Vous êtes sur la page 1sur 60

Ce qu'il faut retenir concernant la diode

Anode Cathode Anode Cathode

Sens passant La bague indique la cathode Sens passant


 Jonction polarisée dans le sens inverse:
 eVext  IS  0
I  I d  I S  I S exp( ) -1   I S
 K BT  Anode Cathode
 il circule un léger courant inverse

Id =0
 Jonction polarisée dans le sens direct: IS  0
A K

 eVext 
I  I d  I S  I S exp( )  1 Id  0
 K BT 
avec: 𝐼𝑑 ≫ 𝐼𝑆 en polarisation directe
NB: On note en général l’Anode par la lettre A et la Cathode par K.
1
Pr. ABBOUD
COURS

Chapitre 3

TRANSISTORS BIPOLAIRES
FONCTIONNEMENT ET POLARISATION
Partie 1: Etude statique

Pr. ABBOUD
Chapitre 3: TRANSISTOR BIPOLAIRE

 Construction : Jonctions P-N-P, N-P-N

 Fonctionnement : IE = IB + IC

 Polarisation

 Montage en émetteur commun


 Courbes caractéristiques (Entrée, Sortie)
 Droite de charge statique
 Point de fonctionnement
 Fonctionnement en ampli ou commutateur

Pr. ABBOUD 3
III. Transistor bipolaire
Introduction
le Transistor = l’élément “ clef ” de l’électronique
Il peut :
 amplifier un signal (Amplificateur de V, de I, de P),
 stabilisateur, modulateur de signal,
 être utilisé comme une source de I,
 agir comme un interrupteur commandé (=mémoire binaire)
 essentiel pour l’électronique numérique
,...etc
Il existe soit comme composant discret ou circuit intégré, i.e. faisant
partie d’un circuit plus complexe, allant de quelques unités (ex: AO)
à quelques millions de transistors par circuit (microprocesseurs)

4
Structure et fonctionnement d’un transistor bipolaire

 Un TR bipolaire = élément semi-conducteur dans


lequel sont formées 2 jonctions très voisines.

 Donc deux régions de même types de conductivité


(N ou P) sont séparées par une mince région de
conductivité opposée appelée base.

 Il existe donc 2 types de TR suivant que la région


centrale (base) est de type N en P (NPN ou PNP).

Pr. ABBOUD 5
Structure et fonctionnement d’un transistor bipolaire
 Définition d’un transistor bipolaire
 Le TR bipolaire est crée en juxtaposant 3 couches de SC dopés P+, N
puis P pour le TR PNP (courant dû à un flux de trous) ou dopés N+, P
puis N pour le TR NPN (courant dû à un flux d’électrons).
Le niveau de dopage décroit d’un bout à l’autre de la structure.
 Un faible courant de base, IB, permet de commander un courant de
collecteur, IC, bien plus important.
 Structure simplifiée
Transistor PNP Transistor NPN
E E

P+ Emetteur N+
B B
N Base P
P Collecteur N
C C
 TR= 3 zones différentes, E, B ,C, qui se distinguent par la nature du dopage.
Base:faiblement dopée/Emetteur fortement dopé/Collecteur:Volume (C) >V(E)
 Le couplage entre les jonctions est à l’origine de l’ « Effet Transistor »
Pr. ABBOUD 6
 Représentation symbolique
Sur le symbole du composant, l’émetteur est distingué du collecteur par
une flèche indiquant le sens passant de la jonction base-émetteur.

7
Transistor bipolaire: formation de jonctions
Un transistor bipolaire comporte 3 couches de silicium
disposées en sandwich dans l’ordre PNP ou NPN

Electron: e- Trou: e+
( )
+ Atome fixe (ion positif)
( )
- Atome fixe (ion négatif)

Matériau N Matériau P Matériau N

+ + + - - + + + On peut
assimiler ces 2
+ + + - - + + + jonctions à deux
diodes. Mais ils
ne sont pas
indépendantes
Création de 2 jonctions PN l’une de l’autre.
8
Le Transistor bipolaire
Transistor bipolaire NPN au niveau atomique

Formation de la jonction BE : les atomes de la région N ayant perdu leurs électrons


deviennent des charges positives fixes et les atomes de la région P ayant accepté un
électron forment une charge négative fixe. On obtient ainsi une zone de déplétion
(pauvres en porteurs de chargeurs) entre les deux régions du semi-conducteur,
appelée aussi zone de charge d'espace ou zone de la jonction ; c'est une zone isolante
(ne contient plus les électrons libres ni les trous. Les charges fixes (+Q) d'un coté et
–Q de l'autre forment ainsi une barrière de potentiel ou champ électrique interne E,
ce champ s'oppose aux autres électrons qui tentent de traverser du coté N vers le coté
P; ceci est valable pour l’autre jonction BC.
Matériau N Matériau P Matériau N

Collecteur
+ + + - - - - + + +
Emetteur

+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +
ZCE Base ZCE
ZCE: désigne: zone de charge d’espace (zone ou il n’y a pas de charges libres). 9
 Fonctionnement Normal ou Effet Transistor

Polarisation Polarisation Polarisation Polarisation


direct inverse direct inverse

E C E C
VBE<0 VCB<0 VBE>0 VCB>0

B B

En fonctionnement Normal:
la jonction base–émetteur est polarisée en direct et la
jonction collecteur–base est polarisée en inverse.
Effet transistor:
Il en résulte l’apparition des courants et des tensions avec des règles biens
précises (IE, IC, IB) et (VCE, VBE, VCB)
4-10
 Fonctionnement Normal ou Effet Transistor

Polarisation Polarisation Polarisation Polarisation


direct inverse direct inverse

E C E C
VBE<0 VCB<0 VBE>0 VCB>0

B B
 Symétrie NPN/PNP: Les TR: PNP et NPN

 Comportement analogue à condition d’inverser les polarités des tensions.

IE  0
IE  0 I  0
I  0
 B
 B 
  IC  0
 IC  0 VBE  0, 6 V ; I E  I B  I C
VBE  0, 6 V ; I E  I B  I C
Par convention, les courants entrants sont positifs 4-11
 Fonctionnement, cas du transistor NPN:
On polarise la jonction BE en direct et BC en inverse
- Jonction Base-Collecteur C en inverse: augmentation du champ interne,
- Faible épaisseur de la base: les e- arrivent presque tous au niveau de la
Zone de Charge d’espace (ZCE) Base-Collecteur,
- Les e- sont propulsés dans le collecteur par le champ électrique.

Eex1 Eex2
Matériau N Matériau P Matériau N
Emetteur Base Collecteur

+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +
Vb Vb qlq volts
 0,6 V

12
Vext1 Vext2
 Effet transistor
Relation entre le champ E et la barrière de potentiel V : E=-dV/dx

Les électrons injectés traversent la jonction BC


Eex1 Eex2
Matériau N Matériau P Matériau N
Emetteur Base Collecteur

+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +
Vb Vb
Ie Vext1 Vext2 Ic

Surprise : La jonction BC polarisée en inverse conduit le courant !!!


13
 Au niveau de la base

Recombinaison de certaines paires électrons-trous

Matériau N Matériau P Matériau N

Emetteur Base Collecteur

+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +

Ib

Vext1 Vext2
14
 Au niveau de la base

Courant de trous de la base vers l’émetteur

Matériau N Matériau P Matériau N

Emetteur Base Collecteur

+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +
+ + + - - - - + + +

Ib

Vext1 Vext2
15
 En résumé

Matériau N Matériau P Matériau N

e- injectés e- diffusants e- collectés

e- se recombinant
dans la base

Collecteur
Émetteur

trous injectés

Base 16
 Fonctionnement
 Relation entre les courants IE, IC, IB

E C

VBE<0 VCB<0
B
 Jonction E-B (en directe):
 Les trous passent par diffusion dans B pour donner Idp
 Les électrons diffusent de la B vers E pour donner Idn
 Ii‘: courant inverse dû à l’agitation thermique (minoritaires)
 Jonction B-C (en inverse):
 Grande partie Idp1 de Idp traverse la jonction BC
(polarisation inverse attire les trous vers le collecteur).
 À la jonction BC, il existe aussi un courant inverse de saturation I17S
(=ICBO) qui s’ajoute à Idp1.
 Les trous passent par diffusion dans B pour donner Idp
 Grande partie Idp1 de Idp traverse la jonction BC
 Les électrons diffusent de la B vers E pour donner Idn
 Ii‘: courant inverse dû à l’agitation thermique (minoritaires)
 À la jonction BC, il existe aussi un courant inverse de saturation IS
(=ICBO) qui s’ajoute à Idp1.
Bilan des courants:

I C  I dp1  I S
Idp Idp1
I B  ( I dp  I dp1 )  I dn  I i'  I S
I’i
Idn IS

IE IB IC
Vext1 Vext2

18
 Facteur d’amplification ou Gain de courant DC
95 à 99% trous provenant de l’Emetteur arrivent au Collecteur:
(Idp1 =.IE ) on aura donc:

I 
I C  I dp1  I S   I E  I CBO avec    dp1 
IE  IC    I B  IC   I CBO

 1
I C (1   )   I B  I CBO IC  IB  I CBO
(1   ) (1   )

I C   I B  (1   ) I CBO   
avec    
IC
 1 

En général: ICBO <<IE IB TR


I C  I E  I B PNP

0,95    0,999
20    900 IE=IB+IC
19
6 grandeurs, qui caractérisent le fonctionnement d’un Transistor :
( IB , IC , IE ) et ( VBE , VCE , VBC )
Les relations: IB + IC - IE =0 et VBE + VEC = VBC

 4 grandeurs indépendantes.
TR : on peut considérer le TR comme un quadripôle (une électrode est
commune à l’entrée et à la sortie). Définition:
3 montages sont donc à envisager pour NPN: un quadripôle est un
circuit ou composant qui
 Emetteur commun utilisé en amplification, possède 2 entrées et 2
 Base commune (utilisé en HF), sorties.
 Collecteur commun utilisé en adaptation d’impédance.
VCB IC
C E C B E
IB
B
VCE VBC VEC
VBE VE VCB
IE
B

E B C
Emetteur Commun Base Commune Collecteur Commun
 Propriétés technologiques des transistors bipolaire

( NPN )

Base fine (épaisseur  1m ) pour éviter les recombinaisons

Base faiblement dopée pour limiter le courant de trous

Emetteur fortement dopé pour favoriser l’effet transistor

Le volume de collecteur est plus grand que celui de l’émetteur

Matériau N Matériau N
Matériau P
Emetteur Collecteur
Base
+ + + - - + + +
+ + + - - + + +
21
 Propriétés électriques
IC
IB C
B
VBE VCE
IE

Composant contrôlé par le courant de base : Ic = f(Ib)

Composant utilisant les porteurs majoritaires et minoritaires

Composant utilisant la jonction BC en inverse pour accélérer


les électrons majoritaires de l’émetteur

Pr. ABBOUD
22
 Symboles, tensions et courants

E
 I E : sortant  I E : entrant
 I et I : entrant  I et I : sortant
 B C  B
 
C

VBE  0, 6 V VBE  0, 6 V


VCB  0 VCB  0
23
 Caractéristiques électriques

Nous allons étudier les caractéristiques des transistors NPN

 Les PNP sont les mêmes à un signe prés).


 Les transistors NPN ont de meilleures performances que les PNP.

Les caractéristiques statiques d’un TR bipolaire sont:


 IB=f(VBE) à VCE=constante
Réseau de caractéristique d’entrée,
 VBE=f(VCE) à IB=constante,
Réseau de caractéristique de transfert en tension,
 IC=f(IB) à VCE=constante
Réseau de caractéristique de transfert en courant,
 IC=f(VCE) à IB=constante
Réseau de caractéristique de sortie.
24
 Montage de base

A V

25
 Caractéristique d’un transistor bipolaire

L’ensemble des caractéristiques est résumé sur la figure ci-dessous.

IC (mA)

IC=f(IB) Ic=f(VCE)
VCE constant IB3
IB constant IB2
IB1
IB (µA)
VCE (V)

IB=f(VBE) VBE=f(VCE)
VCE constant IB constant

VBE (V)
26
 Caractéristique d'entrée

La caractéristique d'entrée du transistor est donnée par la relation


IB = f (VBE) à VCE = constant
Cette caractéristique dépend très peu de la tension VCE
(On la donne en général pour une seule valeur de VCE) .

IB

VCE = cte

VBE
0,6V
0,7 V
Pr. ABBOUD 27
 Caractéristique de transfert en courant
IC = f (IB) à VCE = constant

On a déjà démontré que : 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 + (𝛽 + 1)𝐼𝐶𝐵0 ≈ 𝛽𝐼𝐵


 La caractéristique de transfert est donc une droite ;
 Le TR est un générateur de courant commandé par un courant.
 Si on considère le courant de fuite ICEO, la caractéristique ne passe
pas par l'origine, car IC = ICEO pour IB = 0.

à V = cte
CE

28
 Caractéristique de sortie IC = f (VCE):
En pratique, on donne un réseau de caractéristiques pour plusieurs
valeurs de IB : IC = f (VCE) à IB = cte.
Sur ces caractéristiques, on distingue trois zones :
 Zone importante où le courant IC dépend très peu de VCE à IB donné
(c’est la zone de fonctionnement linéaire) ,
 La zone des faibles tensions VCE (de 0 à qlq volts), c'est la zone de
saturation .
 Zone de claquage

Saturation : la jonction CB n’est plus


en polarisation inverse : pas d’effet
de transistor
VCEsat ~ 0 - 1V
29
 Mode de fonctionnement d’un transistor: il existe 3 modes
 le régime linéaire:
Si la jonction BC est polarisée correctement en inverse, alors le
courant (d’e- pour NPN; ou de trous pour PNP) peut traverser cette
jonction. Dans ce cas IC et peut dépendant de VCE: on a le régime
linéaire (IC= .IB)
 le régime saturé:(utilisé en commutation)
Si VCE est nulle ou très faible alors aucun courant ne circule entre
l’émetteur et le collecteur. Dans ce cas on dit que le transistor est
saturé. Le basculement entre le régime linéaire et le régime saturé se
produit à la tension VCEsat (sat pour saturation): le courant IC n’est pas
proportionnel à IB (IC  .IC ). le transistor est saturé et se comporte
comme un interrupteur fermé.
 le régime bloqué:(en commutation)
Si IB  0 donc IC  0 et ceci  VCE .
Dans ce cas on dit que le transistor
est bloqué et se comporte comme
un interrupteur ouvert.

Zone de blocage

30
 Régime saturé: étude détaillée VBB  VBE
I
Pour VBB Vseuil de la jonction PN, on a: B
 IC
R B
RC
Lorsque de VBB ≫ VBE, on peut négliger VBE ,d’où:
IB
VBB VBB VBB RB VCC
IB   IC   I B  
RB RB
Par ailleurs, VCC=RCIC+VCE , d'ou
VCC  VCE V
IC    BB
RC RB
VCC
Si RB ↘ , IB ↗ donc IC ↗ et VCE ↘ . Lorsque VCE=0  I C   I C max
RC
VBB I C max
Si RB ↘ encore , IC = ICmax mais I B   et la relation IC= IB
RB 
n’est plus vérifiée. Le transistor est saturé:
V
VCE  VCEsat  0, 2 à 0, 4 V et I C  CC
RC
Ce cette étude on tire la condition de saturation d’un transistor:
Si  I B I C  le transistor est saturé.
Pr. ABBOUD 31
On remarque que :
 Lorsque IB = 0, IC est sensiblement égal à 0  VCE.
 Lorsque IB augmente, IC augmente proportionnellement à IB .
 Il existe des valeurs maximales à ne pas dépasser sous peine de
destruction de transistor.
 Ces valeurs sont IC maximal, VCE maximal et la puissance maximale que
le transistor peut dissiper (Pdmax = VCE · IC).
Ces valeurs maximales sont données sur la fiche technique du composant
32
 La puissance dissipée dans le transistor est:
PdM ax  VBE I B  VCE I C
Comme VBE I B VCE I C alors PdM ax  VCE I C
Remarque:
La droite de charge statique ne doit pas couper l’hyperbole de la
dissipation maximale, pour ne pas avoir un point de repos dans la zone
interdite (zone hachurée).
33
34
 Polarisation

Pourquoi polarise-t-on le transistor ?

Réponse:
Pour qu’il puisse fonctionner dans la région qui nous
intéresse

Le point de polarisation ou point de fonctionnement se nomme


fréquemment Q.

Le point Q a des coordonnées sur les 4 courbes de la


caractéristiques.

Pr. ABBOUD 35
 Point de fonctionnement

 Comme pour la diode, il faut pouvoir calculer le


point fonctionnement,
 Dans le cas du transistor, il s’agit de trouver le
point de fonctionnement sur les 4 courbes en
même temps,

Pr. ABBOUD 36
Le point de fonctionnement définit géométriquement

IC0 Q

IB0 VCE0

VBE0

4-37
 Circuits de polarisation du transistor (fonctionnement statique)

 Le circuit de polarisation fixe le point de fonctionnement


ou point de repos (ou point statique) du TR.
 Le choix du point de repos dépend de l’application du
circuit.
 Il doit être à l’intérieur du domaine de fonctionnement du
TR: (IC(B) < ICmax,; VCE (BE) <VCEmax....)

Les principales caractéristiques d’un circuit de polarisation


sont :
 Sensibilité par rapport à la dispersion de fabrication du
TR (incertitude sur les paramètres),
 Stabilité thermique.
Pr. ABBOUD 38
 Lois générales de TR (point de fonctionnement statique)
 VBB : établit une polarisation directe de la jonction B-E;
 VCC : établit la polarisation inverse de la jonction B-C
 Sous polarisation directe, la jonction B-E  Diode de seuil VBE0,7 V.
Note: Dans ce montage l’émetteur est à la masse,
Maille d’entrée Maille de sortie
VBB  RB I B  VBE  0 VCC  RC I C  VCE  0
VBB  VBE VCC  VCE
 IB   IC 
RB RC

39
 Influence de la température I S  KT .exp(
m
Eg
)
2 KT
m  2(Germanium)
m  1,5(Silicium)

 La caractéristique d’une jonction PN dépend de la température

 Les courants inverses (mode bloqué) augmentent avec T

 VBE à IB/E constant, diminue avec T , ou réciproquement

 Pour VBE maintenue fixe, IE (et donc IC ) augmente avec T

 Risque d’emballement thermique

Si T  IC  Puissance dissipée T .....

Pr. ABBOUD 40
 Variation des caractéristiques d´un TR avec la température

ϴ -65 25 175
Silicium ICBO (µA) 1,95 10-3 1 33000
β 25 55 100 Si
VBE (V) 0,78 0,60 0,225

ϴ -65 25 175
Germanium

ICBO (µA) 1,95 10-3 1 32 Ge


β 20 55 90
VBE (V) 0,48 0,30 0,20

Facteur de stabilité thermique:

I C I C I C I C I C I C
S I CBO  
I CBO I CBO
S   SVBE  
  VBE VBE
41
 Variation des caractéristiques d´un TR en Si avec la température

42
 Stabilité thermique:
Lors d’une augmentation de température, ICBO,  et VBE , comme on vient
de le voir, varient en créant une augmentation de IC, ce qui provoque une
forte dissipation d’énergie qui a pour effet d’augmenter encore
IC…C’est l’emballement thermique et le transistor peut être détruit.

Pour rendre IC aussi stable que possible et indépendantes des


paramètres ( ICBO,  et VBE ), il faudrait (au premier ordre) que la
différentielle dIC s’annule pour toutes les variations (dVBE, d, dICBO)
soient nuls, ce qui est impossible. S’il n’y a pas de solution exacte, nous
pouvons néanmoins chercher une solution approchée, c’est-à-dire
chercher à quelles conditions ces coefficients peuvent être aussi petits
que possible. Pour cela le concepteur ne peut jouer que sur le choix des
résistances RB et RE.
L’efficacité de la stabilisation est mesurée par les trois facteurs de
stabilité thermique SVBE, S et SICBO. 43
 Stabilité thermique par l’introduction d’une résistance d’émetteur :
La présence de la résistances RE permet une régulation thermique
du transistor. IC
RC
I E  (1   ) I B  EB  RB I B  VBE  RE I E  0 RB
EB  VBE VCE
IE  IB
RB EB VBE EC
RE  RE
(1   )
M
Pour stabiliser le courant IE, il faut le rendre indépendant de β et de VBE.
RB EB
RE  et VBE EB IE   IC
(1   ) RE
 On augmente la stabilité puisque RE tend à limiter les variations de IC dues aux
variations de  et de VBE.
 En effet, si IC augmente, alors IE et VEM augmentent, ce qui contribue à
diminuer IB.
VEM  RE I E E V V
IB  B BE EM

RE
Remarque:
Si la présence de RE n’est pas suffisante, il est faut ajouter
un radiateur sur le transistor. 44
 Facteur de stabilité thermique: prenons le montage suivant:
et montrons que IC=f( ICBO,  et VBE ):
I C   I B  (1   ) I CBO
I C  (1   ) I CBO RC
IB 
Thévenin RC 
RB
RT E
ET
E
VBE
RE
RP
VBE
RE
 ET  RT I B  V BE  R E ( I B  I C )  0

R E I C  ET  V BE  ( RT  R E ) I B remplaçant: I B  I C  (1   ) I CBO on trouve



ET  VBE (1   ).( RT  RE )
IC    I CBO
RT  (1   ) RE RT  (1   ) RE
Cette équation montre que le courant de polarisation IC est une fonction
des trois paramètres du transistor, VBE, β et ICB0.
45
 Facteur de stabilité thermique:
Comme IC est une fonction à trois variables donc sa dérivée totale est:
I C I C I C
dI C  dI CBO  dVBE  d
I CBO VBE 
On pose:
 I C I C

 ICBO I
S  : facteur de stabilité relativement à I CBO
 CBO I CBO
 I C I C
 VBE
S   : facteur de stabilité relativement à VBE
 VBE VBE
 I C I C
 
S   : facteur de stabilité relativement à 
  

Finalement on a: dIC  SICBO dICBO  SVBE dVBE  S d 

46
 Transistor utilisé en commutation
Le transistor est très utilisé en commutation.
Lorsque le TR fonctionne en commutation, on peut le considéré comme
un interrupteur :  OUVERT : transistor Bloqué

 FERME : transistor Saturé


 Transistor bloqué :
Condition de blocage: IB = 0 donc IC = 0 et VCE est maximum RC
C RT
B Interrupteur
IC = 0 VCC
ouvert ET
E
 Transistor saturé :
Condition de saturation: IBIBSAT ; IC est maximum et VCE est minimum
ou nulle .
C I =I
V  VCE VCC C CSat
I CSAT  CC  B Interrupteur
RC RC VCE  0
fermé
E 47
 Mode de fonctionnement

RÉGIONS DE FONCTIONNEMENT D’UN TRANSISTOR BIPOLAIRE

JONCTION
BASE-COLLECTEUR

JONCTION DIRECT INVERSE


BASE-ÉMETTEUR VBC > 0 VBC < 0

Région active directe


DIRECT SATURATION
AMPLIFICATION
VBE > 0 ( Interrupteur fermé )
Gain normal

Région active inverse


INVERSE ( Mode d’amplification BLOCAGE
VBE < 0 presque jamais utilisé ( Interrupteur ouvert )
sauf en circuits TTL)
48
 Montage en émetteur commun
Cette approximation rendra les calculs
plus faciles sans trop perdre de précision

Mode direct

NB: En pratique on prend VBE=0.7V lorsque la jonction B-E est en


mode direct peu importe VCE
49
 Montage en émetteur commun

Transistor NPN en région active ou linéaire


Dans cette région le TR se comporte comme un AMPLIFICATEUR

50
 Montage en émetteur commun

Nous avons aussi les relations suivantes qu’il est intéressant de


connaître

Pr. ABBOUD 51
 Valeurs limites  ICmax : Courant collecteur maximum
 PCmax : Puissance maximale
IC max
 VCEmax : Tension C-E maximale

PC max

PC max

Nous sommes maintenant


prêts à polariser le transistor
pour l’utiliser comme
amplificateur

Pr. ABBOUD 52
 Polarisation fixe

Pr. ABBOUD 53
 Mode saturation

On peut donc faire


l’approximation :

Pour être en mode


En saturation, VCEsat ≈ 0 SATURATION il faut
avoir ICsat tel que :

En général VCEsat < 1V Pr. ABBOUD 54


 Déplacement de la droite de charge:
En modifiant la valeur de RC, on peut déplacer le point de
fonctionnement comme le montre la figure. V V
RC : prend trois valeurs différentes : R3 , R2 , R1 IC  CC CE

RC

Augmentation de RC : R3  R2  R1
VCC
R1
VCC
R2
VCC
Q3 Q2 Q1
R3

Pr. ABBOUD 55
 Transformation du circuit à l’aide du Théorème de Thévenin
d’une polarisation à une source à une polarisation à deux sources:

IP+IB IC
RB RC

IB
IP VCC IC
RP
RC
IB RT
ET VCC

Pr. ABBOUD 56
Polarisation du transistor
Définition
La polarisation consiste à définir le point de fonctionnement statique (point
de repos) du transistor caractérisé par les valeurs VBEo, IBo, ICo et VCEo.
Il existe différents procédés de polarisation
 Polarisation par deux sources de tension
 Droite d’attaque statique
C’est l’équation définie par:
VBB  VBE
VBB  RB I B  VBE  0  IB 
RB
L’intersection de cette droite avec la
caractéristique d’entrée du transistor
Polarisation du transistor par deux sources de tension
donne le point (IBo , VBEo ).

 Droite de charge statique, c’est l’équation définie par: VCC  RC I C  VCE  0 


VCC  VCE L’intersection de cette droite avec la caractéristique de
IC 
RC sortie du transistor donne le point (VCEo , ICo ).

Pr. ABBOUD
57
 Droite d’attaque statique et droite d’attaque statique:

VCC  VCE VBB  VBE


IC  IB 
RC RB

Pr. ABBOUD 58
Schéma de montage:
 Polarisation directe par résistance de base
 Droite d’attaque statique et droite d’attaque:

VCC  VBE VCC  VCE


IB  IC 
RB RC

Polarisation directe par résistance de base


 Polarisation par résistance entre base et collecteur
 Droite d’attaque statique
VCC  RC ( I B  I C )  RB I B  VBE  0  I B  VCC  VBE
RB  (1   ) RC
avec I C   I B
 Droite de charge statique
VCC  VCE
VCC  RC ( I C  I B )  VCE  0  I C 
1
(1  ) RC

Polarisation par résistance entre base et collecteur


59 Pr. ABBOUD
 Polarisation par pont de résistances de base
 Droite d’attaque statique:
Dans ce cas de polarisation, on peut écrire:
VCC  R1 ( I B  I P )  VBE  0

 VBE
 R
 2 PI  V  0  I 
BE P R2
VCC ( R1  R2 )VBE
 IB  
R1 R1 R2
Polarisation par pont de résistances de base

 Droite de charge statique


VCC  RC I C  VCE  0  I C  VCC  VCE
RC

Pr. ABBOUD 60

Vous aimerez peut-être aussi