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N° d’ordre : 2005telb0002

THÈSE

Présentée à

L’ECOLE NATIONALE SUPERIEURE DES TELECOMMNUNICATIONS


DE BRETAGNE
en habilitation conjointe avec l’Université de Bretagne Occidentale

pour obtenir le grade de

DOCTEUR de l’ENST Bretagne

Mention « Physiques et Sciences pour l’Ingénieur »

par

Omar HOUBLOSS

ETUDE ET CONCEPTION D’AMPLIFICATEURS EN ONDES


MILLIMETRIQUES A COMBINAISON SPATIALE DE PUISSANCE

Soutenue le 8 novembre 2005 devant la Commission d’Examen :

Composition du Jury

- Rapporteurs : Eric BERGEAULT, Professeur, ENST Paris


Jean-Michel NEBUS, Professeur, Université de Limoges

- Examinateurs : Philippe GELIN, Professeur / directeur de thèse, ENST Bretagne


Eric RIUS, Professeur, Université de Bretagne Occidentale
Alain PEDEN, Maître de conférence / encadrant, ENST Bretagne
Patrick QUEFFELEC, Professeur , Université de Bretagne Occidentale
Daniel BOURREAU, Maître de conférence / encadrant, ENST Bretagne (Invité )
REMERCIEMENTS

Ce travail a été effectué au sein du Laboratoire d’Electronique et Systèmes de


Télécommunications (L.E.S.T), UMR CNRS 6165, sur le site de l’Ecole Nationale Supérieure
des Télécommunications de Bretagne (ENST Bretagne). J'adresse mes plus vifs
remerciements à mon directeur de thèse Monsieur Philippe GELIN, professeur à l’ENST
Bretagne, et à mes encadrants Messieurs Alain PEDEN et Daniel BOURREAU, maîtres de
Conférences à l’ENST Bretagne. Je les remercie pour avoir assuré l’encadrement de cette
thèse et pour avoir fait preuve d’une grande disponibilité. Qu’ils soient remerciés de même
pour la confiance qu’ils m’ont témoignée durant ce travail.

Je remercie profondément Monsieur Eric BERGEAULT, professeur à l’ENST Paris, et


Monsieur Jean-michel NEBUS, professeur à l'Université de Limoges, d'avoir accepté de juger
ce travail en tant que rapporteurs pour cette thèse.

Mes remerciements vont également Monsieur Eric RIUS et Monsieur Patrick


QUEFFELEC, professeurs à l’Université de Bretagne Occidentale pour avoir accepté de
participer au jury.

Je tiens à exprimer mes sincères et profonds remerciements à Monsieur Michel


RESIBOIS responsable du département Micro-onde de l'ENST Bretagne, à Monsieur Marcel
Le Floc'h, professeur à l'Université de Bretagne Occidentale et directeur de l’école doctorale
SMIS, ainsi qu'à tous les membres du département MO et du LEST qui ont été prodigues en
informations et en conseils.

Je tiens également à remercier Messieurs François Le PENNEC et Sandrick Le


MAGUER pour leur disponibilité dans l’utilisation des moyens informatiques et pour les
conseils qu’ils m’ont apportés.

Je remercie tout spécialement Monsieur Bernard DELLA pour le temps qu’il m’a
consacré ainsi que pour les renseignements qu’il m’a apportés et qui ont été indispensables
dans l’avancement de mes travaux, sans oublier Messieurs Serge PINEL, Raymond
JEZEQUEL, Pascal COANT et Guy CHUITON qui m’ont aidé pour la réalisation et pour les
mesures des différents circuits réalisés au cours de ce travail. Merci aussi à Monsieur Jean-
Pierre CLERE pour sa participation aux réalisations des parties mécaniques de mes circuits.

Mes remerciements également sont adressés aux doctorants et aux stagiaires du


laboratoire pour leur bonne humeur et à Erwan GOURON pour son aide précieuse.

Enfin, je remercie mes parents pour le soutien, l’écoute et la patience qu’ils m’ont
accordés afin de réaliser mes ambitions.
A ma bien aimée
TABLE DES MATIERES

A. Introduction générale..................................................................................... 5

B. Chapitre I : Etat de l’art de la combinaison de puissance........................11


I. Technologie planaire......................................................................................................... 11
II. Combinaison radiale ........................................................................................................ 15
III. Technologie spatiale ou quasi-optique ........................................................................... 17
III.I. Topologie Tile.......................................................................................................... 18
III.I.I. Architecture Grid............................................................................................... 19
III.I.II. Architecture réseau d’antennes actives ............................................................ 23
III.I.III. Conclusion ...................................................................................................... 26
III.II. Topologie Tray ....................................................................................................... 27
IV. Paramètres d’évaluation des amplificateurs de puissance ............................................. 33
IV.I. Rendement de combinaison et rendement en puissance ajoutée ............................. 34
IV.II. Influences des topologies de combinaison de puissance sur les critères
d’évaluation...................................................................................................................... 39
V. Conception d’amplificateurs spatiaux de puissance: démarche adoptée......................... 41
VI. Conclusion ..................................................................................................................... 44
VII. Bibliographie ................................................................................................................ 46

C. Chapitre 2 : Etude d’un diviseur/combineur passif avec la technologie


spatiale en guide d’onde rectangulaire............................................................53
I. Synthèse bibliographique des différentes formes de transitions de guide d’onde vers des
lignes coplanaires ................................................................................................................. 54
II. Analyse théorique ............................................................................................................ 56
III. Simulation et caractérisation d’une transition en bande X............................................. 60
III.I. Optimisation de la géométrie ................................................................................... 61
III.I.I. Choix du substrat diélectrique ........................................................................... 62
III.I.II. Optimisation des paramètres de la transition ................................................... 63
III.II. Tests d’une transition élémentaire et de transitions doubles en bande X ............... 65
IV. Simulation et caractérisation d’une transition élémentaire en bande Ka ....................... 72
IV.I. Optimisation de la géométrie................................................................................... 72
IV.I.I. Choix du substrat diélectrique et détermination des dimensions de la ligne
coplanaire ..................................................................................................................... 72
IV.I.II. Optimisation des paramètres de la transition ................................................... 72
IV.II. Réalisation et test de la transition élémentaire en bande Ka .................................. 80
V. Conclusion....................................................................................................................... 83
VI. Bibliographie.................................................................................................................. 85

D. Chapitre 3 : Etudes et réalisations d’amplificateurs spatiaux de


puissance à N plateaux en guide rectangulaire...............................................89
I. Amplificateurs en guide mono-mode en bande Ka........................................................... 90
I.I. Amplificateur 2×1....................................................................................................... 90

1
I.II. Amplificateur 2×2 ..................................................................................................... 94
I.III. Conclusion sur les structures en guide mono-mode ................................................ 98
II. Amplificateurs en guide multi-modes en bande Ka ........................................................ 98
II.I. Amplificateur 4×2 ..................................................................................................... 98
II.I.I. Définition des marges d’erreur en amplitude et en phase................................. 102
II.I.II. Etude du diviseur/combineur 4×2.................................................................... 106
II.I.III. Simulation des performances de l’amplificateur 4×2 .................................... 108
II.II. Amplificateur 8×2 .................................................................................................. 110
II.II.I. Définition des marges d’erreurs en amplitude et en phase.............................. 111
II.II.II. Optimisation du diviseur 8×2......................................................................... 113
II.II.III. Simulation des performances de l’amplificateur 8×2 ................................... 115
III. Caractérisation de l’amplificateur MMIC .................................................................... 116
IV. Caractérisation expérimentale d’un amplificateur spatial 2×1 .................................... 118
IV.I. Configuration (ON,ON)......................................................................................... 125
IV.II. Configuration (OFF,ON)...................................................................................... 126
IV.III. Configuration (ON,OFF) .................................................................................... 127
IV.IV. Conclusion sur cette rétro-simulation ................................................................. 129
IV.V. Circuits corrigés ................................................................................................... 129
IV.VI. Conclusion sur l’ensemble de ces réalisations.................................................... 132
V. Méthode d’équilibre en phase pour des structures à grand nombre de dispositifs actifs
(brevet FR 05 09759 23-09-2005)...................................................................................... 133
VI. Conclusion ................................................................................................................... 140
VII. Bibliographie : ............................................................................................................ 141

E. Conclusion générale et perspectives..........................................................145

2
3
4
A. Introduction générale

L'évolution des technologies micro-ondes/hyperfréquences, en particulier pour la


génération de signaux, l'amplification et le traitement de signal, est étroitement liée aux
avancées effectuées dans le domaine des composants semi-conducteurs. L'amplification de
puissance à très hautes fréquences à l'état solide s'appuie aujourd'hui, dans de nombreuses
applications civiles et militaires, sur les technologies Si (Silicium) ou GaAs (Arséniure de
Gallium) pour la réalisation de transistors qui ont fait leur preuve en terme de performances
en puissance, linéarité, fiabilité, largeur de bande, bruit… Les nouveaux développements
basés sur les technologies SiC ou GaN dédiées à la forte puissance permettront d'envisager
l'utilisation systématique de transistors dans les émetteurs hyperfréquences.

En 1943, R. Kompfner introduit les tubes à ondes progressives (TOP). Du fait de leur
très forte puissance de sortie ainsi que de leur largeur de bande, ils sont devenus rapidement
des éléments clés dans les systèmes micro-ondes tels que les radars, les charges utiles de
satellites et les stations terriennes, les émetteurs pour faisceaux hertziens,... Aujourd'hui,

5
l'emploi des T.O.P. est prédominant dans de nombreux systèmes de télécommunications
fonctionnant à des fréquences supérieures à 4 GHz avec des niveaux de puissances supérieurs
à 10 W et pouvant aller jusqu’à 1 kW (cf. chapitre 1 [T.1]). En revanche, un inconvénient
majeur de ces amplificateurs est qu'ils nécessitent des tensions d'alimentation très élevées, de
l'ordre de quelques kV, ainsi qu'un temps de pré-chauffage (filament) indispensable avant la
mise en fonctionnement.

De fait, les dispositifs à l’état solide (Solid-State, en anglais) utilisant des diodes ou
des transistors, qui ne demandent pas des tensions d'alimentation aussi élevées ni de pré-
chauffage, peuvent être utilisés avantageusement dans des applications de moyennes
puissances et à des fréquences très élevées (jusqu'en ondes millimétriques). Des oscillateurs à
diode Impatt ou Gunn sont opérationnels jusqu'à 100 GHz, de même pour des amplificateurs à
transistors bipolaires à hétérojonction (HBT) ou à effet de champ (MESFET, HEMT).
Cependant, la puissance générée par les composants diminue lorsque la fréquence augmente
car il est nécessaire de maintenir de faibles dimensions (la largeur de grille d'un FET ou la
surface d'émetteur d'un HBT par exemple) par rapport à la longueur d'onde. Pour augmenter
les niveaux de puissance de sortie à ces fréquences, l'idée de base est donc de combiner ou
d'ajouter les puissances issues de dispositifs individuels de type oscillateurs ou amplificateurs.
Cette technique constitue alors une alternative à la technologie TOP dans le cas de la
combinaison d'amplificateurs à l'état solide (cf. chapitre 1 [Pla.1]) ou permet de disposer d'une
source synchronisée de haute puissance (cf. chapitre 1 [O.1]) par combinaison d'oscillateurs
individuels.

Les techniques de combinaison utilisées dans les amplificateurs ou les sources de


puissance ont fait l'objet de nombreuses études. Le premier chapitre présente les différentes
techniques de combinaison de puissance. La première partie est essentiellement dédiée à la
technologie de combinaison planaire. La seconde partie présente la technologie de
combinaison radiale, suivie, dans la troisième partie, de la technologie de combinaison
spatiale. Les paramètres caractéristiques permettant d'évaluer les performances d’un
amplificateur de puissance sont alors définis dans la quatrième partie. Enfin, la démarche
adoptée pour la conception d’amplificateurs à combinaison spatiale de puissance est présentée
en conclusion de ce chapitre.

6
Dans le second chapitre, nous abordons la première phase de la conception d’un
amplificateur de puissance basée sur la topologie Tray en guide rectangulaire. On y détaille
les étapes de conception de la transition guide rectangulaire-guide planaire retenue pour la
réalisation du diviseur et du combineur à l’aide d’un outil de simulation électromagnétique.
La démarche de conception et d'optimisation présentée est validée par des réalisations et leurs
caractérisations. Il s’agit d’une transition simple et d’une transition double (2 plateaux de 2
transitions, soit 2×2) en bande X, et enfin, d’une transition élémentaire en bande Ka puisque
notre objectif final est la conception d’un amplificateur à combinaison spatiale en ondes
millimétriques.

Le troisième chapitre présente la méthode utilisée pour concevoir des amplificateurs


de puissance en guide rectangulaire (topologie tray) à partir des simulations
électromagnétiques des parties passives et des simulations « circuit » en y intégrant les
données constructeur des amplificateurs MMIC. Ces simulations nous permettent d’étudier la
réponse globale de l’amplificateur spatial en paramètres S ainsi qu’en puissance de sortie pour
valider la combinaison de puissance. Différentes structures d’amplificateurs spatiaux sont
présentées permettant de combiner de 2 à 8 plateaux en parallèle. Au-delà de 2 plateaux, les
dimensions du guide mono-mode nécessitent l’utilisation de guides surdimensionnés donc
multi-modes. La première partie est consacrée à l’étude d’une structure d’amplificateur spatial
en guide mono-mode avec une limitation à 2 plateaux. La seconde est consacrée à l’étude
d’une structure à base de guides multi-modes. Pour chacune des études, nous avons analysé
l’impact d’une différence de phase et d’amplitude entre chaque plateau puisque cela va
conditionner les performances de l’amplificateur spatial. Les troisième et quatrième parties
sont consacrées à la caractérisation expérimentale d’un amplificateur MMIC seul et à la
réalisation puis le test d’un amplificateur spatial 2×1. Dans la dernière partie, un nouveau
concept de diviseur de puissance en guide rectangulaire est proposé pour résoudre le problème
de déphasage au niveau de l’excitation des plateaux lors de la conception d’amplificateurs à
grand nombre de plateaux.

Quelques perspectives sont données en conclusion en vue de concevoir et réaliser des


amplificateurs de forte puissance nécessitant alors la prise en compte des problèmes
thermiques.

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8
9
10
B. Chapitre I : Etat de l’art de la combinaison de
puissance

Ce chapitre présente les différentes techniques de combinaison de puissance. La


première partie est essentiellement dédiée à la technologie de combinaison planaire. La
seconde partie présente la technologie de combinaison radiale, suivie, dans la troisième partie,
de la technologie de combinaison spatiale. Les paramètres caractéristiques permettant
d'évaluer les performances d’un amplificateur de puissance sont alors définis dans la
quatrième partie. Enfin, la démarche adoptée au cours de ce travail pour la conception
d’amplificateurs à combinaison spatiale de puissance est présentée en dernière partie de ce
chapitre.

I. Technologie planaire

La technologie planaire est la plus simple pour la réalisation d'additionneur et de


diviseur de puissance permettant d'associer un nombre important d'amplificateurs individuels.
Un schéma représentatif du principe de la combinaison de puissance en technologie planaire
est donné à la figure 1.1. Sur ce schéma, la division et l'addition sont effectuées sur plusieurs
niveaux selon le nombre d'amplificateurs à combiner : dans cet exemple, trois étapes de
division sont nécessaires pour alimenter les huit amplificateurs élémentaires. Le circuit de
base du diviseur/combineur est alors le diviseur de Wilkinson à deux branches [pla.1]
permettant dans ce cas d'obtenir un circuit planaire, puisque les résistances d'isolation sont

11
reliées entre les deux accès (voir figure 1.2). Le diviseur N-way de Wilkinson pour N > 2 ne
permet pas une réalisation planaire soit parce que les résistances d’isolation sont connectées à
un nœud commun, soit parce que les lignes doivent être reliées deux à deux par les résistances
d’isolation.

Amplificateur
élémentaire

Entrée Sortie

Réseau de
Réseau de combineur
diviseur

Figure 1. 1 : Architecture d'un combineur planaire

Le diviseur de Wilkinson planaire à deux voies est composé de deux lignes de


longueur ?/4 et d'impédance caractéristique Zc = 2 Z 0 , où Z0 est l'impédance caractéristique

de la ligne d’entrée, ainsi que d’une résistance d’isolation R = 100 Ω reliant les deux lignes
?/4 à leurs extrémités (voir figure 1.2).

λ/4 Voie 1

Zc

Entrée Z0 R

Zc
λ/4 Voie 2

Figure 1. 2 : Schéma d’un diviseur de Wilkinson.

12
Pour un diviseur/combineur ayant plus de deux voies, une structure arborescente
composée d’une série de diviseurs de Wilkinson peut être utilisée. Si on veut combiner 2n
amplificateurs, alors il faudra n étages de division/combinaison, comme le montre la figure
1.3, [Pla.2]-[Pla.3]-[Pla.4].

Voie 1
λ/4
Zc
λ/4 R
Z0
Zc
Zc
λ/4
Entrée Voie 2
Z0 R
Voie 3
λ/4
Zc Zc
λ/4 Z0 R

Zc
λ/4
Voie 4

Figure 1. 3 : Diviseur à 4 voies basé sur le principe de Wilkinson.

Cette technologie a pour avantages une complexité de réalisation réduite et une faible
sensibilité de la structure entière à la panne d’un amplificateur élémentaire du fait des
résistances d’isolation entre les voies.

Cette technologie de combinaison est en revanche très peu utilisée si le nombre de


voies devient important (au-delà de 32 voies environ). En effet, dans ce cas, la puissance
apportée par un étage supplémentaire devient inférieure aux pertes des lignes de transmission
de plus en plus longues comme le montre la figure 1.4. En d’autres termes, l’ajout d’un étage
supplémentaire ne fait qu’augmenter les pertes du combineur/diviseur et donc fait chuter le
rendement de combinaison de la structure entière. La courbe de la figure 1.5 montre la
dégradation de la puissance en sortie du combineur/diviseur en fonction du nombre de
composants actifs.

13
Etage 4 Entrée
composant actif
Etage 3
Lignes de plus en L3
plus longues

Etage 2 L2

L1

Etage 1
Entrée
diviseur

Figure 1. 4 : Illustration d’un diviseur planaire à quatre étages avec la mise en évidence de la prolongation
des lignes nécessaires pour les liaisons.

combinaison de puissance
100.00
puissance normalisée

10.00

pertes lignes & Wilkinson

pertes lignes seules

1.00
1 10 100 1000
Nombre d'amplificateurs

Figure 1. 5 : Puissance normalisée d’un amplificateur planaire en fonction du nombre d’amplificateurs.

14
En conclusion, la technologie planaire peut être considérée comme une alternative aux
tubes à ondes progressives dans des applications qui ne nécessitent pas des sources de fortes
puissances.

II. Combinaison radiale

Dans cette partie, nous présentons brièvement la technologie de combinaison radiale.


Le principe consiste à répartir la puissance à partir d’un accès central vers un certain nombre
de voies réparties circulairement comme le montre la figure 1.6.

Amplificateurs à l’état solide

Voies du
diviseur

Entrée Sortie

a b

Figure 1. 6 : Schéma d’un diviseur radial de puissance (a : Vue de dessus, b : Vue de profil).

L’entrée de l’amplificateur radial de puissance est généralement assurée par un guide


coaxial. Les voies du diviseur sont soit en technologie planaire sur substrat [Rad.1] soit en
guide d’onde.

L’accès central de la structure radiale est généralement assuré par une sonde de type
coaxial. Les voies du diviseur peuvent être en technologie planaire sur substrat [Rad.1] ou en
guide d’onde ou à cavité.

15
Par rapport à la technologie planaire, cette technologie présente un avantage important
qui est la réduction des pertes d’insertion du diviseur du fait de la configuration même du
diviseur radial. Que ce soit pour une structure radiale en technologie planaire ou en
technologie guide d’onde et cavité, la transition entre l’accès central du dispositif et les
différentes voies ne nécessite qu’un seul étage de division.

Le tableau ci-dessous donne quelques exemples de réalisation d’amplificateurs


utilisant cette technique de combinaison. Les fréquences de travail vont de la bande X à la
bande Q avec des performances intéressantes en terme de puissance de sortie, de rendement
de puissance ajoutée PAE et de rendement de combinaison ηc (ces paramètres seront définis
précisément au paragraphe IV).

Référence Transistor Nombre et Fréquence Gain Puissance de Bande


type de voies sortie
rendement

[Rad.1], FET GaAs 12 - lignes 8.5 GHz 4 dB 4.4 W 31 %


1978 micro-ruban
G=5.3dB ηc = 87.5%,
PAE = 15.4%
P=0.34W

[Rad.2], FET GaAs 12 - lignes 9 GHz - 10.6 W 25 %


1979 micro-ruban
P=1W PAE = 24.3%

[Rad.3], Système 8 - lignes 16-20 GHz 0.8 dB - 20 %


1983 passif micro-ruban (pertes
d'insersion)

[Rad.4], FET GaAs 8 - lignes 17.7-19.1 38.6 dB 8.2 W 7.6 %


1984 micro-ruban GHz

[Rad.5], FET GaAs 30 - lignes 11.3 GHz < 0.4 dB 26 W 600


1986 micro-ruban (pertes MHz
1W d’insertion)

[Rad.6], MMIC 8 - lignes 61.5 GHz 31 dB 3.8 W 6.5 %


1996 micro-ruban
Tableau 1. 1 : Résumé des performances des différents amplificateurs en technologie radiale

16
Il est à noter que des résistances d’isolation ont été insérées entre chacune des voies
adjacentes dans le but de réduire les dégradations de la puissance de sortie lors d’une
éventuelle panne d’un ou plusieurs composants. De plus, la géométrie symétrique du diviseur
induit une illumination équi-amplitude et équi-phase des voies, ce qui se traduira par un
fonctionnement similaire des différents circuits actifs lors de la montée en puissance
(compression et saturation simultanées des différentes voies). La conception et la mise en
œuvre d’un combineur/diviseur radial est cependant complexe et nécessite une précision
mécanique importante.

III. Technologie spatiale ou quasi-optique

L’amplification spatiale de puissance, ou encore amplification quasi-optique de


puissance, implique que le couplage entre l’entrée et les composants actifs s’effectue en
espace libre et non pas à travers des lignes de transmissions comme c’était le cas avec la
technologie planaire ou radiale. Le principe de l'amplification spatiale est illustré à la figure
1.7.

Amplificateurs

Entrée Sortie

Antenne de sortie
Antenne d’entrée

Figure 1. 7 : Architecture d’un amplificateur spatial.

17
Les accès d'entrée et de sortie de l'amplificateur spatial sont ici réalisés par des
antennes de type cornet rectangulaire ou cylindrique. Les éléments amplificateurs au centre du
dispositif sont également reliés de part et d’autre à des capteurs de type antennes planaires.
L'accès aux amplificateurs se fait sans support physique puisque l'onde émise à partir du
cornet d'entrée est interceptée par les différents capteurs ou éléments de couplage. De même,
en sortie, les ondes amplifiées et émises à partir des antennes planaires sont captées par le
cornet de sortie. La géométrie entière peut être également confinée dans un espace fermé tel
qu’un guide d’onde [Tra.1], [Tra.2]. La technologie spatiale peut se décliner suivant deux
topologies de base qui sont détaillées dans les paragraphes suivants : il s'agit des topologies
"tile" (ou grille) et "tray" (ou plateau).

III.I. Topologie Tile

Dans la topologie Tile, tous les éléments amplificateurs sont disposés sur un même
plan placé perpendiculairement au sens de propagation de l’onde entre l'entrée et la sortie
comme le montre la figure 1.8.

Réseau de circuits
actifs
Entrée

Sortie

Direction de
propagation de l’onde

Figure 1. 8 : Combinaison de puissance utilisant la topologie TILE.

Cette topologie se décline en deux architectures: la première est baptisée


« amplificateur Grid », et la seconde « amplificateur à réseau d’antennes actives ». Ces deux
architectures présentent chacune ses propres avantages et inconvénients.

18
III.I.I. Architecture Grid

En 1991, M. P. Delisio et D. B. Rutledge ont présenté un premier démonstrateur d’un


amplificateur spatial selon l’architecture Grid [Gri.1]. Le principe de cette architecture est
illustré sur la figure 1.9.

Polariseur Polariseur de
d’entrée sortie
Entrée Sortie

E E

Grille active

Figure 1. 9 : Amplificateur spatial de puissance en topologie Tile selon l’architecture Grid [Gri.1].

Le cornet en entrée génère un champ électrique E polarisé verticalement, alors que


celui en sortie est polarisé horizontalement. Les polariseurs servent à assurer une isolation
entre l’onde transmise vers la grille active et entre celle issue de cette dernière vers la sortie.
La grille active est schématisée par un réseau de grilles horizontales et verticales (voir figure
1.10). A chaque intersection de ces lignes est placée une cellule constituée d’une paire de
transistors de type MESFET dont les sources sont reliées de façon à avoir un amplificateur
différentiel. L’onde incidente est captée par les grilles verticales jouant le rôle de dipôle
connectées aux grilles des deux transistors. Les drains des transistors sont reliés aux grilles
horizontales qui émettent l’onde amplifiée vers la sortie.

En 1993, les mêmes auteurs ont présenté un deuxième amplificateur spatial de


puissance selon une approche similaire. Des transistors bipolaires HBT remplacent les
transistors à effet de champ et, de plus, des lentilles focalisantes sont introduites entre les
cornets et les polariseurs dans le but de focaliser d’un côté l’énergie d’entrée vers la grille
active et, de l’autre côté, l’énergie issue de la grille vers le cornet de sortie (voir figure 1.11)
[Gri.2], [Gri.3].

19
Dipôle d’entrée

Paire de
transistors
différentiels

Masse

Composants actifs

Dipôle de sortie

Figure 1. 10 : Réseau actif de l’architecture Grid (appelé grille active)

Polariseur Polariseur de
d’entrée sortie
Entrée Sortie

E E

Lentilles
focalisantes Grille active

Figure 1. 11 : Topologie Tile avec des lentilles focalisantes.

D’autres exemples d'amplificateurs de puissance utilisant la topologie Grid ont été


réalisés à partir de transistors bipolaires [Gri.5], [Gri.8] ou à effet de champ [Gri.4], [Gri.6],
[Gri.7], [Gri.10], avec la grille active insérée dans une section droite d’un guide d’onde
comme illustré sur la figure 1.12 [Gri.9].

20
Cornets focalisants

Guide multi-mode
Entrée Sortie

Circuit actif

Figure 1. 12 : Assemblage d’un amplificateur en topologie Tray dans un guide multi-modes avec des
cornets focalisants.

Le tableau 1.2 résume les performances obtenues par les différentes références citées
ci-dessus. L'architecture de type Grid se prête bien à un fonctionnement en ondes
millimétriques puisque la taille de la grille limite uniquement le nombre de transistors et donc
la puissance du dispositif.

Référence Transistor Nombre Fréquence Gain Puissance Bande


d’éléments de sortie relative

[Gri.1],1991 MESFET 50 3.3 GHz 11 dB - -

[Gri2], 1993 HBT 100 10 GHz 10 dB 450 mW 10 %

[Gri3], 1993 HBT 100 10 GHz 10 dB - 10 %

[Gri4], 1995 MODFET 100 10.1 GHz 9 dB - 11 %

[Gri5], 1996 PHEMT 36 50 GHz 11 dB - 6%

[Gri6], 1996 HBT 36 40 GHz 9 dB 670 mW 4.5 %

[Gri7], 1996 PHEMT 100 9 GHz 12 dB - 5%

[Gri8], 1998 PHEMT 112 38.6 GHz 9 dB 800 mW 5%

[Gri9], 2000 PHEMT 512 37.2 GHz 8 dB 5W 3%

[Gri10],2004 PHEMT 242 31 GHz 12 dB 10 W 4.5 %


Tableau 1. 2 : Résumé des performances des différents amplificateurs en topologie Tile
avec une architecture Grid.

21
Par ailleurs, la topologie Tile basée sur l'architecture "Grid" peut être également
utilisée en réflexion. Cette technique, introduite en 2000 par M. DeLisio [Gri.11], est illustrée
sur la figure 1.13.

Polarisation du
champ électrique
en sortie
E

Miroir et plan
métallique
E

Composants Polarisation du champ


actifs électrique en entrée

Figure 1. 13 : Architecture Grid en mode réflexion.

Le principe consiste à envoyer une onde polarisée horizontalement vers l’entrée de la


grille active derrière laquelle est placé un plan métallique réfléchissant. La grille utilisée ici
garde les mêmes caractéristiques que celle représentée sur la figure 1.10. La grille active
amplifie l’onde incidente qui est ré-émise vers la sortie avec une polarisation verticale.
L'isolation entre l’entrée et la sortie du dispositif est assurée par deux cornets distincts séparés
d'un angle de l'ordre de 20° (voir figure 1.14).

Sortie

E
20°

20°
E

Entrée

Grille active

Figure 1. 14 : Architecture Tile en réflexion avec des cornets mis en déviation.

22
Une autre géométrie basée sur le même principe consiste à remplacer les deux cornets
séparés par deux guides d’ondes reliés orthogonalement par une section intermédiaire en
guide [Gri.13][Gri.14]. Le tableau suivant résume les performances obtenues à ce jour par
cette architecture en réflexion.

Référence Transistor Nombre Fréquence Gain Puissance de Bande


d’éléments sortie relative

[Gri.11], 2000 HBT 16 10.2 GHz 15 dB - 5%

[Gri.12], 2001 HBT 16 8.4 GHz 15 dB 750 mW 9%

[Gri.13], 2003 HEMT 200 - - - -

[Gri.14], 2004 HEMT - 8.2 GHz 5.5 dB 110 mW -


Tableau 1. 3 : Résumé des performances d'amplificateurs en topologie Tile
et d’architecture Grid en réflexion.

Un avantage majeur des dispositifs en réflexion par rapport à ceux en transmission est
la réduction en taille et donc en poids de l'amplificateur. De plus, il devient plus facile de
résoudre les problèmes thermiques générés par un grand nombre d’amplificateurs puisque
tout le réseau d’amplificateurs peut être fixé contre un plan à forte conductivité thermique. Le
schéma d'implantation de la polarisation DC des éléments actifs via la face arrière du réseau
peut être également simplifié. La technologie MMIC est bien adaptée à la réalisation de
grilles actives denses. Cependant, l'inconvénient de la cellule de base est la limitation en gain
et en puissance du fait de la structure différentielle et de la taille des transistors.

III.I.II. Architecture réseau d’antennes actives

La seconde architecture de la même topologie Tile est une architecture de type


« réseau d’antennes actives ». Le principe est le même que celui de l’architecture Grid et
consiste à disposer les composants actifs dans un plan perpendiculaire au sens de propagation
de l’onde. La différence par rapport à l’architecture Grid réside dans la conception même du
plan contenant les éléments actifs. Ce plan actif constitue, de par sa configuration même, une
antenne réseau où à chaque élément rayonnant est associé un circuit amplificateur (voir figure
1.15).

23
Sortie

Entrée
Composants actifs

Figure 1. 15 : Architecture d’une grille de type " réseau d’antennes actives "

L’onde incidente sur la face d'entrée est captée par des antennes de type fente, dipôle
ou patch (en général). Chaque antenne est suivie d'un amplificateur de type MMIC et l’onde
en sortie de chaque amplificateur est guidée vers une seconde antenne dont la polarisation est
perpendiculaire à celle d'entrée, comme le montre la figure ci-dessus, afin d'assurer l'isolation
entre le signal d'entrée et celui de sortie. Le tout constitue un réseau d’antennes actives.

Plusieurs démonstrateurs basés sur cette approche ont été réalisés à ce jour. Dans
[Ant.1], on trouve un réseau à 16 éléments utilisant des diviseurs de type Wilkinson pour
distribuer l’énergie d’entrée vers les 16 amplificateurs MMIC reliés à des antennes de type
micro-ruban. Dans [Ant.2], [Ant.4] et [Ant.5], des cornets rectangulaires en entrée et en sortie
permettent d'éclairer le plan actif sur lequel des antennes patchs assurent la liaison entre les
cornets et les amplificateurs MMIC. Les meilleures performances publiées à ce jour pour des
amplificateurs basé sur cette architecture sont celles présentées dans [Ant.3] : un réseau de
272 éléments fournissant 36 W à 61 GHz a été réalisé (voir figure 1.16).

24
Figure 1. 16 : Synoptique d’un amplificateur de puissance avec 272 MMIC [Ant.3].

Le tableau suivant résume les performances obtenues à ce jour pour des amplificateurs
de puissance en topologie Tile basés sur l’architecture de type « réseau d’antennes ». Cette
topologie est bien adaptée à un fonctionnement en bandes millimétriques.

Référence Composant Nombre Fréquence Gain Puissance Bande


d’éléments relative
MMIC Rendement de
combinaison

[Ant.1], TGA 16 10 GHz - 5W 10 %


1996 8031-SCC
ηc = 64 %
0.5 W

[Ant.2], MMIC 13 30 GHz 16 dB 4W -


1999

[Ant.3], MMIC 272 61 GHz - 36 W 8%


1999

[Ant.4], MMIC 45 34 GHz 10 dB 25 W -


2002

[Ant.5], MMIC 45 34 GHz - 13 W 2%


2002
ηc = 28 %
Tableau 1. 4 : Résumé des performances des différents amplificateurs en topologie Tile à base de réseau
d’antennes actives.

La définition du rendement de combinaison ηc est donnée au paragraphe IV.I de ce


chapitre.

25
III.I.III. Conclusion

Un inconvénient de la configuration Tile est la faible bande de fonctionnement qu'elle


offre. Ceci est dû à la nature « bande étroite » des éléments rayonnants ou de couplage utilisés
dans cette configuration (dipôles, patchs ou slot). Une autre contrainte est la nécessité d'avoir
une excitation uniforme (équi-amplitude et équi-phase) des composants actifs pour obtenir
une combinaison efficace. Une excitation uniforme peut être assurée par des inserts
diélectriques placés sur les bords du cornet parallèlement au champ électrique [Ant.6]. La
bande d'opération sera davantage réduite à travers des interactions entre le réseau et le cornet
lorsque ces deux sont près l'un de l'autre. De plus, l'utilisation des cornets en entrée et en
sortie, éventuellement associés à des lentilles focalisantes, rend la structure relativement
imposante en taille et en poids.

Un autre inconvénient de la topologie Tile est l'évacuation thermique du fait que la


surface de la grille ou du réseau d'antennes est presque entièrement utilisée par les
composants actifs et les éléments rayonnants, et qu'elle n'offre alors plus de place pour
d’éventuels dissipateurs thermiques. De plus, un tel ajout pourrait avoir des effets non
souhaitables sur l'efficacité de rayonnement du réseau. La proximité d'un grand nombre de
dispositifs actifs est également problématique pour la dissipation thermique, en particulier
pour les éléments situés au centre de la grille ou du réseau. L'évacuation devra être effectuée à
travers des plans de masse épais ou via les bords extérieurs du réseau en utilisant un dispositif
de refroidissement liquide.

L’architecture Grid offre l’approche la plus directe pour la fabrication d’une grille
entière en technologie intégrée monolithique.

Dans le prochain paragraphe, nous présentons la seconde topologie de combinaison


spatiale de puissance.

26
III.II. Topologie Tray

La seconde topologie de combinaison spatiale de puissance est la topologie Tray.


Cette dernière consiste à placer un certain nombre de circuits planaires ou plateaux actifs
parallèlement au sens de propagation de l’onde (voir figure 1.17).

Sens de propagation de l’onde


Entrée

Amplificateurs Sortie

Figure 1. 17 : Topologie Tray.

Cette topologie a été introduite par A. Alexanian et R. A. York en 1996 [Tra.1]. Leurs
nombreux travaux sur le sujet, [Tra.2]-[Tra.3]-[Tra.4]-[Tra.5]-[Tra.6]-[Tra.8]-[Tra.9]-
[Tra.10], leur ont permis de développer un amplificateur pouvant fournir une puissance de
l’ordre de 120 W [Tra.7] en bande X [8-12] GHz. Dans ce qui suit, le principe et les
évolutions de cette topologie sont présentés et détaillés. Pour finir, un tableau résume l’état de
l’art des performances des amplificateurs en topologie Tray publiées à ce jour.

Le principe de base de la topologie Tray est illustré sur la figure 1.18 [Tra.1]. Ce
principe consiste à déposer, entre deux guides rectangulaires, des plateaux actifs parallèlement
entre eux. Chaque plateau comporte des transitions de type fente élargie (antenne "Vivaldi")
qui couplent l’énergie du champ dans le guide vers un certain nombre d’amplificateurs MMIC
placés sur les plateaux et vice-versa. Les liaisons entre les lignes fentes et les amplificateurs
sont assurées par des lignes de transmission de type micro-ruban ou coplanaire auxquelles
sont connectés les composants actifs (amplificateurs MMIC, transistors,…).

27
Guide de Sortie

Composants actifs

Transition fente vers


ligne de transmission
Guide
d’Entrée

Figure 1. 18 : Géométrie d'un amplificateur en topologie Tray.

Par rapport à la topologie Tile, la topologie Tray apporte un certain nombre


d'avantages. En effet, avec la topologie Tile, les composants actifs étant disposés sur un même
substrat perpendiculaire au sens de propagation de l’onde, des antennes de type patch ou
dipôle fente ou fil sont utilisées induisant une limitation en bande. De plus, l’isolation entre
l’entrée et la sortie du dispositif complique la structure et nécessite des polarisations
orthogonales. Enfin, dans la plupart des démonstrateurs (en particulier ceux utilisant
l'architecture Grid en transmission), l’évacuation thermique est assurée via la périphérie de la
grille, et donc les dimensions de cette dernière sont limitées pour éviter un échauffement trop
important des composants actifs au centre de cette grille. En revanche, la topologie Tray, par
sa configuration, résout les principales limitations inhérentes à la topologie Tile;
premièrement, la bande de fonctionnement devient plus intéressante du fait de l’utilisation
d’antennes de type fente élargie (antenne "Vivaldi") caractérisées par une large bande
couvrant au moins la largeur de bande normalisée des guides utilisés. De plus, l’isolation
entre entrée et sortie est assurée par la configuration même du dispositif employant ce type
d'antenne (pas de rayonnement arrière) et par conséquent, il n’est plus nécessaire d’avoir des
polarisations orthogonales entre l'entrée et la sortie. Cette topologie permet aussi de disposer

28
de plus de place pour des circuits plus complexes par une extension dans le sens de la
propagation de l’onde. La dissipation thermique est assurée via les substrats diélectriques des
plateaux qui doivent avoir une forte conductivité thermique (le Nitrure d'Aluminium1 par
exemple) et également grâce à un bon contact thermique entre le guide d’onde et les plateaux.
Des montures métalliques posées sous les plateaux pour les maintenir fermement permettent
encore d'améliorer l'évacuation thermique. Le plateau constitué du substrat et du support
métallique est également utilisé pour les accès d'alimentation DC (voir figure 1.19). Chaque
plateau formant un circuit à deux dimensions, une fabrication en technologie monolithique
serait alors envisageable. Une puissance de sortie de 20 W en bande X a été obtenue sur un
premier démonstrateur [Tra.4].

Antennes fentes

Support métallique

Amplificateurs MMIC

Substrat diélectrique

Accès alimentation DC

Figure 1. 19 : Schéma d’un plateau élémentaire monté sur un support métallique pour assurer une bonne
évacuation thermique et un accès DC.

Une modification de ce premier démonstrateur en topologie Tray en guide


rectangulaire consiste à confiner les plateaux entre des blocs métalliques de telle sorte que le
tout forme un guide d’onde rectangulaire ayant les mêmes dimensions que les guides d’entrée
et de sortie (voir figure 1.20). Le fait que les plateaux actifs soient enfermés dans un bloc
métallique, en l’occurrence un guide d’onde, élimine les pertes par rayonnement qui n’ont pas
été prises en compte dans le premier démonstrateur de la figure 1. 18. De plus, les plateaux
sont maintenus parallèlement entre eux par des rainures réalisées dans le guide, augmentant
ainsi les surfaces de contact électrique entre la partie métallique et les plateaux actifs et
procurant également une meilleure évacuation thermique. Un amplificateur de puissance
1
Conductivité thermique κ = 180 W/cm/K

29
fournissant jusqu’à 41 W en bande X a ainsi été réalisé suivant ce principe [Tra.5]. Cet
amplificateur est constitué de quatre plateaux avec deux MMIC sur chacun. A ce jour, la
puissance la plus élevée atteinte avec cette topologie est de 126 W en bande X avec six
plateaux de quatre MMIC chacun [Tra.7].

Figure 1. 20 : Schéma d’un amplificateur de puissance en topologie Tray dans un guide rectangulaire.

Enfin, le guide d’onde rectangulaire peut être remplacé par un guide coaxial comme le
montre la figure 1.21. L'avantage principal est alors une bande passante beaucoup plus large
puisque la fréquence de coupure basse est nulle. Par ailleurs, la structure coaxiale assure
naturellement une illumination équi-amplitude et équi-phase des plateaux amplificateurs.
L'âme centrale du guide coaxial est surdimensionnée afin de pouvoir introduire un nombre
important de plateaux. Un démonstrateur de 32 plateaux fournissant 50 W à 9 GHz a été
réalisé avec une bande de 14 GHz [Tra.9]. Ici la limitation en fréquence provient de la
transition située sur les plateaux (guide vers planaire). La réalisation pratique de ce dispositif
est délicate.

30
Plateau passif avec
deux transitions
fentes en tête bêche
y
y
x
z
z
x

Masse
Âme centrale

z Connecteur coaxial

Figure 1. 21 : Schéma de la topologie Tray en technologie coaxiale avec des antennes en tête bêche.

En résumé, le tableau 1.5 synthétise l'état de l'art des performances d’amplificateurs de


puissance en topologie Tray utilisant un guide d’onde rectangulaire ou un guide coaxial. Les
démonstrateurs réalisés fonctionnent essentiellement en bande X en guide rectangulaire et
jusqu'en bande Ku en guide coaxial. Pour un fonctionnement en ondes millimétriques, la taille
des guides mono-modes devient très faible, limitant ainsi le nombre de plateaux que l'on peut
y insérer.

31
Référence Type de Composant Nombre Fréquence Gain Puissance
guide MMIC amplis ×
élémentaire Nombre Bande Rendement
plateaux de
combinaison

[Tra.2] guide TGA 8014- 2×4 8-12 GHz 9 dB 2.4 W


rectangulaire XCC
1997 40 % ηc = 68 %

[Tra.3] guide à vide 2 × 32 5-20 GHz 1.3 dB (= pertes


coaxial d’insertion)
1997

[Tra.4] guide TGA 8286- 2×4 8.5-10.5 9 dB 20 W


rectangulaire EPU GHz
1998 ηc = 50 %
22 %

[Tra.5] guide TGA 9083- 2×4 8-11 Hz 16.5 dB 41 W


rectangulaire EEU
1999 31.5 % ηc = 73 %

[Tra.6] guide TGA 9083- 4×4 8-11 Hz 12.8 dB 61 W


rectangulaire EEU
1999 31.5 %

[Tra.7] guide TGA 9083- 4×6 8-11 Hz 13 dB 126 W


rectangulaire EEU
1999 31.5 %

[Tra.9] guide TGA 8349 2 × 16 4-15 GHz 1W


coaxial
2002 ηc = 75 %

[Tra.10] guide TGA9092 6-17 GHz 44 W


coaxial
2003
Tableau 1. 5 : Résumé des performances des différents amplificateurs en topologie Tray

La définition du rendement de combinaison ηc est donnée dans ce chapitre au


paragraphe IV.I.

En plus des avantages déjà cités, cette topologie offre un dispositif au final
relativement compact et rigide. Enfin, il est possible d'utiliser des guides d’onde élargis afin
d'augmenter le nombre de plateaux en parallèle pour atteindre des puissances encore plus
importantes. L'élargissement du guide provoque l'apparition de modes supérieurs dont il faut
tenir compte pour obtenir une structure dans laquelle il est possible d'optimiser la répartition

32
du champ en amplitude et en phase et donc d'optimiser l'éclairement des différents plateaux.
Ce point est abordé plus en détail dans le chapitre 3.

Dans la partie suivante de ce chapitre, nous rappelons les paramètres permettant


d'évaluer les performances des amplificateurs de puissance tels que le rendement de
combinaison ou encore le rendement en puissance ajoutée que nous avons déjà évoqué dans
les précédents tableaux de synthèse.

IV. Paramètres d’évaluation des amplificateurs de puissance

Dans les paragraphes précédents, nous avons établi une synthèse détaillée des
différentes technologies et topologies utilisables pour la conception d’amplificateurs de
puissance. Parmi ces technologies, la combinaison spatiale de puissance s’avère un moyen
prometteur à long terme, en particulier pour des applications en ondes millimétriques.

Il existe un certain nombre de critères pour évaluer les performances d’un


amplificateur de puissance à l'état solide, que ce soit en technologie planaire, radiale ou
spatiale. Ces derniers sont détaillés dans cette partie et vont mettre en évidence l’intérêt de la
combinaison spatiale de puissance par rapport à la technologie planaire.

Pour établir ces critères, nous considérons que tous les amplificateurs à l’état solide
ont les mêmes caractéristiques (voir figure 1.22) et que la partie passive, « le diviseur et le
combineur », assure des illuminations uniformes en amplitude et en phase sur tous les
composants. Il va de soi que le diviseur et le combineur doivent apporter un minimum de
pertes pour obtenir en sortie une combinaison efficace et maximale des puissances des
amplificateurs élémentaires.

Pour obtenir une puissance de sortie donnée la plus élevée avec une structure à N
amplificateurs, on peut choisir des amplificateurs qui fournissent les puissances les plus
élevées afin de limiter le nombre N d’amplificateurs élémentaires et donc la complexité du
module entier. En revanche, ces choix doivent êtres revus si l'objectif est d’atteindre un bon
rendement de combinaison. En effet, l’utilisation d’un grand nombre d’amplificateurs de
petites dimensions peut s’avérer plus intéressante puisque les amplificateurs de petites

33
dimensions offrent en général un meilleur rendement en puissance ajoutée par rapport à des
amplificateurs de grandes dimensions [S]. La tolérance sur les variations statistiques des gains
des amplificateurs peut aussi être améliorée avec l’emploi d’un grand nombre
d’amplificateurs. Les critères d’évaluation des amplificateurs que sont le rendement de
combinaison et le rendement en puissance ajoutée sont détaillés dans le paragraphe suivant.

IV.I. Rendement de combinaison et rendement en puissance


ajoutée

L'amplificateur à combinaison de puissance peut être représenté par le schéma de la


figure 1.22. Le diviseur en entrée assure la distribution de l’onde vers un certain nombre de
composants actifs. Un second diviseur, utilisé comme combineur en sortie, assure la
combinaison des ondes issues des différents composants actifs vers la sortie du dispositif. On
considère que les deux diviseurs sont identiques et qu’ils présentent par conséquent les
mêmes pertes Le= Ls.

Diviseur Diviseur de
d’entrée Pdca sortie
Pea
Ps a
G

Pe Ps
Le Ls

Figure 1. 22 : Représentation générale d’un combineur de puissance.

Sur le schéma précédent, on note :


Pe = puissance en entrée de la structure
Le = pertes du diviseur d'entrée

34
Pea = puissance en entrée d'un amplificateur élémentaire
G = gain d’un amplificateur
Pdca = puissance DC fournie par l’alimentation d’un amplificateur élémentaire,
Psa = puissance en sortie d’un amplificateur élémentaire
Ls = pertes du combineur de sortie
Ps = puissance en sortie de la structure

Les pertes du diviseur en sortie déterminent le rendement de combinaison de la


structure entière. Si le circuit est bien adapté, son rendement de combinaison s’écrit sous la
forme suivante :

Ps
ηc = = Ls (1)
N× Psa

Le rendement en puissance ajoutée (Power Added Efficiency (PAE) en anglais), se


calcule pour chaque amplificateur élémentaire comme suit :

Psa − Pea Pea × (G −1)


ηa = = (2)
Pdca Pdca

On peut considérer que la valeur de ηa est fixée par le choix de l'amplificateur. Le but
d’un amplificateur de puissance est donc d’associer un certain nombre de composants actifs
avec une dégradation minimale du rendement en puissance ajoutée globale relativement à ηa.
D’après le schéma présenté par la figure 1.22 et l’équation (2), on peut déduire le rendement
en puissance ajoutée global qui se présente sous la forme suivante :

Ps − Pe
ηsys =
Pdc (3)
or
Ps = Pe × Le ×G × Ls (4)

35
Donc, nous pouvons déduire :

Pe ×(LeGLs −1) (LeGLs −1)


ηsys = = ×η (5)
N× Pdca Le × (G −1) a

A partir de ce résultat, on peut voir que lorsque le gain d’un amplificateur augmente,
la dégradation due aux pertes du diviseur d’entrée devient moins importante.

Dans la limite d’un gain très élevé, le rendement en puissance ajoutée global s’écrit
sous la forme suivante :
ηsys = ηa × ηc (6)

Ce résultat est illustré à travers les courbes ci-dessous donnant le rendement en


puissance ajoutée global normalisé à celui d’un amplificateur élémentaire, soit ηsys/ηa, en
fonction du gain de l’amplificateur élémentaire et pour différentes valeurs de pertes du
diviseur (Le = LS) (voir figure 1.23).

0.95

Le = Ls = -0.2 dB
0.9

0.85
Le = Ls = -0.5 dB
PAE normalisée

0.8

0.75
Le = Ls = -1.0 dB
0.7

0.65

0.6
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
Gain de l'amplificateur (linéaire)

Figure 1. 23 : Rendement en puissance ajoutée, normalisé par rapport à ηa, en fonction du gain de
l’amplificateur : ? équation (5), --- équation (6).

36
On remarque que lorsque le gain de l’amplificateur augmente, le rendement en
puissance ajoutée global s’approche asymptotiquement du rendement de combinaison du
système. Donc, le fait d’avoir des amplificateurs ayant un gain élevé pourra compenser les
dégradations causées par les pertes en entrée sur le rendement en puissance ajoutée. En
conséquence, avoir un gain élevé doit être considéré comme un objectif pour la conception
d’amplificateurs à fort rendement.

Le défi est donc de réussir à augmenter le gain du système sans augmenter la


puissance fournie par l’alimentation DC du réseau d’amplificateurs. Ceci est possible si un
étage supplémentaire est ajouté au schéma précédent. Un étage de pré-amplification peut être
placé en amont de chaque branche du combineur ou devant le diviseur (voir figure 1.24).
Cette dernière solution est celle qui, de toute évidence, minimise la puissance d’alimentation
puisqu’un amplificateur bas niveau, donc consommant peu, est nécessaire pour atteindre le
gain global voulu avec une légère augmentation de la puissance DC consommée.

Diviseur Diviseur de
d’entrée sortie
Pdca
Pdcp Pea
Psa
G

Pep Pe Ps
Gp Le Ls

Figure 1. 24 : Amplificateur de puissance avec un étage de pré-amplification

37
Le rendement en puissance ajoutée (ηsys) d’un tel circuit s’écrit sous la forme
suivante :

G p × Le ×G × Ls −1
ηsys = (7)
1 ×G × L ×(G −1) + 1 × (G −1)
ηa p e
ηp p

où ηp est le rendement en puissance ajoutée du pré-amplificateur donné par:

Pep × (G p −1)
ηp = (8)
Pdcp

Comme il a été fait pour le circuit précédent (voir figure 1.22), sachant que si Le = Ls
et que si on suppose ηp = ηa et G = Gp, l’expression du rendement du système se réduit à :

G × Ls −1
ηsys = ×ηa (9)
G −1

Nous retrouvons alors la même forme de l’expression (5) mais sans les pertes d’entrée
Le. En conséquence, le rendement en puissance ajoutée du système va converger plus
rapidement vers sa valeur limite donné par l’expression (6) malgré la consommation d’une
puissance additionnelle DC. Ceci est évidemment dû à l’emploi d’un pré amplificateur.

En résumé, les pertes de sortie sont considérées comme une valeur de mérite pour la
caractérisation d’un combineur de puissance. D’un point de vue expérimental, les pertes de
sortie sont approximativement déduites en divisant par deux les pertes totales du circuit passif
dans le cas où la structure serait bien sûr symétrique et adaptée.

38
IV.II. Influences des topologies de combinaison de puissance
sur les critères d’évaluation.

Après avoir défini les rendements de combinaison et en puissance ajoutée d’un


amplificateur à combinaison de puissance, nous pouvons évaluer l’incidence des topologies
de combinaison sur ces grandeurs.

Les amplificateurs spatiaux de puissance sont fréquemment considérés comme des


systèmes à fort rendement de combinaison par rapport à un amplificateur à intégration
hybride utilisant des diviseurs Wilkinson. En réalité, si le nombre d’amplificateurs N est
faible, une combinaison spatiale des N amplificateurs présente un rendement de combinaison
plus faible par rapport à une combinaison hybride de ces derniers. Ceci est dû aux pertes
d’insertion du combineur spatial plus élevées. Ces pertes sont principalement causées par des
effets de diffraction ou encore d’excitation de modes d’ordres supérieurs.

Les pertes totales en sortie d’un amplificateur de puissance planaire idéal s’écrit sous
la forme suivante :

Ls = α K (10)

où α marque les pertes par étage et K est le nombre d’étages nécessaires pour combiner N
amplificateurs. S’agissant d’un amplificateur planaire utilisant des additionneurs à 2 voies de
type Wilkinson présentés au paragraphe I, on a : K = Log2 N.

En revanche, les pertes totales en sortie d’un amplificateur spatial de puissance sont
constantes. Pour démontrer l’avantage de la combinaison spatiale par rapport à la
combinaison planaire, nous avons tracé les courbes de la figure 1.25 qui illustrent l’évolution
du rendement de combinaison en fonction du nombre N d’amplificateurs, pour différentes
valeurs de pertes du combineur (pertes ‘alpha’ par combineur planaire à 2 voies et LS pour le
combineur spatial).

39
Figure 1. 25 : Variation du rendement de combinaison en fonction du nombre d’amplificateurs :
amplificateur spatial (- - -), amplificateur planaire (? ).

De toute évidence, le rendement d’un amplificateur spatial reste constant puisque les
pertes de son diviseur sont indépendantes du nombre d’amplificateurs. En revanche, un
amplificateur planaire a un rendement de combinaison qui se dégrade lorsque le nombre
d’amplificateurs augmente. Donc, même si un amplificateur planaire présente moins de pertes
pour un faible nombre de composants, il existe un nombre critique d’amplificateurs au-dessus
duquel le rendement de combinaison de l’amplificateur planaire devient plus faible que celui
de l’amplificateur spatial. Le nombre critique d’amplificateurs est donné par l’équation
suivante :

N c = 2 Ls [ dB ]/ α [ dB ] (12)

On remarque que si le nombre d’amplificateurs à combiner est connu, nous pouvons


déduire à partir de l’équation (12) la technologie qui est la plus intéressante.

L’intérêt de la technologie spatiale par rapport à la technologie planaire peut aussi être
montré du point de vue de la puissance de sortie. En effet, cette dernière qui est

40
proportionnelle au gain total de l’amplificateur (Ps = Pi*G), donc aux pertes du combineur,
peut être illustrée en fonction du nombre d’amplificateurs. Dans le cas de la technologie
planaire, on voit que la puissance de sortie se dégrade considérablement lorsque le nombre
d’amplificateurs augmente. Aux pertes des combineurs à 2 voies viennent s’ajouter celles des
lignes de connexion des différents étages du combineur qui sont de plus en plus longues
lorsque le nombre d’étages K augmente (voir figure 1.26). Ce point a été abordé au
paragraphe I. Au contraire, avec la technologie spatiale, la puissance de sortie reste en
principe indépendante du nombre de composants actifs (voir figure 1.26).

combinaison de puissance
100.00
puissance normalisée

10.00

Spatial

Planaire

1.00
1 10 100 1000
Nombre d'amplificateurs

Figure 1. 26 : Puissance normalisée en fonction du nombre d’amplificateurs pour les technologies spatiale
et planaire.

V. Conception d’amplificateurs spatiaux de puissance:


démarche adoptée

Cette partie présente la démarche suivie au cours de c travail pour la conception


d’amplificateurs à combinaison spatiale de puissance. Les étapes et leurs enchaînements sont
résumés sur la figure 1.27 et sont détaillés ci-après.

41
1. Propriétés et spécifications 2. Choix de la topologie de
de l’amplificateur. combinaison la plus adaptée.

3. Conception de la partie passive : diviseur/combineur.

4. Recours à des outils 5. Simulation du


performants pour comportement de
l’analyse des structures. l’amplificateur assemblé.

7. Validation des
résultats obtenus par 6. Réalisation et
analyse causale. caractérisation.

8. Conclusion et perspectives.

Figure 1. 27 : Détail des étapes de conception d’un amplificateur de puissance

1. Spécifications de l’amplificateur : cette première étape n’est autre que le cahier des
charges. Celui-ci comporte plusieurs paramètres à optimiser simultanément tels que la
puissance, le gain, le rendement de combinaison et celui en puissance ajoutée, ainsi que la
bande de fonctionnement du dispositif. Il est également très important de spécifier dès le
départ l’environnement dans lequel l’amplificateur sera utilisé, c’est-à-dire l’application. Par
exemple, un amplificateur à bord d’un satellite n’aura pas les mêmes caractéristiques et
contraintes de fonctionnement que celui placé dans une station terrestre. Ces contraintes
d’environnement ont un impact décisif sur le choix de la topologie et des matériaux qui seront
retenus par la suite. Pour notre travail, il s’agit de concevoir un amplificateur à rendement de
combinaison élevé couvrant la bande Ka [26-40 GHz]. Ici, une puissance de sortie élevée
n’est pas à priori un objectif en soi puisqu’il s’agit de démontrer la faisabilité d’une
combinaison de puissance efficace en ondes millimétriques.

2. L’étape suivante consiste à choisir parmi les topologies existantes celle qui est la
plus appropriée pour la conception de l’amplificateur spécifié. Nous avons retenu la

42
combinaison spatiale basée sur une topologie Tray en guide rectangulaire pour des raisons
d’efficacité de combinaison par rapport aux technologies planaires lorsque le nombre
d’amplificateurs est important, mais également du fait des possibilités de forte puissance
qu’elle offre, de la largeur de bande et de sa relative simplicité de mise en œuvre à partir
d’une technologie hybride.

3. Une fois choisie la topologie de l'amplificateur, la conception débute par l’étude de


la partie passive c’est-à-dire le diviseur/combineur. La conception de ce dernier peut en effet
se faire, dans un premier temps, de manière indépendante de la connaissance des composants
actifs utilisés. Dans un seconde temps, la conception de la partie passive consisterait à étudier
le comportement de la structure en fonction des impédances de charge présentées aux accès
planaires permettant ainsi de prendre en compte l’impact des pannes des amplificateurs
élémentaires sur la combinaison spatiale et d’en maîtriser les effets par une conception
appropriée. Le choix d’un substrat et d’une technologie planaire adaptés à l’application est la
première phase de la conception. Dans la topologie Tray, le plateau sert de support à la
transition entre le guide rectangulaire et la ligne planaire permettant le report des circuits
actifs (MMIC). La conception de cette transition passe par le choix du substrat diélectrique
adéquat et de la technologie planaire la plus appropriée. Pour notre étude, les deux substrats
retenus sont le téflon et l’alumine (faibles pertes à très hautes fréquences), et les technologies
planaires choisies sont de type coplanaire et micro-ruban car elles sont bien adaptées au report
de composants actifs. Le choix définitif entre ces différentes technologies et substrat sera
exposé au chapitres 2 et 3.

4. L’analyse des structures consiste à étudier le comportement électromagnétique du


combineur/diviseur. Pour cela, un outil de simulation électromagnétique compatible, en temps
de calcul et de capacité mémoire, avec la structure à analyser doit être choisi. En l’occurrence,
l’outil de simulation électromagnétique retenu est le logiciel Ansoft HFSS basé sur la
méthode des éléments finis. En effet, un maillage fin de la structure va s’avérer indispensable
pour l’étude électromagnétique du diviseur, et HFSS, avec la méthode numérique mise en
œuvre, permet un maillage complet et précis de cette structure.

5. L’amplificateur spatial peut ensuite être assemblé à partir du diviseur, du combineur


et des amplificateurs individuels. Une étude de son comportement global à partir d’une

43
simulation « circuit » (paramètres S et en puissance) peut se faire avec un outil de CAO
approprié. Dans notre cas, il s’agit du logiciel ADS (Advanced Design System) d’Agilent
Tehnologies.

6. Lorsque les résultats de simulation sont satisfaisants par rapport au cahier des
charges, l’amplificateur spatial est réalisé puis caractérisé en paramètres S en fonction de la
fréquence, en gain et en puissance. Dans notre cas, plusieurs réalisations préliminaires ont été
effectuées afin de caractériser dans un premier temps la partie passive (diviseur/combineur)
puis, après validation de la conception de ces éléments, un amplificateur spatial constitué de
deux plateaux ayant un amplificateur MMIC sur chacun.

7. Dans le cas de performances dégradées (faible gain, désadaptation,…), une analyse


minutieuse du circuit réalisé associée à une « rétro-simulation » doit permettre de déterminer
les causes de ces dégradations.

8. Finalement, après validation du concept de combinaison spatiale de puissance en


ondes millimétriques à partir d’une topologie Tray, une perspective à ce travail est
d’augmenter la puissance de sortie donc d’augmenter le nombre de plateaux. Comme la
topologie Tray en guide rectangulaire normalisé ne permet pas de le faire, nous avons
envisagé et étudié une solution alternative innovante d’un combineur/diviseur en guide élargi
permettant de résoudre ce problème (ce point est détaillé au chapitre 3).

VI. Conclusion

Dans ce chapitre, nous avons présenté un état de l’art des différentes topologies et
technologies utilisables pour la conception d’amplificateurs à l’état solide à combinaison de
puissance. Les technologies en concurrence planaire, radiale ou spatiale (en guide ou non)
permettent d'atteindre des niveaux de puissance importants (126 W en bande X par exemple
avec la combinaison spatiale de type Tray) et le choix de la topologie se fera sur des critères
d’efficacité de combinaison, de possibilité de forte puissance, de montée en fréquence, de
largeur de bande de fonctionnement et de facilité de mise en œuvre.

44
Quelques rappels des définitions des grandeurs électriques caractéristiques d’un
amplificateur ont également été présentés. L'intérêt de la technologie de combinaison spatiale
par rapport à la technologie planaire a été mis en évidence, intérêt principalement lié à la
conservation du rendement de combinaison indépendamment du nombre de composants
combinés.

Dans le chapitre qui suit, nous allons aborder la première phase de la conception d’un
amplificateur de puissance basée sur la topologie Tray en guide rectangulaire. Plus
précisément, ce deuxième chapitre développe les étapes de conception et la caractérisation des
transitions guide rectangulaire-guide planaire pour la réalisation du diviseur et du combineur
de puissance.

45
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50
51
52
C. Chapitre 2 : Etude d’un diviseur/combineur
passif avec la technologie spatiale en guide
d’onde rectangulaire

Ce chapitre présente la première phase de la conception d’un amplificateur spatial de


puissance en topologie Tray et en guide rectangulaire. Cette phase consiste à étudier la partie
passive de l’amplificateur constituée du diviseur et du combineur. Dans notre cas, le diviseur
fonctionne aussi en combineur puisque la structure est réciproque. Dans la topologie Tray, le
diviseur est formé par la mise en parallèle d’un certain nombre de plateaux qui font office de
transitions entre le guide rectangulaire et les composants actifs de l’amplificateur. Dans la
première partie de ce chapitre, une synthèse bibliographique présente les différentes formes de
transitions utilisables pour la topologie choisie et parmi lesquelles nous avons retenu la mieux
adaptée à notre cahier des charges. Après une rapide analyse théorique de la transition,
l'optimisation de la transition à l'aide de simulations électromagnétiques est présentée. Afin de
valider la démarche de conception et d'optimisation, une première transition simple en bande
X a été conçue puis caractérisée expérimentalement. A partir de ce résultat, une transition
double (2 plateaux de 2 transitions, soit 2×2) a ensuite été conçue et validée par la mesure.
Finalement, puisque notre bande d’intérêt est la bande Ka, la conception et la caractérisation
d’une transition élémentaire en bande Ka ont pu être réalisées avec succès.

53
I. Synthèse bibliographique des différentes formes de
transitions de guide d’onde vers des lignes coplanaires

Le choix de la transition la plus adaptée à la conception d'un diviseur/combineur est lié


aux pertes d'insertion de la structure aux fréquences de travail, à sa largeur de bande de
fonctionnement et aux possibilités de report de composants actifs. La figure 2.1 donne
quelques exemples de différents profils de transition qui peuvent être utilisés dans la
conception d’un diviseur de puissance en topologie Tray. Ces transitions utilisent
exclusivement la technologie coplanaire pour les accès RF aux amplificateurs, permettant
ainsi un report facilité des amplificateurs du fait des plans de masse au même niveau que le
conducteur central. Elles peuvent aussi être adaptées à la technologie micro-ruban par simple
modification, mais elle nécessite alors l'utilisation de trous métallisés à travers le substrat pour
le retour de masse.

Figure 2. 1 : Exemples de transitions entre guide et ligne coplanaire

54
Ces différentes transitions ont un point commun à l’exception de la transition (d). Elles
sont basées sur l'utilisation d'une ligne fente élargie, encore appelée taper, pour assurer la
transition entre le guide d'onde d'un côté et la ligne coplanaire de l'autre. Par contre, on peut
noter quelques différences importantes au niveau des transitions entre la ligne fente et la ligne
coplanaire.

La transition (a) consiste à convertir le mode TE10 du guide rectangulaire en mode


fente, puis ce dernier est transformé en mode coplanaire quasi-TEM. Le pont à air (plusieurs
en pratique) doit permettre d’assurer le même potentiel sur les deux plans de masses situés de
part et d'autre du conducteur central, et donc d’éliminer le mode fente qui est généré au
niveau de la ligne coplanaire [1].

Le transition (b) utilise un transformateur d’impédance de longueur λ/4 pour adapter


l'impédance d’entrée élevée de la ligne fente à l'impédance relativement faible de la ligne
coplanaire. Comme pour la transition (a), un ou plusieurs ponts à air sont utilisés pour garder
le même potentiel entre les deux plans de masse de la ligne coplanaire [2].

A la fréquence où la différence de longueur électrique entre les deux fentes de la ligne


coplanaire est de 180° (λ/2), le mode fente sera converti complètement en mode coplanaire.
Par contre, lorsque les différences entre les longueurs électriques ont des valeurs éloignées de
180° (à d’autres fréquences), le mode résultant à un point donné sera la superposition du
mode coplanaire et du mode fente. C'est le principe de la transition (c) qui utilise un
déphaseur de 180° pour assurer la transition entre la ligne fente et la ligne coplanaire. Un pont
à air est toujours présent pour garder le même potentiel entre les deux plans de masse de la
ligne coplanaire [3] et assurer la propagation du mode coplanaire seul.

Finalement, la transition (d) montre la possibilité d’avoir recours à d’autres moyens


qu’une ligne fente pour assurer la transition entre le guide et la ligne coplanaire. Dans ce cas,
une antenne de type quasi-Yagi est utilisée. De même que dans la transition (c), un déphaseur
de 180° est utilisé pour convertir le mode fente en mode coplanaire. Pour ce type de structure,
un diélectrique à forte permittivité est nécessaire pour que l’antenne corresponde au plan E du
guide rectangulaire [4]. Le tableau suivant résume les résultats obtenus pour plusieurs types
de transition de la littérature. Les caractéristiques en réflexion et en transmission sont en

55
général mesurées sur les accès en guide en entrée et en sortie grâce à une configuration tête-
bêche des transitions. Le coefficient de transmission correspond donc aux pertes de 2
transitions. Les résultats publiés couvrent essentiellement la bande X. Lorsque le coefficient
de réflexion seul est donné, la structure est mesurée soit comme une antenne (fente élargie de
type Vivaldi) ou parfois avec une charge adaptée (50 Ω) sur l'accès coplanaire.

Type de Matériaux Bande passante réflexion transmission Type de mesure


transition Téflon
(configuration)

transition (a) ε r = 2.2 8-12.5 GHz -14 dB -1.5 dB tête bêche


[1] (2 transitions x 2
plateaux)

transition (b) ε r = 2.2 8.8-12.4 GHz -14 dB -0.75 dB tête bêche


[2] (1 transition x 1
plateau)

transition (c) ε r = 10.2 10-17 GHz -10 dB - mesure comme une


antenne Vivaldi
[3]

transition (d) 10-12 GHz -10 dB -2.5 à -4.5 dB tête bêche


(1 transition x 7
[4] plateaux)

Tableau 2. 1 : Bilan des transitions

II. Analyse théorique

Pour passer du guide d’onde rectangulaire vers la ligne coplanaire, deux transitions en
cascade sont nécessaires. La première assure le passage entre le guide d’onde et une ligne
fente, et la seconde entre la ligne fente et la ligne coplanaire. La transition entre le guide
d’onde et la ligne fente peut être réalisée via une antenne Vivaldi ou encore une antenne
quasi-Yagi et celle entre la ligne fente et la ligne coplanaire peut s'effectuer à l'aide de stubs
λ/4 ou de déphaseurs 180° qui vont transformer le mode fente en mode coplanaire.

Pour la conception de la transition guide-coplanaire, nous nous sommes basés sur ce


principe de mise en cascade et nous nous sommes inspirés de la bibliographie. Pour la

56
transition guide d’onde-ligne fente, nous reprenons le travail de Adalbert Beyer et Ingo Wolff
qui ont présenté une méthode simple pour la conception d’une telle transition [5]. Nous avons
ensuite adapté cette transition à celle présentée par Chien-Hsun Ho et Lu Fan [6]. La
transition résultante est représentée sur la figure 2.2.

Figure 2. 2 : Profil de la superposition de la transition de Beyer et Wolff (guide-fente) avec celle de Ho et


Fan (fente-coplanaire).

Le principe de la transition guide d’onde-ligne fente proposée en [5] consiste à diviser


la ligne fente en deux parties à z = l/2, z étant l’axe de propagation de l’onde et “l” la
longueur de la transition (voir figure 2.3), et de tracer un profil circulaire afin de diminuer le
coefficient de réflexion et donc d’améliorer la transmission.

A partir des valeurs des gaps d’entrée et de sortie de la ligne fente (le gap d’entrée est
défini par la hauteur “b” du guide d’onde, et le gap de sortie est défini par celui de la ligne
coplanaire), la partie qui est comprise entre z = 0 et z = l/2 est remplacée par une portion d’un
cercle dont le centre se situe sur la droite z = 0. De même, la partie située entre z = l/2 et z = l
du circuit est remplacé par une portion d’un autre cercle qui a un centre situé sur la droite z =
l. Les rayons des deux cercles peuvent avoir soit la même valeur soit des valeurs différentes.
Dans notre étude, nous considérons que les deux cercles ont le même rayon, ceci pour
simplifier la conception (voir figure 2.3).

Il reste donc à déterminer le rayon et les coordonnées du centre de chaque cercle. Etant
donné les coordonnées des points de départ (y1,z1) et d'arrivée (y1,z2) de la courbe, et après
une simple analyse géométrique, nous obtenons :

57
- f = y2-y1,
- t = f/2,
- k = (z2-z1)/2,
- r = (k2 + t2)/f,
- h = r-f.

Figure 2. 3 : Profil circulaire de l’antenne Vivaldi.

Dans une autre étude, en 1999, P. Meyer a présenté la conception d’une ligne fente
élargie de forme Vivaldi en s’appuyant sur la méthode de représentation du coefficient de
réflexion sous forme intégrale obtenu dans le cas d’une ligne non-uniforme [7], [8]. Pour
notre travail, étant donné les moyens de simulations électromagnétiques 3D (CST-Microwave
Studio, Ansoft-HFSS) mis à notre disposition, la synthèse initiale de la transition s’est basée
sur la méthode la plus simple présentée par Beyer et Wolff [5]. L’outil de simulation
électromagnétique a permis ensuite d’optimiser les dimensions géométriques pour atteindre
les performances désirées (pertes minimales sur la bande de fréquence choisie).

Par ailleurs, K. Hettak et S. Toutain ont développé en 2000 une analyse théorique
basée sur des circuits équivalents et sur le calcul des impédances équivalentes [9]. Dans leur
étude, la transition coplanaire-fente comporte un stub fente court-circuit de longueur λ/4 et un
stub coplanaire en circuit ouvert de longueur λ/4. Les ponts à air permettent ici encore de
garder le même potentiel sur les deux plans de masse de la ligne coplanaire.

58
Les changements d’orientation du vecteur champ électrique à travers la transition en
partant de l’entrée (accès côté guide rectangulaire) correspondant à l’antenne Vivaldi jusqu’à
la sortie côté ligne coplanaire sont illustrés sur la figure 2.4 ci-dessous.

Sortie
G
W
5 2

Lsf1

Gsf 1
4
Lsf2
Lsc
1
3 3

Gtaper
Entrée
g1

Figure 2. 4 : Tracé des changements de polarisation du champ électrique tout au long du circuit.

Les flèches représentent les directions de polarisation du champ électrique dans la


structure. En partant de la zone (1) qui représente l’entrée, le champ électrique va s’orienter
suivant deux polarisations opposées dans les zones (2) et (3). Ensuite, le vecteur reprend une
nouvelle polarisation dans le stub fente (4). Finalement, après une propagation dans le stub, le
champ électrique (5) sera orienté dans le sens opposé à celui de la fente (2). Le mode qui en
résulte est le mode impair de la ligne coplanaire, c’est-à-dire celui qui nous intéresse. Nous
pouvons donc conclure que pour avoir une génération de ce mode en sortie de la ligne
coplanaire, les polarisations des vecteurs en (2) et (5) doivent être en opposition de phase.
Ainsi, l’optimisation des paramètres de la structure dans les zones (1) à (5) va permettre la
génération du mode impair coplanaire et éliminer le mode pair indésirable.

59
Pour avoir des vecteurs en (2) et (5) en opposition de phase, donc à 180° l’un de
l’autre, il faut imposer une longueur électrique équivalente à 180° pour passer de la zone (3) à
la zone (5). En prenant Lsc = λ/4 et (Lsf1+Lsf2) = λ/4, nous aurons une différence de marche de
λ/2, ce qui correspond à un déphasage de 180°.

Enfin, pour l’antenne Vivaldi, la longueur initiale est prise égale à la longueur d’onde
de la ligne coplanaire étant donné que ne pouvons pas connaître la longueur d’onde dans la
ligne fente élargie.

En résumé, les différentes variables du circuit auront au départ les valeurs suivantes:
- Ltaper = λ/2, Gtaper = 60 µm, E = 1 mm
- Lsc = λ/4, G1 = 60 µm
- Lsf1 = 2 mm, Lsf2 = 3.15 mm, Gsf = 60 µm
avec
λ : longueur d’onde de la ligne coplanaire soit 20.6 mm à 12 GHz (λ/4 = 5.15 mm).

III. Simulation et caractérisation d’une transition en bande X

Dans cette partie, comme nous l’avons déjà mentionné, nous utilisons des outils de
simulations électromagnétiques 3D pour effectuer l’analyse paramétrique de la transition
présentée au paragraphe précédent afin d’optimiser ses performances dans la bande X (8-12.4
GHz). Cette première étape avant la conception de la transition en bande Ka a pour but de
valider l’approche utilisée car elle permet une réalisation et une caractérisation plus aisée en
bande X qu’en bande Ka en particulier du fait de la taille du guide mono-mode : 22.86 mm
x 12.16 mm (X) contre 7mm x 3.5 mm (Ka).

Les deux schémas ci-dessous rappellent les différents paramètres géométriques mis en
jeu pour effectuer les simulations paramétriques permettant d’optimiser les performances de
cette transition (voir figures 2.5 et 2.6) en transmission (pertes minimales sur la bande) et en
réflexion (la plus faible possible sur la bande).

60
W
G
Lsf1 Gtaper

Lsf2
Lsc
Ltaper E
Gsf

G1
Figure 2. 5 : Vue de dessus de la transition Figure 2. 6 : Zoom sur la transition fente vers ligne
guide d’onde-ligne coplanaire. coplanaire avec les paramètres.

Le principe adopté pour optimiser la structure consiste à varier un seul paramètre tout
en gardant les autres fixes. Dès que la valeur de ce paramètre offre un résultat correct en
paramètres S, elle est fixée, permettant de faire varier les paramètres restants, les uns après les
autres suivant la même procédure. Ces itérations sont répétées jusqu’à ce que la réponse de la
transition soit optimale.

III.I. Optimisation de la géométrie

La simulation électromagnétique de la transition a été réalisée sous HFSS2. Pour notre


étude, nous avions à notre disposition deux simulateurs électromagnétiques 3D : CST
Microwave Studio3 et Ansoft-HFSS. Le choix du simulateur a été fait après comparaison des
temps de simulation de la structure. Le maillage étant assez dense pour effectuer une
simulation correcte de la géométrie entière, le temps de simulation est de l’ordre de 10h avec
CST-Microwave Studio, alors qu’avec HFSS, la même simulation dure environ 1h, soit un

2
Simulateur électromagnétique 3D qui emploi la méthode des éléments finis pour résoudre les équations des
champs électromagnétiques.
3
Simulateur électromagnétique 3D qui emploi la méthode temporelle pour résoudre les équations des champs
électromagnétiques.

61
rapport 10 entre les deux simulateurs. Notons tout de même que lors de cet essai, les deux
simulateurs ont donné les mêmes résultats.

La figure 2.7 ci-dessous montre la structure simulée en 3 dimensions sous HFSS.

Figure 2. 7 : Profil 3D de la transition du guide d’onde mono-mode vers une ligne coplanaire.

Afin d’optimiser les paramètres de la transition, le choix du substrat permet tout


d’abord de fixer les dimensions de la ligne coplanaire, soit les dimensions W et G de la figure
2.6, pour avoir une ligne d’impédance caractéristique 50 Ω (les amplificateurs MMIC qui
seront montés sur les plateaux sont conçus et caractérisés sur 50 Ω).

III.I.I. Choix du substrat diélectrique

Le téflon de permittivité relative 2.2 a été choisi pour cette première réalisation du fait
des faibles pertes du matériau à très hautes fréquences (tg δ = 10-3). Par ailleurs, ce support
diélectrique placé au milieu du guide, comme le montre la figure 2.7, impose une
discontinuité à l’onde qui se propage, là où le champ électrique est maximal (mode TE10).
Afin de réduire cette discontinuité, donc le coefficient de réflexion qui en résulte, nous avons
tout intérêt à choisir un substrat à faible permittivité. D’un autre côté, le fait que le téflon ne
soit pas un matériau rigide et qu’il peut donc supporter des contraintes mécaniques plus fortes

62
que d’autres substrats (Alumine,…) nous a également poussé à l’utiliser. L’épaisseur du
téflon est ici de 508 µm et les dimensions de la ligne 50 ohms sont : W = 1 mm G = 60 µm.

III.I.II. Optimisation des paramètres de la transition

Rappelons les paramètres variables de la simulation, ces paramètres ayant les valeurs
initiales données au paragraphe II :

- Ltaper est la longueur de l’antenne Vivaldi,


- Lsc et G1 sont respectivement la longueur du stub coplanaire et la largeur
du gap en bas du stub,
- Lsf1 , Lsf2 et Gsf sont respectivement les longueurs et la largeur du stub
fente,
- Gtaper et E sont respectivement le gap de la ligne fente au bout de l’antenne
Vivaldi et le rayon de l’arc qui assure la liaison entre l’antenne et la ligne
coplanaire.

Les dimensions du guide d’entrée et de la ligne coplanaire sont invariables. Les


dimensions du guide rectangulaire mono-mode en bande X sont :
a = 22.86 mm, largeur du guide,
b = 10.16 mm, hauteur du guide

Le profil de l’antenne Vivaldi étant défini, nous pouvons maintenant passer à l’étude
paramétrique de la transition et à son optimisation sous HFSS.

Après optimisation, nous trouvons les valeurs suivantes pour les paramètres de la
géométrie :
- Ltaper = 38 mm, Gtaper = 60 µm, E = 0.4 mm
- Lsc = 4.36 mm, G1 = 60 µm
- Lsf1 = 1 mm, Lsf2 = 2 mm, Gsf = 80 µm

Les courbes 2.8 à 2.10, comparant les résultats de simulation de la transition avant et
après l’optimisation, montrent une nette amélioration du coefficient de réflexion (inférieur à –

63
14 dB sur la toute bande X) et du coefficient de transmission sur le mode impair désiré (pertes
inférieures à –0.6 dB). Le coefficient de transmission sur le mode pair reste inférieur à –15
dB.

0 -0.2
Avant optimisation
-10 -0.4

S21 (dB)
S11 (dB)

-20 -0.6
Avant optimisation
Après optimisation
-30 Après optimisation -0.8

-40 -1.0
8.0 8.5 9.0 9.5 10.0 10.5 11.0 11.5 12.0 8.0 8.5 9.0 9.5 10. 10. 11. 11. 12.
0 5 0 5 0
freq, GHz freq, GHz

Figure 2. 8 : Simulation du coefficient de réflexion de Figure 2. 9 : Simulation du coefficient de


la transition. transmission entre le mode TE10 du guide vers le
mode impair de la ligne coplanaire.

-14
Avant optimisation
n
-16
S31 (dB)

-18

-20

-22 Après optimisation

-24
8.0 8.5 9.0 9.5 10.0 10.5 11.0 11.5 12.0

freq, GHz

Figure 2. 10 : Simulation du coefficient de transmission entre le mode TE10 du guide


vers le mode pair de la ligne coplanaire.

Lors de la réalisation mécanique, il faut prévoir le maintien du circuit planaire au


centre du guide d’onde. On peut utiliser une rainure, dans l’épaisseur de métal du guide (voir
figure 2.11), dont la largeur sera égale à la somme de l’épaisseur du substrat et de celle des
conducteurs et dans laquelle on fera coulisser le circuit planaire. Avec une épaisseur de
substrat de 508µm et une épaisseur de cuivre de 20 µm, la largeur (notée wiris) de la rainure
est donc de 528 µm.

64
Guide
Rainure

wiris hiris

b
a

Rainure

Figure 2. 11 : Modification de la géométrie du guide.

Par contre, la profondeur de la fente (hiris) ne peut pas être choisie au hasard car nous
avons observé à partir des simulations que cette dernière a une grande influence sur la réponse
de la transition. La profondeur de la rainure doit être la plus faible possible tout en étant
suffisante pour assurer la fixation du circuit planaire. Une valeur de 500 µm permet d’avoir un
coefficient de réflexion inférieur à –15 dB et des pertes inférieures à 0.6 dB.

La transition ainsi dimensionnée a été réalisée et mesurée en paramètres S. Les


résultats sont présentés dans le paragraphe suivant.

III.II. Tests d’une transition élémentaire et de transitions


doubles en bande X

Comme nous l’avons précisé au paragraphe I de ce chapitre, les transitions sont en


général testées dans une configuration « tête-bêche » donc de guide à guide [12]. Une autre
possibilité consiste à ne mesurer que le coefficient de réflexion côté guide en plaçant sur
l’accès coplanaire une charge adaptée [13]. Pour caractériser réellement la transition du guide
d'onde rectangulaire vers la ligne coplanaire (mode impair) avec un analyseur de réseau
vectoriel (ARV), nous avons procédé à un double calibrage ce qui nous a permis d’extraire les
paramètres S de la transition.

Dans un premier temps, un calibrage TRL en guide rectangulaire est effectué. Pour la
partie coplanaire, les dimensions de la ligne sur Téflon en bande X (largeur du ruban W = 1

65
mm, largeur du gap G = 0.06 mm) permettent d'utiliser un connecteur coaxial pour faire la
transition entre le circuit planaire et les câbles coaxiaux de l’ARV. Un second calibrage TRL
en coplanaire est alors réalisé. Enfin, les paramètres S de la transition guide rectangulaire-
guide coplanaire sont calculés directement à partir de ce double étalonnage grâce à l'option
"Adapter Removal" de l'analyseur.

La photographie suivante montre le circuit planaire et la mécanique réalisée pour le


test de la transition. Un connecteur de type coaxial (APC 3.5 mm) est rajouté du côté de la
ligne coplanaire lors du test. Les courbes 2.13 et 2.14 montrent les résultats de mesure
comparé aux simulations.

Figure 2. 12 : Photo de la transition réalisée d’un guide d’onde vers une ligne coplanaire.

-12

-14 mesure

-16
S11 (dB)

-18

-20 simulation
-22

-24
8.0 8.5 9.0 9.5 10.0 10.5 11.0 11.5 12.0
freq, GHz

Figure 2. 13 : Comparaison entre mesure et simulation du coefficient de réflexion d’une transition


élémentaire.

66
0.0
simulation
-0.2

-0.4
S21 (dB)

-0.6

-0.8 mesure

-1.0
8.0 8.5 9.0 9.5 10.0 10.5 11.0 11.5 12.0
freq, GHz

Figure 2. 14 : Comparaison entre mesure et simulation du coefficient de transmission d’une transition


élémentaire

On observe une bonne concordance entre la mesure et la simulation : le coefficient de


réflexion est inférieur à –14 dB sur toute la bande, et le coefficient de transmission supérieur à
–0.8 dB. Ce résultat est comparable aux valeurs publiées en référence [12] : -1.5 dB en tête
bêche soit -0.75 dB par transition. Sachant que nous ne pouvons pas mesurer le coefficient de
transmission entre le mode TE10 du guide d’onde et le mode pair de la ligne coplanaire, nous
ne pouvons avoir qu’une valeur de ce dernier estimée à l’aide de l’équation suivante :

|S11|2+|S21|2+|S31|2 = 1

Précisons que cette méthode est approximative, parce que la formule précédente
s’applique à des circuits passifs et sans pertes (tg(δ) = 0.002 pour le substrat et pertes cuivre).
Le résultat obtenu est très proche de la simulation (à moins de 2 dB).

Le léger décalage de 200 MHz observé pour la valeur minimale de S11 mesurée et
simulée peut s’expliquer par un décalage au niveau de la permittivité du substrat. De plus, les
ondulations observées sur les courbes de mesures proviennent du double calibrage (en
particulier l’étalonnage en coplanaire pour lequel le contact du connecteur coaxial lors de la
mesure des différents standards du kit TRL n’est sans doute pas très répétitif).

67
Après validation de la transition simple, la démarche de conception a été étendue à la
conception et la caractérisation d’une double transition sur la même bande. Cette double
transition est constituée de deux plateaux identiques, chacun présentant deux transitions
Vivaldi-coplanaire placées côte-à-côte. Cela revient donc à avoir une transition élémentaire
entre un guide d’onde ayant une largeur a = 22.86 mm et une hauteur b/2 = 10.16/2 mm. La
géométrie totale est ensuite dupliquée par rapport à l’axe y = b/2. Ceci nous donne un plateau
entier. Ce dernier est déplacé sur l’axe x d’une distance "d" et finalement dupliqué par rapport
à l’axe x = a/2 (voir figure 2.15). Cette figure met en évidence les plans de symétrie de la
structure qui seront mis à profit lors de la simulation sous HFSS afin de réduire la taille
mémoire nécessaire à la simulation de l'ensemble.

1 ère étape y 2ème étape


y Plan de symétrie

b
b/2
x x
a/2 a/2 a/2 a/2

y y Plan de symétrie

d 2 d
b b

x x
a/2 a/2 a/2 a/2
3ème étape 4ème étape

Figure 2. 15 : Schéma représentatif de la génération de deux transitions doubles à partir d’une transition
élémentaire.

Les deux premières étapes se font automatiquement sans la définition d’aucun


nouveau paramètres à la géométrie. En revanche, l’analyse paramétrique des effets de la
distance “d” montre que cette dernière ne doit pas dépasser une certaine valeur au-dessus de
laquelle un mode de type TE est généré entre les deux plateaux. Ceci s'explique par la
présence de deux plans de masse parallèles l’un à l’autre, formant ainsi une structure
guidante, provenant des plans de masse des lignes coplanaires dont les fentes sont assez

68
étroites (40 µm) au point de paraître "invisible" pour ce mode. L'espacement optimal entre les
plateaux est de 7 mm.

La figure 2.16 montre les transitions doubles insérées dans le guide d’onde. Le guide
d'onde a été réalisé en trois parties afin de maîtriser la largeur et la profondeur des rainures
nécessaires au maintien des transitions parallèlement entre elles. Les différents paramètres de
la transition guide-coplanaire ont les mêmes valeurs que celles de la transition élémentaire.
Par rapport à la caractérisation de la transition élémentaire, la mesure d’un tel circuit avec un
analyseur de réseau vectoriel nécessite de toute évidence un montage tête-bêche comme le
montre la figure 2.16.

Figure 2. 16 : Transitions doubles, sur téflon, insérées dans une cellule de caractérisation en bande X.

Les courbes 2.17 et 2.18 ci-dessous montrent les résultats de mesure comparés aux
simulations.

69
0

-10 Simulation

-20
S11 (dB)

Mesure
-30

-40

-50
8.0 8.5 9.0 9.5 10.0 10.5 11.0 11.5 12.0
freq, GHz

Figure 2. 17 : Comparaison entre mesure et simulation du coefficient de réflexion.

0.0

-0.2 Simulation

-0.4
S21 (dB)

-0.6
Mesure
-0.8

-1.0
8.0 8.5 9.0 9.5 10.0 10.5 11.0 11.5 12.0
freq, GHz

Figure 2. 18 : Comparaison entre mesure et simulation du coefficient de transmission.

La comparaison entre mesure et simulation montre une bonne concordance, avec un


coefficient de réflexion inférieur à –10 dB entre 8 et 11.5 GHz et un coefficient de
transmission supérieur à –0.9 dB sur toute la bande [8-12] GHz (la référence [12] donne des
pertes variant de -1.1 dB à -1.7 dB pour 2 plateaux de 4 lignes). Comme pour la transition
élémentaire, on observe un décalage de 200 MHz sur la résonance de S11 en mesure et
simulation.

70
Remarques et conclusion

Les résultats de mesure valident la démarche de conception qui peut a priori être
utilisée pour un nombre plus important de lignes par plateau et/ou de plateaux. Cependant
quelques points critiques liés à ces réalisations doivent être mentionnés. Ces points critiques
concernent les contraintes mécaniques et celles liées à la réalisation du circuit planaire pour
l’intégration des composants actifs.

Concernant la partie mécanique, la précision de la réalisation des différentes pièces est


inférieure à 100 µm, ce qui est tout à fait acceptable car cela n'a pas d’influence significative
sur le comportement de la transition en bande X.

En revanche, la réalisation du circuit planaire est plus critique. La précision de ±5 µm


pour la gravure est tout à fait tolérable. Par contre, les ponts à air sont réalisés par des fils d'or
thermo-compressés et dont la hauteur est difficile à maîtriser car elle peut varier de l’ordre de
1 mm environ entre deux réalisations. Comme la hauteur des ponts à air est critique vis–à-vis
de la réponse de la transition, cette technique s’avère donc peu adaptée à la réalisation d’un
combineur de puissance comportant plusieurs plateaux avec plusieurs transitions. En effet, les
simulations montrent que les performances se dégradent lorsque les ponts ont des hauteurs de
plus de 1 mm. Ces dégradations sont principalement causées par le fait que, lorsque la hauteur
dépasse 1 mm, leur longueur totale (2×hauteur + W + 2G ≈ 3.12 mm) n'est plus négligeable
devant la longueur d'onde (de l’ordre de λ/8, λ = 24 mm à 10 GHz), n'assurant plus ainsi un
potentiel commun aux deux plans de masse de la ligne coplanaire et perturbant le mode
impair désiré.

Après la validation de la démarche en bande X, nous l'avons appliquée à l'étude de


transition(s) guide d’onde vers ligne(s) coplanaire(s) en bande Ka. Les résultats sont présentés
dans la partie suivante.

71
IV. Simulation et caractérisation d’une transition élémentaire
en bande Ka

Pour la réalisation des transitions en bande Ka, nous avons retenu le substrat
diélectrique en tenant compte de ses caractéristiques électriques et mécaniques adaptées à la
réalisation d’un amplificateur spatial de puissance.

Nous conservons la même démarche que précédemment pour la conception de la


transition : choix du substrat, dimensionnement de la ligne coplanaire, paramétrage et
optimisation avec HFSS et enfin, réalisation et test.

IV.I. Optimisation de la géométrie

IV.I.I. Choix du substrat diélectrique et détermination des


dimensions de la ligne coplanaire

Pour le substrat diélectrique, nous avons retenu l'alumine (εr = 9.9) qui offre des
pertes diélectriques très faibles même en ondes millimétriques (tg(δ) ˜ 10-3 à 10 GHz) et une
relativement bonne conductivité thermique (30 W/m/K contre 0.25 W/m/K pour le téflon). De
plus, ce matériau est rigide et il permet de coller ou braser des circuits MMIC et de manipuler
le plateau aisément.

Les dimensions pour une ligne d'impédance caractéristique 50Ω compatibles avec les
MMICs choisis sont W = 80 µm et G = 40 µm, W étant la largeur de la ligne coplanaire et G
la largeur de son gap. De plus, ces dimensions sont également compatibles avec celles des
pointes pour une mesure directe de la transition avec une station sous-pointes.

IV.I.II. Optimisation des paramètres de la transition

Après avoir déterminé les dimensions de la ligne coplanaire, ce qui reste à faire est
d’optimiser les différents paramètres mis en jeu avec la transition. Comme pour la transition
sur téflon en bande X, le point de départ pour la simulation est défini par les valeurs
suivantes:
Ltaper = λ, Gtaper = 40 µm, E = 0.5 mm

72
Lsc = λ/4, G1 = 80 mm;
Lsf1 = 0.34 mm, Lsf2 = 0.75 mm, Gsf = 40 µm ;

avec λ la longueur d’onde de la ligne coplanaire (3.4 mm à 33 GHz)

Les résultats de simulation après optimisation sont données sur les figures ci-dessous
et sont comparés à la simulation avant optimisation (voir figures 2.19 à 2.21). Les valeurs
après optimisation sont les suivantes :

Ltaper = 3.75 mm, Gtaper = 60 µm, E = 0.2 mm


Lsc = 0.9 mm, G1 = 80 µm
Lsf1 = 0.38 mm, Lsf2 = 0.68 mm, Gsf = 80 µm;

0 0

-5
-5
Avant optimisation Avant optimisation
-10
-10
S11 (dB)

S21 (dB)

-15
-15 Après optimisation
-20

-20 Après optimisation -25

-25 -30
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 2. 19 : Simulation du coefficient de Figure 2. 20 : Simulation du coefficient de


réflexion transmission entre le mode TE10 du guide vers le
mode impair de la ligne coplanaire.

-15

Avant optimisation
-20
S31 (dB)

-25

-30
Après optimisation

-35
26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz

Figure 2. 21 : Simulation du coefficient de transmission entre le mode TE10 du guide vers le mode pair de
la ligne coplanaire.

73
On peut noter sur ces courbes que les niveaux d’adaptation et de transmission ne sont
pas satisfaisants (remontée à –5 dB pour S11 et –15 dB pour S21 à 39 GHz liée à priori à un
effet de résonance au niveau de la fente élargie). Ceci peut s'expliquer par la brusque
discontinuité placée au centre du guide et qui est liée à la permittivité élevée de l'alumine.
Pour conserver malgré tout ce substrat, il faut réduire cette discontinuité en remplaçant le
bord droit du substrat (celui que voit le maximum de champ électrique lorsqu'il arrive sur la
transition) par un profil continu dans le sens de la propagation. Cette idée s'inspire du travail
de la référence [10] où est présentée l'analyse d’un adaptateur quart d’onde dont l’objectif est
d’améliorer le coefficient d’adaptation d’une transition guide d’onde vers une ligne fente.
Dans notre cas, le profil résultant est alors un profil en pointe comme représenté sur la figure
2.23 (comparé au profil initial de la figure 2.22).

Ad

Figure 2. 22 : Schéma initial. Figure 2. 23 : Schéma optimisé.

La simulation de la transition modifiée (uniquement le diélectrique) montre une nette


amélioration des performances (voir figures 2.24 à 2.26) pour une valeur Ad égale à 2 mm. Le
coefficient de réflexion est inférieur à -14 dB et les pertes en transmission inférieures à 0.7 dB
environ sur toute la bande Ka. Le coefficient de transmission entre le mode du guide et le
mode pair de la ligne coplanaire reste inférieur à –18 dB, minimisant le transfert d'énergie sur
ce mode indésirable pour notre application.

74
-10 -0.3

-15 -0.4
S11 (dB)

-20 -0.5

S21 (dB)
-25 -0.6

-30 -0.7

-35 -0.8
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz


Figure 2. 24 : Simulation du coefficient de réflexion. Figure 2. 25 : Simulation du coefficient de transmission
entre le mode TE10 du guide vers le mode impair de la
ligne coplanaire.

-18

-19
S31 (dB)

-20

-21

-22
26 28 30 32 34 36 38 40
freq, GHz

Figure 2. 26 : Simulation du coefficient de transmission entre le mode TE10 du guide vers le mode pair de
la ligne coplanaire

Comme pour la transition en bande X, le contrôle de la hauteur des ponts est très
important. La technologie multicouches sur Alumine permet la réalisation de ponts intégrés à
l'aide d'une couche de diélectrique supplémentaire posée au dessus du conducteur central et
servant de support au dépôt d'or qui reliera les plans de masse. Cette solution est répétitive et
fiable à partir du moment où l’épaisseur de la couche diélectrique est bien maîtrisée. Le
diélectrique utilisé a les caractéristiques suivantes :
- Pertes diélectriques : tg(δ) = 0.002,
- εr = 4.3,
- épaisseur : 10 ou 20 ou 30 ou 40 µm

75
Il faut bien-sûr tenir compte de ce diélectrique dans l'optimisation des dimensions de
la transition. D’après la figure 2.28, les nouveaux paramètres à optimiser sont Ld et Wd qui
représentent respectivement la hauteur et la largeur de la couche diélectrique. Dans cette
étape, les paramètres obtenus précédemment ne sont pas modifiés.

Après optimisation, nous trouvons pour une épaisseur de 30 µm les valeurs suivantes :
Ld = 0.7 mm
Wd = 0.26 mm.

Diélectrique
supplémentaire

Wd Ld

Figure 2. 27 : Schéma initial. Figure 2. 28 : Schéma optimisé avec le dépôt d’une


couche diélectrique supplémentaire.

Les résultats de simulation de cette transition avec ponts intégrés sont donnés sur les
courbes ci-dessous (voir figures 2.29 à 2.31).

-12 -0.30

-14
-0.35
-16
S11 (dB)

S21 (dB)

-18 -0.40

-20 -0.45
-22
-0.50
-24

-26 -0.55
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 2. 29 : Simulation du coefficient de réflexion. Figure 2. 30 : Simulation du coefficient de transmission


entre le mode TE10 du guide vers le mode impair de la
ligne coplanaire.

76
-20

-21

S31 (dB)
-22

-23

-24
26 28 30 32 34 36 38 40
freq, GHz

Figure 2. 31 : Simulation du coefficient de transmission entre le mode TE10 du guide vers le mode pair de
la ligne coplanaire.

Une dégradation du niveau d’adaptation de la transition est observée. Ceci est dû à


l’effet capacitif parasite des ponts passant au dessus du ruban central de la ligne coplanaire.
Pour compenser cette capacité parasite parallèle, un effet inductif en série peut être introduit
au niveau du ruban central par une réduction de la largeur de la ligne coplanaire juste en
dessous de la couche diélectrique du pont [11] (voir figure 2.32 et 2.33).

Wc

Figure 2. 32 : Avant optimisation. Figure 2. 33 : Après optimisation.

Après optimisation sous HFSS, une largeur Wc de 60 µm permet d'obtenir de bonnes


performances (voir figures 2.34 à 2.36). Le niveau d’adaptation est inférieur à -15 dB et les

77
pertes d’insertion simulées sont meilleures que - 0.7 dB sur toute la bande Ka. Enfin, le
coefficient de transmission entre le mode TE10 du guide rectangulaire et le mode pair de la
ligne coplanaire reste inférieur à –20 dB.

-10 -0.3

-15 -0.4
S11 (dB)

S21 (dB)
-20 -0.5

-25 -0.6

-30 -0.7
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz


Figure 2. 34 : Simulation du coefficient de réflexion. Figure 2. 35 : Simulation du coefficient de transmission
entre le mode TE10 du guide vers le mode impair de la
ligne coplanaire.

-18
-20

-22
S31 (dB)

-24

-26

-28

-30

-32
26 28 30 32 34 36 38 40
freq, GHz

Figure 2. 36 : Simulation du coefficient de transmission entre le mode TE10 du guide vers le mode pair de
la ligne coplanaire.

Pour finaliser la conception de la transition, il reste à étudier les effets de la rainure, ou


iris, qui servira à fixer le circuit dans le guide comme le montrent les figures 2.37 et 2.38.

78
iris

Figure 2. 37 : Schéma représentatif de la gorge Figure 2. 38 : Agrandissement au niveau de la


nécessaire pour la fixation du circuit planaire. gorge.

Bien que l’épaisseur de cette gorge soit connue, une étude paramétrique est nécessaire
pour déterminer sa profondeur. Après optimisation, les performances sont peu dégradées (voir
figures 2.39 à 2.41), pour une profondeur de 0.3 mm, par rapport aux simulations précédentes.
Cependant, on observe l'apparition d'une résonance parasite à l'extrémité haute de la bande
(40 GHz).

0 0

-10 -2
S11 (dB)

S21 (dB)

-20 -4

-30 -6

-40 -8
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40
freq, GHz freq, GHz

Figure 2. 39 : Simulation du coefficient de réflexion. Figure 2. 40 : Simulation du coefficient de transmission


entre le mode TE10 du guide vers le mode impair de la
ligne coplanaire.

79
-12

-14

-16

S31 (dB)
-18

-20

-22

-24
26 28 30 32 34 36 38 40
freq, GHz

Figure 2. 41 : Simulation du coefficient de transmission entre le mode TE10 du guide vers le mode pair de
la ligne coplanaire.

L’optimisation de la structure étant faite, nous pouvons passer à sa caractérisation.

IV.II. Réalisation et test de la transition élémentaire en bande


Ka

Les dimensions de la ligne coplanaire sur substrat d'alumine (W = 0.08 mm, G = 0.04
mm) permettent une caractérisation sous pointes. Comme pour la caractérisation de la
transition élémentaire en bande X, un double calibrage (TRL en coplanaire et TRL en guide
rectangulaire) a également été effectué pour pouvoir extraire directement les paramètres S de
la transition.

La figure 2.42 montre la réalisation de la transition réalisée sur alumine avec le détail
des ponts multicouches.

La figure 2.43 ci-après montre le montage complet pour la connexion de la transition à


l'analyseur de réseau vectoriel : on distingue l'accès en guide d'un côté et coplanaire sous-
pointes de l'autre.

80
Figure 2. 42 : Photo de la transition réalisée sur alumine avec le détail des ponts multicouches.

Figure 2. 43 : Montage expérimental pour la mesure de la transition guide rectangulaire ligne coplanaire
en bande Ka.

Les mesures de la transition sont données sur les figures 2.44 et 2.45. Elles sont
comparées aux simulations et montrent une bonne concordance entre elles.

81
0

-10

-20
S11 (dB)

-30
Mesure
-40

-50 Simulation

-60
26 28 30 32 34 36 38 40
freq, GHz

Figure 2. 44 : Comparaison entre simulation et mesure du coefficient de réflexion.

-2
S21 (dB)

-4 Simulation
Mesure

-6

-8
26 28 30 32 34 36 38 40
freq, GHz

Figure 2. 45 : Comparaison entre simulation et mesure du coefficient de transmission.

Le coefficient de réflexion est inférieur à -10 dB de 27 à 40 GHz (inférieur à –14 dB


de 29 à 40 GHz). Les pertes d’insertion mesurées sont de l'ordre de -1.3 dB sur toute la bande
avec des résonances qui augmentent les pertes jusqu’à –3 dB (ce résultat est comparable aux
résultats de la référence [14] : -2.5 dB à 44 GHz). Rappelons que la caractérisation de cette
transition a nécessité un montage mécanique délicat et une longueur de ligne coplanaire de
l’ordre de 1 cm, sachant que la longueur d’onde est de 3,4 mm. Des simulations préalables ont
permis d’avoir une idée des pertes par rapport à la longueur de la ligne coplanaire. Elles sont
de l’ordre de 0.72 dB/cm (longueur de la ligne en simulation = 1.7 mm). Par conséquent, on
peut réduire d'environ 0.6 à 0.7 dB les pertes mesurées, ce qui donne un coefficient de

82
transmission de l’ordre de –0.7 dB en moyenne sur la bande. Bien qu’une telle longueur ait
été nécessaire pour la mesure, en pratique, elle ne sera pas aussi importante lors de la
réalisation de l’amplificateur de puissance. Les "petits" pics de résonance peuvent être
attribués à la difficulté de réaliser un double calibrage de très bonne qualité à ces fréquences.

Conclusion

L'apport de la technologie multicouches pour la réalisation de la transition en bande


Ka est très important en particulier dans la maîtrise des ponts sur la ligne coplanaire. Ceci se
traduit par de bonnes performances qui sont exploitables pour la conception d'un
amplificateur à combinaison spatiale dans cette bande de fréquence.

V. Conclusion

Dans ce chapitre, nous avons repris les principaux types de transitions utilisables pour
la réalisation d'un combineur/diviseur spatial en guide d'onde rectangulaire. Nous avons
présenté la démarche retenue pour optimiser le profil d’une transition guide-ligne coplanaire à
l'aide de l'outil de simulation HFSS.

Trois transitions de base ont été conçues et testées et les bonnes performances
obtenues en mesure (adaptation et pertes) valident l'approche utilisée : une transition
élémentaire, deux doubles transitions toutes deux sur téflon en bande X, et une transition
élémentaire sur alumine en bande Ka. Le tableau suivant résume les niveaux d’adaptation et
de pertes d’insertion mesurés de ces différentes transitions.

Type de transition Bande de fréquence Niveau d’adaptation Pertes d’insertion

Elémentaire [8-12] GHz <-14 dB <-0.8 dB

double [8-11.5] GHz <-14 dB <-0.9 dB

Elémentaire [27-40] GHz <-10 dB <-0.7 dB

Tableau 2. 2 : Résumé des performances des transitions réalisées dans ce chapitre

83
Le chapitre qui suit est dédié à la conception d’amplificateurs spatiaux de puissance en
bande Ka.

84
VI. Bibliographie

[1]: Lee-Yin Chen, Robert A.York " Design of waveguide finline arrays for spatial
power combining", IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, VOL. 49, NO.
4, April 2001.
[2]: Ting-Huei Lin, Ruey-Beei Wu “ CPW to Waveguide Transition with Tapered
Slotline Probe”, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, VOL. 11, NO. 7, July
2001.
[3]: Kuang-Ping Ma, Yongxi Qian “ Analysis and Applications of a New CPW-Slotline
Transition”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, VOL. 47, NO. 4,
April 1999.
[4]: Song, H.J.; Bialkowski, M.E.; “ Broadband Power Combiner Using Trays of
Uniplanar Quasi_Yagi Microstrip Antennas” Microwave Conference, 2000 Asia-Pacific , 3-6
Dec.2000 Page(s): 241 -244
[5] : Adalbert Beyer et Ingo Wolff , “ Finline Taper Design Made Easy ” ; 1985 IEEE
MTT-S Digest, pp 493 –496.
[6] : Chien-Hsun Ho et Lu Fan, “ Transmission Line Modeling of CPW-slotline
Transitions and CPW Butterfly Filters » ; IEEE MTT-S Digest, pp.1305-1308
[7] : P. Meyer, “ Designing High-performance Finline Tapers with Vector Based
Optimization ”, 1999 IEEE MTT-S Digest pp 707-710.
[8] : Meyer, P.; Vale, C.A.W.; “ Designing High Performance Finline Tapers with
Vector Based Optimization”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol.
47, Issue: 12, Dec. 1999, Page(s): 2467-2472.
[9] : K. Hettak et S. Toutain, “ New Miniature Broad-Band CPW-to-Slotline
transitions ”, IEEE MTT vol.48, N.1, January 2000
[10] : Cornelius J. Verver, Wolfganag J.R. Hoefer “ Quarter-Wave Matching of
Waveguide-to-Finline Transitions”, IEEE Transactions on Microwave Theory and
Techniques, vol. MTT-32, NO. 12, December 1984.
[11] : Eric Rius, Jean Philippe Coupez, Serge Toutain, Christian Person and Pierre
Legaud, “ Theoretical and Experimental Study of Various Types of Compensated Dielectric
Bridges for Millimeter-Wave Coplanar Applications ” IEEE MTT, VOL. 48, NO. 1,
JANUARY 2000.

85
[12] : N.-S. Cheng, P. Jia, D. B. Rensch, R. A. York, “A 120-W X-Band Spatially
Combined Solid-State Amplifier”, IEEE Trans. On Microwave Theory and Tech., Vol. 47,
Dec. 1999, pp. 2557-2561
[13] : Nai-Shuo Cheng, Angelos Alexanian, Michael G. Case, Robert A. York, “20 Watt
Spatial Power Combiner in Waveguide” 1998IEEE MTT-S Digest p 1457-1460
[14] : J. Jeong, Y. Kwon, D. S. Deakin, J. H. Hong, E. A. Sovero, « 44 GHz waveguide-
based power amplifier module using double antipodal finline transitions », Electronics
Letters, Vol. 38, n° 3, Jan. 2002, pp. 128-129

86
87
88
D. Chapitre 3 : Etudes et réalisations
d’amplificateurs spatiaux de puissance à N
plateaux en guide rectangulaire

Dans le chapitre précédent, nous avons développé, caractérisé et validé une transition
élémentaire, deux transitions doubles en bande X, ainsi qu’une une transition simple en bande
Ka. Cela constituait la première phase de la conception d’un amplificateur spatial de
puissance en topologie Tray.

Ce 3ème chapitre présente la méthode utilisée pour concevoir des amplificateurs de


puissance en guide rectangulaire (topologie tray) à partir des simulations électromagnétiques
des parties passives et des simulations « circuit » (sous ADS après importation des paramètres
S du combineur/diviseur) en y intégrant les données constructeur des amplificateurs MMIC
(paramètres S et puissance à 1dB de compression). A partir de ces simulations, nous avons pu
étudier la réponse globale de l’amplificateur spatial en paramètres S ainsi qu’en puissance de
sortie pour valider la combinaison de puissance.

Lors de la conception d’un amplificateur de puissance en topologie Tray, le premier


point à définir est le type de guide utilisé, à savoir un guide rectangulaire mono-mode ou
multi-mode (un guide circulaire est également utilisable). Il est évident que le choix est
imposé par le nombre de plateaux que l’on doit disposer en parallèle pour obtenir la puissance
souhaitée. La première partie est donc consacrée à l’étude de structures d’amplificateur spatial
en guide mono-mode avec une limitation à 2 plateaux. La seconde est consacrée à l’étude de

89
structures à base de guides multi-modes avec une limitation à 8 plateaux. Pour chacune des
études, nous avons analysé l’impact d’une différence de phase et d’amplitude entre chaque
plateau puisque cela va conditionner les performances de l’amplificateur spatial. Les
troisième et quatrième parties sont consacrées à la caractérisation expérimentale d’un
amplificateur MMIC seul et d’un amplificateur spatial 2×1. Les premiers résultats, quelque
peu dégradés, ont permis de souligner les points délicats à maîtriser lors de la conception et de
la réalisation mécanique et technologique d’un amplificateur spatial. Après analyse fine et
identification de l’origine des dégradations observées puis leur correction, une nouvelle
version de l’amplificateur spatial 2×1 a été réalisée et testée avec succès.

Dans la dernière partie, un nouveau concept de diviseur de puissance en guide


rectangulaire est présenté (brevet n° FR 05 09759) pour résoudre le problème de déphasage
au niveau de l’excitation des plateaux lors de la conception d’amplificateurs à grand nombre
de plateaux.

I. Amplificateurs en guide mono-mode en bande Ka

Le premier amplificateur spatial étudié est constitué de deux plateaux comportant un


seul amplificateur MMIC chacun, soit une combinaison de deux amplificateurs. Le second est
constitué de deux plateaux comportant deux amplificateurs MMIC, soit une combinaison de
quatre amplificateurs. Ces deux amplificateurs spatiaux utilisent un guide rectangulaire mono-
mode.

I.I. Amplificateur 2×1

Les paramètres S de la structure passive optimisée sont issus des simulations


électromagnétiques sous HFSS. Le combineur/diviseur comporte ici 2 accès coplanaires
puisque la structure simulée est constituée de deux transitions élémentaires dans le même
guide (voir figures 3.1 et 3.2).

90
a

Figure 3. 1 : Profil de la transition élémentaire Figure 3. 2 : Profil du diviseur guide d’onde vers
(HFSS). deux lignes coplanaires.

La transition élémentaire de la figure 3.1 garde les dimensions optimisées dans le


chapitre 2. Le paramètre qui reste à étudier est la distance séparant les deux plateaux. Comme
indiqué dans le deuxième chapitre (§. III.II), une distance maximale entre les deux plateaux
doit être respectée pour éviter l’excitation d’un mode de type TE entre eux.

La simulation du diviseur montre un niveau d’adaptation S11 (côté guide rectangulaire)


inférieur à –15 dB sur toute la bande Ka (voir figure 3.3), un niveau de transmission entre le
guide d’entrée et les modes impairs S21 ≈ -3.45 dB (voir figure 3.4), et une isolation du mode
pair S31 meilleur que –19 dB (voir figure 3.5). Le coefficient de couplage entre les plateaux
est également donné à la figure 3.6 ; il varie entre –5.8 et –8 dB.

91
-10 -3.2

-3.3
-15

S21 (dB)
S11 (dB)

-3.4
-20
-3.5

-25
-3.6

-30 -3.7
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40
freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 3 : Simulation du coefficient de réflexion du Figure 3. 4 : Simulation du coefficient de transmission


côté du guide rectangulaire. entre le mode TE10 du guide vers le mode impair d’une
des deux lignes coplanaires.

-19.8 -5.5

-19.9 -6.0
-20.0
-6.5
S31 (dB)

S23 (dB)

-20.1
-7.0
-20.2
-7.5
-20.3

-20.4 -8.0

-20.5 -8.5
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40
freq, GHz freq, GHz
Figure 3. 5 : Simulation du coefficient de transmission Figure 3. 6 : Simulation du couplage entre les deux
entre le mode TE10 du guide vers le mode pair d’une plateaux.
ligne coplanaire.

Après avoir optimisé le diviseur, les paramètres de S de ce dernier peuvent être


associés à ceux de l’amplificateur MMIC (CHA3093c de UMS) qui sera utilisé lors de la
réalisation. Pour cela, ADS est utilisé pour simuler l’amplificateur spatial pour lequel la
modélisation de l’amplificateur MMIC se fait par importation de ses paramètres S (données
constructeur) tout comme le diviseur (importation des simulations HFSS). L’amplificateur
spatial (voir figure 3.7) comporte alors un diviseur et un combineur de mêmes caractéristiques
ainsi que les deux circuits actifs.

92
Diviseur/Combineur

(1)
Entrée Sortie

MMIC
(2)

Figure 3. 7 : Schéma de l’amplificateur 2×1 simulé sous ADS.

Pour évaluer la réponse de l’amplificateur spatial, on compare ses paramètres S avec


ceux de l’amplificateur MMIC seul (voir figures 3.8 à 3.11). Finalement, le rendement en
puissance théorique de l’amplificateur spatial tracé sur la figure 3.12 se déduit des deux
courbes de gain ( cf. équation (1), § IV.I, chapitre 1).

24 0
23
22 -10
S11 (dB)
S21 (dB)

21
-20
20

19
-30
18
17 -40
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 8 : Gain de l’amplificateur spatial (××), du Figure 3. 9 : Coefficient de réflexion en entrée de


MMIC (). l’amplificateur spatial (××), du MMIC ().

La simulation de l’amplificateur spatial donne des performances tout à fait acceptables


en paramètre S. En effet, les coefficients de réflexion en entrée et en sortie restent en dessous
de –10 dB et ceci sur quasiment toute la plage de fréquence. De plus, entre 26 et 39 GHz, la
différence entre le gain de l’amplificateur spatial et le MMIC ne dépasse pas 0.8 dB (pertes du
diviseur + pertes du combineur), ce qui implique un rendement de combinaison théorique
supérieur à 90 % (0.4dB = pertes du combineur) sur cette même plage de fréquence.

93
0 -50

-10

-20 -55
S22 (dB)

S12 (dB)
-30

-40 -60

-50

-60 -65
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz


Figure 3. 10 : Coefficient de réflexion en sortie de Figure 3. 11 Coefficient de transmission entre la sortie et
l’amplificateur spatial (××) , du MMIC (). l’entrée de l’amplificateur spatial (××), du MMIC ().

100

95
Rendement (%)

90

85

80

75
26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz

Figure 3. 12 : Rendement de combinaison de l’amplificateur spatial 2×1.

I.II. Amplificateur 2×2

L’amplificateur 2×2 comporte deux plateaux qui sont prévus pour recevoir deux
amplificateurs MMIC chacun. La structure possède deux plans de symétrie : un plan CCE
(court-circuit électrique) et un plan CCM (court-circuit magnétique) représentés sur la figure
3.13.

Pour passer d’une voie de sortie d’un diviseur 2×1 à un diviseur 2×2, la hauteur du
guide “b” est divisée par deux, ce qui donne un diviseur 2×1 avec une hauteur b/2 (b = 3.556
mm pour le guide en bande Ka). La structure résultante est ensuite dupliquée avec un effet
miroir par rapport au plan CCE sans modifier les dimensions de la transition utilisée pour le
combineur 2×1.

94
CCE

CCM

b/2
a/2

Figure 3. 13 : Structure d’un diviseur 2×2 avec les plans de symétrie (HFSS).

Du fait de l’espace mémoire insuffisant de l’ordinateur, l’utilisation des deux plans de


symétrie de la géométrie a été indispensable pour effectuer la simulation, ce qui explique la
valeur du coefficient de transmission simulé entre le mode TE10 du guide et le mode impair
(le mode désiré) de la ligne coplanaire (-0.45 dB au lieu de –6.02 dB pour un diviseur 4
voies). Sans modifier aucun autre paramètre de la géométrie, le nouveau diviseur offre de
bonnes performances en simulation (voir figures 3.14 à 3.16).

-10 -0.4

-15 -0.5
S11 (dB)

S21 (dB)

-20 -0.6

-25 -0.7

-30 -0.8

-35 -0.9
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 14 : Coefficient de réflexion du côté du guide Figure 3. 15 : Coefficient de transmission entre le mode
rectangulaire. TE10 du guide et le mode impair de la ligne coplanaire.

95
-16.
0
-16.5

-17.

S31 (dB)
0
-17.
5
-18.
0
-18.
5
-19.
0 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz

Figure 3. 16 : Coefficient de transmission entre le mode TE10 du guide et le mode pair de la ligne
coplanaire

Puisque le circuit possède deux plans de symétrie, la modélisation sous ADS se


simplifie et se limite à une transition simple entre le guide en entrée et le guide en sortie via
une transition élémentaire et un seul amplificateur MMIC (voir Figure 3.17).

Diviseur/Combineur

(1)
Entrée Sortie
MMIC

Figure 3. 17 : Schéma de l’amplificateur 2×2 sous ADS avec la prise en compte des deux plans de symétrie.

Les résultats de simulation (voir Figures 3.18 à 3.22) donnent un coefficient de


réflexion inférieur à -10 dB entre 27.5 et 39 GHz. De plus, la différence entre le gain résultant
de cette simulation et celui de l’amplificateur MMIC seul ne dépasse pas 1.2 dB entre 28 et 40
GHz. Ceci implique un rendement de combinaison supérieur à 90 % sur cette même plage de
fréquence.

96
24 -5

23
-10
22
S21 (dB)

S11 (dB)
21 -15

20
-20
19

18 -25
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 18 : Gain de l’amplificateur spatial (××), du Figure 3. 19 : Coefficient de réflexion en entrée de


MMIC (). l’amplificateur spatial (××), du MMIC ().

-50 -10

-15
-55
S22 (dB)
S12 (dB)

-20

-25
-60
-30

-65 -35
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 20 : Coefficient de transmission entre la sortie Figure 3. 21: Coefficient de réflexion en sortie de
et l’entrée de l’amplificateur spatial (××), du MMIC l’amplificateur spatial (××), du MMIC ().
().

98

96
Rendement (%)

94

92

90

88

86
26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz

Figure 3. 22 : Rendement de combinaison de l’amplificateur 2×2.

97
I.III. Conclusion sur les structures en guide mono-mode

En guide mono-mode, nous voyons très rapidement les limitations en nombre de


plateaux et donc de composants actifs, et ce, d’autant plus que la fréquence est élevée puisque
les dimensions du guide normalisé diminuent. De plus, du fait de la "grande taille" du guide
par rapport à la "petite taille" de la fente au niveau de la ligne coplanaire, une telle structure
est gourmande en ressource mémoire (nombre de cellules pour le maillage). Nous avons donc
du utiliser des symétries géométriques qui ne permettent pas de modéliser l’ensemble des
paramètres S de la structure. Pour réduire cette ressource mémoire tout en simulant une
structure complète, il est possible d’utiliser des lignes microrubans qui sont plus aisées à
mailler, comme nous le verrons dans la partie qui suit.

II. Amplificateurs en guide multi-modes en bande Ka

Pour pallier l’inconvénient lié à la taille des guides monomodes pour réaliser un
amplificateur spatial de puissance, la solution passe par l’utilisation de guide élargi donc
multi-mode. Le premier amplificateur présenté dans cette partie est un amplificateur spatial
4×2, et le second, 8×2. La technologie micro-ruban est utilisée pour la conception des
plateaux puisque les faibles dimensions des fentes des lignes coplanaires exigent un maillage
dense et donc une simulation longue et nécessitant une ressource mémoire importante (notre
calculateur est limité à 2 Gbits). La méthode de travail reste la même qu’avec la technologie
coplanaire.

II.I. Amplificateur 4×2

L’amplificateur étudié dans cette partie est composé de quatre plateaux recevant
chacun deux MMICs.

La méthode la plus simple pour concevoir un diviseur 4×2 consiste à rajouter deux
plateaux à la conception précédente (2×2), mais cela amène des inconvénients du point de vue
du régime de fonctionnement en puissance des MMICs. En effet, si quatre plateaux sont
insérés dans un guide mono-mode, et vu la configuration du champ électrique dans le guide,
les deux plateaux au centre du guide couplent plus d’énergie que les deux autres. Par des

98
simulations préalables, le décalage entre les coefficients de transmission est de l’ordre de 2.5
dB.

En conséquence, les MMICs qui sont placés sur les plateaux situés au centre de la
structure auront tendance à comprimer et saturer avant ceux placés sur l’extérieur, ce qui
limitera plus rapidement la combinaison de puissance et l’intérêt de la combinaison des quatre
amplificateurs.

Ceci nous a conduit à une autre façon d’étudier l’amplificateur 4×2 à travers l’emploi
d’un guide multi-modes, pour assurer une illumination quasi équi-amplitude des différents
plateaux. En profitant de l’excitation de modes supérieurs de vitesses de phase différentes, il
faut s’arranger pour que la combinaison de ces modes donne un couplage aux différents
plateaux les plus semblables. On peut ainsi avoir une illumination en champ électrique la plus
uniforme possible au niveau des entrées des plateaux.

Pour simplifier l’étude du diviseur/combineur, les deux plans de symétrie de la


structure sont utilisés (voir figure 3.23).

aa/2
Plan de
symétrie t2 t3
t1/2
CCM

1 2 3

b/2
Plan de
a/2
symétrie
CCE

Figure 3. 23 : Profil d’un diviseur 4×2 avec deux plans de symétrie.

99
Pour les profils des transitions guide–ligne microruban (voir figures 3.24 et 3.25),
nous nous sommes inspirés du profil de la transition coplanaire.

Figure 3. 24 : Vu de dessus (à gauche) et de dessous (à droite) de la transition guide vers la ligne micro-
ruban via une ligne fente.

lsf1

gtaper

lsf2
d

gsf lsc

wsc

Figure 3. 25 : Détails de la transition entre la ligne fente et ligne micro-ruban avec tous ses paramètres.

100
L’étude de ce diviseur s’effectue en deux parties. La première est l’étude de la
transition du guide mono-mode vers le guide multi-modes afin de visualiser la répartition en
amplitude des champs. Ensuite, les plateaux sont insérés dans le guide multi-modes pour
former le module entier.

Avant même de passer à l’étude de cette transition, il faut définir les dimensions du
guide multi-modes qui sont liées au nombre de plateaux. On rappelle que les distances qui
séparent les plateaux, entre eux et par rapport aux murs verticaux du guide, ne doivent pas
dépasser une certaine valeur au-dessus de laquelle des modes de type TE sont générés (voir
figure 3. 26). Ce phénomène a déjà été observé durant l’étude des diviseurs 2×2 et 2×1.

(1) (2) (3)


Figure 3. 26 : Configuration des modes TE excités dans les zones (1), (2) et (3) définies sur la figure 3.23.

Une fois cette distance maximale définie, l’étude de la transition entre le guide mono-
mode et le guide multi-modes peut débuter. Le choix d’une transition de type cornet sectoral
permet de garantir un fonctionnement plus large bande qu’avec une structure de type Box
Horn, par exemple.

A titre d’exemple, et pour illustrer l’intérêt de l’utilisation d’un guide multi-modes,


une simulation d’un cornet sectoral vide a été faite. Les courbes illustrant l’allure du champ
électrique dans plusieurs sections droites sont présentées ci-dessous (voir figure 3.27) et
comparées à la courbe donnant l’allure du champ électrique dans un guide mono-mode.

101
1

0.8
Champs E normalisé (V/m)

0.6

0.4

0.2

0
0 0.75 1.5 2.25
Largeur du guide multi-modes normalisée (mm)

Figure 3. 27 : Variation du niveau du champ électrique dans plusieurs sections droites du guide multi-
modes comparé au champ d’un guide mono-mode (+++).

Dans un guide mono-mode, l’énergie est concentrée au centre du guide (courbe +++),
alors qu’avec un guide multi-modes et sa transition optimisés, cette énergie a tendance à
couvrir plus d’espace proportionnellement. Evidemment, ceci s’explique par la superposition
d'un mode supérieur, en l’occurrence le mode TE30 (de part la symétrie, les modes d’indice
pair ne sont pas excités). Une fois les dimensions du cornet choisies, l’étape suivante est de
définir des marges d’erreur en amplitude et en phase entre les voies de l’amplificateur spatial.

II.I.I. Définition des marges d’erreur en amplitude et en phase

Pour obtenir une bonne addition de puissance, il est nécessaire d’avoir une excitation
uniforme en amplitude et en phase entre les différents éléments actifs du dispositif. Ceci était
assuré dans le cas d’un diviseur 2×2 grâce à la symétrie du dispositif, mais dans le cas d’un
diviseur 4×1, cette contrainte n’est pas automatiquement assurée. De plus, à partir du moment
où la conception d’un amplificateur spatial de puissance commence par l’optimisation de la
partie passive de ce dernier, nous avons tout intérêt à ce que les coefficients de transmission
entre les lignes de transmission soient égaux, que ce soit en amplitude ou en phase. En
pratique, ceci est irréalisable dans le sens où il y aura toujours des tolérances mécaniques, et

102
des différences entre les composants actifs, ce qui se traduira par une différence entre les
coefficients de transmission des différentes voies de l’amplificateur spatial. Par conséquent, il
faut définir des marges d’erreur, en amplitude et en phase entre les voies, qui seront
considérées comme tolérables tant qu’elles ne dégradent pas d’une façon significative le gain
et la puissance de sortie de l’amplificateur.

Pour l’étude de ces marges d’erreur, des pondérations sont faites sous ADS avec un
modèle simple (voir figure 3.28). Ce modèle représente un amplificateur 4×2 avec deux plans
de symétrie : CCM et CCE ; c’est pourquoi seulement deux éléments actifs sont représentés.
Ces deux éléments actifs représentent ceux qui sont posés sur les deux plateaux adjacents du
quart du dispositif.

Diviseur/Combineur

|S21| |S21|
Entrée φ1 φ1 Sortie

MMIC
|S31| |S31|
φ2 φ2

Figure 3. 28 Schéma sous ADS du modèle de l’amplificateur 4×2 utilisé pour l’étude des marges d’erreur
en amplitude et en phase (prise en compte des 2 plans de symétrie) (1/4 de la structure).

Le modèle défini sous ADS comporte une entrée puis un diviseur de puissance : celui-
ci peut avoir des coefficients de transmission différents en amplitude. Compte tenu des
symétries, il en est de même en sortie. Chaque sortie du diviseur (déséquilibré en amplitude)
est reliée à un déphaseur, φ1 et φ2 respectivement. Les deux amplificateurs reliés à ces
dispositifs sont supposés identiques et sont modélisés en régime non-linéaire à partir de leur
puissance à 1 dB de compression (modèle polynomial). En sortie des amplificateurs, nous
retrouvons les mêmes éléments.

103
Pour déterminer la marge d’erreur en amplitude, on impose un écart variable (en dB)
entre les valeurs de |S21| et |S31| du diviseur (et donc du combineur), soit |S21|dB=|S31|dB -
alphadB, tout en ayant |S21|²+|S31|²=1 dans le cas sans pertes (cas de 2 plateaux ou 4 plateaux
avec une symétrie). Ensuite, nous faisons varier la puissance d’entrée et visualisons la
puissance de sortie ; on "mesure" alors la puissance au dB de compression. Pour déterminer la
marge d’erreur en phase, les valeurs |φ1| et |φ2| sont modifiées et les dégradations obtenues
sont aussi notées.

L’étude a été faite à un seul point de fréquence : 30 GHz.

Avec comme hypothèse que les voies 2 et 3 soient isolées (plus généralement les accès
entre les plateaux), il est possible d’analyser simplement le dispositif.
A la suite de cette étude, plusieurs remarques importantes peuvent être faites à partir
de la figure 3. 28 :

1- un déséquilibre en amplitude :
- ne dégrade pas le gain petit signal
- dégrade la puissance à 1 dB de compression
2- un déséquilibre en phase dégrade (combinaison vectorielle des signaux) :
- le gain petit signal
- la puissance à 1 dB de compression
3- Chacun des déséquilibres (phase et amplitude) induisant une dégradation en
puissance, la combinaison des 2 déséquilibres dégradera d’autant plus les
performances de l’amplificateur.

La courbe ci-dessous montre les dégradations que subit la puissance de sortie à 1 dB


de compression de l’amplificateur 4×2 en fonction du paramètre “alpha” (dB) (voir figure
3.29).

104
23

22.5

22
Pout (dBm)

21.5

21

20.5
0 1 2 3 4 5 6 7
alpha (dB)

Figure 3. 29 : Variations de la puissance de sortie à 1 dB de compression en fonction d’alpha @ 30 GHz.

Nous montrons ainsi que même avec une différence de pondération en amplitude de 4
dB, la dégradation de la puissance au dB de compression reste inférieure à 1 dB. A la limite si
nous avions un déséquilibre infini, c’est à dire que tout le signal est transmis sur une voie et
rien sur la seconde, une seule voie est alors amplifiée "sans pertes d’accès" ; on ne perd alors
que 3 dB en puissance par rapport à 2 amplificateurs et le gain reste toujours constant.

Ensuite, nous recherchons une marge de phase pour laquelle la puissance de sortie de
l’amplificateur ne subira pas une dégradation de plus de 1 dB et ceci à 1 dB de compression.
Le même schéma de la figure 3.28 est utilisé pour cette étude. On pose |S21| = |S31| = 10log
(1/2) = -3 dB et on fait varier φ1 et φ2. Les courbes qui illustrent les dégradations de la
puissance de sortie et du gain de l’amplificateur sont tracées en fonction du déphasage (Phi =
φ1-φ2) imposé entre les deux plateaux (voir figure 3.30).

105
23

22.5

22
Pout (dBm)

21.5

21

20.5
0 5 10 15 20 25 30 35 40
phi (°)

Figure 3. 30 : Variations de la puissance de sortie et du gain en fonction de phi à 30 Ghz et à 1 dB de


compression.

D’après la courbe précédente, nous remarquons qu’un déphasage de 25° engendre au


maximum une dégradation de 1 dB de la puissance de sortie. Compte tenu de la combinaison
vectorielle des signaux, ceci est aussi valable pour le gain petit signal de cet amplificateur.

En conclusion, la marge de différence de pondération peut être fixée à 4 dB en


amplitude et à 25° en phase pour obtenir "séparément" un écart maximal de 1 dB. La
technologie nous permettra d’obtenir largement mieux que ces valeurs. De plus, la définition
de ces marges va faciliter l’étude électromagnétique de la partie passive du dispositif, c’est-à-
dire le diviseur 4×2.

II.I.II. Etude du diviseur/combineur 4×2

L’étude du diviseur 4×2 commence par l’étude d’une transition élémentaire, ceci dans
le but de gagner du temps de simulation avec l’optimisation des différents paramètres de la
transition fente vers la ligne micro-ruban. Pour cela, les paramètres de la transition (voir
figures 3.23 et 3.25) sont variables dans la simulation et les valeurs initiales correspondantes
sont les suivantes :

106
ltaper = λ lsc = λ/4 = 1.56 mm wsc = w = 0.37 mm
lsf1 = 0.92 mm lsf2 = 1.53 mm gsf = 0.37 mm
gtaper = 0.37 mm d = 0 mm et e = 0.4 mm
avec λ longueur d’onde de la ligne micro-ruban (6.65 mm) à 33GHz, fréquence
centrale de la bande Ka

Après optimisation, ces paramètres ont les valeurs suivantes :


ltaper = 7.5 mm lsc = 0.5 mm wsc = w = 0.37 mm
lsf1 = 0.84 mm lsf2 = 0.69 mm gsf = 0.29 mm
gtaper = 0.29 mm d = 0 mm et e = 0.2 mm

Les courbes ci-dessous montrent la comparaison entre les résultats de simulation de la


transition avant et après optimisation (voir figures 3.31 et 3. 32).

0 0.0

-5
-0.5
-10 Avant Après
S11 (dB)

S21 (dB)

optimisation -1.0 optimisation


-15
-1.5
-20
Après Avant optimisation
-25 optimisation -2.0

-30 -2.5
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40
freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 31 : Simulation du coefficient de réflexion du Figure 3. 32 : Simulation du coefficient de transmission.


côté guide rectangulaire.

Le circuit optimisé offre ainsi un niveau d’adaptation inférieur à -10 dB entre 29 et 37


GHz et des pertes de transmission inférieures à 0.8 dB sur toute la bande Ka. Les pertes sont
meilleures que 0.25dB dans la bande 29-33 GHz avec une adaptation inférieure à –15dB.

La dernière étape dans la conception du diviseur 4×2 consiste à déterminer la position


des plateaux dans le guide multi-modes. En effet, cette position est optimisée de telle façon à

107
ce que les marges d’erreurs définies précédemment soient respectées (voir figures 3. 33 à 3.
35).

-5 -2

-3
-10
-4

S21 (dB)
S11 (dB)

-15
-5
-20
-6

-25 -7

-8
-30
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 33 : Coefficient de réflexion du côté du guide Figure 3. 34 : Amplitudes des coefficients de


rectangulaire. transmission S21 et S31.

200

100
S21 (°)

-100

-200
26 28 30 32 34 36 38 40
freq, GHz

Figure 3. 35 : Phases des coefficients de transmission φ(S21) et φ(S31).

On remarque que la différence entre les amplitudes de S21 et S31, qui correspondent
aux amplitudes des coefficients de transmission, ne dépasse pas 4 dB sur toute la bande Ka.
De plus, le déphasage entre ces deux coefficients ne dépasse pas 25° de 26 GHz jusqu’à 35.4
GHz.

II.I.III. Simulation des performances de l’amplificateur 4×2

Finalement, les paramètres S de répartition du diviseur sont associés à ceux de deux


MMICs identiques dans le but de simuler la réponse du dispositif entier (voir Figure. 3. 36).

108
Diviseur/Combineur

(1)
Entrée Sortie

MMIC
(2)

Figure 3. 36 : Schéma ADS de l’amplificateur 4×2 avec la prise en compte des plans de symétrie (1/4 de la
structure)

Les résultats de simulation du gain et de l’adaptation de l’amplificateur sont comparés


aux mesures de l’amplificateur MMIC fournies par le constructeur (voir figures 3.37 et 3.38).
Le rendement de combinaison de l’amplificateur est déduit des courbes de gain (voir figure
3.39).

24 0

22 -5
S11 (dB)
S21 (dB)

20 -10

18 -15

16 -20

14 -25
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 37 : Gain de l’amplificateur spatial ( ), du Figure 3. 38: Coefficient de réflexion en entrée de


MMIC seul (). l’amplificateur spatial ( ), du MMIC seul ().

10

9
Rendement (%)

6
26 28 30 32 34 36 38 40
freq, GHz

Figure 3. 39: Rendement de combinaison de l’amplificateur 4×2.

109
Les simulations de l’amplificateur 4×2 montrent des performances acceptables avec un
coefficient de réflexion inférieur à –10 dB entre 26 et 38 GHz. De plus, le rendement de cet
amplificateur déduit de la différence entre son gain et celui du MMIC reste au-dessus de 89%
entre 27.5 et 35 GHz. En effet, les dégradations du rendement à partir de 35.4 GHz sont dues
à un déphasage entre les coefficients S21 et S31 dépassant 25° jusqu’à atteindre 31° à 37.4 GHz
(cf. figure 3.35).

II.II. Amplificateur 8×2

Cette partie présente le développement d’un amplificateur à huit plateaux portant


chacun deux lignes micro-ruban en utilisant la même méthode que précédemment. Comme
tous les amplificateurs déjà présentés, la conception de celui-ci commence par l’optimisation
du diviseur correspondant (voir figure 3. 40).

aa
T5
T4
T3
T2
T1

cc

ZZ

Plan de
symétrie CCM

b/2

Plan de symétrie
CCE
a/2

Figure 3. 40 : Schéma d’un diviseur 8×2 avec la technologie micro-ruban.

110
De même, l’étude du diviseur 8×2 débute par la définition des marges d’erreur en
amplitude et en phase.

II.II.I. Définition des marges d’erreurs en amplitude et en phase

Ces marges sont étudiées sous ADS (voir figure 3.41). La présence de deux plans de
symétrie au niveau du diviseur réduit le schéma de simulation à un amplificateur 4×1.

Diviseur/Combineur

|S21| |S21|
φ1 φ1

MMIC
|S31| |S31|
Entrée φ2 φ2 Sortie

|S41| |S41|
φ3 φ3

MMIC
|S51| |S51|
φ4 φ4

Figure 3. 41 : Schéma sous ADS de l’amplificateur 8×2 utilisé pour l’étude des marges en amplitude et en
phase (prise en compte des plans de symétrie).

Pour calculer la valeur de “alpha”, qui correspond à l’écart (marge) en amplitude entre
les quatre coefficients de transmission, nous considérerons un cas "simple". Premièrement,
aucun déphasage n’est imposé entre les plateaux. Deuxièmement, nous supposons que trois
des quatre MMICs reçoivent la même puissance, ce qui implique que : |S21| = |S31| = |S41|.
Troisièmement, on considère que le dispositif est parfaitement adapté et que par conséquent,
|S11| = |S22| = |S33| = |S44| = |S55| 0. Finalement, le dispositif est considéré comme étant sans
pertes ; alors, |S51| se calcule à l’aide de l’équation suivante :

111
|S51|2 = 1- ( |S21|2 + |S31|2 + |S41|2 )
et alpha = |S51| - |S21|, en dB

Les dégradations de la puissance de sortie en fonction de ce paramètre "alpha" sont


tracées sur la figure 3.42.

26

25.5
Pout (dBm)

25

24.5
0 2 4

alpha (dB)

Figure 3. 42 : Dégradations de la puissance de sortie et du gain en fonction de “alpha”.

Les courbes précédentes montrent que la marge “alpha” peut être fixée à 4 dB. En
effet, c’est à partir de 4.52 dB de différence que la dégradation de la puissance en sortie
dépasse 1 dB.

Un autre cas consisterait à déterminer la dégradation de puissance pour une variation


de la marge en amplitude linéaire ou une variation plus complexe (variation parabolique par
exemple) :

S21dB = S31dB – αdB = S41dB – 2.αdB = S51dB – 3.αdB pour la forme linéaire

Pour étudier la marge correspondante en phase, les amplitudes des coefficients de


transmission sont identiques (|Si1| = 10 log(1/4) = -6 dB). De plus, pour “phi” correspondant à
un déphasage identique entre deux plateaux adjacents, les courbes ci-dessous donnent les

112
dégradations de la puissance de sortie (et du gain, non représenté) en fonction de ce
déphasage (voir figure 3.43).

26

25.5

25
Pout (dBm)

24.5

24

23.5

23
0 5 10 15 20

phi (°)

Figure 3. 43 : Dégradations de la puissance de sortie en fonction de “phi”.

A partir de ces résultats, on remarque qu’un déphasage de 14° ne dégrade pas la


puissance de plus de 1 dB.

En conclusion, ces deux marges d’erreurs (“alpha” et “phi”) doivent être respectées
lors de l’étude du diviseur correspondant à cet amplificateur 8×2.

II.II.II. Optimisation du diviseur 8×2

En premier lieu, tous les paramètres qui définissent les transitions restent identiques à
ceux déjà optimisés lors de la simulation de la transition élémentaire (cf § II.I.II). Ensuite, le
nombre de plateaux va définir la largeur maximale du guide multi-mode. Les seuls paramètres
qui restent à optimiser sont ceux qui définissent les positions des plateaux suivant les axes x et
z sur la figure 3.40. Après optimisation, le diviseur/combineur assure un coefficient de
réflexion en entrée inférieur à –10 dB sur toute la bande Ka (voir figure 3. 44). De plus, les
coefficients de transmission entre le guide d’entrée et les lignes micro-ruban montrent un
décalage maximal de 4 dB entre 26 et 34.5 GHz (voir figure 3.45), ce qui correspond à la

113
marge définie dans le précédent paragraphe. Cette marge peut être diminuée. D’un autre côté,
un déphasage de 40° entre deux accès est observé entre 26 et 29 GHz, ce qui limite la bande
passante de l’amplificateur entre 29 et 34.5 GHz (voir figure 3.46). Néanmoins, si l’on tolère
une dégradation de la puissance de sortie de 1.5 dB, on pourra alors utiliser l’amplificateur
jusqu’à 38.5 GHz. Entre 34.5 et 38.5 GHz, un décalage maximal entre les amplitudes des
coefficients de transmission est observé à 37.3 GHz pour une valeur de –6.1 dB, et le
déphasage entre ces coefficients de transmission est limité à 17° (cf. Figure. 3.46). En résumé,
le déphasage entre les plateaux varie entre 2° et 10°, et le déséquilibre en amplitude
d’illumination varie de 4 dB sur la bande [29-34.5] GHz, et sur la bande [29-38.5] GHz ces
différences sont limitées à 6.1 dB en amplitude et 17° en phase.

-10 -4
-15 -6

-20
-8
-10
-25
-12
-30
-14
-35
-16
-40 -18
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40
freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 44: Coefficient de réflexion Figure 3. 45: Amplitudes des coefficients de


diviseur/combineur. transmission |S21|, |S31|, |S41| et |S51|.

200

100

-100

-200
26 28 30 32 34 36 38 40
freq, GHz

Figure 3. 46 Phases des coefficients de transmission φ(S21), φ(S31), φ(S41) et φ(S51).

114
II.II.III. Simulation des performances de l’amplificateur 8×2

Après avoir défini les marges d’erreur, une simulation en paramètres S de


l’amplificateur complet a été effectuée sous ADS (voir figure 3.47) pour le
diviseur/combineur étudié précédemment.

Diviseur/Combineur

(1)

MMIC
(2)
Entrée Sortie

(3)

MMIC
(4)

Figure 3. 47 : Schéma sous ADS de l’amplificateur 8×2 avec la prise en compte des plans de symétrie.

Les résultats de simulation de l’amplificateur 8×2 sont comparés aux mesures


(mesures du constructeur) de l’amplificateur MMIC seul en gain (figure 3. 48) et en
adaptation (figure 3. 49). Le rendement de combinaison de l’amplificateur est déduit de la
différence entre les deux courbes de gain (voir figure 3. 50).

25 -5

20 -10
S11 (dB)
S21 (dB)

15 -15

10 -20

5 -25
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 48: Gain de l’amplificateur spatial ( ), du Figure 3. 49: Coefficient de réflexion en entrée de
MMIC seul (). l’amplificateur spatial ( ), du MMIC seul ().

115
100

80

Rendement (%)
60

40

20
26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz

Figure 3. 50: Rendement de l’amplificateur 8×2.

La dégradation du gain de l’amplificateur à 27.5 GHz (cf. figure 3.48) est due à un
écart de phase de 40 entre deux plateaux observée lors de l’étude du diviseur/combineur. De
même, la deuxième dégradation observée en haut de bande est due à un écart de phase entre
les coefficients de transmission de l’ordre de 25° (cf. figure 3.46). Ces dégradations entraînent
des baisses du rendement de combinaison. Néanmoins, cet amplificateur présente un
rendement de combinaison supérieur à 78 % entre 29 et 38.5 GHz.

III. Caractérisation de l’amplificateur MMIC

Dans cette partie, nous présentons la caractérisation sous pointes de l’amplificateur


MMIC (CHA 3093c) de chez UMS que nous avons utilisé pour la réalisation des modules. La
cellule de caractérisation de l’amplificateur est constituée de lignes coplanaires d’impédance
caractéristique 50 Ω, de capacités MIM (Métal Isolant Métal) définies par le constructeur
(100 pF) et de capacités CMS pour le découplage de l’alimentation DC ; ces dernières servent
également à éliminer les problèmes d'instabilité à basses fréquences (voir figure 3.51).

Les lignes coplanaires sont de mêmes dimensions que les plateaux de l’amplificateur
spatial (W = 80µm et G = 40 µm). Des fils d’or thermocompressés sont utilisés pour relier les
accès RF de l'amplificateur MMIC aux lignes coplanaires ainsi que les masses entre elles.
L’analyseur de réseau vectoriel utilisé lors de cette caractérisation est le VNA 37369A
[40MHz-40GHz] de chez Wiltron, les pointes Picoprobes (pitch 150µm) et une station KARL
SUSS PM8 associée à un Makrozoom Leïca M420.

116
Entrée

VGS VDS

Sortie

Figure 3. 51 : Cellule de caractérisation de l’amplificateur MMIC.

Les courbes suivantes comparent les mesures effectuées au laboratoire et les valeurs
données par le constructeur (voir figures 3.52 à 3.55).

24 -12
23 -14
22
-16
S11 (dB)
S21 (dB)

21
-18
20
-20
19

18 -22

17 -24
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 52 : Gain (??? : mesure constructeur, *** : Figure 3. 53 : Coefficient de réflexion en entrée (??? :
nos mesures) mesure constructeur, *** : nos mesures)

-45 -8

-10
-50
-12
S22 (dB)
S12 (dB)

-55 -14

-60 -16
-18
-65
-20
-70 -22
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 54 : Coefficient de transmission entre la Figure 3. 55 Coefficient de réflexion en sortie (??? :


sortie et l’entrée (??? : mesure constructeur, *** : nos mesure constructeur, *** : nos mesures).
mesures).

117
Des différences du gain entre 1 et 2.1 dB sont observées et peuvent être expliquées par
le fait que les mesures faites par le constructeur sont faites aussi sous-pointes mais
directement sur la puce. De plus les données constructeur sont issues d’une plaquette
différente de celui utilisé ici. Néanmoins, les autres paramètres de répartition montrent des
niveaux qui peuvent être considérés comme concordants avec ceux des mesures
"constructeur".

IV. Caractérisation expérimentale d’un amplificateur spatial 2×1

L’amplificateur 2×1 conçu au début de ce chapitre (cf. § I.I) a été réalisé et caractérisé.
Les résultats de ces caractérisations sont présentés dans la suite de ce paragraphe. Une photo
d’un plateau réalisé pour l’amplificateur 2×1, sur lequel est déposé un amplificateur MMIC
(CHA 3093c de UMS), est montré ci-dessous ainsi que les éléments nécessaires à la
polarisation (capacités de découplage de type CMS et MIM) (voir figures 3.56 et 3.57). La
face arrière du plateau présente des plans de masses qui couvrent quasiment toute la partie
dédiée à l’alimentation DC afin d’améliorer le contact électrique avec le guide d’onde.

Figure 3. 56 : Photo d’un plateau avec les composants actifs posés dessus (vu de dessus et vue de dessous).

118
Figure 3. 57 : Zoom sur les composants actifs d’un plateau MMIC, capacités CMS et MIM.

Le guide d’onde mono-mode qui doit contenir les deux plateaux a été réalisé sur cahier
des charges ; il est constitué de quatre parties comme le montre la figure 3.58.

Figure 3. 58 : Différentes parties constituant l’accès en guide de l’amplificateur (avant et après assemblage
à vide).

Le tout a été assemblé et monté sur un support métallique pour rigidifier le montage
lors de sa manipulation pour des mesures tout en facilitant la polarisation des différents
amplificateurs (voir figure 3.59).

119
Figure 3. 59 : Cellule de mesure de l’amplificateur 2×1.

Après un calibrage de type TRL en guide nous avons effectué trois types de mesures
sur cet amplificateur. En premier lieu, les 2 amplificateurs MMIC ont été alimentés
(configuration ON, ON) ; compte-tenu des résonances observées lors de cette première
mesure mais pas en simulation et pouvant être dues à une dissymétrie possible des
amplificateurs, nous avons testé 2 autres configurations (ON, OFF) et (OFF, ON) afin de le
mettre en évidence. Les résultats sont donnés sur les figures 3. 60 à 3.63.

20 200

15
100
S21 (dB)

10
S21 ( ° )

0
5

-100
0

-5 -200
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 60 : |Gain| et φGain : (°°° : ON,ON), (××× : ON,OFF), (∇∇∇ : OFF,ON).

120
0 200

-10 100
S11 (dB)

S11 ( ° )
-20 0

-30 -100

-40 -200
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 61 : Adaptation d’entrée: |S11| et φS11 : (°°° : ON,ON), (××× : ON,OFF), (∇∇∇ : OFF,ON).

0 200

-10 100
S22 (dB)

S22 ( ° )

-20 0

-30 -100

-40 -200
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 62 : Adaptation de sortie: |S22| et φS22 : (°°° : ON,ON), (××× : ON,OFF), (∇∇∇ : OFF,ON).

-20 200

-30
100
S12 (dB)

-40
S12 ( ° )

0
-50

-100
-60

-70 -200
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 63 : Isolation : |S12| et φS12 : (°°° : ON,ON), (××× : ON,OFF), (∇∇∇ : OFF,ON).

Le rendement de combinaison déduit de la mesure (ON,ON) est supérieur à 85 % entre


30.2 et 36.5 GHz (voir figure 3.64).

121
100

80

Rendement (%)
60

40

20
26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz

Figure 3. 64 : Rendement de l’amplificateur 2×1.

Cependant, des dégradations du gain et donc de rendement sont observées au dessous


de 30 GHz et au dessus de 36 GHz. L’analyse des mesures montrent une différence entre les
paramètres S des 2 configurations (ON,OFF) et (OFF, ON) : il y a donc une dissymétrie entre
les plateaux. Par exemple, en comparant les phases du paramètre S21, un décalage de 61° à 29
GHz est noté. Pour retrouver les origines de ces dégradations, une analyse minutieuse a été
faite comme suit :

1- Vérification des contacts électriques entre les plateaux et le guide ⇒ aucune


anomalie n’a été identifiée.

2- Vérification sous un appareil binoculaire des dimensions des circuits de chaque


plateau ⇒ pas de différences par rapport aux dimensions prévues.

3- Vérification des longueurs des différents boundings qui assurent la liaison RF des
lignes coplanaires vers les MMICs ⇒ un déséquilibre important a été remarqué.

Le seul paramètre qui n’ait pas été pris en compte durant toutes les conceptions
d’amplificateurs n×n faites durant ce chapitre est la longueur des boundings RF. Pour cause,
les paramètres S de l’amplificateur MMIC mesuré correspondait aux mesures sur puce du
constructeur et un écart très faible a été observé entre ces mesures (cf. § III).

122
Aussi, pour étudier les effets des boundings RF, nous avons procédé comme suit : les
longueurs mesurées de ceux-ci varient entre 300 et 500 µm sur un même plateau et d’un
plateau à l’autre. Pour vérifier l’influence de ces longueurs, deux amplificateurs MMIC
simulés sous ADS ont été comparés (voir figure 3.65). Les paramètres S de l'amplificateur
MMIC sont celles du constructeur, mais un seul est relié à des boundings en entrée et en sortie
(longueurs L1 et L2 respectivement).

(a)

MMIC
L1 L2

(b)

Figure 3. 65 : Modèle : (a è MMIC sans boundings) et (b èMMIC avec boundings).

Si on pose des longueurs de boundings telles que L1 = L2 = 200 µm, les simulations
des deux circuits montrent les effets de ces éléments sur les paramètres S (voir figures 3.66 à
3.69).

24 200

22 100
S21 (dB)

S21 ( ° )

20 0

18 -100

16 -200
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 66 : Gain (amplitude et phase): a (xxx), b (−−).

123
-5 -50

-10 -55

S12 (dB)
S11 (dB)

-15 -60

-20 -65

-25 -70
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 67 : S11 a (xxx), b (−−). Figure 3. 68 : S12 a (xxx), b (−−).

-5
S22 (dB)

-10

-15

-20

-25
26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz

Figure 3. 69 : S22 : a (xxx), b (−−).

On peut observer une dégradation du gain de l’ordre de 2 dB ainsi qu’un déphasage


induit de l’ordre de 50°. Des dégradations au niveau des adaptations en entrée et en sortie
apparaissent également. On note que lorsque les longueurs des boundings augmentent, les
dégradations des paramètres S augmentent ; ceci est dû au fortes désadaptations qu’elles
introduisent.

Notons qu’un bounding peut être modélisé par une inductance. Pour les longueurs que
nous avons mesuré (200 à 500 µm), ces inductances varient entre 0.1 et 0.5 nH.

La deuxième étape de cette analyse consiste à simuler l’amplificateur 2×1 sous ADS
avec la prise en compte des boundings RF, dans le but de mettre en évidence l'origine des
dégradations observées en mesure. On simule alors les trois configurations de mesures :
(ON,ON), (ON,OFF) et (OFF,ON). Dans ce qui suit, les paramètres S utilisés en simulation

124
d’un amplificateur MMIC alimenté (ON) sont ceux mesurés par le constructeur. En revanche,
puisque le constructeur ne fournit pas les paramètres S d’un MMIC non alimenté (OFF), cette
mesure a été réalisée puis utilisée au cours de cette analyse. Comme précédemment, ce sont
les paramètres S obtenus avec HFSS qui sont utilisés pour le diviseur/combineur.

IV.I. Configuration (ON,ON)

La figure ci-dessous montre le schéma de simulation sous ADS pour l’amplificateur


2×1 en configuration (ON,ON) avec les boundings modélisés par des inductances. De plus,
pour les valeurs d’inductance suivantes : L1 = 0.35 nH, L2 = 0.1 nH, L3 = 0.1 nH, L4 = 0.5 nH,
on note une bonne concordance entre la mesure et la simulation du gain, en particulier pour
les pics de résonance (voir figure 3.71). Les autres paramètres S sont donnés sur les figures
3.72 à 3.74.

Diviseur/Combineur

L1 L2
Entrée ON Sortie

MMIC
L3 L4
ON

Figure 3. 70 : Modélisation sous ADS de l’amplificateur 2×1 en configuration (ON,ON)

25 0

-10
20
S21 (dB)

-20
S11(dB)

15
-30

10
-40

5 -50
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 71 : |Gain| : mesure (×××), simulation (−−). Figure 3. 72 : S11 : mesure (×××), simulation (−−).

125
-20 0

-30 -10
S12 (dB)

S22 (dB)
-40 -20

-50 -30

-60 -40

-70 -50
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 73 : S12 : mesure (×××), simulation (−−). Figure 3. 74 : S22 : mesure (×××), simulation (−−)..

IV.II. Configuration (OFF,ON)

Pour la deuxième configuration (OFF,ON), une modification très simple du modèle a


été nécessaire (voir figure 3.75). Cette modification consiste à remplacer un amplificateur
MMIC ON par un MMIC OFF et d’ajouter à ce dernier des lignes de longueur négative (-l1 et
-l2) et d’impédance caractéristique de 50 Ω compte tenu du calibrage TRL que nous avons
réalisé. En effet, lors de la mesure de cet amplificateur, les plans de référence n’étaient pas
ceux du MMIC mais ceux des lignes coplanaires de longueurs l1 = l2 = 2.5 mm (cf. § III). Par
conséquent, pour modéliser correctement l’amplificateur 2×1, ces lignes sont soustraites pour
éviter un déphasage entre les deux plateaux.

Diviseur

L1 L2
Entrée -ll 1 OFF -l 2 Sortie

MMIC
L3 L4
ON

Figure 3. 75 : Schéma sous ADS de l’amplificateur 2×1 en configuration (ON,OFF).

126
Tout en utilisant les mêmes valeurs des inductances que dans la configuration
précédente (ON,ON), on note encore une bonne concordance entre mesure et simulation dans
les pics de résonance du gain, malgré des niveaux sensiblement différents (figure 3.76).

20 0

15 -10

S11 (dB)
S21 (dB)

10 -20

5 -30

0 -40
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 76 : Gain : mesure (×××), simulation (−−). Figure 3. 77: S11 : mesure (×××), simulation (−−).

-20 0

-5
-40
-10
S22 (dB)
S12 (dB)

-60 -15

-20
-80
-25

-100 -30
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 78: S12 : mesure (×××), simulation (−−). Figure 3. 79: S22 : mesure (×××), simulation (−−).

IV.III. Configuration (ON,OFF)

Pour passer de la configuration (OFF,ON) à celle (ON,OFF), on alterne les


amplificateurs MMIC avec les lignes de longueurs négatives et les inductances de mêmes
valeurs (voir figure 3.80). On note encore une bonne concordance sur les courbes de gain
mesuré et simulé dans les pics de résonance ainsi que sur les niveaux (voir figure 3. 81 à
3.84).

127
Diviseur

L1 L2
Entrée ON Sortie

MMIC
L3 L4
-l 1 OFF -l 2

Figure 3. 80 : Schéma sous ADS de la configuration (OFF, ON).

20 0

15
-10
S21 (dB)

S11 (dB)

10
-20
5

-30
0

-5 -40
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 81: |Gain| : mesure (×××), simulation (−−). Figure 3. 82: S11 : mesure (×××), simulation (−−).

-30 0

-40 -5

-10
S12 (dB)

S22 (dB)

-50
-15
-60
-20
-70
-25

-80 -30
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 83: S12 : mesure (×××), simulation (−−). Figure 3. 84: S22 : mesure (×××), simulation (−−).

128
IV.IV. Conclusion sur cette rétro-simulation

Nous venons de mettre en évidence, à travers trois configurations différentes, l'origine


des dégradations observées en mesure. Elles sont dues à des longueurs de boundings RF trop
importantes qui créent une désadaptation, mais aussi à un déséquilibre d’adaptation des
plateaux causés par un décalage au niveau des longueurs de ces boundings entre chaque
plateau. Par ailleurs, l’isolation entre plateau est non nulle.

L’étape suivante est la recherche de solutions qui peuvent être envisageables pour
résoudre ce problème.

IV.V. Circuits corrigés

En premier lieu, une modification des circuits planaires a été réalisée (voir figure
3.85). Par rapport aux précédents circuits, celui-ci présente des lignes d’accès RF plus courtes
pour minimiser au maximum les pertes d’insertion qui vont donc permettre d’optimiser le
rendement de combinaison. De plus, ces nouveaux circuits présenteront des boundings RF
plus courts que sur la première maquette pour éliminer les dégradations observées
précédemment.

Figure 3. 85 : Motif d’un plateau après modification (diminution de la longueur des lignes d’alimentation
RF) avec une vue de dessus (à gauche) et une vue de dessous (à droite).

La caractérisation de l’amplificateur 2×1 modifié a montré de nettes améliorations au


niveau du gain (voir Figure. 3.1) et du coefficient de réflexion en entrée (voir Figure. 3.2).

129
22 -5
20
-10
18
S21 (dB)

S11 (dB)
16 -15

14
-20
12
-25
10
8 -30
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 86 : Gain mesuré : circuit précédent (×××), Figure 3. 87 : S11 mesuré : circuit précédent (×××),
nouveau circuit (°°°). nouveau circuit (°°°).

Ici encore, les deux mesures supplémentaires correspondant aux configurations (ON,
OFF) et (OFF, ON) ont été effectuées. Ces mesures montrent de bonnes concordances
mesure/simulation dans les deux configurations du point de vue du gain, que ce soit en
amplitude ou en phase (voir figures 3.88 et 3.89).

18 200

16
100
14
S21 (dB)

S22 (dB)

12
0
10
8
-100
6
4 -200
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 88 : Gain : (ON,OFF) ×××, (OFF,ON) °°°. Figure 3. 89 : φGain : (ON,OFF) ×××, (OFF,ON) °°°.

La différence entre les deux gains ne dépasse pas 2 dB, la différence de phase ne
dépasse pas 20°. Cela confirme la symétrie en amplitude et en phase des excitations de chaque
plateau et que les amplificateurs MMIC associés aux boundings ont des performances
similaires. Les MMIC sont du même lot et les boundings ont été réalisés avec un très grand
soin.

130
La dégradation du gain de la configuration (ON,OFF, figure 3.88) par rapport à la
configuration (ON,ON, figure 3. 86) est de 6 dB environ ; cela correspond à la loi de
dégradation de la puissance de sortie Pout lorsque m amplificateurs sont à l’état OFF par
rapport à un nombre total possible de N amplificateurs : Pout = Pmax * (1-(m/N)²), où Pmax est la
puissance maximale obtenue avec N amplificateurs en fonctionnement (ON). Cette relation
est énoncée dans plusieurs références du 1er chapitre, c'est la loi dite de "graceful
degradation" ; pour m=1 et N=2, on retrouve -6 dB.

Nous avons poursuivi la caractérisation de l'amplificateur spatial avec des mesures de


puissance à 29 GHz et 32 GHz effectuées sur l'analyseur de réseau Anritsu 37369 muni de
l'option "Actif". On obtient une puissance à 1 dB de compression de 22 dBm et un gain G-1dB
= 18.8 dB à 29 GHz. A 32 GHz, on obtient : PS-1dB = 21.5 dBm pour un gain G-1dB = 18 dB
(voir figures 3.90 et 3.91). Ces valeurs sont à comparer à la valeur typique donnée par le
constructeur qui est de 20 dBm pour une polarisation VDS = 3.5 V et IDS = 330 mA. Nous
avons effectué les mesures à un courant IDS plus faible (250 mA) car à 330 mA, on observait
de l'expansion de gain. La puissance du MMIC pour 250 mA est donc à priori plus faible que
la valeur typique 20 dBm. Cependant, pour chiffrer le rendement effectif de combinaison de
puissance, il resterait à caractériser chaque amplificateur MMIC en paramètres S et en
puissance. Cette mesure est envisagée à court terme avec le banc de caractérisation fort-signal
développé au laboratoire [1]. Un rendement de combinaison estimé de l'ordre de 70% à 80%
paraît tout à fait probable pour cet amplificateur spatial.

30

25

20
Pout, dBm

15

10

0
-15 -10 -5 0 5

Pin, dBm

Figure 3. 90 : Puissances de sortie mesurée en fonction de la puissance d’entrée à 29 (¦ ¦ ¦ ) et 32 GHz


(? ? ? ) pour Id = 250mA

131
21

20

Gain, dB
19

18

17

16

15
-15 -10 -5 0 5

Pin, dBm

Figure 3. 91 : Gain de l’amplificateur mesuré en fonction de la puissance d’entrée à 29 GHz (¦ ¦ ¦ ) et 32


GHz (? ? ? ) pour Id = 250mA.

IV.VI. Conclusion sur l’ensemble de ces réalisations

La conception d’un amplificateur de puissance à combinaison spatiale en topologie


Tray nécessite non seulement la maîtrise de la partie passive et dépend beaucoup de la qualité
du montage RF. En effet, la mécanique, les boundings tout comme le montage en général
doivent respecter certains critères. Avant tout, les longueurs des boundings doivent être les
plus courtes possibles pour ne pas dégrader le gain, la puissance de sortie, les adaptations et
ils ne doivent pas engendrer de dissymétrie d'un plateau à l'autre pour éviter les problèmes
rencontrés.

A titre d’exemple, nous avons pu observer par simulation que ce décalage ne doit pas
dépasser 150 µm en bande Ka. Si nous reprenons le circuit de la figure 3.70 avec L1 = L2 =
0.3 nH (longueur 400 µm) et L3 = L4 = 0.17 nH (longueur de 250 µm), les dégradations de la
réponse de l’amplificateur disparaissent (voir figures 3.92 à 3.95). Pour réduire l'inductance
parasite des boundings, deux fils d'or en parallèle sont placés sur chaque accès RF.

132
25 0

-10
20
S21 (dB)

S11 (dB)
-20
15
-30

10
-40

5 -50
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 92 : Gain: mesure (×××), simulation (−−−), Figure 3. 93 : S11 (dB) : mesure (×××), simulation
simulation corrigée (? ? ). (−−−), simulation corrigée (? ? ).

-20 0

-30 -10

-20
S12 (dB)

S22 (dB)

-40
-30
-50
-40
-60
-50

-70 -60
26 28 30 32 34 36 38 40 26 28 30 32 34 36 38 40

freq, GHz freq, GHz

Figure 3. 94: S12 (dB) : mesure (×××), simulation Figure 3. 95: S22 (dB) : mesure (×××), simulation
(−−−), simulation corrigée (? ? ). (−−−), simulation corrigée (? ? ).

V. Méthode d’équilibre en phase pour des structures à grand


nombre de dispositifs actifs (brevet FR 05 09759 23-09-2005)

Dans la première partie de ce chapitre, plusieurs types d’amplificateurs (2×1, 2×2,


4×2, 8×2) ont été simulés en guide mono-mode ou multi-modes. Il a été noté que plus le
nombre de plateaux augmentait plus la conception du diviseur/combineur devenait délicate.
En effet, cette complexité réside dans l’objectif d’avoir une illumination équi-amplitude et
équi-phase des différents plateaux. Une illumination équi-amplitude assure une attaque en
puissance identique des composants actifs, mais comme l’addition des signaux est vectorielle
tout déphasage induira une dégradation.

133
Si l’équi-répartition en amplitude est maîtrisable en fonction des paramètres
géométriques (distances entre plateaux, …), il est primordial de contrôler les écarts de phase
au niveau de l'excitation des plateaux d’autant plus que la fréquence est élevée et que le
nombre de composants est important ; un grand nombre de composants induit une plus grande
largeur de la zone de combinaison, donc une différence de marche plus grande. Pour
minimiser ces différences de marche, il est possible d’utiliser une longueur plus importante de
la transition évasée, mais ceci augmente les pertes d’insertion (voir figure 3.96).

Différence de marche

Différence de marche
Centre de phase
L L’

Figure 3. 96 : Structure classique d’une transition guide mono-mode vers guide multi-modes.

Avec ce type d’excitation, il est cependant possible de résoudre le problème de


déphasage. La méthode consiste à réaliser des circuits spécifiques pour chaque plateau (voir
figure 3.97). Les circuits sont donc tous réalisés par paire du fait des symétries. On se
retrouve alors avec une complexité de réalisation, et par conséquent de production. En
l’occurrence, chaque déphasage est réalisé par une ligne de transmission qui va compenser,
zone par zone, la différence de marche. Mais cette technique induit des pertes différentes sur
chacune des voies avec des lignes de transmission plus ou moins longues.

134
Figure 3. 97 : Brevet US4291278 (1981) remise en phase des signaux pour optimiser la combinaison des
signaux, par un allongement différent des trajets sur chaque circuit

Avec la structure que nous proposons (fig. 3.99), aucune ligne de transmission (sur le
plateau supportant le composant actif) n'est nécessaire pour corriger le déphasage lié à
l’illumination non-équiphase ; cette méthode s’applique aussi bien à une topologie "Tile" que
"Tray". Dans ce cas, les plateaux sont tous identiques, ce qui facilite la réalisation et par
conséquent la production. De plus, l’allongement de la transition évasée n’est plus nécessaire
ce qui réduit les pertes en trajet total.

Le principe (voir notations utilisées sur la figure 3.98) consiste à minimiser la


différence des trajets entre chaque voie "active" (entrée + sortie, soit donc la différence de
marche totale) et ce, en combinant les 2 trajets avant et après l’amplification soit A(x)+B(x).
Même si chaque circuit actif reçoit en entrée un signal qui n’est pas en phase par rapport au
signal sur les autres circuits actifs, l’idée générale de ce procédé repose sur le fait que c’est à
la recombinaison que l’on doit être en phase et donc pas en entrée ni en sortie de la zone
active mais globalement. Il est également possible d’optimiser la dispersion d’amplitude tout
comme dans le cas symétrique. Ceci est illustré par un exemple donné plus loin.

135
+W/2
Zone de Combinaison
H A(x) x
L
0
L B(
x) H

-W/2

+W/2
Zone de Combinaison
H A(x) x
L
0
L B(
x) H

-W/2

Figure 3. 98 : Schéma de base du nouveau procédé

Pour exposer le principe, on peut utiliser en première approximation pour la constante


de propagation celle en espace libre k0 = ω/c, ω pulsation, c vitesse de la lumière.

Par des relations trigonométriques classiques, on déduit très simplement les longueurs
des trajets A(x) et B(x) (voir figure 3.98) :

A (x )= (H − x )2 + L² (1)

et B (x )= (H + x )2 + L² = A(−x) (2)

Les différences de marche sont définies par A(x)-A(0) et B(x)-B(0) ; les résultats sont
normalisés par rapport à la largeur du guide de combinaison “W” tout comme les dimensions
utilisées. Les différences de marche à l’entrée des amplificateurs et celles globales sont

136
données en fonction de la position x/W et pour H = 0 et pour différente valeur de L/W sur la
figure 3.99.

(A(x)-A(0))/W (A(x)-A(0)+B(x)-B(0))/W
différence de marche du combineur ou du différence de marche du dispositif spatial :
diviseur diviseur et combineur associés
Figure 3. 99 : Différence de marche en fonction de la position x/W pour H=0 (structure classique) :
L/W= 0.5 (rouge), 1 (jaune), 2 (vert), 4 (bleu)

Dans le cas d’une structure classique, on remarque que plus le guide évasé est long,
moins il y a de différence de marche comme démontré figure 3.99 (voir exemple du brevet
US4291278 ci-dessus, figure 3.97).

En revanche, le fait de mettre la source et le point de récupération des signaux en


décalage (H ≠ 0) donne volontairement un déphasage entre les différents plateaux situés sur
une position X (voir figure 3.100). Comme les 2 déphasages induits par A(x) et B(x) sont
complémentaires, la somme des 2 sera minimisée pour un bon dimensionnement du rapport
H/W : c’est l’objectif d’une combinaison vectorielle de signaux et donc d’un combineur de
puissance optimisé.

137
(A(x)-A(0))/W (A(x)-A(0)+B(x)-B(0))/W
différence de marche du combineur ou du différence de marche du dispositif spatial :
diviseur diviseur et combineur associés
Figure 3. 100 : Différence de marche en fonction de la position x/W pour L/W=0.4, H/W= 0 (rouge -
structure classique), 0.25 (jaune), 0.5 (vert), 1.0 (bleu)

Une modélisation simplifiée du principe d’égalisation de la différence de marche


globale tout en regardant l’effet par circuit actif est présentée sur la figure 3.101 ; ce principe
est complémentaire de celui montré figure 3.98. Pour valider ce nouveau procédé, un exemple
de modélisation électromagnétique montre tout son intérêt lorsqu'on utilise des plateaux
identiques.

φ1 φn
φ2 φn-1
Étages amplificateurs

φ3 φn-2

φn-2 φ3
φn-1 φ2
φn φ1

Figure 3. 101 : Principe d’égalisation de la différence de marche globale

Ici, nous montrons l’analyse électromagnétique sous HFSS, à 35 GHz, d’un combineur
à 4 plateaux en technologie Tray ; ce principe est tout aussi valable pour une topologie
Tile. Le type classique (figure 3.102) et le nouveau procédé (figure 3.103) sont comparés sur
le tableau 1 en paramètres S pour le diviseur et en rendement de combinaison.

138
A(x)
A(x) H

L L

φ1 φ1 φ1 φ4
φ2 φ2 φ2 φ3
active

active
Zone

Zone
φ3 φ3 φ3 φ2
φ4 φ4 φ4 φ1

Figure 3. 102 : Structure symétrique. Figure 3. 103 : Structure oblique.

Pour maintenir quelque peu une symétrie en amplitude, la structure ne pourra pas être
très oblique.

Type Sij | Sij | φ( Sij) Rendement

S21 -7.06 dB -8.62 °


symétrique S31 -6.14 dB -19.0 ° 92%
S41 -6.14 dB -19.0 ° -0.36dB
S51 -7.06 dB -8.62 °

S21 -7.65 dB 63.56 °


Oblique S31 -5.75 dB 69.16 ° 94.5%
S41 -5.21 dB -74.23 ° -0.24dB
S51 -7.11 dB -63.35 °
Tableau 3. 1 : résultats de l'étude électromagnétique

Dans cet exemple, on détériore légèrement l’équilibre en amplitude avec la structure


oblique mais, comme vu dans le paragraphe II.I.I, une différence de 2 dB entre plateaux
entraîne une dégradation de la puissance totale inférieure à 0.5 dB. Une optimisation est
possible (distance entre plateaux) afin de retrouver cet équilibre.

139
L’équilibre global des déphasages du nouveau procédé montre que la combinaison est
améliorée. Les résultats du tableau 1 pour la structure oblique ont été obtenus sans
optimisation dans le cas de 4 plateaux seulement, compte-tenu de la taille mémoire du
calculateur. L'amélioration se verra d’autant mieux que la largeur de la zone active est
importante et donc que le nombre de composants actifs combinés l’est aussi.

A l’inverse de la structure classique, la combinaison avec ce nouveau procédé


améliore le rendement d’autant plus que le nombre de dispositifs mis en parallèle est élevé.

VI. Conclusion

Le cœur de ce chapitre est la conception d’amplificateurs de puissance en bande Ka


par combinaison spatiale en topologie Tray. Nous avons étudié et conçu des structures (2×1)
et (2×2) en guide mono-mode associé à une technologie coplanaire. Un premier amplificateur
(2×1) a été réalisé et caractérisé. Une seconde version prenant en compte des problèmes de
montage a permis de valider globalement l'étude et la réalisation de l'amplificateur spatial [2],
[3] ,[4], [5].

Pour obtenir un amplificateur de forte puissance, il faut d’une part augmenter le


nombre d’éléments actifs, mais aussi que chaque amplificateur soit plus performant en
puissance mais ceci, en général, au détriment de la bande passante. Lorsque le nombre de
plateaux augmente, la structure de combinaison devient multi-modes et, du fait du grand
nombre de plateaux, les contraintes d’illumination équi-phase seront alors les plus restrictives
sur les performances globales de l’amplificateur. Les structures optimisées présentées
comportent jusqu'à 8 plateaux de 2 amplificateurs.

Afin de limiter la dégradation des performances liées aux excitations non équi-phases,
un diviseur/combineur en guide élargi multi-modes a été proposé et un brevet a été déposé. Ce
procédé a été validé par une simple simulation électromagnétique et une optimisation
améliorera les performances.

140
VII. Bibliographie :

[1] I. Yattoun, A. Peden, ‘Caractérisation fort-signal de transistors en bande Ka à


l’aide de la technique de la boucle active modifiée’, 14ème Journées Nationales Microondes,
mai 2005.
[2] O. Houbloss, R. Jezequel, B. Della, D. Bourreau, A. Péden, Ph. Gelin,
"Conception d’un amplificateur de puissance en technologie spatiale dans la bande Ka",
14èmes Journées Nationales Microondes, Nantes, Mai 2005
[3] O. Houbloss, B. Della, D. Bourreau, A. Péden, Ph. Gelin, "Conception de
transitions guide d’onde-ligne coplanaire pour des combineurs de puissance en bande X et
Ka", 14èmes Journées Nationales Microondes, Nantes, Mai 2005
[4] O. Houbloss, B. Della, R. Jezequel, D. Bourreau, A. Péden, Ph. Gelin, "Design
of Broadband Ka Band Spatial Power Amplifiers", 35th European Microwave Conference, 4-
6 oct., Paris, 2005
[5] O. Houbloss, R. Jezequel, B. Della, A. Peden, D. Bourreau, Ph. Gelin, "Ka
Band Power Combining Using Tray Configuration in Rectangular Waveguide",
Mediterranean Microwave Symposium, MMS2005, Athènes, 6-8 sept.,2005

141
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143
144
E. Conclusion générale et perspectives

L’objectif de ce travail était d’étudier et de valider le concept de l’amplification de


puissance par combinaison spatiale en ondes millimétriques. Nous avons développé une
méthode de conception de structures de division/combinaison spatiale en topologie Tray dans
un guide mono-mode et multi-modes à l'aide d'un outil de simulation électromagnétique pour
aboutir à la réalisation d'un amplificateur spatial 2×1 (2 plateaux de 1 amplificateur).

Le premier chapitre présente l’état de l’art des différentes technologies, et topologies


associées, utilisables pour la réalisation d’amplificateurs de puissance en ondes
millimétriques. Parmi ces différentes technologies, la technologie spatiale de type Tray
présente le meilleur compromis en ondes millimétriques entre rendement de combinaison,
complexité de réalisation en fonction des moyens disponibles au laboratoire et coût.

Le second chapitre présente la méthode de conception de la partie passive


(diviseur/combineur) d’un amplificateur spatial en topologie Tray, c'est-à-dire utilisant des
plateaux disposés parallèlement dans un guide d'onde rectangulaire. Une nouvelle transition
élémentaire entre un guide d’onde rectangulaire et une ligne coplanaire a été optimisée puis
validée par la mesure en bande X. Cette étape a permis de valider le principe de la transition
ainsi que la méthode de conception et d'optimisation à l'aide d'un outil de simulation
électromagnétique (Ansoft HFSS). Le concept même de la combinaison a ensuite été validé à
partir de deux plateaux de deux transitions (2×2), toujours en bande X pour faciliter la
réalisation et le montage mécanique. Enfin, la réalisation d’une transition simple, identique

145
sur le principe à celle développée en bande X, a été conçue et caractérisée en bande Ka avec
succès : un double calibrage de l'analyseur a permis d'extraire les caractéristiques de cette
transition sans passer par un montage tête-bêche. La réalisation a été possible grâce à la
technologie multicouche du laboratoire qui permet l’intégration des ponts nécessaires à
l'élimination du mode fente de la ligne coplanaire.

Le troisième chapitre présente la conception d'amplificateurs spatiaux de puissance


basés sur la topologie Tray en guide mono-mode et multi-modes. Les simulations de la
structure complète avec ADS à partir des paramètres S des parties passives
combineur/diviseur et de ceux des amplificateurs MMIC supposés identiques (y compris leur
puissance à 1dB de compression) a permis de déterminer les marges d'erreur en amplitude et
en phase maximales entre chaque plateau, pour avoir une dégradation maximale de 1dB de la
puissance à 1 dB de compression de l’amplificateur spatial. Deux amplificateurs en guides
mono-modes (2×1 et 2×2) ont été simulés et deux en guides multi-modes (4×2 et 8×2).

Un premier amplificateur 2×1 a été réalisé et caractérisé puis une seconde version
prenant en compte les problèmes de montage identifiés sur la première (boundings RF trop
longs pour la connexion des amplificateurs MMIC aux lignes d'accès coplanaires) a permis de
valider globalement l'étude et la réalisation de l'amplificateur spatial par la mesure de ses
paramètres S ainsi que de sa puissance de sortie (caractéristique puissance de sortie en
fonction de la puissance d'entrée).

Afin de limiter la dégradation des performances liées à une excitation non équi-phase,
un nouveau diviseur/combineur en guide élargi multi-modes a été proposé. Il résout le
problème de l'excitation non équi-phase des plateaux dans la zone active inhérent aux
structures classiques de transition entre guide mono-mode et guide multi-modes. Des
solutions ont été publiées dans la littérature, mais le procédé présente les avantages suivants: :
- il s’applique quelle que soit la topologie spatiale Tile ou Tray
- le "cornet" peut être court pour minimiser les pertes
- tous les plateaux (en topologie Tray) sont identiques
- plus le nombre de plateaux est important plus ce procédé est intéressant
- les optimisations de l’équi-amplitude et de l’équi-phase sont quasiment décorrélées

146
En perspectives, des réalisations d'amplificateurs spatiaux à plus grand nombre de
plateaux et de circuits actifs par plateaux sont donc envisageables en guide mono-mode
comme en guide multi-modes en utilisant le nouveau procédé proposé. L'objectif est alors
d'augmenter la puissance de sortie tout en conservant un rendement de combinaison le plus
élevé possible. Par contre, l'augmentation de la puissance de sortie va poser des problèmes
thermiques : il faudra alors prendre en compte l'évacuation de la chaleur produite par les
amplificateurs dont les rendements en puissance sont en général relativement faible (inférieur
à 20-30%) dans la bande considérée. Le contrôle thermique devra donc se faire au niveau de
chaque amplificateur (choix d'un substrat de bonne conductivité thermique, report sur une
semelle métallique épaisse,…) mais également au niveau de la structure entière. Ces
contraintes thermiques devront alors être prises en compte dès le début de la conception.

Cette étude a permis d'identifier les différentes structures de combineur à haute


efficacité de combinaison. Il serait donc également intéressant de travailler sur la combinaison
radiale pour mettre en évidence ses avantages et inconvénients en ondes millimétriques.

***

147
ETUDE ET CONCEPTION D’AMPLIFICATEURS EN ONDES
MILLIMETRIQUES A COMBINAISON SPATIALE DE PUISSANCE

***
Résumé

Le développement d'amplificateurs de puissance en ondes millimétriques nécessite l'utilisation de


techniques de combinaison efficaces d'amplificateurs individuels optimisés. Parmi les différentes solutions
utilisables, la technologie de combinaison spatiale, consistant à placer un certain nombre de plateaux actifs dans
un guide rectangulaire, présente l'intérêt majeur d'avoir des pertes pratiquement indépendantes de ce nombre,
contrairement à la technologie planaire. En outre, cette technologie offre au final un dispositif relativement
compact et rigide, de réalisation aisée et il est possible d'utiliser, soit un guide mono-mode, soit un guide
surdimensionné. Dans ce dernier cas, cela permet d'augmenter le nombre de plateaux en parallèle pour atteindre
des puissances encore plus importantes. La maîtrise de l'illumination équi-amplitude et équi-phase des plateaux
est alors l'enjeu de cette topologie. Un nouveau diviseur/combineur en guide multi-modes a été proposé afin de
limiter la dégradation des performances de l'amplificateur spatial pour un grand nombre de plateaux.

Mots-clefs: Amplificateur, transition guide-planaire, technologie quasi-optique, addition de puissance,


rendement de combinaison

***

Abstract

Efficient combining techniques are needed for the development of power amplifiers at high frequency.
The spatial combining technology, which consists in placing a defined number of plates in a rectangular
waveguide, is one of the most advantageous ways in the design of power amplifiers. In fact, this technology
affords a power combiner whose insertion losses are independent of the number of active components; a fact not
afforded by planar technology where the insertion losses are related to the number of active components.
Moreover, spatial combining technology offers a solid and compact structure with the possibility of using either
a single mode waveguide or a multi mode waveguide. With the second option, it is possible to increase the
number of plates in order to reach higher power. In this case, the important issue is the control of the
illumination in order to ensure the same excitation of all trays. A new multi mode waveguide combiner is
presented, it helps limit the spatial amplifier degradations when dealing with a large number of trays.

Keywords : Amplifier, rectangular waveguide to coplanar line transition, quasi-optical technology, power
combining, combining efficiency