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1.

1 Les Conducteurs et les Isolants


Un conducteur d'électricité est un corps capable de laisser
passer un courant électrique. Il est caractérisé par une
faible résistivité (<10-5.cm). La conduction s’effectue
par les électrons libres (dont la densité est de 1022 à 1023
par cm3). Exemple : les métaux (Cuivre, Aluminium, …)

Un isolant est, par opposition, un corps qui empêche le


courant électrique de passer. Il est caractérisé par une
résistivité élevée ( >108 .cm). Exemples : le néon, le
verre, le bois, le mica, ….

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1.2 Les semi-conducteurs
Entre les deux catégories (Conducteurs et Isolants),
se trouve la classe des semi-conducteurs.
Ils sont caractérisés par une résistivité comprise
entre 10-3 .cm et 104 .cm.
Exemple : le Silicium, le Germanium (Tétravalents)

Deux atomes voisins peuvent mettre en Chaque atome peut se lier à


commun chacun un électron et deviennent 4 atomes voisins et former
liés par une liaison covalente un tétraèdre

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1.3 Semi-conducteur type “n”
En dopant le Silicium pur ou le Germanium pur avec des atomes pentavalents
(tels que l’Antimoine, l’Arsenic ou le Phosphore), on crée un semi-conducteur
type “n”.
Les électrons excédentaires deviennent comme des électrons libres.

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1.4 Semi-conducteur type “p”
En dopant le Silicium pur ou le Germanium pur avec des atomes trivalents (tels
que le Bore, le Gallium, l’Aluminium ou l’Indium), on crée un semi-conducteur
type “p”.
Les places libres deviennent des « trous ».

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1.5 Porteurs majoritaires – Porteurs minoritaires
Dans un semi-conducteur type n, les électrons sont
appelés porteurs majoritaires et les trous sont
appelés porteurs minoritaires.

A l’opposé, dans un semi-conducteur type p, les


trous sont les porteurs majoritaires et les électrons
sont les porteurs minoritaires.

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2.1 Constitution
Pour fabriquer une jonction pn, on effectue un traitement de surface pour
déposer un semi-conducteur de type n sur la surface externe d’un autre
semi-conducteur de type p

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2.1 Constitution

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2.1 Constitution
Eint
Zone p Zone n
Trous majoritaires Electrons majoritaires

Ions négatifs Ions Positifs


(récupéré un e-) (libéré un e-)
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2.2 Polarisation inverse
Eext Lorsque la zone “p” est reliée à la borne “-”
du générateur et la zone “n” est reliée à la
borne “+”, il y a création d’un champ extérieur
Eext dans le même sens que Eint. On parle de
Eint jonction pn polarisée en inverse. Les porteurs
majoritaires ne peuvent pas traverser la
jonction et la largeur de la zone de déplétion
augmente.

Il existe cependant un faible courant, dû aux


porteurs minoritaires (les quelques électrons
de la zone “p” et les quelques trous de la zone
“n”). Ce courant est appelé courant de
saturation inverse (ou courant de fuite), on le
note IS.
Le courant IS est de l’ordre de quelques
microampères 10-6A (Avec le développement
technologique, on arrive ces dernières années
à l’ordre du nanoampère 10-9A).
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2.3 Polarisation directe
Lorsque la zone “n” est reliée à la borne “-” du
Eext générateur et la zone “p” est reliée à la borne
“+”, il y a création d’un champ extérieur Eext
dans le sens opposé à celui de Eint. On parle de
jonction pn polarisée en direct. Dès que Eext>Eint,
Eint les porteurs majoritaires commencent à traverser
la jonction et la largeur de la zone de déplétion
se rétrécie.
Il y a donc circulation de porteurs majoritaires,
et création d’un courant appelé courant de
polarisation directe, noté ID donné par :

IS qVD
ID  Is (e kT  1)
IS=Courant de saturation inverse
q=1,6.10-19C Charge de l’électron
k=1,38.10-23J/K Constante de Boltzmann
T=Température absolue en Kelvins
VD=Tension de polarisation directe
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3.1 Symbole

Diode

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3.2 Quelques diodes réelles

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3.2 Tracé de la caractéristique d’une diode

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3.3 Tracé de la caractéristique d’une diode
Tension directe nécessaire pour vaincre le
champ interne ; appelée également tension
de seuil.
Sa valeur typique est de :
- 0,6 V pour une diode au Silicium
- 0,2 V pour une diode au Germanium.

Notez que le courant de saturation inverse


est de l’ordre de 10nA pour une diode au
Silicium et de 1A pour une diode au
Germanium

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3.4 Notion de résistance dynamique

- La résistance dynamique est définie


comme étant la tangente en un point :

dVD
rD 
dI D
dVD
rD 
dI D

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3.5 Expression de la résistance dynamique
La valeur du courant de saturation inverse étant très faible
(de l’ordre de 10fA ; le femtoampère 1fA = 10-15A), l’équation
de la caractéristique est donnée par :

qVD qVD
ID  IS (e kT  1)  I S  e kT

En considérant une température ambiante de 25°C, soit 298 K,


on a : ( kT / q ) ≈ 26 mV, soit :

VD
ID  IS  e 26mV

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3.5 Expression de la résistance dynamique
La résistance dynamique est donnée par l’expression :
dVD
rD 
dI D

L’expression de VD en fonction de ID est donnée par :

ID
VD  26mV  ln( )
IS

D’où l’expression de rD :

dVD 1 1 26mV
rD   26mV   
dI D IS ID ID
IS
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4.1 Intérêt du schéma équivalent
La représentation de la diode par sa loi logarithmique est un
peu complexe. Plusieurs schémas équivalents simplifiés peuvent
être employés.
Pour établir ces schémas, on « linéarise » plus ou moins
grossièrement la caractéristique électrique de la diode, puis on
cherche quels composants permettent d’obtenir ces
caractéristiques linéaires.

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4.2 Modèle 1 : Diode avec seuil et résistance

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4.3 Modèle 2 : Diode parfaite (avec seuil)

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4.4 Modèle 3 : Diode idéale

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4.5 Exemple d’illustration
Déterminer VD et ID pour chacun des 3 modèles. On prendra rD = 1 ohm

(1) Modèle 1 : VD  0,6V et rD  1


20VD 200,6 19,4
ID     38,7mA
0,5k  rD 0,5k  1 501

ID
V=20V VD (2) Modèle 2 : VD  0,6V et rD  0
20VD 200,6 19,4
R=0.5k ID     38,8mA
0,5k 0,5k 500

(3) Modèle 3 : VD  0V et rD  0
20VD 200
ID    40mA
0,5k 500

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Déterminer Vo et IR pour les deux circuits suivants :

12  0,6  0,2
12  0,6  0,2  I  5,6k I   2mA
R R 5,6k
Vo  I  5,6k  2mA  5,6k  11,2V
R
ou
Vo  12  0,6  0,2  11,2V

D2 est polarisée en inverse IR  0mA


Donc Vo  IR  5,6k  0  5,6k  0V

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1. La diode en régime continu (DC)

p n
anode cathode

La diode est un composant actif, qui conduit (laisse passer le courant)


lorsque son anode “p” est portée à un potentiel supérieur à celui de sa
cathode “n” : On parle de polarisation directe.
Lorsque la diode conduit, une ddp de 0,6V apparaît entre son anode
et sa cathode (Diode au Silicium).

La diode ne conduira pas (ne laissera pas passer le courant) si son


anode est portée à un potentiel inférieur à celui de sa cathode. On
parle dans ce cas de polarisation inverse.

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1. La diode en régime continu (DC)
Exemple 1 :
En utilisant le modèle parfait de la diode : Diode avec tension de seuil
(0,6V pour le Si et 0,2V pour le Ge)

(a) Déterminer les tensions VO1 et VO2 (Fig. 1(a))


(b) Déterminer le courant I (Fig 1(b))
4.7 k  20 V
12V
Si Si
VO1 Ge VO2 10  I
20 
FIG.1 (a) FIG.1 (b)

(a) VO1  12  0,6  11,4V


VO 2  0,2V

20  0,6
(b) I  0,97 A
20
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1. La diode en régime continu (DC)
Exemple 2 :
En considérant le modèle parfait de la diode, déterminer les tensions V1 et V2
ainsi que la tension Vo

4.7 k  Si Vo
10V 
 V1 
2.2 k V2


 5V

Loi des mailles  10  (5)  I (4,7 k )  0,6  I (2,2k )


14,4
15  0,6  I (6,9k )  I   2,09mA
6,9k
V1  I  4,7 k  2,09mA  4,7 k  9,82V
V2  I  2,2k  2,09mA  2,2k  4,6V
Vo  (5)  V2  4,6  Vo  4,6  5  0,4V

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2. Les redresseurs à diodes
2.1 La diode en régime alternatif (AC)

• Sous une tension d’entrée alternative, la diode conduit lorsque le


potentiel de son anode est supérieur à celui de sa cathode

• La diode “bloque” lorsque le potentiel de son anode est inférieur


à celui de sa cathode

• En général, lorsque la diode conduit, une ddp de 0,6V apparaît à


ses bornes (Diode au Silicium)

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2. Les redresseurs à diodes
2.2 Redressement mono (ou simple) alternance
Lors de l’alternance positive (rouge), D1 conduit et on a en sortie une tension VR

Lors de l’alternance négative (bleue), D1 est bloquée et VR=0

Lors d’une période entière du signal d’entrée, D1 produira la tension VR. C’est une
tension continue, dite mono (ou simple) alternance.
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2. Les redresseurs à diodes
2.3 Redressement double alternance (Transfo à point milieu)

Lors de l’alternance positive, D1 conduit Lors de l’alternance négative, D2 conduit


et produit VR ; D2 est bloquée et et produit VR ; D1 est bloquée et
supporte une tension inverse VD2inv= supporte une tension inverse VD1inv=
V+VR= V+RxI V+VR= V+RxI

Lors d’une période entière du signal


d’entrée, D1 et D2 vont produire
alternativement VR (Tension continue
double alternance).

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2. Les redresseurs à diodes
2.4 Pont de Graëtz
n:1=Vs:V n:1=Vs:V
VR D2
D1

-V
D2 D1 VR
+

-
+
+ + I - - I
-V

+
0.

7V
7V
VS VS

0.
V V

-
+ + t +

+
-
t 0

7V
0 0. t
- 7V 0 +

0.
R + R

-V
- D3 VR VR

+
D3 D4

+
-
-V

+
D4
- - 0 t

V  1.4 VR  I  R V  1.4 VR  I  R
I I
R R

Lors de l’alternance positive, D1 & D3 Lors de l’alternance négative, D2 & D4


conduisent et produisent la tension VR ; conduisent et produisent la tension VR ;
D2 & D4 sont bloquées et supportent D1 & D3 sont bloquées et supportent
une tension inverse VD2inv= VD4inv =V une tension inverse VD1inv= VD3inv =V

D1
Lors d’une période entière du signal
+ D2 I
d’entrée, les diodes D1 à D4 vont
+
0 t VS V
- - D3 D4 R 0
t
produire la tension VR (Tension
continue double alternance).

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2. Les redresseurs à diodes
2.5 Valeur moyenne de la tension de sortie
2.5.1 Redressement mono alternance
Vm=ImxRL 
Im Idc 1
2 0
n:1 Vdc  Vmoy  Vm sin  d

Vm
 cos 0
220V
Vm Vdc RL 
50Hz    2

 m 1  1 m
V V
2 
Exemple :
Un redresseur mono alternance délivre une tension moyenne de 40,5V à une
charge RL=100, à partir d’une source 220V, 50Hz. Faire un schéma du
montage. Déterminer le rapport de transformation du transformateur “n”,
la valeur de la tension inverse maximale supportée par la diode ainsi que le
courant moyen traversant celle-ci. Vm
Im Idc
V  40,5V   Vm  40,5    127,2V

dc
n:1
n 220V 2 220 2
220V Vdc=
   n  2,44
Vm RL 1 Vm 127,2
50Hz 40.5V
100 VinvMAX  Vm  127,2V
40,5V
Vdc  I moy  100  40,5V  I moy   0,405A
100
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2. Les redresseurs à diodes
2.5 Valeur moyenne de la tension de sortie
2.5.2 Redressement double alternance

n:1+1
Im Idc
Vm
220V
50Hz RL
Vm
Vdc Vm=ImxRL 
1
Vdc  Vmoy 
 V
0
m sin  d

  
 
Vm
 cos 0
n :1 

220V
Im Idc 
Vm
1  1 2Vm
50Hz Vm  
RL
Vdc

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2. Les redresseurs à diodes
2.6 Exemples d’illustration
Exemple 1 :
Un redresseur double alternance (transfo à point milieu) délivre une tension
moyenne de 40,5V à une charge RL=100, à partir d’une source 220V,
50Hz. Faire un schéma du montage. Déterminer le rapport de
transformation du transformateur “n”, la valeur de la tension inverse
maximale supportée par la diode ainsi que le courant moyen traversant
celle-ci.

2Vm 40,5  
Vdc  40,5V 
 Vm   63,6V
 2
n:1+1
n 220V 2 220 2 Im Idc
   n  4,89
1 Vm 63,6 Vm
220V
VinvMax  2Vm  2  63,6V  127,2V 50Hz
Vm RL
40,5V Vdc
Vdc  I dc 100  40,5V  I dc   0,405A
100
I dc 0,405
I moy (diode)    0,203A
2 2

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2. Les redresseurs à diodes
2.6 Exemples d’illustration
Exemple 2 :
Un pont de Graëtz délivre une tension moyenne de 40,5V à une charge
RL=100, à partir d’une source 220V, 50Hz. Faire un schéma du montage.
Déterminer le rapport de transformation du transformateur “n”, la valeur
de la tension inverse maximale supportée par la diode ainsi que le courant
moyen traversant celle-ci.

40,5  
2Vm
Vdc  40,5V 
 Vm   63,6V n :1
 2
Im Idc
n 220V 2 220 2 220V
   n  4,89 50Hz Vm
1 Vm 63,6
RL
VinvMax  Vm  63,6V Vdc
40,5V
Vdc  I dc 100  40,5V  I dc   0,405A
100
I dc 0,405
I moy (diode)    0,203A
2 2

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3. Le Filtrage
3.1 Rappel : Décharge d’un condensateur

A l'instant t = 0, uC = E (condensateur chargé), on ferme l'interrupteur K, on a :

C’est une équation différentielle, dont la solution est :

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3. Le Filtrage
3.2 Principe

 de 0 à t1, le condensateur se charge "rapidement" en suivant les variations de la


"tension redressée sans condensateur".
 de t1 à t2, le condensateur se décharge "lentement" dans le récepteur R et
bloque la diode car la tension au niveau de l’anode chute plus rapidement que celle
du condensateur (relié à la cathode). Ici, c'est le condensateur qui fournit
l'énergie à la charge R.
 de t2 à t3, la tension redressée devient supérieure à celle du condensateur,
celui-ci se recharge rapidement en suivant la tension redressée.
 Le cycle reprend …

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3. Le Filtrage
3.3 Double Alternance

tc td

T/2

 de 0 à t1, le condensateur se charge "rapidement" en suivant les variations de la


"tension redressée sans condensateur".
 de t1 à t2, le condensateur se décharge "lentement" dans le récepteur R et
bloque les diodes. Ici, c'est le condensateur qui fournit l'énergie à la charge R.
 de t2 à t3, la tension redressée devient supérieure à celle du condensateur,
celui-ci se recharge rapidement en suivant la tension redressée
 …. et le cycle reprend …. Succession de charges rapides (pendant tc) et
décharges lentes (pendant td)

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3. Le Filtrage
3.4 Ondulation

On appelle “Ondulation” la quantité DV.

Vm Pour obtenir une valeur approchée de cette


ondulation, on effectue les hypothèses
Vdc DV suivantes:
- Le temps de charge tc est très petit
devant le temps de décharge td :

tc td tc <<< td

- La décharge de C est linéaire en


fonction du temps (Condition vérifiée si t
= RC >> T).

t  t 
T 1 Equation de décharge : vo (t )  Vm e RC
 Vm 1   vu que t  RC
tc  td    RC 
2 2f
1 1  1 
1 A t  td  on a : vo ( )  Vm  DV  Vm 1  
t c  t d d' où t d  2f 2f  2 RCf 
2f
Vm
D' où DV 
2 RCf
DV  1 
et Vdc  Vm   Vm 1  
2  4 RCf 

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3. Le Filtrage
3.5 Exemple
Soit le circuit de la figure suivante. Déterminer :
(a) l’ondulation DV
(b) la tension de sortie Vdc (valeur moyenne)
(c) le taux d’ondulation (tond = DV/Vdc)

5:1

220V VSm
50Hz
VSm Vdc
470 500
F  220 2 5
  Vm  62,2V
Vm 1
Vm 62,2
DV    2,65V
2 RCf 2  500  470  10  6  50
DV 2,65
Vdc  Vm   62,2   60,9V
2 2
2,65
t ond   4,35%
60,9

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4. La diode Zener : Symbole & Fonction
Contrairement à la diode conventionnelle, la diode Zener est conçue pour
fonctionner dans la zone d’avalanche. Sa principale application est la
régulation (stabilisation) de la tension.
Alimentation stabilisée = tension de sortie continue (DC) constante (stable) :
- Pour différentes charges
- Sous une tension d’entrée présentant des variations

Diode Zener

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4. La diode Zener : Caractéristique

Diode Conventionnelle Diode Zener

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4. La diode Zener : Caractéristique
Pour un fonctionnement correct de la diode Zener, le courant inverse (IR)
doit être compris entre une valeur minimale (Courant de coude, noté IZK)
et une valeur maximale (IZM) valeur au delà de laquelle, la diode est
détruite.

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4. La diode Zener : Caractéristique Idéale
La caractéristique idéale de la diode Zener est une droite d’equation VR = VZ.
Elle se présente comme suit :

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4. La diode Zener : Caractéristique Linéarisée
La caractéristique réelle de la diode Zener peut être linéarisée, comme
représenté ci-après :

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4. La diode Zener (Applications)

Cours d'Electronique - Chapitre II Prof. N. NGOTE 48


4. La diode Zener (Applications)

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 Le transistor bipolaire est un composant électronique utilisé
comme : interrupteur commandé, amplificateur, stabilisateur
de tension, modulateur de signal …
 Il a trois bornes : la Base, l’Emetteur et le Collecteur

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 Le transistor bipolaire est créé en juxtaposant trois couches
de semiconducteur dopées n, p puis n pour le transistor npn
ou dopées p, n puis p pour le transistor pnp.
 Un faible courant de base, IB, permet de commander un
courant de collecteur, IC, bien plus important.

Cours d'Electronique - Chapitre IV Prof. N. NGOTE 52


2.1 Polarisation

La jonction BE doit toujours


être polarisée en direct
(p relié au + et n au -).

La jonction CB doit toujours


être polarisée en inverse
(p relié au – et n au +).

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2.2 Cas du transistor npn

EBE ECB

La jonction BE est polarisée en direct : Il y a création d’un champ électrique EBE


(En bleu). Ce champ entraîne une injection d’électrons de E vers B. Par
construction, la Base est courte et peu dopée. Ainsi, la plus grande majorité des
électrons émis par l’Emetteur arrive à traverser la Base et parvient au Collecteur.
La jonction CB étant polarisée en inverse, il y règne un champ électrique ECB (En
rouge) qui entraîne les électrons vers le Collecteur : Les électrons émis par
l’Emetteur sont donc collectés par le Collecteur.

Cours d'Electronique - Chapitre IV Prof. N. NGOTE 54


2.3 Relations entre les courants

La plus grande majorité des électrons émis par


l’Emetteur parvient au Collecteur : IC = α.IE,
α étant un coefficient compris entre 0,95 et
0,99 (α ≈ 1 ; α < 1)

IE IC
Le gain en courant β = IC/IB a pour expression :
β = α/(α-1) ; β>>1 ; β est compris entre 20 et
IB
500 pour les transistors usuels
VBE VCB

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3.1 Définition des grandeurs caractéristiques
1 Transistor = 3 pôles (B, C & E), donc 6 grandeurs caractéristiques :
- 3 tensions VCE, VCB et VBE
- 3 courants IE, IB et IC

(4)
Cours d'Electronique - Chapitre IV Prof. N. NGOTE 56
3.2 Détermination pratique
On a donc besoin de 6 relations :

(1) Loi des mailles VCE = VCB + VBE

(2) Loi des nœuds IE = IB + IC

Le constructeur donne :

(3) Caractéristique VBE - IB

(4) Caractéristique VCE - IC

(4)
Cours d'Electronique - Chapitre IV Prof. N. NGOTE 57
3.3 Dispositif expérimental de relevé
des caractéristiques

Cours d'Electronique - Chapitre IV Prof. N. NGOTE 58


3.4 Caractéristiques VBE-IB

La jonction BE est comme une


diode : la caractéristique VBE-IB
n’est autre que la caractéristique
IC d’une diode.
VCE
IB On a donc VBE ≈ 0,7V

IE Exemples:
VBE
VBE=0,7V
IB=20A (Pour VCE=10V)

VBE=0,8V
IB=55A (Pour VCE=10V)

Cours d'Electronique - Chapitre IV Prof. N. NGOTE 59


3.5 Caractéristiques VCE-IC

Le courant de
IC
IB VCE Collecteur augmente
avec le courant de
Base (IC =  .IB)
IE

VBE

Exemples:

VBE=0,7V, IB=20A (Pour


VCE=10V)
On a IC=2,5mA et
=(2,5mA/20A)=125

VBE=0,8V, IB=55A (Pour


VCE=10V)
On a IC=5,4mA et
=(5,4mA/55A)=98
Cours d'Electronique - Chapitre IV Prof. N. NGOTE 60
3.6 Exemples extraits
d’un Catalogue

Cours d'Electronique - Chapitre IV Prof. N. NGOTE 61


3.7 Exemple de calcul
Déterminer les valeurs de  et , pour IB =30A et VCE = 7,5V

Solution

I C 3,2mA
   107
I B 30 A
 106,66
   0,99
  1 107,66
30 A
IC =3,2 mA

7,5V
Cours d'Electronique - Chapitre IV Prof. N. NGOTE 62
3.8 Réseau de caractéristiques (Exemple)

Cours d'Electronique - Chapitre IV Prof. N. NGOTE 63


3.9 Récapitulation
Jusque là, on a établi 4 relations, à savoir :

(1) Loi des mailles VCE = VCB + VBE

(2) Loi des nœuds IE = IB + IC

(3) Caractéristique VBE - IB

(4) Caractéristique VCE - IC

Il manque encore 2 autres relations, on les établira à partir de :

(5) Equation du circuit d’entrée :


Droite d’entrée ou droite d’attaque

(6) Equation du circuit de sortie :


Droite de sortie ou(4)droite de charge
Cours d'Electronique - Chapitre IV Prof. N. NGOTE 64
3.10 Droites d’attaque et de charge

(6) Equation du circuit de sortie :


Droite de charge

(5) Equation du circuit d’entrée :


Droite d’attaque

Cours d'Electronique - Chapitre IV Prof. N. NGOTE 65


3.11 Détermination du point de fonctionnement

Cours d'Electronique - Chapitre IV Prof. N. NGOTE 66


4.1 Définition
Polariser un transistor consiste à
définir son état de
fonctionnement par l'adjonction
de sources de tension continues
et de résistances.
Cet état de conduction est
caractérisé par un point dans
chacun des quadrants du réseau
de caractéristiques, ce point est
appelé point de fonctionnement
ou point de repos.

Le point de fonctionnement caractérise notamment les valeurs des


variables IC et VCE.
Il doit être choisi dans la zone linéaire, en dehors des zones interdites
et doit être peu sensible aux variations de température.

Cours d'Electronique - Chapitre IV


4.2 Polarisation à deux sources de tension

+
VCB
- IC
IB VCC

IE
VBE

Polarisation directe VBE > 0


Polarisation inverse VBC < 0  VCB > 0

C’est un montage qui est très peu utilisé car il nécessite deux sources.

Cours d'Electronique - Chapitre IV


4.3 Polarisation à une source de tension

Polarisation directe VBE = VCC – RB IB

Polarisation inverse VCB = VCC – RC IC - VBE

Cours d'Electronique - Chapitre IV


5.1 Principe (Transistor npn)
+
+ RC ICRC
IBRB RB + -
-
VC -

+
B

VCC
VCE
+ IB -
VBE IE
-

Cette polarisation du transistor pose un problème :


Elle rend le point de fonctionnement instable.
En effet, IC dépend fortement de β ; β lui-même
dépendant de IC et de la température

Si IC augmente, par l’effet de l’agitation thermique, la température augmente, d’où


augmentation de β et, par voie de conséquence, une nouvelle augmentation de IC, et
ainsi de suite, jusqu’à destruction du transistor (Instabilité thermique)
Cours d'Electronique - Chapitre IV
5.2 Cas du transistor pnp

-
- RC ICRC
IBRB RB +

-
+

VC
B
-
+
VCC
IB VCE
-
+
VBE IE
+

Comparé au circuit npn, on procède simplement à l’inversion du sens de la source VCC

Cours d'Electronique - Chapitre IV


5.3 Exemple de calcul de circuit de polarisation
On donne VCC=9V, =50 , RB=100k, RC=1k .
En considérant que VBE=0,7V, déterminer IB, IC, IE, VCE et VCB.

100k RC 1k
RB
IC 9V

+
VC -
+

B
VCC
VCE
+ IB -
VBE IE
-

9  0,7
9  I B 100k  0,7  I B   0,083mA  83A
100k
I C  I B  50  0,083mA  4,15mA
I E  I C  I B  4,15  0,083  4,233mA
VCE  9  I C 1k   9  4,15  4,85V
VCE  VCB  0,7  VCB  4,85  0,7  4,15V

Cours d'Electronique - Chapitre IV


6.1 Principe
Le montage suivant permet de stabiliser la température.

Principe :
Si IC augmente, par l’effet de l’agitation
thermique, IE augmente également (IC=α.IE).
+
Le potentiel d’émetteur (VEM=REIE) croît
+ RC ICRC ainsi que le potentiel de base VBM=VBE+VEM.
IBRB RB - Or VBE=0,7V≈cte, d’où diminution du courant
+

- + de base (IB=(VCC-VBM)/RB), et par


VC -

conséquent une diminution de IC : IC est


B

IB VCE VCC
+V - donc stabilisé.
B E-
+ Le mot “Réaction” signifie qu’une grandeur
RE IERE de sortie (IC) fait varier une grandeur
M - d’entrée (IB).
L’élément de réaction dans ce cas est la
résistance d’émetteur (commune à l’entrée
et la sortie).

Cours d'Electronique - Chapitre IV


6.2 Exemple de calcul de circuit de polarisation
On donne VCC=9V, =50 , RB=100k, RC=1k , RE=0,2k
Pour VBE=0,7V, déterminer IB, IC, IE, VCE et VCB.

9  I B 100k  0,7  50  1I B  0,2k  1   


RB=100k RC=1k 9  0.7
IB   0,0754mA  75,4 A
110k
+ I C  I B  50  0,0754mA  3,77mA
IB VCE
+V - VCC=9V I E  I C  I B  3,77  0,0754  3,84mA
B E-
VCE  9  I C 1k  0,2k   4,476V
RE=0.2k
VCE  VCB  0,7  VCB  4,476  0,7  3,776V

Cours d'Electronique - Chapitre IV


7.1 Principe
Ce montage permet également de compenser la variation de β.

Supposons que la température


du circuit augmente, donc β
augmente et par conséquent IC
également.La tension VCE=VCC-
RCIC diminue donc.
Or VCE=VCB+VBE ; VCB étant la
tension aux bornes de RB, la
tension entre les bornes de la
résistance de base diminue.
Donc le courant base IB
diminue. Le courant base plus
petit contrebalance
l'augmentation originale du
courant collecteur ; d’où
stabilisation de celui-ci.

Cours d'Electronique - Chapitre IV


7.2 Exemple d’illustration

On donne VCC=9V, =50 , RB=500k , RC=1k, RE=0,2k


Pour VBE=0,7V, déterminer IB, IC, IE, VCE et VCB.

VCC  I B RB  0,7  I C  I B RE  RC 


+
RC=1k (I +I )R
500k  0,7  I C 1  0,020,2k  1k 
IC
B C C
9
RB=500k - 50
IC+IB
IC 9  0.7
IB IC   0,739mA
+ 1,224k  500k
VCE 50
VB +V VCC=9V
- I 739A
B E- IB  C   14,78A  I E  739  14,78  753,78A
+  50
RE=0.2k IERE
VCE  9  I C  I B 1k  0,2k   9  753,78 1,2k   8,095V
-
VCE  VCB  0,7  VCB  8,096  0,7  7,395V

Cours d'Electronique - Chapitre IV


8.1 Principe
On remplace VCC, R1 et R2 par le
+ générateur de Thévenin équivalent :

RC ICRC
R1 -
+

+
VC -

IB
B

VB VCE VCC
+V -
B E-

R2 +
RE IERE
-

Si RE>>RTH/β et si VTH>>VBE, on a IC≈VTH/RE


Le circuit ainsi réalisé est insensible à la variation de β et le point de
fonctionnement est fixe. C’est la raison pour laquelle la polarisation par pont de
base et résistance d’émetteur est la plus utilisée.
Cours d'Electronique - Chapitre IV
8.2 Exemple de calcul de circuit de polarisation
On donne VCC=9V, =50 , R1=100k , R2=22k, RC=1k , RE=0,2k
Pour VBE=0,7V, déterminer IB, IC, IE, VCE et VCB.

R1 R2 100k  22k
Rth  RB    18k
R1  R2 122k
R1=100k RC=1k R2 9  22k
Vth  VBB  Vcc   1,623V
R1  R2 100k  22k
IC
+
 I 
VBB  I B RB  0,7  I C  I B RE 
IC
IB VCE RB  0,7   I C  C  RE
+V - VCC=9V    
B E-
VBB  0,7 1,623  0,7
IE IC    1,648mA   1  1
RE=0.2k R 0,2k  18k   
(1  1 ) RE  B
R2=22k   50

 32,96A  I E  1,648  0,03296mA  1,68mA


I 1,648
IB  C 
 50
VCE  9  I C  1k  0,2k   9  1,648mA  1,2k   7,022V
VCE  VCB  0,7  VCB  7,022  0,7  6,322V
Cours d'Electronique - Chapitre IV
8.3 Méthode approchée

Si R2 est très petite devant RE (RE ≥ 10R2),


VCC Le courant IR2 ≥ 10IB ; IB peut être négligé devant
R1 IR2 (approximation)
IC
IB+IR2 IB
VB  On peut donc dire VR 2  VB  VCC
R2
+V R1  R2
BE -
+  VBE  I E RE
R2
IR2 RE IERE
 VBE  I C RE Approximation I E  I C si   1
-

Cours d'Electronique - Chapitre IV


8.4 Exemple de la méthode approchée
On donne VCC=9V, =200 , R1=47k , R2=10k, RC=1k et RE=1k
En considérant VBE=0,7V et en utilisant la méthode approchée, calculer IB,
IC, IE, VCE et VCB.

On a 10R2   RE  100k  200 1k  200k OK pour la méthode approchée


R1=47k RC=1k
R2 10k
IC VCC  VBE  I C RE  9  0,7  I C  1k
+ R1  R2 57k
IB VCE 0,879 0,879
+V IC   0,879mA  I B   4,39A  I E  0,879  0,004  0,883mA
- VCC=9V 1k 200
B E-
IE On a   1, I C  I E
RE=1k VCE  9  I C  2k  7,242V  VCB  VCE  VBE  7,242  0,7  6,542V
R2=10k

Cours d'Electronique - Chapitre IV


1.1 Rappel : Régime statique

Circuit de sortie (Droite de charge)

Circuit d’entrée (Droite d’attaque)

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1.2 Point de fonctionnement statique
ou ”Point de repos”

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 83


1.3 Le régime dynamique : C’est quoi ?
 Le transistor est placé par la polarisation dans une zone où
ses caractéristiques sont linéaires. On applique sur sa base
un petit signal variable Dv qui va provoquer des variations du
courant de base autour de sa valeur de repos. Ces variations
sont amplifiées par le transistor et son courant collecteur
présente également des variations par rapport à la valeur de
repos.

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 84


1.3 Le régime dynamique : C’est quoi ?

 L'étude en régime dynamique consiste donc à analyser le


fonctionnement d'un transistor polarisé lorsqu'on applique de
petites variations à l'une des grandeurs électriques.
Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 85
 Dans le régime dynamique, l’étude va porter sur des
variations de faibles amplitudes de tensions et de
courants, autour de leur valeur de polarisation (de repos).
 Notations :
 Les valeurs de polarisation (de repos) seront notées en
majuscules (V, I). p.ex. VCE, IC, VBE, IB, VCC, VBB, etc.
 Les variations seront notées par des lettres minuscules
précédées de D (Dv(t), Di(t)). p.ex. DvCE(t), DiC(t), DvBE(t),
DiB(t), etc.
 Les valeurs instantanées seront notées par des lettres
minuscules (v(t), i(t)). p.ex. vCE(t), iC(t), vBE(t), iB(t), etc.
 D’après ces notations, et par application du théorème de
superposition, on a :
x(t) = X + Dx(t),
 où x peut être n’importe quelle grandeur électrique du
circuit (courant ou tension)

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 86


= +

Valeur instantanée Valeur statique Valeur dynamique


( i(t) ou v(t) ) (Valeur de repos) (Petites variations)
( I ou V ) ( Di(t) ou Dv(t) )

 A noter finalement que régime de petites variations signifie


que :

Dx(t) << x(t)


 où x peut être n’importe quelle grandeur électrique du circuit
(courant ou tension)

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3.1 Schéma du montage

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 88


3.2 Réseau de caractéristiques

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 89


3.3 Conclusions
 ∣DvBE(t)∣ << ∣DvCE(t)∣ , on a donc amplification de tension

 Quand vBE ➚ , iB et donc iC ➚ et vCE ➘, il y a opposition de


phase entre DvBE et DvCE .

 Les grandeurs électriques comportent une composante


continue et une composante alternative.

 On peut donc décomposer l'analyse du montage en :


 une étude en continu (statique) pour calculer le point
de repos (déjà fait au chapitre précédent),
 une étude en dynamique pour calculer les gains.

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 90


4.1 Théorème de Superposition

Régime Statique Régime dynamique


(Polarisation) (Petites variations)
Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 91
4.2 Rappel sur les quadripôles
 Très souvent, un quadripôle est un tripôle, dont une borne
de l'entrée et une borne de la sortie ont été reliées entre
elles.

 Il est caractérisé par une tension et un courant d’entrée


(V1 et I1) et une tension et un courant de sortie (V2 et I2).

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 92


4.2 Rappel sur les quadripôles
 Il existe principalement 3 représentations pour l’étude
analytique des quadripôles :
 Représentation par la matrice des impédances

V1   z11 z12   I1 


V    z z22   I 2 
 2   21
 Représentation par la matrice des admittances

 I1   y11 y12  V1 


I    y y22  V2 
 2   21
 Représentation par la matrice hybride
V1   h11 h12   I1 
 I   h  V 
 2   21 22   2 
h
C’est cette dernière représentation qui sera utilisée par la suite
Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 93
4.2 Rappel sur les quadripôles
 Paramètres Hybrides :
V1   h11 h12   I1 
 I   h  V 
 2   21 22   2 
h

V1 V I2 I2
h11  ; h12  1 ; h21  ; h22 
I1 V  0 V2 I1  0
I1 V2  0
V2 I1  0
2

 h11 a la dimension d’une impédance (Impédance d’entrée)


 h12 est adimensionnel
 h21 est adimensionnel (Gain en courant)
 h22 a la dimension d’une admittance (Admittance de sortie)

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4.3 Modèle Hybride du transistor
en régime de petites variations

DvBE   h11 h12   DiB 


 Di   h h22  DvCE 
 C   21

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4.4 Schéma équivalent du transistor
en régime de petites variations
DvBE   h11 h12   DiB 
 Di   h h22  DvCE 
 C   21

 h11 : Impédance
(Impédance d’entrée)
 h12 : adimensionnel
 h21 : adimensionnel
(Gain en courant)
 h22 : Admittance
(1/h22 Impédance de
sortie)

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4.5 Détermination des paramètres
hybrides du transistor

DvBE vBE DvBE vBE


h11   ; h12  
Di B DvCE  0
iB vCE  cte
DvCE Di B  0
vCE iB  cte

DiC iC DiC iC


h21   ; h22  
Di B DvCE  0
iB vCE  cte
DvCE DiB  0
vCE iB  cte

 Pour de petites variations, les paramètres hybrides


correspondent aux dérivées partielles de vBE et ic par
rapport à iB et vCE respectivement.
 Leur détermination peut se faire graphiquement en
utilisant le réseau de caractéristiques du transistor.

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 97


4.6 Simplification de la notation
 Dans la suite du cours, on notera les petites variations de
la grandeur x(t) par x(t) et non plus Dx(t) ; soit :

vBE, iB, vCE et ic


à la place de

DvBE, DiB, DvCE et Dic


respectivement.

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4.7 Détermination graphique des paramètres
hybrides du transistor

h22
h21
tg(t)
tg()

h11 h12

tg() tg()

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 99


4.8 Schéma équivalent simplifié
 Dans la pratique, on a généralement :
 ≈ 0 et t ≈ 0
 Soit tg() ≈ 0 et tg(t) ≈ 0 et donc h12 ≈ 0 et h22 ≈ 0 ;
d’où le schéma équivalent simplifié du transistor en régime
de petites variations :

 Pour simplifier, on peut noter :


h11 = r et h21 = β

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 100


5.1 Problématique
 L’étude du régime dynamique revient à étudier les petites
variations autour du point de polarisation.
 Dans la pratique, comment peut-on séparer dans un signal
v(t), les petites variations Dv(t) de la polarisation V ?
(Théorème de superposition inverse)

= +

v(t) V Dv(t)
Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 101
5.1 Problématique
 V est appelée composante continue du signal v(t) ; Dv(t)
est la composante alternative (petites variations).
 La problématique donc est comment peut-on « éliminer » la
composante continue, pour ne garder que la composante
alternative du signal v(t).

 Idée : Un composant électrique qui laisse passer


l’alternatif et qui bloque le continu ?
 En d’autres termes, l’impédance en alternatif très faible
et l’impédance en continu infinie ?

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5.2 Solution : Condensateur de liaison

 En effet, l’impédance du condensateur est ZC = 1/jC :


 Pour le continu,  = 0 et donc ZC   (Circuit ouvert)
 Pour l’alternatif, si on C assez grand, ZC ≈ 0 (Court circuit)

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 103


5.3 Schéma du montage

 Le condensateur CE permet de découpler la résistance RE


en régime dynamique (RE permet de stabiliser β en régime
statique, cf. Chap. V) ….. Voir TD

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5.4 Montage émetteur commun
 Dans ce montage, la borne commune à l’entrée et à la
sortie est l’émetteur. Ci-après le schéma pratique de
l’amplificateur à transistor bipolaire en émetteur commun,
polarisé par pont de base et résistance d’émetteur :

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 105


5.4 Montage émetteur commun

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 106


5.4 Montage émetteur commun

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5.4 Montage émetteur commun

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 108


5.4 Montage émetteur commun
 Le schéma équivalent en régime de petites variations
simplifié se présente alors comme suit :

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 109


5.5 Montage collecteur commun
 Dans ce montage, la borne commune à l’entrée et à la sortie
est le collecteur. Ci-après un schéma de ce montage :

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5.5 Montage collecteur commun
 Le schéma dynamique équivalent est le suivant :

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5.5 Montage collecteur commun
 Le schéma dynamique équivalent simplifié est alors :

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 112


5.6 Montage base commune
 Dans ce montage, la borne commune à l’entrée et à la sortie
est la base. Ci-après un schéma de ce montage :

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 113


5.6 Montage base commune
 Le schéma dynamique équivalent est le suivant :

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 114


5.6 Montage base commune
 Le schéma dynamique équivalent simplifié est alors :

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 115


5.7 Exemple d’illustration
 Donner les schémas dynamiques équivalents (complet et
simplifié) du montage suivant :

VCC
RC
RB
IC
IB vo
vin
RE1

RE2 CE

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6.1 Définitions
 On considère le montage à transistor comme un quadripôle
alimenté par un générateur (eg , Rg) et chargé par une
impédance Rch.

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 117


6.1 Définitions

 On appelle :
 Impédance d’entrée du montage ZE = v1/i1
 Le gain en tension du montage Av = v2/v1
 Le gain en tension global Avg = v2/eg
 Le gain en courant Ai = i2/i1
 L’impédance de sortie Zs = (v2/i2)eg=0

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 118


6.2 Exemples d’illustration
 Déterminer ZE, Av, Ai et Zs pour chacun des montages
suivants :

On considérera le modèle simplifié du schéma dynamique

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 119


6.3 Quelques ordres de grandeur

Cours d'Electronique - Chapitre V Prof. N. NGOTE 120