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Réf.

: D3935 V1

Conversion photovoltaïque : du
Date de publication :
10 mai 2008
rayonnement solaire à la
cellule

Cet article est issu de : Énergies | Conversion de l’énergie électrique

par Stéphan ASTIER

Résumé De par l’épuisement programmé des ressources primaires fossiles de la Terre,


il est indispensable et urgent que d’autres ressources énergétiques prennent la relève.
L’électricité photovoltaïque issue de la conversion directe en énergie électrique de
l’énergie du rayonnement solaire, apport extérieur constamment renouvelé, est pour cela
en très bonne place. Après une introduction présentant le contexte géophysique et
énergétique, cet article expose les caractéristiques du rayonnement solaire dans l’espace
et arrivé au sol, le principe physique de la conversion photovoltaïque, et la technologie
des matériaux utilisés dans les cellules photovoltaïques.

Abstract Due to the announced depletion of the primary fossil resources of the Earth, it
is indispensable and a matter of urgency that replacement energy resources are found.
Photovoltaic electricity, derived from the direct conversion into electric energy of solar
radiation, a constantly renewed exterior source, is therefore in an excellent position. After
an introduction presenting the geophysical and energetic context, this article deals with
the characteristics of solar radiation in space and on earth, the physical principle of
photovoltaic conversion as well as the technology of materials used in photovoltaic cells.

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Conversion photovoltaïque :
du rayonnement solaire à la cellule
par Stéphan ASTIER
Professeur à l’Institut national polytechnique de Toulouse/École nationale supérieure
d’électrotechnique, électronique, informatique, hydraulique, télécommunications de
Toulouse (INPT/ENSEEIHT)
Chercheur dans le Groupe Énergie Électrique & Systémique du LAPLACE (Laboratoire
plasmas et conversion de l’énergie)

1. Électricité solaire : contexte et généralités ..................................... D 3 935 – 2


1.1 Contexte géophysique : la Terre et son Soleil........................................... – 2
1.2 Contexte énergétique et électricité............................................................. – 3
1.3 Électricité solaire.......................................................................................... – 3
2. Rayonnement solaire............................................................................... – 5
2.1 Rayonnement solaire dans l’espace........................................................... – 5
2.2 Rayonnement solaire au sol ....................................................................... – 6
3. Du rayonnement solaire à la cellule photovoltaïque ..................... – 9
3.1 Prise de vue .................................................................................................. – 9
3.2 Rayonnement solaire porteur d’énergie .................................................... – 10
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3.3 Conversion photovoltaïque......................................................................... – 10


3.4 Cellule photovoltaïque à jonction semi-conductrice PN .......................... – 14
3.5 Technologies et matériaux des cellules photovoltaïques ........................ – 17
Pour en savoir plus ........................................................................................... Doc. D 3 936

’électricité d’origine solaire photovoltaïque, même si elle ne représente à ce


L jour qu’une part négligeable du paysage énergétique global, seulement 0,02 %
de l’électricité produite en 2004, est appelée à connaître un important essor qui
devrait en faire l’une des sources majeures dans un bouquet énergétique nouveau
au milieu du XXIe siècle. Elle a fortement contribué au développement des sys-
tèmes spatiaux depuis 50 ans et joue un rôle déterminant dans les
télécommunications et les télémesures. Elle connaît maintenant une croissance
supérieure à 30 % par an dans les applications terrestres, maintenue et confirmée
depuis plusieurs années sous l’effet des mesures volontaristes récentes s’inscri-
vant dans une démarche de développement durable.
En effet, l’humanité est aujourd’hui en situation de surexploitation des capa-
cités de la Terre [1] et cette situation fait redouter un épuisement prochain des
ressources naturelles. Pour y remédier, il est indispensable d’inscrire nos acti-
vités dans une logique de recyclage ou d’exploiter des ressources
renouvelables. Le secteur actuel de l’énergie représente plus de 50 % de
l’empreinte écologique totale et ne satisfait pas du tout ces critères. Les res-
5- 2008

sources primaires fossiles massivement exploitées depuis deux siècles


[D 3 900], sont non renouvelables au rythme de la consommation actuelle et
sont sources d’émissions gazeuses à effet de serre (GES) induisant des modifi-
cations climatiques potentiellement dommageables [2] [3]. Quant aux
ressources fissiles, également épuisables, elles génèrent des déchets bien diffi-
ciles à confiner ou à recycler.
D 3 935

Or, parmi toutes les ressources naturelles requises pour nos activités, le seul
domaine dans lequel la Terre bénéficie d’un apport extérieur constamment renou-
velé est précisément celui de l’énergie grâce au rayonnement reçu de son soleil.

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CONVERSION PHOTOVOLTAÏQUE : DU RAYONNEMENT SOLAIRE À LA CELLULE __________________________________________________________________

Cette énorme quantité d’énergie solaire se décline en autant d’énergies renouvela-


bles (solaire, éolienne, thermique, hydraulique, biochimique, ...), moteurs de
l’évolution naturelle des écosystèmes depuis plus de 4 milliards d’années. Dans ce
contexte, l’époque est devenue propice à l’exploitation artificielle par l’homme de
ces énergies primaires renouvelables [4]. Mais leur valorisation introduit une pro-
blématique nouvelle en raison de leur caractère diffus et intermittent incompatible
a priori avec une production centralisée à la demande.
C’est particulièrement le cas de l’électricité photovoltaïque issue de la con-
version directe de l’énergie du rayonnement solaire en énergie électrique,
vecteur aux très nombreuses qualités. Si cette filière énergétique récente fait
figure de candidat exemplaire en théorie, sa valorisation pratique pose des
problèmes très spécifiques, techniques mais aussi contextuels, dont certains
ont freiné son développement avant la forte croissance observée actuellement.
Son exploitation implique les contextes géophysique et énergétique, les pro-
priétés physiques du rayonnement solaire, les propriétés technologiques des
dispositifs de conversion photovoltaïque et finalement celles des systèmes et
des applications qui exploitent efficacement cette énergie. Les éléments princi-
paux de cette problématique globale attachée à l’électricité photovoltaïque font
l’objet de deux dossiers complémentaires [D 3 935] et [D 3 936].
Ce premier dossier traite des contextes géophysique et énergétique et de la
conversion photovoltaïque proprement dite depuis les principes physiques
jusqu’aux matériaux et technologies utilisés dans les cellules photovoltaïques.
Le deuxième dossier traite de l’exploitation de la conversion photovoltaïque,
depuis la mise en œuvre pratique des cellules photovoltaïques pour constituer
des générateurs d’énergie électrique jusqu’aux systèmes photovoltaïques.
Après une analyse de la problématique de ces systèmes en termes d’architec-
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ture et de gestion de l’énergie, plusieurs exemples y sont décrits afin d’illustrer


la variété des applications et des fonctionnements.
Le lecteur trouvera par ailleurs des développements différemment ciblés sur
le photovoltaïque dans la collection des Éditions techniques de l’Ingénieur,
notamment ceux auxquels ce dossier se réfère :
– « Consommation d’énergie et ressources énergétiques » [D 3 900] ;
– « Modules photovoltaïques. Filières technologiques » [D 3 940] ;
– « Les cellules photovoltaïques organiques » [RE 25] ;
– « Graphes de liens causaux pour systèmes à énergie renouvelable »
[D 3 970] et [D 3 971].
En outre, ce domaine en pleine expansion fait l’objet d’une abondante docu-
mentation, particulièrement sur la toile internet (cf. [Doc. D 3 936]).

1. Électricité solaire : D’une part, la Terre située à la distance moyenne de 150 millions
de kilomètres du Soleil, intercepte une toute petite fraction de
contexte et généralités l’énergie de son rayonnement. Cet apport permanent équivaut à une
puissance moyenne continue de 175 000 TW et représente une éner-
gie annuelle de 1,6 million de TWh, soit environ 10 000 fois notre
consommation énergétique [D 3 900]. Si 30 % de cette énergie sont
1.1 Contexte géophysique : la Terre directement réfléchis, et 45 % ré-émis par rayonnement thermique
et son Soleil vers l’espace, 25 % sont convertis dans l’atmosphère sous différen-
tes formes (éolienne, hydraulique, ...) dont les écosystèmes tirent
Le « développement durable » prend acte du fait que la Terre est profit. La photosynthèse n’en exploite que 0,24 %, soit environ un
un monde fini : en conséquence la plupart des ressources massive- million de TWh par an. À ce stade, on peut remarquer que la
ment exploitées par l’humanité sont épuisables, sauf à les inscrire consommation mondiale de l’humanité représentait 15 % du chiffre
dans une logique de recyclage, une qualité à laquelle les écosystè- précédent en 2002 avec 0,15 millions de TWh, une proportion qui
mes satisfont naturellement. Au sens thermodynamique, la Terre n’est donc plus négligeable et appelée à doubler d’ici à 2040 !
peut être assimilée à un système fermé, car elle n’échange avec
son environnement que des quantités de matière négligeables au D’autre part, la Terre émet par rayonnement thermique vers
regard de sa masse. Mais elle n’est pas isolée car les échanges l’espace presque autant d’énergie qu’elle en reçoit du soleil : la
d’énergie avec son environnement par rayonnement électroma- composition actuelle de l’atmosphère terrestre offre un effet de
gnétique dans un large spectre de longueurs d’ondes sont très serre naturel qui assure actuellement un équilibre à une tempéra-
importants [4]. ture moyenne de 15 ˚C, particulièrement clémente.

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Ainsi, depuis 4 milliards d’années, au prix d’un faible prélève- sources et surtout la gestion de leur production qui permettent de
ment énergétique, les écosystèmes terrestres élaborent des struc- mettre en adéquation la production avec la consommation. Cela
tures toujours plus complexes au sein de la biosphère, cette mince permet aussi d’absorber la production des sources intermittentes
enveloppe de quelques kilomètres abritant une vie qui apporte en tant que ces sources ne représentent qu’une part minoritaire. Les
retour une contribution déterminante à l’équilibre de la Terre. productions cumulées des sources d’électricité renouvelables
Or, les plus récentes études [1] [2] [3] confirment que les acti- intermittentes étant à ce jour encore faibles, ce n’est pas un obsta-
vités anthropiques de toutes natures ont atteint un niveau devenu cle à leur développement immédiat. Mais une augmentation signi-
capable de modifier ce précieux équilibre et que le caractère dura- ficative de cette part relative posera à terme des problèmes de
ble de notre développement devient incertain. Le domaine de gestion et de stabilité du réseau auxquels il faudra impérativement
l’énergie représente à lui seul plus de 50 % de l’empreinte écologi- apporter de nouvelles solutions : stockages, gestion de produc-
que totale de l’humanité : il se trouve donc particulièrement impli- teurs mutualisés et coopératifs répartis, voire installation de cen-
qué et concerné. trales traditionnelles de compensation ! Le problème se pose déjà
localement dans les régions qui ont fait le choix de leur développe-
ment massif, par exemple en Allemagne, Espagne ou Danemark.
1.2 Contexte énergétique et électricité Ces sources d’électricité renouvelables introduisent donc une pro-
blématique de valorisation tout à fait nouvelle et différente des
Le secteur de l’énergie exploite massivement les ressources fos- sources traditionnelles, imposant notamment un stockage inter-
siles, ces stocks d’énergie solaire lentement constitués par les médiaire. C’est un aspect déterminant pour les systèmes exploi-
mécanismes naturels sous forme de composés hydrocarbonés. tant ces énergies et un volet majeur à prendre en compte dans la
Les bilans et projections que nous ne reprendrons pas ici [D 3 900], mise en place du marché intérieur européen de l’électricité.
[5] prévoient que cette dépendance se maintienne encore pendant
La figure 1 montre les bouquets énergétiques relatifs à la produc-
plusieurs décennies. En conséquence, outre un épuisement pré-
tion d’électricité en 2004 et 2005 et l’évolution du renouvelable entre
visible de ces réserves finies au cours de ce 21e siècle en raison
1994 et 2004. En dehors de l’hydraulique, les sources d’électricité
d’une consommation en forte croissance, la libération et l’accumu-
renouvelables occupent encore une part négligeable. Mais l’éolien,
lation dans l’atmosphère d’importantes quantités de gaz à effet de
serre (GES), particulièrement de CO2, sont susceptibles de modi- avec environ 94 000 MW installés fin 2007, connaît un très fort déve-
fier l’équilibre précédent et de provoquer un réchauffement clima- loppement depuis 2000 car il a atteint une maturité technico-écono-
tique dommageable et source de crises. Pour remédier à cette mique qui permet cet essor avec l’aide de politiques incitatives. Et le
évolution inquiétante, on estime qu’il faudrait avoir divisé par qua- solaire suit maintenant car l’énergie solaire parvenant au sol offre
tre nos émissions de GES en 2050. Il apparaît donc d’une part un potentiel bien plus abondant encore à plus long terme.
indispensable de réduire rapidement ces émissions par l’améliora-
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tion de l’efficacité énergétique de nos procédés, et d’autre part


hautement souhaitable d’évoluer vers des filières énergétiques qui 1.3 Électricité solaire
mobilisent des sources primaires non émettrices de GES et renou-
L’énergie du rayonnement solaire parvenant au sol peut être
velables à l’échelle de leur consommation par l’humanité.
exploitée pour un usage thermique ou pour produire de l’électri-
Dans ce contexte, l’électricité possède de nombreuses qualités cité par deux voies principales, éventuellement couplées : thermo-
intrinsèques de mise en œuvre : émissions directes gazeuses et dynamique ou photovoltaïque. On estime exploitable une part
sonores réduites, hauts rendements, grande souplesse dans le pro- maximale représentant une puissance moyenne continue de
longement des systèmes électroniques de contrôle et de 600 TW, soit une énergie annuelle de l’ordre de cinq millions de
commande. Ces qualités justifient une pénétration générale de tous TWh, soit encore 30 fois la consommation énergétique mondiale
les secteurs pour les applications stationnaires connectées au en 2002 (0,15 millions de TWh).
réseau mais aussi pour les applications non connectées, stationnai-
res, mobiles ou nomades. Cependant, l’électricité n’est qu’un vec- Plus précisément, l’énergie reçue annuellement sur le sol fran-
teur dont la production à partir du bouquet énergétique primaire çais est en moyenne supérieure à 1 MWh/m2. La consommation
actuel dominé par les sources fossiles constitue aussi une source moyenne d’électricité d’un ménage (hors chauffage) d’environ
majeure d’émission de CO2 et aussi de gaspillage d’une chaleur 3 500 kWh/an, serait donc théoriquement couverte par 35 m2 de
non valorisée. Une voie étudiée est la séquestration géologique du capteurs énergétiques à 10 % de rendement global, ce qui est tech-
CO2. Une autre voie est offerte par les sources non émettrices de nologiquement réalisable aujourd’hui. Et avec ce même rendement
CO2. Si l’on excepte les marées d’origine gravitationnelle et les de 10 %, 5 000 km2 de capteurs, soit 50 % des surfaces couvertes
sources géothermiques et nucléaires qui ont la radioactivité pour par les toitures en France, produirait annuellement... 500 TWh, soit
origine commune, toutes les autres sources sont issues de l’énergie l’équivalent de la production totale d’électricité française. Même si
solaire incidente. Parmi un très large choix dans lequel aucune cela est techniquement et économiquement irréalisable à une telle
solution n’est écartée, on peut distinguer quatre sources principales échelle aujourd’hui ou même à court terme, on mesure bien par
en terme de potentiel énergétique renouvelable : la biomasse, ces évaluations globales tout le potentiel à long terme du gisement
l’éolien, l’hydraulique et le rayonnement solaire lui-même. Outre d’énergie solaire largement inexploité à ce jour.
leur caractère renouvelable, une autre qualité première est leur dis- ■ La voie thermodynamique (cf. dossier [BE 8 903] Centrales solai-
ponibilité géographique assez largement répartie et partagée. Mais res thermodynamiques) a vu quelques centrales spectaculaires ins-
leurs mises en œuvre diffèrent notablement. En effet la biomasse tallées dans les années 1980, Centrale SEGS cylindro –
se présente comme une énergie de stock à l’instar des énergies fos- paraboliques de 354 MW dans le désert de Mojave en Californie,
siles et nucléaires. L’énergie hydraulique se stocke relativement mais sans suite dans les années 1990. Cette filière exploite l’enso-
aisément au moyen de barrages. leillement des zones tropicales désertiques ou méditerranéennes à
A contrario, les sources éoliennes et solaires sont des énergies faible nébulosité, propices à la concentration du rayonnement
de flux, réparties avec de faibles densités et dont le caractère inter- direct offrant plus de 1 800 kWh/m2 par an. En 2005, la puissance
mittent peut nuire à la stabilité du réseau électrique car l’électricité électrique déployée dans cette filière est d’environ 400 MW dont
se gère quasiment à flux tendu. En effet, si le réseau est conçu 85 % en Californie. Mais de grands programmes très prometteurs
pour véhiculer d’importants flux d’énergie électrique entre centra- redémarrent aux USA (1 000 MW en projet) et en Europe, particuliè-
les et consommateurs, il ne présente actuellement en comparaison rement en Espagne (630 MW en projet). Cette filière permet un
qu’une faible capacité de stockage : les stations de pompage – tur- stockage d’énergie sous forme thermique permettant de lisser la
binage représentent 3 % de la puissance de production installée au production d’électricité et la cogénération, ce qui constitue un avan-
niveau mondial. C’est donc actuellement la mutualisation des tage pour la stabilité du réseau d’électricité.

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Géothermie
Structure de la production d'électricité – 2004 Biomasse 1,2 %
13,8 %
Solaire
0,2 %

Éolien
13,9 % Électricité
renouvelable
en 2004

Hydraulique
70,9 %

Géothermie 0,3 % Hydraulique 16,4 %


Éolien 0,5 % Nucléaire 15,8 %
Biomasse et déchets 1,2 % Fossile 65,8 %
Solaire 0,02 %

Taux de croissance annuel moyen 1994-2004

(%) Géothermie
1,3%
Biomasse
30
16,8%
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25 Solaire
0,5%
20

15
Électricité
Éolien
10 18,1 % renouvelable
en 2006
5

0
Hydraulique
Géothermie 3,7 % Hydraulique 1,6 % 63,4 %
Éolien 28,8 % Nucléaire 2,1 %
Biomasse et déchets 5,3 % Fossile 3,6%
Solaire 16,8 %

Figure 1 – Bouquets énergétiques des productions mondiales d’électricité en 2004 et 2005 (Source Bilans Observ’ER 2005 et 2006)

■ La voie photovoltaïque PV est jusqu’à présent la plus satisfai- Mais depuis quelques années, plusieurs programmes volonta-
sante pour produire de l’électricité solaire sur les sites les plus ristes de valorisation de cette forme d’énergie, particulièrement au
variés. L’effet photovoltaïque, conversion directe de lumière en Japon et en Allemagne, ont permis un véritable décollage mainte-
électricité, est découvert en 1839 par Antoine Becquerel, mais c’est nant significatif d’une production d’électricité photovoltaïque
à partir de 1954, avec les premières cellules photovoltaïques au sili- décentralisée par de petites unités connectées au réseau de façon
cium à 5 % de rendement des laboratoires de la compagnie Bell répartie. Soulignons que cette voie, production locale au plus prés
Telephone, que l’on peut fournir de l’énergie à une charge électri- du besoin, est directement compatible avec les infrastructures de
que. À la suite du vol de Vanguard I en 1958, premier satellite distribution existantes. Particulièrement, elle n’impose pas d’aug-
équipé de cette alimentation, la conquête de l’espace a motivé de menter les capacités des grandes lignes du réseau de transport
rapides progrès. Mais en dehors du domaine spatial et malgré les d’électricité, un problème difficile qui constitue actuellement un
espoirs suscités par les nombreux avantages potentiels de cette frein au développement de l’électricité centralisée. En revanche,
nouvelle source d’énergie électrique, celle-ci ne s’est pas imposée elle ne permet pas de pallier les inconvénients attachés à la pro-
en raison d’obstacles techniques et économiques. En effet, le coût duction intermittente de la source photovoltaïque : tout se passe
du kilowattheure produit, actuellement compris entre 0,15 et alors comme si le réseau servait de tampon ou de stockage, ce qui
0,6 euros, reste beaucoup plus élevé qu’avec les technologies clas- est acceptable tant que la puissance photovoltaïque reste faible
siques, sauf situation très particulière éloignée d’un réseau. Ainsi, devant celle du réseau. Mais elle offre à terme la possibilité de
c’est d’abord pour alimenter en électricité des systèmes autonomes compenser cette intermittence par un stockage énergétique local
munis de moyens de stockage, en des lieux inaccessibles au réseau et une gestion d’énergie adaptée dans un système « hybridé ». En
de distribution électrique, que le photovoltaïque s’est développé. effet, ainsi que nous le verrons par la suite, les technologies photo-

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voltaïques, par leur caractère modulaire, se prêtent particuliè-


rement à cette installation décentralisée qui offre un énorme

Puissance crête cumulée (MW)


potentiel de développement maintenant engagé. 3 000
La figure 2 montre l’évolution de la filière photovoltaïque : si
l’électricité solaire ne représente que 0,06 % en 2005, son taux de 2 500
croissance moyen est supérieur à 15 % sur la décennie et atteint
35 % en 2005 ! La puissance cumulée installée dans le monde 2 000
était de 2 595 MWc en 2004 et l’année 2005 a vu un nouveau
record avec 1 460 MWc installés, soient 4 GWc cumulés fin 2005.
1 500
Pour la première fois, les limites des capacités d’approvisionne-
ment en silicium photovoltaïque ont été atteintes en Europe 2005.
On observe maintenant un doublement tous les deux ans. Les 1 000
figures 3 et 4 montrent que les principaux artisans actuels de
cette évolution récente sont l’Allemagne, qui a installé 1 000 MWc 500
en 2006, et le Japon par leurs programmes scientifiques et politi-
ques (programmes 100 000 toits solaires). Chez nos voisins alle- 0
mands, près de 500 000 m2 de capteurs photovoltaïques sont 1992 1993 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004

installés annuellement et connectés au réseau électrique général Applications isolées


et, au Japon, une industrie de reconditionnement de panneaux Connecté au réseau
solaires dégradés se met déjà en place. L’Allemagne a inauguré
au début juillet 2005, la centrale « Bavaria solarpark » de 10 MW Figure 2 – Évolution de la puissance photovoltaïque crête installée
crête avec 250 000 m2 de panneaux répartis sur 3 sites. Le Portu- dans le monde entre 1992 et 2004 (Source PV News 2006)
gal annonce pour 2009 le projet de la centrale photovoltaïque de
k (J.K−1) constante de Boltzmann (= 1,38.10−23),
Moura qui, avec 350 000 panneaux solaires installés sur
114 hectares pour une puissance de 62 MWc, sera la plus grande c (m.s−1) vitesse de la lumière (= 3.108 m.s−1),
du monde, provisoirement sans doute. Pour l’Europe entière, h (J.s) constante de Planck (= 6,62.10−34 J.s).
l’association des industriels du photovoltaïque EPIA et La conservation du flux d’énergie total ΦS émise par le soleil
Greenpeace ont estimé une surface potentiellement disponible de s’écrit :
3 630 km2 pour une intégration aux bâtiments (maisons, bureaux
ΦS = 4 πRS2MS = 4 πDTS
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2 E
et industries), soit 10 m2 par habitant avec un potentiel énergé- SC
tique annuel moyen de 1 122 kWh/m2. avec ΦS (W) flux solaire,
DTS (m) distance moyenne Terre-Soleil (= 149,6.109 m),
L’unité MWc, spécifique au domaine de l’énergie solaire, se
−2
ESC (W.m ) flux d’énergie incident au niveau de la Terre.
rapporte à la puissance électrique crête définie au § 3.4.4.
ESC est la constante solaire estimée à 1 353 W.m−2 jusqu’au
début des années 1970. Cette constante représente le flux d’éner-
Cette situation montre que l’énergie solaire photovoltaïque gie lumineuse issu du Soleil, ou irradiance. La variation de cette
constitue aujourd’hui une solution en plein développement valeur est particulièrement fonction de la distance Terre-Soleil pro-
pour produire de l’électricité. Son potentiel de croissance est venant de l’excentricité de l’orbite de la Terre. Des mesures pré-
considérable et assurément générateur d’emplois à tous cises effectuées par les satellites ont permis de donner ces
niveaux. Plusieurs technologies ont atteint la maturité et les variations au cours de l’année avec des valeurs comprises entre
propriétés principales de leur mise en œuvre sont circonscrites 1 322 W.m−2 en juillet et 1 412 W.m−2 en janvier.
ainsi que nous allons le voir. L’organisation météorologique internationale a finalement
retenu comme constante solaire standard :
ESC = 1 367 W.m−2
Avec cette valeur, on obtient :
2. Rayonnement solaire TS = 5 777 K et MS = 63,2.106 W.m−2
soit une puissance totale rayonnée par le Soleil de 3,85.1023 kW
2.1 Rayonnement solaire dans l’espace (ce qui correspond à environ 6 millions de tonnes de matière
Le soleil est une « petite étoile » de magnitude M = 4,83, de transformées en énergie par seconde et un millième de sa masse
rayon RS = 696 000 km et de masse 1,99.1030 kg. Son noyau, à la théoriquement consommée en 5 milliards d’années). Le flux
température de 15 millions de degrés environ, est le siège perma- énergétique reçu par la Terre vaut :
nent de réactions thermonucléaires de fusion. L’énergie dégagée
Φ T = πRT2ESC ≅ 1,75.1014 kW
est évacuée dans l’espace par rayonnement électromagnétique [4].
Le soleil rayonne globalement comme un corps noir de tempéra- La Terre reçoit donc une énergie d’environ 1 533 millions de GWh
ture TS = 5 800 K en première et bonne approximation ainsi que le en 365 jours soit environ dix mille fois la consommation énergé-
montre la figure 5, même si sa surface présente des zones beau- tique de l’humanité en 2002 qui était de 150 millions de GWh.
coup plus chaudes. Le flux d’énergie dΦ émis par une surface de Les satellites ont permis de mesurer avec précision le spectre
soleil dS est donné par la loi de Stefan Boltzmann : solaire réel hors de l’atmosphère terrestre donné par une émittance
dΦ 2π5k 4 énergétique MS(λ) (courbe b de la figure 5). Ce spectre continu
MS = = σT 4 où σ= = 5,67.10−8 W.m−2 .K −4
dS 15c 2h3 comporte des longueurs d’onde λ comprises entre 0,2 μm (ultra-
violet) et 4 μm (infrarouge). 97,5 % de l’énergie est comprise dans
avec MS (W.m−2) émittance énergétique, la zone des longueurs d’onde inférieures à 2,5 μm, notamment
T (K) température absolue, dans la zone du rayonnement visible comprise entre 0,4 et 0,78 μm.

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Puissance Puissance Répartition


cumulée fin 2005 cumulée fin 2006 des installations
Pays
Hors Hors mondiales
Pays Réseau Total Réseau Total
réseau réseau en 2005 (%)
Allemagne 1 881,000 29,000 1 910,000 2 831,000 32,000 2 863,000
Allemagne 57
Espagne 43,400 14,200 57,600 102,900 15,200 118,100
Japon 20
Italie 34,000 12,300 46,300 45,000 12,900 57,900

Pays-Bas 45,749 5,435 51,184 46,992 5,713 52,705 Etats-Unis 7


France 6,197 20,076 26,273 12,311 20,376 32,687
Reste de l'Europe 6
Autriche 21,126 2,895 24,021 22,416 3,169 25,585
Reste du monde 10
Luxembourg 23,561 0,000 23,561 23,603 0,000 23,603

Royaume-Uni 9,953 0,924 10,877 12,960 1,082 14,042 TOTAL 1 460 MW

Grèce 1,412 4,032 5,444 1,613 5,081 6,694

Suède 0,254 3,983 4,237 0,555 4,285 4,840

Belgique 2,005 0,053 2,058 4,108 0,053 4,161

Finlande 0,223 3,779 4,002 0,287 3,779 4,066

Portugal 0,548 2,441 2,989 0,775 2,691 3,466


Danemark 2,355 0,295 2,650 2,565 0,335 2,900

Chypre 0,086 0,370 0,456 0,526 0,450 0,976


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République 0,380 0,150 0,530 0,621 0,150 0,771


Tchèque
Pologne 0,085 0,232 0,317 0,172 0,259 0,431
Slovénie 0,082 0,098 0,180 0,265 0,098 0,363
Irlande 0,000 0,300 0,300 0,000 0,300 0,300
Hongrie 0,065 0,090 0,155 0,065 0,090 0,155
Slovaquie 0,000 0,060 0,060 0,000 0,064 0,064
Malte 0,015 0,000 0,015 0,048 0,000 0,048
Lithuanie 0,000 0,017 0,017 0,000 0,040 0,040
Estonie 0,000 0,003 0,003 0,000 0,008 0,008
Lettonie 0,000 0,005 0,005 0,000 0,006 0,006

TOTAL 2 072,496 100,738 2 173,234 3 108,782 108,129 3 216,911

Figure 3 – Puissances crêtes cumulées en Europe en 2005 et 2006 et répartition des installations photovoltaïques mondiales en 2005

Ce spectre diffère légèrement du spectre théorique du corps noir à 2.2 Rayonnement solaire au sol
5 800 K dont la répartition spectrale du rayonnement électromagné-
tique (courbe a de la figure 5) est donnée par la loi de Planck : 2.2.1 Structure de l’atmosphère
B Environ 30 % du rayonnement solaire est directement réfléchi
M λ = Aλ −5 ⎛⎜ exp − 1⎞⎟
⎝ λT ⎠ vers l’espace ; le reste subit, en traversant l’atmosphère, une atté-
nuation et une modification de spectre suite à des phénomènes
avec A = 3,74.10−10 W.m−2.mm−1,
complexes d’absorption par les gaz, de diffusion par les molécules
B = 14,39.10−3 m.K, et d’absorption et de diffusion par les poussières et les aérosols.
λ (m) longueur d’onde, Ainsi, la couche d’ozone absorbe la majeure partie du rayonne-
T (K) température absolue. ment ultraviolet tandis que la vapeur d’eau absorbe une partie du
rayonnement infrarouge. Le rayonnement global au sol est donc

Mλ est l’irradiance spectrale avec MS =
∫0
M λ dλ . fonction de la composition et de l’épaisseur d’atmosphère traver-
sée par les rayons lumineux au cours de la journée. Il se

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normales (P = 1 013 mbar et T = 0 ˚C), on définit une atmosphère


Producteur 2004 2005 Croissance Participation standard d’épaisseur verticale moyenne de 7,8 km prise pour réfé-
(MW) (MW) (%) (%)
rence unité et composée de couches planes et stratifiées, compo-
Sharp (Japon) 324,0 428,0 32 23,7
sées par les divers gaz comme l’azote (couche de 6 150 m),
Q cells (Allemagne) 75,0 165,7 121 9,2 l’oxygène (1 650 m), l’argon (74 m), le gaz carbonique (24 m). L’eau
Kyocera (Japon) 105,0 142,0 35 7,9 est représentée par une couche d’épaisseur variable de quelques
Sanyo (Japon) 75,0 125,0 67 6,9 dizaines de mètres pour la vapeur et de quelques centimètres pour
le liquide.
Mitsubishi El (Japon) 65,0 100,0 54 5,5
Schott Solar (Allemagne) 78,3 95,0 21 5,3
2.2.2 Masse atmosphérique, nombre d’air masse
BP Solar 66,1 86,0 30 4,8
Suntech Power (Chine) 35,0 82,0 134 4,5
Pour tenir compte de la position relative du soleil qui modifie
l’épaisseur d’atmosphère traversée, on introduit un coefficient m
Motech (Taïwan) 35,0 60,0 71 3,3 appelé « masse atmosphérique ou nombre d’air masse » et défini par :
Shell Solar 72,0 59,0 -18 3,3
P 1 z ⎞
m= exp ⎛⎜ −
Isofoton (Espagne) 53,0 53,0 0 2,9
1,013 sin A ⎝ 7,8 ⎟⎠
Deutsche Cell (Allemagne) 28,5 37,5 32 2,1
avec P (N.m−2) pression,
Photowatt (France) 28,0 32,6 16 1,8
A (˚) élévation du soleil sur l’horizon (90˚ au zénith),
Kaneka (Japon) 17,0 20,8 22 1,2
Ersol (Allemagne) 10,0 20,0 100 1,1 z (km) altitude.
Astropower / GE (Etats-Unis) 14,2 18,0 27 1,0 Dans les conditions normales et au niveau de la mer, l’expres-
sion simplifiée suivante est utilisée :
Reste du monde 180 283 58 15,7
Monde 1 261 1 808 43 1
m≈
sin A
Figure 4 – 16 producteurs de cellules qui fournissent 84 % de la
puissance photovoltaïque mondiale (Source Lettre du solaire Ainsi, hors atmosphère, à haute altitude se trouve-t-on en condi-
Cythelia 2006) tions dites AM0. Au sol, lorsque le soleil est au zénith, on dit que
l’on a les conditions AM1, en considérant que les rayons lumineux
traversent une épaisseur d’atmosphère unité (7,8 km) de composi-
tion standard. Dans la même situation avec un soleil à 30˚ sur
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l’horizon, on obtient les conditions AM2. Les spectres au sol sont


décalés vers le rouge par rapport au spectre hors atmosphère.
Ce nombre d’air masse et la modélisation théorique des lois de
l’absorption et de la diffusion ont permis de définir des modèles
d’irradiance spectrale pour diverses conditions d’atmosphère. Les
courbes b , c de la figure 5 représentent les spectres réels AM0
et AM2. La figure 6 représente les modèles d’irradiance spectrale
en atmosphère peu polluée pour diverses conditions de masse
atmosphérique (n est l’indice de réfraction, β est le coefficient de
diffusion et w est la hauteur d’eau condensable). Il faut bien souli-
gner les deux aspects recouverts par le concept de « nombre d’air
masse » :
– d’une part, il caractérise la puissance transportée par le rayon-
nement solaire (1 367 W.m−2 pour AM0, 833 W.m−2 pour AM1,5) ;
– d’autre part, il sert à définir un spectre de référence pour cali-
brer les cellules étalon destinées à qualifier les performances des
dispositifs photovoltaïques.

Ainsi les conditions standards de qualification des cellules


sont un spectre AM1,5, une puissance incidente de
1 000 W.m−2 et une température de 25 ˚C. Sauf indication con-
traire, c’est pour de telles conditions que doivent être fournies
les performances et spécifications d’un dispositif photovoltaï-
longueur d'onde que donné. Le spectre en conditions AM 1,5 correspond à
Mλ irradiance spectrale celui du rayonnement solaire ayant traversé 1,5 épaisseurs
Ephoton énergie des photons d’atmosphère standard, ce qui correspond à un soleil à 41,8˚
de hauteur sur l’horizon (figure 5 c ).
théorie
th orie du corps noir à 5 800K

2.2.3 Gisement énergétique solaire


et dimensionnement
Même si compte tenu des effets précédents, le flux énergétique
reçu au sol ne dépasse que très rarement 1 000 W.m−2, le gisement
Figure 5 – Spectres solaires et du rayonnement de corps noir énergétique potentiel est considérable. De plus, le Soleil constitue
une source d’énergie à très haute température supérieure à 5 000 K,
décompose en rayonnements direct et diffus, deux composantes extérieure à la Terre. En théorie, le rendement de Carnot d’un dis-
du rayonnement qui sont exploitées par les capteurs solaires. En positif de conversion énergétique exploitant le système Terre –
ramenant toutes les couches de l’atmosphère dans des conditions Soleil est donc proche de l’unité, une qualité rare qui mérite atten-

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au sol ou par traitement d’images satellitaires, donnant notam-


ment la durée d’insolation effective et le flux global recueilli sur
une surface horizontale (irradiation) pour une période donnée
(annuelle ou journalière en fonction de la saison). Ces données
sont librement accessibles sur plusieurs sites, notamment celui de
AM0 l’Institute for Environment and Sustainability de la Commission
européenne [6]. Les figures 8 a et 8 b en illustrent une exploita-
AM1
tion en ligne donnant l’éclairement moyen reçu dans un plan hori-
AM1,5 zontal au sol en Europe (par an) et en Afrique (par jour). On peut
noter que l’on obtient autant d’énergie solaire au sol dans le Sud-
Est de la France (1,8 MWh/(an.m2)) qu’en certaines zones équato-
riales trop humides, ce qui concrétise l’importance de la limpidité
AM2
atmosphérique dans la qualité du gisement.
En notant Gref (kWh/m2) cet éclairement annuel de référence sur
le site d’installation, l’éclairement annuel G dans le plan des cap-
teurs est alors donné par :
G = Gref × FT
FT, appelé « facteur de transposition » prend en compte l’inclinai-
son et l’orientation des capteurs ainsi que l’albedo dépendant de
l’environnement des capteurs sur le site. Les bases de données don-
nent également les parts de rayonnements direct et indirect, ainsi
que l’inclinaison optimale des capteurs maximisant FT. Il faut aussi
4 3 2 1 0,8 tenir compte des ombres portées par l’environnement matériel.
E (eV)
En énergétique solaire, on utilise les coordonnées locales du
soleil sur la sphère céleste :
– sa hauteur angulaire α h sur l’horizon, angle de sa direction
avec l’horizontale ;
– son azimut αa, angle du plan vertical contenant le soleil avec le
Figure 6 – Différents modèles de spectres solaires en atmosphère
peu polluée plan méridien local.
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Ces grandeurs sont calculables à partir des grandeurs


tion, même si les rendements pratiques actuels en sont fort éloi- géophysiques longitude L et déclinaison δ.
gnés comme nous le verrons. Le dimensionnement d’un système à
Sachant que :
énergie solaire repose sur l’évaluation de l’énergie reçue au lieu
d’installation. On appelle éclairement G la puissance solaire reçue
360
par un capteur plan. Cet éclairement provient du rayonnement δ = 23,45 sin ⎛⎜ (n − 81)⎞⎟⎠
solaire direct et du rayonnement diffusé par le ciel ou réfléchi par ⎝ 365
une surface, notamment par le sol (albédo). En effet, sous les latitu- n étant le numéro du jour de l’année,
des européennes, la part de rayonnement diffus peut dépasser
30 %. Pour assurer l’indépendance de la mesure de l’éclairement la hauteur α h est obtenue en fonction de la longitude L, de la décli-
vis-à-vis du spectre variable du rayonnement, on a recours à une naison δ et de l’heure solaire par :
mesure thermique. L’éclairement direct est mesuré avec un δ h = arcsin (sin L sin δ + cos L cos δ cos h)
pyrhéliomètre, l’éclairement global G avec un pyranomètre, l’éclai-
rement diffus étant mesuré en masquant le rayonnement direct. avec h = (heure solaire − 12).15˚
et l’azimut αa est obtenu par :
L’albédo est le rapport de l’énergie solaire réfléchie par une
cos δ sin h ⎞
surface sur l’énergie solaire incidente. αa = arcsin ⎛⎜
⎝ cos α h ⎟⎠
Pour un capteur prés du sol, l’éclairement G dépend de la lati- Le positionnement des capteurs est défini en inclinaison α i par
tude du lieu, de la période de l’année, de l’instant considéré dans rapport à l’horizontale et en orientation αo par rapport au sud. Le
la journée, de l’orientation et de l’inclinaison du capteur et naturel- facteur FT est alors obtenu par différents outils graphiques ou don-
lement de la qualité de l’atmosphère. Il dépend aussi des éventuel- nées relatives au lieu considéré : diagrammes de courses solaires,
les ombres portées pour certaines situations d’exposition au cours disque solaire gradué en inclinaison et en orientation.
de la journée. Aux facteurs purement géométriques, parfaitement Exemple : la figure 9 montre un diagramme de course solaire
prévisibles, s’ajoutent des facteurs météorologiques à caractère dans le Sud-Est de la France, à partir duquel on peut prévoir les
aléatoire ou statistique. En effet la durée d’insolation sur un site ombres portées éventuelles.
donné comporte trois aspects différents. Les coordonnées du lieu
considéré déterminent une durée astronomique d’insolation,
potentielle. Cette durée est modulée par l’environnement Au-delà de ces principes, compte tenu de la variété des
géographique du site et donne la durée géographique d’insolation situations concrètes et de la disponibilité d’outils logiciels
(encore appelée durée topographique d’insolation). Enfin, l’évolu- avec bases de données associées prenant en compte directe-
tion de la météorologie (nébulosité, nuages) conduit à une durée ment tous ces aspects pour dimensionner des capteurs, nous
de l’insolation qui ne peut être calculée a priori, mais seulement ne donnons pas plus de détails ici. Pour la France, citons
mesurée sur le site : cette durée effective d’insolation, journalière, particulièrement le site internet de l’INES, Institut national
mensuelle ou annuelle, est naturellement inférieure aux précéden- d’énergie solaire, qui propose plusieurs outils d’accès aux
tes. La figure 7 a donne un exemple pour la France et la données et le document « Systèmes photovoltaïques raccor-
figure 7 b pour le Monde. On dispose maintenant de nombreuses dés au réseau » [7] édité par l’ADEME, élaboré en collabora-
tion avec le GENEC du CEA à Cadarache.
données statistiques issues de relevés météorologiques effectués

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h
2 900
2 800
2 700
2 600
2 500
2 400
2 300
2 200
2 100
2 000
1 900
1 800
1 700
1 600
1 500

a durées annuelles moyennes d'ensoleillement en France


(Source Météo France)
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b énergie solaire annuelle moyenne en kWh reçue sur un plan horizontal


(Source Encyclopedia Universalis 2005)

Figure 7 – Durées effectives d’insolation en France et flux global dans le monde

La ressource solaire sur le site d’installation étant caractérisée, la


production d’énergie électrique potentielle des capteurs – 3. Du rayonnement solaire
convertisseurs photovoltaïques installés, de surface S PV donnée,
dépend encore de la qualité et de la mise en œuvre de tout le sys-
à la cellule photovoltaïque
tème de conversion photovoltaïque et de traitement ainsi que nous
le verrons plus loin. En notant η global le rendement global de 3.1 Prise de vue
conversion lumière – électricité de ce système, l’énergie électrique
produite vaut : L’effet photovoltaïque est découvert en 1839 par Antoine Becque-
rel dans une pile constituée par des électrodes de platine et de cui-
WPV = GSPVη global
vre oxydé plongeant dans une solution électrolytique acide. Plus
Nous donnons d’autres éléments de dimensionnement d’instal- généralement, on qualifie de photoélectriques tous les phénomè-
lations spécifiques en [D 3 936] après avoir présenté les principes nes électriques provoqués par l’action de la lumière sur la matière
de la conversion et des systèmes photovoltaïques. qui provoquent une éjection d’électrons du matériau :

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lumière. Ce n’est qu’au début du XXe siècle, en 1905, qu’Albert


Einstein lève les difficultés posées par l’interaction entre lumière et
matière, en introduisant les quanta de lumière pour interpréter la
loi du rayonnement proposée en 1900 par Max Planck. Albert Eins-
tein produit une théorie qui explique les phénomènes photoélec-
Énergie annuelle
triques en introduisant le concept de photon, à la fois particule et
moyenne kWh / (m2. an)
onde, ce qui lui valut le prix Nobel en 1921. De cette théorie, il
200 découle que l’énergie d’un photon est entièrement transférée à un
électron du matériau et que le courant photoélectrique est directe-
600
ment proportionnel au nombre de photons, donc au flux lumineux.
1 000
La compréhension des mécanismes qui président aux phénomènes
mis en jeu par la conversion photovoltaïque relève donc de la phy-
1 400 sique quantique du solide [9]. Nous ne donnons ici qu’une descrip-
tion qualitative de ces mécanismes en termes classiques dont les
1 800 conclusions sont validées par l’approche quantique et l’expérience.
2 200
3.2 Rayonnement solaire porteur
d’énergie
Du point de vue énergétique, le rayonnement électromagnétique
solaire est constitué de photons de longueur d’onde λ transportant
une énergie donnée par la relation :
a énergie solaire annuelle moyenne reçue sur un plan
c
horizontal en Europe (Source EC-IES-pvgis) E = hν = h
λ
avec E (J) énergie,
h (J.s) constante de Planck (= 6,62.10−34),
c (m.s−1)vitesse de la lumière (= 3.108),
λ (m) longueur d’onde (souvent exprimée en
micromètre),
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ν (Hz) fréquence.
On établit donc une relation directe entre l’énergie du photon expri-
mée en électron-volt (eV) et sa longueur d’onde exprimée en μm par :
1,2419
EeV =
λ μm
Le flux de photons par seconde et par cm2 N(λ) de longueur
3 000 d’onde λ est donné par la relation :
λ
4 000 N (λ ) = M λ dλ
hc
5 000
avec N(λ) (cm−2.s−1.μm−1) flux de photons,
6 000 Mλ (W.m−2.μm−1) irradiance spectrale,

7 000
dλ (μm) tranche de longueur d’onde de largeur
spectrale normalisée (en général de 1 μm).
Énergie journalière La figure 10 donne un exemple de flux de photons dans l’espace
moyenne kWh / (m2 . jour) en conditions AM0 et pour une atmosphère peu polluée. Aux limites
du spectre visible, on obtient :
b énergie solaire journalière moyenne reçue sur un plan
horizontal en Afrique et Méditerrannée (Source EC-IES-pvgis) λ = 0,40 μm, E = 3,10 eV, N varie entre 1 et 3.1017 photons par
cm−2 et par s (ultraviolet)
λ = 0,78 μm, E = 1,59 eV, N varie entre 3 et 5.1017 photons par
cm−2 et par s (infrarouge)

Figure 8 – Éclairement moyen reçu dans un plan horizontal au sol


en Europe (par an) et en Afrique (par jour) 3.3 Conversion photovoltaïque
– l’émission photoélectrique ;
– la photoconductivité ;
3.3.1 Conversion photovoltaïque et matériaux
– l’effet photovoltaïque [8]. La structure périodique des atomes dans un solide implique que
À ce dernier est également associé, par le choix judicieux d’un les niveaux d’énergie des électrons du matériau se répartissent en
matériau adapté, l’apparition de forces électromotrices, ce qui per- bandes autorisées, les bandes de valence ou bandes de conduc-
met une conversion directe de l’énergie du rayonnement en éner- tion, et en bandes d’énergies interdites. Chaque matériau est
gie électrique. Du point de vue historique, ces différents effets sont caractérisé par une largeur de bande interdite Eg exprimée en eV,
découverts expérimentalement au cours du XIXe siècle, mais ils appelée aussi gap, dont la valeur détermine la nature du matériau
demeurent inexplicables par la seule théorie ondulatoire de la (conducteur, semi-conducteur, isolant). Si E1 est l’énergie maxi-

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Hauteur α du soleil 90°

80°
h

in 12h
70° 21 ju
11h 13h
ai
20 m
60° 10h 14h
ril
20 av

50° 9h 15h
20 mars

40° 8h 16h
r
20 févrie

30° 21 janvier
7h 17h

20° 21 décembre
6h 18h

10°
19h
5h

0° 30° 60° 90° 120° 150° 180° 210° 240° 270° 300° 330° 360°

Est Azimut solaire αa Ouest

Figure 9 – Diagrammes de course solaire en heures solaires. Site à 43˚ de latitude Nord et 6˚ de longitude Est
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Le transfert d’énergie d’un photon à un électron dans un maté-


riau pouvant produire un courant photoélectrique et un effet pho-
tovoltaïque nécessite :
– que les photons soient absorbés par le matériau (absorption
AM0
optique) en transmettant leur énergie aux électrons ;
AM1,5 – que l’énergie acquise par les électrons excités soit une énergie
potentielle et non une énergie cinétique thermique ;
n = 1,3 ; β = 0,04 ; w = 20 mm
AM1 – que les électrons excités soient collectés par le circuit électri-
que extérieur avant de reprendre leur énergie initiale (relaxation).
À partir de ces quelques éléments, on peut définir les critères
d’un convertisseur idéal photon-électron : le dispositif de collecte
AM2
nécessite un champ électrique important au niveau de la création
des paires électron-trou, ce qui élimine les conducteurs dont la dif-
férence entre niveaux de Fermi est trop faible. Il nécessite en outre
des matériaux à conductivité suffisante pour une collecte efficace,
ce qui élimine les isolants. Il reste donc les semi-conducteurs.
Selon leur énergie, les photons sont réfléchis ou absorbés ou
encore transmis. Les photons absorbés, seuls utiles à la génération
de courant photoélectrique et de l’effet photovoltaïque, sont ceux
dont l’énergie est supérieure ou égale à la largeur de bande inter-
dite du matériau. Une condition fondamentale nécessaire à cette
conversion est donc que :

c
Eg 艋 hν = h
λ
L’énergie des photons absorbés sert partiellement à briser une
liaison de valence, qui crée, de ce fait, une paire électron-trou sus-
Figure 10 – Différents flux de photons pour les modèles de spectres ceptible de mobilité. L’énergie excédentaire est rapidement cédée
donnés sur la figure 6 au réseau cristallin sous forme de chaleur (phonons).
male de la première bande d’énergie autorisée (bande de valence) Sous certaines conditions, les photons dont l’énergie est supé-
et E2 l’énergie minimale de la seconde bande d’énergie permise rieure ou égale à Eg peuvent ainsi faire passer un électron de la
(bande de conduction), la largeur de la bande interdite du matériau bande de valence dans la bande de conduction laissant ainsi un
Eg est donnée par : « trou » dans la bande de valence. L’électron et le trou libérés doi-
vent rapidement être collectés pour participer ensuite à la conduc-
E g = E2 − E 1 tion électrique avant leur recombinaison. Les paires qui atteignent

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la zone de charge d’espace sont séparées par le champ de jonction


puis collectées. On définit ainsi une grandeur appelée rendement
d’absorption ηa. Pour le silicium, le rendement d’absorption ηa
vaut environ 0,4.

Dans ce processus, toute l’énergie du photon est donc


transférée à une paire électron – trou. Cette intrication quanti-
que est rapidement diluée par les nombreuses interactions
avec l’environnement si bien que, par la suite et pour simpli-
fier, nous considérons que cette énergie est acquise par l’élec-
tron devenu charge libre.

3.3.2 Conversion photovoltaïque


et semi-conducteurs : rôle du gap

Compte tenu des éléments précédents, un semi-conducteur


dont la largeur de bande interdite Eg correspond à l’énergie des Figure 11 – Principe de la conversion photon – électron dans un
photons du spectre solaire est un « matériau photovoltaïque » système à deux niveaux d’énergie
potentiel [9]. D’autres choix sont possibles, mais les matériaux
semi-conducteurs à jonction P-N caractérisés par une barrière
de potentiel et un champ importants au niveau de la jonction

Nombre de photons
Puissance

sont les matériaux photovoltaïques privilégiés à ce jour.

La jonction P-N réalisée à partir de matériaux photovoltaïques Énergie excédentaire


semi-conducteurs est donc actuellement la solution la plus répan- E > Eg perdue en chaleur
due de convertisseur photovoltaïque. Le principe de la conversion
photovoltaïque dans ce système à 2 niveaux d’énergie est donné
sur la figure 11.
Alors, pour une cellule photovoltaïque idéale, on considère :
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– que tout photon d’énergie inférieure à Eg n’est pas absorbé et


traverse le matériau sans transmettre d’énergie aux électrons ;
– que tout photon d’énergie supérieure ou égale à Eg est totale-
Énergie convertie
ment absorbé et crée une paire électron-trou excitée ; en électricité
– que tout électron excité participe au courant photoélectrique Photons E < Eg
(pas de recombinaison) ; non absorbés
– que tout électron excité du courant photoélectrique a acquis
4,0 2,0 Eg 1,0 0,8 E (eV)
une énergie potentielle égale à Eg.
0,5 1,0 λc 1,5 2,0 λ (μm)
Il en résulte que l’énergie de « gap » Eg du matériau choisi
est un facteur déterminant.
Figure 12 – Illustration du double filtrage du spectre solaire par un
système de conversion photovoltaïque à deux niveaux d’énergie,
D’une part le gap Eg impose la longueur d’onde des photons de gap Eg imposant la longueur d’onde de coupure λc
participant effectivement à la conversion, donc la part utile du
spectre du flux lumineux solaire car tous les photons d’énergie double filtrage en longueur d’onde et en énergie opéré par la
inférieure à Eg ne peuvent être convertis. Cela introduit une lon- conversion photovoltaïque dans un système semi-conducteur sim-
gueur d’onde de coupure λc = hc/Eg dans le spectre exploité, tous ple à deux niveaux d’énergie.
les photons de longueur d’onde supérieure à λc ne pouvant être Ce convertisseur photovoltaïque théorique apparaît donc non
absorbés et leur énergie convertie par principe. seulement comme une source de puissance Pph, mais comme
D’autre part, le gap Eg fixe l’énergie potentielle acquise par les imposant simultanément et séparément la tension Vg et le courant
électrons libres photocréés et, comme la charge e de l’électron est Iph. Ce verrouillage a priori incompatible avec la connexion à un
fixée, la tension de sortie maximale de la cellule élémentaire théo- circuit électrique utile est heureusement modifié par les pertes
rique est écrêtée à la valeur Vg telle que : dans les convertisseurs réels à semi-conducteurs qui rendent les
sources imparfaites. Nous verrons par la suite que c’est l’interac-
Vg = Eg/e
tion avec la charge électrique qui détermine finalement la puis-
L’énergie excédentaire du photon est cédée au réseau cristallin sance électrique en sortie, compte tenu de la caractéristique
sous forme de chaleur (phonons). En outre, le rayonnement étant électrique de la jonction et des pertes. De plus, comme les gap Eg
quantifié, le nombre de photons pour chaque longueur d’onde des matériaux semi-conducteurs valent typiquement quelques eV,
fixée par la puissance transportée détermine le nombre d’électrons il en résulte que les convertisseurs photovoltaïques élémentaires
photocréés. sont des sources à très basse tension, inférieure à 1 V, ce qui a des
conséquences importantes pour leur mise en œuvre dans les sys-
Dans ce processus, on peut exprimer la puissance électrique
tèmes électrotechniques de puissance qui requièrent des tensions
théorique maximale issue de la conversion photovoltaïque par
plus élevées.
Pph = VgIph. Le gap du matériau détermine la tension Vg, et déte-
rmine aussi la longueur d’onde de coupure, donc les photons Même si tous ces phénomènes relèvent en réalité de statistiques
convertis parmi les photons incidents dont le nombre est imposé quantiques, l’étalement du spectre solaire implique donc que l’on
par l’éclairement pour un spectre donné, ce qui détermine donc ne peut, par principe, convertir qu’une partie de l’énergie du
aussi le courant photoélectrique produit Iph, chaque photon con- rayonnement incident avec un système simple à deux niveaux
verti générant idéalement un électron libre. La figure 12 illustre ce d’énergie, ce qui pénalise lourdement le rendement théorique

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maximal de conversion. Nous verrons que des dispositifs multi-


jonctions, beaucoup plus complexes à réaliser, permettent d’aug- Cu2S
menter le rendement de conversion. lnP
GaAs Cu2O
3.3.3 Courant photoélectrique et tension CdTe Se

Rendement maximal théorique (%)


théoriques Ge Si AlSb CdS ZnS
30
Sur les bases précédentes, on peut calculer le courant photo-
électrique Iλ théoriquement délivré par une cellule idéale à partir
de la figure 10 et des hypothèses précédentes. 20

Exemple : un faisceau incident d’énergie centrée autour de 1,1 eV


et de largeur spectrale 1 eV est composé d’un flux 3,2.1017 photons 10
par cm2 et par seconde dans les conditions AM0 (hors atmosphère).
Avec un rendement quantique de 1, c’est également le flux d’élec-
trons, d’où un courant (en multipliant par la charge de l’électron) de 0
51,2 mA par cm2 et par micromètre de largeur spectrale. 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
Largeur de bande interdite (eV)
Pour obtenir des valeurs théoriques correspondant au spectre
solaire, on prend généralement des tranches spectrales de largeur a matériaux photovoltaïques sans recombinaisons
25 meV et l’on calcule pour chacune de ces tranches le courant sous spectre AM0 donné par Loferski en 1956
produit.
La tension théorique est fixée par l’énergie potentielle théorique- Rendement théorique maximal (%)
35
ment acquise par ces charges, soit Vg. En raison de nombreuses
imperfections sources de pertes, tant au niveau du courant que de
la tension, ces valeurs majorent les valeurs obtenues en pratique, 30
fonction des procédés technologiques réels mis en œuvre pour
réaliser le dispositif de conversion. Limite pour
un corps noir

GaAs
CdTe
25

CulnS2
a-Si:H
À partir des courbes caractéristiques du rayonnement solaire et (AM0)

Cu2S

a-Si:H:F
AM1,5

CuGaSe2
Si

a:Si
du calcul du courant de la cellule idéale, on peut déterminer le ren-
CulnSe2
dement théorique de la cellule idéale en tenant compte des pertes
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20
dues, d’une part à l’absorption incomplète des photons « rouges »
et d’autre part à l’excès d’énergie des photons « bleus et
ultraviolets ». Ainsi que le montre la figure 13, ce rendement théo- 15 AM0
rique présente un maximum de l’ordre de 43 % pour des largeurs
CdS
de bande interdite Eg comprises entre 1 et 1,5 eV où l’on trouve Ge
effectivement un grand nombre de semi-conducteurs réels. 10
De plus, tous les électrons excités ne peuvent être collectés et
on définit le rendement de collecte par : 5
0,5 1 ,0 1,5 2,0 2 ,5
η col = Iph /Iλ
Largeur de bande interdite (eV)
Il est de l’ordre de 53 % pour le silicium.
b matériaux photovoltaïques courants sous spectre AM0 et AM1,5
(Source : Gozerberg et Hebling 2000, haug et Zurich 2003)

Figure 14 – Rendement théorique maximal des matériaux


photovoltaïques

Ainsi Loferski a pu donner dès 1956 le rendement théorique


maximal en fonction de la largeur de bande interdite des maté-
riaux. Cette courbe donnée par la figure 14 a est tracée en condi-
tions AM0 et sans recombinaison. La figure 14 b , plus récente,
affine cette évaluation. Pour un spectre AM 1,5, elle présente un
maximum peu inférieur à 30 % et constitue une base réaliste des
rendements maxima accessibles aux dispositifs de conversion
photovoltaïques à deux niveaux.

3.3.4 Propriétés des matériaux photovoltaïques


Les éléments ci-dessus révèlent donc un couplage étroit entre la
nature du spectre du rayonnement dont on souhaite convertir
l’énergie en électricité, la température du corps qui l’émet (celle du
soleil pour le rayonnement solaire), la nature du matériau conver-
tisseur et particulièrement son gap Eg, le rendement de conversion
théorique maximal et enfin la tension de sortie de la cellule photo-
voltaïque idéale. Les matériaux semi-conducteurs dont la largeur
de bande interdite est comprise entre 1 et 1,5 eV sont actuellement
Figure 13 – Rendement théorique d’une cellule photovoltaïque les plus utilisés pour convertir le rayonnement solaire : ils offrent
idéale sous spectre solaire des rendements théoriques inférieurs à 30 %.

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Le silicium avec un gap Eg = 1,1 eV et un rendement théorique


de 25 % se révèle très bien placé pour convertir le rayonnement
solaire reçu au sol et reste donc encore actuellement le matériau
de loin le plus utilisé ; nous le prenons donc comme exemple par
la suite pour donner des valeurs chiffrées. À ce stade, on ne peut
manquer de souligner la situation particulière du silicium qui, déjà
aujourd’hui à la base de toute l’industrie de l’électronique pour le
traitement de l’information et de l’énergie électrique de puissance,
est aussi un matériau dont le gap se révèle particulièrement bien
adapté à la conversion photovoltaïque du rayonnement de notre
soleil !! Cela est absolument remarquable et ouvre de plus à long
terme de très intéressantes perspectives d’intégration simultanée
de ces trois fonctions de conversion et de traitement dans un
même dispositif unique à base de silicium.
En outre, ainsi que nous l’avons souligné, le rendement théorique
de Carnot du système Terre - Soleil atteint 95 %, ce qui laisse une
très grande marge de progrès pour de nouvelles technologies émer-
gentes aux rendements plus élevés. Nous verrons que des cellules
photovoltaïques à plus de deux niveaux d’énergie sont réalisées
pour obtenir une meilleure adéquation à un rayonnement de spectre Figure 15 – Niveaux d’énergies au voisinage de la jonction PN
donné : cellules pour l’espace, pour la lumière solaire au sol, ou
même pour un rayonnement thermique infrarouge nécessitant de Si l’on polarise une jonction P-N dans l’obscurité, on obtient une
faibles gap Eg appelées cellules thermo-photovoltaïques. caractéristique de diode bien connue Id = f (V) (figure 16). Le modèle
mathématique associé à cette caractéristique est donné par :

Id = Is ⎛⎜ exp − 1⎞
3.4 Cellule photovoltaïque à jonction V
⎝ ηVT ⎟⎠
semi-conductrice PN
kT
avec VT = potentiel thermique
Nous ne rappelons pas le principe et les équations générales de e
la jonction PN largement décrits dans la littérature [9]. Nous nous
k (J.K−1) constante de Boltzmann (= 1,38.10−23),
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limitons aux rappels nécessaires à la modélisation comportemen-


tale macroscopique de la cellule photovoltaïque à jonction PN. T (K) température absolue,
e (C) charge de l’électron (= − 1,6.10−19),
Is (A) courant de saturation de porteurs minoritaires à
3.4.1 Polarisation et caractéristique
l’obscurité,
La jonction PN résulte de la juxtaposition dans un même maté- VT (V) potentiel thermique (25 mV à 20 ˚C),
riau semi-conducteur de deux zones aux propriétés différentes ; η coefficient dépendant du matériau.
l’une de type P (majoritaire en trous, minoritaire en électrons) et – η = 1 et Is = 50 nA/cm2 à T = 300 K pour le germanium,
l’autre de type N (majoritaire en électrons, minoritaire en trous).
– η = 2 et Is = 1 à 10 nA/cm2 à T = 300 K pour Si aux courants faibles,
De cette juxtaposition résulte des courants de diffusion des por-
teurs majoritaires de chaque zone, trous ou électrons, créant au – η = 1 pour Si aux courants forts.
voisinage immédiat de la jonction une charge d’espace et une
barrière de potentiel. Le champ électrique créé par la barrière de Dans le cas des cellules photovoltaïques au Si, nous prenons
potentiel est intense en raison de la très faible largeur de la jonc- η = 1.
tion de 0,2 à quelques micromètres. Un équilibre est donc atteint
lorsque celui-ci est suffisant pour équilibrer les courants de diffu- En polarisation directe, la barrière de potentiel est abaissée et un
sion aboutissant à un courant global de diffusion nul. Les niveaux courant de porteurs majoritaires important peut se développer. En
d’énergie au voisinage de la jonction sont alors donnés par la polarisation inverse, le courant de porteurs minoritaires Is est très fai-
figure 15. La bande d’énergie est centrée autour du niveau de ble et varie très peu avec la tension appliquée tant que cette tension
Fermi E F au niveau de la jonction, la bande interdite séparant la est inférieure à la tension de claquage (diode zéner). Ce courant
bande de valence et la bande de conduction. inverse est par contre sensible à la température de la jonction. La ten-
sion directe V aux bornes de la jonction varie peu à partir d’un seuil
Pour créer un courant dans la jonction P-N, il est nécessaire : dont la valeur liée à Eg dépend du matériau (0,1 à 0,3 V pour Ge ; 0,5
– soit d’abaisser la barrière de potentiel en polarisant la jonction à 0,8 V pour Si). Ce fonctionnement « redresseur » est très largement
(effet utilisé pour les diodes de redressement) ; exploité en électronique de puissance et de traitement des signaux.
– soit d’apporter une énergie supplémentaire aux porteurs dans
la bande de valence (énergie thermique, énergie lumineuse...) ; 3.4.2 Cellule PV idéale à jonction P-N éclairée
– soit de collecter rapidement les charges ayant traversé la
Si l’on soumet une jonction P-N de faible épaisseur à un flux
bande interdite avant leur recombinaison.
lumineux, des paires électron-trou sont créées par les photons
dont l’énergie est supérieure à la largeur de la bande interdite du
Remarquons que si la température augmente, les électrons matériau. Il en résulte une augmentation du courant inverse de
remplissent progressivement tous les états d’énergie et peu- saturation proportionnelle, pour un spectre donné, au nombre de
vent pour une température donnée annuler la bande interdite photons, donc à la puissance du flux lumineux. Physiquement, cet
donc l’effet jonction P-N : cela se produit à 400 ˚C pour le sili- effet se traduit de deux manières selon le quadrant de fonctionne-
cium. Cette remarque est importante pour les cellules photo- ment du dispositif sur la figure 16 :
voltaïques à jonction P-N dont la tension, et par conséquent le
– dans le 3e quadrant, le système fonctionne en récepteur dont
rendement de conversion, diminuent avec une élévation de la résistance varie fortement avec l’éclairement à tension donnée,
température.
il se comporte en photorésistance ;

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– dans le 4e quadrant, le système fonctionne en générateur dont


le courant de court-circuit est directement proportionnel à la puis- Ip
sance de l’éclairement et dont la tension à vide Vco est celle de la
diode en polarisation directe (0,5 à 0,8 V pour Si). Il se comporte
en convertisseur photovoltaïque dont un réseau de caractéris-
tiques théoriques apparaît sur la figure 16. Iph = Icc Id Vp

On obtient donc ainsi une cellule photovoltaïque à jonction P-N,


générateur élémentaire de courant continu qui convertit directe-
ment l’énergie lumineuse en énergie électrique délivrée sous ten-
sion inférieure ou égale à la tension de polarisation directe de la Figure 17 – Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque idéale
à jonction PN
jonction, donc une très basse tension. Par la suite, nous intéres-
sant particulièrement au fonctionnement en générateur, nous
représentons les caractéristiques en « convention générateur »
dans un nouveau repère Ip(Vp) où le courant de saturation inverse Ip (A/m2) Points
est compté positivement. Un schéma équivalent de la cellule pho- de puissance
tovoltaïque à jonction PN idéale se déduit directement des consi- maximale
300 1000W.m–2, 60 °C
dérations physiques précédentes : donné figure 17, il comprend
Icc
une source de courant Iph, qui modélise le courant photoélec- 1000W.m–2, 25 °C
trique, associée à une diode en parallèle qui modélise la jonction
P-N dont la polarisation détermine la tension. De ce modèle idéal,
on déduit les équations donnant la caractéristique électrique Ip(Vp) : 200
Ip = Iph − Id

avec Id = Is ⎛⎜ exp d − 1⎞⎟


V
⎝ VT ⎠ 100

200W.m–2, 25 °C
et VT = kT le potentiel thermique Icc
e
soit en inversant la relation précédente :
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0
0 0,2 0,4 0,6 Vp (V)
⎛ Iph − Ip ⎞ Vco
Vp = Vd = VT ln ⎜1 +
⎝ Is ⎟⎠
Figure 18 – Influences de l’éclairement et de la tension
Ces expressions montrent que les caractéristiques dépendent du sur les caractéristiques d’une cellule PV au Si représentées
matériau, de la température et de l’éclairement, ainsi qu’indiqué en convention générateur
par les tracés de la figure 18.
La tension en circuit ouvert Vco de la cellule photovoltaïque
Le courant photocréé Iph détermine le courant de court-circuit Icc
dépend de ses propriétés.
de la cellule.
Ainsi, avec Is = 10−12 A/cm2 et Iph = 40 mA/cm2, on obtient une
tension de circuit ouvert Vco = 0,6 V à 25 ˚C.

Lorsque la température croît, le gap Eg décroît, il en résulte que


Vco décroît sensiblement tandis que Icc croît très faiblement. Ces
variations, très différentes en valeurs relatives, peuvent être éva-
luées avec les coefficients approximatifs suivants pour des cellules
au silicium :
dIcc/dT = 0,04 %/K
dVco/dT = − 0,4 %/K

3.4.3 Cellule PV réelle à jonction P-N :


modèle et caractéristique
En pratique, plusieurs facteurs diminuent le rendement de
conversion dont la figure 19 donne une représentation schéma-
tique :
– la réflexion du rayonnement à la surface du matériau ;
– les recombinaisons électron-trou (rendement de collecte) qui
diminue le courant de sortie ;
– la tension de sortie réelle inférieure à la tension Eg/e (facteur
de tension) ;
– les chutes de tension de contacts ;
– les fuites de courant aux bords de la jonction.
Figure 16 – Caractéristiques en convention récepteur d’une jonction Ainsi, le mécanisme de recombinaison des porteurs minoritaires
PN en obscurité et éclairée (E) dû aux centres proches du milieu de la bande interdite dans la

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Photons Photons Ip
réfléchis Excès énergie
transmis
du photon
h ν < Eg
h ν > Eg RS

ID1 D1 ID2 D2
Iph = Icc RSH Vp
Énergie
du Conversion photovoltaïque Électricité utile
rayonnement

Pertes par Figure 20 – Modèle « circuit » de cellule photovoltaïque avec


Courants conduction pertes, à deux diodes aux potentiels thermiques différents
Recombinaisons de fuites

Figure 19 – Différentes pertes lors de la conversion photovoltaïque Ip


du rayonnement solaire en énergie électrique

zone de la charge d’espace en polarisation directe réduit le courant RS


utile [9]. Il vient ainsi s’ajouter au courant d’obscurité de jonction
suivant l’expression : Id
Iph = Icc Vd RSH Vp

Id = ID1 ⎛⎜ exp d − 1⎞⎟ + ID2 ⎛⎜ exp d − 1⎞⎟


V V
⎝ VT ⎠ ⎝ 2VT ⎠
Le courant d’obscurité présente donc deux composantes que
l’on peut représenter par deux diodes D1 et D2 de potentiels ther- Figure 21 – Schéma équivalent à une diode d’une cellule
miques différents ainsi qu’indiqué sur la figure 20. photovoltaïque réelle à jonction PN avec pertes

On tient compte globalement des autres pertes de puissance de puissance passe par un maximum. Graphiquement dans le plan
citées en ajoutant au modèle de la cellule idéale deux éléments (Ip, Vp), ce maximum correspond au point de fonctionnement pour
dissipatifs ainsi qu’indiqué par la figure 20 : lequel la surface du rectangle de côté Vp, Ip est maximale ou
– une résistance série RS représentant les diverses résistances encore à la tangence de la caractéristique électrique avec une
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de contacts et de connexions ; hyperbole d’isopuissance définie par :


– une résistance shunt RSH en parallèle sur le générateur de cou- Vp Ip = constante
rant qui caractérise les divers courants de fuites.
Compte tenu de ce qui précède, cette puissance maximale
Les valeurs des divers éléments de ce schéma équivalent dépend de l’éclairement et aussi la température :
dépendent de la cellule réelle et en déterminent les performances,
mais l’allure générale des caractéristiques reste bien celle indiquée – à température donnée, cette puissance maximale est propor-
par la figure 18, de même que l’influence de la température et de tionnelle à l’éclairement ;
l’éclairement. Pour les cellules de bonne qualité, RSH est supé- – pour un éclairement donné la puissance maximale décroît lors-
rieure à 10 kΩ et RS est inférieure à 1 Ω. que la température augmente, avec le coefficient dP/dT (= − 0,4 %/
K pour le silicium), correspondant principalement à la variation de
Une simplification efficace de ce modèle consiste à introduire un la tension, prépondérante devant celle du courant (cf. § 3.4.2).
facteur de diode n D pour obtenir le modèle de la figure 21 à une
seule diode telle que :
Ip, Pp Vp Ip = Cte
⎛ V ⎞
Id = Is ⎜ exp d − 1⎟
⎝ n DVT ⎠
La caractéristique de la cellule réelle est alors donnée à partir du Vp Ip = Cte
modèle de la figure 21 par :
E1 = 1000 W/m2, T1 < T2 Pp (Ip) = Vp Ip
Ip (V )
V Icc1 p
Ip = ICC − Id − d Vp = Vd − Rs Ip
RSH
E = 800 W/m2, T2 Ip (V )
Le facteur de diode est un peu supérieur à 1. On le prend cepen- Icc2 p
dant souvent égal à 1, ce qui revient à négliger les recombinaisons
dans zone de la charge d’espace. Ce modèle est très utilisé car il
répond efficacement à de nombreuses situations d’études au
niveau des systèmes photovoltaïques.
La tension de circuit ouvert Vco est de l’ordre de 0,6 V à 298 K
pour une cellule au silicium.
La cellule PV élémentaire est donc un générateur de courant
continu à très basse tension.

3.4.4 Puissance crête et rendements


de conversion Vco Vp

Sur la figure 22 sont représentées deux caractéristiques corres-


Figure 22 – Caractéristiques électriques et courbes de puissance
pondant à deux jeux différents d’éclairements et de températures. d’une cellule PV pour deux jeux de conditions différentes
Les courbes de puissance associées montrent que chaque courbe en éclairement et en température

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La figure 22 montre que la puissance fournie par la cellule, et


par conséquent son rendement de conversion, dépend non seule- Ip
ment des conditions environnementales (éclairement et tempéra-
Pc = Vc Ic
ture) mais aussi de son point de fonctionnement, c’est-à-dire de la
charge électrique qui lui est connectée.
Aucune puissance maximale absolue ou nominale ne peut donc Pm = Vco Icc
2 Vp(Ip)
être définie pour un dispositif photovoltaïque. Icc E = 1 000 W/m
Ic
C’est pourquoi on définit la « puissance crête », Pc = Vc Ic,
correspondant à une puissance maximale particulière : celle Ip Point
délivrée par la cellule photovoltaïque à une température de Vp de fonctionnement
jonction de 298 K exposée à un éclairement solaire de 1 000 W/ )=
(I p à puissance crête
m2 de spectre AM 1,5 tel que nous l’avons défini au Pp
paragraphe 2.2.2.

Dans ces conditions, on obtient la caractéristique donnée par la


figure 23. À partir de la tension de circuit ouvert Vco et du courant
de court-circuit Icc, on définit le facteur de courbe Fc ou facteur de Vc Vco Vp
forme de la caractéristique de la cellule par :
Fc = Pc/Pm = VcIc/VcoIcc Figure 23 – Caractéristique électrique et point de puissance crête
d’une cellule photovoltaïque à T = 298 K, éclairée par un rayonne-
Ce facteur de courbe dépend des différentes pertes, particuliè- ment de spectre AM 1,5
rement du facteur de diode n D et des résistances RS et RSH définis ci-
dessus. Il est de l’ordre de 0,85 pour une cellule usuelle au silicium. sent la couche dopée N exposée au rayonnement et excitent des
électrons de la couche opposée dopée P. Ces derniers migrent
C’est aussi en ce point de puissance crête que l’on définit le sous l’action du champ électrique de jonction puis sont collectés
rendement ηc de la cellule considérée par : par une grille soudée sur la face côté N exposée au soleil tandis
ηc = Pc/1 000 qu’un conducteur plein est soudé sur la face opposée coté P
(métallisation Ag). Pour maximiser l’absorption, il faut minimiser
Nous avons défini auparavant les rendements d’absorption des la réflexion sur la face exposée et l’effet d’écran de la grille, ce qui
photons ηa et de collecte des porteurs excités ηcol. Le rendement conduit à des réalisations complexes avec couches antireflets ou
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de la cellule est donc aussi donné par la relation : même des grilles enterrées.
ηc = ηaηcolfc Au-delà de cet exemple typique, de nombreux produits sont
Avec ces valeurs, le rendement maximal d’une cellule simple au aujourd’hui commercialisés ou en développement ou encore au
silicium est donc de l’ordre de : η c max = 0,85 × 0,53 × 0,43 = 0,2 stade de la recherche, exploitant différents matériaux et technolo-
gies de montage. Outre le caractère déterminant du gap Eg, les
Si les rendements réels obtenus sont souvent inférieurs à cette autres facteurs de choix, portent sur la disponibilité du matériau à
valeur, nous verrons au paragraphe 3.5 que certaines technologies l’état cristallin, la température de fonctionnement (pour les systè-
permettent maintenant d’atteindre des rendements plus élevés. mes à concentration solaire) et la facilité de créer une jonction
La puissance crête et le rendement ηc permettent donc de carac- dans ce matériau. Suivant les matériaux utilisés, on réalise des
tériser et de comparer les performances de différentes technolo- homojonctions c’est-à-dire des jonctions PN au sein d’un même
gies de cellules. Mais ils ne déterminent ni un point de puissance semiconducteur par implantation d’impuretés de type P ou N ou
nominale, ni la production énergétique du générateur car le rayon- des hétérojonctions à partir de semiconducteurs différents.
nement réel sur site ne correspond pratiquement jamais à ces Comme nous le verrons par la suite, on trouve généralement
conditions standards, que ce soit en spectre ou en puissance. La commercialisés des modules photovoltaïques assemblant plu-
puissance délivrée par le dispositif installé est très souvent infé- sieurs cellules élémentaires connectées et encapsulées dans une
rieure à sa puissance crête, mais cette valeur est quelquefois
technologie qui participe naturellement à la performance finale du
dépassée pour des conditions exceptionnelles (atmosphère lim-
produit en termes de rendement, de souplesse d’emploi et de
pide et température basse) donnant plus de 1 000 W/m2 au sol. In
durée de vie. On trouve même des encapsulations souples pour
fine, c’est la qualité du gisement solaire et l’implantation des cap-
teurs qui déterminent l’énergie produite par une puissance crête une meilleure intégration aux surfaces courbes. Ainsi la
installée sur un site. Et cette dernière permet d’évaluer le coût d’un figure 24 c montre une encapsulation entre feuilles de plastique
générateur complet dans une technologie donnée. de haute technicité qui permet à des cellules en silicium monocris-
tallin de 200 μm d’épaisseur d’épouser la courbure de la coque gal-
bée du véhicule solaire Solelhada (cf. [D 3 936], § 2.5).
La cellule photovoltaïque est un générateur basse tension
de courant continu, de puissance finie fonction de l’éclaire- Les matériaux photovoltaïques sont trouvés dans la quatrième
ment, de la température et... dont le rendement dépend de la colonne de la classification périodique (4 électrons sur la dernière
charge. Les conséquences pratiques de ces propriétés sont couche) où le silicium est le plus utilisé et dans les colonnes 2, 3, 5
développées pour les générateurs photovoltaïques. et sous formes de composés dits III-V et II-VI qui permettent des
liaisons assurant une dernière couche électronique à 8 électrons.
Les composés cités sur la figure 14 ont tous fait l’objet d’études
3.5 Technologies et matériaux notamment les hétérojonctions à base de sulfures (CdS et Cu2S)
puis à base d’arséniure de Gallium (GaAs) bien adapté au rayonne-
des cellules photovoltaïques ment dans l’espace et donnant de meilleurs rendements que le sili-
cium. De nouveaux composés ternaires à base de trois matériaux
3.5.1 Constitution pratique des cellules sont également étudiés (GaAlAs) puis des cellules « sandwich »
photovoltaïques utilisant des matériaux différents sous forme de couches superpo-
La figure 24 a montré la constitution de base d’une cellule pho- sées. Sur ce principe, des cellules à 3 couches donnent des rende-
tovoltaïque à jonction PN au silicium. Les photons incidents traver- ments supérieurs à 30 %.

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CONVERSION PHOTOVOLTAÏQUE : DU RAYONNEMENT SOLAIRE À LA CELLULE __________________________________________________________________

Pour plus détails sur ces nombreuses filières technologiques, on se reportera avanta-
Ag Ag Ag geusement à [10], [11] et aux dossiers du traité qui développent cet aspect en détail,
particulièrement :
n-Si
– [D 3 940] et [D 3 941] Modules photovoltaïques ;
250 μm – [RE 25] Les cellules photovoltaïques organiques.
p-Si
Ag
3.5.2 Filières exploitant le « silicium cristallin »
Éclairement E Le silicium représente aujourd’hui 99 % de la production mon-
Photons diale de matériau photovoltaïque pour les applications terrestres
dont 90 % de silicium de type cristallin. L’industrie photovoltaïque
bénéficie de celle des semiconducteurs qui fournit une matière
Grille première d’excellente qualité pour les panneaux solaires ainsi que
Surface des technologies de fabrication parfaitement maîtrisées. Mais la
antireflet Vp très forte croissance de la demande commerciale annuelle de 30 %
a généré une pénurie qui fait que le coût reste très élevé, ce qui
Ip pénalise le coût du kWh électrique beaucoup plus cher qu’avec les
centrales traditionnelles pour les systèmes raccordés au réseau.
Jonction PN Silicium type N
(dopage phosphore) Le silicium monocristallin représente environ 29 % du marché
photovoltaïque mondial en 2005. Issu de l’industrie de la microé-
Silicium type P
lectronique, le coût du matériau et des procédés de fabrication font
(dopage bore)
que ces cellules sont très chères. La première phase consiste à
a constitution technologique d'une cellule obtenir le silicium très pur monocristallin (méthode Czochralski).
à jonction PN au silicium cristallin On réalise ainsi des barreaux de 10 à 20 cm de diamètre et plus de
1 m de long. La technique moderne de sciage de tranches d’épais-
seur inférieure à 0,2 mm à l’aide de fils abrasifs a permis de
réduire les chutes de matériau. On obtient des tranches de silicium
de 10 × 10 cm2 (ou plus récemment 125 × 125 mm2) dont la forme
carrée permet une meilleure exploitation de la surface exposée au
soleil. Les diffusions d’impuretés de type N (phosphore) et de type
P (bore) créent ensuite la jonction P-N. C’est ensuite la réalisation
du dispositif qui permet d’améliorer le rendement.
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L’électrode supérieure est une grille fine déposée par


sérigraphie afin de ne pas faire écran aux rayons lumineux. La pas-
sivation de surface par une couche d’oxydes de quelques dizaines
de nanomètres permet de réduire les recombinaisons avant col-
lecte. Très fiables, ce sont les plus performantes des cellules au Si.
Le record est établi par M.A. Green au laboratoire de l’University
of New South Wales en Australie à plus de 23 % de rendement
proche du rendement théorique maximal (25 %). Les produits com-
b photographie d'une grande cellule de 155 mm merciaux offrent des rendements typiques de 17 % pour les cellu-
de côté au Si monocristallin les encapsulées et de 14,5 % pour les modules.
Le silicium multicristallin représente environ 62 % du marché
photovoltaïque mondial. Obtenu par refonte des chutes de silicium
de l’industrie de la microélectronique, il est donc moins cher. Le ren-
dement des cellules est inférieur en raison d’un taux de recombinai-
son des porteurs plus élevé que dans le silicium monocristallin. La
réalisation du dispositif peut bénéficier des raffinements appliqués
au monocristallin. Le record appartient au même laboratoire (Uni-
c cellules monocristallines 10 x 10 cm2 au Si en encapsulation versity of New South Wales en Australie) avec 19,8 % de rende-
souple avec microgravage antireflet, permettant la déformation ment. Les produits commerciaux offrent des rendements typiques
sans casse et le montage sur une surface courbe de 14,5 % pour les cellules encapsulées et 12,5 % pour les modules.
Figure 24 – Cellules à jonction PN au silicium cristallin
3.5.3 Filières exploitant les « couches minces »
Dans les tendances actuelles, on observe deux approches complé-
Les cellules en couche mince constituent une deuxième généra-
mentaires qui président aux efforts de recherche et développement :
tion de cellules véritablement prometteuses pour baisser les coûts.
d’une part l’augmentation des rendements pour des applications très
On ne dépose que la quantité de matériau photosensible « efficace »
contraintes en surface et/ou masse et d’autre part la baisse des coûts.
pour absorber l’essentiel du rayonnement solaire (quelques micro-
Plus précisément, c’est principalement sur l’augmentation des rende- mètres d’épaisseur suffisent) et elles peuvent utiliser des substrats
ments des filières les moins coûteuses que porte l’effort principal. Car flexibles : leur fabrication est donc moins coûteuse et permet de
c’est bien le coût du kWh qui pénalise le développement de l’électri- plus, une mise en série directe des cellules sur le substrat.
cité photovoltaïque tandis que bien souvent la surface au sol est suffi-
sante pour répondre au besoin en énergie. Les cellules en silicium amorphe hydrogéné avec un coefficient
d’absorption beaucoup plus élevé que le cristallin utilisent moins
Il est difficile de décrire de façon exhaustive la très grande de matériaux silicium que les technologies précédentes (épaisseur
variété des différentes filières technologiques de cellules qui 2 à 3 μm), ce qui réduit leur coût. Leur constitution de principe est
dépend du ou des matériaux semiconducteurs éventuellement donnée par la figure 25. Le matériau peut être produit en rubans.
associés, de la technologie de leur assemblage et de leur encapsu- Elles ont été les premières exploitées pour des applications
lation en cellules et en modules. Nous en donnons ci-après une « portables » de très faible puissance comme des calculettes ou
description succincte par famille avec leurs performances. des montres au prix d’un rendement de conversion fortement

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injectés dans la bande de conduction du dioxyde de titane et sont


Verre collectés. Une réaction d’oxydo-réduction régénère le colorant
SnO2 oxydé. Le rendement de ces photopiles dépasse 10 % en labora-
n-a-Si toire. Leur caractère prometteur reste à confirmer. Par évolution,
2 μm ces nouveaux types de cellules photoélectrochimiques ouvrent de
i-a-Si nouvelles perspectives pour le stockage direct de l’énergie solaire,
un peu à l’image de ce qui est réalisé avec la photosynthèse.
p-a-Si
Ag
3.5.5 Cellules à très hauts rendements :
Figure 25 – Constitution technologique d’une cellule au silicium multijonction et concentration
amorphe p-i-n
Comme le rendement théorique maximal d’un dispositif de con-
pénalisé par le taux de recombinaison élevé en structure amorphe. version exploitant le système Terre Soleil atteint 95 %, il reste une
Ce défaut est bien atténué par des structures doubles p-i-n/p-i-n. très grande marge de progrès pour de nouvelles technologies à
De plus l’effet Staebler-Wronski, encore mal expliqué, en dégrade
hauts rendements. Une voie de recherche vise à absorber les pho-
les performances sous l’effet de la lumière. L’amélioration de leurs
tons d’énergie inférieure à la bande interdite par des puits quanti-
performances et leur coût inférieur au silicium cristallin ont permis
de développer le marché. Les meilleures cellules triple jonction ques introduits dans la zone intrinsèque d’une structure p-i-n et à
atteignent 13 % de rendement en laboratoire. Le rendement typi- convertir leur énergie en électricité utile, mais elle relève encore de
que des cellules commerciales est de 8 %, ce qui les limite aux concepts tout à fait exploratoires.
applications de très petites puissances. Comme elles exploitent Ce sont actuellement les cellules multijonctions qui constituent
bien les faibles éclairements diffus, on trouve aussi des produits la meilleure solution pour élever les rendements... au prix d’un
pour les usages intérieurs. coût très élevé. Particulièrement, les composés III-V offrent une
Les cellules au tellurure de cadmium (CdTe) sont très promet- multitude de largeurs de gap allant de 0,16 eV pour InSb à 2,24 eV
teuses. Le gap de 1,45 eV approche la valeur idéale. Ce matériau pour GaP.
absorbe 90 % des photons incidents sur quelques micromètres. De plus, une forte concentration du rayonnement augmente
Les meilleurs rendements obtenus en laboratoire au NREL (Natio- aussi le rendement de ces systèmes. Ainsi, le rendement de AsGa
nal Renewable Energy Laboratory) atteignent 16,5 %. La technolo-
passe de 21,7 % sous AM0 à 28,7 % sous 200 fois AM 1,5. Mais
gie est déjà bien développée au niveau industriel avec 0,5 % de la
l’exploitation de la concentration n’est intéressante que dans des
production mondiale et les modules commerciaux ont un rende-
conditions à fort rayonnement direct et faible nébulosité : zones de
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ment de 7 à 11 %. Le principal handicap vient du cadmium, un


métal lourd polluant dont l’utilisation est mise en cause. type méditerranéen ou tropical saharien et spatial. Et il faut un
mécanisme fiable de suivi du soleil par le dispositif optique de
Les cellules couches minces CIS et CIGS à base de di-Séléniure concentration.
de Cuivre Indium CuInSe2 (CIS) et Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) sont parmi
les plus efficaces. L’intérêt des cellules CIGS est d’avoir un gap Eg
ajustable en adaptant le rapport atomique In/Ga pour optimiser Couche
l’absorption du spectre solaire. Le gap peut ainsi varier de 1,02 eV ARC de tête
(CuInSe2 pur) à 1,68 eV (CuGaSe2 pur). Plus de 99 % des photons Couche fenêtre n+–AllnP
incidents sont ainsi absorbés dans le premier micromètre du maté- Émetteur n–GalnP
riau. En laboratoire, les meilleurs rendements atteignent 19,2 %. Couche non dopée GalnP
Les cellules CIGS sont constituées de plusieurs couches déposées
sur un substrat de verre, de polymère ou de métal. Elles sont donc Base p–GalnP 1,8 eV
plus complexes à fabriquer que les cellules CdTe (§ 3.5.4).
Couche barrière p+–GalnP

3.5.4 Cellules organiques et hybrides Couche barrière p+–AlGalnP


p++–AlGaInAs
Ces cellules préfigurent une troisième génération utilisant de
nouveaux matériaux pour une conversion photovoltaïque à n++–GaAs ou GalnP
l’échelle moléculaire. Couche barrière n+–AlGalnP/AllnAs
Dans les cellules à polymère, le principe est le transfert photo- Émetteur n–GalnAs
induit d’un électron depuis un polymère semiconducteur donneur Couche non dopée GalnAs
d’électrons vers un polymère (ou une molécule, comme le fulle- Base p-GalnAs 1,3 eV
rène C60) accepteur d’électrons. Encore purs objets de laboratoire
à ce jour, elles pourraient révolutionner le photovoltaïque grâce à Couche barrière p+–GalnAs
leur faible coût de fabrication et à leur facilité d’utilisation sur sup- Couche barrière p+–AlGalnAs
port flexible et translucide. De nombreux progrès restent à accom- p++–AlGaAs
plir, mais les rendements atteignent déjà 5 % : c’était celui des
premières cellules Bell Telephone en 1954 ! n++–GaInAs

Les cellules hybrides organique-inorganique offrent une voie Couche buffer Ga1–xInxAs n-gradée
pour améliorer la mobilité des porteurs de charges, pénalisée dans
les cellules organiques, en introduisant un matériau inorganique Fenêtre dopée n et couche de nucléation
(TiO2, CdS) ou un semiconducteur (CdSe, CdS, CdTe). Émetteur diffusé n–Ge
Les cellules photoélectrochimiques, à colorants organiques, dites
Substrat p–Ge (100) 0,7 eV
aussi de Gräetzel, son faites d’une couche d’oxyde de titane (TiO2),
semiconducteur à large gap Eg = 3,2 eV plutôt adapté aux courtes
Contact arrière
longueurs d’ondes, immergée dans un électrolyte liquide contenant
un couple redox. Un colorant organique recouvre la surface des
Figure 26 – Détail de la structure d’une cellule multijonctions.
nanocristaux de TiO2 qui assurent la conduction des électrons. Des Source : Joachim Luther, Fraunhofer Institute for Solar Energy
électrons de ce colorant, excités par les photons incidents, sont Systems

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En empilant des jonctions et en combinant les gaps de chacun lement réservées aux applications spatiales et militaires, ces tech-
des matériaux pour obtenir des réponses spectrales décalées en nologies très sophistiquées et très coûteuses bénéficient d’un
longueurs d’ondes, on optimise la conversion du spectre solaire. important effort de recherche. Les programmes de recherche en
Les cellules à double jonction GaAs/GaInP comportent un empile- cours visent des réalisations allant jusqu’à 6 jonctions et des rende-
ment de deux jonctions, l’une en GaInP, à gap élevé (1,85 eV) qui ments supérieurs à 40 % voire 50 %, mais leur coût très élevé les
absorbe les photons de plus forte énergie, que l’on dépose sur une réserve à des applications très spécifiques. Les meilleurs véhicules
autre à gap plus faible comme GaAs (1,45 eV) qui absorbe les pho- solaires « Sunracers » utilisent également ces technologies.
tons d’énergie inférieure. En conséquence de leur gap plus élevé,
elles offrent aussi une tension de sortie plus élevée. Ainsi les cellu- Un autre type de cellules à haut rendement est recherché avec
les commerciales de GaAs/GaInP ont un rendement de 22 % avec les cellules thermophotovoltaïques constituées de matériaux à
un Vco de 2,06 V. Et la cellule triple jonction GaInP/GaInAs/Ge très faible gap comme AsIn ou GaSb pour convertir les photons
(1,8 eV/1,4 eV/0,67 eV) du NREL détenait le record mondial de ren- infrarouges émis par une source à haute température, générale-
dement avec 37,3 % jusqu’à ce que la société Boeing Spectrolab ment constituée d’un radiateur en céramique porté à plus de
annonce fin 2006 un nouveau record à 40,7 % avec une cellule 1 000 ˚C. La densité de puissance du rayonnement thermique émis
munie d’un concentrateur de facteur 200 ! Ces cellules sont produi- pouvant atteindre 100 fois celle du rayonnement solaire direct
tes industriellement par les compagnies américaines Spectrolab et (10 W/cm2), le rendement théorique est supérieur à 50 % mais la
Emcore avec des efficacités variant entre 26 et 28 %. La figure 26 tension de sortie est très faible et les contraintes thermiques éle-
montre un exemple de ces cellules à très haute technicité. Principa- vées sur les matériaux posent des difficultés.
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