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EXERCICES ET
PROBLEMES CORRIGES
D'ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

EXERCICES ET PROBLEMES CORRIGES


D'ELECTRONIQUE ANALOGIQUE
EXERCICES ET
PROBLEMESCORRIGES
D'ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

Ali GHARSALLAH Tahar BEN NASRALLAH


Lassâad GARGOVRI

Centre de Publication Universitaire


2003
œréface

Cet ouvrage a été conçu en premier lieu à l'usage des


étudiants de premier cycle universitaire et aux élèves des Instituts
technologiques (ISET) et préparatoires (IPEI). Il sera également très
utile aux étudiants de deuxième cycle (Maîtrises d'électronique et
sciences physiques, CAPES, ... ) qui souhaitent raviver leurs
connaissances en électronique analogique.

Chaque chapitre comporte un résumé de cours SUIVI


d'exercices et problèmes, tous résolus, et présentant une étude
générale de certains composants et circuits électroniques.

Nous espérons que ce travail permettra aux étudiants


d'acquérir un savoir-faire dans la résolution de problèmes de
conceptIon électronique et de mieux préparer ainsi leurs examens.

Nous tenons à remercier tous nos collègues de la Faculté des


Sciences de Tunis qui nous ont aidé dans la préparation de ce livre,
ainsi que ceux qui voudraient bien nous faire part de leurs remarques
et suggestions constructives pour améliorer son contenu.

Les auteurs
OOIPJ<IIJI:A 1 : !MithtHfu tI'atulf:ys.1Ûs circuits ûné4iru
Rappels de cours ------------------------------------------------- 3
Enoncés des exercices------------------------------ 13
Corrigés des exercices ------------------------------------------- 19

OOIPJ<IIJI:A 2 : Circuits éfectriques en régime transitoire .t sinusoüfa{


Rappels de cours ---------------------------------------------- 43
Enoncés des exercices -~------------------------------------------- 53
Corrigés des exercices -------------------------------------------- 59

OOIPJ<IIJI:A 3 : Les qwufripôfes ûné4iru


Rappels de cours ------------------------------------------------ 79
Enoncés des exercices ---------------------------------------------- 89
Corrigés des exercices ---------------------------------------- 95

OOIPI'1IR!f. 4 : Les circuits à âuufes


Rappels de cours ----------------------------------------------------- 123
Enoncés des exercices ------------------------------.---------.- 129
Corrigés des exercices --------------------------------------- 137

OOIPITR!A 5 : Les transiston 6ipoftJirts utilisés en ampûficateurs


Rappels de cours ----------------------------------------------------- 161
Enoncés des exercices ---------------------------.------------------ 167
Corrigés des exercices ----------.-------------------------------------- 179

OOIPITR!J!. 6: Le transistor à effet tfe cliamp


Rappels de cours --------------------------------------------------- 217
Enoncés des exercices ---------------------------------------------- 221
Corrigés des exercices ---------------------- ---------------------- 229

OOlPlTE!f, 7: ftmpCificateuropératWnne{
Rappels de cours -------------------------------------------------------- 263
Enoncés des exercices ------------------.--------------------------- 267
Corrigés des exercices ------------------------- ----------- 275

g«PPE~0FS ŒIŒLIOq<IIJI.<PJfIQV'ES ----------------------------------- 287


CJ{JIrPIrr'Cj(P. 1
'MŒ/I'J{()t.J)1E5 ([) ':4:N.7<L'YS'E ([)'ES CI<f\CVI'TS LIJ.IIE)f.I'R!JlS
METHODES D'ANALYSE DES CIRCUITS UNEAlRES
(RAPPELS DE COURS)

1- Introduction:

L'analyse des circuits électriques linéaires est gouvernée par les lois et
les théorèmes généraux suivants:
1. Lois de Kirchhoff
2. Théorème de superposition
3. Théorème de Thévenin
4. Théorème de Norton
5. Théorème de Millman
6. Théorème de Kennely

Tout d'abord, nous allons donner dans la suite les définitions et les
conventions nécessaires à l'étude des circuits électriques.

11- Définitions et conventions


• Dipôle

C'est un dispositif électrique qui ne comporte que deux. bornes et


dans lequel un courant électrique peut circuler.
Un dipôle est dit actif (Exemple : pile, accumulateur, alternateur .. .)
s'il fournit de l'énergie électrique à un circuit extérieur. Le dipôle
est dit passif dans le cas contraire (Exemple: résistor,
condensateur, self... )
• Dipôle linéaire:

Un dipôle est linéaire si sa caractéristique tension-courant est


linéaire.
Exemple: résistor, source de tension ou de courant.

~ 1 Dipôle 1
. U = a i + b (a et b sont des constantes)

Fig.l.1 : Dipôle linéaire

Circuit électrique linéaire:

Un circuit électrique est dit linéaire, s'il ne comporte que des


dipôles linéaires.
4 Exercices et problèmes co rrigés d'électroniq ue analogiq ue

Re marqu e

Bien que les composants à semi-conducteur (diode. transistor) et


circuits intégrés ne répondent pas à la définition ci-Jessul:i, ils sun1
tout de même considérés comme actifs.

Source de tension :

Une source de tension parfaite est un dipôle actif qui maintient


entre ses bornes une différence de potentiel constante quel que soit
le courant qu 'il débite. Si la source a une résistance interne en
séne, elle est dite réelle.

u
E

8 ~ E

~
U

Symbole Caractéristique tension courant U=fti)

Fig.1.2 : Source d e tension parfaite

u
U=E-ri
u
E ················...···················

Caractéristique tension courant U=f(i)

Fig.1.3 : Source de tension réelle


~éthodes d'analyse des circuits linéaires 5

Source de courant:

Une source de courant parfaite est un dipôle actif qui fournit un


courant électrique quelle que sail la tension à ses bornes. La source
est dite réelle, si elle a une résistance interne en parallè1e .

.'
1

10

u
Caractéristique i =f{U)
Symbole

Fig.l.4 : Source de courant parfaite

10

10
r ru = r (1
0
_"i_l-+-________ u.
Caractéristique courant tension i=f{U)
Symbole

Fig.1.S : Source de courant réelle

Source indépendante et source dépendante:

Une source de tension (ou de courant) est dite indépendante si la


force électromotrice (f.é.m.) qu'elle délivre (ou le courant
électromoteur (c.é.m.) qu'elle débite) ne dépend d'aucune grandeur
interne au circuit électrique dans lequel elle est insérée.

Exemple: pile, batterie d'accumulateur, générateur ...

Une source est dite dépendante (ou bien liée ou encore


commandée) dans le cas contraire.
6 Exercices ct problèmes corrigés d'électronique analogique

Exemple:
R, r

R,

E et 10 : Sources indépendantes
E = k U et 1 = aI l: Sources liées

10 R, R, 1 R

Fig.1.6 : Sources indépendantes· Sources liées

Extinction des sources:


Eteindre une source indépendante : c'est la remplacer par sa
résistance interne.

E E, r
l r

Allumée Eteinte
l
Allumée Eteinte
Source de tension parfaite Source de tension réelle

10 r
l, r

Allwnée Eteinte Allumée Eteinte

Source de courant parfaite Source de courant réelle


Fig.1.7 : Extinction des sources
Méthodes d'analyse des circuits linéaires 7

Remarque: On ne peut pas éteindre les sources commandées de la


même manière que les sources indépendantes.

• Conventions de signe:

• Courant électrique:
Le sens conventionnel du courant électrique est celui opposé à la
circulation des électrons. Dans un circuit électrique, le calcul de
l'intensÎté du courant permet de confirmer ou non ce sens.

• Convention générateur:
Un générateur est un dipôle qui fournit de l' énergie électrique, il
possède une borne positive et une borne négative. Le courant sort
de la borne positive. 1 et U sont de même signe.
(_) 1 (+)
~ Dipôle I~
u
Fig.1.8 : Dipôle générateur

• Convention récepteur :
Un récepteur est un dipôle qui consomme de l'énergie électrique.
Il peut être polarisé (possède un pôle positif et un négatif) ou
non.
(-) 1 (+)
o .. Dipôle o

u
Fig.l.9: Dipôle récepteur

Le courant entre par la borne positive (1 > 0 et U > 0).


Exemple: un résistor est un récepteur non polarisé, une batterie
d'accumulateur en phase de charge est un récepteur polarisé.

111- Théorèmes généraux:

111-1. Loi des nœuds:


Cette loi traduit la règle de conservation du courant. Elle est régie
par l'égalité suivante:
.'
La somme algébrique des courants rentrants dans un nœud =
la somme des courants sortants de ce nœud.
8 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Ou encore: (Fig.I.lO)
~) N .iN=O
N

EN = + 1 si i N se dirige vers le noeud


Avec
{ EN = -1 si iN sort du noeud i,

"

"

Fig.1.1 0 : Loi des nœuds

111- 2. Loi des mailles:


Le long ct ' une maille fermée parcourue dans un sens donné, la somme
des tensions est nulle.

U, •
~
D, D.
U, U.

U,

D,
Fig.l.ll : Loi des mailles

EN; +1 si UN de même sens que celui choisi pour la maille


Avec
{
EN = - 1 si U N dans le cas contraire.

Remarque :

Le choix contraire peut aussi être adopté. On peut facilement déterminer


l'équation d'une maille à l'aide des deux règles suivantes:
• La chute de tension est de sens contraire au courant circulant dans
un récepteur.
• La chute de tension est de même sens que le courant sortant d'un
générateur.
~éthod es d' analyse des circuits linéaires 9

10- 3. Théor ème d e superposition:

La tension entre deux points A et B (ou bien le courant dans la


branche AB) d'un circuit électrique linéaire comportant plusieurs
générateurs est égale à la somme des tensions (courants) obtenues
entre ces deux points lorsque chaque source agit seule.
RI R,

U=U,+U 2
1=1.+12 R
1 r
U

RI R, D RI R,

R
0 R
l,
r u,
E,

Fig.J.Il : T héorème de superposition

IlI- 4. T héorème de T hévenin :

Un réseau électrique linéaire vu de deux de ses points A et B cst


équivalent à un générateur de tension (dit de Thévenin) de force
électromotrice En, égale à la tension à vide entre A et B et de résistance
interne RTh.
1 A
Réseau
électrique
'linéaire Îu
L _ J--:B
' - - - -- _B
Fig.1.13 : Théorème de Thévenin
ETh ~ U pour 1 ~ O.
Rn est la résistance vue des points A et B, toutes sources
indépendantes éteintes.
10 "Exercices et problèmes corrigés d'iledronique analogique

IU- S. Théorème de Norton:


Un réseau linéaire vu de deux de ses points A et B est équivalent à un
générateur de courant dont l'intensité du courant électromoteur est égale
à l'intensité du courant de court-circuit entre A et B (IN). et de
résistance interne ~ égale à la résistance vue des points A et B , toutes
sources indépendantes éteintes.
Remarque:
Par définition même R,; est égale à RTH .
[

[ A ' - - - r _.. A
Réseau
électrique R,. u
linéaire

B 1....--'-_.. B
Fig.J.14 : Théorème de Norton

111- 6. Théorème de Millman:

La tension V NM d 'un réseau électrique comportant n branches en


parallèle est: (Fig.1.lS)
,--_ _, __ ______---,.-_.. N

,
I~
V = i_1 Ri
NM n 1
I -Ri
i_1 e, e. M

Fig.LIS: Théorème de Millman

111- 7. Transformation de Kennely:


Ces transformations sont liées aux associations de dipôles en
"triangle" ou en "étoile". Le passage de la structure en triangle
(A"A"A,) à la structure en étoile (A"A"A"M) sera comme suit:
(Fig.1.l6)
Méthodes d'analyse des circuits linéaires Il

A,

11 A, T,

R,

l,
A,
R, A,
Fig.1.16 : Transrormation de Kennely

' ~ _ r oT + T 0T] + Tj oT]


T1 - --c--=
=-RI +R-",,:,,
,R:c:.L
R, + R,
R1 - l 2 2
fi
Rl ,R,
Avec
" RI + R, + R,
, _ T1or) +r)T,.r} +r, .r)
R -

RI ,R, _
r, = - --':----"--::--
RI + R, +R J
,
R -
TI ,T2 +r2,r] +rl,r)

rJ
Méthodes d'analyse des circuits linéaires 13

METHODES D'ANALYSE DES CIRCUITS UNEAIRES


(ENONCES DES EXERCICES)

Exercice 1
1. C~lc uler la diff.j\rence de potentiel (d.d.p.) E. aux bornes du réseau l, puis
la rés istance RAB vue iles bornes A et B du réseau fi (Fig. I. 17).
R, _! ::z 2; :" A R, A
)" ~\

E R,
fV'8 R,
B

Réseau J B Réseau II
Fig.l.l7

2. En utilisant les lois de Kirchhoff, calculer le courant qui passerait dans


une résistance R placée entre les bornes A et B du réseau 1. Montrer que ce
courant peut se mettre sous la fonne :

1=
~ '8 +R
Conclure.
Application du théorème de Thévenin: CaJculer la tension Vs du circuit suivant:
(Fig. l.1S)
R, R, R,

E R,

R, Vs

R,
D
B
Fig.l.lS
14 Excr-cices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Exerdçç l
Calculer la lension VAB du circuit suivant (Fig,1.I9) en utilisant les
, théorèmes de : R,
R, A

- Millman
- Superposition E, R, E,
- Thévenin
- Norton
B
Exertite 3 Fig. 1.19
En utilisant le théorème de Thévenin, calculer la tension V AB du circuit ei-
dessous (Fig. 1.20). En déduire le courant 1 dans la résistance R.
R, A
~
~

[
R,
~
[0 R
t'- R"
"- R,
cr E B

Fig.l.20

Exercice 4:

Déterminer la tension Vaux bornes de la résistance R du


circuit suivant (Fig, l ,2 1) en utilisant successivement:
a - Le théorème de superposition.
b - Le théorème de Thévenin.
c - Le théorème de Millmail.
, -__- ,____, -__, -__A

V
R

Fig.l.21
Méthodes d'analyse des circuits linéaires 15

Exercice 5
Trouver le courant 1 dans le circuit ci-dessous (Fig. 1.22) par application des
théorèmes de Millman et de Norton.

2 VJr.",'" 1
t
60 20 40 80 60 20

Fig.1.22

Exercice 6
Détenniner les intensités dans les différentes branches du réseau ci-dessoua
(Fig. 1.23) par application du théorème de superposition.
A.N.: E, = 2 V;E, = 1,5 V
R , = 1 {J '; ""~ = 3 {J 'R
, J = 2 {J 'R
• 4 = 6 {J 'R
• S = 5 {J '• R(1 = 0 {J

R, 1. C 12 R2

E,
A B
1,
R, R, R.

l, D 1;

R. E,
+-
Fig.1.23

Exercice 7 :
3- Détenniner Je générateur de Thévenin équivalent au circuit ci-dessous
vu des points A et B: (Fig.1.24)
On donne :
E, ~ 8 V; E, ~ 12 V; E, = 2 V;
Ro = 5 Cl ; R, = 10 Cl ; R, = 15 Cl ;
R, ~ 20 Cl.
b- Déterminer le générateur de Norton équivalent.
16 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogiqu e

D A

'J
", R,
El

R, E,
"
R, E,
B

F ig. 1.24
Exercice 8
Déterminer la tension aux bornes de la résÎstance R du circuit
suivant (Fig. I.25):
E,

R, R v
10

Fig. 1.25
Exercice 9
1. Quelle valeur faut-i l donner à la f.é .m. E, dans le circuit repréienté ci-
contre (Fig. 1.26) pour qu' il soit équivalent (entre les bornes A et B) à
une résistance pure ?
2. Donner la valeur de cette résistance.
18V, 4n 50
A

50 100 100

50 B
6V.! 0 E
Fig. 1.26
Méthodes d'analyse des circuits linéaires 17

l:J:ercice 10
On considère le réseau de la figure ci-dessous (Fig.1.27) où tous les
sénérateurs de tension ont la même force électromotrice (f.é.m.) E, tous les
générateurs de courant débitent le même courant 1 el toutes les ré~i~tance~
ont la même valeur R.
1 • Déterminer le générateur de Thévenin (E"., R.nJ vu des points A, B.
2 . Déterminer le générateur de Norton (IN' RN) entre les points B, C.
ABC

R R

1 R
E

R
R
1 E R

Fig. 1.27
F.xercice Il
On se propose d'étudier le circuit de la Fig.I.28
1. Quel est le type de la source ( l VI? Par rapport aux points C et 0 :
2. Détenniner le générateur de Thévenin é.quivalent.
3. Calculer de deux façons différentes, la résistance interne de cc générateur.
c

Fig.J.2S D

Ec est un générateur de tension et a.V 1 est une source liée.


Exercice 12
On veut associer en sérIe ou en parallèle deux générateurs parfaits de tension
ou de courant. Panni les cas envisageables. préciser quelles sont:
• Les associations "interdites", c'est à dire risquant de conduire à la
détérioration de l' un au moins des générateurs.
• Les associations "pennises". Donner alors les générateurs
équivalents à ces associations.
Méthodes d'analyse des circuits linéaires 19

METHODES D'ANALYSE DES CIRCUITS LINEAIRES

(CORRIGES DES EXERCICES)

f.:xerCÏce 1
1•
• L'application de 1. loi des maiJ1es dans le réseau 1 (Fig.1.I7) pcm1et
d'avoir:
E - R,.!, - R,.I, = 0 Co> E = (R, + R,).!, (1.1)
(1.2)
R, A
l,

Réseau 1
l,
R,
i 8 )
Fig.!.17
R,
(1.1) el (1.2) permettent d'avoir Eo ~ .E
R , +R,
C'est un diviseur de tension.
• La résistance vue entre les points A et B du réseau Il est:
R ~ RI·R,
A.
RI + R,
2. On place une résistance R entre les points A et B (Fig. 1.29):
RI l' A
R.R , .
On pose r~

R+R , J
R, ·R
d'où T' E 8
R I+r.
Fil(.J.29

En appliquant la règle du divÎseur de courant, on aura:


R
I~ , r
R + R,
20 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

et par suite

E.R,

Qui peut être réécrit comme suit: 1= R, + R ,


R+ R,.R ,
(R, + R, )

Conclusion:
Ce résultat est aussi obtenu beaucoup plus rapidement par application du
théorème de Thévenin:
.
On peut remplacer tout réseau électrique linéaire (vu de deux de ses bornes)
comportant plusieurs mailles par un simple circuit constitué par un
générateur de f.é.m. ETh = Eo et de résistance interne Rn = RAil comme
l'indique la Fig.l.30.

Par application de la loi des mailles, on vojt facil ement que:


RAB A

E,
1 = -=-~­
R + R 'B R
B

Fig.1.30
Application:
En réalisant une coupure au niveau des points C et D dans le circuit de la
Fig.I.18, nous obtenons ainsi le schéma suivant: (Fig.I .3 1)
R, R, c

R,
Uen
R,

Fig.I.31 D
Méthodes d'analyse des circuits linéaires 21

Calculons la résistance interne du générateur de Thévenin (El. r,) vue des


points C et D. La f.é.m. est parfaite et pour l'éteindre on la remplace par un
court-circuit, d'où le schéma suivant:
R, R, C R, c
R,
R,
R, D
D

Fig. 1.32
Ainsi la résistance équivalente vue des points C et D est:
R,.R,
R eD = rl = . +Rs
R, +R,
La f.é.m . E, de Thévenin est la tension U CD à vide (ne rien brancher "ntrc les
bornes C et D) et c'est aussi la tension aux bornes de la résistance ~! d'où:
,
E, = R, .E (les résistances R, et R, n'interviennent pas dans le calcul)
.R, + R,
Le schemli de la Fig. l.l 8 est donc équivalent au schéma suivant: (Fig. 1.33)
fi R, A

R. r Vs

Fig.1.33 B

Un raisonnement analogue au précédent nous permet de détenniner le


générateur de Thévenin équivalent vue des points A et B: (R, débranchée)
R, f,.R ,
On trouve E l = .E I et rl = + R7
rI +R6 ri +R6
On a ainsi le schéma suivant: (Fig. 1.34) r,

R,
D'où Vs = .E,
rz + R,

Fig. 1.34
22 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Excrdee Z
Le ~ehéma de monlage élanl celui de la Fig.1.19:
a) En appliqu:mt le théorème de Millman , on obtient:

El _ E ,
R, R,
1 1 1
- + - - + --
RI R, R 3.

R "E, - RI,E,
D'où V AD - (1.3)
RI,R ,
R 1 + R 2 + ~'---'­
R,
bl Application du théorème de superposition:
• E, ~ 0 (Fig. I .35l

En utilisant la règle du diviseur de tension , on obtient :


Rz.RJ , E1
VABI~ R,+RJ D'où
R ,.R , +R ,
R z+ R ,

RI R,
A

R,

Fig, I.3S
• E, = 0 (Fig. 1.36) R,
Dc \u même façon :
R, A

- R"E,
VAO' = R R R, Ez
,
R +R + , " ,
R,
B
Fig, 1.36
Méthodes d'analyse des circuits linéaires 23

Finalement, V AB ~ V AB' + V AB' nous donne de nouveau l'équation (1.3).

c) Théorème de Thévenin :
Pour cela, on débranche la charge R, (Fig.I.37 )
A l 'aide du théorème de Millman, on obtient:
RI R,
El - -E,
- ,A
U _ RI R,
Th 1 1
- +-
R, R, LUTh
Fig, 1.37
A
_ RI·R,
et RTh - (Fig. 1.38)
RI +R , RI R,
Jl

Le circuit devient alors (Fig. I .39): ( ~,, ;~' ~ ~ ôr'-- )


RTh
",

Fig,1.39
En remplaçant U Th et RTh par leur expression, on retrouve l'équation (1.3)

d) Théorème de Norton :
Calculons le courant de court-circuit: (Fig. 1.40)
R, R,
Il A

E, Icc E,
B
et
Fig. 1.40
24 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogiqUe

D'où le schéma équivalent: (Fig. l AI )


A

~ Î:-

Exercice 3
Le schéma du montage. lorsque la charge R est débranchée. est le suivam
(Fig.1.42):

On obtient: VAB
R •. E, - R,.E.
R,+R.+R~~, R, A
'l,
l,

l,
, .
Ro VABO

E
B

Fig.1.42
• Déterminalion de RAB
Il faut ouvrir les branches des générateurs de courant et court-circuiter
les générateurs de tension parfaits.
A
Le schéma devient alors (Fig. 1.43) :
~

[ Ri
) Ro Il
J R,
B

Fig.1.43
Méthodes d'analyse des circuits linéaires 2S

• Calcul de V ABO
D'après le schéma de la Fig. 1.42, on peut écrire:
,
V ABO = E + R, .Iz· (1.4)
.
10 = l, + l, par suite l, = 10 - l, (1.5)
VABO
Le courant dans R, est nul, par suite l,' = -
Ro
V
(1.5) devient: l , =.1-~
Ro
En remplaçant l, par son expression dans la relation (1.4), on aura:
\
V = R •.(E+R,.!)
W'! - R o +R 2

• Détennination de la tension V R
En remplaçant le dipôle AB par le générateur de Thévenin équivalent
(V ABo, RAB), on obtient le sché,:"a de la Fig. l .44.
"
RAB A

B
l'Î
R
V.

Fig.l.44

Une simple application de la règle du diviseur de tension, permet


d'écrire :

D'où l _ VR = Ro·{E + Rz.!)


R- R {Ro+RzHR+RJ)+Ro.Rz
26 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

E~e reic ~ 4
.) Théorème de superposition:
On peut remplacer le schéma de la Fig.1.21 par la superposition de trois
étnts d'équilibre comme l 'mdique la Fig. 1.15 .

, -- -----,,----.---,-- --0 A

R V

(c)

Fig.1.45
Le principe cons iste à calculer V" V 2 et V 3 et par la suite en déduire V:

• Circuit <a)

1
avec R ,ql; J 1 1
TR+
, R )
Méthodes d'analyse des circuits linéaires 27

• Circuit (b)

1
avec R"" = 1 1 1
- +- +-
RI R, R

• Circuit (c)

V, = R"" .E, avec


R"" +R,

Finalement

b) Théorème de Thévenin :
r-----,--.---....:.....,A
!,
R,

L-_~_ _ i -_ _ --eB
Fig. 1.46

D'après le schéma de la figure ci·dessus (charge R débranchée), on peut


écnre :

D'où.
_E"",--+
__V--,Th-,,- E, - VTh
- + =0
R, R"
El E, E,
- - - +-
soit finalement: V = RI R, R,
Th 1 1 1
- +- + - --
. RI R, R,
28 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Pour calculer Rn., il suffit de court-circuiter les générateurs, d'où:

1
RTh = 1 1 1
- +- +-
R, R, R,

Le schéma devient comme l'indique la Fig. 1.47 : RTh

On il ainsi V =
R
,VTh
r-e==r---~R rV

R+RTh
Fig,1.47
e) Théorème de Millman :
L'application du théorème de Millman permet d'écrire :
E, E, E,
- - - +-
V= R, R, R,
1 1 1 1
- +- +- +-
R, R, R, R

Exercice 5
Déterminons le courant 1 qui traverse la résistance R = ln.
1

V R

Hl 40 80 60 Hl

Fig,J.22
al Théorème de Millman
En appliquant le théorème de Millman, la tension V sera donnée par
la relation suivante :
Méthodes d'analyse des circuits linéaires 29

• :tE, =6+ 4 _ 12+ 4_~+~=!A


'~I R, 6 2 4 8 6 2 6
Nil 1 1 1 1 1 1 65_ 1
• I-+~= -+-+-+- +-+-+I=-()
'~I R, R 6 2 4 8 6 2 24
D'où Y = 61,5 mY
3
=:> 1 = V = 61,5.10-
R 1
1 = 61,5 mA
b) Théorème de Norton
En appliquant le théorème de N.orton, on aboutit au réseau
équivalent ci-dessous (Fig. 1.48) :

6n 2n 4n 8n ~n 2n 1
f
Fig. 1.48

Sachant que:
N E, 6 4 12 4 8 2 1
• IN = L - = - + - - - +---+-=-
'~I R, 6 2 4 8 6 2 6
1 ~ 1 1 1 1 1 1 1 41 _1
• RN esttelque - = L...-=-+-+-+-+-+-= - ()
R N ' ~I R, 6 2 4 8 6 2 24

La Fig. 1.48 est ainsi équivalente à la Fig. 1.49 :


[

La règle du diviseur de courant


permet d'écrire: IN v R=ln
0,585
1 RN.!N 6 615 mA
RN+R 1,585 = ,

Fig. 1.49
30 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Exercice 6 :
Sur la Fig.I.II nous avons deux sources de tension, donc on va considérer
de\JX circuits comportant chacun un seul générateur de tension.
a) Circuit 1 (Fig.1.50) :
R, (, c (, R,
E2~ O ; Ro~O

A l , B
R,
R, R.

(, D 1'.
1.

Fig.1.S0

Le pont est équilibré puisque RJ.R, = R~ RJ


-+ Le courafll qui traverse R5 est nul.

Ce qui permet d'écrire:


["_["_VA -VB et [" _ ( _ V A -VB
1 -1- 3 - 4 -
R, + R, R , +R.
Puisque VA - V Il = El. alors:
I", = 1", = 0,5 A et 1", = 1". ~ 0,25 A

b) Circuit 2 (Fig.1.51) :

c ·, D
i: D ~O
·.
• • ' '6
"'
R,

l ,

Fig. 1.51
Méthodes d'analyse des circuits linéaires 31

Entre C et D, on voit la résistance ReD :

ReD = (R , II R, )+(R ,II R,)


3 12
A ,N, R eD =-+ -
4 8

R eD = 2,250

D'où on obtient le montage de la Fig. 1.52 :


R,
, E,
" = --'::---
R , + ReD
E,
1; = 0,21 A Reo

Fig,1.52
Le pont est équilibré -+ (6 = ° (,= -l",
~ et ( , =_(,
,_ Ve -V D Ve- V
I, -
R, +R,
et ',= ---'~---'<.
'

R, +R,
D

Puisque Ve - V D = E, - R,. ( , = 0,465 V, alors:

1", = - 0,16 A 1", = 0,05 A


l'', = 0,16 A l'', = - 0,05 A
Finalement, on obtient:

l, =l', + .... = 0,35 A ; .,=1',+"',= 0,55 A


.,=l',+I'',= 0,41 A , l, = l', + l'', = 0,20 A

Exercice 7
a) Générateur de Thévenin:

• Pour calculer RTh. il suffit de court-circuiter les générateurs de ten sion


E" E, et E, d'où:
_ R,.R ,
R Th - + R.
R, +R ,
31 Exercices et problèmes corrigés d'électronique: analogique

• La tension VCB = E" on peut ainsi simplifier le circuit (Fig.I.S 3) :


R"

R,

E, v,:"
R,

L -_ _ _...J....._ _ _ _ _ ~B

Fig.l.53

Le courant traversant Ro est nul puisqu'on a un circuit ouvert entre les


points A ct B -+ VTh ~ VD• .

Par application du théorème de Millman, on trouve :


E, E, + EJ
- +- -
R, R, _ E,.R, + (E, + E,}R,
Y Th = 1 1 R, +R ,
- +-
R, R,

b) Générateur de Norton:
Etant donné qu'un générateur de tension en série avec une résistance est
équivalent à un générateur de courant en parallèle avec la même
résistance, d'où la Fig.I.54 :
D R" A
, - - - -.......--c:::::J--A
R,
[1 R,

L-_ _- L_ __ _ _ B B

Fig. 1.54

E, E, + EJ
Avec I, = - et l , ~ '::";'''':'''::2.
R, R,
Méth<.Hies d'analyse des circuits linéaires 33

Le courant de court-circuit ou le courant de Norton est la somme de ces


deux courants Il et Iz.
E, E, +E, R,.R,
1. = - + et R.=R",= + Ro
R, R, R, + R ,

Exercice 8 :

E,

R, R, R v
10

Fig.L2S

Par application du théorème de Millman, on obtient


E , E, - E,
l 0+ - +
V= R, R,
1 1 1
- +- +-
R, R, R

Exercice 9
18 V, 4 n 5n
A

5n (/J) Ion
E
IOn

B
6V, 1 n 5n
Fig. 1.26

1. Dans la maille (1), on a deux générateurs en sene. Ces deux


générateurs sont en opposition donc la F.é.m. équivalente est:

E , = 18 - 6 = 12 V
34 Exercices ct p.-oblèrncs corrigés d'électron ique analogique

En remp1açant le générateur de tension par un générateur de courant, on


aura le schéma de la Fig. 1.55 :
c sn
A

l, IOn Ion IOn

B
D sn
Fig. 1055
12
Avec l' = - = 1 2A
, 10 '
On regroup<: les deux résistances de 10 Q en parallèle entre C et D ct on
revient à la représentation de Thévenin (Fig. 1.56).
C r'--~ c
50
l, sn
D D

Fig. 1056
Avec E', -5. I,2=6V
On obtient ainsi un circuit électrique ayant une seule maille (Fig. 1.57)
sn

sn
IOn

B
sn
Fig. J.57
D'après la Fig. 1.44, pour aVOIr un CIrcuit equivalent à une résistance fO
entre A et B, il faut que E = 6 V(car E', = 6 V).

2 . La résistance éqUlvalente est:


r = 10.(5 + 5 + 5) _ Hl
o 10+5+5+5
Méthodes d'analyse des circuits linéaires 35

Exercice 10
1- Générateur de Thévenin (entre A et B)
• Détennination de RTh
Il faut court-circuiter les générateurs de tension et ouvrir les
générateurs de courant (Fig.I.58) A B c
R R

R
R R
Fig.1.58

• Détermination de ETh
Pour déterminer Eth (tension entre A et B), il vaut mieux
appliquer le théorème de superposition (Fig.I.59):
A E C
A B C
R F
R R

R
1 R R
R
R R
R

LEE lE]
A B C A B C

R R F
R

E
R
R

R R R
R
E

LEE Fig.1.59
IGTI
36 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

':'Circuit (a) :
Le circuit est équivalent à la Fig.I.60:
A V,.. B
VABI =R.I
R
1
':'Circuit (h) :
R

Fig. 1.60

Car R n'est traversée par aucun courant, puisque c'est une


branche ouverte.
';'Circuit (c) :
VAB'~O

':-Circuit (d) :
VAB4~O
O'où finalement:
y A8 = VABI + V ABl + V A83 + V AB4 = R.I

Z· Générateur de Norton (entre B et C)

• Détennination de RN

Entre B et C la résistance vue est : (Fig. 1AS)


R
RN=R II R=-
2
• Détennination de IN
Oe la même manière :

·:·Circuit (a) .. V BC I = 0

':'Circuit (h) -+ VBC2 =O


R E
':'Circuit (c) -+ V BC3 = -.E =-
2R 2
R E
·:·Circuit (d) -+ V BC4 =-.E=-
2R 2
D'où V oc = VOC1 + VBC2 + Veel + YBC<4 = E

_ 2.E
Ce qui permet d'écrire : 1 N -
R
Méthodes d'analyse des circuits linéaires 37

Exercice 11
1- aV 1 est un générateur de tension commandé en tension.

2- D'après la Fig,1.28 :

V,= EG- R,. 1 (1.6)


1= aV, (1.7)
R , +R , +R4
V CD = -R.,.! (1.8)
D'où:

ou aUSSI

(R, + RJ + R.).E G
(1.9)
(l+a).R, +RJ +R,

Les équations (1.7), (1.8) et (1.9) permettent facilement d'établir la relation


suivante :

-a.R,.Ec
V CD = E Th = 'C'C--'-:::--"--=-'''--- (1.10)
(1 + a).R, + RJ + R,
3- La résistance RTh est la résistance vue entre C et D . On peut la calculer
par deux méthodes différentes.

a) Première méthode:
On court-circuite l'entrée et on place un générateur de tension parfait
en sortie (Fig.1.61).
v, R,
R = Vs
Th 1
s R, Vs

Fig.1.61
38 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

La loi des mailles, nous permet d'écrire:


V, ~ -R,.f ,
-V, + R,.f , - « .V, - V, = 0
Vs
D'où ""7"" =R, + (1 + a).R, et Is" ~ -Vs
~ R,
Et finalement :
V
RTh = - ' = [RJ + (1 + a).R,l" R.
l,

h) Deuxième métbode (généralement utilisée avec les souro..


liée,):
D'après l'équivalence Thévenin-Norton, on peut écrire :

RTh=:En
IN
Or En est déjà ca\culée : (Equation 1.10)

Calcul de IN :(Fig.1.62)

V, R,
r---._
R, IN

Fig. 1.62

« .V, + IN.(R, + R,) = 0 (1.11)


Eo -V , +R, .IN = O (1.12)

(1.12) donne: V, = Eu + R,.lN


Dan, (1.11) :
Cl EG + Cl. R' .!N+ lN.(R, + R, ) = o. D'où IN= (l+a).R,+RJ
-aEc

[RJ+(I+u).Rl]. R,
Et finalement :
(l+U).Rl +RJ+ R.
Métbodes d'analyse des circuits linéaires 39

Exercice 12
Pour être pennise, une association de générateurs doit conduire pour
chacun d'eux à un point de fonctionnement correspondant à des valeurs
finies de l'intensité et de la tension aux bornes.

Etudions de ce point de vue les différents cas possibles:

a) Deux générateurs de tensions en série: (Fig.1.63)


Cas classique, l'ensemble est équivalent à un générateur de temiion
umque.
E, E, El +Ez

e e <=l
Fig. 1.63
e
b) Deux générateurs de courant en parallèle: (Fig. 1.64 )
l,

-(B-
l,
Fig.1.64

c) Deux générateurs de tensions en parallèle: (Fig. 1.65)

Fig.l.65

Possible dans le cas particulier El = E2•

d) Deux générateurs de courant en série: (Fig.I.66)


l, l,

Fig. 1.66
Possible dans le cas particulier Il = h
40 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

e) Association mixte série: (Fig.l .67)

l, E, l,

(Bl--
Le courant dans la
branche eSI imposé
et vaut l,
Fig. 1.67
Association permise.

f) Association mixte parallèle: (Fig.I .68)


l,
E,

E,
Fig.1.68

La. ten sion aux bornes de l'ensemble est imposée et le courant


parcourant le reste du circuit peut prendre une valeur que lconque .

D'une Cayon générale, il faut penser au théorème de Thévenin pour


calculer le générateur équivalent.
CJ{.J,.rpI<[~P' 2
CFR.GVn$ fEDECl7RJQVŒS fE'NCJ{fEqI:MfE
<J!Rfl'NSI'l'OI(j{fE fE'l' SI:NVSOÏCJJ.llL
CIRCUITS ELECTRIQUES EN REG IME
TRANSITOIRE ET SINUSoïDAL
(RAPPELS DE COURS)

1- Ré2,ime transitoi r e

I-I-Définition :
Le régime transitoire (temporaire) est défini lorsqu ' il existe un
intervalle de temps où les courants et tensions évoluent pour
atteindre leur valeur finale.

1-2-Etude d'un circuit RL :


Considérons un circuit électrique (représenté par la Fig.2. 1)
comportant une source de tension de f.é.m, E en série avec une
bobine et une résistance R.
L

é.-
K

E 1t R t •- " ','. . - y. '


,,\

Fig,2.!

A la fermeture de l'interrupteur K, l'application de la loi des mailles


permet d'établir l'équation suivante :
di
L - + R .1' = E
dt
C'est une équation différentielle de 1cr ordre admettant comme
solution générale:

i(t) = A.ex p ( - ~ t) + :
A est une constante à déterminer par les conditions initiales.
Supposons que: i = 0 à t = O. d 'où A = _!.
R

Par suite i( t) = : [ 1 - ex p( - ~ t)]


La rapidité de l'évolution temporelle est caractérisée par la constante
de temps t du circuit définie par:
L
1=-
R
44 Exercices el problèmes corrigés d'é lectronique Sln210gique

Le comportement du courant lors de l' établi s:~eme n t du régime est comme


suit: (fig.2.2)

E
.__ ........... ,,_.. _...- .........................-.. _-_ ..-...•..-
R ,".
,, ,
,
,,
t

a '[
Fig.2.2

Si on ouvre l'interrupteur K à nouveau, le courant suit l'évolution suivante:


(Fig.2.3)

E
R

a '[
Fig.2.3
1-3- Etude d'un circuit Re :
Soit le circuit électrique de la Fig.2.4 :

Kl?q vc
E T
TL._-----'_
-q

Fig.2.4

Le courant i est donné par: i(t) = dq


dt
q étant la charge d'une annature du condensateur.
n en résulte d 'après la loi des mailles:
E = R.i + v c = R. dq + .i
dt C
Circuits électriques en régime sinusoïdal et transitoire 45

C'est une équation différentielle de 1er ordre dont la solution est:

q(t) ~ A.exp(- ;C) + C.E


La constante A est déterminée par la condition initiale:

à t=0 q(t) ~ 0 soit A ~ • C.E

d'où q(t)~c.E{I-exp(-;c)]
• L'évolution en fonction du temps de la tension aux bornes du
condensateur est donnée par la Fig.2.5

q/C

E ~"."~."~." "I. ".~~"""""""~ _... _.. _ .•.•• ................ ... ...... .


~

o RC
Fig.2.S
• Cependant le courant est de la forme : (Fig.2.6)

EIR

o RC
Fig.2.6
L'intensité s'annule progressivement lors de la charge.
L'énergie stockée par le condensateur est:

~ -'-' ~ ~ -'- .C• E'


Ue
2 C 2
46 Exercices et problèmes co.-rigés d 'électronique analogique

1-4- Etude d'un circuit RLC :


Soit un circuit comportant une résistance R, une self L et une
capacité cn série avec un mterrupteur K (Flg.2.7).
R L

K\~.
1 J
••
Fig.2.7

Supposons que le condensateur 59)t initialement chargé (q(t= O)=Qo et


i(t~ O) ~ 0). Fennons l'interrupteur K, les charges vont s'écouler à
travers la résistance R et la self L créant un courant i.
Nous pouvons à l'aide de la loi des mailles établir l'équation
dIfférentiell e du second ordre:
L d' q + R dq +.1 ~ 0
dt ' dt C
. 2 L
Le dlscnmmant ~ :::;; R - 4. -
C
Suivant la valeur de 6, nous pouvons distinguer troiS cas:
• 6>0
La solution de cette équation se présente sous la forme:
q(t) ~ A.exp(- r,.t)+ B. exp(- r,.t)

R /R'l
r, ~-2L +V4ïJ - iC
avec:
R-
r --- ~2 1
----
, - 2L 4L' LC
A et B sont des constantes à déterminer à partir des conditions
initiales.
q

ILII=> C'est le régime


apériodique

Fig.2.S
Circuits électriques en régime sinusoïdal et transitoire 47

• 6 <0
L'équation caractéristique a deux racines complexes
conJuguées:

n ~ - R +'
R' 1 .
- -- +-~-a.+ J(O
2L 4U LC
n~ - JL - R'
. - --+ 1 .
- ~ - a. -J(O
2L 4U LC

La solution de cette équation se présente alors sous la forme :


q(t) ~ K.exp(- a. t)cos(w t +<1»
avec q o~ K cos(cp) et Il ~ - w tan(cp)

q
-- ...._,-
.......
.~

-- 'ICI~>
C'est le régime pseudo-
périodique ou
oscillatoire amorti

/ Fig.2.9

• ,.,,~O

la solution de cette équation se présente sous la forme :


q(t) ~ (A + B.t )exp(- a t)

C'est le régime
ICII ::::::> critique

Fig.2.10
48 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

11- Régime sinusoïdal permanent


On adopte une notation complexe pour étudier les circuits électriques en
régime sinusoïdal pennanent. A toute grandeur instantanée A(t) (tension ou
\iVI,lHml) ;:;iuui::iv"idalc de valeur efficace Aeff :
A(t) = A .rr.J2.cos(rot + CPA)' on associe la grandeur complexe:
A = Ac« . .J2.e j
(wt+
IP A
)

Ainsi, les lois de Kirchhoff s'écrivent en grandeurs complexes:


2)N =0 el 2>N =0
N N

II-l-Puissam;e reçue par un dipôle:

i(t)
~
jc
yipôle
.
v(l)
Fig.2.11
• L" pui1:i~ance instantanée cst définie par:
pet) = v(t).i(t)

• La puissance moyenne(") reçue par le dipôle dans le cas d'un .régime


périodique de période T est définie par:

Pm = -1 fT P(l).dl
T 0

Rappelons aussi qu 'en régime sinusoïdal permanent, la loi d'Ohm reste


valable: (Fig.2.l2)
! z
~--I~"""'c:::J"I---

V
Fig.2.12

(*) La puissance moyenne est aussi appelée puissance active:


Pm = V eff . ~ff . cos( <Pv - <Pi) ; cos( <Pv - <pa est le facteur de puissance du dipôle.
La puissance complexe:
1 •
P=-.V.I
2 --
et Pn,
..
= Rel(.r:) ; avec 1" le conjugué de 1.
Circuits électriques en régime sinusoidal et transitoire 49

L'impédance Z peut être celle:

~ D'une résistance R -+Z= R


dV
~ D'un condensateur C -+ Z = -l- ,
pUIsque 1 =C~
- jCoo - dt

~ d'une bobine L -+ -Z = J'Loo puisque V = L dl


- dt
• L'association de dipôles linéaires d'impédances complexes ZN peut être
en série ou en parallèle:

~ Association série: Z = l ZN
N

"-
r "
ASSOc latlOn para Il e' 1e : -l = ,,1
i..J-
Z N ZN
D-2-Etude des phénomènes de résonance:
• L'impédance complexe d' un circuit RLC série (Fig, 2,13) est définie
par l'équation suivante :
R L
~ = R + j{Lro - d)
~
Z=
V v
D 'où I=--~--,--
-
R + j{Lro- -
1
Coo
) Ji
Si on pose:
Fig.2.13
00 1 Loo 1
x = - 'ro = et Q = _ _0 = : facleur dequalilé
00 0 ' 0 .JLC R RCroo
L'expression de l'intensité du courant devient alors:
1= V
- R(l + jQ(x <))
! est complexe, on peut détenniner donc son module et son
argument:
50 Es:erc:ices et problèmes torrigés d'électronique analogique

L'amplitude 1 du courant est maximale et le déphasage <jl est nul pour la


pulsation IDQ,
On dit que le circuit est à la résonance. La pulsation COo et la fréquence
corrcspondante fo = rool27t sont appelées respectivement pulsation
propre et fréquence propre du circuit.
Dans ce cas l'impédance Z est minimale et on a :
V
Z=I?j=-I =R
~

La courbe de résonance (1 en fonction de 00) est représentée sur la figure2. 14.

1
vnt ----------------

V
-~~ ------

.J2R

+==:::::=-----+---!-~-_..::::::::""' ......~ ("


(01 mo W2

Fig, 2,14
Les pulsations (0 1 et (02 sont appelées respectivement pulsations de coupures
basse et haute et sont déterminées en résolvant l 'équation :

z-- 1.J2 --~


11111:<

.J2R .
On trouve:

(0
R
;;;;--+ -
R' ,
-2 +<0 0 et (O ~
R
=-+ -
R'
-2 +00 0
,
1 2L 4L 2L 4L
00
0
On appelle .lOlo = 00, - 00 1 =- la largeur de bande.
Q
La tension aux bornes de la bobine est:

VL = jLrooI = jLOlo ~ = jQ.V

demêmepour V c = . 1 !=-jQ.V
jeOl o
si Q > l , il y'a surtension aux bornes de la bobine et du
condensateur, d'où le nom de coefficient de surtension pour Q.
Circuits électriques en régime sinusoïdal et transitoire 51

• Cas d'un circuit RLC para llèle (Fig.2. IS) :

R L -'-
v
-~ C

Fig,2.IS

L'admittance de ce circuit est donnée par :


1 1
Y= ~=- +J(Cûl--
. 1 ) = G + J'(C ûl- - 1 )
- V R Lw Lw·

L'étude de ce réseau peut être ramenée à celle du circuit RLC série à


condition de remplacer l par V, R par G, L par C et donc C par L. Ainsi
les résultats obtenus pour le circuit série sont utilisables pour le circuit
parallèle.
L' admi ttance Y=IYI est mi ni male (Y m;' = G) pour une pulsation
Wa = wo, dite pulsation d'antirésonance. Nous pouvons avoir dans ce cas
une surintensité dans la bobine et le condensate ur.

1I-3-Représentation de Fresnel:

A chaque grandeur sinusoïdale du type A(t) = A o.COS(ûlt + <jl ) ,

on associe un vecteur d'ampli tude Ao et tournant avec la vitesse angulaire w


mais que l'on représente à l'in stant t=O.
A(t) sera représentée par un vecteur A de module Ao ct fai sJ'11 un angle t:p
avec l'axe Ox.
La dérivée de A(t), ie dNdt = -",A. sin(",t + <pl = "'A. cos(",t + <p + ,,/2)
sera associée à un vecteur J d'amplitude
- wAo et en quadrature avance
sur A .
La primitive de A(t), ie fAdt = (ArI",) cos("'t + <p - ,,/2) sera associée à un

vecteur K de modul e Nro en quadrature retard sur A , donc en opposition


de phase par rapport à J .
52 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

D'où le schéma suivant:


-J

Ox
K

La constructÎon de Fresnel pour un circuit RLC série se déduit facilement du


schéma de pnnclpe précédent. Ainsi en prenant le courant comme origine
des phases nous obtenons le schéma SUlvant: .

RI
Lorsque cp est positi f, le courant est en retard par rapport à la tension et le
circuit est globalement mductif.
Circuits électriques en régime transitoire et sinusoïdal 53

CIRCUITS ELECTRIQUES EN REGIME


TRANSITOIRE ET SINUSOÏDAL
(ENONCES DES EXERCICES)

Exe rcice 1

Soit un circuit électrique formé par un condensateur C. un interrupteur K et


un générateur de courant rée l, d'intensité 1 et de résistance interne R
(Fig.2.16).

On donne : Fig.2.16
R ~ 5 MO ; C ~ 1 f.LF ; 1 ~ 1 f.LA

A l'instant t = 0, le condensateur étant i nit i al~ment déchargé, on ferme K .


• .1. _ .

1. Ecrire l"équation différentielle à laquelle obéit la charge Q du


condensateur et la résoudre.
2. En déduire l 'expression du courant idt) ainsi que la tension ud t) ct faire
leur représentation graphique.

Exercice 2

On se propose d'étudier les évolutions respectives de la tension aux bornes


d' un condensateur C et de celle aux bornes d ' une bobine L, dans les circuits
représentés ci·dessous : (Fig.2. 17 et Fig.2 .18)

l, R K R
"
E,
E, R vell C

Fig.2 .17
54 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

R K R l ,
"

E',
R v (t)! L E',

Fig,2,tS

.
1. A l'instant t ~ 0, on ferme l'interrupteur K et on suppose que le
condensateur C est complètement chargé. Détenniner la différence de
potentiel vit) aux bornes du condensateur C.

2. A l 'instant t ~ 0, on ferme l' interrupteur K', Déterminer la différence de


potentiel y'(t) aux bornes de la bobine L.

Exercice :1

Une bobine réelle peut-être modélisée par le dipôle AB schématisé par le


circuit de la Fig,2,19,
L R2
1 1
A
r'"~ R,
t
B

Fig,2,t9

L; coefficient de self inductance,


RI : résistance de fuite.
~ : résistance interne de la bobine.

On applique entre les bornes A et B de la bobine une tension sinusoïdale de


pulsation 00.

l, Déterminer l'impédance ZAB de cette bobine,


2. Lorsque RI » ~ montrer que ZAB peut se mettre sous la fonne
a + j,bro
z ~ où a, b et d sont des constantes réelles que l'on
-AB 1+ j,dro
détenninera.
Circuits électriques en régime transitoire et sinusoïdal 55

Exercice 4

1. On alimente le circuit RLC suivant (fig.2.20) par un générateur de


ten sion sinusoïdale.
a. Déterminer l'impédance complexe ZAB ainsi que la fréquence de
résonance.
b. Déterminer le coefficient de qualité du circuit.
c. Calculer à la résonance les ten sions aux bornes de L, C et R.
Interpréter ces résultats
A.N.: R = 50 ; L = lmH; C= lnf.
A R
~ 1 1

B
Fig.Z.ZO

2. Soit le circuit RLC parallèle (Fig.2.2 1) alimenté par un générateur de


courant sinusoïdal.
a. Déterminer l'admittance complexe Y AB ainsi que la fréquence
d'antirésonance.
b. Déterminer le coefficient de qualité.
c. Calculer à )'antirésonance les courants circulant dans L, C et R.
Interpréter ces résultats.
A.N.: R = IOKO , L = IOf'H , C = 1 nF.
A

1
L R c
B
Fig.2.21
Exercice 5

On relie la sortie d'un générateur de force électTomotrice


sinusoïdale d'amplitude Em et d'impédance interne Z = R+ jX à une charge
Zc = Re + jXc·
1. Déterminer la puissance P fournie à la charge.
2. Pour une charge Zc variable ( Re et Xc sont variables), dans quel cas la
puissance P est-el1e maximale?
56 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Exercice 6

Soit le diviseur de tension suivant: (Fig.2.22)

C,
e(t)

R, Cp r
'C t)

Fig.2.22

Cp : Capacité parasite en parallèle à R,.


C, : Capacité variable.

1. Déterminer la tension litt) en fonction de ~(t).


2. Quelle relation doit lier R" R,. C, et Cp pour que le rapport §(t)/~(t) soit
indépendant de la fréquence .
3.
a. Soit R, = 990 kil; R, = 10 kil; Cp = \0 pF.
Quelle est la valeur de C, ?
b. Cette valeur est-elle pratiquement réalisable? Si non comment peut-
on contourner cette difficulté?

Exercice 7

Al On considère un transformateur défini par les paramètres suivants


(Fig.2.23)

" "
<Ct)
v,
' - -_ _...:.--..J
r L, J v,

Fig.2.23

'
L 1 = a. n 1; " L 2 = a. n'2 ;
nI> n2 : nombre de spires des enroulements primaire et secondaire.
LI' Lz : coefficient d'auto-induction.
Circuits électriq ues en r égime tra nsitoire et sinusoïda l 57

On suppose que le couplage est parfait, donc le coefficient de mutuelle


inductance s'écrit: M = .JL1.Lz , et que n l!l + n21 = o.
1. Etablir la relation entre YI et Y2 •
2. Détenniner le schéma équivalent ramené au primaire, pUIS celui
ramené au secondaIre.
3. DédUIre des questions précédentes l'utilité du transformateur.

B) La puissance apparente d'un transformateur parfait en charge cst


S = 3 kVA.
1. Quelle est la pUIssance active fournie par le secondaire, si la charge
est:
a. purement résistive?
b. inductive, avec un facteur de puissance de O,8?
2. Les mesures de l'intensité fournie par le secondaire et de la
tension aux bornes de l'enroulement primaire ont donné:
I zclT = 27,3 A et V le ff = 220 V pour une charge purement résishve .
a. Quel est le rapport de transformation?
b. Quelle serait j'intensité du courant débité par le secondaire si la
charge était inductive (cos <P2 = 0,8), la tension au primaire étant
V,," = 210 V (P, = 2,4 kW)?
I:xercice 8

sOlt e CirCUIt c'1 cctnque sUIvant:

~ R, [ R,

, S
r ,1\ "\

~
\''l[ ,/
R,
R, R ~i R,

e(l)
cp Vs

M
Fig.2.24
Avec e (t) = Ecos wt et vlt) = V" cos(wt + <pl,
1. Proposer un schéma électrique plus simple, et déterminer vs(t) en
fonction de e(t),
58 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

V
2. En déduire la valeur de q> amsl que le rapport _s , que devient ce
E
rapport si 13» 1.
3, Montrer qu'entre les points S et M, le circuit proposé (Re débranchée)
(i1)t équiva1ent à une source de tension sinusoïdale dont on précisera la
f,é.m, ct la résistance Înterne.

Exercice 9

Considérons le circuit électrique présenté par la Fig.2.25.


M i(l)
,]
" "
e (1) ... L
R'

C
R

N
Fig,2.25
e(t) = 30 ..J2.cosmt
Lro = R=200n;R'= 100n et Cm= 10"n".
1. Calculer l'admittance YMN vue par le générateur.
2. Déduire la valeur efficace et le déphasage, par rapport à la tension e(t),
du courant i(t).
3. Calculer les courants électriques il. h et i3 traversant les trois branches
en précisant pour chacun la valeur efficace et la phase à l'ongine.
R
Exercice 10 A 1

SOIt le circuit suivant: (Fig.2.26)


1. Exprimer!z en fonction de !\_
2. Montrer que l'on peut écrire:

avec x = RC",
I, =C: jX} B

Fig,2.26
M

3. Déduire l'expression de la tenslon


de sortie y. en fonction R, x et 1.
4. Exprimer la tension d'entrée en fonction de x et! et déterminer
l'impédance d'entrée du circuit.
5. Déterminer le gain en tension G = IVslVel et traccr la courbe G(,,),
Circuits électriques en régime transitoire et sinusoïdal 59

CIRCUITS ELECTRIQUES EN REGIME

SINUSOïDAL ET TRANSITOIRE

(CORRIGES DES EXERCICES)

Exercic~

1. Lorsque K est fenné le schéma devient comme l'indique la Fig.2.27 >


d'où le courant 1 :

1 R c

Fig.2.27
2. Equation différentielle
Uc(t) = R.i.(t) = Q(t)
C
R.[I-ic(t)]= Q(t) sachant que ic(t) = dQ
C dt
D' où
dQ +_I_.Q = 1
dt RC
3. La résolution de cette équation comporte deux parties:
• Une solution de l'équation sans second membre:

dQ+~.Q=O avec t=RC


dt t
Cette équation admet comme solution:

Q =A.ex p ( - :)
• Une solution particulière déterminée comme suit:

Pour Q = constante -+ dQ = 0, d'où _1_ .Q = 1


dt RC
Il en résulte Q = RC.!
Par suite la solution générale sera:

Q(t) = A.ex p( - :) + RC.!

à t = 0, Q(O) = 0 d'où A = - Qo = - RC.!

Enfin Q(t>=Qo{l-ex p (- ~)]


...
..
~
60 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

A.N. :
Q, = 5.10" Coulomb
"t - 5 secondes
Si t ~ <Xl alors O(t) ~ 00
Sit = t alors Q(t)=Qo.[I-exp{-I}J" 2Qo
3
2
't' est la durée nécessaire pour avoir une charge à - .Qo .
3
4. Le courant ic(t) et la tension Uc(t) s'expriment par:
id!) '" dQ(t) et u c(t) = Q(t)
dt C

D'où ic(t) = {ex{-:)] et uc(t)=RI{I-ex{-:)]


Uç(V)

5
4,3
3,2
t

o t

idrnA)

1 ....................... ......

o t

Fig,2,28
Oc est bien une fonction continue contrairement à ie·

ExercIce 2
1. Au nœud A, on peut écrire: (Fig.2.29)
il + i z = j + h (2.1)
. v
Avec i = dq = C dv et" =-
dt dt R
Circuits électriques en régime transitoire et sinusoïdal 61

E, E,

Fig.2.29

La loi des mailles permet d'écrire:


E,= E = v + R.i, (2.2)
E,= E = v + R.i, (2.3)
Les équations (2.2) et (2.3) donnent les courants:
. E-v . E-v
I l := et 12 =
R R
En remplaçant tous les courants par leurs expressions dans l'équation
2.1, on aura:
E-v E-v v dv
-=------'- + = - + C-
R R R dl
d·où J'équation différentielle:
dv 3 2.E
-+-V=-- avec 't=RC
dl 1 1
La résolution de cette équation donne:

v(l) = Aexp( - !J
1 + 2;E

E
à t = 0; v(O) = E, = E =:, A = -
3

D'où la solution est: v(l) = ~..[ 2 + exp( - ! J]1

A.N. : v(t) = s[ +2 exp ( - ! J]1

La courbe représentative sera comme l'indique la Fig.2.30 :


v
15
10 ·· ·············· · ··· ····· ········· ..··· ..

4----------~t
Fig.2.30
62 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

2, Au nœud A, on peut écrire : (Fig,2,31)


i' 1 + ( 2 = ( + i') (2,4)

11
R A
R ,,

Il', R
~'(t)1
,,
L E',

Fig.2.31
La loi des mailles permet d' écrire:
E' , =E' = v' + Rj', (2.5)
E', =E' ~ v' + R,i', (2.6)
Les équations 2.5 et 2.6 donnent le s courants:
" " El-v' dl" y'
1,=1,= epusona 1, =-
R R
di
D'autre part on peut aussI'.ecnTe:
' v '()
t = L- '
dt
E'- v' .' Vi
Ainsi l'équation 2,4 devient: 2 ~I + -
R R
Par suite l'équation différentielle à résoudre s'écrit :
" , ili' E' , L
1 +3,t -~ 2- avec t =-
dt R R

Et la solution est du type : j'(t)=Aexp(-_I_, t)+2!.' or à t=O


3,t R
on ferme K et on suppose qu'un régime permanent s'est établi
E' ,
auparavant. On peut donc écrire i' (0) = _ , = E ,
R R
Finalement i'(t) = 2!.(l-~exJ _ _ 1_, t)
R 2 t1l 3.t
La courbe représentative de i' (t) sera comme l' indique la Fig,2,32 :
i'(I)
2E'IR

E'IR

-l----------. 1
Fig.2.32
Circuits électriques en régime transitoire et sinusoïdal 63

On constate bien que le courant dans une self est une fonction continue.

Exercice 3:
1. Let R, sont en série et les deux en parallèle avec R, d'où:
1 1 1
-~-+---
ZAB R, R, + jLm

Par suite
z ~ R, + jLro
_AB R L
1 + - ' + j - - - ro
R, R,
2, Lorsque R, »R" l'impédance ZAB devient:
R, + jLm
ZAB ~ L .
(2.7)
I+J-ro
R,

a ~ R,
a + jb",
d'où la forme avec b~L
1 + jd",
d~~
RI

Exercice 4
1.
a. L'impédance vue entre A et B a pour expression:

ZAB ~ R + {Lm- Cl",)


A la résonance l'impédance ZAB est équivalente à une résistance
pure ZAB = R, ce qui se produit pour une pulsation "" telle que:
1
Lm, ---~O
C"',
, 1 f~roo_ 1
soit LC"" = 1 ~ m, ~ r.-;:; et
"LC o 2" 27t-JLC
b. Le coefficient de qualité à vide Q, est donné par:
64 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Par suite, l'expression de ZAB devient:

ZAR = R+i(Lw- -
1
Cm
)=R[I+jLwo(~_ 1 )]
R mo LCmom
Lw o 1
Sachant que Qo =-- et mo = r;-;:;
R "LC

On obtient ainsi: ZAB = R[I + jQo( :0 - ~ )]


c. A la résonance ZAB = R, donc le courant qui circule dans le circuit
sera maximal:
1 = V AB
- R
• Tension aux bornes de L :

V L = JLW o o 'Q V
R
', ... _l='JLw V AB = JO_AB

• Tension aux bornes de C :


V - 1 1 __ ' V AB - _ 'Q V
_C - jCm - -) RCm - J O_AB
o o
• Tension aux bornes de R :
y. = iq=YAB

q>=O UC UL

VAS = RI

Interprétation:
On voit bien que Yr. et V c sont en opposition de phase et la tension
totale est en phase avec celle aux bornes de la résistance R.
A.N, :
mo 1
• fo =-=
211 27t •./Lc
= 159kHz

• Qo = r;o = ~ ~ = 200
Circuits électriques en régime transitoire et sinusoïdal 65

On voit qU'li y'a une surtension aux bornes de L et de C, d'où le nom de


coefficient de surtension pour Qo.
IVLI=IV cl =QOVAB
Si par exemple VAB = 10 V alors IV L1 = IV cl = 200.10 = 2000 V
Il faut donc s'assurer que les composants sont capables de supporter une
telle surtension.

2.
a. L'admittance vue entre A et B a pour expression :
y
_ AB
= _1R + J.(COl _ _Loo1_)
A la fréquence d'antirésonanc:e l'admittance YAB est réelle YAB =
IIR (le déphasage entre l et YAB est nul: q>=O)
1
d'où COlo - - - = 0
LOlo

Par suite LCOl~ = 1 <=> 00, = k LC


et f,
m.
= - =-~_
27t
1
27t~LC
b. Le facteur de qualité Qo est donné par:

Q o =RCOl 0 =~=Rft
LOl L
o
Par suite, l'expressio,\de.YAn devient:

y AB = J..[I + jRCOlo(~ - 1 J]
R LCOloOl
00 0

1
Sachant que Qo = RCOl o et 00 0 = ~
"LC

Alors Y An = ~ [1 + jQo( :0 - :: J]
Al 'antirésonancc YAB = R.I et le courant est maximal.

• Courant dans la self:


1 = V AB = R.I = _.Q 1
_L jLOl jLOl J 0· _
o o
• Courant dans le condensateur:
le = jCOl oV AB = jCOloR.I = jQo·!
66 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

• Courant dans la résistance:


1.=1

1R-
- 1
-
Interprétation:
Les courants 1. et k
sont en opposition de phase et le courant total 1
est en phase avec celui dans la résistance k.

A.N. :

• "'0
f =-= 1 = 159kHz
o 21t 21l.JLC '

• Qo = RC",o =Rft =100

Si 1 = 10 mA alors le = h = 1 A. Nous avons bien une surintensité dans la


self et le condensateur

Exercice 5
Le schéma de montage sera comme l'indique la Flg.2.33 .

Fig.2.33

1. La puissance fournie à la charge est:

P = Re (~u.()
2- -
Sachant que U = ~d

Alors P= ~ Re ~C'1!12 )
Circuits électriques en régime transitoire et sinusoïdal 67

2. La charge varie donc Xc et Re varient. Pour avoir le maximum de


ap
puissance, il faut que - - = 0 et
aXe
ap (X + X e )ReE~
Or---=~~~~S-~~~
aXe ({R+ReY +(X+X e }')'

donc Xe --X
-

L'expression de P devient dans ce cas

ap (R-R )E'
Et par suite - - = e ;' = 0 ~ Re = R
aR c 2(R+R e )
La puissance moyenne reçue par la charge est donc maximale si son
impédance est égale au conjugué de l'impédance de la source Zc = Z*.

On dit qu'il y a adaptation d'impédance et la puissance maximale vaut alors


E' E'
Pmu. = ---..!!!... = ~ la puissance reçue est égale à la puissance dissipée par
8R 4R
la source.

Exercice 6
1. En appliquant la règle du diviseur de tension, et en posant

Z=R // Z= RI Z=R // Z = R,
-II _C I 1+ jR,C,ro' _2 "1 _ Cp 1+ jR C ,ro
2 1

On obtient alors: ll(t) Z ~~ .,(1) ~ .,(1)


-1 _2 l+d
Z,
68 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

1
~(t) = _ e(t)
1 + R, . 1 + JR 2C p Ol
R 2 1 + jR,C,w

2. Pour que le rapport ~(t) soit indépendant de la fréquence, il faut :


«(t)
1+ jR,C,Ol = 1+ jR , CpOl
d'où RIC I = R,C p

3.
a . La valeur de CI est :
R
CI = - 2 C p
R,
A.N. :
3
C = 10.10 10.10- 12 = 0,1. 10- 12 F
1 990.10 3

CI =O,lpF
b. CI = 0,1 pF est une valeur très faible et il n'existe pas de
condensateur qui a cette capacité. Pour contourner cette
difficulté il faut rajouter un condensateur en parallèle avec Cp :
C,=c;.+c.
Si par exemple C = 1000 pF alors C, = 1010 pF.
Par suite

C = R,C A.N. : C = 10.10] 1010.10-1' = 10 2 F


1 R1 ' 1 990.10] , P

Cette valeur de CI est réalisable en pratique. C'est le principe


d' une sonde d'oscilloscope R, et c,. représente l'impédance d'entrée de
l'oscilloscope et on prévoit le réglage de CI pour que la sonde ne
déforme pas le signal à visualiser sur l'oscilloscope.

Exercice 7:
A)
1. D'après la Fig.2.23 et en appliquant la loi des mailles, on obtient:

{
~I : jL IOl·i1 + jMw.i, : e(t) ~ ZI·i l (2.7)
~ , - JL , Ol.!, + JMOl·lJ - -Z, .! , (2.8)
Circuits électriques en régime transitoire et sinusoïdal 69

On peut écrire l'équation (2.8) :


. M . 'ML, .
v, = JL, MOl.!, + J LOl'!1
1

L, L, (L;
JL,L, = fL,"
M =
Or
~= JL,L, = ~L,
L, L, L,

D' où [L;ÙM0l·12' -; J'L10l·". ).


~'=v""L"
v,

Et puisque L,
LI = n ~ -
n~ _(n,)'
~

Alors .!.z == Oz .!.1 == m.!.. ; m : rapport de transformation.


D,
2.
• Schéma du montage ramené au primaire :
L'impédance d 'entrée du transfonnateur est
~,

Z e = v, = -;-. = = Z; -4(-.~')
!1 -m·12 m 12 m
D'où le schéma de montage ramené au primaire: (Fig.2.34)
Z,

Fig.2.34
• Schéma du montage ramené au secondaire :
v, =e(t) - Z ,.i ,
- v,
-
Or _V 1 - et
m
Alors v,m =e(t)+Z, .m .1,
D'où ~, = m.e(t) + m' .z, ,1,
70 Exercices ct problèmes torrigés d 'électronique a nalogique

D10ù le schéma du montage ramené au secondaire : (fig.2.35)

ml, ZI
12

m.c(t)

Fig.2.35
Z2
r
Y1

3. Un tra nsfo rmateur peut être utilisé comme:


• Elévateur ou abaisseur de ten sion ou de courant sinusoïdal ;
• Adaptateur d'impédan ce;
• Isolateur de masse (01 = 1).
H)
1. Pour un tran sformateur parfait la pui ssa nce absorbée par le primaire PI
est égale à la puissance fournie par le secondaire à la charge P2.
D' une façon généra le:

fi =y"rr 1"rrco"l"
{ P2~ V2Cn' 12efT COS<p 2

V ~clr I l rff
01= - -- = - - donc <.pl :;: <Pl-
V1eff 12eff

a. Cas d'une charge résistive :


cp ] == 0 :0 P l = S .COSqJ2 = S
A.N. : Pz = 3 kW

b . Cas d'une charge inductive:


COSCP2 = 0,8 => P l == S.cosep!
A. N. : P, = 2,4 kW
2.
V 2 n'
a. Le rapport de tran sformation est m = - - '-
V 1cff

Puisque Pz = VZcH ' I zrrr = S alors v2efT =~


1
z,rr
Circuits électriques en régime transitoire et si nusoïdal 71

V S
D'où m = -1trr
- = ---'--
V ,trr V'tfrlltrr

A.N. : m = 3.10' = 0,5


220.27,3

b. Le courant fourni à la charge est:


P,
T2eff = ----'---- sachanlque V l..,(f :;::;; m .VI~«
V 2eff cos cp 2

Alors l ,.ff = - - . :P,. . ! - -


m. V Irff cosCPl
3
A.N. : 1 = 2,4.10 = 28 6 A
2,fT 0,5 .210.0,8 '

Exercice 8:
1. Par la Fig.2.36 on propose un schéma plus simple:
pi
s
\.J[

R R, Vs

e(t) CVL-~ __ ~ _ __ _ _ _ _ _ ~ __ ~

Fig.2.36 M

On posera _ 1_=_'_
R., R,
-t-J--tJ-
R, R
el _,_=_, +_1_
R'e R, Re

2. Dans le circllit précédent (Fig.2.36), la source e(t) avec la résistance R.


en série peuvent être remplacées par le générateur de courant équivalent
(Générateur de Norton) : (Fig2.37)

...-1.."
<:-----,:> e( t) >C:;,.
e(t) R, Y

Fig.2.37
72 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Ln Fig2 .3 6 devient comme l' indique la Fig.2.38 :


pi
1
( . II. \
s
\. ' '>1. "'
c( 1) :-.
R!R~
R, >c p. R, U
R R, Vs
RI+ R2
y
M
Fig.2.38

Dans les branches de droite, nous avons:


v, (t) + vs (l) = - p.i
(2.9)
RJ Re
Et dans la partie de gauche :
e(l) u u u .
- - = - + - +-+1 (2.1 0)
Rg Rg R, R,
Enfin, aux bornes de R : u = R.([3+I).i (2.11)
En tenant compte de l'équation (2 .11). l 'équation (2.10) devient :

Les équations (2.9) et (2. 12) donnent:


v set) p c(t) 1
R'C Rg

La tension vs(t) est en opposition de phase avec e(t), d'où:


v,(t) = -Vs cosrot
v,(t) = Vs cos(rot + n), d'où <p = n

avec Vs= p·E R'c


R , l+{rl+l)..R..
R",

et par suite
Circuits électriques en régime transitoire et sinusoïdal 73

• Si ~ » 1 et en supposant que le rapport des rés istances RR


CQ

n' est pas très faible, on obtient alors:


Vs R'e R~'l
T'" Rg R
3. D ' ap rès les résu lt ats précédents, on peut écrire:
e(t) R'Q 1 is(t)
vs (t )= - R ' R, ·1 1 + 1 )
\R) Re

Ce qui correspo nd au circu it de la Fig.2.39

R,
's K è"" R, Re Vs <: :>
Re Vs

y
Fig.2 .39 Fig.Z.40
Ou en core, en revenant à la repré sentat ion de Thévenin: (F ig _2AO)
L' amplitude Es de la source de tens ion si nu soïdal e a pour va leur:

Es =R ).Is=R).~. ~':
Et la rés i s tanc~ in terne est: Rs -= R3'

Exercice 9
1. L'admittance vue en tre M et N est:
1 1
Y MN ~ - + - - + ---,-
R JLO) R, _ __J
CO)
Y
_M N
=_1_+_1_ + 1 =_I_ (I _ J)+ _ I_ ( I+
200 j.200 100.(1 - j) 200 . 100 2
i)
Final e ment, on obtient: Y "N = _1_ = 1
. R' 100
2. Le cou ra nt dé livré par le gé nérateur est :
;(t) ~ Y MN .e(t) ~ _1 E.fi. e j,,,
R'
L'expresslOn de l( t) est de la forme: i( l) = 1 .Ji. C I(PCJ~Jl
74 EJ:ereiees et problèmes corrigés d'électronique analogique

Donc i(t) est en phase avec e(t) -+ cp = 0


E 30
ct a pour valeur efficace -+ 1 = - = - = 0,3A .
R' 100
3. Le courant dans les trois branches :
• Courant dans la bobine :
1 (;;" 1 (;; -~ "
Î!(t)=Yl.e(t)= -Ev2 . e'"' =-v2. e '.e'·"
jR 2
Donc la phase de i,(t) est: cp, = - "211
1
Et la valeur efficace est: l, = - = D,ISA .
2
D'où i,(t) = ~.fi. cos( rot - ;)

• Courant dans la branche C, R' :


.
I, (t) = YCR·.e(t) =
(1 + J') EvZ.
(;; e-,"u, =--v'/'
.fi.! (;;2 . e ;, .e'"'
2R' 2
Donc la phase de i,(t) est: cp, = 11
4
.fi
Et la valeur efficace est: l , = - 1 = D,2lA .
2

D'où ilt) = ~ I.fi. cos( rot + :)

• Courant dans la résistance R :


i,(t) = li.fi. e'" = ~.fi. e i .'
R 2
Donc la phase de i,(t) est: cp, = 0
1
Et la valeur efficace est: l , = - = D,ISA.
2
D'où i,(t) = ~.fi. cosrot
2

-l,
n/4
l,
-
1
Circuits électriques en régime transitoire et sinusoïdal 75

Exercice 10
1. Expression de 12 en fonction de 11:

U - 1 =--
=ZC2 12
- FM - - jCw
La maille de sortie donne;
-~ch + Zd, + R·l, = 0

par suite 1, = ( R ~:c J!, = Uc+ 1J!,


D'où
!, = (1 + jx~!, (2.13)
avec x = RCw
2. La lo i des nœuds au point F donne: l , + h = 1
Par suite 12 = 1- Il = (1 + j X}! 1
D'où

l, =( 2:jx }I
avec x =RCw
La tens ion de sortie a pour expression: Vs = R.I I
JI suffit de remplacer 1 par son expression (2.14), pour obtenir:

v
- s
=( R
2 + jx
).1- (2.15)

_ avec Rem
x =
3. La maille d'entrée donne:
V, = R·l + ~c .h (2.16)
Les équations (2 .13) et (2 .14) donnent:

1
_2
= ( 1+ jx).1
2 + jx -
avec x = RCw

En remplaçant les courant.;; 1 et h par leurs expression s, l'équation


(2.16) devient:

V = (R; ~
- ,
1+ jx ).1
jx 2 + jx -
D'où

v = R.[3X+ j(x' -1)].1 (2.17)


-, (2 + jx).x -
avec x = RCw
76 Enreices et problèmes corrigés d'électronique analogique

L'impédance d'entrée est définie par: l",= VJl et d'après l'équation


2. 17 on en déduit que:
Z
_ e
= R[3X+ j.(x -1
2

x.(Z + jx)
l]
4. Pour exprimer ~ en fonction de V" il suffit de tirer le courant 1 de
l'équation (2.17) et le remplacer dans l'équation (2.15) :
1 = ( (2 + jx).x ) V.
- 3x + j(x 2 - 1) R
D'où
V _ ( R ) ( (2 + jx).x ) V.
_s - 2+ jx . 3x+ j(x 2 - 1) R

Enfin v s= --+---.-;.V
- 3+Hx-;)~

Il vient alors: Q(x)=~ =~1 soit G(x)= 1


_ e 3+J.x-
X ~9+(X-~J
La courbe représentative de G(x) est la suivante:
G(x)

1/3

-J2
6
CJfjIPFT1(tE 3
DES QVjlCJYlljlPODES LIJI1EjlFR!]::S
LES QUADRIPOLES LINEAIRES
(RApPELS DE COURS)

1- Généralités

I-!-Définitions :

Un quadripôle est un circuit (linéaire ou non) qui assure la tran smission


ou la transformation d' un signal. Il comporte deux bornes d'entrée et deux
bornes de sortie (Fig.3.1)
le ls
-----i>__--j

v, ~i___LQ_u_a_dr_iP_ô_le_1-----.:.i V,

Fig.3.!

Il possède ainsi une tension et un courant d'entrée (vc• Îe) ; une tension et
un courant de sortie (vs. is). Si le quadripôle dissipe uniquement de l'énergie
par effet Joule, il est passif. Dans le cas contraire, il est actif. On ne
s' intéresse ici qu 'aux quadripôles linéaires (dont les éléments so nt linéaires).

1-2-Paramètres d'un quadripôle:

Il existe six combinaisons pour exprimer deux quelconques des courants


ou ten sions en fonction des deux autres.
Ces relations seront linéaires et les coefficients qui en découlent ne
dépendront que des éléments constituants le quadripôle et détinssent ainsi les
paramètres du quadripôle. Nous définisso ns Îci quelques paramètres.

2-1-Paramètres impédances ou matrice Z:

Si on choisit ie et Îs comme variables on peu t écrire:


. .

{ ve

Vs
=
=
zllle + ZI2 1s
z21 l e + Z22 1s
Ou encore en écri ture matri cielle

Les coefficients zij ont la dimension d' une impédance [0].


80 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Q- Ca/cul des coefflcienls zij:


Nous pourrons déterminer les paramètres Zij de la façon suivante:

ZI. = (v,) :
le i =0
C'est l' impédance d'entrée, sortie Ouverte

Zl Z = (~ c ) . : C'est la trans-impédance d'entrée, entrée ouverte.


s ,.=0

Z21 = (;
c
i). :,. _0
C'est la trans-impédance de sortie, sortie ouverte.

Z22 ::;:: (v,) :


15 i _O
C'est l'impédance de sortie, entrée ouverte.

b- Schéma équivalent :
Le schéma équivalent d' un quadripôle décrit par ces paramètres Z est le
suivant;
l,

Fig.3.2
c- Exemple :
Soit le quadripôle en T suivant :

RI R, l,

R,
Î v,

Fig.3.3

Par application de la loi des mailles on peut écrire :


v. = R,i: + R, {~, + i,) Soit {v. = (R, + R,)i, + R,i,
{ v, = R,I, + R, {I, +1,) v, = R,I. + {R, + R,)I,
Les quadripôles linéaires 81

D'où z" = R, + R, ; z" = z" = R, et z" = R, + R,


Par application des définitions du paragraphe 2.l.a, on a :

R,
z" (v,)
=
le Î-O
,-
v,
On a bien z" =-.- =R, +R ,
" Fig,3,4
Is

z" (v,)
=

De même
z"
1$ i-O

R,
,- R,

Fig,3,5
r Vs

z" = (~, ) = R , d'après la Fig.3.4


le Î, --O

Et enfin z" =( ~.
5
J=
1... 0
R 2 + R, d'après la Fig.3 .6

Fig.3.6
2-2 Paramètres admittance ou matrice Y :

Dans ce cas se sont les tensions qui sont considérées comme


variables, les relations sont donc :
J, =y"v,+y"v,
{
Is =Y2IVe+ Y22 Vs
82 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Les coefficients (Yij) ont la dimension d'une admittance [~l"'].

Q- Calcul des coeOJcients Vii :


De la même façon que pour les paramètres Z on peut écrire:

y Il = (~c ) :
e v, _O
C'est l'admittance d'entrée, sortie court-circuitée

Y12 = (~c ) : C'est la trans-admittance d'entrée, entrée en court-circuit.


5 v.-o

Y 21 = ( ; ) . : C'est la trans·admittance de sortie, sortie en court-drcuit.


e v, =O

Y21 = ( : . ) : C'est l'admittance de sortie, entrée en court·circuit.


S vt ", O

Remarque: Y22 correspond à l'inverse de l'impédance du générateur de

Thévenin équivalent au quadripôle vu de ces bornes de sorties y 22 :::: - ' - .


Z TH

b- Schéma équivalent :
En paramètre Y. le quadripôle a pour schéma équivalent :
l, l,

ve
i Yll
Y12 Vs Y2 I V, Y22 r v,

Fig.3.7
c- Exemple :
Pour le quadripôle en 7r suivant, calculer les paramètres Yij :

le R2 l,

V
e
i RI R3
i v,

Fig,3.8
Les quadripôles linéaires 83

1 1 1 1 1
Réponse: y Il = - + - =--- et Y22 =--+-
R, R, R, R, R,
2-3 Paramètres hybrides ou matrice H :
Pour ces paramètres on écrit:

{ ~e:-h21hll.ie +h
Is
+h 12 v
1e
22
s

Vs
Ou encore:

Tous ces paramètres n'ont pas la même dimension [hll]=[Q];


[h,d= [h,,]= [1] et [h,,]=[ n'].

a- Calcul des coeŒcients hil :

A partir des équations précédentes on écrit:

h ll = (~ e ) : C'est l'impédance d' entrée, sortie court-circuitée.


e Il, =0

h
12
= (v, )i~=O :Gain inverse en tension, entrée ouverte.
Vs

h2 1 . --(~) v.~O
le
: Gain en courant, sortie en court-circuit.

h - (-,-,-) : C'est l'admittance de sortie, entrée ouverte.


22 Vs i."O

b- Schéma équivalent:

Les paramètres hybrides sont très utilisés dans l'étude des


transistors bipolaires, et le schéma équivalent d'un quadripôle décrit
par ces paramètres est le suivant:
84 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

1 l,

Fig.3.9

2-4 Paramètres de transfert ou matrice T :

En prenant pour variables les grandeurs de sortie Vs et -i~ (pour


faciliter l'etude des groupements en cascade), on pourra écrire :

ou bien

Calcul des coefficients tij de la matrice T :

t = ( -V ' ) : Gain inverse en tension , sortie ouverte;


II Vs ;, =0

t12 ;:::: - -V•' ) : Trans-impédance d'entrée, sortie en court circuit ;


(
ls v. .. O

. (1)
(
21
= - '-
Vs i.-O
: Trans-admittance d'entrée, sortie ouverte;

122 = -( ;' ) : Gain inverse en courant, sortie en court circuit.


s v• • o
Les quadripôles linéaires 85

1-3- Autres caractéristiques d'uo quadripôle:

Considérons un quadripôle linéaire assurant la liaison entre un dipôle


actif (Générateur de f.é.m. E, et d'impédance interne Z.,) et un dipôle passif
linéaire D.
Z.
v, t Quadripôle D

Fig.3.10

3.1- Impédance d'entrée:


v
L'impédance d'entrée du montage précédent est définie par: Ze =~ ; Ze
"
dépend généralement de la charge D. Ainsi vu du générateur le quadripôle
chargé est équivalent à une impédance Ze :
le Zg

Fig.3.Il
3.2- Impédance de sortie:

Vu de la charge, le quadripôle est un dipôle actif qui peut être remplacé par
son modèle équivalent de Thévenin ou de Norton.
L'impédance de sortie du quadripôle est donc l'impédance interne cl"
générateur équivalent (de Thévenin ou Norton) vu des bornes de sortie.
Pour calculer Z, (ou ZTh), on peut procéder de deux façons:
*) On éteint les générateurs indépendants (en les remplaçant par leur
impédance interne).
On place une source de tension parfaite à la sortie de Q et l'impédance dc
sortie est donc Z = E, . Zg I,
• I
• Quadripôle

Fig.3.12
86 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

**) Après avoir détenniner la tension de Thévenin ETh (égale à v, pour 1, =


0) ainsi que le courant de court-circuit (IN= r.,,) du quadripôle vu de la sortie.

On écrit: Z, = Z+, = ZN = E" , d'où le schéma équivalent du quadripôle:


1"

Fig.3-13
3.3- Fonction de transfert ou transmittanc. :

Dans le cas général la transmittance peut être définie comme étant le rapport

d'une grandeur de sortie sur une grandeur d'entrée H =~ (en notation

complexe).
v
On définit ainsi la transmittance en tension (ou gain en tension) Av =..=!....
~,

On a aussi Ai +:
-,
Transmittance en courant ou gain en courant.

Remarque : H n'est pas toujours sans dimension, et elle est appelée aussi la
fonction de transfert dynamique.

3.4- Application:

Dans la représentation de Thévenin du quadripôle la f.é.rn. Eth peut s'écrire:


E" = A , , v, avec A , , le gain en tension à vide (1, = 0).
Ainsi en regroupant les résultats précédents nOliS pouvons représenter le
quadripôle par l'un des deux schémas équivalents suivants :

,~----------------- - -- -
1,

Fig.3.14
Les quadripales linéaires 87

Ou encore
,.-----------------------~'.
le : : Is

V
L-________~~,--~
e
t z. le,

-------------------------
I/Z'1
,
r
V, D

Fig.3.15

D- Les filtres

1. Définition d'un filtre:


On appelle filtre électrique un dispositif qui permet d'atténuer
des signaux dans une bande de fréquences données.

2. Différents types de filtres:


Il existe quatre types de filtres:

• Filtre passe bas: (Fig.3 .16)


Laisse passer uniquement les sIgnaux de fTéquences
. C' .
1TI1eneUres a' fc;;::; -roc
2"

Fig.3.l6

• Filtre passe haut: (Fig.3.17)


Laisse passer uniquement les signaux de fréquences
, .
supeneures a' f c = -roc .
2"

Fig.3.l7
88 Exercices el prob lèmes corrigés d"élect ronique analogiqu\:

• Filtre passe bande : (Fig.3.18)


Wcl
La bande passante est limitée e ntre fel - - - et
2)'(
wc 2
f c2 ~ -- IH.(jw)1

.I
2)'( ....
(t)
1
W ~l (t)ol

Fig.3.18

• Filtre coupe bande: (Fig.3. 19)


Permet de couper une bande du spectre de fréquence.

'H. (j(t))'

l
l l----t

Fig.3.19

3. Dill!:.. mme de Bode

En régil11~dal , la transmi ttancc d 'llll quadripôle dépend


généralement de la fréquence. La réponse fréqucrlli ellc d'un quadnpôle
consiste en J' étude de la fon cti on de transfe rt dynam ique H avec la
fréquence.
Une façon de faire , c'est le diagramme de Bode qui est J'ensemble des
deux courbes de rêpo nses : en gain et en phase de la fonction de tran sfert .
Etant do nn é que les fréquen ces peu vent varier sur de très larges
interva ll es, on les place alors sur un axe à graduation logarithmique et en
ex prime le gai n G=l!:!l en dccibel (dB). soit G,.-2010g(G). L'argu ment
ou la phase de H est calculé en degré (0).
Les quadripôles linéaires 89

LES QUADRIPOLES UNEAIRES


(ENONCES DES EXERCICES)

Exercice 1

Déterminer en fonction de Ue les générateurs de Thévenin et Norton


équivalents au quadripôle Q, vu des points A et B. En déduire le gain en
tension du quadripôle chargé par une résistançe R L • (Fig.3.20)
La tension d'entrée lie est sinusoïdale
-----------------0'------------,
o fJll :

R, r

""1~~~L___L_'~' _______________L~~~
B

Exercice 2 Fig.3.20

Soit un quadripôle Q défini par sa matrice de transfeM

1. Préciser la signification de chaque tenne de la matrice de transfert.


2. Le quadripôle Q est SUiVI d'un autre quadripôle Q' en cascade de
coefficients a', b', c', d'.
Quelle est la matrice de transfert du quadripôle équivalent?
3. Soient les quadripôles Q, et Q, suivants (Fig.3.21):
R,

Q, Q,
Fig.3.21

a- Déterminer la matrice de transfeM de chaque quadripôle.


b- En déduire la matrice de transfert du quadripôle en T (Qh Q" Q,),
4. Détenniner l'impédance caractéristique ou (itérative) du quadripôle en T.
90 Exercices ct prob lèmes corrigés d'éleclroniq ue analogique

Exercice 3
Com;idérons le circuit présenté par la Fig.3.2 2.
....
1 Is

R, )
~
v, PI, R, Vs
a vs ~
Fig.3.22
1. DêtcnnÎnc r les paramètres hybrides de cc quadripôle.
2. Donner la signification ph ys ique de chaqu e tCI111C.

Exercice 4
Un tra nsfOm 1a1 Cur réel peu l être rep rése nté par le quadripô le Q sui vant
(Fig.3.23): . -- -- --- - - - - - - - - - --- -- - - -Z'-, --'
Il 1~ I~

,,•

VlLI ~
,
'z.
' ,
,,•
,
•, ____ _ _________ _ ____ _ ______ __ 1
Q'
Fig.3 .23
Le rapport de transformati on est defini par :

nl= -
V
_ 2 = _ ..:.L
1
V,I,
1. Détermin er la matrice de transfert de cc quad ri pô le.
2. En déduire les deux équati ons fondamenl ales du transfo rmateur.
J, = f (V";(;,,m . J, ) Y,=f ( V" m .Z" j,)
3. Que peut-on conclure ?
/
Exercice 5
Soit T I et T z deux ce ll ules en T rep résen tées s ur la Fig.3.24 .
10 C C Is ), 2R 2R l,

2R

Fig.3 .24 T,
Les quadripôles linéaires 91

~ et Ys sont les tensions d'entrée et de sortie prises par rapport à la


masse, le et Is sont les courants d'entrée et de sortie.
On décrit les deux quadripôles par leur matrice admittance d ' éléments
respectifs Y ij et X jj .
1. Détenniner les matrices admittances des celIules T, et T , .
2. Existe-t-il une façon simple de déduire Xij de Y ij ?
3. Quelles sont les conséquences de la symétrie des cellules T , et T, sur
les paramètres Y ij et X ij ?

Exercice 6:

Un générateur basse fréquence (B.F) de résistance interne


négligeable délivre une tension u\(t) = U1.cosrot. La tension u\ alimente le
quadripôle Q-(Fig.3.25).
Ce quadripôle e st chargé par une résistance R.
On donne : R ~ 30 KO
C ~ 10 nF
....................................................... ,
.
l,
i
i R Qi i,

e, r
Cfu, .., ~r c
1
[
C : = ,. Ir",
f
R

L.....~....._ .........~...................__ ..:

Fig.3.25
U2
1- a. Détenniner la fonction de transfert HG"') = u du quadripôle
-1
Q (non chargé).
b. Tracer le diagramme de Bode en module et phase de HU"').
c. Conclusion.

2- a . Détenniner l'impédance d'entrée z., du quadripôle chargé par R.


b. Montrer que pour la pulsation de coupure, ce réseau est
équivalent à un dipôle série (R" C ,) dont on calculera la résistance
RI et la capacité C, équivalentes'
c . Donner l'expression de l'impédance de sortie Zs du quadripôle Q .

3- Le générateur étant réglé sur la fréquence de coupure, calculer :


a- La puissance PI fournie par le générateur au réseau.
b- La puissance P2 recueillie sur la résistance de charge.
92 Exercices el problèmes corrigés d 'élect roniqu e anal ogique

Exerc ice 7

Soit le montage de la Fig.3.26, attaqué par un générateur de tension


altenlative sinusoïdale de pulsation w.
L

y,(t)

L -________ ~ __ ~_
R r ' ,Ct)

Fig.3.26
V
1. Déterminer la fonction de transfert HUw) = _S .
~ V
~,

i.:r
2. Dans quelle co nditio n au ra (-on l'expression suivante ?

1H (jœ'1 , J" ."~ ru.' ,:C


• Don ner a lo rs dan s celle condition les va leurs de L ct C en fon ction
de R et 000_
3. Tracer avec précision le diagramme de Bode en Module de la fonction
de transfert HUw).

Exe rci ce H

SOil le quadripô le su ivan t (Fig.J.27):


C, c,
l, !s

Fig.3.27

Vo: est une tension sinusoïdale de pulsation w.


1. Détenn iner la matrice Z de cc q uad ripôle.
2. DéduÎre les impédances d'entrée et de sortie.
Les quadripôles linéaires 93

V
3. Calculer la fonction de transfert H(jro) = VS .
-,
4. Tracer le diagramme dc Bode dc H(jm).

Exercice 9

On considère un circuit électrique de fonction de transfert H(jro).

. 1
H(jro) = avec roI < ro2·
- (1 +j..'!!..)(l +j ..'!!..)
ro 1 ro2

Tracer le diagramme de Bode en module et phase de H(jm).

Exercice 10

Soit le circuit suivant: (Fig.3.28)


m,vl R,

R c R,

Fig.3.28

On donne: R= 333 Q ; R, = 167 k.Q ; R,= 3,2 k.Q


C = 120 l'F; m = 334; Rg = 100 !dl

1. Détenniner la fonction de transfert

HGoo) = V ,
- V
-,
2. Montrer que H(jro ) peut être écrite sous la forme:

(1 + j ~)
H{jro);H o· ~
(1+ j - )
ro ,
3. Calculer numêriquement Ho. ro, et 00, .
4. Tracer le diagramme de Bode en amplitude et phase de H(joo).
5. Déterminer l 'impédance de sortie par deux méthodes différentes.
Les quadripôles linéaires 95

LES QUADRIPOLES LINEAIRES


(CORRIGES DES EXERCICES)

Exercice 1
• Générateur de Thévenin:
En passant du modèle de Norton au modèle de Thévenin (pour la
source liée (l3i"r)), on obtient le schéma de la Fig.3.29.
v = ~.r.il r
A

R, R, R,

B
Fig.3.29
}> Détennination de ETh:
La loi du diviseur de tensIon permet d'écrire;

ETh=u AB = R J (Ut-v)
RJ+r
. u,
Sachant que v = ~.r.i, avec Il =-
R,

on peut donc écrire u = R, (1- rl.r)u


AD RJ+r Rz ç
R,(R, -~.r)
D'où ETh=U AB = ( )U,
Rz RJ + r
}> Détermination de Rn:
.En court-circuitant la source de tension d'entrée, RI et Rz seront
court-circuitées, on obtient alors la Fig.3.30 avec il = 0 donc v = o.
v = p.r.i 1= 0 r r

R, R,
B B

Fig.3.30
r.R,
D'où RTh =-~'­
r+R,
96 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

• Générateur de Norton:
> Détennination de RN:
r.R,
R N ~ RTb ~ ....:.:="-
r+R,
> Détennination de iN: (Fig.3.31)
v = p.r.Î] r

Fig.3.31

Maille 1: [3.r.i, - R,.i,+r.iN ~ 0


. u,
Sachant que 110 ~ R,.i, ~ 1 ~­
, R,
. R,-p.r . R , -p.r u,
Onaura : I N~ 11 = .-
r r Rz
. Rz - p·r
D'où IN = r.R 1
u
II!

On vérifie bien que:

En remplaçant le quadripôle par son générateur de Thévenin équivalent on


obtient le schéma suivant:
r -----_._---- !
!Q RTH !
i
i
le l'~
i .,

;
:...MMM...... _
!
. . _ _ .M . . . . . . . . . . . . . M . . . . . . . . . . . .

A ~ _ V_ s_ ~ _ _ R-.2L,--_ RL(r + R,)


D'où:
v ETH RTH +RL
Les quadripôles linéaires 97

Exercice 2
1. D'après l'équation matricielle, on peut écrire:

{ =c,v
~I =a.v2 -b~i2
I, 2 -d.1 2

• a= (2) :
v2 i,.O
Gain en tension inverse; sortie en clrcuit ouvert

(la fonction de transfert inverse en tension à vide).

• b= (-i: 1
)
"J ~
: Trans-impédance d'entrée; sortie en court-circuit.

• C = (~) : Trans-admittance d'entrée; sortie en circuit ouvert.


V2 i 2- O

• d= (-/1) :
2 v,=O
Gain en courant inverse; sonie en court-circuit.

2. La matrice de transfert du quadripôle équivalent est le produit des deux


matrices (Fig.3.32).

Fig.3.32

M =[: :][:: b'] d


En effet :

(vl )=[a db].( V2)=[a ctb].[a:c d


'1 C
b:].-(lv,)
-1 2 , C

3. a- R,
• Quadripôle Q,(Fig.3.33) "

T=(1
01

Fig.3.33
98 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

• Quadripôle Q, (Fig.3.34) l,
"
V" = v" ( 1
. V ez . ::::) T z = _I_
[ l, =-R - l , R
, '
b· Quadripôle en T (Fig.3.35) Fig.3.34

T = T, .T,.T,

T-(~ ~' )U, ~)G ~,)


R, R, i,
"

T=
1 +R,- 2R + R:
R, ' R, V" I
R,· r
v.,
1 1 + R, Fig.3.35
R, R,

4. Impédance itérative:
L'impédance itérative est l'impédance qui placée à la sortie du
quadripôle est égale à son impédance d'entrée (Fig.3.36).

Ze = v" = Z.T i,
l,

Ze = R,+ R, Il (R'+Z'T)

R, (R, +Z 'T )
Ze = R, + R , + (R , +ZkT )
Cherchons Z.,. tel que Ze = Z'T Fig.3.36
R, (R, +Z'T)
Z.T = R, + ( )
\, R , + R, + Z'T
i
Soit: Z'T - J2R ,R, +R:

Exercice 3
1. Détennination des paramètres hybrides:
V c =hllÎc +h l2 Vs
{ Îs =h l lÎc + h22 Vs
Les quadripôles linéaires 99

a) D'où hll =( ~' )V'""


Le circuit équivalent est (Fig.3.37): R,

hl2=( ~:) ,,-0 (Fig.3 .38)


Fig.3.37
h)

~- O
RI n'est pas traversée par un courant.
R,
Yr. = a Ys
v.
v,
a= - =b n (XVS

Vs
Fig.3.38
c) h1l=( ::) ,•..., (Fig.3.39)
IS

Pie = is <::::> -i,. " = hl!


= ..,
"
1
i ) ... = ~
d)h,,= ( -'
v. Rz Fig.3.39
2. Interprétation :
i) h ll : Impédance d'entrée lorsque la sortie est court-circuitée.
ii) h2l : Gain en courant, sortie en court-circuit.
Hi) h 12 : Gain inverse en tension, entrée ouverte.
iv) h22 : Admittance de sortie, entrée ouverte.

Exercice 4
1. Soit les quadripôles Qo, Q, et Q, suivants: (représentés respectivement sur
les figures: 3.40, 3.41 et 3.42)
On peut écrire pour Qo:
" "
{
y-_ -y '
-~- m
!,-- mJ,
=> TQo
{ I)m
--0
m_
0

Fig.3.40
100 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

De même pour Q, : (Fig.3.41)

Fig.3.41
Et enfin pour Q2 : (Fig.3.42)

=:>
1
TQ , = ( 0
ZI)1
Fig.3.42
D'où la matrice de transfert du quadripôle de la Fig.3.23 sera:
T ~ TOO.TQI,TQ2

T{*~)(-~ _:)(b ~I)


T{ m~Z.-!
-
m
m
- Q
Z,
m.Z.
J
2. Les équations généra1es seront:
1 Z,
y. =- - 'Y s+ - '!s (3.1)
m m

1
_ 1: =
m.z.
Y + ( m + Z,
- 1 '_S
m.Z.
J'
.ls (3.2)

De l'équation (3.1), on peut écrire:


Ys = m,Vr - Z,·h
Remplaçant Ys par son expression dans l'équation (3.2):

d'où: !.=i'+mJ,;
-.
Les quadripôles linéaires 101

3. Conclusion:

Vt repré sente le courant primaire lorsque le secondaire fonctionne


Zo
à vide (15=0).
Zl représente l' impédance de sortÎe du transfonnatcur que l'on peut
détenniner par un essai en court circuit de ce dernier.

Exercice 5
l. Détennination de la matrice Y: ),
c c
l, = X II V , + y Il V s

~r r~=O
{15 = y 21 V + y 22 Vs ç

ZR
_ _ _ _ _ __ _- L _ __ _ _ _

~
• y -
_ 11
~~
V1 )
_ c ys-o
(voir Fig.3. 43) Fig.3.43

-,
y =
- II (1+ 2R +__1_
j2RCw jCw )
y jCIll~1 + j2RCIll)
- II 1+ j4RCIll
T l est un quadripôle symétr ique, on pe ut donc intervertir l'entrée el la sorti e,
ai nsi on peut écrire:
Yll = Y21 )J 1= Y I l

= y = jCw.(1 + j2RCw)
Donc
_ 22 1 + j4RCIll

~
• y _ -,
_21 V1 )
_ 1: ys_o

-v,L.L Î, +2R1s
\J cw+2R f' - (3.3)

Uti lisons la grande maille, lorsque la sortie est court-circuitée:

-V, =-.1_ -I,!,


JCw 'r - 1.)
_5
(3.4)
102 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Remplaçons 1 de l'équation (3.3) par son expression (3 .4);

V'~j~<ù +2R )ûC<ùY. +!s)+2RJs


D'où YI1=YllJ~
\ _t) VSa:O
2RC2CO,
l+j4RCm

jCm(1 + j2RCm) 2RC'm'


1 + j4RCm 1 + j4RCm
Finalement y =
2RC'm' jCm(1 + j2RCm)
1 + j4RCm 1 + j4RCm

2. Détermination de la matrice X;
2R 2R
!s

~1 _ _ _---'_ _ _-.L.:
:r C 1~~
Fig.3.44

jCm(l + j2RCm) 2RC'm' ]


Ou bien Y = 1
- 1 + j4RCm [ , ,
2RC m jCm(1 + j2RCm)

• XII =( ~, l,;o (voir Fig.3.44)

-1
2R
j Cm
X II = 2R+ 1
2R+.,--C
J m
D' où x -X _ 1 + j2RCm
- I I - _ 11 - 4R
-:-=: (l~+-'j=
R-:C::-m')
Les quadripôles linéaires 103

• X12=(~ h,=o (voir Fig.3,45)


-,
V, = 2R.(!, - 1J (H)

2R 2R !s

Fig.3.45
En appliquant la règle du diviseur de courant, on aura:

I
'C
J ro
(-1.)
-1.
1
'" 2RI 'C1 l+j2RCro
J ro
D'où 1, = -1.(1 + j2RCro) (3.6)

Remplaçons!s de l'équation (3.5) par son expression (3 .6):

V s = -4R.(1 + jRCro }I.

D'où x - X _ _ --,----_1_---"
- " - _ 11 - 4R.(1 + jRCro)

1 + j2RCro
Finalement X= 1 -1 J
- 4R.(1 + jRCro) ( -1 14- j2RCro

3. Pour déduire Xij de Yoj, il suffit de remplacer dans Yoj, C~ro )par 2R et

VIce versa .

Vérification :
Ona :
• y ' _ jCro.(1 + j2RCro)
-II - 1 + j4RCro
104 Exercices et problèmes corrigés d'électronique aosllogique

Soit A la valeur de Y Il en réalisant la pennutation indiquée ci-dessus.

A (2Rt'It+(jCrot(2Rt'1 l+j2RCro X =X
I+2ÙCro)'(2R)' 4R(I+jRCro) ,, _ u

y (2RC,ro, ) -2R(j CroNCro)


• _12 l+j4RCro l+j4RCro
Soit B la valeur de Yl 2 en réalisant cette même permutation.

B- -(jCrot(2Rt'(2R)' -1 X -X
1+2(jCro}-\2R) 1 4R(I+jRCro) "--,,
4. Les consequences de la symetrie de T, et T, sont que :
y" =Y" et {Y Il =Y"
{X l2 :::;.X 21 XII :;: X 22

Exercice 6
1.
a. La fonction de transfert du quadripôle Q, d'après la Fig.3.46, sera en
appliquant la règle du diviseur de tension :
Z 1
u = c u avec Z =--
-, R + Z c -1 _ C jCro
1
' )!!, jCro 1
Par suite -H(Jro =- = 1 = - -'---
!!, R +- - l+jRCro
jCro
D'où H{jro)= 1 avec roc =_ 1_
l+j~ RC
roc

ri Ir
R

r T T~r
Y,
Ze Ze

Fig.3.46
Les qUldripôles linéaires 105

b. Le traçage du diagramme de Bode est comme suit:


• En module: (Fig.3.47)

c.o «c.oc :
IH{joo ~dB =20 log 1 =0
Donc pour ro « ro, la courbe du module admet comme
asymptote horizontale l'axe '0 dB'.

W=W c :

IH{joo ~dB = 20 log 1 + 20 10g.J2 = - 3dB

ro » roc :
IH{jOO~dB = -2010goo
Donc pour 0) » {Oc la courbe du module admet une
asymptote oblique, la droite de pente -20dB 1 Décade et
passant par le point (ro" 0).
[HÛ.,)[,.

1...=
. ..=
. . ~. . =-._...=-......::::::::;;:ts:~---...
o
ru
-3 dB
Pente -20 dB/déc

Fig.3.47
• En phase: (Fig.3.48)

Argf!!{joo)] = - Arctg( : )

W« roc :
Arg[HUro)] = 0
Donc pour û) « Wc la courbe du module admet une
asymptote horizontale au point '0 0 ' ,
ro=Wc :
. 11
ArglliÛru)] = -Arc tg 1 = - - (-45°)
. 4
W» roc :

.
Arg[HUro)] = ·Arc tg 00= -211 (_90°)
106 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Donc pour (0 » OJ e
.
la courbe du module admet une
asymptote horizontale au point _ 1t .
2
ArglliU<o)]

°t-~~~-<Of'----~--~

_90 0 ........... " ........................... .

Fig.3AS
c. C'est un filtre passe bas.

2 .•. L'impédance d'entrée, en tenant compte de la charge, est:


. Z, ~ Z,II [R + (Z, II R)]

___
1
jC",
(R + _-..:R-=---J
1 + JRC",
Z = -=---'~---=-----'-
-, 1 R
- - + R + ---"''---
je", 1+ jRe '"

D'où
z = R(2 + JRC",)
-. 1 - R 'c'",' + j3RC",

2.b. Pour (0 = ffic. l'impédance d'entrée devient:

R{2+j Re ic)
R(2+j) R ·2R
b - 1-RzC, R,C,

+J3RC
1 3j 3 F3
RC
Par identification avec un circuit RIel série on obtient:

A. N: R,~IO kQ ; C,~15 nF
2.c. L'impédance de sortie est celle vue des bornes A et B (entrée en
court-<:ircuit): (Fig3.49)
R R
A A

L--L____---L___ B L-_ _- L_ _ B
Fig.3A9
Les quadripôles linéaires 107

Donc l. = Zo Il R
D'où
z _ R
_s -1+ jRCm

3.a. P, = Re GU,.!;)
Sachant que u] = U I.eiwct
Zo = 2,. e" avec tgq> = -2 d'après l'équation (3,7),

Par suite

1 • U; j<p
d'où P,
-
=-.U,.I,
2- -
=--.e
2Z ,
U'
par suite P, = -'-. cos '1' avec Z =R..;s
2Z, , 3
1 1
et cosq> = - r;;5
~I+tg''l' ,,~

Finalement

3.b. or pour 0) = me on li. :

!,=- H(jox)U, R+i,(ro, ) -~ I!j u, 2~j d'où:

~ ~ U' U'
1'-21 ;\O.R => r,='rilt
On remarque que P,>P, la différence est dissipée par effet Joule dans
la résistance R qui relie l'entrée à la sortie.

Exercice 7

1. En appliquant la règle du diviseur de tension (Fig.3.26). on obtient:

Z.v, R
v- ~:=;'­
_5 - 2:+
jLro avec Z
- = R Il Z c =--'::-c::--
- 1+ jRCro
108 Exercices e't problèmes corrigés d'électronique analogique

R
----.v
1 + jRCm -, R.:,!"
Donc
:'!'s = _--,-R__ + jLm - R + jLm(1 + jRCOl)
l+jRCm

D'où H(jm)=:'!'s = 1
v l . L
-, 1- LCm + J- m
R
2. Cherchant le module de HU"'):
IH(jmt = 1 =~_ _----;-I-;--_~_
-
2
(I-LCm ) +(~ m)' 2 2
I +L C m' +(~: -2.LCJm2

I-H('Jm~~2 = 1+ L'C'
1
m'
SI L: _ 2.LC = 0 =>
R
L = R.fi
m,
puisque LCm~ = 1 <=> C =_1_ donc C- 1
Lm o' - Rmo-fi

Finalement IH(jm t = l ,
m
avec
mo =
1
,JLC
1+ -
m'o
L = R.fi
mo
Si
c= 1
Rmo .fi

Ce cas particulier permet d'obtenir une atténuation d'un facteur 100


du signal d'entrée donc un meilleur filtrage pour 00>000_
Les quadripôles linéaires 109

3. Diagramme de Bode en module: (Fig.3 .50)

IH(jm~ = ~m'
avec mo = ~
vLC
1+-
4
mo

l!.!(jm)1. = 20.logIH(jm~ = -IO.l0~1 + :;)


• O}« 000

m(jOl)]dB = 0 -+ La courbe a pour asymptote horizontale l'axe 0 dB .

• W = 000

[H(jOl)]dB = -3 dB

• O} » 000

l!.!(jm )]dB = -1 O.lOg( :; )

» En posant y = [H(jOl)]dB et x = logOl, la courbe du module suivra


la direction asymptotique régie par l'équation: y = -40 x + 40.logOl o.
Cette dernière passe par le point d'abscisse à l'origine w = Wo .

» Pour w = 10Olo:
4 4

l!.!ùm)]da = - 1O.log( 10m~m0 )


= -40dB

La pente de l'asymptote oblique est de -40 dB / déc.

o
+---~~r--------' Ol

-3 dB Pente -40 dB/déc .


JI

Fig.3.50
110 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Exercice 8
1. Le quadripôle de la Fig.3.l3 , peut être remplacé par la Fig.3.51 avec :

Z, = R, Il ~, et 0 = R,/I Zo

!!:,
Js

z,

=lX , )
Z 1- , -:-- 7.
• &2 is,.,o = ~
!.
v
• 0'=( -:-' )~-o = 2;, + la
1.
Z,,) (Z, -t Z, z, ) el que
=
~
Z" Z, Z, + Z,

l, = R,lIl Ci = .R,
1+ JR,C,w

2, =R, //Z"" = R,
I+JR,C,ffi
Alors
R, R, R,
+
1 + jR,C,ffi 1 + jR,C,ffi 1 + jR,C,co
z= R, R, R,
+
1 + jR,C,co 1 + jRIC, co 1 + jR,C,co
Les quadripôles linéaires 11\

2.
• Impédance d'entrée (sortie ouverte):

z.-f
~
r). =Z\I=Z,+Z,
=.e IS; O , - -_ __ _ _ _ _ _ _ _ _- ,

Z = R, + R,
-. 1 + jR,C,m 1 + jR,C,m
• Impédance de sortie (puisque le générateur de tension est parfait) :

b=(T) =Z,+\ljIZ,)
~ ve =O

3. Le montage n'est pas chargé, donc il sera équivalent à celui de la


Fig.3 .52 du point de vu du gain en tension.
;:;,

Fig.3.52
En appliquant la règle du diviseur de tension, on obtient :
Z
v = 2 V
Z +Z
_ s _1 _ 2
-.
R
Z, =R,I/Zc , = . 1
1+ JR,C,m
Avec
R,
Z, =R, II ZC2 = - - - ' - -
- - 1 + jR , C,m

D'où HUm}= ~s = 2,
- ~,Z,+Z ,

R , + jR,R , C,w
HGw)=----~~~~--~
R, + R, +jR,R,(C, +C , )w
112 Exercices et problèmes corrigés d!électronique analogique

Finalement

' )_ R, 1 + jRICIID
H(JID - ,
- RI +R, 1 + ' RIR, (c +c \....
JR R l ,1'"
1 + ,

En posant

R, +R,
et ro,

H(jw) se mettra sous la fonne suivante:


,ro
l +J -
H{j ) - k -H (j \ HI (j"')
roi (3.8)
~ (Jl - , ro - -0 ID} H ( . )
1+ j - ... 1 J<>l

"'.
ooch""t que k <c 1 et <uppo.on. que ro, <cro,

4. Di.gr:omme de Bode:

• En module

IHÙID~<lB =IH o (jùl~<lB +IH,Ùrol,. -IH , Ùro) ..

IH(iro~dB = 20logk + 10 IOg[1 + (:, )'] -10 IOg[1 + (:, )']


Les qu adripôles linéaires 113

~ Diagramme asymptotique: (Fig.3.53)

t!,ù m) L.r.....
!'7••---=-==
+20dB/déc

w, w, w

2010gk f---=='''<:::""---.....- - - - - -
-20dB/déc

!bù w) ~
Fig.3.53

~ Allure de [H(j"')] dB : (Fig.3 .54)

IHU",)ldB

20 logk !-__-==::::;::'

Fig.3.54
• En phase:

D'après l'équation (3.8), on peut écrire:

ArglliU'" l] = Argllio(j", l] + Arglli, U'" l] - Arglli, U'" l]


Par suite:

Arglliuro l] = Arc t g( :, ) - Arc tg( : , )


114 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

~ Diagramme asymptotique: (Fig.3.55)

+900 .........._......... ---..............................__.... " ..... ... "" .. _"

Arg[H,UOll]
1
Ol, "'1
..., "..
'"
ArgllioUOl) ]

-900 .....•-_... _.................__ ... _...--.


""l ~
Arg[lliUOll]
Fig.3.55
~ Allure de Arg(HUro)] : (Fig.3.56)
Arg[H(jro)]

roi

Fig.3.56
Exercice 9

L. fonction de transfert HUro). peut se mettre sous la fonne suivante:

H, (joo);I+ j~ et 00 1 < 00,


00 ,

• En module
IH(jOO~dB ; -IHIÛm~dB -!H,Ûm)dB

IH(jm~dB ; -IOIOg[1 +(:J]-IOIOg[1 +( :J]


Les quadripôles linéaires 115

}> Diagramme asymptotique: (Fig.3.57)

"" "" '"


Pente -20dB/déc

!:LU"')

Fig.3.57

}> Allure de IH(jw)ldB : (Fig.3.58)

IH(jw)I'8

"" ID

-40dB/déc

• En phase:
Arg!!:!u wl]= - Arg!!:!, (jw l]- Arg!!:!, UWl]
Par suite:

Arg!!:!uw l] = - Arc tg( :, ) - Arc tg( : , )


}> Diagramme asymptotique: (Fig.3.59)

"" "" w

Arg[H,(j p,)l >


__...
_90 0 ... ~_._ ... _... __ ......... .. _..
..., r-
1 Arg[H,(jw)]
Fig.3.59 1
116 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

~ Allure de Arglli(jro)) : (Fig.3.60)


Arg[!!(jro ))

o ~\
.90 . . . .. . . \

:t::=====
· 180' ........................................................................
Fig.3.60
Con<lusion : c'est la fonction de transfert d'un filtre passe bas du
second ordre.

Kxerclce 10
1. Pour déterminer H(jro), on pose : (Fig.3.61)
R
Z = R Il Zc = -.:..:......- (3.9)
- - 1 + jRCro

Fig.3.61

m,v I
La maille 1 donne: I=--=~­
. R, +R, +Z
On pose R.., = R, + R,
La maille II donne:
. ~.m.v, , (R". + Z)v e
YI = Ye- Z.L= Ye- RI;q + Z D'ou: v, = (3.10)
- R". +Z(I+m)
A la sortie, on peut écrire:
. . -R 2 ·m.v 1
.Ys = .R, . 1 = -=-'--='-
- R .. +Z
Les quadripôles linéaires 11 7

En remplaçant y, par son expression (3 .10), on obtient:


-R ,.m (R", + Z)y,
v = .~~~~,
_5 R ", + Z R ", + Z(I + m)
. Vs -R ,.m
Par sUIte =- = (3.11)
~, R eq + Z(I+m)
En remplaçant Z par son expression (3.9), on obtient:
H(jm) = ~s = - m.R,(l + jRCm)
- ~. Req(l+jRCm) + R(l + m)

2. HUro) peut s'écrire comme suit:

H(J'm) __ -:-__-_m_.R,,'----, _ _I=-+,::ic:.R:..;:C,.:;w:--_ donc sous la forme:


- R . +R(I+m) . R ' qRCw
~ I+J ~~~~-.
R ", +R(I +m)
.00
1 + J-
H _ - m .R ,
H(jw) = H. :: avec
0- Req + R(I + m)
l+j -
m,
1
w, - - et
- RC

3. Application numérique :
IHol = 3.83 > 1; w, = 25 rad.s" ; Cil, = 42 rad.s' ; (Cil , < w,)

4. Diagramme de Bode :

n
• En module: (Fig.3.62)

IHGw~dB 20Io~Hol+ IOIO{ 1 +(~


= rJ- 10IO{ +( :,

20 10glHoi ~~_==:::::::7
i Wl w, w

Fig.3.62
118 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

• En phase: (Fig.3.63)

Argll!Ùw)) = Arc g(:' ) - Arc t t~( :, )


Arg[H(jw)]
+90 .. . . .. . . . . . . . . . . . . . .. ~-=---,

Fig.3.63

5. Impédance de sortie:
• 1m méthode:
On court-circuite rentrée et on suppose qu'on a, à la sortie, un
v
générateur de tension parfait tel que: Zs = -;-s (Fig.3.64)
!s

y, Z
.'
ls

Fig.3.64

avec Z ~ R Il ?::

La maille 1 permet d'écrire: Ys=R,.ls-y,(l+m) (3.12)

En remplaçant y, par sa valeur, l'équation (3.12) devient:

Ys = [R, + Z(I + m)] .ls

La loi des nœuds pennet d'écrire: is = ls+ f s = R,+iô+m)+ ~

D'où
Zs = .Ys = R,[R, + Z(I + m))
- 15 R,+R, +l,(l+m)
Les quadripôles linéaires 119

• 2"'" méthode:
o Détenninatjon de la tension de sortie à vide Yso;
D'après l'équation (3 .11):
- R 2 ·rn
-Vso = ( )'V
R,+R 2 +ZI+rn -'
8 Détennination du courant de court-circuit Icc; (Fig.3 .65)

lcc

Fig.3.65
(3.13)

Maille II: rn.y, = - (R, + ZJ kc <=>


Remplaçant YI par sa valeur dans 1'équation (3.1 3), on obtient:

1 -rn.v,
-cc R,+Z{I+rn)

o Par suite l'expression est

Z= ~
_s 1
-cc
CJ{jlprJ'(j('E 4
LŒS CI1?{;VlrrSJl (j)IODPS
LES CIRCUITS A DIODES
(RAPPELS DE COURS)

1. NotioD et caractéristiques:
1.1. Définition :
La diode à jonction est constituée par la juxtaposition de deux
régions (FigA.I) d' un même semi-conducteur (généralement
monocristal), l' une dopée de type P (défaut d'électrons) et l'autre de
type N (excès d'électrons).
Anode Cathode
p N f - - -...

Fig.4.1
Une diode est un dispositif actif et non linéaire, symbolisé par la
Fig.4.2 : A (Anode) 1 K (Cathode)
• ~ ~:I----r
1.....0 -- - --
v
Fig.4.2
Les grandeurs v et i sont liées par la relation suivante:

I=Is{ex{~)-l)
où 15 est le courant de saturation, dépend de la température ;
VT est la tension thenmodynamique fonction de la température
(VT = K.T ). K : constante de Boltzmann, q la charge élémentaire et
q
T la température en Kelvin
1.2. Principe de fonctionnement:
Le principe de fonctionnement de la diode à jonction peùt être
expliqué en se basant sur la caractéristique courant-tension de la
FigA.3. 1

j
/ V
i

V, Fig.4.3
124 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Nous remarquons que pour une tension V supérieure à V y le courant


traversant la diode est non nul, par conséquent la diode est
conductrice. Cependant, pour une tension V < V., le courant traversant
la diode est presque nul , donc la diode se comporte comme un circuit
ouvert (Z~ oo) . On dit que la diode est bloquée.
V, est la tension de seuil de la diode.
2. Modélisation de la diode: ,
D'après la caractéristique courant-tension nous voyons que la diode
est un dipôle non linéaire. Nous savons que les théorèmes généraux sont
valables uniquement pour les réseaux électriques linéaires, d'où la
nécessité de linéariser la diode.
Cette linéarisation consiste à remplacer la caractéristique
exponentielle par une droite de pente.! pour V > V, (Fig.4.4).
r
1 Caractéristique réelle

,,
1

Caractéristique linéarisée

v,
Fig.4.4
Nous pouvons ainsi écrire :
• Si V :s; V., ::::::> i = 0 (résistance infinie, modèle interrupteur ouvert).
• Si V > V,=> V ~ V, +r.I
Cette équation permet d'envisager le circuit électrique équivalent
suivant: (Fig.4.5)
A 1 K A 1


j <II
~ ~ • <==:> •<II
,
,
~

V V

Fig.4.5
V, ~ 0,6 à 0,7 V pour une diode au Silicium.
V, ~.O ,3 V pour une diode au Germanium.

r ~ (dV) : Résistance dynamique en direct, de l'ordre de 10 n.


dl v , vy
Les circuits à diodes 125

3. Point de fonctionnement :
Considérons le circuit de la Fig.4.6.

E
R

$,----{c:::J~:J *i V

Fig.4.6
La caractéristique 1 = f(V) de la diode D étant non linéaire, le point de
fonctionnement peut être détenniné graphiquement. En traçant sur un
même graphique la droite de charge d 'équation (1.1)
E-V
1= (1.1)
R
et la caractéristique de la diode

I = l s{exp( ~J-I) (1.2)

le pOlnt de fonctionnement est l'intersection des deux courbes (Fig.4,7).


Soit en résolvant le système d 'équations (1.1 ) et (1.2) non linéaire, on
fait appel alors à des méthodes de résolution numérique ou bien, si la
caractéristique de la diode est linéaire, le point de fonctionnement peut
être déterminé analytiquement.
1 Caractéristique réelle
EIR

Droite de charge
k-----

Fig.4.7
Les coordonnées du point de fonctionnement (V M, lM) seront déterminées
comme suit :
E- V
= 1 =
M R +r
'
E.r+V R
V - ,
= M - R+r
126 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

4. Diode Zener :
Une diode Zener est un dipôle non linéaire ~v~nt la courbe
caractéristique 1 = f(V) suivante: (Fig.4.8) 1

vz > 0 : tension Zener de la diode

v
-v,
v,

Fig.4.8
• En polarisation directe: la diode Zener se comporte comme
une diode à jonction.
• En polarisation inverse: la diode Zener est de nouveau
conductrice pour une tension 1vi;, V,. De plus, quel que soit
le courant [, la tension aux bornes de la diode est presque
constante, d'où l'intérêt de la diode Zener pour stabiliser une
tension.
• Une diode Zener peut être représentée par l' un des symboles
suivants: (Fig.4.9)
K K
K

1 1 1

v, v, v,

A A A

Fig.4.9
• En conduction inverse, la diode Zener peut être modélisée par
le circuit suivant: (Fig.4.l 0)

1
!2~ Vs Vs

Fig.4.10
Les circuits à diodes 127

r1. : est une résistance très faible.


Pour une tension inférieure à V z (en va leur absolue) , la diode se
comporte comme un interrupteur ouvert.

5. Circuits à diodes:
Les diodes (à jonction ou Zener) sont utilisées pour assurer les fonctions
suivantes:

• Redressement ;
• Ecrêtage;
• Stabilisation (diode Zener).

Dans ce chapitre, on présente la fonction de redressement et dans les


exercices on traite les autres applications.
Considérons le ci rcuit de la FigA.Il.
D

,
e( t)
R. 1
vs(t)

Fig.4.11
e(t) = Em.sineùt et de résistance interne r.
On sc propose de détenniner la ten sio n vs(t ). La dIOde est un élément
non linéaire, clic peut être remplacée par so n circuit équiva lent
(pou, i > 0). Fig.4.12 .
i( t)

,
R. vs(t)
cft)

Fig.4.12
. e(t)-V
l(t) ~ ,
rd + r + R Il

D'où Vs (1) ~ ~_R-"'_ (e(t) - V,)


rd+ r + R u
• Pour c(t) > V, => vs(t) > 0
• Pour i(t) ::::: 0 => la diode est bloquée, elle se comporte
com me un circ uit ou vert ~ vs(t) = 0 et c(t) <v.,.
128 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

D'où la représentation suivante : (Fig.4.13)

Vs vs(t)

.................. --. .......

e(t

Fig.4.13

C'est le principe d'un circuit de redressement mono alternance.


Les circuÎls à diodes 129

LES CIRCUITS A DIODES


(ENONCES DES EXERCICES)

Exercice 1

On considère la courbe caractéristique = f (Ua) d'une diode à jonction


(FigA.14).
200 1 (mA)

100

u" (V)
0.5 2 3
Fig.4.14
l, DétermÎner la tcn s ion de seuil V-! de ce tte diode.

2. Soit un point M appartenant à la courbe caractérist iqu e tcl que


lM = 100 mA, trouver graphiquement la résistance dynamique de la
diode en ce point.

3. Etablir l'"équation permettant de linéariser la diode.

4. C elte diod e est placée d ans le ci rcuit élect ri qu e suivant : (F lgA. 15)
On donne : D
E = 3 V el R = 22 n

Fig.4.IS
Ecrire l'équation de la droite de charge 1 = f(U o). Tracer cette droite
et en déduire les coordonnées du point de fonctionnement.
130 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Exercice 2
On se propose d'étudier le circuit ci-dessous : (Fig.4.16)
D

+-
U R
D

Fig.4.16

D est une diode au Silicium dont la caractéristique est linéaire avec V, =O.5V
et rd = 5 n.
La tension d'entrée est de la forme : v,(t) = V M sin ",t
l. Détenniner l'expression du courant i(t).
2. Tracer sur le même graphe VD(t) et i(t).
3. Calculer J'angle de déblocage e (angle pout lequel la diode passe de
J'état bloqué à l'état passant) pour V" = 2 V, puis V" = \0 V.
4. Comparer les valeurs trouvées avec celles que dOMerait une diode
au Gennanium de V y = 0.3 V.
S. Expliquer ce qui se passe quand on branche un condensateur C en
parallèle avec la résistance R.
6. Tracer l'allure de la courbe i(t) dans ce cas.

Exercice 3
On considère le circuit électrique donné par la Fig.4.17
Rl2

v,(I) R

Rl2 " urt) D,

Fig.4.17

Les diodes D, et D, sont supposées parfaites (V, = 0 V et r = 0 Il).


\. Calculer u dans les deux cas suivants:
a. V,=+ IOV ;
b. V, = -IOV.
2. Tracer u en fonction du temps si v,(t) est sinusoïdale de valeur maximale
V" = 10 V.
3. On remplace les deux résistances R/2 par deux diodes D, et D,. La
tension vc(t) est toujours sinusoïdale, que devient l'allure de la tension
urt) ?
Les circuits à diodes 131

Exercice 4
On suppose que les circuits proposés par les FigA.1 8 et FigA.19 sont
alimentés par des tensions sinusoïdales Vej(t) =V M sin rot. (i = I;2)
R
R

V,2
V e2
Vel

Fig.4.18 Fig.4.19
On suppose aussi que toutes les tension s Eh E2, V Z I et V Z2 sont inférieures
·à VM. Les diodes D" D" DZI et DZ2 sont parfaites (V,,=O, ro=rz=O).
1. Expliquer le fonctionnement de chaque montage.
2. Tracer l'allures de V.,(t), vd t) ainsi que Vs, = f(v o') et Vs, = f(ve, ).
3. Quelle est la fonction assurée par chaque circuit?
Exercice 5

La FigA.20 représente une diode 0 dans un circuit comportant deux sources


de tension. La caractéristique de cette diode est donnée par la FigA.2 1.
! (mA)
R, R, 8
1500 2000
6
R,
Vb
1000 4
4V
1
2
vi 0 V (V)

0.25 0.5 0.75


Fig.4.20
Flg.4.21

1. Déterminer l'intensité du courant 1 en modélisant la diode.


2. Tracer la droite de charge 1 = f(V) .
3. Quel est alors le point de fonctionnement ? Comparer la solution
graphique et celle donnée par le calcul.
132 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Exercice 6

On considère le schéma ci-dessous dans lequel les diodes D, et D, sont


supposées parfaites (FigA.22). La tension appliqui t: à l'entrée est dOlUlée par
la Fig.4.23 .
1. Pour différentes valeurs de v" faire des hypothèses sur l'état des
diodes D, et D, puis les vérifier, en déduire l'expression de la tension
de sortie. Effectuer l'application numérique.
2. Tracer les courbes de la tension de sortie Vs en fonction de la
tension d'entrée V c et en fonction du temps.
R D,
N
v,
R

R 40V
v, (t) vs(t)
D,
E ~ lOV

Fig.4.23
Fig.4.22
Exercice 7

On désire étudier le circuit de la Fig.4.24. Le signal d'entrée étant de la


forme v,(t) ~ 100 sinw\.
On donne: E, ~ 25 V; E, ~ 75 V.

R R
v, (t) vs(tl

E, E,

Les diodes sont supposées parfaites. Fig.4.24 ·


1. Pour chaque combinaison indiquée sur le tableau ci·dessous, on
demande de :
1.1. Donner le schéma équivalent du montage;
1.2. Préciser la ou les conditions sur ve(t);
1.3. Indiquer si cet état est possible (P) ou non possible (NP);
1.4. Trouver l'expression de vs(t) et VOl(t).
Les circui ts à diodes 133

Etat de Etat de Condition v,(t) VD ,(t) Etat


sur v,(t)
D, D, (P ou NP)

passante passante

passante bloquée

bloquée passante

bloquée bloquée

2. Représenter les allures de vs(t) et VD,(t).

Exercice 8

On désire étudier le circuit à diode de la FigA.25.


On donne : E = 10 V et R =1 ill.
D,
A
l,

R
B v,
v,
E R

Flg.4.25

Les diodes sont supposées parfaites.


1. Exprimer la tension Vs en fonction de la tension Ve sachant que
o< v, < 25V.
2. Tracer la caractéristique de transfert v, = f(v,) .
3. Déterminer puis tracer la variation du courant II en fonction de VC •
134 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Exercice 9

l. Point de fonctionnement:
La caractéristique inverse d'une diode Zener est représentée par la
Fig.4.26. La partie utile (1 non nul) est assimilée à une droite entre les points
A (1 mA) et B (20 mA). 7
10 6 4 2
o
1
v (V) A

10

Fig.4.26
B
20

Le courant inverse maximal autorisé est 20 mA. 1 (mA)

La diode Zener précédente est utilisée dans le montage de la Fig.4.27


suivant: R

'--____D_Z_l----'-_---'1 V
Fig.4.27
l. Calculer le point de fonctionnement pour R=650 Cl et V E=13 V.
2. Résistance de polarisation:
2.1. Quelle valeur faut-il donner à la résistance de polarisation R pour
que le courant dans la diode Zener soit de 15 mA ?
2.2. Quelle est la limite inférieure R"," de R pour que la diode soit
passante en sens inverse?
3. Stabilisation de tension:
On adopte le point de fonctionnement suivant, (10 mA ; 6,5 V) et on
donne R = 650 Cl.
Les circuits il diodes 135

3.1. Calculer la résistance dynamique R;,: et la tension Zcncr V z de la


diode.
3.2. Calculer la variation de la tension de sortie, à vide, si la tension
d'entrée est VE = (13 ± 2)V.

33 Ulre 1e coe ffi'


.. De'd' JC1ent desta b'I" . K=-
1 1sat1Oo en tenSlOn fiV
-.
fi V,
Exercice 10

On dispose d'un générateur de force électromotrice E = 1 V, une


résistance de 1 kfl et une diode supposée idéale D,

Proposer les circuits électriques permenant d'avoir les caractéri stiques


courant·tension correspondant aux figures suivantes:

1 (mA)

1 (mA)

U (V) -2 -1 U (V)

0 1 2 0
......... _............ -1

Fig.4,28
Fig,4,29
1 (mA)

2 1 (mA)

1
u (V) -1 U (V)

o 1 0
-1

-2
Fig,4,30
Fig.4,31
Les circuits à diodes 137

LES CIRCUITS A DIODES


(CORRIGES DES EXERCICES)

Exercice 1

1. Le prolongement de la partie rectiligne de la caractéristique de la diode


donne la tension de seuil V,; 0,65 V (FigA.3 2).

20011 (mA)

100
----!---~:
t.I
A
----- ----
:'
il "
"
; 1
,!1
; 1

° 0,5 ' :
~
1
.....- -
2 3

Fig.4.32

2. Une variation autour du point de fonctionnement dorme la valeur de la


résistance dynamique (FigA.32) :

_600 0,87-0,72,103 =1 5 Il
ro 61 (150-50)
, ,

3. Dans le sens direct, la diode peut être modélisée par l'équation


suivante:

4. En appliquant la loi des maiJles dans le circuit de la FigA.15, on obtient:

E ; U o + R.l
Pour 1; 0 q Uo ; E ~ 3 V
Pour Uo ; 0 q I=.li=2=0 14A
R 22 '
138 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

D'où l'équation de la droite de charge: 1;


-u D + -E qui passe par les
R R
points Plo P" définis par: Pl : (3 V ; 0 mA), P, : (0 V ; 140 mA) et coupe la
caractéristique au point de fonctionnement Po tel que Po: (0,8 V ; 100 mA).

Exercice 2
1.
• la diode est bloquée si v.,; V, q i(t) ~ 0
• la diode conduit si Vc > Vy et on a le schéma équivalent suivant:
(Fig.4.33)
rD

VD R jVS(tl

Fig.4.33
En appliquant la loi des mailles, on obtient l'équation suivante:
v,(t) ~ VI + (R + rD).i(t)
V (1)- V
D'où i(t);' 1
R +ro

~ v. (1) pour
Et VD(t) ~ volt) - R.i(t)
r R
- 0 ve(t) + V, '" V, si rD « R
R+r D R+rD

2. Allure de VD(t) et i(t): (Fig.4.34)

v.1

.; ;) i(l)

v, 'C..." ...\.~ ...

\ i \ .i
\ i \. 1
\. .i.i \..
\
• 1
. \
\ .J
.l .i.i
\.1
Fig.4.34
Les circuits à diodes 139

3. A l'angle de déblocage e, on aura:

v
D'où e = Arcsin- Y
-
VM

• Pour VM = 2V y ~ e=Arcsin~=~=0,52 rad

• Pour VM = 1OV ~ 9=Arcsin ~': =0,05 rad

4. Dans le cas d' une diode au Germanium Vy = 0,3 V

• Pour VM = 2Vy ~ e = Arcsin~ = 1t = 0,52 rd


2 6
• Pour V M = IOV ~ 9 = Arc sin 0,3 = 0,03 rd
10
On voit que le changement de la diode n'influe presque pas sur
l'angle de déblocage de celle-ci. Pour un bqn redressement on a mtérêt
à prendre YM » Yy-
S. Lorsqu'on branche en parallèle sur R un condensateur C, ce dernier sc
charge, lorsque la diode est conductrice, jusqu'à la tension Yu -V ~
(puIsque v,(t) = v,(t) - volt)) et lorsque la diode sera bloquée (si v,(I) <
Y M -Vy) le condensateur se décharge à travers la résistance R. Pour un
bon filtrage (obtention d'une tenSIOn vs(t) presque continue), on a intérêt
à avoir une constante de temps Re grande devant la période.
6. L'allure sera comme suit: (Fig.4.35)
i(t)

\.
j •

Fig.4,35
140 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Exercice 3
1.
• Pendant l'alternance positive, les diodes sont passantes, car Dl a son
potentiel d'anode au potentiel plus élevé du circuit et Dl a son
potentiel de cathode au plus bas du montage elles se comportent donc
comme des interrupteurs fermés (diodes parfaites V,=O et rD=O). Le
schéma équivalent du montage devient comme l'indique la Fig.4.36.
D,

v,(t)
- 1 R

• u(t) D,

Fig.4.36
• Pendant l'alternance négative, les diodes seront bloquées et se
comportent comme des interrupteurs ouverts. Le schéma devient
alors celui représenter par la Fig.4.37.
R/2
v,(t) ~(R+ R).i(t) ~ 2R.i(t)

Alors i(t) = v,(t) R


2R
Or u(t) = -R.i(t)
v (t)
D 'où u(t) = - - '-
2 Fig.4.37
a. Pour v,(t) = 10 V 0) u(t) = 10 V.
b. Pour vit) = -10 V 0) u(I) = 5 V.

2. Lorsque l'entrée est sinusoïdale, un raisonnement analogue au


précédent pennet d'obtenir la tension de sortie suivante: (Fig4.3 8)
u(t)
10 V

5V . . . . L '· · t

\ /
\ !

\ / Fig.4.38
\. ,/
Les circuits l diodes 141

3. En remplaçant les résistances R/2 par deux diodes, le circuit devient


celui que représente la Fig.4.39.
D, D,

v,(t) - R

D. D,

Fig.4.39
• Pendant l 'alternance positive, ce sont D 1 et D 2 qui conduisent.

u(l) = v,(t) = V M sin Olt.

-. Pendant l'alternance négative, ce sont Dl et D4 qui conduisent.

u(t) = -v,(t) = -V M sin Olt.


L'allure de urt) sera alors la suivante: (Fig.4.40)

IOV o,om o. urt)

i
!
\ l
\. ~/

Fig.4.40

C'est un redressement double alternance.


Exercice 4
1.
J> Etude du circuit de la Fig.4.18
• V CI >0
o V', < E, -+ D, et D, bloquées
VSI = Vcl
e v" > E, -+ D , passante et D, bloquée
Vs l = El
142 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

• Vel <0
o v" > E, ~ D, et D, bloquées
Vil = Ve J
e Vel < El ~ DI bloquée et D2 passante
E2 vsl = -
~ Etude du circuit de la Fig.4.19
• Ve 2 > 0 : DZ 1 polarisée en direct, D Z2 polarisée en inverse.
o v" < Vu ~ Du bloquée .
. Vs2= Ve 2
8 Ve2 > Vu + DZ2 ' passante.
V "Q Vs2 =
• Vc2 < 0 : Dn polarisée en direct, D Z1 polarisée en inverse.
o Ivd > IVzd ~ Oz, passante
V sl = Y Z I

8 1v,,1< IVzd ~ Oz, bloquée


Vsl = Ve 2

2.
~ Allures des tensions dans le circuit de la Fig.4.18 ; (Fig.4.41)
V"
Vel(t)

+1\
.:'
E,
E,
\ t
E,
V"
E,
,
, ;
..,/
Fig.4.41

~ Allures des tensions dans le circuit de la Fig.4.19 : (Fig.4.42)


V"

vz,
t V Z1
____ -,l"----'-'v.!"z,L..._..... ve2

..
Fig.4.42

3. Ce sont des circuits écrêteurs.


~ circuits à diodes 143

,t.ercice 5
1.. Pour trouver le courant traversant la diode. on utilise le théorème de
Thévenin.
• Détermination de RTh :(Fig.4.43)
R, R, R) A

R)

A
B
TB
Fig.4.43
R = R,.R, +R
n R1 + R, )
RTh = 186 n
• Détermination de Y Th :(Fig.4.44)
Pour trouver Y Th , on applique le théorème de Millman : R)

-
Yb - -Y.
R, R,
_ R, R,
Yn
1 1
- +- V"
R, R,
• Vb

Yn = 857 mY
Fig.4.44

Le schéma du montage devient alors celui de la Fig.4.45, avec, d'après la


Fig.4.46 : RTh

Y,= 0,5 Y ct ro= 40 n.


1
v,
"'T ~.:: .i'.::"
V Th
... v ... / ... Dl

rD

Fig.4.45
144 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

La loi des mailles donne l'équation suivante:


VTh=V+RTh.1 (4,1)
VTh = V, + (Rlb + rD) . 1

D 'où

A,N,: 1 = 0,857 - 0,47 ., 1 71 mA


186+40 '

1=1,71 mA
2. Le point M est l'intersection de la droite de charge et de la
caractéristique statique de la diode. C'est donc le point de
fonctionnement.
[ (mA)

2
1,6 mA Ji v (V)

0.25 0.5 0.75

Fig.4.46
L'équation de la droite de charge est :

3. La Fig.4.46 donne la solution graphique:

10 " 1,6 mA et V o" 0,55 V


On peut vérifier que d'après l'équation (4.1): Vo= VTh - RTh.Jo= 0,56 V.
Les circuits à diodes 145

Exercice 6
1. Si la dIOde DI est bloquée la diode D, est forcément passante car son
potentiel d 'anode est le plus élevé du montage (V A,=E= IO V) par suite
les états possibles des diodes sont donc:
a) DI bloquée, D 2 conduit;
b) DI conduit, D, conduit;
c) DI conduit, D, bloquée.
a) Si la diode DI est bloquée alors la diode D, est passante. (Fig.4.47)
Or DI bloquée => VN"" v,(t) et D, conduit => vN< IO V

On a dans ce cas :
R
v (1) = v = . E = -E = SV
, 'R+R 2
Fig,4.47

Supposons maintenant que DI et D, conduisent; (Fig.4.48)


R

R
v, (t) R vs(t)

Fig.4.48

• DI conduit => VN ,; v,(t) (4.2)


• D, conduit => VN ,; 10 V (4.3)
Par ailleurs en appliquant le théorème de Millman on obtient:

_10 + _v '-"(--,-
1)
v,(I) + 1O
vs(I)= R R = (4.4)
3 3
R
Les relations (4.2), (4.3) et (4.4) permettent de dire que cette hypothèse
n'est possible que si: v,(t),;; 20 V
146 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Supposons enfin que D, conduit ct D, bloquée; (FigAA9)


R
N

v, (t) R

Fig.4.49

(4.5)

• Dl bloquée ~ v;-.; ;?: 10 V (4.6)

On a ainsi vs(t) ~ v, ~ v, (t) / 2.


Cette hypothèse n'est donc poss ible que si :
v, (t) / 2 ;> 10 V => v, (t);> 20 V

et on a: v,(t) = v, (t) / 2

2. Les courbes de V s = f( vc) et V s = f(t) seront tracée s à partir du ré sumé


suivant: (Fig A.50)
• v,(t) :s; 5 V => vs(t) ~ 5 V

• 5 V " vJt) :s; 20 V


~
__ v s (t) -- v. (t) + lO . c'est une droite de
3
pente 1/3.
• v,(t) ;> 20 V => v,(t) = v,(t) / 2: c'est une droite de pente 1/2.
Les circuits à diod es 147

[xcrcice 7 :
1.
• 1è~ combinaison: Dl et D) passantes
1. 1. Le circuit sera cquivalent à celui de la Fig.4.5I.

R R
v,(t) 17\\ vs(t)
U IV Il

FigA.51

1.2. La loi des mailles permet d'écrire:

( 1 ) : v, (t) ~ R ( iD, + io, ) +E, (4.7)


( II ) : v,(t) ~ E, - R.i o, (4.8)

L'équation (4.8) pemlct d'écrire:


. E - v (t)
1D2 = 2 R e> 0 puisque D 2 est passante.

D'où v,(t) < E,

L'équation (4.9) permet d 'écrire :


. v,(t)-E, .
1 Dl = -1 D2 remp laçant im par son expressIOn ,
R
on aura :
. 2v , (t) - (E , + E , ) 0
' Dl = >
R
E +E
D'où v,(t) > ' ,
2
E , + E , < v (t) < E
Finalement
2 ' ,
50 V < v,(t) <75 V

1.3. On peut conclure que cet état est possible .

1.4. v,(t) ~ v, (t) et VD,(t) ~ O.


148 Exercices et p.-oblèmes corrigés d'électronique analogique

. i me combinaison: Dl passante et Dl bloauée

-.
1.1. Le circuit sera équivalent à celui de la Fig.4.52.
lm vo,

R R
v, (t) vs(t)
Il

E,

Fig.4.52
1.2. La 101 des mailles permet d'écrire:
( 1) : v,(t) = R i DI + El (4.9)
( II) : v,(t) ~ E, - VD2 (4.10)
L'équation (4.9) permet d'écrire:
. v (t)-E I .
1Dl = t > 0 pUisque Dl est passante.
R
D'où v,(l) > El
L'équation (4 . 10) permet d'écrire:
V02 = E2 - ve(t) < 0

D'où v,(t) > E,

A.N. : v,(t) > 75 V >25 V

1.3. On peut conclure que cet état est possible.


1.4. v,(t) = E, et VOI(t) = O.
• 3':111" combinaison: Dl bloquée ct D l passante
1.1. Le circuit sera équivalent à celui de la Fig.4.53.

R
vs(t)

E,

Fig.4.S3
Les circuits à diodes 149

1.2. La loi des mailles pennet d 'écrire:


( II) : v,(t) = E, - R.i o, + VO l (4. Il)

( 1) : v, (t) = VO l + R i D2 + E, (4.12)

La d.fférence des équations (4 .11) et (4.12) nous donne :


E , - E,
'0' = 2R
L 'équation (4 .12) devient, en remplaçant iD, par son expression:
E, -E,
v, (t) = VO l + + E,
2

E, +E,
Or VOl = v,(t) - <0
2
, E +E ,
D'ou v (1) < l
• 2
A.N.: v,(t) < 50 V

1.3. On peut conclure que cet état est possible.


El + E,
1.4. VO l = v,(t) - 2

. E, - v , (t)
A la sorti e: vs(t) = E2 - R.i m c> l oz =
R
Et v,(t) = E, + R.i 02
En éliminant im . on obtient:
E, + E,
v ()
, t = --'- 2 ---'-
• 4i:mc combinaison: D. et D2 sont bloquées, les courants sont tous nuls.
1.1 . Le circuit sera équivalent à celui de la Fig.4.54.

v, (t)
- -

VO l

R
v"'

R
vsCt)
li

E,

Fig.4.54
150 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

1.2. La loi des mailles permet d'écrire":

( [) : v,(t) = VOl + E, (4.13)

(4.14)

L'équation (4.[3) permet d 'écrire:

VDi = v,(t) - E, < 0

D' où v,(t) < E,

L' équation (4.14) permet d'écrire:

VOl = E 2 + VDI - ve(t) en remplaçant VDI par son expression, on


obtient:

VOl ::: Ez - El = 50 V or Voz doit être < 0 car Dz est


supposée bloquée

1.3. On peut conclure que cet état n'est pas possible, en effet si DI
est bloquée alors D 2 est passante car E 2 > E l'

D 'où le tableau suivant :

E t.t de Et.t de Condition vs(t) VDI(t) Etat

D, D, sur v,(t)

C C 50 V < v,(I) < 75 V v,(I) 0 P

C B v,(I) > E, = 75 V E, 0 P

B C v, (t) < E,+E, = 50V [\ + [1 vr{t) - El + El P


2 2 2

B B - - - NP
Les circuits à diodes 151

2. Représentons les allures de v,(t) et VDI(t). (Fig.4.55)

~ v t

VM=lOOV "'-""T';~"'"''''''''''''
;
E, = 7S V .~;-- ---_ .

El +E 2 = 50V
2 .i \ !
/
1
\
".. !1
!
\ t

\\ /1 \\,• /
!

\ \ \ !il \ \• •! 1
\ \/ ' \ \. / 1
\ 1 \ 1
\l
· [VM+ E,+E , l=· l SOV ......................................
2
/"
v~
Fig.4.55

[x.rcie.8

1.
• 1" cas :D, conduit et D, bloquée: (Fig.4.56) A

v,(t) ~ v,(t).

Ji> La diode D, conduit


i R

B Ys
y (t) Ye
alors I, = < >0
2R
d 'où v,(t) > 0

Fig.4.56
};> La diode D 2 est bloquée veut dire que VB >E
v , (t)
OrY . = >E
2
Donc v,(t) > 2E

Finalement v,(t) ~ v,(t) pour v,(t) > 2E


152 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

• 2' '''' cas :D, bloquée et D, conduit: (Fig.4.57)

);> La diode D, est bloquée alors vA> v,(t)


A

Or vA= v,(t)=E B v,
v,
E R
Donc v,(t) < E

Fig.4.57

);> La diode D, conduit veut dire que l , =!. > 0 et I, = O.


R

• 3''''' cas :D, conduit et D, conduit: (Fig.4.58)


I, A

B Vs
v,
E R

Fi~.4 . 58

v (t) - E
)0 La diode DI conduit alors '1= 0: >0
R

Donc v,(t) > E et v,(t) = v,(t)

);> La diode D, conduit veut dire que l , = !. > O.


R

Remarque :
Le cas D I et D 2 bloquées ne peut avoir lieu car si D I est bloquée, D 2 est
automatiquement passante.
Les circuits à diodes 153

2. Caractéristique de transfert: (FigA.59)


v,
2E

v,

E 2E

Fig.4.S9

Vanation de Il en fonction de v, : (Fig.4.60)

Pente 1/2R

~ v, > E c:>

Pente IIR
> Ve > 2E r:::) 1 =~
1 2R
E 2E v,

Fig.4.60
Exercice 9 :

1. Point de fonctionnement
Le schéma du montage étudié est celui indiqué par la Fig.4.61 :
R J
VE ~ V+R.I
c:J
D
zYi V

Fig.4.61

1 = V E - V C'est l'équation de la droite de charge


R

Pour tracer cette droite, il nous faut deux points:


• Pour 1=0 c:> V=V E = 13 V
13
• Pour V = 0 c:> 1 = -- ~ 20 mA
650
154 Exercices et problèmes corriges d'élect ronique analogiqu e

7
10 6 4 2

V (V)

Q
=-
E
... §- Iv
,1
Fig.4062
d
r: , ~,o
B

0.0

L'intersection de la droite de charge e l de la courbe de la ca r Clctéris~iq ll t'


diode (Fig.4.62) donne le point de fonctionnement Q(6,S V; 10 mA) .
2.
2.1. Pour un courant 1 = 15 mA et d'après la Fig.4.62, on obtient
V -6,75 V

par suite R = E
V.- V
= 13 - 6,75J = 4 ! 7 Ç)
1 15.10 '
2 .2 . Le courant ne do it pas dépasser I,,\iI." = 20 Olt'.

D'où R min = V E - V = 13 - 7 J = 300 Ç)


I mu 20.10·

3. Q( 6.5 V ; 10 mA ) et R = 650 n
3.1.
• Résistance dynamIque dt! h ,i . ' ll ('

R = AV ~ . 6.?~ ~:' o ' . _.o 50 U


z Al (15 - IU; I' ·

• Tension Zener de la dJ'jdc;: .


V z- VE - (R +Rzj (4. 16 )

AoNo : V l - 13 - ( 650 + 50 ) 10.10" = 6 V


Les circuits à diodes 155

3.2. VE = (13 ± 2)V.


De l'éq uation (4.16), on peut écrire:
V -V, 4
1= E . = - = 57mA
R + R, 700 '
dl = 5,7 mA

D'où d V = Rz. dl = 0,285 V


3.3. K = k0,= 0,;9 '" 0,07 Soit 7 % .

Exercice lO

• Circuit de la Fig.4.28
i (mA)

o Il (V)

o 2

Fig.4.28

>- Le segment 0 correspond à i = 0 pour u < 1 V,


donc la diode est bloquée.
~ Le segment e correspond à u =R i + 1 pour li > 1 V.
donc la diode condu it.
D'où le circuit suivant : (FigA.63)

Il R

Fig.4.63
156 Exercices ct problèmes corrigés d'électronique analogique

• C ircuit de la Fig.4.29
i (mA)

·2 u (V)

Fig.4.29

> Le segment 0 correspond à u =R i - 1


pour u < ~ 1 V, donc la diode conduit.

> Le segment f} correspond à i = 0 pour u > - f V,


donc la diode est bloq uée.

D' où le circuit suivant : (Fig.4.64)

u R

Fig.4.64
• C ircuit de la Fig.4.30 ; (mA)

u (V)

o
o
Fig.4.30

);> Le segment 0 correspond à u = 0 pour i < 1 mA,


donc la diode conduit.
Les circuits à diodes 157

.. Le segment f} correspond à u =R i - 1 pour i > 1 mA,


donc la diode est bloquée.
D'où le circuit suivant: (Fig.4.65)

R
u D
E

Fig.4.65

• Circuit de la Fig.4.31 i (mA)

-1 u (V)

0
·1

0 -2

FigA.31

.. Le segment 0 correspond à u =R i + 1 pour i < -1 mA,


donc la diode est bloquée.

» Le segment 8 correspond à u = 0 pour i > -1 mA,


donc la diode conduit.

D'où le circuit suivant: (Fig.4.66)

R
u D
E

FigA.66
CJ{}l/PFr~p, 5
DES T<Rjl:NSIS'roCRS ŒlPOLJlII}{PS V'ITLISPS
rJi:NJl:MPLFFICJlPEVCRS
LES TRANSISTORS BIPOLAIRES
UTILISES EN AMPLIFICATEURS
{RAPPELS DE COURS)

1. Présentation:
Un transistor bipolaire est constitué de deux jonctions PN, on peut
distinguer donc deux types de structure PNP et NPN :

Type Structure Symbole

Collecteur
C

Base p
t-- B
PNP N
t--
P
Emeneur
l E
i Collecteur C

Base N
NPN B V
p
t:.
N

! Emetteur
•E
Le transistor bipolaire peut être considéré comme un quadripôle, monté de
l'une des trois façons suivantes: (Fig.5.1)

E c c E

B B Sortie
Sortie
Entrée Sortie Entrée Entrée c
B E

(g,) B2se commune (b) Emetteur commun (c) Collecteur commun

Fig.S.1
162 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Pour un transistor bipolaire PNP (respectivement NPN), on vérifie toujours


en valeurs arithmétiques:

(ldEmRnt = (lç + IBhol1lmts (respectivement (lE) Sortant = (le + le) EnlrllnlS)

et le = I3I B avec 13 » 1 dans la zone de fonctionnement linéaire.


Le montage le plus utilisé est l'émetteur commun.
2. Caractéristiques statiques:
Les caractéristiques statiques d ' un transistor bipolaire sont :
• Y BE = f(I.) à Y(E = constante.
Réseau de caractéristiques d'entrée.
• y BE = f(Y CE) à l B = constante.
Réseau de caractéristiques de transfert en ten sion .
• le = f(I B) à YCE = constante.
Réseau de caractéristiques de h"ansfert en courant.
• Ic = f(Y CE) à l B = constante.
Réseau de caractéristiques de sortie.
Ces caractéristiques sont données par les constructeurs (Fig. S.2)
Ic (mA)

s
... Droite de charge

----è'..r-,:--~M
, -----71----
...

lB (~A) ------ - ~: - ---l' ~~-------


: .... ,
-------
VcdV)
, '
, 8
...
, i 1
l BO
kP:
' 1 V CEOI
-
Signal d'entrêe

~~=~~+~~~ YB: ---_~;---:-t--_. . - _


Y
BE
(Y)~ . de sortie.
i \ ' SignaI
. ,
Fig.5.2 '
3. Polarisation d ' un transistor:

La technique de polarisation consiste à associer au transistor utilisé des


résistances permettant de limiter les courants d' entrée et de sortie et
assurant les conditions de fonctionnement nonnal (point de
fonctionnement dan s la zone linéaire):
Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 163

• La jonction Base-Emetteur doit être polarisée en direct, c'est à


dire que la base est portée à un potentiel positif par rapport à
l'émetteur dans le cas d' un NPN. Cas contraire pour un PNP.
• La jonction Base-Collecteur doit être polarisée dans le sens
inverse, c'est à dire le collecteur est porté à un potentiel positif par
rapport à la base dans le cas d'un NPN. Dans le cas d'un PNP, il
doit être négatif par rapport à cel ui de la base.
La polarisation la plus utilisée est celle par pont de résistances. Elle est
obtenue de la manière suivante: (Fig.5.3)

R, Re

l,
HL
c
- - Y"
l,
~ E
R, RE

~"',."'.

Fig.5.3
Le point de repos du transistor est l'intersection de la caractéristique de
sortie avec la droite de charge statique, Fig.5.2, d 'équation:
_ Vee -VeE
1e - (si /3 » 1 d 'où l, ~Icl
R e +RE

Etant donné le point de repos, qui est généralement choisi au milieu de la


droite de charge statique, on pourra trouver les valeurs adéquates de
toutes les résistances.
Cette technique de polarisation est la plus adoptée, car eHe présente une
meilleure stabilisation du point de repos, en fonction de /3, ainsi que de
point de vue thermique (les caractéristiques du transistor sont très
sensibles à sa température).

• Point de repos en B => le = 0 et VCE = Vcc : le transi stor est


bloqué.

• Point de repos en M =:> O< le < IR!;iJi et VCE:; V cc : le transistor


2
en fonctionnement normal.
Y ee
• Point de repos en S => le = lmall = - - - "" -- et YCE= O:le
R e + RE
transistor est saturé.
164 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

4. Limitation en puissance:

Le transistor bipolaire comme tout composant électronique ne peut


dissiper qu'une puissance bien dëtennmée. Cette puissance est donnée
par le constructeur. (Fig.5.4).
Ic

Zone de saturation
(VCE très faible) Zone d'utilisation
En régime normal

V CEnwt
Zone de bloquage (lB change de sigoe)

Fig.SA
La puissance dissipée dans le transistor est:
Pdmax = V BE.IR + V CE.1e
Comme VBE.l B« VCE'Ic, alors p ....," VcE·Ic·
Remarque:

La droite de charge ne doit pas couper l'hyperbole de dissipation


maximale, pour ne pas avoir un point de repos dans la zone interdite
(zone hachurée).

5. Modélisation en zone linéaire:


Le transi stor étant un composant non linéaire, dans une petite régIon
autour du point de repos on admet que les caractéristiques sont linéaires
pour pouvoir appliquer les théorèmes généraux. On choisit par exemple
les paramètres hybrides pour représenter le modèle linéaire équivalent au
transistor, monté en émetteur commun, en basse fréquence et pour les
petits signaux autour du point de repos comme suit : (Fig.5.5)
lb h" l,

V
œ
r h2lib \
\

lih2l~
Fig.S.S
Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 165

En se basant sur ce modèle, on peut écri re:

JVbC_= h JJib + h l2 v cc

l Ie - h 211b + h 22 ee
V

• h = ( LlV bC ) : Résistance d 'entrée à sortie court-circuitée.


Il Ll·
lb v =0
"

• Rapport de transfert inverse en tension à

entrée ouverte, généralement très faible.

• h2 =
1
(~ic
Ll ·
1b
) :
\1 =0
Amplification en courant à sortie court-circuitée.

"

Admittance de sonte à entrée ouverte,

généralemen t très faible.

D'après le réseau de carac téristiques de la Fig.5.4, on remarque qu 'une


faible variation de lB engendre une grande variation de Tc sans introduire une
distorsion notable. On peut donc dire qu 'un tran sistor bipolaire est un
composant permettant d'ampl ifier l'amplitude d'un signal électrique d'où le
nom de montage amplificateur.

Les différents types des montages amplificateurs sont:


Entrée sur la base }
• Amplificateur Emetteur commun.
Sortie s ur le collecteur

Entrée sur la base


• } Amplificateur Collecteur commun.
Sortie sur l'émetteur

Entrée sur l'émetteur


• Sortie sur le collecteur
} Amplificateur Base commune.
166 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Pour fonctionner en amplificateur, on doit superposer deux regimes de


fonctionnement:

• le régime continu (polarisation du transistor) où les condensateurs se


comportent comme des circuits ouverts.
• Le régime petits signaux linéaire où le transistor est représenté par
son schéma équivalent généralement en paramètres hybrides.
Ce régime est alternatif, à une fréquence assez grande pour que
l'impédance des condensateurs tende vers zéro.
Donc un condensateur de capacité C ~ IOO IlF sera comme un court-
circuit, en parallèle avec une résistance, on dit que la résistance est
découplée à la masse.

Le tableau ci-dessous résume les différentes caractéristiques des


différents montages amplificateurs (Il» 1):

Emetteur commun Collecteur commun Base


(REdécouplée) conunune

Amplification PRe ,,1 PRe


en tension ,,-- - ,, - -
h l, h ll

Amplification "P "P "p


en courant

Impédance RB//h ll R"I/[h Il +JlR.) h ll


d'entrée -
p
bnpédance Rc Re
de sortie -h"
p

On peut aussi utiliser un transistor bipolaire en commutation « tout ou rien »,


entre le point B et le point S (Fig.5.2) on voit l'alternance entre le régime
bloqué (Ic = 0, V CE = Vccl et le régime saturé (le = R VC
c+ R ' VCE =0).
E
Les transÎstors bipolaires utilisés en amplifi cateurs 167

LES TRANSISTORS BIPOLAIRES


UTILISES EN AMPLIFICATEURS
(ENONCES DES EXERCICES)

Exercice 1

Le trans istor T est caractérisé par un gain statique en courant J3 == ISO et


une tension V BE = 0,7 V .
On désire obtenir pour le point de polarisation Ic . 2,5 mA, VCE = 6 V et
VE = 2 V.

1. Polarisation par résistance de base (Fig.5.6)

1.1 Calculer les valeurs des résistances RB, Re et RE.


1.2 On remplace le transistor T par un transistor T' de la même famille mais
dont le gain statique en courant i3 = 200.

Calculer le nouveau point de polarisation du transistor en conservant la valeur


des résistances calculées précédemment. Conclure.

RB Re

B C
V T
-'-
[)j
E

[J RE

-" " .
~

Fig.5.6

2. Polarisation par pont diviseur (Fig.5.7)

Pour fixer le potentiel de base (lB faible devant l, ), on choisira RI et R, telles


que l, = 10 1•.

2.1 Calculer les valeurs des rési stances R" R" Re, et RE'
168 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

2.2. Reprendre la question 1.2 et faire une comparaison entre les deux types de
polarisation.

lp B 1/ c - - V cc = 12V
r::. E
R,

,,"-
Exercice 2 Fig.S.7

1. Etude statique :

On considère le circuit suivant (Fig.5 .8) où la diode Zéner est supposée idéale
(rd = r, = 0 et V-y = 0) sa tension Zéner est V, = 5,6 V.

RB Re
B C
1/ -:~ V cc
!, j)II
- '7 E

L RE

" >r.
Fig.5.8

Le transistor est caractérisé par les paramètres suivants:


p = 200 et V BE = 0,6 V. On donne RB = 500 n ; Re = 100 n ; RE = 400 n et
Vcc = 12 V.

1.1. Montrer que le courant le est indépendant de la résistance Re.


1.2. Déterminer alors le courant Iz.

1.3. Déterminer la tension V CE.


Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 169

2. Etude dynamique en petits signaux alternatifs autour du point de repos:

On se propose de déterminer la résistance de sortie rs du montage en tant que


source de courant (~jouant le rôle de la charge).
Les paramètres hybrides en émetteur commun du transistor sont :
h ll ~ 1,8 kQ ; h21 ~ f3 ~200 ; h" ~ 0 et p ~ 11h22 ~ 40 kQ.

2.1. Donner le schéma équivalent à ce montage à vide en régime petits


signaux basse fréquence .
2.2. Détenniner la résistance de sortie rs. Application numérique.
2.3. Conclure.

Exercice 3

On considère le montage schématisé par la Fig.5 .9, où les deux transistors T


et r sont identiques. On donne Ycc ~ 12 Y et on prendra YB' ~ 0,7 Y.

1. Exprimer l'e en fonction de 1.


2. Que devient l' c si f3 » 1 ?
3. Déterminer la valeur de R pour que le courant l' c dans la charge .oit de
1,5 mA. 1
R charge
- - Ycc
r'e
T \ le
V r
~
~

Fig.5.9
Exercice 4

On veut stabiliser une tension en utilisant un transistor bipolaire et une diode


Zéner.
Le schema est celui de la Fig.5.l 0:

'\7'
RB
E -:~
-7 Ru
D, 4
Fig.5.IO
170 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogiquç

On donne pour le transistor :13 = 100 ; YB' = 0,6 Y et pour la di ode


Zéner : Y z = 11,6 Y; rz = 10 O. De plus E = 25 V; Rn = 1 k!1.

1. Montrer que l'un peul écrire Vs = V z - V SE ' On supposera que (P+l )


R, » rz·

2. Entre quelles limites peut varier Ru. pour que Vs reste constante.
(1 mA < lB< 10 mA).

3. Quelle est la puissance maximale dissipée dans la charge R, ?

Exercice 5

1. Soit le montage de la Fig.5. 1 1.


On suppose que le condensateur C a une impédance nulle aux fréquences de
travail.
Vcc = 12 Y ; R, = 4,7 k!1 ; R, = 80 k!1 ; R, = 8 kO ; h " = 1,8 k!1 ;
h2l=J3= 100 eth 12 -- h22-
- 0

R, Re
C
/ -'- V cc
ri t )j
Y,
Y, R,

Fig.S.lI
1.1. Donner le schéma équivalent du montage en régime basse
fréquence petits signaux .
1.2. Cal cul er les résistances d 'entrée R, et de sortie R,.
1.3. Calculer l'amplification en tension Av= vs/ve .
1.4. Conclure.

2. On peut augmenter la résistance d'entrée, en plaçant une résistance


d'émetteur RE(R E = 8000).
Reprendre les mêmes questions que précédenunent.

3. On met un condensateur CE en parallèle avec RE. étudier l'effet de ce


condensateur sur le gain en tension Av.
Les transistors bipolaires util isés en amplificateurs 171

Exer cice 6
Le condensateur C a une impédance nulle aux fréquences de travaiL
1- Droites de charRe - Polarisation

RB
) RB
C
V - ' - V ee / c -'- Vce
r:. )II J1

r
Il
v
RE RE RLÎV'
'"»: Fig.S. n
Fig.S.12
Soit le sc héma de montage représenter par la Fig.S. 12. La tension
d'alimentation est Vcc=20V . Le point de fonctionnement choisi est défini par :
V CE = 7 V ; le = 10 mA ; V B • = 0,6 V et la= O,lmA.
On négligera lB devant le.

1.1. Quelle est l'équation de la droite de charge statique? Déduire la valeur de


REet RB '
1.2. Le transistor fonctionne en amplificateur. Une tension V e sinusoïdale est
appliquée â l'entrée du montage par l'intermédiaire du condensateur C. On
recueille une tension de sortie Vs aux bornes de RL qui représente la charge
(Fig.S.13).

1.2.1. Afin d'obtenir un signal de sortie d'amplitude maximum (7 V). le


point de fonctionnement du transistor est au milieu de la droite de
charge dynamique. Montrer que l'équation de cette dernière est:
VCE+R le = E avec R = RL RE/(RL+R E) et E= 14 V. Calculer R et
déduire la valeur de R L.
1.2.2. Tracer sommairement les droites de charge statique et dynamique
sur un graphe le en fonction de V CE.

11- Régime de petits signaux.


Les paramètres hybrides du transistor sont :
h ll ~ 1000 n; h ll = 0 ; h2l = ~ = 100 ; Ii,,= O.

Il.1. Etude à vide: la charge RL est déconnectée.

11.1.1. Donner le schéma équivalent du montage.


172 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Il.1.2. On suppose h" « (13 + 1) RE. Montrer que le gain en tension


du montage est voisin de l'unité et la résistance de sortie
voisine de : h,,1 13
Il.1.3. Calculer la résistance d'entrée du montage. A partir des
éléments calculés précédemment proposer un schéma
équivalent simplifié du montage.

0.2. Donner le schéma équivalent du montage en charge. Quel1e est son


amplification en courant? (A.N).

Il.3. Conclure.

Exercice 7

Le but de cet exercice est de montrer qu'en régime de petits signaux le


montage proposé (Fig.5.14) est équivalent à un transistor unique, de base B,
d'émetteur E et de collecteur C, dont on se propose de calculer le gain en
courant ~ et la résistance d ' entr~e r.

18 = 181 y r - - - -- - t- -<lf- C = CI = C2

- .·~r.II'lIl~
- •...._T_ __ -I(V T'
l'lII

Fig.5.14

Les paramètres hybrides du transistor T J sont :


h" ~ r, ~ 1 kD h" ~ h" '= 0 h21 ~ 13, ~ 100
Les paramètres hybrides du transistor T, sont :
h ',,~r2 ~ 1 kD h' "~h',, ,= O h '21~p,~20

1. Donner le schéma équivalent du montage en régime de petits signaux.

2. Exprimer ie en fonction de ie, 13, et 13,. En déduire l'expression de


l'amplification en courant P= ie/ie.

3. Calculer la résistance d'entrée r ;:: VBE/ i B .

4. Préciser le type du transistor (NPN ou PNP). Quel est l'intérêt du montage?


Les transistors bipolaires utili s~s en amplificateurs 173

Exercice 8 :

Soit le montage de la Fig.5.15. Toutes les résistances sont en Id). Les


condensateurs sont considérés comme des courts-circuits pour les fréquences
uti lisées. R est une résistance variable de valeur max Imale Rmax= 4,7 kn.

R, ~ 32 C
T,

C
l- i,
lb!
" T,
R
• ~ 1 R, ~27
v, r Re ~ O ,4

Sachant que :
Fig.S.IS
R, ~ 0, 1

:J
- pour T, : h,, ~ 2 Id) ; h" ~ 120 ; h" ~ 0; h ,,~O
-pour T, : h'" ~ 0,3 Id) ; h'" ~ 80; h'" ~ 0 ; h'" ~ 0

1. Donner le schéma équivalent du montage en régime petits signaux basse


fréquence.
2. Calculer :
a- la résistance d'entrée et le gain en tension à vide (Ava)
(RL débranchée)
b- la résistance de sortie
c- le gain en courant Ai = i2/i l
d- le gain en tension (A.) en charge
e- en déduire le gain en puissance (Ap=A v AJ Commenter les résultats
obtenus et envisager une application à ce montage.

Exercice 9 :

L'entrée du montage (Fig.5.16) est attaquée par un générateur de tension


v.(t) par l' intermédiaire d'un condensateur de forte capacité C.~ 4,4 !iF. la
sortie du montage est prise sur le collecteur.
Dans les premières questions de ce problème. on négligera l'impédance du
condensateur C.(I /C. ro" 0). Par contre, pour se rapprocher d'un cas réel, on
tiendra compte de l'existence d'un condensateur parasite de capacité Cbc dont
la présence est due à la jonction col1 ecteur- base, polarisée en inverse.
174 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

On donne Re = 600 r.l

RB 1 Ch< Re
-::- Vcc
c, r1'
V, t: B

Fig.S.16
V
r.
-
"".
:1
~
Vs

Les paramètres hybrides du transistor monté en émetteur commun sont:


h,,=1800r.l; h2l =j3=180 ; IIh ,,= p=20kr.l et h 12 = O.

1. Donner le schéma équivalent du montage (pour le transistor on prendra un


schéma à une source de courant).

2. On tient compte du fait que p » Re, RB » h" et lIC,ro ;: O. Simplifier le


schéma équivalent du montage.
3. On pose Z = l/(jC",ro). Calculer l'amplification en tension du montage en
fonction de Z et des données du problème. Montrer que si (0 --+ 0 cette
amplification est celle du montage émetteur commun tandis que si ù) --+ 00
cette amplification tend vers 1.
Calculer le module 1Av, 1 de l'amplification pour ro = 0 et en déduire
l'existence d'une fréquence de coupure haute. Tracer la courbe du gain en
tension du montage.

4. Donner l'expression de la fréquence de coupure haute fch (on utilisera

1' .pproximatiOn( h" ) ' «1. Calculer f'h pour C", = 40 pF


PR e

s. A basse fréquence on peut négliger Che. Montrer que le condensateur Ce


introduit une fréquence de coupure basse fCb. Calculer cette fréquence et tracer
la courbe du gain en tension du montage.

Exercice 10

Les deux transistors sont identiques et sont polarisés au même point de repos
P (Fig.5.17). Pour chacun des transistors on a fixé ce point P tel que:
YeE = 4Y; YBE = 0,8 Y ; le = 1 mA et lB= 10 !lA
De plus E = 12V ; Re = 3RE et R, = 18 kr.l.
Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 175

[ R, Re
C3
,
1
.
1 ~ T,
1
(;,
1
R, -- E
C,
-ri: ~ T, v,
l
v,
J R3 RE ~CE
~ ~
~,.,.,..

FigoSol7
1. Calculer les valeurs manquantes des éléments de polarisation ainsi que
les courants Il. 12 et 1) dans, respectivement, les résistances Rh R2 et R) et
les potentiels par rapport à la masse de tous les points du circuit. On
négligera 1 devant B.

2. Les condensateurs sont des courts-circuits parfaits aux fréquences de


travail. Déterminer le type de montage de chaque transistor et donner le
schéma équivalent de l'amplificateur.

On donne les paramètres hybrides: h" ~ 1,2 kf1; h" ~ Il ~IOO; h" ~ h,,~ O.

3. Déterminer la résistance d'entrée du transistor T 2 vue de TI et


l'amplification en tension de T 2•

4. Déterminer l'amplification en tension et la résistance d' entrée de TI


chargé par T 2 et en déduire l'amplification en tension totale.

Exercice Il

On considère le montage de la Fig.5.18, où les transistors sont identiques et on


donne:
R, ~ Re ~ 3,9 kO; R, ~ 56 kfl; RE ~ 108 kfl ;
h" ~ 1 kf1; h" ~ 80; h" ~ h" ~ O.
Le condensateur C a une impédance nulle aux fréquences de travail.

1. Donner le schéma équivalent du montage en mode petits signaux basse


fréquence.
2. Déterminer les tensions VSI et VS2 et montrer qu'on peut écrire:
176 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogiq ue

etcMC=
VI
e
+ Ve2
2
3. Calculer le taux de réjection du mode commun défini par :
T .R.M.C=20l0g(NAM cl

4. Proposer une solution pour améliorer le T.R.M.C.


+

R, Re ' Re R,

c c
1:
V v"
'-1 1---
III v"
R, R,
v,

'r RE

7 7
r V,2

Fig.5.18

Exercice 12

On se propose d 'étudier un montage amplificateur. A partir d' un schéma de


base (Fig.5.19) on essaiera d'améliorer les caractéristiques de l'amplificateur,
et plus précisément la résistance d'entrée.
Les transistors TI et T, utilisés dans les différents montages sont définis par
leurs paramètres hybrides en émetteur corrunun :
h ll = r = 1 kD; h 21 = j} = 100 et h 12 = h" =
On étudie tout d'abord le montage de la Fig.5.19.
°
A. Etude Statique:

On désire obtenir le point de fonctionnement en régime continu (point


de repos) de coordonnées le = 5 mA; Vec = 20 V et V BE=0,6 V.
D 'autre part on a RE. = Ra, et on prend lp = 8 lB

Déterminer les valeurs des résistances Ra. REO• RSI et RB2 à adopter.
Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 177

B. Etude dynamique:

1. On attaque le montage avec un générateur de f . é. m. eg et de résistance


interne Ro.
Les condensateurs Co, C, et C, ont des impédances négligeables à la
fréquence du générateur.
On définit deux sorties: VI et V2.

1. Déterminer le schéma équivalent du montage aux petits signaux.


~. En notant R. ~ Rai /IR., ; RE ~ R.,IIREU et Re ~ ReJ lRcu
exprimer (expressions littérales) :
- les gains en tension AVI = VI /Ve et A V2 = v~ve
- la résistance d 'entrée Re = velle
- les résistances de sortie RSI et Rs2 correspondant respectivement
aux sorties VI et V2. On pourra noter Ro = (RJ/RB) + h l l pour cc
calcul.
3. On néglige 1 devant 13 (13 » 1)
A quelle condition a-t-on 1AVI 1= 1AV2 1? Les deux sorties sont-
elles équivalentes?
4. A.N.: Reu ~ Rw ~ Rco ~ R",~ 2 kil, R. ~ 10 kil, Ra ~ 20 kn
Calculer A Vh A V2' Re, Rsi et RS1'

n. Afin d'accroître l'impédance d'entrée, on ajoute l'ensemble (R" C,)


(montage bootstrap) selon la Fig.S.20. On admettra que l ' impédance je
C, est nulle aux fréquences considérées. On prend R, ~ 5 kil.

1. Donner le schéma équivalent en petits signaux basse fréquence


et calculer la résistance de charge équivalente R El (pour VI)'
2. Calculer A'. ~ vdv, et la nouvelle résistance d'entrée de
l'étage Roi .
3. Comparer aux valeurs trouvées précédemment.

III. L'impédance d'entrée calculée précédemment est jugée encore trop


faible. Pour l'augmenter, on utilise un montage Darlington tout en
conservant le dispositif (R" C,), mais avec R, ~ 50 kil, selon la Fig.S .2!.
1. Calculer A"v, = VI/Ve et la nouvelle résistance d 'entrée du
montage Re2'
2. Conclure.
178 Exercices et problèmes corrigés d'électronique amllogique

E ~ 40V

RBI Re,
(,'
Il
C.
Il /
~Hc,1
-II v,
Reu
Rs

e,
-
v,
RB'

l, RED " v, r REU

" b: Fig.S.I9
+E
RBI Re. C,

Reu
v,
e,

Fig.S.20

- +E
R BI
Re. C,
c. '1
, R,
.1 ~TI "
Î
1/ T
R ~. 2 CI v,
• RB'
Il Il
v,
~:
Il

e. - RED
VI~ RF.u

- L
1",,'. .
Flg.S.2I
Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 179

LES TRANSISTORS BIPOLAIRES


UTILISES EN AMPLIFICATEURS
(CORRIGES DES EXERCICES)

Exercice 1

1. Po lari sation par résistance de base :


1.1.

le
1. L
- - V,, ~ 12V
~t
V
CE

RE i V,

Fig.5.6

En appliquant la loi des mailles pour la maille de sortie on a :


VIT ~ Re1e+ VeE + V, (5.1)

d'où

VE V,
et R ,~ - ., - ' (l E ~Ie car Il>>'
l, le
4 10' ~ 1(\'
A.N : Re ~ . = 1 6 kO et Re ~ · bOOO
- 25, '
Pour la maille d'entrée on peut écrire:
Ver = RBI B + VBc + VE (5.2)

d'où = ~ Vcc - "BE -.~:~


le

A.N:
R ~ 15g)2-0,7-2)IO,
558 kO
• ,
25
180 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogÎque

1.2. D'après les équations (5,1) et (5.2) on a:


Ve. = Yee- (Re + R, ) le
Vec - VB , - V,
et le = 13 ---""---::-"''-------''-
RB
200(12 -0,7 - 2)
On obtient le = , = 3,33 mA
558,10
et Y(E = 12 - (I ,6 + 0,8)3,3 3=4V
En résumé: Pour le transistor T:

VCEJ = 6Y; ICI = 2,5 mA; YB" = 0.7 V; lB! = 16,67 flA

Pour le transistor T' :

V CE' = 4 V; Ic,= 3.33 mA; VB" = 0,7 V; lB' = 16,7 flA

On remarque que dan s ee type de polarisation le point de fonctionnement


dépend des paramètres statiques du transistor.

2. Polarisation par pont diviseur :

D'après le théorème de Thévenin on peut faire la transformation


suivante : (Fig,5,22)
R, Re

l, B c
1/ -~
~ E
R,
RE

- ~

Fig.S.7
2.1. Sur la figure 5,7, la maille de sortie étant la même que pour le
circuit de la figure 5.6, les équations donnant Re et RE peuvent
être aussi utilisées, nous aurons donc :

A.N: Re= 4.10' = 16kO 2,JO' =8000


25
, ' 2,5
Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 181

D'autre part :
On peut écrire : Yce = R,lp+YBE+YE
Ip = 10 lB= 10 Ie/I3
Vee - VB• - V.
et R -
,- P 101
C

(12 - 0,7 - 2). 10' 558'.,....


A.N : R, = 150 = , Mt
10.2,5
de plus: 9R, IB = Y BE + y .
rl V BE + V E
d'où R, = f'
91c
(2 7'10'
A.N : R, = 150 , )- 18 kO =
9.2,5
En résumé : R, = 55 ,8 k.Q; R, = 18 k.Q; R" = 1,6 W ; RE = 800 Q
2.2. Si on remplace T par T' dont 13 = 200.
En utilisant la transfonnation du schéma à J'aide du théorème dt.:
Thévenin (Fig.5.22), on peut écrire :
YcE= Yce- (R" + REl le (13 )> 1)
ET - RTIB= YB' + REIE

Avec RT = R,R , =13,61d1 le


l,
R, +R ,
v"
ET

On obtient :
1 - ET - V B•
E- 'R Fig.5.22
R + _ T_
E P+ 1
A.N: lE = 2,58 mA
et Ic = _13_ IE = 2 56 mA
13 + 1 '
1
lB= --'-
13 = 12,8 ruA
Y CE = Yec-{R" + RE) le
YCE = 5,85 Y
182 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

En conclusion
Le point de polarisation varie peu par rapport au montage par résistance de
base. En effet: l'erreur relative sur le et VCE passe de 33% au premier cas à
2.5 % pour le deuxième.

c"lelIe= 33% c" le/le = 2,4 %


c"YeENeE = 33% c"Ye.NCE = 2,5%.

Le montage par pont de résistance est donc mieux adapté en pratique étant
donné la dispersion des gains Ppour une même famille de transistors, et leur
variation avec la température.

Exercice 2
1- Etude statique:
La diode Zéner est polarisée en sens inverse et on la remplace par son
schéma équivalent, on obtient: (Fig.5.23)

Re

B c
l,
1/ --
~ E
-:--
[ RE

'""
Fig,5,23

1.1. En écrivant la loi des mailles pour le circuit diode Zéner-base-


émetteur on aura :

et comme

13» l, on peut écrire lE " le

le =_13_ YZ-YBE _ YZ-YBE


soit enfin: 13 + 1 RE - RE
Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 183

le est bien indépendant de Re et ÎI est constant.


A.N.
5,6-0,6 = 125 mA.
400 '
1.2. On peut écrire:

soit

_ _V-,c",c~-_V-"z_ _ '-'-
Soit Iz -
RB P
A.N:
12·5,6 _ 12,5 W ]
= 12,74 mA
500 200

3. En écrÎvant la loi des mailles pour la maille J e sortie o n a :


Vcc = VCE +(Rc+REJ le en supposa nt que le =
~ » I).
Soit V CE = Vcc-( Rc+ Rdlc
A.N:

2- Etude dynamique :
2.1. Remarquon s tou t d'abord que si on veut utili sé ce mo ntage c' !l
régim e variab le il Il C pCut être alors util isé qu ' cil base co mmune, le
signal d ' entrée est appliq ué éventu ell ement sur , ' émcuè Uf et la sortie
se fait sur le collecte ur. En effet, on obtient le sc héma équi vale nt all
montage en régime petits signa ux basse fréqu ence en ~· l t" i gna nl \ "c
et \/z (pui sque se sont des ten si ons continues) la base sc tro uve ain si
découplée à la masse, d ' o ù: (Fi g.5 .24)

( ~ p.i. P
h ll (

r V

v, i1 "1 RE

/ /// //h
Fig.5.24
184 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Z.Z. Pour déterminer la résistance de sortie Rs (celle du montage en tant


que source de courant par rapport à Rç), on place un générateur de
tension Vs parfait à la sortie du circult, ce générateur débitera un
courant ls (Fig.5 .25) et Rs est donnée par Rs = vsfis.
'S

[ h ll p.i.
) : - Pi. Vs
Îs + Î B

r) RE

7T, '77.

Fig.5.Z5

On a vs= p(is -Il i.) + RE (i s + i B )


D 'où Vs = (p + RE) is + (RE - pll) i. (5.3)
D 'aulre part: h ll iB = -Rdis + i B) Ç) (hll+RE) iB = -RE is

. -RE'
D'où 1 B ::::: 15 (5.4)
h ll +R E '

A partir des équations (5 .3) et (5.4), on obtient:

P(h ll +R,}+hIlR, +PPR , ].


VS = 15
[ h 'l +R ,

v = p( 1+ f'
R =_s RR , ) + h Il R E
D'où
S is h ll +RE h l1 +R E

A.N, :

Rs = 40.10'(1+ 200.0,4)+ 1,8.0,4 10'= 1,5 MO


1,8 + 0,4 1,8 + 0,4
2.3. On a bien une source de courant vis-à-vis de Re de résistance
interne très élevée.
Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 185

Exercice 3

Les deux transistors sont identiques (~= W) et ils ont la même tension VUE.
On déduit qu 'il s sont parcourus par le même courant de base, d'où le schéma
suivant : (Fig.5.26)
1
R charge
le
l'e V"
lB l'B
T 1"
t VBE

Fig.5,26
3.1. On peut écrire d'après la loi des nœuds

1 ~ Ic+ IB + l' B~ Ic + 21 B
Or, puisque lB ~ l'. et 13 ~ W alors

D'où I ~ Ie+2I~ =(I +~}~


Enfin ( = -~- I
c ~+2

3,2, SI 13» 1 alors Vee-VB'


R
3.3. D'après 3.2.
R = V ee - V BE
1
A,N. :
Vce ~ 12 V, VBE~ 0,7 V et 1 ~ 1,5 mA

R 12-0,7 7,5 kQ
1,5.10-]
IS6 Exerci ces et problèmes corrigés d'électronique analogique

Exercice 4
Préliminaire:
Le schéma du montage est équivalent au suivant (Fig.5.27 ou bien
Fig.5.28)
R,.
RB A E
E A
E<oUbien) Eo R,
D, 8

Fig.S.2S
Fig.S.27
où Eo et Ro sont respectivement la f.é.m. et la résistance interne du
générateur équivalent de Thévenin vu des points A et B. Sachant que la
diode Zéner est polarisée en sens inverse. on la remplace par son schéma
équivalent, on obtient : (Fig.5.29)
,----,

G1 \=J Eo ~
RB RB R,. A
A
E
VZ
E A
D.
8
rz
8
T B

Fig.5.29

D'où Eo= rzE+R.Yz -::::Vz car Re» rz et RBVZ » rzE


R . + rz
TzR B
et Ro= ", r z
rz +R .
10.25 + 10'. 11,6 = II 73Y",Y
A.N. : Eo= lOlO ' z
Ro = 9,9 Q '" rz·
3.1. Considérons le schéma du montage de la figure 5.30 :
le
R,.
1
E

R. Îvs
1.
Fig.S.30
Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 187

on peut écrire :
Vs = Eo - VBE - R"IB = R. IE = ([3+1) R. 1•.

Soit VS ( 1 + (P :1)R.] = Eo- VBE


Or Eo '" Vz et R,," rz
r
Donc _z_« 1
(3R.
D'où: Ys = yz - y BE 1 (indépendante de E et de ses variations)

A.N.: Vs = 11,6-0,6 = Il V.

3.2. On a: 1 mA < lB < 10 mA.


OrV s =([3+1)R.I B = VZ-V BE

Soit

D'où:

A.N. :

y'
3.4. p~, = .,,--"--s-=11 W.
R um;"
Exercice 5

1. Etude d'un montage émetteur commun: (Fig.5.11)


1.1. Schéma équivalent: (Fig.5.31)

Fig.5.31
on pose RB =
RR
l ,
R, +R,
188 Exercices et problèmes corrigés d'électroniq ue analogique

1.2 . • Résistance d 'entrée

. = -=-=-R"'B'-.:h",,-,-,_
R. = _v_
ie RH + h l1
~:

RB=7,3 kD ; h" = 1,8 kf.l.


R. '" 1,4 kD
• Résistance de sortie: (Fig.5.32)
'.
( Vs)
Rs = -.- "
1S Vt =O
RB
1 h"

=
~
Fig.s.32
"
p.i B Re
i vs

On voit que h ll i B =0 ~ la source de courant liée p.Î B est éteinte.


Donc R, = (~s ) = Rc = 4,7 kf.l.
s V(: "'O

1.3. Amplification en tension


Vs
Av= -
v.
On a V s = -13 Re iB et V e = hl1 ia.
D'où Av = V s = - ~R c
vc hl!
A.N. :
Vs -100.4,7
Av= - = =- 260
v. 1,8
1.4. On remarque que pour ce montage :

• La résistance d'entrée est faible ;


• La résistance de sortie est assez élevée;
• L'amplification en tension est élevée avec une opposition de
phase entre Vc et Vs.

Pour améliorer les caractéristiques de ce montage en vue de l'utiliser


en amplificateur de tension, il faut que Re soit très élevée (le courant
d'entrée sera ainsi faible) et Rs très faible (la tension de sortie presque
indépendante de la charge).
Les trlnsistors bipolaires utilisés en amplificateurs 189

2. Montage avec résistance d'émetteur


2.1. Schéma équivalent: (Fig.5.33)
le lB 'e
~
p.i B
) h"
[ RB
1-'
(P+ 1).i B
Re Vs

R,

7T. 17.
R.R ,
on pose Ra = - - ' - --'- Fig.5.33
RI +R,
2.2 .• Résistance d'entrée
v v
i = - '- + '
, RB (~+I)RE +h"
v, R R(h" +(~+I)RE)
R'c=-= ::t:Rs car ([3+1) RE + h,,» RB
i, RB+h,,+(~+I)RE
A.N.: RB =7,3 kO ; h ll = 1,8 kO.
R' = v, 7,3103 (1,8+101.0,8)
6,7 kQ
' i, 7,3+1,8+101.0,8
R'c > Re. on
peut augmenter d'avantage R'c SIon augmente Rn mais
le point de repos sera moins stable. ID ls
• Résistance de sort.e : (F.g.5.34

R's =(~: Ln h"


"V
p.i B
vc=o
[ Rn ] Re Vs

) RE

77 W.
Fig.5.34
On voit que [h" + ([3 + 1) RE] iB = 0 =>. la source de courant lié Ili. cst
éteinte

DoncR's= (~s) =Rc =4,7 kfl.


S vc" o
L'impédance de sortie ne change pas, pour la diminuer on peut mettre en
cascade à la sortie un montage type collecteur commun.
190 Es:ercÎces et problèmes corrigés d'électronique analogique

1.3. Amplification en tension


sv
A 'v-
- -
v,
On • Vs = -13 Rç i. et V, = [h" + ([3 + 1) R.] i • .
v -J3R
D'oùA'v= -s = c 1

v, h ll +(J3+I)R E
, _-~R:.s
c
Si h" « ([3 + 1) RE alors A v =
RE
, Vs -100.4,7
A.N.: A v=- = = ·5,7
v, 1,8 + 20\'0,8
L'amplification est beaucoup plus faible et il y a moins de ri sque de
di storsion du signal de sortie.

3. En mettant un condensateur CE en parallèle avec RE l'expression de


l'amplification en tension devient:
Av = _ _-...!J3:..:R..:.!c~_
h" + (13 + I)Z E

Avec

Soit
__ _ _ -~J3:..:R..:.!c~~___ -_ ___-~J3:..:R~c~__ ._:..:I:..:+~j:..:R~E:..:C~E:..:Cil~_
Av=
" __.::.R~E,--_ h,,+(J3+I)R E I . h " R ECECil
h,,+ (... + I) . +]
1+ ]R EC ECil h l l + (J3+I)R .

. Cil
1+ J-
Cil 1
De la forme Av = A vo ----'-
. Cil
I + J-
Cil,

- J3R e 1
Avec Avo = --...!:..:-'-'-,----- . Cil = --'---
h" +(J3+I)R E ' 1 R EC E
Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 191
Traçons le diagramme de Bode en module de Av: (Fig.5.35)
G~ IAvl,•
. =--
. . . . . . .. . ............... . . . . . . . . . . .........._..........z:

IAv.l ..
OJ

Or Sl (0)> (02 :::::) (0 ) > (01

Alors
[1+(:Jr ~ :, et

d'où:

IAv, I=IAv.1 ro,


ro,
J3R e h" +(J3+1)R. C
1Av, 1= R E E
h" +(J3+1)RE h " R EC E
R
1Av. 1= J3 e même expression du gain qu ' avec RE= 0 (découplage parfait)
h"
Exercice 6
1. Etude statique
1.1. Droite de charge statique:

-Vcc + VCE + RE (le + lB) = 0


V CE 1 RE le ~ V cc car [8 « le

D 'où l'équation de la droite de charge : 11c~ VCR~çE 1


192 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Pàf suite

On peut écrire pour la mai11e d'entrée l'équation suivante:


-Vcc + Roi. + VBE + RE(le + lB) ~ 0

d'où

A.N. :

20-7 RE~ 1,3 kO


R =
E 001
, 1 1
20 - 0,6 - 0,7. \0 RB~124kO
R B=
0,1.1 0 ' 1 1

1.2. Droite de charge dynamique :


En altematifle montage sera comme l'indique la Fig.5.36

REet RL sont montées en dérivation,


on pose R = RERL . Vc
R E+RL

Fig.5.36
1.2, l. Par défin ition, la droite de charge dynamique est la droite de pente
-11R et qui passe par le point de repos, qui doit être son milieu.

Pour la maille, on peut écrire :

L'équation de la droite de charge dynamique s'écrit donc :

(5.5)
Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 193

Le point de fonctionnement passe par le milieu de la droite de charge


dynamique, donc :
E=2.VCE = 2. 7= l4 V
Par conséquent, à partir de l'équation (5.5), on trouve:

R JE-VCE)R E
Vcc - VCE
A.N. :
RJI4-7)1 ,3 .1 0J
7000
20-7
par suite, on trouve Re RE R ",1500 0
RE-R

1.2.2. Traçage des droites de charge (Fig.5.37)


Droite de charge dynamique
!c{mA)
A

20 Droite de charge statique

15,4

10

7V 14 V 20V

Fig.S.37

11- Régime de petits signaux.


11.1. Etude à vide: la charge Re est déconnectée.
lU.!. Schéma équivalent (Fig.5.38)
l, BIo h" (~ + I ) . i .
E

v, i R.
1
f3.i 8 ) R.
i Vs

- C
Fig.5.38
194 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

II.l.Z .• Amplification en tension à vide


La loi des mailles donne :
- v, + h ll iB + (Jl+ I) RE i. = 0
-vs + (Jl+ 1) RE iB = 0

Avo = (Jl+I).RE '" ~.R E ", 1 puisque Jl» 1


D 'où
h,,+(~+I).R , h ,, +~R E
et h ll « (13+ 1)R,

• Résistance de sortie (Fig.S.39)

'B "
RB
~ P.i B
) ~E jv
s

77m;
Fig.5.39
v
On peut écrire is + (13+ 1) iB = i ; i= _ s .
RE '
D'où

Par suite R = Vs hll·R E


S is h ll +(~ + I)R E
A.N. : Rs",IO n

II.1.3. Résistance d'entrée


A partir de la Fig.5 .38, on peut écrire :

d'où

AN . D = 124.100.1000.1,3",63SkQ
- '- ' . "" 124+100.1,3 '
Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 195

D'où Je schéma équivalent du montage vu en quadripôle est le suivant:


(Fig.5AO)
Rs IS

Fig.5.40

Remarquons que vsn=A vO Ve ::::Ne puisque AvO:::::l.

II.2. Schéma équivalent en charge (Fig.SAI)


l, Rs IS

V,
Î R'i Vs

Fig.5.41
.
1
,
v,
~-
R,
et
.
Is ;;:-
v,
'" - -v,-
Rs +RL RL

D'où Ai~- Re ~-42


RL
II.3. le montage collecteur commun a les propriétés suivantes:
• amplification en tension à vide proche de l'unité;
• résistance d'entrée très grande d'où peu de pertes en puissance à
l'entrée·,
• résistance de sortie très faible, on a donc une bohne source de
tension à la sortie;
• amplification en courant élevée.
Ce montage est donc un suiveur de tension ou amplificateur de courant, il est
utilisé en tant que montage adaptateur d'impédance. n
peut être monté à
rentrée et à la sortie d'un montage émetteur commun pour améliorer ses
résistance d'entrée et de sortie et obtenir ainsi un gain en puissance pour
l'ensemble de l'amplificateur obtenu.
196 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Exerdce 7 (Montage Darlington)

1. Schéma équivalent (Fig.5 .42)

'e

r, p,.i RI 'ez
V '.,
r, ~h.iB2
V

Fig.5.42

2. La loi des nœuds permet d'écrire:

i B, ~ iB, + 13, iB, ~ (13, + 1liB,


ie ~ iCi + ic2 ~ l3,i B, + l3,i B, ~ [13, (13,+ 1) + l3,l'B'

1
D'où 13 ~ ,s- ~13 ,132+13,+13, ~ 13,13, ~ 2000
lB
3. Résistance d'entrée
VSE = Tlis + T2. iB2 = [ri + (P.+ 1) T2] Î B = f e.i s

D'où:

4. Le transistor est de type NPN car le sens des courants est le même que
pour T, et T,.

Cette association de transistor permet d'améliorer sensiblement la


résistance d'entrée ainsi que le gain en courant, ce montage est
généralement utilisé en étage de puissance à la sortie d'un
amplificateur.
Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 197

Exercice 8
1. Schéma équivalent (Fig.5.43) R
~
Il 1., . -r--
1., 1
t...
[ h"
~ h21 .i S I h'lI
) h'
J .
21- IB2

v, [) R.
-+ R,

71/'77.
Fig.5.43
R,R ,
Avec R. = --'---'--
RI +R ,
Ou bien par la Fig.S.44
ID, h R~
11
~
"
/
(h11+ l ) .i BI

v, RD
+ h 'l l.i Bl

R, ~ h l l -h!1

1.,
t'.
') h ' 2 1.i B2 v,
-+ h'l!

7> /77.
2.a . • Résistance d' entrée Fig.5.44
a partir de la Fig.S.44, on peut écrire :
_ VI _
li = - + 18 1 (S.lI)
R.
Et = hl\i., + R,.[(h,,+ I) iB,+ h'" iB,l
VI (5.12)
Or iB2 = h2 ! i BI et h2l » 1
L'équation (5 .12) devienl :
v, = [h" + R,(h,lh',,+ h,,)] iB , (5.13)
Les équations (5 .11), (5.12) et (5 .13) donnent :

A.N :R = R,R , = 1465 ill et R 14,65 (0,1.120.80) 1443 kn


- u R 1+ R , ' ' 14,65+0,1(120.80) ,
198 EnrC' ices et problèmes corrigés d'élec troniq ue analogique

• Gain en tension à vide


On a v, ~ [h" + (h" h',,+ h,, + 1) R,] i.,
et la tension de sortie à vide (i 2~ O) est :
V ZO = h';!I R iS2 + RJ[(h2,+ I ) iBl +h'21 i02 ]
V20 ~ {h"h'21 R + R, [(h2l+ 1) +h'21 h2l ]l i.,
h 2l h ; ,R + R,[h 2l h ;, + h 21 + 1]
Avo= .
h " + R , [h 2l h 21 + h 21 + Il
h 2l h;,(R+R , ) R+R ,
A vo ~ '" ----'-
h " h;, R , R,

Avo ~

I<A Rmax
Donc - vo -< 1+ RJ
A.N. 1 5 Avo 5 48
2.b. Résistance de sortie (Fig.5.45)

'B ' h" R


~ "
~
7
(h zl+ l ).i s!
+ h '2 1·iS2 + is 9 h". i B ,
9
R, ] R. R, ' B2 h·" .i"
h'll

'--y----I 77777.

R' B Fig.S.4S

On a : -(R' . + h,,) i " , ~ [(h '" h,,+ h,,+ I)i., + is] R,


R, is ~ -[(h '" h2l + h2l + 1) RJ + R'B + h,,] iB, (5.14)
Vs ~ (is + h' " h" i.,) R + RJ [(h' " h,,+h,,+ 1)i., + is] (5.15)

Les équations (5.14) et (5 .15), donnent (puisque h,,» 1):

R s~ '" (R + R J).(R'. + h" )+h,, R


Îs R IB + h ll + RJh 21 h21

A.N: pour 0 5 R 5 4,7 kO on a 0 ,; Rs'; 58 ,750


Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 199

2.c. Le schéma équivalent en quadripôle du montage est: (FigS.46)


Rs
" "
e,

On peut écrire v, = R L i, Fig.5.46


Avo·Y ,
12 = etvl = Rcî l
R s +RL
A vo· R , .
D'où:i 2 = 11
Rs +RL

Soit encore

2.d. d'après ce qui précède on peut écrire


RL
V2 = A vo Y,
R s +RL
r---------------------~

D ' où

RR
2.e. Le gain en puissance est donné par Ap=AvAi- L c 2 A~o
(Rs + Rel
D'après cette expression on voit J'intérêt d'avoir, pour les montages
amplificateurs, une résistance d'entrée grande et une résistance de
sortie faible.

En résumé les propriétés de ce montage sont:

Résistance d'entrée assez élevée;


Résistance de sortie faible et variable;
Amplification en tension ~ 1 et réglable;
Signaux en phase;

n peut ainsi être utilisé comme amplificateur de tension avec un bon


gain en puissance.
200 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Kl@reÎe@ 9
1. Schéma éq uivalent : Fig.S.47

C, 1
"
.
IL
ie
.----l"'
) h .
h" 1 21. 18
] p
f/
1 R. 1) Rc

77777.
Fig.SA7

2. Schéma équivalent simplifié: Fig.S.48 car RB » hll


Ci><

~ 'B
Il
Il ,
1
'e

1 h ll J h".i
B
1J'~
1Vs

77
""
Fig.S.48
3. Amplification en tension

Or is = Îe + i avec .
1;;
Ys - Y,
Z ;; J'C hem,( Vs - v,J

D'où

Ou bien
,
Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 201

. Cl)
1- J-
Cl) 1
De la forme Av = Avo - - - ' -
. Cl)
1+J -
Cl),

-PR e P 1
avec Avo= ; (01 = et (02 = ,
h ll hile "" R ee""
. PR e
• SI Cl) -> 0 alors IAvl -> IAvol = -h- : Amplification du montage
Il
Emetteur commun .
. PR e Cl), PR e hile "
• SI Cl) --> 00 alors IAvl-> - - - = - -- = 1
- h ll Cl) 1 h ll PR ee""
pR
• Si '" -> 0 alors IAvl --> IAvol = ~ ~ 60
Il

Donc IAvl,," = 20 log(60) = 35,6 dB }


~ Existence d'une fréquence de
Pour Cl) -> 00 IAvl,. = 0 dB
coupure haute

,
IAvl
4. La fréquence de coupure existe pour -1--1 =
1
r;; c. à d.
Av -
1
A vo ,,2 2

1
ou bien =- en remplaçant (01 et 002 par leurs expressions et en
2

tenant compte de l'apprOXimatiOn ( h ll )2« 1, on obtient:


PR e

~: Cl),=4,17.IO' rad s- 1 et Ife=f, = 6,6 MHz 1


202 Exercices et problème5 corrigés d'électronique analogique

Diagramme:
Av (dB) asymptotique

35.6 dB

- t - - - - - - - - - - - - , ' - - - - - - -.... '" (rad ,-')


0>,

Fig.S.49
5. Schéma équivalent en négligeant l'effet du condensateur C",: Fig550
c,
-:--11 '.
:1--_,
v, r h"

7777.
"t
Re 1 v,

Flg.S.SO

· _ - jPReC,ro
A v-
1+ jh"C,ro

J--ro
De la fonne A' v = A vo 0)\
I+jl!t
ro,
-PR e
Avo ~ --'-~ . ro,
1
Avec
h ' -hllee
"
• Si", 4 0 alors lA' vi,," 4 - co
• Si ro ---t 00
alors IA' vl.. 4lAvol .. ~ 20 log(60) ~ 35 .6 dB

~ Existence d'une fréquence


de coupure basse
Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 203

La fréquence de coupure existe pour


IA~I 1
c. à d.
lAyai ~ .fi
Ay
~' 1
ou bien ~) -1
AyO 2
1+~r2
On obtient: OlC=<il1
1 d'où fOc ~ fi ~ 1
hllCc' 21th Il C,

et

• Courbe de gain (Fig.5.51)

A'y(dB) Diagranune
asymptotique

35,6 ~

-t--"'-------"----- - - - - - - + ID (rad ,1)


Wo

Fig.S.Sl
Exerti .. l0

1. En continu, les condensateurs ont une impédance infinie. Désignons


par 1) le courant dans R). Les courants dans R2 et RI sont donc
respectivement h + IBI et Il + IBI + IB2 • De même désignons par Içz = Iç
le courant de collecteur dans Re.

Le courant de collecteur du premier transistor est: (Fig.5.52)


1
lei = le, + lB, =
le, + --'2 le
~
Son courant d'émetteur est lei + lB 1 ~le
La loi d 'Ohm conduit à :
204 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

12-4-4
Rc + R E= =4 k!l ~ 3RE+ RE= 4 k!l ~ RE= 1 k!l
1.10 '
Rc=3RE ~ Rc = 3k!l

13 + l BI + lB! 102
R, Re
lB'
]) + l BI
R, IC! + 182 E
lB'

R,

l,
~", .

Fig.S.S2
-R, l, + YB'E' + REIc= 0 ~ R,I, = (YB'E' + REIc) = (0,8 + 1) = 1,8 Y

1,= YB'E' +RE.I C = 0,8+1 = 10-' ~ l, = 100 flA


R, 18000

I, = l, + lB' ~ I, = 11 0 flA
l, = 1,+ lB' ~ l, = 120 flA

-E + R,l, + YBIEI + Ye ,., + REIc = 0 ~

R, l, = (12 - 0,8 - 4 - 1) = 6,2 Y

.
D'ouR = 6,2 71
=5 1 O'"
,, ' R, = 52 k!l
, 120.10-" ,

- E+R,I,+R,I,+R,r,=O~R , r, =E- R , I, - R,I, =12-6,2 - 1,8 =4Y

4 •
R = =3 6410 ' R,= 36k!l
, 110.10-" ,
Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 205

Les potentiels par rapport à la masse de tous les points du circuit sont
indiqués sur la Fig.5.53:
120~ 1 mA

1
3~9V
52 kl1
5
1 ,8V ~ 10 ~A
l
1
T,
110 ~A

1 36 kl1
1~~5 V 1 _1- E

1,8V ~ 1/ TI
10~
!)j
~ IV 1
18 kCl 1 kl1
100~

- ~

Fig,553

2. Les condensateurs sont des courts-circuits parfaits aux fréquences de


travail :
L'émetteur de Tl est à la masse par CE. Le transistor Tl est donc monté en
émetteur commun.
La base de T2 est à la masse par CB . Le transistor T2 est donc monté en
base commune.
Le schéma équivalent de l'amplificateur (h12 ~ h" ~ 0) s'obtient dono de
la façon suivante: (Fig.5.54)
c,
~

R, l) iBI
hll
J
1 h .
21 . 182

i
BI Re Vs
Ez=C J

v, R, 1) hll lr' ~ hll .i BI

,,""
Fig.5,54

On remarque que la résistance Rzest en parallèle sur R) :

On peul poser: RB ~ R,R, __ 36.18\0' -_121.".


M'
R, +R, 54
206 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Et obtenir ainsi le schéma simplifié qui est représenté par la Fig.5.55 :


h21 .i B2
~
'.,
1
~,

v, R. hll b21 .i S I
v" 1 hll
'.,
Re
IVs
4 . :.. •
Tl T2
Fig.5.55

3. La loi d'Ohm permet d'obtenir successivement :


En sonie (T,) : -vs - PRe i., ~ 0 ~ Vs ~ -PRe i.,
-Vel - hu iB2 = 0 => Vel = -h ll Îs2

D 'où

La loi des nœuds nous permet d' écrire:


i", + i., +Pi., - 0 ~ i" ~ -(13+ 1)i.,.
et " . . ::;::: ".
..., 19,+102 .
,",lDI :::::> 182 =
f3 .
- - '. '
f3 + 1
sachant que Vel = -hl! i D2
On aura donc :
v c2 h 11
R,,= - = - -
i" f3 + 1
1200
Ali. : R" = -- " 12 n
101
AV2 -_ 100.3000 -_ 250
1200
4. Le premier étage est chargé par R" = 12 n
La résistance d'entrée du montage base commune est sensiblement égale
. h
a- ll- .
13 + 1
' sera é ga 1e a. _- ,:-
Son amp1,·fiIcatlOn 13 R-,<,,-, -- -1
h ll
Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 207

En entrée (Tl) :
-Ve + hili BI = 0 ~ ve = hlli BI
. - (13 + 1) 13 + 1
Par sUIte Ve =h ll V e2 = - - - v"
J3h" 13

D'où A"I~ v" = __13_ ~ -0,99


v, 13+1

. ..
le= 1 + IBI
.
. -
=> le= v,+ -
v,= V - + -
e
RB h"
(1 1)
RB h ll
L'impédance d'entrée du premier étage est:
o __ RBh" 12.1200
'''' - - - '" 1,12 \dl
RB + h ll 12 + 1200
L'amplification totale est:

Av
J3R_c -- -
= Av,Avl ~ _ 13
= -0,99. 250 = -247,5
h ll 13+1
Exercice 11
I. Schéma équivalent: (Fig.5.56)
h ll h ll

1': t'< ~
h21 .iBI ( h2 1.hn
(
.....
,
)r )RB v,
1 R. RE
Re!
7T. 77:
VSI

Fig.5.56
Re
r
7T. 77:
v"

2. Les tensions de sorties VSI et VS2 s'écrivent:


VSI = -h 21 Rc iBt
et VS2 = -h21 Rc iB2
d'autre part :
V,I = hlli BI + RE [(h'I+I) iBI + (h'l+l) iB,]
et v" ~ hlli B, + Rd(h'I+l) iBI + (h21 +1) iB,].

Soit V'I + v" ~ [h" + 2 (h'I+l) REl (iBI + iB,)


et Ve l-Ve 2 = h ll (iBI-i B2 ).
h R
D'où VSI ~VS2= -h 2I Rc(iBl- iB2 ) = - 21 C (V
el
-V
e2
)
h ll
208 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

et

On peut aÎnsi écrire:

VSI -
_ -
h2lR c( V - v 2 ) -
h 2lR c (V CI +VC2 )
2h ll cl c h ll +2.(h 2l + I)R E 2

VS2 -
_h21 R C( v - v e2 ) -
h 2l R c ( Vcl +V<2)
el
2h ll h ll + 2.(h 21 + I)R E 2
ou encore, en posant:
vel + v e2
ed = V c l-V1i<2 ;eMC=
2

On a ainsi:

A.N.: A =_ 80.3,9 = -312 . AMC = _ .,.--'8c:-0~.3-",9-:-::- - 1,07


"" l ' 1 + 2.81.1,8
3. Le T.R.M.C est défini par:
T.R.M.C. = 20 log 1::cl = 49 dB
5. Dans les amplificateurs de différence il faut avoir le T.R.M.C. le plus
élevé possible c.à.d. que l'on a intérêt à diminuer AMe. Or pour ce faire
il faut augmenter RE, mais on ne peut prendre RE infinie (circuit
ouvert). On remplace alors RE par une source de courant de résistance
interne très grande.

Exercice 12

A. Etude statique
En appliquant la loi des mailles, on peut écrire:
E = (REO + Reo) le + Y CE
E-YCE 40 -20
Donc REO + Reo = --= A.N. : R.. + Reo = 3 = 4 kn
le 5.10-
et comme R EO = Re. par suite REO = Rco = 2 kQ
Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 209

D'autre part, on a :
RB,I. = VBE + REOle
V B • +REoIC A V B • +R .olc
donc R B2 = ;;:; .....
Ip 81c

0,6 + 2.5
A.N.: RB' = 100 3 = 26,5 k.O
8.5. \0-
5
40-26,5 .8. -
D'où RB, = \00 100 = 653 k.O
9.5.\0- 3 '

RB2 = 26,5 kQ ; RB' = 65,3 kQ

B. Etude dynamique
1.1. Schéma équivalent : (Fig.5 .57)
R. lB

~.iB
1 ) h" (

e,
CD v,
RB
v,
i REa JRw
Re. Reu

~ 77.

Fig.s.s7
1.2. En tenant compte des notations, te schéma équivalent devient;
(Fig.5.58)
i, R.

<,

Fig.s.s8
210 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

• Amplifications en tension
On peut écrire :
v, = ([3 + 1) Roi.
v~= hlliB + RdP + l)i B
V, = - Rc[3i.

D ' où

• Résistance d'entrée

i.=i+i.~i.= ; : + h +(;'+I)R'-=V'(~B + hll ll


+(;+I)RJ

• Résistances de sorties
~ Sortie 1 : (Fig.5.59)
La charge REU étant débranchée
lB
On a vS) = -Ro.i R = REQ.i
-R
D"
ou·,= - - lo·
B
R EO
La loi de nœuds donne:
Ro [
iSi = i - ([3+ 1).i.
7T.?7:
Fig.S.S9
D'où i s , = - Ro + (13 + 1) .i B
[ R ]
EO

Par suite il vient:


v SI Ro RoREO
RSI = -IS-' = _R_o_ + ([3 + 1) = Ro + (13 + I)R EO
R EO
Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 211

~ Sortie 2 : (Fig.S.60)
La charge Reu étant débranchée
La résistance du générateur de courant est lnfinle.
Par suite il vient: P.i s
'.

Fig.S.GO

1.3. En considérant 13» l, les amplifications deviennent:


I3RE A _ -I3 R c
A VI = c-~~c- et V2 - -:----'--c:-'~
hl\ + I3RE hl\ + I3RE
Donc 1 Av,l = 1 Avz 1 si RE = Re
Les deux sorties ne sont pas équivalentes car elles ne présentent pas
la même résistance de sortie. D'autre part la sortie V2 introduit un
déphasage ùe Tt.
1.4. A.N:

AVI =_13_" 1 et A V2 =-=1." -1 carh ll = RE = Re = 1 kfl


13+1 13+1
3
v, 20.10 [1+101.1)
R.,= - = ,,167kQ Ra = 7,66 kfl
i, 20+1+101.1 '
3
R.. = _7...,6_6_.2_._10__ " 73 Q
7,66+101.2

Il.1. Schéma équivalent Fig.5.61


ll, 'B

v, v,
e,

Fig.S.61.a
212 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

R,

i, R, h l1

e,

Fig.5.6I.b
La résistance de charge équivalente est R., = R,.fR.o.fR. u = 950 n
R,

e,

Fig.5.6I.c
Il.2. Amplification en tension
v,= hlli. + R. ,(f3i. + i, )
. R, .
v, = R.,(f3i. + i,) et 19 = 1
R, +hll'
,. [ ll +R EI (R'
Douv,=h f3+ +hll )]' 8 et v,: REl (P+ R,R+hll)
R, , .1
'
.I B

Soit enfin:

• Résistance d'entrée
Les transistors bipolaires utilisés en amplificateurs 213

Le gain ne change pas, par contre 1a résistance d'entrée est fortement


augmentée.
m.l. Schéma équivalent Fig.5 .62
~ 181
~
~

[l h" fo" p.i.,


e,
c~ v, 1
1
R,
'.,
1l h" ~ P.i 82
)Reo ] Rcu v,
Il R. v,i ) R~ )R EU

77777.
Fig.5.62.a
R,
R,
p.i.,
~
"
'.,
'.'
r
h" h"
e,
v, 1 P.i B1 v,
REl
Re 1"
Fig.5.62.b

• Amplification en tension
RJ . R, .
iB, ~ (13 + I)i., et iB , ~ l, = "
R ,+ h ll + (~+ I)h ll R J +(J3+2)h ll

v, = [h ll +(P+ I)hIl Ji B, + R EI [i, -i BI +<P+ I).iBI + ~(13+ I).iBI 1


ve = (13 + 2)h ,I .i BI + R EI [i, + 13(13+ 2).i BI 1
Par suite :
J
v, = (pn + 2)h Il .1. BI + R El [ R +(P+2)h
R,
,1
+ 13(13 + 2) J. BI
.1
, y ,
214 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

D'où
• VI 1
AVI =-= ", 1
v, 1+ - (P+2)h ll

REl R J +(P+2)h +P(P+2)


ll

RJ

Des équations précédentes. on peut écrire:


v, = [(P+2)h ll +P(P+2)R El li BI +REli ,

En remplaçant iBI par son expression, on obtient:

IU.2. Nous avons à nouveau A~I ~ 1 alors que la résistance d'entrée a


été multipliée par un facteur =40. L'objectif d'augmenter cette dernière
sans changer la valeur du gain est largement atteint.
CJ{}lPFr1(p, 6
DE 'T!Jl,Jl:NSIS'T01(.ft. P/PPE'T {j)fE, CJ-{)I:MP
LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
(RApPELS DE COURS)

1. I ntroduction:
Le transistor à effet de champ (TEC) ou .. Jonction Field Effect
Transistor" (JFET) est constitué d'un barreau de semi-conducteur de
type N ou P dans lequel on crée un .. canal Il conducteur. Aux dcW\
extrémités du canal on trouve deux électrodes métalliques appelées
source et drain (Fig.6.1). L'électrode de grille permet de faire varier la
largeur du canal donc de commander le courant allant du drain vers la
source. La jonction latérale grille-source doit toujours être polarisée en
inverse (c'est pourquoi Io '" 0). Les porteurs de charge dans le canal
vont de la source vers le drain.

Type Structure Symbole

Grille
Drain Source D
ID
IG - 0
J. ... .l. G

V~
Canal N 1 P
Is
Canal N
S
Substrat P
Ves<O; VDs>O; ID>O
.
Drain
Grille D
Source
ID
.t. • .t. G
10 - 0 ,

~
CanalP 1 N 1
Canal P VGS
Is
S
Substrat N
Ves > 0; VDS < 0; I D< 0

Fig.6.1

Un transistor à effet de champ peut être considéré comme un


quadripôle (en prenant une borne commune avec les deux autres),
Fig.6.2.
218 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

f" ..----....--.. ---.....--------.... - .


. ! 10

Drain

Grille
Vos

Source

Fig.6.2
10 : courant entrant dans la grille.
10 : courant entrant dans le drain.
V GS : tension entre grille et source.
Vos: tension entre drain et source.

2. Réseaux de caractéristiques:
Le réseau de caractéristiques (Fig.6.3) d 'un transistor à effet de champ
(canal N) est donné par le constructeur. On peut distinguer deux types
de réseaux:

• Caractéristique de sortie : c'est le réseau de caractéristique los =


f(V DS) pour des valeurs de tension VGS données.
• Caractéristique de transfert : c'est le réseau de caractéristique
IDS ~ f(V GS) pour des valeurs constantes de la tension V DS.

ID

loss V os "" OV

VGs= -l V
e VGs =-2 V

i
VGS = -V p = VGSotr
V,
IVesl Vos
Fig.6.3

• Le réseau de transfert montre que le TEe est commandé en


tension.
Si IVGsl augmente, IDS diminue.
Le transistor à effet de champ 219

• Pour IVGsl > Vp : tension de pincement, le courant IDs est


quasiment nul : le TEe est bloqué.
• Le réseau de sortie comprend trois parties:
o La régIOII ohlllique, pour laquelle le transistor est utilisé en
résistance vanable corrunandée par une tension Ros = f(V GS) ;
8 La résistance du canal Ros dépend de VGS et V DS ;
Ct La région de pmcement (zone de saturation pour VGS >
VGSOFd. dans laquelle le courant 10 est sensiblement conStant
et égal au courant de saturation I DS. Dans cene zone, le
transistor se comporte comme un générateur de couran t dont
l'intensité est commandée par la tenSIOn VGS; los = f(Y es )·

Nous remarquons que la caractéristique I DS = fCV GS) est non linéaire


d 'allure parabolique, représentée par !'équatton fondamentale SUivante :

OU bien:
IDS=IDss{ t J,::IJ'
1 1 (6.1)

IDs =1 Dss.(1+ ~rs r puisqueYGs<üetYr>Ü


lDSS : Courant de saturation à VGS = O.

V p : TenSIOn de pmcemcnt du canal.

3. Polarisation:
Un transistor FET doit être polarisé par un réseau de résistances
extérieures permettant d ' imposer le point de fonctionnement.
La plus utilisée est la polari sation automatique (Fig.6.4) :

1G
O'R,-,-I ~---:-GS-t-.!~ 1
Rs

Fig.6,4
220 Exer cices et p roblèmes corrigés d'électronique analogiq ue

L'application de la loi des mailles permet d'établir :


ID ; VDD- Vos
(6.2)
R o+Rs
{ ID; Ves. (6,3)
Rs

L'équation (6.2) représente la droite de charge.


L'équation (6.3) représente la droite d 'attaque.
Le point de fonctionnement est défini par VGSO. IDso ct V Dsa qUI est
Oblenu graphiquement ou par les équations (6.1), (6.2) et (6.3).

4. Etude dy namique:

D'après les courbes caractéristiques et l'équation (6.1), nous


remarquons que le tranSl stor FET est un composant non linéaire.
En régime faible signaux autour d ' un point de repos situé dans la zone
linéaire des caractéristiques de sortie, nous pouvons propose r un modèle
électrique linéaire (modèle de Norton) décrit par la figure suivante
(Fig.6.5) :

G • " 0

Ves

r gmVGS

Fig.65
rd,

i VDS

gm::;{i os ) : Transconductance du FET quand la sortie est court-


v GS vos .. O •

circuitée. gm est obtenue par dérivation de (6.1) :


gm;21DSS Il + VGs )
V, ~ V, .
rds=(VDS
l os
)V(;s=o
: Résistance dynamique de sortie quand J'entrée est court-
cIrcuitée. rds est très grande pUIsque les
caractéristiques sont pratiquement horizontales dans
la zone de saturation.
Le traDsistor à effet de champ 221

LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP


(ENONCES DES EXERCICES)

Exercice 1
On considère le circuit électrique décrit par la Fig.6.6.
1. Déterminer l'expression de la résistance Rs en fonction de la tension
Y Gs .
V
2. Ce transistor a une tension de grille de repos Voso = GSofT Quelle
4
erreur fait-on en admettant que l'on a dans ce cas ID ;: :;: Ioss ?
2

Déduire l'expression de la résistante Rs.


3. On donne: VGSoff = -4 V ; lDss = 10 m ....
Détenniner, en plus de Rs, la valeur de Ro pour que la di fférence de
potentiel à ses bornes soit de .1 0 :Y:. . Que vaut alors Vos si VDO = 21 V ?

ID
RD
. Voo
/ "
1.. 1) ~.

Exercice 2 Fig.6.6
Considérons un transistor à effet de champ ci Jonction (canal N) ayant
une tension Vos qui est comprise entre 4 V et 20 v . La caractérislique de
transfert est donnée par la relation suivante :

los = loss. ( 1 - - V=--


GS ) '
VGSoff
1. Tracer la caractéristique de transfert sachant que Ioss = 20 mA et
VGSoff = -V, = -8 V.
La tangente à la courbe los = f(V Gs) au point los = loss coupe l'axe
des tensions VG S en un point P. Détenniner les coordonnées du point
P.

2. Calculer les résistances RD et Rs, Fig.6.7. pour avoir Vos = 10 V et


VGs = -3V.
222 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

3. On choisit RD = 2,7 kfl et Rs = 8200.


Calculer los. VGS et Vos-

RD
VDo=30 V
tvos
Rs

Fig.6.7
4, Tracer la droite de charge statique du transistor dans le circuit de la
Fig.6.8. et placer le point de repos Po.
5. On peut considérer que tous les condensateurs se comportent conune
des courts-circuits aux fréquences utilisées. Tracer la droite de
charge dynamique pour le montage amplificateur ci-dessous.
E=30 V
RD
2,7kO
, C,
Il
Co
r-
l'
Il
1-- Il,.
2ill
v, R<;
lMO Rs
8200 == Cs

-...,..
"'"
Fig.6.S
Exercice 3
On se propose d'étudier un étage amplificateur à transistor à effet de
champ dont le schéma est donné par la Fig. 6.9.
On donne:
V oo = 12V ; Ioss = 4mA; V p = -VG~"=' 4V; Rs = lkfl ; r", = 50 kfl
V
1. Calculer la valeur de la résistance RD pour avoir V DS = ~
2
(on prendra E = 0).
2. Quelles seront les nouvelles valeurs de Vos et los pour E = -1 V ?
Le transistor à effet de (hamp 223

3. Donner le schéma équivalent du 'montage en régime dynamique.


On supposera que les condensateurs se comportent comme des
courts-circuits aux fréquences de travail.
4. Détenniner:
4.1. L'amplification en tension du montage;
4.2. L'impédance d'entrée ainsi que l'impédance de sortie du
montage.
+VOo
RD

1 C
1 1 •
-
- c
vo

-=-
'1
E
Rs v,

-
~""
~

Fig.6.9
Exerdce4
On considère le schéma du montage de la Fig.6.1 O.
On donne : V OD = 21 V ; RD = 21d'l ; Rs = 1 Id'l et R" = 1 Mn.
gm = 5 mNV et r" = 200 Id'l

+v oo
RD

i"-

v, t Rn
Rs A Cs
vo

- -
",,.

Fig.6.10
1. Détenniner le point de repos du montage sachant que le courant los
vaut 3 mA.
224 IIxer cices et problèmes corrigés d 'é lectroniq ue analogiqu e

2. On suppose que le condensateur Cs peut être considéré comme un


court-circuit.
a. Donner le schéma équivalent du montage en basse fréquence petits
signaux.
v
b. Calculer (' amp lification en tension A vo = ~.
v,
c. Détemlincr les impédances d 'entrée et de sortie du montage.
3. Le condensateur Cs n'est plus considéré comme un cou rt-circuit.
Reprendre les questions (2.a) et (2.b) et tracer le di agramme
asy mptotique de Bode (en ampli tude) de A,. Commenter.

Exe rci ce 5
Soit le montage de la Fig 6 Il

T,
vGS 1... t.. ... - •
Vs

f-- T,
Rg

1
f-- --
@w. .
Flg.6. 11

Les transistors T l et T2 sont identiques.

1. Montrer que V e = Vs.


2. Proposer un circuit équivalent à cc montage.
3. Quelle est la fonction assurée par le circuit étudié?

Exercice 6
Soit le montage de la Fig.6.12 . Les transistors T I et T z sont
supposés identiques. On donne: Ro ~ 4,7 Hl; gm ~ 3. 10" 11"'; rd' ~ 90 Hl

Les condensa teurs C let C 2 ont des impédances négligeables aux


fréquences de travail.
1- Préciser le type de montage pour chaque transistor.
v
2- Calculer "amplification AV2 = _ 2 et la résistance d' entrée Rel du Zème
v,
étage.
Le transistor à effet de champ 225

v
3- Calculer l'amplification AVI = _ 1 du 1er étage ainsi que sa résistance
v,
de sortie. Déduire l'amplification globale Av du montage complet.
4- Quelle est la résistance d'entrée du montage complet '!
5- Détenniner la résistance de sortie du montage complet

+V DD
R, RD

1-
• t-- T,
v,
C,
::=
R,
•• t-- T,
V,

V'I
R,; Rs ~ C,
- ~
~""
Fig.6.12

Exercice 7
On se propose d'étudier un amplificateur à deux étages comportant
deux transistors à effet de champs T, et T, identiques. (Fig.6.13)
+V DD

RD
RD
C
11 ~t-
.~
" 1-

Cs ) q cs Vo
~
v; R,;I ) Rs - r-
R,;
Rs

Fig.6.13
On donne:
RD ~ 4,7 \dl; Rs ~ 820 Q; f1 ~ gm r", ~ 270; C ~ 0,1 f1F
R,; ~ 100 \dl ; r" ~ 90 \dl; V DD ~ 18 V
226 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

On suppose que seul le condensateur de découplage Cs présente une


impédance négligeable aux fréquences de travail.

1. Analyser le circuit en précisant le type de montage pour chaque


transistor et les propriétés qui vont en découler.
2. Donner le schéma équivalent dynamique du montage.
V
3. Détenniner l'amplification en tension A v = ~ du montage .
Vi

4. Tracer le diagramme de Bode asymptotique de la fonction 1Av 1.


5. Commenter.

Exercice 8
Soit à étudier le montage de la figure ci-dessous: (Fig.6.14)
+V OD
Ro

Fig.6.14

Les deux transistors à effet de champs sont identiques

1. Donner le schéma équivalent du montage.


2. Donner l'expression de la tension de sortie Vo en fonction de VI et V2, J..l.
rœ et Ro.
3. Dans le cas où J..l » 1 : Détenniner l'expression de Vo lorsque
3.1 :VI=O et v,;t O
3.2 : v, = 0 et VI ;t 0
4. Quel est le rôle du montage?

Exercice 9
Considérons un amplificateur différentiel comportant deux transistors, à
effet de champ TI et T, identiques. Le montage est présenté par la figure
suivante : (Fig.6.15)
Le transistor à effet de champ 227
+YOD

RD

T,
D,
. V
D,
T,

e,
i i
7777.
v, v,
777T. e,

Rs

-YOD

Fig.6.15
On donne:
gm = 3 (mOr' ; R,; = 100 kQ; r", = 90 kQ ; V DD = 30 V; Rs = RD = 10 kQ
Les tensions de sorties peuvent être prélevées respectivement entre les
drains DI (D 2) et la masse (sortie asymétrique) ou encore entre DI D 2
(sortie symétrique).
1. Donner le schéma équivalent du montage, et donner l'expression de
(v, - v,) en fonction de (e, - e,). Faire l'application numérique.
v -y
On définit le gain différentiel en mode différentiel Ad = l ,
el -e 2
2. En pratique, la sortie se fait en mode asymétrique c'est à dire DI (ou
D 2) et la masse. Exprimer la tension de sortie YI en fonction de eh e2,
rWIl RD et Rs puis mettre cette expression sous la forme:
(e +e )
v=A(e-e)+A
J d 1 2 c
l2 '
Application numérique: el = l,IV; e2 = 1 V.
3. Pour avoir un bon amplificateur différentiel (qui permet d'amplifier

la différence); on a intérêt à minimiser le terme en (e, ~ e, ).


On chiffre alors les performances de l'amplificateur par le taux de

réjection du mode commun défini par: p = Ad 1


A,
Calculer p exprimé en dB. Quelle est l'amélioration nécessaire pour
rendre l'amplificateur différentiel performant?
228 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Exercice 10
On se propose d 'étudier Je circuit suivant : (Fig.6. J6)
On donne:
RI - 1 Mn; R, - 150 kQ ; R, - R. - 470 n ; R, - R. - 2,2 kQ ;
r ... - 50 kQ; g",- 3,2 rnNV; YGS - -0,7 Y ; IDs - 1,5 mA
Les deux transistors T et T' sont identiques.
+V oo =12V

R.
C,

CI
D
H
T'

R, S
v,
R.
p R, 0 T S

R,
v
R,

M 777T. 777T.

-V OD
Fig.6.16
A. Étude statique :
1. Calculer le courant l'os et la tension Y' GS du transistor T' .
2. Calculer la tensIOn Y entre les points P et M.
3. Déterminer Jes tensions Vos et Y· DS•

B. Étude dynamique:
Les condensateurs ont des impédances négligeables aux fréquences de
travail.
1. Montrer qu'entre les points P et M, le circuit est équivalent à une
résistance Ra. dont on déterminera l'expression.
2. Donner le schéma équivalent du montage ;
V
3. Calculer l 'amplification Av =-2.
v,
Le transistor à effet de champ 229

LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP


(CORRIGES DES EXERCICES)

Exercice 1
1. Comme J,; ~ 0 alors Vos ~ -Rs los

Cette teclmique de polarisation est appelée" polarisation automatique" :


on a une tension VGS 'F- 0 malgré que la tension VG = 0
. VGS 2
2. On salt que: los ~ loss (1- ) .
V OSoff
V GSoff
Pour Vos ~ -""""-
4
1 2
il vient: los~loss(l- -).
4
9
IDS = - . I DSS .
16

Donc "'los -
~C: I~) loss ~ I~ loss .
~I
l'lI os 16 oss 1
D'où l'erreur - soit 11%
los ~I
16 oss
9

Donc pour

D'où

. 1 V OSoff
R =--
s 2 1oss
230 E.xercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

3. On a : V GSoff = - 4 V. et Ioss = 10mA.


1 V GSoff 1-4
• Rs= - - -- =2000.
2 Ioss 210.10 '

Rs = 200 Q 1

• Calcul de RD :

10
A.N. : RD = 10 =2kn
_ . 10'
2
Ro=2 kQ.
• Calcul de V DS :
La loi des mailles nous permet d'écrire:
V oo = (RD + Rs) los + Vos.
D'où Vos = V DD - (RD + Rs) los
A.N. :
V DS = [ 21 - (2 + 0,2).5 1V

VDs=IOV
Exercice 2
1. On peut tracer la courbe de transfert (Fig.6.17) en dressant le tableau
suivant·
VGs(V) 0 -2 -4 -6 -8

Ios(mA) 20 11,25 5 1,25 0

los (mA)

20

-8 -4

Fig.6.I7
• Equation de la tangente.
Forme générale: y - Yo = f '(xo) (x - ",,).
On a: y == IDs; Yo = JDSS ; X = V GS et Xo = O.
Le transistor à effet de champ 231

Calcul de la dérivée:
aIos = _ 2Ioss
av GS VGSoIf
(1- VGs )
VGSoIf
et

Par suite, il vient:

2VGs ]
los = loss 1 - --"''- Équation de la tangente
[ V GSoff
• Coordonnées du point P :

=0 ~ VGS = VGSoIf
2VGS
Pourlos=O ona 1- 2
V GSoff

Donc les coordonnées· du point P sont:

1 Vosp =-4 V et IDSP=O

2. Vos=10V;VGs=-3V

D'après la relation IDS = IDss (1- V GS )2, on aura:


VGSofT

los=20.10 .3(1- +3)'


+8

IDS = 7,81 mA
• Calcul de Rs :
Rs- - -VGS 3 384 O.
los 7,81.10-3

Rs =3840
• Calcul de RD :

V oo = Vos + (RD + Rs) los

D'où
232 Exercices et problèmes corrigés d'électronique aDalogique

A.N. : R = 30-10 -384


o 7,81.10-'

3. PourV oo = 30 V; Ro =2,7 kO et Rs = 820 n.


• Calcul de los:

Yes)'
los = Ioss ( 1--=-
YeSo"
or Ves=- Rs. 10s

Donc l os = 10ss [1 + R s .los]'


YeSo"
10S=10SS[I+ ~Rs .los+ (vRs
GSoff GSoff
}.lbS]
~ : IDS= 20. JO-' [1- 2.~20 IDS+ (8~0 lns]
21O,125.l~s +5,l.Ios +20.10-' =0
t:.. = (5,1)' -4.20.10-'.210,125
t:.. = 9,2 => ,[i; = 3,03
1 = 5,1 - 3,03 = 4 9 mA
DSI 2.210,125 '
5,1-3,03 387 A 1
1052 = 2.210,125 à rejeter
' m > 055

Donc los = 4,9 mA

• Calcul de Vcs :

Ves= -Rs Ios A.N.: Ves = - 820.4,9.10" = 4,02 V

• Calcul de Vos
En appliquant la loi des mailles, on obtient:

Vos = Voo - (RD + Rs) los.

A,N,: Vos = 30 - (2,7 + 0,82).4,9 = 12,75 V


Le tra nsistor à effet de champ 233

4 . L'équation de la droite de charge statique s'écrit :


Vos
R D+R s

Elle passe par les points A et B : A [ 0 J. B [ 30 V J


8,52 V ' 0

Droite de charge dynamique


los (mA) ",
,,
8,52 A ,,
,, Droite de charge statique
,
,
4,9

12,75 30V

Fig.6. 18

5. Le schéma équivalent en basse fréquence est donné la Fig.6. 19, en


supposant que r<15--" 0)

G D l,.
/"
v, R,;
'-.:
""f-' g", vg.\ [J RD Vs ] Ru

0. ~ S .
F.g.6.1 9

On peut écrire:
lds = gm Vgs
Vs = w R L.Î<ls
234 Exercices et probl èmes co rri gés d'électronique analogique

• La droite de charge dynamique passe par le point poriDSOoso].


de pente ( - ~ L )et a une équation de la forme : i", ~ a Vd; + b

A.N.: a ~
--
.=L =_
RL
R,+ R o
R , . RD
- ..iL=_0,87 n-'
2.2,7

ii1s=Ioso - ~ L (V dS- Voso )

i ds =- Vds + Ioso + Voso


RL RL
id, (mA) ~ - 0,87. Vd; + 16. (Voi r Fig.6. 18)
Exercice 3 :

l. L'équa tion de la droite de charge statique est :


VDD~ RD[os + Rs los + Vos (car I G~ 0).
O u encore

1os = V DD - Vos
R I) + Rs
YOD
On veut que Vos = - -
2

D 'où 1os = YOD


2( R D +R s )
Or IDs = - YGS (car E ~ 0)
Rs
• Calcul de VG5

105= 1055 (1+~Gp5 ) avccYGs< Oet Vp> O

_ YGS- IOSS( I +2 YGS + YJs) pour YGs2:- Y.,


Rs - yp Ye'

_ YGS =( 1 +2 YGS + YJs)


R sl DSS y, Y#
Le transistor. effet de champ 235

~: Rsloss~ IO'.4.IO·' ~4 y
Yp~ 4Y

Par suite, on peut écrire: d'où

lI'=C:)' -16=20
- 6 - ./20
YGSI = ",-IO.5Y<-Vp àrejeter
1

- 6 + ./20
VGS2~ 1 =:;-1,53V > -Yp

donc YGS ~ - l,53 Y.

d'où
- YGS
los = R = 1,53mA
s

V
oo- Rs
et Ro= - -
210s

12 ,-LlO' RD = 2,93 kO
2.1,53. JO-
2. E = - 1 Y
E = YGS + R,;.I os

1 = E-VGS
os R
S

1 = E- YGS = 1 (1+ VGs]'


os R oss Y
s p

v
1+2 ~+~
V'
Vp V:
236 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

A.N. :

_~ _ VG' ; }+2 Vos + V~.


4 4 4 16

V~. + 12VG• +20;0 d'où "" ; 36 - 20 = 16

VG" = - 6-4
1
=- IOV < - Vp à rejeter
-6+4
Vos, = = -2V
1
Donc VG.=-2 V
E- V
Par suite IDS = GS = -\+2 = \ mA
Rs 1.10'

Enfin Vos = V DO - (RD + Rs) IDS

Vos; 8,1 V
VOS = 12 - (2,93 + 1).1

3. Le schéma équivalent en régime dynamique est : (Fig.6.20)

v" t ~vp
1 ) rds

RD ) Vo

Rs " t v
,

?:>. W.
Fig.6.20
En remplaçant le générateur de Norton par un générateur de Thévenin, on
obtient le schéma suivant (Fig.6.21) :
Le transistor à effet de champ 237

'ds
G

v~ i GD~v~
RD vo

Rs r ~
t v
,

Fig.6.21

avec J! = gm.fds

4.1. Amplification en tension

VO+J.l.Vgs-Ve
La loi des mailles. nous permet décrire: 1

ou encore

Enfin A _ vo
v -
v,

Calcul de gm :

et comme IDs=IDs{l+ ~S)'

Par suite gm = 8IDS =_ 210ss(l+ Vos)


avos Vp Vp
238 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

. _ 2.4.lO·" -2)_ _ _ _
A.N.. gm-- 4 \1+'4 - ImAN or ~ - gm.rd>-1.50-50

A RD(l+~) R A.N. : Av'" 2,9


d'où ... RO+fds S1::i gm D

4.2. Impédance d' entrée


En appliquant la loi des nœuds, on obtient:

. v v, .
l e +1 =-' le :;:;:--1
Rs Rs
En appliquant la loi des mailles, on obtient:

v,(l +~) ~. (rd> + RD) i


rd>+RD

D'où: i, ~ _v_, + -'.(l_+-,-~,-)v..;" Par suite Y, ~ _1_ ~ ~ = _1_ + (1 + ~)


Rs T", + RD Zc. ve Rs fds+RO

v, 1
Enfin: Z, = i = 1 1+ ~
, - + -'''-'-"''-
Rs Td> +RD

A.N. :
Z. 1.10' (50+2,9)10'. =509Q
51 .1.10'+50.10'+2,9.10'
• Impédance de sortie.
En court-circuitant le générateur d'entrée et en supposant qu'il existe
un générateur parfait Vs débitant un courant is. on aura (Fig. 6.22) :

G r",
La tension Vas = 0

=> ~ VGS ~ 0

Fig.6.22
Le transistor à erret de champ 239

D'où :

A .N. : z. ~
s
2,9.10' .50.10'
(2,9 + 50)10'
~2 74kn·
' '
IZs
.
~2,74knl
.

Exercice 4
1. Point de repos
Vos ~. Rs IDS
Vos ~ V DD - (RD + RS)JDS
A .N. :

Vos ~ - 1000.3.10" ~ - 3 V;

VOS ~ 2 1 - 3. 10' . 3.10" ~ 12 V ;


2. Le condensateur Cs a une impédance nulle aux fréquences de travail.

a. Schéma équivalent : (Fig.6.23)

" '"
,
v,
Ru V" g",v" r" tl JRD vo

., 77.
Fig.6.23

b. AmpHfication en tension .

SOIt
. R' 0 ;::;
rds .R o
rds + R D
vo ;::; -R 'o. gm .viS = -gm. R'o 'V e

A.N. : Avo",- 2.1 0'. 5.10-' '" -10


240 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

c. Impédance d'entrée

Z,=V'=RG=I MO
1,

• Impédance de sortie
Pour calculer Zs. on court-circuite Ve et on place une source de
tension parfaite li qui débite un courant is. d'où le schéma de la
Fig.6.24. IS
G

..
v =0 u

Fig.6.24

.
v =0 d'où

200.10'.210 3
A.N.: ZS (200+2).10] 1,98.10] 0 ",2 kO
3. Effet de la capacité de découplage Cs
Le schéma équivalent devient: (Fig.6.25)

Rs
avec Z = Rs ii les = ----"---
1 + j RsC sûl
G ''''

v, ) R, iv~ ~ ~gmV.. ) r",


RD Vo

,.,7,-
. -Va
=> Ids = - - Fig.6.25
RD
VO = Z;ids + rds (id.<; - gmo vgs) => Va = (Z + Td,s).ids - gm·rds·v gs
Va = (Z + Tds).ids - J.1.vgs avec Il- = grn·Tds
Le transistor à effet de champ 241

Or Vgs = ve - Z.ids
Par suite Vo ~ (Z + r").i,, - ft v, + ft Z.i ..
vo ~ (Z + r" + ft Z). i" - ft v,
-v
vo ~ [Z(I + ft) + r,,]. __o - ft v,.
RD

D'où

• Si '" est suffisamment grande (Z -> 0 : le découplage est parfait)


-!1R D -gmr",R D .
Av --7 = ;;; -grnRD = Avo
RD +rds RD +rds
• Si '" est très faible (pas de découplage: Z ~ Rs)
'" A _ -!1 RD - A
~-- - VI
RD +r", +(\+!1)Rs
• Si ID est quelconque
_ -!1 R s
A y- R
RD +r" +(1+!1)
. s
1 + JRsC s '"
- !1R D(\ + jRsC s "')
A = ~~~~~~~~~~~
y (\+!1)Rs+RD+r,,+j R s{RD+r,,).C s'"

1+J.-'"
De la forme "'0
Ay = Ay, -----'=
1 +J. -'"
"',
-!1 RD
Avec Ay, = ----'-------''----- : Amplification si '" -> 0
RD + r", + (1 + !1)Rs
1
"'0 = -RsC
-,-- et
s
242 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

D'où le diagramme asymptotique de Bode de la fonction G v est: (Fig.6.26)

G v (dB)
~
'Go 10 log (1 + (~)'
--,-Ol-,OCL-J-, G v ~ 20 log IAv 1


...- J

2010g lAd 1--~-----,,.4------,- 2010g IAvd
t '" (Échelle log)

""

En basse fréquence le gain diminue, puisqué~plage n'est plus assuré


par Cs.

Exercice 5
1. La grille du transistor T 2 est reliée directement à la source, d'où
VGS'~OV.
On suppose que les deux transistors fonctionnent en régime de
saturation (1 0 = los), pour cela les tensions drains source des deux
transistors doivent être supérieures à la tension de pincement V p. Dans
notre cas nous avons V DSI = V DSl = V 0012.
D'après la relation:
los = I Dss (1 + ~ps J ; V p> 0 : tension de pincement
on trouve: Ins2 = Joss et comme: IDSl = rosI (TI et T 2 sont identiques)
donc V GS1=VGsz=Q.
D'après le réseau de caractéristique du transistor, Fig.6.27 :
Le transistor il effet de champ 243

IDS

I Dsl = I Dss ____ ~-:.:-:.-::.;:-:.:-=-~-~-~------ V GSl = 0 V

_ _- - - - - - - - - VGs1 =- 1 V

...,:-------------t~ V DS
Fig.6.27

On peut écrire que pour IDS1 = JDSS, on a : Va S1 = o.


D' où par application de la loi des mailles, on trouve: (Fig.6 .28)

T,
VGs·.. f ... ...
v,

Fig.6.28

2. Le circuit à étudier nous pennet d'avoir:


• V e = Vs
• un courant constant losi = Ios2 = lDss
D 'où le circuit électrique équiva1ent à condition que Vos soit suffisante (V DS
> V p) pour qu'on se trouve dans la zone rectiligne des caractéristiques de
sortie (içi VDSI=VDS,=VD.,I2): (Fig.6.29).

R, 1

Fig.6.29
244 Exercices ct problèmes corrigés d'électronique ana logique

3. Pour R = Rg et 1 = loss. on obtient un générateur de courant réel


1 : courant déli vré par le générateur
R : résistan ce interne du générateur

Remarque:
• Pour R ~ 00 , on obtient un générateur de courant parfai t, mais en
charge on n 'aura plus los! = los2 ni V e = vs.

Exercice 6
1. • Premier étage :
composé de T I, l~, Rs et CI'
Entrée sur G I• sortie sur DI et SI découplée par CI .
Le montage est de type source commune .

• Deuxième éta ge:


Composé de T" R" C" RI et RD.
Entrée sur S;z, sortie sur D2 et la grille G 2 est découplée par
C,.
C'cst un montage grille commune.

2. Schêma équivalent du 2ëmr: étage (Fi g.6.30)


G, D,
A
VGS2 ~ g",V!;S2 rd.
S, ~,
Y 1) RD V,
VI
t 7fT.

• Amplification en tension F ig.6.30

La loi des mailles donne :


V !;S2 = VG2 - VS2 = - VS2 = - VI
Vl = - Ro . id.s2
La loi des nœuds donne :
. V 2 -V I . V 2 -VI
I ds2= gm. V gs2 + ::::::::> 1<1s2 = - g m. V I + -""--'-'-
~ ~

, '.
Douv, ~ -RD
[ - (g m +-).v
1
I+-
Tds
v,]
Tds
Le transistor à effet de champ 245

Ou bien :

Enfin
V,
A Y2 = -
v,

A.N. :

A = 4,7 .10] .(1 + 270)


v, (4,7 + 90).10]

• Résistance d 'entrée

. .
IeZ= -ldsZ
.
l e2 = -gm.V gs2
VZ-YI
r",
or Vgs2 = - VI et Vz = - R D . Îds2 = R D.ie2

. YI R D '
Donc l e2 = g m ,v I + - - - - .I eZ
rds reis

i,,(I +~: }=(gm+ rJv,


i,,(R D +r", }= (1+ f!)v,

V, 1
Finalement. on trouve : R ,, =. - "' -
l "~
A.N. :
(4,7 +90).10'
R", = 1+ 270 li, = 349 OJ
On remarque que la résistance d'entrée du 2'~ étage est faible.
246 Exercices et problèmes corrigés d'électronique ana.logique

3 Schéma équivalent du 1" étage: (Fig.6.31).


G, D,

J
~
v,
J~ v"' gmVgsl
r" v,

S,
.
• Amplification en tension.
* Flg.6.31

fds·R c2
v, ·gm·vgsl or
f ds + Rel
Donc

-gm.fds.Re2 R
~ -g m. e2
fds+ R c2
A.N. :
A = - 3. 1O~'.90. 10'.349
VI 349 + 90.1 0'
[Av, = ~ I ,O~
• Impédance de sortie: (Fig.6.32)
15
G,

)~ Vgs1=O gmVGSt
r" Vs

S,

R =(~)
"*' Fig.6.32

S is ve "'o
Si Ve = 0 alors Vgsl = 0 D'où

Remarque: L'impédance de sortie est élevée.


Le transistor à effet de champ 247

• Amplification globale:
ème
Av = AVI,Av2 (car on a tenu compte de la présence du 2 étage dans le
calcul de Av,).

AN: Av = -I ,04.l3,45 Av = - 14

4. La résistance d'entrée du montage est:

5. Pour chercher la résistance de sortie du montage complet, le schéma


équivalent sera comme suit: (Fig,6.33)

G, D, 'S, 's
r~

gmVgsl
r~ 1v~,
s, %

Fig.6.33
Or v,.,= 0, le schéma devient: (Fig.6.34).

j' ts

,
"

Fig.6.34
La loi des nœuds donne:
. Vs '1
Is =--+1
RD
La loi des mailles donne:
Vs = fds.(l ' - gm Vgs2) + fds.i'
Vgs 2 = - rds. i'
D'où Vs = 2rds .i' + gmfd2:o.1' = (2 + gm.rds) rds.i'
248 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Par suite Vs ~ (2 + ~).rd,. i '


finalement, il en résulte:

D ' où

A.N. : 1 [, s "'R o= 4,7 kD 1

C ' est la résistance de sortie du 2eme étage et comme on peut le


remarquer Rs est g rande.

Exercice 7
1. Les deux étages so nt id en tiques
Entrée su r la grille
Sortie sur le drain
Chaque étage est de type source com mune et caractérisé par
une amplification en tension élevée et négati ve (entrée et
sortie en opposition de phase).
une impédance de sorti e pratiquement égale à Ru (rùs» R D).

Remarque:
On a deux étages source commune cn cascade, donc l'amplification
globale doit è\
posi ti ve puisqu ' il y a deu x inverSions.
\
2. Schéma équivalent (Fig.6.35 J.

G, 'd, D, C G, rd, D,

avec VGSI = Vj
Fig,6,35
Le transistor à effet de champ 249

3. En remplaçant le 1U étage par son générateur de Thévenin. le schéma


devient : (Fig.6.36).

R~ G, D,

~................................................._.. _.....__...._------...... ...!


Fig.6.36

Avec

Nous avons encore

1
Ou aussi avec Z c = - -
jC",

Finalement, Av a pour expression

A _ 2 _( Il R D R-"..o_.,- 1
) ' ___
v - Vi - R D + r R R 1
lls
G+ th + -. -
JC'"

4. Diagramme de Bode (Fig.6.37).

Av =( Il R D )'
RD + r",
jR o'C",
1+ j(R o + R ili ).Cw
250 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

. m·
J-
Olo
Av de la fonne A v = k.--"--
. ol
1+J -
M,
'
avec
k _
( RD +r(ls
)!RD
) et ol = - - -- -
1
, (R G + R .. ).C

A..o =20 log 1Av 1=20 log 1k 1 + 20 log I~


lm:-
'2010g~
• siw-+O :~4-oo

• sIm .... 00 : A..o = 20 log(k olp ).


Olo
A.N. :
I l ,
• Olo =
R G.C
=
100.0,1.10"
=lOrd / s

=.,-- -__
1
• ol
, (R G + R .. )c

avec R", = Ro·r" = 4,7. 90 .10' = 4,47kO


R D+ r" 4,7+90
. 1
Par sUIte"", = , 00,=95,7 rads-' 1
(100 + 4,47).0,1.10

• k =( ~RD )' =(270. 4,7) ' k= 180


RD + r", 94,7 1

• Pour ol .... 0 : A..o .... , 00

• Pour 00 --> 00 : A..o = 20 log(k olp ).= 44,7 dB


Olo
Diagranune
asymptotique
............ .. _ ..... _ .. 1 : : ::::::===~-
........................ . "

Cil (rdls)

ru,
Fig.6.37
Le transistor l effet de champ 251

5. Commentaire:
• Le condensateur C est la cause de la chute du gain vers les basses
fréquences. n assure la liaison entre les deux étages sans
perturbation du point de repos.
• Le condensateur Cs assure le découplage de la résistance de source.
• L'impédance d'entrée du 2eme étage se comporte comme charge pour
le l ~ étage.
• Le montage proposé permet d'avoir un gain important (l'entrée et la
sortie sont en phase).

Exercice 8 :
1. Schéma équivalent du montage.
En utilisant le modèle de Thévenin pour modéliser le transistor à
effet de champ, il est possible d'établir le schéma électrique équivalent
du montage de la Fig.6.l4 en régime dynamique. Çe schéma est donné
par la Fig.6.38 :
G,
.
'
( 1) Vo

"/////, ~,

://///,
Fig.6.38
2. l'équation de la maille (1) est:

(2r", + RD) i" - J.l v"' - J.l v"' = 0

d'où, on obtient: (2r" + RD) i" = J.l(v", + v",,) C>


(2 r", + RD) i" = J.l(v, + v, + J.l v, - r" i';)

On sait aussl que


252 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

d ' où

3. Pour ~» l,l'expression devient:


Vo
-!1RD(V' +!1VI) ~ -!1RD(V' +!1VI) ::::;;--RoC
- Y2+j.l YI
)
(2+!1)r,,+RD !1r,,+RD r"
3,1. Si VI :=:0 et Vz *- 0, on obtient :
- !1R D v 2
V0 = -~'---"--~~
(2 + !1)rd , +RD

soit: -RD ce gain est faible vue que


V o ~ ~~ V ,

r" généralement Tds» R DS .

soit : ce gam est beaucoup plus


important.

4. Ce montage pourra être utilisé comme amplificateur classique (amplifie


soit l'entrée 1 ou 2) sachant que VI est beaucoup plus amplifiée que Vz.
Mais aussi en tant que comparateur des tensions V2 et -Il VI (si Vz + Il
VI~O .Iors vo~O) ,

Exercice 9
1, Schéma équivalent :(Fig.6.39)
GI G,

RD
~.Vgs2

VI

V,
Rs
Fig,6.39
Le transistor à effet de champ 253

• Expression de v = VI - V2 :

on a : vl=-Rf). id~ l . (6.1)


V2 = - R D . i ds2 . (6.2)
VSI = VS2 = Rs (idsl + ids2) = Vs
D'où Vp l = VOl - VSI = el - Vs
Ygs2 = v g2 - V S2 = e 2 - Vs
La loi des mailles donne:
VI = - ~. v"s'+ Tds.i els1 + Rs (i els l + ids2 )
ou bien VI = - )...l.(e , - vs) + rds.Î dsl + Vs
d'où v, ~ - ,.,.e, + (l +,.,).vs + r",.i"". (6.3)
de la même manière, on obtient :
v, ~ -,.,.e, + (l+,.,).vs + r",.i"". (6.4)
de la différence (6.3) - (6.4), on obtient:
v ~ v, - v, ~ -,.,.(e, - e,) + r",(i"" - i",,) (6.5)

En faisant la différence des équations (6. 1) et (6.2). on aura :


V = VI - V2 = - R D (idsl - ids2 ) .
. . _ - (V I -V ' ) V
d'où Ids ) - lds2 - = - --
RD RD
par suite, l'équation (6.5) devient :

v~ - ,.,(e, - e,) r"


- - - .V.
RD
- Il
VI - v , ~ (el -e, ) (6.6)
1+ Tds
RD
d'où: Ad
- IlRD ,.- gm.R D
R o+rds

A.N. :

III = 270·1
- 270 (e, -e )
v=v,-v , = 90 2 = -27.(.,-.,)
1+ -
lO

D'où Ad = v, - v, =-27.
el - e 2
154 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

2. Sonie en mode asymétrique.


En faisant (6.3) + (6.4), on obtient:

v, +V , =-Il.(e, +e , ) + 2.(I+Il)R s (i "" +i "" ) + r",(i,,,,' i",, )


v, + v, = - Il·(e, +e , )+[1.(I+Il}R s +rd.)(i "" +i",, ). (6.7)
de même (6.1) + (6.2) donne:
VI +v 2 = -R D (i dsl +i ds 2 )·

.
d'ou
('I + 1' m 2 ) =-- (v, +v, )
'-'--'-'
ds l
RD
par suite, l'équation (6.7) devient:

v, +v, = - Il.(e, +e,)+[2.(I+Il}R s +rd'{- (V':OV,)]


ou bien :

donc

A.N. :
Ac = -270.10
10+90+2.10.271.
A-c-=-- 0~,4-:-::9""'«'-A-'
ri d1
Ce montage amplifie mieux la différence Vt- VZ que la somme v\ + V2 ·

A panir des équations (6.6) et (6.8) :


v, - v, = A,(e, - e,) (6.6)
v, + v, = Ad., - .,) (6.8)
On peut déduire : ,--_ _ __ _ _ __ -;-_ _--;:,
Ad
v, = T(e, - e, )+A c (e,+e,)
2

~:

Ad =_ -27 =-135
, ', A C = -049

2 2
Le transistor à effet de champ 255

Ae « AJ , ce montage amplifie mieux la différence VI - Vz que la


somme VI + V2.
0
e, - e, = 1,1 - 1 = 0,1 V ; _eL'+-2--=-, = 2~1 = \,05 V

v, = - 13,5.0. \ + (-0,49.\,05)
v, =-\,35-0,5\
Iv,=-1,86 Vi
3. Nous avons;
v, = ,-1,35, 0,5\
, '-v---'
Mode Mode
différentiel Commun

Dans ce cas, te mode commun n'est pas négligeable devant le mode


différentiel::::::) on a un mauvais amplificateur différentiel.
Le taux de réjection du mode commun (T.R.M.C) est

P.. = 20104~: 1

27
A.N. : PdB =20Iag- = 34,8 dB.
0,49

Pour améliorer les performances de l'amplificateur, on doit vérifier la


condition ; Ac « A..
D'après les expressions de ~ et Ac, on voit que pour diminuer la valeur de
Ac relativement à A., il suffit de remplacer Rs par un générateur de courant
de résistance interne très grande.

Exercice 10
A. Étude statique.
1. On a los - l'os = 1,5 mA
Puisque les deux transistors sont identiques (en supposant VDS suffisante
pour qu'on soit dans la zone horizontale des caractéristiques),
on a automatiquement:
V'os =Vos =-0,7 V
2. On a ; R, = R. et R, = R. et le même courant IDS = l'os.
Le montage est symétrique par rapport au point P.
DoncVPM=V=O.
Exercices et problèmes corrigés d'électronique IDllogique

3. Vu que les deux Iransistors sont identiques et la symétrie du montage, on


peut éori", ;
V'os =Vos =Voo -R,Ios -R,I os
~:
V' os = 12 - 2,2.1,5 - 0,47.1.5 = 8 V.

IV'os=Vos=8 Vi
, .
B. Etude dynamlgue
1. Entre P et M on a le circuit suivant; (Fig.6.40).
p

R,

G
T

R, Fig.6.40

~VDD

Le schéma équivalent pour les petits signaux alternatif est; (Fig.6.4\)

G R, .... P

g.,v" [do

R, v

R,

Fig.6.41

La résistance R2 n'est pas traversée par un courant.


Donc vp = - R).ids
or v = r.. (i", - g", v..) + (R, + R,) i..
Par suite v = (r.. + r",.g",.R, + R, + R,).i", = [r", + R, (\ + g",.r",) + R,].i"
Le transistor à effet de champ 257

d'où, entre Pet M on voit:


R.= v =r"+R,(I+gmr,,,)+R, Ra a la dimension d'une
résistance. '"
kN. :
R. = [50 + 0,47(1 + 3,2.50) + 2,2.1 10'
2. Le montage simplifié est : (Fig.6.42)
+V DD = 12 V

Il.
C,

c,
D
H
T'

R, S

R.
c
H
Fig.6.42 777T.
Î Vs

-V DD

Effectuant le schéma équivalent du montage simplifié : (Fig.6.43)


G 'd. rd. D

R,
jv p
~ v"
A
V,

R.

Fig.6.43
R.

M 1s
258 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Appliquant le théorème de Thévenin entre A et M.


• Détermination de u~(Fig. 6 .44)

v, R, IV P

A
~v..

777T.
t
777T.
u.,

Fig.6.44
La loi des mailles. nous permet d'écrire:

V e - v p - Uth = 0
Ye - VS" - J.1 Ygs =0

Par substitution, on obtient:

~ v,-u",=O d'où:
(fi + 1)

• Détermination de R•...; (Fig.6.45)


rd.

~ v"
IV"i A

t
777T.
u

Fig.6.45

La loi des mailles nous permet d'écrire:

U +vgs = 0 <:::::>
u - J..l vp - rds i = 0 u( 1 +~) = r" .

d'où
Le transistor à effet de champ 259

Par conséquent, le schéma de la Fig.6.43 devient : (Fig.6.46)

R,

Flg.6.46

3. D'après les valeurs numériques des résistances Rt et Ra, on peut faire


l'approximation suivante : ~ « Ra

En appliquant la règle du diviseur de tension, on trouve :


Vs-- Ra .~Ve
R.+R.-r.&- 1+11
1+",
ou bien, en tenant compte de l'approximation : Vs= Ra ,l ve
R.-t-J!!L 1+11
1+11
3 3
A.N. : '" = gm.r", = 3,2.10. .50.10 = 160

Vs=
127,9.103 .
.l®V e soit: A v=.Yil'C }
1279103+50.103 161 v,
, . 161
CJ{jf/PI7'1lf, 7
;4:M.PLIPl c;4<FEVCJ( OPE/R;4.TIO:JIf.NEL
AMPLIFICA TEUR OPERATIONNEL
(RApPELS DE COURS)

1. Génér alités :

L'amplificateur opérationnel est un amplificateur différentiel de


ten sion intégrant typiquement plusieurs transistors et quelques
résistances. Il est constitué essen tiellement de troIS étages (Fig.7. 1):

Etage différentiel Etage de Et age dt!


-
sortie

1
d'entrée liaison

r-
, Vs
e

• L'étage d'entrée est un amplificateur différeillicl pcmlCtlanl


d'avoÎr un gain é levé.
• L'étage intermédiaire est un ampli ficateur de tension, qui dans te
cas de couplage par tension continue, sert à obtenir Vs = 0 quand
e+ = e.-
• L' étage de sorti e permet d'a voir un ga in en courant élevé et
possède une impédance de sortie faible.

Symbole (Fig.7,2): e' ~


e____V>--S-ort-'-.e
c": l'entrée non inverseuse.
c" : l'entrée inverseuse. Fig,7,2

Le gain de l' amplificateur opérationnel est très élevé. Si on applique


respecti vemen t les tensions ei- et e- aux entrées plus et moins} on obtient
une tension de sortie:
Vs = A •. (e+ - c· + V,) .
A. : nombre positif qu 'on appelle gain différentiel de l' amplificateur.

Vo : tension de décalage, positive ou négative et très faible, due à la


di ssymétrie de l'amplificateur.
La ten sion de sortie Vs ne peut dépasser ±vU1 (dépendant de
l'alimentation symétrique).
264 Exercices ei problèmes corrigés d'électronique analogique

2. Remarque;
En faisant les approximations suivantes:
• ~ tend vers l'infini et indépendant de la fréquence dans une
large plage. n n'y a pas de fréquence de coupure basse et la
bande passante s'étend du coté faible fréquence jusqu'au
continu (m ~ 0).
• Vo =O
• L' impédance d'entrée de l'amplificateur Z. infinie
• L' impédance de sortie de l'amplificateur Zs nulle
Alors l'amplificateur opérationnel devient idéal au lieu de réel et il sera
représenté comme suit (Fig.7.3) :

: "_"':li'';;~Ir-;:-ooll-l_so_rtie ou
Sortie
ï =O
e ----1~--1
'"

Fig.7.3

Ces propriétés sont résumées par la figure suivante (Fig.7.4) :


Vs
,
e i~=O
+ Sortie Vu,

. i' ~ O

i
e

r
.
E = c-<-·e
V,
e• 0
e-
. ,. """
=
;

-V w

Fig.7.4

Lorsque E = 0 et - Vut < Vs < V At on dit que l'amplificateur opérationnel


travail1e dans le régime linéaire. Ce régime n'est va lable que si un circuit
extérieur de contre-réaction, liant la sortie à l'entrée inverseuse, maintient la
tension E à la valeur nulle. Dans ces conditions, la tension de sortie ne
dépend pas de l'amplificateur opérationnel lui-même mais elle est
détenninée par le circuit extérieur qui lui est associé .
Dans un amplificateur opérationnel parfait, la tension de sortie devient
égale à ± V ~t dès que la tension & est différente de zéro.
Amplificateur opérationnel 265

3. Utilisations:

L'amplificateur opérationnel peut être utilisé pour réaliser des:


• amplificateurs de tension;
• calculateurs analogiques (sommateur, intégrateur, . .. etc.) ;
• filtres actifs;
• convertisseurs courant-tension et inversement .. ..
Amplificateur opérationnel 267

AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL
(ENONCES DES EXERCICES)

Exercice 1
Détenniner la tension de sortie en fonction de la tension d 'entrée des
circuits ci-dessous:

~
~ R,

e,
R, r- V Vs R,
e, Vs
R,
R,

l' 7:

Flg.7.S Fig.7.6

R,

R,

e,
R,
;> Vs
e, R,

l' ~

Fig.7.7
268 Exercices et problèmes corrigés d 'électronique analogique

Exercice 2
On considère le circu it schématisé par la Fig.7 .8, utilisant un amplificateur
opérationnel idéal.

R,
~
R,
V
el,f
Vs
R,
R,

-
"
~

Fig.7.S
1. Détennîner la tension de sortie Vs en fonction des tensions d'entrée el ,
e2 et eJ'
2. Quelle est la valeur de Vs quand R, = R., ; R, =R, et R, O+oo?
3. Quelle fonction réa1ise ce circuit?

Exercice 3
Soit le montage à amplificateur opérationnel idéal donner par la Fig.7.9 :
v
1. Délenniner t'amplification en tension : A . . =-'
v,
2. Détenniner la résistance d'entrée du montage.

R A R,

,. R
iI'///

v,
t
777T
1'///
ex

Fig.7.9
'ij
777T
Vs
Amplificateur opérationnel 269

Exercice 4
Une des applications de l'amplificateur opérationnel est le filtrage actif.
1. Déterminer la fonc tion de transfert H(jw) = vs/v, du filtre actif de Rauch
(Fig.7.10).
2. Calculer H(jw) quand :Y I =Y, =Y. = llR et Y, = Ys =jCro?

Y, Ys
YI
A

Y. ~
Y,
vs

rTe , r. rTe

Fig.7.10

Exercice 5
Soient les deux montages ci·dessous : R

R
1

.- V
+
Vs Vs

Fig.7.11 Flg.7.U

La caractéristique de la diode est donnée par l'expression suivante:

[ = 10 ex{ - ~ ) avec V > 0 .


Déterminer pour chacun des deux montages, la tension de sortie v. en
fonction de la tension d'entrée V e .
270 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Exercice 6
A partir des montages élémentaires des exercices précédents. détenniner la
tension de sortie v. du montage décrit par la Fig.7.l3 :

Exercice 7
Soit Je circuit suivant utilisant un amplificateur opérationnel idéal, V e est une
tension sinusoïdale.
1. Détenniner l'amplification vJvc de cet amplificateur.
2. Quelle rôle d'un tel circuit si la résistance R est variable?
R'

R'

- ~
~
+
R Vs
v,
C -'-

Fig.7.14
Amplificateur opérationnel 271

Exercice 8
On considère le circuit schématisé par la Fig.7.15.

1. Donner l'expression de l'impédance d'entrée Zc = vJic


2. Montrer que le circuit est équivalent à un circuit résonnant R'LC
série, dont on déterminera les éléments.
3. Donner l'expression de la pulsation (Oo de résonance.
4 . En déduire le facteur de qualité Q.
r---

R C,

R "
Fig.7.15

Exercice 9
Soit le circuit électrique de la Fig.7.l6.
On donne R, = 100 Q ; R, = 1 kfl; C, =0, 1 l'F.
1. Déterminer la fonction de transfert :

H(jûl)=~
v,
2. Tracer le diagramme de Bode de H (joo 1en module et en phase:
IH(jooll et q>(ool=ArgH(jool· R,

3. Conclure.

c,

Fig.7.16
272 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Ex~reiee 10
On.c propo.c d'étudier le circuit de la Fig.7.17.
C,

i, RA "" R.

t
~
TT.
., r.
Fig.7.l7
i
TT.
Us

L ' ~mplificateur opérationnel est considéré comme idéal.

1. Chercher l'expression de l'impédance d'entrée.


2. Montrer qu'eUe peut être symbolisée par le schéma équivalent de la
Fig.7.18.

== C,
Fig.7.18

On donnera les expressions de R. et C,.


3. Quel est l'intérêt de ce montage?
4. On envisage un deuxième montage avec deux amplificateurs
opérationnels (Fig.7.19),
C,

R.

ex
U' , +

Fig.7.19
Amplificateur opérationnel 273

Calculer la nouvelle impédance d'entrée


5. Montrer qu'elle peut être symbolisée par le schéma équivalent de la
Fig.7.20.

.f_----'Ile,
Fig.7.20

Expliciter C' e en fonction des éléments du montage.


Amplificateur opérationnel 275

AMPUFICATEUR OPERATIONNEL

(CORRIGES DES EXERCICES)

Eterciee 1
a) Montage de la Fig.7.S
L'amplificateur opérationnel étant parfait: e+ = e-

or e- = R2 Vs = Vs (diviseur de tension)
R, +R, 2
el e
- +- 2
, R R e +e ., .
et e =', ,
, = ' 2
, (Theoreme de M,liman)
- +-
R, R,
d'où Vs = (el + el) ; c'est un sommateur.

b) Montage de la Fig.7,6
el el vt
- +- 1" -
d'où
R, R, R, =0
1 1 1
- +- 1" -
R, R, R,
par suite Vs = - (el + ez) ; c'est un sommateur inverseur.

c) Montage de la Fig.7.7
R, e2 e+ = e-
e+= e2 =-
R2 + R2 2
el - e e -vs
=
R, R,
d'où Vs = el - el ; c'est un soustracteur

Exercice 2
1. La loi des nœuds sur l'entrée (-) pennet d'écrire :
.,-e-
R, =
. - -v s
R. ::::) e
_(' 1)
R, + R.
e,
= R, 1" R.
Vs

_ R.e,+R,v s
d'où e = ----''--'-- --'--''-
276 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Et d'après le théorème de Millman :


e e)
- 2 +-
R , R,
"+ = -,-_."-:,---"""---,-
1 1 1
- +- +-
R2 RJ R,

L'amplificateur opérationnel étant parfait: e+ = e-


R.e , +R,v s R , (R , e, +R,e,)
=
R, + R. R,R, + R , R , + R,R ,
R ,v s R , (R , e, +R,e,) R.
soit e,
R , + R, R ,R, + R,R, + R ,R, R, + R,
R,(R, +R.XR,e, +R,e,) R.
d'où
Vs = R,{R,R, +R,R, + R,Rs)- R, e,

2. Si R, = R. ; R, =R, et R, -+ OC>

Vs R 5R 2(e 2 +e J ) e,
2 = R , {R , + R , ) 2
Vs = e z + el e,
2 2 2
soit Vs = {e, +e,)-e ,
3. C'est un sommateur-sowtracteur.
Exercice 3
1. D'après le théorème de Millman
e- v
- +.,.,i.
v _ R "',
A - l +_1_+_1_
R R, R,
RR,
ct comme -:=)V A = Vs
RR, +R,R, +RR,
d'autre part .Y!.=_ V A (Loi des nœuds à l'entrée (-))
R R
v, -(RR, +R,R, +RR,)
d'où A, = - = --'="-'---=--=---'----''-''
vt RR.
Amplificateur opérationnel 277

2. La résistance d'entrée

Exercice 4
1. En appliquant le théorème de Millman au nœud A, on obtient:

et Y4 VA = - Yj Vs (Loi des nœuds à l'entrée (-))

d 'où
-Yj Vs = YI v . + YJ VS
Y4 YI + Y2 + YJ + Y4

Ys Y, ) Y, v,
-vs ( Y, +y, + y, +y,+ Y, =Y, +Y, +Y, +Y,
Ys (Y, + Y, + Y, + Y,l + Y, y,)
-vs ( ~Ylve
Y,
VS -Y,Y,
-=
v, YS(Y, + Y, + Y, + Y,l + Y, Y,

2. Lorsque Y, =Y, =Y, = IfR et Y, = Ys = je"" on aura :

1
Vs R' _ - 1
-~-
V, 'C (3 ·C) 1 - jRCro(3R + jRCro)+ 1
J ro - + J ro + -
R R'

Vs -1
=

C'est Dn filtre passe bas actif du 20(\ ordre,


278 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Exercice 5
1. Montage de la Fig.7.11 :

1= 1
o
ex{ vs J =~
VT R
par suite:
vs=-VTLog ~
RIo

enfin Vs = V TLOg( ~: ) Amplificateur logarithmique

2. Montage de la Fig.7.12 :

1=loex{ ~:)=- i
d'où Vs =-RIoex{ ~: J Amplificateur exponentiel.

Exercice 6
D'après l'exercice 5 :
RI = VTLog RIo
Vs, = VTLog .!!!lI. V
Sz V2
VI
D' autre part :
vs. + vs; = _ vs)
RI RI RI

Soit: Vs, = -( Vs, + VS2)

Soit:

Vs = - RI o ru",-'=_
__
0 __
0
RI
= __v_,v_,
RIo
v2
VI

Ce circuit est un multiplieur.


AmpUlicateur o~rationnel 279

Exercice 7
\. L'amplificateur est idéal donc e' = e et i' = ï = 0
1
,jCoo 1
or e = l ,v c ;;;; ,v e
__ + R 1+ jRCoo
jCoo
v - e e -vs
et d'autre part : --"-- -
R' R'
v +v
Soit:e- = e s
2
D' ou:vc+v
,
s =
2 ,v e
1 + jRCoo

v = v (
, ' 1+ jRCoo
2 -1)
l-jRCoo
v = .V
, 1 + jRCoo '
, W
l - J-
D'où v, "'0 avec 00 =-
1
v, 1 +J. -W o RC
Wo
2. Pour cet amplificateur, on a :

• Gain: G= v , =1
v,

• Phase: <p = Arg(~)


v
= - 2 Arctg~
(00
e
Si III «000 alors '1' .... 0 Arg[yJyJ
mo
Si (0 ) > 0)0 alors q> ---t -1t O~~--T-----.

7t -1ti2
Si 01 = 000 alors q> = - -
2 ·n . . . . . .. .... ..__... ....L..::::=-_
Fig.7.21

Le gain est constant est la phase '1' varie en fonction de 00, C'est un
circuit déphaseur,
280 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Exercice 8
1. Impédance d'entrée :
Au nccud A , on a : ie = il + il
+
. _e_ -_v
-,,-A
Or i, ~ (v, - e)jC,Ol de plus 1e :;;
R

par suite

d'où v A = R(l + jRC,w }i,

d'autre part

Soit:

Finalement Z,~~, =. l +2R+jR'C,w


l, JC,w
2. Comparer à un circuit R'LC série, on peut écrire:
R' ~ 2R; L ~ R'C, et C = C,

3. Pour un -circuit R'Le série, la pulsation de résonance est:


1 1
w - - r=c:====
o - ,}LC - ~R 'C,C,
Amplificateur opérationnel 281

Exercice 9
1. Puisque l'amplificateur est idéal, alors:

Z, =R,

Vc =_ VS avec R 1
Z, Z, , ·c R
Z, = J ,ro _ '
R, + 1 1 + jR,C,ro
jC,ro

R,
Vs Z, 1 + jR ,C,ro _ R,
par suite - = - - =-
v, Z, R, - R ,{I+ jR ,C,ro)
Vs R, 1
d'où
v, = - R, (l + jR,C,ro)

A =--
R,
, R,
de la fonne HGro) = :5 ,
= A, (
l+)
1
' - '"
) avec
"', = - --
1

"', R,e,
2. Le diagramme de Bode se déduit de :
• En module: (Fig.7.22)
ro « 000 :
IHUro ~dB = 20 loglAo 1 = 20 10~1 ~ = 20 dB
Donc pour w « Wo la courbe du module admet une
asymptote horizontale au point '20 dB'.
00=000:

IHUro)dB = 20 1og10 - 201ogFz '" 17dB


00 »000 :

IHUro).," =-20Iog~+2010gI0
ro o
Donc pour w » Wo la courbe du module admet une
asymptote oblique de pente -20dB / Décade et passe par le
point (w" 2OdB).
282 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

17 dB Pente -20 dB/déc

o +----'---"'~I?=.

• En phase: (Fig.7.23)

Argf!!Ùro )]= -Arct{ ~)


w« IDo:

Arg[H(joo)] = 0
Donc pour 00 « 000 la courbe du phase admet une asymptote
horizontale d'équation y = 0 deg.

00 = ffio :

Arg[H(joo)] = -Arc tg 1 = - 1t soit _45°.


4
ro » (00 :

Arg[H(joo)] = -Arc tg <Xl = - ; soit - 90°.


Donc pour 00 » 000 la courbe du module admet une
asymptote horizontale d'équation y = - 90°.
Arg[!!O"l)

ID

_90·

3. C'est un fIltre passe bas actif du 1" ordre et de pulsation de


coupure à -3 dB co,.
Amplificateur opérationnel 283

Exercice 10
1. Impédance d'entrée : (Fig.7.24)
c,
le
-'
l, RA 'R
" R.

U,
~
TT. 7 )0:
Fig.7.24
i Us

UI = RA i R et d'après la loi des nœuds il = ie + IR


Us = • Ra i R
- U1 + ~ ie + U s ::: 0

Par suite UI = Us + Zc ie = - RB i R + Zc (il - iR )

o , ou" Il =u-1+ u 1 -us =-- u1 u Re . u u Ra u 1


+ - 1 + - lR = - 1- + - 1 + - - -
RA le R A l e le RA l e l e RA

1
Enfin l e = "-'--
jC 1Cù

l =.':'..L =_ _ -----;_ _1 ____- -


Alors
' il - 1 +J.( RA +RB )C
. ICù
RA RA

donc Z. = RAil Z , tel que Z = j e ", (Ré R.) 1 RA


2. On peut écrire Ze sous la fonne suivante :

l =u1 = 1 avec
' i1 _ + _1
1
RA l
284 Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique

Avec cette forme d'écriture on aboutit au modèle de la Fig. 7 .18.

La Fig.7.17 sera équivalente à la Fig.7.18 si :


R e =RA

3. D'après l'expression C, = (RAR+ARB}C, , si l'une des résistances RA

oU RB est variable, on peut faire varier la valeur de Ce.

4. Impédance d'entrée: (Fig.7.2S)


C,

'R RB

j u' s

Fig.7.25

U,s = - R·
B lR

, •
-UI+U S+LC 1 1=
'7" 0

d'où

par suite

il en résulte
Amplificateur opérationnel 285

Finalement

5. En posant C~ = (1 + : : Jc t• on trouve le circuit de la Fig.7.20. Si

RA OU RB est variable, le circuit vu de l'entrée, est équivalent à une


capacité variable.
(1) J.M. Brébec et P. Denéve, " Electronique Electrocinétique J" ,
Hachette, 1995.

[2) S. Coeurdacier, " Electronique ", Tomes 1.2 et 3. Dunod. 1980.

[3) J.!. Queyrel et J. Mespled, " Précis de physique. Electronique ",


Bréal, 1988.

[4) P. Albert," Principes d'électronique ", Edition Graw Hill, 1988.

[5) M. Gerard, " Amplificateur opérationnel". Tomes 1 et 2. Edition


science internationale. 1995.

[6) P. Horowitz et W. Will, " Traité de l'électronique analogique et


numérique", Publitronic Elektor, 1996.

[7) S. Valkov, " Electronique analogique : Cours avec problèmes


résolus", Educalivre Edition Castella, 1994.

[8) F. Manneville et J. Esquieu, " Electronique: Systèmes bouclés et


linéaires, de communication et de filtrage" , Dunod, 1996.

[9) F. Dieuleveul! et H. Fanet, "Principe et pratique de l'électronique


", Tome l, Dunod, 1997.

[10) E.M. Purcell, " Cours de physique : Electricité et


électromagnétisme", Armand colin : Collection Berkely. 1973.
Ce recueil d'exercices et problèmes corrigés avec résumés de cours
permet une étude générale en électronique analogique.
Le premier et le deuxième chapitre traitent respectivement des
méthodes de base de résolution des réseaux linéaires ainsi que l'étude des
circuits en régimes sinusoïdal et transitoire; l'ouvrage traite ensuite des
quadripôles, des diodes, des transistors à effet de champ, des transistors
bipolaires et des amplificateurs opérationnels.
Ce livre est destiné, en premier lieu, aux étudiants du premier cycle
universitaire scientifique et technique et sera certainement utile à tout
public qui souhaiterait acquérir une culture générale dans le domaine de
l'électronique analogique.

Ali GHARSALLAH est ingénieur en radio-électricité de l'école


supérieure de poste et télécommunications et docteur en génie électrique
de l'école nationale d'ingénieurs de Thnis. Titulaire d' une habilitation
universitaire en électronique, il est actuellement maître de conférences à l~
faculté des sciences de Tunis.
Tarek BEN NASRALLAH, docteur en électronique de l'université de
Nantes est maître assistant à la faculté des sciences de Tunis. Ses activités
de recherche au sein de l'équipe de physique des dispositifs il
semi-conducteurs, portent sur l'étude et la réalisation de composam~
optoélectroniques (photopiles, capteurs, ... )
LassAad GARGOURI, est titulaire d'une maîtrise ès-sciences
techniques, d' un certifitat des études supérieures spécialisées et d' un
diplôme d'études approfondies de l'école' supérieure des sciences
et techniques de Thnis. Il est actuellement assistant technologue il
l'institut supérieur des études technologiques de Radès.

"

© Cenlfe de Publication Uni versitaire,Tunis 2003.


ISBN: 9973-37-166-6 Prix : 12 Dinars
978 99 73 :.7I G69