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Etude et Conception d'un Mélangeur à Double Grille DG-MOSFET en


Technologie CMOS 65nm pour des Applications à 60 GHz

Conference Paper · March 2009

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1 1,008

3 authors, including:

Ahmed El Oualkadi Khalid Faitah


Abdelmalek Essaâdi University Cadi Ayyad University
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TELECOM 2009 & 6ème JFMMA
March 11-13, 2009 – Agadir MAROC

ETUDE ET CONCEPTION D’UN MELANGEUR A DOUBLE GRILLE


DG-MOSFET EN TECHNOLOGIE CMOS 65NM POUR DES
APPLICATIONS A 60 GHZ
Ahmed El Oualkadi, Khalid Faitah, Abdellah Ait Ouahman
Laboratoire de Microinformatique, Systèmes Embarqués et Systèmes sur Puces
Université Cadi Ayyad, Ecole Nationale des Sciences Appliquées, Marrakech, Maroc
ahmed.eloualkadi@ieee.org

Résumé : Cet article présente un travail qui consiste à étudier la faisabilité de la conception d’un mélangeur de
fréquence en technologie CMOS 65 nm pour des applications autour de la bande de 60 GHz. L’architecture
proposé consiste à un mélangeur double grille isolée permettant d’avoir des entrées séparées pour la fréquence
radio (RF) et la fréquence de l’oscillateur local (OL). Les résultats obtenus montrent l’intérêt de ce mélangeur
pour les applications de communications sans fil à 60 GHz. Ces résultats sont comparés avec l’état de l’art de
dernières réalisations dans ce domaine.

Mots clés: Mélangeur de fréquence, cascode, gain, paramètres S, simulation, conception, CMOS.

nm pour des applications à 60 GHz. Les résultats


1. Introduction obtenus, après adaptation de ports RF et OL affichent
une valeur de gain de conversion de -0.4078 dB, un
Actuellement le développement du marché des facteur du bruit de 24.07 dB, un point de compression
télécommunications au sens large se caractérise par à 1-dB égal à 1.264 dBm, un point d’interception
une recherche effrénée de performances maximums à d’ordre 3 de l’ordre de 10.37 dBm et une
des coûts minimums tout en respectant les normes des consommation de 8.5 mW, ceci pour une fréquence
standards de communications sans fils [1-3]. La OL égale à 50 GHz. L’isolation la plus critique dans
réduction des coûts passe par l’intégration d’un les mélangeurs étant OL-RF, elle traduit en fait les
maximum de fonctions au sein du système d’émission fuites de puissance de OL vers RF, nous avons trouvé
et de réception radiofréquence. Dans ce contexte, les une valeur de l’ordre de -30.85 dB. Ces résultats
technologies à base de silicium sont généralement les révèlent une bonne potentialité de la technologie
plus utilisées étant donné que le silicium reste inégalé CMOS 65nm et justifient la fiabilité de ce mélangeur
aussi bien en terme de capacité d’intégration des pour les applications à 60 GHz.
fonctions numériques qu’en terme de capacité de
production. Face à l’évolution de ce marché et à
l’amélioration permanente des performances des 2. Architecture du mélangeur proposé
systèmes de communication, les normes se La structure d’un mélangeur à double grille isolée
multiplient, les débits augmentent et de nouvelles DG-MOSFET, est représentée à la figure 1.
gammes de fréquences sont utilisées. Dans le
domaine des circuits intégrés analogiques rapides, le
choix des technologies utilisables est principalement
dicté par le rapport entre la fréquence de travail et la
fréquence de transition. Il n’y a pas longtemps, seuls
les procédés technologiques permettant d’atteindre
des fréquences de transitions de plusieurs dizaines de
gigahertz étaient l’arséniure de galium (AsGa). A nos
jours, grâce aux progrès continus de la lithographie,
les procédés CMOS inférieurs à 130 nm, ont aboutit à
des valeurs de fréquence de transition comparables à
celles des meilleurs procédés bipolaires siliciums et
AsGa.
C’est dans ce contexte que s’inscrit le travail de ce
présent article dont l’objectif terminal est la Figure 1. Architecture du mélangeur à double grille
conception d’un mélangeur en technologie CMOS 65 isolée.
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Le signal radiofréquence (RF) est appliqué à la Le gain de conversion étant défini comme suit :
grille de bas du FET et le signal de l’oscillateur local |V (t)|à ( )
(OL) à la seconde grille en haut. Le montage peut être Gain de conversion =
|V (t)|à ( )
réalisé avec deux transistors en cascode.
2
π R g _ V
Dans cette hypothèse, le transistor inférieur opère GC =
dans la région de saturation et fournit une V
transconductance gm qui est fonction de la tension du Donc le gain de conversion du mélangeur est [4] :
drain du transistor M_RF, contrôlé par le signal OL 2
qui lui opère dans la zone linéaire et travaille en GC = g _ R
π
commutation (Switch), suivant le signal OL.
Avec, Rout est la résistance de sortie qui peut être
Pour un bon fonctionnement du mélangeur, les calculée en utilisation le modèle petit signal du
conditions suivantes doivent être vérifiées : transistor.
- De petites dimensions pour le transistor M_OL, afin
qu’il ait un bon comportement en commutation. 4. Conception du mélangeur et résultats
- Le transistor M_OL doit avoir un mode commun, Dans ce paragraphe nous allons développer la
proche ou égal à son Vth, afin d’exploiter au mieux conception et les résultats obtenus par ce mélangeur
l’excursion de la tension OL et avoir une meilleure autour de 60 GHz. La technologie CMS 65 nm est
commutation. utilisée pour la conception permettant de réduire les
niveaux de tension et ainsi avoir une consommation
- Le transistor M_RF doit opérer dans la zone de optimisée.
saturation pour avoir une transconductance
importante. 4.1 Paramètres S :
- Le transistor M_OL doit être dans la zone linéaire. La méthodologie de simulation des paramètres S
est décrite sur la figure 2.
3. Calcul du gain de conversion
On considère les expressions des signaux OL et
RF le courant à la sortie du mélangeur et donc :
IF(t)=Id(t) signe[VLO(t)]
Avec :
π 1
signe[V (t)] = cos(ω t) − cos(3ω t)
4 3
1
+ cos(5ω t) + ⋯ .
5
Et I (t) = I + g _ V cos (ω t)

On obtient alors :
4
I (t) = {I + g V cos (ω t)} cos(ω t)
π
1 1
− cos(3ω t) + cos(5ω t) + ⋯
3 5
4
I (t) = I cos(ω t)
π
2 Figure 2. Les ports du mélangeur DG-MOSFET ainsi
+ g V [cos ((ω − ω )t) que les paramètres S à évalués.
π
− cos ((ω + ω )t)] + ⋯
Avec : VIF(t)=Rout IF(t) La figure 3 montre les résultats de simulations des
4
V (t) = I R cos(ω t) différents paramètres S, donnant l’adaptation du
π
2 circuit dans une gamme de fréquence allant de 51 à
+ R g V [cos ((ω − ω )t) 70 GHz. On remarque que l’adaptation est optimale à
π
− cos ((ω + ω )t)] + ⋯
la fréquence centrale 60 GHz.
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d’entrée résulte en une diminution de 1-dB du gain.


Pour simuler cette caractéristique, la puissance RF a
été variée entre –40 et 20 dBm. Le résultat est donné
à la figure 5, où l’on note une puissance d’entrée
égale à Pin_dB = 1.264 dBm. Il faut noter que ce
résultat est obtenu pour une puissance OL de 0 dBm.

OP1_DB= -3.4174E+01dBm
1dB

(a)

Pin_1dB =1.264 dBm

Figure 5. Point de compression à 1-dB du mélangeur pour


une puissance OL égale à 0 dBm.

L’évaluation du point d’interception d’ordre 3


(b) (IP3) est effectuée avec deux signaux RF d’entrée à la
fréquence 60 GHz et (60 GHz + 10 MHz),
Figure 3. Simulation de paramètres de réflexion :
respectivement (Δf = 10 MHz). La puissance de ces
(a) à l’entrée RF (S11) et (b) à l’entrée OL.
deux signaux est égale à –33 dBm (≈5mv). La figure
4.2 Gain et non-linéarité du mélangeur III-26 illustre le résultat de simulation en sortie du
mélangeur pour une puissance OL de 0 dBm. Les
La figure 4 montre l’évolution du gain de points d’interception d’ordre 3 (IP3) et (IM3) sont
conversion en fonction de la puissance d’entrée. Pour alors, après la simulation:
de faibles puissances d’entrée, le gain atteint sa
valeur maximale -0.4078 dB et commence à diminuer IM3=8.6747E+01 dBm
à partir d’une puissance d’entrée de -15 dBm. En Sachant que : IIP3=0.5*IM3 + P_RF
effet, une augmentation de l’amplitude du signal RF
engendre un éloignement du transistor M_RF de la IIP3=1.0374E+01 dBm
zone de saturation, affectant ainsi son gm, et, par la Lorsque la différence (espacement) de fréquence
suite, le gain de conversion. entre les deux signaux d’entrée est faible, IM3 et IIP3
diminuent et il sera, par la suite, difficile de filtrer le
signal.

-77.43365-(-164.18115)

P_RF=-33dBm = 86.7475 dBm

Figure 4. Gain de conversion en fonction de la puissance


d’entrée.

Le point de compression à 1-dB est une figure de


Figure 6. IM3 pour Δf=10MHz et une puissance RF égale
mérite importante qui caractérise le niveau pour
à -33 dBm
lequel toute augmentation de la puissance du signal
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Le tableau 1 résume les résultats de toutes les Références


performances du mélangeur comparés avec l’état de
l’art des récentes publications. Ces résultats sont [1] Stephen A. Maas, “Microwave Mixers” Artech
obtenus en tenant compte de l’adaptation des ports House, 1986.
RF et OL à 50 Ω et avec une fréquence OL égale à 50 [2] Emami, S., Doan, C.H., Niknejad, A.M., and all,
GHz. Le gain de conversion est égal à -0.4078 dB, le “A 60-GHz down-converting CMOS single-gate
facteur bruit est égal à 24.07 dB, le point de mixer” IEEE RFIC 2005.
compression en 1-dB est égal à 1.264 dBm, le point [3] Lai, I.C.H. and all, “60-GHz CMOS Down-
d’interception d’ordre 3 est égal à 10.37 dBm et la Conversion Mixer with Slow-Wave Matching
consommation en puissance est égale à 8.5 mW. Transmission Lines” IEEE Asian Solid-State
L’isolation la plus critique dans les mélangeurs est Circuits Conference, 2006.
entre OL et RF. Cette isolation se traduit par des [4] D. Leenaerts, J. Van der Tang, Cicero S.
fuites du port OL au port RF. Cette isolation est égale Vaucher, Circuit Design for RF Transceivers,
à -30.85 dB. Tableau 1 montre également la Kluwer Academic Publishers, pp : 122 – 128,
simulation de paramètres S11 et S22. En comparant 2001.
ces performances, notre mélangeur peut se placer [5] B. M. Motlagh, S. E. Gunnarsson, M. Ferndahl
bien dans l’état de l’art des mélangeurs à 60 GHz and H. Zirath, "Fully Integrated 60-GHz Single-
[2-5]. Ended Resistive Mixer in 90-nm CMOS
Technology," IEEE Microwave and Wireless
Components Letters, vol. 16, issue 1, pp. 25-27,
Jan. 2006.
Parameters [2] [3] [5] This
work

Voltage supply (V) - - - 1.2


Freq_RF (GHz) 60 60 60 60
Freq_IF (GHz) 2 4 2-6 10
Power consumption - - - 8.5
(mW)
Conversion gain (dB) -2 -1.2 -11.6 -0.4078

1 dB c. p. (dBm) -3.5 0.2 6.0 1.264


IIP3 (dBm) - - - 10.37
Noise figure (dB) - - - 24.07

Isolation: - LO-RF - - - -30.85


- LO-IF -42.56
S11 (dB) - - - -11.354

S22 (dB) - - - -25.556

Technology (nm) 130 90 90 65

Conclusion
Le présent travail a montré la faisabilité de la
conception d’un mélangeur MOSFET à double grille
en technologie CMOS 65 nm. Le mélangeur conçu
montre un bon gain de conversion si l'on considère
que la tension d'alimentation ne dépasse pas 1.2 V
avec une consommation de puissance de 8.5 mW. Ces
résultats montrent un bon potentiel de la technologie
CMOS 65 nm et justifier la fiabilité de ce mélangeur
pour les applications sans fil dans une bande de
fréquences autour de 60 GHz.

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