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Susceptibilité et défaillance des composants

électroniques soumis au rayons X

Daniel TRIAS
04 Octobre 2018

For Excellence in Electronics


Contexte
 Les niveaux d’intégration sont de plus en plus poussés

 La technologie avance et nous propose des packaging avec des pitchs de plus en plus
fins
 La plupart sont des circuits de type BGA et/ou QFN

 Et de fait les process d’assemblage se complexifient et nécessitent des contrôles


qualité de plus en plus poussés pour s’assurer de la qualité des joints soudés
 La technique aujourd'hui la plus performante est le contrôle par Rayons X

 Pour cela, ces équipements ont fait d’énormes progrès en terme de résolution
 La contre partie à cette évolution est que les faisceaux de rayons X sont de plus en
plus denses et énergétiques et commencent à avoir un impact sur le comportement
électrique des composants

 Des défaillances apparaissent ...


Le transistor MOS et les particules ionisantes
Le transistor MOS et les particules ionisantes
Le transistor MOS et les particules ionisantes
Le transistor MOS et les particules ionisantes
Niveau de dégradation des composants

1 Gy = 100 Rads
Niveau de dégradation des composants
La génération de rayons X
Géométrie de l’équipement RX

COLLIMATEUR

Z
X Canon
Paramètres influents dans la
dose reçue par le composant :
- La tension
- Le courant
- La distance au canon (Z)
- Le temps d’exposition
- La géométrie du faisceau
Résultats des mesures
Amplitude du faisceau
Film sensible + règle opaque

Z = 150
X = 242
Y = 183
Débit de dose en fonction de Z

Dose (mGray/S)
120,00

Dose cumulée en mGray/s


y = 1,5e0,0286x
100,00
80,00
60,00
Dose (mGray/S)
40,00
Expon. (Dose (mGray/S))
20,00
0,00
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Hauteur du Z
Z Dose (mGray/S) Coeff Dose (Krads/h)
0 4,90 1,764
50 9,10 1,86 3,276
76 12,66 2,58 4,558
100 22,68 4,63 8,165
150 110,00 22,45 39,600
Débit de dose en fonction de la tension
Filtration : 0 Z= 50

Tension : 80 KV Tension : 100 KV Tension : 180 KV


I = 10 à 120 µA I = 10 à 120 µA I = 10 à 80 µA
I (µA) Débit de kerma (mGy/s) I (µA) Débit de kerma (mGy/s) Coeff I (µA) Débit de kerma (mGy/s) Coeff
10 1,011 10 1,803 1,78 10 2,59 2,57
20 1,625 20 2,539 1,56 20 4,06 2,50
30 2,273 30 3,713 1,63 30 5,96 2,62
40 3,169 40 4,912 1,55 40 7,62 2,41
50 3,954 50 6,043 1,53 50 9,20 2,33
60 4,684 60 7,019 1,50 60 11,51 2,46
70 5,376 70 8,218 1,53 70 13,25 2,46
80 6,183 80 9,39 1,52 80 15,16 2,45
90 6,903 90 10,55 1,53
100 7,703 100 11,77 1,53
110 8,486 110 12,95 1,53
120 9,234 120 14,06 1,52

16 3
180KV 100KV
14 2,5 180 KV vs 80 KV
12
Dose (mGy/s)

2
10 80KV 100 KV vs 80 KV

Coeff
8 1,5
6 1
4 0,5
2
0
0
0 20 40 60 80 100 120 140
0 50 100
Courant Faisceau (µA)
150
Courant Faisceau (µA )
Débit de dose en fonction de
la position du composant
10,00
I = 50 µA

Dose (mGray/s)
8,00
6,00
80 KV
4,00
2,00 100 KV

0,00 180KV
Y 50 100 150 200 250 300 350 400
Positionnement selon l'axe X

X 10,00
I = 50 µA

Dose (mgray/s)
8,00
6,00
80 KV
4,00
2,00 100 KV
Z = 150 0,00 180KV
X = 242 50 100 150 200 250 300 350 400

Y = 183 Positionnement selon l'axe Y


Débit de dose en fonction du temps
16
14 180KV 100KV
12
Dose (mGy/s)

10 80KV
8
6 Z=50
4
2
0
0 20 40 60 80 100 120 140
Courant Faisceau (µA)

6
180 kV 100 kV
5

Dose (kRads/h)
4
3
2 80 kV
1
0
0 20 40 60 80 100 120 140
Courant Faisceau (µA)
Quelle énergie à la sortie du canon en
fonction de la tension et de la puissance ?

Source : Dage application note


Influence du filtrage

Source : Dage application note


Synthèse
Comment se prémunir de ces phénomènes ?
• Pendant la phase de sélection des composants
• Identifier les technologies à risque
• Réaliser des essais d’immunités

• Pendant la phase de production


• Auditer les EMS en charge de l’assemblage
• Evaluer les doses mise en jeu lors des contrôles fin de ligne
• S’assurer que les bonnes pratiques sont mises en place
(réduction des puissances, limitation du temps
d’inspection, utilisation des filtres adéquats,…)

Attention :
Ce risque devrait augmenter avec la diminution des géométries
Merci de votre attention

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