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TRANSISTOR EN RÉGIME DYNAMIQUE

Fonctionnement d’amplificateur à faibles signaux

La polarisation d’un transistor est une opération n’utilisant que des alimentations
continues. Le but de la polarisation est d’établir un point de fonctionnement autour duquel les
variations en courant et en tensions peuvent survenir en réponse à un signal d’entrée à courant
alternatif. Dans les applications où des tensions de faibles signaux doivent être amplifiées,
comme celles d’une antenne ou d’un microphone, les variations autour du point de
fonctionnement sont relativement faibles. Les amplificateurs conçus pour traiter ces petits
signaux à courant alternatifs sont appelés des amplificateurs à faibles signaux.
Les systèmes amplificateurs sont constitués de circuits à base de composants actifs (fig.1)non
linéaire tel que le transistor.
b(t) : bruit extérieur
b(t)

e(t) : signal d’entrée


e(t) S(t) S(t) = A e(t) + b(t) +…..

A : Gain d’amplification
Fig.1
S(t) : signal de sortie
Comportement dynamique au 1er ordre en montage base commune du transistor bipolaire

Le circuit de la figure.2 représente un transistor bipolaire monté en base commune.

E ic
-ie
C

veb
vcb

B
Fig.2

Entrée: ie, veb Sortie: ic, vcb

Base commune : Cela veut dire, que la base est reliée à la masse en régime dynamique

Si la T° est constante, on peut toujours écrire: ic = α ie où α représente le gain en


courant en base commune.
ie = IES(Exp( veb/neUT ) -1 )

Vue de l’entrée le transistor se comporte comme une résistance . Elle est définit par :

re= dveb/die = neUT/ (ie+IES)

re: représente la résistance dynamique de la jonction E-B comme le


montre le modèle de la figure.3.

ie
re
veb

B
Fig.3
Vue de la sortie le transistor se comporte comme une source de courant liée . Elle est
définit par :

ic = α ie
α : représente le gain en courant en base commune. Le modèle du
circuit de sortie est représenté par la figure.4.

iC = α ie ic

veb = iere

gm veb α ie vcb
iC = αveb/re

B Fig.4 gm = α/re

gm: représente la pente du transistor bipolaire.


Le modèle complet du premier ordre du transistor vue de l’entrée et de la sortie est
représenté par la figure.5.

ie ic

veb re α ie vcb

B Fig.5
Comportement dynamique au 1er ordre en montage émetteur commun du transistor bipolaire

Le circuit de la figure.6 représente un transistor bipolaire monté en émetteur commun.

C
ic
B
ib
vce

vbe

E
Fig.6

Entrée: ib, vbe Sortie: ic, vce

Émetteur commun : Cela veut dire, que l’émetteur est relié à la masse en régime dynamique

Si la T° est constante, on peut toujours écrire: ic = β ib où β représente le gain en


courant en émetteur commun.
Ib = ic/β = IES(Exp( vbe/nbUT ) -1 )

Vue de l’entrée le transistor se comporte comme une résistance . Elle est définit par :

rb= dvbe/dib = nbUT/ (ib+IES)

rb: représente la résistance dynamique de la jonction B-E comme le


montre le modèle de la figure.7.

ib
rb
vbe

E
Fig.7
Vue de la sortie le transistor se comporte comme une source de courant liée . Elle est
définit par :

ic = β ib
β : représente le gain en courant en émetteur commun. Le modèle du
circuit de sortie est représenté par la figure.8.

iC = β ib ic

vbe = ibrb

iC = β vbe/rb
gm vbe β ib vce

B Fig.8 gm = β /rb

gm: représente la pente du transistor bipolaire.


Le modèle complet du premier ordre du transistor vue de l’entrée et de la sortie est
représenté par la figure.9.

ib ic

vbe rb β ib vce

E Fig.9

rb = nbUT/ib et re= neUT/ie


Relation entre rb et re.

rb = re( 1+β ) ie = ib + ic
Comportement dynamique au 2ème ordre du transistor bipolaire

Le transistor peut être considéré comme un quadripôle non linéaire dont les
caractéristiques sont résumées dans un réseau à quatre cadrans ( fig.10).
i2

Transfert direct
i1 i2 Sortie

v1 Q v2
i1 v2

Entrée Transfert inverse

Fig.10 v1

Si les grandeurs dynamiques sont de faibles amplitudes, on peut linéariser les


relations du transistor , ce dernier se comporte comme un quadripôle linéaire dont les
grandeurs d’entrée et de sortie sont reliées par des équations de types matricielles ( M2x2)
La courbe de la figure.11 représente les variations en courant au collecteur et en tension vce
pour des signaux de faibles amplitudes.
IC(mA)

Droite de charge

IB= Cste
ic(t) IC0
Signaux de faibles amplitudes

Q2 Q

IB(µA) VCE(V)
VCE0
Fig.11
vce(t)
Q1
VBE(V)
Parmi les matrices les plus utilisées, nous citerons:

V1 V2
Matrice chaîne = A
I1 I2

Très utilisée pour la mise en cascade d’étage amplificateur

V1 I1
Matrice impédance
= Z I2
V2

Très peut utilisée

I1 V1
Matrice admittance
= Y V2
I2

Très utilisée dans le calcul de montage amplificateur dans le domaine radiofréquences ( 3


Mhz à 0.3 Ghz) (H.F V.H.F).
V1 I1
Matrice hybride = H
I2 V2

Très utilisée dans le calcul de montage amplificateur dans le domaine audiofréquences et


moyennes fréquences ( 300 hz à 30 Mhz) .

En général on utilise surtout la matrice hybride et la matrice admittance.

I2
I1
h11 +
V1=h11I1 +h12V2 V1 h22 V2
h12V2 h21I1
I2=h21I1 +h22V2

I2
I1
V1
I1=y11v1 +y12V2 y11
y12V2 y22 V2
I2=y21v1 +y22V2 y21I1
Comportement dynamique au 2ème ordre en montage émetteur commun du transistor bipolaire

Le circuit de la figure.12 représente le modèle d’un transistor bipolaire monté en émetteur


commun.
C
ic
B
ib
vce

vbe

E
Fig.12

Entrée: ib, vbe Sortie: ic, vce


ic
ib
h11e +
vbe=h11eib +h12evce Vbe h22e Vce
h12eVce h21eib
ic=h21eib +h22evce
Comportement dynamique au 2ème ordre en montage collecteur commun du transistor
bipolaire
Le circuit de la figure.13 représente le modèle d’un transistor bipolaire monté en collecteur
commun.
E
ie
B
ib
vec

vbc

C
Fig.13

Entrée: ib, vbc Sortie: ie, vec


ie
ib
h11c +
vbc=h11cib +h12cvec Vbc h22c Vec
h12cVce h21cib
ie=h21cib +h22cvec
Comportement dynamique au 2ème ordre en montage base commune du transistor bipolaire

Le circuit de la figure.14 représente le modèle d’un transistor bipolaire monté en base


commune.

E
ic C
ie

veb vcb

B
Fig.14

Entrée: ie, veb Sortie: ic, vcb


ic
ie
h11b +
veb=h11bie +h12bvcb Vcb h22b Vcb
h12bVcb h21bie
ic=h21bie +h22bvcb
Définitions des paramètres hybrides

Chaque paramètre h correspond à une mesure en courant alternatif prise à partir


des courbes caractéristiques du transistor.

hi est la résistance vue à partir de la borne de l’entrée du transistor avec la sortie cour-
cuitée.Pour la configuration à émetteur commun. hie est le rapport entre la tension d’entrée Vbe
et le courant à l’entrée ib.

h11e = hie= Vbe/ib


hr est la mesure de la quantité de la tension de sortie qui est réachiminée ( par
rétroaction) vers l’entrée, avec l’entrée ouverte. hre est le rapport entre la tension d’entrée Vbe et
la tension de sortie Vce.

h12e = hre=Vbe/Vce
hf est le gain en courant direct mesuré avec la sortie en court-circuit. hfe est le rapport
entre le courant ic et le courant ib.

β = h21e = hfe= ic/ib


h0 est la conductance vue à partie de la borne de sortie, lorsque l’entrée est ouverte
h0e est le rapport entre le courant de sortie ic et la tension de sortie Vce.

ρ-1 = h22e = h0e= ic/Vce

Rq: Les fiches techniques ne fournissent souvent que les paramètres h pour la configuration à
émetteur commun. Il existe des relations liant les paramètres des trois configurations.

h11b = h11e / D h22b = h22e / D

h12b = ( h12e(1+h21e) - h11eh22e )/ D D = 1- h12e+h21e +Δhe

h21b = ( h21e(1-h12e) +h11eh22e )/ D Δhe = h11eh22e - h21eh12e


Rq: Si h22e=0 et h12e= 0 ces paramètres deviennent :

D = 1+h21e
h11b = h11e/ ( 1+h21e) h21b = h21e/(1+h21e)

h12b = 0 h22b = 0
Les paramètres hybrides de la configurations collecteur commun en fonction de ceux de
l’émetteur commun sont :

h11c = h11e h12c = 1 - h12e h22c = -h22e h21c = h21e - 1


Rq: Si h22e=0 et h12e= 0 ces paramètres deviennent :

h11c = h11e h12c = 1 h22c = 0 h21c = h21e - 1


Modèle fréquentiel du 2ème ordre.

Le modèle fréquentiel du 2ème ordre du transistor pour la configuration


émetteur commun est représenté par la figure.15. On utilise les paramètres
admittances pour l’analyse des circuits.

ib Cc ic

rc
Vbe Cb rce Vce
rb gmvbe

Fig.15
Modèle d’Ebers-Moll.
Premier modèle

C’est un modèle décrit par Ebers-Moll comme le montre la figure.16. Il est non
linéaire et valable en forts signaux. Il ne prend pas en considération les effets des
charges stockées. Il est valable uniquement en continu dans les quatre états de
fonctionnement suivant, bloqué, normal, inverse et saturé.

IS(Exp( vbc/neUT -1 )/βr IS(Exp( vbe/neUT - Exp( vbc/neUT )

E
Fig.16
IS(Exp( vbe/neUT -1 )/βf
Deuxième modèle

Ce modèle a pour modèle le modèle précédent auquel on ajoute sept composants


comme le montre la figure.17. Ce modèle permet l’analyse en transitoire et en
fréquentiel, il fournit également des caractéristiques statiques plus précises.
RC’
C
C1=Cdc+Cjc IR/βr

C’
RB’
B’ C1
B If - IR

C2

C2=Cde+Cje
If/βf E’ E
RE’
Fig.17
RC’, RB’ et RE’ représentent les résistances d’accès, elles affectent les caractéristiques en
atténuant les pentes des courbes de réponses statiques et dynamiques.
Modèle de Gummel-Poon

Ce modèle se ressemble a celui d’Ebers-Moll. La valeur des différentes


paramètres de ce modèle a été calculée sur des bases plus proches de la physique
des semi-conducteurs. Les équations utilisées pour ce modèle sont plus précises que
celles d’Ebers-Moll. Elles ont été formulées par Gummel-Poon en 1970 en prenant
en compte de la modulation de la largeur de base et de l’effet de la forte injection (
fig.18).
RC’ C
C1=Cdc+Cjc IR/βr Ic

C’
RB’
B’ C1 (If – IR)/Kqb
B Ibc
Ib
C2
Ibe
C2=Cde+Cje
Fig.16
If/βf E’ E
RE’ Ie
Ib= If/βf + Ibe + Ibc + Ir/βr IC = If/kqb + Ir/kqb - Ibc + Ir/βr

If = IS(Exp( vbe/neUT - 1 ) IR=IS(Exp( vbc/nrUT -1 )

Ibe=ISe(Exp( vbe/neUT -1 ) Ibc=ISc(Exp( vbc/nrUT -1 )


1>>VCE/VAR
kkb= kq1[1 + ( 1 + 4 kq2 ) ½]/2 kk1= 1/[1 –Vbc/VAF –Vbe/VAR]

kk2= βf Ibe/IKF + βr Ibc/IKR Ic # ISExp( Vbe/neUT (1 + VCE/VAR ) )

VAF et VAR représentent respectivement les tensions d’Early en fonctionnement direct et


inverse.

IKF et IKR représentent respectivement le début de la région de forte injection en


fonctionnement direct et inverse.

nF et nR représentent respectivement les coefficient de courant d’émission direct et


inverse.
Expressions des capacités de jonctions base collecteur et base émetteur

Cbe=τf IS(Exp( vbe/neUT )/ neUT + Cje0/[1 - Vbe/φe ) Vbe < Fc φe


me]

Cbe=τf IS(Exp(vbe/neUT)/neUT + (Cje0/F2)/(F3 +meVbe/φe) me Vbe >Fc φe

Cbc=τR IS(Exp( vbc/ncUT )/ ncUT + Cjc0/[1 - Vbv/φc ) mc] Vbc < Fc φc

Cbe=τr IS(Exp(vbc/ncUT)/ncUT + (Cjc0/F2)/(F3 +mcVbe/φc) mc Vbe >Fc φe

F2 = (1 - Fc)mc+1 F3 = 1- Fc(1 - me)

Fc est appelé facteur correctif, il est de l’ordre de 0.5.

Le modèle de Gummel-Poon a été choisi pour être utilisé dans les simulateurs
industriels, notamment ceux de la famille SPICE.
Études des différents étages amplificateurs

Amplificateurs à émetteur commun avec RE découplée.


Le circuit de la figure.19 illustre un amplificateur à EC polarisé par un pont diviseur avec les
condensateurs de couplage C1 et CL , ainsi le condensateur de découplage CE .

+EC
RC
CL
R1
C1 iL
CE

Rg RL VS

eg R2
RE
M Fig.19

Le circuit de la figure.19 combine un fonctionnement en courant continu et un


fonctionnement en courant alternatif: les deux doivent être pris en considération.
Analyse en courant continu

Vue de point de vue continu, le circuit de la figure.19 est équivalent à celui de la figure.20. Les
différentes capacités se présentent comme des circuits ouvert en régime continu.

VBM= ETh – IBRTh RTh= R1 // R2 ETh = RTh Ec/R1

IP IC= (EC–VCE )/( RE+ RC


VCB IC
R1 RC
IE= VEM / RE
IB EC
VCE
Ip-IB VEM = VBM- VBE
IE
IE >>IB IE # IC
R2 VBE
RE
M VCE=EC – IC( RE+ RC )
Fig.20

Déterminations des différentes résistances de polarisation ainsi le point de repos.


Analyse en courant alternatif

Vue de point de vue alternatif , les différentes capacités se présentent comme des court-circuits
aux fréquences de travail puisque Zc # 0 Ω.

Le circuit de la figure.21 représente le schéma équivalent en courant alternatif pour


l’amplificateur EC.

Rg ic C
ig B ib
h11e +
Ve Vbe h12eVce h22e Vce
h21eib
eg R0 VS
RB

M
RB= R1 // R2 R0= RC // RL Fig.21
En général le coefficient de réaction interne h12e est négligeable, le circuit de la figure.21
sera représente alors par la figure.22.

Rg ic C
ig B ib
h11e
Ve Vbe h22e Vce
h21eib
eg R0 VS
RB

M Fig.21
Détermination des caractéristiques de l’amplificateur

Tout amplificateur est caractérisé par quatre paramètres à savoir : Impédance d’entrée ,
l’impédance de sortie, le gain en courant et le gain en tension.
Expression de l’impédance d’entrée:

Re =eg / ig Re= Rg+ RB//h11e h11e = nUT/IB = nβUT/IC

Expression du gain en courant

AI =iL / ig AI= [-h11e/(RB+h11e)][h21e /(1 +R0h22e)][RC /(RL+RC)]

Expression du gain en tension

AV =VS / eg AV= [-R0h21e/(h11e (1+R0h22e)][h11e //RB]/[Rg +(RB//h11e)]

Le signe moins signifie que les deux signaux sont en position de phase.
Expression de l’impédance de sortie (eg=0)

RS =VS / iL RS= R0//h-122e = R0//ρ # R0 # RC


Amplificateurs à émetteur commun avec RE non découplée.

Le circuit de la figure.22 illustre un amplificateur à EC polarisé par un pont diviseur avec les
condensateurs de couplage C1 et CL , dans ce cas la résistance RE n’est pas découplée.

+EC
RC
CL
R1
C1 iL
CE

Rg RL VS

eg R2
RE
M Fig.22

Le fonctionnement en courant continu est le même que celui de l’étude


précédente.
Analyse en courant alternatif

Vue de point de vue alternatif , les différentes capacités se présentent comme des court-circuits
aux fréquences de travail puisque Zc # 0 Ω.

Le circuit de la figure.23 représente le schéma équivalent en courant alternatif pour


l’amplificateur EC avec la résistance d’émetteur RE non découplée.

Rg ic C
ig B ib
h11e +
Ve Vbe h12eVce h22e Vce
h21eib
eg R0 VS
RB
E

RE

M
RB= R1 // R2 R0= RC // RL Fig.23
Détermination des caractéristiques de l’amplificateur pour RE non découplée

Expression de l’impédance d’entrée:

Re =eg / ig Re= Rg+ RB//[h11e + RE(1+K) ]

Avec K= iC/ib = (h21e - REh22e)/[1+ (R0+RE)h22e]

Expression du gain en courant

AI =iL / ig AI= -K[RC/(RC+RL)][RB /(RB + h11e+RE (1+K))]

Expression du gain en tension

AV =VS / eg AV= AIRL/{Rg+RB//[h11e +RE(1+K)]}

Le signe moins signifie que les deux signaux sont en position de phase.

Expression de l’impédance de sortie ( eg=0)

RS =VS / iL RS= R0//[ρ(1+ (REh21e)/(r+RE ) + r//RE ]

RS # RC//ρ(REh21e)/(r+RE ) # RC r = Rg//RB + h11e


Conclusion

Re augmente dans le cas où RE n’est pas découplée.

AV diminue dans le cas où RE n’est pas découplée.

RS pour les deux études garde presque la même valeur.

Dans la pratique pour avoir un fort gain et impédance d’entrée de valeur moyenne on
utilise une résistance partiellement découplée comme l’indique le circuit de la
figure.24

CE RE = RE1 + RE2
E
RE intervient en statique
RE2 RE1
RE1 intervient en dynamique

Gain en puissance Ap = AV.AI


Amplificateur à collecteur commun ou émetteur suiveur.

Le circuit de la figure.25 illustre un amplificateur à CC polarisé par un pont diviseur avec les
condensateurs de couplage C1 et CL .

+EC

CL
R1
C1 iL

Rg RL VS

eg R2
RE
M Fig.25

Le fonctionnement en courant continu est le même que celui de l’étude


précédente.
Analyse en courant alternatif

Vue de point de vue alternatif , les différentes capacités se présentent comme des court-circuits
aux fréquences de travail puisque Zc # 0 Ω.

Le circuit de la figure.26 représente le schéma équivalent en courant alternatif pour


l’amplificateur CC .

Rg ic E
ig B ib

h11e
Ve Vbc Vec
eg h21eib h22e R0 VS
RB

C
M
RB= R1 // R2 R0= RE // RL Fig.26
Détermination des caractéristiques de l’émetteur suiveur

Expression de l’impédance d’entrée:

Re =eg / ig Re= Rg+ RB//[h11e + R0(1+K) ]

Avec K= iC/ib = (h21e – R0h22e)/(1+ R0h22e)

Expression du gain en courant

AI =iL / ig AI= (1+K)RB/[RB + h11e+R0 (1+K)]

Expression du gain en tension

AV =VS / eg AV # 1 Expression du gain en puissance

Expression de l’impédance de sortie ( eg=0) Ap = AV.AI # AI

RS =VS / iL RS= R0//ρ//[(h11e+RB//Rg )/(1 + h21e )]

RS # (h11e+Rg )/ (1 + h21e ) # h11e / (1 + h21e )


Conclusion

Grande impédance d’entrée, peut jouer le rôle d’un adaptateur.

AV # 1 , la tension de sortie suit de près la tension d’entrée, à la fois en


phase et amplitude, d’où le terme émetteur suiveur.

RS est très faible ; c’est la raison pour laquelle l’émetteur suiveur est utile
pour des charges de faibles résistances ( haut parleur ).

AI est sensiblement égal au gain en courant du transistor h21e. h21e


représente le gain en courant max pouvant être atteint pour les
amplificateurs EC et CC.
Amplificateur à base commune

Le circuit de la figure.27 illustre un amplificateur à B-C polarisé par un pont diviseur avec les
condensateurs de couplage C1 ,CB et CL .

+EC

RC
CL
R1
C1 CB iL

Rg RL VS

eg R2
RE
M Fig.27

Le fonctionnement en courant continu est le même que celui de l’étude


précédente.
Analyse en courant alternatif

Vue de point de vue alternatif , les différentes capacités se présentent comme des court-circuits
aux fréquences de travail puisque Zc # 0 Ω.

Le circuit de la figure.28 représente le schéma équivalent en courant alternatif pour


l’amplificateur B-C .

Rg ic C
ig E ie h21eib Vec

ib
Ve Veb h22e
eg h11e R0 VS
RE

B
M

R0= RC // RL Fig.28
Détermination des caractéristiques de l’amplificateur à base commune

Expression de l’impédance d’entrée:

Re =eg / ig Re= Rg + 1/{1/RE+ 1/h11e +[(h21e/ h11e ) + h22e]/[ 1+ R0h22e ]}

Expression du gain en courant


Re# Rg + h11e/(1+h21e)
AI =iL / ig AI= [RC/(RL +R C)][1/(1+K(1+ h11e /RE ))] #1

Avec K= ib/ic = (1+ R0h22e)/(h21e + h11eh22e)


Expression du gain en tension
Expression du gain en puissance
AV =VS / eg AV = AIRL/Re

Expression de l’impédance de sortie ( eg=0) Ap = AV.AI # AV

RS =VS / iL RS= R0//[r0+ρ(1+ r0h21/h11e )]

r0 = Rg// RE//h11e
RS # R0//(ρ r0h21/h11e ) # R0 # RC
Conclusion

La résistance d’entrée est faible. La résistance de sortie est de l’ordre de la


résistance RC.

le gain en courant maximal est égal à 1 .

Amplifie en tension comme l’amplificateur à émetteur commun. Il n’existe


pas d’inversion de phase entre l’émetteur et le collecteur.

Rappel

Pour des raison de normalisation, le bel (B) a été défini par l’équation suivante, qui
exprime la relation entre deux puissances, P1 et P2 .

bel = log10 (P2 /P1)

Le terme bel a été choisi en l’honneur de Alexandre Graham Bell. Toutefois, on s’est aperçu
que le bel était en pratique, une unité de mesure trop grande. On a donc défini le décibel (dB)
de façon à ce que 10 décibels = 1bel.

# (10) bels = 10 log10 (P2 /P1) dB = 10 log10 (P2 /P1)


Par convention, la puissance de référence usuelle est de 1mW; bien qu’en emploie
parfois l’ancienne puissance de référence 6 mW. On convient d’associer une
résistance de 600 Ω à la puissance de 1 mW, parce que c’est l’impédance
caractéristique des lignes de transmission pour audiofréquences. Quand on utilise 1
mW comme puissance de référence, on l’indique souvent en employant le symbole
dBm comme abréviation de décibel.

dBm = 10 log10 (P2 /1mW)|600 Ω


ie P1 = 1mW

Expression du gain en puissance

Ie Is

Ve Vs

Pe, Re
Ps, Rs
Par convention, on définit le gain en puissance en décibel par l’expression:

ApdB= 10 log10 (Ps / Pe) = 10 log10 (Ap)


Pe : représente la puissance d’entrée.
Ps : représente la puissance de sortie.

Expression du gain en tension et en courant

Si les charges sont adaptées, c’est à dire Re = Rs

AvdB= 20 log10 (Vs / Ve) = 20 log10 (Av)

AidB= 20 log10 (Is / Ie) = 20 log10 (Ai)


Modèle équivalent d’un amplificateur

Tout amplificateur peut être représenté sous la forme du schéma de la figure .29.

RS
+
Ve Re
Av Ve VS

Fig.29

Re: représente la résistance d’entrée RS: représente la résistance de sortie

AVVe: représente une source de tension contrôlée

AV: représente le gain en tension


Réponse en fréquence d’un amplificateur

Aux études précédentes, la réactance capacitive des condensateurs de couplage ( liaison ) et


de découplage ( dérivation , shunt) était nulle à la fréquence du signal. Par conséquent elle
n’avait aucun effet sur le gain ou le déphasage de l’amplificateur. Le modèle du transistor
est supposé du 2ème ordre (capacités internes étaient négligeables).Toutes ces simplifications
donnent une représentation limitée ( milieu de la bande passante ) du fonctionnement
complet de l’amplificateur étudié.

Effet des condensateurs de découplage ( dérivation , shunt)


E

Pour des fréquences plus basses, la valeur de la réactance


n’est plus négligeable, le condensateur de dérivation
(fig.30), en parallèle avec RE, crée une impédance ZE à
l’émetteur qui réduit le gain en tension . RE CE

ZE = RE/( 1+RECEP)

La nouvelle expression du gain en tension s’écrit sous la forme:

Av = Av0[(1+jf/f1)]/[1+jf/f2)]
Fig.30
Av0: représente le gain au milieu de la bande passante

f1= 1/(2πCERE ) f2= [h11e+ RE(h21e+1)]/(2πCERE )

f2/f1# 1+gmRE

Effet des condensateurs de couplage ( liaison) ( fig.31)

C1 CL
B C

Rg VS
VBM
Re RC RL
eg

Fig.31
Aux fréquences basses un amplificateur à couplage ( liaison ) par condensateurs
( C1 et CL) développe un gain plus faible qu’aux fréquences plus élevées.
Une chute de tension plus élevée apparaît alors aux bornes de C1 et CL, leur réactances
augmentent à ces basses fréquences, ce qui réduit le gain en tension.
Vue de l’entrée le circuit ce comporte comme un circuit RC. La tension à la base pour le
circuit RC à l’entrée est :

VBM / eg = Re/[Re +Rg +ZC1]

L’expression du nouveau gain en tension est :

Av =Vs/eg = Av0/[1+1/jωC1(Re+Rg)]

Un point critique dans la réponse d’un amplificateur se produit lorsque la tension à


la sortie est égale à 70,7 % de sa valeur de l’échelle des fréquences intermédiaires. Cette
condition survient lorsque (Re+Rg)² = 1/(ωC1)²

Av = Av0/2 1/2= 0.707 Av0

En termes de mesure en décibels = 20log10(Av) = - 3 dB


Fréquence critique ( coupure)

La condition pour laquelle le gain est plus faible de 3 dB est logiquement


appelée point de – 3 dB de la réponse de l’amplificateur. La fréquence à laquelle cette
condition se produit , fc est définie comme étant la fréquence critique inférieure ( ou
encore la fréquence de coupure inférieure, la fréquence de bande inférieure, ou la
fréquence de – 3 dB inférieure). L’expression de cette fréquence est alors:

fC1= 1/2π C1 (Re + Rg )


Remarque
De la même manière, un point critique dans la réponse d’un amplificateur se
produit lorsque la tension à la sortie est égale à 70,7 % de sa valeur de l’échelle des
fréquences intermédiaires. Cette condition survient lorsque (RC+RL)² = 1/(ωCL)²
fC2= 1/2π CL (RC + RL )

dB/décade : Correspond un changement par un facteur 10 de la valeur de la


fréquence .

dB/octave : Correspond un changement par un facteur 2 de la valeur de la


fréquence .
Amplificateurs à plusieurs étages

Amplificateurs à couplage RC

le circuit de la figure.32 représente un amplificateur à deux étages à couplage R C.

C
Ampli 1 Ampli 2
Ve V Vs
Av1 Av2

Fig.32

La tension Ve est amplifiée par l’amplificateur 1 pour donner la tension V, Cette même
tension est de nouveau amplifiée par l’amplificateur 2 pour donner la sortie Vs.
L’amplification totale est :

AVT = Vs/Ve = (Vs/V) (V/Ve) = Av1 . Av2

AiT = is/ie = Ai1 . Ai2


Transformateur

Conservation de la puissance apparente : S = V1I1 =V2I2


V2= Ru I2
I2
I1
V1= Rq I1

Transformateur
n2 Rq= Ru/n²
n1
V2
V1 RU
r1 r2

Rq = r1 +( Ru + r2)/n²

n= V2/V1 = I1/I2= n2/n1 rapport de transformation


Rqsecon = r2 +( Ru + r1)n²
Rq: résistance ramenée au primaire

r1 et r2 : résistance de fuite des deux enroulements du transformateur


L’impédance d’entrée de l’amplificateur est celle de l’ampli 1.

L’impédance de sortie de l’amplificateur est celle de l’ampli 2.

Amplificateurs à couplage par transformateur

le circuit de la figure.33 représente un amplificateur à deux étages à couplage par


transformateur .
Vpri Vsec

Transformateur
Ampli 1 Ampli 2
Ve
Vs
Av1 Av2

Fig.32

AVT = Vs/Ve = (Vs/Vsec) (Vpri/Ve)( Vsec/Vpri) = n Av1 . Av2


Même étude que pour l’amplificateur à couplage RC. On utilise le couplage par
transformateur lorsqu’on veut adapter l’impédance de sortie du premier étage à l’impédance
d’entrée du second étage.
Amplificateurs BF à faible tension d’alimentation, récepteurs et magnétophones portatifs
L’avantage de la liaison par transformateur et le transfert de puissance d’un étage à l’autre.

Amplificateurs à couplage direct

le circuit de la figure.34 représente un amplificateur à deux étages à couplage direct.

Ampli 1 Ampli 2
Ve V
Vs
Av1 Av2

Fig.34
Ce genre de couplage est sensible à la T°, on utilise généralement des transistors
complémentaires pour éviter la saturation de l’amplificateur . Au point de vue statique
l’amplificateur 1 influe sur l’amplificateur.2

L’analyse de cet amplificateur est identique à celle du couplage RC.


Étude de la paire Darlington

Le circuit de la figure.35 représente la paire Darlington. iC


iC
C C

B ic1
ib1
T1
ic2 ib vc
T e
vbe
B
T2 vce
vbe
ib2=ie1 E
ie
ie

E
Fig.35

Vbe = Vb1e1+Vb2e2 , ic = ic1+ic2 , Vc2e2 = Vce = Vc1e1+Vb2e2 et ie = ie1+ic2


Vb1e1 ib1
Matrice hybride T1 = h
ic1 Vc1e1

Vb2e2 ib2
Matrice hybride T2 = h’
ic2 Vc2e2

L’analyse dynamique donne le schéma équivalent suivant :

ic1
ib1
h11 +
h12 Vc1e1 h22 Vc1e1
h21ib1
ic2
ie1 ib2 Vbe
Vbe
h’11 +
Vb2e2 h’12Vc2e2 h’22 Vc2e2
h’21 ib2
Les paramètres hybrides du transistor équivalent, ou de la paire Darlington est :

h11D = h11 + h’11(h21+1) - [h’11(h21+1)(h12 + h22h’11)]/(1+ h22h’11)

h12D = h’12 + [(h12 + h22h’11) (1- h’12)]/(1+ h22h’11)

h21D = h21 + h’21(h21+1) - [(h’11h22 )(1+h’21)(1+ h21)]/(1+ h22h’11)

h22D = h’22 + [h22(1+h’21) (1- h’12)]/(1+ h22h’11)

Rq: Si h12= 0 et h’12= 0 ces paramètres deviennent :

h11D = h11 + h’11(h21+1) - [h’11(h21+1) h22h’11)]/(1+ h22h’11)

h12D = h22h’11 /(1+ h22h’11)


h21D = h21 + h’21(h21+1) - [(h’11h22 )(1+h’21)(1+ h21)]/(1+ h22h’11)

h22D = h’22 + [h22(1+h’21)]/(1+ h22h’11)


Dans le cas général h22 = h’22 = 0 et h12= h’12 = 0 les paramètres hybrides de la
paire Darlington deviennent alors :

h11D = h11 + h’11(h21+1) h22D = 0 h12D = 0

h21D = h21 + h’21(h21+1)


h11D # h11 + h’11h21

h21D # h21 + h’21h21


h11D # h’11h21

h21D # h21h’21 h21D # h21(1+ h’21)

Si T1 est identique à T2 h21D # h²21


La paire Darlington permet d’augmenter l’impédance d’entrée et le courant
d’émetteur du transistor T2 est de l’ordre ib h²21.
Étude des différentes types d’adaptation

Adaptation en tension : Attaque en tension

Rg

Ve Ru
Vg

Il y’a transfert maximal de tension si Ve est maximale pour une tension Vg donnée.

Ve= Vg/(1+Rg/Ru) Si Rg = 0 ou bien Ru infinie

On parle d’adaptation en tension si Rg/Ru = 0. En fait ce n’est pas toujours réalisable, on se


contente souvent de l’attaque en tension quand Rg/Ru < 0.1.
Adaptation en courant : attaque en courant

Il y’a transfert maximal de tension si i est maximal pour une tension ig donné.

Yg Yu
ig

i= ig/(1+yg/yu) Si yg = 0 ou bien yu infinie

On parle d’adaptation en tension si yg/yu = 0.


Adaptation en puissance : Attaque en puissance

Rg

Ve Ru
Vg
P= Vei*

Il y’a transfert maximal de puissance si la puissance dissipée dans la charge Ru est


maximale pour une tension Vg donnée.

P= V²g/Ru(1+Rg/Ru)² Pmax = V²g/4Ru= V²g/4Rg Ru= Rg

On parle d’adaptation en puissance si Rg/Ru = 1. En fait ce n’est pas toujours réalisable, on


se contente souvent 0.1< Rg/Ru < 10.
Montage Boostrap

Le montage Boostrap permet d’augmenter l’impédance d’entrée d’un étage amplificateur

+EC
R1

C RC
CL
R2
C1
CB iL

Rg RL VS

eg
R3 RE
M

L’analyse en courant continu ce fait de la même manière que ceux des


configurations précédentes .
En général le coefficient de réaction interne h12e est négligeable de même que l’admittance
de sortie h22e, le schéma équivalent est :

Rg ic C
ig B ib
h11e
Ve R2 h21eib
eg R0 VS
R3
E
R1 RE

M
L’expression de l’impédance d’entrée est : Si R1 >> RE et R2>> h11e

Ze# R3//(h11e + (h21e +1)RE ) # R3// h21eRE

En général ce montage permet d’augmenter de 60% l’impédance d’entrée par rapport un


montage ordinaire.
Autre montage Boostrap

+EC

RC
R1 CL

C1
iL

Rg R3 RL VS

eg R2 C
RE
M

L’analyse en courant continu ce fait de la même manière que ceux des


configurations précédentes .
En général le coefficient de réaction interne h12e est négligeable de même que l’admittance
de sortie h22e, le schéma équivalent est :

Rg ic C
ig B ib
h11e
Ve R3 h21eib
eg R0 VS
E
R2 R1 RE

M
L’expression de l’impédance d’entrée est :

Si (R1// R2) > RE et R3>> h11e

Ze# (h11e + (h21e +1)RE ) # h21eRE