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04/03/2018

Chapitre 1

Introduction aux semi


conducteurs et diodes à
jonctions PN
Année Universitaire 2017/2018

Pr. Ismail BOUMHIDI

1. Introduction

Descriptive

Comprendre le fonctionnement interne des composants

Semi conducteur intrinsèque (pur)

Semi conducteur extrinsèque (dopé)

Dégager des modèles simples :

Application : Diodes

Transistors

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Le silicium Si et le germanium Ge base de la fabrication


La répartition des électrons sur les différentes couches :
• Principe de Pauli
Pour le Si, Z=14
• Principe de stabilité

Pour le Ge, Z=32

• Si et Ge Eléments sont tétravalents

• Même structure pour le Si et Ge Atome lié à 4 atomes voisins

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Les électrons de la couche externe (de valence) possèdent de


l’énergie, l’ensemble des niveaux d’énergie de ces électrons forment
la bande de valence (BV)

Si un électron est arraché de son orbite, il devient libre, son niveau


d’énergie augmente, il transite à la bande de conduction (BC).

La bande de conduction et la bande de valence sont séparées par


une bande interdite (BI).

Pour franchir cette bande interdite l'électron doit acquérir de l'énergie


Isolant BI très large
Conducteur BI est nulle
Semi conducteur BI assez étroite

2. Conduction dans un métal

La conductivité σ est définie par: J n = σ E


J n est la densité de courant
Sous l’action du champs électrique les électrons acquièrent
une vitesse appelée vitesse de dérive donnée par :

vn = µ n E µn est la mobilité des électrons

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La densité de courant J n est définie comme étant le courant


I
par unité de surface : J n =
A
Le courant I est la charge qui traverse tout aire par unité de
Nq
temps T soit : I =
T
avec N le nombre total des électrons contenus dans le
métal et T le temps que met un électron pour parcourir la
distance L. La vitesse moyenne de cet électron est donc :
L
vn =
T

N
Et soit n la concentration des électrons : n =
LA
I Nq Nq L
Jn = = = = qnvn = qnµ n E = σE
A TA TA L

Donc par identification on obtient l’expression de la conductivité:

σ = qnµ n

La résistivité :
1
ρ=
σ

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3. Semi conducteur intrinsèque

Un semi conducteur intrinsèque est S.C. dépourvu de toute impureté


susceptible de modifier la concentration de ses porteurs de charge

un électron libre est créé dans la BC


Transition d’un électron

un trou est créé dans la BV

Lorsqu’on applique un champs électrique sur un S.C., les électrons


et les trous prennent un mouvement d’ensemble:

courant électrique même


Electrons de la BC sens inverse de E
sens de E

Trous de la BV même sens que E courant électrique même


sens de E

La conduction dans un S.C. peut se faire par deux mécanismes :

Mouvement d’électron dans la BC

Mouvement de trous dans la BV

Electrons et trous : Apparition et disparition par paire

( ni ) = ( n) = ( p )

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( ni ) : uniquement fonction de la température

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− Eg
ni = A0T exp(
2
)
2 K BT

A0 : Constante qui dépend du matériau

T : Température absolue

Eg : Largeur de la bande interdite

K B : Constante de Boltzman

4. Semi conducteur extrinsèque (Dopé)

S.C. intrinsèque faible conduction introduction d’impuretés

Impureté pentavalente : Atomes ayant 5 électrons sur la couche


externe, ce sont des éléments donneurs d’électrons, (type N) :
Antimoine (Sb) ; Z=51, Arsenic (As) ; Z=33, Phosphore (P) ; Z=15.

Impureté trivalente : Atomes ayant 3 électrons sur la couche


externe, ce sont des éléments accepteurs d’électrons, (type P) :
Aluminium (Al) ; Z=13, Bore (B) ; Z=5, Gallium (Ga) ; Z=31.

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4-1- Semi Conducteur de type N (donneur d’électron)

l’énergie nécessaire pour


extraire l’électron non lié (0,05ev)
est inférieure à l’énergie pour
rompre une liaison covalente

lorsqu’un S.C. est dopé par


l’impureté donneur d’électron la
structure obtenue est la suivante :
les électrons sont majoritaires, les
trous sont minoritaires et des ions
positifs.

4-2- Semi Conducteur de type P (accepteur d’électron)

Lorsqu’on ajoute une impureté


trivalente au S.C. intrinsèque, les 3
électrons provenant de l’impureté
forment trois liaisons covalentes
avec les atomes de silicium voisins,
la nature qui reste constitue un trou

Ce type de dopage fournit les


trous comme porteurs
majoritaires, les électrons
minoritaires et des ions négatifs.

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5- Conductivité liée au deux types de porteurs e-trou

Lorsqu’on applique un champ électrique sur un matériau,


les porteurs libres prennent un mouvement d’ensemble :

- Les trous de mobilité vont dans le sens de E.


- Les électrons de mobilité se déplacent dans le sens contraire à E.

L’expression de la conductivité d’un S.C. intrinsèque ayant n


électron et p trous est donnée par :

σ = σ n + σ p = q(nµn + pµ p ) = qni ( µ n + µ p )

Soit N D la concentration des atomes donneurs d’électrons

Soit N A la concentration des atomes accepteurs d’électrons

la densité totale de positive doit être égale à celle négative selon


l’équation :
ND + p = N A + n
Donc pour un semi conducteur de type N: N A = 0 et n ff p ⇒
n ≈ N D et par conséquent la conductivité est donnée par :

σ = q(nµn + pµ p ) = q( N D µn + pµ p ) = qN D µ n

Et dans ce cas la concentration en trous est donnée par la relation :

ni2
p=
ND

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6. Jonction PN
6.1. Description

association d’un Semi conducteur de


Une jonction PN type N et un autre de type P

La jonction est constituée par la zone frontière

La mise en contact des deux semi conducteurs de type N et de type P

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6.2. Jonction PN non polarisée

La structure obtenue après la mise en contact et diffusion des porteurs


de part et d’autre de la jonction est schématisée par:

r
Création d’un champs électrique interne Eint dirigé de ⊕ vers

La jonction est donc traversée par deux courants de sens contraire :

I1:courant des minoritaires, I2: courant dû à la


appelé : courant de diffusion des porteurs
saturation majoritaires

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Soit V la hauteur de la barrière de potentiel, seuls les électrons


ayant l’énergie W = eV peuvent transiter à la BC

Leur nombre est déterminé par la loi de Maxwell :


−W − eV
n = n0 exp( ) = n0 exp( )
KT KT
n0 : Nombre total des porteurs majoritaires.
Le courant I2 est donc donné par :
− eV
I 2 = I 0 exp( )
KT
A l’équilibre thermodynamique : I1 = I 2 = I s et V = V d

− eVd
I s = I 0 exp( )
KT

6.3. Jonction P N polarisée

6.3.1. Polarisation en directe

Id = I2 − Is

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r r
Création d’un champ Eext de sens opposé au champ Eint

le champ global appliqué sur la jonction diminue

Il en résulte un mouvement important des porteurs


majoritaires et donc un courant de diffusion I 2 donné
par :
− q (Vd − V ) qV
I 2 = I 0 exp( ) = I s exp( )
KT KT

Dans le circuit extérieur circule un courant direct donné par :

qV qV
I d = I 2 − I s = I s exp( ) − I s = I s (exp( ) − 1)
KT KT

6.3.2. Polarisation en inverse

I inv = I s − I 2

r
Le champ Eext créé par
r la source de polarisation a le même sens
que le champ interne int .
E

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Le champ global donc appliqué sur la jonction a augmenté et


s’oppose fortement au passage des porteurs majoritaires.

La jonction est donc polarisée en inverse bloquée

Le courant des porteurs minoritaires se trouve favorisé et tend


rapidement vers un maximum appelé courant inverse de saturation.

Le courant des porteurs minoritaires est donné par :


− qVd
I1 = I s = I 0 exp( )
KT
Le courant des porteurs majoritaires
− q(Vd + V ) − qV
I 2 = I 0 exp( ) = I s exp( )
KT KT

Le courant I 2 a diminué.

Le courant qui circule dans la maille externe est donné par :

− qV − qV
I inv = I s − I 2 = I s − I s exp( ) = I s (1 − exp( ))
KT KT

7. Caractéristique courant /Tension

L’analyse théorique montre que la variation du courant en fonction


de la tension est décrit par une seule équation de la forme :

V
I = I s (exp( ) − 1)
VT

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KT est appelé potentiel thermodynamique.


VT =
q

A température ambiante : VT = 25mV

On distingue ainsi deux cas :

Si V f 0 ⇒ I f 0 , on retrouve l’expression du courant direct :


V
I d = I = I s (exp( ) − 1)
VT

Si V ≤ 0 , on remplace V par (-V) et I par (-Iinv ), on retrouve


l’expression du courant inverse

−V −V
(− I inv ) = I s (exp( ) − 1) ⇒ I inv = I s (1 − exp( ))
VT VT

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8. Détermination expérimentale de la caractéristique


courant/tension

Le symbole électrique de la diode à jonction PN est donné par :

Le tracé expérimental de la caractéristique d’une diode à jonction se


fait en portant sur le graphe les valeurs mesurées des courants en
fonction des tensions à partir des figures ci-dessous.

Polarisation directe

Polarisation en inverse

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On distingue six zones :

Zone OA :C’est la zone de blocage direct ; la diode ne conduit


pas car la tension appliquée à ses bornes est inférieure à la Vd
tension seuil . (Vd = 0,7V ) pour le Si .

Zone AB : C’est la zone de coude, on trouve une loi


exponentielle dès que la tension V f Vd. Le courant augmente
rapidement en fonction de V.

Zone BC : C’est la zone linéaire, la diode est passante. La diode


se comporte comme une résistance.

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Zone OD : C’est la zone de blocage inverse, le courant est nul


et la diode se comporte comme un interrupteur ouvert.

Zone DE : C’est la zone de coude inverse, à partir de la TIM


supportée par la diode on une observe une augmentation du
courant inverse. Le constructeur indique la TIM à ne pas
dépasser.

Zone EF : C’est la zone de claquage, l’augmentation du


courant inverse peut entrainer la destruction du composant.

9. Modélisation de la caractéristique de la diode à jonction


Pour mieux comprendre le fonctionnement de la diode à jonction

Décomposer la caractéristique en modèles simples

9.1. Diode idéale sans seuil et sans résistance interne

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• En polarisation inverse VP − VN ≤ 0 , le courant est nul, la diode se


comporte comme un circuit ouvert (CO)

• En Polarisation directe VP − VN f 0 , le courant est positif, la diode


se comporte comme un court circuit (CC).

9.2. Diode idéale avec seuil V d mais sans résistance interne

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En polarisation inverse VP − VN ≤ Vd , le courant est nul, la diode


se comporte comme un circuit ouvert (CO)

En Polarisation directe VP − VN f Vd , le courant est positif, la diode


se comporte comme un générateur de tension .

9.3. Diode idéale avec seuil Vd et résistance interne r d

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En polarisation inverse VP − VN ≤ Vd , le courant est nul, la diode


se comporte comme un circuit ouvert (CO)

En Polarisation directe VP − VN f V,d le courant est positif, la diode


∆I 1
est passante tgα = =
∆V rd

I −0 1
D’autre part : tgα = =
(VP − VN ) − Vd rd

(VP − VN ) = Vd + rd I d

Cette équation peut être représentée par le circuit suivant :

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10. Droite de charge

10.1. Régime statique

Soit le circuit décrit par :

V E
L’équation de la maille donne : E = RI + V ⇒ I = − +
R R
Equation de la droite de charge

Le point Mo s’appelle le point de repos ou point de fonctionnement.

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10.2. Régime dynamique

Considérons maintenant le montage de la figure ci-dessous dans


lequel on superpose deux tensions : continue E et alternative e(t).

ve (t ) = E + E M sin ωt

e(t ) = EM sin ωt

v ve
L’équation de la maille s’écrit ve (t ) = Ri + v ⇒ i=− +
R R
v E + EM sin ωt
⇒ i=− +
R R

• Si sin ωt = 0 , la droite dynamique est confondue à la droite


statique

v E
⇒ i=− +
R R

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• Si sin ωt = +1 , la droite de charge dynamique devient :

v E + EM
⇒ i=− +
R R

• Si sin ωt = −1 , la droite de charge dynamique devient :

v E − EM
⇒ i=− +
R R

 v(t ) 
M (t )  
 i(t ) 

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11. Quelques applications de la diode à jonction

11.1. Redressement d’une tension alternative

11.1.1.Redressement mono alternance

Le redressement consiste à générer un signal de signe constant à


partir d’un signal alternatif. D est supposée idéale

Pendant l’alternance positive de v(t) ( v(t) f 0 ) ,( v(t) = Vmax sin ωt)


Le courant circule dans le sens passant de D, D ≡ CC , le circuit
équivalent devient :

u(t)= v(t)= Vmax sinωt

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Pendant l’alternance positive de v(t) ( v(t) ≤ 0 ) ,( v(t) = Vmax sin ωt )


Le courant circule dans le sens passant de D, D ≡ CO , le circuit
équivalent devient :

u(t) = RI = 0volts

11. 1.2. Redressement double alternance à deux diodes

Le circuit réalisant cette fonction est donné par :

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v(t) = Vmax sin ωt

Pendant l’alternance positive de v(t) : ( v(t) f 0 )

Pour la maille 1
Le courant circule dans le sens passant de D1
D1 ≡ CC
Pour la maille 2
Le courant circule dans le sens bloqué de D2 D2 ≡ CO
Le circuit équivalent devient :

u(t) = v(t) = Vmax sin ωt

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Pendant l’alternance négative de v(t) ( v(t) ≤ 0 )

Pour la maille 1

Le courant circule dans le sens bloqué de D1 D1 ≡ CO

Pour la maille 2
Le courant circule dans le sens passant de D2 D2 ≡ CC
Le circuit équivalent devient :

u(t) = − v(t) = −Vmax sin ωt

Le tracé des signaux u(t) et v(t) sur le même graphe est donné
par :

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11-2- Filtrage d’une tension redressée

Le filtrage permet de générer une tension sensiblement continue à


partir d’une tension redressé. La tension filtrée est la somme d’une
tension continue U moy (valeur moyenne de u(t) ) et d’une tension de
faible amplitude u’(t) de valeur moyenne nulle appelée tension
d’ondulation.

U F (t) = U moy + u ' (t)

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Le filtrage est d’autant meilleur que la tension d’ondulation u’(t) est


plus faible, c'est-à-dire que : U F (t) ≈ U moy

Le dispositif de filtrage le plus simple consiste à brancher un


condensateur en parallèle à la résistance de charge. Le circuit de
filtrage est donné par :

Pour avoir une ondulation de faible amplitude, il faut choisir la


valeur du condensateur de sorte que la décharge soit la plus lente
possible.

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12. Diode Zener

L’objectif de la diode Zener est la génération d’un signal continu sans


ondulation, cela se passe à travers la stabilisation ou la régulation de
tension.
Le schéma électrique d’une diode Zener est donné par :

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12.1. Caractéristique courant / tension d’une diode Zener

Le circuit permettant le relevé des mesures courant/tension de la


diode Zener est donné par :

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• En polarisation directe ( VP - VN f 0 ) :

la caractéristique de la diode Zener est identique à celle de la diode


normale (diode à jonction PN).

• En polarisation en inverse :

Si Vz ≤ VP − VN ≤ 0 la diode est bloquée

augmentation exponentielle du
Si VP − VN < Vz
courant Zener en fonction de

Les porteurs de charge minoritaires (trous de N et électrons de P)


acquièrent une énergie potentielle importante et provoque la
rupture des liaisons covalentes. Les liaisons rompues créent des
charges libres électron/trous, le nombre de charges libres
augmente et le courant Zener augmente aussi. Ce phénomène se
multiplie et s’appelle effet d’avalanche.

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12.2. Modélisation de la diode Zener

12.2.1.Diode idéale

La caractéristique de cette diode est donnée par :

Dans ce cas la diode est équivalente à un générateur de tension :

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12.2.2. Diode avec résistance r Z

Cette diode possède la caractéristique suivante :

∆I z 1
tgβ = =
∆(VN − VP ) rd

D’autre part,

IZ − 0 1
tgβ = =
(VN − VP ) − VZ rz

(VN − VP ) = VZ + rz I Z

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Cette équation peut être représentée par le circuit suivant :

12.3. Application à la stabilisation de tension

L’application la plus courante de la diode Zener est la régulation de


tension. Le schéma de principe du régulateur de tension est donné
par :

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Le rôle de la diode Zener est de stabiliser la tension (Vs), c'est-à-dire


maintenir (Vs) constante même lorsque E et varient RC.

La stabilisation de tension est mesurée par les coefficients de


stabilisation amont (F) et aval (G). La stabilisation est d’autant
meilleure que ces deux coefficients sont plus faibles.

∆VS
Le coefficient de stabilisation amont est donné par : F = I C = Cte
∆E

Le coefficient de stabilisation aval est donné par : G = ∆VS E = Cte


∆I C

(Voir TD)

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