Amplificatori lineari

Laurea Specialistica In Elettronica - Indirizzo Wireless

Corso di Elettronica delle Microonde
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Classi di amplificatori lineari RF e
microonde

• Complessita’: singolo stadio ↔ multistadio

• Anello aperto ↔ reazionati (serie o parallelo)
• Banda stretta ↔ larga ↔ larghissima
• Massimo guadagno ↔ basso rumore (LNA)
• Con reti di adattamento resistive (LMA) ↔ reattive
(RMA)
• Integrati ↔ ibridi
• Strutture particolari nel campo delle microonde:
– amplificatore bilanciato
– amplificatore distribuito

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Progetto di amplificatori lineari a
massimo guadagno - banda stretta

• Il flusso del progetto a banda stretta (< 10% f0) si può

sintetizzare in punti
– Scelta del dispositivo attivo in base alla frequenza e al guadagno
richiesti
– Determinazione del punto di funzionamento statico ottimo
– Progetto delle reti di polarizzazione
– Progetto delle reti di stabilizzazione (se necessario)
– Valutazione dei carichi ottimi per ottenere il massimo guadagno
– Progetto delle reti di adattamento
– Generazione del layout
• Si puo’ estendere a larga banda? fino ad un certo punto (vedi
dopo)

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Scelta del punto di funzionamento a
riposo

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Reti di polarizzazione

• Nei circuiti a RF e microonde le reti di polarizzazione devono

essere progettate in modo da garantire il disaccoppiamento
con il circuito RF:
– Il circuito RF non deve essere caricato dalla rete di polarizzazione (di
impedenza di ingresso non controllabile a RF)
– La rete di polarizzazione non deve essere caricata dal circuito RF
(questo porterebbe come minimo a dissipazione di potenza nel circuito
RF)
• E’ quindi necessario collegare l’alimentazione attraverso
circuiti opportuni, detti T di alimentazione o Bias Tee (Bias T).

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Stadio amplificatore con Bias T

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Bias T concentrato

• E’ un tripolo con due ingressi (RF IN,

DC IN) e un’uscita (RF+DC OUT).
• Per il segnale RF la porta di uscita è
in corto, la porta DC un circuito
aperto.
• Per la componente DC la porta di
uscita è in corto, la porta RF un
circuito aperto.
• Il bias T è a larga banda per il
segnale RF Æ comportamento
passabasso per RF
• L’implementazione richiede valori
molto elevati dei componenti
(centinaia di pF e nH)
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Bias T distribuito

• Per sistemi a banda stretta,

soprattutto in forma ibrida, è
possibile sostituire l’induttore di
blocco con un sistema
distribuito linea+stub
• Le lunghezze indicate sono a
centro banda
• Il bias T distribuito è
intrinsecamente a banda stretta
(risonante)

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Bias T integrati per MMIC

VDD
• La soluzione preferita nei circuiti
L
integrati a microonde (almeno fino a
30 GHz circa) è quella concentrata Æ
C
ingombro e larghezza di banda
• Limitazione: difficile realizzare
induttori concentrati di valore elevato
e larga banda e condensatori MIM
oltre 100 pF
C • Spesso è necessario utilizzare
condensatori in chip esterni e
induttori esterni Æ elevati valori
richiesti a L e C.

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Bias T a larga banda discreti

• Wideband bias T sono disponibili in forma discreta fino a

oltre 40 GHz (per esempio per strumentazione) e
connessioni coassiali, ma sono ingombranti e costosi

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Problemi di stabilizzazione

• I dispositivi attivi per microonde presentamo guadagno

decrescente in frequenza > sono potenzialmente instabili a
bassa frequenza
• E’ necessario evitare oscillazioni per tutte le frequenze
• Per frequenze tra la continua e le frequenze di progetto è
necessario stabilizzare il dispositivo fino a renderlo
incondizionatamente stabile
– non sono noti i carichi fuori banda
• In banda (se necessario) si può
– scegliere i carichi nella zona stabile (cfr. cerchi di stabilità)
– stabilizzare in modo incondizionato (necessario se l’amplif. può essere
acceso con carichi non noti : es. in aperto; se si vuole realizzare Gmax)
• Per frequenze superiori di solito non ho problemi
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Stabilizzazione dei dispositivi attivi

• Può essere effettuata attraverso reti dissipative all’ingresso, uscita o in

reazione Æ è comunque indispensabile a bassa frequenza dove il dispositivo
è sempre instabile (se non internamente stabilizzato).
• Spesso è possibile integrare la rete di stabilizzazione in quella di
alimentazione.

Soluzione sfavorevole se il
progetto è ad anello aperto

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Stabilizzazione in e fuori banda

• A causa del diverso grado di instabilità del dispositivo al crescere di f le reti

di stabilizzazione devono essere bloccate in parte o completamente ad alta
frequenza Æ tipicamente per il progetto CAD delle reti di stabilizzazione si
richiede K poco maggiore di 1 in banda e molto maggiore di 1 a bassa
frequenza

Le resistenze sono
componenti rumorosi:
non inserirle in ingresso
nei circuiti a basso rumore

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Progetto CAD delle reti di
stabilizzazione

• E’ in genere preferibile realizzare le reti passa basso con

gruppi RC piuttosto che con gruppi RL (minore ingombro)
• Con programmi CAD si può ottimizzare la posizione della
frequenza di taglio in modo da non perturbare il guadagno in
banda
• Se la rete non è ben progettata si deteriora lo S21 e di
conseguenza diminuiscono tutti i guadagni in banda.
• Il progetto della rete di stabilizzazione in reazione deve essere
condotto insieme al progetto della rete di reazione
– > amplificatori ad anello chiuso

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 Reti di adattamento

• Servono a trasformare l’impedenza di generatore o di carico (esempio 50 Ω)

nella impedenza ottima (di sorgente o carico) del dispositivo
• adattamento reattivo senza perdite (RMA) a banda stretta
• adattamento resistivo con perdite (LMA), piu’ a larga banda, ma rumoroso

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Reti di adattamento reattive: progetto

• Si possono realizzare a parametri concentrati o a

parametri distribuiti

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Reti di adattamento reattive a
parametri concentrati

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Reti di adattamento reattive a
parametri distribuiti: linea + stub
Si possono scegliere le impedenze caratteristiche delle linee
e progettare solo le lunghezze della linea dello stub

lo stub deve compensare

la parte immaginaria

Stub in corto Stub in aperto

Z in ( z ) = jZ ∞ tan ( β z ) Z in ( z ) = − jZ ∞ cot ( β z )

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Amplificatori a larga banda

• L’adattamento a parametri concentrati o a linea+stub è a singola

frequenza
• Non è possibile realizzare un adattamento energetico a banda
larga di una rete RC serie/parallelo (limite di Fano)
– Anche se realizzassi un adattamento energetico su una banda limitata,
otterrei un guadagno pari a Gmax > dipendente dalla frequenza
• Il progetto a larga banda deve essere un compromesso tra
adattamento e equalizzazione del guadagno
– Nel range di frequenze più basso avrò più riflessione (in ingresso) e un
guadagno inferiore a Gmax
– E’ quindi impossibile adattare con elementi reattivi ed avere contempo-
raneamente guadagno piatto, possibile invece con elementi resistivi
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 Amplificatori ad anello aperto a larga
banda

Progetto CAD consente equalizzazione + adattamento in ingresso

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 Amplificatori a larga banda reazionati

• La reazione può essere usata per ottenere un guadagno voluto in

una banda che si estende fino alla “continua” e l’adattamento
• Per ottenere un guadagno dell’amplificazione reazionato
abbastanza alto e in una banda non limitata, è necessario che il
dispositivo abbia una S21 elevato
– limite della applicabilità della reazione nel campo delle microonde
• Nel progetto si considera dapprima i dispositivo nel limite a bassa
frequenza e si introducono elementi resistivi di reazione che
realizzino il guadagno voluto
• Mediante elementi reattivi in reazione si cerca infine di rendere il
guadagno costante fino a frequenze elevate (compensazione del
polo di S21 attraverso “inductive peaking”).

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Progetto di amplificatore reazionato RF

Reazione con DC block e induttanza

R2 stabilizza anche
il dispositivo in banda

La resistenza RDS diviene piccola se

RDS
per aumentare gm si aumenta
la periferia del dispositivo!

La resistenza in reazione serie R1 è

necessaria solo per adattare

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Analisi dell’amplificatore reazionato
ideale a bassa frequenza

• Analisi (trascuro resistenza di uscita):

• E’ possibile ottenere contemporaneamente adattamento

in ingresso e in uscita alla resistenza di normalizzazione!
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 Condizione di adattamento e
guadagno minimo ad anello aperto

• Si ha: • Per potere realizzare la reazione e’

S11 = S 22 = 0 necessaria una transconduttanza
R02 1 R0 minima (corrisponde ad annullare la
R1 = − ⇒ S12 = reazione serie):
R2 g m R0 + R2
g m ≥ R2 / R02
R0 − R2
S 21 =
R0 • Questo implica un vincolo sul
guadagno minimo ad anello aperto:

• La resistenza di reazione parallelo si (

S 21 ≥ 2 1 + S 21 f (0) )
ricava dal guadagno voluto a bassa
frequenza: • apparentemente la transconduttanza

( )
si puo’ aumentare riscalando, ma
R2 = R0 1 + S 21 f (0) anche la RDS diminuisce….

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Parametri S con-senza reazione

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Amplificatore bilanciato

• Schema circuitale che consente adattamento energetico in-out

nella banda degli accoppiatori (circa 1 ottava) e guadagno piatto
pari a |S21|. Può anche essere usato per combinare la potenza.
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 Ampilificatore bilanciato: adattamento

⎡ − j 1⎤
⎢ 0 0 ⎥
2 2
⎢ ⎥
⎢ 1 − j⎥
ZL ⎢ 0 0 ⎥
2 2
S = ⎢ ⎥
⎢ − j
0 ⎥⎥
1
⎢ 0
2 2
⎢ ⎥
⎢ − j
0 ⎥
1
0
⎢⎣ 2 2 ⎥⎦

ZL
ZL − j 1 Γ Γ
b1 = a3 + a 4 = − j L b3 + L b 4 = 0
2 2 2 2
− j
b3 = a1 ( a 2 = 0 )
La porta 1 è adattata se 2
i due dispositivi sono identici b4 =
1
a1 ( a 2 = 0 )
in tutta la banda dell’accoppiatore 2
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Ampilificatore bilanciato: adattamento

Alla porta di ingresso

R0 i due dispositivi vedono
la resistenza di normalizzazione

Per simmetria lo stesso

avviene alla porta di uscita
R0

Il dispositivo è descritto
mediante i parametri scattering

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Ampilificatore bilanciato: funzionamento

- - - -

Amplificazione |S21|

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 Ampilificatore bilanciato: limiti

• L’amplificatore
bilanciato funziona
correttamente solo
– se i due dispositivi
sono identici
– a banda non
larghissima
• Ulteriori reti di
adattamento posso-
no bilanciare le non
idealità

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Amplificatore bilanciato con
accoppiatori branch line

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 Amplificatori a banda larghissima:
l’amplificatore distribuito (DAMP)
• Il prodotto banda-guadagno di un transistore e’ circa uguale
alla frequenza di taglio:

Low-frequency gain 3dB bandwidth

• Nessuna manipolazione circuitale (parallelo, serie, cascata…)

puo’ alterare il prodotto banda-guadagno
• Per superare la limitazione e’ possibile pero’ ricorrere ad una
struttura distribuita: l’amplificatore distribuito
• Idealmente, la banda e’ infinita; in pratica limitata da
dissincronismo e perdite; si realizzano amplificatori con
guadagno basso (~10 dB) con bande e.g. 100 KHz - 60 GHz
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L’amplificatore distribuito a celle
discrete

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L’amplificatore distribuito continuo

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Caratteristiche delle linee di gate e drain

• In generale dispersive, esiste pero’ un campo di frequenze

in cui il comportamento e’ del tipo “linea ad alta frequenza
con perdite”:

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 Risposta in frequenza

• La risposta in frequenza dell’amplificatore distribuito e’ tipo

sinc:

• Se le perdite sono trascurabili, si ottiene banda infinita se le

linee di gate e di drain sono sincrone:

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…in pratica

• In realta’ la risposta in frequenza e’ limitata dalla dispersione

delle linee, dal dissincronismo, e dalle perdite; esiste una
lunghezza ottima:

• Inoltre un amplificatore distribuito continuo non puo’ essere

realizzato perche’ il sincronismo e’ difficile da ottenere e le
perdite sono elevate
• L’amplificatore a celle discrete consente di ottenere piu’
facilmente il sincronismo mediante elementi concentrati e/o
linee di ritardo; la banda e’ comunque limitata dalle perdite e
dalla banda delle linee di ritardo.
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Amplificatore a celle discrete

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Analisi dell’amplificatore a celle
discrete

• La risposta in frequenza e’ sempre di tipo sinc, ma la banda

non e’ piu’ infinita; si ha approx:
PBG (fT) di n celle ~ n × PBG (fT) di una cella
• Il numero di celle ottimo dipende dalle perdite ed e’
tipicamente limitato a 10-15 al massimo:

AD e AG sono le attenuazioni totali delle linee di gate e di

drain.

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Esempio di amplificatore distribuito

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Amplificatore distribuito non uniforme

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Esempio di DAMP cascode - I

•PHEMT InGaAs/GaAs
Fujitsu
•40 Gbps, 6 Vpp
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Esempio di DAMP cascode - II

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 Amplificatore a basso rumore con
reazione induttiva
• Spesso se si imponde nel progetto la impedenza di generatore ottima il
guadagno associato è troppo basso
• Si preferisce operare un compromesso tra guadagno e rumore
• Si cerca di avvicinarsi alla condizione di adattamento in ingresso senza
introdurre ‘troppo’ rumore, questo si puo’ ottenere con una reazione reattiva
• Esempio: amplificatore con reazione induttiva al source del dispositivo

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Calcolo di LS

adattamento energetico
in ingresso

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Cifra di rumore ottima (non minima!)

• Si dimostra che la cifra di rumore e’ (modello PRC):

• ove:

• Si puo’ cercare un ottimo rispetto al fattore di qualita’, si ha:

>

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Procedura di progetto

• Data una certa tecnologia con fT assegnata, LS si ricava dalla

condizione di adattamento
• LG si ricava dalla condizione di ottimo del fattore di merito
• CGS si impone ancora dalla condizione di fattore di merito
ottimo riscalando opportunamente il dispositivo attivo
(operazione che non cambia la frequenza di taglio)
• Si noti che se il rumore di gate e’ poco importante rispetto a
quello di drain il fattore di merito ottimo assumo valori piuttosto
elevati e di conseguenza la capacita’ valori bassi, questo
equivale ad una ottimizzazione rispetto alla dimensione del
dispositivo e alla dissipazione →LNA “low power”
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Confronto con il progetto a minima
cifra di rumore

• La cifra di rumore ottima e’ sempre maggiore di quella

minima con adattamento di rumore all’ingresso (notare
che la cifra di rumore minima non dipende
dall’introduzione dell’induttanza); in pratica la perdita
di cifra di rumore e’ modesta e in molte applicazioni
poco importante
• Il guadagno ottenuto nel progetto a cifra di rumore
minima (non ottima) e’ spesso considerevolmente
superiore a quello del progetto tradizionale a cifra di
rumore minima.

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