constant : le collecteur est
assimilé à un générateur de courant. On constate également la
présence d’un faible courant IC pour IB égal à zéro.

I-1.4 Fonctionnement

Les circuits à transistors fonctionnent le plus souvent en


mode d’amplification (diode émetteur en polarisation directe et diode
collecteur en polarisation inverse).

• La barrière de potentiel au niveau de la jonction


émetteur-base est réduite ; celle au niveau de la jonction
collecteur-base est plus large.
• Les porteurs majoritaires (électrons) de la région
émetteur vont envahir la région base.
• Quelques-uns de ces électrons vont se recombiner aux
rares trous de la base créant ainsi un léger courant base I B de
l’ordre de micro-ampères (µA).
• La base étant très mince, la plus grande partie des
électrons injectés dans la base vont avoir suffisamment
d’énergie pour atteindre la jonction collecteur-base générant
ainsi un courant collecteur IC.
Le courant émetteur IE est à l’origine de l’apparition
des courants IB et IC.

IE = IC + IB (4.11)

IC = β IB ( β  : gain en courant du transistor) (4.12)


IC = αIE; (4.13)
avec 0,95 < α < 0,98
48
I E =( β +1 ) I B (4.14)
α
β=
On montre que : 1−α (4.15)

I-2 CIRCUITS DE POLARISATION

Les circuits de polarisation sont des circuits fonctionnant en


régime statique. Ils conduisent, comme dit plus haut, à la
détermination du point de repos noté Q du transistor.
Il existe plusieurs types de circuits de polarisation tels que :
circuit de polarisation par la base, circuit de polarisation par pont
diviseur, circuit de polarisation par réaction du collecteur et circuit
de polarisation de l’émetteur. Le plus utilisé des ces circuits est le
circuit de polarisation par diviseur de tension représenté ci-dessous.

IC + VCC
I1

R1 RC
C
B IB
VCE
I2 VC
VBE
E IE
R2 VB RE
VE

Figure n°4-5 : Circuit de polarisation par pont diviseur.

Calcul des paramètres

Le transistor bipolaire à jonction est un composant à trois


électrodes, donc possède trois courants (IE, IB et IC) et trois
tensions (VBE, VBC et VCE). Par rapport à la masse on distingue
également trois tensions : VB, VE et VC.

Considérons le circuit de la figure n° 4-4 ci-dessus.

49
Pour IB ˂˂ I2 on peut écrire : I2 + IB ≈ I2 ; de plus on a : I1 = I2 + IB ;

on trouve : I1 = I2 + IB ≈ I2.

 Calcul de la tension : VB (tension base par rapport à la


masse)

On peut dire que le même courant traverse les résistances R 1 et R2 et


R2
V B= V CC
par la règle de diviseur de tension on a : R1 + R 2 (4.16).

Par ailleurs on peut également écrire :


V B =V BE + I E R E (4.17).

Ces deux dernières relations conduisent à :

R2
I E=
1
[ V −V BE
R E R1 + R2 CC ] (4.18).

Généralement on prend : IC ≈ IE.

Remarque : Pour le calcul du courant IC, il est conseillé de déterminer


IE puis établir : IC ≈ IE.

 Calcul de la tension : VE (tension émetteur par rapport à


la masse)

V E=I E R E (4.19)

 Calcul de la tension VC (tension collecteur par rapport à la


masse)

Pour le calcul de la tension collecteur par rapport à la masse, il faut


considérer le circuit de sortie.

V C =V CE +I E R E (4.20) ;

on trouve également :
V C =V CC −I C RC (4.21)

50
Droite de charge statique

Pour tracer la droite de charge statique, il faut considérer le circuit


de sortie :

V CC =I C RC +V CE + I E R E =I C ( RC + R E ) +V CE
(4.22) avec IE ≈ IC.

V CE V CC
I C =− +
soit RC + R E RC + R E (4.23).

1 V CC

En posant y = IC ; x = VCE ; a = RC+ RE et b = R C +R E , on trouve que
la relation (4.23) est de la forme y = ax + b ; cette relation est donc
l’équation d’une droite appelée droite de charge statique.

IC(mA)

ICsat A

B
VCE(V)
0 VCC

Figure n° 4-6 : Représentation de la droite de charge


statique.

La droite de charge statique est un ensemble de points


représentant chacun, l’intensité du courant IC pouvant traverser le
collecteur (de IC = 0 jusqu’à IC = ICsat).

Exercice d’application

Le transistor utilisé dans le circuit amplificateur ci-dessous,


possède un gain en courant β = 100.

Tracer dans le plan (VCE ; IC ) la droite de charge statique. On


donne : VCC = 12V ; RE = 0,5 k Ω ; RC = 1 KΩ  et VBE = 0,7V.

51
+ VCC

RC
R1

R2 RE

I-3 TRANSISTOR BIPOLAIRE COMME CELLULE


D’AMPLIFICATION

I-3.1 Généralités

Le transistor est un composant à trois bornes ; il peut donc

être utilisé comme un quadripôle amplificateur. Dans la plupart des


applications, une des trois bornes est commune à l’entrée et à la
sortie.

Nous allons, dans un premier temps, aborder le rôle joué par


les condensateurs dans les circuits d’amplification.

On distingue deux types de condensateurs à savoir : les


condensateurs de couplage et les condensateurs de découplage.

 Condensateurs de couplage

Le condensateur de couplage est un condensateur qui n’a


aucune de ses armatures directement reliée à la masse (C 1 et C2) ; il
relie un point A, qui n’est pas à la masse, à un autre point B qui, lui non
plus, n’est à la masse en c.a. : il constitue un court-circuit. Dans un

52
circuit amplificateur, le condensateur situé entre la source
alternative et une résistance est appelé condensateur de couplage.

 Condensateur de découplage

Le condensateur de découplage est un condensateur qui a une


de ses armatures directement reliée à la masse (C3).

+VCC

RC
R1

RS
BC 107
v0
v
vs vi  R2 RE
Zi

Figure n° 4-7 : Circuit amplificateur à émetteur commun

 Circuit équivalent c.a. du transistor bipolaire à jonction

B iB C iB C
B C
r
µvCE ρ ρ
βiB r
iE βiB
µ = 10-4
B
E a.) iE re'
µvCE = 0
E b.)
E
c.)

Figure n° 4-8 : Circuit équivalent c.a. approximatifs du transistor


bipolaire.

53
+VCC

RC rS ii iB iC
R1
C2
RS h11 ρ
C1 vi rB vB rC v 0
vS
BC 107 iE
ZB
v0
v
vs v i  R2 RE b.)
C3
Zi

a.)

Figure n° 4-9 : a.) Circuit amplificateur à transistor bipolaire ; b.)


Circuit équivalent c.a.

vi v0 v0 i0
Zi= Z 0= AV= Ai=
Calcul des paramètres : i i  ; i0  ; vi et ii

Le calcul des paramètres tels que les impédances d’entrée et


de sortie (Zi et Z0), les gains en tension et en courant (AV et Ai), etc.
est subordonné à la représentation du circuit équivalent c.a. (figure
n°4-9, b.)) du circuit amplificateur étudié (figure n°4-9, a.)).

Il est conseillé, dans un premier temps, de calculer


l’impédance d’entrée de base (ZB),  car cette impédance est
généralement présente dans la plupart des expressions de ces
paramètres.

vi
Calcul de l’impédance d’entrée Zi = ii

Pour le calcul de l’impédance d’entrée de base Z B, on peut

écrire :
v B=i B×Z B =i B×h11 ⇔ Z B=h11 (4.24)

54
D’après le circuit d’entrée du circuit équivalent c.a., on peut
écrire :

r B×Z B r B×h 11
v i =i i×Z i=i i ( r B // Z B ) ⇔ Z i =r B // Z B= Zi=
r B +Z B  ; soit : r B +h11  
(4.25) ;

v0
AV=
Calcul du gain en tension
vi

La tension vi et le courant iB sont des grandeurs d’entrée ; on


peut donc exprimer iB en fonction de vi ; soit :
vi
v i =v B =i B×Z B ⇔ i B=
ZB
D’après le circuit de sortie du circuit équivalent c.a., on peut
écrire :

v0
v 0 =−i C ×r C ⇔i C =β×i B =−
r C  ;

vi v0 v0 rC rC rC
soit :
β
( )
ZB
=− ⇔ =−β
rC vi ZB
=−β
h 11
 ; soit :
A V =−β
h11

i0
Ai=
(4.26) Calcul du gain en courant
ii

D’après la règle du diviseur de courant appliquée au circuit de


ZB h
iB= i i= 11 i i i0=iC =β×iB
la base, on a : r B +Z B r B+h11 et  ; soit :

55
h11 i0 h11 i0 h 11
i 0= βi B=β i ⇔ =β Ai= = β
r B+h11 i ii r B +h 11  ; soit : ii r B +h11
(4.27)

Pour h11 >> rB, on trouve : Ai = β.


v0
Z 0=
Calcul de l’impédance de sortie
i0

D’après le circuit de sortie du circuit équivalent c.a., on peut

établir : Z0 = ρ// rC ; rC≪ρ =¿ Z0≈ rC. (4.28)


II-TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP

Introduction

Le transistor à effet de champ est un dispositif qui


fonctionne avec un seul type de porteur de charge : on l’appelle
également transistor unipolaire.

On distingue deux grandes catégories de transistors à effet


de champ : le transistor à effet de champ à jonction (JFET) et le
Transistor à Effet de Champ à Semi-Conducteur Métal-Oxyde
(MOSFET).

Le transistor à effet de champ à jonction (JFET) fonctionne


à l’aide d’une jonction en polarisation inverse tandis que le
fonctionnement du transistor à effet de champ à semi-conducteur
métal-oxyde (MOSFET) lui, est basé sur un effet capacitif.

II-1 TRANSITOR A EFFET DE CHAMP A JONCTION : JFET

Introduction

56
Il existe une autre grande famille technologique de
transistor. Comme pour le transistor bipolaire, le transistor à effet
de champ a également deux versions : le FET à canal N et le FET à
canal P.

II-1.1 Généralités

Le transistor à effet de champ possède une forte impédance


d’entrée Zi (~ MΩ); il est moins sensible aux parasites et possède
une tension de décalage nulle lorsqu’il fonctionne en interrupteur :
tout est bloqué complètement ou tout passe correctement.

 Description – Symboles

D : Drain
S :Source D
G D: Drain
G :Grille D S S: Source
N G: Grille
N P N
G P P Canal N
P

N
Substrat
Canal N S
Figure n° 4-7: Constitution d’un JFET à canal N

Il est constitué d’un barreau de silicium dopé soit de type N,

(soit de type P) appelé canal dans lequel on a diffusé deux régions de


type P (ou N). Ces deux régions reliées entre elles portent une
électrode appelée substrat. L’une des extrémités du canal appelé
Drain est notée D et l’autre, Source est notée S.

Sa conductivité est commandée par l’effet d’un champ


électrique appliqué dans sa partie centrale via une électrode appelé
Grille (ou Gate).

57
D D

G G

S S
JFET à canal N JFET à canal P

Figure n° 4-8 : Symboles du JFET.

Le JEFT est un dispositif dont le fonctionnement est basé sur


les porteurs majoritaires seulement. Le JFET est également appelé
transistor unipolaire.

Le JFET possède une forte impédance Zi d’entrée de l’ordre de


MΩ. Il possède une tension de décalage nulle lorsqu’il fonctionne en
interrupteur : Tout est complètement bloqué ou tout passe
correctement.

 Polarisation

La conductivité du JFET est commandée par l’effet d’un


champ électrique appliqué dans sa partie centrale via l’électrode
appelée Grille (G) : cette conductivité est faite à la base d’une
jonction en polarisation inverse.

ID
D
N
G
VDD
P P VDS
VGG
VGS N
S

Figure n°4-9 : Principe de fonctionnement du JFET à canal N.

58
La tension VGG met en polarisation inverse les deux jonctions
PN : les barrières de potentiel s’élargissent et le flot d’électrons qui
passent de la source vers le drain est réduit, ce qui diminue le
courant drain ID. Cette diminution du courant drain I D provoque
l’augmentation de la résistance du canal. Lorsque l’on augmente
progressivement la tension VGG, les zones de déplétion s’élargissent
davantage réduisant encore plus le passage des électrons, ce qui fait
encore diminuer le courant drain ID ; le courant drain ID établi par la
source de tension VDD, est commandé par la tension VGG : le JFET est
un dispositif commandé par la tension (VGS).

 Caractéristiques

Caractéristiques ID = f(VDS) ; VGS ≤ 0 Courbe de transconductance :


ID = f(VGS) ; VDS = Cte
ID
ID (mA) VGS= 0
IDSS IDSS
VGS= -1V
VGS= -2V
VGS= -3V Q IDQ
VDS (V)
VP a.) VDSmax VGS
VGSOFF VGSQ 0
b.)

Figure n° 4-10 : a.) Caractéristique à VGS ≤ 0 du JFET à canal N ; b.)


Courbe de transconductance du JFET à canal N.

 Caractéristiques ID = f(VDS) ; VGS ≤ 0


 VDS = 0 : le drain et la source sont toutes deux reliées à la
masse ;
 0 ˂ VDS ˂ VP

59
Le canal est ouvert et se comporte comme une résistance
pure : le courant drain ID augmente rapidement : cette région est
appelée région ohmique ;

 VDS = VP

Le courant drain ID atteint sa valeur maximale ; il est noté


IDSS (Courant Drain Source de Saturation) ;

 VP ˂ VDS ˂ VDSmax

Le courant drain I D est constant : le dispositif se comporte


comme une source de courant ; la zone comprise entre VP et VDSmax est
appelée zone de fonctionnement normale ;

 VDS > VDSmax

Il y a rupture des liaisons de covalence : le JFET est détérioré.

La tension VP est appelée tension de pincement : c’est la


valeur de VDS à partir de laquelle le courant drain ID demeure
essentiellement constant.

 Courbe de transconductance du JFET à canal N.

Cette courbe montre les limites de fonctionnement d’un


JFET :

 ID = 0 pour VGS (ou VGSOFF) = -VP


 ID = IDSS pour VGS = 0

Cette courbe est une parabole dont l’équation est :


2
V GS
(
I D=I DSS 1−
V GSOFF ) (4.29)

Transconductance  gm

60
La transconductance notée gm est également appelée
conductance mutuelle. La transconductance g m s’exprime en Siemens
(S). Elle est définie comme étant le rapport de la variation ΔI D du
courant drain ID à la variation correspondante ΔVGS de la tension VGS.

ΔI D
gm =
Soit : ΔV GS (4.30) pour VDS = C  ;
te

Si ΔID = 0,2 mA et ΔVGS = 0,1V alors on a :


−3
0,2×10
gm = =2000 μS
0,1
La transconductance gm est notée gm0 lorsque la tension VGS =
0 ; on définit ainsi gm par la relation :

V GS
gm=g m0 1−
( V GSOFF ) (4.31)

2I DSS
gm0 =−

V GSOFF (4.32)

Remarque :

Dans le cas d’une polarisation centrale (polarisation médiane), la


tension VGS vaut le quart de la tension VGSOFF ; soit :

V GS
OFF
V GSQ =
4 (4.33)

Application :

Un transistor JFET a un courant I DSS égal à 10 mA et une


transconductance gm0 = 4000 µS. Calculer la valeur de la tension

61
VGSOFF ainsi que celle de la transconductance gm, pour le point de
repos Q centré.

Résultat :

2 I DSS 2 I DSS
gm=g m0 =− ⇒V GSOFF =−
V GS OFF gm 0
On sait que pour VGS = 0,  ;
−3
2×10 . 10
V GS =− −6
=−5V
Soit :
OFF
4000×10  ; VGS = -5 V

La relation (0.3) permet de calculer la valeur de g m :

V GS
(
gm=g m0 1−
V GS
OFF
)  ;

V GS
V GSQ=− OFF

Le point de repos Q étant centré, on a : 4 et ainsi


V GS

l’expression de gm devient :
(
gm=g m0 1−
4 V GS
OFF

OFF
) 3
= gm 0 =3000 μS
4
 ;

gm = 3000µS.

II- 1.2 Circuits de polarisation

 Circuit de polarisation automatique

62
+ VDD

RD
ID
IG  0
VDS

RG RS

Figure n° 4-11 : Circuit de polarisation automatique

La jonction grille source du JFET, de manière générale, est


en polarisation inverse.

V G=RG I G=V GS +I D R S (4.34)

et
I D RS =−V GS (4.35)

V GS
I D=−
soit : RS (4.36)

La relation (4.36) est l’équation d’une droite appelée droite de


polarisation automatique ; cette droite passe par l’origine. Elle est
ainsi appelée parce que la tension VGS est produite par la chute de
tension aux bornes de la résistance RS. On dit dans ce cas que la
polarisation est automatique.

D’après le circuit de sortie, on peut établir :

V DD =I D ( R D +RS ) +V DS
(4.37)

V DS=V DD −I D ( R D + R S )
et (4.38)

63
V DS V DD
I D=− +
De la relation (4.37), on trouve : RD+ RS RD+ RS
(4.39).

La relation (4.39) est l’équation d’une droite appelée droite de charge


statique.

Application :

On considère le circuit de la figure n° 4.11 ci-dessus ;


déterminer graphiquement les coordonnées du point de repos Q
sachant que :

IDSS = 10mA et VP = 4 V. On donne : VDD = 24 V ; RD = 6,2 kΩ ; RS = 1,5


kΩ et RG =1 kΩ.

 Circuit de polarisation automatique à pont de grille

+ VDD

R1 RD
D
G IG=0
VDS
S
R2 VG RS

Figure n° 4-12 : Circuit de polarisation à pont de grille 

Ce type de polarisation réclame une résistance de plus que le


circuit de polarisation de la figure n° 4-11. Cette résistance
supplémentaire permet de fixer le potentiel de la grille.

R2
V G= V DD
R1 +R 2 (4.35)

64
V G=V GS +I D RS (4.36)

V GS V G
I D=− +
RS RS (4.37)

La relation (4.37) est l’équation d’une droite appelée droite


de polarisation

Application :

Le transistor JFET du circuit de polarisation à pont de grille


ci-dessus possède les caractéristiques ci-dessous : IDSS = 8mA et
VP = 4 V.

1.) Tracer la courbe de transfert ID = f(VGS) à VDS = Cte.

2.) Déterminer le point de repos Q. On donne :

VDD = 16 V ; R1 = 2MΩ ; R2 = 280 kΩ ; RD = 2,5 kΩ et RS = 1,5 kΩ.

Résultat :

1.) Courbe de transfert ID = f(VGS) ; VDS = Cte.

Considérons l’équation de la courbe de transfert :


2
V
I D=I DSS
( 1− GS
−V P )

65
ID (mA)
VGS (V) ID (mA)

0 8 8

-1 4,5 6
4,5
-2 2 • 4
Q 2,5
-3 0,50 • 2

-4 0 • VGS (V)
-4 -3 -2 -1 2
1,75

2.) Le point de repos Q est le point d’intersection de la


courbe de transfert avec la droite de polarisation qui a pour
V GS V G R2
I D=− + V G= V DD
équation : RS RS avec R1 +R 2 . On trouve :
VG = 1,96 V≈ 2 V. L’équation de la droite de polarisation devient :
2 V GS 4
I D (mA )=− +
3 3 ; de cette équation, on trouve : VGSQ = -1,75 V et
IDQ = 2,5 mA. Ainsi on a : Q (6V ; 2,5mA) et VGSQ = -1,75V.

II-2 TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP : MOSFET

Introduction

Le Transistor à Effet de Champ à Semi-conducteur Métal-


Oxyde (MOSFET) représente la deuxième catégorie des transistors
à effet de champ. Il est différent de transistor JFET : il possède
une grille isolée du canal.

Les deux types fondamentaux de MOSFET sont le MOSFET à


déplétion et le MOSFET à enrichissement.

 MOSFET à déplétion : DMOS

Description – Symboles

66
1 métal
3 D
1
2 oxyde métallique
Substrat
N
3 Région N’ faiblement
G P dopée
De type N
N

2
S

Figure n° 4-13 : Structure interne du MOSFET à déplétion

L’ensemble 1
, 2
et 3
constitue l’équivalent d’un
condensateur pour lequel 1
et 2
représentent les armatures
et le 3
, le diélectrique. La région P faiblement dopée représente
le substrat.

Symboles :

D D

G G

S S
a.) b.)

Figure n°4-14 : Symbole du MOSFET à déplétion :

a.) à canal N et b.) à canal P

Principe de fonctionnement

La grille est isolée du canal, on peut donc lui appliquer soit


une tension négative soit une tension positive :

 Appliquons une tension négative : VGS ˂ 0

Par induction électrostatique, la charge négative de la grille


repousse les électrons de la région N’ ; cette région ainsi vidée

67
comporte des ions positifs ; elle devient donc moins conductrice. Plus
la grille est négative, plus la résistance de la région N’ est plus
grande.

Il existe une valeur de la tension VGS pour laquelle le courant


drain ID est nul ; il est nul lorsque la tension VGS est égale – VP.

 Appliquons maintenant une tension positive : VGS > 0

Les porteurs minoritaires du substrat P vont immigrer dans la


région N’ qui voit sa concentration en électrons augmentée : la
région N’ devient donc plus conductrice et le courant drain ID
peut alors circuler aisément.

Caractéristiques 

ID = f(VGS) ; VDS = Cte ID = f(VDS) ; VGS = Cte


ID (mA)
ID (mA) VGS= +1V
IDSS
IDSS
VGS= 0 V
VGS= -1V
VGS= -2V
VDS (V)
VGS (V)
VGSOFF 0 VP VDSmax

Figure n° 4-15 : Caractéristiques du MOSFET à


déplétion à canal N :

 MOSFET à enrichissement : EMOS

Description – Symboles

68
D
métal
Substrat
N
G P

N
oxyde
métallique
S

Figure n° 4-16 : Structure interne du EMOS à canal N.

Le canal est coupé au départ par le substrat de type P ; il ne


peut donc conduire en mode d’enrichissement.

Symboles :

D D

G G

S S
a.) b.)

Figure n°4-17 : Symbole du EMOS : a.) à canal N ; b.) à canal P

Principe de fonctionnement.

Par induction électrostatique les porteurs majoritaires de la


région P (substrat) sont repoussés vers la droite et ce, grâce à la
tension VGG. Ce déplacement provoque l’apparition d’une zone
comportant des ions négatifs.
th
Pour une valeur donnée ( V GS ) de la tension VGS, appelée

tension de seuil, ces ions négatifs libèrent chacun un électron


supplémentaire qui passe de la bande de valence à la bande de
conduction. La zone comportant des ions négatifs devient riche en

69
électrons, donc conductrice. Cette zone riche en électrons est
appelée couche inversée de type N.
ID
D
• N•• •••
• •• •
•• •••• •••
G
••••⁰ ⁰⁰ ⁰⁰⁰
⁰ ⁰⁰ ⁰⁰ VDD

VGG N

Figure n°4-18 : Fonctionnement du EMOS à canal N.

Toute tension
V GS > V thGS avec V thGS (th : threshold) > 0, fait
2
I D= K ( V GS −V thGS )
augmenter le courant ID selon la relation :
(4.38)

Où K : Cte dépendant de la nature du EMOS ; K =0,3mA/V2.

Caractéristiques du EMOS à canal N

ID (mA) ID (mA)
VGS= +6 V
VGS= +5 V
VGS= +3 V

VGS (V)
0 th
VGS VDS (V)
a.)
  b.)

Figure n°4-19 : Caractéristiques du EMOS à canal N :

a.) Caractéristique de transconductance I D =f(VGS) ; b.)


Caractéristique du drain ID = f(VDS).

II-3 TRANSISTOR JFET COMME CELLULE


D’AMPLFICATION :

70
II- 3.1 Circuits équivalents c.a. des transistors JFET

Cgd
G iD D

Cgs rgs Cds


gmvgs
rds

a.) S

iD D iD G iD D
G G D

rgs
gmvgs
rds
∞ vgs
gmvgs
rds ∞v gs
gmvgs

S S
b.) c.) S d.)

Figure n° 4-20 : Circuits équivalents c.a. du JFET.

Dans un circuit équivalent complet du JFET, on tient compte


de l’inductance de connexion, des capacités internes, etc…. Avec un
circuit équivalent approximatif, on néglige les inductances de
connexion ainsi que quelques autres effets mineurs
(voir figure n°4-20. a.)). Les capacités Cgd et Cgs sont respectivement
la capacité entre la grille et le drain et la capacité entre la grille et la
source. La résistance rgs est la résistance c.a. entre la grille et
source.

Dans le circuit de sortie, la capacité Cds est la capacité entre

le drain et la source ; la résistance rds elle, est la résistance c.a.


entre le drain et la source.

71
Aux basses fréquences, la réactance capacitive X C est assez
élevée pour être négligée (voir figure n°4-20. b.)). La résistance r gs
est de plusieurs centaines de MΩ, donc peut être ignorée
(voir figure n°4-20. c.)). Comme la résistance rds dépasse souvent
100 kΩ alors, on peut également l’ignorer, d’où le circuit équivalent
idéal de la figure n° 4-20.d.).

II- 3.2 Amplificateur à source commune

+ VDD
RD

D
vi G
S
RS1
v0
RG

RS2

Figure n° 4-21 : Amplificateur JFET à source commune.

Une source c.a. est couplée par un condensateur à la grille. La


résistance RG garde la grille à environ 0V en cc ; cette résistance ne
charge pas la source c.a. Cet amplificateur est polarisé dans la région
de fonctionnement linéaire.

v0
AV=
a.) Calcul du gain en tension : vi

Pour le calcul des paramètres il faut considérer le circuit


équivalent c.a.

72
ii G iD

rds
vgs
gmvgs
vi rD v0
rG

rS1 
Zi Z0

D’après le circuit d’entrée, on peut écrire :


v i =v gs +i D r S 1 =v gs + g m v gs r S 1=v gs ( 1+ gm r S 1 )

v i =v gs ( 1+ g m r S1 )
Soit (4.39)

et
v 0 =−i D r D =−gm v gs r D soit :
v 0 =−g m v gs r D (4.40) ;

v0 −g m v gs r D gm r D
= =−
vi v gs ( 1+ g m r S 1 ) 1+gm r S 1
Des relations (4.39) et (4.40), il vient :

gmr D
A V =−
Soit : 1+ gm r S 1 (4.41)

La relation (4.41) montre que le gain en tension A V dépend de JFET


(gm).

1 rD
A V =−
Si rS1 = 0 => AV = - gmrD et si rS1 >> g m alors rS1 (4.42)

vi
Zi=
b.) Calcul de l’impédance d’entrée ii

Par hypothèse on a : vi = Zi ¿ ii ; d’après le circuit d’entrée on peut


écrire : vi = rG ¿ ii ; des deux dernières égalités on peut établir :

Zi = rG (4.43)

L’impédance Zi aux fréquences moyennes est tout simplement égale à


r G.

73
v0
Z 0=
c.) Calcul de l’impédance de sortie i0

A l’image de l’impédance de sortie d’un amplificateur à


transistor bipolaire (impédance d’entrée court-circuitée), l’impédance
de sortie d’un amplificateur à JFET est donnée par la relation :

Z0 = rds // rD (4.44)

Généralement on a rds >> rD ; ainsi on peut écrire : Z0 = rD


II- 3.3 Amplificateur à drain commun

Ce type d’amplificateur est également appelé amplificateur à


source suiveuse.

+ VDD


vi Zi RG RS  v0
Z0

Figure n° 4-22 : Amplificateur JFET à drain commun.

Le signal de sortie v0 pour ce type d’amplificateur est prélevé


à la source. La résistance RD, au niveau du drain, peut être nulle ou
non. Il n’existe aucune inversion de phase entre le signal d’entrée vi
et celui de la sortie v0.

v0
AV=
a.) Calcul du gain en tension : vi

74
Considérons le circuit équivalent c.a. du circuit de la figure n°4-22
ci-dessus.

ii G iD S iD
vgs
rS v0
vi 
Zi rG gmvgs rds 
Z0
D

v i =v gs +v 0 =v gs +i D r S =v gs +gm v gs r S  ;

v i =v gs ( 1+g m r S )
Soit : (4.45)

et
v 0 =g m v gs r S (4.46) ;

d’après les relations (4.45) et (4.46), on peut établir :


v0 gm v gs r S gm r S
= =
v i v gs ( 1+ g m r S ) 1+ g m r S
 ;

gmr S
AV=
soit 1+ gm r S (4.47)

On constate ici que la tension de sortie v 0 est légèrement


inférieure à la tension d’entrée vi. Son gain en tension AV est
inférieur à l’unité.

1
Si rS >> g m alors AV = 1.

vi
Zi=
b.) Calcul de l’impédance d’entrée :
ii

L’impédance d’entrée du transistor seul est considérée comme


infinie ; ainsi l’impédance d’entrée Zi du circuit ci-dessus est
simplement égale à rG.
75
Soit : Zi = rG. (4.48)

v0
Z 0=
c.) Calcul de l’impédance de sortie : i0

L’impédance de, sortie Z0 se calcule en court-circuitant les


bornes d’entrée : la grille se retrouve donc à la masse et on a :

vgs + v0 = 0 =¿v0 = - vgs et i0 = - gmvgs


v0 −v gs 1
Z 0= = =
Soit : i0 −g m v gs g m  ;

1
Z 0=
gm (4.49)

On peut dire ici que l’impédance de sortie de ce montage ne dépend


que du transistor JFET.

II- 3.4 Amplificateur à grille commune

iD iD
S D
vgs
vi 
rD  v0
Zi G Z0

Figure n° 4-23 : Montage à grille commune.

v0
AV=
a.) Calcul du gain en tension : vi

D’après le montage ci-dessus, on a :

vi = - vgs (4.50) et v0 =- iDrD= -gmvgsrD (4.51)

Des deux dernières relations on a :

76
v 0 −gm v gs r D
= =gm r D
vi −v gs  ; soit :
A V =g m r D (4.52)

vi
Zi=
b.) Calcul de l’impédance d’entrée :
ii

i i=−i D=−g m v gs (4.53)

et
v i =−v gs (4.54) ;

v i −v gs 1
= =
des relations (4.53) et (4.54), on peut établir :
i i −g m v gs g m  ;

1
Zi=
soit :
gm (4.55).

v0
Z 0=
c.) Calcul de l’impédance de sortie :
i0

D’après le circuit de sortie, on peut écrire :

Z 0 =r ds // r D≈r D (4.56).

Le montage grille commune possède un gain en tension qui dépend


exclusivement de la transconductance gm et de la résistance rD. 
Application

Dans le montage ci-dessous, le transistor JFET a une


transconductance gm de 3000 µS et le transistor bipolaire a un gain
en courant β égal à 200.

77
+ VDD

RE
R1

vi RG RS R2 RC v0

Figure n°4-24 : Amplificateur à source suiveuse.

78

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