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I.U.

T de Limoges Département GEII BRIVE EP1/2

Electronique Physique TD n°2

I - Sachant que la masse atomique A (grammes) indiquée dans la classification périodique est
la masse de N atomes où N est le nombre d'Avogadro.

Montrer que la concentration en électrons libres pour un métal est donnée


par:

N .d. J .103
n=
A

où d est la densité du métal en kg/m3


et J le nombre d'électrons libres par atome

II - On considère une maille de cristal de silicium. Cette maille élémentaire est de la


forme diamant et comprend 8 atomes
Sachant que la maille est cubique de constante a = 5,43 Å à 300° K, calculer
le nombre d'atomes de silicium par cm3 et la densité du silicium à cette température.

III - Calculer la mobilité des électrons libres de l'aluminium sachant que sa résistivité
est : ρ = 3,44 10-8 Ω.m ;
Al13 ; d = 2.7g / cm3
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En déduire la vitesse moyenne des électrons lorsque l'on applique une D.D.P.
de 10 V.à un barreau d'aluminium de 1cm de longueur.

IV - 1° Déterminer la concentration en trous et en électrons à 300° K d'un


barreau de Ge dopé P dont la conductivité est 2,5 (Ω . m) - 1.
- 2° Même question pour un barreau de silicium dopé N dont la conductivité
est 10 (Ω . m) - 1.
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V - On utilise l'effet Hall pour déterminer la mobilité des trous dans un semi-
conducteur dopé P suivant le montage de la figure 1
1
la résistivité du barreau est : = 2 105 Ω cm
σ
le champ magnétique dirigé suivant l'axe Z est :
Bz = 0,1 Tesla, d = 3 mm., W = 3 mm.
On a mesuré un courant de Hall de 10 µA et une tension de Hall de 50 mV.

Déterminer la mobilité des trous µp

Figure 1
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CONSTANTES ELECTRIQUES DES S.C. à T = 300° K

Ge Si AsGa

Largeur de bande interdite (ev) 0.67 1.1 1.4

Concentration d'atomes (cm-3) 4.42 1022 5.1022 2.21 1022

Densité intrinsèque ni (cm-3) 2.4 1013 1.45 1010 9.106

Mobilités intrinsèques µn 3900 1350 8600


(cm2/V.S)

Mobilités intrinséques µp 1900 480 250


(cm2/V.S).