Physique des matériaux II

1ere Partie: Propriétés électriques des matériaux

1. Modèle d’électrons quasi libres –Théorie des bandes d’énergie
2. Les semi-conducteurs

2eme Partie: Propriétés magnétiques des matériaux

1. Diamagnétisme
2. Paramagnétisme
3. Ferromagnétisme – Ferrimagnétisme - Antiferromagnétisme

Physique de la matière condensée: Hug-The Diep Dunod

Electromagnétisme: Fondements et applications José Philippe
Pérez Dunod
wwwens.uqac.ca/chimie/physique_atom/chap_9.html
http://iramis.cea.fr/spcsi/cbarreteau/physique_du_solide/physol
.htm 1
 Plan du cours
1. Structure de la matière
2. Réseau réciproque (S3) Les atomes ne bougent pas!
(S3) Description de la matière
3. Énergie de liaison des atomes
4. Les phonons (S5) Les atomes bougent! Propriétés
thermique de la matière
5. Propriétés des phonons
6. Les électrons dans les cristaux
Les électrons libres dans les cristaux
7. Bandes électroniques Les électrons quasi-libres dans les matériaux

8. Les métaux
9. Les semi-conducteurs Les propriétés électroniques
des composés.
10. Le magnétisme
 Chapitre 1 Introduction au modèle des électrons quasi
libres : Fonctions de Bloch

1er Terme: Energie cinétique des électrons de

valence
- le second terme: Energie cinétique des ions (i.e.
les atomes privés de leurs électrons de valence)
- le 3eme terme: Interaction entre les ions du
réseau
- le 4eme terme: Interaction entre électrons libres
et les ions
- 5eme terme: Interaction électrons – électrons
Frontière de la 1er zone de Brillouin
Approximations:

Négliger les termes d'échange

Interactions = potentiels scalaires
interactions sous forme de

Approximation de Born – •Les ions fixes donc 2eme terme =0

Oppenheimer •3eme terme constant

Électrons indépendants le potentiel indicé i ne va pas dépendre de

l'électron i

Électrons sont soumis à

l’Eq. de Schrödinger

U(r) = Potentiel cristallin périodique

 Fonctions de Bloch
• Solutions de l’E-S :
• yk(r) = Fonctions de Bloch
• Elle satisfait les conditions de Born Von Karman
• uk(r+R)=uk(r) fonction ayant la périodicité du
réseau
• k=vecteur d’onde associé à l’électron
• Pour un électron libre yk(r) est une onde plane yk(r)=cste*exp(ikr)
Considérons N points identiques appartenant à un
réseau à 1 dimension, sous la forme d’un anneau.
Le potentiel cristallin étant périodique :
U(x)=U(x+na)
Nous cherchons des solutions telles que :

y k ( x  a)  Cy k ( x)
ψk x + Na = ψk x = CN ψk x
𝑁
𝑠
⇒ 𝐶 = 1 ⇒ 𝐶 = exp 𝑖2𝜋 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑠 = 0,1,2,3 … 𝑁 − 1
𝑁
𝒔𝒙
⇒ 𝒍𝒂 𝒇𝒐𝒏𝒄𝒕𝒊𝒐𝒏 𝝍𝒌 𝒙 = 𝒖𝒌 𝒙 𝐞𝐱𝐩 𝒊𝟐𝝅 𝒗𝒆𝒓𝒊𝒇𝒊𝒆 𝒍𝒂 𝒓𝒆𝒍𝒂𝒕𝒊𝒐𝒏
𝑵
𝝍𝒌 𝒙 + 𝒂 = 𝑪𝝍𝒌 𝒙 à 𝒄𝒐𝒏𝒅𝒊𝒕𝒊𝒐𝒏 𝒂𝒖𝒆 𝒖𝒌 𝒙 = 𝒖𝒌 𝒙 + 𝒂
s
uk ( x)  uk ( x  a) avec k  2
Na
 Equation d’onde d’un électron dans un potentiel
périodique U

• U(x+a)=U(x) (réel) • Série de Fourier:

U ( x)  UG eiGx   UG (eiGx  eiGx )  2  UG cos(Gx)
G G 0 G 0

G étant un vecteur du réseau réciproque et U0=0 exp(i GR)  1

L’équation d’onde d’un électron dans le cristal vérifie l’équation de Schrödinger

avec E une valeur propre de l’énergie

y(x) peut être développé en série de Fourier sur des vecteurs d’onde k
appartenant au réseau réciproque y ( x)   C (k )eikx avec
Compatibles avec les conditions aux limites k 2 n
k nZ
L
G  mb; b un vecteur de base du RR
Le vecteur d’onde k utilisé dans la fonction de Bloch vérifie les propriétés suivantes:

• Si on considère un vecteur de translation R, alors:

y k (r  T )  uk (r  T ) e(ik .(r T )) = uk (r ) eikr eikT  y k (r )eikT

eikT est un facteur de phase multiplicatif quand on effectue une translation T.

Quand le potentiel cristallin est nul U(r) =0, l’équation centrale est :
 k  E  C (k )  0
une solution de cette équation est celle de l’onde plane
y k (r )  eik .r

9
 Le premier terme vaut : h 2  2 h 2  2
2m x 2
y ( x ) 
2m x k 2
(  C ( k ) eikx
)

 iGx 
  G y ( x)  U G e C (k )e  U GC (k )e
. iGx ikx i (G  k ) x
U e
G  G k G k

Ce qui conduit à : h 2 2
 2m k C (k )eikx   UGei(Gk ) xC (k )  E  C (k )eikx
k G ,k k

Chaque composante doit avoir le même coefficient

dans les deux membres de l’équation en posant k=k-G
dans la 2eme sommation sur k 2 2 h k 
  E  C (k )  U G C (k  G )  0
2 m 
  G
ou encore :  k  E  C (k )  UGC (k  G)  0 Avec h 2k 2
G k 
2m

C’est l’équation d’onde d’un électron dans un potentiel périodique

 Enoncé du théorème de Bloch
La solution de l’équation de Schrödinger d’un électron dans un potentiel
périodique est une orbitale qi a la forme suivante

y k ( x)  uk ( x) exp(ik.x)
Avec uk(x) est une fonction qui a la périodicité u réseau.
:
Equation de mouvement et Propriétés de la fonction de Bloch
y k (r  T )  uk (r  T ) e(ik .(r T ))
• T=vecteur de translation
ikr ikT
= uk (r ) e e  y k (r )eikT
exp(ikT) est un facteur de phase
•Si U(r)=0 , la solution est une onde plane (é libre)
• La valeur de k vérifie les lois de conservation pour les collisions dans le cristal. Par
conséquent quand un électron de quantité de mouvement hk rencontre un phonon de
vecteur d’onde q, la régle de sélection est r r r r
k  q  k ' G (le phonon est absorbé)

L’électron est diffusé d’un état k à un autre état k’, G est un vecteur quelconque du
réseau réciproque.
 Solution de l’équation centrale :
Pour chaque valeur de k
h 2k 2
 k  E  C (k )  UGC (k  G)  0 k 
G 2m
L’ensemble de ces équations est appelé équation centrale= système d’équations algébriques
Ce système admet une solution si le déterminant formé par tous les coefficients C(k) est nul
En pratique on suppose que: *seuls les 1ers termes du développement de U(r) sont non nuls
U(r)=2U1 cos(G1r).
* Le potentiel énergétique U1 est faible: U1<<k

Solution à la limite de zone de Brillouin k=G/2 :

1ZB: k=G/2= /a k2=G2/4
G2 1 G2
k  2
et (k  G)  ( G  G) 
2 2
4 2 4
G
k 
l’énergie cinétique des deux composantes de l’onde 2 est la même

 G G
    E  C ( )  U C (  )  0 pour (k  G / 2)
2 2

   E  C ( G )  U C ( G )  0 pour (k  G / 2)
 2 2
 Ces 2 équations ont une solution non nulle si
E U
0 
h 2 k 2 h 2G 2

U E 2m 8m

(  E )2  U 2  0  E    U
é libre
2 2 2 2
h k h G
E U  U Énergie d’un é dans un potentiel
2m 8m
périodique au bord de zone de B

L’énergie a deux racines de part et d’autre de l’énergie cinétique de l’électron libre E0=.
L’une est inférieure de U à E, l’autre est supérieure de U. Par conséquent, l’énergie
potentille 2UcosGx a créée une bande interdite d’amplitude 2U à la limite de ZB.
En reportant la solution dans l’une des 2 équations on trouve:
G G
    U  C( )  U C ( )  0
2 2 Gx Gx
C (G / 2) E  
y ( x)  exp(i )  exp(i )
   1 2 2
C (G / 2) U
 Solution prés d’une limite de zone
G
• On pose: k  k 
%
2
• Approximation à 2 composantes: y ( x)  C (k )eikx  C (k  G)ei (k G ) x
• Équation centrale:  k  E  C (k )  U C (k  G )  0


 k G  E  C (k  G )  U C (k )  0

k  E U
0  E 2  E (k G  k )  k G k  U 2  0
U k G  E
1
1 1  2
• L’énergie a 2 racines: E  (k G  k )   (k G  k )2  U 2 
2 4 
• Chacune d’elles décrit une bande d’énergie soit en fonction de k tilda
1
• h 1 2 %2 
2
h2 k%2 2
2
h2  G 
2
Ek% ( G  k )   4 ( ) U  avec   
2m  2 
2m 4  2m 
En faisant un développement limité en supposant: h 2Gk%
= U
2m
h2 1 2 %2   h2 k%2 
Ek%; ( G  k )  U 1  2( 2 )( )  ,...
2m 4  U 2m 

2
h2  G 
Si on pose:: E    U     U on peut écrire E en fonction de E (G/2)
2m  2 

h2 k%2 2
Ek%()  E  (1  )
2m U
Densité d’état et Nombre d’orbitale dans une bande
Soit un cristal linéaire de paramètre a.
les conditions aux limites périodiques donnent les valeurs permises de k d’un électron
dans la première ZB soit:
2 4 N
k= 0,  , ,.....  =/a
L L L
Le point k=- /a correspond à une translation d’un vecteur du réseau réciproque G=
(2/a)

Remarque: Chaque maille élémentaire fournie exactement une valeur indépendante

de k à chaque bande.
Donc si on a N mailles, le nombre d’orbitales dans une bande est 2N (à cause de 2
orientations possibles du spin).
Par conséquent s’il y a un seul type d’atome, de valence 1 dans chaque maille, la
bande est à moitié pleine d’électrons.
Si chaque atome fournit 2 électrons de valence à la bande, celle-ci est entièrement
remplie.
 Métaux et isolants
Lorsque les électrons de valence remplissent entièrement une ou
plusieurs bandes laissant les autres bandes vides, alors le cristal
est un isolant, car il ne peut y avoir de conduction au sein d’une
Isolant même bande. La seule possibilité pour qu’il y ait conduction de
courant est lorsqu’on applique une perturbation extérieure assez
forte pour faire passer les électrons de la dernière bande remplie
à la première bande vide.

Dans le cas où il existe une bande partiellement remplie, il peut y

avoir une conduction d’électrons au sein d’une même bande sans
Métal avoir besoin d’une perturbation extérieure. Dans ce cas, on dit
qu’on a un métal.

Généralement un cristal ne peut être un isolant que s’il possède un nombre pair
d’électrons de valence, alors que les métaux possèdent un nombre impair. Les
métaux nobles sont les cristaux qui possèdent un seul électron de valence par
maille élémentaire.
Chapitre 2: Les semi-conducteurs

I- Propriétés des semi-conducteurs

•liaison covalente
* structure diamant
* caractérisé par 3 bandes d’énergie:
+bande de valence (BV) pleine à 0K Eg
+bande de conduction (BC)
+bande interdite : différence entre
le point le plus bas de la BC et le
point le plus haut de la BV
Énergie de Gap: Eg
la conductivité des sc est controlée
par le rapport Eg/kT T=0K
 sous l’effet de T un photon est absorbé par le
cristal avec création d’un électron et un trou

L’électron et le trou vont participer à la conduction

Exemple:
Eg
Si Eg=4eV 

et kT=0.025eV e kT
 10 35
Aucun é n’est excité Le matériau est
thermiquement Isolant

Si Eg=0.25eV 
Eg

et kT=0.025eV e kT
 10 2
La conduction sera Le matériau est
observée (Elle est Semi-conducteur
relativement faible)

20
Le nombre d’é thermiquement excité vers la BC est
proportionnel à exp(1/kT)
La conductivité d’1 S/C augmente avec la Température ce
qui est en contradiction avec les métaux ne 2


m
La dépendance en température vient du temps de
relaxation qui diminue lorsque T augmente.

Dans un S/C  diminue aussi avec la T (en puissance) mais

elle est écrasée par l’augmentation en exponentielle de la
densité des porteurs

Pour un S/C la résistivité diminue lorsque la T augmente

Pour un métal la résistivité augmente lorsque la T augmente

21
II- semi-conducteur à gap direct et à gap indirect
Sc à gap direct sc à gap indirect

Le max et le min ne coïncident

le point le plus bas de la BC et le
point le plus haut de la BV pas au même k
coïncident
 Sc à gap direct sc à gap indirect

absorption d’1 photon hw absorption se fait par

Même vecteur d’onde k l’intermédiaire d’1 photon
GaAs; PbS; InP et d’1 phonon (Ge Si)
III) Équation de mouvement d’1 é dans une bande
d’énergie

Considérons un paquet d’onde soumis à un champ électrique E

dw 1 d 
La vitesse de groupe est définie: vg  
dk h dk
d
L’ é effectue le travail : d   eEvg dt or d   dk
dk
dk
Par conséquent: eE  h F
dt
Conclusion: dk
la force extérieure qui s’exerce sur l’é h F
dt
Dans le cas où l’é est soumis à un champ magnétique constant B
L’équation de mouvement s’écrit:
r
dk r ur r 1 ur
 ev g  B avec v g   k 
dt h
r
d k e ur ur
 k   B
dt h
IV) Les trous

Définition: ce sont des états vacants de la bande presque pleine

de valence . Ils réagissent à un champ électrique ou magnétique
comme un é de charge +e

Propriétés des trous:

.Le vecteur d’onde total du système reste inchangé lors de
l’absorption d’un photon et de la création d’un é et d’un trou
libres.
kt  ke  0
.L’énergie d’un trou est l’opposé de
celui de l’é manquant:

 (kt )   (ke )
.Les vitesses sont égales: vt=ve
.L’équation de mvt d’un trou
dans la bande de valence:
r
 
dk ur r ur
h  e E  vt  B
dt
V) Masse effective 2 2
hk

L’énergie d’un é libre: 2m
L’inverse de la masse détermine la 1 1  2

courbure de la bande d’énergie:  2 2

m h k
Lorsque l’é est placé dans un potentiel périodique du réseau, sous
l’effet d’une force F, la vitesse de groupe dw 1 d 
vg  
r dk h dk
dv g 1 d 2 1 d 2 dk 1 d 2 ur
  2
 2 2F
dt h dkdt h dk dt h dk
r
ur h 2
d vg
F 2
d  / dk 2 dt
 r r
ur h 2
d vg ur * d vg
F 2 F m
d  / dk 2 dt dt

1 1 d 2
Avec: *
 2 2
m h dk
m* est la masse effective du porteur dans le champ cristallin.
m* peut être + où négative. Sa valeur absolue est une fraction de la
masse de l’é libre
Exemple: masse effective dans les semi-conducteurs à gap direct
Un é dans la BC a une énergie:
2 2
hk
Ec  Eg  me masse effective de l’é
2me
Pour le GaAs me =0.07*m
m: masse de l’é dans le vide

Un é dans la BV a une masse

effective négative
Un trou dans la BV a une masse
effective positive
Concentration en porteurs intrinsèques:
La distribution de Fermi-Dirac des électrons est donnée par:
1
f ( ) 
1  e  (   )
Aux basses températures : (   ) ? kT  f ( ) ; e  (  )
Ceci représente la probabilité h2 k 2
d’occupation d’un état dans la bande Ek  Eg 
2me
de conduction:
Si on prend comme origine des états, le maximum de la bande de
valence. La densité des états d’énergie est:
3/ 2
1  2me  1 (On a choisi Ev=0 Eg=Ec)
De ( )  2  2 
2  h 
  E 
g
2
 Donc la concentration des
électrons de conduction est n:


n  D   f   d 
Eg
e e

3/ 2  
1  2me  1
n 2 2 
2  h 
e kT     f e    Eg 
Eg
2 e  d 

Ce qui donne après intégration:

   E g 
3/ 2
 me kT   (   Eg )
n  2 2 
e n  NC e
 2 h 
De la même manière, le nombre
de trous dans la bande de valence
    
1 e
ft  1  f e  1   (   )

1 e 1  e  (   )

si (   ) ? kT  e (  ) = 1  ft ; e (  )
La densité des états pour les trous 3/ 2
1  2me  1
d’énergie E est donnée par: pour les é : De ( )  2  2    Eg  2
3/ 2
2  h 
1  2mt  1
De ( )  2  2   Ev    2
2  h 
3/ 2
1  2mt  1
origine sur  Ev  0   De ( )  2  2     2
2  h 
 et par conséquent le nombre de trous p dans la bande de valence

0  Ev 3/ 2
Dt   ft   d   p  2   m kT 
p  t
2 
2 h 
e 
 
p  N v e  

en multipliant membre par membre les expressions de n et p,

nous obtenons une relation très utile dans laquelle Eg=Ec-Ev
3 Eg
 kT  
2   t e
loi d’action de 3/ 2
np  4  mm e kT
masse  2 h 

À noter que cette relation ne dépend pas du niveau de Fermi 

Présence d’impuretés dans le semi-conducteur:
Une introduction d’une quantité d’impuretés fait augmenter le nombre d’électron n
et ceci a pour effet de diminuer p le nombre de trou. C’est le phénomène de
compensation
Pour un semi-conducteur intrinsèque ni=pi

ni  NC e  
3/ 2 3/ 2
 me kT   (   Eg )  mt kT   
ni  pi  2  2 
e  2 2 
e
 2 h   2 h 
3/ 2 3/ 2 2   Eg
2   mt   Eg  mt 
e   e   e kT

 me   me 
Soit encore en fonction de Nc et Nv

Avec: et

Nc: La densité effective d’états des électrons dans la bande de conduction.

Nv: La densité effective d’états des trous dans la bande de valence.
 3/ 2 3/ 2
 me kT   (   Eg )  mt kT 
ni  pi  2  2 
e  2 2 
e 
 2 h   2 h 
3/ 2 3/ 2 2   Eg
2   mt   Eg  mt   mt  2  Eg
e   e   e kT 3
 Log   
 me   me  2  me  kT
3  mt 
Eg Eg
  kTLog   si mi  mt    le niveau de Fermi est
2
2 4  me  au milieu dela bande int erdite

Si me=mt ou si T=0K

36
Pour un semi-conducteur intrinsèque EF=Efi et se situe prés du milieu de la bande
interdite
Dans le cas générale niveau de Fermi dépend du type du dopant et de sa concentration
et de la température. Pur un ½ conducteur de type N EF>Efi
On exprime n en fonction de ni

   E g 
n  NC e

37
 VI) Mobilité et conductivité des électrons
1 ) Mobilité des électrons
Par définition c’est la mesure de la vitesse d’entrainement par unité du
champ électrique
v
  e ,t  0 Pour é et pour les trous
E
La mobilité des é e et des trous t est positive même si leurs vitesses soient
opposées

Pour un semi conducteur intrinséque idéal la mobilité est déterminée par les
collisions entre les é et les phonons.
La conductivité électrique  est la somme des 2 contributions des é et des trous

    nee  pee 
 2 ) conductivité due aux impuretés

Ce sont les semi conducteur extrinsèques. Lorsque le

nombre d’impuretés est grand on dit alors que ce sont des
½ conducteurs dégénérés.
n  107 e / cm3
Dans ce cours on reste dans le cas d’un ½ conducteur non
dégénéré où EF reste dans la bande interdite.

i) Impuretés donneurs
Lorsqu’un atome (impureté) se met par substitution dans
un réseau par exemple: As a 5é de valence à la place d’un
Si qui en a 4é
 Impuretés donneurs (semi-conducteur de type N)
Si a 4é c
As ou P a 5é
a

z x

Lorsque le S-C est pur le cristal ne contient pas d’é excédentaire (pas
de conduction)
C’est aussi le cas pour le GaAs
avec un Si comme impureté
Si on substitue un Ga(3é) par un atome de Si (4é), il y’aura
un é en plus faiblement lié à la maille.
Par conséquent ces impuretés peuvent facilement s’ioniser
ce qui va injecter des é dans la B-C.
On dit que ces impuretés sont des donneurs
Les niveaux d’énergie des donneurs correspondent à des
niveaux d’énergie juste en bas de la B-C
 Impuretés accepteurs (semi-conducteur de type P)
Maintenant au lieu de remplacer le Ga par le Si; on le remplace par
Zn(3é) où (B) qui est trivalent

Il y a apparition d’un trou qui peut piéger un é de la B-V

Les tableaux montrent que les énergies des donneurs et accepteurs
peuvent se comparer à kT (0.026 eV)
S’il y’a plus de donneurs que d’accepteurs, l’ionisation thermique des
donneurs libérera des é dans la B-C le semi conducteur est de type N

Si les accepteurs dominent les trous sont majoritaires dans la bande

de valence et le matériau est de type P
 Equation de la neutralité électrique
   E g 
n  NC e et p  Nve 
n+NA=p+ND
Le nombre de trou libre + le nombre de charges fixes positives = le nombre d’électrons libres
+ le nombre de charges fixes négatives.

Si nous supposons que tous les donneurs et tous les accepteurs sont ionisés ce qui est satisfait
lorsque la température est suffisamment élevée (ED, EA << kT).

Nombre de place possible x la probabilité d’occupation du

niveau Ed par un trou

De même pour les électrons:

Dans le cas d’un semi conducteur de type N, à température ambiante, l’équation de

neutralité se simplifie en considérant que NA<<1 et que ND+=ND (toutes les impuretés sont
ionisées

46
On peut donc exprimer la concentration en porteurs libres en fonction de
ni(T) et de la concentration du dopage,
Généralement dans ce type de semi-conducteur où n>>p cette équation se
résume à n ND
Dans ce cas le niveau de Fermi s’écrit:

De la même manière pour un semi-conducteur P: pNA

Lorsque les imuretées ne sont pas toutes ionisées , on montre que:

47
Chapitre 3:
PROPRIETES MAGNETIQUES DES MATERIAUX

Introduction

Diamagnétisme

Paramagnétisme

Ferromagnétisme – Ferrimagnétisme -
Antiferromagnétisme
Physique de la matière condensée: Hug-The Diep Dunod
Electromagnétisme: Fondements et applications José Philippe
Pérez Dunod
48
wwwens.uqac.ca/chimie/physique_atom/chap_9.html
 INTRODUCTION
 Interactions entre les atomes déterminent les propriétés
principales du cristal (liaisons chimiques, électrostatiques de
Van der Vals, covalente,…)
 Les interactions entre les électrons donnent naissance à la
structure des bandes d’énergie et classification des matériaux
en fonction de la conductivité électrique Diapositive 3
 les interactions entre les ions déterminent les propriétés
vibrationnelles du réseau cristallin. : (Capacité calorifique,
conductivité thermique, vitesse du son, conductivité
électrique,…)Diapositive 4
 Les propriétés magnétiques des matériaux proviennent des
interactions entre les moments magnétiques atomique et de spin
c’ à’d aux courants électriques existant à l'échelle atomique.

49
Densité d’états:
g(E) dE
>
>
B.V.
B.C.

Ev Ec
E
B.V.: Bande de valence Bande de conduction
E E E

bande de conduction
vides
États:
bande de valence
remplis

métal semiconducteur isolant

50
Ondes longitudinales et transverses
Onde longitudinale

Onde transverse
Le magnétisme est le domaine de la physique où on étudie les
propriétés magnétiques dues aux moments magnétiques des
particules.

L’origine de ces moments magnétiques

peut être la conséquence de ce qui suit:

le mouvement des électrons autour de

leur noyau, appelé mouvement orbital
le spin porté par chaque électron qui est un moment cinétique
propre de l’électron que l’on associe incorrectement avec son
mouvement de rotation autour de soi-même. C’est une propriété
purement quantique et qui n’a pas d’équivalence en mécanique
classique.

52
 • tout mouvement, qu'il soit de rotation ou de spin, peut être
assimilé à une boucle de courant élémentaire qui donne
naissance à un champ magnétique.
• Le vecteur moment magnétique est définit:

M  I S dS  I .S

Chaque électron d’un atome possède une propriété analogue à celle qui serait
induite par sa rotation autour du noyau (le moment angulaire orbital) ou à sa
rotation sur lui-même (le spin ou moment angulaire intrinsèque). A chaque
moment angulaire est associé un moment magnétique.
Le noyau présente également un moment magnétique si son spin
nucléaire est non nul mais qui est mille fois plus faible que les
précédents.
53
 Moment magnétique orbital d’un électron

Soit un électron de masse en mouvement

autour du noyau sur une orbite sous l’action
de la force centrale de Coulomb. Puisque la
force est centrale, le moment cinétique L est
constant et on a par définition:
 
L  r  me v
En valeur absolue, ce vecteur est
égal à l’aire du parallélogramme
construit sur les vecteurs r et mv

L / 2 dS = me v / v dt
dS / dt = L / 2 me

54
Moment magnétique orbital d’un électron

L’électron tournant sur son orbite est

l’équivalent à une boucle de courant de
moment magnétique :
l  (courant )  (Surface)
l  r 2 I
I  e v 2r est le courant dans la boucle
v / 2r est le nombre de rotation par seconde.
Il en résulte :2 e v e rvm e
l  r   L
2 r 2m 2m
Ce résultat reste vrai en théorie quantique : à tout mouvement
orbital d’une particule chargée est associé un moment magnétique.
Ainsi, si la particule effectue un mouvement circulaire à la vitesse v,
le moment cinétique a pour module :
L  mvr
55
 Rapport entre moment cinétique et moment magnétique:
l e

L 2m
D’autre part on sait que le moment cinétique est un multiple entier de ħ:

L   où le nombre entier ℓ est le nombre quantique orbital

On en déduit que le moment magnétique orbital

e
l  
2me
Où mℓ est le nombre quantique qui
m 
La projection de L (oz) est égale à  peut prendre les (2l+1) valeurs

La projection de µl (oz) du moment magnétique orbitale peut prendre (2l+1) valeurs

56
Remarques :
Si la charge est positive, l et  sont parallèles ; par contre pour des
électrons, , l et  sont antiparallèles.
Pour des électrons, on définit le magnéton de Bohr:
q
B   0.927.1023 Am 2
2m

qui est l’unité commode de mesure des moments magnétiques

atomiques, de sorte que:
l    B l
C’est ce moment qui est à l’origine du phénomène diamagnétique
observé.

57
58
 Moment magnétique de spin d’un électron
Au moment cinétiqueintrinsèque du spin S est associé le moment
magnétique de spin  s , qui lui est proportionnel:
 
 s   g B S

Moment magnétique total  J d’un électron

Un électron en mouvement orbital autour d’un noyau possède un
moment cinétique orbital et un moment cinétique de spin , donc un
moment cinétique total : J  l  s
A ce moment cinétique total est associé un moment magnétique .
 J   g B J
Où g, appelé facteur de Landé, est égal à 1 pour un mouvement orbital,
et 2 lorsque l=0. Plus généralement, on montre que : 59
60
 Précession de Larmor
Un système (e, atome,…) de moment magnétique  J
dans un champ magnétique B est soumis à un
 
couple de moment  J  B
La dérivée par rapport au temps du moment
cinétique J est égale au moment du couple qui lui
est appliqué (Théorème du moment cinétique) :
d r
 
ur r
J  J  B  J   g B J
dt

En raison de la proportionnalité cette équation peut s’écrire :

uur
d J q r ur
 g J  B
dt 2m

61
 
Le petit accroissementd J pendant l’intervalle
de temps dt, orthogonal à  J et B , est orienté
comme l’indique la figure. L’extrémité A du


vecteur J décrit donc le cercle C avec la
vitesse angulaire : q
wg B
2m
Cette vitesse angulaire est appelée précession
de Larmor

62
Aimantation et susceptibilité

L’aimantation est, par définition, le moment magnétique par unité

de volume. La susceptibilité magnétique par unité de volume
est définie par :   M   M
0
H B

Où B est l’induction magnétique (Tesla), H est le champ magnétique

(Am-1 ) et  0 est perméabilité du vide.
 
B  .H avec  : perméabilité magnétique du matériau
 
On définit le vecteur aimantation acquise par la matière M   .H
avec  . : susceptibilité magnétique du matériau
    
D’où :  
B   0 H  M   0 1   H   0  r H

 r  1   

63
CLASSIFICATION DES EFFETS MAGNÉTIQUES

Les matériaux magnétiques sont classés en plusieurs catégories

suivant l’arrangement et l’interaction des moments magnètiques
atomiques.
Matériaux Diamagnétiques
Matériaux Paramagnétiques
Matériaux Ferromagnétiques
Matériaux Antiferromagnétiques - Ferrimagnétiques

64
65
Matériaux diamagnétiques :
Lorsque les moments magnétiques des électrons liés dans une
orbitale se compensent, la substance est dite diamagnétique. Le
diamagnétisme caractérise en général des substances qui ne
comportent que des atomes non magnétiques. Le diamagnétisme est
la tendance des charges électriques à former écran entre l’intérieur
d’un corps et le champ magnétique appliqué.
Ils s'aimantent faiblement dans le sens opposé au champ
magnétisant. Leur aimantation cesse dès que le champ magnétisant
est supprimé. Ce sont des matériaux pour lesquels  est négatif
mais toujours extrêmement faible de l'ordre de 10- 6.
66
Matériaux paramagnétiques : Le paramagnétisme résulte d'un
effet d'orientation des moments magnétiques microscopiques
préexistants dans le matériau, sous l'action d'un champ
magnétique extérieur. Le paramagnétisme s'apparente donc au
phénomène de polarisation d'orientation dans les diélectriques
constitués de molécules polaires.
Ils s'aimantent faiblement dans le sens du champ magnétisant. Leur
aimantation cesse dès que le champ magnétisant est supprimé. Ce
sont des matériaux pour lesquels  est positif mais toujours très
faible de l'ordre de 10- 3.

67
capacité calorifique en fonction de la température

68
Matériaux Ferromagnétiques - Antiferromagnétiques -
Ferrimagnétiques

Matériaux ferromagnétiques et ferrimagnétisme : Ils peuvent être

fortement magnétisés. Leur aimantation persiste plus ou moins lorsque
le champ magnétisant est supprimé: Le matériau a un moment
magnétique spontané
Ce sont des matériaux pour lesquels la susceptibilité magnétique est
positive et très grande : il peut atteindre 105 !
En électrotechnique seuls ces matériaux sont importants car ils sont les
seuls à produire des augmentations du champ magnétique.

69
 Ferromagnétisme Antiferromagnétisme Ferrimagnétisme

Antiferromagnétisme Réseau hélicoïdal de spins

incliné

70
 Systèmes de spin en interaction
Soit un matériau paramagnétique de N ions de spin S en interaction. Cette
interaction qui tend à aligner les spins est appelée champ magnétique
d’échange ou champ moléculaire ou encore champ de Weiss. Ce champ
d’échange peut être considéré comme l’équivalent d’un champ magnétique BE
qui est proportionnel à l’aimantation M.
Dans l’approximation du champ moyen, on suppose que chaque atome est
soumis à un champ d’aimantation M créé par ses voisins telle que : BM  M ,
où λ est une constante, indépendante de la température. D’après cette dernière
relation, chaque spin subit l’aimantation moyenne due à tous les autres. Au
dessus d’une température critique (appelée température de Curie Tc) cette
interaction de vient faible et le désordre thermique l’emporte: Le système passe
d’une phase ordonnée Ferromagnétique à une phase désordonnée
Paramagnétique

Si T < Tc : phase Ferromagnétique (ordre magnétique)

Si T > Tc : phase paramagnétique (désordre)

71
Si T > Tc et si on applique en plus un champ magnétique extérieur Ba l’aimantation
est donnée par : M   B  B 
0
a M

0 M C C
 0 M   p Ba  BE   Ba   0 M 
C
  
T Ba T  C  T  TC
avec Tc =λC est la température de Curie.
C 1 
On montre aussi que pour T< Tc ,    
2  T  TC 

Asymétrie car C et C/2

72
Ceci est en accord avec la théorie du champ moyen qui prédit que :
  C T  TC 
avec γ est l’exposant critique qui vaut +1 pour une transition ferromag.
C’est une valeur théorique ; mais l’expérience montre divergence par
rapport à ceci. Par exemple pour le fer γ =1.33 c'est-à-dire que le
champ d’échange dans le fer est plus important.

Origine du ferromagnétisme: l’interaction magnétique entre les

moments magnétiques est d’origine électrostatique (Heisenberg 1929)
et a été introduite dans le cadre de la mécanique quantique. L’énergie
Uij associée à cette interaction entre les atomes i et j de spins Si et Sj
s’écrit:
 
U  2 J S S
ij ij i j

(modèle de Heisenberg ; on néglige la contribution des moments

cinétiques orbitaux) Jij est l’intégrale d’échange. Si Jij > 0, le matériau
est Ferro et si Jij < 0, Antiferro.
73
74