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Université Ibn Tofaïl Nom :…………………………………………..

Faculté des Sciences Prénom :………………………………………..


Département de Physique C.I.N :……………………………………………
Année universitaire :Juin 2017 N° d’Apogée…………………………………..

Examen d’électronique de base


SMP S4 – Session 2

Questions de cours : Entourez la bonne réponse


1) Une diode est un semi conducteur qui :
A. Peut être traversé par un courant alternatif.
B. S’oppose au passage du courant dans les deux sens.
C. Ne laisse passer le courant que dans un sens.
2) Une diode est traversée par un courant si :
A. La tension sur son anode est inférieure à celle sur la cathode.
B. La tension sur son anode est supérieure à celle sur la cathode.
C. Si la tension appliquée à son anode est égale à 5V
3) Quelle est la fonction importante des transistors ?
A. Ils amplifient de faibles signaux.
B. Ils redressent une tension.
C. Ils régulent une tension.
D. Ils émettent de la lumière.
4) La jonction base-émetteur d’un transistor PNP est généralement :
A. Polarisée en direct.
B. Polarisée en inverse.
C. Non conductrice.
D. En zone de claquage.

5) Dans le pont de Graetz (pont de diodes) suivant le courant circule :

A. quand le condensateur se charge


B. quand le condensateur se décharge
C. tout le temps.

6) Le régulateur suivant :

A. stabilise le courant de sortie


B. stabilise la tension de sortie
C. régule la puissance consommée

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7) Deux quadripôles Q’ et Q’’, de matrices admittances [Y’], [Y’’] et de matrices
impédances [Z’], [Z’’] sont associés en parallèle. La matrice admittance [Y] du
quadripôle résultant est :
A. [Y] = [Y’] + [Z’’]
B. [Y] = [Y’] + [Y’’]
C. [Y] = [Z’] + [Y’’]

8) Calculer les paramètres impédances du quadripôle suivant :

Schéma simplifié :
Z11= (V1/I1)I2=0 =[(R/3)+ (R//2R)]=R
Z12= (V1/I2)I1=0 or V1=RI’2 avec I’2=(R/(R+2R)I2= I2/3 (Diviseur de courant)
D’où Z12= R/3
Par symétrie
Z21= Z12 Z22= Z11

9) Calculer les paramètres admittances du quadripôle suivant :

I1= V1/ZL +(V1-V2)/R = V1(1/ZL + 1/R) – V2/R avec ZL =jLw


Y11 = (R+jLw)/jLRw Y12 = -1/R
De même I2 = V2/ZC +(V2 – V1)/R = -V1/R +V2 (1/ZC + 1/R) avec ZC= 1/jCw
Y21 = -1/R et Y22 = (1 + jRCw)/R

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Problème :
On considère le montage de la figure 1, utilisant un transistor bipolaire NPN et une
alimentation stabilisée Vcc= 15V ; VBE=0,75V,  R1= 10kΩ, R2= 2,2 kΩ, Rc= 100Ω et
RL=700Ω

Figure 1 Figure 2
1) Que faut-t-il rajouter au montage de la figure 1, aux emplacements M1 et M2
Justifier votre réponse
I. Etude statique :
2) Représenter le schéma équivalent en régime statique.
3) Donner l’expression de la droite de charge statique.
4) Déterminer le point de fonctionnement QF du transistor lorsque VCE=2V.
5) Déterminer l’expression et la valeur de RE .Quel est le rôle de la résistance RE ?

II- Etude dynamique

Pour cette étude on supposera que tous les condensateurs sont assimilables à des courts
circuits. On prendra, pour effectuer les calculs numériques, les valeurs suivantes des
paramètres du transistor: h11e = 100 Ω ; h12e = 0; h21e = ; h22e = 0 Ω-1.
1) Quel est le type de montage élémentaire utilisé (EC, BC, CC)? Justifier votre
réponse.
2) Quelles sont les propriétés essentielles de ce type de montage?
3) Dessiner le schéma équivalent du montage en régime dynamique.
4) Déterminer dans l’ordre, les expressions littérales puis les valeurs des
grandeurs suivantes :
i
a) Le gain en courant : Ai  L
ig
Ve
b) La résistance d’entrée : Re 
ig
VS
c) Le gain en tension AV 
Ve
d) La résistance de sortie de sortie Rs du montage complet vue par la résistance
d'utilisation RL

Bon courage

L’expression de la va

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S o l ut i o n :

1) On ajoute des capacités de liaison pour isoler et protéger le régime statique du


régime dynamique

2) Schéma équivalent du régime statique :

3) L’équation de la droite de charge :


V  VCE
I C  CC
RC  RE
4) D' après la caractéris tique : IC  15 mA; VCE  2V
V  VCE
RC  RE  CC  866 
IC
RC  100   RE  766 

II Etude dynamique :
1) Le montage est un émetteur commun car l’émetteur est branche à la masse.
2) Le montage émetteur commun présente un gain en tension élevé avec une
opposition de phase entre la tension d’entrée et celle de sortie, une résistance
d’entrée grande et une résistance de sortie faible
h11e = 100 Ω ; h12e = 0; h21e = ; h22e = 0 Ω-1.
3) Schéma équivalent du transistor : Schéma équivalent du montage

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4)
a) Le gain en courant : A  iL
i
ig

RC RB
iL    ib , et i  ig
RB  h11
b
RC  RL

iL RC RB
Ai   
ig RC  RL RB  h11
b) La résistance d’entrée :
Ve
Re   RB // h11
ig
c) Le gain en tension :
VS  RC // RL ib  RC // RL 
AV   
Ve h11ib h11
d) La résistance de sortie :
VS 
RS  
iS  eg 0

Avec eg =0 ; Le courant ib est nul, et donc le générateur de courant est un circuit


ouvert ce qui donne :
VS 
RS    RC
iS  eg 0

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