Département de physique

SMP S5 – 2020/2021
TD n◦ 2 d’électronique analogique
Exercice I :
On étudie le montage amplificateur à transistor à effet de champ donné par le schéma de
la figure 1 . On considère que les capacités C1 , C2 et CG présentent une impédance négligeable
aux fréquences de travail. On tiendra compte dans le schéma équivalent du transistor à effet
de champ de la résistance rds .

VDD

RD C2

rg C1

u e Ru
eg Ve Rs CG RG
Vs

s iq
h y
Figure 1:

p
1. Quel est le type de ce montage ?
d e
ép
2. Donner le schéma dynamique, faibles signaux, du montage en basses fréquences.

d
3. Donner l’expression de vs en fonction de vgs .

SM
4. Quel est la relation entre ve et vgs ?

FS
5. Déterminer le gain en tension en charge Av = vs
ve

6. Déterminer l’impédance d’entrée du montage Ze .

is
7. En déduire le gain en courant Ai = ie

vs
8. Quel est le gain en tension du montage Avm = eg
?

9. Déterminer l’impédance de sortie Zs .

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Exercice II :
On s’intéresse à l’étude dynamique en HF du montage de la figure 2.
On pose :

RB = R1 //R2 ; RL = RC //RU = 1 kΩ ; rg = 50 Ω ; R0 = rbb′ //rb′ e

Les condensateurs C1 , C2 et CE sont des court-circuits aux fréquences étudiées. Les

paramètres du transistor sont les suivants :

rbb′ = 150 Ω ; rce = 32, 7 kΩ ; rb′ e = 850 Ω ; gm = 118 mA.V−1 ; Cb′ c = 4 pF ; Cb′ e = 18, 7 pF

Vcc

u e
R1 RC
C2
s iq
h y
Rg C1

p
eg ve
d e vs Ru

ép R2 RE CE

d
SM Figure 2:

FS Dans tout l’exercice on négligera l’influence de RB et on ne tiendra pas compte de rb′ c .

1. Tracer le schéma équivalent du montage en utilisant le modèle de Giacoletto.

2. On pose A = vvs′ , en utilisant le théorème de Miller, transformer le schéma précédent

b e
et donner les expressions des capacités ramenées en l’entrée Ce et en sortie Cs .

3.
3.1. Simplifier le schéma obtenu en sortie en supposant à priori que | A |≫ 1, et en
comparant les différents éléments avec RL pour une fréquence f = 1 MHz, calculer alors
la valeur de A.
3.2.On pose CT la capacité totale équivalente du circuit d’entrée, calculer CT et tracer le
nouveau schéma du montage.

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vs
4. Déterminer l’expression du gain en tension Av (jω) = ve
, qu’on peut écrire sous la forme :
k
Av (jω) =
1 + j ffh
k et fh sont des constantes à déterminer en fonction des éléments du montage. Quelle est la
valeur de fh ?

Exercice III :
On considère le montage amplificateur à transistor à effet de champ donné par le schéma
de la figure 3.

VDD

u e
RD CD
s iq
C1

h y
p
eg ve RG
d e RS
C2
vs

ép
d Figure 3:

SM
Régime statique :

FS
1. On désire fixer le point de fonctionnement à ID = 2 mA et VDS = 7 V.
On donne IDSS = 8 mA, VP = −2V et VDD = 15 V.
1.1. Calculer la valeur de la tension VGS et déduire la valeur de la résistance RS .
1.2. Déterminer la valeur de la résistance RD .

Régime dynamique ”Etude en haute fréquence” :

On donne : Cgs = 28, 64 pF, Cgd = 10 pF, la pente gm = 1, 8 mA.V−1 et on prend dans
la suite RS = rds = 10 kΩ.

2. Donner le schéma équivalent du montage en dynamique et en HF en supposant les liaisons

par C1 et C2 ainsi que la capacité de découplage CD parfaites. La résistance rgs est supposée
de valeur infinie.

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3. Déterminer, sans utiliser le théorème de Miller, l’expression du gain en tension, en

fonction des éléments du montage. On pose Req = RS //rds et Ygs = jCgs ω.

4. Mettre cette expression sous la forme :

1 + j ωωc
Av (jω) = k ω
1 + jk ωc

k et ωc sont des constantes à déterminer en fonction des éléments du montage.

Donnez les valeurs numériques de k et de fc (fréquence de coupure).

de sortie ZS .
u e
5. Donner le schéma du montage lorsque eg = 0 V et déterminer l’expression de l’impédance

s iq
h y
p
d e
ép
d
SM
FS

FSSM/SMP – S5 4 Fin