Vous êtes sur la page 1sur 9

CHAPITRE 3

Diode et transistor bipolaire en commutation

SOMMAIRE :

3.1 Diode en commutation

3.1.1 caractéristique de la diode

3 .1.2 Schéma équivalent et caractéristique idéalisée

3. 1.3 temps de commutation

3. 2 Transistor bipolaire en commutation

3. 2.1 Polarisation d’un transistor

3. 2.2 condition de blocage

3. 2.3 condition de saturation

3. 2.4 schéma équivalent d’un transistor en commutation

3.2.5 vérification de la saturation d’un transistor

Notes de cours L3-S6 -Electronique Nasr Eddine KHORISSI


Electronique des impulsions 2020-2021
3.1 La Diode en commutation
3.1.1 Caractéristique d’une diode

Figure 3.1 : caractéristique de la diode

Notes de cours L3-S6 -Electronique Nasr Eddine KHORISSI


Electronique des impulsions 2020-2021
3.1.2 schéma équivalent et caractéristique idéalisée

3 approximations

1ère approximation 2ème approximation

3ème approximation

Figure 3.2 : caractéristiques idéalisées de la diode

Notes de cours L3-S6 -Electronique Nasr Eddine KHORISSI


Electronique des impulsions 2020-2021
3.1.3 Temps de commutation de la diode
En commutation, la diode est vue comme un interrupteur
électronique unidirectionnel. On s’intéresse au temps de réponse de la diode
soumise à une commutation d’un état bas E2 < vseuil à un état haut E1 > vseuil
.(fermeture de l’interrupteur) et aussi au temps de réponse à l’ouverture .

Figure 3.3 : Diode soumise à une commutation

Si on tient compte de la capacité Ct de transition des porteurs de charges


minoritaires au niveau de la jonction lorsque la diode est bloquée(vd < vseuil ), et si on
tient compte de la capacité Cd de diffusion des porteurs de charges libres lorsque la
diode conduit (vd ≥ vseuil), Nous adopterons dans ce cas les schémas équivalents
suivants :

Figure 3.4 : schéma équivalent de la diode


A : Commutation de E2 à E1

Figure 3.5 : circuits équivalents et calcul du temps de recouvrement direct

Notes de cours L3-S6 -Electronique Nasr Eddine KHORISSI


Electronique des impulsions 2020-2021
Représentation de vd et id pendant la commutation de E2 à E1 :

Figure 3.6 : représentation des chronogrammes de vd et id à la conduction

Résumé :
la diode devient conductrice après un temps t= tfr ,ce temps est appelé temps de
recouvrement direct. tfr = ttr + td
ttr : temps de transition qui correspond au stockage de la charge au niveau de la
capacité de transition.
td : temps de diffusion qui correspond au stockage de la charge au niveau de la
capacité de diffusion.
ttr = R.Ct .Ln[(E1 –E2)/(E1-Vseuil)] ; td = 5.Rth.Cd =5.[R.Rd /(R+Rd)].Cd
avec R>> Rd , td ≈5.Rd.Cd
Remarque :
Ct et Cd sont de même ordre de grandeur : ttr >> td
ttr dépend de la dimension de la jonction et de la nature du dopage du semi-
conducteur. Il est de l’ordre des nanosecondes.

B : Commutation de E1 à E2
Le blocage de la diode ne se fait pas instantanément, en effet il apparait, durant
un certain temps, un courant inverse qui correspond au déstockage des charges
accumulées au niveau des capacités Cd et Ct, jusqu’à recombinaison des porteurs
minoritaires et établissement de la barrière de potentiel. Ce temps est appelé
temps de recouvrement inverse trr (reverse recovery time). Comme pour le cas de la
conduction, le déstockage se fait en deux étapes :

Notes de cours L3-S6 -Electronique Nasr Eddine KHORISSI


Electronique des impulsions 2020-2021
Figure 3.7 : circuits de déstockage des capacités Cd et Ct

Le déstockage des charges libres de Cd se fait pendant un temps ts appelé temps de


stockage (storage time).La décharge de Ct et recombinaison des porteurs
minoritaires se fait pendant un temps tT. Comme pour le cas de la conduction: tT >> ts
La diode se bloque après un temps trr = ts + tT ≈ tT
Exercice : Déterminer ts et tT

Représentation de vd et id pendant la commutation de E1 à E2 :

Figure 3.8 : représentation des chronogrammes de vd et id au blocage

Exercice : Expliquer les chronogrammes précédents en spécifiant les


niveaux de tension et courant indiqués.

Notes de cours L3-S6 -Electronique Nasr Eddine KHORISSI


Electronique des impulsions 2020-2021
3.2 Transistor bipolaire en commutation
3.2.1 Polarisation d’un transistor
Tout circuit de polarisation d’un transistor peut être ramené par les théorèmes
généraux ( superposition, Thévenin, Millman….) au circuit simple suivant :

Figure 3.9 : Circuit de polarisation d’un transistor

3.2.2 Condition de blocage du transistor bipolaire

En commutation le transistor bipolaire est vu comme un interrupteur électronique


commandé par le courant de base. L’interrupteur est ouvert au niveau du
collecteur si le courant de base est nul. Si on néglige le faible courant des porteurs
minoritaires au niveau de la jonction base/émetteur du transistor, le courant de
base IB est pratiquement nul si la tension de polarisation de la base est inférieure au
seuil de conduction de la jonction base/émetteur Vseuil .
Si Vbe < Vseuil alors IB =0 et Ic =0 ,
Vce = Vcc - Rc.Ic = Vcc
Vbe = EB + RB.IB = EB
Avec ces conditions, le transistor est bloqué

3.2.3 Condition de saturation du transistor bipolaire

Si la tension de polarisation de la base atteint le seuil de conduction de la jonction


base/émetteur , un courant de base IB s’établi , ce qui permet de générer le
courant de collecteur Ic. Dans ce cas le transistor est conducteur et fonctionne en
régime linéaire tant que la saturation de Ic n’est pas atteinte.
En régime linéaire IC = β.IB. . Si on augmente IB en agissant sur la tension de
polarisation de la base , il existe un seuil de IB pour lequel Ic atteint son niveau de
saturation ICsat.Dans ce cas, Le transistor est dit saturé si IB ≥ IBs

IBs= α.Ic /βmin ; α étant le coefficient de saturation du transistor, il varie entre 2 et 3.

Notes de cours L3-S6 -Electronique Nasr Eddine KHORISSI


Electronique des impulsions 2020-2021
Les paramètres de saturation du transistor sont :
Vbesat : sa valeur est légèrement supérieur à Vseuil
Vcesat : sa valeur est ≤ 0.3V
Icsat : sa valeur dépend du type de transistor.
Ces valeurs sont en général données par le constructeur (catalogue, Datasheet).

3.2.4 Schéma d’un transistor en commutation


En commutation, le transistor fonctionne en régime non linéaire.IL est bloqué ou
saturé. On adoptera dans ce cas les schémas suivants :

Transistor bloqué transistor saturé

Figure 3.10 : schéma équivalent du transistor en commutation

On complètera, selon le cas, chaque schéma par les éléments du circuit de


polarisation.

3.2.5 Vérification de la saturation d’un transistor

Pour vérifier la saturation d’un transistor, on doit suivre les étapes suivantes :

.a/ on suppose que le transistor est saturé, on représente son schéma équivalent
et on le complète par les éléments du circuit à transistor en question.
.b/ on calcule séparément les courants IB et Ic à partir des circuits d’entrée et de
sortie du transistor.
.c/ on vérifie la condition de saturation : IB ≥ α.Ic /βmin
.d/ si la condition est vérifiée, on peut affirmer que le transistor est saturé
Sinon le transistor est conducteur ,dans ce cas il fonctionne en régime linéaire.

Remarques :
- Il ne faut pas calculer IC en utilisant la relation IC = β.IB qui n’est valable qu’en
régime linéaire
- Dans la littérature, certains auteurs se limitent à la relation IB >Ic /βmin pour
vérifier la saturation du transistor.

Notes de cours L3-S6 -Electronique Nasr Eddine KHORISSI


Electronique des impulsions 2020-2021
Exercice (recherche personnelle):
Nous avons vu dans ce chapitre comment déterminer le temps de commutation de
la diode .On a considéré la diode comme un interrupteur électronique et on a
déterminé le temps de la fermeture (tfr) ainsi que le temps de l’ouverture (trr)
-Si on considère le transistor comme un interrupteur électronique .Faites votre
propre recherche sur le temps de commutation d’un transistor à la fermeture et à
l’ouverture :
-Représenter dans ce cas les chronogrammes de la tension et du courant
collecteur en précisant les différentes durées de commutation.

Notes de cours L3-S6 -Electronique Nasr Eddine KHORISSI


Electronique des impulsions 2020-2021

Vous aimerez peut-être aussi