Le Redressement

 O B J E C T I F D E L A C O N V E R S I O N A LT E R N AT I F ‐ C O N T I N U ,
 M O N TA G E S R E D R E S S E U R S D E T E N S I O N N O N C O M M A N D É S ,
 F I LT R A G E E T L I S S A G E , R É G U L AT I O N .

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 1

Plan de la leçon:

 Notion sur les semi-conducteurs

 Dopage des semi-conducteurs
 La Jonction PN
 La diode à Jonction
 Le redressement simple alternance
 le redressement double alternance
 le filtrage & la stabilisation

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 2

 Notions sur les semi-conducteurs
 Ils se placent entre les conducteurs et les isolants.
 Ils possèdent une résistivité intermédiaire entre celle des conducteurs et celle des isolants : Ils se comportent comme
des isolants aux basses températures lorsque l’agitation thermique est faible et comme des conducteurs aux
températures élevées.
 La résistivité d’un semi-conducteur diminue quand la température augmente.
 Lorsque le corps est parfaitement pur, il est qualifié d’intrinsèque. Exemples : Silicium (Si), Germanium (Ge),

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 3

 Notions
Dopage des  semi-conducteurs extrinsèques
sur les semi-conducteurs
semi-conducteurs

Le dopage est l’introduction dans un semi-conducteur intrinsèque de très

faible quantité d’un corps étranger appelé dopeur.
===================================================

Pour les semi-conducteurs usuels (Si , Ge), les dopeurs utilisés sont :
 Soit des éléments pentavalents : ayant 5 électrons périphériques
« l’Arsenic (As), l’Antimoine (Sb), le Phosphore (P),… »
 Semi-conducteur extrinsèque type N

 Soit des éléments trivalents : ayant 3 électrons périphériques. « le

Bore (B), le Gallium (Ga), l’Indium (In),… »
 Semi-conducteur extrinsèque type P

===================================================
N.B: Les dopeurs sont introduits en très faible dose
(1 atome du dopeur pour 106 atomes du semi-conducteur).

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 4

 La jonction PN
Semi-conducteur type P Semi-conducteur type N
L’union dans un même cristal d’un semi-conducteur type P et d’un
semi-conducteur type N fait apparaître à la limite des zones P et N, une
zone de transition appelée : Jonction P-N

1- Jonction P-N non polarisée

Au niveau de la jonction P-N :

- les électrons libres de la partie N diffusent vers les trous disponibles de la
partie P
- les trous disponibles de la partie P diffusent vers la partie N et piègent des
électrons.
 Les parties P et N étant initialement neutres, la diffusion des électrons et des
trous a pour effet de charger positivement la partie N, négativement la
partie P d’où la création d’un champ électrique interne.
 Ce champ repousse les porteurs majoritaires de chaque partie et arrête la
diffusion.
 Entre les deux parties P et N apparaît alors une d.d.p. appelée aussi
barrière de potentiel de l’ordre de 0,7 V pour le Silicium, 0,3 V pour le
Germanium

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 5

 2- Jonction P-N polarisée en direct
• Lorsqu’une tension positive est appliquée entre la partie P et la partie N (UPN > 0), la jonction P-N est polarisée en direct
• On superpose au champ interne Ei, un champ externe E, le champ résultant a pour effet de diminuer la hauteur de la
barrière de potentiel et par conséquent, le nombre de porteurs majoritaires capables de franchir la jonction augmente.

3- Jonction P-N polarisée en inverse

• Lorsqu’une tension négative est appliquée entre la partie P et la partie N (UPN < 0), la jonction P-N est polarisée en inverse.
• Le champ résultant a pour effet d’empêcher la circulation des porteurs majoritaires.
• La jonction est bloquée. Le courant inverse est pratiquement nul.

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 6

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 7
 La diode à jonction

Une diode à jonction est un composant électronique constitué de deux électrodes : l’Anode (A) et la Cathode (K).

Caractéristique statique courant-tension

 Pour Vd <0, la diode se comporte comme un bon isolant :

Is ~ 1 pA - 1μA ,➥ la diode est dite “bloquée”
➥ le courant “inverse”, Is , augmente avec la température

 Pour Vd >> ~0.7, le courant augmente rapidement avec une

variation à peu près linéaire ➥ la diode est dite “passante”
➥ mais Id n’est pas proportionnel à Vd
(il existe une “tension seuil”~ Vo)

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 8

Zone « du coude » : Vd [0,~ Vo] : augmentation exponentielle du courant

VT (300K) = 26 mV

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 9

 Schémas équivalents de la diode

vd  vs  rid

Les pertes de conduction dans une diode:

 p(t )  vd id 
 vs id  rid2 
 vs  id  r  id2 
 vs I moy  rIeff
2

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 10

 Pont à 4 diodes

Diode faible signal

Diode de puissance

Extrait de caractéristiques de diodes

I0 : courant direct moyen
VRRM : Tension inverse de crête répétitive
VF: chute de tension à l’état passant

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 11

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 12
RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 13
La caractéristique I=f(V)

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 14

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 15
 En appliquant Théorème de Millman au point A

E 0 2E0
  E 4E0
R1 R2 3rd 
R1 3rd
VA 
1 1
2
1
VA   1.43v
  1 1 2
R1 R2 3rd  
R1 R2 3rd
2
On a Id1=Id2+Id3 , Diodes identiques  Id2=Id3 =Id1/2
VA  2E0
I d1   1mA I d1
3rd Id 2  Id 3   0.5mA
2
2
RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 16
 Exercice 3 :
Soit le montage ci-dessus, on donne les Caractéristiques de la diode :
rd= 30Ω, Vo=0.6V, Is=0 et Rinv= infinie
Calculer Id et Vd pour :
a) Val = -5V
b) Val = 5V

Exercice 4:
Soit le montage ci-dessus, on donne les Caractéristiques de la diode :
rd= 30Ω, Vo=0.6V, Is=0 et Rinv= infinie
Déterminer Vs , VD1 et VD2 pour :
a) V1 = V2= 5V
b) V1 = 5V V2= 0V
c) V1 = 0V V2= 0V

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 17

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 18
 Redressement simple alternance
Le redressement consiste à transformer une tension bidirectionnelle en une tension unidirectionnelle appelée
tension redressée. L’Objectif donc du redressement est de convertir une tension alternatif en tension continue
stable, on dit qu’il s’agit d’un convertisseur Alternatif/continu (AC/DC)

La tension au secondaire du transformateur :

2
Redresseur
vs (t )  Vm sin t;   2f 
Vd
T
La tension aux bornes de la diode :

Vs vd (t )  vs (t )  vch (t ); avec:vch (t )  Rc ich (t )

Vch
Hypothèse : on suppose que la diode est parfaite  V0 0 et rd =0
Transformateur
(Adaptation + Charge
La diode est passante ssi vd (t )  0 vch (t )  vs (t )
Secteur Isolation ) continue

La diode est bloquée ssi vd (t )  0 vch (t )  0

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 19

Allures de tensions: Caractérisation de la tension de sortie

 La valeur moyenne de la tension de sortie:

1T
 vch (t )   vch (t )dt
T0
1 T2
 0 Vm sin tdt
T

Vm
 cost 0 2
T

T
2Vm

2
Vm
Vchmoy 


RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 20

 La valeur efficace de la tension de sortie:  Le facteur de forme de la tension de sortie:
T
1
Vch2 eff   vch 2
(t )dt F
Vcheff

Vm
2    1.57
T0 Vchmoy Vm 2

1 T2 2
 0 Vm (sint )²dt  Le taux d’ondulation de la tension de sortie:
T
 2
Vch  V 2
Vm2 T2
     F ² 1  121%
eff ch moy

 1  cos2t dt Vch moy

2T 0 T
Vm  sin 2t  2
2  Necessité de filtrage (lissage de la tension)
  t
2T  2 0  NB: Pour le continu on a:

Vm2 F  1 et   0

4  La tension inverse de crête aux bornes de la diode :
Vm
Vcheff  VRRM  Vm
2
RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 21
 Le spectre de fréquences de la tension de sortie:

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 22

Redressement simple alternance avec filtrage

Vcheff  87.88v
Vchmoy  80.61v
Vcheff 87.88
F   1.09
Vchmoy 80.61
  F ² 1  43%

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 23

 Redressement double alternance à deux diodes et transformateur à point milieu (P2)

Les tensions aux secondaires du transformateur :

u1 (t )  Vm sin t;
u2 (t )  Vm sin t; Vchmoy 
2Vm
 La valeur moyenne de la tension de sortie: 
Les tensions aux bornes des diodes :
V
vd1 (t )  u1 (t )  vch (t )  La valeur efficace de la tension de sortie: Vcheff  m
vd 2 (t )  u2 (t )  vch (t ) 
2
vch (t )  Rc ich (t )  Le facteur de forme de la tension de sortie: F
2 2
 1.11

VRRM  2Vm  Le taux d’ondulation de la tension de sortie:   F ² 1  48%

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 24
  Allure la tension de sortie (sans filtrage)  Le spectre de la tension de sortie: (sans filtrage)

 Le spectre de la tension de sortie: (avec filtrage)

 Allure la tension de sortie (avec filtrage)

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 25

Redressement double alternance à pont de Graetz

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 26

 Lorsque les diodes sont parfaites:

 2 3
D1 & D3 D2& D4

Ph Vd1

N Vd1

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 27

Lorsque les diodes sont parfaites:

1 2 2 
 VR ()  VR ()d  VR ()  V 2 sin()d
2 0 2 0

2V 2
La valeur moyenne :  VR () 

1
La valeur efficace: VReff  
0
V ²  2 sin²()d  V

V 
Le facteur de Forme: F   1.11
2V 2 2 2

Le taux d’ondulation: VR2eff VR2moy
  F ² 1  48%
VRmoy
RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 28
 Le filtrage de la tension redressée
 Le filtrage d’une tension redressée consiste à réduire au maximum
l’ondulation donc à avoir une tension aussi constante que possible.
Cette fonction peut être réalisée par un condensateur.

 Dès la première alternance, le condensateur C se charge puis, dès que

la tension à ses bornes devient supérieure à la tension redressée, il se
décharge à travers la résistance R.

Taux d’ondulation: uc u u u u

 ; uc  M m ;  uc  M m
 uc  2 2
Détermination de la capacité de filtrage (double alternance)
 Durant la charge du condensateur : Q  C(uM  um )
 Cette charge est fournie à la charge R pendant le temps de décharge tdT/2

 uc  T  uc  T 1
Q  ImoyT   2Cuc C  
Rc 2 4uRc 4fRc

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 29

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 30
 La stabilisation de la tension de sortie
 La stabilisation d’une tension ondulée consiste à obtenir une tension
pratiquement constante.

 Cette fonction peut être réalisée: par une diode Zener, par une diode Zener
et transistor Ballast, ou par régulateur integré.

 la tension de claquage appelée souvent

tension Zener Vz ;
 la résistance dynamique de claquage rz
appelée aussi résistance Zéner ;
 le courant minimal de la zone de claquage
Izmin ;
 le courant maximal de claquage Izmax.

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 31

Alimentation stabilisée

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 32

Stabilisation par diode Zener et Transistor Bipolaire

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 33

Régulateur à circuits intégrés

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 34

 Fin

RADOUANE ABDELHADI - ENSA BERRCHID 35