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CHAPITRE 01

Les Semi-Conducteurs (SCs)

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1. Introduction
Tout le secret de l'électricité réside dans la capacité de la matière à laisser circuler plus ou moins
bien des charges électriques en son sein sous l'influence d'un champ électrique externe.
L'électronique va se distinguer de l'électricité par des composants dont on pourra moduler la
conduction à l'aide de signaux électriques, chose impossible avec les composants simples de
l'électricité.

2. Description simplifiée de la structure des atomes


Les atomes sont des particules de base constituées d'un noyau autour duquel gravitent des
électrons. Le noyau est composé de protons, particules élémentaires chargées électriquement
à la valeur +e, et de neutrons, sans charge.

Les électrons sont des particules chargées électriquement à la valeur -e. Ils tournent autour du
noyau sur des orbites définies et ont une masse négligeable vis à vis des neutrons et protons
(qui ont eu environ la même masse). La charge électrique élémentaire vaut e = 1,6E-19 C (C
pour Coulomb, unité de charge électrique).

Les électrons se répartissent sur des orbites différentes qui forment des couches. Les couches
sont remplies par les électrons dans un ordre bien déterminé. Dans la mesure du possible, ceux-
ci s'assemblent par paires. Quand ce n'est pas possible, ils restent célibataires. Quand l'atome
possède plusieurs couches d'électrons, les couches profondes contiennent un nombre d'électrons
indépendant de l'atome considéré. C'est la couche périphérique qui fait la différence. De façon
générale, tous les atomes tendent à avoir huit électrons sur leur couche externe.

2.1. Liaison Interatomique


Dans la matière, les atomes la constituant se combinent entre eux de manière à lui donner
une certaine cohésion. Macroscopiquement, ces liaisons, appelées valences, vont donner la
consistance du matériau : gaz, liquide, solide plus ou moins dur, structure cristalline. Les
électrons de la couche périphérique s’appellent électrons de valence.

Nous allons décrire seulement deux types de valences. Ces deux liaisons sont :

2.1.1. Liaison covalentes


Les atomes se lient entre eux en mettant en commun des électrons célibataires de la couche
périphérique (électrons de valence). Ces électrons s'associent en paires et appartiennent en
commun aux deux atomes participant à la liaison. De ce fait, les liaisons obtenues sont très
robustes : il faut leur fournir une énergie importante pour les casser. Dans ce type de liaison,

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les électrons mis en commun restent très liés aux atomes qui les fournissent. Ils ne peuvent pas
circuler facilement dans la matière.

2.1.2. Liaisons métallique


Dans ce cas de liaison, ce ne sont pas deux atomes qui mettent en commun un ou plusieurs
électrons pour se lier ; un grand nombre d'atomes mettent en commun des électrons célibataires.
Les atomes ainsi dépouillés de leur(s) électrons(s) deviennent des particules non neutres du
point de vue charge électrique (des ions). Ils forment un réseau cristallin et baignent dans un
nuage d'électrons très mobiles appelés électrons libres. Donc, les liaisons interatomiques, de
type métallique sont très faibles.

3. Conduction électrique
Lorsqu'on applique un champ électrique extérieur sur un matériau, on a conduction si on
observe la circulation d'un courant électrique dans le matériau. Ce courant est dû au
déplacement de charges électriques dans le matériau.

3.1. Les isolants


Dans le cas des matériaux isolants, on a affaire à des liaisons de type covalente : les électrons
célibataires de la couche périphérique forment tous des liaisons avec leurs homologues issus
d'autres atomes adjacents. Les liaisons sont robustes, et les charges potentiellement mobiles (les
électrons) restent liées aux atomes auxquelles elles appartiennent.

3.2. Les conducteurs


Les liaisons des atomes composant les matériaux conducteurs sont de type métallique.
Chaque atome libère un électron qui peut circuler librement dans le cristal.
En l'absence de champ électrique extérieur, ces électrons se déplacent dans un mouvement
Désordonné, et, statistiquement, la somme de tous les déplacements est nulle. Par contre, dès
qu'on applique un champ électrique extérieur au matériau, les électrons soumis à la force F
créée par ce champ vont circuler dans le sens contraire à celui du champ électrique, créant un
fort courant.

F  qé .E Avec : é  1.6 1019 C 

3.3. Mobilité des porteurs de charges


Un des principaux paramètres qui va décrire l'aptitude d'un matériau à conduire le courant
électrique est la mobilité des charges électriques présentes dans ce matériau. La mobilité des
porteurs de charges notée  est définie comme étant le coefficient de proportionnalité entre la

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vitesse d'entrainement notée v des porteurs de charges et le champ électrique au quel elles sont
soumises telle que :

V

E

3.4. Vitesse d’entrainement des porteurs de charges électriques


Soit un matériau conducteur de longueur L soumis à un champ électrique E auquel est appliquée
une différence de potentiel U à ses bornes. La vitesse d’entrainement de ses porteurs de charges
v est donnée par :
V  .E Avec : E
U
L

3.5. Conductivité électrique


Soit un matériau conducteur de longueur L et de section S soumis à un champ électrique E et
aux bornes duquel est appliquée une différence de potentiel U à ses bornes.

𝐸⃗⃗ 𝐹⃗
V = vitesse d’entrainement.
é é
S 𝐼⃗ V
U = d.d.p.
U
𝐸⃗⃗ = champ électrique.

𝐹⃗ = q. 𝐸⃗⃗
Figure 3.1 : Conduction d’un matériau conducteur.

Le déplacement de n électrons à une vitesse v donne naissance à un courant noté I qui circule
dans le sens contraire et dont la densité du courant notée J est donnée par :

𝐼
𝐽⃗ = 𝑆 = ϕ . v = n . e . v = n . e . μ .𝐸⃗⃗

J  n.e..E   .E

Avec :   n.e. 1.M 1  : Conductivité du matériau conducteur

Et : 
1
.M 

 : Résistivité du matériau conducteur

3.6. Modèle des bandes d’énergie de Pauli


Les électrons évoluent sur des orbites stables correspondant à des niveaux d’énergie discrets
(séparés les uns des autres). Dans un cristal, par suite des interactions entre atomes, ces niveaux
discrets s'élargissent et les électrons occupent des bandes d'énergies permises séparées par des

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bandes interdites qui ne contiennent pas d'états stables possibles pour les électrons. Il y' deux
types de bandes d'énergies permises qui sont la bande de conduction et la bande de valence.
Selon le principe d'exclusion de Pauli, les électrons peuvent passer directement de la bande de
valence vers la bande de conduction, or pour cela il faut qu'ils acquièrent une énergie égale au
moins à la largeur de la bande interdite intermédiaire appelé gap.

La Bande de valence contient les états électroniques des couches périphériques des atomes du
cristal, c.-à-d., les électrons de valence.
La Bande de conduction représente la bande permise immédiatement supérieure en énergie à la
bande de valence. Les électrons y sont quasi-libres, ils ont rompus leur lien avec leur atome
d’origine, ils permettent la conduction du courant.

3.7. Largeur de la bande d'énergie interdite


La bande d'énergie interdite, appelée Band gap, est la bande d'énergie située entre le niveau
d'énergie de la bande de valence et celui de la bande de conduction.
La Largeur de la bande d'énergie interdite appelée gap et notée Eg représente l’énergie
minimale nécessaire pour rompre la liaison covalente et permettre à l'électron de valence de
passer de la bande de valence à la bande conduction.
Il y a différents mécanismes par lesquels les électrons peuvent recevoir de l'énergie. Celui le
plus courant est un échauffement : plus la température d'un corps est élevée, plus d'énergie
possèdent les électrons, plus ils ont de chances de franchir le gap.

E (ev)
Bande de conduction (B.C)

Eg Bande interdite

Bande de Valence (B.V)

Figure 3.2 : Modèle des bandes d’énergie.

3.8. Indicateur ou niveau de Fermi


Le niveau de Fermi est le niveau d’énergie le plus élevé que peut occuper un électron à zéro
Kelvin.

4. Les Semi-Conducteurs
Les charges électriques sont plus ou moins libres de circuler dans la matière sous l'influence
d'un champ électrique externe. Cette propriété nous permet de distinguer les isolants (liaisons

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très robustes, charges électriques très peu mobiles) des conducteurs (liaisons fragiles, charges
très mobiles). Les semi-conducteurs se situent entre ces deux extrêmes.

4.1. Semi-Conducteurs intrinsèques (S.C.i)


4.1.1. Définition
Un semi-conducteur intrinsèque est constitué par un réseau cristallin de matériau très pur. On
utilise soit des éléments du tableau périodique possédant chacun 4 électrons de valence, soit
des combinaisons de matériaux qui possèdent 3 et 5 électrons de valence. Les atomes sont liés
entre eux par des liaisons covalentes. Ces liaisons sont robustes, ce qui fait que pour arracher
des électrons des atomes, il faut fournir une énergie assez importante (environ 1eV, contre 0,1
eV pour les conducteurs et 5eV pour les isolants) (voir le tableau périodique en annexe 1).

Les trois principaux semi-conducteurs intrinsèques utilisés en électronique sont :


 le silicium (Si) : c'est le matériau le plus utilisé actuellement pour la fabrication des
composants électroniques.
 le germanium (Ge) : il est délaissé (trop sensible en température : courants de fuite
importants, température de fonctionnement limitée).
 l'arséniure de gallium (AsGa) : il est très utilisé dans la fabrication de composants
optoélectroniques, et permet aussi de fabriquer des composants plus rapides que ceux
en silicium ; ces applications sont cependant relativement rares.

4.1.2. Porteurs de charges dans un semi-conducteur


Dans un semi-conducteur il existe 2 types de porteurs de charges :
 Les porteurs négatifs : Ceux sont les électrons de la bande de conduction,
 les porteurs positifs : Ceux sont les trous de la bande de valence. Le trou représente
une liaison covalente cassée ou rompue.
Le Trou signifie l’absence d’une liaison covalente dans la bande de valence.

4.1.3. Résistivité électrique


Les semi-conducteurs ont une résistivité électrique intermédiaire entre les isolants et les bons
conducteurs.
Isolants   106 .M 
Conducteurs   106 .M 
Semi-conducteurs intermédiaire

Tab.3.1 : Classification des matériaux en fonction

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de leur résistivité ρ.

R  .
L

S
4.1.4. Phénomènes de génération thermique des paires (électron, trou) et de recombinaison
L'agitation thermique fait que certains électrons quittent leur liaison et deviennent des électrons
libres. Ils créent alors un trou qui ne demande qu'à être rebouché par un autre électron libre,
surtout si on applique un champ électrique sur le cristal : électrons et trous se déplacent en sens
inverse, engendrant ainsi un courant électrique.

Contrairement à ce qui se passe dans les conducteurs, la résistivité des semi-conducteurs


diminue quand la température augmente : en effet, plus la température est élevée, plus le nombre
de trous et d'électrons libres augmente, et plus le courant produit est intense quand on branche
un générateur sur le cristal.
E (ev)

é é é B.C
é
Eg

+ + + B.V

Figure 3.3 : Phénomène de génération thermique


des paires (électron, trou).

La génération de paires (électron, trou) se produit sous l’effet d’apport d’énergie thermique,
photonique, d’un champ électrique, de radiations ionisantes, etc. (excitation).
Le phénomène de création de paires (électron, trou) s’accompagne d’un phénomène de
recombinaison (les é libres sont capturés par les trous, ils redeviennent é de valence).

Energie (ev)

Électron électron
Bande de Conduction

Génération Thermique Recombinaison Eg de la bande interdite


d'une paire (é,Trou)
Bande de valence
Trou Trou

Figure 3.4 : Phénomènes de génération thermique et de recombinaison de paires


électrons trous conduisant à un équilibre à température constante.

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Sous l’effet d’un champ électrique, ou de l’apport d’énergie thermique, les électrons de la bande
de valence vont acquérir l’énergie nécessaire pour casser la liaison covalente et rejoindre la
bande de conduction, c’est le phénomène de la génération (production) des paires (è, trous).

Les électrons dans la bande de conduction en panne d’énergie vont retomber dans la bande de
valence pour combler des trous.

4.1.5. Courant résultant du déplacement des porteurs de charge dans la bande de valence
Le déplacement des trous dans la bande de valence donne naissance à un courant noté I  et qui
circule dans le même sens que celui des trous.
Le déplacement des électrons dans la bande de valence donne naissance à un courant noté I é

qui circule dans le sens contraire que celui des électrons.


Le courant résultant du déplacement des deux types de porteurs de charge est donné par :
I  Ié  I
4.1.6. Concentration volumique des porteurs de charge d’un S.C intrinsèque
A température constante, un équilibre s’établit entre les phénomènes d’ionisation et de
génération thermique et de recombinaison ; les électrons libres et les ions métalliques
apparaissant en quantités égales. La concentration en électrons libres notée n et la concentration

en trous libres notée p sont égales à la concentration intrinsèque notée ni .

A un instant t, il y a équilibre entre les électrons de la B.C et les trous de la bande valence, c'est-
à-dire qu’il y a équilibre entre le phénomène de génération et de recombinaison thermique.

La mécanique statistique montre que la population des porteurs libres (n électrons par.cm3 dans
la bande de conduction et p trous par cm3 dans la bande de valence) s’exprime en équilibre
selon les lois :

 Eg 

cm 
3  
3
n  p  ni  pi  A..T .e 2  2. K .T 

Avec :
𝑛 = 𝑛i : 𝐶oncentration Volumique des porteurs de charges négatives d’un S.C.I dans la bande de
conduction.
𝑝 = 𝑝i : 𝐶oncentration Volumique des porteurs de charges positives d’un S.C. intrinsèque dans la bande
de valence.
A : Constante du matériau.
T : Température en Kelvin (K).
Eg : Largeur de la bande interdite (eV).

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K : Constante de Boltzmann. Tel que : 𝐾 = 8,6 × 10−5 [𝑒𝑉. 𝐾 -1]


 EC  E F   E F  Ev 
  K .T 
 NC . f EC  :
  K .T 
n0  n  NC .e  
Et p0  p  Nv .e  
 Nv . f Ev  :

Avec : N C : Densité effective des états des électrons dans la bande de conduction

Et N V :: Densité effective des états des trous dans la bande de valence.


3
 2. .m p .K .T 
3
 2. .mn .K .T  2 2
Avec : NC  2    et Nv  2   
 h2  h2 

E (eV)
ni
Ec

Eg
Ev
pi

Figure 3.5 : Concentration volumique des porteurs de charge


d’un S.C intrinsèque.

NC 10 19
.cm 3  NV 10 .cm 3
19

Silicium (Si) 2 ,7 1,1
Germanium (Ge) 1 0,5
Arséniure de Galliums (GaAS) 0,04 1,3

Tab.3.2 : Valeurs des densités effectives d’états en fonction du type des SCs.

On remarque que la concentration des porteurs de charges des semi-conducteurs intrinsèques


dépend fortement de la température. Donc, la conductivité des S.C.I dépend de la température.
Il résulté que les S.C.I ne sont pas intéressants pour la fabrication des composants électriques
car leur conductivité reste très instable.

4.1.7. Calcul du niveau de Fermi pour les Semi-conducteurs intrinsèques


Pour les Semi-conducteurs intrinsèques, le niveau de Fermi est aussi appelé niveau de Fermi
intrinsèque noté EFi : Il se situe au milieu de la bande interdite noté Ei :

EC  Ev
EFi  Ei  :
2

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E (eV).
Nc
Ec (Bande de conduction)
.E n
Eg EFi (niveau de Fermi)
.E p
Ev (Bande de valence)
Nv
Figure 3.6 : Niveau de Fermi pour les Semi-conducteurs intrinsèques.

Avec : En  EC  E Fi et : E p  E FI  EV

On peut exprimer n0 ou p0 en fonction de ni  ni T 

n0  n  NC .e
 EC  E F 
  K .T 
 
 NC .e 
E C  
 EFi  EFi  EF  
K .T

 EC  E FI  E F  E Fi 
  ( EF  EFi )

 ni T .e
K .T 
n0  NC .e .e K .T
K .T

Aussi :
 EC  EFI 
  ( EFI  EF ) 
EF EFi 
p0  N C .e 
 ni T .e
K .T  K .T
.e
K .T

Remarque ; Les semi-conducteurs intrinsèques n'ont pas une grande utilité en tant que tels ;
ils servent de base aux semi-conducteurs dopés (extrinsèque) : on y rajoute des impuretés
pour modifier leur comportement.

4.1.8. Conductivité intrinsèque du matériau notée  :

La conductivité notée est définie comme le coefficient de proportionnalité entre la densité de

courant et le champ électrique.

 
Eg

   0e 2 KT 1
m 1

 0 : La conductivité totale d’un matériau à T0 =273 °k

Aussi :

 0   n  P q.n. n  q. p. p  qn. n  p. P  m 3 .C.m 2 .S 1 .V 1 


q  e C 
Avec :

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 P : Mobilité des trous.

 2
 n m V .S  : Mobilité des électrons

Les concentrations intrinsèques en électrons et en trous sont égales (équilibre électrique).


ni  pi  n
4.1.9. Résistivité du semi-conducteur intrinsèque
-Résistivité notée 𝜌0 à T0 =273 °k du semi conducteur intrinsèque :
1 1
0   qe  q p  e  1.6.1019 C
0 qe n. n  p. p  Avec :

Et :
n  p  ni
(neutralité électrique du semi-conducteur intrinsèque)

-La résistivité notée 𝜌0 à T °k du semi conducteur intrinsèque :


1

1

1
.m
 qe .n. n  p. p  e.ni . n   p 

-La résistivité 𝜌27 à 300 °k du semi conducteur intrinsèque :


1 1 1
 27      0 .e
E g / 2 KT E g / 2 KT
e T=300 °K
 27  0 .e
 E g / 2 KT .
0

La résistivité du matériau dopé à T°K notée  T2  est :

 T2  
1

1
.m
 T2  qe nn T2 . n T2   n p th T2 . p T2 

La mobilité des porteurs de charge ne varie que très légèrement avec la température
n T2   n (T0 )  n
Mobilité des électrons :
 p T2    p (T0 )   p
Mobilité des Trous :

4.2. Semi-Conducteurs Extrinsèques (S.C.E)


4.2.1. Définition
Les semi-conducteurs extrinsèques sont des semi-conducteurs intrinsèques qu’on leur a ajouté
des éléments étrangers appelés impuretés pour rendre leur conductivité indépendante de la
température. Cette opération s’appelle le Dopage.

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4.2.2. Dopage
Doper un semi-conducteur intrinsèque c’est insérer dans sa structure cristalline des atomes
étrangers par bombardement. C’est l’action d’ajouter des impuretés à un S.C.I.

Dopage
S.C. S.C.E (S.C.I dopé).
Il y’a deux types de dopages :

a. Dopage de type N : Il est obtenu en bombardant le semi-conducteur intrinsèque par des


atomes ayant un nombre électrons de valence supérieur à celui des atomes du S.C.i. Ces atomes
sont appelés atomes donneurs car ils donnent des électrons libre au S.C.i.

b. Dopage de type P : Il est obtenu en bombardant le semi-conducteur intrinsèque par des


atomes ayant un nombre électrons de valence inférieur à celui des atomes du S.C.i. Ces atomes
sont appelés atomes accepteurs car ils reçoivent des électrons libre de la part du S.C.i.

de
detype
typeʺNʺ
ʺNʺ
Il y a deux types de S.C extrinsèques :

de type ʺPʺ

4.2.3. Semi-Conducteur de type P (positif = signe des porteurs majoritaires)


On dope le cristal intrinsèque avec un élément possédant un nombre inférieur d'électrons de
valence. On peut doper du silicium (4 électrons de valence) avec du Bore, de l'indium, du
Gallium ou de l'Aluminium qui possèdent 3 électrons de valence (atome accepteur).
Ces atomes vont prendre la place d'atomes de silicium dans le cristal. Comme ils possèdent
1électron de valence en moins, il va se créer des trous dans le semi-conducteur. Les trous
deviennent porteurs de charges mobiles majoritaires : le semi-conducteur est de type P. Il
subsistera quelques électrons libres dans le cristal (porteurs minoritaires).

Exemple : Le bore (B) B+1é B-

Bombardement avec des


atomes accepteurs.

Si Si : 4 é de valence

Figure 3.7 : Dopage du cristal du Silicium par Bombardement d’atome de Bore.

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L’atome de bore est un atome accepteur.


Si : NA est le nombre d’atome accepteur.
Alors : NA est le nombre de trous crées d’un S.C.E de type P.
Concentrations en porteurs de charges des S.C.E de type P
(Trous : porteurs majoritaires ; électrons porteurs minoritaires)
La concentration en trous notée p P telle que : pP totale  pP  n p  N A

Na : concentration en atomes accepteurs.


n p  n p thermique  ne thermique  nth La concentration en électrons porteurs minoritaires.

Comme les trous sont majoritaires : p p  nth  p p  N a


Donc : La concentration totale en Trous su SC de type P est : p p  N a

La concentration en électrons (porteurs minoritaires) notée ne the  n p :

Selon la loi d’action de masse :


2 2
ni ni
p p .n p  n. p  ni  n p  
2

pp Na
2
ni
Ainsi : n p 
Na
4.2.4. Semi-Conducteur de type N (négatif : signe des porteurs de charge majoritaires)
Le principe est le même que pour le semi-conducteur de type P, sauf qu'on dope le cristal
avec des éléments ayant un électron de valence de plus (atomes donneurs) : le phosphore,
l'arsenic et l'antimoine, qui possèdent 5 électrons de valence pourront doper le silicium par
exemple. 4 électrons vont faire des liaisons covalentes avec les atomes de silicium
environnants, et le 5ème sera un électron libre ; tous ces électrons libres seront les porteurs
majoritaires. Il existera encore quelques trous, mais en très faible quantité.

Les électrons libres seront pratiquement aussi mobiles que dans le cas des conducteurs
(liaisons métalliques). A noter que dans ce cas, l'atome donneur devient ion positif, mais ceci
ne créé pas un porteur trou comme dans le cas du silicium P, car cette charge positive ne peut
pas se déplacer dans le cristal.

C’est ajouter des éléments ayant 5 éléments de valences (éléments de la 3ème colonne du
tableau périodique).

 Soit un cristal de silicium :

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P P+ + 1 é
p P : 5 é de valence

Bombardement avec des


atomes donneurs.

Si Si : 4 é de valence

Figure 3.8 : Dopage du cristal du Silicium par Bombardement d’atome de Bore.

L’atome du phosphore est un atome donneur


 Soit ND le nombre d’atome donneur.
 ND : électron libre dû au dopage.

Remarque : Un dopant de valence V s'appelle < donneur >, car ses atomes rendent des
électrons au réseau cristallin. Un semi-conducteur dope par un donneur s'appelle < de type n
>, l'appellation qui provient du mot négatif désignant le signe des charges majoritaires.

Concentrations en porteurs de charges des S.C.E de type N


(Électrons : porteurs majoritaires ; trous porteurs minoritaires)
La concentration en électrons notée n n telle que : ne totale  nn  nth  N d  pn  N d

Nd : concentration en atomes donneurs.


n p thermique  ne thermique  nth  pn : La concentration en trous porteurs minoritaires.

nn  nth  nn  N d
Comme les électrons sont majoritaires :
Donc : La concentration en électrons du SC dopé N est : nn  N d :

La concentration en trous (porteurs minoritaires) notée pn :


2 2
n ni
Selon la loi d’action de masse : nn .n p  th  n. p  ni  n p  th  pn  i 
2

nn N d
2
ni
Ainsi : n p  th  pn 
Nd
Remarque : A noter que dans les deux cas (types N et P), le cristal reste globalement
électriquement neutre, car le noyau des atomes donneurs comporte un proton de plus que
l'atome du cristal intrinsèque, et un de moins dans le cas des atomes accepteurs.

4.2.5. Calcul du niveau de Fermi pour les Semi-conducteurs extrinsèques

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Dans le cas général, le niveau de Fermi va dépendre du type de l’élément dopant (accepteur ou
donneur), de sa concentration et de sa température. C.A.D, pour un S.C.E de type N on a :

E (eV)

Ec (BC)

EFD

EFi

EFA
Ev (BV)

Figure 3.9 : Localisation de l’indicateur de Fermi extrinsèque.

EFi : niveau de Fermi d’un S.C.I.


Si : nn>>Pn
Alors : EFD : niveau de Fermi d’un S.C.E de type N.

Dans le cas d’un S.C.E de type N :


Si : Pp>> Pn
Alors : EFA : niveau de Fermi d’un S.C.E de type P.

N  N 
EF  EFD  EC  K .T .LN  C  Aussi : EF  EFD  EFi  K .T .LN  D 
 ND   ni 

Dans le cas d’un S.C.E de type P :

N  N 
EF  EFA  Ev  K .T .LN  v  Aussi : EF  EFA  EFi  K .T .LN  A 
 NA   ni 

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