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INTRODUCTION GENERALE
La commande des systèmes électriques et d'autres systèmes tels que la mécanique, pneumatique, ou
hydraulique passe par la maîtrise de l’électronique en général, et en particulier de l’électronique
analogique. Un futur ingénieur industriel doit en principe maitriser les concepts de base de
l'électronique analogique, comme prérequis. En effet, depuis très longtemps, depuis la présentation
du premier dispositif capable de laisser passer le courant électrique dans un sens, tout en le bloquant
dans l'autre (la première diode) en 1874 par Karl Ferdinand Braun, l’électronique analogique est
devenue un disciple incontournable. Dans notre contexte, le terme analogique doit simplement nous
rappeler la relation entre un signal et une tension électrique ou courant électrique.
Nous présentons ici la première partie de cet enseignement basé sur l’électronique analogique. Dans
un premier temps, l’apprenant doit se rappeler des lois et autres méthodes de calcul nécessaires à
l’étude du fonctionnement des composants semi-conducteurs dans les circuits. En effet, l’étude du
fonctionnement d’un composant semi-conducteur comme la diode ou le transistor se fait suivant la
chronologie suivante :
1°) connaitre la technologie et la constitution du composant ;
2°) connaitre les conditions de fonctionnement du composant dans un circuit en fonction du
régime (statique ou dynamique) ;
3°) appliquer les méthodes d’analyse des circuits pour sortir les caractéristiques de
fonctionnement et autres schémas équivalents ;
4°) calculer les valeurs des différentes grandeurs en application.
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Dans le cadre de ce cours, on se limite à l’étude des diodes et du transistor bipolaire. Les notions
présentées sont orientées vers les étudiants de toutes les spécialités : génie civil, génie mécanique,
génie électrique, ... Ce n’est donc pas un cours de spécialité pour électroniciens.
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CHAPITRE 1 : RAPPEL DES NOTIONS DE BASE
I. DIPOLE ELECTRIQUE
I.1. Conventions de signe
Dans un circuit simple composé d’un dipôle actif et d’un dipôle passif, compte tenu du fait que la
même tension règne aux bornes des deux éléments, et que le même courant circule dans tout le
circuit, on note que du côté du dipôle actif (générateur), courant et tension sont représentés par des
flèches dirigées dans le même sens, alors que du côté du dipôle passif (récepteur), elles sont dirigées
en sens contraires (voir illustration à la Figure 1.1).
Un dipôle linéaire est un composant électrique ou un élément d'un circuit électrique dont l’intensité
de courant i qui le traverse et la tension u à ses deux bornes sont liés par une fonction différentielle
à coefficients constants :
𝑑𝑢 𝑑 𝑢 𝑑𝑖 𝑑 𝑖
𝑎 𝑢+𝑎 + . .. +𝑎 =𝑐+𝑏 𝑖+𝑏 + . .. +𝑏 1.1
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡
Par exemple, à partir de la caractéristique générale d’un dipôle donnée à travers l’équation 1.1, le
comportement d’une résistance électrique peut être exprimé par la relation :
𝑏
𝑢= 𝑖 = 𝑅𝑖 , 1.2
𝑎
conformément à la Figure 1.2. La constante R est appelée résistance, et son unité est le ohm
(symbole: ). Son inverse est G la conductance exprimée en Siemens (symbole: S) :
9
𝑎
𝑖= 𝑢 = 𝐺𝑢 1.3
𝑏
Une source idéale de tension est un dipôle actif qui délivre une tension e constante et l’impose à un
éventuel dipôle passif (récepteur) qui présente donc à ses bornes la même tension e = u. Par
conséquent, le courant i qui va apparaitre dans la source idéale de tension dépend du récepteur.
Dans un circuit électrique à plusieurs sources de tension, une source idéale de tension peut être une
force contre électromotrice (f.c.é.m.). Dans ce cas, la tension et le courant sont fléchés comme
illustré à la Figure 1.4. On applique la convention récepteur.
Une source idéale de courant est un dipôle actif, qui impose un courant 𝑖 constant à un éventuel
dipôle passif (récepteur) qui sera parcouru par un courant 𝑖 = 𝑖 . Par conséquent, la tension u qui
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va alors apparaître aux bornes de la source de courant dépend du récepteur. On peut aussi utiliser
l’une ou l’autre des deux symbolisations de la Figure 1.5.
.
Dans un circuit électrique à plusieurs sources de tension/courant, une source idéale de courant peut
être un récepteur qui appelle un courant rigoureusement constant (c’est le cas des récepteurs
inductifs). Dans ce cas, la tension et le courant sont fléchés comme illustré à la Figure 1.6. On
applique la convention récepteur.
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Quand on étudie un dipôle particulier d'un réseau, les théorèmes de Thévenin et de Norton sont très
efficaces car elles permettent de remplacer un circuit complexe par un circuit élémentaire dans
lequel les calculs sont immédiats.
Un réseau électrique linéaire vu de deux points est équivalent à un générateur de tension parfait
(Figure 1.8) dont la force électromotrice ETh est égale à la différence de potentiels à vide entre ces
deux points, en série avec une résistance RTh égale à celle que l'on mesure entre les deux points
lorsque les générateurs indépendants sont remplacés parleurs résistances internes.
µ
Figure 1.8 : générateur équivalent de Thévenin
Un réseau électrique linéaire vu de deux points est équivalent à un générateur de courant parfait
dont l’intensité IN du générateur est égale au courant de court-circuit entre ces deux points, en
parallèle avec une résistance RN égale à celle que l'on mesure entre les deux points lorsque les
générateurs indépendants sont remplacés parleurs résistances internes.
12
Si le réseau actif linéaire de la Figure 1.7 alimente par les bornes A et B une charge, la charge en
question doit au préalable être débranchée pour permettre la détermination des paramètres IN et RN
du générateur de la Figure 1.9.
Il est possible de passer directement d'un générateur équivalent de Thévenin à un celui de Norton et
inversement, à l'aide des relations suivantes :
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IV. DIVISEURS DE TENSION ET DE COURANT
IV.1. Diviseur de tension
Lorsque plusieurs résistances sont en série (Figure 1.11), la tension aux bornes de l'une d'entre elle
peut être déterminée par la relation :
𝑅
𝑢 =𝑢 1.6
∑ 𝑅
𝑅
𝑢 =𝑢
𝑅 +𝑅 +𝑅 +𝑅
Figure 1.11 : exemple illustratif de pont diviseur de tension résistif
Lorsque plusieurs résistances sont en parallèle, le courant qui traverse l'une d'entre elle peut être
calculé par la relation :
𝐺
𝑖 =𝑖 1.7
∑ 𝐺
Avec Gi = 1/Ri. La loi de diviseur de courant permet généralement de calculer l'intensité du courant
dans une résistance lorsque celle-ci fait partie d'un ensemble de résistances en parallèle et lorsque
l'on connaît le courant total qui alimente cet ensemble, et vice versa.
𝐺
𝑖 =𝑖
𝐺 +𝐺 +𝐺 +𝐺
Figure 1.12 : exemple illustratif de pont diviseur de courant résistif
14
V. THEOREME DE SUPERPOSITION
V.1. Superposition des tensions
La tension entre deux points d'un circuit électrique linéaire comportant plusieurs sources d'énergie
est égale à la somme des tensions obtenues entre ces deux points lorsque chaque source agit seule.
Considérons, à titre illustratif du théorème de superposition des tensions, le circuit de la Figure 1.13.
On veut connaître la tension entre les points A et B de ce circuit.
𝑟
𝑈 = 𝐸 1.9
𝑟 +𝑟
La solution totale U est égale à la somme des deux solutions précédemment trouvées :
𝑟 𝑟 𝑟 𝐸 +𝑟 𝐸
𝑈 =𝑈 +𝑈 = 𝐸 + 𝐸 = 1.10
𝑟 +𝑟 𝑟 +𝑟 𝑟 +𝑟
Le courant dans une branche d'un circuit électrique linéaire comportant plusieurs sources d'énergie
est égal à la somme des intensités des courants dans cette branche lorsque chaque source agit seule.
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Considérons, à titre illustratif du théorème de superposition des courants, le circuit de la Figure 1.14.
On veut connaître l’intensité du courant I.
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CHAPITRE 2 : LES DIODES ET LEURS APPLICATIONS
I. DEFINITION ET STRUCTURE
I.1. Description d’une diode
Les diodes sont des composants électroniques à deux pattes fabriquées à partir de semi-conducteurs.
Elles ont un caractère de dipôle non linéaire.
Les diodes usuelles sont réalisées à majorité par la jonction de deux semi-conducteurs : l'un dopé
positif (semi-conducteur de type P) l'autre dopé négatif (semi-conducteur de type N), comme
présenté à la Figure 2.1. La patte du côté P s'appelle l'anode (la bêche) ; celle du côté N ou métal
porte le nom de cathode (la tête).
En dehors de la diode à jonction, il existe d’autres types de diodes à savoir : diode Schottky, diode
Zener, diode Transil, diode électroluminescente, diode laser, photodiode, diode Gunn, diode PIN,
diode à effet tunnel, diode à vide, et bien d’autres.
Le symbole général de la diode à semi-conducteur définit par la norme CEI 60617 est donné à la
Figure 2.2. L’orientation de la tension 𝑣 et courant 𝑖 par rapport au symbole obéit généralement
à la convention récepteur, c’est-à-dire que le courant dans la diode et la tension aux bornes de la
diode sont représentés par des flèches dirigées dans les sens contraires.
En principe, le courant 𝑖 circule toujours dans le sens direct (c’est-à-dire passant) de la diode, de
l’anode (A) vers la cathode C).
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II. CARACTERISTIQUES D’UNE DIODE
II.1. Caractéristiques d’une diode réelle
On entend par caractéristique de la diode la relation entre le courant 𝑖 dans la diode et la tension
𝑣 aux bornes de la diode (conformément à la Figure 2.2). On fait l’hypothèse qui consiste à
considérer le régime statique, c’est-à-dire que le courant et la tension sont indépendant du temps.
En effet, la diode est passante sous polarisation anode-cathode directe, bloquée sous polarisation
inverse, le changement d'état résultant simplement du changement de polarisation.
La Figure 2.3 présente la caractéristique d’une diode réelle :
Pour 𝒗𝑫 𝑽𝟎 : le courant 𝑖 augmente rapidement avec une variation à peu près linéaire ;
la diode est dite “passante” ;
mais 𝑖 n’est pas proportionnel à 𝑣 (il existe une “tension seuil” 𝑉 ).
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Figure 2.3 : caractéristique 𝑖 =f(𝑣 ) d’une diode réelle
La diode parfaite est un modèle simplifié d’un dipôle qui présente (voir Figure 2.4) :
en polarisation directe, c’est-à-dire quand 𝑣 𝑜 : une résistance nulle et ainsi une tension nulle
à ses bornes ; la diode se comporte alors comme un interrupteur/contact fermé ;
en polarisation inverse, c’est à dire quand 𝑣 𝑜 : une résistance infinie et ainsi une tension
égale à la tension d’alimentation à ses bornes ; la diode se comporte alors comme un
interrupteur/contact ouvert.
Une tension seuil nulle.
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Figure 2.4 : caractéristique 𝑖 =f(𝑣 ) d’une diode parfaite
Pour déterminer la tension 𝑣 aux bornes d’une diode insérée dans un circuit et le courant 𝑖 qui la
traverse, on applique les lois et autres méthodes de calcul présentées au chapitre 1. Ensuite, on doit
connaitre la caractéristique 𝑖 =f(𝑣 ) de la diode et la droite de charge de la diode.
En effet, le point de fonctionnement (𝑣 ,𝑖 ) de la diode est donné par l’intersection entre la
caractéristique 𝑖 =f(𝑣 ) de la diode et sa droite de charge dans le circuit.
Considérons, à titre d’illustration, le circuit de la Figure 2.5 avec une diode réelle qui obéît à la
caractéristique donnée à la Figure 2.3. Le point de fonctionnement peut être trouvé après avoir
déterminé la droite de charge de la diode.
La loi de maille appliquée au circuit de la Figure 2.5 nous permet de déterminer l’équation de la
droite de charge de la diode dans le circuit :
20
𝑉 −𝑣
𝑖 = 2.2
𝑅
Considérant la caractéristique de la diode donnée à la Figure 2.3, on obtient à la Figure 2.6 le point
de fonctionnement Q = (𝑉 ,𝐼 ) de la diode dans le circuit constitué d’une source de tension continue
𝑉 et d’une charge résistive 𝑅 .
Le comportement d’une diode idéale ou parfaite est donné au paragraphe II.2 de ce chapitre et la
caractéristique à la Figure 2.4.
21
a) Schéma électrique équivalent en polarisation directe
La Figure 2.7 montre la diode en polarisation directe. La diode est passante, et elle est représentée
par un contact électrique fermé. La source alimente alors parfaitement la charge résistive. Le point
de fonctionnement est alors Q = (0,𝑉 /𝑅 ), comme présenté aussi à la Figure 2.7.
Figure 2.7 : diode idéale polarisée en direct dans un circuit et son point de fonctionnement
La Figure 2.8 montre la diode en polarisation inverse. La diode est bloquée, et elle est représentée
par un contact électrique ouvert. Toute la tension de la source est alors mesurable aux bornes de la
diode. Le point de fonctionnement est alors Q = (−𝑉 , 0), comme présenté aussi à la Figure 2.8.
Figure 2.8 : diode idéale polarisée en inverse dans un circuit et son point de fonctionnement
Figure 2.9 : diode réelle en 1ère approximation polarisée en direct dans un circuit et son point de
fonctionnement
23
La tension aux bornes de la diode est donnée par la relation :
𝑣 =𝑅 𝑖 +𝑉 2.3
Le point de fonctionnement Q représenté à la Figure 2.10 a pour coordonnées :
𝑉 −𝑉 𝑉 −𝑉
𝑉 = 𝑅 +𝑉 𝑒𝑡 𝐼 = 2.4
𝑅 +𝑅 𝑅 +𝑅
Figure 2.10 : diode réelle en 2ème approximation polarisée en direct dans un circuit et son point de
fonctionnement
La Figure 2.11 montre la diode en polarisation inverse. La diode est bloquée, et elle est représentée
par une résistance 𝑅 . La résistance directe 𝑅 est relative grande (au-delà de quelques mégohms).
En appliquant la loi de diviseur de tensions au circuit de la Figure 2.11, le point de fonctionnement
Q représenté à la Figure 2.10 a pour coordonnées :
𝑅 𝑉
𝑉 =− 𝑉 𝑒𝑡 𝐼 = − 2.5
𝑅 +𝑅 𝑅 +𝑅
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Figure 2.11 : diode réelle en 2ème approximation polarisée en inverse dans un circuit et son point
de fonctionnement
Diode conçue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractérisée par une tension seuil
négative ou « tension Zener ».
a) Symbole et caractéristique
Le symbole de la diode zener est donné à la Figure 2.12. Le courant dans la diode est souvent orienté
dans le sens de l’utilisation (sens négatif), ainsi que la tension. La caractéristique de la diode zener
est aussi donné à la Figure 2.12, avec :
𝑉 : tension Zener ;
𝐼 : courant minimal (en valeur absolue) au-delà duquel commence le domaine linéaire ;
𝐼 : courant maximal supporté par la diode (donné par le constructeur, ainsi que la
maximale))
25
Figure 2.12 : symbole et caractéristique de la diode zener
Dans le sens d’utilisation, sens inverse, la diode zener est modélisée par une résistance inverse 𝑅
en série avec une source de tension 𝑉 , la tension zener (voir Figure 2.13). L’ordre de grandeur de
la tension zener est entre 1 et 100 V. Le point de fonctionnement Q de la diode se trouve toujours
dans la zone d’utilisation, qui est le domaine zener, comme montré à la Figure 2.13.
Par définition, une diode électroluminescente est un dispositif opto-électronique capable d'émettre
de la lumière lorsqu'il est parcouru par un courant électrique. Il fonctionne seulement sous
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polarisation directe, et quand la tension positive entre l’anode et la cathode est supérieure à la tension
seuil de la diode.
La Figure 2.14 fait une présentation d’une diode électroluminescente (DEL), abrégé en LED (de
l'anglais : light-emitting diode).
L’une des fonctions de base que peut remplir une diode, c'est de limiter la tension sur des circuits
sensibles, ce qu'on appelle "écrêtage". Cette limitation de tension peut par exemple servir à
protéger ces circuits électroniques de surtensions éventuelles.
On peut vérifier que tant que 𝑣 (𝑡) inférieur à la tension seuil 𝑉 de la diode, celle-ci est bloquée et
le circuit représenté par l’impédance 𝑍 protégé. On peut dire que le circuit est protégé contre toute
tension négative (voir Figure 2.16), dans le cas par exemple d’une diode avec comportement presque
idéal (𝑉 relativement petit devant l’amplitude de la tension 𝑣 (𝑡)). Le montage de principe du
limiteur de tension série est donné à la Figure 2.17.
27
A titre d’exemple à la Figure 2.16 , nous avons alimenter 𝑍 successivement avec une tension
sinusoïdale 5sin(100t) et une tension triangulaire 5V-50 Hz. Nous avons considéré que la tension
seuil de la diode est de 0,6 V.
On peut vérifier que tant que 𝑣 (𝑡) supérieure à la tension seuil 𝑉 de la diode, celle-ci est passante
et le circuit représenté par l’impédance 𝑍 protégé. Quand la diode est passante, elle court-circuite
le circuit à protéger. On peut ainsi, que la diode assure la protection du circuit contre les tensions
supérieures à 𝑉 (voir Figure 2.18). Le montage de principe du limiteur de tension parallèle est
donné à la Figure 2.17.
A titre d’exemple à la Figure 2.18, nous avons alimenter 𝑍 successivement avec une tension
sinusoïdale 5sin(100t) et une tension triangulaire 5V-50 Hz. Nous avons considéré que la tension
seuil de la diode est de 0,6 V.
28
Figure 2.18 : exemple de fonctionnement d’un limiteur de tension parallèle
L’objectif d’un montage redresseur à diodes à jonction (diodes de redressement) est de convertir
une tension bidirectionnelle en tension unidirectionnelle stable.
Un redresseur simple alternance monophasé est un redresseur supprimant les alternances négatives
et conservant les alternances positives d’une tension d’entrée alternative sinusoïdale (Voir Figure
2.19). La fréquence en sortie du redresseur est alors égale à la fréquence d'entrée.
29
Les redresseurs simple alternance sont souvent utilisés dans les montages simples comme illustré à
la Figure 2.19. D’habitude un transformateur est interposé entre la source alternative sinusoïdale et
circuit composé de la diode et de l’utilisation (ici la résistance 𝑅 ).
Un redresseur double alternance monophasé est un redresseur redressant les alternances négatives
et conservant les alternances positives d’une tension d'entrée alternative sinusoïdale (voir Figure
2.20).
Un exemple du redresseur double alternance est le pont de Grätz présenté à la Figure 2.20. Deux
diodes D1 et D4 sont polarisées en direct pendant l’alternance positive (donc conduisent), et les
deux autres D2 et D3 pendant l’alternance négative. Le transformateur T permet d’adapter la tension
et assure aussi une isolation galvanique entre la charge continue et la source alternative.
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CHAPITRE 3 : LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
I. DEFINITION ET STRUCTURE
I.1. Description et structure d’un transistor bipolaire
31
dans amplification des signaux : amplificateur de tension, de courant, de puissance,...
comme interrupteur électronique ;
comme source de courant.
De nos jours on le trouve sous forme :
de composant discret ;
de circuit intégré, i.e. faisant partie d’un circuit plus complexe, allant de quelques
unités (ex: AO) à quelques millions de transistors par circuit (microprocesseurs).
D’entrée, on peut dire que l'effet transistor consiste à contrôler, à l'aide du courant de base 𝑖 ,
relativement faible, un courant de collecteur 𝑖 , beaucoup plus important.
Le transistor bipolaire étant une association de deux jonctions PN. Sans, polarisation, ces jonctions
ne présentent aucun intérêt. Partant de la structure du transistor bipolaire donnée à la Figure 3.1, on
peut dire que l'effet transistor apparaît lorsqu'on la diode représentant la jonction base-émetteur est
polarisée en direct, et que la diode représentant la jonction base-collecteur est polarisée en inverse
(Voir Figure 3.3).
b) Description
La jonction base-collecteur est polarisée dans le sens direct par la source continue 𝑉 . De même,
la source continue 𝑉 polarise la jonction base-collecteur dans le sens inverse.
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La source continue 𝑉 va engendrée le courant 𝑖 , qui caractérise le flux d'électrons des porteurs
majoritaires, qui vont circuler de l’émetteur vers la base. En effet, les électrons libres affluent dans
la zone P où ils sont captés par l'électrode reliée au pôle + de 𝑉 .
A cet instant, seul un courant 𝑖 relativement faible circule de la base en direction du collecteur. 𝑖
est dû à la charge d'espace, créée près de la jonction, par la présence d'anions côté P (ions négatifs)
et de cations côté N (ions positifs).
Si on évite aux électrons de la zone N, de se recombiner dans la zone P et de sortir par cet endroit,
ils pourront venir renforcer le courant 𝑖 d'électrons des porteurs minoritaires causé par la
polarisation de la jonction base –collecteur par 𝑉 .
Dans le deuxième schéma de la Figure 3.3, on illustre le pincement de la zone P. La source continue
𝑉 ne fait circuler plus désormais qu'un courant relativement faible. Par contre, nous constatons un
courant important dans la jonction base collecteur. Le courant 𝑖 est transféré, en grande partie, dans
la zone N côté émetteur.
Seule une faible partie de ce courant circule entre la base et l’émetteur. Quelques électrons ont le
temps de se recombiner dans la zone P et sont attirés par le pôle positif de 𝑉 .
Il est à constater que :
𝑖 =𝑖 +𝑖 3.1
Nous considérons le cas d'un transistor bipolaire de type NPN pour lequel les tensions 𝑣 et 𝑣 ,
de même que le courant 𝑖 , sont positifs.
De manière générale, le transistor bipolaire est caractérisé par six grandeurs électriques liés
conventionnellement par la loi de nœuds et la loi de mailles. Ces six gradeurs sont, d’après la Figure
3.1 :
𝑖 , 𝑖 et 𝑖 ;
𝑣 ,𝑣 et 𝑣 .
A partir de ses trois bornes, le transistor peut être connecté comme un quadripôle dont une électrode
est commune à l'entrée et la sortie. Ainsi, on distingue trois montages usuels :
Base commune utilisé en haute fréquence ;
Collecteur commun utilisé en adaptation d'impédance ;
Émetteur commun utilisé en amplification et le plus commun.
33
Il existe généralement quatre réseaux de caractéristiques relevables sur quatre cadrans différents
constitués par certains grandeurs ci-dessus selon le type de montage du transistor. Les montages
dépendent du type d’utilisation du transistor. Ainsi, les caractéristiques regardées, sont celles qui
permettent de vérifier le comportement du transistor pour une utilisation donnée.
Ces caractéristiques sont données par le constructeur, et peuvent être aussi mesurées
expérimentalement en respectant le montage et le mode opératoire requis.
La représentation des caractéristiques d’un transistor se fait donc pour chaque type de montage.
Nous allons juste nous limiter à la présentation des caractéristiques pour le montage commun.
Les réseaux de caractéristiques classiques et représentatifs pour un transistor bipolaire NPN sont
relevés en montage émetteur commun. Ces quatre réseaux de caractéristiques relevable pour un
transistor bipolaire sont :
34
3°) Le réseau de caractéristiques d’entrée : c’est un ensemble de courbes 𝑣 = 𝑓(𝑖 ) serrées et
relevées avec comme paramètre 𝑣 considéré à chaque fois constante, représentées au troisième
cadran. Cet ensemble de caractéristiques se ramène à une seule courbe où la tension 𝑣 varie très
faiblement avec le courant 𝑖 .
35
Il peut être utilisé dans un circuit en différents montages dans sa forme de quadripôle. Nous allons
nous limiter au montage classique émetteur commun d’un transistor de type NPN. Dans ce cas, le
comportement de quatre grandeurs caractérise le fonctionnement du transistor. Il s’agit :
deux grandeurs électriques d’entrée (circuit de commande): 𝑣 et 𝑖
deux grandeurs électriques de sortie (circuit commandé): 𝑣 et 𝑖
Le circuit dans lequel se trouve le transistor en régime statique est subdivisé en deux parties, qui
correspondent chacun à un point de fonctionnement :
point de fonctionnement 𝑄 dans le cadran (𝑖 , 𝑣 ) du circuit de commande, donné
par l’intersection entre la droite d’attaque statique et le réseau de caractéristiques
d’entrée du transistor ;
point de fonctionnement 𝑄 dans le cadran (𝑣 , 𝑖 ) du circuit de commande, donné
par l’intersection entre la droite de charge statique et le réseau de caractéristiques
d’entrée du transistor.
A partir de l’équation 3.4, on trace la droite statique d’attaque donnée à la Figure 3.6.
36
Figure 3.6 : droite d’attaque statique d’un transistor PNP
A partir de l’équation 3.5, on trace la droite statique d’attaque donnée à la Figure 3.7.
37
Figure 3.8 : point de fonctionnement d’un transistor NPN
C’est le montage de polarisation le peu utilisé. Car, il n’est pas adapté aux fonctionnement en
amplification.
Soit le montage de la Figure 3.9, les mailles à l’entrée et à la sortie du transistor nous donnent les
deux équations fondamentales de polarisation du transistor :
38
𝑣 =𝑉 −𝑅 𝑖
𝑉 −𝑣 3.6
𝑖 =
𝑅
Sachant que 𝑖 = 𝛽𝑖 , le système d’équations 3.6 devient :
𝑉
−𝑣
⎧𝑖 =
𝑅
3.7
⎨𝑖 = 𝑉 − 𝑣
⎩ 𝛽𝑅
Le montage de la Figure 3.10 est une amélioration du montage de la Figure 3.9. La loi de maille
appliquée à l’entrée du transistor nous permet d’obtenir l’expression :
𝑉 =𝑅 𝑖 +𝑣 + 𝑅 𝑖 = (𝑅 + 𝑅 + 𝑅 )𝑖 + 𝑣 . 3.8
39
Figure 3.10 : montage de polarisation par réaction d'émetteur
Soit le montage de la Figure 3.11, les mailles à l’entrée et à la sortie du transistor nous donnent les
deux équations fondamentales de polarisation du transistor :
𝑣 −𝑣
⎧𝑖 = 𝑅
310
⎨𝑖 = 𝑉 − 𝑣
⎩ 𝑅
40
IV.4. Polarisation par diviseur de tension et résistance d’émetteur
Le montage de polarisation le plus utilisé pour le cas du transistor connecté en émetteur est celui de
la Figure 3.12. Le pont diviseur de tension composé des résistances 𝑅 et 𝑅 permet de passer
d’une source unique 𝑉 , à deux sources 𝐸 (connectée à l’entrée du transistor) et 𝐸 (connectée à la
sortie du transistor). Ainsi, considérant qu’à la sortie 𝐸 = 𝑉 , à l’entrée, on aura un générateur
équivalent de Thevenin raccordé entre la ase te l’émetteur, avec :
𝑅
⎧𝐸 = 𝑉
𝑅 +𝑅
3.11
⎨ 𝑅 = 𝑅 𝑅
⎩ 𝑅 +𝑅
Tout ceci, en supposant que le courant de base est négligeable par rapport au courant qui circule
dans la résistance 𝑅 du pont de base. Ainsi, la loi de mailles appliquée à l’entrée et à la sortie du
transistor nous donne :
𝐸 =𝑣 +𝑅 𝑖 +𝑅 𝑖
3.12
𝑉 = 𝑣 + (𝑅 + 𝑅 )𝑖
Le courant de base 𝑖 étant négligeable devant le courant de collecteur𝑖 , on peut alors considérer
que 𝑖 ≈ 𝑖 .
41
V. TRANSISTOR BIPOLAIRE EN REGIME VARIABLE
Le fonctionnement du transistor en régime variable nécessite d’avance une polarisation. C’est-à-
dire, qu’il faut déterminer le point de fonctionnement statique ou point de repos du transistor. Le
point de repos du transistor étant fixé, on peut maintenant lui appliquer des petits signaux à variation
lente (par rapport aux inerties électrostatiques caractéristiques du transistor) à 1'entree et à la sortie
du montage. Petits signaux, ceci dans le but de rester dans le comportement approximativement
linéaire du transistor. Pour faire simple et juste pour comprendre le principe de fonctionnement du
transistor en régime variable (ou dynamique).
Pour un transistor bipolaire, constitué de six variables, seules quatre variables peuvent directement
intervenir dans son comportement comme un quadripôle. Ceci en fonction du type de montage.
Dans le cas d’un montage simple en émetteur commun de la Figure 3.5, le système d’équation 3.13
devient alors :
42
𝑣 =ℎ 𝑖 +ℎ 𝑣
3.14
𝑖 =ℎ 𝑖 +ℎ 𝑣
L’indice e au niveau des paramètres hybrides indique le type de montage du transistor. Les quatre
paramètres hybrides pour le montage émetteur commun ont les significations suivantes:
ℎ : impédance d’entrée du transistor. Elle est mesurée pour 𝑣 = 0,
𝑣
ℎ = 3.15
𝑖
ℎ : terme de réaction interne, souvent négligeable. Car, n’est pas une transposition
directe de caractéristiques statiques. Il est théoriquement mesuré à 𝑣 = 0,
𝑣
ℎ = 3.16
𝑣
ℎ : gain en courant 𝛽 = ℎ . Il est mesuré pour 𝑣 = 0,
𝑖
ℎ = 3.17
𝑖
ℎ : admittance de sortie du transistor. Souvent négligée dans les calculs. Elle est
mesurée pour 𝑖 = 0,
𝑖
ℎ = 3.18
𝑣
Le schéma équivalent classique d’un transistor bipolaire en émetteur commun est donné à la Figure
3.14. On peut remarquer ici, que le transistor est équivalent à une source de courant (à la sortie) et
une source de tension (à l’entrée).
43
Le schéma équivalent du transistor en régime variable de la Figure 3.14 peut être ramené à un
schéma classique simplifié (voir Figure 3.15) avec seulement trois paramètres hybrides qui sont la
transposition directe des caractéristiques rencontrées en régime statique. Le schéma équivalent
simplifié donnée à la Figure 3.15 sera utilisé à la suite de ce cours.
Figure 3.15 : schéma équivalent usuel simplifié d’un transistor en émetteur commun
Pour la basse fréquence, le schéma donné à la Figure 3.15 peut être d’avantage simplifié sur la base
des hypothèses telles:
ℎ 𝑖 ≫ℎ 𝑣 , et
ℎ 𝑖 ≫ℎ 𝑣
Nous obtenons alors le schéma équivalent de la Figure 3.16.
44
Le rôle de certains de ces condensateurs est de permettre le passage des signaux d’entrée et
de sortie sans que les tensions continues présentes dans la base et le collecteur du transistor
influent sur le fonctionnement du générateur ou l’étage suivant.
D’autres condensateurs placées souvent en parallèle avec certaines résistances se comportent
comme des court-circuits en alternatif et comme une impédance infinie en continue.
La mise en œuvre du transistor requiert aussi :
une alimentation continue, qui fournit les tensions de polarisation et l'énergie que le montage
sera susceptible de fournir en sortie;
des résistances de polarisation.
Les trois montages présentés sont le montage émetteur commun, le montage collecteur commun et
le montage base commune.
Le montage émetteur commun délivre une très bonne amplification et il est le type de montage le
plus utilisé. De plus, il existe en pratique sous forme de circuits intégrés. Le montage étudié est
donné à la Figure 3.17. 𝐶 et 𝐶 sont des condensateurs de liaison sont, et 𝐶 est le condensateur de
découplage.
Le schéma équivalent est donné à la Figure 3.18. Il faut noter dans ce schéma, qu’au niveau de la
base, le pont de résistance a été ramené à une résistance équivalente de base :
45
𝑅 𝑅
𝑅 = 3.19
𝑅 +𝑅
Figure 3.18 : Schéma équivalent pour les petites variations en émetteur commun
b) Résistance d’entrée
C’est la résistance vue à l’entrée du montage, quand la source 𝑒 est déconnectée. A partir du schéma
de la Figure 3.18, on peut voir que la résistance 𝑅 est en parallèle avec la résistance paramétrique
ℎ . Ce qui donne une résistance d’entrée du montage :
ℎ 𝑅
𝑅 . = 3.20
ℎ +𝑅
c) Résistance de sortie
C’est la résistance vue à la sortie du montage, quand la source 𝑒 est court-circuitée et la résistance
de charge 𝑅 déconnectée. Dans ces conditions, le schéma de la Figure 3.18 subit une modification
et donne le schéma de la Figure 3.19. A partir de ce nouveau schéma, on obtient la résistance
équivalente à la sortie du montage. Il suffit de considérer que le courant de bas 𝑖 = 0, et la
résistance équivalente à la sortie est le résultat de deux résistances 𝑅 et 1/ℎ en parallèle:
𝑅
𝑅 . = 3.21
1+ℎ 𝑅
Figure 3.19 : schéma équivalent pour calcul de la résistance de sortie en émetteur commun
46
d) Gain en tension
Le schéma de la Figure 3.18 nous permet de ressortir les deux équations caractéristiques du
fonctionnement du transistor avec une vue à l’entrée et à la sortie du montage :
𝑣 =ℎ 𝑖
𝑅 . 𝑅 3.22
𝑣 = −ℎ 𝑖
𝑅 . +𝑅
𝑅 . est la résistance équivalente à la sortie donnée par l’équation 3.21. Les tensions d’entrée et de
sortie sont en opposition de phase, le gain en tension est:
𝑣 ℎ 𝑅 . 𝑅
𝐴 = =− 3.23
𝑣 ℎ 𝑅 . +𝑅
e) Gain en courant
Le gain de courant est obtenu à partir de l’expression (équation 3.23) du gain en tension, et est donné
par l’expression :
𝑖 𝑅 . ℎ 𝑅 .
𝐴 = = 𝐴 =− 3.24
𝑖 𝑅 ℎ 𝑅 . +𝑅
Dans le montage collecteur commun (Figure 3.20), la base du transistor sert d'entrée ; le collecteur
est relié à l'alimentation ou à la masse sous le pilotage du condensateur de découplage 𝐶 ; la
résistance de charge 𝑅 est connectée à l'émetteur. Le montage est dit à émetteur commun du fait
que pour le régime variable, le collecteur est au potentiel de la masse.
Les condensateurs sont considérés comme des court circuits pour les signaux. Il en est de même
pour la source d’alimentation 𝑉 . Le schéma équivalent pour les petits signaux est donné à la Figure
3.21, et la résistance 𝑅 est donnée par l’expression 3.19.
Figure 3.21 : Schéma équivalent pour les petites variations en collecteur commun
b) Résistance d’entrée
C’est la résistance vue à l’entrée du montage, quand la source 𝑒 est déconnectée. On sait que :
𝑣
𝑅 . = 3.25
𝑖
A partir du schéma de la Figure 3.21, on peut écrire :
𝑣 =ℎ 𝑖 +𝑣
𝑣 3.26
𝑖 = +𝑖
𝑅
avec
1
𝑣 = //𝑅 //𝑅 (ℎ + 1)𝑖 3.27
ℎ
On calcule le courant à l’entrée en fonction de la tension d’entrée à partir des équation 3.25 et 3.26 :
𝑣 𝑣 𝑣
𝑖 = + = 3.28
𝑅 1 𝑅 .
ℎ + (ℎ + 1) //𝑅 //𝑅
ℎ
La résistance équivalente vue à l’entrée du montage peut alors être calculée à partir de l’expression :
1 1 1
= + 3.29
𝑅 . 𝑅 1
ℎ + (ℎ + 1) //𝑅 //𝑅
ℎ
On peut remarquer que la résistance équivalente 𝑅 . vue à l’entrée du montage est une mise en
parallèle de la résistance 𝑅 et une résistance équivalente d’une valeur relativement élevée.
48
c) Résistance de sortie
C’est la résistance vue à la sortie du montage, quand la source 𝑒 est court-circuitée et la résistance
de charge 𝑅 déconnectée. Dans ces conditions, le schéma de la Figure 3.21 subit une modification
et donne le schéma de la Figure 3.22. A partir de ce nouveau schéma, on obtient la résistance
équivalente à la sortie du montage. On sait que :
𝑣
𝑅 . = 3.30
𝑖
La loi de nœuds appliquée au nœud principal du circuit de la Figure 3.22, permet d’écrire :
1
𝑖 =𝑣 +ℎ − (1 + ℎ )𝑖 3.31
𝑅
La loi de mailles appliquée à l’entrée du montage, permet d’écrire :
𝑣
𝑖 = 3.32
𝑅 𝑅
𝑅 +𝑅 +ℎ
Les équations 3.32 dans l’équation 3.31 donne :
⎛ 1 (1 + ℎ ) ⎞
𝑖 =𝑣 ⎜ +ℎ − ⎟ 3.33
𝑅 𝑅 𝑅
𝑅 +𝑅 +ℎ
⎝ ⎠
Les équations 3.30 et 3.33 nous permettent de calculer la résistance équivalente vue à la sortie du
montage :
1
𝑅 . = 3.34
1 (1 + ℎ )
𝑅 +ℎ − 𝑅 𝑅
𝑅 +𝑅 +ℎ
Figure 3.22 : Schéma équivalent pour calcul de la résistance de sortie en collecteur commun
d) Gain en tension
49
Le schéma de la Figure 3.21 nous permet de ressortir les deux équations caractéristiques du
fonctionnement du transistor avec une vue à l’entrée et à la sortie du montage :
𝑅é 𝑅
⎧ 𝑣 = (ℎ + 1)𝑖
⎪ 𝑅é + 𝑅
3.35
⎨ 𝑅é 𝑅
⎪𝑣 = ℎ + (ℎ + 1) 𝑖
⎩ 𝑅é + 𝑅
Le gain de courant est obtenu à partir de l’expression (équation 3.36) du gain en tension, et est donné
par l’expression :
𝑖 𝑅 . ℎ 𝑅 .
𝐴 = = 𝐴 =− 3.38
𝑖 𝑅 ℎ 𝑅 . +𝑅
Le montage du transistor bipolaire du type NPN en base commune est donné à la Figure 3.23 :
le signal qui impose les petites variations attaque l’amplificateur par l’émetteur du
transistor ;
la charge résistive 𝑅 est connectée au collecteur du transistor ;
la base du transistor est reliée à la masse à travers le condensateur 𝐶 .
50
Figure 3.23 : Montage émetteur commun découplé
Le schéma équivalent du montage pour les petits signaux de la Figure 3.23 est donné à la Figure
3.24. Les condensateurs sont considérés comme des court circuits pour les signaux variables avec
le temps. Dans le schéma de la Figure 3.24, le générateur de courant ℎ 𝑖 en parallèle avec la
résistance paramétrique 1/ℎ peut être transformé en générateur de tension ℎ 𝑖 /ℎ en série
avec la même résistance paramétrique 1/ℎ (transfuguration Norton-Thévenin).
Figure 3.24 : Schéma équivalent pour les petites variations en base commune
b) Résistance d’entrée
C’est la résistance équivalente 𝑅 . vue à l’entrée du montage, quand la source 𝑒 est déconnectée.
Par définition, 𝑅 . est donnée par l’équation 3.24. A partir du schéma de la Figure 3.24, la loi de
nœuds et de mailles appliquées à l’entrée du montage permet d’écrire :
51
1 ℎ
⎧ + 𝑅é 𝑖 +𝑣 − 𝑖 =0
ℎ ℎ
𝑣 𝑣 3.39
⎨ 𝑖 = + −𝑖
⎩ 𝑅 ℎ
avec
𝑣
𝑖 =− 3.40
ℎ
La première équation du système 3.39 et l’équation 3.40 permet de calculer le courant de
collecteur en fonction de la tension d’entrée :
ℎ
1+
ℎ ℎ
𝑖 = 𝑣 3.41
1
+ 𝑅é
ℎ
La deuxième équation du système 3.39 et l’équation 3.41 permet de donner la relation entre la
tension et le courant d’entrée du montage :
ℎ ℎ
𝑣 𝑣 1+ 1 1 1+
ℎ ℎ ℎ ℎ
𝑖 = + − 𝑣 = + − 𝑣 3.42
𝑅 ℎ 1 𝑅 ℎ 1
+ 𝑅é + 𝑅é
ℎ ℎ
Conformément à l’équation 3.24, la résistance équivalente vue à l’entrée peut être calculée à
travers l’expression :
ℎ
1 1 1 1+
ℎ ℎ
= + − 3.43
𝑅 . 𝑅 ℎ 1
+ 𝑅é
ℎ
avec
𝑅 𝑅
𝑅é = 3.44
𝑅 +𝑅
c) Résistance de sortie
C’est la résistance vue à la sortie du montage, quand la source 𝑒 est court-circuitée et la résistance
de charge 𝑅 déconnectée. Dans ces conditions, le schéma de la Figure 3.24 subit une modification
et donne le schéma de la Figure 3.25. A partir du schéma de la Figure 3.25, la loi de nœuds et de
mailles appliquées au montage permet d’écrire :
1 ℎ 𝑅é
⎧𝑣 = 𝑖 + 𝑖 + 𝑅é 𝑖
ℎ ℎ ℎ
𝑣 3.45
⎨ 𝑖 = +𝑖
⎩ 𝑅
52
La première équation du système 3.45 permet de calculer le courant le courant du colleur en fonction
de la tension de sortie :
𝑣
𝑖 = 3.46
1 ℎ
+ 1+ 𝑅é
ℎ ℎ ℎ
L’équation 3.46 dans la deuxième équation du système 3.45 permet d’exprimer le courant de sortie
en fonction de la tension de sortie :
𝑣 𝑣 1 1
𝑖 = + = + 𝑣 3.47
𝑅 1 ℎ 𝑅 1 ℎ
+ 1+ 𝑅é + 1+ 𝑅é
ℎ ℎ ℎ ℎ ℎ ℎ
Conformément à l’équation 3.30, la résistance équivalente vue à la sortie du montage peut être
calculée à travers l’expression :
1 𝑖 1 1
= = + 3.48
𝑅 . 𝑣 𝑅 1 ℎ
+ 1+ 𝑅é
ℎ ℎ ℎ
avec
1 1 1 1
= + + 3.49
𝑅é ℎ 𝑅 𝑅
Figure 3.25 : Schéma équivalent pour calcul de la résistance de sortie en base commune
d) Gain en tension
Le schéma de la Figure 3.24 nous permet de ressortir les deux équations caractéristiques du
fonctionnement du transistor avec une vue à l’entrée et à la sortie du montage :
ℎ 𝑅é ℎ
𝑣 = 1+ 𝑣 3.50
1 + ℎ 𝑅é ℎ ℎ
Le gain en tension 𝐴 du transistor bipolaire en montage base commune est donné par l’expression :
53
𝑣 ℎ 𝑅é ℎ
𝐴 = = 1+ 3.51
𝑣 1 + ℎ 𝑅é ℎ ℎ
𝑅é est donnée par l’équation 3.44.
e) Gain en courant
Le gain de courant est obtenu à partir de l’expression (équation 3.51) du gain en tension, et est donné
par l’expression :
𝑖 𝑅 . 𝑅 . ℎ 𝑅é ℎ
𝐴 = = 𝐴 = 1+ 3.52
𝑖 𝑅 𝑅 1 + ℎ 𝑅é ℎ ℎ
54