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Université Sidi Mohammed Ben Abdallah

Faculté des Sciences Dhar El Mehraz


Laboratoire de Physique du solide

Matériaux pour l’énergie Solaire S6


Licence SMP-2ième Partie

Pr. Izeddine Zorkani Année universitaire : 2019/2020


Plan

1 Généralités sur les matériaux semi-conducteurs et théorie des bandes

Semi-conducteur à l’équilibre
2

3 Théorie de conductivité électrique et équations de transport

4 Théorie Contact entre deux matériaux différents - Hétérostructures

2
Plan

1 Généralités sur les matériaux semi-conducteurs et théorie des bandes

2 Semi-conducteur à l’équilibre

3 Théorie de conductivité électrique et équations de transport

4 Contact entre deux matériaux différents - Hétérostructures

3
Plan

1 Généralités sur les matériaux semi-conducteurs et théorie des bandes

2 Semi-conducteur à l’équilibre

3 Théorie de conductivité électrique et équations de transport

4 Contact entre deux matériaux différents - Hétérostructures

4
Semi-conducteur à l’équilibre

Distribution de Fermi-Dirac
La fonction fn(E) est la probabilité d’occupation (à l’équilibre) d’un niveau
d’énergie E par un électron et elle est donnée par (statistique de Fermi-Dirac) :

EF étant le niveau de Fermi, qui correspond à une probabilité d’occupation égale à 1/2,
quelle que soit la température T. La figure donne l’évolution de fn(E) en fonction de la
différence E−EF et de la température. On remarque que fn(E) varie plus ou moins
rapidement de 1 à 0 en passant toujours par 1/2 pour E − EF = 0.

5
Semi-conducteur à l’équilibre

6
Semi-conducteur à l’équilibre

Dans le cas général, le niveau de Fermi dépend du type du dopant et de sa


concentration (et bien sûr de la température). Pour un semi-conducteur de type
n: EF > EFi (qui traduit le fait que les électrons sont plus nombreux que les
porteurs intrinsèques : n0 >> ni) et pour un semi-conducteur de type p : EF < EFi.

Loi d’action de masse


La concentration en électrons libres à l’équilibre n0 est obtenue en sommant,
pour tous les niveaux d’énergie de la bande de conduction, le produit de la
densité d’états nC(E) par la probabilité fn(E) :

où NC (cm-3) est la densité équivalente d’états dans la


bande de conduction ramenée en EC et vaut :
7
Semi-conducteur à l’équilibre

Pour les trous, on procède de la même façon que pour les électrons, mais en
utilisant la densité d’états nv(E) et la probabilité d’occupation fp(E):

où NV (cm-3) est la densité équivalente d’états dans la bande de valence ramenée


en EV :

8
Semi-conducteur à l’équilibre

Loi d’action de masse :


En multipliant la densité d’électrons par la densité de trous, on obtient un résultat
indépendant de la position du niveau de Fermi (et donc du dopage). Cette loi est
appelée ″loi d’action de masse″.

9
Semi-conducteur à l’équilibre

On exprime aussi le niveau de Fermi intrinsèque en fonction de NC et NV en


égalant ni et n0 ou p0.

10
Semi-conducteur à l’équilibre

Equation de la neutralité électrique


Dans un semi-conducteur homogène la somme de toutes les charges en tout
point est nulle, ce qui signifie que le nombre de trous libres et de charges fixes
positives est égal au nombre d’électrons libres et de charges fixes négatives.
p0 + ND+ = n0 + NA−
ND+ et NA− représentent les impuretés ionisées.
Les atomes de type donneur sont neutres lorsqu'ils sont occupés par leur électron et
sont ionisés positivement quand ils ont donné leur électron c'est-à-dire lorsqu'ils sont
″occupés par un trou″. Pour en trouver le nombre il faut multiplier le nombre de
places possibles (ND) par la probabilité d’occupation du niveau d’énergie ED par un trou
(fp(ED)):

Pour les atomes de type accepteur, chargés négativement quand ils ont capté un
électron, il faut utiliser la probabilité d’occupation du niveau EA par un électron
(fn(EA)) multipliée par le nombre de places disponibles (NA):

11
Semi-conducteur à l’équilibre

A température ambiante, dans le cas d’un semi-conducteur de type n,


l’équation de la neutralité se simplifie en considérant que NA est négligeable
et que toutes les impuretés donneurs sont ionisées ND+ = ND. D'où :

Donc la concentration en porteurs libres peut s’exprimer en fonction de ni(T)


et du dopage. Généralement n0 >> p0 et l’équation se résume à : n0 ≈ ND

L’expression du niveau de Fermi s’écrit comme suit:

Pour un semi-conducteur de type p, nous avons p0 ≈ NA et par suite:

12
Plan

1 Généralités sur les matériaux semi-conducteurs et théorie des bandes

2 Semi-conducteur à l’équilibre

3 Théorie de conductivité électrique et équations de transport

4 Contact entre deux matériaux différents - Hétérostructures

13
Théorie de conductivité électrique et équations de transport

- Equation de Poisson:
Pour un matériau non homogène, il peut apparaitre dans une ″zone de charge d’espace″
(ZCE) un champ électrique interne E associé à une densité de charge (r).

14
Théorie de conductivité électrique et équations de transport

- Equation de Poisson à une dimension:

Remarques:
L'équation de Poisson montre que dans une
région neutre (ρ = 0), l'évolution du potentiel
V(x) ne pourra être qu'une fonction linéaire
de x.
Inversement dans une zone de charge
d'espace (ρ≠0), l'évolution du potentiel
présente une courbure (d2V/dx2 ≠ 0), et
donc l'évolution des bandes d'énergie
EC(x), EV(x),…, directement liée à celle du
potentiel V(x), va reproduire cette courbure
car :

−qdV(x) = dEC(x) = dEV(x) = dEi(x).

15
Théorie de conductivité électrique et équations de transport
Si la structure étudiée reste ″à l'équilibre″ (au moins selon la direction étudiée x),
la statistique de Fermi-Dirac est applicable et EF = constante en tout point x de
la ZCE, on peut alors écrire:

 E ( x) − E F   E ( x) − E c 0 + E c 0 − E Fi 
n( x) = N c exp − c  = N c exp − c 
 kT   kT 

 E ( x ) − Ec 0   qV ( x) 
n( x) = n0 exp − c =
 0 n exp 
 kT   kT 
où n0 est la concentration en électrons dans la région (où EC = EC0) choisie comme
référence (en général le ″volume neutre″).

 qV ( x) 
De même, on peut écrire pour les trous : p ( x) = p0 exp − 
 kT 
Remarque:
Le produit: n(x)p(x) = n0p0 = ni2
ce qui est normal puisqu'on a supposé que la structure considérée est à l'équilibre.

16
Théorie de conductivité électrique et équations de transport

Mobilité des porteurs libres:


Lorsqu’un champ électrique est appliqué à un semi-conducteur, chaque porteur
 
subit une force électrostatique F =  qE (+ pour les
 trous et - pour les électrons)
et une force de frottement de type visqueux− f rVd :
 
 dVd q  fr  q  Vd
 = = E− Vd =  E−
dt m* m* m* r
m * traduit les frottements de type visqueux , τ désigne le temps moyen
fr = r
r
entre collisions. En régime permanent =0:
 q r  
La vitesse d’entraînement des électrons est donnée par: Vdn = − E = n E
 q r
  mn *
Et la vitesse d’entraînement des trous: Vdp = E = pE
mp *
q r q r
n = − 0 p = 0
mn * mp *

17
Conduction et conductivité:
Dans les semi-conducteurs deux phénomènes physiques essentiels sont responsables du
courant: la conduction et la diffusion.

q n r 2 q 2 p r
 n = qn  n = 0  p = qp p = 0
mn mp
La résistivité  est définie comme l’inverse de la conductivité :
1 1 1 1
n = = p = =
n qn  n p qp p
18
Courant de diffusion
L’apparition d’un gradient de porteurs dans un semi-conducteur non homogène ou lors
d’une excitation locale...engendre un flux de ces porteurs dans le sens inverse de ce
gradient. Ce flux de porteurs est donné par la loi de Fick :
Le flux des porteurs (nombre de porteurs qui  
 Fl uxn = n = − Dn grad (n)
traversent par unité de temps une surface   
unité) est proportionnel à la variation spatiale  Fl ux p =  p = − D p grad ( p )
de leur densité.
où Dn,p est le coefficient de diffusion des électrons (des trous).
  
 jn = −qfl uxn = qDn grad (n)
Le Courant de diffusion s’écrit:   
 j p = qfl ux p = −qD p grad ( p )

( )
Si un champ électrique est appliqué au semi-     
 jn = jn conduction + jn diffusion = q n  n E + Dn grad (n)
conducteur, on peut écrire la densité de 
 
( )
courant des électrons en prenant en compte   
la diffusion et la conduction électrique: = +
 p p conduction p diffusion
j j j = q p p E − D p gra d ( p)
Relation d’Einstein
KT
Pour un semi-conducteur non dégénéré, le coefficient de Dn = n
diffusion des électrons (et des trous) est donné par la relation q
KT
d’Einstein : KT Dp = p
D=  q
q
19
Théorie de conductivité électrique et équations de transport

Phénomène de génération et de recombinaison des porteurs


Génération de porteurs
On définit un taux de génération de porteurs Gn pour les électrons et Gp pour les
trous.

20
Théorie de conductivité électrique et équations de transport

Phénomène de génération et de recombinaison des porteurs


Génération de porteurs : On définit un taux de génération de porteurs Gn pour les
électrons et Gp pour les trous.

c
h = h  Eg 
hc

1,24
 Eg Eg

21
Théorie de conductivité électrique et équations de transport

Quasi-niveaux de Fermi

22
Le produit de ces deux concentrations donne: 2 E Fn − E Fp
n  p = ni exp( )
KT
Ce produit n’est plus égal à ni2 (comme à l’équilibre), la loi de l’action de masse n’est plus
respectée.
L'utilisation des quasi-niveaux de Fermi permet de simplifier l'expression du courant
total (conduction + diffusion):  

 n
j = qn  n gr a d ( E Fn )
 
En effet nous avons: 
 j p = qp p gr a d ( E Fp )


     KT gra d ( n) 
 n
j = q ( n  n E + Dn gr a d ( n )) = qn  
n  E + 
  q n 
 
 
 j = q ( p E − D gra    KT gra d ( p ) 
d ( p )) = qp p  E − 
 p p p
 
 q p

avec     E Fn − E Fi 
 grad (n) = grad ni exp( ) =
n
(grad ( E Fn ) − grad ( E Fi ) )
  KT  KT

 grad ( p ) = grad n exp( E Fi − E Fp ) = − p grad ( E ) − grad ( E )
( )
  i  Fp Fi
  KT  KT
     
grad ( EFi ) = grad ( Ec) = grad ( Ev ) = grad (−qV ) = −qgrad (V ) = qE
 
Finalement on obtient: 
 n
j = n  n gr a d ( E Fn )
 
 j
 p = p  p gr a d ( E Fp )

23
Théorie de conductivité électrique et équations de transport

Recombinaison et durée de vie des porteurs libres

24
Le processus de génération de porteurs est équilibré par un processus de
disparition appelé ″recombinaison″.
Taux de recombinaison
Si la variation de la concentration de porteurs est due uniquement à de la recombinaison:

dn, p (t )  n , p
Rn , p =− =
dt  n, p
Rn ″taux de recombinaison″ pour les électrons et Rp
pour les trous où τn est appelé ″durée de vie des
porteurs de type n″
❖ Cas d’une recombinaison directe
Il y a disparition simultanée de paires électron-trou et à tout instant, l'intensité de la
recombinaison est proportionnelle au nombre n d'électrons dans la BC et au nombre p de
trous dans la BV, donc au produit n×p. En tenant compte du taux de génération Gth
de porteurs d'origine thermique, on peut écrire :
n dn(t )
= Rn, p = − = C R n(t ) p (t ) − Gth
 n, p dt
CR Probabilité de recombinaison bande à bande.
A l'équilibre thermodynamique, n(t) = n0, p(t) = p0 et δn = δp = 0, donc R=0.
On a donc : Gth = CR n0 p0 = CR ni2, et donc :
n
R= = C R ( np − ni2 )
 25
Théorie de conductivité électrique et équations de transport

n
R= = C R (np − ni2 )
On remarque que : 
Si np > ni2 (porteurs en excès) alors R > 0 et il y a recombinaison des porteurs en
excès.
Si np < ni2 (défaut de porteurs : voir par exemple le cas d'une zone désertée) on a
une recombinaison ″négative″, c'est-à-dire une création (par génération
thermique) de porteurs.

Dans les deux cas, le semi-conducteur réagit


pour provoquer un retour à l'équilibre

Les porteurs étant recombinés (et créés) par paire, on a δn(t) = δp(t).

n
R= = C R ( n0 + p0 + n)n

26
Théorie de conductivité électrique et équations de transport

❖ Cas d’une recombinaison indirecte

Une impureté (ou un défaut du réseau) situé à une énergie ER dans la bande
interdite agit comme ″centre de recombinaison″, c'est-à-dire comme
″marche intermédiaire″ pour le passage d'un électron de BC vers BV.

(1) = capture d'un électron (de BC), (2) = émission d'un électron (vers BC),
(3) = capture d'un trou, (4) = émission d'un trou, (1)+(3) = recombinaison (indirecte),
(1) + (2) = piégeage d'électrons, (3) + (4) = piégeage de trous.

27
Théorie de conductivité électrique et équations de transport

On montre que le taux de recombinaison R est donné par:

2
1 np − n
R= i
 0 2ni + n + p
avec τ0 = 1/NR cp , NR étant la concentration de centres de recombinaison.

Cette expression se simplifie dans deux cas spécifiques:

Dans une zone désertée (où n, p << ni, np << ni2), alors R ≈ −ni/2τ0 (R < 0 : sa
valeur absolue correspond au taux de génération thermique).
Pour un semi-conducteur dopé (par exp. de type n), on a n0 >> ni >> p0 ;
sous la condition de faible injection: n = n0 + δn ≈ n0, et puisque p = p0 + δp,
on a :
R = δp/τ0 : ainsi τ0 =1/NR cp apparaît comme la durée de vie τp des minoritaires.

cn et cp sont les coefficients de Capture, NR est la concentration des centres de


recombinaison
28
Théorie de conductivité électrique et équations de transport

Equations d’évolution

Pour analyser complètement tous les phénomènes cités (transport, création,


recombinaison,..), il faut disposer d'un ensemble d'équations décrivant
l'évolution des concentrations de porteurs et de la charge électrique.

Equations de continuité
L’équation de continuité (ou équations de conservation de chaque type de
porteurs) est une équation locale valable en chaque point du semi-conducteur et
à chaque instant. Elle s’écrit pour les électrons et pour les trous :

 dn(t ) dn(t ) 1 
 = = Gn − Rn + div ( jn )
 dt dt q

 dp (t ) = dp (t ) = G − R − 1 div ( j )

p p p

 dt dt q

29
Exercice 2 (TD-Série 3)
On soumet à la température ambiante, du Silicium de type N (ND= 1011 cm-3) à la lumière
(photons). On assiste à la création des paires électrons-trous. Le taux de génération G= 1018
cm-3/s. Le taux de recombinaison est lié à l’évolution des porteurs minoritaires p dans le
temps par la relation :

Sachant que la durée de vie p= 1 s.


1/ Quelle est la densité des porteurs minoritaires p1 à t=0 si l’éclairement est
uniforme permanent ?
2/ Comparer les conductivités avant et après l’éclairement ?
3/ La diffusion des porteurs minoritaires à l’intérieur du semi-conducteur obéit à
l’équation :

a) Donner la variation de la densité du courant de diffusion des porteurs


minoritaires en fonction de x.
b) Quelle est sa valeur au niveau de la surface d’éclairement (x=0) ?
On donne : n= 0,15 m2/V S ; p= 0,06 m2/V S ; ni= 1,1 1010 cm-3.
Application
• Le déclin de porteur photoexcité:
On considère un échantillon dopé n soumis à une
irradiation lumineuse à t≤0. le taux de génération
est égale G. on éteint la source lumineuse à t=0.
calculer 𝑃𝑛 (t) à t>0 ?

31
Application
• Solution :
d∆𝑃𝑛 ∆𝑃𝑛
on a = - + 𝐺𝑝
dt τ𝑝

➢En régime stationnaire(t≤0), c'est-à-dire sous


d∆𝑃𝑛
éclairement permanent =0
𝑃𝑛 = 𝑃𝑛0 + 𝐺𝑝dt
τ𝑝
∆𝑃𝑛 = 𝐺𝑝 τ𝑝
𝑃𝑛 = ∆𝑃𝑛 + 𝑃𝑛0
➢ En régime transitoire(t>0), résultant de la
d∆𝑃𝑛 ∆𝑃𝑛
suppression de l'excitation (𝐺𝑝 =0) =- 32
dt τ
Application
À t=0 ∆𝑃𝑛 (t=0)= K=𝐺𝑝 τ𝑝
𝑡

τ𝑝
∆𝑃𝑛 (t)=𝐺𝑝 τ𝑝 𝑒

𝑃𝑛 = ∆𝑃𝑛 + 𝑃𝑛0

𝑡

τ𝑝
𝑃𝑛 (t)=𝑃𝑛0 + 𝐺𝑝 τ𝑝 𝑒
33
Application

34
Applications
Injection dans un seul côté en régime permanent
Considérons un échantillon sous éclairement
constant par une source lumineuse . calculer 𝑃𝑛 (x)?

Solution
Equation de continuité pour les porteurs minoritaires

au régime permanent :

35
𝐿𝑝 :Longueur de diffusion
Applications

Conditions aux limites pour un échantillon long

𝑜𝑛 𝑟𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑐𝑒 ∆𝑃𝑛 𝑝𝑎𝑟 𝑠𝑜𝑛 𝑒𝑥𝑝𝑟𝑒𝑠𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑖𝑐𝑖 𝑃𝑛 = ∆𝑃𝑛 + 𝑃𝑛0

Solution final

36
Création de paires électron-trou

• Si T > 0
– e- passent de la BV à la BC
– Apparition d’e- libres
(conduction)
– Apparition de trous dans la BV

• Concentrations
– n (e- / cm3) = p (trous / cm3) = ni
– paire électron-trou
(semiconducteur intrinsèque)

37
Nombre de paires

• Génération
– favorisée par la température
• Recombinaison
– libération d’énergie en
• chaleur
• émission de photons
– fonction de
• température
• nombre de paires
• Nombre total
3  Eg 
ni = AT exp  −
2
 kB = constante de Boltzmann
 2 k T
B 
( à 300K, ni 10 10
cm −3
) 38 = 1.38062 10 -23 J / K
Semiconducteurs extrinsèques - dopés n

• Eléments du groupe V
– As, Sb, P
– 5 électrons de valence
– 1 e- excédentaire
→ conduction
• Dopage = introduction de
donneurs
– 1014 – 1019 atomes/cm3
– petit par rapport au Si (1022)
– grand par rapport à ni
– Conduction majoritaire: par les e-
39
Semiconducteurs extrinsèques - dopés p
• Eléments du groupe III
– B, In, Ga
– 3 électrons de valence
– 1 e- manquant
→ trou excédentaire

• Dopage = introduction
d’accepteurs
– 1014 – 1019 atomes/cm3
– Conduction majoritaire:
par les trous

40
Plan

1 Généralités sur les matériaux semi-conducteurs et théorie des bandes

2 Semi-conducteur à l’équilibre

3 Théorie de conductivité électrique et équations de transport

4 Jonction PN

41
Jonction PN

Définitions:
La jonction PN est une Homojonction constituée par deux parties différentes
d'un même semi-conducteur (une de type "P" et l’autre de type "N").

électrons minoritaires électrons majoritaires

pp =N A nn = ND
np = ni
2

pn = ni
2
NA
ND
Sc P Sc N
trous majoritaires trous minoritaires
Côté N de la jonction:
nn concentrations des électrons (porteurs majoritaires);
pn concentrations des trous (porteurs minoritaires).

Côté P de la jonction:
np concentrations des électrons (porteurs minoritaires);
pp concentrations des trous (porteurs majoritaires).

42
Lorsqu’on rapproche les deux barreaux en réalisant un contact physique
au niveau d’une jonction dite "métallurgique", deux phénomènes se
manifestent de part et d’autre de l’interface PN:

Apparition d’une ZCE appelée aussi Zone désertée ou zone de déplétion


Loin de la ZCE, on a :

nn = N D n 2
pour la zone N : et pn = i
N D2
pour la zone P : pp =N A et n p = ni
NA
43
IV-3-1 Jonction PN en équilibre (non polarisée):
➢ Barriere de potentiel
Ecp Ecn
EFn
P
EFp N

Evp Evn

Diagramme de bandes avant contact

Le niveau de Fermi se trouve près de BV dans le SC (P) et près de BC dans le SC (N).

Quand les deux types du SC se mettent Ecp


en contact et l’échantillon est à qVb
l’équilibre thermodynamique, les P Ecn
EFp = EFn = EF Eg
niveaux de Fermi s’alignent.
En conséquence, il apparaît un
Evp
déplacement des bandes d’énergie pour N
permettre cet alignement, cela se traduit Evn
par l’apparition d’une barrière de
potentiel dont nous noterons l’énergie
Diagramme de bandes après contact
qVb.

44
D’après le diagramme d’énergie, on a :
qVd = Ecp – Ecn
En s’appuyant sur les formules:
N N
ni2 Ecp − EF Ecp = E F + KT ln( C A )
np = = N C exp(− ) ni2
NA KT
Ecn − EF N
Ecn = E F + KT ln( C )
nn = N D = N C exp(− )
KT ND
On obtient l’expression de l’énergie de la barrière de potentiel :
 N A ND 
qVb =kT log 
 n 
2
i
Remarques:
✓ Vb est la barrière de potentiel, ou potentiel de diffusion qu’on
peut aussi noter Vd
✓La barrière du potentiel est une caractéristique du matériau, elle dépend de Eg qui
est propre à chaque matériau, du dopage et de la température.
Plus la température augmente, plus la barrière de potentiel diminue.

45
❖ Champ électrique
E
Dans une jonction PN, il y a formation
d’une zone de charge d’espace (ZCE) - - + +
constituée de charges fixes (atomes - - + +
d’impuretés ionisés), ces charges vont - - + +
créer un champ électrique E(x) qui va + + ScScNN
Sc P - -
s’opposer à la poursuite du 0
mouvement de diffusion des porteurs -xp W xn x
et un équilibre s’établit.

Posons l’origine des abscisses au niveau de la jonction métallurgique. Dans ce cas la zone de
déplétion va s’étaler de 0 à xn côté N et de 0 à –xp côté P.

Pour calculer le champ électrique, on applique l’équation de Poisson : d2V(x)/dx2 = -  (x)/


Zone N :
qN D xn
0 < x < xn : (x) = n(x) = qND et En(x) = -dVn(x)/dx. En(x)=− (1− x )
 xn
Loin de cette zone et en particulier pour x = xn, le champ électrique En(xn) = 0
Zone P : qN A x p
-xp < x < 0 : (x) = p(x) = -qNA et Ep(x) = -dVp(x)/dx. E p(x)=−  (1+ x )
xp
Loin de cette zone et en particulier pour x = xp, on a Ep(-xp) = 0
46
Jonction PN

47
❖ Largeur de la zone de déplétion (ZCE) :
L’intégration du champ électrique sur toute la ZCE donne la valeur de la barrière du
x n 0 x n
potentiel:
 
Vb =− E(x)dx =− E p(x)dx − En(x)dx
−xp −xp

0

Vb =
q
2
(
N A x 2p + N D xn2 )
En tenant compte de ND xn = NA xp (continuité du champ E), on obtient la largeur
totale de la zone désertée w = xp + xn, soit :
2  1 1 
w=  +  Vb
q  N A N D 
Remarques:
✓ La largeur de la ZCE varie en Vb1/2;
✓ Lorsque: T° ↗  ni ↗  Vb ↘  w ↘.
✓On démontre: EM =− 2Vb
w
 N A ND 
En reportant successivement les valeurs de nn et np puis pp et pn dans : qVb =kT log 
 ni2 
on obtient respectivement les densités des porteurs minoritaires côté P et côté N :
qVb qVb
n p =nn exp(− ) et pn = p p exp(− )
kT kT
On remarque que les densités de porteurs minoritaires de part et d’autre de la ZCE sont
proportionnelles à l’inverse de l’exponentielle de la barrière du potentiel.
48
Jonction PN hors équilibre (polarisée):
Jonction PN polarisée en direct:
❖ Constitution d’une diode :
Une diode est une jonction PN comportant 2 contacts électriques, un sur la région N
(cathode), un sur la région P (l’anode). anode E'

- - + + cathode P N
- - + +
Pour polariser la jonction PN (diode) - - + + Id
- - + + N N
en direct, on applique une tension P
V = Vp-Vn > 0 W’
sur les 2 extrémités (P) et (N) de la jonction.
V > 0  V'b = Vb-V ↘  W’ ↘ V V

❖ Nouvelle largeur de la ZCE :


La nouvelle épaisseur de la zone de déplétion se déduit en remplaçant Vb (jonction
non polarisée) par V'b:
V
w' = w 1 −
Vb
V>0, plus la tension est forte plus la zone de déplétion est mince.
49
❖champ électrique maximum :
2Vb
Sans polarisation: EM =−
w
2V'b
Avec polarisation directe: E'M =−
w'
Or V'b = Vb – V et w' = w 1−
V
 E'M = EM 1− V
Vb Vb
En polarisation directe, le champ électrique maximum dans la jonction diminue.

❖ Densité des porteurs minoritaires :


Sous polarisation directe, la densité des porteurs minoritaires
qV'b qV 'b
n' p =nn exp(− ) et p 'n = p p exp(− )
kT kT
En remplaçant V'b par sa valeur V'b = Vb-V, on obtient :
qV qV
n' p = n p exp(+ ) et p'n = pn exp(+ )
kT kT
C/C
En polarisation directe, les concentrations de porteurs minoritaires injectés dans les zones
P et N dépendent exponentiellement de la tension appliquée. La présence de ces porteurs
en excès donne lieu à un courant de diffusion qui représente le courant direct.
50
❖ Courant direct de la jonction :
Si l'on applique une tension positive du côté de la région P, les porteurs majoritaires positifs (les trous)
sont repoussés vers la jonction. Dans le même temps, les porteurs majoritaires négatifs du côté N (les
électrons) sont attirés vers la jonction. Arrivés à la jonction, soit les porteurs se recombinent en émettant
un photon éventuellement visible (LED), soit ces porteurs continuent leur course au travers de l'autre
semi-conducteur jusqu'à atteindre l'électrode opposée : le courant circule, son intensité varie en fonction
de la tension. Le courant qui traverse la diode, mesurable de l'extérieur, est un courant de porteurs
majoritaires. Il est, en effet, la somme des courants d'électrons dans la zone "N" et de trous dans la zone
"P" venant remédier au déficit de porteurs consommés dans le phénomène de recombinaison des
porteurs minoritaires injectés.

51
➢ la circulation du courant à travers la jonction ne peut s’effectuer que dans le sens P N

Si la différence de potentiel est inversée, les porteurs majoritaires des deux côtés s'éloignent
de la jonction, bloquant ainsi le passage du courant à son niveau. Le courant traversant la
diode est extrêmement faible et croit avec la température

L’effet du champ électrique est négligeable hors de la zone de transition, les courants de
conduction sont par conséquent négligeables. On ne calcule donc que les courants de 52
diffusion.
✓Densité de courant

La concentration des minoritaires est différente de celle de l’équilibre. La densité de


courant due à l’injection des électrons est donnée par:
 
jn = qDn grad (n)
En remplaçant par sa valeur on obtient la densité de courant de diffusion :
Dn n p  qV 
J dn =  exp( + ) − 1
Ln  kT 
Le courant de diffusion engendré par les électrons dans la région de type P :

D p pn  qV 
J dp =  exp(+ ) − 1
Lp  kT 
L p =  p D p ( Ln =  n Dn ) sont les longueurs de diffusion.
Le courant de diffusion des trous (des électrons) dans la zone N (dans la zone P) de la jonction
croît exponentiellement en fonction de la tension appliquée V. Ce courant est nul pour une
tension V=0.
53
Le courant total:
Id = S Jd = S (Jdn + Jdp )
qV
Soit: I d = I s (exp −1)
kT
 Dn n p D p pn 
I s = qS  + 
avec  Ln L p 

 Dn Dp 
I s = qSni2  + 
L N Lp N D 
 n A 
Is : le courant de saturation. Il représente le courant inverse dans la jonction.
qV
NB: Si V>> kT/q  exp(qV/kT)>>1 I
 d = I s exp
kT

54
Principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque: Les paires électron–trou
crées par les photons sont dissociées par le champ électrique, les électrons sont
propulsé vers la région N et les trous vers la région de type de type P. Ces porteurs
donnent naissance à un photocourant de génération
contact
contact
métallique
 métallique
E

photon

E = hn > Eg

Cathode I II III Anode

ZCE

type p type n
55
qV
le courant qui traverse la jonction à l’obscurité est donné par I = I s (exp − 1)
kT
et lorsque la jonction est excité par la lumière le courant total devient :

qV
I = I s (exp − 1) − I ph
kT
avec Is courant d’obscurité des porteurs minoritaire
(courant de saturation) et Iph est un courant inverse
(allant de N vers P)
Le photocourant résultant est la somme de trois
composante, le courant de diffusion de
photoelectrons dans la région de type p, le courant
de photogénaration dans la zone de charge
d’espace et le courant de diffusion des phototrou
dans la région de type n.
La caractéristique I(V) dans l’obscurité passe donc
par l’origine:
Lorsque la jonction est excitée par un rayonnement,
la caractéristique ne passe pas par l’origine car il
faut tenir compte du photocourant Iph

56
•V=0 court-circuit: I=Is (1-1)-Iph I = -Iph = -Icc
où Icc est le courant de court-circuit
• I=0 circuit -ouvert alors
kT I s + I cc kT I +I
VOC = Ln VOC = Ln s cc
q Is q Is

Où Vco est la tension de circuit-ouvert


Remarque : La diode sous éclairement se comporte de deux manières :
-En photodiode : Si on a une tension appliqué V en polarisation inverse.
-En photopile : En enlevant la tension, la photopile développe une tension Vco aux
bornes de la résistance Rc
Le courant inverse de la diode est compté positivement. Compte tenu de cette convention
de signe, la tension de polarisation résulte de la chute Ohmique de courant à travers la
résistance de charge Rc: Icc=Iph kT I s + I cc
VOC = Ln
q Is
qV
La puissance fournit par la pile est donnée par le produit VI: P = V ( I ph − I s (exp − 1))
kT
La puissance maximum est définie par dP /dV=0, soit:

La puissance maximum est donnée par Pm=ImVm avec:


Facteur de forme FF
Le facteur de forme représente l’efficacité de la cellule, il peut nous renseigner
sur le vieillissement de la cellule. C’est le rapport entre la puissance maximale
débitée VmIm et la puissance idéale VcoIcc:

Rendement 
Le rendement d’une cellule solaire définit la qualité de la cellule. Il dépend de
plusieurs paramètres: la répartition spectrale, l’angle d’incidence, les
caractéristiques dimensionnelles, la forme de la cellule, du matériau utilisé dans
la fabrication des panneaux solaires et des conditions ambiantes de
fonctionnement de la cellule PV (température de l’environnement, vitesse du
vent …):
Application
• Le déclin de porteur photoexcité:
On considère un échantillon dopé n soumis à une
irradiation lumineuse à t≤0. le taux de génération
est égale G. on éteint la source lumineuse à t=0.
calculer 𝑃𝑛 (t) à t>0 ?

59
Application
• Solution :
d∆𝑃𝑛 ∆𝑃𝑛
on a = - + 𝐺𝑝
dt τ𝑝

➢En régime stationnaire(t≤0), c'est-à-dire sous


d∆𝑃𝑛
éclairement permanent =0
𝑃𝑛 = 𝑃𝑛0 + 𝐺𝑝dt
τ𝑝
∆𝑃𝑛 = 𝐺𝑝 τ𝑝
𝑃𝑛 = ∆𝑃𝑛 + 𝑃𝑛0
➢ En régime transitoire(t>0), résultant de la
d∆𝑃𝑛 ∆𝑃𝑛
suppression de l'excitation (𝐺𝑝 =0) =- 60
dt τ
Application
À t=0 ∆𝑃𝑛 (t=0)= K=𝐺𝑝 τ𝑝
𝑡

τ𝑝
∆𝑃𝑛 (t)=𝐺𝑝 τ𝑝 𝑒

𝑃𝑛 = ∆𝑃𝑛 + 𝑃𝑛0

𝑡

τ𝑝
𝑃𝑛 (t)=𝑃𝑛0 + 𝐺𝑝 τ𝑝 𝑒
61
Application

62
Applications
Injection dans un seul côté en régime permanent
Considérons un échantillon sous éclairement
constant par une source lumineuse . calculer 𝑃𝑛 (x)?

Solution
Equation de continuité pour les porteurs minoritaires

au régime permanent :

63
𝐿𝑝 :Longueur de diffusion
Applications

Conditions aux limites pour un échantillon long

𝑜𝑛 𝑟𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑐𝑒 ∆𝑃𝑛 𝑝𝑎𝑟 𝑠𝑜𝑛 𝑒𝑥𝑝𝑟𝑒𝑠𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑖𝑐𝑖 𝑃𝑛 = ∆𝑃𝑛 + 𝑃𝑛0

Solution final

64
Cellule PV

➢ une couche conductrice (k) qui sert de


cathode (pôle -)

➢ une couche avec porteurs de charges


libres négatives (N), d'épaisseur e

➢une jonction entre (N) et (P)

➢une couche avec porteurs de charges


libres positives (P) (cristal semi-conducteur)

➢ une couche de contact conductrice en


métal (a) qui joue le rôle de l'anode (pôle +)

65
Différentes filières du marché
Silicium massif

test de panneaux PV

pierre de silice bloc de silicium


Rendements
en laboratoire: 24%
en production: 15%, 150mm x 150mm
Garantie: 25 ans

Objectifs 2020: rendements industriels de 20%


surfaces 200mm x 200mm
cellule Si polycristallin coût < 1€/Wc
Fort rendement de conversion
Avantage & inconvénient des 2 technologies

Silicium Silicium
cristallin amorphe
Rendement ++
Comportement en température ++
Fonctionnement si faible luminosité ++
Fonctionnement par temps couvert ++
Fonctionnement si ombrage partiel ++
Stabilité ++
Prix +
69
Couches minces: Silicium (amorphe, polymorphe, microcristallin, …)

Pas de support verre gain en poids


flexibilité

Rendements
en laboratoire: 10 à 12%
en production: 4 à 6% 2,4 km x 35 cm
Garantie: 20 ans
Couches minces:
couches minces de CIS (Cuivre, Indium, Sélénium)

Rendements : 11,4 % sur des surfaces de 0,1 cm2


6 % sur des surfaces de 30 x 30 cm
Technologies photovoltaïques III-V

Structure d’une triple jonction GaInP/GaAs/Ge


Technologies photovoltaïques III-V
Technologies photovoltaïques III-V

Recherche actuelle
Cellules solaire à base de GaInN

Eg : GaIn 0,72 eV -------- 3,39 GaN

➢ But: Exploiter le spectre solaire

Structure MJ
Inx1Ga1-x1N / Inx2Ga1-x2N / … /InxnGa1-xnN

➢ Problèmes:

➢ Substrat
➢ Accord de maille
Etat de l’art
• La production électrique mondial =actuellement 13,4 gigawatts

Figure 1 - Évolution de la production annuelle


de modules photovoltaïques depuis 1993
(dans les conditions standards)

Figure 2 - Répartition de la production


de modules par matériau en 2007
(d’après PV News, Photon International)
75
Marchés photovoltaïques et prix des modules

200 7
180
6
160
5 Marché
140
annuel
120 4
100 Prix de
3 vente
80
60 Exponenti
2
el (Prix de
40 vente)
1
20
0 0
1984 1988 1992 1996 2000 2004 2008 2012

Figure :partition du marché photovoltaïque


Figure:La baisse des prix des modules est de l’ordre d’un mondial – fin 2006
facteur 2 tous les dix ans

76
77
Diminution du prix du PV depuis 1978
Introduction au Photovoltaique

Irradiation solaire
Facteurs de positionnement

Angle d’incidence .
Angle d’inclinaison .
L’orientation d’un panneau solaire .
Effet de l’éclairement sur la cellule photovoltaïque

La caractéristique I=f(v) en fonction de l’éclairement


81
Effet de l’éclairement sur la cellule photovoltaïque

La caractéristique P=f(v) en fonction de l’éclairement


82
Effet de la Température sur la cellule photovoltaïque

Effet de la température
– Icc = constante
– Vc0 chute 83
Effet de la Température sur la cellule photovoltaïque

La caractéristique de P= f(V) en fonction de température


84
Assemblage des cellules (ns cellules en série, np cellules en parallèle)
Courant
npIcc

Une association de Ns Cellules en série permet


d’augmenter la tension du système PV .
npI

Icc

I
Une association de Np Cellules en parallèle permet Tension
d’augmenter le courant du système PV .
Vc0
Courant
Icc

V ns V
Tension
Vc0 nsVc0
Influence de l’association en parallèle des cellules PV

Association mixte β x α modules solaires. Caractéristique de α cellules en


parallèle et β en série
86
Module photovoltaïque
Un module PV est constitué d’un certain nombres de cellules pré-
cablés c-à-d connectés entre elles par un fins ruban métallique
(cuivre)

Un module typique peut avoir 36, 54, 72 ou 96 cellules en série ou


en parallèle
87
Définition de « Wc »

• Watt crête = Puissance électrique du module dans les conditions


suivantes:
• Irradiation solaire de 1000 W/m²
• T° de jonction de 25°C
• Charge optimale

• En d’autres termes, 1 Wc délivre une puissance électrique de 1 W


quand il est soumis à un ensoleillement de 1000 W/m².
• Exemple : 1 module de 1 Wc qui reçoit 55 kWh d’irradiation solaire dans les
conditions standards, produira 55 Wh d’électricité.

88
ETUDE TECHNIQUE

Module PV

❑ Le panneau solaire est caractérisé par :


➢ Sa tension continue maximum, dite tension de circuit ouvert
ou tension à vide .
➢ Sa puissance crête: C’est la puissance (P=UxI) maximale que
peut fournir un module PV.
❑ La puissance crête d’un module PV dans les STC
(Standard Test Conditions) :
➢ 1 000 W/m2 .
➢ un spectre solaire AM 1,5 et 25°C de température ambiante .

89
De façon générale une installation solaire raccordée au réseau est constituée :

- Panneaux solaires (Générateur PV) .


- Les onduleurs .
- Dispositif de protection .
- Comptage de l‘énergie : 2 compteurs montés en cascade et en opposition .
Panneaux solaires

Constituants d’un système


Régulateur Onduleur
photovoltaïque

Utilisation
Batteries

91
MPPT = Maximum Power Point Tracking
Types d’installation Photovoltaïque

Le raccordement avec vente de la totalité de la production d'électricité

Injecter l'intégralité de l'électricité produite au réseau public . le besoin en électricité sera alors
couvert par la fourniture d'électricité par le distributeur
Types d’installation Photovoltaïque

Le raccordement avec vente du surplus de la production d‘électricité après


autoconsommation

Injecter seulement dans le réseau public, l'excédent de la production non consommé pour ses besoins
propres. ainsi ,ses utilisations seront directement alimentées par son générateur photovoltaïque .
Onduleur

❑ Fonctions :
➢ Convertit le courant continu en courant
alternatif usuel en phase avec le réseau .

➢ Fait fonctionner les capteurs PV au maximum


de leur puissance (MPPT) quelque soient
l’ensoleillement et la température .

➢ Protection des personnes par contrôle


d’isolement du circuit continu .

94
Les composantes d’une installation PV

Les Onduleurs

DC AC

- la puissance DC maximale - puissance AC nominale et


- La tension DC maximale maximale .
- plage du tension MPPT - courant de sortie nominal
- courant d'entrée maximal
et maximal .

PDC
=
PAC
Maximal Power Point Tracking

Augmentation de température : fait baisser la augmentation d'ensoleillement : augmentation


puissance générée par la cellule . du puissance générée par la cellule .
Bibliographie :

❖ Physique des semiconducteurs et des composants électroniques


Henry Mathieu Hervé Fanet (collection DUNOD)

❖ Physique des dispositifs


Jean-Pierre Colinge et Fernand Van De Wiele

97
Jonction PN
Jonction polarisée en inverse :
En polarisation inverse: la tension V = Vp-Vn < 0. Dans ce cas, toutes
les relations établies en polarisation directe restent valables, il
suffit de considérer V < 0. Ainsi :

La hauteur de la barrière ↗: V"b = Vb-V.

Le champ électrique dans la ZCE ↗: E"M = EM 1− V


Vb

La largeur de la ZCE ↗: w"= w 1− V


Vb

98
Jonction PN

Les porteurs majoritaires des régions N et P n’ont pas l’énergie


nécessaire pour sauter par dessus la barrière du potentiel. La
jonction est alors traversée par le très faible courant de saturation
–Isat

qV qV
I = I sat (exp − 1) et exp  1 I = - Isat
kT kT

NB:
Ce courant dépend uniquement de la température et non de la
tension inverse appliquée.

99
Conductivité des semiconducteurs dopés

• A très basse température


– impuretés non ionisées
– conductivité <<
• -273 → - 100°C
– ionisation rapide des impuretés
(énergie  meV)

–  = ne e + pet augmente

• -100 → +150°C
– conductivité de type métallique
• > 150°C
– création de paires e- - trous (mode intrinsèque)

100