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Fundamentos em Semicondutores

Exercícios Resolvidos
Prof. Dr. Heitor Cury Basso 1

Departamento de Engenharia Elétrica - EESC - USP


1 Questões numéricas
Valor adotado para as constantes físicas de interesse
T = 300K q = 1:6 10 19 C me = 9:1 10 31 kg k = 1:38 10 23 J=K h = 6:6 10 34
J:s
kT 12 19
q = 0:02585 V 0 = 8:854 10 F=m 1 eV = 1:6 10 J
Silício (300K):
r = 11 = 5 10 15 m3 =s ni = 1:6 1016 m 3 EG = 1:1eV 2
p = 0:05m =V s n =
2
0:15m =V s
Dn = 3:6 10 3 m2 =s Dp = 1:3 10 3 m2 =s Dmed = 2:6 10 3 m2 =s N0 = 2:9 1025 m 3

1.1 Física básica e modelo clássico de condução


1. Um plano in…nito unformemente carregado com carga positiva e localizado em x = 0, gera um campo
!
b, para x 0; E0 x
elétrico uniforme dado por E (x) = E0 x b, para x 0. Gra…que o potencial elétrico
gerado.
R! !
V (x) = E x =) E0 x; x 0; E0 x; x 0
jxj

x
-5 -2.5 0 2.5 5

-1.25

-2.5

-3.75

y -5

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do SEL, Cursos de Graduação "on line". Comentários, sugestões e correções favor enviar para hcbasso.ens@gmail.com
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Este trabalho contou com o apoio da Pró-Reitoria de Graduação (gestão 2001-2005), através do projeto PROMAT

1
1. Dois planos in…nitos uniformemente carregados com cargas opostas estão em x = a (o negativo) e
x = +a (o positivo). Gra…que o potencial elétrico gerado.
R! !
Placa positiva: V (x) = E x =) E0 (x a); x a; E0 (x a); x a
jx 2j
x
-5 -2.5 0 2.5 5

-1.25

-2.5

-3.75

-5

-6.25

R! !
Placa negativa:V (x) = E x =) E0 (x + a); x a; E0 (x + a); x a
+ jx + 2j
y

6.25

3.75

2.5

1.25

-5 -2.5 0 2.5 5

Potencial elétrico total:Vt (x) = E0 ( jx aj + jx + aj)


jx 2j + jx + 2j
y 4

0
-5 -2.5 0 2.5 5

-2

-4

2
1. O ponto A está a um potencial elétrico de +1V em relação a outro ponto (B) no vácuo. Um elétron
inicialmente parado em B se move para A devido à diferença de potencial. Pergunta-se: a) qual a
energia (em Joule e eV) que o elétron terá em A? b) qual a velocidade e quantidade de movimento do
elétron em A?

Ep = q V = 1:6 10q19 1 = 1:6 10 19 J = 1eV


1 1:6 10 19
2
2 mv = Ep =) v = 29:1 10 31 = 5: 930 0 105 m=s; p = mv = 9:1 10 31
5: 930 0 105 = 5:
396 3 10 25 kgm=s

1. Pode-se assumir que o cobre tem um átomo para cada 27 Angstrons cúbicos (1A = 10 10 m). Supondo
que cada átomo libere um elétron para transporte de corrente elétrica e que um …o de cobre possa
transportar 1A=mm2 , qual será a velocidade média dos elétrons?
1 1
1 (10 3 )2 (10 3 )2
N= (3 10 10 )3 = 3: 703 7 1028 ; v = 1:6 10 19 N : v= 1:6 10 19 3: 703 7 1028 = 1: 687 5 10 4
m=s

1. A mobilidade dos portadores negativos no Si é = 1350 cm2 =V s (atenção para as unidades!).


Caso a velocidade térmica média desses portadores se relacionasse com a temperatura pela expressão
1 2 3
2 mv = 2 kT , qual seria o valor do campo elétrico necessário para arrastar os portadores com a mesma
velocidade?
q q q
3 1:38 10 23 300
v= 3m k T
= E =) E = 1 3 m k T 1
; E = 0:135 9:1 10 31 : E = 8: 653 8 105 V =m

1. Um bloco de silício puro tem sua resistividade medida à temperatura de 300K. Supondo que sua
mobilidade eletrônica seja constante e igual a 1350 cm2 =V s, a que temperatura deverá ser colocado
para que a resistividade seja cinco vezes maior?

e kT k (T +t) 1 1 (t)
= 2q N0 =) só expoente: e 2q N0 = 1
2q N0 e
Tk
1
T 2 kq t 2 N0 e
Tk =1 t
T kT ;
2
T k 3002 1:38 10 23
deve ser aprox 5; t = 4 = 4 0:5 1:6 10 19 = 62:1K =) Tf = 300 62:1 = 237: 9

1.2 Mecânica quântica


1. Usando E = hf e a relação f = c , onde c = 3:108 m=s, determine a energia de um fóton: a) de uma
onda de rádio, onde f 1M Hz; b) da luz, onde 500nm.
3 108
E = hf =) E = 6:6 10 34
106 = 6: 6 10 28
J; E = hf = h c =) E = 6:6 10 34
500 10 9 =
3: 96 10 19 J
h
1. Sabendo que o comprimento de de Broglie de uma partícula é dado por = mv , calcule o comprimento
de onda para um portador negativo do silício, quando um campo elétrico de 105 V =m é aplicado no
material. São dados: m = 10 30 kg; h = 6:610 34 Js; = 1350 cm2 =V s.
h h 6:6 10 34 8
= mv = m E =) = 9:1 10 31 0:135 105 = 5: 372 4 10 m

1.3 Semicondutor intrínseco e extrínseco


1. É dada a tabela abaixo, com a energia de gap (em eV), densidade de estados (em m 3 ) e mobilidade
(m2 =V s), sempre à temperatura ambiente (T = 300K), para três diferentes semicondutores puros A,
B e C:

3
EG N0
A 1:1 2:1025 0:12
B 0:66 8:1024 0:3
C 1:4 4:1024 0:5
1
Sabendo que a resistividade no semicondutor puro é dada por = 2q n , determine o valor desta para os
três semicondutores.
Resposta:
1 1 1
A = 2q n ; A = EG ; A = 19
1:1 = 2359: 7Ohm.m
2q N0 e 2kT 2 1:6 10 0:12 2 1025 e 2 0:0258
1
B = 19
0:66 = 0:467 27Ohm.m;
2 1:6 10 0:3 8 1024 e 2 0:0258
1
C = 19
1:4 = 9: 484 3 105 Ohm.m
2 1:6 10 0:5 4 1024 e 2 0:0258

1. Um novo material semicondutor puro foi obtido, onde o gap pode ser variado entre 0.1 eV e 1 eV, depen-
dendo da pressão mecânica P aplicada no material. A equação para o gap é Eg = 1 10 8 P (eV ),
com P 9:107 N=m2 . Nesse semicondutor N0 = 1025 estados=m3 , a mobilidade para portadores pos-
itivos e negativos é a mesma e igual a = 0:1 m2 =V s e a taxa de recombinação é r = 5:10 15 m3 =s,
sempre. Determine: a) o tempo de relaxação e o comprimento de difusão para P = 2:107 N=m2 ,
P = 4:107 N=m2 , P = 6:107 N=m2 , P = 8:107 N=m2 ; b) o valor de P para o qual o produto n0 L
(densidade super…cial de portadores) é máximo.
8
Eg = 1 10 P(eV ), N0 = 1025 estados=m3 , = 0:1 m2 =V s r = 5:10 15 m3 =s,
EG q (1 10 8 P )
1 e 2kT e 2kT
a) r = 2 r n0 =) r = 2 r N0 = 2 r N0
1:6 10 19 (1 10 8 p)

e 2 1:38 10 23 300
r = = 1:0 10 11 exp 19: 324 1: 932 4 10 7 p s
q 2 5: 10 15 1025 q
kT 23
L= q r =) L = 0:1 1:381:61010 19300 1:0 10 11 exp (19: 324 1: 932 4 10 7 p)
p
= 2: 587 5 10 14 exp (19: 324 1: 932 4 10 7 p)m
: .usando as expressões resultantes, substituir r a pressão e calcular L;
q q 1:6 10 19 (1 10 8 p)
kT kT n0 1:38 10 23 300 1025 e 2 1:38 10 23 300
b) n0 L = n0 q r = q 2 r =) n0 L = 0:1 1:6 10 19 2 5 10 15 =
p 2
36 7
2: 587 5 10 exp (1: 932 4 10 p 19: 324)m ; máximo para a maior pressão possível.

1. Em um bloco de silício puro, com 200 m de espessura, existem portadores negativos e positivos em
excesso dados por n(x) = 1012 (200 m x)2 ; onde x é a distância da superfície ao interior do bloco.
Determine a expressão da densidade de corrente de difusão para cada um desses portadores e o valor
dessa densidade em 100 m. Assuma Dn = Dp = Dm = 2:6 10 3 m2 =s. Não há recombinação.

n(x) = 1012 (200 m x)2


@ @
jn (x) = q:Dn : @x n (x) =) jn (x) = 1:6 10 19 2:6 10 3 @x (1012 (200 10 6 x)2 ) = 8: 32 10 10 x 1:
13
664 10
@ @
jp (x) = q:Dp : @x n (x) =) jp (x) = 1:6 10 19 2:6 10 3 @x (1012 (200 10 6 x)2 ) = 1:
13 10
664 10 8: 32 10 x
Em x = 100 10 6 =) jn (x) = 8: 32 10 10 100 10 6 1: 664 10 13 = 8:32 10 14 A=m2

1. Um novo material semicondutor puro foi obtido, onde o gap pode ser variado entre 0.1 eV e 1 eV, depen-
dendo da pressão mecânica P aplicada no material. A equação para o gap é Eg = 1 10 8 P (eV ),
com P 9:107 N=m2 . Nesse semicondutor N0 = 1025 estados=m3 , a mobilidade para portadores pos-
itivos e negativos é a mesma e igual a = 0:1 m2 =V s e a taxa de recombinação é r = 5:10 15 m3 =s,
sempre. Sabendo que a partir da superfície n(x) = no exp( x=L) e p(x) = po exp( x=L), onde

4
L é o comprimento de difusão, e que no = po e no=no = 0:1, determine a densidade de corrente
de difusão, de um dos portadores, em função de P . Utilize a relação de Einstein e admita sempre que
no = po.

Eg = 1 10 8 P (eV ), N0 = 1025 estados=m3 , = 0:1 m2 =V s r = 5:10 15 m3 =s, n(x) =


no exp( x=L) e p(x) = po exp( x=L), no = po no=no = 0:1, no = po.; jp (x) =
@ @ q Dp q Dp
q:Dp : @x p (x) = q:Dp : @x (0:1 no exp( x=L)) = 0:1 L no exp( x=L); jp (x) = 0:1 q 1
Dp 2 r n0

no exp( x=L)
p
= 0:1 q 2 Dp no3 exp( x=L)A=m2
s
1:6 10 19 (1 10 8 p)
3
1:38 10 23 300
jp (x) = 0:1 1:6 10 19 2 5 10 15 0:1 1:6 10 19 1025 e 2 1:38 10 23 300

p
exp( x= 2: 587 5 10 14 exp (19: 324 1: 932 4 10 7 p))

20 x
= 1: 6 10 exp 1:0 p 14 7 p)
2: 587 5 10 exp(19: 324 1: 932 4 10
p
2: 587 5 1058 exp3 (1: 932 4 10 7p 19: 324)A=m2
10 6
= 1: 6 10 20 exp 1:0 p 14 7 8:107 )
2: 587 5 10 exp(19: 324 1: 932 4 10
p
2: 587 5 1058 exp3 (1: 932 4 10 7 8:107 19: 324)
= 1: 287 9 10 3 A=m2

1. Uma amostra de Si, a 300K, está dopada com 1022 átomos de Boro =m3 , totalmente ionizados. Qual
a densidade de portadores negativos? Onde está Ef em relação a Ei?
2
n2i (1:6 1016 ) NA
NA = 1022 Boro =m3 , . n0 = NA =) n0 = 1022 = 2: 56 1010 m 3
Ei Ef = kT ln ni =)
23 1022 20
Ei Ef = 1:38 10 300 ln 1:6 1016 = 5: 525 10 J

1. Um bloco de silício é dopado com 5:1022 doadores =m3 e com 1:1022 aceitadores =m3 . Determine a
posição de Ef em relação a Ei para T = 300K.
(ND NA )
ND = 5:1022 NA = 1:1022 . Ef Ei = kT ln ni =) Ef Ei = 1:38 10 23
300
22 22
(5 10 10 ) 20
ln 1:6 1016 = 6: 099 0 10 J

1. Um bloco de silício é dopado com 1:1022 aceitadores =m3 e com Nd doadores =m3 . Dado que Ef está
0:36eV acima de Ei para T = 300K, quanto vale N d?
Ef Ei
NA = 1:1022 Ef Ei = 0:36eV T = 300K, N d =? (ND N A ) = ni e kT =) ND = NA +
Ef Ei 1:6 10 19 0:36
22 16
ni e kT ND = 10 + 10 e 1:38 10 23 300

= 2: 102 4 1022

1. Uma amostra dopada de Si, a 300K, está com Ef = 0:4eV acima de Ei. Os átomos dopantes estão
totalmente ionizados. Que tipo de dopante (doador ou aceitador) foi usado, e quais são as densidades
dos portadores negativos e positivos?
Ef Ei 0:4
T = 300K, Ef Ei = 0:4eV Dopante =doador n0 ND ni e kT = 1:6 1016 e 0:0258 = 8:
657 1022 m 3
2
n2i (1:6 1016 )
p0 = n0 = 8: 657 1022 = 2: 957 1 109 m 3

5
1. Um bloco de silício foi dopado N d = 1020 doadores =m3 e N a = 1:05 1020 aceitadores =m3 . Obter
Ef Ei, Lp, Ln e r sabendo que r = 5:10 15 m3 =s. Assumir os valores tabelados para p ; n .

Nd = 1020 ; Na = 1:05 1020


p0 = NA ND = 5 1018
5 1018
Ef Ei = 1:38 10 23 300 ln 1:6 1016 = 2: 378 3 10 20
J
1 1 5
r = r n0
= 5 10 15 (5 1018 ) = 4:0 10 s
q q
kT 1:38 10 23 300 5 4
Lp = p q r = 0:05 1:6 10 19 4:0 10 = 2: 274 9 10 m
q q
kT 1:38 10 23 300 5 4
Ln = n q r = 0:15 1:6 10 19 4:0 10 = 3: 940 2 10 m.

1. Um bloco de silício está dopado com 1:1020 aceitadores =m3 e são criados em sua superfície pares
elétron-buraco, por iluminação, em uma taxa tal que, no equilíbrio, p=po = 0:1 na superfície, decaindo
exponencialmente no interior da amostra. Sabendo que r = 5:10 15 m3 =s obtenha: a) o valor de r
. b) o valor do comprimento de difusão Ln .

N a = 1:1020
a) r = r1NA = 5 10 15 1
1020 = 2:0 10 6 s .
q
23
b) Ln = 0:15 1:381:61010 19300 2:0 10 6 = 8: 810 5 10 5
m.

1. Um bloco de silício está dopado com 1:1019 doadores =m3 e são criados em sua superfície pares elétron-
buraco, por iluminação, em uma taxa tal que, para os portadores negativos, n=no = 0:1 na superfície
sempre, decaindo exponencialmente no interior da amostra. Além disso, um campo elétrico está
sendo aplicado na amostra de tal forma a arrastar os portadores negativos para o interior da amostra.
Sabendo que r = 5:10 15 m3 =s obtenha: a) o valor de r ; b) o valor do comprimento de difusão Ln ;
c) o valor da densidade de corrente de difusão no ponto x = Ln =2; d) o valor do campo elétrico tal que
a densidade de corrente de arrasto devida aos portadores negativos no interior do material (x >> 0)
seja igual ao dobro da densidade de corrente de difusão em x = 0.

ND = 1:1019 =) no = 1019 r = 5:10


15
m3 =s; 2
n = 0:15m =V s
1 1
a) r = r ND = 5 10 15 1019 = 20 s
q
23
b) Ln = 0:15 1:381:61010 19300 0:000 02 = 2: 786 1 10 4 m;
c) ponto x = Ln =2:
0:15 1:38 10 23 300
@
jn (x) = q:Dn : @x (0:1 no exp( x=Ln )) = q:D Ln :0:1 no
n
exp( x=Ln ) = 2: 786 1 10 4 0:1
19 2
10 exp( 1=2) = 1: 351 9A=m
10 23 300
d) jn (0) = 0:152:1:38
786 1 10 4 0:1 1019 = 2: 228 9A=m2
q n no E = 2: 228 9 A=m2 =) E = 1:6 10 2:1922810919 0:15 = 9: 287 1V =m

1.4 Junção PN
1. Uma junção de dois blocos de silício (junção n-p) tem Nd = 1:1022 doadores/m3 e Na = 1:1021
aceitadores/m3 em cada bloco, totalmente ionizados a 300K.

calcular a posição dos níveis de Fermi antes da junção ser formada;


Ei Ef 21
p0 = n i e kT ; Ei Ef = kT ln np0i ; Ei Ef = 0:0258 ln 1:6101016 = 0:284 91eV ;
22
Ef Ei = kT ln nn0i ; Ef Ei = 0:0258 ln 1:6101016 = 0:344 31eV

6
obter V0 da diferença entre os níveis e também da relação entre densidade de portadores, comparando
as duas.

V0 = 0:344 31 + 0:284 91 = 0:629 22V olts


ND;n NA;p 1022 1021
V0 = kT
q ln n2
; V0 = 0:0258 ln (1:6 1016 )2
= 0:629 22V olts
i

calcular a largura da região de depleção, os valores de xn0 e xp0 e o valor de pico do campo elétrico.
r q
N +NA;p 2 11 8:85 10 12 0:629 22 1022 +1021
W0 = 2 r q0 V0 ND;nD;n NA;p
= 1:6 10 19 1022 1021 = 9: 177 4 10 7 m
NA;p 1021 7 8
xn0 = ND;n +NA;p W0 = 1022 +1021 9: 177 4 10 = 8: 343 1 10 m
N 1022 7 7
xp0 = ND;nD;n
+NA;p W0 = 1022 +1021 9: 177 4 10 = 8: 343 1 10 m
10 19
Emax = rq 0 ND;n xno = 111:6
8:85 10 12 10
22
8: 343 1 10 8
= 1: 371 2 106 V =m

1. Uma tensão de 0.1 V é aplicada na junção estudada acima; determine as novas concentrações de
portadores logo nas interfaces da região de depleção, e os novos valores da largura da camada de
depleção, de xn e xp e o valor de pico do campo elétrico, assumindo que I) a tensão aplicada foi direta;
II) a tensão aplicada foi inversa.

Tensão direta:
q(V0 V ) (0:629 22 0:1)
pn = p0p e kT ;pn = 1021 e 0:0258 = 1: 234 7 1012 m 3
q(V0 V ) (0:629 22 0:1)
np = n
r0n e
kT ;np = 1022 e 0:0258 = 1: 234 7 1013 m 3
q
2 r 0 (V0 V) ND;n +NA;p 2 11 8:85 10 12 (0:629 22 0:1) 1022 +1021 7
W = q ND;n NA;p = 1:6 10 19 1022 1021 = 8: 416 6 10 m
NA;p 1021 7 8
xn = ND;n +NA;p W = 1022 +1021 8: 416 6 10 = 7: 651 5 10 m
N 1022 7 7
xp = ND;nD;n
+NA;p W = 1022 +1021 8: 416 6 10 = 7: 651 5 10 m
10 19
Emax = rq 0 ND;n xn = 111:6
8:85 10 12 10
22
7: 651 5 10 8
= 1: 257 6 106 V =m
Tensão inversa:
q(V0 V ) (0:629 22+0:1)
pn = p0p e kT ;pn = 1021 e 0:0258 = 5: 308 3 108 m 3
q(V0 V ) (0:629 22+0:1)
np = n
r0n e
kT ;np = 1022 e 0:0258 = 5: 308 3 109 m 3
q
2 r 0 (V0 V) ND;n +NA;p 2 11 8:85 10 12 (0:629 22+0:1) 1022 +1021 7
W = q ND;n NA;p = 1:6 10 19 1022 1021 = 9: 879 8 10 m
NA;p 21
10 7 8
xn = ND;n +NA;p W = 1022 +1021 9: 879 8 10 = 8: 981 6 10 m
N 1022 7 7
xp = ND;nD;n
+NA;p W = 1022 +1021 9: 879 8 10 = 8: 981 6 10 m
10 19
Emax = rq 0 ND;n xn = 111:6
8:85 10 12 10
22
8: 981 6 10 8
= 1: 476 2 106 V =m

1. Um fabricante de dispositivos deseja produzir um diodo, com as seguintes especi…cações: temperatura


de trabalho 300K; material: silício; corrente para 0:3V direto: 100 A. Ele tem à sua escolha silício
com as seguintes dopagens: ND = 1:1020 , ND = 1:1018 e NA = 1:1020 . Qual deverá ser o conjunto de
dopagens tal que o diodo atenda a especi…cação com a menor área possível, e qual será o valor da
área?
kT ND;n NA;p
V0 = q ln n2i
1020 1020
0:0258 ln( (1:6 1016 )2 ) = 0:451V
1020 1018
0:0258 ln( (1:6 1016 )2
) = 0:332 19V

7
p q q q V
kT
kT
I(V ) = An2i r
n;P
NA + ND
p;N
q q e q 1
p q q q V
kT
kT
Avaliação do termo n2i r
n;P
NA + p;N
ND q q e q 1 para as dopagens propostas:
p q q p
2 0:15 0:05 :3
1:6 1016 5 10 15 1020 + 1018 1:6 10
19
0:0258 e :0258 1 = 13: 691
q q
2p 0:15 0:05
p :3
1:6 1016 5 10 15 1020 + 1020 1:6 10
19
0:0258 e :0258 1 = 3: 188 3
100 10 6 6
Logo Amin = 13: 691 = 7: 304 1 10 m2 , para as dopagens ND = 1:1018 e NA = 1:1020

1. Uma célula solar é constituida de um bloco altamente dopado n, com 100nm.de espessura sobre um
bloco p. Sabe-se que ND = 1:1024 doadores/m3 e que NA = 1:1019 aceitadores/m3.

Tendo a célula 1cm2 ,e tendo luz incidente tal que Ig = 10mA, qual será a potência fornecida pela
célula, assumindo um casamento correto de impedância entre a carga e a célula?

Para a carga vai metade da corrente. Logo, a tensão no diodo será:


qV I
e kT 1 = 12 2 p q n;P g q p;N q kT
Ani r NA + ND q q
V 2
1 10
e 0:0258 1 = 2 (10 p q q p = 8: 759 5 105
4 )(1:6 1016 )2 5 10 15 0:15
1019
0:05
+ 10 24 1:6 10
19 0:0258

V = 0:0258 ln 8: 759 5 105 + 1 = 0:353 02V


2
P = 0:353 02 102 = 1: 765 1 10 3 W

1.4.1 Transistor bipolar de junção


1. Seja um transistor PNP composto por três blocos, com NA;e = 1022 m 3 , ND;b = 1020 m 3 e NA;c =
1019 m 3 e área de contato entre os blocos igual a 1mm2 . Calcule o valor das espessuras das camadas
de depleção no equilíbrio e com as tensões Veb = 0:4V direta e Vbc = 5:0V , reversa.

Equilíbrio:
NA;e ND;b 1022 1020
V0;eb = kT
q ln n2i
= 0:0258 ln (1:6 1016 )2
= 0:569 81
r r
NA;e ND;b NA;e +ND;b 12 1022 1020 1022 +1020
W0;eb = 2 rq 0 kT
q ln n2i NA;e ND;b = 2 11 8:85 10
1:6 10 19 0:0258 ln (1:6 1016 )2 1022 1020 = 2:
646 4 10 6 m
1019 1020
V0;bc = 0:0258 ln (1:6 1016 )2
= 0:391 59V
r r
NA;c ND;b NA;c +ND;b 12 1019 1020 1019 +1020
W0;bc = 2 rq 0 kTq ln n2 NA;c ND;b = 2 11 8:85 10
1:6 10 19 0:0258 ln (1:6 1016 )2 1019 1020 = 7:
i

240 0 10 6 m
Com tensões:
r
2 11 8:85 10 12 1022 1020 1022 +1020 6
Web = 1:6 10 19 0:0258 ln (1:6 1016 )2
0:4 1022 1020 = 1: 444 7 10 m
r
2 11 8:85 10 12 1019 1020 1019 +1020 5
Wbc = 1:6 10 19 0:0258 ln (1:6 1016 )2
+5 1019 1020 = 2: 686 4 10 m

Determine a.espessura da base (d), sabendo que = 100 para as tensões indicadas
2 L2p;b
Como a dopagem do emissor é muito maior que a da base: = L2B
kT kT
0:05 0:0258
L2p;b = p;b q
r ND
= p;b q
r ND
= 5: 10 15 1020 = 2: 58 10 9
m2

8
q
2 2:58 10 9
LB = 100 = 7:183 3 10 6 m
NA;e 22
xp;be = NA;e +N D;b
Web = 102210+1020 1:444 7 10 6
= 1: 430 4 10 6
m
NA;c 19
xp;bc = NA;c +N D;b
Wbc = 101910+1020 2:686 4 5
10 = 2: 442 2 10 m 6

d = LB + xp;bc + xp;be = 7:183 3 10 6 + 2: 442 2 10 6 + 1: 430 4 10 6


= 1: 105 6 10 5
m

Determine as correntes Ic e Ib para os valores de tensão fornecidos.

Determinar Ib :
19 2 2
qDp;b p0n;b LB qVeb 6 1:6 10 5 10 0:0258(1:6 1016 ) 7:183 3 10 6
0:4
Ib (Veb ) = A 2 L2p;b
e kT = 10 2 2: 58 10 9 1020 e 0:0258 = 3: 979 9
6
10 A
6 4
Ic = 100 Ib (Veb ) = 100 3: 979 9 10 = 3: 979 9 10 A

1. Seja um transistor PNP composto por três blocos, com NA;e = 1022 m 3 , ND;b = 1020 m 3 e NA;c =
1019 m 3 . Sabendo que as tensões de trabalho aplicadas são tais que a espessura da camada de depleção
emissor-base Web é 5:74 10 2 vezes a da base-coletor e esta vale Wbc = 27 m, determine o valor da
espessura da base (d), sabendo que = 100 nas condições mencionadas.

d = LB + xn;bc + xn;be
Web = 5:74 10 2 27 10 6 = 1: 549 8 10 6
NA;e 22
xn;be = NA;e +ND;b
Web = 102210+1020 1: 549 8 10 6 = 1: 534 5 10 6

NA;c 1019
xn;bc = NA;c +ND;b Wbc = 1019 +1020 27 10 6 = 2: 454 5 10 6
2 L2p;b
q q q q
2 kT 2 2 1 kT
= L2B
=) LB = Lp;b =) LB = p q = ND;b p q
q
2 1 6
LB = 100 5 10 15 1020 0:05 0:0258 = 7: 183 3 10
) d = 7: 183 3 106
+ 2: 454 5 10 6
+ 1: 534 5 10 6
= 1: 117 2 10 5

d = 11 m

1.5 FET
1. Um N JFET (2N3370) foi analisado em bancada, tendo apresentado as seguintes características DC:
para tensão de porta Vg = 80mV , resistência entre a fonte e o dreno Rsd de 11600 ; e para Vg
650mV , Rsd = 1. Assumindo que as dopagens empregadas foram NA = 1024 m 3 e ND = 1024 m 3
determine os valores de d e de el do canal (bloco) N.
r
d 2 2 rq 0 N1D NAN+N A
D
kT
q ln
ND NA
n2i
+ 0:65 = 0
r
10 12 1 1024 1024 1024
d = 2 2 111:68:85
10 19 1024 1024 +1024 0:0258 ln (1:6 1016 )2
+ 0:65 = 6: 241 2 10 8 m
1 l 1
R(V ) = qn0 e
s
2 r 0 1 NA kT ND NA
d 2 ln +V
q ND NA +ND q n2
i
6:3 10 4
p 10 1:3 10
1024 3002 2
n = 6:3 10
p 10 + 1:3 10
4 = 4: 386 7 10
3002
1024
r
8 2 11 8:85 10 12 1 1024 1024 1024
6: 241 2 10 2 1:6 10 19 1024 1024 +1024 0:0258 ln (1:6 1016 )2
+ 0:08
8
= 1: 233 2 10
l 19
e = 11600 1:6 10 1024 0:141 21 1: 233 2 10 8
= 3: 232

9
1. O MOSFET (2N7002) tem canal N. Apresenta as seguintes características: para Vg 2:00V , Rsd = 1;
d
e Vg = 2:10V , Rsd = 100 . Assumindo ND = 1020 m 3 e V0 = 0:3V , determine a razão desse
e
dispositivo.
q
R(V ) = qN10 de 2qN0D (V(V0 +V )
Vrev )
q q
d (V Vrev ) 12 (2:1 2:)
e = R(V )qN0 2qND (V0 +V ) = 100 1:6 10
0 19
2 1025 0:15 2111:68:85
10
10
19 1020 (2:1+0:3) = 17: 089

1. Um JFET com canal N tem as seguintes especi…cações: a) canal com as dimensões d = 3 m; l =


10 m; e = 1 m, e dopagem ND = 1022 m 3 ; b) dopagem dos blocos laterais: NA = 1024 m 3 . Com
esses dados, determine a resistência entre a fonte e o dreno Rsd para Vg = 0V , o valor de Vg (= Vg;max )
acima do qual a resistência entre a fonte e o dreno é in…nita e a corrente que passa pelas junções
reversas nesse valor de tensão de porta.
1 l 1
R(V ) = qND e
s
n;N 2 r 0 1 NA ND NA
kT
d 2 ln +V
q ND NA +ND q n2
i
1 10 1
R(0) = 1:6 10 19 1022 0:1 5 1
s = 17535
6 2 11 8:85 10 12 1 1024 1022 1024
3 10 2 1022 1024 +1022
0:0258 ln
1:6 10 19 (1:6 1016 )2
r
d 2 2 r 0
q
1
ND
NA
NA +ND
kT
q ln ND NA
n2i
+ Vg;max = 0
d 2 qND kT ND NA
Vg;max = 2 2 r 0 NA (NA + ND ) q ln n2i
6 2 19 22
3 10 1:6 10 10 24 1022 1024
Vg;max = 2 2 11 8:85 10 12 1024 10 + 1022 0:0258 ln (1:6 1016 )2
= 17: 843
q q q
2p n;P p;N kT qV
Itot (V ) = Ani r NA + ND q q e kT 1
p q q p
6 5 16 2 15 0:15 0:05 19 17:8
Itot ( 17:8) = 2 10 10 1:6 10 5 10 1024 + 1022 1:6 10 0:0258 e 0:0258 1
17
= 2: 440 9 10 A

1. Um MOSFET com canal N apresenta as seguintes características: para Vg 3:00V , Rsd = 1; e


Vg = 3:10V , Rsd = 1k . Assumindo NA = 1021 m 3 , V0 = 0:5V e e = 3 m, determine d desse
dispositivo. O sistema está a 300K:
q
D (V0 +V )
R(V ) = qN10 de 2qN
q r 0 (V Vrev )
(V Vrev )
d = eR(V )qN0 0
2qND (V0 +V )
q
10 12 (3:1 3:)
= 3 10 6 1000 1:6 10 19 2 1025 0:15 2111:68:85
10 19 1021 (3:1+0:5) = 1: 323 7 10 4 m

10