Département de physique

SMP S5 – 2020/2021
TD n◦ 1 d’électronique analogique
Exercice I :
On considère l’amplificateur à transistor de la figure 1.1. Le transistor est polarisé par
un pont de résistances :
RB1 = 135 kΩ, RB2 = 15 kΩ, RE = 1 kΩ, RC = 10 kΩ.
On donne : β = 100, VBE = 0, 5 V, Vcc = 15 V.

Vcc Vcc

RB1 RC RC

Rth
u e
s iq
RB2 RE
Vth

h y RE

p
Figure 1.1

d e
Figure 1:
Figure 1.2

ép
d
1. Montrer que les 2 schémas ( Figure 1.1 et Figure 1.2) sont équivalents, pour cela on
exprimera Vth et Rth en fonction de RB1 , RB2 et Vcc .

SM
2. Donner l’expression de la droite d’attaque et la droite de charge.

FS
3. Déterminer le point de fonctionnement IC et VCE en fonction de Rth et Vth , VBE , RE , Vcc
et β.

Exercice II :
On considère le montage à transistor de la figure 2. On donne les valeurs numériques :
RB = 170 kΩ, RC = 400 Ω, RE = 600 Ω, β = 150 et Vcc = 15 V.

Étude statique :
1. Déterminer le point de fonctionnement du transistor : IB0 , IC0 et VCE0 .
On suppose que le courant de la base est négligeable devant le courant du collecteur (β ≫ 1)
et on prend VBE = 0, 6 V.

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Électronique analogique Travaux dirigés

Étude en basses fréquences :

2. Donner le schéma dynamique faibles signaux du transistor.

Vcc

RB RC CL

CL
vs
u e
CB RE ve

s iq
h y
Figure 2:
p
h11 = 500 Ω, h12 = 0, β = 150 et h22 = 0.
d e
On donne les paramètres hybrides en émetteur commun du transistor :

ép
3. Les liaisons par CL et le découplage par CB sont supposés parfaits aux fréquences
d’utilisation.
d
Déduire le schéma dynamique faibles signaux du montage.

SM
4. Déterminer, en fonction des éléments du montage ainsi que les applications numériques
des paramètres suivants :

S
4.1.

F
4.2.
Le gain en tension à vide Av =
La résistance d’entrée Re .
vs
ve
.

4.3. La résistance de sortie Rs .

5. On suppose que h22 n’est pas nul et on prend h22 = 0, 5.10−4 S (avec S≡ Ω−1 ).
5.1. Exprimer le courant ic en fonction de β, ib , ve , vs , et h22 .
5.2. Déterminer de nouveau l’expression du gain en tension à vide Av .
5.3. Calculer sa valeur numérique et conclure.

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Électronique analogique Travaux dirigés

Exercice III : Montage Darlington

Deux transistors T1 et T2 sont montés comme l’indique la figure 3. Le point de
fonctionnement de T2 est défini par : VCE2 = 5 V, VBE2 = VBE1 = 0, 7 V et IC2 = 10 mA.
D’autre part β1 = 70, β2 = 50, h12 = 0 et h22 = 0.

Vcc = 12 V
RC
RB
CL

C
T1

u eVs

Ve
T2

s iq
h y
Figure 3:
p
d e
1. Exprimer et calculer les valeurs numériques des courants continus dans les différentes
branches.

ép
2. Calculer RC et RB .
d
SM
3. Les transistors T1 et T2 forment un transistor équivalent T . Sachant que pour chaque
transistor on a : IC = βIB + (β + 1) ICB0 déterminer l’expression du courant ICB0 de T en

S
fonction de ICB01 de T1 et ICB02 de T2 . Exprimer aussi l’expression de β en fonction de β1
et β2 .

F
4. Considérons les composantes alternatives des courants, exprimer et calculer les nouveaux
paramètres hybrides du transistor T.

5. Calculer la résistance d’entrée du montage, son gain en courant et son gain en tension.

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Électronique analogique Travaux dirigés

Exercice IV :
On considère le montage constitué de deux étages à transistors bipolaires de la figure 4.
Les deux transistors sont supposés identiques.

Vcc

R1 Rc

ib2

CL
u e
ie
CL
ib1

s iq is

eg Ve
h y
R2 RE1
p
RE2 Ru Vs

d e
ép Figure 4:

d
1. Indiquer le type du 1er étage et celui du 2ème étage. Estimer, sans faire aucun calcul, la

SM
valeur du gain en tension du 2ème étage.
On suppose parfaites les liaisons par les condensateurs de liaison CL . Les paramètres du

FS
schéma dynamique des transistors sont h11 , β , h12 = h22 = 0.

2. Donner le schéma dynamique faibles signaux en BF du montage.

3. Déterminer une relation entre ib1 et ib2 .

4. Déterminer l’expression du gain en tension AV = Vs /Ve .

5. Déterminer l’expression de l’impédance d’entrée du montage.

6. Déterminer l’expression de l’impédance de sortie du montage.

FSSM/SMP – S5 4 Fin