mecaniq

ICOIE SUPERIEURE POLYTECHNIQUF

Yabrintinn

Rattrapage -

Electronique analogique -

L3 -

EM -2019/2020
Documents non autorises
Durée: 0lh45
Compréhcnsion du cours (4 points)

Soit un cristal de Silicium intrinsèque sous forme de barrea.

tel a Si vous désirez réaliser une JoneonN, quelle procedure

semi-conducteur de type P el un semi
adopterez-vous pour créer
éer un
e conducteur de type N?
b Dans quelle colonne
-

du tableau de
Mendeleiev allez-vous
choisir les atomes qui vont servir
à réaliser votre jonction PN ?
Expliquez pour quelles raisons ?
Exercice 1: (8 points)
Considérons le montage suivant ou le
générateur de
e(t): résistance Rg délivre une tension sinusoïdale

Ra
eG

générateur

1. La diode est
Données EGmax 70.7V; Ra= 102; R 702 F 1kHHz.
supposée parfaite ou idéale. Qu'est-ce que cela veut dire?
2. Si la diode est passante, quelle doit être la valeur du courant maximal ?
3. Tracez, en fonction du temps, l'allure
de i(t),
4. Déterminer
en la justifian.
T'expression du courant moyen
lmoy, en fonction de
EGmax RG et R. Calculer
numériquement Imoy.
5. Donnezl'allure de la tension ur(t) en la justifiant. A quoi sert ce
montage?
Exercice II: (8 points)
On étudie le montage ci-dessous comportant transistor NPN de
un
gain B..
VcC VCC
Vc=12V
RC C2
R
H C (charge)
R2 RE
1.
Ctude statique : Point de polarisation d'un transistor
1.1. Refaire le schéma en ne considerant que la polarisation et y placer les courants lB, lc

les tensions VBE et VcE.

etEainsi que
L3 EM 24/09/2020 ESP Dakar
2019/202o
.

bujetProposé
p par Dr.
Césaire Ndiaye
 iogis
mécani E C O L E SUPERIEURE POLYTECHNIQUE
fahricatinn
1.2 Ou doit se trouver le point de fonctionnement statique du transistor pour qu'il
Tonctionne le mieux possible en régime dynamique ? Donner la valeur de VCE
1.3. Correspondante.
En
négligeant le devant lc. écrire les
deux relations existant,
l'une entre VBE et la.
l'autre entre VcE et lB.
2. Régime dynamique
On
applique une tension sinusoïdale à l'entrée.
2.1.
Représenter le schéma équivalent du montage en régime sinusoida.
2.2. Donner les définitions de:

-la résistance d'entrée Re

-

la résistance de sortie Rs
-

l'amplification en tension à vide Go.

24/09/2020 ESP Dakar

par
Dr.
Césaire
Ndiaye L3 -

EM -
2019/2020o

proposé
Sujet