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TABLE DES MATIERES

FICHES DE PROGRESSION ........................................................................................................................ 2


SOURCES DOCUMENTAIRES ................................................................................................................... 4
INTRODUCTION GENERALE .................................................................................................................... 7
CHAPITRE 1 : RAPPEL DES NOTIONS DE BASE ................................................................................... 9
I. DIPOLE ELECTRIQUE ......................................................................................................................... 9
I.1. Conventions de signe ........................................................................................................................ 9
I.2. Dipôle linéaire .................................................................................................................................. 9
II. SOURCES DE TENSION ET DE COURANT ................................................................................... 10
II.1. Source de tension .......................................................................................................................... 10
II.2. Source de courant .......................................................................................................................... 10
III. THEOREMES DE THEVENIN ET DE NORTON ........................................................................... 11
III.1. Théorème de Thévenin................................................................................................................. 12
III.2. Théorème de Norton .................................................................................................................... 12
III.3. Conversion entre les générateurs de Thévenin et Norton ............................................................ 13
IV. DIVISEURS DE TENSION ET DE COURANT............................................................................... 14
IV.1. Diviseur de tension ...................................................................................................................... 14
IV.2. Diviseur de courant ...................................................................................................................... 14
V. THEOREME DE SUPERPOSITION .................................................................................................. 15
V.1. Superposition des tensions ............................................................................................................ 15
V.2. Superposition des courants............................................................................................................ 15
CHAPITRE 2 : LES DIODES ET LEURS APPLICATIONS ..................................................................... 17
I. DEFINITION ET STRUCTURE .......................................................................................................... 17
I.1. Description d’une diode.................................................................................................................. 17
I.2. Symbole et conventions .................................................................................................................. 17
II. CARACTERISTIQUES D’UNE DIODE ............................................................................................ 18
II.1. Caractéristiques d’une diode réelle ............................................................................................... 18
II.2. Caractéristique d’une diode idéale ................................................................................................ 19
III. FONCTIONNEMENT DE LA DIODE DANS UN CIRCUIT .......................................................... 20
III.1. Point de fonctionnement .............................................................................................................. 20
III.2. Droite de charge ........................................................................................................................... 20
IV. MODELES STATIQUES D’UNE DIODE ........................................................................................ 21
IV.1. Modèle d’une diode idéale........................................................................................................... 21
IV.2. Modèle d’une diode réelle en 1ère approximation ........................................................................ 22
5
IV.3. Modèle d’une diode réelle en 2ème approximation ....................................................................... 23
V. QUELQUES DIODES SPECIALES ................................................................................................... 25
V.1. La diode zener ............................................................................................................................... 25
V.2. Diode électroluminescente (ou LED)............................................................................................ 26
VI. APPLICATIONS DES DIODES ........................................................................................................ 27
VI.1. Circuits d’écrêtage par diodes...................................................................................................... 27
VI.2. Redresseurs à diodes .................................................................................................................... 29
CHAPITRE 3 : LE TRANSISTOR BIPOLAIRE......................................................................................... 31
I. DEFINITION ET STRUCTURE .......................................................................................................... 31
I.1. Description et structure d’un transistor bipolaire ........................................................................... 31
I.2. Effet transistor ................................................................................................................................ 32
II. CARACTERISTIQUES DU TRANSISTOR NPN ............................................................................. 33
II.1. Généralités..................................................................................................................................... 33
II.2. Caractéristiques en montage émetteur commun ............................................................................ 34
III. MODES DE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR DANS UN CIRCUIT............................... 35
III.1. Droite d’attaque statique .............................................................................................................. 36
III.2. Droite de charge statique.............................................................................................................. 37
III.3. Point de fonctionnement du transistor NPN................................................................................. 37
IV. POLARISATION D’UN TRANSISTOR BIPOLAIRE ..................................................................... 38
IV.1. Polarisation par résistance de base............................................................................................... 38
IV.2. Polarisation par réaction d'émetteur............................................................................................. 39
IV.3. Polarisation par réaction de collecteur ......................................................................................... 40
IV.4. Polarisation par diviseur de tension et résistance d’émetteur ...................................................... 41
V. TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME VARIABLE ................................................................... 42
V.1. Paramètres hybrides d’un transistor bipolaire ............................................................................... 42
V.2. Schéma équivalent d’un transistor bipolaire ................................................................................. 43
VI. PRINCIPAUX MONTAGES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE EN AMPLIFICATION ................. 44
VI.1. Montage émetteur commun ......................................................................................................... 45
VI.2. Montage collecteur commun ....................................................................................................... 47
VI.3. Montage base commune .............................................................................................................. 50

6
INTRODUCTION GENERALE

La commande des systèmes électriques et d'autres systèmes tels que la mécanique, pneumatique, ou
hydraulique passe par la maîtrise de l’électronique en général, et en particulier de l’électronique
analogique. Un futur ingénieur industriel doit en principe maitriser les concepts de base de
l'électronique analogique, comme prérequis. En effet, depuis très longtemps, depuis la présentation
du premier dispositif capable de laisser passer le courant électrique dans un sens, tout en le bloquant
dans l'autre (la première diode) en 1874 par Karl Ferdinand Braun, l’électronique analogique est
devenue un disciple incontournable. Dans notre contexte, le terme analogique doit simplement nous
rappeler la relation entre un signal et une tension électrique ou courant électrique.

Les enseignements de l’électronique de base se font au niveau 2 du tronc commun du cycle


ingénieur, d’après un programme national. Stratégiquement, le cours est divisé en deux parties :
 Electronique de Base 1 :
 Rappel des notions de base
 Les diodes et leurs applications
 Le transistor bipolaire
 Electronique de Base 2 :
 Les transistors à effet de champ
 Les amplificateurs opérationnels
 Les filtres actifs

Nous présentons ici la première partie de cet enseignement basé sur l’électronique analogique. Dans
un premier temps, l’apprenant doit se rappeler des lois et autres méthodes de calcul nécessaires à
l’étude du fonctionnement des composants semi-conducteurs dans les circuits. En effet, l’étude du
fonctionnement d’un composant semi-conducteur comme la diode ou le transistor se fait suivant la
chronologie suivante :
1°) connaitre la technologie et la constitution du composant ;
2°) connaitre les conditions de fonctionnement du composant dans un circuit en fonction du
régime (statique ou dynamique) ;
3°) appliquer les méthodes d’analyse des circuits pour sortir les caractéristiques de
fonctionnement et autres schémas équivalents ;
4°) calculer les valeurs des différentes grandeurs en application.

7
Dans le cadre de ce cours, on se limite à l’étude des diodes et du transistor bipolaire. Les notions
présentées sont orientées vers les étudiants de toutes les spécialités : génie civil, génie mécanique,
génie électrique, ... Ce n’est donc pas un cours de spécialité pour électroniciens.

8
CHAPITRE 1 : RAPPEL DES NOTIONS DE BASE
I. DIPOLE ELECTRIQUE
I.1. Conventions de signe

On distingue en général deux sortes de dipôles :


 les générateurs qui peuvent produire du courant électrique : dipôles actifs
 les récepteurs qui reçoivent le courant électrique : dipôles passifs.

Dans un circuit simple composé d’un dipôle actif et d’un dipôle passif, compte tenu du fait que la
même tension règne aux bornes des deux éléments, et que le même courant circule dans tout le
circuit, on note que du côté du dipôle actif (générateur), courant et tension sont représentés par des
flèches dirigées dans le même sens, alors que du côté du dipôle passif (récepteur), elles sont dirigées
en sens contraires (voir illustration à la Figure 1.1).

Figure 1.1 : dipôle actif et dipôle passif dans un circuit

I.2. Dipôle linéaire

Un dipôle linéaire est un composant électrique ou un élément d'un circuit électrique dont l’intensité
de courant i qui le traverse et la tension u à ses deux bornes sont liés par une fonction différentielle
à coefficients constants :
𝑑𝑢 𝑑 𝑢 𝑑𝑖 𝑑 𝑖
𝑎 𝑢+𝑎 + . .. +𝑎 =𝑐+𝑏 𝑖+𝑏 + . .. +𝑏 1.1
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡

𝑎 , 𝑏 et c sont des constantes. Un dipôle linéaire présente une caractéristique linéaire.

Par exemple, à partir de la caractéristique générale d’un dipôle donnée à travers l’équation 1.1, le
comportement d’une résistance électrique peut être exprimé par la relation :
𝑏
𝑢= 𝑖 = 𝑅𝑖 , 1.2
𝑎

conformément à la Figure 1.2. La constante R est appelée résistance, et son unité est le ohm
(symbole: ). Son inverse est G la conductance exprimée en Siemens (symbole: S) :
9
𝑎
𝑖= 𝑢 = 𝐺𝑢 1.3
𝑏

Figure 1.2 : résistance électrique

II. SOURCES DE TENSION ET DE COURANT


II.1. Source de tension

Une source idéale de tension est un dipôle actif qui délivre une tension e constante et l’impose à un
éventuel dipôle passif (récepteur) qui présente donc à ses bornes la même tension e = u. Par
conséquent, le courant i qui va apparaitre dans la source idéale de tension dépend du récepteur.

Figure 1.3 : sources idéales de tension utilisée comme f.é.m.

Dans un circuit électrique à plusieurs sources de tension, une source idéale de tension peut être une
force contre électromotrice (f.c.é.m.). Dans ce cas, la tension et le courant sont fléchés comme
illustré à la Figure 1.4. On applique la convention récepteur.

Figure 1.4 : source idéale de tension utilisée comme f.c.é.m.

II.2. Source de courant

Une source idéale de courant est un dipôle actif, qui impose un courant 𝑖 constant à un éventuel
dipôle passif (récepteur) qui sera parcouru par un courant 𝑖 = 𝑖 . Par conséquent, la tension u qui
10
va alors apparaître aux bornes de la source de courant dépend du récepteur. On peut aussi utiliser
l’une ou l’autre des deux symbolisations de la Figure 1.5.
.

Figure 1.5 : sources idéales de courant

Dans un circuit électrique à plusieurs sources de tension/courant, une source idéale de courant peut
être un récepteur qui appelle un courant rigoureusement constant (c’est le cas des récepteurs
inductifs). Dans ce cas, la tension et le courant sont fléchés comme illustré à la Figure 1.6. On
applique la convention récepteur.

Figure 1.6 : récepteur comme source idéale de courant

III. THEOREMES DE THEVENIN ET DE NORTON


Tout réseau linéaire actif présentant des connexions de sortie A, B comme le montre la Figure 1.7
peut être remplacée par un unique générateur équivalent de Thévenin ou de Norton.

Figure 1.7 : exemple de circuit vu entre deux bornes A et B

11
Quand on étudie un dipôle particulier d'un réseau, les théorèmes de Thévenin et de Norton sont très
efficaces car elles permettent de remplacer un circuit complexe par un circuit élémentaire dans
lequel les calculs sont immédiats.

III.1. Théorème de Thévenin

Un réseau électrique linéaire vu de deux points est équivalent à un générateur de tension parfait
(Figure 1.8) dont la force électromotrice ETh est égale à la différence de potentiels à vide entre ces
deux points, en série avec une résistance RTh égale à celle que l'on mesure entre les deux points
lorsque les générateurs indépendants sont remplacés parleurs résistances internes.

µ
Figure 1.8 : générateur équivalent de Thévenin

III.2. Théorème de Norton

Un réseau électrique linéaire vu de deux points est équivalent à un générateur de courant parfait
dont l’intensité IN du générateur est égale au courant de court-circuit entre ces deux points, en
parallèle avec une résistance RN égale à celle que l'on mesure entre les deux points lorsque les
générateurs indépendants sont remplacés parleurs résistances internes.

Figure 1.9: générateur équivalent de Norton

12
Si le réseau actif linéaire de la Figure 1.7 alimente par les bornes A et B une charge, la charge en
question doit au préalable être débranchée pour permettre la détermination des paramètres IN et RN
du générateur de la Figure 1.9.

III.3. Conversion entre les générateurs de Thévenin et Norton

Il est possible de passer directement d'un générateur équivalent de Thévenin à un celui de Norton et
inversement, à l'aide des relations suivantes :

1°) de Thévenin à Norton :


𝐸
𝐼 =
𝑅 1.4
𝑅 =𝑅
2°) de Norton à Thévenin :
𝐸 =𝑅 𝐼
1.5
𝑅 =𝑅
Lorsqu'on cherche le générateur équivalent d'un réseau actif linéaire on doit aussi appliquer les deux
règles suivantes (voir Figure 1.10) :
 Tous les dipôles en parallèle avec une source de tension idéale peuvent être enlevés.
 Tous les dipôles en série avec une source de courant idéale peuvent être enlevés.

Figure 1.10 : illustration des règles à appliquer

13
IV. DIVISEURS DE TENSION ET DE COURANT
IV.1. Diviseur de tension

Lorsque plusieurs résistances sont en série (Figure 1.11), la tension aux bornes de l'une d'entre elle
peut être déterminée par la relation :
𝑅
𝑢 =𝑢 1.6
∑ 𝑅

𝑅
𝑢 =𝑢
𝑅 +𝑅 +𝑅 +𝑅
Figure 1.11 : exemple illustratif de pont diviseur de tension résistif

IV.2. Diviseur de courant

Lorsque plusieurs résistances sont en parallèle, le courant qui traverse l'une d'entre elle peut être
calculé par la relation :
𝐺
𝑖 =𝑖 1.7
∑ 𝐺
Avec Gi = 1/Ri. La loi de diviseur de courant permet généralement de calculer l'intensité du courant
dans une résistance lorsque celle-ci fait partie d'un ensemble de résistances en parallèle et lorsque
l'on connaît le courant total qui alimente cet ensemble, et vice versa.

𝐺
𝑖 =𝑖
𝐺 +𝐺 +𝐺 +𝐺
Figure 1.12 : exemple illustratif de pont diviseur de courant résistif

14
V. THEOREME DE SUPERPOSITION
V.1. Superposition des tensions

La tension entre deux points d'un circuit électrique linéaire comportant plusieurs sources d'énergie
est égale à la somme des tensions obtenues entre ces deux points lorsque chaque source agit seule.

Considérons, à titre illustratif du théorème de superposition des tensions, le circuit de la Figure 1.13.
On veut connaître la tension entre les points A et B de ce circuit.

Figure 1.13: illustration du théorème de superposition de tensions

Contribution de la f.é.m. E1, en remplaçant la f.é.m. E2 un « court-circuit » :


𝑟
𝑈 = 𝐸 1.8
𝑟 +𝑟
Contribution de la f.é.m. E2, en remplaçant la f.é.m. E1 un « court-circuit » :

𝑟
𝑈 = 𝐸 1.9
𝑟 +𝑟

La solution totale U est égale à la somme des deux solutions précédemment trouvées :

𝑟 𝑟 𝑟 𝐸 +𝑟 𝐸
𝑈 =𝑈 +𝑈 = 𝐸 + 𝐸 = 1.10
𝑟 +𝑟 𝑟 +𝑟 𝑟 +𝑟

V.2. Superposition des courants

Le courant dans une branche d'un circuit électrique linéaire comportant plusieurs sources d'énergie
est égal à la somme des intensités des courants dans cette branche lorsque chaque source agit seule.

15
Considérons, à titre illustratif du théorème de superposition des courants, le circuit de la Figure 1.14.
On veut connaître l’intensité du courant I.

Figure 3.32: illustration de la loi de Pouillet

Contribution de la f.é.m. E1, en remplaçant la f.é.m. E2 un « court-circuit » :


𝐸
𝐼 = 1.11
𝑟 +𝑅 +𝑅
Contribution de la f.é.m. E2, en remplaçant la f.é.m. E1 un « court-circuit » :
𝐸
𝐼 =− 1.12
𝑟 +𝑅 +𝑅
La solution totale I est égale à la somme des deux solutions précédemment trouvées :
𝐸 𝐸 𝐸 −𝐸
𝐼 =𝐼 +𝐼 = − = 1.13
𝑟 +𝑅 +𝑅 𝑟 +𝑅 +𝑅 𝑟 +𝑅 +𝑅

16
CHAPITRE 2 : LES DIODES ET LEURS APPLICATIONS
I. DEFINITION ET STRUCTURE
I.1. Description d’une diode

Les diodes sont des composants électroniques à deux pattes fabriquées à partir de semi-conducteurs.
Elles ont un caractère de dipôle non linéaire.
Les diodes usuelles sont réalisées à majorité par la jonction de deux semi-conducteurs : l'un dopé
positif (semi-conducteur de type P) l'autre dopé négatif (semi-conducteur de type N), comme
présenté à la Figure 2.1. La patte du côté P s'appelle l'anode (la bêche) ; celle du côté N ou métal
porte le nom de cathode (la tête).

Figure 2.1 : illustration d’une diode à jonction

En dehors de la diode à jonction, il existe d’autres types de diodes à savoir : diode Schottky, diode
Zener, diode Transil, diode électroluminescente, diode laser, photodiode, diode Gunn, diode PIN,
diode à effet tunnel, diode à vide, et bien d’autres.

I.2. Symbole et conventions

Le symbole général de la diode à semi-conducteur définit par la norme CEI 60617 est donné à la
Figure 2.2. L’orientation de la tension 𝑣 et courant 𝑖 par rapport au symbole obéit généralement
à la convention récepteur, c’est-à-dire que le courant dans la diode et la tension aux bornes de la
diode sont représentés par des flèches dirigées dans les sens contraires.
En principe, le courant 𝑖 circule toujours dans le sens direct (c’est-à-dire passant) de la diode, de
l’anode (A) vers la cathode C).

Figure 2.2 : symbole et polarisation d’une diode

17
II. CARACTERISTIQUES D’UNE DIODE
II.1. Caractéristiques d’une diode réelle

On entend par caractéristique de la diode la relation entre le courant 𝑖 dans la diode et la tension
𝑣 aux bornes de la diode (conformément à la Figure 2.2). On fait l’hypothèse qui consiste à
considérer le régime statique, c’est-à-dire que le courant et la tension sont indépendant du temps.
En effet, la diode est passante sous polarisation anode-cathode directe, bloquée sous polarisation
inverse, le changement d'état résultant simplement du changement de polarisation.
La Figure 2.3 présente la caractéristique d’une diode réelle :

 Pour 𝒗𝑫 <0 : la diode se comporte comme un bon isolant ou un interrupteur/contact ouvert ;


 la diode est dite “bloquée” ;
 la diode présente un comportement approximativement linéaire ;
 le courant “inverse” IS , augmente avec la température au niveau de la jonction.

 Pour 𝒗𝑫 située entre 0 et 𝑽𝟎 : le courant 𝑖 augmente exponentiellement et peut être


approximé par l’expression :
𝜂𝑒
𝑖 =𝐼 𝑒𝑥𝑝 𝑣 −1 2.1
𝑘𝑇
Avec
η : facteur “d’idéalité” compris entre 1 et 2.
k: constante de Boltzmann égal à 1,3810-23 J/K
e : charge élémentaire égale à 1,610-19 Coulomb,
T : la température en °Kelvin
IS : courant inverse
 la diode présente un comportement non-linéaire ;
 forte variation du courant 𝑖 avec la température.

 Pour 𝒗𝑫  𝑽𝟎 : le courant 𝑖 augmente rapidement avec une variation à peu près linéaire ;
 la diode est dite “passante” ;
 mais 𝑖 n’est pas proportionnel à 𝑣 (il existe une “tension seuil” 𝑉 ).

18
Figure 2.3 : caractéristique 𝑖 =f(𝑣 ) d’une diode réelle

Limites de fonctionnement d’une diode réelle :


Une diode polarisée en inverse ne peut pas supporter une tension au-delà la tension maximale
inverse non répétitive 𝑉 (sa valeur est donnée par le constructeur). Au-delà de cette tension,
nous assistons à un claquage par effet zener ou avalanche de la diode.
Une diode polarisé en direct est limitée en courant (𝐼 ) et en puissance (𝑃 ). Au-delà du courant
maximal direct 𝐼 et en dessus de l’hyperbole de dissipation en puissance maximale (voir Figure
2.3), nous assistons à un claquage de la diode. Les valeurs de 𝐼 et 𝑃 sont toujours données par
le constructeur.

II.2. Caractéristique d’une diode idéale

La diode parfaite est un modèle simplifié d’un dipôle qui présente (voir Figure 2.4) :
 en polarisation directe, c’est-à-dire quand 𝑣  𝑜 : une résistance nulle et ainsi une tension nulle
à ses bornes ; la diode se comporte alors comme un interrupteur/contact fermé ;
 en polarisation inverse, c’est à dire quand 𝑣  𝑜 : une résistance infinie et ainsi une tension
égale à la tension d’alimentation à ses bornes ; la diode se comporte alors comme un
interrupteur/contact ouvert.
 Une tension seuil nulle.

19
Figure 2.4 : caractéristique 𝑖 =f(𝑣 ) d’une diode parfaite

III. FONCTIONNEMENT DE LA DIODE DANS UN CIRCUIT


III.1. Point de fonctionnement

Pour déterminer la tension 𝑣 aux bornes d’une diode insérée dans un circuit et le courant 𝑖 qui la
traverse, on applique les lois et autres méthodes de calcul présentées au chapitre 1. Ensuite, on doit
connaitre la caractéristique 𝑖 =f(𝑣 ) de la diode et la droite de charge de la diode.
En effet, le point de fonctionnement (𝑣 ,𝑖 ) de la diode est donné par l’intersection entre la
caractéristique 𝑖 =f(𝑣 ) de la diode et sa droite de charge dans le circuit.
Considérons, à titre d’illustration, le circuit de la Figure 2.5 avec une diode réelle qui obéît à la
caractéristique donnée à la Figure 2.3. Le point de fonctionnement peut être trouvé après avoir
déterminé la droite de charge de la diode.

Figure 2.5 : diode dans un circuit

III.2. Droite de charge

La loi de maille appliquée au circuit de la Figure 2.5 nous permet de déterminer l’équation de la
droite de charge de la diode dans le circuit :

20
𝑉 −𝑣
𝑖 = 2.2
𝑅
Considérant la caractéristique de la diode donnée à la Figure 2.3, on obtient à la Figure 2.6 le point
de fonctionnement Q = (𝑉 ,𝐼 ) de la diode dans le circuit constitué d’une source de tension continue
𝑉 et d’une charge résistive 𝑅 .

Figure 2.5 : droite de charge et point de fonctionnement Q de la diode dans un circuit

IV. MODELES STATIQUES D’UNE DIODE


Le calcul du point de fonctionnement d’une diode dans un circuit dépend du comportement
approximatif qui lui est attribué. Considérons la diode dans un circuit alimenté par une source
continue de manière à polariser la diode à direct et en inverse, comme présenté à travers les deux
circuits sur la Figure 2.6.

Figure 2.6 : diode dans un circuit en polarisation directe et en polarisation inverse

IV.1. Modèle d’une diode idéale

Le comportement d’une diode idéale ou parfaite est donné au paragraphe II.2 de ce chapitre et la
caractéristique à la Figure 2.4.
21
a) Schéma électrique équivalent en polarisation directe

La Figure 2.7 montre la diode en polarisation directe. La diode est passante, et elle est représentée
par un contact électrique fermé. La source alimente alors parfaitement la charge résistive. Le point
de fonctionnement est alors Q = (0,𝑉 /𝑅 ), comme présenté aussi à la Figure 2.7.

Figure 2.7 : diode idéale polarisée en direct dans un circuit et son point de fonctionnement

b) Schéma électrique équivalent en polarisation inverse

La Figure 2.8 montre la diode en polarisation inverse. La diode est bloquée, et elle est représentée
par un contact électrique ouvert. Toute la tension de la source est alors mesurable aux bornes de la
diode. Le point de fonctionnement est alors Q = (−𝑉 , 0), comme présenté aussi à la Figure 2.8.

Figure 2.8 : diode idéale polarisée en inverse dans un circuit et son point de fonctionnement

IV.2. Modèle d’une diode réelle en 1ère approximation


a) Schéma électrique équivalent en polarisation directe
22
La Figure 2.9 montre la diode en polarisation directe. La diode est passante, et elle est représentée
par la tension seuil 𝑉 de la diode. Pour une diode au silicium cette tension est située entre 0,6 et 0,7
V. Le point de fonctionnement est alors Q = (𝑉 ,(𝑉 − 𝑉 )/𝑅 ), comme présenté aussi à la Figure
2.9.

Figure 2.9 : diode réelle en 1ère approximation polarisée en direct dans un circuit et son point de
fonctionnement

b) Schéma électrique équivalent en polarisation inverse


Pour le modèle d’une diode en première approximation, on considère qu’en polarisation inverse, la
diode est parfaite (voir caractéristique de la diode à la Figure 2.9).

IV.3. Modèle d’une diode réelle en 2ème approximation


La diode réelle en 2ème approximation est un modèle simplifié d’un dipôle qui présente (voir Figures
2. et 2.11)) :
 en polarisation directe, c’est-à-dire quand 𝑣  𝑜 : une tension seuil 𝑉 non nulle et ainsi qu’une
résistance directe 𝑅 non nulle;
 en polarisation inverse, c’est à dire quand 𝑣  𝑜 : une résistance inverse 𝑅 très grande (qui
est souvent considérée infinie).

a) Schéma électrique équivalent en polarisation directe


La Figure 2.10 montre la diode en polarisation directe. La diode est passante, et elle est représentée
par une résistance 𝑅 en série une source de tension qui représente la tension seuil 𝑉 de la diode.
Pour une diode au silicium cette tension seuil est située entre 0,6 et 0,7 V, et la résistance directe 𝑅
est de quelques dizaine de ohms.

23
La tension aux bornes de la diode est donnée par la relation :
𝑣 =𝑅 𝑖 +𝑉 2.3
Le point de fonctionnement Q représenté à la Figure 2.10 a pour coordonnées :
𝑉 −𝑉 𝑉 −𝑉
𝑉 = 𝑅 +𝑉 𝑒𝑡 𝐼 = 2.4
𝑅 +𝑅 𝑅 +𝑅

Figure 2.10 : diode réelle en 2ème approximation polarisée en direct dans un circuit et son point de
fonctionnement

b) Schéma électrique équivalent en polarisation inverse

La Figure 2.11 montre la diode en polarisation inverse. La diode est bloquée, et elle est représentée
par une résistance 𝑅 . La résistance directe 𝑅 est relative grande (au-delà de quelques mégohms).
En appliquant la loi de diviseur de tensions au circuit de la Figure 2.11, le point de fonctionnement
Q représenté à la Figure 2.10 a pour coordonnées :
𝑅 𝑉
𝑉 =− 𝑉 𝑒𝑡 𝐼 = − 2.5
𝑅 +𝑅 𝑅 +𝑅

24
Figure 2.11 : diode réelle en 2ème approximation polarisée en inverse dans un circuit et son point
de fonctionnement

V. QUELQUES DIODES SPECIALES


V.1. La diode zener

Diode conçue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractérisée par une tension seuil
négative ou « tension Zener ».

a) Symbole et caractéristique

Le symbole de la diode zener est donné à la Figure 2.12. Le courant dans la diode est souvent orienté
dans le sens de l’utilisation (sens négatif), ainsi que la tension. La caractéristique de la diode zener
est aussi donné à la Figure 2.12, avec :
 𝑉 : tension Zener ;
 𝐼 : courant minimal (en valeur absolue) au-delà duquel commence le domaine linéaire ;
 𝐼 : courant maximal supporté par la diode (donné par le constructeur, ainsi que la
maximale))

25
Figure 2.12 : symbole et caractéristique de la diode zener

b) Schéma électrique équivalent et point de fonctionnement

Dans le sens d’utilisation, sens inverse, la diode zener est modélisée par une résistance inverse 𝑅
en série avec une source de tension 𝑉 , la tension zener (voir Figure 2.13). L’ordre de grandeur de
la tension zener est entre 1 et 100 V. Le point de fonctionnement Q de la diode se trouve toujours
dans la zone d’utilisation, qui est le domaine zener, comme montré à la Figure 2.13.

Figure 2.13 : symbole et caractéristique de la diode zener

V.2. Diode électroluminescente (ou LED)

Par définition, une diode électroluminescente est un dispositif opto-électronique capable d'émettre
de la lumière lorsqu'il est parcouru par un courant électrique. Il fonctionne seulement sous

26
polarisation directe, et quand la tension positive entre l’anode et la cathode est supérieure à la tension
seuil de la diode.
La Figure 2.14 fait une présentation d’une diode électroluminescente (DEL), abrégé en LED (de
l'anglais : light-emitting diode).

Figure 2.14 : diode électroluminescente (DEL)

VI. APPLICATIONS DES DIODES


VI.1. Circuits d’écrêtage par diodes

L’une des fonctions de base que peut remplir une diode, c'est de limiter la tension sur des circuits
sensibles, ce qu'on appelle "écrêtage". Cette limitation de tension peut par exemple servir à
protéger ces circuits électroniques de surtensions éventuelles.

a) Limiteur de tension série

On peut vérifier que tant que 𝑣 (𝑡) inférieur à la tension seuil 𝑉 de la diode, celle-ci est bloquée et
le circuit représenté par l’impédance 𝑍 protégé. On peut dire que le circuit est protégé contre toute
tension négative (voir Figure 2.16), dans le cas par exemple d’une diode avec comportement presque
idéal (𝑉 relativement petit devant l’amplitude de la tension 𝑣 (𝑡)). Le montage de principe du
limiteur de tension série est donné à la Figure 2.17.

Figure 2.15 : limiteur de tension série

27
A titre d’exemple à la Figure 2.16 , nous avons alimenter 𝑍 successivement avec une tension
sinusoïdale 5sin(100t) et une tension triangulaire 5V-50 Hz. Nous avons considéré que la tension
seuil de la diode est de 0,6 V.

Figure 2.16 : exemple de fonctionnement d’un limiteur de tension série

b) Limiteur de tension parallèle

On peut vérifier que tant que 𝑣 (𝑡) supérieure à la tension seuil 𝑉 de la diode, celle-ci est passante
et le circuit représenté par l’impédance 𝑍 protégé. Quand la diode est passante, elle court-circuite
le circuit à protéger. On peut ainsi, que la diode assure la protection du circuit contre les tensions
supérieures à 𝑉 (voir Figure 2.18). Le montage de principe du limiteur de tension parallèle est
donné à la Figure 2.17.

Figure 2.17 : limiteur de tension parallèle

A titre d’exemple à la Figure 2.18, nous avons alimenter 𝑍 successivement avec une tension
sinusoïdale 5sin(100t) et une tension triangulaire 5V-50 Hz. Nous avons considéré que la tension
seuil de la diode est de 0,6 V.

28
Figure 2.18 : exemple de fonctionnement d’un limiteur de tension parallèle

VI.2. Redresseurs à diodes

L’objectif d’un montage redresseur à diodes à jonction (diodes de redressement) est de convertir
une tension bidirectionnelle en tension unidirectionnelle stable.

a) Redresseur simple alternance

Un redresseur simple alternance monophasé est un redresseur supprimant les alternances négatives
et conservant les alternances positives d’une tension d’entrée alternative sinusoïdale (Voir Figure
2.19). La fréquence en sortie du redresseur est alors égale à la fréquence d'entrée.

Figure 2.19 : exemple de redresseur monophasé simple alternance

29
Les redresseurs simple alternance sont souvent utilisés dans les montages simples comme illustré à
la Figure 2.19. D’habitude un transformateur est interposé entre la source alternative sinusoïdale et
circuit composé de la diode et de l’utilisation (ici la résistance 𝑅 ).

b) Redresseur double alternance

Un redresseur double alternance monophasé est un redresseur redressant les alternances négatives
et conservant les alternances positives d’une tension d'entrée alternative sinusoïdale (voir Figure
2.20).
Un exemple du redresseur double alternance est le pont de Grätz présenté à la Figure 2.20. Deux
diodes D1 et D4 sont polarisées en direct pendant l’alternance positive (donc conduisent), et les
deux autres D2 et D3 pendant l’alternance négative. Le transformateur T permet d’adapter la tension
et assure aussi une isolation galvanique entre la charge continue et la source alternative.

Figure 2.20 : exemple de redresseur monophasé double alternance

30
CHAPITRE 3 : LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
I. DEFINITION ET STRUCTURE
I.1. Description et structure d’un transistor bipolaire

Le transistor bipolaire est un composant électronique à base de semi-conducteur constitué de trois


électrodes. Son principe de fonctionnement est basé sur deux jonctions PN, l'une en direct et l'autre
en inverse. Conformément aux Figures 3.1 et 3.2, le transistor bipolaire peut ainsi être l’équivalent
de l’association série de deux diodes PN en sens inverse. Le point de jonction des diodes est appelé
base (B), les deux autres électrodes sont respectivement l’émetteur (E) et le collecteur (C).
A partir de ces deux jonctions, on peut réaliser deux types de transistors bipolaires :
 Le transistor NPN ;
 Le transistor PNP.
Les symboles des deux types de transistors bipolaires sont donnés aux Figures 3.1 et 3.2. Il est à
noter que la flèche dans le symbole indique :
 le type de transistor NPN ou PNP ;
 la position de l’émetteur ;
 le sens de circulation du courant 𝑖 de l’émetteur et donc celui des courants𝑖 et 𝑖 .

Figure 3.1 : structure et symbole d’un transistor bipolaire NPN

Figure 3.2 : structure et symbole d’un transistor bipolaire PNP

Le transistor bipolaire trouve utilisation :

31
 dans amplification des signaux : amplificateur de tension, de courant, de puissance,...
 comme interrupteur électronique ;
 comme source de courant.
De nos jours on le trouve sous forme :
 de composant discret ;
 de circuit intégré, i.e. faisant partie d’un circuit plus complexe, allant de quelques
unités (ex: AO) à quelques millions de transistors par circuit (microprocesseurs).

I.2. Effet transistor


a) Généralités

D’entrée, on peut dire que l'effet transistor consiste à contrôler, à l'aide du courant de base 𝑖 ,
relativement faible, un courant de collecteur 𝑖 , beaucoup plus important.
Le transistor bipolaire étant une association de deux jonctions PN. Sans, polarisation, ces jonctions
ne présentent aucun intérêt. Partant de la structure du transistor bipolaire donnée à la Figure 3.1, on
peut dire que l'effet transistor apparaît lorsqu'on la diode représentant la jonction base-émetteur est
polarisée en direct, et que la diode représentant la jonction base-collecteur est polarisée en inverse
(Voir Figure 3.3).

b) Description

Figure 3.3 : illustration de l’effet transistor pour un transistor de type NPN


(1) Circulation de courants après polarisation des deux jonctions
(2) Pincement de la zone P

La jonction base-collecteur est polarisée dans le sens direct par la source continue 𝑉 . De même,
la source continue 𝑉 polarise la jonction base-collecteur dans le sens inverse.

32
La source continue 𝑉 va engendrée le courant 𝑖 , qui caractérise le flux d'électrons des porteurs
majoritaires, qui vont circuler de l’émetteur vers la base. En effet, les électrons libres affluent dans
la zone P où ils sont captés par l'électrode reliée au pôle + de 𝑉 .
A cet instant, seul un courant 𝑖 relativement faible circule de la base en direction du collecteur. 𝑖
est dû à la charge d'espace, créée près de la jonction, par la présence d'anions côté P (ions négatifs)
et de cations côté N (ions positifs).
Si on évite aux électrons de la zone N, de se recombiner dans la zone P et de sortir par cet endroit,
ils pourront venir renforcer le courant 𝑖 d'électrons des porteurs minoritaires causé par la
polarisation de la jonction base –collecteur par 𝑉 .
Dans le deuxième schéma de la Figure 3.3, on illustre le pincement de la zone P. La source continue
𝑉 ne fait circuler plus désormais qu'un courant relativement faible. Par contre, nous constatons un
courant important dans la jonction base collecteur. Le courant 𝑖 est transféré, en grande partie, dans
la zone N côté émetteur.
Seule une faible partie de ce courant circule entre la base et l’émetteur. Quelques électrons ont le
temps de se recombiner dans la zone P et sont attirés par le pôle positif de 𝑉 .
Il est à constater que :
𝑖 =𝑖 +𝑖 3.1

II. CARACTERISTIQUES DU TRANSISTOR NPN


II.1. Généralités

Nous considérons le cas d'un transistor bipolaire de type NPN pour lequel les tensions 𝑣 et 𝑣 ,
de même que le courant 𝑖 , sont positifs.
De manière générale, le transistor bipolaire est caractérisé par six grandeurs électriques liés
conventionnellement par la loi de nœuds et la loi de mailles. Ces six gradeurs sont, d’après la Figure
3.1 :
 𝑖 , 𝑖 et 𝑖 ;
 𝑣 ,𝑣 et 𝑣 .
A partir de ses trois bornes, le transistor peut être connecté comme un quadripôle dont une électrode
est commune à l'entrée et la sortie. Ainsi, on distingue trois montages usuels :
 Base commune utilisé en haute fréquence ;
 Collecteur commun utilisé en adaptation d'impédance ;
 Émetteur commun utilisé en amplification et le plus commun.

33
Il existe généralement quatre réseaux de caractéristiques relevables sur quatre cadrans différents
constitués par certains grandeurs ci-dessus selon le type de montage du transistor. Les montages
dépendent du type d’utilisation du transistor. Ainsi, les caractéristiques regardées, sont celles qui
permettent de vérifier le comportement du transistor pour une utilisation donnée.
Ces caractéristiques sont données par le constructeur, et peuvent être aussi mesurées
expérimentalement en respectant le montage et le mode opératoire requis.
La représentation des caractéristiques d’un transistor se fait donc pour chaque type de montage.
Nous allons juste nous limiter à la présentation des caractéristiques pour le montage commun.

II.2. Caractéristiques en montage émetteur commun

Les réseaux de caractéristiques classiques et représentatifs pour un transistor bipolaire NPN sont
relevés en montage émetteur commun. Ces quatre réseaux de caractéristiques relevable pour un
transistor bipolaire sont :

1°) Le réseau de caractéristiques de sortie : c’est un ensemble de courbes 𝑖 = 𝑓(𝑣 ) relevées


avec comme paramètre 𝑖 considéré à chaque fois constant, représentées au premier cadran. Dans
ce réseau, on distingue trois zones :
 Zone à faible tension 𝑣 , où le courant 𝑖 est proportionnel à 𝑣 .
 Zone utile de très faibles variations de 𝑖 par rapport à 𝑣 , et où la fonction 𝑖 =
𝑓(𝑣 ) peut être représentée par l’expression :
𝑖 = 𝛽𝑖 + 𝐼 + 𝑣 , 3.2
où  représente le gain du transistor bipolaire.
 zone à très grande tension 𝑣 , où intervient un éventuel claquage inverse de la
jonction et croissance du courant par avalanche.

2°) Le réseau de de caractéristiques transfert en courant : c’est un ensemble de courbes 𝑖 =


𝑓(𝑖 ) serrées et relevées avec comme paramètre 𝑣 considéré à chaque fois constante, représentées
au deuxième cadran. Cet ensemble se ramène de manière utile à une seule courbe donnée par
l’expression :
𝑖 = 𝛽𝑖 + 𝐼 3.3

34
3°) Le réseau de caractéristiques d’entrée : c’est un ensemble de courbes 𝑣 = 𝑓(𝑖 ) serrées et
relevées avec comme paramètre 𝑣 considéré à chaque fois constante, représentées au troisième
cadran. Cet ensemble de caractéristiques se ramène à une seule courbe où la tension 𝑣 varie très
faiblement avec le courant 𝑖 .

4°) Le réseau de caractéristiques de transfert en tension : c’est théoriquement un ensemble de


courbes 𝑣 = 𝑓(𝑣 ) relevées à 𝑖 constant. En effet, 𝑣 n’a aucune influence sur 𝑣 . Donc c’est
un réseau qui n’est pas habituellement renseigné.

Figure 3.4 : réseau de caractéristique d’un transistor bipolaire NPN

III. MODES DE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR DANS UN


CIRCUIT

En régime statique le transistor bipolaire se comporte comme un interrupteur électronique


unidirectionnel en courant et en tension. Dans ce cas précis, la commande de ce transistor permet
d’obtenir deux états statiques :
 un état conducteur ;
 un état bloqué.

35
Il peut être utilisé dans un circuit en différents montages dans sa forme de quadripôle. Nous allons
nous limiter au montage classique émetteur commun d’un transistor de type NPN. Dans ce cas, le
comportement de quatre grandeurs caractérise le fonctionnement du transistor. Il s’agit :
 deux grandeurs électriques d’entrée (circuit de commande): 𝑣 et 𝑖
 deux grandeurs électriques de sortie (circuit commandé): 𝑣 et 𝑖
Le circuit dans lequel se trouve le transistor en régime statique est subdivisé en deux parties, qui
correspondent chacun à un point de fonctionnement :
 point de fonctionnement 𝑄 dans le cadran (𝑖 , 𝑣 ) du circuit de commande, donné
par l’intersection entre la droite d’attaque statique et le réseau de caractéristiques
d’entrée du transistor ;
 point de fonctionnement 𝑄 dans le cadran (𝑣 , 𝑖 ) du circuit de commande, donné
par l’intersection entre la droite de charge statique et le réseau de caractéristiques
d’entrée du transistor.

Figure 3.5 : transistor bipolaire NPN en montage émetteur commun

III.1. Droite d’attaque statique

La loi de mailles appliquée à l’entrée du transistor nous permet d’écrire l’expression :


𝑣 =𝐸 −𝑅 𝑖 3.4

A partir de l’équation 3.4, on trace la droite statique d’attaque donnée à la Figure 3.6.

36
Figure 3.6 : droite d’attaque statique d’un transistor PNP

III.2. Droite de charge statique

La loi de mailles appliquée à la sortie du transistor nous permet d’écrire l’expression :


𝐸 −𝑣
𝑖 = 3.5
𝑅

A partir de l’équation 3.5, on trace la droite statique d’attaque donnée à la Figure 3.7.

Figure 3.7 : droite de charge statique d’un transistor NPN

III.3. Point de fonctionnement du transistor NPN

La connaissance du point de fonctionnement ou de repos 𝑄 de coordonnées 𝐼 , 𝑉 à l'entrée,


permet de déduire, à travers la caractéristique de transfert en courant 𝑖 = 𝛽𝑖 , la valeur du courant
de sortie et donc le point de fonctionnement ou de repos en sortie 𝑄 de coordonnées 𝑉 ,𝐼 .
La Figure 3.7 illustre la construction des deux points de fonctionnement statique 𝑄 et 𝑄 .

37
Figure 3.8 : point de fonctionnement d’un transistor NPN

IV. POLARISATION D’UN TRANSISTOR BIPOLAIRE


La polarisation a pour rôle de placer le point de fonctionnement du transistor dans la zone linéaire
de ses caractéristiques. En pratique, la polarisation se fait avec une seule source de tension continue
pour tous les montages possibles. Le montage classique à émetteur commun de la Figure 3.5 avec
deux sources d’alimentation (𝐸 et 𝐸 ) est souvent tiré du montage le montage avec une seule source
𝐸 et un pont diviseur de tension de base (Figure 3.12).
On distingue quatre montages classiques de polarisation :
 polarisation par résistance de base,
 polarisation par réaction d'émetteur,
 polarisation par réaction de collecteur, et
 polarisation par diviseur de tension.

IV.1. Polarisation par résistance de base

C’est le montage de polarisation le peu utilisé. Car, il n’est pas adapté aux fonctionnement en
amplification.
Soit le montage de la Figure 3.9, les mailles à l’entrée et à la sortie du transistor nous donnent les
deux équations fondamentales de polarisation du transistor :

38
𝑣 =𝑉 −𝑅 𝑖
𝑉 −𝑣 3.6
𝑖 =
𝑅
Sachant que 𝑖 = 𝛽𝑖 , le système d’équations 3.6 devient :
𝑉
−𝑣
⎧𝑖 =
𝑅
3.7
⎨𝑖 = 𝑉 − 𝑣
⎩ 𝛽𝑅

Figure 3.9 : montage de polarisation par résistance de base

IV.2. Polarisation par réaction d'émetteur

Le montage de la Figure 3.10 est une amélioration du montage de la Figure 3.9. La loi de maille
appliquée à l’entrée du transistor nous permet d’obtenir l’expression :

𝑉 =𝑅 𝑖 +𝑣 + 𝑅 𝑖 = (𝑅 + 𝑅 + 𝑅 )𝑖 + 𝑣 . 3.8

Puisque 𝑖 = 𝑖 + 𝑖 = 𝑖 + 𝑖 = (1 + )𝑖 . En effet, dans le montage de la Figure 3.9, la


résistance 𝑅 vient compenser le gain en courant . Ceci permet de diminuer d’avantage le courant
de base 𝑖 donné par l’expression :
𝑉 −𝑣
𝑖 = 3.9
𝑅 + 𝑅 + 𝑅

On note l’augmentation du dénominateur de l’équation 3.9 par le terme 𝑅 + 𝑅 .

39
Figure 3.10 : montage de polarisation par réaction d'émetteur

IV.3. Polarisation par réaction de collecteur

Soit le montage de la Figure 3.11, les mailles à l’entrée et à la sortie du transistor nous donnent les
deux équations fondamentales de polarisation du transistor :
𝑣 −𝑣
⎧𝑖 = 𝑅
310
⎨𝑖 = 𝑉 − 𝑣
⎩ 𝑅

On rappelle que 𝑖 = 𝛽𝑖 . Le transistor se comporte comme une diode, et ne peut rentrer en


saturation puisque 𝑣 ne peut être inférieur à la tension seuil.

Figure 3.11 : montage de polarisation par réaction de collecteur

40
IV.4. Polarisation par diviseur de tension et résistance d’émetteur

Le montage de polarisation le plus utilisé pour le cas du transistor connecté en émetteur est celui de
la Figure 3.12. Le pont diviseur de tension composé des résistances 𝑅 et 𝑅 permet de passer
d’une source unique 𝑉 , à deux sources 𝐸 (connectée à l’entrée du transistor) et 𝐸 (connectée à la
sortie du transistor). Ainsi, considérant qu’à la sortie 𝐸 = 𝑉 , à l’entrée, on aura un générateur
équivalent de Thevenin raccordé entre la ase te l’émetteur, avec :

𝑅
⎧𝐸 = 𝑉
𝑅 +𝑅
3.11
⎨ 𝑅 = 𝑅 𝑅
⎩ 𝑅 +𝑅

Tout ceci, en supposant que le courant de base est négligeable par rapport au courant qui circule
dans la résistance 𝑅 du pont de base. Ainsi, la loi de mailles appliquée à l’entrée et à la sortie du
transistor nous donne :
𝐸 =𝑣 +𝑅 𝑖 +𝑅 𝑖
3.12
𝑉 = 𝑣 + (𝑅 + 𝑅 )𝑖
Le courant de base 𝑖 étant négligeable devant le courant de collecteur𝑖 , on peut alors considérer
que 𝑖 ≈ 𝑖 .

Figure 3.12 : montage de polarisation par diviseur de tension

41
V. TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME VARIABLE
Le fonctionnement du transistor en régime variable nécessite d’avance une polarisation. C’est-à-
dire, qu’il faut déterminer le point de fonctionnement statique ou point de repos du transistor. Le
point de repos du transistor étant fixé, on peut maintenant lui appliquer des petits signaux à variation
lente (par rapport aux inerties électrostatiques caractéristiques du transistor) à 1'entree et à la sortie
du montage. Petits signaux, ceci dans le but de rester dans le comportement approximativement
linéaire du transistor. Pour faire simple et juste pour comprendre le principe de fonctionnement du
transistor en régime variable (ou dynamique).

V.1. Paramètres hybrides d’un transistor bipolaire

En régime variable, le transistor fonctionne principalement en amplificateur. Ainsi il peut être


assimilable à un quadripôle électrique, si nous considérons qu’il est comme une boîte noire avec
deux bornes d’entrée et deux bornes de sortie (voir Figure 3.13). A l’aide des paramètres du
quadripôle on peut illustrer ou définir le comportement du transistor. Ces paramètres prennent la
dénomination de paramètres hybrides.
Considérons le quadripôle donné à travers la Figure 3.13. Ce quadripôle est décrit par les
expressions suivantes :
𝑣 =ℎ 𝑖 +ℎ 𝑣
3.13
𝑖 =ℎ 𝑖 +ℎ 𝑣
Pour ce quadripôle 𝑣 et 𝑖 sont des variables d’entrée, 𝑣 et 𝑖 les variables de sortie. ℎ , ℎ ℎ et
ℎ sont appelés paramètres hybrides.

Figure 3.13 : quadripôle électrique

Pour un transistor bipolaire, constitué de six variables, seules quatre variables peuvent directement
intervenir dans son comportement comme un quadripôle. Ceci en fonction du type de montage.
Dans le cas d’un montage simple en émetteur commun de la Figure 3.5, le système d’équation 3.13
devient alors :

42
𝑣 =ℎ 𝑖 +ℎ 𝑣
3.14
𝑖 =ℎ 𝑖 +ℎ 𝑣

L’indice e au niveau des paramètres hybrides indique le type de montage du transistor. Les quatre
paramètres hybrides pour le montage émetteur commun ont les significations suivantes:
 ℎ : impédance d’entrée du transistor. Elle est mesurée pour 𝑣 = 0,
𝑣
ℎ = 3.15
𝑖
 ℎ : terme de réaction interne, souvent négligeable. Car, n’est pas une transposition
directe de caractéristiques statiques. Il est théoriquement mesuré à 𝑣 = 0,
𝑣
ℎ = 3.16
𝑣
 ℎ : gain en courant 𝛽 = ℎ . Il est mesuré pour 𝑣 = 0,
𝑖
ℎ = 3.17
𝑖
 ℎ : admittance de sortie du transistor. Souvent négligée dans les calculs. Elle est
mesurée pour 𝑖 = 0,
𝑖
ℎ = 3.18
𝑣

V.2. Schéma équivalent d’un transistor bipolaire

Le schéma équivalent classique d’un transistor bipolaire en émetteur commun est donné à la Figure
3.14. On peut remarquer ici, que le transistor est équivalent à une source de courant (à la sortie) et
une source de tension (à l’entrée).

Figure 3.14 : schéma équivalent d’un transistor en émetteur commun

43
Le schéma équivalent du transistor en régime variable de la Figure 3.14 peut être ramené à un
schéma classique simplifié (voir Figure 3.15) avec seulement trois paramètres hybrides qui sont la
transposition directe des caractéristiques rencontrées en régime statique. Le schéma équivalent
simplifié donnée à la Figure 3.15 sera utilisé à la suite de ce cours.

Figure 3.15 : schéma équivalent usuel simplifié d’un transistor en émetteur commun

Pour la basse fréquence, le schéma donné à la Figure 3.15 peut être d’avantage simplifié sur la base
des hypothèses telles:
 ℎ 𝑖 ≫ℎ 𝑣 , et
 ℎ 𝑖 ≫ℎ 𝑣
Nous obtenons alors le schéma équivalent de la Figure 3.16.

Figure 3.16 : schéma équivalent simplifié d’un transistor en émetteur commun

VI. PRINCIPAUX MONTAGES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE EN


AMPLIFICATION
Le transistor bipolaire est utilisé en amplification dans trois principaux montages. Dans ces
montages on adjoint souvent des condensateurs de liaison ou de découplage :

44
 Le rôle de certains de ces condensateurs est de permettre le passage des signaux d’entrée et
de sortie sans que les tensions continues présentes dans la base et le collecteur du transistor
influent sur le fonctionnement du générateur ou l’étage suivant.
 D’autres condensateurs placées souvent en parallèle avec certaines résistances se comportent
comme des court-circuits en alternatif et comme une impédance infinie en continue.
La mise en œuvre du transistor requiert aussi :
 une alimentation continue, qui fournit les tensions de polarisation et l'énergie que le montage
sera susceptible de fournir en sortie;
 des résistances de polarisation.
Les trois montages présentés sont le montage émetteur commun, le montage collecteur commun et
le montage base commune.

VI.1. Montage émetteur commun

Le montage émetteur commun délivre une très bonne amplification et il est le type de montage le
plus utilisé. De plus, il existe en pratique sous forme de circuits intégrés. Le montage étudié est
donné à la Figure 3.17. 𝐶 et 𝐶 sont des condensateurs de liaison sont, et 𝐶 est le condensateur de
découplage.

Figure 3.17 : Montage émetteur commun

a) Schéma équivalent pour les petites variations

Le schéma équivalent est donné à la Figure 3.18. Il faut noter dans ce schéma, qu’au niveau de la
base, le pont de résistance a été ramené à une résistance équivalente de base :

45
𝑅 𝑅
𝑅 = 3.19
𝑅 +𝑅

Figure 3.18 : Schéma équivalent pour les petites variations en émetteur commun

b) Résistance d’entrée

C’est la résistance vue à l’entrée du montage, quand la source 𝑒 est déconnectée. A partir du schéma
de la Figure 3.18, on peut voir que la résistance 𝑅 est en parallèle avec la résistance paramétrique
ℎ . Ce qui donne une résistance d’entrée du montage :
ℎ 𝑅
𝑅 . = 3.20
ℎ +𝑅

c) Résistance de sortie

C’est la résistance vue à la sortie du montage, quand la source 𝑒 est court-circuitée et la résistance
de charge 𝑅 déconnectée. Dans ces conditions, le schéma de la Figure 3.18 subit une modification
et donne le schéma de la Figure 3.19. A partir de ce nouveau schéma, on obtient la résistance
équivalente à la sortie du montage. Il suffit de considérer que le courant de bas 𝑖 = 0, et la
résistance équivalente à la sortie est le résultat de deux résistances 𝑅 et 1/ℎ en parallèle:
𝑅
𝑅 . = 3.21
1+ℎ 𝑅

Figure 3.19 : schéma équivalent pour calcul de la résistance de sortie en émetteur commun
46
d) Gain en tension

Le schéma de la Figure 3.18 nous permet de ressortir les deux équations caractéristiques du
fonctionnement du transistor avec une vue à l’entrée et à la sortie du montage :
𝑣 =ℎ 𝑖
𝑅 . 𝑅 3.22
𝑣 = −ℎ 𝑖
𝑅 . +𝑅
𝑅 . est la résistance équivalente à la sortie donnée par l’équation 3.21. Les tensions d’entrée et de
sortie sont en opposition de phase, le gain en tension est:
𝑣 ℎ 𝑅 . 𝑅
𝐴 = =− 3.23
𝑣 ℎ 𝑅 . +𝑅

e) Gain en courant

Le gain de courant est obtenu à partir de l’expression (équation 3.23) du gain en tension, et est donné
par l’expression :
𝑖 𝑅 . ℎ 𝑅 .
𝐴 = = 𝐴 =− 3.24
𝑖 𝑅 ℎ 𝑅 . +𝑅

VI.2. Montage collecteur commun

Dans le montage collecteur commun (Figure 3.20), la base du transistor sert d'entrée ; le collecteur
est relié à l'alimentation ou à la masse sous le pilotage du condensateur de découplage 𝐶 ; la
résistance de charge 𝑅 est connectée à l'émetteur. Le montage est dit à émetteur commun du fait
que pour le régime variable, le collecteur est au potentiel de la masse.

Figure 3.20 : Montage collecteur commun


47
a) Schéma équivalent pour les petites variations

Les condensateurs sont considérés comme des court circuits pour les signaux. Il en est de même
pour la source d’alimentation 𝑉 . Le schéma équivalent pour les petits signaux est donné à la Figure
3.21, et la résistance 𝑅 est donnée par l’expression 3.19.

Figure 3.21 : Schéma équivalent pour les petites variations en collecteur commun

b) Résistance d’entrée

C’est la résistance vue à l’entrée du montage, quand la source 𝑒 est déconnectée. On sait que :
𝑣
𝑅 . = 3.25
𝑖
A partir du schéma de la Figure 3.21, on peut écrire :
𝑣 =ℎ 𝑖 +𝑣
𝑣 3.26
𝑖 = +𝑖
𝑅
avec
1
𝑣 = //𝑅 //𝑅 (ℎ + 1)𝑖 3.27

On calcule le courant à l’entrée en fonction de la tension d’entrée à partir des équation 3.25 et 3.26 :
𝑣 𝑣 𝑣
𝑖 = + = 3.28
𝑅 1 𝑅 .
ℎ + (ℎ + 1) //𝑅 //𝑅

La résistance équivalente vue à l’entrée du montage peut alors être calculée à partir de l’expression :
1 1 1
= + 3.29
𝑅 . 𝑅 1
ℎ + (ℎ + 1) //𝑅 //𝑅

On peut remarquer que la résistance équivalente 𝑅 . vue à l’entrée du montage est une mise en
parallèle de la résistance 𝑅 et une résistance équivalente d’une valeur relativement élevée.

48
c) Résistance de sortie

C’est la résistance vue à la sortie du montage, quand la source 𝑒 est court-circuitée et la résistance
de charge 𝑅 déconnectée. Dans ces conditions, le schéma de la Figure 3.21 subit une modification
et donne le schéma de la Figure 3.22. A partir de ce nouveau schéma, on obtient la résistance
équivalente à la sortie du montage. On sait que :
𝑣
𝑅 . = 3.30
𝑖
La loi de nœuds appliquée au nœud principal du circuit de la Figure 3.22, permet d’écrire :
1
𝑖 =𝑣 +ℎ − (1 + ℎ )𝑖 3.31
𝑅
La loi de mailles appliquée à l’entrée du montage, permet d’écrire :
𝑣
𝑖 = 3.32
𝑅 𝑅
𝑅 +𝑅 +ℎ
Les équations 3.32 dans l’équation 3.31 donne :

⎛ 1 (1 + ℎ ) ⎞
𝑖 =𝑣 ⎜ +ℎ − ⎟ 3.33
𝑅 𝑅 𝑅
𝑅 +𝑅 +ℎ
⎝ ⎠
Les équations 3.30 et 3.33 nous permettent de calculer la résistance équivalente vue à la sortie du
montage :
1
𝑅 . = 3.34
1 (1 + ℎ )
𝑅 +ℎ − 𝑅 𝑅
𝑅 +𝑅 +ℎ

Figure 3.22 : Schéma équivalent pour calcul de la résistance de sortie en collecteur commun

d) Gain en tension

49
Le schéma de la Figure 3.21 nous permet de ressortir les deux équations caractéristiques du
fonctionnement du transistor avec une vue à l’entrée et à la sortie du montage :
𝑅é 𝑅
⎧ 𝑣 = (ℎ + 1)𝑖
⎪ 𝑅é + 𝑅
3.35
⎨ 𝑅é 𝑅
⎪𝑣 = ℎ + (ℎ + 1) 𝑖
⎩ 𝑅é + 𝑅

Les tensions d’entrée et de sortie sont en phase, le gain en tension est:


𝑅é 𝑅
(ℎ + 1)
𝑣 𝑅é + 𝑅
𝐴 = = 3.36
𝑣 𝑅é 𝑅
ℎ + 𝑅 + 𝑅 (ℎ + 1)
é

𝑅é est une résistance équivalente composée de la résistance 𝑅 en parallèle avec la résistance


paramétrique 1/ℎ :
𝑅
𝑅é = 3.37
1+ℎ 𝑅
e) Gain en courant

Le gain de courant est obtenu à partir de l’expression (équation 3.36) du gain en tension, et est donné
par l’expression :
𝑖 𝑅 . ℎ 𝑅 .
𝐴 = = 𝐴 =− 3.38
𝑖 𝑅 ℎ 𝑅 . +𝑅

VI.3. Montage base commune

Le montage du transistor bipolaire du type NPN en base commune est donné à la Figure 3.23 :
 le signal qui impose les petites variations attaque l’amplificateur par l’émetteur du
transistor ;
 la charge résistive 𝑅 est connectée au collecteur du transistor ;
 la base du transistor est reliée à la masse à travers le condensateur 𝐶 .

50
Figure 3.23 : Montage émetteur commun découplé

a) Schéma équivalent pour les petites variations

Le schéma équivalent du montage pour les petits signaux de la Figure 3.23 est donné à la Figure
3.24. Les condensateurs sont considérés comme des court circuits pour les signaux variables avec
le temps. Dans le schéma de la Figure 3.24, le générateur de courant ℎ 𝑖 en parallèle avec la
résistance paramétrique 1/ℎ peut être transformé en générateur de tension ℎ 𝑖 /ℎ en série
avec la même résistance paramétrique 1/ℎ (transfuguration Norton-Thévenin).

Figure 3.24 : Schéma équivalent pour les petites variations en base commune

b) Résistance d’entrée

C’est la résistance équivalente 𝑅 . vue à l’entrée du montage, quand la source 𝑒 est déconnectée.
Par définition, 𝑅 . est donnée par l’équation 3.24. A partir du schéma de la Figure 3.24, la loi de
nœuds et de mailles appliquées à l’entrée du montage permet d’écrire :

51
1 ℎ
⎧ + 𝑅é 𝑖 +𝑣 − 𝑖 =0
ℎ ℎ
𝑣 𝑣 3.39
⎨ 𝑖 = + −𝑖
⎩ 𝑅 ℎ
avec
𝑣
𝑖 =− 3.40

La première équation du système 3.39 et l’équation 3.40 permet de calculer le courant de
collecteur en fonction de la tension d’entrée :

1+
ℎ ℎ
𝑖 = 𝑣 3.41
1
+ 𝑅é

La deuxième équation du système 3.39 et l’équation 3.41 permet de donner la relation entre la
tension et le courant d’entrée du montage :
ℎ ℎ
𝑣 𝑣 1+ 1 1 1+
ℎ ℎ ℎ ℎ
𝑖 = + − 𝑣 = + − 𝑣 3.42
𝑅 ℎ 1 𝑅 ℎ 1
+ 𝑅é + 𝑅é
ℎ ℎ
Conformément à l’équation 3.24, la résistance équivalente vue à l’entrée peut être calculée à
travers l’expression :

1 1 1 1+
ℎ ℎ
= + − 3.43
𝑅 . 𝑅 ℎ 1
+ 𝑅é

avec
𝑅 𝑅
𝑅é = 3.44
𝑅 +𝑅

c) Résistance de sortie

C’est la résistance vue à la sortie du montage, quand la source 𝑒 est court-circuitée et la résistance
de charge 𝑅 déconnectée. Dans ces conditions, le schéma de la Figure 3.24 subit une modification
et donne le schéma de la Figure 3.25. A partir du schéma de la Figure 3.25, la loi de nœuds et de
mailles appliquées au montage permet d’écrire :
1 ℎ 𝑅é
⎧𝑣 = 𝑖 + 𝑖 + 𝑅é 𝑖
ℎ ℎ ℎ
𝑣 3.45
⎨ 𝑖 = +𝑖
⎩ 𝑅

52
La première équation du système 3.45 permet de calculer le courant le courant du colleur en fonction
de la tension de sortie :
𝑣
𝑖 = 3.46
1 ℎ
+ 1+ 𝑅é
ℎ ℎ ℎ
L’équation 3.46 dans la deuxième équation du système 3.45 permet d’exprimer le courant de sortie
en fonction de la tension de sortie :

𝑣 𝑣 1 1
𝑖 = + = + 𝑣 3.47
𝑅 1 ℎ 𝑅 1 ℎ
+ 1+ 𝑅é + 1+ 𝑅é
ℎ ℎ ℎ ℎ ℎ ℎ
Conformément à l’équation 3.30, la résistance équivalente vue à la sortie du montage peut être
calculée à travers l’expression :
1 𝑖 1 1
= = + 3.48
𝑅 . 𝑣 𝑅 1 ℎ
+ 1+ 𝑅é
ℎ ℎ ℎ
avec
1 1 1 1
= + + 3.49
𝑅é ℎ 𝑅 𝑅

Figure 3.25 : Schéma équivalent pour calcul de la résistance de sortie en base commune

d) Gain en tension

Le schéma de la Figure 3.24 nous permet de ressortir les deux équations caractéristiques du
fonctionnement du transistor avec une vue à l’entrée et à la sortie du montage :
ℎ 𝑅é ℎ
𝑣 = 1+ 𝑣 3.50
1 + ℎ 𝑅é ℎ ℎ
Le gain en tension 𝐴 du transistor bipolaire en montage base commune est donné par l’expression :

53
𝑣 ℎ 𝑅é ℎ
𝐴 = = 1+ 3.51
𝑣 1 + ℎ 𝑅é ℎ ℎ
𝑅é est donnée par l’équation 3.44.

e) Gain en courant

Le gain de courant est obtenu à partir de l’expression (équation 3.51) du gain en tension, et est donné
par l’expression :
𝑖 𝑅 . 𝑅 . ℎ 𝑅é ℎ
𝐴 = = 𝐴 = 1+ 3.52
𝑖 𝑅 𝑅 1 + ℎ 𝑅é ℎ ℎ

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