Vous êtes sur la page 1sur 24

Université Sidi Mohammed Ben Abdallah

Faculté des Sciences Dhar El Mehraz


Laboratoire de Physique du solide

Matériaux pour l’énergie Solaire S6


Licence SMP-1ière Partie

Pr. Izeddine Zorkani Année universitaire : 2019/2020


Introduction Générale

CHAPITRE I: Généralités
I-Introduction
II- Le soleil

CHAPITRE II: Caractéristiques d’une cellule


photovoltaïque

I- Physique des semiconducteurs


I.2- Généralités sur les semiconducteurs
I.3- Modèle hydrogénoide de masse effective
I.4- Etats excitoniques dans les semiconducteurs

II- Jonction PN et son application dans la cellule photovoltaïque


II.1- La diffusion
II.2- La Polarisation dans le sens inverse
II.3- Zone de charge d’éspace

III- Le principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque

IV- Caractéristique I(V) d’une plaque solaire

IV- Performances de la cellule solaire


V- Les différentes structures des cellules photovoltaïques

Chapitre III: Photovoltaïque à base des nanomatériaux


I-Introduction
II-Propriétés physiques des nanomatériaux
II.1.Introduction
II.2.Formalisme de la fonction enveloppe
II.3 Puits Quantiques et Boite Quantique
III- Cellules à Puits quantique 2
L’ENERGIE SOLAIRE
✓Chauffage solaire passif
✓Chauffage solaire de l’eau
✓Chauffage solaire de l’air
✓Solaire Thermique à Concentration CSP
✓Photovoltaïque PV

Basse temperature: Chauffage solaire de l’eau


Un capteur transforme le
rayonnement solaire en
chaleur.
L’énergie thermique est
stockée dans un réservoir
intermédiaire. L’eau
chaude stockée alimente le
réservoir principal.
3
Haute temperature-CSP

Un modèle de HT est le
système creux.
Le fluide dans le pipe
line peut atteindre une
température supérieur à
700 degrés F et ainsi
conduit dans un
échangeur de chaleur
produisant de la vapeur
pour une Turbine.

4
Energie solaire photovoltaïque
 Soleil: Source illimitée (ou qui se renouvelle),
 Non polluant,
 Exploitation à dégâts écologiques « minimaux »
 Notions essentielles :
 Eclairement ou irradiance :
 puissance reçue par unité de surface en W/m2
 Irradiation ou rayonnement :
 énergie reçue par unité de surface en Wh/m2

 Puissance et énergie :
 1J = 1W*1s

 1kWh = 1000W*3600s = 3,6M

5
Une ressource variable.
Toulouse.
80

70 12
11 21-juin 13
21-juil 21-mai

…la position du soleil


60 10 14
21-août 21-avril
50 9 15

varie sur la journée, …

Hauteur
21-sep 21-mars
40
8 16

sur l’année …
21-oct 21-fev
30
7 17
21-nov 21 jan
20 21 dec
6 18

et en fonction du lieu. 10
5 19

0
-130 -120 -110 -100 -90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130

Azimut

Course du soleil Est Sud Ouest


au fil des jours..

hauteur(°)
6
Le rayonnement solaire

 Masse d’air (Air Mass) :


 Rapport entre l’épaisseur traversée par le rayonnement
direct et l’épaisseur traversée à la verticale du lieu.

OA
OB =
sin α

OB 1 A B
Air Mass =
OA sin α a Atmosphère
O Sol

7
 Quelques points :
 Soleil au zénith (90°): AM1
 Soleil à 30° : AM2
 Soleil à 41,8° : AM1,5
 Rayonnement solaire extra-terrestre : AM0

 Qualification standard des modules PV :


 Spectre AM1,5 sous un éclairement de 1000W/m² et
une température de 25°C
(S.T.C. : Standard Test Conditions)

8
 Énergie portés par les photons :
avec : h la constante de Planck
C la vitesse de la lumière hC
l la longueur d’onde
E=
λ
 Distribution de l’énergie d’une courbe AM0 :
 ultraviolet UV 0,20 < l < 0,38 mm 6,4 %
 visible 0,38 < l < 0,78 mm 48,0 %
 infrarouge IR 0,78 < l < 10 mm 45,6 %

 Spectre AM1,5 :
 Atténuation due à l’atmosphère (41,8° d’élévation)
 Référence pour la mesure des cellules photovoltaïques

9
10
La cellule solaire est une feuille artificielle!
Les cellules solaires sous la recherche &
développement :
Semi-conducteurs Inorganique
Cu2O/Cu2S; CdS/CuInSe2; CdS/CdTe
(2.4eV/1.4eV!!!)
Semi-conducteurs Organique

Semi-conducteurs:
jonction p-n
Si, CdS, CdTe,
GaAs…
Transforme les
radiations du soleil
en un courant continu
DC

11
c
h = h  Eg
l
hc 1,24
l 
Eg Eg

12
20
Le ‘gap’ diminue quand on descend dans le tableau périodique
le recouvrement des O.A. augmente 2p - 3p - 4p ...

S1 < S2 Eg1 > Eg2 X Eg (eV)

4b 4b C 5,47
Si 1,12
Eg1 Eg2 Ge 0,66
4b 4b
Sn 0
Semiconducteurs binaires

MS Eg (eV) MX Eg (eV)
ZnS 3,54 GaP 2,25
ZnSe 2,58 GaAs 1,43
ZnTe 2,26 GaSb 0,68
16
Approximation de masse effective

 Hamiltonien à deux bandes :

1 1 2 𝑝2

= (1 + )
𝑚𝑐 𝑚0 𝑚0 𝐸𝐺

masse effective de la bande de conduction


Bande interdite GaAs 𝑬𝑮 = 𝟏. 𝟓𝟏𝟗𝑬𝑽
Masse effective de conduction 𝒎∗𝒄 = 𝟎. 𝟎𝟔𝟕𝒎𝟎
Energie d’interaction 𝑬𝒑 = 𝟐𝟏𝒆𝑽
17
Hamiltonien à trois bandes :

18
Si dopé avec du Phosphore:

 Comparé au Si, le Phosphore possède un électron de valence de plus


Cet électron est peu lié à l’atome P: une energy Ei=Ec-Ed<< Eg est
nécéssaire pour rendre cet électron libre
19
Si dopé avec du Bohr:

 Comparé au Si, le Bohr possède un électron de valence de moins

Une energy Ei=Ea- Ev<< Eg est nécéssaire pour un électron de la BV pour


occuper ce manque d’électron. Cette transition va créer un trou dans la BV

20
THEORIE HYDROGENOIDE DE MASSE EFFECTIVE

L’équation de Schrödinger régissant le mvt du Donneur dans le potentiel Coulombien s’écrit:

  2 2 e2   
 −  −  F(r ) = E F(r )
 2m
*
εr  Bande de
conduction
D D+
*
R
m *e 4 En = − 2
R =− 2 2
* A-
n A
2 e Bande de
valence

e 2
m
a = * 2 = e * a0 ( )
*

F1s (r ) =
1
exp − r
me m a 3 a*

 L’énergie d'ionisation dépend de la nature chimique du semiconducteur


(m*, e) mais pas celle de l’impureté 21
Théorie hydrogénoïde de la Masse Effective
 L’équation de Schrödinger de l’impureté donneur :
Etats excitoniques dans les semiconducteurs

L’absorption d’un photon va faire


transiter un électron de la BV vers la BC
en laissant derrière lui un trou. Ces
deux particules de charge opposées
s’attirent et ils vont former une quasi-
particule que l’on appelle exciton.
-On distingue deux sortes d'exciton :
-l'exciton de Wannier et
- l'exciton de Frenkel.